KR20070024777A - 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 패드 금속의 산화 막 발생을 방지하기 위한 투명 금속층을 형성하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기 발광 표시장치는 기판, 상기 기판상에 형성되며 게이트 및 소스/드레인 전극을 포함하여 형성되는 표시부 및 상기 기판상에 형성되며 상기 표시부에 전기적인 신호를 전달하는 배선부를 포함하며, 상기 배선부는 소정의 형상으로 적층된 금속단자 상에 투명 금속층이 형성되며, 상기 투명 금속층의 일 영역이 외부로 노출된 형태인 배선 단자를 포함한다.
유기 발광표시장치, 배드부, 표시부, 투명 전극
Description
도 1은 종래 유기 발광 표시장치의 일례를 나타낸 평면도이다.
도 2는 종래 유기 발광 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 표시장치의 일례를 나타낸 도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 유기 발광 표시장치에 포함된 배선 단자의 제조 공정의 일례를 나타낸 도이다.
*** 도면의 주요 부호에 대한 설명 ***
300: 기판 325: 투명 금속층
315: 층간 절연층 327: 보호층
323: 금속 단자 324: 배선 단자
본 발명은 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 배선 단자에 소정의 공정을 실시할 때 배선 단자 상에 산화막 생김을 방지하기 위하여 소정의 금속층 상에 투명 금속층을 성막 하여 배선 단자로 사용하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 유기 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display) 등이 있다. 상기와 같은 평판 표시장치는 기판상에 박막 트랜지스터를 형성하여 박막 트랜지스터의 스위칭 동작에 의해 화상을 표현한다.
도 1은 종래 유기 발광 표시장치의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 종래 유기 발광 표시장치는 기판(100)상에 표시부(a) 및 패드부(b)가 형성된다.
표시부(a) 영역의 기판(100) 상에는 소스/드레인 영역(110)및 채널 영역(111)을 갖는 활성층(112)이 형성된다.
활성층(112)을 포함한 기판(100) 전면 상에는 게이트 절연층(113)이 형성되고, 게이트 절연층(113) 상에는 채널 영역(111)과 대응되는 게이트 전극(114)이 형성된다.
게이트 전극(114)을 포함한 기판(100) 전면에는 층간 절연층(115)이 형성되 고, 층간 절연층(115) 상에는 소스/드레인 영역(110)을 노출하는 소스/드레인 콘택홀이 형성된다.
층간 절연층(115)상의 표시부(a) 영역에서는 소스/드레인 콘택홀을 통해 소스/드레인 영역(110)과 각각 접속되는 소스/드레인 전극(116)이 형성되고, 층간 절연층(115)상의 패드부(b) 영역에서는 배선 단자(117)가 형성된다. 이때 형성된 배선 단자(117)는 표시부(a)의 소스/드레인 전극(116)과 전기적으로 접속되어, 소스/드레인 전극(116)에 데이터 신호를 전달하는 역할을 한다.
배선 단자(117)를 포함하여 기판(100) 전면에는 평탄화 절연층(118)이 형성되고, 평탄화 절연층(118)내에는 소스/드레인 전극(116) 중 어느 하나를 노출하는 비아홀(119) 및 배선 단자(117)를 노출하는 패드 콘택홀(120)이 형성된다.
평탄화 절연층(118)상에는 제 1 투명 금속층(121)과 은(Ag)(122), 제 2 투명 금속층(123)이 차례로 적층된다. 그리고, 이들을 패터닝함으로써 표시부(a)의 평탄화 절연층(118)상에는 비아홀(119)을 통해 소스/드레인 전극(116)과 접하는 화소 전극(124)이 형성되고, 패드부(b)의 평탄화 절연층(118) 상에는 패드 콘택홀(120)을 통해 배선 단자(117)와 접하는 패드 전극(125)이 형성된다. 따라서, 화소 전극(124)은 제 1 투명 금속층(121)/은(Ag)(122)/제 2 투명 금속층(123)이 적층된 구조로 형성되며, 화소 전극(124)과 동시에 형성되는 패드 전극(125) 또한 제 3 투명 금속층(126)과 은(Ag)(127), 제 4 투명 금속층(128)이 차례로 적층된 구조로 형성된다. 후속하는 공정에서 화소 전극(121)상에 형성되는 발광층(미도시)으로부터 방출되는 빛은 반사막인 은(Ag)(127)에서 반사 되므로, 기판(100)과는 반대 향으로 빛을 방출시키는 전면 발광형 유기 발광 표시장치의 구현이 가능하다. 한편, 상기 제 1 투명 금속층 내지 제 4 투명 금속층(121,123,126,128)은 ITO(Indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide)막으로 형성될 수 있다.
상기 패드 전극(125)은 외부 모듈과 본딩되어 외부 모듈로부터의 전기적 신호가 입력되는 부분으로, 외부의 수분이나 산소로부터 취약하다. 그렇기 때문에, 표면이 거친 금속을 배선 단자(117)로 사용하면 배선 단자(117) 바로 위에 성막된 제 3 투명 금속층(126)이 표면 거칠기가 큰 배선 단자(117)로 인해 제 역할을 하지 못하게 된다. 즉, 외부의 산소와 잘 반응하는 은(Ag)(127)의 부식을 막기 위해 형성되는 제 3 투명 금속층(126)은 배선 단자(117)상에 약 50Å의 얇은 두께로 성막되기 때문에 표면 거칠기가 큰 배선 단자(117)로 인해 제 3 투명 금속층(126)이 뚫리거나 너무 얇아져 버려 은(Ag)(127)이 외부로 노출되게 된다. 이로 인해 은(Ag)(127)이 주변의 산소와 반응해 그 부피가 커지게 되고, 이에 따라 은(Ag)(127)이 부식되어 배선 불량이 발생하게 되는 문제점이 있다.
상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 목적은 패드 전극을 제거함으로써 은(Ag)의 부식을 막을 수 있고 , 패드 전극이 제거되어 외부로 노출되는 배선 단자의 산화막 생김을 방지하기 위해 소정의 금속층 상에 투명 전극층을 성막 하여 이를 배선 단자로 사용하는 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면은 기판, 상기 기판상에 형성되며 게이트 및 소스/드레인 전극을 포함하여 형성되는 표시부 및 상기 기판상에 형성되며 상기 표시부에 전기적인 신호를 전달하는 배선부를 포함하며, 상기 배선부는 소정의 형상으로 적층된 금속단자 상에 투명 금속층이 형성되며, 상기 투명 금속층의 일 영역이 외부로 노출된 형태인 배선 단자를 포함하는 유기 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 측면은 복수의 데이터선 및 복수의 주사선을 포함하며, 상기 복수의 데이터선 및 상기 복수의 주사선에 의해 정의된 영역에 복수의 화소를 형성하는 화소부, 상기 복수의 데이터선에 데이터 신호를 전달하는 데이터 구동부, 상기 복수의 주사선에 주사 신호를 전달하는 주사 구동부 및 상기 데이터 구동부 및 상기 주사 구동부에 구동 전원을 공급하는 배선부를 포함하며, 상기 배선부는 소정의 형상으로 적층된 금속단자 상에 투명 금속층이 형성되며, 상기 투명 금속층의 일 영역이 외부로 노출된 형태인 배선 단자를 포함하는 유기 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 측면은, 기판상에 위치하며 게이트 및 소스/드레인 전극을 포함하여 형성되는 표시부 및 상기 표시부에 전기적인 신호를 전달하는 배선 단자를 포함하는 유기 발광 표시장치의 제조 방법에 있어서, (a) 기판 상에 금속 단자, 투명 전극층을 포함한 배선 단자를 형성하는 단계, (b) 상기 배선 단자의 일 영역을 제외한 나머지 영역을 식각하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시장치 제조 방법을 제공하는 것이다.
이하 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 발광 표시장치의 일례를 나타낸 평면도이다.
도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 유기 발광 표시장치는 기판(10)상에 화소부(20), 주사 구동부(30), 데이터 구동부(40), 및 패드부(50)를 구비한다.
화소부(20)는 행방향으로 배열된 복수의 주사선(S1,S2,...Sn) 및 열방향으로 배열된 복수의 데이터선(D1,D2,...Dm)을 포함하며, 주사선(S1,S2,...Sn)과 데이터선(D1,D2,...Dm)에 의해 정의되는 영역에 복수의 화소(2)를 형성한다.
주사 구동부(30)는 화소부(20)의 일측에 인접하도록 형성되며 주사 공급선(31)을 통해 패드부(50)의 제 1 패드(Ps)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 주사 구동부(30)는 주사 공급선(31)을 통해 제 1 패드(Ps)로부터의 신호를 전달받아 복수의 주사선(S1,S2,...Sn)에 주사 신호를 순차적으로 공급한다.
데이터 구동부(40)는 칩 형태로 제작되어 기판(10) 상에 실장될 수 있으며, 패드부(50)의 제 2 패드(Pd)에 전기적으로 접속된다. 이러한, 데이터 구동부(60)는 복수의 데이터선(D1,D2,...Dm)에 데이터 신호를 전달한다.
패드부(50)는 주사 공급선(31)을 통해 주사 구동부(30)에 구동 전원을 공급하며, 데이터 공급선(41)을 통해 데이터 구동부(40)에 구동 전원을 공급한다. 한편, 데이터 공급선(41)은 배선 단자(미도시)를 포함한다. 이때, 배선 단자는 소정의 금속이 적층된 금속 단자(미도시) 상에 투명 금속층(미도시)을 적층하여 형성하며, 이 후 배선 단자의 소정의 영역을 노출하여 노출된 배선 단자와 외부 COG(Chip on glass)가 직접적으로 본딩되도록 한다.
상술한 구조에 따라 각 화소(2)는 복수의 주사선(S1,S2,,,Sn)에 공급되는 주사 신호에 의해 제어되며 복수의 데이터선(D1,D2,,,Dm)에 공급된 데이터 신호에 대응하는 화상을 표시한다. 또한, 상술한 바와 같이 구동 IC 칩이 기판(10)상에 직접 실장되는 구조를 COG(Chip on glass)라고 한다.
도 3은 본 발명에 따른 유기 발광 표시장치의 일례를 나타낸 도이고, 도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 유기 발광 표시장치에 포함된 배선부의 제조 공정의 일례를 나타낸 도이다.
도 3에 도시된 표시부(a)는 기판(300)상에 소스/드레인 영역(310)및 채널 영역(311)을 갖는 활성층(312), 게이트 절연층(313), 게이트 전극(314), 층간 절연층(315), 소스/드레인 전극(316), 평탄화 절연층(322), 비아홀(317), 제 1 투명 금속층(318), 은(Ag)(319), 제 2 투명 금속층(320)이 차례로 적층된 화소 전극(321)을 형성한다. 도 3에 도시된 표시부(a)는 종래의 표시부(a)의 구조와 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하도록 한다. 따라서, 도 3에 도시된 배선부(b)와 도 4a 내지 도 4d를 결부하여 설명하면, 본 발명에 따른 배선부(b)는 기판(300)상에 층간 절연층(315), 배선 단자(324) 및 보호층(327)을 차례대로 적층한다.
먼저, 기판(300)상에 게이트 절연층(313) 및 층간 절연층(315)을 형성한다. 기판(300)은 유리 또는 SUS 또는 플라스틱을 사용하여 제조될 수 있으며, 층간 절연층(315)은 SiO2 또는 SiNx을 사용하여 게이트 절연층(313) 상에 형성될 수 있다.
그 다음, 층간 절연층(315) 상에 외부 모듈인 COG(Chip On Glass)등과 직접적으로 본딩되는 배선 단자(324)를 형성한다. 또한 배선 단자(324)는 표시부(a)의 소스/드레인 전극(316)이 형성될 때 소스/드레인 전극(316)과 같은 물질로 동시에 형성된다. 예컨대, 배선 단자(324)는 티타늄/알루미늄/티타늄 막이 적층된 금속 단자(323) 상에 높은 전력 효율을 위한 적정 두께인 500~1000Å의 두께로 투명 금속층(325)을 성막하여 형성할 수 있다. 그 후 배선 단자(324)의 일 영역을 노출하여 상기 노출된 영역과 외부 모듈이 직접적으로 본딩 되도록 한다. 한편, 투명 금속층(325)으로는 ITO(Indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide)를 사용할 수 있다. (도 4a)
그 다음 배선 단자(324) 상의 일 영역에 감광막(326)을 도포한다. 특정 파장대의 빛을 받으면 반응을 하는 일종의 감광 고분자 화합물인 감광막(326)을 도포하고 자외선(UV)을 조사한다. (도4b)
후속 공정으로, 감광막(326)을 식각 마스크로서 사용하여 감광막(326)이 도포되지 않은 부분의 배선 단자(324)를 식각하고, 감광막(326)을 제거한다. 이때, 표시부(a)의 소스/드레인 금속(316) 패턴 공정도 함께 실시하도록 한다. (도4c)
이후, 투명 금속층(325) 상의 소정의 영역을 제외한 나머지 영역을 포함하여 기판(300) 상에 절연 물질로 보호층(327)을 형성하며, 이때, 산소 플라즈마 공정을 실시할 수 있다. 또한, 보호층(327)은 표시부(a)의 평탄화 절연층(322)과 같은 물질로 동일한 층에 형성한다. (도 4d)
상술한 배선부(b)의 제조 공정을 실시함에 있어서, 세정 등과 같은 자외선(UV)을 이용한 공정 또는 플라즈마 공정시 금속 단자(323)의 티타늄 막 상에 산화막이 형성된다. 그렇게 되면, 배선 단자(324)의 도전 특성이 좋지 않게 되므로, 금속 단자(323)상에 투명 금속층(325)을 형성하여 자외선(UV) 공정이나 플라즈마 공정시 티타늄 막 상에 산화 티타늄막이 생기는 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 상기 배선부의 배선 단자로서 표면 거칠기가 상대적으로 작은 금속 단자 상에 상기 금속 단자의 산화막 생김을 방지하기 위한 투명 전극층을 형성한다. 이에 따라, 금속 단자상의 산화막으로 인해 접촉 저항이 커져서 배선에 불량이 생기게 되는 문제점을 해결할 수 있다.
Claims (14)
- 기판;상기 기판상에 형성되며 게이트 및 소스/드레인 전극을 포함하는 표시부; 및상기 기판상에 형성되며 상기 표시부에 전기적인 신호를 전달하는 배선부를 포함하며,상기 배선부는소정의 형상으로 적층된 금속 단자 상에 투명 금속층이 형성되며, 상기 투명 금속층의 소정의 영역이 외부로 노출된 배선 단자를 포함하는 유기 발광 표시장치.
- 제 1항에 있어서,상기 투명 금속층은 ITO(Indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide)인 유기 발광 표시장치.
- 제 1항에 있어서,상기 금속 단자는 티타늄/알루미늄/티타늄 막이 적층된 구조인 유기 발광 표시장치.
- 제 1항에 있어서,상기 배선 단자는 외부 모듈인 COG(Chip On Glass)와 본딩되는 유기 발광 표시장치.
- 제 1항에 있어서,상기 배선부는 상기 배선 단자의 노출된 소정의 영역을 제외한 나머지 영역을 포함하여 기판상에 절연 물질로 보호층이 형성되는 유기 발광 표시장치.
- 제 5항에 있어서,상기 절연 물질은 아크릴(Acryl)인 유기 발광 표시장치.
- 복수의 데이터선 및 복수의 주사선을 포함하며, 상기 복수의 데이터선 및 상기 복수의 주사선에 의해 정의된 영역에 복수의 화소를 형성하는 화소부;상기 복수의 데이터선에 데이터 신호를 전달하는 데이터 구동부;상기 복수의 주사선에 주사 신호를 전달하는 주사 구동부; 및상기 데이터 구동부 및 상기 주사 구동부에 구동 전원을 공급하는 배선부를 포함하며,상기 배선부는 소정의 형상으로 적층된 금속단자 상에 투명 금속층이 형성되며, 상기 투명 금속층의 일 영역이 외부로 노출된 배선 단자를 포함하는 유기 발광 표시장치.
- 제 7항에 있어서,상기 투명 금속층은 ITO(Indium tin oxide) 또는 IZO(Indium zinc oxide)인 유기 발광 표시장치.
- 제 7항에 있어서,상기 배선 단자의 상기 노출된 소정의 영역을 제외한 나머지 영역을 포함하여 기판상에 절연 물질로 보호층이 형성되는 유기 발광 표시장치.
- 기판상에 위치하며 게이트 및 소스/드레인 전극을 포함하여 형성되는 표시부 및 상기 표시부에 전기적인 신호를 전달하는 배선부를 포함하는 유기 발광 표시장치의 제조 방법에 있어서,(a) 기판 상에 금속 단자 및 투명 전극층을 적층하여 배선부를 형성하는 단 계; 및(b) 상기 배선부의 소정의 영역을 식각하여 배선 단자를 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시장치 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 (b) 단계는(c) 상기 배선 단자의 소정의 영역 상에 감광막 패턴을 도포하는 단계; 및(d) 상기 감광막 패턴이 도포되지 않은 영역의 상기 배선 단자를 식각한 후 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시장치 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 (b) 단계 실시 후 상기 배선 단자의 상기 소정의 영역을 제외한 나머지 영역을 포함하여 상기 층간 절연막 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하여 실시하는 유기 발광 표시장치 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 배선 단자는 상기 표시부의 소스/드레인 전극을 형성할 때 함께 형성하 는 유기 발광 표시장치의 제조 방법.
- 제 10항에 있어서,상기 (a) 단계 내지 상기 (d) 단계 중 적어도 어느 한 단계에서 산소 플라즈마 공정 또는 자외선(UV) 세정 공정을 실시할 수 있는 유기 발광 표시장치의 제조 방법.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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