KR20070023997A - 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070023997A
KR20070023997A KR1020050078437A KR20050078437A KR20070023997A KR 20070023997 A KR20070023997 A KR 20070023997A KR 1020050078437 A KR1020050078437 A KR 1020050078437A KR 20050078437 A KR20050078437 A KR 20050078437A KR 20070023997 A KR20070023997 A KR 20070023997A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bus line
electrode
counter
gate
pixel electrode
Prior art date
Application number
KR1020050078437A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100735219B1 (ko
Inventor
김향율
김귀현
정연학
Original Assignee
비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020050078437A priority Critical patent/KR100735219B1/ko
Publication of KR20070023997A publication Critical patent/KR20070023997A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100735219B1 publication Critical patent/KR100735219B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

개시된 FFS 모드 액정표시장치는, 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인 및 상대 버스 라인이 교차 배열되어 단위 화소들이 형성되고, 상기 단위 화소 영역 내에는 상대 전극과 화소 전극이 게이트 절연막의 개재 하에 배치되고, 소스-드레인 전극을 포함한 박막 트랜지스터가 마련된 구조를 가지는 하부 기판이 상기 화소 영역 각각에 대응하여 컬러 필터와 블랙 매트릭스를 구비한 상부 기판과 액정층의 개재 하에 합착되며, 상기 상대 전극은 다수의 슬릿 형태로, 상기 화소 전극 상부에 마련되어, 상기 박막 트랜지스터 부분을 제외한 상기 게이트 버스 라인을 덮으며, 상기 상대 버스 라인과 그물망 형태의 매트릭스 구조를 형성함으로써, 게이트 전극에서의 직류 전압 성분을 차단하여 잔상을 방지하고, 그물망 형태의 매트릭스 구조에 의하여 그리니쉬 현상을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.
FFS 모드, 잔상, 그리니쉬

Description

에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법{Fringe field switching mode liquid crystal display device and manufacture method thereof}
도 1은 종래의 FFS 모드 액정표시장치의 단위 화소 구조를 나타낸 평면도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 FFS 모드 액정표시장치의 단위 화소 구조를 나타낸 평면도,
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ 선에 따른 단위 화소 구조를 나타낸 단면도,
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ 선에 따른 단위 화소 구조를 나타낸 단면도,
도 5는 도 2의 단위 화소와 인접한 단위 화소 각각의 상대 전극이 연속적으로 연결된 모습을 나타낸 평면도,
도 6은 도 2의 단위 화소 구조의 제조방법을 순차적으로 나타낸 순서도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100... 단위 화소 구조 110... 하부 기판
120... 게이트 버스 라인 130... 데이터 버스 라인
140... 상대 버스 라인 150... 화소 전극
151... 화소 전극 콘택홀 180... 상대 전극
181... 상대 전극 콘택홀
본 발명은 FFS 모드 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 화면에 나타나는 잔상과 그리니쉬 문제를 해결하기 위한 FFS 모드 액정표시장치의 단위 화소 구조에 관한 것이다.
FFS 모드(fringe field switching mode;FFS mode) 액정표시장치는 아이피에스 모드(in-plane switching mode;IPS mode) 액정표시장치의 낮은 개구율 및 투과율을 개선시키기 위하여 제안되었고, 이에 대하여 대한민국 등록특허 제10-0341123호로 등록되었다.
이와 같은 FFS 모드 액정표시장치는 상대 전극과 화소 전극을 투명 전도체로 형성하여, IPS 모드 액정표시장치에 비해 개구율 및 투과율을 높이면서, 상대 전극과 화소 전극 사이의 간격을 상하부 유리기판들 간의 간격보다 좁게 형성하는 것에 의하여 상대 전극과 화소 전극 사이에서 프린지 필드가 형성되도록 함으로써 전극들 상부에 존재하는 액정 분자들까지도 모두 동작되도록 하여 보다 향상된 투과율을 얻는다.
이러한 FFS 모드 액정표시장치는 도 1과 같이 하부 기판(미도시)에 상대 전극(10)이 형성되고, 이 상대 전극(10) 양측에 게이트 버스 라인(gate bus line;20)과 상대 버스 라인(common bus line;30)이 형성된다. 여기서, 상대 버스 라인(30)과 상대 전극(10)은 직접 콘택(contact)된다.
그리고 상대 전극(10)과, 게이트 버스 라인(20) 및 상대 버스 라인(30)을 덮 도록 게이트 절연막(미도시)이 증착되고, 게이트 전극(21) 상부의 게이트 절연막 상에 박막 트랜지스터(50)를 형성하기 위하여 a-Si층(미도시) 및 n+ a-Si층(미도시)이 연속 증착되며, 이 위에 소스-드레인(source-drain;미도시) 전극이 마련된다. 그리고 게이트 버스 라인(20)과 교차되도록 데이터 버스 라인(60)이 마련되고, 상기의 구성 요소들을 덮도록 보호층(미도시)이 증착된다.
그리고 이 보호층 상에는 슬릿 형태의 화소 전극(40)이 형성되며, 이 화소 전극(40)은 소스-드레인 전극에 형성된 콘택홀(70)을 통하여 소스-드레인 전극과 콘택된다.
그런데, 이와 같은 구조의 FFS 모드 액정표시장치의 경우, 상대 버스 라인(30)을 통하여 상대 전극(10)에 직류 전압이 인가되어 화면 중앙으로 갈수록 저항이 커지게 되고, 데이터 전압의 반전에 따라, 즉 교류 전압이 인가되어 상대 전극(10)의 직류 전압 레벨이 흔들리게 되며, 특정 화면에서 그린색을 띠는 그리니쉬(greenish) 현상이 발생되는 문제점이 있다.
이러한 현상은 패널의 크기가 커질수록 문제가 심각해지고, 20인치 이상의 패널에서는 이를 개선하기 위해 상대 버스 라인(30)을 기존보다 넓게 형성하게 되는데, 이는 개구율을 감소시키게 되는 문제점이 있다.
그리고 게이트 전극(21)과 화소 전극(40) 또는 게이트 전극(21)과 상대 전극(10) 간에는 극성이 고정된 직류 전압의 강한 전기장이 형성되는데, 이는 특정 화면의 이미지가 계속적으로 남아 있는 잔상 현상을 발생시키는 문제점이 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 특정 화면에서의 그리니쉬의 발생 및 잔상 발생을 방지할 수 있는 개선된 FFS 모드 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 FFS 모드 액정표시장치는, 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인 및 상대 버스 라인이 교차 배열되어 단위 화소들이 형성되고, 상기 단위 화소 영역 내에는 상대 전극과 화소 전극이 게이트 절연막의 개재 하에 배치되고, 소스-드레인 전극을 포함한 박막 트랜지스터가 마련된 구조를 가지는 하부 기판이 상기 화소 영역 각각에 대응하여 컬러 필터와 블랙 매트릭스를 구비한 상부 기판과 액정층의 개재 하에 합착되며, 상기 상대 전극은 다수의 슬릿 형태로, 상기 화소 전극 상부에 마련되어, 상기 박막 트랜지스터 부분을 제외한 상기 게이트 버스 라인을 덮으며, 상기 상대 버스 라인과 그물망 형태의 매트릭스 구조를 형성하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 상대 전극은 상기 상대 버스 라인 상부에 형성된 상대 전극 콘택 홀을 통하여 상기 상대 버스 라인과 연결되고, 상기 화소 전극 및 상기 소스-드레인 상부에 형성된 화소 전극 콘택 홀을 통하여 상기 화소 전극 및 상기 소스-드레인을 연결한 것이 바람직하다.
또한, 상기 슬릿의 폭은 2~6㎛ 이내이고, 상기 슬릿들 간의 간격은 2~8㎛ 이내인 것이 바람직하다.
또한, 상기 화소 전극 및 상기 상대 전극의 두께는 200~1200Å 이내인 것이 바람직하다.
또한, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 상대 버스 라인은 불투명 금속으로, 1000~3500Å 이내의 두께인 것이 바람직하다.
또한, 상기 소스-드레인 전극 및 상기 데이터 버스 라인은 1000~3500Å 이내의 두께인 것이 바람직하다.
또한, 상기 블랙 매트릭스의 일단부는 상기 게이트 버스 라인 내의 상부에 위치하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 상대 전극은 인접한 단위 화소의 상대 전극과 연속적으로 연결된 것이 바람직하다.
그리고 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법 중 상기 하부 기판에의 단위 화소 제조방법은, 상기 하부 기판에 하부 ITO를 증착한 후, 패터닝을 통해 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 양측의 상기 하부 기판 상에 불투명 메탈을 증착한 후, 패터닝을 통하여 상기 화소 전극 일측에 게이트 버스 라인을 형성하고, 상기 화소 전극 타측에 상대 버스 라인을 형성하는 단계; 상기 화소 전극과, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 상대 버스 라인을 덮도록 상기 하부 기판 상에 게이트 절연막을 증착하는 단계; 상기 게이트 버스 라인 상부의 상기 게이트 절연막 상에 a-Si층과 n+ a-Si층을 연속 증착한 후, 패터닝을 통해 액티브 영역을 형성하는 단계; 상기 액티브 영역 상에 불투명 금속을 증착한 후, 패터닝을 통해 소스-드레인 전극과 데이터 버스 라인을 형성하는 단계; 상기 액티브 영역과, 상기 소스-드레인 전극 및 상기 데이터 버스 라인을 덮도록 상기 게이트 절연막 상에 보호층을 증착하 는 단계; 상기 소스 전극 및 상기 화소 전극의 일부분이 노출되도록 화소 전극 콘택홀을 형성하고, 상기 상대 버스 라인의 일부분이 노출되도록 상대 전극 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 보호층 상에 상부 ITO를 증착한 후, 패터닝을 통해 슬릿 형태의 상대 전극을 형성하고, 상기 상부 ITO에 의하여 상기 소스-드레인 전극과 상기 화소 전극의 연결 및 상기 상대 전극과 상기 상대 버스 라인을 연결하는 단계를 포함한 것이 바람직하다.
여기서, 상기 상대 전극은 상기 액티브 영역을 제외한 상기 게이트 버스 라인을 덮는 것이 바람직하다.
또한, 상기 블랙 매트릭스의 일단부는 상기 게이트 버스 라인 내의 상부에 위치하는 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 FFS 모드 액정표시장치의 단위 화소 구조를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ′선에 따른 단면도를 나타낸 것이고, 도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ′선에 따른 단면도를 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, FFS 모드 액정표시장치는 하부 기판(110)과, 하부 기판(110)에 대향하도록 소정 간격 이격된 상부 기판(미도시) 및 하부 기판(110)과 상부 기판 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함한다.
하부 기판(110)에는 불투명 금속으로 된 게이트 버스 라인(120)과 데이터 버스 라인(130) 및 상대 버스 라인(140)이 교차 배열되어 단위 화소(100)를 형성한 다.
여기서, 게이트 버스 라인(120)과, 상대 버스 라인(140) 및 데이터 버스 라인(130)의 두께는 1000~3500Å 이내로 형성된다.
단위 화소(100) 영역 내에는 200~1200Å 이내의 두께를 가진 상대 전극(180)과 화소 전극(150)이 게이트 절연막(160) 및 보호층(170)의 개재 하에 배치되는데, 화소 전극(150)은 박스 형태로 하부 기판(110) 상에 증착된 하부 ITO의 패터닝에 의하여 마련되고, 상대 전극(180)은 보호층(170) 상에 증착된 상부 ITO의 패터닝에 의하여 다수의 슬릿 형태로 마련되어, 상대 전극(180)과 상대 버스 라인(140)이 그물망 형태의 매트릭스(matrix) 구조가 된다.
여기서, 슬릿의 폭은 2~6㎛ 이내이고, 슬릿들 사이의 간격은 2~8㎛ 이내로 형성된다.
그리고 슬릿 형태로 형성된 상대 전극(180)은 후술할 박막 트랜지스터가 형성되는 영역을 제외한 게이트 버스 라인(120)을 덮으며, 도 5와 같이 인접한 단위 화소(100a)에 마련되는 상대 전극(180a)과 연속적으로 연결된다. 즉, 인접한 단위 화소들 간에 이음새 없이 일측 상대 전극(180)과 타측 상대 전극(180a)이 연결된다.
여기서, 상대 전극(180)이 게이트 버스 라인(120)을 덮는 이유는 게이트 전극(121)으로부터의 직류 전압 성분을 차단하여 잔상을 개선하기 위한 것이다.
그리고 게이트 버스 라인(120) 중 게이트 전극(121) 상에는 게이트 절연막(160)의 개재 하에 a-Si층 및 n+ a-Si층(190)과, 소스-드레인 전극(191)이 마련되 어 박막 트랜지스터를 형성한다.
한편, 보호층(170)에는 소스-드레인 전극(191)의 일부분과 소스-드레인 전극(191)에 인접한 화소 전극(150)의 일부분이 외부로 노출되도록 화소 전극 콘택홀(151)이 형성되고, 상대 버스 라인(140)의 일부분이 외부로 노출되도록 상대 전극 콘택홀(141)이 형성된다.
이 화소 전극 콘택홀(151)과 상대 전극 콘택홀(141)에는 상부 ITO가 증착되어, 소스-드레인 전극(191)과 화소 전극(150)을 연결하고, 상대 전극(180)과 상대 버스 라인(140)을 연결한다.
상부 기판에는 하부 기판에 형성된 화소 영역 각각에 대응하여 화면의 색상을 나타내는 컬러 필터(미도시)와 빛의 차단막 역할을 하는 블랙 매트릭스(미도시)가 마련된다.
여기서, 블랙 매트릭스의 일단부는 하부 기판(110)에 마련된 게이트 버스 라인(120) 내의 상부에 중첩적으로 마련된다.
이는 종래에 게이트 전극과 화소 전극 또는 게이트 전극과 상대 전극 간의 강한 전압에 의하여 액정 분자들이 왜곡되고, 이로 인하여 빛샘 현상이 발생하여, 이를 방지하기 위해, 게이트 전극 위의 블랙 매트릭스의 폭을 넓게 하여 블랙 매트릭스의 끝이 게이트 버스 라인에서 화소 전극쪽으로 소정 거리 더 나가게 형성하였으나, 본 발명의 경우 게이트 전극(121)의 직류 전압 성분, 즉 게이트 필드를 상대 전극(180)으로 차단함으로써, 블랙 매트릭스의 폭을 줄일 수 있다.
예컨대, 20인치 패널에서의 경우, 종래에는 77㎛의 블랙 매트릭스의 폭이 필 요하였으나, 본 발명의 구조에서는 52㎛까지 그 폭을 줄일 수 있게 된다.
이와 같은 구조의 FFS 모드 액정표시장치에서 하부 기판에의 단위 화소 제조 방법은 도 6에 도시된 바와 같다.
먼저, 하부 기판 상에 하부 ITO를 증착한 후, 패터닝을 통해 박스 형태의 화소 전극을 형성한다(S1).
그리고 화소 전극 양측의 하부 기판 상에 불투명 메탈을 증착한 후, 패터닝을 통해 화소 전극 일측에 게이트 버스 라인을 형성하고, 화소 전극 타측에 상대 버스 라인을 형성한다(S2).
다음으로, 상기에 패터닝된 화소 전극과, 게이트 버스 라인 및 상대 버스 라인을 덮도록 하부 기판 상에 게이트 절연막을 증착한 후, 게이트 버스 라인의 게이트 전극 상부 게이트 절연막 상에 a-Si층과, n+ a-Si층을 연속 증착한 후 패터닝을 통해 액티브 영역을 형성한다(S3).
그리고 액티브 영역 상에 불투명 금속을 증착한 후, 패터닝을 통해 소스-드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 형성하고, 불투명 금속층의 패터닝을 통해 데이터 버스 라인을 형성한 후, 그 위에 보호층을 증착한다(S4).
다음으로, 소스-드레인 전극과 화소 전극의 일부분이 노출되도록 화소 전극 콘택홀을 형성하고, 상대 버스 라인의 일부분이 노출되도록 상대 전극 콘택홀을 형성한 후(S5), 보호층 상에 상부 ITO를 증착한다.
마지막으로, 상부 ITO를 패터닝하여 슬릿 형태의 상대 전극을 형성하고, 화소 전극 콘택홀에 삽입 증착된 상부 ITO에 의하여 소스-드레인 전극과 화소 전극을 연결하고, 상대 전극 콘택홀에 삽입 증착된 상부 ITO에 의하여 상대 전극과 상대 버스 라인을 연결한다(S6).
여기서, 상대 전극은 액티브 영역을 제외한 게이트 버스 라인을 덮도록 형성 된다
그리고 상기의 단위 화소에 대응하는 상부 기판에의 블랙 매트릭스는 게이트 버스 라인 내의 상부에 위치하도록 마련된다.
이와 같은 구조의 FFS 모드 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면, 상대 전극이 게이트 버스 라인을 덮도록 형성하여 게이트 전극에서의 직류 전압 성분을 차단하고, 상대 전극을 슬릿 형태로 형성하여 상대 버스 라인과 그물망 형태의 매트릭스 구조를 이루게 하여 잔상 및 그리니쉬 현상을 방지하고, 상대 전극이 게이트 전극의 직류 전압 성분을 차단함에 따라 블랙 매트릭스의 폭도 게이트 버스 라인 내로 줄일 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명의 FFS 모드 액정표시장치 및 그 제조방법에 의하면, 상대 전극이 게이트 버스 라인을 덮도록 형성하여 게이트 전극에서의 직류 전압 성분을 차단하고, 상대 전극을 슬릿 형태로 형성하여 상대 버스 라인과 그물망 형태의 매트릭스 구조를 이루게 하여 잔상 및 그리니쉬 현상을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.
본 발명은 상기에 설명되고 도면에 예시된 것에 의해 한정되는 것은 아니며, 다음에 기재되는 청구의 범위 내에서 더 많은 변형 및 변용예가 가능한 것임은 물 론이다.

Claims (11)

  1. 게이트 버스 라인과 데이터 버스 라인 및 상대 버스 라인이 교차 배열되어 단위 화소들이 형성되고, 상기 단위 화소 영역 내에는 상대 전극과 화소 전극이 게이트 절연막의 개재 하에 배치되고, 소스-드레인 전극을 포함한 박막 트랜지스터가 마련된 구조를 가지는 하부 기판이 상기 화소 영역 각각에 대응하여 컬러 필터와 블랙 매트릭스를 구비한 상부 기판과 액정층의 개재 하에 합착된 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치에 있어서,
    상기 상대 전극은 다수의 슬릿 형태로, 상기 화소 전극 상부에 마련되어, 상기 박막 트랜지스터 부분을 제외한 상기 게이트 버스 라인을 덮으며, 상기 상대 버스 라인과 그물망 형태의 매트릭스 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상대 전극은 상기 상대 버스 라인 상부에 형성된 상대 전극 콘택 홀을 통하여 상기 상대 버스 라인과 연결되고, 상기 화소 전극 및 상기 소스-드레인 전극 상부에 형성된 화소 전극 콘택 홀을 통하여 상기 화소 전극과 상기 소스-드레인 전극을 연결한 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 슬릿의 폭은 2~6㎛ 이내이고, 상기 슬릿들 간의 간격은 2~8㎛ 이내인 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 화소 전극 및 상기 상대 전극의 두께는 200~1200Å 이내인 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 버스 라인 및 상기 상대 버스 라인은 불투명 금속으로, 1000~3500Å 이내의 두께인 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 소스-드레인 전극 및 상기 데이터 버스 라인은 1000~3500Å 이내의 두께인 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스의 일단부는 상기 게이트 버스 라인 내의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 상대 전극은 인접한 단위 화소의 상대 전극과 연속적으로 연결된 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  9. 블랙 매트릭스를 포함한 상부 기판에 대향하도록 단위 화소가 마련된 하부 기판을 배치하고, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 사이에 액정층이 개재되는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    상기 하부 기판에의 단위 화소 제조방법은,
    상기 하부 기판에 하부 ITO를 증착한 후, 패터닝을 통해 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극 양측의 상기 하부 기판 상에 불투명 메탈을 증착한 후, 패터닝을 통하여 상기 화소 전극 일측에 게이트 버스 라인을 형성하고, 상기 화소 전극 타측에 상대 버스 라인을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극과, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 상대 버스 라인을 덮도록 상기 하부 기판 상에 게이트 절연막을 증착하는 단계;
    상기 게이트 버스 라인 상부의 상기 게이트 절연막 상에 a-Si층과 n+ a-Si층을 연속 증착한 후, 패터닝을 통해 액티브 영역을 형성하는 단계;
    상기 액티브 영역 상에 불투명 금속을 증착한 후, 패터닝을 통해 소스-드레인 전극과 데이터 버스 라인을 형성하는 단계;
    상기 액티브 영역과, 상기 소스-드레인 전극 및 상기 데이터 버스 라인을 덮도록 상기 게이트 절연막 상에 보호층을 증착하는 단계;
    상기 소스 전극 및 상기 화소 전극의 일부분이 노출되도록 화소 전극 콘택홀을 형성하고, 상기 상대 버스 라인의 일부분이 노출되도록 상대 전극 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 보호층 상에 상부 ITO를 증착한 후, 패터닝을 통해 슬릿 형태의 상대 전극을 형성하고, 상기 상부 ITO에 의하여 상기 소스-드레인 전극과 상기 화소 전극의 연결 및 상기 상대 전극과 상기 상대 버스 라인을 연결하는 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 상대 전극은 상기 액티브 영역을 제외한 상기 게이트 버스 라인을 덮는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스의 일단부는 상기 게이트 버스 라인 내의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드 액정표시장치.
KR1020050078437A 2005-08-25 2005-08-25 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법 KR100735219B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050078437A KR100735219B1 (ko) 2005-08-25 2005-08-25 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050078437A KR100735219B1 (ko) 2005-08-25 2005-08-25 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070023997A true KR20070023997A (ko) 2007-03-02
KR100735219B1 KR100735219B1 (ko) 2007-07-03

Family

ID=38098783

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050078437A KR100735219B1 (ko) 2005-08-25 2005-08-25 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100735219B1 (ko)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100071900A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 소니 가부시끼가이샤 액정 패널 및 전자 기기
KR20120075102A (ko) * 2010-12-28 2012-07-06 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR20120089937A (ko) * 2010-12-28 2012-08-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR20120134245A (ko) * 2011-06-01 2012-12-12 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20130062818A (ko) * 2011-12-05 2013-06-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US10001678B2 (en) 2006-05-16 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
JP2020170199A (ja) * 2018-11-28 2020-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US20220035213A1 (en) * 2009-12-18 2022-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100717179B1 (ko) * 2001-03-31 2007-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 액정표시장치 제조방법

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11106096B2 (en) 2006-05-16 2021-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US11726371B2 (en) 2006-05-16 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. FFS-mode liquid crystal display device comprising a top-gate transistor and an auxiliary wiring connected to a common electrode in a pixel portion
US11435626B2 (en) 2006-05-16 2022-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US10001678B2 (en) 2006-05-16 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and semiconductor device
US10509271B2 (en) 2006-05-16 2019-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a semiconductor film having a channel formation region overlapping with a conductive film in a floating state
US11061285B2 (en) 2006-05-16 2021-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device comprising a dogleg-like shaped pixel electrode in a plane view having a plurality of dogleg-like shaped openings and semiconductor device
US11852928B2 (en) 2008-12-19 2023-12-26 Japan Display Inc. Display device
US11550191B2 (en) 2008-12-19 2023-01-10 Japan Display Inc. Display device
US9551909B2 (en) 2008-12-19 2017-01-24 Japan Display Inc. Liquid crystal panel and electronic apparatus including pixel electrode connection portion
US10429705B2 (en) 2008-12-19 2019-10-01 Japan Display Inc. Liquid crystal panel and electronic apparatus
KR20100071900A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 소니 가부시끼가이샤 액정 패널 및 전자 기기
US20220035213A1 (en) * 2009-12-18 2022-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
US11803090B2 (en) * 2009-12-18 2023-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR20120089937A (ko) * 2010-12-28 2012-08-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR20120075102A (ko) * 2010-12-28 2012-07-06 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR20120134245A (ko) * 2011-06-01 2012-12-12 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20130062818A (ko) * 2011-12-05 2013-06-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2020170199A (ja) * 2018-11-28 2020-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100735219B1 (ko) 2007-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3613573B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
CN101241278B (zh) 边缘场开关模式lcd
KR100471397B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법
TWI232341B (en) In-plane-switching type liquid crystal display apparatus
KR100735219B1 (ko) 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
US20110085121A1 (en) Fringe Field Switching Mode Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the Same
JP2003215599A (ja) 液晶表示装置
KR20090049659A (ko) 표시 기판 및 이를 구비한 표시 패널
CN100362414C (zh) 共平面开关模式液晶显示器件及其制造方法
JP2001059976A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2003195330A (ja) 液晶表示装置
CN104423107A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
KR100876403B1 (ko) 횡전계방식 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR20080049366A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2011081385A (ja) Ｆｆｓモード液晶表示装置及びその製造方法
KR20110048333A (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
KR20150040648A (ko) 액정 표시 장치
KR20110139829A (ko) 광시야각 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR20160104172A (ko) 액정 표시 장치
US20090230401A1 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US6822716B2 (en) In-plane switching liquid crystal display with an alignment free structure and method of using back exposure to form the same
KR20080048721A (ko) 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판
KR100590932B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
KR20040047400A (ko) 횡전계방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
CN100464235C (zh) 液晶显示器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130514

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140519

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150518

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160518

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170523

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180517

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190527

Year of fee payment: 13