KR20070018626A - Light emitting diode with transparent conducting multinary oxide - Google Patents
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Abstract
본 발명은 투명전극을 구비한 질화갈륨계 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 투명 전극이 산화 아연, 산화 주석, 산화 갈륨, 산화 알루미늄 및 산화 인듐으로 형성된 다성분계 투명 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명의 질화갈륨계 반도체 발광 소자는 투명 전극으로 다성분계 투명 산화물을 사용함으로써, 발광한 빛의 투과율과 발광 효율 및 출사 효율이 높다.The present invention provides a gallium nitride based semiconductor light emitting device having a transparent electrode, wherein the transparent electrode comprises a multicomponent transparent oxide formed of zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, aluminum oxide, and indium oxide. It relates to a semiconductor light emitting device. The gallium nitride semiconductor light emitting device of the present invention has high transmittance, light emission efficiency, and emission efficiency of light emitted by using a multi-component transparent oxide as a transparent electrode.
발광 소자, 투명 전극, 산화물전극 Light emitting element, transparent electrode, oxide electrode
Description
도 1은 본 발명에 따른 투명 산화물 전극을 구비한 발광 다이오드 구조를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting diode structure having a transparent oxide electrode according to the present invention.
도 2는 본 발명의 투명 산화물 전극과 질화갈륨계 반도체와 오믹 접합 특성을 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing ohmic bonding characteristics between a transparent oxide electrode, a gallium nitride-based semiconductor, and the present invention.
도 3은 본 발명의 투명 산화물 전극을 구비한 발광 다이오드의 전압-전류 특성을 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing voltage-current characteristics of a light emitting diode having a transparent oxide electrode of the present invention.
도 4는 본 발명의 투명 산화물 전극과 다른 투명 전극의 출력 파워를 상대 비교한 그래프이다.4 is a graph comparing the output power of the transparent oxide electrode and the other transparent electrode of the present invention.
본 발명은 투명전극을 구비한 질화갈륨계 반도체 발광 소자에 관한 것으로서 보다 상세하게는 종래 대비 발광 효율, 출사 효율이 개선된 질화갈륨계 반도체 발 광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a gallium nitride-based semiconductor light emitting device having a transparent electrode, and more particularly to a gallium nitride-based semiconductor light emitting device having improved luminous efficiency, emission efficiency compared to the prior art.
종래부터 p형 질화갈륨의 경우 투명전극으로서 Ni/Au, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 ZnO(Zinc oxide) 등이 사용되고 있다. 하지만 Ni/Au 전극은 금속이므로 전극의 두께가 두꺼우면 전류 확산은 개선되어지나 빛의 투과율이 낮아지고, 전극의 두께가 얇은 것은 빛의 투과율은 높으나 막의 면방향 저항이 높아지므로 전류 확산이 잘 되지 않는 문제가 있다.Conventionally, in the case of p-type gallium nitride, Ni / Au, indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), or the like is used as a transparent electrode. However, since Ni / Au electrodes are metal, the current thickness is improved when the thickness of the electrode is thick, but the light transmittance is lowered, and the thinner electrode has a high light transmittance but the surface resistance of the film is high, so current diffusion is not good. There is no problem.
또한, Ni/Au 투명전극 박막의 경우, 열처리 시 열적 불안전성으로 인하여 실제 발광소자에 응용시 소자 신뢰성에 많은 문제가 제기된다. 이와 같은 이유로 투명전극 박막은 소정의 임계 두께를 가져야 하는 한계가 있으며, 두꺼운 투명전극 박막은 투과율의 저하를 유발하여 발광소자에서 가장 중요한 발광 효율을 감소시키는 단점을 가진다.In addition, in the case of the Ni / Au transparent electrode thin film, there are many problems in device reliability when applied to a real light emitting device due to thermal instability during heat treatment. For this reason, the transparent electrode thin film has a limitation of having a predetermined critical thickness, and the thick transparent electrode thin film causes a decrease in transmittance and thus has the disadvantage of reducing the most important luminous efficiency in the light emitting device.
한편, 금속 보다는 높은 저항을 가지며, 빛의 투과성이 뛰어난 투명 전도성 산화물인 ITO는 에칭이 비교적 곤란하고, 에칭한 패턴의 형상이 무너지기 쉬워 전극으로서 가공하는 경우에 원하는 형상이 얻어지지 않는 문제가 있으며, 인듐은 자원 고갈의 문제와 함께 매우 고가이며, 더욱이 p형 GaN 반도체의 전극으로 사용할 경우 일함수가 p형 GaN 반도체 보다 낮아 오믹 접합 형성이 어려운 문제점을 가지고 있어 p형 GaN층으로 홀 전하 주입이 낮은 단점을 지니고 있다.On the other hand, ITO, which is a transparent conductive oxide having higher resistance than metal and excellent in light transmittance, is relatively difficult to etch and has a problem that the shape of the etched pattern is liable to collapse, so that the desired shape cannot be obtained when processing as an electrode. , Indium is very expensive along with the problem of resource depletion. Moreover, when used as an electrode of p-type GaN semiconductor, the work function is lower than that of p-type GaN semiconductor, which makes it difficult to form ohmic junctions. It has a low disadvantage.
또한, ITO와 물성이 비슷한 ZnO는 ITO 보다는 낮은 가격으로 경제적 이득은 있으나, ZnO도 낮은 일함수를 가져 p형 GaN 반도체에 오믹 형성이 어려운 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 분위기 열처리 과정 및 오믹 접합이 잘 형성되 게 하는 버퍼층을 사용하여야 하는 단점을 지니고 있다.In addition, although ZnO having similar physical properties to ITO has an economic benefit at a lower price than ITO, ZnO also has a low work function, making it difficult to form ohmic in a p-type GaN semiconductor. In order to solve this problem, there is a disadvantage in that an atmosphere heat treatment process and a buffer layer for forming an ohmic junction are used well.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술이 가지는 문제를 해결하기 위하여 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 발광 소자의 발광 효율, 출사 효율이 개선된 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다. The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention is to provide a gallium nitride-based semiconductor light emitting device is improved in the luminous efficiency, emission efficiency of the semiconductor light emitting device.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명전극을 구비한 질화갈륨계 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 투명 전극이 산화 아연, 산화 주석, 산화 갈륨, 및 산화 인듐으로 형성된 다성분계 투명 산화물로 이루어진 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a gallium nitride-based semiconductor light emitting device having a transparent electrode, the transparent electrode is a nitride consisting of a multi-component transparent oxide formed of zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, and indium oxide Provided is a gallium-based semiconductor light emitting device.
본 발명에 의하면 바람직하게는 상기 다성분계 산화물 투명 전극이 하기 화학식 1로 표시되는 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 GaN계 반도체 발광 소자를 제공한다.According to the present invention, it is preferable to provide a GaN semiconductor light emitting device, wherein the multicomponent oxide transparent electrode is formed of an oxide represented by the following Chemical Formula 1.
화학식 1
1) xZn2In2O5 + (1-x)In4Sn3O12 1) xZn 2 In 2 O 5 + (1-x) In 4 Sn 3 O 12
2) xGaInO3 + (1-x)In4Sn3O12 2) x GaInO 3 + (1-x) In 4 Sn 3 O 12
3) xZnSnO3 + (1-x)In4Sn3O12 3) xZnSnO 3 + (1-x) In 4 Sn 3 O 12
4) xZn2In2O5 + (1-x)GaInO3 4) xZn 2 In 2 O 5 + (1-x) GaInO 3
상기 식에서, x는 0<x<1 이다.Wherein x is 0 <x <1.
본 발명에 의하면 바람직하게는 상기 질화갈륨계 반도체와 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극이 오믹 접촉을 이루는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 제공한다.According to the present invention, there is preferably provided a gallium nitride-based semiconductor light emitting device, characterized in that the ohmic contact between the gallium nitride-based semiconductor and the transparent oxide electrode made of a multi-component oxide.
본 발명에 의하면 바람직하게는 상기 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극이 1×10-3Ωㆍcm 이하의 비저항, 85％ 이상의 광선 투과율 및 1×1019 cm-3 이상의 캐리어 농도를 지님을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 제공한다.According to the present invention, preferably, the transparent oxide electrode made of the multicomponent oxide has a specific resistance of 1 × 10 −3 Pa · cm or less, a light transmittance of 85% or more, and a carrier concentration of 1 × 10 19 cm −3 or more. A gallium nitride-based semiconductor light emitting device is provided.
본 발명에 의하면 바람직하게는 상기 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극의 광흡수가 300∼400 nm 영역에 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 제공한다.According to the present invention, there is preferably provided a gallium nitride-based semiconductor light emitting device, characterized in that the light absorption of the transparent oxide electrode composed of the multi-component oxide is in the 300 ~ 400 nm region.
본 발명에 의하면 바람직하게는 상기 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극이 1 nm 내지 1000 nm 두께임을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 제공한다.According to the present invention, it is preferable to provide a gallium nitride-based semiconductor light emitting device, characterized in that the transparent oxide electrode consisting of the multi-component oxide is 1 nm to 1000 nm thick.
본 발명에 의하면 바람직하게는 상기 질화갈륨계 반도체 발광 소자가 아래서부터 순차적으로 기판, 버퍼층, n형 질화갈륨계 반도체층, 발광층, p형 질화갈륨계 반도체층, 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극, 및 투명산화물 전극 일측 상부와 n형 질화갈륨계 반도체층의 타측상에 각각 형성된 금속 전극으로 구성됨 을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 제공한다. According to the present invention, the gallium nitride-based semiconductor light emitting device is preferably a substrate, a buffer layer, an n-type gallium nitride-based semiconductor layer, a light emitting layer, a p-type gallium nitride-based semiconductor layer, a transparent oxide electrode consisting of a multi-component oxide, sequentially from below, And a metal electrode formed on an upper side of one side of the transparent oxide electrode and on the other side of the n-type gallium nitride based semiconductor layer.
이하, 본 발명의 내용을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the content of the present invention in more detail as follows.
본 발명의 질화갈륨계 반도체 발광 소자는 다성분계 투명 산화물로 이루어진 투명 전극을 포함한다. 여기서 다성분계 투명 산화물은 바람직하게는 산화 아연, 산화 주석, 산화 갈륨, 산화 알루미늄 및 산화 인듐 등의 투명한 산화물에서 복수개 선택되어지는 산화물을 말하며, 보다 바람직하게는 산화 아연, 산화주석, 산화갈륨 및 산화 인듐에서 적어도 3성분(여기서 "성분"은 산소를 제외한 금속성분만을 의미하기로 한다. 이하 동일) 이상 선택되어지는 산화물이며, 더욱 바람직하게는 산화 아연, 산화주석, 산화갈륨 및 산화 인듐에서 선택되는 3성분으로 구성되는 산화물을 말한다.The gallium nitride semiconductor light emitting device of the present invention includes a transparent electrode made of a multi-component transparent oxide. Here, the multi-component transparent oxide preferably refers to an oxide selected from a plurality of transparent oxides such as zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, aluminum oxide, and indium oxide, and more preferably zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, and oxide. Indium is an oxide selected from at least three components (herein, "component" means only metal components excluding oxygen. The same below), more preferably zinc oxide, tin oxide, gallium oxide and indium oxide. The oxide consists of three components.
특히, 상기 다성분계 투명 산화물은 산화 아연, 산화 주석, 산화 갈륨, 및 산화 인듐이 각각 3 성분계로 형성되는 경우, 1 성분계 또는 2 성분계 투명 산화물 보다 높은 일함수를 얻는 것이 가능하다. 또한 최적의 높은 일함수를 얻기 위해 상기 다성분계 투명 산화물은 바람직하게는 서로 다른 2성분계 투명 산화물의 양을 조절하여 혼합 형성하도록 한다. 본 발명에 따른 바람직한 실시예로 제시되는 상기 다성분계 투명 산화물은 하기 화학식 1로 표시된다. In particular, when the zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, and indium oxide are each formed in three component systems, the multicomponent transparent oxide can obtain a higher work function than the one-component or two-component transparent oxides. In addition, in order to obtain an optimal high work function, the multi-component transparent oxide is preferably mixed to form different amounts of two-component transparent oxide. The multi-component transparent oxide, which is presented as a preferred embodiment according to the present invention, is represented by the following Chemical Formula 1.
<화학식 1><
1) xZn2In2O5 + (1-x)In4Sn3O12 1) xZn 2 In 2 O 5 + (1-x) In 4 Sn 3 O 12
2) xGaInO3 + (1-x)In4Sn3O12 2) x GaInO 3 + (1-x) In 4 Sn 3 O 12
3) xZnSnO3 + (1-x)In4Sn3O12 3) xZnSnO 3 + (1-x) In 4 Sn 3 O 12
4) xZn2In2O5 + (1-x)GaInO3 4) xZn 2 In 2 O 5 + (1-x) GaInO 3
(상기 식에서, x는 0<x<1 이다.)(Wherein x is 0 <x <1)
상기 조성비에 있어서, 투명 산화물은 높은 일함수 및 낮은 비저항과 투과도가 높은 산화물을 얻을 수 있다.In the above composition ratio, the transparent oxide can obtain an oxide having high work function, low specific resistance and high transmittance.
이러한 본 발명의 산화물은 당해 분야의 통상적인 방법으로 제조될 수 있다. 바람직하게는 먼저, 상기 각 금속 산화물의 분말을 혼합 분쇄기, 초음파 등에 의해 균일하게 혼합하고, 1차 분쇄한 후 일정 온도에서 소결을 수행하고, 2차 분쇄한다. 제조된 분쇄물을 일정한 모양 및 크기로 프레스 성형에 의해 소망하는 형상으로 성형하고, 이를 소성로에서 일정 온도에서 소성한다.Such oxides of the present invention can be prepared by conventional methods in the art. Preferably, first, the powders of the metal oxides are uniformly mixed by a mixing grinder, ultrasonic waves, and the like, first pulverized, sintered at a predetermined temperature, and second pulverized. The prepared pulverized product is molded into a desired shape by press molding into a constant shape and size, which is fired at a constant temperature in a firing furnace.
상기 화학식 1로 표시되는 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극은 1×10-3Ωㆍcm 이하의 비저항, 85％ 이상의 광선 투과율 및 1×1019 cm-3 이상의 캐리어 농도를 지니며, 300 ∼ 400 nm 영역에서의 광흡수를 지니는 특징을 나타낸다. 이러한 특성으로 인해 본 발명의 투명 산화물 전극을 질화갈륨계 반도체에 적용하여 청녹색 및 자외선을 내는 단파장 발광 다이오드 및 레이져 다이오드 등의 구현에 필요한 높은 빛의 투과성 및 우수한 전도도를 얻을 수 있다.The transparent oxide electrode made of the oxide represented by Chemical Formula 1 has a resistivity of 1 × 10 −3 Pa · cm or less, a light transmittance of 85% or more, and a carrier concentration of 1 × 10 19 cm −3 or more, and has a 300 to 400 nm region. It is characterized by light absorption in. Due to this property, the transparent oxide electrode of the present invention can be applied to a gallium nitride-based semiconductor to obtain high light transmittance and excellent conductivity required for implementing short-wavelength light emitting diodes and laser diodes emitting blue green and ultraviolet rays.
본 발명의 구체적인 예로서, 질화갈륨계 반도체 발광 다이오드가 있다. 본 발명의 투명 산화물 전극을 구비한 질화갈륨계 반도체 발광 다이오드의 구조는 첨 부된 도 1에서 보는 바와 같다. 질화갈륨계 반도체 발광 다이오드는 사파이어 기판(17); 상기 사파이어 기판 위에 언도핑된(undoped) 질화갈륨층이 형성된 버퍼층(16); 상기 버퍼층 위에 형성된 n형 질화갈륨계 반도체층(14, 제 1 전극층); 상기 제 1 전극층 위에 형성된 단일 및 다중양자우물 구조의 발광층(13, 활성층); 상기 활성층 위에 형성된 p형 질화갈륨계 반도체층(12, 제 2 전극층)을 가지는 p-n형 발광 다이오드, 및 상기 p형 질화갈륨계 반도체층의 제 2 전극층 위에 활성층과 제 2 전극층 보다 밴드갭이 큰 투명 산화물 전극층(11, 산화물 투명전극); 상기 투명 산화물 전극층의 일측 상부에 형성되어 있는 p형 금속전극(10); 및 상기 n형 질화갈륨계 반도체층(15)의 타측상에 형성되어 있는 n형 금속전극(15)의 구조로 이루어진다.As a specific example of the present invention, there is a gallium nitride-based semiconductor light emitting diode. The structure of the gallium nitride-based semiconductor light emitting diode having a transparent oxide electrode of the present invention is as shown in Figure 1 attached. The gallium nitride-based semiconductor light emitting diode includes a sapphire substrate 17; A buffer layer 16 having a gallium nitride layer undoped on the sapphire substrate; An n-type gallium nitride based semiconductor layer (14, first electrode layer) formed on the buffer layer; An emission layer 13 (active layer) having single and multi-quantum well structures formed on the first electrode layer; A pn-type light emitting diode having a p-type gallium nitride based semiconductor layer (12, second electrode layer) formed on the active layer, and a transparent band having a larger bandgap than the active layer and the second electrode layer on the second electrode layer of the p-type gallium nitride based semiconductor layer Oxide electrode layer 11 (oxide transparent electrode); A p-
상기 질화갈륨계 반도체 발광 다이오드의 제조방법의 일예는 하기와 같다. An example of the manufacturing method of the gallium nitride-based semiconductor light emitting diode is as follows.
제 2 전극층 상부에 화학식 1의 xZn2In2O5 + (1-x)GaInO3 화합물의 조성에 있어서, x는 0<x<1 사이의 조성을 가지는 소결체를 사용하여 스퍼터링법으로 일정한 두께를 가지는 투명산화물 전극층을 형성한다. 여기서 스퍼터링 증착 조건으로서는, 스퍼터링 가스는 아르곤 가스를 사용하고, 스퍼트 압력 5mTorr, 투입 전력 90W ∼ 150W, 증착 온도는 상온에서 수행할 수 있다. 다음으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 투명 산화물 전극을 스퍼터링으로 증착한 후, 급속 가열로 안에 시료를 넣어 질소 분위기 하에서 650℃에서 2분 동안 열처리 하여 전류 확산 특성을 향상시킨 후, 산화물 투명 전극을 식각하고, 순차적으로 n형 질화갈륨 제 1 전극층 중간까지 에칭하고, 노출된 n형 질화갈륨 제 1 전극층 및 산화물 투명 전극층 일측 상부면에는 금속 전극을 전자빔 증착기로 증착하고, 리프트 오프 공정을 거친 후, 급속 가열로 안에 시료를 넣어 진공에서 600℃에서 30초 동안 열처리 하여 금속 전극을 형성할 수 있다.In the composition of the xZn 2 In 2 O 5 + (1-x) GaInO 3 compound of
본 발명의 투명 산화물 전극은 질화갈륨계 반도체 발광 소자 중 p형 질화갈륨 전극층 상부에 구비되는데, 이때, 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극은 스퍼터링 법 등에 의해 1 nm 내지 1000 nm 두께로 형성되는 바, 종래 금속 투명 전극의 단점인 임계 두께 문제를 해결할 수 있다.The transparent oxide electrode of the present invention is provided on the p-type gallium nitride electrode layer of the gallium nitride-based semiconductor light emitting device, wherein the transparent oxide electrode made of a multi-component oxide is formed to a thickness of 1 nm to 1000 nm by the sputtering method, The critical thickness problem, which is a disadvantage of the conventional metal transparent electrode, can be solved.
또한, 이렇게 형성된 질화갈륨계 반도체와 다성분계 산화물로 이루어진 투명 산화물 전극은 오믹 접촉을 이루게 된다. 이때, 상기 투명 산화물 전극은 진공 또는 분위기 열처리 과정을 통하여 질화갈륨계 반도체 층과의 접촉 저항의 특성을 향상시킬 수 있다. 도 2는 산화 아연계 투명 전극과 p형 질화갈륨계 반도체 층과의 접합 상태를 나타내는 전류-전압 특성으로서, 가로축은 인가 전압으로, 세로축은 전류를 나타낸다. 도 2에서 전류가 인가 전압에 대하여 비례하고 있으므로, 다성분계 산화물 투명 전극과 p형 질화갈륨계 반도체와의 접합은 오믹 접촉을 형성함을 알 수 있다. 여기서, 다성분계 산화물 투명 전극은 비저항이 1×10-3 Ωㆍcm 이하 이며, 광선 투과율이 85％ 이상이며, 캐리어 농도는 1×1019 cm-3 이상의 특성을 가진다. 이와 같은 조건으로 형성된 다성분계 산화물 투명 전극은 금속 전극으로부터 전류의 주입이 용이하고, 면 방향으로 전류의 확산 특성이 뛰어나, 효율적인 발광 이 가능해진다.In addition, the transparent oxide electrode formed of the gallium nitride semiconductor and the multicomponent oxide thus formed is in ohmic contact. In this case, the transparent oxide electrode may improve the characteristics of contact resistance with the gallium nitride-based semiconductor layer through a vacuum or atmosphere heat treatment process. Fig. 2 is a current-voltage characteristic showing a junction state between a zinc oxide transparent electrode and a p-type gallium nitride based semiconductor layer, where the horizontal axis represents applied voltage and the vertical axis represents current. Since the current is proportional to the applied voltage in FIG. 2, it can be seen that the junction between the multi-component oxide transparent electrode and the p-type gallium nitride based semiconductor forms an ohmic contact. Here, the multicomponent oxide transparent electrode has a specific resistance of 1 × 10 −3 Pa · cm or less, a light transmittance of 85% or more, and a carrier concentration of 1 × 10 19 cm −3 or more. The multi-component oxide transparent electrode formed under such conditions is easy to inject current from the metal electrode, has excellent diffusion property of current in the plane direction, and enables efficient light emission.
또한, 본 발명의 질화갈륨계 반도체 발광 소자는 반도체 발광소자의 발광 효율, 출사 효율이 뛰어나다. 구체적으로, 도 3은 본 발명의 발광소자의 전류-전압 특성으로 나타낸 것으로, 발광 소자의 발광 파장은 460nm이며, 20mA에서 Vf 값은 3.4eV 이었다. 또한 도 4는 본 발명의 발광소자의 전류-출력 파워 특성을 나타낸 것으로, 기존의 투명 전극재료(Ni/Au 또는 ITO)에 비교하여 상대적으로 다 성분계 산화물 투명 전극은 출력 파워가 우수하여 효율적으로 빛을 외부로 꺼낼 수 있음을 나타내고 있다.In addition, the gallium nitride-based semiconductor light emitting device of the present invention is excellent in light emission efficiency and emission efficiency of the semiconductor light emitting device. Specifically, Figure 3 shows the current-voltage characteristics of the light emitting device of the present invention, the light emission wavelength of the light emitting device is 460nm, the Vf value was 3.4eV at 20mA. In addition, Figure 4 shows the current-output power characteristics of the light emitting device of the present invention, compared to the conventional transparent electrode material (Ni / Au or ITO), the relatively multi-component oxide transparent electrode is excellent in output power and efficient light Indicates that can be taken out.
상술한 바와 같이, 본 발명의 질화갈륨계 반도체 발광 소자는 투명 전극으로 산화 아연, 산화 주석, 산화 갈륨, 산화 알루미늄 및 산화 인듐으로 형성된 다 성분계 투명 산화물을 사용함으로써, 발광한 빛의 투과율을 높일 수 있었으며, 발광 효율 및 출사 효율을 개선시킬 수 있어 성능이 개선된 LED 및 LD로서 작용할 수 있다.As described above, the gallium nitride semiconductor light emitting device of the present invention can increase the transmittance of emitted light by using a multi-component transparent oxide formed of zinc oxide, tin oxide, gallium oxide, aluminum oxide and indium oxide as the transparent electrode. In addition, the luminous efficiency and the emission efficiency can be improved, and thus, it can act as an LED and LD with improved performance.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and modified within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. It will be understood that it can be changed.
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