KR20070018309A - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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KR20070018309A
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Abstract

본 발명에 따르면, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 상기 기판의 상부에 위치하며 상기 기판을 향하여 내부에서 형성된 플라즈마를 분사하는 공정 유닛과, 상기 기판의 하부에 위치하여 상기 기판을 안착하는 스테이지와, 상기 공정 유닛과 연결되며 상기 공정 유닛을 상기 스테이지의 일측으로부터 상기 스테이지의 타측으로 이동할 수 있는 이동 유닛과, 상기 공정 유닛과 연결되어 반응 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함한다.
상압 플라즈마, 이동 유닛, 스테이지, 유전체,

Description

플라즈마 처리장치{treating apparatus by plasma}
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 개략적으로 도시한 정면도;
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치를 개략적으로 도시한 사시도;
도 3a는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치를 나타낸 정면도;
도 3b는 본 발명에 따른 공정 챔버의 바닥면을 나타내는 저면도;
도 3c는 본 발명에 따른 공정 유닛을 나타내는 측단면도;
도 4a와 도 4b는 세정 공정의 수행 전후에 대하여 웨이퍼(W)의 표면상에 떨어트린 물방울을 각각 나타내는 그림;
도 4c는 세정 공정의 수행 전후에 대하여 탄소의 양을 비교하는 그래프;
도 4d는 세정 공정의 수행 전후에 대하여 산소의 양을 비교하는 그래프이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1, 10 : 플라즈마 처리장치 100 : 공정 유닛
120 : 공정 챔버 140 : 금속판
160 : 유전체 180 : 가스 공급 유닛
200 : 스테이지 300 : 이송 유닛
320 : 이송 레일 340 ; 브래킷
400 : 하우징
본 발명은 반도체를 제조하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치, 웨이퍼 등의 기판을 처리하는 공정은 여러가지 방법이 사용되고 있다.
최근에는 에너지, 신재료, 반도체 소자 제조, 환경분야 등에서 널리 사용되고 있는 플라즈마(plasma)를 이용하여 세정하는 방법이 주로 사용되고 있다.
플라즈마(plasma)란 이온(ion)이나 전자(electron), 라디칼(radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 의미하는데, 이러한 플라즈마는 물리 혹은 화학적으로 물질의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다. 이와 같이 플라즈마에 의해 의도적으로 물질의 표면 특성을 변화시키는 것을 '표면 처리'라고 한다.
한편, 일반적으로 플라즈마 처리방법이란 반응물질을 플라즈마 상태로 만들어 기판 상에 증착하거나, 플라즈마 상태의 반응물질을 이용, 세정(cleaning), 애싱(ashing) 또는 에칭(etching)하는 데 이용하는 것을 말한다.
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치(1)를 개략적으로 도시한 정면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 플라즈마 처리장치(1)는 공정 챔버(2)와, 제1전극(3), 제2전극(4), 가스 공급 유닛(5)을 포함한다.
공정 챔버(2)는 기판을 처리하는데 사용하는 플라즈마를 발생시키기 위하여 외부와 격리되며, 외부로부터 반응 가스가 공급된다.
공정 챔버(2)의 내부에는 상부에 제1전극(3), 하부에 제2전극(4)이 설치된다. 제1전극(3)은 고주파(radio frequency:RF) 전원이 인가되는 금속전극이며, 제2전극(4)은 접지된다.
공정 챔버(2)의 일측에는 반응 가스를 공급하는 가스 공급 유닛(5)이 설치된다. 가스 공급 유닛(5)은 반응 가스가 흐르는 가스 공급 라인(6)과 가스 공급 라인(6) 상에 설치된 밸브(7)를 포함한다.
상술한 플라즈마 처리장치(1)의 작용을 설명하면, 제1전극(3)에 고주파 전원을 인가하면서 가스 공급 유닛(5)을 통하여 공정 챔버(2)의 내부로 반응 가스를 공급하면 공정 챔버(2)의 내부에는 플라즈마가 형성되며, 플라즈마는 기판의 표면과 반응하여 표면의 특성을 변화시킨다.
그러나, 종래의 플라즈마 처리장치(1)는 장치가 고정된 상태에서 플라즈마가 형성되어 기판의 표면과 반응하므로, 기판의 표면 전체에 대하여 균일하게 반응이 일어나지 않는 단점이 있다.
또한, 종래에는 진공에 가까운 저압(low pressure) 하에서 플라즈마를 발생시켜 기판상에 박막을 형성하거나, 기판상에 형성된 소정 물질의 에칭 또는 애싱을 하는 방법이 이용되었다. 그러나, 이러한 방법은 진공 챔버, 진공 배기 장치 등 고가의 진공 시스템이 요구된다. 또한, 장치 내의 구성이 복잡하기 때문에 장비 유지 관리 및 진공 펌핑(pumping) 시간이 길어지는 문제점이 있다. 따라서, 대면적 기판에 플라즈마 처리가 요구되는 액정 표시 장치와 같은 경우, 기판의 크기에 따라 상 승하는 비용 부담으로 거의 이용하기 힘든 실정이다.
본 발명의 목적은 기판의 표면 전체를 플라즈마를 이용하여 균일하게 처리할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 목적은 진공 시스템이 없이 플라즈마를 이용하여 기판을 처리할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명에 따르면, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 상기 기판의 하부에 위치하여 상기 기판을 안착하는 스테이지와, 상기 기판의 상부에 위치하며 상기 기판을 향하여 내부에서 형성된 플라즈마를 분사하는 공정 유닛과, 상기 공정 유닛과 연결되며, 상기 공정 유닛을 상기 스테이지의 일측으로부터 상기 스테이지의 타측으로 이동할 수 있는 이동 유닛과, 상기 공정 유닛과 연결되어 반응 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함한다.
상기 공정 유닛은 반응 가스가 제공되는 내부 공간을 형성하며, 금속재질로 된 공정 챔버와, 상기 공정 챔버 내에 상기 기판과 평행하도록 위치하는 금속판과, 상기 금속판의 하부와 측부를 감싸도록 배치되는 유전체(dielectric substance)를 포함하되, 상기 유전체의 하부에서 플라즈마를 형성하기 위하여 상기 금속판에는 고주파 전압이 인가되며 상기 공정 챔버의 측벽은 접지될 수 있다.
상기 공정 챔버의 바닥면에는 슬릿 형상의 분사구가 상기 공정 유닛의 이동 경로와 수직하도록 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
상기 공정 챔버 내의 공간은 상기 금속판의 상부에 위치하며 상기 가스 공급유닛으로부터 공급된 반응 가스들이 혼합되는 혼합영역을 구비하며, 상기 유전체의 하부에 위치하며 상기 혼합영역에의 혼합가스가 유입되어 플라즈마를 형성하는 플라즈마 형성영역을 구비할 수 있다.
상기 장치는 상기 공정 유닛과 상기 스테이지가 외부환경과 격리되도록 하우징을 더 구비할 수 있다.
상기 하우징에는 상기 기판에 대한 공정이 완료된 이후에 반응부산물을 배출할 수 있는 배기홀이 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 2 내지 도 5를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석돼서는 안 된다. 본 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예는 플라즈마를 이용하여 웨이퍼를 세정하기 위한 장치이다. 그러나 본 발명은 웨이퍼를 제외한 액정 표시 장치에 사용되는 기판에도 사용될 수 있으며, 세정 공정 이외에 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하기 위한 장치에도 사용될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치(10)를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 플라즈마 처리장치(10)는 공정 유닛(100)과 스테이지(200), 이송 유닛(300)과 하우징(400)을 구비한다.
공정 유닛(100)은 스테이지(200) 상에 안착한 웨이퍼(W)의 상부에 위치한다. 스테이지(200)는 웨이퍼(W)를 지지, 고정하기 위한 것으로 진공척이나 정전척 등이 사용될 수 있다. 공정 유닛(100)은 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 것으로, 이에 대해서는 후술하기로 한다.
이송 유닛(300)은 공정 유닛(100)을 고정하기 위한 브래킷(340)과 브래킷(340)이 이동하기 위한 경로를 제공하는 이송 레일(320)을 포함한다.
브래킷(340)의 일단은 공정 유닛(100)의 일측에 장착되며, 브래킷(340)의 타단은 이송 레일(320) 상에 장착된다. 브래킷(340)은 공정 유닛(100)이 스테이지(200)의 상부에 위치하도록 공정 유닛(100)을 지지한다. 브래킷(340)은 별도의 구동 수단(도시안됨)에 의하여 이송 레일(320) 상에서 움직일 수 있으며, 브래킷(340) 상에 고정된 공정 유닛(100)도 함께 움직인다.
이송 레일(320)은 웨이퍼(W)의 양측에 설치되며, 웨이퍼(W)의 일단으로부터 타단에 이르기까지 설치되어야 한다. 이송 레일(320)은 공정 유닛(100)이 웨이퍼(W)의 일단으로부터 타단에 이르기까지 웨이퍼(W)를 처리할 수 있는 경로를 제공하여야 한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 공정 유닛(100)과 스테이지(200), 이송 유닛(300)은 하우징(400) 상에 위치한다. 하우징(400)은 상기 공정 유닛(100)과 스테이지(200) 상에 안착된 웨이퍼(W)가 외부로부터 격리될 수 있는 공간을 제공한다.
이는 세정 공정을 수행하고 있는 웨이퍼(W)가 외부로부터 오염되는 것을 방지하기 위한 것이다. 본 실시예에서는 하우징(400)은 공정 유닛(100)과 스테이지(200), 이송 유닛(300)을 보호하도록 설치되나, 이와 달리 하우징(400)은 이송 유닛(300)을 배제하도록 설치될 수 있다. 이송 유닛(300)은 공정 수행시 청정도가 유지될 필요가 없기 때문이다.
하우징(400) 상에는 웨이퍼(W)를 처리한 이후에 발생한 부산물 등을 배출할 수 있는 복수의 배기홀(420)이 형성된다.
배기홀(420)은 웨이퍼(W)의 양측에 위치한 이송 레일(320)과 나란하도록 설치된다. 이는 공정 유닛(100)이 이송 레일(320)을 따라 공정을 수행하므로, 상기 공정 이후에 발생한 부산물 등을 신속하게 배출하기 위한 것이다.
도 3a는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치를 나타낸 정면도이며, 도 3b는 본 발명에 따른 샤워헤드를 나타내는 저면도이고, 도 3c는 본 발명에 따른 공정 유닛을 나타내는 측단면도이다.
공정 유닛(100)은 공정 챔버(120)와 금속판(140), 유전체(160)를 포함한다.
공정 챔버(120)는 가스 공급 유닛(180)으로부터 반응 가스를 공급받아 플라즈마를 발생시키는 공간을 제공한다. 공정 챔버(120)의 일측에는 반응 가스를 공급받기 위하여 가스홀(186)이 구비되며, 가스홀(186)은 가스 공급 라인(182)과 연결된다. 가스 공급 라인(182) 상에는 가스 공급 라인(182)을 개폐하기 위한 밸브가 설치된다.
공정 챔버(120)는 혼합영역(127)과 플라즈마 영역(128)을 구비한다. 혼합영 역(127)은 금속판(140)의 상부에 위치하며, 이는 가스 공급 유닛(180)을 통하여 공급된 반응 가스가 서로 충분히 혼합될 수 있도록 하기 위한 공간이다.
플라즈마 영역(128)은 유전체(160)의 하부에 위치하며, 이는 공급된 반응 가스가 금속판(140)과 공정 챔버(120)의 측벽 사이에 형성된 전계에 의하여 플라즈마를 형성하는 공간이다.
공정 챔버(120) 내에는 평판(plate) 형상의 금속판(140)과, 금속판(140)의 하부와 측면을 감싸는 유전체(160)가 설치된다. 공정 챔버(120) 내에서 플라즈마를 형성하기 위하여 금속판(140)에는 고주파 전압이 인가된다.
금속판(160)이 반응 가스에 노출되지 않도록 유전체(160)는 금속판(140)을 감싼다. 이는 상기한 바와 같이 저압 하에서 플라즈마를 발생시키기 위해서는 진공 조건의 장비가 요구되는 바, 진공 조건의 장비를 요구하지 않는 대기압(atmospheric pressure) 근방의 압력 하에서 플라즈마(plasma)를 발생시키는 방법이다. 이와 같이, 대기압 하에서 플라즈마를 발생시키는 장치를 상압 플라즈마(atmospheric pressure plasma:APP) 처리 장치라 한다.
플라즈마 처리를 하는 공정 챔버 내의 두 전극 중 일측 전극을 절연 특성이 좋은 유전체 물질로 절연한 후, 타측에 고주파(radio frequency:RF) 전원을 인가하면 대기압 상태에서도 상기 두 전극 사이에 사일런트(silent) 방전이 일어나고, 캐리어 가스(carrier gas)로 준안정 상태(meta-stable state)인 불활성 기체(inert gas), 예를 들어 He, Ar를 이용하면 대기압 중에서도 균일하고 안정된 상태의 플라즈마를 얻을 수 있다.
본 실시예에서는 유전체(160)가 금속판(140)의 하부와 측면을 둘러싸고 있어, 평판 형상의 금속판(140)이 유전체(160)에 매설된 형상을 하고 있다. 이와 달리, 금속판(140)에 인가되는 고주파 전원의 소비전력을 줄이기 위해서는 금속판(140)에 해당하는 전극은 평판의 형태가 아닌 도선의 형태를 할 수 있다. 상술한 바와 같이 상압 하에서 플라즈마를 형성하기 위해서 도선은 유전체(160) 상에 매설되며, 반응 가스에 노출되지 않는다. 이처럼 도선을 따라 고주파 전원이 인가되면 전극의 면적이 줄어들기 때문에 소비전력이 감소할 수 있다.
공정 챔버(120)의 측벽은 접지된다. 이는 플라즈마를 발생시키기 위해서는 금속판(140)에 대응되는 다른 하나의 전극이 요구되므로, 공정 챔버(120)의 측벽을 접지하여 전극 역할을 수행하도록 한다. 이와 같이 공정 챔버(120)의 측벽은 전극 역할을 수행해야 하므로, 금속 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
공정 챔버(120)의 바닥면에는 상기 공정 유닛(100)의 이동 경로와 수직하도록 형성된 슬릿 모양의 분사구(124)가 적어도 하나 이상 형성된다. 분사구(124)는 공정 챔버(120)의 내부에서 형성된 플라스마를 웨이퍼에 대하여 분사하는 통로의 역할을 한다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서는 슬릿 형상의 분사구(124)가 제공된다. 그러나, 여러 가지 형상의 분사구(124)가 제공될 수 있으며, 홀(hall) 형상일 수도 있다. 그러나, 홀 형상의 분사구(124)를 이용하는 경우에는 웨이퍼의 표면 중 홀의 아래에 위치하거나 홀이 이동하는 경로 아래에 위치하는 부분에 반응이 집중될 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 전 표면에 대하여 플라즈마를 제공하기 위해 서 분사구(124)는 슬릿 형상을 갖는 것이 바람직하다.
이하, 상술한 구성을 갖는 본 발명의 플라즈마 처리장치(10)의 작용을 상세히 설명한다.
웨이퍼(W)는 스테이지(200) 상에 로딩된다. 로딩된 웨이퍼(W)의 상부에는 공정 유닛(100)이 위치한다.
공정 유닛(100)은 웨이퍼(W)의 일측에 위치하며, 공정 유닛(100)에는 가스 공급 유닛(180)을 통하여 반응 가스가 공급된다.
반응 가스는 공정 챔버(120) 중 혼합영역(127)을 통하여 충분히 혼합되며, 혼합된 반응 가스는 플라즈마를 형성하기 위하여 플라즈마 영역(128)로 이동한다.
공정 유닛(100)에 반응 가스를 공급함과 동시에, 금속판(140)에는 고주파 전원이 인가된다. 이로써 금속판(140)과 공정 챔버(120)의 측벽 사이에는 전계가 형성되며, 플라즈마 영역(128)에 도달한 반응 가스는 플라즈마를 형성한다.
형성된 플라즈마는 분사구(124)를 통하여 웨이퍼(W)에 제공되며, 플라즈마는 물리 혹은 화학적으로 웨이퍼(W)의 표면에 작용하여 표면의 특성을 변화시킨다.
플라즈마가 웨이퍼(W)의 표면과 작용한 후 발생한 부산물 등은 웨이퍼(W)의 가장자리로 흐르며, 하우징(400)의 바닥면 중 웨이퍼(W)의 양측에 위치한 배기홀(420)을 통하여 외부로 배출된다.
상기 공정 유닛(100)이 이와 같은 단계를 수행하는 동안에, 이송 유닛(300)은 공정 유닛(100)을 웨이퍼(W)의 일측으로부터 웨이퍼(W)의 타측에 이르기까지 이동시킨다. 따라서, 공정 유닛(100)은 웨이퍼(W)의 전 표면에 이르도록 플라즈마를 제공할 수 있으며, 웨이퍼(W)는 균일하게 상술한 공정을 수행할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치를 이용하여 기판을 처리하기 전(前)과 후(後)를 비교한 그림이다.
도 4a와 도 4b는 세정 공정의 수행 전후에 웨이퍼(W)의 표면상에 떨어트린 물방울을 각각 나타내는 그림이다.
세정 공정을 수행하기 전 웨이퍼(W)의 표면에는 파티클 등의 이물질이 많이 존재한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면에 물방울을 떨어트리면 물방울은 상기 이물질 등을 이용하여 커다란 물방울을 형성한다. 이는 본래의 물분자는 표면장력에 의하여 서로 뭉치려는 성향을 갖고 있으며, 물분자의 주위에 파티클 등이 있으면 이러한 파티클 등을 이용하여 더욱 쉽게 물분자를 형성할 수 있기 때문이다. 따라서, 세정 공정 전의 물분자는 43°의 경사각을 갖는다.
그러나, 세정 공정을 마친 후 파티클 등의 크기가 미세하게 되면 물분자를 쉽게 형성할 수 없으며, 물분자의 크기는 작아진다. 따라서, 물분자는 4°의 경사각을 가지며, 물분자는 웨이퍼(W) 상에 흩어진다.
이로써 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치(10)를 통하여 세정 공정을 충분히 수행하였음을 알 수 있다.
도 4c는 세정 공정의 수행 전후에 대하여 탄소의 양을 비교하는 그래프이며, 도 4d는 세정 공정의 수행 전후에 대하여 산소의 양을 비교하는 그래프이다.
웨이퍼(W)가 여러 가지 공정을 수행한 결과, 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 파티클 등의 이물질은 주로 탄소 계열이다. 탄소 계열의 이물질은 세정 공정이 진행되 면서, 반응 가스인 산소(O2)와 결합하여 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO2)의 형태로 공기 중으로 사라진다. 따라서, 세정 공정이 완료되면 웨이퍼(W) 상에 존재하는 탄소량은 감소해야 하므로, 웨이퍼(W) 상에 존재하는 탄소량을 통하여 세정 공정의 성과를 판단할 수 있다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 세정 공정 이전과 세정 공정 이후의 탄소량을 비교하면 세정 공정 이후 에는 탄소량이 현저히 감소됨을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치(10)를 통하여 세정 공정을 충분히 수행하였음을 알 수 있다.
또한, 세정 공정시 플라즈마를 발생하기 위하여 사용하는 반응 가스는 산소 (O2)계열이다. 반응 가스는 웨이퍼(W)의 표면에 존재하는 탄소 계열의 이물질과 반응하여, C-O, COOH 등과 같은 활성종으로 변환된다. 따라서, 세정 공정이 완료되면 웨이퍼(W)의 표면 상에 존재하는 산소의 함량이 증가해야 하므로, 웨이퍼(W) 상에 존재하는 산소의 함량을 통하여 세정 공정의 성과를 판단할 수 있다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 세정 공정 이전과 세정 공정 이후의 산소의 함량을 비교하면 세정 공정 이후 에는 산소량이 현저히 증가됨을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치(10)를 통하여 세정 공정을 충분히 수행하였음을 알 수 있다.
본 발명에 의하면 플라즈마를 분사하는 공정 유닛을 이동함으로써 웨이퍼의 표면 전체를 균일하게 처리할 수 있다.
본 발명에 의하면 슬릿 형상의 분사구를 통하여 웨이퍼의 표면 전체를 균일하게 처리할 수 있다.
본 발명에 의하면 유전체에 의하여 진공 시스템이 없이도 플라즈마를 이용하여 기판을 처리할 수 있다.

Claims (6)

  1. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    상기 기판을 안착하는 스테이지와;
    상기 기판의 상부에 위치하며, 상기 기판을 향하여 내부에서 형성된 플라즈마를 분사하는 공정 유닛과;
    상기 공정 유닛과 연결되며, 상기 공정 유닛을 상기 스테이지의 일측으로부터 상기 스테이지의 타측으로 이동할 수 있는 이동 유닛과;
    상기 공정 유닛과 연결되며, 상기 공정 유닛으로 반응 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공정 유닛은,
    반응 가스가 제공되는 내부 공간을 형성하며, 금속재질로 된 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에 상기 기판과 평행하도록 위치하는 금속판과;
    상기 금속판의 하부와 측부를 감싸도록 배치되는 유전체(dielectric substance)를 포함하되,
    상기 유전체의 하부에서 플라즈마를 형성하기 위하여, 상기 금속판에는 고주파 전압이 인가되며, 상기 공정 챔버의 측벽은 접지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 바닥면에는 슬릿 형상의 분사구가 상기 공정 유닛의 이동 경로와 수직하도록 적어도 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 공정 챔버 내의 공간은,
    상기 금속판의 상부에 위치하며, 상기 가스 공급유닛으로부터 공급된 반응 가스들이 혼합되는 혼합영역을 구비하며,
    상기 유전체의 하부에 위치하며, 상기 혼합영역에의 혼합가스가 유입되어 플라즈마를 형성하는 플라즈마 형성영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 장치는 상기 공정 유닛과 상기 스테이지가 외부환경과 격리되도록 하우징을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 하우징에는 상기 기판에 대한 공정이 완료된 이후에 반응부산물을 배출 할 수 있는 배기홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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