KR20070018230A - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
KR20070018230A
KR20070018230A KR1020050072683A KR20050072683A KR20070018230A KR 20070018230 A KR20070018230 A KR 20070018230A KR 1020050072683 A KR1020050072683 A KR 1020050072683A KR 20050072683 A KR20050072683 A KR 20050072683A KR 20070018230 A KR20070018230 A KR 20070018230A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
film
display device
electrode
conductive layer
Prior art date
Application number
KR1020050072683A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정재훈
김남덕
김훈
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050072683A priority Critical patent/KR20070018230A/en
Publication of KR20070018230A publication Critical patent/KR20070018230A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/87Arrangements for heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/20954Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for display panels
    • H05K7/20963Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656Special treatments
    • H01L21/02664Aftertreatments
    • H01L21/02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02689Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using particle beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED

Abstract

본 발명은 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치는 기판소재 상에 형성되어 있는 제1전극과; 상기 제1전극 상에 형성되어 있는 발광층과; 상기 발광층 상에 형성되어 있는 제2전극과; 상기 제2전극 상에 형성되어 있는 흡습막과; 상기 흡습막 상부에 형성되어 있는 열전도층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 발광층이 습기로부터 적절히 보호되면서 방열성능이 우수한 표시장치가 제공된다.The present invention relates to a display device. A display device according to the present invention comprises: a first electrode formed on a substrate material; A light emitting layer formed on the first electrode; A second electrode formed on the light emitting layer; A moisture absorption film formed on the second electrode; It characterized in that it comprises a heat conductive layer formed on the moisture absorption film. As a result, a light emitting layer is properly protected from moisture, and a display device having excellent heat dissipation performance is provided.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE} Display {DISPLAY DEVICE}

도 1 및 도 2는 종래 표시장치의 단면도이며;1 and 2 are cross-sectional views of a conventional display device;

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 단면도이며;3 is a cross-sectional view of a display device according to a first embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *Explanation of Signs of Major Parts of Drawings

11 : 기판소재 21 : 화소전극11 substrate material 21 pixel electrode

31 : 격벽 41 : 발광층31: partition 41: light emitting layer

51 : 공통전극 61 : 제1보호막51: common electrode 61: first protective film

62 : 제2보호막 71 : 흡습막62: second protective film 71: hygroscopic film

81 : 열전도층 91 : 보강기판81: heat conductive layer 91: reinforcing substrate

본 발명은 표시장치에 관한 것으로서, 더 자세하게는, 발광층 상에 흡습막과 열전도층을 형성하여 발광층이 습기로부터 적절히 보호되면서 방열성능이 우수한 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device having excellent heat dissipation performance by forming a moisture absorbing film and a heat conductive layer on a light emitting layer, while protecting the light emitting layer from moisture.

평판 디스플레이 장치(flat panel display) 중 저전압 구동, 경량 박형, 광 시야각 그리고 고속응답 등의 장점으로 인하여, 최근 OLED(organic light emitting diode)가 각광 받고 있다. OLED는 구동방식에 따라 수동형(passive matrix)과 능동형(active matrix)으로 나누어진다. 이중 수동형은 제조과정은 간단하지만 디스플레이 면적과 해상도가 증가할수록 소비전력이 급격히 증가하는 문제가 있다. 따라서 수동형은 주로 소형 디스플레이에 응용되고 있다. 반면 능동형은 제조과정은 복잡하지만 대화면과 고해상도를 실현할 수 있는 장점이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION Organic light emitting diodes (OLEDs) have been in the spotlight recently due to advantages such as low voltage driving, light weight, wide viewing angle, and high-speed response among flat panel displays. OLEDs are classified into a passive matrix and an active matrix according to the driving method. The passive type has a simple manufacturing process, but the power consumption increases rapidly as the display area and resolution increase. Therefore, the passive type is mainly applied to small displays. Active type, on the other hand, has a complex manufacturing process but has the advantage of realizing a large screen and high resolution.

도 1과 도 2는 종래의 표시장치를 도시한 것이다.1 and 2 show a conventional display device.

도 1에 도시한 종래의 표시장치(100a)는 기판소재(110), 기판소재(110) 상에 형성되어 있는 화소전극(120), 화소전극(120) 간을 구분하는 격벽(130), 화소전극(120) 상의 발광층(140), 발광층(140) 상에 형성되어 있는 공통전극(150)을 포함한다. 발광층(140)의 성능과 수명은 습기에 민감하며, 통상 소다-라임 유리를 이용하여 제작된 캐니스터(canister, 160)로 봉지되어 습기로부터 보호된다. 캐니스터(160)와 기판소재(110)는 자외선 경화 접착제(170)를 사용하여 상호접합되어 있으며 캐니스터(160)의 내벽에는 흡습제(180)가 부착되어 있다. 캐니스터(160)와 기판소재(100)로 둘러싸인 공간은 통상 질소로 충전되어 있다.The conventional display device 100a illustrated in FIG. 1 includes a substrate material 110, a partition wall 130 that separates the pixel electrode 120 and the pixel electrode 120 formed on the substrate material 110, and a pixel. The light emitting layer 140 on the electrode 120 and the common electrode 150 formed on the light emitting layer 140 are included. The performance and lifespan of the light emitting layer 140 is sensitive to moisture, and is typically encapsulated with a canister 160 manufactured using soda-lime glass to be protected from moisture. The canister 160 and the substrate material 110 are bonded to each other by using an ultraviolet curing adhesive 170, and an absorbent 180 is attached to an inner wall of the canister 160. The space surrounded by the canister 160 and the substrate material 100 is usually filled with nitrogen.

도 2에 도시한 종래의 표시장치(100b)는 흡습제(180)가 캐니스터(160)의 내벽에 부착되지 않고 공통전극(150)의 상부를 덮고 있다.In the conventional display device 100b illustrated in FIG. 2, the moisture absorbent 180 is not attached to the inner wall of the canister 160 and covers the upper portion of the common electrode 150.

이와 같은 종래의 표시장치(100a, 100b)는 캐니스터(160)를 사용하기 때문에 비용이 추가되며 두꺼워지고 흡습제(180)를 설치할 별도의 공간이 필요하다. 자외 선 경화 접착제(170)의 투습도(permeability)가 40g/m2일(day)로서 높기 때문에 외부의 습기를 효과적으로 차단할 수 없다. 또한 표시장치(100a, 100b) 구동 시 많은 열이 발생하는데 발생한 열은 열전도율이 작은 질소를 통과해야 하기 때문에 열 방출이 어려운 문제가 있다.Since the conventional display apparatuses 100a and 100b use the canister 160, an additional cost is added, and a separate space for installing the moisture absorbent 180 is required. Since the permeability of the ultraviolet ray hardening adhesive 170 is high as 40 g / m 2 day, external moisture cannot be effectively blocked. In addition, since a large amount of heat is generated when the display apparatuses 100a and 100b are driven, heat generation is difficult because heat generated must pass nitrogen having a small thermal conductivity.

따라서 본 발명의 목적은 발광층이 습기로부터 적절히 보호되면서 방열성능이 우수한 표시장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a display device having excellent heat dissipation performance while the light emitting layer is properly protected from moisture.

상기 본 발명의 목적은 기판소재 상에 형성되어 있는 제1전극과; 상기 제1전극 상에 형성되어 있는 발광층과; 상기 발광층 상에 형성되어 있는 제2전극과; 상기 제2전극 상에 형성되어 있는 흡습막과; 상기 흡습막 상부에 형성되어 있는 열전도층을 포함하는 표시장치에 의하여 달성된다.An object of the present invention is a first electrode formed on a substrate material; A light emitting layer formed on the first electrode; A second electrode formed on the light emitting layer; A moisture absorption film formed on the second electrode; It is achieved by a display device including a heat conductive layer formed on the moisture absorption film.

상기 열전도층은 금속, 탄소나노튜브 및 다이아몬드 라이크 탄소(diamon-like carbon)로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다. The thermally conductive layer preferably includes at least one selected from the group consisting of metals, carbon nanotubes, and diamond-like carbons.

상기 열전도층의 두께는 100Å 내지 500㎛인 것이 바람직하다.It is preferable that the thickness of the said heat conductive layer is 100 kPa-500 micrometers.

상기 열전도층은 탄소나노튜브와 은 페이스트를 포함하며, 스핀코팅, 화학기상응축 또는 잉크젯 프린팅 방법으로 형성된 것이 바람직하다.The thermally conductive layer includes carbon nanotubes and silver paste, and is preferably formed by spin coating, chemical vapor condensation, or inkjet printing.

상기 열전도층은 다이아몬드-라이크 탄소를 포함하며, 스퍼터링, 화학기상증 착, 또는 전자 빔 증착법으로 형성된 것이 바람직하다.The thermal conductive layer includes diamond-like carbon, and is preferably formed by sputtering, chemical vapor deposition, or electron beam deposition.

상기 흡습막은 CaO, Ca, Ba, BaO, Mg, MgO 그리고 AlO 로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것이 바람직하다.The moisture absorption film preferably contains at least one selected from the group consisting of CaO, Ca, Ba, BaO, Mg, MgO and AlO.

상기 흡습막의 가시광선 투과도는 40 내지 90%인 것이 바람직하다.It is preferable that the visible light transmittance of the said moisture absorption film is 40 to 90%.

상기 흡습막의 두께는 10Å 내지 1mm인 것이 바람직하다.It is preferable that the thickness of the said moisture absorption film is 10 kPa-1 mm.

상기 흡습막은 스퍼터링 또는 전자 빔 증착법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.The moisture absorption film is preferably formed by sputtering or electron beam deposition.

상기 제2전극과 상기 흡습막 사이에 위치하는 제1보호막과, 상기 흡습막과 상기 열전도층 사이에 위치하는 제2보호막을 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include a first protective film located between the second electrode and the moisture absorption film, and a second protective film located between the moisture absorption film and the heat conductive layer.

상기 제1보호막 및 상기 제2보호막의 가시광선 투과율은 각각 40 내지 100%인 것이 바람직하다.The visible light transmittance of the first protective film and the second protective film is preferably 40 to 100%, respectively.

상기 제1보호막 및 상기 제2보호막 중 적어도 어느 하나는 SiO, SiN, SiON, MgO, AlO로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상으로 이루어지는 것이 바람직하다.At least one of the first protective film and the second protective film is preferably made of one or more selected from the group consisting of SiO, SiN, SiON, MgO, AlO.

상기 무기막의 투습도는 1g/㎡일(day) 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the water vapor transmission rate of the said inorganic film is 1 g / m <2> days or less.

상기 무기막은 스퍼터링, 화학기상증착 또는 전자 빔 증착법을 이용하여 형성된 것이 바람직하다.The inorganic film is preferably formed using sputtering, chemical vapor deposition or electron beam deposition.

상기 제1보호막 및 상기 제2보호막 중 적어도 어느 하나는 폴리아세틸렌 또는 폴리 이미드로 이루어진 유기막인 것이 바람직하다.At least one of the first protective film and the second protective film is preferably an organic film made of polyacetylene or polyimide.

상기 유기막의 투습도는 60g/㎡일(day) 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the water vapor transmission rate of the said organic film is 60 g / m <2> days or less.

상기 유기막은 스핀코팅, 화학기상응축 또는 잉크젯 프린팅의 방법으로 형성된 것이 바람직하다.The organic layer is preferably formed by a method of spin coating, chemical vapor condensation or inkjet printing.

상기 제1보호막 및 상기 제2보호막의 두께는 각각 1 내지 500 ㎛인 것이 바람직하다.It is preferable that the thickness of the said 1st protective film and said 2nd protective film is 1-500 micrometers, respectively.

상기 열전도층 상에 형성되어 있는 보강기판을 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include a reinforcing substrate formed on the heat conductive layer.

상기 보강기판 외부에 부착되어 있는 열전도막을 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include a thermal conductive film attached to the outside of the reinforcing substrate.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본발명을 더욱 상세히 설명하겠다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

여러 실시예에 있어서 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하였으며, 동일한 구성요소에 대하여는 제1실시예에서 대표적으로 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.In various embodiments, like reference numerals refer to like elements, and like reference numerals refer to like elements in the first embodiment and may be omitted in other embodiments.

도3은 본 발명의 제1실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating a display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 표시 장치(1)는 발광층(41) 상부에 제1보호막(61), 흡습막(71), 제2보호막(62) 그리고 열전도층(81)이 순차적으로 형성되어 있으며 종래의 캐니스터는 사용하지 않는다.In the display device 1 according to the present invention, the first passivation layer 61, the moisture absorption layer 71, the second passivation layer 62, and the thermal conductive layer 81 are sequentially formed on the emission layer 41. Do not use.

이를 자세히 살펴보면 다음과 같다. Looking at it in detail as follows.

기판 소재(11) 상에 화소전극(21)이 형성되어 있다. 화소전극(21)은 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 전도물질로 이루어질 수 있으며 평면상에서 보면 매트릭스 형태로 배치되어 있다. 각각의 화소전극(21)은 스위칭소자(도시하지 않음), 예를 들어 박막트랜지스터에 전기적으로 연결되어 있다. The pixel electrode 21 is formed on the substrate material 11. The pixel electrode 21 may be made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), and are arranged in a matrix form in plan view. Each pixel electrode 21 is electrically connected to a switching element (not shown), for example a thin film transistor.

각 화소전극(21) 사이에는 격벽(31)이 위치하고 있다. 격벽(31)은 발광층(41)이 형성될 공간을 정의하며 박막트랜지스터와 공통전극(51)이 단락되는 것을 방지하는 역할도 한다. 격벽(31)은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성, 내용매성이 있는 감광물질이나 SiO2, TiO2와 같은 무기재료로 이루어질 수 있으며 유기층과 무기층의 2층 구조도 가능하다.A partition wall 31 is positioned between each pixel electrode 21. The partition wall 31 defines a space in which the light emitting layer 41 is to be formed, and also prevents the thin film transistor and the common electrode 51 from being short-circuited. The partition wall 31 may be formed of a photoresist having heat resistance and solvent resistance, such as an acrylic resin and a polyimide resin, or an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2, and may have a two-layer structure of an organic layer and an inorganic layer.

격벽(31)으로 둘러싸인 화소전극(21) 상에는 발광층(41)이 형성되어 있다. 화소전극(21)에서 전달된 정공과 공통전극(51)에서 전달된 전자는 발광층(41)에서 결합하여 여기자(exciton)가 된 후, 여기자의 비활성화 과정에서 빛을 발생시킨다. 도시하지는 않았지만 발광층(41)과 화소전극(21) 사이에 정공주입층 그리고/또는 정공전달층을 더 포함할 수 있으며, 발광층(41)과 공통전극(51) 사이에 전자주입층 그리고/또는 전자전달층을 더 포함할 수 있다.The light emitting layer 41 is formed on the pixel electrode 21 surrounded by the partition 31. Holes transferred from the pixel electrode 21 and electrons transferred from the common electrode 51 are combined in the emission layer 41 to form excitons, and then generate light in the process of deactivating excitons. Although not shown, a hole injection layer and / or a hole transport layer may be further included between the light emitting layer 41 and the pixel electrode 21, and an electron injection layer and / or electron between the light emitting layer 41 and the common electrode 51. It may further include a transfer layer.

도시한 발광층(41)은 고분자 타입이며 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다. 발광층(41)은 폴리플루오렌 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체, 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 로더민계 색소, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일 레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등을 도핑하여 사용할 수 있다. The illustrated light emitting layer 41 is of a polymer type and may be formed by an inkjet method. The light emitting layer 41 is a polyfluorene derivative, a (poly) paraphenylene vinylene derivative, a polyphenylene derivative, a polyvinylcarbazole, a polythiophene derivative, or a polymeric material of perylene-based dyes, a laumine-based pigment, or a lu thereof. Bren, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, coumarin 6, quinacridone and the like can be used.

발광층(41)이 고분자 타입이 아닌 저분자 유기물타입이면 발광층(41)은 증발법에 의하여 형성될 수 있다.If the light emitting layer 41 is a low molecular organic material type rather than a polymer type, the light emitting layer 41 may be formed by an evaporation method.

발광층(41)이 고분자 또는 저분자 유기물인 경우, 무기물과 달리 발광층(41) 의 성능과 수명은 수분과 산소에 의해 크게 영향받기 때문에 발광층(41)은 수분과 산소로부터 적절히 보호되어야 한다.In the case where the light emitting layer 41 is a polymer or a low molecular organic material, unlike the inorganic material, since the performance and life of the light emitting layer 41 are greatly influenced by moisture and oxygen, the light emitting layer 41 should be properly protected from moisture and oxygen.

격벽(31) 및 발광층(41)의 상부에는 공통전극(51)이 위치한다. 공통전극(51)은 양극(cathode)이라고도 불리며 발광층(41)에 전자를 공급한다. 공통전극(51)은 칼슘층과 알루미늄층 또는 바륨층과 알루미늄층으로 적층되어 구성될 수 있다. The common electrode 51 is positioned on the partition 31 and the light emitting layer 41. The common electrode 51 is also called a cathode and supplies electrons to the light emitting layer 41. The common electrode 51 may be formed by stacking a calcium layer and an aluminum layer or a barium layer and an aluminum layer.

공통전극(51) 상부에 위치하며 흡습막(71)을 사이에 두고 있는 제1보호막(61) 및 제2보호막(62)은 수분과 산소가 발광층(41)에 침투하지 못하도록 한다. 구체적으로는 제1보호막(61)은 제2보호막(62)과 흡습막(71)으로도 차단되지 못한 수분과 산소를 최종적으로 차단하는 역할을 하며, 제2보호막(62)은 외부에서 들어오는 수분과 산소를 1차적으로 차단하는 역할을 한다. The first passivation layer 61 and the second passivation layer 62 positioned on the common electrode 51 and having the moisture absorption layer 71 therebetween prevent moisture and oxygen from penetrating into the light emitting layer 41. Specifically, the first passivation layer 61 serves to finally block water and oxygen that are not blocked by the second passivation layer 62 and the moisture absorption layer 71, and the second passivation layer 62 is moisture that enters from the outside. It primarily blocks oxygen and oxygen.

보호막(61, 62)는 무기막 혹은 유기막으로 이루어질 수 있다. 보호막(61, 62) 중 어느 하나는 무기막으로 다른 하나는 유기막으로 이루어지는 것도 가능하다.The passivation layers 61 and 62 may be made of an inorganic layer or an organic layer. One of the protective films 61 and 62 may be an inorganic film and the other may be an organic film.

무기막으로는 SiO, SiN, SiON, MgO, AlO, AlN, TiO 등의 단일막 혹은 이들 재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 무기막 형성방법은 진공증착방법인 스퍼터링, 화학기상증착, 전자빔 증착법 등이 있다. 두께는 100Å 내지 500 ㎛이며, 투습도는 1g/m2일이하인 것이 바람직하다. 가시광선의 투과도는 40 내지 100%이다.As the inorganic film, a single film such as SiO, SiN, SiON, MgO, AlO, AlN, TiO, or a mixture of these materials can be used. The inorganic film forming method includes sputtering, chemical vapor deposition, and electron beam deposition, which are vacuum deposition methods. It is preferable that the thickness is 100 mW to 500 m, and the water vapor transmission rate is 1 g / m 2 or less. The transmittance of visible light is 40 to 100%.

유기막으로는 폴리아세틸렌, 폴리이미드 계열의 기본 재료를 사용할 수 있다. 유기막 형성방법은 스핀코팅 또는 화학기상응축(chemical vapor condensation) 또는 잉크젯 프린팅 방법 등이 있다. 두께는 1㎛내지 500 ㎛이며, 투습도는 60g/m2일이하인 것이 바람직하다. 가시광선의 투과도는 40 내지 100%이다.As the organic film, a polyacetylene or polyimide base material may be used. The organic film forming method may be spin coating, chemical vapor condensation, or inkjet printing. It is preferable that thickness is 1 micrometer-500 micrometers, and water vapor transmission rate is 60 g / m <2> or less. The transmittance of visible light is 40 to 100%.

흡습막(71)은 수분과 산소의 저장소 역할을 하며 Ca, CaO, Ba, BaO, Mg, MgO, AlO 등을 사용한다. 형성방법은 진공증착방법인 스퍼터링, 전자빔 증착법 등을 사용할 수 있다. 두께는 10Å 내지 1mm이며, 표시소자(1)가 바텀 에미션 방식 혹은 탑 에미션 방식인지에 따라 가시광선의 투과도는 40 내지 90%사이에서 조절한다. The moisture absorption film 71 serves as a reservoir of moisture and oxygen, and uses Ca, CaO, Ba, BaO, Mg, MgO, AlO, and the like. The formation method may be sputtering, an electron beam deposition method, or the like which is a vacuum deposition method. The thickness ranges from 10 mm to 1 mm, and the transmittance of visible light is controlled between 40 and 90% depending on whether the display element 1 is a bottom emission method or a top emission method.

제2보호막(62) 상에는 열전도층(81)이 형성되어 있다. 열전도층(81)은 발광층(41) 등에서 발생하는 줄(joule)열을 효과적으로 흡수하고 외부로 방출하는 역할을 한다. 열전도층(81)은 열전도율이 큰 금속, 예를 들어, Ag, Cu, Al, Au이 혼합된 접착제를 사용할 수 있으며 특히 탄소나노튜브와 은 페이스트를 혼합한 열전도 접착제 혹은 다이아몬드-라이크 탄소(diamond-like carbon)박막을 사용할 수 있다. 열전도층(81)의 두께는 100Å 내지 500 ㎛이며, 형성하는 방법은 스핀코팅, 화학기상응축, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅을 사용할 수 있다. 특히 다이아몬드-라이크 탄소 박막은 스퍼터링, 화학기상증착, 전자-빔 증착법을 이용할 수 있다.The thermal conductive layer 81 is formed on the second protective film 62. The thermal conductive layer 81 serves to effectively absorb and emit joule heat generated in the light emitting layer 41 and the like. The thermally conductive layer 81 may use a metal having a high thermal conductivity, for example, a mixture of Ag, Cu, Al, and Au, and in particular, a thermally conductive adhesive or diamond-like carbon in which carbon nanotubes and a silver paste are mixed. like carbon) can be used. The thickness of the thermal conductive layer 81 is 100 kPa to 500 µm, and the forming method may be spin coating, chemical vapor condensation, inkjet printing, or screen printing. In particular, the diamond-like carbon thin film may use sputtering, chemical vapor deposition, or electron-beam deposition.

열전도율(thermal conductivity, k)은 통과열량에 비례하므로 통과열량이 큰 금속인 Ag, Cu, Al, Au, 탄소나노튜브 또는 다이아몬드-라이크 탄소를 사용하면 표시장치(1)의 방열에 유리하다. 도시한 표시장치(1)는 전류를 이용한 소자이기 때문에 화면 크기가 대형화되면 내부에서 발생하는 열은 더욱 증가하는데 열전도층(81) 을 형성하여 열을 효과적으로 방출할 수 있다.Since thermal conductivity (k) is proportional to the heat passing through, using Ag, Cu, Al, Au, carbon nanotubes, or diamond-like carbon, which are metals having high heat passing, is advantageous for heat dissipation of the display device 1. Since the display device 1 shown in FIG. 1 is a device using a current, the heat generated therein is further increased when the screen size is enlarged. Thus, the heat conduction layer 81 is formed to effectively dissipate heat.

열전도층(81)의 상부에는 보강 기판(91)이 마련되어 있다. 보강 기판(91)은 플라스틱 또는 유리로 이루어지며 외부충격으로부터 소자를 보호한다. The reinforcing substrate 91 is provided on the heat conductive layer 81. The reinforcing substrate 91 is made of plastic or glass and protects the device from external shocks.

이상의 제1실시예에 따른 표시장치(1)는 보호막(61, 62)과 흡습막(71)의 적용으로 발광층(41)이 수분과 산소에 노출되지 않아 수명이 증가하며 표시품질이 우수하다. 이와 동시에 열전도층(81)을 적용하여 내부에서 발생하는 열을 외부로 효과적을 방출한다. 또한 별도의 캐니스터를 사용하지 않기 때문에 표시장치(1)의 제조비용이 절감되며 표시장치(1)의 두께를 얇게, 예를 들어 1mm 이하로 제조할 수 있다.In the display device 1 according to the first exemplary embodiment, the light emitting layer 41 is not exposed to moisture and oxygen due to the application of the protective layers 61 and 62 and the moisture absorbing layer 71, thereby increasing its lifespan and providing excellent display quality. At the same time, the heat conduction layer 81 is applied to effectively release heat generated from the inside to the outside. In addition, since a separate canister is not used, the manufacturing cost of the display device 1 is reduced, and the thickness of the display device 1 can be made thin, for example, 1 mm or less.

도 4는 본발명의 제2실시예에 따른 표시장치(1b)의 단면도이다. 제1실시예에 따른 표시장치(1a)와 다른 점을 중심으로 설명하면 다음과 같다. 4 is a cross-sectional view of the display device 1b according to the second embodiment of the present invention. The difference from the display device 1a according to the first embodiment will be described below.

제2실시예에 따른 표시장치(1b)는 보호막(63)이 단일막으로 마련되어 있으며 공통전극(51)과 흡습막(71)사이에 위치한다. 보호막(63)은 제1실시예의 제1보호막(61) 및 제2보호막(62)보다 두껍게 마련되는 것이 바람직하다. 보호막(63)의 재질로는 SiO, SiN, SiON, MgO, AlO, AlN, TiO 과 같은 무기물과 폴리아세틸렌, 폴리이미드와 같은 유기물을 사용할 수 있다.In the display device 1b according to the second embodiment, the passivation layer 63 is provided as a single layer and is positioned between the common electrode 51 and the moisture absorption layer 71. The protective film 63 is preferably thicker than the first protective film 61 and the second protective film 62 of the first embodiment. As the material of the protective film 63, inorganic materials such as SiO, SiN, SiON, MgO, AlO, AlN, TiO, and organic materials such as polyacetylene and polyimide may be used.

한편 보강기판(91)의 외부면에는 열전도막(92)이 부착되어 있다. 열전도막(92)은 보강기판(91)으로 전달된 열을 외부로 방열하는 역할을 한다. 열전도막(92)은 방열 패드(thermal pad) 또는 테이프 형태일 수 있으며, 탄소로 이루어질 수 있다.On the other hand, a heat conductive film 92 is attached to the outer surface of the reinforcing substrate 91. The thermal conductive film 92 serves to dissipate heat transferred to the reinforcing substrate 91 to the outside. The thermal conductive film 92 may be in the form of a thermal pad or a tape, and may be made of carbon.

비록 본발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.Although some embodiments of the invention have been shown and described, those skilled in the art will recognize that modifications can be made to the embodiments without departing from the spirit or principles of the invention. . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 발광층이 습기로부터 적절히 보호되면서 방열성능이 우수한 표시장치가 제공된다.As described above, according to the present invention, a display device having excellent heat dissipation performance is provided while the light emitting layer is adequately protected from moisture.

Claims (20)

기판소재 상에 형성되어 있는 제1전극과;A first electrode formed on the substrate material; 상기 제1전극 상에 형성되어 있는 발광층과;A light emitting layer formed on the first electrode; 상기 발광층 상에 형성되어 있는 제2전극과;A second electrode formed on the light emitting layer; 상기 제2전극 상에 형성되어 있는 흡습막과;A moisture absorption film formed on the second electrode; 상기 흡습막 상부에 형성되어 있는 열전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And a heat conductive layer formed on the moisture absorbing layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도층은 금속, 탄소나노튜브 및 다이아몬드 라이크 탄소(diamon-like carbon)로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.The thermal conductive layer includes at least one selected from the group consisting of metals, carbon nanotubes, and diamond-like carbons. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도층의 두께는 100Å 내지 500㎛인 것을 특징으로 하는 표시장치. And a thickness of the thermal conductive layer is 100 mW to 500 m. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도층은 탄소나노튜브와 은 페이스트를 포함하며,The heat conductive layer includes carbon nanotubes and silver paste, 스핀코팅, 화학기상응축 또는 잉크젯 프린팅 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.Display device, characterized in that formed by spin coating, chemical vapor condensation or inkjet printing method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도층은 다이아몬드-라이크 탄소를 포함하며,The thermal conductive layer comprises diamond-like carbon, 스퍼터링, 화학기상증착, 또는 전자 빔 증착법으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.A display device, characterized in that formed by sputtering, chemical vapor deposition, or electron beam deposition. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 흡습막은 CaO, Ca, Ba, BaO, Mg, MgO 그리고 AlO 로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.The moisture absorbing film includes at least one selected from the group consisting of CaO, Ca, Ba, BaO, Mg, MgO and AlO. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 흡습막의 가시광선 투과도는 40 내지 90%인 것을 특징으로 하는 표시장치.And a visible light transmittance of the hygroscopic film is 40 to 90%. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 흡습막의 두께는 10Å 내지 1mm인 것을 특징으로 하는 표시장치.The thickness of the moisture absorption film is 10Å to 1mm display device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 흡습막은 스퍼터링 또는 전자 빔 증착법에 의해 형성되는 것을 특징으 로 하는 표시장치.The moisture absorption film is formed by sputtering or electron beam deposition. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2전극과 상기 흡습막 사이에 위치하는 제1보호막과, 상기 흡습막과 상기 열전도층 사이에 위치하는 제2보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And a second passivation layer positioned between the second electrode and the moisture absorption layer, and a second passivation layer positioned between the moisture absorption layer and the heat conductive layer. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1보호막 및 상기 제2보호막의 가시광선 투과율은 각각 40 내지 100%인 것을 특징으로 하는 표시장치.And a visible light transmittance of the first passivation layer and the second passivation layer, respectively, of 40 to 100%. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1보호막 및 상기 제2보호막 중 적어도 어느 하나는 SiO, SiN, SiON, MgO, AlO로 이루어진 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상으로 이루어지는 무기막인 것을 특징으로 하는 표시장치.At least one of the first protective film and the second protective film is an inorganic film comprising at least one selected from the group consisting of SiO, SiN, SiON, MgO, and AlO. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 무기막의 투습도는 1g/㎡일(day) 이하인 것을 특징으로 하는 표시장치.The moisture permeability of the inorganic film is less than 1g / ㎡ day (day) display device. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 무기막은 스퍼터링, 화학기상증착 또는 전자 빔 증착법을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.And the inorganic layer is formed by sputtering, chemical vapor deposition, or electron beam deposition. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1보호막 및 상기 제2보호막 중 적어도 어느 하나는 폴리아세틸렌 또는 폴리 이미드로 이루어진 유기막인 것을 특징으로 하는 표시장치.At least one of the first protective film and the second protective film is an organic film made of polyacetylene or polyimide. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 유기막의 투습도는 60g/㎡일(day) 이하인 것을 특징으로 하는 표시장치.And a water vapor transmission rate of the organic layer is 60 g / m 2 or less. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 유기막은 스핀코팅, 화학기상응축 또는 잉크젯 프린팅의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.And the organic layer is formed by spin coating, chemical vapor condensation, or ink jet printing. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1보호막 및 상기 제2보호막의 두께는 각각 1 내지 500 ㎛인 것을 특징으로 하는 표시장치. And a thickness of each of the first passivation layer and the second passivation layer is 1 to 500 μm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도층 상에 형성되어 있는 보강기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And a reinforcing substrate formed on the thermally conductive layer. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 보강기판 외부에 부착되어 있는 열전도막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And a thermal conductive film attached to an outside of the reinforcing substrate.
KR1020050072683A 2005-08-09 2005-08-09 Display device KR20070018230A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050072683A KR20070018230A (en) 2005-08-09 2005-08-09 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050072683A KR20070018230A (en) 2005-08-09 2005-08-09 Display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070018230A true KR20070018230A (en) 2007-02-14

Family

ID=43651731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050072683A KR20070018230A (en) 2005-08-09 2005-08-09 Display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070018230A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140081429A (en) * 2012-12-21 2014-07-01 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting diode and method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140081429A (en) * 2012-12-21 2014-07-01 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting diode and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6633121B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
JP2008021653A (en) Organic light emitting display device, and method for manufacturing the same
JP6751459B2 (en) Organic electroluminescence lighting panel, manufacturing method thereof, and organic electroluminescence lighting device
US20050146266A1 (en) Organic el display and its production method
US20050275346A1 (en) Organic EL display device
US8063553B2 (en) Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same
US20060012296A1 (en) Organic Electroluminescent Display And Its Production Method
JP2011119223A (en) Organic light-emitting display device
JP2009129681A (en) Organic electroluminescent device and its manufacturing method
CN1897298A (en) Display device and method of manufacturing the same
US7948160B2 (en) Optical device and manufacturing method of the optical device
US20070221910A1 (en) Intermediate Layer in Electroluminescent Arrangements and Electroluminescent Arrrangement
US20070040500A1 (en) Barrier film for light-emitting display and method for producing same
KR20070033702A (en) Display
JP2012059553A (en) Organic electroluminescence element and method for manufacturing the same
JP2007095518A (en) Organic electroluminescent display
JP2001076874A (en) Organic el display device
JP3591387B2 (en) Organic EL device
JP2003297547A (en) Organic el display device
KR20070018230A (en) Display device
JP2014067599A (en) Organic el display, and method of manufacturing the same
US9210764B2 (en) Organic light emitting diode device and method of manufacturing the same
JP2006228493A (en) Organic electroluminescent element and its manufacturing method
KR100765530B1 (en) Top Emission Light Emitting Diodes and Method of Manufacturing the same
KR100976978B1 (en) Flat display apparatus and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid