KR20070013866A - Plasma processing system of cluster type and processing method thereby - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래 플라즈마 처리 시스템의 평면도이다. 1 is a plan view of a conventional plasma processing system.
도 2는 도 1에 나타난 공정챔버의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of the process chamber shown in FIG.
도 3은 본 발명에 의한 플라즈마 처리 시스템의 일실시예의 사시도이다. 3 is a perspective view of one embodiment of a plasma processing system according to the present invention.
도 4는 도 3에 도시된 시스템의 평면도이다. 4 is a plan view of the system shown in FIG.
도 5는 도 4에 도시된 로더의 측면도이다. 5 is a side view of the loader shown in FIG. 4.
도 6은 도 4에 도시된 트랜스퍼 로봇의 사시도이다.6 is a perspective view of the transfer robot shown in FIG. 4.
도 7은 본 발명에 의한 플라즈마 처리 시스템의 다른 실시예의 사시도이다. 7 is a perspective view of another embodiment of a plasma processing system according to the present invention.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
10: 반송모듈 11: 로더 10: Return Module 11: Loader
11a: 몸체 11b: 패드홀더 11a:
11c: 진공패드 12: 언로더 11c: vacuum pad 12: unloader
13:샤프트 20: 이송모듈13: shaft 20: transfer module
21: 하우징 22: 트랜스퍼 로봇 21: housing 22: transfer robot
22a: 하부지그 22b: 상부지그 22a:
22c: 암 22d: 트레이 파지부 22c:
23: 가이드 레일 30a, 30b, 30c: 공정챔버 23:
31, 32: 진공펌프 40: 버퍼모듈 31, 32: vacuum pump 40: buffer module
51: 트레이 52: 기판51: tray 52: substrate
본 발명은 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적어도 하나 이상 다수개의 공정챔버를 유기적으로 결합함으로써 플라즈마 처리 속도를 향상시킬 수 있는 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a cluster type plasma processing system and method, and more particularly, to a cluster type plasma processing system and method that can improve the plasma processing speed by organically combining at least one or more process chambers. .
일반적으로, 반도체 공정이나 평판표시소자 또는 태양전지를 제조하는 과정에서는 플라즈마를 사용하여 웨이퍼 또는 액정기판(이하, “기판”이라 한다)에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리 시스템이 사용된다. In general, in the process of manufacturing a semiconductor process, a flat panel display device, or a solar cell, a plasma processing system that uses a plasma to perform a predetermined process on a wafer or a liquid crystal substrate (hereinafter, referred to as a "substrate") is used.
도 1을 참조하여 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 종래 시스템을 설명한다. 종래의 플라즈마 처리 시스템은 2열의 로더/언로더(201a,201b)가 구비된 반송모듈(200)과, 각각 두개씩의 로딩챔버(300), 공정챔버(Transfer Chamber)(100) 및 언로딩챔버(400)로 구성되어 있다.A conventional system for performing plasma treatment on a substrate will be described with reference to FIG. 1. The conventional plasma processing system includes a
종래 시스템의 구성을 구체적으로 설명하면, 상기 반송모듈(200)은 트레이(202)에 기판을 로딩(수납) 및 언로딩(배출) 역할을 수행하는 로더/언로더 (201a,201b)가 구비되어 있고, 상기 로딩챔버(300) 및 언로딩챔버(400)는 대기상태에서 진공상태를 반복하게 되는데, 이와 같이 진공 분위기를 조성하기 위하여 펌핑(Pumping)하는 진공펌프가 연결되어 있다. 이와 달리 공정챔버(100)는 항상 진공상태를 유지하여야 하고 이를 위해 진공펌프(101)가 연결되어 있다. 또한, 진공 분위기에서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 플라즈마 처리를 하는 장치이다. 상기 공정챔버(100)에 대하여 도 2를 참조하여 구체적으로 설명하면, 챔버(110)내 상부 영역에 상부전극(112)이 구비되고, 이러한 상부전극(112)과 대향되는 하부 영역에 설치되되 상술한 챔버(110) 바닥과 소정 거리만큼 이격된 상태로 구비되는 베이스(114)와, 이러한 베이스(114)의 상부 영역에 적재되는 절연부재(116)와, 이러한 절연부재(116)의 상부 영역에 적재되는 냉각판을 포함하는 하부전극(118)으로 구성된다. Referring to the configuration of the conventional system in detail, the
상기 상부전극(112)과 하부전극(118)은 공정 진행시 플라즈마로부터 보호하기 위하여 전극면을 제외한 나머지 부분 즉, 상부 영역 가장자리부와 각측면을 절연판(122)으로 부착한 다음 그 외측에 세라믹판(124)을 부착하였다.In order to protect the
그리고, 상술한 하부전극(118)의 저면에 챔버(110)의 외부에서 고주파 전원(RF)이 인가되는 고주파 전원 공급봉(미도시)이 설치된다. 상기 고주파 전원 공급봉은 상기 베이스(114)의 중앙부분을 지지하는 센터(center)지지대(126)를 관통하여 상기 하부전극(118)의 저면에 접촉되어 설치된다.In addition, a high frequency power supply rod (not shown) to which a high frequency power RF is applied from the outside of the
한편, 상기 하부전극(118) 내부에는 냉각수가 흐를 수 있는 쿨링패스가 형성되어 상기 하부전극(118)에서 발생하는 열을 냉각시킬 수 있도록 한다. 상기 냉각 수는 상기 베이스(114) 네 모서리 부분을 지탱하는 사이드(side)지지대(128, 130) 내부를 관통하여 설치되는 쿨링패스를 통해 상기 하부전극(118) 내부에 마련된 쿨링패스에 제공된다.Meanwhile, a cooling path through which coolant flows may be formed in the
그리고, 상술한 챔버(110)의 내측벽과 상기 세라믹판(124) 사이에는 배플(Baffle : 138)이 구비된다. 상기 배플(138)은 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 챔버(110) 내에 잔류하는 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴리머 등을 챔버(110) 하부로 배기시키는 통로 역할을 하며, 상기 미반응가스 및 폴리머 등이 1차적으로 블럭킹(blocking)된 후 공정챔버 하부면 모서리에 각각 형성된 배기구를 통해 배출될 수 있도록 한다.A
위와 같이 구성된 종래의 플라즈마 처리 시스템의 작용을 설명하면, 상기 반송챔버에서 로더/언로더가 플라즈마 처리를 수행할 기판(이하, “피처리기판”이라 한다)을 빈 트레이에 로딩한다. 트레이에 기판의 로딩이 완료되면, 이 트레이는 가이드레일을 따라 상기 로딩챔버에 공급되며, 여기서 운송수단에 의해 공정챔버내로 반입시킨다. 공정챔버내에서 플라즈마 처리가 완료되면, 트레이에 수납된 플라즈마 처리된 기판(이하, “처리기판”이라 한다)은 언로딩챔버로 이송된 후, 다시 가이드레일을 따라 반송챔버로 이송된다. 반송챔버로 이송된 트레이는 로더/언로더에 의해 처리기판을 언로딩한 후, 다시 로더/언로더는 상기 처리기판이 언로딩되어 빈 트레이에 피처리기판을 로딩하여 상술한 공정을 반복하여 기판의 플라즈마 처리를 진행하는 것이다. Referring to the operation of the conventional plasma processing system configured as described above, the loader / unloader in the transfer chamber to load the substrate (hereinafter referred to as "to-be-processed substrate") to perform the plasma processing to the empty tray. When the loading of the substrate into the tray is completed, the tray is fed to the loading chamber along the guide rail, where it is brought into the process chamber by means of transportation. When the plasma processing is completed in the process chamber, the plasma-treated substrate (hereinafter referred to as “processing substrate”) accommodated in the tray is transferred to the unloading chamber, and then transferred along the guide rail to the transfer chamber. After the tray is transferred to the transfer chamber, the substrate is unloaded by the loader / unloader, and the loader / unloader is again unloaded to load the substrate to be processed into an empty tray and repeats the above-described process. Is to proceed with plasma processing.
그러나 위와 같은 종래의 플라즈마 처리 시스템은 피처리기판의 로딩 및 처 리기판의 언로딩이 신속하지 못하고, 그에 따라 공정챔버가 두개로 한정될 수밖에 없는 문제점이 있었다. 특히 상기 각 공정챔버에는 로딩챔버 및 언로딩챔버가 별도로 구비되어야 한다는 문제점이 있었다.However, the conventional plasma processing system as described above has a problem in that the loading of the substrate to be processed and the unloading of the substrate to be processed are not quick, and therefore, the process chamber is limited to two. In particular, each of the process chambers has a problem that the loading chamber and the unloading chamber should be provided separately.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 적어도 하나 이상 다수개의 공정챔버를 유기적으로 결합하여 구성함으로써 플라즈마 처리 속도를 향상시킬 수 있는 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템 및 방법을 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a cluster type plasma processing system and method which can improve plasma processing speed by organically combining at least one or more process chambers. In providing.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 처리가 수행되는 공정챔버 이외의 공간에는 대기압 또는 저진공 분위기하에서 수행됨으로써 고진공 분위기를 유지시켜야 하는 공간을 최소화할 수 있는 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템 및 방법을 제공함에 있다. Another object of the present invention is to provide a cluster type plasma processing system and method capable of minimizing a space to maintain a high vacuum atmosphere by performing under atmospheric pressure or a low vacuum atmosphere in a space other than the process chamber in which the plasma processing is performed.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 의한 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템은 빈 트레이에 피처리기판을 로딩하고, 플라즈마 처리를 마친 처리기판이 수납된 트레이로부터 상기 처리기판을 언로딩하는 반송모듈; 상기 피처리기판이 수납된 트레이를 공급받아 진공분위기에서 플라즈마 처리를 수행하는 다수개의 공정챔버; 및 상기 피처리기판이 로딩된 트레이를 상기 반송모듈에서 상기 공정챔버로 이송하거나 또는 상기 처리기판이 수납된 트레이를 상기 공정챔버에 서 상기 반송모듈로 이송하는 트랜스퍼 로봇이 구비된 이송모듈;를 포함하여 이루어지며, 상기 반송모듈 및 이송모듈은 대기압 분위기인 것이 바람직하다.In order to solve the above technical problem, the cluster type plasma processing system according to the present invention includes: a transport module for loading a substrate to be processed into an empty tray and unloading the processing substrate from a tray in which the processing substrate after plasma processing is received; A plurality of process chambers which receive a tray containing the substrate to be processed and perform plasma processing in a vacuum atmosphere; And a transfer module including a transfer robot configured to transfer the tray loaded with the substrate to be processed from the transfer module to the process chamber or to transfer the tray containing the substrate from the process chamber to the transfer module. The transfer module and the transfer module are preferably in an atmospheric pressure atmosphere.
또한 본 발명의 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템에 있어서, 상기 반송모듈 및 다수개의 공정챔버는 상기 이송모듈을 중심으로 그 측벽을 따라 배치되며, 특히 다수개의 상기 공정챔버는 상기 트랜스퍼 로봇을 중심으로 한 동일 원주상에 위치하는 것이 바람직하다. In addition, in the cluster type plasma processing system of the present invention, the transfer module and the plurality of process chambers are disposed along the sidewall of the transfer module, and in particular, the plurality of the process chambers are the same with respect to the transfer robot. It is preferably located on the circumference.
한편, 상기 피처리기판이 수납된 트레이 또는 상기 처리기판이 수납된 트레이를 임시보관할 수 있는 공간을 제공하는 버퍼모듈이 마련되고, 이 경우 상기 반송모듈 및 버퍼모듈은 상기 트랜스퍼 로봇을 중심으로 한 동일 원주상에 위치하는 것이 더욱 바람직하다. On the other hand, a buffer module is provided that provides a space for temporarily storing the tray in which the substrate to be processed or the tray in which the processing substrate is accommodated, and in this case, the transfer module and the buffer module are the same with respect to the transfer robot. More preferably, it is located on the circumference.
또한 상기 반송모듈에는 상기 피처리기판을 상기 트레이에 로딩하는 로더와, 상기 처리기판을 상기 트레이로부터 언로딩시키는 언로더가 별도로 구비되고, 상기 이송모듈에는 가이드레일이 구비되어 있고, 상기 가이드레일을 따라 상기 트랜스퍼 로봇이 수평이동하도록 구성된다. In addition, the conveying module is provided with a loader for loading the substrate to be processed into the tray, and an unloader for unloading the substrate from the tray. The conveying module is provided with a guide rail. Accordingly, the transfer robot is configured to move horizontally.
본 발명에 의한 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템을 이용한 플라즈마 처리 방법은 반송모듈에서 빈 트레이에 피처리기판을 수납하는 로딩단계; 상기 트레이를 이송하여, 적어도 하나 이상의 공정챔버에 순차적으로 반입하는 기판반입단계; 상기 공정챔버에서 상기 피처리기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리단계; 플라즈마 처리가 수행되는 동안, 상기 반송모듈에서 제 2 피처리기판이 로딩된 제 2 트레이를 버퍼공간에 임시로 보관하는 버퍼링단계; 플라즈마 처리가 완료된 공정챔버로부터 상기 트레이를 반출하여 상기 반송모듈로 이송하는 기판반출단계; 및 상기 트레이가 반출된 상기 공정챔버에 제 2 트레이를 반입하는 제 2 기판반입단계;를 포함하여 이루어질 수 있으며, 다른 방법으로서 반송모듈에서 빈 트레이에 피처리기판을 수납하는 로딩단계; 상기 트레이를 이송하여, 적어도 하나 이상의 공정챔버에 순차적으로 반입하는 기판반입단계; 상기 공정챔버에서 상기 피처리기판을 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리단계; 플라즈마 처리된 후, 상기 트레이를 반출하여 버퍼공간에 임시보관하는 버퍼링단계; 상기 반송모듈에서 제 2 피처리기판이 수납된 제 2 트레이를 이송하여, 상기 처리기판을 반출시킨 상기 공정챔버에 반입하는 제 2 기판공급단계; 및 상기 버퍼공간에 임시보관된 상기 트레이를 상기 반송모듈로 이송하여 상기 처리기판을 배출하는 언로딩단계;를 포함하여 이루어질 수도 있다. The plasma processing method using the cluster type plasma processing system according to the present invention includes a loading step of receiving a substrate to be processed into an empty tray in a transport module; A substrate loading step of transferring the tray and sequentially loading the tray into at least one process chamber; A plasma processing step of plasma processing the substrate to be processed in the process chamber; A buffering step of temporarily storing a second tray loaded with a second substrate to be processed in the transfer module in a buffer space while the plasma processing is performed; A substrate transport step of transporting the tray from the process chamber where the plasma processing is completed and transferring it to the transport module; And a second substrate loading step of bringing in a second tray into the process chamber from which the tray is carried out. The loading step of receiving a substrate to be processed into an empty tray in a transfer module may be performed. A substrate loading step of transferring the tray and sequentially loading the tray into at least one process chamber; A plasma processing step of plasma processing the substrate to be processed in the process chamber; A buffering step of carrying out the tray and temporarily storing the tray in a buffer space; A second substrate supplying step of transferring the second tray containing the second substrate to be processed from the conveying module and carrying it into the process chamber from which the processing substrate is carried out; And an unloading step of transferring the tray temporarily stored in the buffer space to the transfer module to discharge the processing substrate.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 실시예의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation of the embodiment according to the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명에 의한 실시예는 반송모듈(10), 이송모듈(20) 및 세개의 공정챔버(30a, 30b, 30c)를 포함하여 이루어지며, 구체적으로는 중앙부에 위치한 직육면체 형상의 이송모듈(20)과, 이 이송모듈(20)의 네 측방에 각각 하나의 반송모듈(10)과 세개의 공정챔버(30a, 30b, 30c)가 이웃하여 배치되어 클러스터 타입으로 형성되어 있음을 알 수 있다. Referring to FIG. 3, an embodiment according to the present invention includes a
도 4를 참조하여 본 실시예의 구성을 구체적으로 설명하면, 상기 반송모듈(10)도 대략 직육면체 형상의 하우징이 마련되고, 상기 하우징 내부에 트레이 안착부가 형성되어 있으며, 상기 안착부의 좌우측 상부에는 로더(11) 및 언로더(12)가 각각 별도로 형성되어 있다. 상기 로더(11) 및 언로더(12)는 샤프트(13)를 통해 X 및 Z축 방향으로 이동 가능하고, 도시되지는 아니하였으나 별도의 운송수단을 통해 Y축방향으로도 이동 가능하게 구성된다. Referring to Figure 4 in detail the configuration of this embodiment, the
또한 도 5를 참조하면, 상기 로더(11)는 두개의 몸체(11a)로 구성되며, 각 몸체(11a)에는 7개의 패드홀더(11b) 및 진공패드(11c)가 결합되고, 상기 몸체(11a), 패드홀더(11b) 및 진공패드(11c)에는 진공라인이 개설되어 있다. 따라서 로더는 7×2개의 기판(52)을 동시에 흡착할 수 있도록 구성된다. 본 실시예에서는 언로더(12)도 이와 같은 로더(11)와 동일한 구성을 하고 있다. 5, the
상기 이송모듈(20)은 대략 직육면체 형상의 하우징(21)이 마련되고, 상기 반송모듈(10)의 일측벽과 이웃하여 형성되며, 상기 이송모듈(20)의 내부에는 피처리기판 또는 처리기판이 로딩(수납)된 트레이(51)를 파지하여 이송하는 트랜스퍼 로봇(22) 및 상기 트랜스퍼 로봇(22)이 수평방향으로 이동할 수 있는 라인을 제공하는 가이드 레일(23)이 구비되어 있다. 도 6을 참조하면, 트랜스퍼 로봇(22)은 상기 가이드 레일(23)을 따라 이동가능하도록 결합되어 있는 하부지그(22a)와, 상기 하부지그(22a)의 상부에 설치되어 상하운동(Z축) 및 360°회전가능한 상부지그(22b)와, 상기 상부지그(22b)에 결합되며 신축가능한 두개의 암(22c) 및 트레이(51)가 올려지는 파지부(22d)를 포함하여 구성된다. The
상기 세개의 공정챔버(30a, 30b, 30c)는 각각 상기 이송모듈(20)의 세측벽과 인접하여 형성되며, 그 구성은 종래의 공정챔버와 동일하게 할 수 있다. 즉, 진공상태에서 플라즈마 처리를 수행하기 위해 펌핑하기 위한 진공펌프(31,32)와 상부 전극(미도시) 및 하부 전극(미도시)을 포함하여 구성된다. The three
다만, 종래에는 피처리기판이 수납된 트레이가 공정챔버로 공급되기 전에 진공 분위기의 로딩챔버를 거쳐 공급되지만, 본 실시예에서는 대기상태의 이송모듈(20)에서 곧바로 공정챔버(30)로 공급되기 때문에 종래의 공정챔버보다 펌핑능력이 탁월해야 한다. 따라서 두개의 진공펌프(31,32)가 병렬 연결되어 있음을 알 수 있다. However, conventionally, the tray containing the substrate to be processed is supplied through the loading chamber in a vacuum atmosphere before being supplied to the process chamber, but in this embodiment, the tray is directly supplied from the
특히, 상기 반송챔버(10)와, 이와 인접하는 어느 하나의 공정챔버(30a 또는 30c) 사이에는 버퍼모듈(40)이 더 부가되어 있다. 상기 버퍼모듈(40)은 반송모듈(10)에서 피처리기판이 로딩된 트레이(51)를 임시 보관하거나 또는 공정챔버(30a, 30b, 30c)에서 플라즈마 처리된 처리기판이 수납된 트레이(51)를 임시 보관할 수 있는 버퍼공간이 마련된 직육면체 형상의 하우징으로 구성된다. In particular, a
본 실시예에서는 도시된 바와 같이, 세개의 공정챔버(30a, 30b, 30c)는 트랜스퍼 로봇(22)을 중심으로 한 동일 원주상에 위치되며, 또한 상기 반송모듈(트레이 안착부) 및 버퍼모듈(40)도 상기 트랜스퍼 로봇(22)을 중심으로 한 동일 원주상에 위치된다. As shown in the present embodiment, the three
또한 도 7은 본 발명에 의한 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템의 다른 실시예를 도시한 것이다. 이를 참조하면, 도 3에 도시된 시스템에서 이송모듈의 길 이방향의 양측벽에 각각 하나씩의 공정챔버를 더 구비한 것이다. 물론 반송모듈, 이송모듈, 버퍼모듈 및 공정챔버의 구성 및 작용은 동일하다. 이렇게 구성함으로써 공정효율을 높일 수 있는 것이다. 따라서, 반송모듈 및 이송모듈의 공정속도에 따라 공정챔버의 수를 적절히 조절함으로써 공정효율을 극대화 할 수 있다. 7 shows another embodiment of a cluster type plasma processing system according to the present invention. Referring to this, in the system shown in FIG. 3, one process chamber is further provided on both side walls in the longitudinal direction of the transfer module. Of course, the configuration and operation of the transfer module, transfer module, buffer module and process chamber are the same. In this way, process efficiency can be increased. Therefore, the process efficiency can be maximized by appropriately adjusting the number of process chambers according to the process speed of the transfer module and the transfer module.
도 4를 참조하여 본 발명에 의한 기판의 플라즈마 처리시스템의 작용 및 처리방법을 설명하면, 7×7 배열로 구성된 빈 트레이(51)를 반송모듈(10)의 트레이 안착부에 올려 놓고, 로더(11)가 7×2개의 피처리기판을 동시에 흡착하여 빈 트레이(51)에 로딩한다. 상기와 같은 작업을 반복하여 트레이(51)에 피처리기판의 로딩이 완료되면, 이송모듈(20)의 트랜스퍼 로봇(22)이 암(22c)을 신장하여 트레이(51)를 파지하고, 파지한 상태에서 가이드 레일(23)을 따라 이동한 후, 각 공정챔버(30a, 30b, 30c)로 반입한다. 상기 공정챔버(30a, 30b, 30c)는 트레이(51) 반입과정에서 도어(미도시)를 개방하여 암(22c)이 상기 도어를 통해 챔버(30a, 30b, 30c)내로 진입하고, 또한 종래기술과 달리 이송모듈이 대기압 상태이기 때문에 상기 공정챔버도 대기상태에 노출될 수밖에 없으므로 진공펌프(31,32)를 이용하여 펌핑하여야 하며, 이러한 펌핑으로 다시 플라즈마 처리에 필요한 진공 분위기를 조성한다. 이 상태에서 상부 전극과 하부 전극을 이용하여 플라즈마를 발생시켜 기판(52)을 플라즈마 처리한다. 한편, 공정챔버(30a, 30b, 30c)에서 플라즈마 처리를 하는 동안 상기 반송모듈(10)에서는 빈 트레이(51)에 피처리기판의 로딩작업을 계속하고, 로딩이 완료된 트레이를 상기 트랜스퍼 로봇(11)이 파지하여 버퍼모듈(40)에 내려 놓는다. 다시 상기 공정챔버로 환언하면, 플라즈마 처리가 완료되면 상기 트랜스퍼 로봇을 이용하여 공정챔버로부터 트레이를 반송챔버로 이송한다. 반송챔버에서는 상부의 언로더 및 로더를 이용하여 처리기판을 언로딩 시킴과 동시에 언로딩된 공간에 피처리기판을 로딩시킨다. 한편, 반송챔버에서 처리기판의 언로딩 및 피처리기판의 로딩이 수행되는 동안, 트랜스퍼 로봇은 버퍼모듈에 임시 보관되어 있는 트레이를 상기 공정챔버(처리기판이 수납된 트레이를 반출시킨 공정챔버)에 반입한다. 이와 같은 공정을 반복함으로써 연속하여 피처리기판의 플라즈마 처리를 수행할 수 있는 것이다. Referring to Figure 4 describes the operation and processing method of the plasma processing system of the substrate according to the present invention, the
본 발명에 의한 클러스터 타입의 플라즈마 처리 시스템을 이용한 플라즈마 처리방법의 상술한 방법과 다른 방법으로도 실시할 수 있다. 이를 설명하면, 7×7 배열로 구성된 빈 트레이(51)를 반송모듈(10)의 트레이 안착부에 올려 놓고, 로더(11)가 7×2개의 피처리기판을 동시에 흡착하여 빈 트레이(51)에 로딩한다. 상기와 같은 작업을 반복하여 트레이(51)에 피처리기판의 로딩이 완료되면, 이송모듈(20)의 트랜스퍼 로봇(22)이 암(22c)을 신장하여 트레이(51)를 파지하고, 파지한 상태에서 가이드 레일(23)을 따라 이동한 후, 각 공정챔버(30a, 30b, 30c)로 반입한다. 상기 공정챔버(30a, 30b, 30c)는 트레이(51) 반입과정에서 도어(미도시)를 개방하여 암(22c)이 상기 도어를 통해 챔버(30a, 30b, 30c)내로 진입하고, 또한 종래기술과 달리 이송모듈이 대기압 상태이기 때문에 상기 공정챔버도 대기상태에 노출될 수밖에 없으므로 진공펌프(31,32)를 이용하여 펌핑하여야 하며, 이러한 펌핑으로 다시 플라즈마 처리에 필요한 진공 분위기를 조성한다. 이 상태에서 상부 전극과 하부 전극을 이용하여 플라즈마를 발생시켜 기판(52)을 플라즈마 처리한다. 한편, 공정챔버(30a, 30b, 30c)에서 플라즈마 처리를 하는 동안 상기 반송모듈(10)에서는 빈 트레이(51)에 피처리기판의 로딩작업을 계속하고, 로딩이 완료된 트레이를 상기 트랜스퍼 로봇(11)이 파지하여 버퍼모듈(40)에 내려 놓는다. 다시 상기 공정챔버로 환언하면, 플라즈마 처리가 완료되면 공정챔버(30a, 30b, 30c)내에 수용된 트레이(51)에는 처리기판이 수납되어 있다. 이를 상기 트랜스퍼 로봇(22)의 암(22c)이 파지하여 상기 공정챔버(30a, 30b, 30c)로부터 반출한다. 처리기판이 수납된 트레이(51)를 파지하고 있는 상기 트랜스퍼 로봇(22)을 수평방향으로 이송하여 상기 트레이(51)를 버퍼모듈(40)에 내려 놓고, 다시 반송모듈(10)로 상부지그(22b) 및 암(22c)을 회전하여 이미 피처리기판이 로딩된 트레이(51)를 파지하여 직전에 트레이(51)를 반출시킨 공정챔버(30a, 30b, 30c)로 이송하여 상기 트래이(51)를 반입시킨다. 그 다음, 상기 트랜스퍼 로봇(22)은 다시 수평방향으로 이송하여 상기 버퍼모듈(40)에 임시보관되어 있는 트레이(51)를 파지한 다음, 상기 반송모듈(10)로 이송하여 반입한다. 상기 반송모듈(10)에 반입된 상기 트레이(51)에서 언로더(12)가 7×2의 처리기판을 진공흡착하여 언로딩하고, 이와 동시에 로더(11)가 7×2의 피처리기판을 언로딩된 위치에 로딩한다. 이와 같은 공정을 반복함으로써 연속하여 피처리기판의 플라즈마 처리를 수행할 수 있는 것이다. The plasma processing method using the cluster type plasma processing system according to the present invention can also be carried out by a method different from the above-described method. To explain this, the
본 발명에 의한 플라즈마 처리 시스템은 상술한 실시예와 달리 공정챔버를 네개 이상 다수개로 형성할 수도 있다. 물론, 이 경우에도 다수개의 공정챔버는 상기 트랜스퍼 로봇을 중심으로 한 동일 원주상에 위치하여야 한다. 또한 공정챔버가 많아지면, 기판의 로딩 및 언로딩 능률도 향상되어야 하므로, 7×2열로 구성된 로더 및 언로더를 7×3이나 그 이상으로 설계변경할 수 있을 것이다. Unlike the above-described embodiment, the plasma processing system according to the present invention may form four or more process chambers. Of course, even in this case, a plurality of process chambers should be located on the same circumference around the transfer robot. In addition, as the number of process chambers increases, the loading and unloading efficiency of the substrate must be improved, so that a 7x2 row of loaders and unloaders can be changed to 7x3 or more.
본 발명에 따르면 적어도 하나 이상 다수개의 공정챔버를 유기적으로 결합하여 구성함으로써 플라즈마 처리 속도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. According to the present invention there is an effect to improve the plasma processing speed by organically combining at least one or more process chambers.
또한 본 발명에 따르면 플라즈마 처리가 수행되는 공정챔버 이외의 공간에는 대기압 또는 저진공 분위기하에서 수행되기 때문에 고진공 분위기를 유지시켜야 하는 공간을 최소화할 수 있기 때문에 시스템의 구성 및 공정 수행이 매우 용이하다. In addition, according to the present invention, since a space other than the process chamber in which the plasma treatment is performed is performed under atmospheric pressure or a low vacuum atmosphere, a space for maintaining a high vacuum atmosphere can be minimized.
더욱이, 로딩 및 언로딩이 동시에 수행되기 때문에 공정시간을 단축시킬 수 있는 효과도 있다. Moreover, since loading and unloading are performed at the same time, there is an effect that the process time can be shortened.
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