KR20070013489A - Cleaning system of chuck table and method of cleaning the chuck table using the same system - Google Patents
Cleaning system of chuck table and method of cleaning the chuck table using the same system Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070013489A KR20070013489A KR1020050067831A KR20050067831A KR20070013489A KR 20070013489 A KR20070013489 A KR 20070013489A KR 1020050067831 A KR1020050067831 A KR 1020050067831A KR 20050067831 A KR20050067831 A KR 20050067831A KR 20070013489 A KR20070013489 A KR 20070013489A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chuck table
- ckd
- water
- cleaning
- air supply
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 99
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 208000020832 chronic kidney disease Diseases 0.000 claims 24
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 abstract 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- -1 etc.) Chemical compound 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000008400 supply water Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
도 1은 종래 척 테이블 세정 시스템을 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional chuck table cleaning system.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 척 테이블 세정 시스템을 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a chuck table cleaning system according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 척 테이블 세정 시스템의 세정 작용을 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view for explaining the cleaning operation of the chuck table cleaning system according to a preferred embodiment of the present invention.
도 4는 종래의 세정 시스템과 본 발명의 세정 시스템에 의한 세정 효과를 비교한 비교표이다.4 is a comparison table comparing the cleaning effect of the conventional cleaning system and the cleaning system of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 설명><Description of main parts of drawing>
100:척 테이블 110:홀 120:기저 홀100: chuck table 110: hall 120: base hall
200:스톤 브러쉬부 210:스톤 브러쉬 212:톱니200: Stone brush part 210: Stone brush 212: Sawtooth
214:스톤 브러쉬 몸체 216:수도관 연결부 230:제1 수도관부214: Stone brush body 216: Water pipe connection 230: First water pipe
232:제1 수도관 234:제1 CKD 235:제1 CKD 연결관232: first water pipe 234: first CKD 235: first CKD connector
236:솔레노이드 밸브 238:제1 수도관 밸브 239:제1 센서236: solenoid valve 238: first water pipe valve 239: first sensor
300:수공 세정부 310:제2 수도관부 312:제2 수도관300: hand washing part 310: second water pipe part 312: second water pipe
314:제2 CKD 315:제2 CKD 연결관 316:제2 수도관 밸브314: second CKD 315: second CKD connector 316: second water pipe valve
318:제2 센서 330:공기 공급관부 332:공기 공급관318: second sensor 330: air supply pipe portion 332: air supply pipe
336:공기 공급관 밸브 338:제3 센서 350:수공 공급관336: air supply pipe valve 338: third sensor 350: hand supply pipe
400:공통 공기 공급관....500:대수도관부.... 510:대수도관400: common air supply pipe .. 500: aqueduct pipe part .. 510: aqueduct pipe
520:대수도관 밸브...... 600:진공관520: water pipe valve ... 600: vacuum tube
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로서, 특히 척 테이블 세정 시스템 및 그 세정 시스템에 의한 척 테이블 세정 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
최근 들어 전자장치들이 소형화됨에 따라, 전자장치에 사용되는 반도체 소자 역시 경박 단소화되어 가고 있다. 이에 따라 반도체 패키지의 두께를 감소시키기 위해 새로운 형태의 반도체 패키지의 개발이 계속 진행중이다. 반도체 패키지의 두께를 감소시키기 위한 공정의 하나로 반도체 칩의 이면(back side)을 연마(grinding)하는 웨이퍼 이면연마 공정이 있다.In recent years, as electronic devices have been miniaturized, semiconductor devices used in electronic devices have also been reduced in size and weight. Accordingly, development of a new type of semiconductor package is ongoing to reduce the thickness of the semiconductor package. One of the processes for reducing the thickness of a semiconductor package is a wafer back polishing process for grinding the back side of a semiconductor chip.
웨이퍼 이면연마 공정은 웨이퍼 전면에 테이프를 접착(taping)하고, 테이핑된 웨이퍼의 이면을 연마한 후 테이프를 제거하는 공정으로 이루어진다. 그런데, 웨이퍼 이면연마 공정 중 또는 공정 후에 테이프 찌꺼기나 기타 이물질들이 웨이퍼를 올려놓고 작업하는 척 테이블에 남게 되어 차후의 다른 웨이퍼의 이면 연마 공정 등에서 웨이퍼 크랙(crack)이나 깨짐(broken)의 원인이 된다. 따라서, 척 테이 블을 세정하는 공정이 필수적으로 수반된다.The wafer backside polishing process consists of attaching the tape to the front surface of the wafer, polishing the backside of the taped wafer, and then removing the tape. However, during or after the wafer backside polishing process, tape debris and other foreign matter remain on the chuck table on which the wafer is placed and work, which causes wafer cracks and cracks in other backside polishing processes. . Therefore, the process of cleaning the chuck table is necessarily accompanied.
한편, 웨이퍼를 평탄하게 하여 결함이 없도록 만드는 일이 반도체 소자 제조에 중요한데, 그러한 공정이 웨이퍼 표면연마 또는 경면연마(polishing) 공정이다. 조연마 과정을 거친 웨이퍼는 식각 공정을 거치면서 추가적인 표면 손상을 제거하기 위하여, 공정을 정밀하게 통제하는 완전 자동화된 장비로 가장자리 부분과 표면을 경면연마(polishing)하게 되고, 그 결과 얻어지는 웨이퍼들은 극도로 평탄하고 결함이 없는 상태가 된다. 그러나 경면연마 공정에서도 웨이퍼 이면연마 공정과 비슷하게 공정 후 척 테이블 상에 이물질 등이 남게 되어 척 테이블 세정하는 공정이 또한 필요하다.On the other hand, flattening the wafer to be free of defects is important for semiconductor device fabrication, and such a process is a wafer surface polishing or polishing process. The rough polished wafers are polished on edges and surfaces with fully automated equipment that precisely controls the process to remove additional surface damage during the etching process, resulting in extremely high wafer yields. Is flat and free of defects. However, in the mirror polishing process, similar to the wafer back polishing process, foreign matters and the like remain on the chuck table after the process, and thus, a process of cleaning the chuck table is required.
도 1은 종래 척 테이블의 세정 시스템의 단면을 보여주고 있다. 도 1을 참조하면, 세정 시스템은 스톤 브러쉬(20,stone brush) 및 수도관부(30)를 포함한다. 스톤 브러쉬(20)는 몸체(22), 몸체(22) 하부에 형성된 직사각형의 톱니(24) 및 몸체(22) 상부로 수도관부(20)와의 연결을 위한 수도관 연결부(26)를 포함한다. 수도관부(30)는 스톤 브러쉬(20)로 물을 공급하는 수도관(32) 및 수도관의 개폐를 조정하는 CKD(34) 및 솔레노이드 밸브(36)를 포함한다. 스톤 브러쉬(20)의 몸체(22)는 원기둥 형태이며, 물을 분사하기 위한 다수의 홀(미도시)이 몸체(22) 중앙부에 형성되어 있다. 직사각형 톱니(24)는 몸체 하부 외곽 부분으로 원형을 이루면서 형성된다. 한편, 척 테이블(10)은 상부로 미세한 홀(12)이 무수히 형성되어 있고(도면상 이해의 편의를 위해 확대하여 몇몇 개만 표현되었다.), 척 테이블(10)의 내부 하부에 홀(12)과 연결되는 기저 홀(14)이 형성되어 있다. 기저 홀(14)은 진공 장치 (미도시)의 진공관(40)에 연결되어 척 테이블(10)이 진공에 의해 웨이퍼를 흡착시킬 수 있도록 되어 있다. Figure 1 shows a cross section of a cleaning system of a conventional chuck table. Referring to FIG. 1, the cleaning system includes a
종래의 스톤 브러쉬(20)의 작용을 간단히 설명하자면, 척 테이블(10) 상부로 스톤 브러쉬(20)를 밀착시킨 후, 홀(미도시)을 통해 물을 분사하고 스톤 브러쉬(20)를 화살표 방향으로 회전시키면서 척 테이블을 세정한다. 즉, 물 및 척 테이블(10)에 밀착하여 회전하는 직사각형 톱니(24)에 의해 척 테이블(10) 상의 이물질이 제거된다.To briefly explain the operation of the
그러나 척 테이블 상의 테이프 찌꺼기와 같은 접착성 이물질은 쉽게 제거되지 않으며, 척 테이블의 홀에 끼여 있는 이물질들, 즉 슬러리(slurry:수십 nm의 알루미나, 세리아, 실리카 등의 연마제), 실리콘 찌꺼기(Si_dust) 및 접착성 이물질(특히 테이프 찌꺼기) 등도 역시 제거가 쉽게 되지 않는다. 또한 척 테이블 홀에 끼어 있는 이물질들은 계속적으로 누적되어 홀을 막아 버리게 됨으로써, 진공 장치의 기능, 즉 웨이퍼 흡착의 기능을 마비시키는 문제를 발생시킨다.However, adhesive debris such as tape debris on the chuck table are not easily removed, and foreign substances trapped in the holes of the chuck table, such as slurry (abrasives of tens of nm alumina, ceria, silica, etc.), and silicon debris (Si_dust) And adhesive foreign matter (especially tape debris) and the like are also not easy to remove. In addition, foreign matters stuck in the chuck table hole continuously accumulate to block the hole, thereby causing a problem of paralyzing the function of the vacuum device, that is, the function of wafer adsorption.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 척 테이블의 이물질들을 완전하고 효과적으로 세정할 수 있는 척 테이블 세정 시스템 및 그 세정 시스템을 이용한 척 테이블 세정 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an aspect of the present invention is to provide a chuck table cleaning system capable of completely and effectively cleaning foreign substances in the chuck table and a chuck table cleaning method using the cleaning system.
상기 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은 원형의 척 테이블(chuck table)은 상부로 다수의 홀 및 내부 하부로 상기 홀에 연결된 기저 홀이 형성되어 있고, 상기 척 테이블 상부에 위치하고 다수의 홀이 형성된 스톤 브러쉬(stone brush), 상기 스톤 브러쉬에 물을 공급하는 제1 수도관을 포함하는 스톤 브러쉬부 및 상기 척 테이블의 기저 홀에 연결된 제2 수도관 및 공기 공급관을 포함하는 수공 세정부를 포함하는 척 테이블 세정 시스템을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention is a circular chuck table (top) is formed with a plurality of holes in the top and the base hole connected to the hole in the inner bottom, the plurality of holes are located on the chuck table A chuck comprising a stone brush formed, a stone brush part including a first water pipe for supplying water to the stone brush, and a manual cleaning part including a second water pipe and an air supply pipe connected to a base hole of the chuck table. Provide a table cleaning system.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 제1, 제2 수도관 또는 공기 공급관은 물 또는 공기의 양을 조절하는 밸브가 설치될 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the first, the second water pipe or the air supply pipe may be provided with a valve for controlling the amount of water or air.
본 발명은 또한 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 원형의 척 테이블(chuck table)은 상부로 다수의 홀 및 내부 하부로 상기 홀에 연결된 기저 홀이 형성되어 있고, 상기 척 테이블 상부에 위치하고 다수의 홀이 형성된 스톤 브러쉬(stone brush), 상기 스톤 브러쉬에 물을 공급하는 제1 수도관을 포함하는 스톤 브러쉬부 및 상기 척 테이블의 기저 홀에 연결된 제2 수도관 및 공기 공급관을 포함하는 수공 세정부를 포함하는 척 테이블 세정 시스템을 이용하여, 상기 스톤 브러쉬부에 의한 물의 분사 및 상기 수공 세정부에 의한 물 및 공기의 분사에 의해 상기 척 테이블을 세정하는 척 테이블 세정 방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the circular chuck table has a plurality of holes formed therein and a base hole connected to the hole at an inner lower portion thereof, and is located above the chuck table. And a hand washing unit including a formed stone brush, a stone brush unit including a first water pipe for supplying water to the stone brush, and a second water pipe connected to a base hole of the chuck table and an air supply pipe. Using a chuck table cleaning system, there is provided a chuck table cleaning method for cleaning the chuck table by spraying water by the stone brush unit and spraying water and air by the manual cleaning unit.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 스톤 브러쉬부의 물의 분사와 수공 세정부의 물 및 공기의 분사는 동시적으로 이루어져 세정의 효과를 극대화시킬 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the spray of water of the stone brush unit and the spray of water and air of the manual cleaning unit may be simultaneously performed to maximize the effect of cleaning.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이하의 도면에서 구성요소들의 일부분은 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되어 표현되었다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention; In the drawings, some of the components are exaggerated for convenience and clarity of description. Like numbers refer to like elements in the figures.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 세정 시스템의 단면을 보여주고 있다.2 shows a cross section of a cleaning system according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 세정 시스템은 척 테이블(100) 상부에 세정을 위한 스톤 브러쉬부(200), 척 테이블(100)과 연결되어 척 테이블(100) 하부 쪽에서의 세정을 위한 수공 세정부(300), 수공 세정부(300)에 공기를 공급하는 공통 공기 공급관(400) 및 스톤 브러쉬부(200)와 수공 세정부(300)에 물을 공급하는 대수도관부(500)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the cleaning system is connected to the
스톤 브러쉬부(200)는 스톤 브러쉬(210) 및 스톤 브러쉬(210)에 물을 공급하는 제1 수도관부(230)를 포함한다. 제1 수도관부(230)는 물을 공급하는 통로인 제1 수도관(232), 제1 수도관(232)의 개폐를 조정하는 제1 CKD(234)와 솔레노이드 밸브(236) 및 제1 수도관(232)의 유량 조절을 위한 제1 수도관 밸브(238)와 제1 수도관 밸브(238)에 설치된 제1 센서(239)를 포함한다. 제1 CKD(234)와 솔레노이드 밸브(236) 사이에는 제1 CKD 연결관(235)이 설치되어 제1 CKD는 솔레노이드(236)의 작동에 따라 제1 CKD 연결관(235)을 통해 공기를 공급받아 그 공기압에 의해 제1 수도관(232)의 개폐를 조정한다.스톤 브러쉬(210)는 스톤 브러쉬 몸체(214), 스톤 브러쉬 몸체(214) 하부 외곽으로 원형으로 형성된 직사각형 톱니(212) 및 제1 수도관을 연결시키는 수도관 연결부(216)를 포함한다. The
스톤 브러쉬(210)는 회전이 가능하며, 스톤 브러쉬 몸체(214) 내부에는 제1 수도관(232)에서 공급하는 물을 분사하기 위한 다수의 홀(미도시)이 형성되어 있다.The
수공 세정부(300)는 척 테이블(100)에 물을 공급하는 제2 수도관부(310), 공기를 공급하는 공기 공급관부(330) 및 제2 수도관부(310)의 물 및 공기 공급관부(330)의 공기를 함께 척 테이블(100)에 공급하는 수공 공급관(350)을 포함한다. 제2 수도관부(310)는 척 테이블(100)에 물을 공급하는 통로인 제2 수도관(312), 제2 수도관(312)의 개폐를 조정하는 제2 CKD(314)와 제2 CKD 연결관(315) 및 제2 수도관의 수량 조절을 위한 제2 수도관 밸브(316)와 제2 센서(318)를 포함한다. 한편, 제2 CKD(314)는 제1 CKD(234)의 솔레노이드 밸브(236)를 함께 이용한다. 공기 공급관부(330)는 공기 공급 통로인 공기 공급관(332) 및 공기 공급관(332)의 공기량을 조절하기 위한 공기 공급관 밸브(336)와 제3 센서(338)를 포함한다. 제2 수도관(312) 및 공기 공급관(332)은 수공 공급관(350)으로 함께 연결되어 수공 공급관(350)을 통해 물과 공기를 척 테이블(100)에 함께 공급한다.The
공통 공기 공급관(400)은 제1 CKD 연결관(235), 제2 CKD 연결관(315) 및 공기 공급관(332)을 함께 연결한다. 이와 같이 형성함으로써, 제2 CKD(314)는 제1 CKD(234)의 솔레노이드 밸브(236)에 의해 제1 CKD(234)와 동시에 작동하며, 공기 공급관(332)의 공기 공급은 솔레노이드 밸브(236)에서 공급되는 공기를 함께 이용한다. 따라서, 솔레노이드 밸브(236)에 의해 제1 및 제2 수도관(232,312) 및 공기 공급관(332)의 작동이 동시에 이루어지게 된다.The common
대수도관부(500)는 제1 수도관부(230)의 제1 수도관(232) 및 제2 수도관부(310)의 제2 수도관(312)에 물을 공급한다. 대수도관부(500)는 제1 수도관(232) 및 제2 수도관(312)에 연결된 대수도관(510) 및 대수도관의 수량조절을 위한 대수도관 밸브(520)을 포함한다.The
한편, 척 테이블(100)은 상부로 다수의 홀(110) 및 척 테이블 하부 내부로 홀(110)과 연결된 기저 홀(120) 형성되어 있음은 전술한 바와 같다. 기저 홀(120)은 수공 세정부(300)의 수공 공급관(350) 및 진공장치(미도시)의 진공관(600)에 함께 연결되어 있다.Meanwhile, as described above, the chuck table 100 is formed with a plurality of
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 세정 시스템의 세정 작용을 설명하기 위해서, 스톤 브러쉬부(200)의 일부와 척 테이블(100) 및 척 테이블(100)에 연결된 진공관(600)과 수공 공급관(350) 일부의 단면을 보여주고 있다. 도 3을 참조하면, 제1 수도관(232)을 통해 스톤 브러쉬(210)에 물이 공급되어 몸체(214)의 중앙부를 통해 물이 척 테이블(100)로 분사되며, 스톤 브러쉬(210)는 화살표 방향으로 회전하면서 척 테이블(100) 상부 전면을 세정할 수 있도록 척 테이블(100)과 밀착되어(이해의 편의를 위해 어느 정도의 간격을 두어 표현되어 있다.) 상하 좌우로 이동하면서 척 테이블(100)을 세정한다. 이와 동시에 척 테이블(100) 하부의 기저 홀(120)로 연결된 수공 공급관(350)을 통해 물과 공기가 공급되고 공급된 물과 공기는 척 테이블(100) 상부로 형성되어 있는 다수의 홀(110)을 통해 척 테이블(100) 상방으로 분사되게 된다. 3 is a view illustrating a cleaning operation of a cleaning system according to an exemplary embodiment of the present invention, a part of the
따라서, 종래 스톤 브러쉬만으로 세정시 접착성 이물질이나 척 테이블 홀 내부에 쌓인 이물질의 제거가 어려웠으나, 본 실시예에서는 척 테이블 하부에서 상방으로 홀을 통해 물과 공기가 분사되는 세정이 첨가되면서, 그러한 이물질의 제거가 더 효과적으로 이루어질 수 있다. 한편, 도 2에서 보듯이 제1 ,제2 수도관 또는 공 기 공급관에 물 또는 공기의 양을 조절할 수 있는 밸브(238,316,336)가 설치되어, 세정 작용에 효과적인 공기 및 물의 분사 압력을 조절할 수 있다. 또한, 각 밸브(238,316,336)에 센서(239,318,338)를 설치하고, 물 또는 공기의 공급량을 체크하고 그 신호를 받아 자동으로 공급량을 조절할 수 있는 유량 제어기(미도시)를 중앙 컨트롤러(미도시)에 설치함으로써, 자동 세정 시스템을 구축할 수 있다.Therefore, it is difficult to remove adhesive foreign matter or accumulated foreign matter inside the chuck table hole when cleaning only with the conventional stone brush. However, in the present embodiment, as water and air are sprayed through the hole upward from the lower part of the chuck table, such cleaning is added. Removal of foreign matter can be made more effectively. On the other hand, as shown in Figure 2, the first and second water pipes or air supply pipes are provided with valves (238, 316, 336) that can adjust the amount of water or air, it is possible to adjust the injection pressure of air and water effective for the cleaning action. In addition, a sensor (239, 318, 338) is installed in each valve (238, 316, 336), and a flow controller (not shown) that checks the supply amount of water or air and automatically adjusts the supply amount upon receiving the signal is installed in the central controller (not shown). By doing so, an automatic cleaning system can be constructed.
도 4는 종래의 세정 시스템과 본 실시예에 따른 세정 시스템에 의한 세정 작업의 효과를 비교하여 보여주고 있다. 도 4를 참조하면, 종래 3 번 정도의 세정 작업을 진행하여야 겨우 척 테이블 상의 모든 이물질(테이프 찌꺼기)이 제거되었으나, 본 실시예에 따른 세정 시스템의 경우 한 번의 세정 작업으로도 충분히 모든 이물질의 제거가 가능함을 보여준다. 따라서, 세정 효과뿐만 아니라 공정 시간의 단축이라는 측면에서도 본 발명의 효율성이 입증된다.Figure 4 shows the comparison of the effect of the cleaning operation by the cleaning system according to the present embodiment and the conventional cleaning system. Referring to FIG. 4, although only three foreign matters (tape residues) on the chuck table have been removed in the past, the cleaning system according to the present embodiment removes all the foreign matters sufficiently even with one cleaning operation. Shows that this is possible. Therefore, the efficiency of the present invention is demonstrated not only in the cleaning effect but also in terms of shortening of the process time.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.So far, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. will be. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 척 테이블 하부 쪽에서 상방으로 물과 공기를 분사할 수 있는 수공 공급관부를 기존 세정 시스템에 첨가함으로써, 이물질 제거 등의 효과적인 세정을 하여 웨이퍼의 크랙이나 깨짐 등을 방지할 수 있다.As described in detail above, the present invention adds a manual supply pipe part capable of injecting water and air upward from the lower side of the chuck table to an existing cleaning system, thereby effectively cleaning foreign substances and preventing wafer cracks and cracks. can do.
또한, 한 번의 효과적인 세정을 통해 공정 시간 단축의 효과를 거둘 수 있다.In addition, a single effective cleaning can reduce the process time.
더 나아가, 물 또는 공기 공급관에 밸브 및 센서를 설치하여, 공급량을 체크하고 중앙 컨트롤러의 유량 제어기를 통해 공급량을 자동으로 조절함으로써, 세정 공정의 자동화 및 그에 따른 생산성 향상에 기여할 수 있다.Furthermore, by installing valves and sensors in the water or air supply pipe, it is possible to check the supply amount and to automatically adjust the supply amount through the flow controller of the central controller, thereby contributing to the automation of the cleaning process and thus the productivity improvement.
Claims (16)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050067831A KR20070013489A (en) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | Cleaning system of chuck table and method of cleaning the chuck table using the same system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050067831A KR20070013489A (en) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | Cleaning system of chuck table and method of cleaning the chuck table using the same system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070013489A true KR20070013489A (en) | 2007-01-31 |
Family
ID=38013182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050067831A KR20070013489A (en) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | Cleaning system of chuck table and method of cleaning the chuck table using the same system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20070013489A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220305612A1 (en) * | 2021-03-29 | 2022-09-29 | Disco Corporation | Polishing apparatus |
-
2005
- 2005-07-26 KR KR1020050067831A patent/KR20070013489A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220305612A1 (en) * | 2021-03-29 | 2022-09-29 | Disco Corporation | Polishing apparatus |
US11858088B2 (en) * | 2021-03-29 | 2024-01-02 | Disco Corporation | Polishing apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102454775B1 (en) | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and substrate processing apparatus | |
JP4641540B2 (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
KR100304706B1 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus and method for washing contaminant in a polishing head | |
US6669538B2 (en) | Pad cleaning for a CMP system | |
CN1664993A (en) | Wafer grinding device and method | |
US20120252212A1 (en) | Processing method for wafer having embedded electrodes | |
JP2009160700A (en) | Polishing device | |
CN202367583U (en) | Chemical-mechanical polishing device | |
JP6341724B2 (en) | Chuck table, grinding device | |
KR20070013489A (en) | Cleaning system of chuck table and method of cleaning the chuck table using the same system | |
KR101292221B1 (en) | Apparatus and method for cleaning and drying single wafer | |
CN114472278B (en) | Cleaning method and cleaning device for thinning substrate | |
JP2009147044A (en) | Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus | |
KR101615426B1 (en) | The slurry injection nozzle and a substrate processing apparatus using the nozzle | |
KR101327495B1 (en) | Apparatus for cleaning chuck table and method for cleaning chuck table | |
CN111438085A (en) | Cleaning mechanism | |
KR102652480B1 (en) | Buffing Module for Post CMP Cleaning with Self Cleaning Function | |
JP6353774B2 (en) | Wafer grinding equipment | |
JP2005279929A (en) | Polishing device and method | |
KR20110137029A (en) | Apparatus and method for cleaning plates | |
KR19990041455U (en) | Final pad conditioning equipment for CMP equipment for semiconductor device manufacturing | |
KR20070017256A (en) | Spinner for cleaning wafer grinded | |
JP7299773B2 (en) | Grinding equipment | |
JP2023124113A (en) | Cleaning fixture and cleaning method | |
JP2022075141A (en) | Grinding device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |