KR20070012332A - 동조 가능한 마이크로파 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마이크로파/집적 회로 장치(11) 및 기판(6)을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치(10)에 관한 것이다. 그것은 상기 마이크로파/집적 회로 장치 및 상기 기판 사이에 배열된 적층을 포함하는데, 상기 적층은 기준 평면으로서 작용하고, 그것은 적어도 하나의 규칙적이거나 불규칙하게 패턴된 제 1 메탈 층(1), 적어도 하나의 제 2 메탈층(3), 적어도 하나의 동조 가능한 강유전성 필름층(2)을 포함하고, 이로써 상기 층들이 배열되어 상기 강유전성 필름층(2)이 제 1 메탈층(1) 및 제 2 메탈층(3) 사이에 제공된다.
마이크로파 장치, 마이크로파/집적 회로 장치, 메탈층, 강유전성 필름층

Description

동조 가능한 마이크로파 장치{TUNABLE MICROWAVE ARRANGEMENTS}
본 발명은 마이크로파/직접 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이와 같은 마이크로파 장치를 동조하는 방법에 관한 것이다.
마이크로파 통신 시스템에서, 개선된 구성 부품의 요구는 예컨대, 성능 및 기능면에서 관련되는 한 점점 높아지고 있다. 기능, 재배열성, 유연성 및 적응성이 중요한 이슈이다. 제조 비용 또한 중요한 이슈이다. 다른 중요한 요소는 가능한 작게 다양한 마이크로파 구성 부품을 만드는 것이 가능하도록 하는 요구이다.
그러므로 구성요소의 만들기 위한 새롭고 더 양호한 재료를 발견하는 많은 노력이 있다. 다른 중요한 이슈는 디자인 방법에 관한 것이며, 현재 방법을 세련되게 하고, 새롭고 개선된 디자인 방법을 설정하기 위한 연구가 행해지고 있다.
최근 전자기 대역 간격(EBG) 크리스탈, 또한 알려진 광 밴드갭 크리스탈은 특히 개선된 성능을 제공하기 위한 목적으로 마이크로파 장치 및 마이크로 시스템의 디자인이 제안되었다. 이것은 예컨대, 2001년, 혁신적인 주기 안테나, 광밴드갭, 프랙탈 및 주파수 선택 구조(WPP-185), 5-10 페이지의 24번째 에스텍 안테나 워크샵(24th ESTEC Antenna Workshop)에서 " PBG Evaluation for Base Station Antennas"로 논의된다.
그것은 예컨대, EBG 주파수 선택적인 서페이서(surfacer)는 표면 파장의 억제가 고려되는 한 개선된 성능이 제공된다는 것이 설명되는 2002년 D. Sievenpiper, I.Schaffner에 의한, 전자공학 문서, 제 38권, 제 21호 "Beam Steering microwave refector based on electrically tunable impedance surfaces"에 또한 있다. 이런 동일한 문서에서, 그것은 반도체 버랙터들을 사용하여 동조 가능한 EBG 크리스탈의 가능성을 가리킨다. 그러나 그것은 실제로 몇몇 이유로 기준 평면으로서 어떤 유형의 동조 가능한 EBG 크리스탈을 사용하는 것이 가능하지 않다. 하나의 이유는 반도체 다이오드의 사용이 디자인을 비싸게 하기 때문이다.
다른 이유는 일부 마이크로파 장치(마이크로스트립 필터)에서 기준 평면으로서 그들을 사용하는 것이 가능한 EBG 크리스탈의 사이즈가 마이크로파의 파장길이와 비교되기 때문이다. 또한, 동조 DC 전압은 상부 마이크로스트립 회로에 인가될 수 있다.
그러나 동조 DC-전압 공급기는 마이크로파가 DC 공급기로 들어가는 것을 막기 위해서 감결합 회로(decoupling circuits)를 요구한다. DC 공급기가 마이크로파 구성 부품(예컨대, 마이크로스트립)에 전달되도록 하는 것이 가능해야만 한다. 그러나 이와 같은 감결합 회로는 전체 마이크로파 장치/회로를 복잡하게 한다. 게다가, 종종 그들은 장치를 위험하게 할 수 있는 고압을 요청하고 다른 구성 부품은 이와 같은 고압에 취약할 수 있다.
감결합 회로에 관련된 문제를 극복하기 위한 한 방법은 장치의 상부 표면으 로부터 하부 표면으로 제어되는 구성 부품을 이동하도록 할 수 있는 것이다. 그러나 이것은 일부 애플리케이션에 대해 복잡하고 불편할 수 있다.
필요로 되는 것은 그러므로 높은 성능을 가지며 유연한 처음에 언급된 바와 같은 마이크로파 장치이다. 또한, 마이크로파 장치는 저렴하고 디자인 및 가공이 용이하도록 요구된다. 또 다른 마이크로파 장치는 적응 가능하고 재배열 가능하도록 요구된다. 특히 배열은 고압을 요구하는 복잡하고 위험한 감결합 회로를 거의 또는 전혀 요구하지 않고 동조 가능하도록 요구된다. 더 특별하게는 마이크로파 장치가 예컨대, 고압 감결합 회로를 요구하지 않고 기준 평면으로서 전자기 밴드갭 크리스탈을 취할 수 있는 장점이 필요로 된다. 마이크로파 장치는 또한 작게 만들어지고, 동조가 용이하도록 요구되고 예컨대 최근 마이크로파 통신 시스템 및 레이더 시스템 그들 사이에서, 고주파수(GHz 및 그 이상) 애플리케이션에 사용될 수 있도록 요구된다. 이와 같은 배열을 동조하는 방법이 또한 필요로 된다.
그러므로 처음에 언급된 마이크로파 장치는 상기 마이크로파/집적 회로 장치 및 상기 기판 사이에 배열된 적층을 포함하도록 구성되는데, 적층은 기준 평면으로서 작용한다. 그것은 적어도 하나의 규칙적이거나 불규칙하게 패턴된 제 1 메탈층, 적어도 하나의 제 2 메탈층 및 적어도 하나의 동조 가능한 강유전성 필름층을 포함한다. 층들은 배열되어서 강유전성 필름층이 제1 메탈층 및 제 2 메탈층 사이에 제공된다.
바람직하게는 패턴된 제 1 메탈층(들)이 전자기 밴드갭 크리스탈 구조를 포함한다. 강유전성 필름층(들)은 일부 구현에서 패턴될 수 있다. 그러나 다른 구현에서 강유전성 필름층(들)은 동질인데, 즉 패턴되지 않는다.
제 2 메탈층(들)은 동질일 수 있는데, 즉 패턴되지 않지만, 또한 패턴될 수도 있다. 그 결과 그것은 (만약에 패턴된다면) 강유전성 층과 다르게 패턴될 수 있거나 동일한 방법으로 패턴될 수 있다. 또한, 그것은 제 1 메탈 층과 비교해서 다르게 또는 유사하게 될 수 있다. 패턴되는 것에 의해서 이런 애플리케이션 방법으로 임의의 규칙적이거나 불규칙한 패턴닝이 존재한다. 그것은 줄무늬, (하나 이상의) 정사각형, 직사각형, 원형 타원으로 구성될 수 있다.
제 2 메탈층(들)은 특히 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 임의의 다른 적합한 금속을 포함한다.
강유전성 필름층은 티탄산 스트론튬(SrTiO3), 바륨 스트론튬 티타네이트(bax Sr1-xTiO3) 또는 유사한 특성을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
기준 평면 구조는 동조 가능하고, DC 전압을 동조하기 위해서 제 1 메탈층 및 제 2 메탈층 사이에 적용된다. 부가적인 제 1 및 제 2 층들, 즉 멀티층 구조가 존재한다면, 임의의 적절한 제 1 및 제 2층이 동조하기 위한 목적으로 선택될 수 있다.
마이크로파/집적 회로 장치의 동조는 특히 조금도 장치 상치 상의 임의의 감결합 회로를 요구하지 않고, 기준 평면의 동조를 통해 성취된다.
DC 바이어싱 (동조) 전압의 애플리케이션을 통해서, 강유전성 필름 유전 상수가 영향을 받아서, 마이크로파/집적 회로 장치에 근접한 기준 평면의 임피던스를 바꾸므로, 바람직하게는 (예컨대, BCB의) 그들 사이에 배열된 유전체를 갖는, 기준 평면상에서 배열된 장치 또는 구성요소를 동조한다.
마이크로파 회로는 마이크로스트립 라인 또한 결합된 마이크로스트립 라인을 포함할 수 있다. 또한, 그것은 (임의의 적합한 형태, 정사각형, 원형, 직사각형 등의) 패치 공진기를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 마이크로파 회로는 인턱터 코일을 포함한다. 또한, 그것은 일반적으로 마이크로파 전송 라인 또는 예컨대, 동일 평면상의 스트립 라인 장치를 포함한다.
보이는 바와 같이, 마이크로파/집적 회로 장치는 대체로, 임의의 구성요소, 예컨대, 반도체 IC, 필터의 일부, 예컨대, 밴드 패스(bandpass) 또는 밴드 리젝트(bandreject) 필터 등의 일부를 포함한다.
기판은 반도체, 예컨대, 유전체, 메탈 또는 유사한 특성을 갖는 임의의 메탈을 포함할 수 있다.
상술된 바와 같이, 마이크로파 장치 및 (상부) 패턴된 제 1 메탈층 사이에, 낮은 유전율, 낮은 손실 유전체가 바람직하게 제공되는데, BCB 또는 임의의 다른 폴리머를 포함한다. 바람직하게는 인가된 동조 전압이 100V 보다 작고, 더 특별하게는 10V정도, 예컨대 5V보다 더 작다.
강유전성 층은 0.1-2㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다.
특히 기준 평면 구조는 하나 이상의 강유전성 층을 갖는 멀티층 구조를 포함하는데, 각각의 강유전성 층은 제 1 및 제2/제1 메탈층 사이에 배열된다.
본 발명은 또한 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 마이크로파 장치를 동조하는 방법을 제안한다. 마이크로파 장치는 배열을 위해 기준 평면으로서 작용하고 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판 사이에 배열되는 적층을 더 포함하는데, 상기 방법은;
제 1 패턴된 메탈층 및 강유전성 층의 대향하는 측면에 배열된 제 2 메탈 층 사이에 DC 동조 전압을 인가하는 단계를 포함하는데, 이런 층들은 기준 평면의 배열을 구성한다.
바람직하게는 패턴된 제 1 메탈층(들)은 패턴된 전자기 밴드갭 크리스탈 구조를 포함한다.
마이크로파/집적 회로 장치를 동조하기 위해서, DC 전압을 인가하는 단계는 기준 평면의 상부에서 임피던스에 영향을 주므로, 마이크로파/집적 회로 장치의 공진 주파수를 바꾼다.
방법은 특히 두 개 이상의 강유전성 필름 층을 포함하는 멀티층형 기준 평면 구조에서; 마이크로파/집적 회로 장치를 동조하기 위해서 임의의 강유전성 필름의 주변에 임의의 제 1 및 제 2 메탈을 선택하는 단계를 더 포함한다.
본 발명은 아래에서 제한되지 않은 방법으로, 첨부된 도면을 참조하여 더 상세히 설명될 것이다;
도 1은 동조 가능한 EBG 기준 평면을 갖는 마이크로파 장치의 횡단면도,
도 2는 본 발명에 따라 마이크로 장치가 원형 패치 공진기를 포함하는 다른 실시예의 계획도,
도 3은 마이크로 장치가 결합된 마이크로스트림 라인을 포함하는 또 다른 실시예의 계획도,
도 4는 마이크로 장치가 동조가능한 인덕터 코일을 포함하는 또 다른 실시예의 계획도,
도 5는 본 발명에 따라 또 다른 실시예에 따른 배열의 횡단면도, 및
도 6은 제 1 및 제 2층이 동조하기 위한 목적으로 선택되는 기준 평면이 멀티층 구조를 포함하는 본 발명에 따르는 구조.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따르는 마이크로파 장치이다. 마이크로파 장치(10)는 여기서 예컨대, 패치 공진기 및 예컨대 실리콘(Si) 기판을 포함하는 마이크로파 장치를 포함한다. 기준 평면을 형성하는 적층은 기판상에 배치되고 그것은 여기서 동조 가능한 강유전성 필름층(2)의 상부에 패턴된 EBG를 포함하는 제 1 메탈층(1)을 포함한다.
강유전성 필름은 미국-A-6 187 717에서 마이크로파 애플리케이션에 대해 제안되어 왔다. 이런 문서에서, 큰 유전 상수를 갖는 강유전체가 크기 및 DC 전압 의존 가능성으로 실질적인 감소를 가능하게 한다고 설정된다. 이것은 강유전성 물질이 작은 크기로 동조 가능한 마이크로파 장치를 갖도록 희망하는 애플리케이션에 대해 매우 유리한다. 이런 문서는 여기서 기준으로써 이와 함께 통합된다.
강유전성 필름층(2)은 예컨대 티탄산 스트론튬(SrTiO3), 바륨 스트론튬 티타네이트(bax Sr1 - xTiO3) 또는 유사한 특성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 강유전성 필름은 여기서 예컨대 백금(또는 구리, 은, 금 등)을 포함하는 제 2 메탈층(3) 상에 배열된다. 제 1 메탈층(1)은 패턴된다. 그것은 규칙적으로 패턴될 수도 있고 불규칙적으로 패턴될 수도 있다. 이런 구현에서, 그것은 예컨대, λg/2(파장의 반) 또는 그보다 더 작은 패치를 갖는 줄을 형성하도록 규칙적으로 패턴된다. 바람직하게 그것은 2D EBG 재료를 포함한다.
이런 실시예에서 도시되는 강유전성 필름층(2)은 패턴되지 않는다. 그러나 그것은 또한 제 1 메탈층(1)과 동일한 방법으로 또는 임의의 다른 방법으로 패턴될 수도 있다. 패치 공진기(11)(또는 임의의 다른 수동 마이크로파 구성 부품)는 예컨대, BCB 또는 임의의 다른 폴리머(또는 유사한 특성을 갖는 임의의 다른 재료)의 낮은 유전율, 낮은 손실 유전체(4)를 통해 EBG 표면(즉, 제 1 패턴된 메탈층(1)의 상부면)으로부터 나눠진다.
마이크로파 구성 부품(여기서 패치 공진기(11))의 동조를 위해서, (100V 미만, 바람직하게는 10V보다 낮고 예컨대 5V의) 동조 전압은 제 1 메탈층(1) 및 제 2 메탈층(3)(기준 평면) 사이에 인가된다. EBG 기준 평면의 임피던스를 동조하는 것은 패치 공진기(11)의 공진 주파수를 변하게 할 것이다.
디자인은 예컨대, 실리콘 IC 회로와 통합될 수 있고, 그것은 예컨대 거의 20GHz에 이르는 높은 주파수 및 20GHz 이상인 그중에서도 높은 주파수에 대해 유용 하다.
마이크로파 장치(여기서 패치 공진기(11))가 DC 바이어스되는 것이 아니라, 대신 제 1 및 제 2 메탈층이 DC 바이어스되고, 여기서 기준 평면의 표면 동조는 성취되므로 공진 주파수의 동조가 성취된다.
도 2는 위의 도 1 계획도에서의 그것과 매우 유사한 배열(20)을 도시한다. 그것은 예컨대 BCB(도면에 도시되지 않음)의 유전층의 상부에 원형 패치 공진기를 포함하는 마이크로파 장치(12)를 개시한다. 유전층은 2D EBG 패턴된 크리스탈 층을 포함하는 제 1 메탈 층(1') 상에 배열되고, 그것은 여기서 직교 스트립을 포함한다. 제 1 메탈층이 배열되는 강유전성 필름층은 도면에서 명백하지 않고, 제 1 메탈층 또한 명백하지 않다. 그러나 구조는 실질적으로 도 1의 그것과 대응한다. 기준 평면은 예컨대 실리콘 기판층(5') 상에 배열된다. 패치 공진기가 원형이어야만 하지 않고, 반면에 그것은 임의의 적합한 형태를 가질 수 있으며, 하나의 패치 등이 존재할 수 있다.
도 3은 결합된 마이크로스트립 라인(13)의 형태로 마이크로파 장치를 포함하는 마이크로파 장치(30)의 계획도를 도시하는데, 13은 오직 패턴된 제 1 메탈층(1'')이 도시되는, 도 1에서와 같이 동조 가능한 기준 평면상에 배열되는 유전체(도시되지 않음) 상에서 제공된다. 기준 평면은 실리콘 (여기서) 기판층(5'') 상에 배열된다. 배열(30)은 예컨대, 동조 가능한 밴드갭 필터의 일부를 형성할 수 있다. 동조는 도 1에 따라 성취된다.
도 4는 단지 제 1 패턴된 (2D EBG) 메탈층(1''')이 도시된 본 발명을 따르 는(참조. 도 1) 인덕터 코일 및 동조 가능한 기준 평면 사이에 배열된 유전체(도시되지 않음) 상에 배열된 럼프(lump)된 인덕터 코일(lumped inductor coil)(14)의 형태로 마이크로파/집적 회로 장치를 포함하는 대안적인 마이크로파 장치(40)의 계획도이다. 기준 평면은 기판(5''') 상에 제공된다. 기능은 도 1을 참조하여 DC 전압을 1 및 제 2 메탈층에 인가하는 것을 통해 설명되는 것과 유사하고, 기준 평면의 표면은 동조될 것이므로 인덕터 코일(14)의 인덕턴스는 동조될 것이다.
도 5는 마이크로파 장치(5)의 횡단면도이다. 마이크로파 장치는 유전체(44) 상에 배열된 결합된 마이크로스트립(15,15,15)을 포함한다. 유전체(44)는 기준 평면상에 배열되는데, 이는 상부에 패턴된 제1 메탈층(14), 이런 실시예에서 또한 패턴되고 차례로 제 2 메탈층(34) 상에 배열되는 강유전성 필름층(24), 이런 특별한 실시예에서 또한 패턴된 제 2 메탈층(34)을 포함한다.
마지막으로 도 6은 또 다른 독창적인 배열(60)의 횡단면도이다. 그것은 여기서 유전체(45) 상에 제공된 패치 공진기(16)를 포함한다. 그러나 기준 평면은 여기서 차례로 상부로부터, 패턴된 제 1 메탈층(15), 강유전성 층(25), 다른 패턴된 제 1 메탈층(16), 부가적인 강유전성 층(26) 및 제 2 메탈층(35)을 포함한다. 적층은 기판(55)상에 배열된다. 도시된 실시예에서, 동조 전압은 상부 제 1 메탈층(15) 및 제 2 메탈층(35)에 인가된다. 그러나 그것은 또한 제 1 메탈층(16) 및 제 2 메탈층(35) 또는 제 1 메탈층(15) 및 다른 제 1 메탈층(16)에 인가된다. 임의의 변화는 대체로 가능하다. 또한, 부가적인 제 1 및 제 2 메탈층, 및 강유전성 층이 존재할 수 있다.
본 발명이 물론 명확하게 도시된 실시예에서 제한되는 것이 아니고 그것이 첨부된 청구항의 범위에서 다수의 방법으로 변할 수 있다는 것이 명백하다.

Claims (28)

  1. 마이크로파/집적 회로 장치(11;12;13;14;15) 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치(10;20;30;40;50)에 있어서,
    상기 마이크로파/집적 회로 장치 및 상기 기판(5;5';5'';5''';54;55) 사이에 배열되는 적층을 포함하는데, 상기 적층이 기준 평면으로서 작용하고 적어도 하나의 규칙적이거나 불규칙적으로 패턴된 제 1 메탈층(1;1';1'';1''';14;15), 적어도 하나의 제 2 메탈층(3;34;35), 적어도 하나의 동조 가능한 강유전성 필름층(2;24;25;26)을 포함하며, 상기 강유전성 필름층(2;24;25;26)이 제 1 메탈층(1;1';1'';1''';14;15) 및 제 2 메탈층(3;34;35) 사이에 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 패턴된 제 1 메탈층(들)(1;1';1'';1''';14;15)이 패턴된 전자기 밴드갭 크리스탈 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 강유전성 필름층(들)(24)이 패턴되는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 강유전성 필름층(들)이 동질인, 즉 패턴되지 않는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 메탈층(들)(3)이 동질인, 즉 패턴되지 않는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 메탈층(들)(34)이 패턴되는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  7. 이전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 메탈층(들)(3;34;35)이 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 임의의 다른 적합한 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  8. 이전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 강유전성 필름층(2;24;25;26)이 티탄산 스트론튬(SrTiO3), 바륨 스트론튬 티타네이트(bax Sr1 - xTiO3) 또는 유사한 특성을 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  9. 이전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기준 평면 구조가 동조 가능하고, 동조하기 위해서 DC 전압이 제 1 메탈층(10) 및 제 2 메탈층(3) 사이에 인가되는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 마이크로파/집적 회로 장치의 동조가 특히 장치상에 임의의 감결합 회로를 요구하지 않고, 상기 기준 평면의 동조를 통해 성취되는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  11. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
    상기 DC 바이어싱 (동조) 전압의 애플리케이션을 통해서, 상기 제 1 메탈층(1)의 유전 상수가 상기 마이크로파/집적 회로 장치에 근접한 상기 기준 평면의 임피던스를 바꾸는데 영향을 미치는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  12. 이전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로파 회로가 마이크로스트립 라인 또는 결합 마이크로스트립 라인(13,13;15,15,15)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  13. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로파 회로가 패치 공진기(11;12;16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  14. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로파 회로가 인덕터 코일(14)을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  15. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로파 장치가 마이크로파 전송 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  16. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로파 장치가 동일 평면상에 스트립 라인 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  17. 이전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판(들)이 반도체 예컨대, 실리콘, 유전체, 메탈 또는 유사한 특성을 갖는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  18. 이전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 마이크로파 장치 및 (상부) 패턴된 제 1 메탈층(1) 사이에, 낮은 유전율, 낮은 손실 유전체가 제공되는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 유전체(4)가 BCB 또는 임의의 다른 폴리머를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  20. 이전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인가된 동조 전압이 100V보다 작은 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 동조 전압이 10V보다 낮은 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  22. 이전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 강유전성 층(2)이 거의 1-2㎛정도의 두께인 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  23. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 집적 회로 장치가 반도체 집적 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  24. 이전 항들 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기준 평면 구조가 하나 이상의 강유전성 층(25,26)을 갖는 멀티층 구조를 포함하는데, 각각의 강유전성 층이 제 1 및 제 2/(제 1) 메탈층(15,16,16,35) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하는 동조 가능한 마이크로파 장치.
  25. 마이크로파/집적 회로 장치 및 기판을 포함하고, 배열에 대한 기준 평면으로서 작용하고 상기 마이크로파/집적 회로 장치 및 상기 기판 사이에 배열되는 적층을 더 포함하는 마이크로파 장치를 동조하는 방법으로서,
    제 1 패턴된 메탈층(1) 및 강유전성 층(2)의 대향하는 측면에 배열된 제 2 메탈층(3) 사이에 DC 동조 전압을 인가하는 단계를 포함하는데, 상기 층들(1,2,3)이 상기 배열의 기준 평면을 구성하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 장치를 동조하는 방법.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 패턴된 제 1 메탈층(들)이 패턴된 전자기 밴드갭 크리스탈 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 장치를 동조하는 방법.
  27. 제 25항 또는 제 26항에 있어서,
    상기 마이크로파/집적 회로 장치를 동조하기 위해서, 상기 DC 전압을 인가하는 단계가 상기 기준 평면의 상부에서 임피던스에 영향을 주므로, 상기 마이크로파/집적 회로 장치의 공진 주파수를 바꾸는 것을 특징으로 하는 마이크로파 장치를 동조하는 방법.
  28. 제 25항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서,
    두 개 이상의 강유전성 필름 층을 포함하는 멀티층 기준 평면 구조에서,
    상기 마이크로파/집적 회로 장치를 동조하기 위해서 임의의 강유전성 필름 주변에 임의의 상기 제 1 및 제 2 메탈층을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 장치를 동조하는 방법.
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