KR20070001685A - Method for controlling a loadlock chamber - Google Patents

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KR20070001685A KR1020050057297A KR20050057297A KR20070001685A KR 20070001685 A KR20070001685 A KR 20070001685A KR 1020050057297 A KR1020050057297 A KR 1020050057297A KR 20050057297 A KR20050057297 A KR 20050057297A KR 20070001685 A KR20070001685 A KR 20070001685A
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Abstract

A method for controlling a loadlock chamber is provided to restrain formation of a native oxide layer by blocking an inflow of the outside air into an inner of the loadlock chamber. A purge line valve(103a) is opened to supply a purge gas to an inner of a loadlock chamber(101). An exhaust line valve(107a) is opened to exhaust the purge gas, thereby controlling a pressure in the loadlock chamber to have atmospheric pressure. In case the pressure in the loadlock chamber is the atmospheric pressure, an exterior door(111) of the loadlock chamber is opened. Upon the exterior door is opened, the exhaust line valve is closed to allow the purge gas to be exhausted from the loadlock chamber through the exterior door.

Description

로드락 챔버의 제어방법{Method for controlling a loadlock chamber}Method for controlling a loadlock chamber

도 1은 종래 기술에 따른 로드락 챔버의 제어방법이 적용되는 로드락 챔버를 구비한 반도체 제조장비를 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating a semiconductor manufacturing apparatus having a load lock chamber to which a control method of a load lock chamber according to the related art is applied.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 로드락 챔버의 제어방법이 적용되는 로드락 챔버를 구비한 반도체 제조장비를 도시한 개략도이다.2 is a schematic diagram illustrating a semiconductor manufacturing apparatus having a load lock chamber to which a control method of a load lock chamber according to an embodiment of the present invention is applied.

도 3은 본 발명의 실시예에 의하여 웨이퍼가 외부로부터 로드락 챔버 내부로 이동할 때의 로드락 챔버의 제어방법의 수순을 나타낸 블록도이다.3 is a block diagram illustrating a procedure of a control method of a load lock chamber when a wafer moves from the outside into the load lock chamber according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 의하여 웨이퍼가 로드락 챔버 내부로부터 외부로 이동할 때의 로드락 챔버의 제어방법의 수순을 나타낸 블록도이다.4 is a block diagram illustrating a procedure of a control method of a load lock chamber when a wafer moves from the inside of the load lock chamber to the outside according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 제조장비의 제어방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 로드락 챔버의 제어방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for controlling semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a method for controlling a load lock chamber.

로드락 챔버(loadlock chamber)는 웨이퍼의 가공공정 전, 후에 다음 공정을 준비하기 위해 잠시 웨이퍼를 대기시키는 장소이다. 상기 로드락 챔버는 외부로부터 웨이퍼가 적재된 웨이퍼 카세트를 받아들이고, 상기 웨이퍼를 반응 챔버로 이동 시킨다. 상기 반응 챔버는 반응 조건 및 반응 환경에 따라, 외부와는 다른 압력, 예컨대, 진공 상태 하에서 반응이 일어나게 된다. 상기 반응 챔버와 연결되어 있는 상기 로드락 챔버는 웨이퍼 카세트를 받아들이기 위해 외부와도 연결되므로 그 내부의 압력 조절이 중요한 문제로 된다. A loadlock chamber is a place where the wafer is temporarily waited to prepare for the next process before and after processing the wafer. The load lock chamber receives a wafer cassette loaded with wafers from the outside and moves the wafers to the reaction chamber. The reaction chamber is caused to react under a pressure different from the outside, for example, under vacuum, depending on the reaction conditions and the reaction environment. Since the load lock chamber connected to the reaction chamber is also connected to the outside to receive the wafer cassette, the pressure control therein becomes an important problem.

도 1은 로드락 챔버를 갖는 반도체 제조장비를 도시한 개략도이다. 도 1을 참조하여 종래 기술에 따라 웨이퍼가 외부로부터 상기 로드락 챔버 내로 이동하는 과정을 설명하면, 먼저 웨이퍼를 적재한 웨이퍼 카세트가 상기 로드락 챔버(1) 내부로 이동하기 전에 상기 로드락 챔버(1)의 내부를 대기압이 되도록 조절한다. 자세히 설명하면, 상기 로드락 챔버(1)와 연결된 퍼지라인(3)의 퍼지라인 밸브(3a)를 열어 퍼지가스를 가스공급부(5)로부터 상기 로드락 챔버(1) 내부로 공급하고, 상기 로드락 챔버(1)와 연결된 배기라인(7)의 배기라인 밸브(7a)를 열어 상기 퍼지가스가 펌프(9)로 배기되도록 하여 상기 로드락 챔버(1) 내부의 압력을 조절한다. 상기 로드락 챔버(1) 내부의 압력이 대기압이 되면, 상기 로드락 챔버(1)와 외부를 차단하는 외부 도어(11)를 열어 상기 웨이퍼 카세트를 상기 로드락 챔버(1)의 내부로 이동시킨다. 이때, 상기 외부 도어(11)를 통하여 외기가 유입된다. 상기 로드락 챔버(1) 내부에 외기가 유입되면, 상기 웨이퍼에 상기 외기에 의한 자연산화막이 형성될 수 있으며, 이는 반도체소자의 각 소자별 특성을 열화시키게 된다.1 is a schematic diagram illustrating a semiconductor manufacturing apparatus having a load lock chamber. Referring to FIG. 1, a process of moving a wafer from the outside into the load lock chamber according to the prior art will be described. First, before the wafer cassette loaded with the wafer moves into the load lock chamber 1, the load lock chamber ( Adjust the inside of 1) to atmospheric pressure. In detail, the purge line valve 3a of the purge line 3 connected to the load lock chamber 1 is opened to supply purge gas from the gas supply unit 5 into the load lock chamber 1, and the rod The exhaust line valve 7a of the exhaust line 7 connected to the lock chamber 1 is opened to allow the purge gas to be exhausted by the pump 9 to regulate the pressure inside the load lock chamber 1. When the pressure inside the load lock chamber 1 reaches atmospheric pressure, an outer door 11 that blocks the load lock chamber 1 and the outside is opened to move the wafer cassette into the load lock chamber 1. . At this time, outside air flows through the outer door 11. When outside air flows into the load lock chamber 1, a natural oxide film formed by the outside air may be formed on the wafer, which deteriorates characteristics of each device of the semiconductor device.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 로드락 챔버 내부로 외기가 유입되는 것을 방지하여 자연산화막의 형성을 억제할 수 있는 로드락 챔버의 제어방법을 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a control method of a load lock chamber that can prevent the outside air flows into the load lock chamber to suppress the formation of a natural oxide film.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명은 웨이퍼를 적재한 웨이퍼 카세트를 외부로부터 로드락 챔버 내로 이동시키거나 로드락 챔버로부터 외부로 이동시킬 때 상기 로드락 챔버를 제어하는 방법을 제공한다. 상기 제어방법은 상기 로드락 챔버 내로 퍼지가스가 공급되도록 퍼지라인 밸브를 열고, 상기 퍼지가스가 배기되도록 배기라인 밸브를 열어 상기 로드락 챔버내의 압력이 대기압이 되도록 조절하는 단계를 구비한다. 상기 로드락 챔버내의 압력이 대기압이 되면 상기 로드락 챔버의 외부 도어를 연다. 상기 외부 도어가 열리면 상기 배기라인 밸브를 닫아 상기 퍼지가스가 외부 도어를 통하여 빠져나가도록 한다.The present invention for achieving the above technical problem provides a method for controlling the load lock chamber when moving the wafer cassette loaded with a wafer from the outside into or out of the load lock chamber. The control method includes opening a purge line valve to supply purge gas to the load lock chamber, and opening an exhaust line valve to exhaust the purge gas to adjust the pressure in the load lock chamber to be atmospheric pressure. When the pressure in the load lock chamber reaches atmospheric pressure, the outer door of the load lock chamber is opened. When the outer door is opened, the exhaust line valve is closed to allow the purge gas to escape through the outer door.

상기 배기라인 밸브는 상기 외부 도어가 열리면 상기 제어부가 제어신호를 발생시키어 자동으로 닫히도록 할 수 있다.The exhaust line valve may allow the control unit to generate a control signal and automatically close when the outer door is opened.

상기 제어방법은 상기 외부 도어가 열리면 상기 웨이퍼 카세트가 외부로부터 상기 로드락 챔버 내부로 이동하는 단계를 더 포함할 수 있다.The control method may further include moving the wafer cassette from the outside into the load lock chamber when the outer door is opened.

상기 제어방법은 상기 외부 도어가 열리면 상기 웨이퍼 카세트가 상기 로드락 챔버 내부로부터 외부로 이동하는 단계를 더 포함할 수 있다.The control method may further include moving the wafer cassette from the inside of the load lock chamber to the outside when the outer door is opened.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. Like numbers refer to like elements throughout.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 로드락 챔버의 제어방법이 적용되는 로드락 챔버를 갖는 반도체 제조장비를 도시한 개략도이다. 2 is a schematic diagram illustrating a semiconductor manufacturing apparatus having a load lock chamber to which a method of controlling a load lock chamber according to an embodiment of the present invention is applied.

도 2를 참조하여 본 발명에 따른 로드락 챔버의 제어방법이 적용되는 로드락 챔버를 갖는 반도체 제조장비의 구성을 살펴보면, 상기 반도체 제조장비는 로드락 챔버(101) 및 반응 챔버(102)를 구비한다. 상기 반응 챔버(102)는 웨이퍼에 가공공정이 수행되는 장소이다. 상기 로드락 챔버(101)는 웨이퍼의 가공공정 전, 후에 다음 공정을 준비하기 위해 잠시 웨이퍼를 대기시키는 장소이다. 상기 로드락 챔버(101)는 내부 도어(113)에 의해 상기 반응 챔버(102)와 차단되며, 상기 웨이퍼는 상기 내부 도어(113)를 통하여 상기 로드락 챔버(101)와 상기 반응 챔버(102) 사이를 이동한다. 상기 로드락 챔버(101)는 외부 도어(111)에 의해 외부로부터 웨이퍼가 적재된 웨이퍼 카세트를 받아들인다. 상기 로드락 챔버(101) 내부에 퍼지가스를 공급하는 가스공급부(105)가 퍼지라인(103)에 의해 상기 로드락 챔버(101)와 연결된다. 상기 퍼지라인(103)에는 상기 퍼지가스를 조절하는 퍼지라인 밸브(103a)가 제공된다. 상기 로드락 챔버(101)로부터 가스들을 배기하는 통로 역할을 하는 배기라인(107)이 상기 로드락 챔버(101)와 펌프(109) 사이를 연결한다. 상기 배기라인(107)에는 배기라인 밸브(107a)가 제공되어 가스들의 배기 여부를 조절한다. 상기 로드락 챔버(101)와 펌프(109)를 연결하는 진공라인(108)이 더 제공된다. 상기 펌프(109)의 작동에 의해 상기 로드락 챔버(101) 내부의 압력이 진공 상태가 되도록 할 수 있으며, 이는 상기 진공라인(108)의 개폐를 조절하는 진공라인 밸브(108a)에 의해 조절된다. Referring to the configuration of the semiconductor manufacturing equipment having a load lock chamber to which the control method of the load lock chamber according to the present invention is applied with reference to FIG. 2, the semiconductor manufacturing equipment includes a load lock chamber 101 and a reaction chamber 102. do. The reaction chamber 102 is a place where a machining process is performed on a wafer. The load lock chamber 101 is a place where the wafer is temporarily waited to prepare for the next process before and after processing the wafer. The load lock chamber 101 is blocked from the reaction chamber 102 by an inner door 113, and the wafer is connected to the load lock chamber 101 and the reaction chamber 102 through the inner door 113. To move between. The load lock chamber 101 receives a wafer cassette in which a wafer is loaded from the outside by an outer door 111. A gas supply unit 105 supplying a purge gas into the load lock chamber 101 is connected to the load lock chamber 101 by a purge line 103. The purge line 103 is provided with a purge line valve 103a for controlling the purge gas. An exhaust line 107, which serves as a passage for exhausting gases from the load lock chamber 101, connects between the load lock chamber 101 and the pump 109. The exhaust line 107 is provided with an exhaust line valve 107a to control whether or not the gases are exhausted. A vacuum line 108 is further provided to connect the load lock chamber 101 and the pump 109. The operation of the pump 109 allows the pressure inside the load lock chamber 101 to be in a vacuum state, which is controlled by a vacuum line valve 108a that controls the opening and closing of the vacuum line 108. .

도 3은 본 발명의 실시예에 의하여 웨이퍼 카세트가 외부로부터 로드락 챔버 내부로 이동할 때의 로드락 챔버의 제어방법의 수순을 나타낸 블록도이다.3 is a block diagram showing the procedure of the control method of the load lock chamber when the wafer cassette moves from the outside to the load lock chamber according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 실시예에 따라 웨이퍼 카세트가 외부로부터 로드락 챔버 내부로 이동할 때의 로드락 챔버의 제어방법을 설명하면, 먼저 웨이퍼를 적재한 웨이퍼 카세트를 로드락 챔버(101) 내부로 이동시키기 전에 상기 로드락 챔버의(101) 내부를 대기압의 압력 상태로 조절한다. 상기 로드락 챔버(101) 내부 압력이 대기압이 되도록 하기 위해서, 퍼지라인 밸브(103a)를 열어 가스 공급부(105)로부터 퍼지가스를 상기 로드락 챔버(101) 내부로 공급한다(300s). 상기 퍼지가스는 질소가스일 수 있다. 상기 로드락 챔버(101) 내부로 공급된 상기 퍼지가스가 배기되도록 배기라인 밸브(107a)를 연다(310s). 상기 퍼지가스는 배기라인(107)을 통하여 펌프(109)로 빠져나간다. 그 결과, 상기 로드락 챔버(101) 내부의 압력이 대기압이 된다(320s). 상기 로드락 챔버(101) 내부에 구비된 압력계를 이용하여 상기 로드락 챔버(101) 내부의 압력을 확인할 수 있다. Referring to FIGS. 2 and 3, a control method of the load lock chamber when the wafer cassette moves from the outside into the load lock chamber will be described. 101) The interior of the load lock chamber 101 is adjusted to atmospheric pressure before moving to the inside. In order to allow the internal pressure of the load lock chamber 101 to be atmospheric pressure, the purge line valve 103a is opened to supply the purge gas from the gas supply unit 105 to the load lock chamber 101 (300s). The purge gas may be nitrogen gas. The exhaust line valve 107a is opened to open the purge gas supplied into the load lock chamber 101 (310s). The purge gas exits the pump 109 through the exhaust line 107. As a result, the pressure inside the load lock chamber 101 becomes atmospheric pressure (320s). The pressure inside the load lock chamber 101 may be checked using a pressure gauge provided in the load lock chamber 101.

상기 로드락 챔버(101) 내부의 압력이 대기압이 되면, 상기 로드락 챔버(101)의 외부 도어(111)를 열어 상기 웨이퍼 카세트를 상기 로드락 챔버(101) 내로 이동시킨다(330s). 상기 외부 도어(111)가 열리면 상기 로드락 챔버(101)를 제어하는 제어부(115)는 제어신호를 발생시킨다(340s). 상기 제어신호에 의하여 상기 배기라인 밸브(107a)는 자동으로 닫히도록 조절된다(350s). 종래 기술에 의하면, 상 기 외부 도어(111)가 열려도 상기 배기라인 밸브(107a)는 열린 채로 유지되어 있어, 상기 퍼지가스는 계속 상기 배기라인(107)을 통하여 빠져나가고, 상기 외부 도어(111)를 통하여 외기가 상기 로드락 챔버(101) 내부로 유입되어 상기 퍼지가스와 함께 상기 배기라인(107)을 통하여 빠져나가게 된다. 이때, 상기 유입된 외기에 의하여 웨이퍼에 불필요한 자연산화막이 형성되어 웨이퍼의 손실을 가져오는 것이다. 그러나, 본 발명에 의하면, 상기 외부 도어(111)가 열리면 상기 배기라인 밸브(107a)가 닫히도록 조절되어 상기 퍼지가스가 상기 배기라인(107)을 통하여 빠져나가지 못하게 된다. 따라서, 상기 퍼지가스는 상기 외부 도어(111)를 통하여 빠져나가게 되고, 상기 외기는 상기 로드락 챔버(101) 내로 유입되지 못한다.When the pressure inside the load lock chamber 101 reaches atmospheric pressure, the outer door 111 of the load lock chamber 101 is opened to move the wafer cassette into the load lock chamber 101 (330s). When the outer door 111 is opened, the control unit 115 for controlling the load lock chamber 101 generates a control signal (340s). In response to the control signal, the exhaust line valve 107a is adjusted to automatically close (350s). According to the related art, the exhaust line valve 107a remains open even when the outer door 111 is opened, so that the purge gas continues to flow out through the exhaust line 107, and the outer door 111 is closed. Outside air is introduced into the load lock chamber 101 and exits through the exhaust line 107 together with the purge gas. At this time, an unnecessary natural oxide film is formed on the wafer by the introduced external air, resulting in loss of the wafer. However, according to the present invention, when the outer door 111 is opened, the exhaust line valve 107a is adjusted to close so that the purge gas cannot escape through the exhaust line 107. Therefore, the purge gas exits through the outer door 111 and the outside air does not flow into the load lock chamber 101.

상기 웨이퍼 카세트가 상기 로드락 챔버(101)로 완전히 인입되면 상기 외부 도어(111)를 닫는다(360s). 상기 외부 도어가(111) 닫히면, 상기 로드락 챔버(101) 내부를 진공 상태로 만들기 위해 상기 퍼지라인 밸브(103a)를 닫고 상기 진공라인 밸브(108a)를 연다. 상기 펌프(109)를 작동시켜 상기 로드락 챔버(101) 내부를 진공 상태가 되도록 한다. 진공 여부는 상기 압력계를 통하여 확인할 수 있다. 상기 로드락 챔버(101) 내부를 진공 상태로 만들어주는 이유는 상기 웨이퍼가 상기 반응 챔버(102)로 이동하기 전에 상기 로드락 챔버(101) 내부에 존재할 수 있는 불순물들을 제거하여 순수한 상태로 만들어 주기 위함이다.When the wafer cassette is completely inserted into the load lock chamber 101, the outer door 111 is closed (360s). When the outer door 111 is closed, the purge line valve 103a is closed and the vacuum line valve 108a is opened to make the inside of the load lock chamber 101 into a vacuum state. The pump 109 is operated to vacuum the inside of the load lock chamber 101. Whether the vacuum can be checked through the pressure gauge. The reason for making the inside of the load lock chamber 101 in a vacuum state is to remove impurities that may exist inside the load lock chamber 101 to make it pure before the wafer moves to the reaction chamber 102. For sake.

상기 로드락 챔버(101) 내부에 존재하는 불순물들을 제거한 후, 다시 상기 로드락 챔버(101) 내부의 압력을 대기압으로 조절한다. 이는 상술한 바와 같이 상기 퍼지라인 밸브(103a)를 열어 가스공급부(105)로부터 퍼지가스를 상기 로드락 챔 버(101) 내부로 공급하고, 상기 로드락 챔버(101) 내부로 공급된 상기 퍼지가스가 배기되도록 상기 배기라인 밸브(107a)를 열어 상기 퍼지가스가 상기 배기라인(107)을 통하여 상기 펌프(109)로 빠져나가도록 한다. 상기 로드락 챔버(101) 내부 압력이 대기압이 되면, 상기 로드락 챔버(101)의 내부 도어(113)를 열고 상기 웨이퍼 카세트에 적재된 웨이퍼를 웨이퍼 이송로봇 등을 이용하여 상기 반응 챔버(102) 내부로 이동시킨다(370s). 상기 웨이퍼가 상기 반응 챔버(102) 내부로 이동하면, 상기 내부 도어(113)를 닫고 수행될 공정의 조건에 따라 상기 반응 챔버(102) 내부 환경을 조절한다. 예컨대, 상기 반응 챔버(102) 내부의 압력을 진공 상태로 형성할 수 있다. 이후, 상기 웨이퍼에 필요한 공정을 수행한다. After removing impurities present in the load lock chamber 101, the pressure in the load lock chamber 101 is adjusted to atmospheric pressure again. As described above, the purge line valve 103a is opened to supply purge gas from the gas supply unit 105 into the load lock chamber 101 and the purge gas supplied into the load lock chamber 101. The exhaust line valve 107a is opened to exhaust the purge gas to the pump 109 through the exhaust line 107. When the pressure inside the load lock chamber 101 reaches atmospheric pressure, the inner door 113 of the load lock chamber 101 is opened and the wafer loaded in the wafer cassette is transferred to the reaction chamber 102 using a wafer transfer robot or the like. It moves to the inside (370s). When the wafer moves into the reaction chamber 102, the inner door 113 is closed and the environment of the reaction chamber 102 is adjusted according to the conditions of the process to be performed. For example, the pressure inside the reaction chamber 102 may be formed in a vacuum state. Thereafter, a process required for the wafer is performed.

도 4는 본 발명의 실시예에 의하여 웨이퍼 카세트가 로드락 챔버 내부로부터 외부로 이동할 때의 로드락 챔버의 제어방법의 수순을 나타낸 블록도이다.4 is a block diagram showing a procedure of the control method of the load lock chamber when the wafer cassette moves from the inside of the load lock chamber to the outside according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따라 웨이퍼 카세트가 로드락 챔버 내부로부터 외부로 이동할 때의 로드락 챔버의 제어방법을 설명하면, 반응 챔버(102)에서 필요한 공정을 마친 웨이퍼가 내부 도어(113)를 통해 로드락 챔버(101) 내부로 이동된다(400s). 이후, 상기 웨이퍼를 상기 로드락 챔버(101)의 외부로 이동시키기 전에 상기 로드락 챔버(101)의 내부를 대기압의 압력 상태로 조절한다. 상기 로드락 챔버(101) 내부 압력이 대기압이 되도록 하기 위해서 퍼지라인 밸브(103a)를 열어 가스공급부(105)로부터 퍼지가스를 상기 로드락 챔버(101) 내부로 공급받고(410s), 상기 로드락 챔버(101) 내부로 공급된 상기 퍼지가스가 배기되도록 배기라인 밸브(107a)를 연다(420s). Referring to FIGS. 2 and 4, the control method of the load lock chamber when the wafer cassette moves from the inside of the load lock chamber to the outside according to the embodiment of the present invention will be described. It is moved into the load lock chamber 101 through the inner door 113 (400s). Thereafter, the inside of the load lock chamber 101 is adjusted to an atmospheric pressure state before moving the wafer to the outside of the load lock chamber 101. In order to allow the internal pressure of the load lock chamber 101 to be atmospheric pressure, the purge line valve 103a is opened to receive purge gas from the gas supply unit 105 into the load lock chamber 101 (410s), and the load lock The exhaust line valve 107a is opened to exhaust the purge gas supplied into the chamber 101 (420s).

상기 로드락 챔버(101) 내부의 압력이 대기압이 되면(430s), 상기 웨이퍼를 상기 로드락 챔버(101)로부터 외부로 이동시키기 위하여 외부 도어(111)를 연다(440s). 상기 외부 도어(111)가 열리면 상기 로드락 챔버(101)를 제어하는 제어부(115)는 제어신호를 발생시킨다(450s). 상기 제어신호에 의하여 상기 배기라인 밸브(107a)는 자동으로 닫히도록 조절된다(460s). 이에 의하여 상기 퍼지가스가 상기 배기라인(107)을 통하여 빠져나가지 못하게 되고 상기 퍼지가스는 상기 외부 도어(111)를 통하여 빠져나가게 된다. 상기 웨이퍼가 상기 외부 도어(111)를 통하여 상기 로드락 챔버(101) 외부로 이동하면 상기 외부 도어(111)를 닫는다(470s).When the pressure inside the load lock chamber 101 reaches atmospheric pressure (430s), the outer door 111 is opened (440s) to move the wafer from the load lock chamber 101 to the outside. When the outer door 111 is opened, the control unit 115 for controlling the load lock chamber 101 generates a control signal (450s). The exhaust line valve 107a is adjusted to close automatically by the control signal (460s). As a result, the purge gas may not escape through the exhaust line 107 and the purge gas may escape through the outer door 111. When the wafer moves out of the load lock chamber 101 through the outer door 111, the outer door 111 is closed (470s).

상기와 같이 이루어진 본 발명에 의하면, 웨이퍼를 외부로부터 로드락 챔버 또는 로드락 챔버로부터 외부로 이동시킬 때 외기가 상기 로드락 챔버 내부로 유입되지 못하도록 상기 로드락 챔버를 제어할 수 있기 때문에, 상기 웨이퍼가 외기에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있게 된다.According to the present invention made as described above, since the load lock chamber can be controlled so that outside air does not flow into the load lock chamber when the wafer is moved from the outside to the load lock chamber or from the load lock chamber, the wafer Can be prevented from being damaged by outside air.

Claims (4)

웨이퍼를 적재한 웨이퍼 카세트를 외부로부터 로드락 챔버 내로 이동시키거나 로드락 챔버로부터 외부로 이동시킬 때 제어부가 상기 로드락 챔버를 제어하는 방법에 있어서,A method of controlling a load lock chamber by a control unit when moving a wafer cassette on which a wafer is loaded into the load lock chamber from the outside or out of the load lock chamber, 상기 로드락 챔버 내로 퍼지가스가 공급되도록 퍼지라인 밸브를 열고, 상기 퍼지가스가 배기되도록 배기라인 밸브를 열어 상기 로드락 챔버내의 압력이 대기압이 되도록 조절하는 단계;Opening a purge line valve so that purge gas is supplied into the load lock chamber, and opening an exhaust line valve so that the purge gas is exhausted so that the pressure in the load lock chamber is at atmospheric pressure; 상기 로드락 챔버내의 압력이 대기압이 되면 상기 로드락 챔버의 외부 도어를 여는 단계; 및Opening the outer door of the load lock chamber when the pressure in the load lock chamber reaches atmospheric pressure; And 상기 외부 도어가 열리면 상기 배기라인 밸브가 닫히도록 하여 상기 퍼지가스가 외부 도어를 통하여 빠져나가도록 하는 단계를 포함하는 로드락 챔버의 제어방법.And closing the exhaust line valve when the outer door is opened to allow the purge gas to escape through the outer door. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 배기라인 밸브가 닫히도록 하는 것은 상기 외부 도어가 열리면 상기 제어부가 제어신호를 발생시키어 상기 배기라인 밸브가 자동으로 닫히도록 하는 것을 특징으로 하는 로드락 챔버의 제어방법.The closing of the exhaust line valve is a control method of the load lock chamber, characterized in that the control unit generates a control signal when the outer door is opened so that the exhaust line valve is automatically closed. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 외부 도어가 열리면, 상기 웨이퍼 카세트가 외부로부터 상기 로드락 챔버 내부로 이동하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락 챔버의 제어방법.And when the outer door is opened, moving the wafer cassette from the outside into the load lock chamber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 외부 도어가 열리면, 상기 웨이퍼 카세트가 상기 로드락 챔버 내부로부터 외부로 이동하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락 챔버의 제어방법.And when the outer door is opened, moving the wafer cassette from the inside of the load lock chamber to the outside.
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