KR20070000847A - 이동식 냉매충진장치 및 이를 이용하는 기판제조장비의냉각방법 - Google Patents

이동식 냉매충진장치 및 이를 이용하는 기판제조장비의냉각방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 고온의 챔버 내부를 냉각시키기 위해 헬륨(He)을 충진하는 장치에 관한 것이다. 구체적으로는, 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하는 기판안치수단; 상기 기판안치수단의 상부에 위치하는 가스분사수단; 상기 챔버의 저면에 형성되는 배기구를 구비하는 기판제조장비의 내부를 냉각시키기 위해 냉매를 충진하는 장치로서, 냉매 공급부; 일단은 상기 챔버에 분리가능하게 결합되고, 타단은 상기 냉매공급부에 연결되는 냉매공급관을 포함하는 이동식 냉매충진장치를 제공한다.
본 발명에 따르면, 기판제조장비를 정비하기 위해 챔버를 냉각하는 시간이 크게 단축되므로 장비의 가동을 중단하는 기간이 줄어들어 생산성이 크게 향상되며, 이는 결국 제품의 생산비용을 절감하는데 기여하게 된다.
헬륨, 충진, 냉매, 챔버

Description

이동식 냉매충진장치 및 이를 이용하는 기판제조장비의 냉각방법{Movable coolant charging device and cooling method of substrate manufacturing apparatus using the same}
도 1은 일반적인 액정표시장치 모듈의 분해사시도
도 2는 종래 PECVD 장비의 개략구성도
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 PECVD 장비의 개략구성도
도 4는 이동식 헬륨공급부의 구성도
도 5는 헬륨의 충진 압력과 경과시간별 챔버온도의 관계에 대한 실험결과를 나타내는 도표
도 6은 헬륨과 질소의 냉각속도 차이를 나타낸 도면
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
50 : PECVD장비 51 : 챔버
51a : 챔버측벽 51b : 챔버리드
52 : 서셉터 52a : 서셉터 구동부
53 : 샤워헤드 53a : 분사홀
54 : RF전극 55 : 버퍼공간
56 : 에지프레임 57 : 배기구
58 : 가스유입관 59 : RF전원
61 : N2 공급부 62 : N2 공급관
63 : N2 유량조절부 64 : 리크감지포트
65 : 밸브 66 : 연결플랜지
100 : 냉매 충진 장치 110 : He 공급부
111 : 이동식 대차 112 : He 저장탱크
113 : 레귤레이터 120 : He 공급관
130 : He 유량조절부
본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display)의 제조를 위해 기판에 대하여 박막증착, 에칭 등의 공정을 수행하는 기판제조장비에 관한 것으로서, 구체적으로는 이러한 기판제조장비의 내부를 냉각시키기 위한 헬륨(He) 충진장치에 관한 것이다.
근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 각종 전기적 신 호정보를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 여러 가지 다양한 종류의 평판표시장치(Flat Panel Display device : FPD)가 소개된 바 있다.
이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device : LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device : PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device : FED), 전기발광표시장치(Electro Luminescence Display device : ELD) 등을 들 수 있으며, 이들은 박형화, 경량화, 저소비전력화 등의 우수한 성능을 보유하고 있어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
이중 액정표시장치는 콘트라스트비(contrast ratio)가 크고 동화상 표시에 적합하며 소비전력이 적다는 특징을 가지고 있어, 노트북, 모니터, TV 분야에서 가장 활발하게 이용되고 있다.
도 1은 일반적인 액정표시장치모듈의 분해 사시도로서, 크게 액정패널(10), 액정패널(10)의 하부에서 광원을 제공하는 백라이트 어셈블리(20), 상기 액정패널(10)과 백라이트 어셈블리(10)를 일체로 지지하는 서포트메인(30), 상기 액정패널의 가장자리를 상부에서 압착하는 한편 상기 서포트메인(30)과 체결되는 탑 커버(40)로 구분될 수 있다.
액정패널(10)은 게이트배선 및 데이터 배선에 의해 정의된 화소영역에 스위칭 소자인 박막트랜지스터와 화소전극을 구비한 어레이 기판, RGB를 포함하는 컬러 필터 및 공통전극을 구비한 컬러필터 기판, 상기 어레이기판과 컬러필터 기판의 사이에 충진되는 액정층을 포함한다.
한편 상기 액정패널(10)의 측부에는 연성회로기판(FPCB: Flexible Printed Circuit Board)을 매개로 액정패널구동회로(11)가 연결되며, 하부와 상부에는 각각 하부평광판(12)과 상부편광판(13)이 결합한다.
백라이트 어셈블리(20)는 액정패널(10) 하부의 일 측방에 설치되는 형광램프(21), 상기 형광램프(21)에 측면이 인접 설치되어 형광램프(21)로부터 유입된 빛을 상면을 통해 방출하는 도광판(22), 상기 도광판(22)을 통해 상부로 방출된 빛을 집광 및 확산시켜 고품질의 균일한 광원으로 변환시키는 광학시트(24) 등을 포함한다.
도광판(22)의 하부에는 반사시트(23)가 설치되어 하부로 새는 빛을 상부로 반사시켜 휘도의 저하를 방지한다.
따라서 형광램프(22)에서 출사된 빛은 도광판(22)을 통해서 광학시트(24)로 입사하거나, 반사시트(23)에서 일단 반사되었다가 도광판(22)을 거쳐 광학시트(24)로 입사하게 되며, 광학시트(24)를 거치면서 집광 및 확산된 빛은 액정패널(10)로 공급되어 고휘도의 화상을 표현하게 된다.
이와 같은 액정표시장치모듈을 제조하기 위해서는 기판제조공정, 셀 제조공정, 모듈공정을 순차적으로 거치게 되는데, 본 발명은 이 중에서 어레이기판, 컬러필터 기판 등을 제조하는 기판제조장비에 관한 것이다.
이러한 기판을 제조하기 위해서는, 기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝(patterning)하는 식각공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 챔버의 내부에서 진행된다.
도 2는 여러 가지 기판제조장비 중에서, 원료물질을 플라즈마 상태로 변환시킨 후 이를 이용하여 박막을 증착하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비(50)의 구성을 개략적으로 도시한 것이다.
이를 살펴보면, 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버(51), 챔버(51)의 내부에 위치하며 상면에 기판(s)을 안치하는 서셉터(52), 상기 서셉터(52)의 상부로 원료물질을 분사하는 샤워헤드(53), 상기 샤워헤드(53)의 상부에 결합하는 RF전극(54), 상기 RF전극(54)에 RF전력을 공급하는 RF전원(59), 상기 샤워헤드(53)로 원료가스를 공급하는 가스유입관(58)을 포함한다.
챔버(51)는 챔버측벽(51a)과 챔버리드(51b)로 이루어지며, 가스유입관(58)은 통상 챔버리드(51b)의 정중앙을 관통하여 연결된다.
상기 서셉터(52)는 상면에 기판(s)이 안치되는 평탄면을 가지며 내부에는 서셉터(52)를 소정 온도로 가열하기 위한 히터(미도시)를 구비한다. PECVD장비의 경우 통상 섭씨 350도 내지 400도 정도의 온도로 서셉터(52)를 가열하게 된다.
서셉터(52)는 하부의 서셉터 구동부(52a)에 의해 승강할 수 있는데, 통상 서 셉터(52)가 하부의 홈포지션에 위치할 때 미도시된 출입구를 통해 기판(s)을 교환하고, 서셉터(52)가 상부로 들어올려졌을 때 원료물질을 분사하고 RF전력을 인가하여 공정을 진행한다.
샤워헤드(53)는 다수의 분사홀(53a)을 가지는 한편, 주연부가 RF전극(54)과 결합함으로써, RF전극(54)과의 사이에 일종의 버퍼공간(55)을 형성하게 되는데, 가스유입관(58)을 통해 유입된 원료물질이 상기 버퍼공간(55)을 통해 일차 확산됨으로써 원료물질이 챔버 내부로 균일하게 분사된다.
샤워헤드(53)의 상부에 위치하는 RF전극(54)에 RF전력이 인가되면, RF전극(54)과 전기적으로 연결된 샤워헤드(53)와 접지된 서셉터(52)의 사이에 RF전기장이 형성되며, 이러한 RF전기장의 내부에서 전자가 가속되어 중성기체와 충돌함으로써 플라즈마가 발생하게 되는 것이다.
챔버(51)의 내측벽에서 서셉터(52)의 주연부에 인접하여 돌출된 것은 에지프레임(56)으로서, 가운데에 개방부를 가지는 사각 프레임 형상을 가지며, 평상시에는 챔버(51)의 내측벽에 거치되어 있다가 서셉터(52)가 상승할 때 서셉터(52)에 의해 들어올려져 함께 상승한다.
이때 내측 주연부가 기판(s)의 가장자리를 덮음으로써 기판(s)의 가장자리 부근에서 플라즈마 리크(leak)가 발생하지 않도록 하는 역할을 한다.
한편 챔버(51)의 저면에는 배기구(57)와 리크(leak)감지포트(64)가 구비되는데, 배기구(57)는 진공펌프(미도시)에 연결되어 챔버 내부의 잔류가스나 오염물질을 배출시키는 역할을 하는 것인데 반하여, 리크감지포트(64)는 챔버 연결부의 진 공성능을 검사할 때 이용되는 포트이다.
즉, 챔버(51)는 일체로 제작되는 것이 아니라 여러 가지 부품이 결합된 것이고, 내부가 통상 10-9mTorr 정도의 고진공상태로 유지되어야 하므로 각 부품간의 진공시일이 정상인지 여부를 주기적으로 검사할 필요가 있다.
이를 위해 챔버 내부를 고진공상태로 유지하고 리크감지포트(64)에 챔버 내부의 He 압력을 체크하는 리크감지기를 연결한 후에, 챔버 외부에서 각 부품 연결부에 He을 분사시킨다.
만일 진공시일이 불량한 연결부가 있다면, 이를 통해 챔버 내부로 He이 유입되므로 리크감지기에서 He 압력이 상승하는 것으로 감지한다. 따라서 챔버의 연결부에 리크가 있는 것을 확인할 수 있게 된다.
상기 리크감지포트(64)에는 배관이 연결되며, 상기 배관에는 밸브(65) 및 연결용 플랜지(66)가 설치되어 평소에는 밀폐되어 있다가, 리크여부를 감지할 경우 리크감지기가 연결된다.
이와 같은 구성을 가지는 PECVD장비(50)에서 공정이 진행되는 과정을 살펴보면, 먼저 미도시된 출입구를 통해 로봇이 진입하여 기판(s)을 서셉터(52) 위에 안치한 후 물러나면 진공펌핑을 통해 불순물을 제거하는 한편 공정압력을 조성한다.
이후 서셉터(52)가 상승하여 공정위치에 도달하면, 가스유입구(58)를 통해 원료물질이 공급되고, 공급된 원료물질은 버퍼공간(55)에서 일차 확산된 후 샤워헤 드(53)의 분사홀(53a)을 통해 챔버 내부로 분사된다.
챔버 내부로 분사된 원료물질은 RF전원(59)으로부터 인가되는, 예를 들어 13.56MHz의 RF전력에 의해 해리되어 전자와 활성종의 혼합가스인 플라즈마 상태가 되며, 이렇게 생성된 활성종이 기판(s)으로 입사하여 소정의 박막을 형성하게 된다.
박막증착이 완료되면 다시 서셉터(52)를 하강한 후 챔버 외부로 기판(s)을 반출한다.
그런데 이와 같은 PECVD 장비를 운용하다 보면, 유지 및 관리를 위해 장비가동을 중단시키고 챔버(51) 내부를 점검해야할 경우가 종종 발생한다.
그런데 전술한 바와 같이 공정이 진행되고 있는 챔버(51)의 내부는 서셉터(52)에 매설된 히터로 인해 섭씨 350도 내지 400도의 고온상태이므로, 작업자가 챔버리드(51b)를 함부로 오픈할 경우에는 화상을 입을 우려가 높다.
따라서 작업자의 화상을 방지하기 위해서는 챔버리드(51b)를 열기 전에 챔버 내부의 온도를 최소 100?? 정도까지는 미리 냉각시켜야 한다. 또한 챔버(51) 내부는 진공상태이므로 챔버리드(51b)를 오픈하기 전에 대기압상태로 가압하는 과정을 거쳐야 한다.
종래에는 이러한 냉각 및 가압을 위해 질소(N2)를 챔버(51) 내부에 충진하는 방식을 이용하고 있다. 챔버(51) 내부로 유입된 N2가 챔버 내부에서 열 전달자 역할 을 하여 냉각을 촉진하기 때문이다.
이와 같이 N2 를 공급하기 위해서는 도 2에 도시된 바와 같이, N2 공급부(61)를 설치하고, 상기 N2 공급부(61)와 가스유입관(58)을 N2 공급관(62)을 이용하여 연결한다. 따라서 필요한 경우 장비의 가동을 중단하고 샤워헤드(53)를 통해 챔버(51) 내부로 N2 를 공급하여 챔버 내부를 냉각 및 가압하게 된다.
공급되는 N2의 양을 정밀하게 제어하기 위하여, N2 공급관(62)의 중간에 N2 유량조절부(63)를 설치하기도 하는데, N2 유량조절부(63)는 미도시된 제어PC에 의하여 동작이 제어되기도 한다.
이와 같이 챔버 내부의 냉각 및 가압을 위해 N2 를 공급할 경우, 챔버 내부를 섭씨 100도 정도까지 냉각시키는데 약 9시간 정도가 소요된다. 그런데 단지 장비를 냉각시키는 데 이 정도의 장시간이 소요되면, 실제 정비시간과 정비 후 재가동 준비시간까지 합하면 실로 엄청난 시간동안 장비의 가동이 중단되는 결과가 초래된다.
PECVD 장비 등 기판제조장비는 매우 고가의 장비이므로 가동중단기간이 이와 같이 길어져서는 생산성 측면에서 매우 불리하며, 이는 결국 제품의 생산비용을 증가시키는 요인이 된다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판제조장비에서 불가피하게 발생하는 정비시간을 단축시킴으로써 생산성 저하를 방지할 수 있는 방안을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위해서, 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하는 기판안치수단; 상기 기판안치수단의 상부에 위치하는 가스분사수단; 상기 챔버의 저면에 형성되는 배기구를 구비하는 기판제조장비의 내부를 냉각시키기 위해 냉매를 충진하는 장치로서, 냉매 공급부; 일단은 상기 챔버에 분리가능하게 결합되고, 타단은 상기 냉매공급부에 연결되는 냉매공급관을 포함하는 이동식 냉매충진장치를 제공한다.
상기 냉매공급부는, 냉매저장탱크; 상기 냉매저장탱크를 탑재하는 이동식 대차; 상기 냉매저장탱크의 냉매공급압력을 일정하게 유지하는 레귤레이터를 포함할 수 있다.
상기 냉매공급관에는 유량조절수단이 설치될 수 있다.
상기 챔버는 진공성능을 점검하는 리크감지기를 연결하기 위한 리크감지포트를 구비하며, 상기 냉매공급관의 타단은 상기 리크감지포트에 연결될 수 있다.
상기 냉매는 헬륨인 것을 특징으로 하며, 상기 헬륨을 이용하여 상기 챔버를 9000 내지 11000mTorr의 압력범위로 충진하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명은, 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하는 기판안치수단; 상기 기판안치수단의 상부에 위치하는 가스분사수단; 상기 챔버의 저면에 형성되는 배기구; 상기 챔버의 저면에 형성되며, 상기 챔버의 진공성능을 점검하는 리크감지기가 탈부착되는 리크감지포트를 구비하는 기판제조장비의 내부를 냉각시키는 방법에 있어서,
냉매공급부를 상기 리크감지포트에 연결하는 단계; 상기 챔버의 내부로 상기 냉매공급부의 냉매를 충진시키는 단계를 포함하는 기판제조장비의 냉각 방법을 제공한다.
상기 냉매는 헬륨인 것을 특징으로 하며, 이때 상기 헬륨을 이용하여 상기 챔버의 내부 압력을 9000 내지 11000mTorr의 범위까지 충진시킬 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은 기판제조장비에 고정적으로 연결된 질소(N2)공급라인을 이용하여 챔버 내부를 냉각시키던 종래의 냉각방식과 달리, 이동식 냉매충진장치를 이용하여 챔버 내부를 냉각시키는 점에서 차이가 있다.
특히 냉각속도를 향상시키기 위하여 헬륨(He)을 새로운 냉매로 채택한 점에 특징이 있다.
일반적으로 질소는 상온에서 약 421m/sec 정도의 평균속도를 가지는 반면에 헬륨의 평균속도는 약 1200m/sec에 달하므로, 질소를 충진하는 경우보다 헬륨을 충진하는 경우에 충돌회수의 증가로 인해 열전도 효율이 높아질 수 있어 냉각시간을 단축시킬 수 있기 때문이다.
도 3은 PECVD장비(50)에 본 발명의 실시예에 따른 이동식 냉매충진장치(100)를 연결한 모습을 도시하고 있다.
본 발명의 실시예와 같이 별도의 이동식 냉매충진장치(100)를 연결하지 않고, 기존 설치되어 있는 질소공급부(61)를 헬륨공급부로 대체하는 것만으로도 기판제조장비를 냉각시키는 것이 가능하긴 하지만, 질소(N2)는 냉각수단 뿐만 아니라 공정 도중의 퍼지수단이나 가압수단으로도 자주 사용되는 것이어서 질소공급장치를 생락하는 것은 사실상 불가능하다.
그렇다고 해서, 기존의 질소공급장치와 같이 고정식의 헬륨공급장치를 별도로 설치하면 많은 비용이 소요될 뿐만 아니라 장비의 풋프린트(footprint)도 증가하는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 실시예에서는 냉각이 필요한 기판제조장비(50)에 간편하게 탈부착할 수 있고 이용이 간편하도록 냉매충진장치(100)를 이동식으로 제조한 점에 특징이 있다.
본 발명의 이동식 냉매충진장치(100)는 특히 헬륨을 냉매로 이용하는 점에 특징이 있으므로, 이하에서는 헬륨을 냉매로 이용하는 경우에 한정하여 그 구성을 살펴보기로 한다.
도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 이동식 냉매충진장치(100)는 헬륨공급부(110), 일단은 상기 리크감지포트(64)에 연결되고 타단은 상기 헬륨공급부(110)에 연결되는 헬륨공급관(120), 상기 헬륨공급관(120)의 중간에 설치되어 헬륨의 유량을 조절하는 헬륨유량조절부(130)를 포함한다.
헬륨공급부(110)는 도 4에 도시된 바와 같이 이동식 대차(111)와, 이동식 대차(111)의 상부에 탑재되며 헬륨공급관(120)과 연결되는 헬륨저장탱크(112)를 포함하여 구성된다.
그리고 헬륨의 공급압력이 일정하게 유지되어야 헬륨유량조절부(130)에서 유량조절을 미세한 범위로 수행할 수 있으므로, 헬륨저장탱크(112)와 헬륨공급관(120)의 연결부 근처에 헬륨공급압력을 일정하게 유지해주는 레귤레이터(113)를 설치하는 것이 바람직하다.
헬륨유량조절부(130)는 유량조절을 위한 MFC(Mass Flow Controller)와 유량계측을 위한 MFM(Mass Flow Meter)을 포함하며, 외부의 제어PC(미도시)에 연결되어 헬륨공급관(120)의 유량을 20sccm 내지 10000sccm의 범위에서 미세하게 제어하는 역할을 한다.
이와 같은 유량조절수단이 필요한 이유는 저온의 기체가 급격하게 챔버 내부로 유입될 경우 챔버 내부 부재가 열충격으로 인해 손상을 입을 우려가 있기 때문이다.
헬륨공급관(120)의 일단은 챔버(51)의 저면에 위치한 리크감지포트(64)에 연결되는데, 이때 리크감지포트(64)에 연결된 배관에는 연결플랜지(66)가 설치되어 있으므로, 헬륨공급관(120)의 일단에도 이에 대응하는 연결플랜지를 구비한 후 양자를 결합하는 것이 바람직하다.
또한 헬륨공급관(120)은 취급이 용이하도록 유연성 있는 호스로 제조되는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 따른 냉매충진장치(100)를 이용하여 PECVD 장비(50)의 내부를 냉각시키는 과정을 도 3 및 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
즉, 작업자가 PECVD 장비(50)의 내부 점검을 위해 챔버리드(51b)를 오픈할 필요가 있는 경우에, 헬륨저장탱크(112)를 탑재한 이동식 대차(111)를 해당 장비 부근으로 이동시킨 후, 헬륨공급관(120)의 일단을 리크감지포트(64)에 연결하고 밸브(65)를 오픈하여 헬륨공급관(120)과 챔버(51)의 내부를 연통시킨다.
이어서 헬륨저장탱크(112)에 저장된 고압의 헬륨가스가 레귤레이터(113)에 의해 일정한 압력으로 헬륨공급관(120)으로 유입되며, 특히, 헬륨공급관(120)의 도중에 설치된 헬륨유량조절부(130)에서 정밀하게 유량이 제어되어 리크감지포트(64)를 통해 챔버 내부로 유입된다.
챔버 내부에 어느 정도의 헬륨을 충진하여야 냉각시간이 단축될 수 있는지가 문제되는데, 이는 헬륨의 충진 압력과 시간별 챔버온도의 관계에 대한 실험결과를 나타낸 도 5의 도표를 통해 확인할 수 있다.
이에 의하면 챔버(51)의 내부압력이 약 10,000mTorr인 경우에 100?? 까지 냉각되는 시간이 가장 빠른 것으로 나타났다. 따라서 챔버 내부의 압력이 약 10,000mTorr가 될 때까지 헬륨을 충진하는 것이 가장 바람직하다고 할 수 있다.
그러나 9000 내지 11000mTorr의 범위에서도 비슷한 냉각속도를 얻을 수 있었으며, 도 5를 통해 알 수 있듯이, 충진 압력을 다소 달리 하더라도 종래에 비해 냉각시간을 크게 단축시킬 수 있음은 물론이다.
한편 위 실험에서는 충진압력에 관계없이 헬륨의 유량을 3000sccm 으로 통일하였다.
도 6은 헬륨을 전술한 바와 같이 최적의 압력으로 충진한 경우에 챔버가 냉각되는 속도와 종래와 같이 질소를 충진한 경우의 냉각속도를 비교한 그래프로서, 헬륨을 이용하는 경우에는 6시간 정도면 100?? 정도까지 냉각되었으나, 질소의 경우에는 냉각속도가 이보다 훨씬 느리다는 것을 알 수 있다.
한편, 이상에서는 본 발명의 실시예에 따른 이동식 냉매충진장치(100)를 챔버(51) 저면의 리크감지포트(64)에 연결하여 이를 통해 헬륨을 충진하는 경우에 대해서 설명하였으나, 본 발명의 이동식 냉매충진장치(100)가 반드시 리크감지포트에만 연결되어야 하는 것은 아니므로 다른 유입포트가 존재할 경우에는 그곳으로 냉매를 충진할 수도 있다.
또한 이상에서는 PECVD 장비를 중심으로 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 챔버의 냉각시간을 줄이기 위한 것이므로 PECVD 장비 이외에도 에칭장비, 스퍼터 등의 기판제조장비에도 적용될 수 있으며, 나아가 액정표시소자의 제조장비에 한정되는 것도 아니므로 반도체 제조장비에도 적용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판제조장비를 정비하기 위해 챔버를 냉각하는 시간이 크게 단축되므로 장비의 가동을 중단하는 기간이 줄어들어 생산성이 크게 향상되며, 이는 결국 제품의 생산비용을 절감하는데 기여하게 된다.

Claims (9)

  1. 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하는 기판안치수단; 상기 기판안치수단의 상부에 위치하는 가스분사수단; 상기 챔버의 저면에 형성되는 배기구를 구비하는 기판제조장비의 내부를 냉각시키기 위해 냉매를 충진하는 장치로서,
    냉매 공급부;
    일단은 상기 챔버에 분리가능하게 결합되고, 타단은 상기 냉매공급부에 연결되는 냉매공급관
    을 포함하는 이동식 냉매충진장치
  2. 제1항에 있어서,
    상기 냉매공급부는,
    냉매저장탱크;
    상기 냉매저장탱크를 탑재하는 이동식 대차;
    상기 냉매저장탱크의 냉매공급압력을 일정하게 유지하는 레귤레이터
    를 포함하는 이동식 냉매충진장치
  3. 제1항에 있어서,
    상기 냉매공급관에는 유량조절수단이 설치되는 이동식 냉매충진장치
  4. 제1항에 있어서,
    상기 챔버는 진공성능을 점검하는 리크감지기를 연결하기 위한 리크감지포트를 구비하며, 상기 냉매공급관의 타단은 상기 리크감지포트에 연결되는 이동식 냉매충진장치
  5. 제1항 내지 제4항 중 선택되는 어느 한 에 있어서,
    상기 냉매는 헬륨인 것을 특징으로 하는 이동식 냉매충진장치
  6. 제5항에 있어서,
    상기 헬륨을 이용하여 상기 챔버를 9000 내지 11000mTorr의 압력범위로 충진하는 이동식 냉매충진장치
  7. 밀폐된 반응영역을 정의하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 위치하는 기판안치수단; 상기 기판안치수단의 상부에 위치하는 가스분사수단; 상기 챔버의 저면에 형성되는 배기구; 상기 챔버의 저면에 형성되며, 상기 챔버의 진공성능을 점검하는 리크감지기가 탈부착되는 리크감지포트를 구비하는 기판제조장비의 내부를 냉각시키는 방법에 있어서,
    냉매공급부를 상기 리크감지포트에 연결하는 단계;
    상기 챔버의 내부로 상기 냉매공급부의 냉매를 충진시키는 단계
    를 포함하는 기판제조장비의 냉각 방법
  8. 제7항에 있어서,
    상기 냉매는 헬륨인 것을 특징으로 하는 기판제조장비의 냉각 방법
  9. 제8항에 있어서,
    상기 헬륨을 이용하여 상기 챔버의 내부 압력을 9000 내지 11000mTorr의 범위까지 충진시키는 기판제조장비의 냉각 방법
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100885467B1 (ko) * 2008-11-04 2009-02-24 주식회사 아토 반도체 소자의 배선 형성 방법
KR101455789B1 (ko) * 2013-08-06 2014-11-03 주식회사 알지비하이텍 기판처리장치의 서셉터 및 그를 가지는 기판처리장치
KR20190039356A (ko) * 2010-03-10 2019-04-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 순환적인 산화 및 에칭을 위한 장치 및 방법
WO2022046826A1 (en) * 2020-08-28 2022-03-03 Kla Corporation Coolant microleak sensor for a vacuum system

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