KR20060134690A - Semiconductor apparatus having a chuck - Google Patents

Semiconductor apparatus having a chuck Download PDF

Info

Publication number
KR20060134690A
KR20060134690A KR1020050054578A KR20050054578A KR20060134690A KR 20060134690 A KR20060134690 A KR 20060134690A KR 1020050054578 A KR1020050054578 A KR 1020050054578A KR 20050054578 A KR20050054578 A KR 20050054578A KR 20060134690 A KR20060134690 A KR 20060134690A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chuck
temperature
wafer
sensing means
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020050054578A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최동헌
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050054578A priority Critical patent/KR20060134690A/en
Publication of KR20060134690A publication Critical patent/KR20060134690A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Semiconductor fabricating equipment having a chuck is provided to measure temperature of a wafer loaded on the chuck in real time by using plural temperature detecting members disposed on the chuck. Semiconductor fabricating equipment includes a process chamber(100) having an internal space, in which a certain semiconductor process is carried out, a chuck(110) disposed in the process chamber and having an upper surface, on which a wafer is loaded, and temperature detecting members(120) disposed in the chuck and spaced apart from each other to detect temperature of the loaded wafer. A protection member is disposed on the temperature detecting members.

Description

척을 구비하는 반도체 장비{SEMICONDUCTOR APPARATUS HAVING A CHUCK}Semiconductor Equipment with Chuck {SEMICONDUCTOR APPARATUS HAVING A CHUCK}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 척을 구비하는 반도체 장비를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a semiconductor device having a chuck according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 도면이다.FIG. 2 is an enlarged view of a portion A of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장비의 동작 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.3 is a flowchart illustrating a method of operating a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 소자의 제조에 사용되는 반도체 장비에 관한 것으로, 특히, 반도체 웨이퍼가 로딩되는 척(chuck)을 구비하는 반도체 장비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor equipment used in the manufacture of semiconductor devices, and more particularly to semiconductor equipment having a chuck on which a semiconductor wafer is loaded.

반도체 소자는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)에 여러가지 공정들, 예컨대, 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정 및 이온 주입 공정등을 수행하여 형성된다. 이러한 반도체 공정들은 반도체 장비들에 의해 수행되는데, 반도체 공정들의 일부는 웨이퍼가 로딩되는 상부면을 갖는 척(chuck)을 포함한다. 척을 구비하는 반도체 장비의 대표적인 것으로 건식 식각 장비를 들수 있다.The semiconductor device is formed by performing various processes, for example, a deposition process, a photographing process, an etching process, and an ion implantation process, on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). Such semiconductor processes are performed by semiconductor equipment, some of which include a chuck having a top surface on which a wafer is loaded. A typical example of a semiconductor device having a chuck is a dry etching device.

통상적으로, 건식 식각 장비는 건식 식각 공정이 수행되는 공정 챔버와, 공정 챔버내에 배치된 척을 포함한다. 건식 식각 장비는 정전기력 또는 진공압등에 의하여 웨이퍼가 척의 상부면에 로딩시키고 공정 챔버내에 플라즈마화된 식각 가스를 이용하여 로딩된 웨이퍼에 포함된 소정의 물질을 식각한다.Typically, dry etching equipment includes a process chamber in which a dry etching process is performed and a chuck disposed within the process chamber. The dry etching equipment etches a predetermined material contained in the loaded wafer by using the etching gas that the wafer is loaded on the upper surface of the chuck by the electrostatic force or the vacuum pressure, etc., and plasmaized in the process chamber.

건식 식각 공정을 수행하기 위해서는, 공정 챔버내의 공정 온도, 특히, 건식 식각 공정이 수행되는 웨이퍼의 온도가 중요한 요소로 다루어지고 있다. 웨이퍼의 온도가 적정한 온도 보다 낮거나 높은 경우에, 건식 식각 공정의 불량이 유발될 수 있다. 예컨대, 웨이퍼 상에 식각 부산물들이 퇴적량이 증가되거나, 물질의 화학적 변형이 유발될 수 있다.In order to perform the dry etching process, the process temperature in the process chamber, in particular, the temperature of the wafer on which the dry etching process is performed is treated as an important factor. If the temperature of the wafer is lower or higher than the appropriate temperature, a defect in the dry etching process may be caused. For example, etching byproducts on the wafer may increase in deposition amount or cause chemical deformation of the material.

통상적으로, 건식 식각 장비는 공정을 진행하는 동안에, 척을 이용하여 웨이퍼의 온도를 조절할 수 있다. 예컨대, 척에 포함된 히터를 이용하여 웨이퍼를 가열하거나, 척에 포함된 냉각 수단(ex, 냉각 가스등)을 이용하여 웨이퍼를 쿨링(cooling)할 수 있다. 이와 같이 웨이퍼의 온도를 척을 이용하여 조절하고 웨이퍼가 척 상에 고정되기 때문에, 통상적인 건식 식각 장비는 웨이퍼의 온도와 척의 온도를 동일한 것으로 간주한다. 이에 따라, 척의 온도를 측정하고 이를 웨이퍼의 온도로 간주하여 공정 조건을 구하고 반도체 공정을 수행한다.Typically, dry etching equipment may use a chuck to adjust the temperature of the wafer during the process. For example, the wafer may be heated using a heater included in the chuck, or the wafer may be cooled using cooling means (ex, cooling gas, etc.) included in the chuck. As such, since the temperature of the wafer is controlled by the chuck and the wafer is fixed on the chuck, conventional dry etching equipment regards the temperature of the wafer and the temperature of the chuck as the same. Accordingly, the temperature of the chuck is measured and it is regarded as the temperature of the wafer to obtain the process conditions and perform the semiconductor process.

하지만, 척과 웨이퍼가 직접 접촉하고 있으나, 척의 온도와 웨이퍼의 온도가 여러가지 원인들에 의해 차이날 수 있다. 예컨대, 재질의 차이에 의한 척의 열전도성과 웨이퍼의 열전도성의 차이에 의하여 척의 온도와 웨이퍼의 온도가 서로 다를 수 있다. 반도체 소자의 고집적화 경향이 심화됨에 따라, 패턴들의 선폭 또는/및 물질막의 두께가 점점 미세해지고 있다. 이로 인하여, 측정되는 척의 온도와 웨이퍼의 실온도간의 미세한 차이일지라도 건식 식각 공정등의 반도체 공정의 불량을 유발할 수 있다. 특히, 웨이퍼의 크기가 증가되어 균일성의 중요성이 부각되고 있는 현 시점에서, 미세한 온도 차이에 의한 반도체 공정의 불량은 웨이퍼내 균일성을 저하시키는 중요한 요인이 될 수 있다.However, although the chuck and the wafer are in direct contact, the temperature of the chuck and the wafer may vary due to various causes. For example, the temperature of the chuck and the temperature of the wafer may be different due to the difference in the thermal conductivity of the chuck and the thermal conductivity of the wafer. As the trend toward higher integration of semiconductor devices is intensified, the line widths of the patterns and / or the thicknesses of the material films are becoming finer. As a result, even a minute difference between the temperature of the chuck measured and the room temperature of the wafer may cause a defect in a semiconductor process such as a dry etching process. In particular, at the present time when the size of the wafer is increased and the importance of uniformity is emphasized, a defect in the semiconductor process due to a minute temperature difference may be an important factor to lower the uniformity in the wafer.

본 발명은 상술한 제반적인 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼의 온도를 실시간으로 모니터닝할 수 있는 척을 구비하는 반도체 장비를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned general problems, and a technical object of the present invention is to provide a semiconductor device having a chuck that can monitor the temperature of the wafer in real time.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 웨이퍼의 온도를 실시간으로 모니터링하여 반도체 공정의 불량을 최소화할 수 있는 척을 구비하는 반도체 장비를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor device having a chuck that can minimize the defect of the semiconductor process by monitoring the temperature of the wafer in real time.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 웨이퍼의 영역별 온도를 실시간으로 모니터링하여 반도체 공정의 불량을 최소화할 수 있는 척을 구비하는 반도체 장비를 제공하는데 있다.Another technical object of the present invention is to provide a semiconductor device having a chuck that can minimize the defect of the semiconductor process by monitoring the temperature of each region of the wafer in real time.

상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 척을 구비하는 반도체 장비를 제공한다. 이 장비는 소정의 반도체 공정이 수행되는 내부 공간을 갖는 공정 챔버, 상기 공정 챔버내에 배치되되, 웨이퍼가 로딩되는 상부면을 갖는 척, 및 상기 척내에 배치되되, 상기 로딩된 웨이퍼의 온도를 측정하는 복수개의 서로 이격된 온도 감지 수단들을 포함한다.Provided is a semiconductor device having a chuck for solving the above technical problems. The equipment includes a process chamber having an internal space in which a predetermined semiconductor process is performed, a chuck having an upper surface on which a wafer is loaded, and a chuck disposed on the chuck, for measuring a temperature of the loaded wafer. And a plurality of spaced apart temperature sensing means.

구체적으로, 상기 장비는 상기 온도 감지 수단 상에 배치된 보호 수단을 더 포함할 수 있다. 상기 보호 수단은 투명한 재질로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 온도 감지 수단은 적외선 온도 감지 수단일 수 있다. 상기 장비는 상기 온도 감지 수단들에 의해 측정된 온도 데이타들을 실시간으로 전송 받는 제어부를 더 포함할 수 있다. 상기 제어부에는 기준 온도 범위가 저장되고, 상기 제어부는 상기 전송 받은 온도 데이타들과 상기 기준 온도 범위를 비교한다. 상기 제어부는 상기 전송받은 온도 데이타들이 상기 기준 온도 범위를 벗어나는 경우에 상기 수행되는 반도체 공정을 정지시킬 수 있다. 상기 장비는 상기 온도 감지 수단들로 부터 측정된 온도 데이타들을 취합하는 모니터링부를 더 포함할 수 있다. 상기 모니터링부는 상기 취합된 온도 데이타들을 상기 제어부에 전송한다. 상기 온도 감지 수단들은 상기 척의 상부면에 균일한 간격으로 배치될 수 있다.Specifically, the equipment may further comprise protection means arranged on the temperature sensing means. The protection means is preferably made of a transparent material, the temperature sensing means may be an infrared temperature sensing means. The equipment may further include a control unit for receiving in real time the temperature data measured by the temperature sensing means. The reference temperature range is stored in the controller, and the controller compares the received temperature data with the reference temperature range. The controller may stop the semiconductor process performed when the received temperature data are out of the reference temperature range. The equipment may further comprise a monitoring unit for collecting the temperature data measured from the temperature sensing means. The monitoring unit transmits the collected temperature data to the control unit. The temperature sensing means may be arranged at uniform intervals on the upper surface of the chuck.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 척을 구비하는 반도체 장비를 보여주는 도 면이고, 도 2는 도 1의 A 부분을 확대한 도면이다.1 is a view illustrating a semiconductor device having a chuck according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of a portion A of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 장비는 소정의 반도체 공정이 수행되는 빈 공간을 갖는 공정 챔버(100)와, 상기 공정 챔버(100)내에 배치된 척(110)을 포함한다. 상기 척(110)은 웨이퍼(W)가 로딩되는 상부면을 갖는다. 상기 반도체 장비는 건식 식각 장비일 수 있다. 이와는 다르게, 상기 반도체 장비는 물리 기상 증착 장비일 수 있다. 이 경우에, 상기 척(110) 상부의 상기 공정 챔버(100)내에 증착을 위한 물질 타켓이 배치될 수 있다. 이와는 또 다르게, 상기 반도체 장비는 매엽식(single wafer type)으로 진행하는 화학기상 증착 장비일 수도 있다.1 and 2, a semiconductor device includes a process chamber 100 having an empty space in which a predetermined semiconductor process is performed, and a chuck 110 disposed in the process chamber 100. The chuck 110 has an upper surface on which the wafer W is loaded. The semiconductor equipment may be dry etching equipment. Alternatively, the semiconductor equipment may be physical vapor deposition equipment. In this case, a material target for deposition may be disposed in the process chamber 100 above the chuck 110. Alternatively, the semiconductor device may be a chemical vapor deposition device proceeding in a single wafer type.

상기 척(110)내에 복수개의 온도 감지 수단들(120)이 서로 이격되어 배치된다. 상기 온도 감지 수단들(120)은 로딩된 웨이퍼(W)의 온도를 실시간으로 측정한다. 예컨대, 상기 온도 감지 수단(120)은 적외선 열감지 센서일 수 있다. 상기 온도 감지 수단들(120)은 상기 척(110)의 윗부분에 배치되어 상기 로딩된 웨이퍼(W)를 향한다. 상기 온도 감지 수단(120) 상에는 보호 수단(122)이 배치될 수 있다. 상기 보호 수단(122)은 내열성이 우수하고 투명한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 이로써, 상기 온도 감지 수단(120)은 상기 보호 수단(122)에 의하여 열 또는 플라즈마등으로부터 보호되며, 상기 보호 수단(122)을 통하여 상기 로딩된 웨이퍼(W)에 적외선등을 주사할 수 있다.A plurality of temperature sensing means 120 is disposed spaced apart from each other in the chuck 110. The temperature sensing means 120 measures the temperature of the loaded wafer W in real time. For example, the temperature sensing means 120 may be an infrared heat sensor. The temperature sensing means 120 is disposed above the chuck 110 to face the loaded wafer W. The protection means 122 may be disposed on the temperature sensing means 120. The protection means 122 is preferably made of a transparent material having excellent heat resistance. As a result, the temperature sensing means 120 may be protected from heat or plasma by the protection means 122, and may scan infrared light into the loaded wafer W through the protection means 122.

상기 온도 감지 수단들(120)은 상기 척(110) 상부면에 균일한 간격으로 배치되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 영역별 온도들을 실시간으로 감지할 수 있다.The temperature sensing means 120 is preferably disposed at a uniform interval on the upper surface of the chuck 110. Accordingly, the temperatures for each region of the loaded wafer W may be detected in real time.

상기 온도 감지 수단들(120)은 모니터링부(130, monitoring part)에 전기적으로 접속될 수 있다. 상기 모니터링부(130)은 상기 온도 감지 수단들(120)에 의해 감지된 웨이퍼(W)의 온도들을 실시간으로 모니터닝한다. 상기 모니터링부(130)에는 디스플레이(display) 수단이 포함되어 있어, 상기 감지된 온도들을 실시간으로 디스플레이할 수 있다.The temperature sensing means 120 may be electrically connected to a monitoring part 130. The monitoring unit 130 monitors the temperatures of the wafer W sensed by the temperature sensing means 120 in real time. The monitoring unit 130 includes a display means to display the sensed temperatures in real time.

상기 모니터링부(130)는 상기 측정된 온도들을 제어부(140)에 실시간으로 전송한다. 상기 제어부(140, control part)에는 데이타들을 저장할 수 있는 저장 수단 및 데이타들간의 비교하는 제어기(controller)를 포함한다. 상기 제어부(140)에는 기준온도 범위가 저장되는 것이 바람직하다. 상기 제어부(140)는 상기 전송된 온도들을 상기 기준온도 범위와 실시간으로 비교한다. 상기 제어부(140)는 상기 공정 챔버(100)를 포함한 상기 반도체 장비를 제어한다. 특히, 상기 제어부(140)는 상기 공정 챔버(100)내에서 진행되고 있는 반도체 공정을 중단시킬 수 있다. 상기 온도 감지 수단들(120)은 측정된 온도들을 상기 제어부(140)로 직접 전송할 수도 있다. 이 경우에, 상기 모니터닝부(130)는 생략될 수도 있다.The monitoring unit 130 transmits the measured temperatures to the control unit 140 in real time. The control part 140 includes a storage means for storing data and a controller for comparing the data. Preferably, the control unit 140 stores a reference temperature range. The controller 140 compares the transmitted temperatures with the reference temperature range in real time. The controller 140 controls the semiconductor equipment including the process chamber 100. In particular, the control unit 140 may stop the semiconductor process that is in progress in the process chamber 100. The temperature sensing means 120 may directly transmit the measured temperatures to the controller 140. In this case, the monitoring unit 130 may be omitted.

상술한 구조의 반도체 장비를 사용하여 반도체 공정을 진행하는 방법을 도 3의 플로우 챠트를 참조하여 설명한다.A method of performing a semiconductor process using the semiconductor equipment having the above-described structure will be described with reference to the flowchart of FIG. 3.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장비의 동작 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.3 is a flowchart illustrating a method of operating a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 먼저, 상기 제어부(140)에 기준온도범위를 저장한다(S200). 상기 공정 챔버(100)내에서 수행되는 반도체 공정이 요구되는 웨 이퍼(W)의 기준온도 범위를 상기 제어부(140)에 저장한다.1, 2 and 3, first, the reference temperature range is stored in the control unit 140 (S200). The reference temperature range of the wafer W, which requires the semiconductor process performed in the process chamber 100, is stored in the controller 140.

공정이 수행될 웨이퍼(W)를 상기 공정 챔버(100)내에 상기 척(110) 상에 로딩시킨다(S210). 이어서, 소정의 반도체 공정을 수행함과 더불어 온도 감지 수단들(120)에 의하여 상기 로딩된 웨이퍼(W)의 온도를 실시간으로 측정한다(S220). 상기 소정의 반도체 공정은 건식 식각 공정, 물리기상 증착 공정 또는 화학기상 증착 공정등일 수 있다. 상기 온도 감지 수단들(120)은 상기 웨이퍼(W)가 로딩된 직후부터 상기 웨이퍼(W)의 온도를 실시간으로 측정할 수 있다. 상기 온도 감지 수단들(120)에 의해 측정된 온도 데이타들은 상기 모니터링부(130)로 전송된다.The wafer W to be processed is loaded on the chuck 110 in the process chamber 100 (S210). Subsequently, a predetermined semiconductor process is performed and the temperature of the loaded wafer W is measured by the temperature sensing means 120 in real time (S220). The predetermined semiconductor process may be a dry etching process, a physical vapor deposition process or a chemical vapor deposition process. The temperature sensing means 120 may measure the temperature of the wafer W in real time immediately after the wafer W is loaded. Temperature data measured by the temperature sensing means 120 is transmitted to the monitoring unit 130.

이어서, 상기 모니터링부(130)는 상기 측정된 온도 데이타들을 상기 제어부(140)로 실시간으로 전송한다(S230). 상술한 바와 같이, 상기 온도 감지 수단들(120)에 의해 측정된 웨이퍼의 온도 데이타들은 상기 모니터링부(130)를 경유하여 상기 제어부(140)에 전송될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 온도 감지 수단들(120)에 의해 측정된 웨이퍼의 온도 데이타들은 상기 제어부(140)에 직접 전송될 수도 있다.Subsequently, the monitoring unit 130 transmits the measured temperature data to the control unit 140 in real time (S230). As described above, temperature data of the wafer measured by the temperature sensing means 120 may be transmitted to the controller 140 via the monitoring unit 130. Alternatively, temperature data of the wafer measured by the temperature sensing means 120 may be directly transmitted to the controller 140.

상기 제어부(140)는 상기 전송된 온도 데이타들과 상기 저장된 기준온도 범위를 비교한다(S240). 상기 제어부(140)는 전송된 데이타들과 상기 기준온도 범위를 실시간으로 비교하는 것이 바람직하다. 상기 제어부(140)는 상기 전송된 데이타들이 상기 기준온도 범위내에 있을 경우, 상기 반도체 공정을 계속 진행하여 반도체 공정을 완료한다(S250). 이어서, 상기 웨이퍼(W)를 상기 공정 챔버(100)로부터 언로딩(unloading)한다(S260).The controller 140 compares the transmitted temperature data with the stored reference temperature range (S240). The controller 140 preferably compares the transmitted data with the reference temperature range in real time. If the transmitted data is within the reference temperature range, the controller 140 continues the semiconductor process to complete the semiconductor process (S250). Subsequently, the wafer W is unloaded from the process chamber 100 (S260).

이와는 다르게, 전송된 데이타들이 상기 기준온도 범위를 벗어나는 경우, 상기 제어부(140)는 수행되고 있는 반도체 공정을 즉시 중단시킨다(S270). 상기 제어부(140)는 상기 반도체 공정을 중단한 후에, 경고음 또는/및 경고등을 작동시킬 수 있다. 상기 제어부(140)는 상기 반도체 공정을 중단함과 더불어 상기 웨이퍼(W)를 상기 공정 챔버(100)로부터 언로딩할 수도 있다.Unlike this, when the transmitted data are out of the reference temperature range, the controller 140 immediately stops the semiconductor process being performed (S270). After stopping the semiconductor process, the controller 140 may operate a warning sound and / or a warning light. The controller 140 may stop the semiconductor process and unload the wafer W from the process chamber 100.

이어서, 작업자등에 의하여 상기 반도체 장비를 점검한다(S280). 상기 웨이퍼(W)는 상기 반도체 장비를 점검하는 도중에 상기 공정 챔버(100)로부터 언로딩될 수도 있다.Subsequently, the semiconductor device is inspected by an operator (S280). The wafer W may be unloaded from the process chamber 100 during the inspection of the semiconductor equipment.

상기 반도체 장비의 점검(S280)이 완료된 후에, 웨이퍼(W)를 상기 공정 챔버(100)내로 재 로딩시킨다(S210). 이어서, 상술한 단계들(S220, S230, S240)을 계속 진행하여 반도체 공정을 완료할 수 있다.After the inspection (S280) of the semiconductor equipment is completed, the wafer (W) is reloaded into the process chamber 100 (S210). Subsequently, the above-described steps S220, S230, and S240 may be continued to complete the semiconductor process.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 척에 복수개의 온도 감지 수단들이 서로 이격되어 배치된다. 이에 따라, 상기 척 상에 로딩된 웨이퍼의 영역별로 온도를 실시간으로 측정할 수 있다. 또한, 제어부가 측정된 웨이퍼의 온도들과 기준온도 범위를 비교하여 비정상적인 온도들이 측정될 경우, 수행중인 반도체 공정을 중단하여 반도체 소자의 불량을 최소화할 수 있다.As described above, according to the present invention, a plurality of temperature sensing means are arranged spaced apart from each other on the chuck. Accordingly, the temperature may be measured in real time for each region of the wafer loaded on the chuck. In addition, when abnormal temperatures are measured by comparing the measured temperatures of the wafer with the reference temperature range, the controller may stop the semiconductor process being performed to minimize defects of the semiconductor device.

Claims (6)

소정의 반도체 공정이 수행되는 내부 공간을 갖는 공정 챔버;A process chamber having an internal space in which a predetermined semiconductor process is performed; 상기 공정 챔버내에 배치되되, 웨이퍼가 로딩되는 상부면을 갖는 척; 및A chuck disposed within said process chamber, said chuck having a top surface upon which a wafer is loaded; And 상기 척내에 배치되되, 상기 로딩된 웨이퍼의 온도를 측정하는 복수개의 서로 이격된 온도 감지 수단들를 포함하는 반도체 장비.And a plurality of spaced apart temperature sensing means arranged in the chuck to measure the temperature of the loaded wafer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 온도 감지 수단 상에 배치된 보호 수단을 더 포함하되, 상기 보호 수단은 투명한 재질로 이루어지고, 상기 온도 감지 수단은 적외선 온도 감지 수단인 것을 특징으로 하는 반도체 장비.And a protection means disposed on the temperature sensing means, wherein the protection means is made of a transparent material, and the temperature sensing means is an infrared temperature sensing means. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 온도 감지 수단들에 의해 측정된 온도 데이타들을 실시간으로 전송 받는 제어부를 더 포함하되, 상기 제어부에는 기준 온도 범위가 저장되고, 상기 제어부는 상기 전송 받은 온도 데이타들과 상기 기준 온도 범위를 비교하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비.The controller may further include a controller configured to receive the temperature data measured by the temperature sensing means in real time, wherein the controller stores a reference temperature range, and the controller compares the received temperature data with the reference temperature range. Semiconductor equipment characterized by the above-mentioned. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제어부는 상기 전송받은 온도 데이타들이 상기 기준 온도 범위를 벗어 나는 경우에 상기 수행되는 반도체 공정을 정지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장비.And the controller stops the semiconductor process performed when the received temperature data is out of the reference temperature range. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 온도 감지 수단들로 부터 측정된 온도 데이타들을 취합하는 모니터링부를 더 포함하되, 상기 모니터링부는 상기 취합된 온도 데이타들을 상기 제어부에 전송하는 것을 특징으로 하는 반도체 장비.And a monitoring unit for collecting the temperature data measured by the temperature sensing means, wherein the monitoring unit transmits the collected temperature data to the control unit. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 온도 감지 수단들은 상기 척의 상부면에 균일한 간격으로 서로 이격된 것을 특징으로 하는 반도체 장비.And the temperature sensing means are spaced apart from each other at uniform intervals on the upper surface of the chuck.
KR1020050054578A 2005-06-23 2005-06-23 Semiconductor apparatus having a chuck KR20060134690A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050054578A KR20060134690A (en) 2005-06-23 2005-06-23 Semiconductor apparatus having a chuck

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050054578A KR20060134690A (en) 2005-06-23 2005-06-23 Semiconductor apparatus having a chuck

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060134690A true KR20060134690A (en) 2006-12-28

Family

ID=37813027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050054578A KR20060134690A (en) 2005-06-23 2005-06-23 Semiconductor apparatus having a chuck

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060134690A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5101490B2 (en) Accurate temperature measurement in semiconductor applications
JP2824003B2 (en) Substrate temperature measurement device
US9666408B2 (en) Apparatus and method for processing sample, and charged particle radiation apparatus
TWI643246B (en) Heat treatment device, abnormality detection method in heat treatment, and readable computer memory medium
TWI842882B (en) Plasma processing apparatus and temperature control method
US10607869B2 (en) Substrate processing system and control device
US10281520B2 (en) Diagnosing an abnormal state of a substrate-processing apparatus
US20200111650A1 (en) Plasma processing apparatus, monitoring method, and monitoring program
JP5699795B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
JP2008141086A (en) Apparatus for treating substrate
US20190035656A1 (en) Apparatus of controlling temperature in wafer cleaning equipment and method thereof
KR20060134690A (en) Semiconductor apparatus having a chuck
TWI572869B (en) Electronic parts conveyor and electronic parts inspection device
JP2009064934A (en) Abnormality detecting method for processing equipment, processing equipment and computer readable storage medium
JP2008258389A (en) Method of detecting abnormality of substrate processing apparatus, and substrate processing apparatus
KR102304462B1 (en) Temperature control apparatus of diffusion furnace for wafer depositing
US8450658B2 (en) Semiconductor processing apparatus
US20090039070A1 (en) Semiconductor equipment and breakdown precautionary system and method thereof
US20220270940A1 (en) Abnormality detection method and processing apparatus
KR20070053476A (en) Cooling apparatus for semiconductor manufacturing equipment
JPH11200053A (en) Vapor phase growth apparatus and cleaning method
JP2008141085A (en) Apparatus for treating substrate
KR20060121601A (en) Device for sensing the temperature of process chamber
JP2004071794A (en) Substrate treatment equipment
KR100807033B1 (en) Apparatus of procesing error in semi-conductor production device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination