KR100807033B1 - Apparatus of procesing error in semi-conductor production device - Google Patents

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KR100807033B1
KR100807033B1 KR1020060135693A KR20060135693A KR100807033B1 KR 100807033 B1 KR100807033 B1 KR 100807033B1 KR 1020060135693 A KR1020060135693 A KR 1020060135693A KR 20060135693 A KR20060135693 A KR 20060135693A KR 100807033 B1 KR100807033 B1 KR 100807033B1
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신경훈
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Abstract

An error processing apparatus of semiconductor device fabricating equipment is provided to overcome a shortcoming that a problem is not detected when the problem occurs in TCP(transformer coupled plasma) equipment, by detecting and processing an error when the current of the TCP equipment is monitored and the monitored current falls outside a scope of proper current. A heater unit generates heat according to supplied driving power. A current detecting unit(600) monitors the current of semiconductor fabricating equipment and supplies an error detection signal when the monitored current falls outside a scope of proper current. A control unit(400) controls the driving power supplied to the heater unit according to the inner temperature of the semiconductor fabricating equipment and stops driving of the fabricating equipment if the error detection signal is supplied from the current detection unit. The current detection unit can include a current measuring part(610) and a first relay(621). The current measuring part monitors heater control current supplied from the fabricating equipment to the heater unit to measure the quantity of current and supplies the error detection signal if the quantity of current exceeds the proper current. If the error detection signal is generated, the first relay performs a relay operation to apply the error detection signal to the control unit.

Description

반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치{apparatus of procesing error in semi-conductor production device}Apparatus of procesing error in semi-conductor production device}

도 1을 일반적인 반도체 소자 제조 장비인 TCP를 간략하게 설명하기 위한 도면.1 is a view for briefly explaining TCP which is a general semiconductor device manufacturing equipment.

도 2는 일반적인 TCP 장비의 히터를 제어하는 방식을 설명하기 위한 도면.2 is a view for explaining a method of controlling a heater of a general TCP equipment.

도 3은 TCP 장비에서 히터에 발생한 문제를 검출하지 못하는 경우를 예시한 도면.3 is a diagram illustrating a case where a problem occurring in the heater in the TCP equipment is not detected.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치를 설명하기 위한 블록 도면.4 is a block diagram illustrating an error processing apparatus of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치의 간략한 회로 도면.5 is a simplified circuit diagram of an error processing apparatus of semiconductor device manufacturing equipment according to a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

400 : 제어 수단 410 : 온도 센서400: control means 410: temperature sensor

420 : 컨트롤러 500 : 히터 수단420: controller 500: heater means

600 : 전류 검출 수단 610 : 전류 계측부600: current detection means 610: current measurement unit

621, 622 : 릴레이 621, 622: relay

본 발명은 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 반도체 소자 제조 장비 중 TCP 등 식각 장비에서 전류를 모니터링하여 적정 전류를 벗어나면, 히터에 문제가 생기는 경우, 문제가 검출 (detection)되지 않는다는 단점을 극복함은 물론, 식각 공정 중에 현상 공정에서 현상된 이상으로 웨이퍼에 폴리머(polymer) 등과 같은 파티클이 유발되지 않도록 방지할 수 있는 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an error processing apparatus of semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly, when a current is deviated from an appropriate current by monitoring current in an etching apparatus such as TCP among semiconductor device manufacturing equipment, a problem is detected when a heater occurs. The present invention relates to an error processing apparatus of a semiconductor device manufacturing equipment that overcomes the disadvantage of not being detected and also prevents particles such as polymers from being generated on the wafer from being developed in the developing process during the etching process. .

일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정은 반도체 웨이퍼 상에 이온 주입 공정, 사진 공정, 식각 공정, 확산 공정 및 금속 공정 등의 제조 공정이 반복 진행되어, 반도체 소자가 완성된다.In general, in the manufacturing process of a semiconductor device, manufacturing processes such as an ion implantation process, a photographic process, an etching process, a diffusion process, and a metal process are repeatedly performed on a semiconductor wafer, thereby completing the semiconductor device.

이러한, 반도체 소자의 제조 공정 중에 사진 공정은 박막이 형성된 반도체 기판상에 특정의 포토레지스트를 도포한 후, 포토레지스트 상에 회로가 설계된 레티클을 정렬하여 소정의 빛을 레티클을 통하여 포토레지스트에 조사하는 노광을 한 후, 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정이다.In the process of manufacturing a semiconductor device, a photo process is performed by applying a specific photoresist on a semiconductor substrate on which a thin film is formed, and then arranging a reticle having a circuit designed on the photoresist to irradiate the photoresist with predetermined light through the reticle After exposure, the development process is performed to form a photoresist pattern.

그리고, 식각 공정은 사진공정의 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하 여 하부막을 식각하여 소자 패턴을 형성하는 공정이다. The etching process is a process of forming a device pattern by etching the lower layer using the photoresist pattern of the photolithography process as an etching mask.

식각 공정의 식각 방법은 크게 습식 식각과 건식 식각으로 나눌 수 있으며, 습식 식각은 소자의 최소 선폭이 수백 내지 수십 ㎛ 대의 식각에 사용되었으나 현재는 집적도의 한계 때문에 거의 사용되지 않고 있다. The etching method of the etching process can be largely divided into wet etching and dry etching, and wet etching has been used for etching of a device having a minimum line width of several hundred to several tens of micrometers, but is currently rarely used due to the limitation of integration.

건식 식각은 활성 미립자와 대상 물질과의 화학 반응에 의하여 대상 물질을 제거하는 방법과 대상 물질을 물리적 이온충격으로 파괴하여 제거하는 방법 등 두 가지로 구분될 수 있으며, 식각 장비로는 알아이이(RIE : Reactive Ion Etcher), 알아이비이(RIBE : Reactive Ion Beam Etcher), 이시알피이(ECRPE : Electron Cyclotron Resonance Plasma Etcher), 아이시피이(ICPE : Inductive Coupled Plasma Etcher) 및 티시피이(TCP ; Transformer Coupled Plasma) 등이 있다.Dry etching can be classified into two methods: the removal of the target material by chemical reaction between the active fine particles and the target material, and the method of destroying and removing the target material by physical ion bombardment. : Reactive Ion Etcher), RIBE: Reactive Ion Beam Etcher, ECRPE: Electron Cyclotron Resonance Plasma Etcher, ICPE: Inductive Coupled Plasma Etcher and TCP: Transformer Coupled Plasma There is this.

TCP 장비는 터보 매니폴드의 온도(Turbo manifold Temp)를 제어하기 위하여 히터 자켓을 구비하여 터보 수단의 온도를 제어한다.The TCP equipment includes a heater jacket to control the temperature of the turbo means in order to control the temperature of the turbo manifold.

그러나, TCP 장비의 터보 매니폴드는 메인 챔버 벽(Main Chamber Wal)과 터보 펌프(Turbo Pump)에 위치하며, 재질은 금속 재질인 스테인레스 강(steel use stainless :SUS)으로 이루어진다.However, the turbo manifold of the TCP equipment is located on the main chamber wall and the turbo pump, and the material is made of steel use stainless steel (SUS).

스테인레스 강은 열전도도가 우수하게 때문에 가열(Heating)할 때는 우수한 효과를 기대할 수 있지만, 히터에 문제가 생기는 경우, 문제가 검출 (detection)되지 않는다는 치명적인 단점을 가지게 된다.Since stainless steel has excellent thermal conductivity, an excellent effect can be expected when heating, but it has a fatal disadvantage that a problem is not detected when a heater occurs.

이는, 메임 챔버 벽은 적정 온도를 섭씨 70도를 사용하고, 터보 펌프는 섭씨 60도를 사용하는데, 터보 매니폴드의 히터에 문제가 생기는 경우라도 메인 챔버와 터보 수단의 온도가 전도되어 상호 연동(interlock) 하한선이 섭씨 50도 이하로 떨어지지 않게 된다.This means that the main chamber wall uses an appropriate temperature of 70 degrees Celsius and the turbo pump uses 60 degrees Celsius. interlock) The lower limit does not fall below 50 degrees Celsius.

도 1을 일반적인 반도체 소자 제조 장비인 TCP를 간략하게 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for briefly explaining TCP which is a general semiconductor device manufacturing equipment.

도 1을 참조하면, 메인 챔버(10)와 터보 펌프(30) 사이에 터보 매니폴드(20)가 위치한다.Referring to FIG. 1, a turbo manifold 20 is positioned between the main chamber 10 and the turbo pump 30.

따라서, 터보 매니폴드(20)의 히터에 문제가 생기는 경우, 열이 메인 챔버(10)와 터보 매니폴드(20)로 전도되어도 상호 연동 하한선인 섭씨 50도 이하로 떨어지지 않게 된다.Therefore, when a problem occurs in the heater of the turbo manifold 20, even if heat is conducted to the main chamber 10 and the turbo manifold 20, it does not fall below 50 degrees Celsius, which is the lower limit of the interaction.

도 2는 일반적인 TCP 장비의 히터를 제어하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a method of controlling a heater of a general TCP equipment.

도 2를 참조하면, 히터를 제어하는 제어 수단(40)과, 제어 수단(40)의 제어를 받아 열을 발생시키는 히터 수단(50)을 포함한다.Referring to FIG. 2, a control means 40 for controlling the heater and a heater means 50 for generating heat under the control of the control means 40 are included.

제어 수단(40)의 컨트롤러(42)는 온도 센서(41)가 센싱하는 히터 내부의 온도, 즉, 온도 센서(41)의 전압(voltage)을 확인하여 온도를 인식하고, 히터 내부의 온도가 적정 온도보다 낮으면, 히터 수단(50)에 구동 전원(AC Power)을 인가하고, 적정 온도보다 높으면, 구동 전원(AC Power)을 차단한다.The controller 42 of the control means 40 recognizes the temperature by checking the temperature inside the heater sensed by the temperature sensor 41, that is, the voltage of the temperature sensor 41, and the temperature inside the heater is appropriate. If lower than the temperature, drive power (AC Power) is applied to the heater means 50, and if higher than the appropriate temperature, the drive power (AC Power) is cut off.

히터 수단(50)은 구동 전원이 인가되면, 히터(51)를 가동시켜 열을 발생시킨다.When drive power is applied, the heater means 50 activates the heater 51 to generate heat.

그러나, 이러한 기존의 히터를 제어하는 방식은 히터 내부의 온도를 센싱하 여 적정 온도를 유지 하는 방식으로, 터보 매니폴드에 문제가 생겼을 때 이를 검출할 수는 없는 문제가 있다.However, the conventional method of controlling the heater is a method of maintaining a proper temperature by sensing the temperature inside the heater, there is a problem that can not be detected when a problem occurs in the turbo manifold.

도 3은 TCP 장비에서 히터에 발생한 문제를 검출하지 못하는 경우를 예시한 도면이다.3 is a diagram illustrating a case in which TCP equipment does not detect a problem occurring in a heater.

도 3에 도시된 바와 같이, 식각 공정 중에 현상 공정에서 현상된 이상으로 웨이퍼에 폴리머(polymer) 등과 같은 파티클이 유발됨을 알 수 있다.As shown in FIG. 3, it can be seen that particles such as polymers are induced on the wafer beyond those developed in the developing process during the etching process.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 반도체 소자 제조 장비 중 TCP 장비에서 히터에 문제가 생기는 경우, 문제가 검출 (detection)되지 않는다는 단점을 해소하기 위하여, TCP 장비의 전류를 모니터링하여 적정 전류를 벗어나면, 에러를 검출하여 에러 처리할 수 있는 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치를 제공하는 것에 그 목적이 있다.Therefore, the present invention was devised to solve the above problems, and in order to solve the disadvantage that the problem is not detected when a heater occurs in the TCP device of the semiconductor device manufacturing equipment, the current of the TCP device is reduced. It is an object of the present invention to provide an error processing apparatus of a semiconductor device manufacturing equipment capable of detecting and error-processing an error if it is out of an appropriate current by monitoring.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치는, 공급되는 구동 전원에 따라 열을 발생시키는 히터 수단과, 제조 장비의 전류를 모니터링하여 적정 전류를 벗어나면, 에러 검출 신호를 제공하는 전류 검출 수단과, 제조 장비의 내부 온도에 따라 히터 수단으로 공급되는 구동 전원을 제어하고, 전류 검출 수단으로부터 에러 검출 신호가 제공되면, 제조 장비 에 구동을 중단시키는 제어 수단을 포함한다.The error processing apparatus of the semiconductor device manufacturing equipment according to an aspect of the present invention for achieving the above object is a heater means for generating heat in accordance with the supplied driving power, and if the current of the manufacturing equipment is out of the proper current, A current detecting means for providing an error detecting signal, and a control means for controlling the driving power supplied to the heater means in accordance with the internal temperature of the manufacturing equipment, and stopping the driving to the manufacturing equipment when the error detecting signal is provided from the current detecting means. Include.

본 발명에 따른 전류 검출 수단은, 제조 장비에서 히터 수단으로 공급하는 히터 제어 전류를 모니터링하여 전류 양을 계측하고, 전류 양이 적정 전류 양을 초과하면, 에러 검출 신호를 제공하는 전류 계측부와, 에러 검출 신호가 발생되면, 릴레이 동작하여 제어 수단으로 에러 검출 신호를 인가라는 제 1 릴레이를 포함한다.The current detecting means according to the present invention comprises: a current measuring unit for monitoring the heater control current supplied from the manufacturing equipment to the heater means to measure the amount of current, and providing an error detection signal if the amount of current exceeds the appropriate amount of current; When the detection signal is generated, the relay operation includes a first relay to apply the error detection signal to the control means.

본 발명에 따른 제어 수단은, 제조 장비의 내부 온도를 센싱하는 온도 센서와, 온도 센서에서 센싱된 내부 온도가 적정 온도를 초과하면, 구동 전원의 공급을 중단하고, 내부 온도가 적정 온도보다 낮으면, 구동 전원을 공급하는 컨트롤러와, 온도 센서와 일측이 연결되고, 전류 검출 수단으로부터 에러 검출 신호를 인가받는 제 3 릴레이를 포함한다.The control means according to the present invention, if the temperature sensor for sensing the internal temperature of the manufacturing equipment, and the internal temperature sensed by the temperature sensor exceeds the appropriate temperature, the supply of the drive power is stopped, if the internal temperature is lower than the appropriate temperature And a third relay connected to the controller for supplying driving power, the temperature sensor and one side, and receiving an error detection signal from the current detection means.

본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치에서 제 1 릴레이가 에러 검출 신호를 릴레이 B-접점 방식으로 제 3 릴레이로 인가하는 것을 특징으로 한다.In the error processing apparatus of the semiconductor device manufacturing equipment according to the present invention, the first relay applies the error detection signal to the third relay in a relay B-contact manner.

이하, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세 설명한다.Hereinafter, an error processing apparatus of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치를 설명하기 위한 블록 도면이다.4 is a block diagram illustrating an error processing apparatus of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention.

도 4를 참조하면, 전류 검출 수단(600)과 제어 수단(400) 및 히터 수단(500) 을 구비한다.Referring to FIG. 4, a current detecting means 600, a control means 400, and a heater means 500 are provided.

전류 검출 수단(600)은 TCP 장비의 전류를 모니터링하고, 전류가 적정 전류를 벗어나는 경우, 에러 검출 신호를 제어 수단(400)으로 전송한다.The current detecting means 600 monitors the current of the TCP equipment, and transmits an error detection signal to the control means 400 when the current is out of the proper current.

이하 본 발명의 상세 설명에서는 전류 검출 수단(600)이 히터 수단(500)으로 인가되는 히터 제어 전류를 모니터링하여 적정 전류를 초과하는 경우, 에러 검출 신호를 제어 수단(400)으로 전송하는 경우에 대하여 설명하나, 기타 전류를 모니터링하는 경우도 이와 동일하게 적용될 수 있다.Hereinafter, in the detailed description of the present invention, a case in which the current detecting means 600 monitors a heater control current applied to the heater means 500 and transmits an error detection signal to the control means 400 when the proper current is exceeded. However, the same applies to the case of monitoring other currents.

그리고, 제어 수단(400)은 히터 내부의 온도를 확인하고, 히터 내부의 온도가 적정 온도보다 낮으면, 히터 수단(500)에 구동 전원(AC Power)을 인가하고, 적정 온도보다 높으면, 구동 전원(AC Power)을 차단한다.Then, the control means 400 checks the temperature inside the heater, and if the temperature inside the heater is lower than the proper temperature, applies the driving power (AC Power) to the heater means 500, and if the temperature is higher than the proper temperature, the driving power Shut off (AC Power).

제어 수단(400)은 전류 검출 수단(600)으로부터 에러 검출 신호가 수신되면, TCP 장비에 문제가 발생한 것을 판단하여 TCP 장비의 동작을 중단시켜, 식각 공정 중에 현상 공정에서 현상된 이상으로 웨이퍼에 폴리머(polymer) 등과 같은 파티클이 유발되어 불량이 발생하지 않도록 한다.When the error detection signal is received from the current detecting means 600, the control means 400 determines that a problem has occurred in the TCP equipment, stops the operation of the TCP equipment, and polymerizes the wafer to the abnormality developed in the developing process during the etching process. Particles such as polymers are induced to prevent defects.

그리고, 히터 수단(50)은 구동 전원이 인가되면, 히터를 가동시켜 열을 발생시킨다.When the driving power is applied, the heater means 50 operates the heater to generate heat.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치의 간략한 회로 도면이다.5 is a simplified circuit diagram of an error processing apparatus of a semiconductor device manufacturing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 전류 검출 수단(600)은 전류 계측부(610)와, 복수개의 릴레이(621, 622)를 구비한다.As shown in FIG. 5, the current detecting unit 600 includes a current measuring unit 610 and a plurality of relays 621 and 622.

전류 계측부(610)는 히터 수단(500)으로 인가되는 히터 제어 전류를 모니터링하여 전류 양을 계측한다.The current measuring unit 610 measures the amount of current by monitoring the heater control current applied to the heater means 500.

그리고, 전류 계측부(610)는 계측된 전류 양이 적정 전류 양을 초과하면, 에러 검출 신호를 제어 수단(400)으로 인가한다.If the measured current amount exceeds the appropriate current amount, the current measuring unit 610 applies the error detection signal to the control means 400.

이때, 전류 검출 수단(600)은 계측된 전류 양이 적정 전류 양을 초과하면, 제 1 릴레이(621)를 동작시켜 에러 검출 신호인 상호 연동(Interlock) 신호를 제어 수단(400)으로 인가한다.At this time, when the measured current amount exceeds the appropriate current amount, the current detecting means 600 operates the first relay 621 to apply an interlock signal, which is an error detection signal, to the control means 400.

그리고, 전류 검출 수단(600)은 리셋부(RESET) 및 제 2 릴레이(622)를 구비하여, 작업자가 TSP 장비를 리셋하거나, 전류 검출 수단(60)을 리셋할 수 있도록 한다In addition, the current detecting means 600 includes a reset unit RESET and a second relay 622 to enable an operator to reset the TSP equipment or to reset the current detecting means 60.

그리고, 제어 수단(400)은 컨트롤러(420), 온도 센서(410) 제 3 릴레이(430)을 구비하며, 컨트롤러(42)는 온도 센서(410)의 전압(voltage)을 확인하여 온도를 인식하고, 히터 내부의 온도가 적정 온도보다 낮으면, 히터 수단(500)에 구동 전원(AC Power)을 인가하고, 적정 온도보다 높으면, 구동 전원(AC Power)을 차단한다.In addition, the control means 400 includes a controller 420, a temperature sensor 410, and a third relay 430, and the controller 42 checks a voltage of the temperature sensor 410 to recognize a temperature. When the temperature inside the heater is lower than the proper temperature, the drive power (AC Power) is applied to the heater means 500, and when the temperature inside the heater is higher than the proper temperature, the drive power (AC Power) is cut off.

한편, 제어 수단(400)은 전류 검출 수단(600)으로부터 에러 검출 신호가 수신되면, 제 3 릴레이(430)가 구동되어, TCP 장비에 문제가 발생한 것을 판단하여 TCP 장비의 동작을 중단시키거나, 히터 수단(500)으로 인가되는 구동 전원을 중단시켜, 식각 공정 중에 현상 공정에서 현상된 이상으로 웨이퍼에 폴리머(polymer) 등과 같은 파티클이 유발되어 불량이 발생하지 않도록 한다.On the other hand, when the error detection signal is received from the current detection means 600, the control means 400 is driven by the third relay 430, and determines that a problem has occurred in the TCP equipment to stop the operation of the TCP equipment, The driving power applied to the heater means 500 is stopped to prevent particles such as polymers from being generated on the wafer in the etching process.

이때, 전류 검출 수단(600)으로부터 제어 수단(400)으로 에러 검출 신호가 릴레이 B-접점 방식으로 전송될 수 있다.In this case, the error detection signal may be transmitted from the current detection means 600 to the control means 400 in a relay B-contact manner.

즉, 전류 검출 수단(600)과 제어 수단(400)이 메인 챔버를 통해 통신하지 않고, 상호 직접 통신을 할 수 있도록 제어 수단(400)의 온도 센서 신호에 에러 검출 신호를 릴레이 B-접목 방식으로 접목하는 것이 바람직하다.In other words, the current detection means 600 and the control means 400 does not communicate through the main chamber, but communicates with the temperature sensor signal of the control means 400 in a relay B-grafting manner so as to directly communicate with each other. It is desirable to graf.

그리고, 제 3 릴레이(430)의 일측은 온도 센서(410)와 연결되어, 전류 검출 수단(600)으로부터 에러 검출 신호가 인가되면, 릴레이 동작을 하여 온도 센서(410)의 구동을 중단시킨다.And, one side of the third relay 430 is connected to the temperature sensor 410, when the error detection signal is applied from the current detecting means 600, the relay operation to stop the driving of the temperature sensor 410.

따라서, 전류 검출 수단(600)에서 에러 검출 신호가 발생되면, 온도 센서(430)의 구동이 중단되어, 문제가 검출되는 즉시 에러를 처리할 수 있다.Therefore, when the error detection signal is generated in the current detecting means 600, the driving of the temperature sensor 430 is stopped, so that the error can be processed as soon as a problem is detected.

이상에서 본 발명은 기재된 구체 예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and changes are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 반도체 소자 제조 장비 중 TCP 장비에서 전류를 모니터링하여 적정 전류를 벗어나면, 히터에 문제가 생기는 경우, 문제가 검출 (detection)되지 않는다는 단점을 극복함은 물론, 식각 공정 중에 현상 공정에서 현상된 이상으로 웨이퍼에 폴리머(polymer) 등과 같은 파티클이 유발되지 않도록 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, if the current out of the proper current by monitoring the current in the TCP equipment of the semiconductor device manufacturing equipment, if a problem occurs in the heater, as well as overcome the disadvantage that the problem is not detected (detection), During the etching process, particles such as polymers may be prevented from being generated in the wafer beyond the development in the developing process.

또한, 본 발명에 따르면, 추가되는 전류 검출 수단이 제어 수단이 릴레이 B-점점 방식으로 직접 신호를 교환할 수 있다.Furthermore, according to the present invention, the additional current detecting means enables the control means to exchange signals directly in a relay B-point manner.

Claims (4)

반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치에 있어서,In the error processing device of the semiconductor device manufacturing equipment, 공급되는 구동 전원에 따라 열을 발생시키는 히터 수단과,A heater means for generating heat in accordance with the supplied driving power; 상기 제조 장비의 전류를 모니터링하여 적정 전류를 벗어나면, 에러 검출 신호를 제공하는 전류 검출 수단과,Current detecting means for monitoring an electric current of the manufacturing equipment and providing an error detection signal if it is out of an appropriate current; 상기 제조 장비의 내부 온도에 따라 상기 히터 수단으로 공급되는 상기 구동 전원을 제어하고, 상기 전류 검출 수단으로부터 상기 에러 검출 신호가 제공되면, 상기 제조 장비에 구동을 중단시키는 제어 수단을 포함하는 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치.And a control means for controlling the driving power supplied to the heater means in accordance with the internal temperature of the manufacturing equipment and stopping the driving to the manufacturing equipment when the error detection signal is provided from the current detecting means. Equipment for error handling. 제 1 항에 있어서, 상기 전류 검출 수단은,The method of claim 1, wherein the current detection means, 상기 제조 장비에서 상기 히터 수단으로 공급하는 히터 제어 전류를 모니터링하여 전류 양을 계측하고, 상기 전류 양이 적정 전류 양을 초과하면, 상기 에러 검출 신호를 제공하는 전류 계측부와,A current measuring unit which monitors a heater control current supplied from the manufacturing equipment to the heater means and measures the amount of current, and provides the error detection signal when the amount of current exceeds an appropriate amount of current; 상기 에러 검출 신호가 발생되면, 릴레이 동작하여 상기 제어 수단으로 상기 에러 검출 신호를 인가라는 제 1 릴레이를 포함하는 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치.And a first relay to operate the relay and apply the error detection signal to the control means when the error detection signal is generated. 제 1 항에 있어서, 상기 제어 수단은,The method of claim 1, wherein the control means, 상기 제조 장비의 내부 온도를 센싱하는 온도 센서와,A temperature sensor for sensing an internal temperature of the manufacturing equipment; 상기 온도 센서에서 센싱된 상기 내부 온도가 적정 온도를 초과하면, 상기 구동 전원의 공급을 중단하고, 상기 내부 온도가 적정 온도보다 낮으면, 상기 구동 전원을 공급하는 컨트롤러와, A controller for stopping the supply of the driving power when the internal temperature sensed by the temperature sensor exceeds an appropriate temperature, and supplying the driving power when the internal temperature is lower than an appropriate temperature; 상기 온도 센서와 일측이 연결되고, 상기 전류 검출 수단으로부터 상기 에러 검출 신호를 인가받는 제 3 릴레이를 포함하는 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치.And a third relay having one side connected to the temperature sensor and receiving the error detection signal from the current detecting means. 제 2항 또는 제 3항에 있어서, The method of claim 2 or 3, 상기 제 1 릴레이가 상기 에러 검출 신호를 릴레이 B-접점 방식으로 상기 제 3 릴레이로 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장비의 에러 처리 장치.And the first relay applies the error detection signal to the third relay in a relay B-contact manner.
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KR100365805B1 (en) 1999-03-26 2002-12-26 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 Method and device for high-temperature, high-pressure treatment of semiconductor wafer
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