KR20060133419A

KR20060133419A - Manufacturing process for photomask

Info

Publication number: KR20060133419A
Application number: KR1020050053244A
Authority: KR
Inventors: 정호용
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2005-06-20
Filing date: 2005-06-20
Publication date: 2006-12-26

Abstract

A method for manufacturing a mask for exposing is provided to revise a line width of a light-blocking layer pattern or a phase shift layer pattern when the line width being formed is greater than a desired line width by using a relationship between a line width and an etching rate. A light-blocking layer is formed on a mask substrate(100). A photoresist pattern(102) is formed on the light-blocking layer to define a light transparent region. The light-blocking layer is etched by using the photoresist pattern as a mask to form a light-blocking layer pattern(104). A line width of the light-blocking layer pattern is measured. In case the measured line width is greater than a desired line width of the light-blocking layer pattern, an etching process is proceeded during a predetermined time defined by a relationship of [(the measured line width - the desired line width)/(an etching ratio per hour of the light-blocking layer pattern)]. The photoresist pattern is removed.

Description

Manufacturing method of mask for exposure {MANUFACTURING PROCESS FOR PHOTOMASK}

도 1은 식각 시간에 따른 광차단막 패턴의 CD의 변화를 나타내는 그래프이고, 1 is a graph showing a change in the CD of the light blocking film pattern with the etching time,

도 2는 식각 시간에 따른 광차단막 패턴 CD의 균일도 변화를 나타내는 그래프이며,2 is a graph showing uniformity variation of the light blocking layer pattern CD according to etching time.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제 1 실시예에 따라 노광용 마스크를 제조하는 공정 순서도이고, 3A to 3D are process flowcharts for manufacturing an exposure mask according to the first embodiment of the present invention,

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 제 2 실시예에 따라 노광용 마스크를 제조하는 공정 순서도이다. 4A to 4E are process flowcharts for manufacturing an exposure mask according to a second embodiment of the present invention.

******주요부분의 설명************ Description of the main parts ******

100 : 마스크 기판 101 : 위상 반전막100 mask substrate 101 phase inversion film

102 : 감광막 패턴 104 : 광차단막 패턴102: photosensitive film pattern 104: light blocking film pattern

106 : 위상 반전막 패턴106: phase inversion film pattern

본 발명은 광차단막 패턴 또는 위상 반전막 패턴이 형성하고자 했던 것보다 큰 선폭으로 형성되었을 경우에도, 이를 원하는 선폭으로 보정하여 양호한 노광용 마스크를 제조할 수 있도록 하는 노광용 마스크의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing an exposure mask that can produce a good exposure mask by correcting it to a desired line width even when the light blocking film pattern or the phase reversal film pattern is formed to have a larger line width than intended.

노광용 마스크는 노광 장치와 함께 웨이퍼에 소정의 감광막 패턴을 전사하는 포토리소그라피 공정에 사용된다. 그런데, 최근 들어 반도체 소자가 점차 초미세화, 고집적화됨에 따라, 더욱 미세화된 선폭을 가지는 감광막 패턴을 웨이퍼에 형성할 필요가 생기게 되었으며, 이 때문에, 노광용 마스크 상에도 더욱 미세화된 선폭의 패턴을 구현해야할 필요성이 높아지게 되었다.An exposure mask is used in the photolithography process which transfers a predetermined | prescribed photosensitive film pattern to a wafer with an exposure apparatus. However, in recent years, as semiconductor devices become increasingly finer and more integrated, there is a need to form a photosensitive film pattern having a finer line width on a wafer, and therefore, a necessity of implementing a finer line width pattern on an exposure mask is also required. Became higher.

그런데, 이와 같이 더욱 초미세화된 선폭의 패턴을 노광용 마스크 상에 구현하고자 함에 따라, 현재의 노광 장치 및 식각 장비의 한계 등으로 인하여, 본래 형성하고자 했던 패턴의 선폭과 다른 선폭을 가지는 패턴이 노광용 마스크 상에 구현되는 경우가 더욱 많이 발생하게 되었다. 특히, 노광용 마스크 상에 본래 형성하고자 했던 선폭보다 큰 선폭을 가지는 패턴이 구현되는 경우, 이를 보정할 방법이 마땅히 없었기 때문에, 노광용 마스크를 다시 제작할 수 밖에 없었으며, 이로 인해 전체 공정의 경제성이 크게 저하되는 문제점이 있었다. However, as the ultrafine line width pattern is implemented on the exposure mask, a pattern having a line width different from the line width of the pattern originally intended to be formed is due to the limitations of the current exposure apparatus and the etching equipment. More implementations have occurred. In particular, when a pattern having a line width larger than the line width originally intended to be formed on the exposure mask is implemented, since there was no way to correct this, the exposure mask was forced to be manufactured again, which greatly reduced the economic efficiency of the entire process. There was a problem.

예를 들어, 마스크 기판 상에 크롬 등으로 이루어진 소정의 광차단막 패턴이 구현되는 바이너리 마스크(binary mask)에서는, 먼저, 마스크 기판 상에 크롬 등으로 이루어진 광차단막을 형성하고, 이러한 광차단막 위에 광투과 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성한 후, 이러한 감광막 패턴을 마스크로 상기 광차단막을 식각하여 광차단막 패턴을 형성하게 되는데, 이러한 광차단막 패턴 형성 공정에서, 현재 의 노광 장치의 한계로 인해, 상기 감광막 패턴이 본래 형성하고자 했던 것보다 큰 선폭으로 형성되어 광차단막 패턴 역시 본래 형성하고자 했던 것보다 큰 선폭으로 형성되거나, 현재의 식각 장비의 한계로 인하여 광차단막 패턴 자체가 본래 형성하고자 했던 것보다 큰 선폭으로 형성되는 경우가 점점 더 많이 발생하게 되었다. For example, in a binary mask in which a predetermined light blocking film pattern made of chromium or the like is implemented on a mask substrate, first, a light blocking film made of chromium or the like is formed on the mask substrate, and a light transmission layer is formed on the light blocking film. After forming a photoresist pattern defining a region, the photoresist is etched using the photoresist pattern as a mask to form a light shielding pattern. In the process of forming the light shielding layer pattern, due to the limitations of the current exposure apparatus, the photoresist The pattern is formed with a larger line width than originally intended to form the light shielding pattern, or the line width is larger than originally intended, or due to the limitations of current etching equipment, the line blocking pattern itself is larger than originally intended. More and more cases are formed.

또한, 마스크 기판 상에 MoSiON 등으로 이루어진 소정의 위상 반전막 패턴이 구현되는 감쇄 위상 반전 마스크(attenuated phase shift mask)의 경우에도, 상기 바이너리 마스크와 마찬가지 원인으로 인하여, 위상 반전막 패턴이 본래 형성하고자 했던 것보다 큰 선폭으로 형성되는 경우가 점점 더 많이 발생하게 되었다. Also, in the case of an attenuated phase shift mask in which a predetermined phase inversion film pattern made of MoSiON or the like is implemented on a mask substrate, the phase inversion film pattern is originally formed due to the same cause as the binary mask. More and more cases were formed with larger line widths than they had been.

이와 같이 상기 광차단막 패턴 또는 위상 반전막 패턴이 본래 형성하고자 했던 것보다 큰 선폭으로 형성되는 경우, 상술한 바와 같이, 현재까지는 마땅히 이를 보정할 방법이 없어서 제작된 바이너리 마스크 또는 감쇄 위상 반전 마스크 등을 폐기하고 다시 제작할 수 밖에 없었으므로, 종래부터 이를 보정하여 양호한 노광용 마스크로 제조할 수 있도록 하는 노광용 마스크의 제조 방법이 절실히 요구되어 왔다. As described above, when the light blocking film pattern or the phase reversal film pattern is formed to have a larger line width than that originally intended, as described above, a binary mask or attenuating phase reversal mask, etc., which have not been corrected so far, cannot be corrected. Since it has to be discarded and produced again, there has been a great demand for a method of manufacturing an exposure mask that has been conventionally corrected to produce a good exposure mask.

이에 본 발명은 광차단막 패턴 또는 위상 반전막 패턴이 형성하고자 했던 것보다 큰 선폭으로 형성된 경우에도, 이를 원하는 선폭으로 보정하여 양호한 노광용 마스크를 제조할 수 있도록 하는 노광용 마스크의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다. Accordingly, the present invention is to provide a method of manufacturing an exposure mask that can produce a good exposure mask by correcting it to a desired line width even when the light blocking film pattern or the phase reversal film pattern is formed to have a larger line width than desired. .

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따라, 마스크 기판 위에 광차단막을 형성하는 단계; 상기 광차단막 위에 광투과 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 광차단막을 식각하여 광차단막 패턴을 형성하는 단계; 상기 광차단막 패턴의 선폭을 측정하는 단계; 상기 측정된 선폭이 형성하고자 했던 광차단막 패턴의 선폭보다 크면, 상기 광차단막 패턴을 (광차단막 패턴의 측정된 선폭 - 형성하고자 했던 광차단막 패턴의 선폭)/(광차단막 패턴의 시간당 식각율)의 식으로 계산되는 소정 시간 동안 식각하는 단계; 및 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 노광용 마스크의 제조 방법을 제공한다. According to a first embodiment of the present invention for achieving the above object, forming a light blocking film on the mask substrate; Forming a photoresist pattern defining a light transmission region on the light blocking layer; Etching the light blocking film using the photoresist pattern as a mask to form a light blocking film pattern; Measuring a line width of the light blocking layer pattern; When the measured line width is larger than the line width of the light blocking film pattern to be formed, the light blocking film pattern is determined by (measured line width of the light blocking film pattern-line width of the light blocking film pattern to be formed) / (etching rate per hour of the light blocking film pattern). Etching for a predetermined time calculated by the formula; And it provides a method of manufacturing a mask for exposure comprising the step of removing the photosensitive film pattern.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 2 실시예에 따라, 마스크 기판 위에 위상 반전막 및 광차단막을 순차 형성하는 단계; 상기 광차단막 위에 광투과 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 마스크로 상기 광차단막을 식각하여 광차단막 패턴을 형성하는 단계; 상기 광차단막 패턴의 선폭을 측정하는 단계; 상기 측정된 선폭이 형성하고자 했던 광차단막 패턴의 선폭보다 크면, 상기 광차단막 패턴을 (광차단막 패턴의 측정된 선폭 - 형성하고자 했던 광차단막 패턴의 선폭)/(광차단막 패턴의 시간당 식각율)의 식으로 계산되는 소정 시간 동안 식각하는 단계; 상기 광차단막 패턴을 마스크로 위상 반전막을 식각하여 위상 반전막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막 패턴 및 광차단막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 노광용 마스크의 제조 방법을 제거한다. In addition, according to a second embodiment of the present invention for achieving the above object, the step of sequentially forming a phase inversion film and light blocking film on the mask substrate; Forming a photoresist pattern defining a light transmission region on the light blocking layer; Etching the light blocking film using the photoresist pattern as a mask to form a light blocking film pattern; Measuring a line width of the light blocking layer pattern; When the measured line width is larger than the line width of the light blocking layer pattern to be formed, the light blocking layer pattern is determined by (the measured line width of the light blocking layer pattern-the line width of the light blocking layer pattern to be formed) / (the etch rate per hour of the light blocking layer pattern). Etching for a predetermined time calculated by the formula; Forming a phase inversion pattern by etching the phase inversion layer using the light blocking layer pattern as a mask; And removing the photosensitive film pattern and the light blocking film pattern.

상기 본 발명의 노광용 마스크의 제조 방법에서, 상기 광차단막은 크롬막으로 될 수 있고, 상기 위상 반전막은 MoSiON막으로 될 수 있다. In the method for manufacturing an exposure mask of the present invention, the light blocking film may be a chromium film, and the phase inversion film may be a MoSiON film.

또한, 상기 본 발명에 의한 노광용 마스크의 제조 방법에서, 상기 광차단막을 소정 시간 식각하는 단계에서는, 광차단막 패턴에 대한 건식 식각을 진행함이 바람직하다. In the method of manufacturing an exposure mask according to the present invention, in the step of etching the light blocking film for a predetermined time, it is preferable to perform dry etching on the light blocking film pattern.

그리고, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 노광용 마스크의 제조 방법에서, 상기 광차단막을 소정 시간 식각하는 단계 후에, 상기 마스크 기판의 전면을 탈이온수로 세정하는 단계를 더 포함함이 바람직하다. In the method of manufacturing an exposure mask according to the second embodiment of the present invention, after the etching of the light blocking film for a predetermined time, the method may further include washing the entire surface of the mask substrate with deionized water.

이하, 첨부한 도면을 참고로 본 발명의 제 1 실시예에 따른 노광용 마스크의 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 하나의 예시로 제시된 것으로 이에 의해 본 발명의 권리 범위가 정해지는 것은 아니다. Hereinafter, a method of manufacturing an exposure mask according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, this is presented as an example and thereby does not determine the scope of the present invention.

도 1은 식각 시간에 따른 광차단막 패턴의 CD의 변화를 나타내는 그래프이고, 도 2는 식각 시간에 따른 광차단막 패턴 CD의 균일도 변화를 나타내는 그래프이며, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따라 노광용 마스크를 제조하는 공정 순서도이다. 1 is a graph showing a change in the CD of the light blocking film pattern with the etching time, Figure 2 is a graph showing a change in the uniformity of the light blocking film pattern CD with the etching time, Figures 3a to 3d is an embodiment of the present invention According to the present invention.

상기 본 발명의 제 1 실시예에 따라 노광용 마스크를 형성함에 있어서는, 우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, 수정 등으로 이루어진 마스크 기판(100) 위에, 예 를 들어, 크롬 등의 광차단 물질을 이용하여, 광차단막(도시 생략)을 형성한다. 그리고, 상기 광차단막 위에 노광용 마스크의 광투과 영역을 정의하는 소정의 감광막 패턴(102)을 형성하고, 이러한 감광막 패턴(102)을 마스크로 상기 광차단막을 식각하여 광차단막 패턴(104)을 형성한다. In forming the exposure mask according to the first embodiment of the present invention, first, as shown in FIG. 3A, a light blocking material such as chromium is used on the mask substrate 100 made of quartz or the like. Thus, a light blocking film (not shown) is formed. Then, a predetermined photoresist pattern 102 defining a light transmission region of the exposure mask is formed on the light shielding layer, and the light shielding layer is etched using the photoresist pattern 102 as a mask to form a light shielding pattern 104. .

이상의 공정을 거치면, 마스크 기판(100) 위에 소정의 선폭을 가진 광차단막 패턴(104)이 형성되는바, 다음으로 이러한 광차단막 패턴(104)이 본래 형성하고자 했던 원하는 선폭으로 형성되었는지 여부를 판단하기 위해, 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭을 측정한다.After the above process, the light blocking film pattern 104 having a predetermined line width is formed on the mask substrate 100. Next, it is determined whether the light blocking film pattern 104 is formed to have a desired line width. In order to measure the width of the light blocking layer pattern 104, the line width is measured.

이러한 측정 결과, 도 3b에 도시된 바와 같이, 본래 형성하고자 했던 선폭("a")보다 큰 선폭("b")의 광차단막 패턴(104)이 형성되어 이러한 광차단막 패턴(104)에 의해 정의되는 광투과 영역의 CD가 본래 형성하고자 했던 것보다 작아지는 경우, 본 실시예에 따라 이하와 같이 이를 보정하여 양호한 노광 마스크를 형성한다. As a result of this measurement, as shown in FIG. 3B, a light blocking film pattern 104 having a line width "b" larger than the line width "a" originally intended to be formed is formed and defined by the light blocking film pattern 104. When the CD of the light transmitting region to be made becomes smaller than what was originally intended, this is corrected as follows according to this embodiment to form a good exposure mask.

즉, 상기 측정된 광차단막 패턴(104)의 선폭("b")이 본래 형성하고자 했던 선폭("a")보다 크면, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 광차단막 패턴(104)을 (광차단막 패턴의 측정된 선폭("b") - 본래 형성하고자 했던 광차단막 패턴의 선폭("a"))/(광차단막 패턴의 시간당 식각율)의 식으로 계산되는 소정 시간 동안 식각하여 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭의 오류를 보정하는 것이다. That is, if the measured line width "b" of the light blocking film pattern 104 is larger than the line width "a" originally intended to be formed, the light blocking film pattern 104 may be formed as shown in FIG. 3C. Measured line width ("b") of the barrier film pattern-the light shielding film was etched for a predetermined time calculated by the formula of the line width ("a") of the light shielding film pattern originally intended to form / (etch rate per hour of the light shielding film pattern). The error in the line width of the pattern 104 is corrected.

본 발명자들의 시험 결과, 예를 들어, 크롬으로 이루어진 광차단막 패턴(104)의 경우, 도 1에 도시된 바와 같이, 일정한 시간당 식각율(도 1의 그래프의 기울기에 의해 정의됨)을 가지면서 식각 시간에 따라 일정한 비율로 선폭이 감소하며(즉, CD가 일정한 비율로 증가하며), 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 이러한 식각 과정에서 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭의 균일성(즉, CD의 균일성) 역시 거의 일정하게 유지됨이 밝혀졌다. As a result of the test of the present inventors, for example, the light blocking film pattern 104 made of chromium, as shown in FIG. 1, the etching is performed with a constant time-etch rate (defined by the slope of the graph of FIG. 1). The line width decreases at a constant rate (i.e., the CD increases at a constant rate) with time, and also, as shown in FIG. 2, the uniformity of the line width of the light blocking film pattern 104 (i.e., in this etching process) is shown. , The uniformity of the CD) was also found to remain nearly constant.

즉, 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭을 측정한 결과, 예를 들어, 본래 형성하고자 했던 선폭보다 9nm 만큼 크게 형성된 경우, 도 1에 도시된 바와 같이, 크롬으로 이루어진 광차단막 패턴(104)의 시간당 식각율이 약 0.3nm/sec임을 고려하여, 약 30초 동안 식각 공정을 진행함으로서, 광차단막 패턴(104)의 선폭을 약 9nm 만큼 줄일 수 있으며, 이러한 식각 공정을 진행하더라도, 상기 광차단막 패턴(104) 선폭의 균일성(즉, CD의 균일성)은 거의 일정하게 유지되므로, 결국, 상술한 공정을 통해, 광차단막 패턴(104)의 선폭을 본래 형성하고자 했던 선폭으로 보정할 수 있게 된다. That is, as a result of measuring the line width of the light blocking layer pattern 104, for example, when the line width of the light blocking layer pattern 104 is formed to be 9 nm larger than the line width originally intended to be formed, as shown in FIG. Considering that the etching rate per hour is about 0.3 nm / sec, the etching process is performed for about 30 seconds, thereby reducing the line width of the light blocking layer pattern 104 by about 9 nm. Even when the etching process is performed, the light blocking layer pattern (104) Since the uniformity of the line width (that is, the uniformity of the CD) is kept almost constant, the line width of the light shielding film pattern 104 can be corrected to the line width originally intended to be formed through the above-described process. .

한편, 상기 식각 공정은 크롬 등의 광차단막 패턴(104)을 건식 식각함으로서 진행할 수 있으며, 또한, 상기 광차단막 패턴(104) 위에 잔류하고 있는 감광막 패턴(102)은 그대로 유지한 상태에서 상기 식각 공정을 진행함으로서, 이러한 식각 공정 중에 광차단막 패턴(104)의 두께가 손상되어 얇아지는 것을 방지할 수 있다. The etching process may be performed by dry etching the light blocking film pattern 104 such as chromium, and the etching process may be performed while the photoresist pattern 102 remaining on the light blocking film pattern 104 is maintained as it is. By proceeding, it is possible to prevent the thickness of the light blocking layer pattern 104 from being damaged and thinned during the etching process.

이러한 공정까지를 거치면, 최초 형성하고자 했던 선폭("a")으로 상기 광차단막 패턴(104)이 마스크 기판(100) 상에 구현되며, 이후에 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 광차단막 패턴(104) 위에 잔류하고 있는 상기 감광막 패턴(102)을 제거하면 최종적으로 노광용 마스크, 보다 구체적으로, 마스크 기판(100) 위에 소정의 광차단막 패턴(104)이 구현된 바이너리 마스크가 제조될 수 있다. Through this process, the light blocking film pattern 104 is implemented on the mask substrate 100 at the line width "a" that was originally formed, and then, as shown in FIG. 3D, the light blocking film pattern ( When the photoresist layer pattern 102 remaining on the 104 is removed, a binary mask in which a predetermined light blocking layer pattern 104 is implemented on the exposure mask, more specifically, the mask substrate 100 may be manufactured.

이와 같이, 본 실시예에 따르면, 광차단막 패턴(104)이 최초 형성하고자 했던 것보다 큰 선폭으로 형성된 경우에도, 이를 원하는 선폭으로 보정하여 양호한 노광용 마스크, 보다 구체적으로, 바이너리 마스크를 제조할 수 있다. As described above, according to the present exemplary embodiment, even when the light blocking film pattern 104 is formed with a line width larger than that of the first intended formation, a good exposure mask, more specifically, a binary mask can be manufactured by correcting it to a desired line width. .

다음으로, 첨부한 도면을 참고로 본 발명의 제 2 실시예에 따른 노광용 마스크의 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이러한 제 2 실시예에서 상술한 제 1 실시예와 동일한 구성을 가지는 부분에 대해서는 약술하고, 제 1 실시예와 다른 구성을 가지는 부분에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다. Next, a method of manufacturing an exposure mask according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in the second embodiment, a portion having the same configuration as the above-described first embodiment will be outlined, and a portion having a configuration different from that of the first embodiment will be described in more detail.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따라 노광용 마스크를 제조하는 공정 순서도이다. 4A to 4E are process flowcharts for manufacturing an exposure mask according to an embodiment of the present invention.

상기 본 발명의 제 2 실시예에 따라 노광용 마스크를 형성함에 있어서는, 우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 수정 등으로 이루어진 마스크 기판(100) 위에, 예를 들어, MoSiON 등의 반투과성 물질을 이용하여 위상 반전막(101)을 형성하고, 계속하여 상기 위상 반전막(101) 위에, 예를 들어, 크롬 등의 광차단 물질을 이용하여, 광차단막(도시 생략)을 형성한다. 그리고, 상기 광차단막 위에 노광용 마스크의 광투과 영역을 정의하는 소정의 감광막 패턴(102)을 형성하고 나서, 이러한 감광막 패턴(102)을 마스크로 상기 광차단막을 식각하여 광차단막 패턴(104)을 형성한다. In forming the exposure mask according to the second embodiment of the present invention, first, as shown in Fig. 4a, on the mask substrate 100 made of quartz or the like, for example, using a semi-transparent material such as MoSiON A phase inversion film 101 is formed, and then a light blocking film (not shown) is formed on the phase inversion film 101 by using a light blocking material such as chromium. Then, a predetermined photoresist pattern 102 defining a light transmission region of the exposure mask is formed on the light blocking layer, and then the light blocking layer is etched using the photoresist pattern 102 as a mask to form a light blocking layer pattern 104. do.

이상의 공정을 거치면, 마스크 기판(100) 위에 소정의 선폭을 가진 광차단막 패턴(104)이 형성된다. 그런데, 추후 공정에서, 이러한 광차단막 패턴(104)에 따라 하부의 위상 반전막(101)이 패터닝되어 위상 반전막 패턴이 형성되기 때문에, 상기 광차단막 패턴(104)은 마스크 기판(100) 위에 구현하고자 하는 위상 반전막 패턴과 동일한 선폭을 가지게 된다. Through the above process, the light blocking film pattern 104 having a predetermined line width is formed on the mask substrate 100. However, in a later process, since the lower phase inversion film 101 is patterned according to the light blocking film pattern 104 to form a phase inversion film pattern, the light blocking film pattern 104 is implemented on the mask substrate 100. It has the same line width as the phase inversion film pattern.

이에 상기 광차단막 패턴(104)을 형성한 후에는, 이러한 광차단막 패턴(104)이 마스크 기판(100) 위에 본래 형성하고자 했던 위상 반전막 패턴의 선폭과 동일한 선폭으로 형성되었는지 여부를 판단하기 위해, 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭을 측정한다. Accordingly, after the light blocking film pattern 104 is formed, to determine whether the light blocking film pattern 104 is formed with the same line width as that of the phase inversion film pattern originally intended to be formed on the mask substrate 100, The line width of the light blocking layer pattern 104 is measured.

이러한 측정 결과, 도 4b에 도시된 바와 같이, 본래 형성하고자 했던 원상 반전막 패턴의 선폭("a")보다 큰 선폭("b")의 광차단막 패턴(104)이 형성되어 광투과 영역의 CD가 본래 형성하고자 했던 것보다 작아지는 경우, 상술한 본 발명의 제 1 실시예에서와 마찬가지 방법으로, 소정의 식각 공정을 통해 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭을 보정하게 된다. As a result of this measurement, as shown in FIG. 4B, the light shielding film pattern 104 having a line width "b" larger than the line width "a" of the original inverted film pattern originally intended to be formed is formed so that the CD of the light transmitting region is formed. When is smaller than what was originally intended, the line width of the light blocking film pattern 104 is corrected through a predetermined etching process in the same manner as in the first embodiment of the present invention.

즉, 상기 측정된 광차단막 패턴(104)의 선폭("b")이 본래 형성하고자 했던 위상 반전막 패턴의 선폭("a")보다 크면, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 광차단막 패턴(104)을 (광차단막 패턴의 측정된 선폭("b") - 본래 형성하고자 했던 위상 반전막 패턴의 선폭("a"))/(광차단막 패턴의 시간당 식각율)의 식으로 계산되는 소정 시간 동안 식각하여 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭의 오류를 보정하는 것이다. That is, when the measured line width "b" of the light blocking film pattern 104 is larger than the line width "a" of the phase inversion film pattern originally intended to be formed, as shown in FIG. 4C, the light blocking film pattern ( 104) is a predetermined time calculated by the formula (measured linewidth ("b") of the light shielding film pattern-line width ("a") of the phase inversion film pattern originally intended to be formed) / (etching rate per hour of the light blocking film pattern). By etching for a while to correct the error of the line width of the light blocking film pattern 104.

이러한 보정 과정을 거치면, 상기 제 1 실시예에서와 동일한 원리로, 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭이 본래 형성하고자 했던 위상 반전막 패턴의 선폭("a")과 동일하게 보정되며, 이후 도 4d에 도시된 바와 같이, 이러한 광차단막 패턴(104)을 마스크로 상기 위상 반전막(101)을 패터닝하면, 마스크 기판(100) 위에 본래 형성하고자 했던 것과 동일한 선폭을 가지는 위상 반전막 패턴(106)이 형성된다. Through this correction process, in the same principle as in the first embodiment, the line width of the light blocking film pattern 104 is corrected to be the same as the line width "a" of the phase inversion film pattern originally intended to form. As shown in FIG. 4D, when the phase inversion film 101 is patterned using the light blocking film pattern 104 as a mask, the phase inversion film pattern 106 having the same line width as originally intended to be formed on the mask substrate 100. Is formed.

한편, 상기 식각을 통한 광차단막 패턴(104) 선폭의 보정 공정은, 상술한 본 발명의 제 1 실시예와 마찬가지로, 광차단막 패턴(104)을 건식 식각함으로서 진행할 수 있으며, 또한, 상기 광차단막 패턴(104) 위에 잔류하고 있는 감광막 패턴(102)은 그대로 유지한 상태에서 상기 건식 식각 공정을 진행함으로서, 이러한 건식 식각 공정 중에 광차단막 패턴(104)의 두께가 손상되어 얇아지는 것을 방지할 수 있다. Meanwhile, the process of correcting the line width of the light blocking layer pattern 104 through etching may be performed by dry etching the light blocking layer pattern 104, as in the first embodiment of the present invention. By performing the dry etching process while the photoresist pattern 102 remaining on the 104 is maintained, it is possible to prevent the thickness of the light blocking film pattern 104 from being damaged and thinned during the dry etching process.

그리고, 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭에 대한 보정 공정을 진행하고 난 후, 상기 위상 반전막 패턴(106)의 형성 공정을 진행하기 전에, 상기 마스크 기판(100)의 전면을 탈이온수로 세정하는 공정을 더 진행함이 바람직하다. 이러한 세정 공정의 진행으로, 상기 광차단막 패턴(104)의 선폭 측정 공정에서 마스크 기판(100) 상에 유발된 파티클에 의해, 위상 반전막 패턴(106)의 브리지가 생기는 것을 방지할 수 있다. After the process of correcting the line width of the light blocking film pattern 104 is performed, the entire surface of the mask substrate 100 is cleaned with deionized water before the process of forming the phase reversal film pattern 106 is performed. It is preferable to proceed further to the process. As the cleaning process progresses, it is possible to prevent the bridge of the phase reversal film pattern 106 from being generated by the particles caused on the mask substrate 100 in the line width measuring process of the light blocking film pattern 104.

이후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 상기 위상 반전막 패턴(106) 위에 잔류하고 있는 상기 광차단막 패턴(104) 및 상기 감광막 패턴(102)을 제거하면 최종적으 로 노광용 마스크, 보다 구체적으로, 마스크 기판(100) 위에 소정의 위상 반전막 패턴(106)이 구현된 감쇄 위상 반전 마스크가 제조될 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 4E, when the light blocking layer pattern 104 and the photoresist layer pattern 102 remaining on the phase inversion layer pattern 106 are removed, a mask for exposure, more specifically, a mask An attenuation phase inversion mask in which a predetermined phase inversion film pattern 106 is implemented on the substrate 100 may be manufactured.

이와 같이, 본 실시예에 따르면, 노광용 마스크, 보다 구체적으로, 감쇄 위상 반전 마스크의 제조 공정 중에, 소정의 선폭 보정 공정을 진행함으로서, 최초 형성하고자 했던 것과 동일한 선폭의 위상 반전막 패턴(106)이 구현된 양호한 감쇄 위상 반전 마스크를 형성할 수 있다. Thus, according to this embodiment, during the manufacturing process of the exposure mask, more specifically, the attenuation phase reversal mask, a predetermined line width correction process is performed, whereby the phase reversal film pattern 106 having the same line width as that which was originally formed is formed. It is possible to form a good attenuation phase inversion mask implemented.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 광차단막 패턴 또는 위상 반전막 패턴이 본래 형성하고자 했던 것보다 큰 선폭으로 형성된 경우에도, 이를 원하는 선폭으로 보정하여 양호한 노광용 마스크를 제조할 수 있도록 하는 노광용 마스크의 제조 방법을 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, even when the light blocking film pattern or the phase reversal film pattern is formed with a line width larger than that originally intended, the exposure mask is corrected to a desired line width so that a good exposure mask can be manufactured. A manufacturing method can be provided.

이에 따라, 노광용 마스크의 폐기 및 재제작이 필요없으므로, 반도체 소자 제조 공정의 수율 및 경제성이 크게 향상될 수 있다. Accordingly, since the disposal and remanufacturing of the exposure mask is not necessary, the yield and economic efficiency of the semiconductor device manufacturing process can be greatly improved.

Claims

Forming a light blocking film on the mask substrate;

Forming a photoresist pattern defining a light transmission region on the light blocking layer;

Etching the light blocking film using the photoresist pattern as a mask to form a light blocking film pattern;

Measuring a line width of the light blocking layer pattern;

When the measured line width is larger than the line width of the light blocking film pattern to be formed, the light blocking film pattern is determined by (measured line width of the light blocking film pattern-line width of the light blocking film pattern to be formed) / (etching rate per hour of the light blocking film pattern). Etching for a predetermined time calculated by the formula; And

And removing the photoresist pattern.

Sequentially forming a phase inversion film and a light blocking film on the mask substrate;

Measuring a line width of the light blocking layer pattern;

When the measured line width is larger than the line width of the light blocking film pattern to be formed, the light blocking film pattern is determined by (measured line width of the light blocking film pattern-line width of the light blocking film pattern to be formed) / (etching rate per hour of the light blocking film pattern). Etching for a predetermined time calculated by the formula;

Forming a phase inversion pattern by etching the phase inversion layer using the light blocking layer pattern as a mask; And

And removing the photosensitive film pattern and the light blocking film pattern.

The method of manufacturing a mask for exposure according to claim 1, wherein the light blocking film is a chromium film.

The method of manufacturing a mask for exposure according to claim 2, wherein the light blocking film is a chromium film and the phase reversal film is a MoSiON film.

The method of manufacturing an exposure mask according to any one of claims 1 to 4, wherein in the step of etching the light blocking film for a predetermined time, dry etching is performed on the light blocking film pattern.

The method of claim 2, further comprising, after the etching of the light blocking film for a predetermined time, cleaning the entire surface of the mask substrate with deionized water.