KR100930381B1 - Manufacturing method of photo mask - Google Patents

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Abstract

원하는 크기의 패턴을 비교적 정확하게 구현할 수 있으며, 공정시간을 단축시킬 수 있는 포토마스크의 제조방법은, 기판 상에 차광막을 형성하는 단계와, 차광막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 차광막을 식각하는 단계와, 광학적 패턴 크기(Critical Demension; CD) 측정장비로 차광막 패턴의 크기(CD)를 측정하여 타겟 크기(target CD)와의 편차를 구하는 단계와, 편차를 보정하기 위하여 차광막을 식각하는 단계, 및 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a photomask capable of implementing a pattern having a desired size relatively accurately and shortening a process time includes forming a light shielding film on a substrate, forming a resist pattern on the light shielding film, and masking the resist pattern Etching the light shielding film, measuring the size (CD) of the light shielding film pattern with an optical pattern measuring device (CD), and obtaining a deviation from the target CD (target CD); and correcting the light shielding film Etching, and removing the resist pattern.

위상반전 마스크, 패턴 크기(CD), 광학적 측정, 보정 Phase inversion mask, pattern size (CD), optical measurement, correction

Description

포토마스크의 제조방법{Method for fabricating photomask}Method for fabricating photomask

도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 to 3 are views for explaining a method of manufacturing a photomask according to an embodiment of the present invention.

도 4는 바이너리 마스크의 패턴크기(CD)를 보정하는 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating a method of correcting a pattern size (CD) of a binary mask.

도 5는 스펙트로포토미터(spectrophotometer)를 이용하여 패턴크기(CD) 보정을 위한 크롬 차광막의 1차 식각 후 측정된 파장 대역별 반사율을 나타낸 그래프이다.FIG. 5 is a graph showing reflectance for each wavelength band measured after primary etching of a chromium light shielding film for pattern size (CD) correction using a spectrophotometer.

본 발명은 포토마스크의 제조방법에 관한 것으로, 특히 광학적 패턴 선폭(CD) 측정장비로 사용하여 원하는 크기의 패턴을 비교적 정확하게 구현할 수 있는 포토마스크의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a photomask, and more particularly to a method of manufacturing a photomask that can be used as an optical pattern line width (CD) measuring equipment to implement a pattern of a desired size relatively accurately.

반도체소자의 집적도가 증가함에 따라 구현되는 패턴의 크기 또한 점점 작아지고 있다. 이러한 반도체소자의 고집적화, 고밀도화 추세에 따라 더욱 미세한 패턴을 형성하기 위한 다양한 기술들이 개발되고 있다. 그 중, 마스크의 패턴을 이용 하여 해상도를 높이는 방법으로서, 위상 쉬프터(phase shifter)를 포함하는 위상반전마스크를 사용하여 패턴을 형성하는 방법이 이용되고 있다. As the degree of integration of semiconductor devices increases, the size of the pattern to be implemented is also getting smaller. According to the trend of high integration and high density of semiconductor devices, various technologies for forming finer patterns have been developed. Among them, a method of forming a pattern using a phase inversion mask including a phase shifter is used as a method of increasing the resolution using a pattern of a mask.

이러한 위상반전마스크는 크롬(Cr)으로 이루어진 차광막과 몰리브덴실리콘나이트라이드(MoSiN)으로 이루어진 위상반전막에 대한 식각 공정이 하나의 장비 내에서 인-시츄(in-situ)로 진행되는 것이 일반적이다. 따라서, 마스크 상에 구현되는 차광막 또는 위상반전막 패턴의 정확성은 전자빔을 이용한 노광공정, 현상공정, 건식식각 공정의 정확성과 재현성에 의존하게 된다. 노광공정과 현상공정의 두 가지 공정 중 어느 한 공정에서 정확도 또는 재현성의 문제가 발생한다면 패턴의 크기(Critical Demension; CD)에 큰 영향을 미치게 되는 것이다.Such a phase inversion mask is generally performed in-situ in an etching process for a light shielding film made of chromium (Cr) and a phase inversion film made of molybdenum silicon nitride (MoSiN). Therefore, the accuracy of the light blocking film or the phase inversion film pattern implemented on the mask depends on the accuracy and reproducibility of the exposure process, the development process, and the dry etching process using the electron beam. If the problem of accuracy or reproducibility occurs in either of the exposure process and the development process, the size of the pattern (Critical Demension) is greatly affected.

마스크에 구현된 패턴의 CD를 보정하는 방법으로, 현상공정 후 진행되는 검사(Develop-Inspection; DI) 단계의 CD 결과를 이용하여 건식식각 공정의 조건을 설정하여 정확한 CD를 구현해내는 방법이 사용된다. 그런데 이 방법의 한계는 DI 단계에서 CD를 측정할 때 재현성이 떨어진다는 점이다. CD를 측정하는 일반적인 툴(tool)인 CD SEM을 이용할 경우, 현상공정 후 형성된 레지스트 패턴이 전자빔의 에너지에 의해 손상을 받게 되며 따라서 CD 측정의 재현성은 3 ∼ 4㎚ 이상이 되고, 또한 SEM 장치의 진공챔버에서 생성되는 파티클은 후속 식각단계에서 패턴 결함의 원인으로 작용하게 된다.As a method of correcting the CD of the pattern embodied in the mask, a method of realizing the correct CD by setting the conditions of the dry etching process using the CD result of the Development-Inspection (DI) step after the development process is used. . The limitation of this method, however, is the lack of reproducibility when measuring CD at the DI stage. When using a CD SEM, which is a general tool for measuring CD, the resist pattern formed after the development process is damaged by the energy of the electron beam, so the reproducibility of the CD measurement is 3-4 nm or more, Particles generated in the vacuum chamber act as a cause of the pattern defect in the subsequent etching step.

패턴의 CD를 보정하는 다른 방법으로, 크롬(Cr) 차광막을 식각하고 레지스트를 제거한 후 SEM을 통해 측정된 크롬 차광막의 CD를 기준으로 크롬 차광막의 CD보정을 위한 식각을 진행한 후, 레지스트가 아닌 크롬 차광막을 마스크로 하여 위상 반전막(MoSiN)에 대한 식각을 진행하는 방법이 있다. 그러나, 이 경우 폴리머(polymer)에 의한 패턴측벽 보호 효과가 이루어지지 못하기 때문에, 위상반전막(MoSiN) 패턴의 측벽 프로파일(profile)은 레지스트 패턴을 마스크로 하여 식각된 위상반전막(MoSiN) 패턴의 프로파일에 비해 낮아지는 경향을 보이게 되는 문제가 있다.As another method of correcting the CD of the pattern, the chromium (Cr) light shielding film is etched and the resist is removed, followed by etching for the CD correction of the chromium light shielding film based on the CD of the chromium light shielding film measured through SEM. There is a method of etching the phase inversion film (MoSiN) using a chromium light shielding film as a mask. However, in this case, since the sidewall protection effect by the polymer is not achieved, the sidewall profile of the MoSiN pattern is etched using the resist pattern as a mask. There is a problem that tends to be lower than the profile of.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 원하는 크기의 패턴을 비교적 정확하게 구현할 수 있으며, 공정시간을 단축시킬 수 있는 포토마스크의 제조방법을 제공하는 데 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method of manufacturing a photomask that can implement a pattern of a desired size relatively accurately, and can shorten the process time.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 따른 포토마스크의 제조방법은, 기판 상에 차광막을 형성하는 단계와, 차광막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 레지스트 패턴을 마스크로 차광막을 식각하여 차광막 패턴을 형성하는 단계와, 450 ∼ 1000㎚ 대역의 파장을 갖는 광학적 패턴 크기(CD) 측정장비로 차광막 패턴의 크기(CD)를 측정하여 타겟 크기(target CD)와의 편차를 구하는 단계, 및 편차를 보정하기 위하여 차광막 패턴을 추가 식각하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, a method of manufacturing a photomask according to the present invention includes forming a light shielding film on a substrate, forming a resist pattern on the light shielding film, and etching the light shielding film using the resist pattern as a mask. Forming a light source and measuring a light shielding film pattern size (CD) with an optical pattern size (CD) measuring device having a wavelength in the range of 450 to 1000 nm to obtain a deviation from the target size (CD), and correcting the deviation. And etching the light shielding film pattern.

상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계 전에, 상기 차광막 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.Before forming the resist pattern, the method may further include forming an anti-reflection film on the light blocking film.

상기 광학적 패턴 크기(CD) 측정장비로 스펙트로포토미터(spectrophotometer)를 사용할 수 있다.A spectrophotometer may be used as the optical pattern size (CD) measuring device.

상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 차광막을 식각하는 단계에서, 후속되는 패턴 크기(CD)에 대한 보정공정을 고려하여 차광막이 타겟 크기(CD)보다 10㎚ 두께의 식각이 덜 이루어지도록 한다.In the etching of the light blocking film using the resist pattern as a mask, the light blocking film may be etched less than 10 nm thick in consideration of the subsequent correction process for the pattern size CD.

상기 차광막을 형성하는 단계 전에 상기 기판 상에 위상반전막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 편차를 보정하기 위하여 차광막을 식각하는 단계 후 상기 위상반전막을 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming a phase inversion film on the substrate before the forming of the light blocking film, and after etching the light blocking film to correct the deviation, etching the phase inversion film.

상기 위상반전막을 식각하는 단계는, 상기 편차를 보정하기 위한 차광막 식각을 수행한 장비에서 인-시츄(in-situ)로 진행할 수 있다.The etching of the phase inversion film may be performed in-situ in the equipment in which the light shielding film etching for correcting the deviation is performed.

상기 차광막 패턴의 크기(CD)를 측정하는 단계에서, 자외선 필터를 사용하여 450㎚ 미만의 파장을 차단할 수 있다.In the step of measuring the size (CD) of the light shielding film pattern, a wavelength of less than 450nm can be blocked using an ultraviolet filter.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.1 to 3 are views for explaining a method of manufacturing a photomask according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 투명한 마스크 기판(100) 상에 예컨대 몰리브덴실리콘나이트라이드(MoSiN)를 증착하여 위상반전막(102)을 형성한 다음, 크롬(Cr)과 같은 차광물질을 증착하여 차광막(104)을 형성한다. 이 차광막(104) 위에 전자빔 레지스트를 도포한 다음 전자빔을 이용하여 노광한 후 레지스트 패턴(108)을 형성한다. 상 기 레지스트 패턴(108) 하부에 전자빔을 이용한 노광공정시 반사를 방지하기 위한 반사방지막(106)을 형성할 수도 있다. 다음, 상기 레지스트 패턴(108)을 마스크로 사용하여 크롬(Cr) 차광막(104)을 건식식각하여 차광패턴을 형성한다. 상기 크롬 차광막의 식각은 염소가스(Cl2) 플라즈마를 이용하여 진행된다. 이때, 후속 CD 보정단계를 고려하여 초기 타겟(target) CD에 비해 약 10㎚ 정도 언더에치(under etch)가 되도록 식각조건을 조절하여 식각을 진행한다.Referring to FIG. 1, a phase inversion film 102 is formed by depositing molybdenum silicon nitride (MoSiN) on the transparent mask substrate 100, and then a light shielding material such as chromium (Cr) is deposited to shield the light shielding film 104. ). An electron beam resist is applied on the light shielding film 104 and then exposed using an electron beam to form a resist pattern 108. An anti-reflection film 106 may be formed below the resist pattern 108 to prevent reflection during an exposure process using an electron beam. Next, the light shielding pattern is formed by dry etching the chromium (Cr) light shielding film 104 using the resist pattern 108 as a mask. Etching of the chromium light shielding film is performed using chlorine gas (Cl 2 ) plasma. At this time, in consideration of the subsequent CD correction step, the etching is adjusted by adjusting the etching conditions to be about 10 nm under etch compared to the initial target (target) CD.

크롬(Cr) 차광막에 대한 1차 식각을 진행한 후의 마스크를 보면, 레지스트 패턴(108), 반사방지막(106) 및 크롬(Cr) 차광막(104)이 존재하는 제1 영역과 위상반전막(102)만 존재하는 제2 영역으로 나뉘게 된다. 이러한 두 영역을 대상으로 광학적 CD 측정을 실시한다. 광학적 CD 측정은 스펙트로포토미터(spectrophotometer)를 이용하여 진행할 수 있다. 광학적 CD 측정은 스펙트로포토미터(spectrophotometer)의 반사광원만을 이용하여 측정하며, 특정 파장대역은 DUV(Deep Ultra Violet)에 의한 레지스트 패턴(108)의 손상을 유발하기 때문에 차단한다. 이를 위하여 자외선 필터(UV filter)를 통해 450㎚ 미만의 파장은 차단하고 450 ∼ 1000㎚ 정도의 파장을 사용한다. 이는 DUV 파장대역에 의한 레지스트의 손실이 발생할 경우 측정 재현성이 보장될 수 없기 때문이며, 450㎚ 이상의 파장대역을 통해서도 오차범위 2㎚ 이내의 정확도와 재현성을 확보할 수 있기 때문이다. 스펙트로포토미터(spectrophotometer)를 이용한 광학적 CD 측정의 상세한 설명은 다음에 하기로 한다.In the mask after the first etching of the chromium (Cr) light shielding film, the first region and the phase inversion film 102 in which the resist pattern 108, the antireflection film 106, and the chromium (Cr) light shielding film 104 exist are present. ) Is divided into the second region where only. Optical CD measurements are performed on these two areas. Optical CD measurements can be made using a spectrophotometer. Optical CD measurements are made using only the spectrophotometer's reflected light source, and block certain wavelength bands because they cause damage to the resist pattern 108 by Deep Ultra Violet (DUV). To this end, a wavelength of less than 450nm is blocked through an ultraviolet filter and a wavelength of about 450 to 1000nm is used. This is because measurement reproducibility cannot be ensured when resist loss due to the DUV wavelength band occurs, and accuracy and reproducibility within an error range of 2 nm can be ensured even through a wavelength band of 450 nm or more. A detailed description of optical CD measurement using a spectrophotometer will be given later.

크롬(Cr) 차광막(104)에 대한 1차 식각을 진행한 상태에서 광학적 CD 측정이 완료된 후, 측정결과와 타겟 CD를 비교하여 추가적으로 식각하여야 할 양을 계산하고, 이에 대응하여 식각조건을 산출한다. 크롬(Cr) 차광막에 대한 식각량은 시간에 비례하므로 필요한 CD 보정량에 따라 추가 식각시간의 설정이 가능하다.After the optical CD measurement is completed in the first etching process on the chromium (Cr) light shielding film 104, the amount of additional etching is compared by comparing the measurement result with the target CD, and the etching conditions are calculated accordingly. . Since the etching amount of the chromium (Cr) shading film is proportional to time, it is possible to set an additional etching time according to the required CD correction amount.

도 2를 참조하면, 1차 식각된 크롬(Cr) 차광막(104)의 광학적 CD 측정결과를 근거로 타겟 CD에 대응한 추가 식각을 진행한다. 크롬(Cr) 차광막에 대한 식각량은 시간에 비례하므로 필요한 CD 보정량에 따라 식각시간을 적절히 조절한다.Referring to FIG. 2, the additional etching corresponding to the target CD is performed based on the optical CD measurement result of the first etched chromium (Cr) light shielding film 104. Since the etching amount for the chromium (Cr) light shielding film is proportional to time, the etching time is appropriately adjusted according to the required CD correction amount.

도 3을 참조하면, 패턴의 크기(CD)가 보정된 크롬(Cr) 차광막(104)을 식각마스크로 사용하여 위상반전막(102)에 대한 식각을 수행하는데, 동일한 식각장비 내에서 크롬(Cr) 차광막의 CD 보정을 위한 추가 식각공정에 이어서 곧바로 진행한다.Referring to FIG. 3, the chromium (Cr) light shielding film 104 whose pattern size (CD) is corrected is used as an etching mask to etch the phase inversion film 102. ) It proceeds immediately following the additional etching process for CD correction of light shielding film.

이와 같은 위상반전 마스크의 패턴 CD 보정방법은 바이너리 마스크(binary mask)에 대해서도 적용할 수 있다.The pattern CD correction method of the phase inversion mask can also be applied to a binary mask.

도 4를 참조하면, 바이너리 마스크는 투명 기판(200) 상에 차광을 위한 크롬(Cr) 차광막(204)과 레지스트(208)가 균일하게 도포되어 있는 마스크로서, 레지스트(208) 하부에 반사방지막(206)을 배치할 수도 있다. 이러한 바이너리 마스크의 크롬(Cr) 차광막(204)의 패턴 크기를 보정할 경우에도, 크롬 차광막에 대한 1차 식각 후 스펙트로포토미터(spectrophotometer)를 이용하여 광학적 CD를 측정하고, 측정된 값과 타겟 CD와의 편차에 따라 크롬(Cr) 차광막에 대한 추가 식각을 수행하여 크롬 차광막 패턴의 크기를 보정할 수 있다.Referring to FIG. 4, the binary mask is a mask in which a chromium (Cr) light shielding film 204 and a resist 208 for light shielding are uniformly coated on the transparent substrate 200. 206 may be disposed. Even when the pattern size of the chromium (Cr) light shielding film 204 of the binary mask is corrected, the optical CD is measured using a spectrophotometer after the first etching on the chromium light shielding film, and the measured value and the target CD are measured. The size of the chromium light shielding pattern may be corrected by performing additional etching on the chromium (Cr) shielding film according to the deviation from and.

다음에, 스펙트로포토미터(spectrophotometer)를 이용한 광학적 CD 측정방법 에 대해 설명한다.Next, an optical CD measuring method using a spectrophotometer will be described.

스펙트로포토미터(spectrophotometer)를 이용한 광학적 CD 측정은 막의 구조에 대한 모델링(modeling)으로부터 시작한다. ArF 및 KrF를 광원으로 사용하는 위상반전마스크를 구성하는 석영(Qz) 기판, 위상반전막(MoSiN), 차광막(Cr), 반사방지막 및 레지스트 각각의 막이 가지는 굴절율(n) 및 소광계수(k)에 대한 고유정보를 입력한 후 예상되는 각 막질의 두께 정보를 입력한다. 각각의 막의 두께는 예상정보에서 출발하여 측정 후에는 측정장치로부터 측정된 실제값이 얻어지게 된다. 이와 같은 다층 막에 대한 정보의 입력이 완료된 후에는, 측정하고자 하는 패턴을 영역별로 구분하여 정의한다. 예를 들어 도 1과 같은 경우, 두 개의 영역으로 나누어진다. 즉, 제1 영역은 기판(Qz)-위상반전막(MoSiN)-차광막(Cr)-반사방지막-레지스트로 구성되는 5층 구조이며, 제2 영역은 기판(Qz)-위상반전막(MoSiN)으로 구성되는 2층 구조이다. 제2 영역의 제3 내지 제5층은 공기(air) 영역으로 정의할 수 있다.Optical CD measurements using spectrophotometers begin with modeling the structure of the film. Refractive index (n) and extinction coefficient (k) of each quartz (Qz) substrate, phase inversion film (MoSiN), light shielding film (Cr), antireflection film, and resist film constituting a phase inversion mask using ArF and KrF as a light source After inputting unique information about, enter the thickness information of each film. The thickness of each film starts from the expected information and after measurement the actual value measured from the measuring device is obtained. After the input of such information on the multilayer film is completed, the pattern to be measured is defined by region. For example, as shown in Figure 1, it is divided into two areas. That is, the first region has a five-layer structure composed of a substrate (Qz) -phase inversion film (MoSiN) -shielding film (Cr) -anti-reflection film-resist, and the second region is a substrate (Qz) -phase inversion film (MoSiN). It is a two-layer structure composed of. The third to fifth layers of the second region may be defined as an air region.

이와 같이 측정 대상에 대한 모델링을 완료한 후에는 본격적인 CD 측정을 실시한다. 반사(reflectance) 광원의 스팟 사이즈(spot size)는 약 40㎛ 정도로서, 이 스팟 영역내에 존재하는 반복적 패턴에 대한 평균 CD를 산출하게 된다. 450 ∼ 1000㎚ 대역의 파장을 이용해서 측정 대상이 가지는 각 파장별 반사율을 측정한다. After completing the modeling of the measurement object as described above, CD measurement is performed in earnest. The spot size of the reflective light source is about 40 μm, yielding an average CD for the repetitive pattern present in this spot area. The reflectance for each wavelength which a measurement object has is measured using the wavelength of 450-1000 nm band.

도 5는 스펙트로포토미터(spectrophotometer)를 이용하여 패턴크기(CD) 보정을 위한 크롬 차광막의 1차 식각 후 측정된 파장 대역별 반사율을 나타낸 그래프이다. 실제 측정된 반사율과 초기단계에서 입력된 각 영역별 막의 정보, 즉 각 영역 내의 막의 굴절율(n)과 소광계수(k)를 이용하여 스칼라(scalar) 연산법에 의한 영역별 CD 및 각 층별 두께 정보가 산출된다. 이러한 방법으로 산출된 광학적 CD값은 CD측정 SEM을 이용하여 측정한 값과 비교할 때, 측정 방식의 차이에 기인하는 절대값의 차이는 있지만 일정한 선형성(linearity)을 가지게 되므로, 각 패턴 디자인에 따른 보정값(offset) 설정을 통해 실제 CD 측정에 사용할 수 있게 된다.FIG. 5 is a graph showing reflectance for each wavelength band measured after primary etching of a chromium light shielding film for pattern size (CD) correction using a spectrophotometer. Area CD and thickness information of each layer by a scalar calculation method using the measured reflectance and the information of the film for each region input in the initial stage, that is, the refractive index (n) and the extinction coefficient (k) of the film in each region. Is calculated. The optical CD value calculated by this method has a certain linearity, although there is a difference in absolute value due to the difference in measurement method, when compared with the value measured using the CD measurement SEM, it is corrected according to each pattern design The offset setting makes it available for actual CD measurements.

광학적 CD 측정 장비가 갖는 다른 장점은, 진공챔버를 이용하는 SEM 장치와는 달리 대기 중에서 측정이 진행되므로 측정 장치의 내/외부의 환경 관리만을 통해 파티클 또는 오염으로부터 마스크가 안전하게 보호될 수 있다. 따라서, 추가적인 세정공정이 필요하지 않으며, 측정 후 바로 크롬(Cr)막의 CD 보정을 위한 식각 및 후속의 몰리브덴실리콘나이트라이드(MoSiN)의 식각이 가능하다는 것이다.Another advantage of the optical CD measuring equipment is that, unlike the SEM apparatus using the vacuum chamber, since the measurement is performed in the air, the mask can be safely protected from particles or contamination only through environmental management inside and outside the measuring apparatus. Therefore, no additional cleaning process is required, and the etching for the CD correction of the chromium (Cr) film and the subsequent etching of molybdenum silicon nitride (MoSiN) are possible immediately after the measurement.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.

지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 포토마스크의 패턴크기(CD) 보정방법은, 크롬 차광막에 대한 1차 식각이 완료된 후 레지스트 패턴이 존재하는 상태에서 광학적 CD 측정 장비를 이용하여 식각된 크롬 차광막의 CD를 측정하고, 타겟 CD와의 편차를 산출하여 CD 보정을 위한 식각공정의 조건을 설정한 다음 CD 보정을 위한 크롬 차광막의 추가 식각을 수행한다. 따라서, 초기에 형성된 레지스트 패턴이 최종 위상반전막에 대한 식각단계까지 존재하여 위상반전막 패턴의 측벽을 보호하는 역할을 하여 거의 수직에 가까운 위상반전막 패턴을 구현할 수 있다. 또한, 자외선 필터를 사용하여 450㎚ 이하의 파장을 차단함으로써 레지스트의 손상을 방지할 수 있으므로, 재현성과 정확성이 보장되는 CD 측정이 가능하다. As described above, the method for correcting a pattern size (CD) of a photomask according to the present invention is a chromium light-shielding film etched using an optical CD measuring device in a state where a resist pattern exists after the primary etching of the chromium-shielding film is completed. CD is measured, the deviation from the target CD is calculated, the conditions of the etching process for CD correction are set, and then additional etching of the chromium light shielding film for CD correction is performed. Therefore, the resist pattern formed initially may exist until the etching phase of the final phase shift film to protect sidewalls of the phase shift film pattern, thereby realizing a phase shift film pattern that is almost vertical. In addition, since the damage of the resist can be prevented by blocking the wavelength of 450 nm or less by using an ultraviolet filter, it is possible to measure the CD with reproducibility and accuracy.

또한, 광학적 측정장비는 대기중에서 측정이 진행되므로, 측정 장치의 내/외부의 환경 관리만을 통해 파티클 또는 오염으로부터 마스크가 안전하게 보호될 수 있다. 따라서, 추가적인 세정공정이 필요하지 않으며, 측정 후 바로 크롬(Cr) 차광막의 CD 보정을 위한 추가 식각 및 후속의 위상반전막의 식각이 가능하다.In addition, since the optical measuring device is measured in the air, the mask can be safely protected from particles or contamination only through environmental management inside and outside the measuring device. Therefore, no additional cleaning process is required, and additional etching for CD correction of the chromium (Cr) light shielding film and subsequent phase inversion film etching are possible immediately after the measurement.

Claims (8)

기판 상에 차광막을 형성하는 단계;Forming a light shielding film on the substrate; 상기 차광막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계;Forming a resist pattern on the light shielding film; 상기 레지스트 패턴을 마스크로 상기 차광막을 식각하여 차광막 패턴을 형성하는 단계;Etching the light blocking film using the resist pattern as a mask to form a light blocking film pattern; 450 ∼ 1000㎚ 대역의 파장을 갖는 광학적 패턴 크기(CD) 측정장비로 상기 차광막 패턴의 크기(CD)를 측정하여 타겟 크기(target CD)와의 편차를 구하는 단계; 및Obtaining a deviation from a target CD by measuring the size CD of the light shielding film pattern with an optical pattern size (CD) measuring device having a wavelength in the range of 450 to 1000 nm; And 상기 편차를 보정하기 위하여 상기 차광막 패턴을 추가 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And etching the light shielding pattern in order to correct the deviation. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 단계 전에,Before forming the resist pattern, 상기 차광막 상에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And forming an anti-reflection film on the light shielding film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광학적 패턴 크기(CD) 측정장비로 스펙트로포토미터(spectrophotometer)를 사용하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.Method for producing a photomask, characterized in that using a spectrophotometer (CD) as the optical pattern size (CD) measuring equipment. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 차광막을 식각하는 단계에서,Etching the light blocking film using the resist pattern as a mask; 후속되는 패턴 크기(CD)에 대한 보정공정을 고려하여 상기 차광막이 타겟 크기(CD)보다 10㎚ 두께의 식각이 덜 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.A method of manufacturing a photomask, wherein the light shielding film is etched less than a target size (CD) by 10 nm in consideration of a subsequent correction process for the pattern size (CD). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 차광막을 형성하는 단계 전에 상기 기판 상에 위상반전막을 형성하는 단계를 더 구비하며,And forming a phase inversion film on the substrate before forming the light shielding film. 상기 편차를 보정하기 위하여 상기 차광막을 식각하는 단계 후 상기 위상반전막을 식각하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And etching the phase inversion film after etching the light shielding film to correct the deviation. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 위상반전막을 식각하는 단계는, 상기 편차를 보정하기 위한 차광막 식각을 수행한 장비에서 인-시츄(in-situ)로 진행하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.The etching of the phase inversion film, the method of manufacturing a photomask, characterized in that to proceed in-situ (in-situ) in the equipment that performed the light-shielding film etching to correct the deviation. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 차광막 패턴의 크기(CD)를 측정하는 단계에서, 자외선 필터를 사용하여 450㎚ 미만의 파장을 차단하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.The method of claim 1, wherein in the measuring of the size (CD) of the light shielding film pattern, a wavelength of less than 450 nm is blocked by using an ultraviolet filter.
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