KR20060133413A - Throttle valve for pressure control of semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스로틀 밸브가 채용된 반도체 제조설비의 개략적 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus employing a throttle valve according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 스로틀 밸브의 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view of the throttle valve shown in FIG. 1. FIG.
도 3은 도 2에 도시된 스로틀 밸브의 종단면도에 해당하는 Ⅰ-Ⅰ' 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the throttle valve illustrated in FIG. 2.
**도면 중 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
20 : 공정 챔버 30 : 진공 라인20
40 : 진공 펌프 110 : 하우징40: vacuum pump 110: housing
120 : 플래퍼 130 : 회전축120: flapper 130: rotation axis
140 : 패킹조립체 150 : 조인트부140: packing assembly 150: joint portion
160 : 구동 모터 170 : 실링부재160: drive motor 170: sealing member
본 발명은 스로틀 밸브에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 제조설비 에 구비된 공정 챔버의 내부 압력을 조절하기 위한 압력 조절용 스로틀 밸브에 관한 것이다.The present invention relates to a throttle valve, and more particularly, to a pressure control throttle valve for adjusting the internal pressure of a process chamber provided in a semiconductor manufacturing facility.
일반적으로 스로틀 밸브는 게이트 밸브의 일종으로 유로를 열고 닫음으로써 유체의 압력을 조절할 수 있도록 한 것으로서, 반도체 제조설비에는 이러한 스로틀 밸브가 다수 채용된다. In general, a throttle valve is a kind of gate valve that allows the pressure of a fluid to be adjusted by opening and closing a flow path, and a plurality of such throttle valves are employed in semiconductor manufacturing equipment.
반도체 공정에서 이러한 스로틀 밸브가 사용되는 배경을 설명하면, 통상적으로 반도체 소자의 제조를 위한 여러 공정 중 많은 공정들은 화학적 반응을 이용한다. 이때, 이러한 화학적 반응이 이루어지는 공정 챔버 내부의 온도와 압력 등은 매우 중요한 공정조건이며, 그 중에서도 공정 챔버 내부의 압력 조절은 특히 중요하다.In describing the background of the use of such a throttle valve in a semiconductor process, many of the various processes for the manufacture of semiconductor devices typically utilize chemical reactions. At this time, the temperature and pressure inside the process chamber in which such a chemical reaction is performed are very important process conditions, and the pressure control inside the process chamber is particularly important.
예들 들어, 공정 챔버 내부에서의 가스 압력은 에칭시에는 웨이퍼에 형성되는 에칭 부분의 기하학적인 형성에 영향을 주고, 증착시에는 증착층의 특성에 전형적인 영향을 준다. 따라서 공정 진행중 공정 챔버 내부의 압력 변화는 증착이나 식각부분에서의 균일성을 방해하게 된다.For example, the gas pressure inside the process chamber affects the geometric formation of the etched portions that are formed on the wafer during etching and typically affects the properties of the deposited layer during deposition. Therefore, the pressure change inside the process chamber during the process will interfere with the uniformity in the deposition or etching.
따라서 공정 챔버의 내부 압력이 적정 압력조건을 충족하도록 조절하기 위하여 공정 챔버의 배출부와 진공 펌프를 연결하는 진공 라인에 스로틀 밸브를 설치하여 공정 챔버 내부의 압력제어를 수행하도록 한다.Therefore, in order to control the internal pressure of the process chamber to meet the appropriate pressure condition, a throttle valve is installed in the vacuum line connecting the discharge part of the process chamber and the vacuum pump to perform pressure control in the process chamber.
한편, 반도체 제조설비에 적용되는 스로틀 밸브는 크게 두 가지 종류가 있는데, 상기 진공 라인의 유로 상에 원판형태의 판체인 플래퍼(flapper)를 설치하여 이 플래퍼의 회전으로 유로의 개폐조절이 이루어지도록 하거나, 또는 절곡된 유로 상에서 유로의 일측에 끼워져 직선 구동하는 플런저를 이용하여 유로의 개폐조절이 이루어지도록 하는 것이 있다.On the other hand, there are two types of throttle valves to be applied to semiconductor manufacturing equipment. A flapper, which is a plate-shaped plate, is installed on the flow path of the vacuum line so that the opening and closing of the flow path is controlled by the rotation of the flapper. Or, the opening and closing adjustment of the flow path is made by using a plunger that is inserted into one side of the flow path on a bent flow path and driven linearly.
여기서 플래퍼의 회전을 이용하여 유로의 개폐를 조절하는 스로틀 밸브에 대해 좀 더 살펴보면, 상기 플래퍼는 원판형태의 판체로서 유로내에 동축상으로 배치되며, 상기 플래퍼를 회전시키기 위한 축이 유로를 형성하는 하우징을 관통하여 상기 플래퍼에 고정된다. 따라서 상기 축을 회전시켜 플래퍼의 배치 상태를 전환시킴으로써 유체의 흐름을 조절하게 된다. 즉, 플래퍼의 평면이 실질적으로 유로의 종축선에 수직으로 배향될 때까지 축을 회전시킴으로써 유로를 폐쇄하여 유체 이동을 차단하거나 감소시킨다. 반대로 상기한 바와 같은 폐쇄상태에서 축을 반대로 회전시킴에 따라 유로가 조금씩 개방되고, 플래퍼의 평면이 실질적으로 유로의 종축선에 평행하게 배향될 때까지 축을 회전시키면 유로는 완전개방상태를 형성하게 된다. 한편, 이러한 플래퍼의 외주면에는 유로의 폐쇄시 보다 완벽한 밀폐를 위해 단일체로 형성된 비압축성의 오링이 장착된다.Here, a closer look at the throttle valve for controlling the opening and closing of the flow path using the rotation of the flapper, the flapper is a disk-shaped plate body is disposed coaxially in the flow path, the shaft for rotating the flapper to form a housing It is fixed to the flapper through the through. Therefore, the flow of the fluid is controlled by rotating the shaft to change the arrangement of the flapper. That is, by closing the flow path by rotating the axis until the plane of the flapper is oriented substantially perpendicular to the longitudinal axis of the flow path, blocking or reducing fluid movement. On the contrary, as the shaft is rotated in the closed state as described above, the passage is opened little by little, and when the shaft is rotated until the plane of the flapper is oriented substantially parallel to the longitudinal axis of the passage, the passage forms a fully open state. On the other hand, the outer circumferential surface of the flapper is equipped with an incompressible O-ring formed in one piece for a more complete sealing when the flow path is closed.
그런데 이러한 스로틀 밸브의 경우 플래퍼의 외주면에 장착된 오링으로 인하여 다음과 같은 문제점이 빈번히 발생하고 있다.However, in the case of such a throttle valve, the following problems frequently occur due to the O-ring mounted on the outer circumferential surface of the flapper.
즉, 압력 조절을 위해 진공 라인 및 상기 스로틀 밸브를 통해 배기되는 비교적 고온상태의 비반응 배기가스들로 인하여 상기 오링에 열적, 화학적 데미지(damage)가 발생한다. 또한, 상기와 같은 배기과정에서 반응부산물인 파우더가 상기 스로틀 밸브의 하우징 내벽과 상기 플래퍼의 외주면에 장착된 오링에 적층되는 현상이 발생한다. That is, thermal and chemical damage occurs to the O-ring due to relatively high temperature unreacted exhaust gases exhausted through the vacuum line and the throttle valve for pressure regulation. In addition, a phenomenon in which the reaction byproduct powder is laminated on the O-ring mounted on the inner wall of the throttle valve and the outer circumferential surface of the flapper may occur in the exhaust process.
상기한 바와 같은 파우더는 특히 오링에 집중적으로 적층됨으로써 상기 유로의 개폐를 위한 상기 플래퍼의 회전시 상기 하우징의 내벽과 상기 오링의 마찰을 증가시키게 된다. 이러한 마찰의 증가는 열적, 화학적 데미지를 입은 오링에 심한 열변형 및 열손상을 유발하게 되고, 결국 상기 오링의 상태확인 및 그 교체를 위한 잦은 PM(Preventive Maintenance; 예방 유지 보수)을 필요로하게 만든다.The powder as described above is particularly concentrated in the O-ring to increase the friction between the inner wall of the housing and the O-ring during rotation of the flapper for opening and closing the flow path. This increase in friction causes severe thermal deformation and thermal damage to the O-rings that are thermally and chemically damaged, which in turn requires frequent PM (Preventive Maintenance) to check and replace the O-rings. .
한편, 그 교체가 이루어지기 전까지 열변형 및 열손상이 발생된 오링은 플래퍼의 원활한 회전을 방해하게 되고, 이러한 상태하에서의 무리한 플래퍼의 회전은 회전축에 전단 응력이 가해지도록 함으로써 회전축이 비틀리는 등의 손상을 유발하고, 나아가 상기 회전축을 회전시키기 위한 구동 모터에 무리한 구동 하중이 걸리게 함으로써 구동 모터의 손상으로까지 이어지게 된다. 또한, 이러한 손상 등이 PM을 통해 해소되기 전까지는 상기 플래퍼의 회전을 통한 유로의 개폐가 정확히 제어되지 않기 때문에 결과적으로 스로틀 밸브의 작동 페일(fail), 즉 공정 챔버 내부의 압력 조절 실패로 인한 공정 불량을 유발하게 된다.On the other hand, until the replacement is made, the O-ring, which has undergone thermal deformation and heat damage, prevents the flapper from rotating smoothly, and the excessive rotation of the flapper under such a condition causes shear stress to be applied to the rotating shaft, thereby causing the rotating shaft to twist. In addition, by causing an excessive driving load on the drive motor for rotating the rotary shaft further leads to damage of the drive motor. In addition, the opening and closing of the flow path through the rotation of the flapper is not precisely controlled until such damage and the like are eliminated through the PM, and as a result, a process due to a failing operation of the throttle valve, i.e., failure to adjust the pressure inside the process chamber. It will cause a defect.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 상기한 바와 같은 플래퍼의 외주면에 장착된 오링의 손상에 따른 스로틀 밸브의 작동 페일(fail)로 발생하는 공정 불량을 방지하고, 오링의 상태확인 및 그 교체를 위한 잦은 예방 유지 보수를 필요로 하지 않는 반도체 제조설비의 압력 조절용 스로틀 밸브를 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made to overcome the disadvantages of the prior art as described above, to prevent process failure caused by the operation of the throttle valve (fail) due to the damage of the O-ring mounted on the outer peripheral surface of the flapper as described above, The technical challenge is to provide a pressure regulating throttle valve for semiconductor manufacturing equipment that does not require frequent preventive maintenance to check the condition of the O-ring and replace it.
상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 압력 조절용 스로틀 밸브는 내부에 유로가 형성된 하우징과, 상기 유로 내에서 회전하면서 상기 유로를 개폐하는 플래퍼와, 상기 하우징을 관통하여 상기 플래퍼에 체결되어 상기 플래퍼를 회전시키는 회전축과, 상기 회전축에 회전력을 공급하는 구동 모터, 및 상기 하우징과 상기 구동 모터를 연결하는 조인트부를 구비한다.The pressure control throttle valve of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention for achieving the above technical problem is a housing having a flow path formed therein, a flapper for opening and closing the flow path while rotating in the flow path, and through the housing A rotation shaft coupled to the flapper to rotate the flapper, a drive motor to supply rotational force to the rotation shaft, and a joint part connecting the housing and the drive motor.
이때, 상기 유로 및 플래퍼는 원형 단면을 갖는 것일 수 있다.In this case, the flow path and the flapper may have a circular cross section.
또한, 상기 유로는 그 단면 직경이 내부로 갈수록 작아지도록 형성된 것일 수 있다.In addition, the flow path may be formed so that its cross-sectional diameter becomes smaller toward the inside.
또한, 상기 하우징은 알루미나(Al2O3)로 형성되고, 상기 플래퍼는 SUS-440a, 440b, 440c 중 어느 하나로 형성된 것일 수 있다.In addition, the housing may be formed of alumina (Al 2 O 3 ), the flapper may be formed of any one of SUS-440a, 440b, 440c.
또한, 상기 하우징의 양 단에는 진공 라인과의 연결시 기밀유지를 위한 실링부재가 장착될 수 있다.In addition, both ends of the housing may be equipped with a sealing member for airtightness when connected to the vacuum line.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조설비의 압력 조절용 스로틀 밸브에 대해 상세히 설명한다. 한편, 명세서 전반에 걸쳐 동일한 참조부호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the throttle valve for pressure control of the semiconductor manufacturing equipment according to an embodiment of the present invention. On the other hand, the same reference numerals throughout the specification represent the same components.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스로틀 밸브가 채용된 반도체 제조설비의 개략적 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus employing a throttle valve according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 스로틀 밸브(100)가 채용된 반도체 제조설비를 도 1을 참조하여 간략히 설명한다. 상기 반도체 제조설비는 예를 들어 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정의 수행을 위한 증착설비일 수 있다. 이때, 공정 챔버(20)의 내부는 저압 상태, 즉 진공 분위기가 형성될 것을 필요로 하며, 이를 위한 진공 펌프(40)가 진공 라인(30)을 통해 상기 공정 챔버(20)와 연결된다. 여기서 미설명부호 10은 상기 공정 챔버(20) 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급라인을 나타낸다.A semiconductor manufacturing apparatus employing a
한편, 상기 진공 펌프(40)의 후단에는 배기 라인(50)을 통해 배기가스 처리장치(60)가 연결된다. 이는 공정 진행 후 독성 및 폭발성 때문에 직접 대기로 방출할 수 없는 배기가스를 흡착, 분해, 흡수와 같은 공정을 통해 정화시켜 무해한 가스로 만든 후, 대기로 방출하기 위한 것이다.On the other hand, the exhaust
한편, 상기 공정 챔버(20)와 진공 펌프(40)를 연결하는 진공 라인(30)에는 상기 진공 펌프(40)로 유입되는 배기가스의 양을 조절하여 상기 진공 펌프(40)의 내부 압력을 조절하기 위한 스로틀 밸브(100)가 설치된다.Meanwhile, an internal pressure of the
도 2는 도 1에 도시된 스로틀 밸브(100)의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 스로틀 밸브(100)의 종단면도에 해당하는 Ⅰ-Ⅰ' 단면도이다.FIG. 2 is a perspective view of the
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 스로틀 밸브(100)는 내부에 유로(111)가 형성된 하우징(110)을 구비한다. 상기 하우징(110)의 내부에는 회전을 통해 상기 유로(111)를 개폐하는 플래퍼(120)가 설치된다. 상기 플래퍼(120)는 상기 하우징(110)을 관통하여 설치되는 회전축(130)과 다수의 볼트(132)에 의해 나사체결된다. 상기 회전축(130)은 상기 플래퍼(120)의 회전을 위한 회전력을 제공하는 구동 모터(160)와 연결된다. 여기서 미설명부호 150은 상기 하 우징(110)과 상기 구동 모터(130)를 연결하는 조인트부를 나타내며, 미설명부호 140은 상기 회전축(130)과 상기 하우징(110) 및 상기 조인트부(150) 사이에 배치되는 적당한 패킹조립체를 나타낸다.As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the
한편, 상기 하우징(110)은 그 단면이 원형인 유로(111)를 갖는 대략 원통형상일 수 있고, 상기 플래퍼(120)는 그 단면이 원형인 원판형일 수 있다. 이러한 구조에 의할 때, 상기 플래퍼(120)는 유로(111) 내에서 회전축(130)에 고정되고, 상기 회전축(130)의 회전시 개방위치와 폐쇄위치로 이동가능하게 된다. 개방위치(미도시)에서 상기 플래퍼(120)의 평면은 유로(111)의 종축선(180)에 대하여 평행하게 되어 유로(111)를 통한 배기가스의 유동량이 최대가 되도록 한다. 한편, 도 3에 도시된 상태와 같은 폐쇄위치에서 상기 플래퍼(120)의 평면은 유로(111)의 종축선(180)에 대하여 수직을 이루어 유로(111)를 통한 배기가스의 유동량이 제로(zero)가 되도록 한다. 즉, 상기 유로(111)를 통한 배기가스의 유동은 요구되는 바에 따라 상기 플래퍼(120)를 완전폐쇄위치와 개방위치 사이에서 점진적으로 회전시킴으로써 조절될 수 있다.Meanwhile, the
한편, 상기 유로(111)를 형성하는 하우징(110)의 내벽(112, 114)은 그 단면 직경이 내부로 갈수록 작아지도록 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 구조를 갖는 유로(111)의 경우, 그 중앙부 단면, 즉 상기 플래퍼(120)와 밀착됨으로써 상기 유로(111)를 폐쇄하는 부분의 단면 직경이 상기 유로(111)의 타 부분보다 작기 때문에 상기 플래퍼(120)가 회전됨으로써 상기 유로(111)가 개방되는 경우 이 부분을 통과하는 배기가스의 유속을 보다 빠르게 할 수 있다. 따라서 상기 플래퍼(120)를 완전폐쇄위치에서 조금만 회전시켜 상기 유로(111)를 개방하더라도 상기 유로(111)가 전체적으로 동일 직경을 갖는 경우 보다 더 많은 양의 배기가스가 이동되도록 할 수 있다. 이는 상기 플래퍼(120)의 회전각도를 줄이더라도 상기 스로틀 밸브(100)를 통해 수행하고자 하는 압력 조절과 동일한 압력 조절이 가능함을 의미하기 때문에 구동 모터(160)의 소모 전력을 줄일 수 있고, 보다 효율적인 스로틀 밸브(100)의 제어가 이루어지도록 할 수 있다.On the other hand, the inner wall (112, 114) of the
또한, 상기 유로(111)의 중앙부를 지나가는 배기가스의 유속이 상기 유로(111)가 전체적으로 동일 직경을 갖는 경우와 비교할 때, 보다 빨라지기 때문에 상기 유로(111)의 중앙부, 즉 상기 플래퍼(120)와 밀착됨으로써 상기 유로(111)를 폐쇄하는 부분에 적층되는 파우더(미도시)의 양을 최소화할 수 있다. 이를 통해 상기 플래퍼(120)의 회전시 작용하는 파우더의 영향을 최소화할 수 있다. 또한, 플래퍼(120)의 외주면에 별도의 오링을 장착하지 않기 때문에 상기 파우더의 적층으로 인한 오링의 손상에 따른 스로틀 밸브(100)의 작동 페일(fail)이 발생할 염려가 없다. 따라서 상기한 작동 페일에 따른 공정 불량의 발생을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 종래와 같은 파우더의 제거 및 오링 교체를 위한 잦은 예방 유지 보수가 필요 없다.In addition, since the flow rate of the exhaust gas passing through the central portion of the
한편, 상기 하우징(110)은 내열성 및 내식성이 우수한 내열 세라믹스의 하나인 알루미나(Al2O3)로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 플래퍼(120)는 스테인리스 스틸(stainless steel)로 형성되는 것이 바람직하며, 그 중에서도 특히 내열 성, 내마모성 및 내식성이 우수한 SUS-440a, 440b, 440c 중 어느 하나로 형성되는 것이 더욱 바람직하다.On the other hand, the
한편, 상기 하우징(110)의 양 단에는 진공 라인(30, 도 1 참조)과의 연결시 기밀유지를 위한 실링부재(170)가 장착되는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the sealing
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention has been described with respect to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications without departing from the scope of the present invention Of course it is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by the equivalents of the claims.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 파우더의 적층을 최소화하는 한편, 플래퍼의 외주면에 별도의 오링을 장착하지 않기 때문에 파우더로 인한 오링 손상에 따른 스로틀 밸브의 작동 페일(fail)이 발생할 염려가 없어 그에 따른 공정 불량의 발생을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 종래와 같은 파우더의 제거 및 오링 교체를 위한 잦은 예방 유지 보수가 불필요한 이점이 있다.According to the present invention having the configuration as described above, while minimizing the stacking of the powder, and does not install a separate O-ring on the outer peripheral surface of the flapper, there is a fear that the operation failure of the throttle valve due to the O-ring damage caused by the powder There is no advantage that can prevent the occurrence of process defects accordingly, as well as the need for frequent preventive maintenance for the removal and O-ring replacement of the powder as in the prior art.
Claims (5)
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KR1020050053238A KR20060133413A (en) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | Throttle valve for pressure control of semiconductor manufacturing equipment |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |