KR20060133398A - Flange of vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Abstract

A flange of a semiconductor device manufacturing vertical diffusion furnace is provided to minimize process failures and a maintenance time by improving the structures of a vacuum port and a joint portion using a convexo-concave portion. A flange of a semiconductor device manufacturing vertical diffusion furnace includes a body(110) with a cavity, a gas injecting portion at one side of the body, a vacuum port(120) with a gas exhaust hole connected through the cavity of the body, and a joint portion(130) with a gas transfer hole connected through the gas exhaust hole. The joint portion is used for connecting a vacuum line with the vacuum port. A convexo-concave portion is formed at inner surfaces of the vacuum port and the joint portion along a gas flow direction, respectively.

Description

반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지{FLANGE OF VERTICAL DIFFUSION FURNACE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}FLANGE OF VERTICAL DIFFUSION FURNACE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1은 종형 확산로에 적용되는 종래의 플랜지를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional flange applied to the vertical diffusion furnace.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플랜지가 적용된 종형 확산로의 개략적 구성을 나타낸 단면도이다.Figure 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a vertical diffusion path to which a flange is applied according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 플랜지의 평면도이다.3 is a plan view of the flange shown in FIG.

도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ' 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3.

도 5는 도 4에 도시된 요철부의 다른 실시예를 나타낸 도 3의 Ⅰ-Ⅰ' 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3, showing another example of the concave-convex portion shown in FIG. 4.

**도면 중 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

110 : 몸체 111 : 중공110: body 111: hollow

112 : 내측 튜브 안착턱 114 : 히터 블럭 체결부112: inner tube seating jaw 114: heater block fastening portion

116 : 가스 주입부 120 : 진공 포트116: gas inlet 120: vacuum port

122, 132 : 요철부 124 : 가스 배출홀122, 132: uneven portion 124: gas discharge hole

130 : 조인트부 134 : 가스 전달홀130: joint portion 134: gas delivery hole

202 : 외측 튜브 204 : 내측 튜브202: outer tube 204: inner tube

206 : 히터 블럭 208 : 보트206: heater block 208: boat

210 : 엘리베이터 캡210: Elevator Cap

본 발명은 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 진공 라인과 연결되는 진공 포트 및 조인트부의 내주면 구조를 개선하여 반응부산물인 파우더의 적층으로 인한 공정 불량 및 예방유지보수를 최소화하도록 한 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지에 관한 것이다.The present invention relates to a flange of a vertical diffusion furnace for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to improve the inner peripheral surface structure of a vacuum port and a joint part connected to a vacuum line, thereby minimizing process defects and preventive maintenance due to the deposition of powder as a reaction byproduct. It relates to a flange of a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device.

일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판인 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 이온주입, 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행함으로써 만들어진다. 이러한 여러 공정 중 빈번히 수행되는 공정의 하나로 웨이퍼 상에 P형 또는 N형 불순물을 침투시키거나 산화막 또는 질화막 등의 특정막을 형성 또는 성장시키는 확산공정이 있다.In general, a semiconductor device is made by selectively and repeatedly performing a process such as photographing, etching, diffusion, ion implantation, and metal deposition on a semiconductor substrate wafer. One of the processes that is frequently performed among these processes is a diffusion process of infiltrating P-type or N-type impurities on a wafer or forming or growing a specific film such as an oxide film or a nitride film.

이러한 확산공정에서는 주로 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하 'CVD'라 칭함)법이 이용된다. 상기 CVD 방법은 화학소스를 가스 상태로 장치내에 공급하여 웨이퍼 표면상에서 확산을 일으키게 함으로써 웨이퍼 상에 유전체막, 도전막, 반도전막 등을 증착시키는 기술이다.In such a diffusion process, chemical vapor deposition (hereinafter referred to as CVD) is mainly used. The CVD method is a technique of depositing a dielectric film, a conductive film, a semiconducting film, etc. on a wafer by supplying a chemical source into the device in a gas state to cause diffusion on the wafer surface.

이러한 CVD 방법은 통상 장치 내의 압력에 따라 저압 CVD, 상압 CVD로 구분하고, 그 외에도 플라즈마 CVD 또는 광여기 CVD 등이 일반적으로 사용되고 있다. 이 중에서 LP(Low Pressure)CVD는 상압보다 낮은 압력에서 웨이퍼의 표면상에 필요한 물질을 증착시키는 방법으로서 주로 사용된다. Such CVD methods are generally classified into low pressure CVD and atmospheric pressure CVD according to the pressure in the apparatus. In addition, plasma CVD or photoexcitation CVD is generally used. Among them, LP (Low Pressure) CVD is mainly used as a method of depositing a necessary material on the surface of the wafer at a pressure lower than normal pressure.

이러한 LPCVD 방법을 이용한 확산공정은 주로 우수한 균일성과 반복성 및 낮은 결함률 등의 장점을 갖는 종형 확산로(Vertical Diffusion Furnace)에서 그 진행이 이루어진다. The diffusion process using the LPCVD method mainly proceeds in a vertical diffusion furnace having advantages such as excellent uniformity, repeatability, and low defect rate.

그런데 상기 종형 확산로에서 수행되는 LP CVD 공정 중 미반응 가스들에 의해 생성되는 반응부산물인 파우더가 발생하여, 상기 종형 확산로의 내부 압력을 조절하기 위한 진공 펌프로 이어지는 진공 라인 및 상기 진공 라인과 연결되는 플랜지의 진공 포트의 내주면에 상기 파우더가 적층됨으로써 여러 문제점을 일으키고 있다.However, during the LP CVD process performed in the vertical diffusion furnace, a powder, which is a reaction byproduct generated by unreacted gases, is generated, leading to a vacuum pump and a vacuum line for controlling an internal pressure of the vertical diffusion furnace. The powder is laminated on the inner circumferential surface of the vacuum port of the flange to be connected, causing various problems.

도 1은 종형 확산로에 적용되는 종래의 플랜지(10)를 개략적으로 나타낸 단면도인데, 도 1에 도시된 바와 같이, LPCVD 공정 중 미반응 배기가스를 진공 펌프(미도시)로 배출하기 위한 진공 포트(12) 및 상기 진공 펌프로 이어지는 진공 라인(14)의 내주면에 파우더(P)가 적층되어 있음을 알 수 있다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional flange 10 applied to a vertical diffusion furnace, as shown in Figure 1, a vacuum port for discharging unreacted exhaust gas to a vacuum pump (not shown) during the LPCVD process It can be seen that the powder P is laminated on the inner circumferential surface of the vacuum line 14 leading to the vacuum pump 12 and 12.

이러한 파우더(P)는 일정 강도 이상의 스트레스를 받게 되면 일부가 상기 진공 포트(12) 및 진공 라인(14)의 내주면으로부터 떨어져 나가면서 진공 펌프의 구동에 이상을 발생시킬 수 있다. 이와 같이 진공 펌프의 구동 상에 이상이 발생하면 오버 플로우(over flow) 현상, 즉 진공 펌프로 유도되어야 할 배기가스가 상기 확산로 내부로 역이동하는 현상이 발생하여 상기한 바와 같이 떨어져 나간 파우더(P)의 미세 입자들이 오염원의 소스, 즉 파티클로 작용하여 상기 확산로 내부를 오염 시키게 된다. When the powder (P) is subjected to a stress of a certain strength or more, some of the powder (P) may be separated from the inner peripheral surface of the vacuum port 12 and the vacuum line 14 may cause an abnormality in the operation of the vacuum pump. As described above, when an abnormality occurs on the driving of the vacuum pump, an overflow phenomenon, that is, a phenomenon in which exhaust gas to be guided to the vacuum pump is reversely moved into the diffusion path is generated, and thus the powder is separated as described above. Fine particles of P) act as a source of the source, that is, particles to contaminate the inside of the diffusion furnace.

또한, 상기한 바와 같은 확산 공정의 반복적 수행시 파우더(P)가 지속적으로 적층됨으로써 심한 경우 상기 진공 포트(12) 및 진공 라인(14)이 막히게 됨으로써 펌핑 불량에 따른 공정 불량이 발생하고, 이러한 공정 불량을 막기 위한 잦은 예방유지보수로 인하여 반도체 소자의 제조 수율에 악영향을 미치게 되는 문제점이 있다.In addition, as the powder (P) is continuously laminated during the repetitive execution of the diffusion process as described above, the vacuum port 12 and the vacuum line 14 is blocked in severe cases, resulting in a process failure due to poor pumping, such a process Due to frequent preventive maintenance to prevent defects there is a problem that adversely affect the manufacturing yield of the semiconductor device.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 진공 라인과 연결되는 진공 포트 및 조인트부의 내주면 구조를 개선하여 반응부산물인 파우더의 적층으로 인한 공정 불량 및 예방유지보수를 최소화할 수 있는 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지를 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made to overcome the disadvantages of the prior art as described above, to improve the inner peripheral surface structure of the vacuum port and the joint portion connected to the vacuum line to minimize the process defects and preventive maintenance due to the lamination of the reaction by-product powder It is a technical problem to provide a flange of a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지는 내부를 수직 방향으로 관통하는 중공이 형성된 몸체와, 상기 몸체의 일측에 형성된 가스 주입부와, 상기 몸체의 중공과 연통된 가스 배출홀이 마련된 진공 포트, 및 상기 가스 배출홀과 연통하는 가스 전달홀이 마련되고 진공 펌프로 이어지는 진공 라인과 상기 진공 포트를 연결하는 조인트부를 구비하며, 상기 진공 포트 및 상기 조인트부의 내주면에는 각각 가스 흐름 방향을 따라 형성된 요철부가 마련된다.The flange of the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem, the body is formed with a hollow penetrating the inside in the vertical direction, the gas injection portion formed on one side of the body, A vacuum port provided with a gas discharge hole communicating with the hollow of the body, and a gas delivery hole communicating with the gas discharge hole and provided with a joint part connecting the vacuum line to the vacuum pump and the vacuum port; And an uneven portion formed along the gas flow direction on the inner circumferential surface of the joint portion.

이때, 상기 조인트부는 상기 진공 포트를 통해 배출되는 배기 가스를 모아서 상기 진공 라인으로 전달하도록 상기 가스 전달홀의 수평 단면이 사다리꼴 형상인 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that the horizontal section of the gas delivery hole has a trapezoidal shape so that the joint part collects exhaust gas discharged through the vacuum port and transfers the exhaust gas to the vacuum line.

일 실시예에서 상기 요철부는 그 단면이 'V'자 홈의 연속으로 이루어진 나사홈 형상일 수 있다.In one embodiment, the concave-convex portion may have a screw groove shape having a cross section of a 'V' shaped groove.

다른 실시예에서 상기 요철부는 그 단면이 반원형 홈과 반원형 돌기가 연속적으로 반복되는 물결 형상일 수 있다.In another embodiment, the concave-convex portion may have a wavy shape in which a cross-section of the semicircular groove and the semicircular protrusion are continuously repeated.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지에 대해 상세히 설명한다. 한편, 명세서 전반에 걸쳐 동일한 참조부호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, a flange of a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. On the other hand, the same reference numerals throughout the specification represent the same components.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플랜지가 적용된 종형 확산로의 개략적 구성을 나타낸 단면도이다.Figure 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a vertical diffusion path to which a flange is applied according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하여 상기 종형 확산로에 대해 간략히 설명한다.The vertical diffusion path will be briefly described with reference to FIG. 2.

상기 종형 확산로는 LPCVD 방법을 이용한 확산공정이 이루어지는 설비로서, 크게 내측 튜브(204), 외측 튜브(202), 히터 블럭(206), 플랜지(100), 보트(208) 및 엘리베이터 캡(210) 등으로 구성된다.The vertical diffusion furnace is a device in which a diffusion process is performed using the LPCVD method, and includes an inner tube 204, an outer tube 202, a heater block 206, a flange 100, a boat 208, and an elevator cap 210. And the like.

상기 내측 튜브(204)는 석영 재질로 형성된 원통형 관으로, 그 내부에 다수 매의 웨이퍼(W)를 적재한 보트(208)가 삽입되어 상기 웨이퍼(W) 상에 화학기상증착이 진행되는 공간을 형성한다. 한편, 상기 외측 튜브(202)는 종 형상을 가지며, 상기 내측 튜브(204)의 외측에 소정간격을 두고 설치되어 그 내부를 밀폐시키는 역할을 수행한다. 한편, 상기 외측 튜브(202)의 외측에는 상기 외측 튜브(202)를 둘러 싸도록 설치되어 상기 외측 튜브(202)의 내부 온도를 공정에 필요한 적정 온도로 가열하기 위한 히터 블럭(206)이 마련된다.The inner tube 204 is a cylindrical tube formed of a quartz material, and a boat 208 having a plurality of wafers W loaded therein is inserted therein to form a space where chemical vapor deposition proceeds on the wafer W. Form. On the other hand, the outer tube 202 has a longitudinal shape, is installed at a predetermined interval on the outer side of the inner tube 204 serves to seal the inside. On the other hand, the outer side of the outer tube 202 is provided to surround the outer tube 202 is provided with a heater block 206 for heating the inner temperature of the outer tube 202 to a proper temperature required for the process. .

한편, 상기 플랜지(100)에는 상기 내측 튜브(204)와 외측 튜브(202)가 세팅된다. 상기 플랜지(100)의 하단에는 상기 보트(208)를 승하강시키는 한편 상기 외측 튜브(202) 및 플랜지(100)의 내부를 밀폐시키는 엘리베이터 캡(210)이 결합된다.Meanwhile, the inner tube 204 and the outer tube 202 are set in the flange 100. An elevator cap 210 is coupled to a lower end of the flange 100 to lift and lower the boat 208 and seal the inside of the outer tube 202 and the flange 100.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 플랜지에 대해 상세히 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 본 발명에 따른 플랜지(100)의 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ' 단면도이다.Hereinafter, a flange according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 3 is a plan view of the flange 100 according to the present invention shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a sectional view taken along line II ′ of FIG. 3.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 플랜지(100)는 내부를 수직 방향으로 관통하는 중공(111)이 형성된 원통형 몸체(110)를 갖는다. 상기 몸체(110)의 상부에는 수평 방향으로 돌출형성된 복수개의 히터 블럭 체결부(114)가 마련된다. 상기 몸체(110)의 내주면에는 환 형상의 내측 튜브 안착턱(112)이 돌출형성되어 내측 튜브(204)가 안착되도록 한다. 2 to 4, the flange 100 has a cylindrical body 110 having a hollow 111 penetrating therein in a vertical direction. The upper portion of the body 110 is provided with a plurality of heater block fastening portion 114 protruding in the horizontal direction. The inner circumferential surface of the body 110 has an annular inner tube seating jaw 112 protrudes to allow the inner tube 204 to rest.

한편, 상기 몸체(110)의 일측에는 상기 몸체(110)의 중공(111)과 연통되어 상기 내측 튜브(204)의 내부 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 주입부(116)가 마련된다. Meanwhile, a gas injection unit 116 is provided at one side of the body 110 to communicate with the hollow 111 of the body 110 to supply a process gas to the inner space of the inner tube 204.

한편, 상기 몸체(110)의 다른 일측에는 상기 몸체(110)의 중공(111)과 연통된 가스 배출홀(124)이 마련된 진공 포트(120)가 마련된다. 상기 진공 포트(120)는 상기 외측 튜브((202) 내부에 존재하는 공기 및 공정 가스들을 외부로 배출시키기 위한 게이트(gate)의 역할을 수행하며, 조인트부(130) 및 진공 라인(미도시)을 통해 진공 펌프(미도시)와 연결된다.On the other hand, the other side of the body 110 is provided with a vacuum port 120 provided with a gas discharge hole 124 communicating with the hollow 111 of the body 110. The vacuum port 120 serves as a gate for discharging air and process gases existing in the outer tube 202 to the outside, and the joint 130 and the vacuum line (not shown). It is connected with a vacuum pump (not shown) through.

한편, 상기 조인트부(130)는 상기 진공 포트(120)와 상기 진공 라인을 연결하기 위한 것으로서, 상기 진공 포트(120)의 가스 배출홀(124)과 연통하는 가스 전달홀(134)을 구비한다. 이때, 상기 가스 전달홀(134)의 수평 단면은 그 형상이 사다리꼴 모양을 갖기 때문에 상기 진공 포트(120)의 가스 배출홀(124)을 통해 배출되는 배기 가스를 모아서 상기 진공 라인으로 전달할 수 있다.On the other hand, the joint portion 130 is for connecting the vacuum port 120 and the vacuum line, and has a gas delivery hole 134 in communication with the gas discharge hole 124 of the vacuum port 120. . At this time, since the horizontal cross section of the gas delivery hole 134 has a trapezoidal shape, the exhaust gas discharged through the gas discharge hole 124 of the vacuum port 120 may be collected and transferred to the vacuum line.

한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 진공 포트(120) 및 상기 조인트부(130)의 내주면에는 가스 흐름 방향을 따라 형성된 요철부(122, 132)가 각각 마련된다. 이때, 상기 요철부(122, 132)는 그 단면이 'V'자 홈의 연속으로 이루어진 나사홈 형상일 수 있다.On the other hand, as shown in Figure 4, the inner peripheral surface of the vacuum port 120 and the joint portion 130 is provided with uneven portions 122, 132 formed along the gas flow direction, respectively. At this time, the concave-convex portions 122 and 132 may have a screw groove shape whose cross section is formed of a continuous 'V' groove.

이와 같이, 확산로 내부에서의 공정 수행후 배출되는 배기 가스의 통로인 상기 진공 포트(120) 및 상기 조인트부(130)의 가스 배출홀(124) 및 가스 전달홀(134)을 형성하는 각각의 내주면에 상기 요철부(122, 132)를 각각 형성함으로써 상기 배기 가스에 포함된 반응부산물인 파우더가 상기 요철부(122, 132)의 'V'자 홈에 적층된다. 따라서 상기 'V'자 홈을 가득 채움으로써 표면 위로 돌출될 때까지 상기 파우더는 상기 'V'자 홈 내에 적층된 상태를 유지하기 때문에 상기 배기 가스의 흐름, 기타 이유에 의해 상기 적층된 파우더가 받는 스트레스가 상기 내주면이 평평할 때보다 작아지게 됨으로써 적층된 내주면으로부터 떨어져 나와 날리게 되는 현상을 줄일 수 있다. 또한, 이러한 요철부(122, 132)를 통해 상기 진공 포트(120) 및 상기 조인트부(130)의 가스 배출홀(124) 및 가스 전달홀(134)이 상기 파우더로 인하여 막히게 되는 현상을 현저히 줄일 수 있다. 나아가 상기 적층된 파우더를 제거하기 위한 예방유지보수의 횟수 또한 줄일 수 있게 된다. As such, each of the gas discharge holes 124 and the gas delivery holes 134 of the vacuum port 120 and the joint part 130, which are passages of the exhaust gas discharged after the process is performed in the diffusion path, may be formed. By forming the uneven parts 122 and 132 on the inner circumferential surface, powder, which is a reaction by-product included in the exhaust gas, is stacked in the 'V'-shaped grooves of the uneven parts 122 and 132. Therefore, the powder remains stacked in the 'V' groove until it is protruded over the surface by filling the 'V' groove so that the laminated powder receives due to the flow of exhaust gas or other reasons. Since the stress becomes smaller than when the inner circumferential surface is flat, it is possible to reduce the phenomenon of flying away from the laminated inner circumferential surface. In addition, through the uneven parts 122 and 132, the phenomenon that the gas discharge hole 124 and the gas delivery hole 134 of the vacuum port 120 and the joint part 130 are blocked by the powder is significantly reduced. Can be. Furthermore, the number of preventive maintenance for removing the laminated powder can also be reduced.

이때, 상기 요철부(122, 132)의 형상이 상기한 바와 같은 'V'자 홈으로 한정되는 것은 아니다. 도 5는 도 4에 도시된 요철부의 다른 실시예를 나타낸 도 3의 Ⅰ-Ⅰ' 단면도인데, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 진공 포트(120) 및 상기 조인트부(130)의 내주면에 각각 형성된 요철부는 그 단면 형상이 반원형 홈(122a, 132a)과 반원형 돌기(122b, 132b)가 연속적으로 반복되는 물결 형상일 수 있다. 이러한 물결 형상의 요철부는 가스 배출홀(124) 및 가스 전달홀(134)을 통과하는 상기 배기 가스에 보다 적은 저항으로 작용하여 그 흐름이 보다 원만해지도록 한다.At this time, the shape of the uneven parts 122 and 132 is not limited to the 'V' groove as described above. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3, showing another embodiment of the concave-convex portion shown in FIG. 4. As shown in FIG. 5, the inner peripheral surfaces of the vacuum port 120 and the joint portion 130 are respectively formed. The uneven portion may have a wavy shape in which the cross-sectional shape of the semicircular grooves 122a and 132a and the semicircular protrusions 122b and 132b are continuously repeated. The wavy concave-convex portion acts with less resistance to the exhaust gas passing through the gas discharge hole 124 and the gas delivery hole 134 to make the flow smoother.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention has been described with respect to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications without departing from the scope of the present invention Of course it is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by the equivalents of the claims.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 상기 진공 포트 및 상기 조인트부의 내주면에 파우더가 적층됨으로써 그 유로를 막히게 하는 현상을 최소화하고, 상기 내주면으로부터 파우더가 떨어져 나와 날리게 됨으로써 진공 펌프에 미치는 악영향을 최소화할 수 있다. 나아가 상기 파우더를 제거하기 위한 예방유지보수의 횟수를 현저히 줄일 수 있다. According to the present invention having the configuration as described above, the powder is laminated on the inner peripheral surface of the vacuum port and the joint portion to minimize the phenomenon of clogging the flow path, and the powder is blown out from the inner peripheral surface to minimize the adverse effect on the vacuum pump can do. Furthermore, the number of preventive maintenance for removing the powder can be significantly reduced.

Claims (4)

내부를 수직 방향으로 관통하는 중공이 형성된 몸체;A body formed with a hollow penetrating the inside in a vertical direction; 상기 몸체의 일측에 형성된 가스 주입부;A gas injection unit formed at one side of the body; 상기 몸체의 중공과 연통된 가스 배출홀이 마련된 진공 포트; 및A vacuum port provided with a gas discharge hole communicating with the hollow of the body; And 상기 가스 배출홀과 연통하는 가스 전달홀이 마련되고, 진공 펌프로 이어지는 진공 라인과 상기 진공 포트를 연결하는 조인트부를 포함하되,A gas delivery hole communicating with the gas discharge hole is provided, and includes a joint portion connecting the vacuum line and the vacuum port to the vacuum pump. 상기 진공 포트 및 상기 조인트부의 내주면에는 각각 가스 흐름 방향을 따라 형성된 요철부가 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지.Flange of the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the inner peripheral surface of the vacuum port and the joint portion is provided with irregularities formed in the gas flow direction respectively. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 요철부는 그 단면이 'V'자 홈의 연속으로 이루어진 나사홈 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지.The uneven portion is a flange of a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the cross-section is a screw groove shape consisting of a continuous 'V' groove. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 요철부는 그 단면이 반원형 홈과 반원형 돌기가 연속적으로 반복되는 물결 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지.The flange of the vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the uneven portion is a wave shape that the cross-section is a semi-circular groove and the semi-circular projection is continuously repeated. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 조인트부는 상기 진공 포트를 통해 배출되는 배기 가스를 모아서 상기 진공 라인으로 전달하도록 상기 가스 전달홀의 수평 단면이 사다리꼴 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 종형 확산로의 플랜지.The joint part flange of a vertical diffusion path for manufacturing a semiconductor device, characterized in that the horizontal cross-section of the gas delivery hole has a trapezoidal shape to collect the exhaust gas discharged through the vacuum port and deliver it to the vacuum line.
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