KR20060125111A - Liquid crystal display device - Google Patents

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KR20060125111A KR1020050046941A KR20050046941A KR20060125111A KR 20060125111 A KR20060125111 A KR 20060125111A KR 1020050046941 A KR1020050046941 A KR 1020050046941A KR 20050046941 A KR20050046941 A KR 20050046941A KR 20060125111 A KR20060125111 A KR 20060125111A
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Abstract

An LCD is provided to reduce the gravity defect of an LCD panel due to volume expansion of a liquid crystal layer, by respectively forming spacers at different regions, in which step heights of patterns are different from each other. A gate line(101) vertically crosses a data line to define a pixel region above a first substrate. A thin film transistor is formed at a crossing region of the gate line and the data line. The thin film transistor includes a gate electrode, a source electrode(105a), and a drain electrode(105b). A pixel electrode(107) is formed in the pixel region, and electrically connected to the drain electrode. A first spacer(115a) is formed at a contact region of the drain electrode and the pixel electrode. A second spacer(115b) is formed on the gate line. The first substrate is distanced from a second substrate by the first and second spacers. A liquid crystal layer is formed between the first substrate and the second substrate.

Description

액정표시소자{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}Liquid crystal display device {LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

도 1은 액정표시소자를 개략적으로 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a liquid crystal display device.

도 2는 본 발명에 의한 액정표시소자를 나타낸 평면도.2 is a plan view showing a liquid crystal display device according to the present invention.

도 3은 도 2의 I-I' 및 II-II'의 절단선에 따른 단면도.3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ and II-II ′ of FIG. 2.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

110: 제1기판 101: 게이트라인;110: first substrate 101: gate line;

103: 데이터라인 105a: 소스전극103: data line 105a: source electrode

105b; 드레인전극 105b': 드레인전극 연결패턴105b; Drain Electrode 105b ': Drain Electrode Connection Pattern

108: 반도체층 107: 화소전극108: semiconductor layer 107: pixel electrode

111: 게이트절연막 113: 보호막111: gate insulating film 113: protective film

115a: 제1스페이서 115b: 제2스페이서115a: first spacer 115b: second spacer

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히, 액정의 부피팽창에 의한 중력불량을 방지할 수 있는 액정표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of preventing gravity failure due to volume expansion of liquid crystals.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기 기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.Recently, with the development of various portable electronic devices such as mobile phones, PDAs, and notebook computers, there is an increasing demand for flat panel display devices for light and thin applications. Such flat panel displays are being actively researched, such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), FED (Field Emission Display), VFD (Vacuum Fluorescent Display), but mass production technology, ease of driving means, Liquid crystal display devices (LCDs) are in the spotlight for reasons of implementation.

도 1은 일반적인 액정표시소자의 단면을 개략적으로 나타낸 것이다. 도면에 도시한 바와 같이, 액정표시소자(1)는 하부기판(5)과 상부기판(3) 및 상기 하부기판(5)과 상부기판(3) 사이에 형성된 액정층(7)으로 구성되어 있다. 하부기판(5)은 구동소자 어레이(Array)기판으로써, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 하부기판(5)에는 복수의 화소가 형성되어 있으며, 각각의 화소에는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)와 같은 구동소자가 형성되고, 상부기판(3)은 컬러필터(Color Filter)기판으로써, 실제 칼라를 구현하기 위한 컬러필터층이 형성되어 있다. 또한, 상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)에는 각각 화소전극 및 공통전극이 형성되어 있으며 액정층(7)의 액정분자를 배향하기 위한 배향막이 도포되어 있다.1 schematically illustrates a cross section of a general liquid crystal display device. As shown in the figure, the liquid crystal display device 1 is composed of a lower substrate 5 and an upper substrate 3 and a liquid crystal layer 7 formed between the lower substrate 5 and the upper substrate 3. . Although the lower substrate 5 is a driving element array substrate, although not shown in the drawing, a plurality of pixels are formed on the lower substrate 5, and each pixel is driven such as a thin film transistor. An element is formed, and the upper substrate 3 is a color filter substrate, and a color filter layer for realizing color is formed. In addition, a pixel electrode and a common electrode are formed on the lower substrate 5 and the upper substrate 3, respectively, and an alignment film for aligning liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 7 is coated.

상기 하부기판(5) 및 상부기판(3)은 기판의 외곽에 형성된 실런트(sealant;9)에 의해 합착되며, 이들(상부기판 및 하부기판) 사이에 형성된 스페이서(spacer;8)에 의해 일정한 셀갭을 유지한다. 그리고, 상기 기판들(3,5) 사이에 형성된 액정층(7)이 상기 하부기판(5)에 형성된 구동소자에 의해 액정분자를 구동하여 액정층을 투과하는 광량을 제어함으로써 정보를 표시하게 된다.The lower substrate 5 and the upper substrate 3 are bonded by a sealant 9 formed on the outer periphery of the substrate and have a constant cell gap by a spacer 8 formed between them (the upper substrate and the lower substrate). Keep it. In addition, the liquid crystal layer 7 formed between the substrates 3 and 5 drives the liquid crystal molecules by a driving element formed on the lower substrate 5 to display information by controlling the amount of light passing through the liquid crystal layer. .

상기와 같이 구성된 액정표시소자는 하부기판(5)에 구동소자를 형성하는 구동소자 어레이기판공정에 의해서 형성되고, 상기 상부기판(3)은 컬러필터를 형성하는 컬러필터기판공정에 의해서 형성된다. 이후에, 스페이서 및 실런트형성공정을 통해 액정표소자가 완성된다.The liquid crystal display device configured as described above is formed by a drive element array substrate process of forming a drive element on the lower substrate 5, and the upper substrate 3 is formed by a color filter substrate process of forming a color filter. Thereafter, the liquid crystal display device is completed through a spacer and a sealant forming process.

구동소자 어레이기판공정은 하부기판(5)상에 배열되어 화소영역을 정의하는 복수의 게이트라인(Gate Line) 및 데이터라인(Date Line)을 형성하고 상기 화소영역 각각에 상기 게이트라인과 데이터라인에 접속되는 구동소자인 박막트랜지스터를 형성한 후, 박막트랜지스터에 접속되어 박막트랜지스터를 통해 신호가 인가됨에 따라 액정층을 구동하는 화소전극을 형성함으로써 이루어진다.In the driving device array substrate process, a plurality of gate lines and data lines are formed on the lower substrate 5 to define pixel regions, and the gate lines and the data lines are respectively formed in the pixel regions. After forming the thin film transistor which is the driving element to be connected, the pixel electrode is connected to the thin film transistor to form a pixel electrode for driving the liquid crystal layer as a signal is applied through the thin film transistor.

또한, 컬러필터기판공정은 상부기판(3)에 블랙매트릭스를 형성한 후, 그 상부에 컬러필터를 형성한 다음, 공통전극을 형성함으로써 이루어진다.In addition, the color filter substrate process is performed by forming a black matrix on the upper substrate 3, forming a color filter on the upper substrate, and then forming a common electrode.

그리고, 상기 스페이서는 볼(ball) 또는 컬럼(colum)으로 형성할 수 있으며, 상기 볼스페이서는 산포방식에 의해 형성되고, 상기 칼럼스페이서는 기판에 유기 고분자 물질을 증착 또는 코팅한 후, 이를 선택적으로 제거하는 사진식각공정에 의해 형성된다. 그러나, 산포방식은 빛이 투과하는 화소영역에도 스페이서가 존재하기 때문에 액정의 배향을 방해하고 개구율을 저하시키게 된다. 따라서, 이를 개선하기 위하여, 원하는 위치에 패터닝된 스페이서를 형성하는 컬럼 스페이서가 제안되고 있다.The spacer may be formed as a ball or a column, and the ball spacer is formed by a scattering method, and the column spacer is formed by depositing or coating an organic polymer material on a substrate, and then selectively It is formed by a photolithography process to remove. However, the scattering method interferes with the alignment of the liquid crystal and lowers the aperture ratio because spacers exist in the pixel region through which light passes. Therefore, in order to improve this, a column spacer is proposed which forms a spacer patterned at a desired position.

아울러, 셀 갭이 낮고 대면적인 액정표시소자일 경우에는, 컬럼 스페이서를 주로 사용한다. 이것은 볼스페이서를 4∼5㎛의 크기 이하로 제작하기는 어렵고 대 면적에 적용할 경우 셀갭의 균일성을 확보하기 어렵기 때문이다.In addition, in the case of a large liquid crystal display device having a low cell gap, a column spacer is mainly used. This is because it is difficult to produce a ball spacer with a size of 4 to 5 μm or less and it is difficult to secure uniformity of the cell gap when applied to a large area.

컬럼 스페이서는 하부기판 또는 상부기판 상에 감광성수지막을 소정 두께로 도포하고, 경화시킨 후, 포토레지스트 공정에 의해, 기판의 임의의 위치에 형성한다. 이때, 컬럼 스페이서는 블랙매트릭스가 형성된 영역에 위치하며, 동일한 높이를 가지고 균일하게 형성된다.The column spacer is coated on the lower substrate or the upper substrate with a predetermined thickness, cured, and formed at an arbitrary position on the substrate by a photoresist process. In this case, the column spacer is positioned in the region where the black matrix is formed and is uniformly formed with the same height.

그러나, 상부기판(3)과 하부기판(5)의 합착시 가해지는 압력과 액정을 진공 주입할 때 작용하는 압력 등에 의해 스페이서(8)가 눌려 액정패널의 중앙부분의 셀 갭이 작아지게 된다. 특히, 대면적의 액정표시장치를 제조할 때에 이러한 현상이 두드러지게 발생한다. 반면에, 액정패널의 가장자리에는 형성된 씰런트(9)는 유리섬유(glass fiber)가 포함되어 초기의 셀 갭을 유지하게 되므로 상대적으로 액정패널의 가장자리 영역의 셀갭이 중앙부분에 비해 커지게 된다.However, the spacer 8 is pressed by the pressure applied when the upper substrate 3 and the lower substrate 5 are bonded and the pressure applied when vacuum injecting the liquid crystal to reduce the cell gap in the center portion of the liquid crystal panel. In particular, this phenomenon occurs remarkably when a large area liquid crystal display device is manufactured. On the other hand, since the sealant 9 formed at the edge of the liquid crystal panel includes glass fibers to maintain the initial cell gap, the cell gap of the edge region of the liquid crystal panel is relatively larger than that of the center portion.

이 상태에서 액정패널의 내부에 형성된 액정층이 온도상승에 의해 부피가 증가하여 액정패널의 셀갭이 스페이서보다 커지게 되면, 상대적으로 셀갭이 높은 액정패널의 가장자리로 액정이 몰리게 되어 중력불량이 나타나게 된다. 즉, 액정이 액정패널의 가장자리로 몰리게 되면 이 부분은 액정의 투과율이 달라져 화면표시 특성이 떨어지게 된다.In this state, if the liquid crystal layer formed inside the liquid crystal panel increases in volume due to temperature rise and the cell gap of the liquid crystal panel becomes larger than the spacers, the liquid crystal is driven to the edge of the liquid crystal panel having a higher cell gap, resulting in poor gravity. . In other words, when the liquid crystal is driven to the edge of the liquid crystal panel, the transmittance of the liquid crystal is changed in this portion, and the screen display characteristics are deteriorated.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 액정층의 부피팽창에 대응하여 액정패널의 중력불량을 개선할 수 있는 액정표시소자를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device that can improve the gravity failure of the liquid crystal panel in response to the volume expansion of the liquid crystal layer.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제1기판 및 제2기판; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인; 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 데이터라인; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 배치되며, 게이트전극, 반도체층, 소스전극 및 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터; 상기 화소영역에 형성되며, 상기 드레인전극에 전기적으로 접속하는 화소전극; 상기 게이트라인 상에 형성된 제1스페이서; 상기 드레인전극과 화소전극의 접속영역에 형성된 제2스페이서; 및 상기 제1 및 제2스페이서에 의해 이격된 제1 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하는 액정표시소자를 제공한다. 이때, 상기 제2스페이서는 설정된 셀갭을 유지하며, 상기 제1스페이서는 팽창된 액정층의 셀갭을 유지하게 된다.The present invention for achieving the above object is a first substrate and a second substrate; A plurality of gate lines arranged in a first direction on the first substrate; A plurality of data lines crossing the gate lines and defining a plurality of pixel regions; A thin film transistor disposed at an intersection of the gate line and the data line, the thin film transistor comprising a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode; A pixel electrode formed in the pixel region and electrically connected to the drain electrode; A first spacer formed on the gate line; A second spacer formed in the connection region between the drain electrode and the pixel electrode; And a liquid crystal layer formed between the first and second substrates spaced by the first and second spacers. In this case, the second spacer maintains the set cell gap, and the first spacer maintains the cell gap of the expanded liquid crystal layer.

상기 제1스페이서와 대응하는 제1기판에는, 제1기판 상에 형성된 게이트패턴과, 상기 게이트패턴 상에 형성된 게이트절연막과, 상기 게이트절연막 상에 형성된 드레인전극과, 상기 드레이전극 상에 형성된 보호막 및 상기 보호막 상에 형성된 화소전극을 포함하며, 상기 제1스페이서와 대응하는 제1기판에는, 제1기판 상에 형성된 게이트라인과, 상기 게이트라인 상에 형성된 게이트절연막과, 상기 게이트절연막 상에 형성된 보호막 및 상기 보호막 상에 형성된 화소전극을 포함한다.The first substrate corresponding to the first spacer includes a gate pattern formed on the first substrate, a gate insulating film formed on the gate pattern, a drain electrode formed on the gate insulating film, a protective film formed on the drain electrode, and And a pixel electrode formed on the passivation layer, wherein the first substrate corresponding to the first spacer includes a gate line formed on the first substrate, a gate insulation layer formed on the gate line, and a passivation layer formed on the gate insulation layer. And a pixel electrode formed on the passivation layer.

그리고, 상기 제2기판은, 종횡으로 배열되어 복수의 화소를 정의하는 블랙매트릭스; 각 화소영역에 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터 상에 형성된 공통전극을 포함하여 구성된다. 이때, 상기 제1 및 제2스페이서는 제2기판 상에 형성되어 있으며, 제1기판 상에 형성될 수도 있다.The second substrate may further include: a black matrix arranged vertically and horizontally to define a plurality of pixels; A color filter formed in each pixel region; And a common electrode formed on the color filter. In this case, the first and second spacers are formed on the second substrate, and may be formed on the first substrate.

상기한 바와 같이, 본 발명은 단차가 서로 다른 위치에 스페이서를 형성함으로써, 액정표시소자의 중력불량을 해결한다. 액정은 일정온도(약 50℃) 이상에서 부피가 팽창하기 때문에, 실내온도 상태에서 액정패널 내부에 적당량의 액정을 주입한다 하더라도, 온도가 상승하게 되면 액정이 팽창하여 원래의 셀갭보다 두꺼워지게 된다. 이에따라, 스페이서의 높이보다 액정패널의 셀갭이 높아지게되고, 액정은 중력방향으로 쏠리게 됨으로써 중력불량을 발생하게 되는데, 액정의 팽창을 고려하여 스페이서를 만들어주게 되면, 고온에서의 액정이 중력방향으로 쏠리는 것을 방지할 수가 있다. 다시말해, 고온에서의 패턴의 높이가 상대적으로 높은 영역에 형성된 스페이서는 액정이 중력방향으로 쏠리는 것을 방지해주는 역할을 한다.As described above, the present invention solves the gravity failure of the liquid crystal display by forming spacers at positions different from each other. Since the liquid crystal expands in volume over a predetermined temperature (about 50 ° C.), even if an appropriate amount of liquid crystal is injected into the liquid crystal panel at room temperature, the liquid crystal expands and becomes thicker than the original cell gap when the temperature rises. Accordingly, the cell gap of the liquid crystal panel becomes higher than the height of the spacer, and the liquid crystal is oriented in the direction of gravity, causing gravity failure. When the spacer is made in consideration of the expansion of the liquid crystal, the liquid crystal is oriented in the direction of gravity I can prevent it. In other words, the spacer formed in a region where the pattern height at a high temperature is relatively high serves to prevent the liquid crystal from being oriented in the direction of gravity.

본 발명에서 상대적으로 단차가 낮은 게이트라인 영역에 형성된 제2스페이서는 설정된 셀갭을 유지하며, 드레인전극과 화소전극의 접속영역에 형성된 제2스페이서는 고온(50℃ 이상)에서 셀갭을 유지하여 액정이 중력방향으로 쏠리는 것을 방지한다.In the present invention, the second spacer formed in the gate line region having a relatively low level of step maintains the set cell gap, and the second spacer formed in the connection region between the drain electrode and the pixel electrode maintains the cell gap at a high temperature (50 ° C. or higher). Prevents gravity from tipping.

이때, 상기 제1스페이서는 박막트랜지스터 상부에 형성될 수도 있다. 그러나, 본 발명에서는 외부 압력에 의해 제1스페이서가 박막트랜지스터의 반도체층에 손상을 주어 박막트랜지스터의 특성을 저하시킬 수 있기 때문에, 특히, 드레인전극과 화소전극의 접속영역에 제1스페이서를 위치시켜, 외력에 의한 박막트랜지스터의 손상을 방지한다. In this case, the first spacer may be formed on the thin film transistor. However, in the present invention, since the first spacer may damage the semiconductor layer of the thin film transistor due to external pressure, the characteristics of the thin film transistor may be degraded. In particular, the first spacer may be located in the connection region between the drain electrode and the pixel electrode. It prevents damage of thin film transistor by external force.

이하, 첨부한 도면을 통해 본 발명에 의한 액정표시소자에 대하여 더욱 상세 하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the liquid crystal display device according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 의한 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이기판의 일부를 나타낸 것이다.2 shows a part of a thin film transistor array substrate of a liquid crystal display device according to the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시소자(100)는 투명한 기판(110) 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인(101)과, 상기 게이트라인(101)과 수직으로 배열되어 복수의 화소를 정의하는 복수의 데이터라인(103)과, 상기 게이트라인(101)과 데이터라인(103)의 교차영역에 형성된 박막트랜지스터(TFT)로 구성된다. 상기 박막트랜지스터(TFT)는 게이트라인(101)으로부터 인출된 게이트전극과, 상기 게이트전극 상에 형성된 반도체층(108)과, 상기 반도체층(108) 상에 소정간격 이격되어 형성된 소스전극 및 드레인전극(105a,105b)으로 구성된다. As shown in the figure, the liquid crystal display device 100 according to the present invention has a plurality of gate lines 101 arranged in a first direction on the transparent substrate 110 and vertically aligned with the gate lines 101. And a plurality of data lines 103 defining a plurality of pixels, and a thin film transistor TFT formed at an intersection area of the gate line 101 and the data line 103. The thin film transistor TFT may include a gate electrode drawn from the gate line 101, a semiconductor layer 108 formed on the gate electrode, and a source electrode and a drain electrode formed at predetermined intervals on the semiconductor layer 108. It consists of 105a and 105b.

도면에 상세하게 도시하지는 않았지만, 상기 게이트전극과 반도체층(108) 사이에는 게이트절연막이 기재되어 있으며, 상기 데이터라인(103) 및 소스/드레인전극(105a,105b)를 포함하는 기판 상부에는 보호막(미도시)이 형성되어 있다.Although not shown in detail, a gate insulating film is described between the gate electrode and the semiconductor layer 108, and a protective film is formed on the substrate including the data line 103 and the source / drain electrodes 105a and 105b. Not shown) is formed.

그리고, 상기 화소영역에는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같이 투명한 전도성물질로 형성된 화소전극(107)이 형성되어 있으며, 상기 화소전극(107)은 드레인콘택홀(106)을 통해 상기 드레인전극(105b)으로부터 연장된 드레인전극 연장패턴(105b')과 전기적으로 접속한다.In the pixel region, a pixel electrode 107 formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) is formed, and the pixel electrode 107 forms a drain contact hole 106. It electrically connects with the drain electrode extension pattern 105b 'extending from the drain electrode 105b.

또한, 상기 화소전극(107)은 보호막 상에 형성되며, 게이트라인(101) 상부까지 연장되어 상기 게이트라인(101)과 함께 스토리지커패시터(Cst)를 형성한다.In addition, the pixel electrode 107 is formed on the passivation layer and extends to the upper portion of the gate line 101 to form a storage capacitor Cst together with the gate line 101.

상기한 바와 같이 구성된 박막트랜지스터 어레이기판은 컬러필터 및 블랙매 트릭스 그리고 공통전극이 형성된 컬러필터기판과 함께 일정한 간격을 두고 합착되는데, 이때, 상기 박막트랜지스터 어레이기판과 컬러필터기판 사이의 일정한 셀갭을 유지시켜주는 스페이서가 형성된다. 그리고, 상기 스페이서는 컬러필터기판 상에 형성된다.The thin film transistor array substrate configured as described above is bonded at regular intervals together with the color filter, the black matrix, and the color filter substrate on which the common electrode is formed. At this time, a constant cell gap between the thin film transistor array substrate and the color filter substrate is maintained. Spacers are formed. The spacer is formed on the color filter substrate.

본 발명에서 컬러필터기판에 형성된 스페이서는 박막트랜지스터 어레이기판과 합착이후, 상기 드레인전극 연결패턴(105b')과 대응하는 영역에 배치되는 제1스페이서(115a)와 게이트라인(101)과 대응하는 영역에 배치된 제2스페이서(115b)로 구성된다.In the present invention, the spacer formed on the color filter substrate is bonded to the thin film transistor array substrate, and then the region corresponding to the first spacer 115a and the gate line 101 disposed in the region corresponding to the drain electrode connection pattern 105b '. It consists of a second spacer 115b disposed in the.

상기 드레인전극 연결패턴(105b')의 형성영역은 게이트라인(101)의 형성영역에 비해 패턴의 단차가 높기 때문에, 상기 제1스페이서(115a)가 배치되는 드레인전극 연결패턴(105b')영역의 박막트랜지스터 어레이기판은 제1스페이서(115a)와 접촉하지만, 제2스페이서(115b)가 배치되는 게이트라인(101) 영역의 박막트랜지스터 어레이기판은 제2스페이서(115b)와 일정간격 거리를 형성하게 된다.Since the step height of the pattern is higher than that of the gate line 101, the region of the drain electrode connection pattern 105b ′ may be formed in the region of the drain electrode connection pattern 105b ′ where the first spacer 115a is disposed. The thin film transistor array substrate is in contact with the first spacer 115a, but the thin film transistor array substrate in the region of the gate line 101 where the second spacer 115b is disposed forms a predetermined distance from the second spacer 115b. .

즉, 제1스페이서(115a)가 배치되는 영역의 박막트랜지스터 어레이기판은 게이트패턴, 게이트절연막, 드레인전극 연결패턴등의 패턴이 형성된 반면에, 제2스페이서가 배치되는 영역의 박막트랜지스터 어레이기판은 게이트패턴, 게이트절연막등이 형성되기 때문에, 제1스페이서(115a)에 대응하는 영역에 패턴의 높이가 더 높게 형성된다. 따라서, 제1스페이서(115a)는 박막트랜지스터 어레이기판과 접촉하게 되지만, 제2스페이서(115b)는 제1스페이서(115a) 영역에 추가된 패턴의 두께에 해당하는 공간이 형성된다.That is, the thin film transistor array substrate in the region where the first spacer 115a is disposed has a pattern such as a gate pattern, a gate insulating film, and a drain electrode connection pattern, whereas the thin film transistor array substrate in the region where the second spacer is disposed is a gate. Since the pattern, the gate insulating film, and the like are formed, the height of the pattern is formed higher in the region corresponding to the first spacer 115a. Accordingly, the first spacer 115a is in contact with the thin film transistor array substrate, but the second spacer 115b has a space corresponding to the thickness of the pattern added to the first spacer 115a.

도 3은 도 2의 드레인전극 연결패턴 및 게이트라인의 형성영역의 단면 즉, I-I' 및 II-II'의 단면을 각각 나타낸 것으로, 이를 통해 상기 내용을 좀더 상세하게 설명한다. 3 is a cross-sectional view of the drain electrode connection pattern and the gate line formation region of FIG. 2, that is, the cross-sections of I-I 'and II-II', respectively.

도면에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터 어레이기판(110, 이하 제1기판이라함)과 컬러필터기판(120, 이하 제2기판이라함) 사이에 이들의 셀갭을 유지시켜 주는 제1 및 제2스페이서(115a,115b)가 형성되는데, 상기 제1 및 제2스페이서(115a,115b)는 컬러필터기판(120) 상에 형성된다.As shown in the figure, first and second spacers which maintain their cell gap between the thin film transistor array substrate 110 (hereinafter referred to as a first substrate) and the color filter substrate (hereinafter referred to as a second substrate). 115a and 115b are formed, and the first and second spacers 115a and 115b are formed on the color filter substrate 120.

상기 제2기판(120)은 컬러필터, 블랙매트릭스 및 공통전극을 포함하고 있으며, 상기 블랙매트릭스는 빛샘을 차단하고, 상기 공통전극은 화소전극(107)과 함께 제1 및 제2기판 사이에 충진된 액정층(130)에 전계를 인가한다.The second substrate 120 includes a color filter, a black matrix and a common electrode, the black matrix blocks light leakage, and the common electrode is filled between the first and second substrates together with the pixel electrode 107. An electric field is applied to the obtained liquid crystal layer 130.

먼저, I-I'의 단면에 나타낸 바와 같이, 제1스페이서(115a)가 배치된 영역과 대응하는 제1기판(110) 상에는 게이트패턴(101a)과, 게이트절연막(111) 및 드레이전극 연결패턴(105')이 순차적으로 적층되어 있으며, 상기 드레인전극 연결패턴(105b') 상에는 보호막(113) 및 드레인콘택홀(106)을 통해 드레인전극 연결패턴(105b')과 전기적으로 접속하는 화소전극(107)이 형성되어 있다. 이때, 상기 게이트절연막(111) 및 보호막(113)은 기판의 전면에 걸쳐 형성되며, 상기 게이트패턴(101a)은 박막트랜지스터가 형성된 영역과 단차를 맞추어 주기 위해 별도로 형성된 것으로, 게이트라인 및 게이트전극 형성시 함께 형성될 수 있다.First, as shown in the cross section of I-I ', the gate pattern 101a, the gate insulating film 111 and the drain electrode connection pattern are formed on the first substrate 110 corresponding to the region where the first spacer 115a is disposed. The pixel electrodes 105 'are sequentially stacked on the drain electrode connection pattern 105b' and electrically connected to the drain electrode connection pattern 105b 'through the passivation layer 113 and the drain contact hole 106. 107 is formed. In this case, the gate insulating layer 111 and the passivation layer 113 are formed over the entire surface of the substrate, and the gate pattern 101a is formed separately to match the step with the region where the thin film transistor is formed, and the gate line and the gate electrode are formed. Can be formed together.

한편, 도면에 나타내지는 않았지만, 상기 게이트절연막(111)과 드레인전극 연결패턴(105b') 사이에 반도체패턴이 개재될 수도 있다.Although not shown, a semiconductor pattern may be interposed between the gate insulating layer 111 and the drain electrode connection pattern 105b '.

그리고, 제2기판(120)에 형성된 제1스페이서(115a)는 제1기판 상에 형성된 최상층 패턴과 접촉하게 된다. 화소전극이 최상층으로 도시되어 있으나, 실질적으로, 상기 제1스페이서와 화소전극에는 배향막이 도포되기 때문에, 상기 제1스페이서와 화소전극의 표면에 형성된 배향막이 맞닿게 된다.The first spacer 115a formed on the second substrate 120 is in contact with the uppermost layer pattern formed on the first substrate. Although the pixel electrode is shown as the uppermost layer, substantially, since the alignment film is applied to the first spacer and the pixel electrode, the alignment film formed on the surface of the first spacer and the pixel electrode abuts.

또한, II-II'의 단면에 나타낸 바와 같이, 제2스페이서(115b)가 배치된 영역과 대응하는 제1기판(110) 상에는 게이트라인(101)과, 게이트절연막(111) 및 보호막(113)이 순차적으로 적층되어 있으며, 상기 보호막(113) 상에 화소전극(107)이 형성되어 있다. 상기 게이트라인(101) 상에 형성된 화소전극(107)은 이전 도면에 설명한 바와 같이, 스토리지커패시터를 형성하기 위해 의도적으로 게이트라인(101)과 오버랩시켜 형성한 것이다.In addition, as shown in the cross section of II-II ', the gate line 101, the gate insulating film 111, and the protective film 113 are formed on the first substrate 110 corresponding to the region where the second spacer 115b is disposed. The stacked electrodes are sequentially stacked, and the pixel electrode 107 is formed on the passivation layer 113. The pixel electrode 107 formed on the gate line 101 is intentionally overlapped with the gate line 101 to form a storage capacitor, as described in the previous drawings.

이와 같이, 상기 제1스페이서(115a)와 대응하는 제1기판(110) 상에 형성된 패턴들은 제2스페이서(115b)와 대응하는 영역에 비해 드레인전극 연결패턴(105b')이 더 형성되어 있기 때문에, 제2스페이서(115b)는 제1기판(110)의 최상층에 형성된 화소전극(107)과 상기 드레인전극 연결패턴(105b')의 두께만큼의 이격공간(d)이 생기게 된다.As such, the patterns formed on the first substrate 110 corresponding to the first spacer 115a have more drain electrode connection patterns 105b 'than the regions corresponding to the second spacer 115b. In the second spacer 115b, a space d having a thickness equal to the thickness of the pixel electrode 107 and the drain electrode connection pattern 105b ′ formed on the uppermost layer of the first substrate 110 is formed.

다시말해, 제1스페이서(115a)에 대응하는 제1기판(110) 상에 형성된 패턴의 높이가 더 높게 형성되어 있으며, 이는 50℃ 이상의 고온환경에서 액정이 중력방향으로 쏠리는 것을 방지한다.In other words, the height of the pattern formed on the first substrate 110 corresponding to the first spacer 115a is formed higher, which prevents the liquid crystal from being directed in the direction of gravity in a high temperature environment of 50 ° C. or higher.

따라서, 상기 제2스페이서(115b)는 주로 50℃ 이하의 환경에서 설정된 셀갭을 유지시켜 주는 반면에, 상기 제1스페이서(115a)는 주로 50℃ 이상의 환경에서 액정층의 부피팽장에 의해 늘어난 두 기판(제1 및 제2기판) 사이의 셀갭을 유지시켜 준다.Accordingly, the second spacer 115b mainly maintains the cell gap set in an environment of 50 ° C. or less, whereas the first spacer 115a mainly extends by two layers of the liquid crystal layer in a 50 ° C. or more environment. The cell gap between the first and second substrates is maintained.

특히, 중력불량을 방지하기 위해 상기 제1스페이서(115a)는 상기 제2스페이서(115b)가 형성된 영역보다 패턴의 높이가 상대적으로 높게 형성되기만 하면 어느 영역(예를들면, 박막트랜지스터)에도 형성될 수 있다. In particular, in order to prevent gravity failure, the first spacer 115a may be formed in any region (eg, a thin film transistor) as long as the height of the pattern is formed relatively higher than the region where the second spacer 115b is formed. Can be.

그러나, 박막트랜지스터와 대응하는 영역에 제1스페이서(115a)를 형성할 경우, 외력에 의해 제1스페이서(115a)가 박막트랜지스터에 특히, 반도체층에 손상을 줄수가 있다. 따라서, 본 발명에서는 특히 이러한 문제점을 해결할 수 있도록 화소전극과 전기적으로 접속하는 드레인전극 연결패턴과 대응하는 영역에 제1스페이서를 형성하여, 스페이서가 외력에 의해 박막트랜지스터를 손상시키는 것을 방지한다.However, when the first spacer 115a is formed in a region corresponding to the thin film transistor, the first spacer 115a may damage the thin film transistor, especially the semiconductor layer, due to an external force. Accordingly, in the present invention, the first spacer is formed in a region corresponding to the drain electrode connection pattern electrically connected to the pixel electrode so as to solve such a problem, thereby preventing the spacer from damaging the thin film transistor by an external force.

상기한 바와 같이, 본 발명은 스페이서의 높이를 다르게 형성함으로써, 중력불량을 방지할 수 있는 액정표시소자을 제공한다. 특히, 본 발명은 설정된 액정패널의 셀갭을 유지시키는 제2스페이서와, 상기 액정패널 내부에 형성된 액정층의 부피 팽창으로 인해 상기 패널의 셀갭이 설정된 셀갭보다 커진 경우, 액정층의 부피팽창 이후, 증가된 액정패널의 셀갭을 유지시킬 수 있는 제1스페이서를 형성함으로써, 액정의 이동을 막아 중력불량을 해결한다.As described above, the present invention provides a liquid crystal display device capable of preventing a gravity failure by forming a different height of the spacer. In particular, the present invention provides a second spacer for maintaining the cell gap of the set liquid crystal panel, and when the cell gap of the panel becomes larger than the set cell gap due to the volume expansion of the liquid crystal layer formed inside the liquid crystal panel, after the volume expansion of the liquid crystal layer, By forming a first spacer capable of maintaining the cell gap of the liquid crystal panel, the liquid crystal is prevented from moving and the gravity defect is solved.

더욱이, 본 발명은 상기 제1스페이서를 드레인전극 연결패턴과 대응하는 영역에 형성함에 따라, 스페이서가 외력에 의해 박막트랜지스터를 손상시키는 것을 효과적으로 방지한다.Further, the present invention effectively prevents the spacer from damaging the thin film transistor by an external force by forming the first spacer in a region corresponding to the drain electrode connection pattern.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 패턴의 단차가 서로 다른 영역에 스페이서를 각각 형성함으로써, 액정층의 부피팽창에 대응할 수 있도록 한다. 특히, 본 발명은 드레인전극으로부터 연장되어 화소전극과 전기적으로 접속하는 드레인전극 연결패턴과 대응하는 영역에 스페이서를 형성함으로써, 외력에 의한 스페이서의 압력으로부터 박막트랜지스터를 보호하여 액정표시소자의 신뢰도를 향상시킨다.As described above, according to the present invention, it is possible to cope with the volume expansion of the liquid crystal layer by forming the spacers in regions where the steps of the pattern are different from each other. In particular, the present invention forms a spacer in a region corresponding to the drain electrode connection pattern which extends from the drain electrode and electrically connects to the pixel electrode, thereby protecting the thin film transistor from the pressure of the spacer due to external force, thereby improving reliability of the liquid crystal display device. Let's do it.

Claims (8)

제1기판 및 제2기판;A first substrate and a second substrate; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인;A plurality of gate lines arranged in a first direction on the first substrate; 상기 게이트라인과 수직으로 교차하여 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 데이터라인;A plurality of data lines crossing the gate lines and defining a plurality of pixel regions; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 배치되며, 게이트전극, 반도체층, 소스전극 및 드레인전극으로 구성된 박막트랜지스터;A thin film transistor disposed at an intersection of the gate line and the data line, the thin film transistor comprising a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode; 상기 화소영역에 형성되며, 상기 드레인전극에 전기적으로 접속하는 화소전극;A pixel electrode formed in the pixel region and electrically connected to the drain electrode; 상기 드레인전극과 화소전극의 접속영역에 형성된 제1스페이서;A first spacer formed in a connection region between the drain electrode and the pixel electrode; 상기 게이트라인 상에 형성된 제2스페이서; 및A second spacer formed on the gate line; And 상기 제1 및 제2스페이서에 의해 이격된 제1 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하는 액정표시소자.And a liquid crystal layer formed between the first and second substrates spaced apart by the first and second spacers. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1스페이서는 팽창된 액정층의 셀갭을 유지하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And the first spacer maintains a cell gap of the expanded liquid crystal layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2스페이서는 설정된 셀갭을 유지하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And the second spacer maintains a set cell gap. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1스페이서와 대응하는 제1기판에는,The first substrate corresponding to the first spacer, 제1기판 상에 형성된 게이트패턴;A gate pattern formed on the first substrate; 상기 게이트패턴 상에 형성된 게이트절연막;A gate insulating film formed on the gate pattern; 상기 게이트절연막 상에 형성된 드레인전극으로부터 연장된 드레인전극 연결패턴 ;A drain electrode connection pattern extending from the drain electrode formed on the gate insulating film; 상기 드레인전극 연결패턴 상에 형성된 보호막; 및A passivation layer formed on the drain electrode connection pattern; And 상기 보호막 상에 형성된 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And a pixel electrode formed on the passivation layer. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 게이트절연막과 드레인전극 연결패턴 사이에 개재된 반도체패턴을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And a semiconductor pattern interposed between the gate insulating film and the drain electrode connection pattern. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2스페이서와 대응하는 제1기판에는,On the first substrate corresponding to the second spacer, 제1기판 상에 형성된 게이트라인;A gate line formed on the first substrate; 상기 게이트라인 상에 형성된 게이트절연막;A gate insulating film formed on the gate line; 상기 게이트절연막 상에 형성된 보호막; 및A protective film formed on the gate insulating film; And 상기 보호막 상에 형성된 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And a pixel electrode formed on the passivation layer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2기판은,The second substrate, 종횡으로 배열되어 복수의 화소를 정의하는 블랙매트릭스;A black matrix arranged vertically and horizontally to define a plurality of pixels; 각 화소영역에 형성된 컬러필터; 및A color filter formed in each pixel region; And 상기 컬러필터 상에 형성된 공통전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And a common electrode formed on the color filter. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제1 및 제2스페이서는 제2기판 상에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And the first and second spacers are formed on a second substrate.
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