KR20060122767A - 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판을 상하로 적층하고 재배선 기판을 이용하여 전기적으로 연결함으로써, 집적도가 향상되고 제조가 간편한 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자에 관한 것이다.
본 발명은 비활성면에 적층되는 기판과 전기적으로 연결하기 위한 제 1 도전성 라인 및 활성면에 적어도 하나 이상의 제 1 전극 패드를 구비한 이미지 센서 기판과 상기 이미지 센서 기판의 비활성면에 적층되며, 외부 회로와 전기적으로 연결하기 위한 제 2 도전성 라인과, 활성면에 상기 제 1 도전성 라인 및 제 2 도전성 라인과 전기적으로 연결되는 적어도 하나 이상의 제 2 전극 패드를 구비한 적층 기판 및 빛을 투과할 수 있는 재질로 이루어져, 상기 이미지 센서 기판에 활성면에 적층되며, 상기 제 1 전극 패드와 1차 도전성 라인을 전기적으로 연결하는 재배선 기판을 포함한다.
반도체 기판을 상하로 적층하고 별개의 재배선 기판을 통해 전기적으로 연결함으로써 패키지 소자의 집적율을 높일 수 있고, 생산성이 향상되는 장점이 있다.
반도체 패키지, 이미지 센서, 재배선 기판, 도전성 라인
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자의 단면도,
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자의 단면도,
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자의 단면도,
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자의 단면도,
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110, 210, 310, 410 : 이미지 센서 기판
120, 220, 320, 420, 520 : 적층 기판
130, 430 : 재배선 기판 340, 540 : 절연층
111 : 제 1 전극 패드 112, 212 : 제 1 도전성 라인
113 : 수광부 121, 221 : 제 2 전극 패드
122, 222, 322, 422, 522 : 제 2 도전성 라인
123, 341, 433, 541 : 외부 연결 단자
131 : 댐 돌기 132 : 패턴 돌기
214 : 제 1 솔더범프 215 : 제 2 솔더범프
본 발명은 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 기판을 상하로 적층하고 재배선 기판을 이용하여 전기적으로 연결함으로써, 집적도가 향상되고 제조가 간편한 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서란 피사체의 정보를 받아들여 전기적인 영상신호로 전환하는 장치로서, 카메라, 스캐너 등에 사용되고 있다. 이러한 이미지 센서는 크게 촬상관(撮像管)과 고체 이미지 센서로 나눌 수 있으며 , 촬상관으로는 비디콘, 플럼비콘 등이 이용되고, 고체 이미지 센서로는 상보성 금속산화물반도체(complementary metal oxide semiconductor, 이하 CMOS)와 전하결합소자(charge- coupled device, 이하 CCD) 등이 이용된다.
반도체 칩은 그 자체로는 외부로부터 전기를 공급받아 전기 신호를 전달해 주거나 전달받을 수 없으며, 미세한 회로를 담고 있기 때문에 외부의 충격에 쉽게 손상될 수 있다. 결국, 칩 자체로는 기판에 실장되기 전까지 완전한 제품이라고 볼 수 없는 것이다.
따라서, 회로가 설계된 반도체 칩을 전기적으로 연결해주고, 외부의 충격에 견딜 수 있게 밀봉 포장해주는 패키징 과정을 거쳐야지만 비로소 실생활에서 사용할 수 있게 물리적인 기능과 형상을 갖게 된다.
종래에는 반도체 칩이 실장된 기판을 2차원적으로 패키징하고, 각 기판에 각기 배선을 하였기 때문에 고집적의 패키지를 제조하는 데 한계가 있고, 수율이 낮은 단점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 반도체 기판을 상하로 적층하고 적층된 반도체 기판을 전기적으로 연결하는 별개의 재배선 기판을 구비하여 제조 공정이 간단하고 집적율이 높은 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자를 공급하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 비활성면에 적층되는 기판과 전기적으로 연결하기 위한 제 1 도전성 라인 및 활성면에 적어도 하나 이상의 제 1 전극 패드를 구비한 이미지 센서 기판과 상기 이미지 센서 기판의 비활성면에 적층되며, 외부 회로와 전기적으로 연결하기 위한 제 2 도전성 라인과, 활성면에 상기 제 1 도전성 라인과 전기적으로 연결되는 적어도 하나 이상의 제 2 전극 패드를 구비한 적층 기판 및 빛을 투과할 수 있는 재질로 이루어져, 상기 이미지 센서 기판에 활성면에 적층되며, 상기 이미지 센서 기판의 전극 패드와 1차 도전성 라인을 전기적으로 연결하는 재배선 기판을 포함한다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하에서는 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자의 상세한 구성을 살펴보기로 한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자(100)는 이미지 센서 기판(110)과 적층 기판(120) 및 재배선 기판(130)을 포함하며, 적층 기판의 넓이가 이미지 센서 기판의 넓이와 같거나 더 넓은 경우에 적용된 예를 나타내고 있다.
이미지 센서 기판(110)은 제 1 전극 패드(111)와 제 1 도전성 라인(112) 및 수광부(113)를 포함한다.
제 1 전극 패드(111)는 이미지 센서 기판(110)의 활성면에 구비되어, 재배선 기판(130)을 통해 제 1 전도성 라인(112)과 전기적으로 연결된다. 이러한 제 1 전극 패드(111)는, 알루미늄 또는 알루미늄-구리 합금으로 이루어질 수 있지만 이에 한정되지는 않는다.
제 1 도전성 라인(112)은 이미지 센서 기판의 비활성면에 적층되는 적층기판(120)과 이미지 센서 기판(110)을 전기적으로 연결하기 위하여 이미지 센서 기판(110)을 관통한다. 이때, 제 1 도전성 라인(112)은 이미지 센서 기판(110)에 구비된 홀에 크롬, 구리, 니켈, 금, 은, 납, 인듐 주석 산화물(ITO : indium tin oxide) 등으로 이루어진 금속 배선을 통하여 형성되거나, 도전성 유기물을 홀에 충전하여 형성된다. 이미지 센서 기판(110)과 적층기판(120)에 구비된 홀은 기계 드릴, 레이저 드릴, 건식 에칭, 습식 에칭 중 어느 하나를 이용하여 형성될 수 있다.
이러한 제 1 도전성 라인(112)은, 종래에 기판의 스크라이브 레인(scribe lane)을 따라 전기적으로 연결하던 것에 비해서, 배선의 길이와 패키지의 크기를 크게 줄일 수 있는 효과가 있다.
수광부(113)는 이미지 어레이와 마이크로 렌즈로 구성되며, 이미지 센서 기판(110)의 활성면에 구비되며, 빛을 전기신호로 전환한다.
이미지 센서 기판(110)은 제 1 전극 패드(111) 및 수광부(113)만 노출되도록 패시베이션(passivation)하여 기판을 보호하는 기능을 가진다.
이때, 패시베이션된 부분 중 재배선 기판(130)의 패턴 돌기 및 댐 돌기가 접촉되는 부분은 제 2 금속층으로 도포(塗布)하는 것이 바람직하다. 제 2 금속층은 금, 니켈, 알루미늄, 구리 중 어느 하나를 100Å 내지 5um의 두께로 도포하여 형성하는 것이 바람직하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
적층 기판(120)은 제 2 전극 패드(121)와 제 2 도전성 라인(122) 및 외부 연결 단자(123)를 포함한다.
제 2 전극 패드(121)는 이미지 센서 기판(110)과 적층기판(120)을 전기적으로 연결하기 위한 제 1 도전성 라인(112)과 연결된다.
제 2 도전성 라인(122)은 적층 기판(120)을 외부회로와 전기적으로 연결하기 위하여 제 1 도전성 라인(112)과 마찬가지로 적층 기판(120)을 관통하는 홀을 따라 형성되며 외부 연결 단자(123)와 전기적으로 연결된다.
이러한 제 1 도전성 라인(112) 및 제 2 도전성 라인(122)은 이미지 센서 기판(110) 및 적층 기판(120)을 관통하는 하나의 금속 배선으로 형성될 수도 있다.
외부 연결 단자(123)는 제 2 도전성 라인이 적층 기판(120)의 비활성면에 구비되어 적층기판(120)을 외부 회로와 전기적으로 연결한다.
이러한 외부 연결 단자는 솔더범프인 것이 바람직 하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 제 2 도전성 라인(122)과 외부 연결 단자(123) 사이는 크롬, 티타늄, 티타늄텅스텐, 니켈 중 어느 하나로 이루어진 씨드층(seed layer)에 티타늄, 니켈, 금 또는 크롬, 구리, 니켈, 금, 티타늄텅스텐, 니켈 순서로 패턴 플레이팅(pattern plating)되어 형성된 금속 배선이 이용되는 것이 바람직하다.
이러한 금속배선은 감광제(photo resist)가 도포되어 패터닝되거나 레이져 트리밍(laser trimming) 방식으로 패터닝된 후, 외부 연결 단자(123)가 마운팅된 상태로 밀봉되는 것이 바람직하지만 이에 한정되지는 않는다.
재배선 기판(130)은 댐 돌기(131) 및 패턴 돌기(132)를 포함한다.
댐 돌기(131)는 이미지 센서 기판(110)과 접촉하여 수광부(113)에 이물질이 침입하는 것을 방지한다.
패턴 돌기(132)는 이미지 센서 기판의 제 1 전극 패드(111)와 제 1 도전성 라인(112)과 접촉하며, 그 위에 도포되는 제 1 금속층을 통하여 제 1 전극 패드(111)와 제 1 도전성 라인(112)이 전기적으로 연결된다. 이러한 제 1 금속층은 크롬, 구리 ,티타늄 순서 또는 티타늄, 구리, 니켈 순서 또는 크롬, 구리, 니켈 순서 또는 티타늄, 텅스텐, 니켈 순서의 재질로 형성될 수 있고, 증착, 스퍼터링(sputtering), 도금 , 비전해 도금, 스크린 프린팅, 잉크 프린팅 등의 방법을 통해 형성되는 것이 바람직하지만 이에 한정되지는 않는다.
또한, 댐 돌기(131) 및 패턴 돌기(132)는 폴리이미드 또는 에폭시 등의 고분 자 화합물을 이용하거나 포토레지스터를 이용하여 패터닝하여 형성될 수 있다.
또한, 재배선 기판(130)은 유리, 석영 또는 인듐주석 산화물 등과 같이 빛을 투과시킬 수 있는 재질로 이루어져 수광부(113)에 빛이 도달되도록 하는 것이 바람직하다.
나아가, 재배선 기판(130)은 적외선 차단층(IR cut filter layer) 또는 반사 방지층(anti reflection layer)를 구비할 수도 있다.
덧붙여, 이미지 센서 기판(110)과 적층되는 각 기판들 사이는 에폭시, 폴리이미드, 벤조 시클로 부탄(BCB : benzo cyclo butene) 등의 절연성 물질을 충전하여 접착하는 것이 바람직 하지만, 이에 한정되지는 않는다.
이하에서는 도 2를 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 살펴보기로 한다. 설명에 있어서 도 1과 동일한 참조 부호는 동일한 기능을 수행하는 동일한 부재를 지칭한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자(200)는 이미지 센서 기판(210)과 적층 기판(220) 및 재배선 기판(130)을 포함하며, 적층 기판의 넓이가 이미지 센서 기판의 넓이보다 좁은 경우에 적용된 예를 나타내고 있다.
이미지 센서 기판(210)은 제 1 전극 패드(111)와 제 1 도전성 라인(212)과 수광부(113)와 제 1 솔더범프(214) 및 제 2 솔더범프(215)를 포함한다.
제 1 도전성 라인(212)은 이미지 센서 기판을 관통하는 홀을 통하여 비활성면으로 이어져, 제 1 솔더범프(214)를 통하여 제 2 전극 패드(121)과 전기적으로 연결된다.
제 2 솔더범프(215)는 이미지 센서 기판(210)의 비활성면에 구비되어, 제 2 도전성 라인(222)과 전기적으로 연결됨으로써 외부 회로와 적층 기판(220)을 전기적으로 연결시킨다.
적층 기판(220)은 제 2 전극 패드(121)와 제 2 도전성 라인(222)을 포함한다.
제 2 도전성 라인(222)은 이미지 센서 기판(210)의 비활성면을 따라 형성되며, 제 2 솔더범프(215)와 전기적으로 연결된다.
또한, 이미지 센서 기판(210)보다 적층 기판(220)의 넓이가 작으므로, 이미지 센서 기판(210)의 비활성면에 둘 이상의 기판을 수평적으로 적층하는 것이 가능하다.
이하에서는 도 3을 참조하여 또 다른 실시예를 살펴보기로 한다. 설명에 있어서 도 1 및 도 2와 동일한 참조 부호는 동일한 기능을 수행하는 동일한 부재를 지칭한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자(300)는 이미지 센서 기판(310)과 적층 기판(320)과 재배선 기판(130) 및 절연층(340)을 포함하며, 적층 기판의 넓이가 이미지 센서 기판의 넓이보다 좁은 경우에 적용된 예를 나타내고 있다.
이미지 센서 기판(310)은 제 1 전극 패드(111)와 제 1 도전성 라인(212) 및 수광부(113)를 포함한다.
적층 기판(320)은 제 2 전극 패드(121)와 제 2 도전성 라인(322)을 포함한다.
제 2 도전성 라인(322)은 이미지 센서 기판(310)의 비활성면 측에서 절연층(340)을 관통하는 홀을 따라 형성되어 절연층 하부에 구비된 외부 연결 단자(341)와 전기적으로 연결된다.
절연층(340)은 적층 기판(320)을 감싸는 형태로 에폭시 계열 물질을 충전하여 형성되며, 상하를 관통하는 홀을 따라 제 2 도전성 라인(322)이 형성된다.
이하에서는 도 4를 참조하여 또 다른 실시예를 살펴보기로 한다. 설명에 있어서 도 1과 동일한 참조 부호는 동일한 기능을 수행하는 동일한 부재를 지칭한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자(400)는 이미지 센서 기판(410)과 적층 기판(420) 및 재배선 기판(430)을 포함하며, 이미지 센서 기판과 재배선 기판의 넓이가 재배선 기판의 넓이보다 좁은 경우에 적용된 예를 나타내고 있다.
이미지 센서 기판(410)은 제 1 전극 패드(111)와 제 1 도전성 라인(112) 및 수광부(113)를 포함한다.
또한, 제 1 도전성 라인(112) 및 제 2 도전성 라인(422)은 이미지 센서 기판을 관통하는 홀을 통하여 형성된다.
적층 기판(420)은 제 2 전극 패드(121) 및 제 2 전도성 라인(422)을 포함한다.
제 2 전도성 라인(422)은 이미지 센서 기판(410)을 관통하는 홀을 통하여 재 배선 기판(430)의 비활성면을 따라 형성된다.
재배선 기판(430)은 댐 돌기(131)와 패턴 돌기(132) 및 외부 연결 단자(433)를 포함한다.
외부 연결 단자(433)는 재배선 기판(430)의 비활성면에 구비되어, 제 2 도전성 라인(422)과 전기적으로 연결되며, 솔더범프인 것이 바람직 지만 이에 한정되지는 않는다.
이하에서는 도 5를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예를 살펴보기로 한다. 설명에 있어서 도 1 및 도 4와 동일한 참조 부호는 동일한 기능을 수행하는 동일한 부재를 지칭한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자(500)는 이미지 센서 기판(410)과 적층 기판(520)과 재배선 기판(530) 및 절연층(540)을 포함하며, 이미지 센서 기판과 재배선 기판의 넓이가 재배선 기판의 넓이보다 좁은 경우에 적용된 예를 나타내고 있다.
적층 기판(520)은 제 2 전극 패드(121) 및 제 2 도전성 라인(522)을 포함한다.
제 2 도전성 라인(522)은 재배선 기판(530)의 비활성면 측에서 절연층(540)을 관통하는 홀을 따라 형성되어 절연층(540)의 하부에 구비된 외부 연결 단자(541)와 전기적으로 연결된다.
재배선 기판(530)은 댐 돌기(131)와 패턴 돌기(132)를 포함한다.
절연층(540)은 재배선 기판(530)의 비활성면 측에서 이미지 센서 기판(410) 및 적층 기판(520)을 감싸는 형태로 에폭시 계열 물질을 충전하여 형성되며, 상하를 관통하는 홀을 따라 제 2 도전성 라인(522)이 형성된다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허 청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다. 예를 들어, 적층 기판(120, 220, 320, 420, 520)의 비활성면 방향으로 외부 연결 단자(123, 341, 433, 541)와 전기적으로 연결되며 외부 회로와 전기적으로 연결되는 기판을 하나 이상 더 적층하여 넷 이상의 다수 기판이 적층된 패키지를 구성하는 것 또한 가능하다.
상술한 바와 같은 본 발명의 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자에 따르면, 반도체 기판을 상하로 적층하고 별개의 재배선 기판을 통해 전기적으로 연결함으로써 패키지 소자의 집적율을 높일 수 있고, 생산성이 향상되는 장점이 있다.
또한, 이미지 센서 기판을 관통하는 홀을 이용하여 도전성 라인을 형성하므로, 패키지의 크기를 줄일 수 있고, 배선의 길이가 줄어들어 신호 전달이 빠른 장점이 있다.
Claims (50)
- 비활성면에 적층되는 기판과 전기적으로 연결하기 위한 제 1 도전성 라인 및 활성면에 적어도 하나 이상의 제 1 전극 패드를 구비한 이미지 센서 기판;상기 이미지 센서 기판의 비활성면에 적층되며, 외부 회로와 전기적으로 연결하기 위한 제 2 도전성 라인과, 활성면에 상기 제 1 도전성 라인과 전기적으로 연결되는 적어도 하나 이상의 제 2 전극 패드를 구비한 적층 기판; 및빛을 투과할 수 있는 재질로 이루어져, 상기 이미지 센서 기판에 활성면에 적층되며, 상기 제 1 전극 패드와 1차 도전성 라인을 전기적으로 연결하는 재배선 기판을 포함하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 이미지 센서 기판과 적층 기판 및 재배선 기판의 사이를 절연성 물질로 충전한 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 절연성 물질은 에폭시 또는 폴리이미드 또는 BCB 중 어느 하나인 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 재배선 기판은 적외선 차단층 또는 반사 방지층을 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 3 항에 있어서,상기 이미지 센서 기판은 활성면에 광을 받아들여 전기 신호로 전환하는 수광부를 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 재배선 기판은 유리 또는 석영 또는 인듐주석 산화물 중 어느 하나로 이루어진 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 도전성 라인 및 상기 제 2 도전성 라인은 크롬, 구리, 니켈, 금, 은, 납, ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 전극 패드 및 상기 제 2 전극 패드는 알루미늄 또는 알루미늄/구리 합금으로 이루어진 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 5 항에 있어서,상기 재배선 기판은 상기 수광부에 이물질이 침입되는 것을 방지하는 댐 돌기를 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 9 항에 있어서,상기 재배선 기판은 상기 제 1 전극 패드 및 제 1 도전성 라인과 접촉하는 패턴 돌기를 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 10 항에 있어서,상기 패턴 돌기 및 상기 댐 돌기는 패터닝된 고분자 화합물인 3차원 구조 이 미지 센서 패키지 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 패턴 돌기는 제 1 금속층으로 도포되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 고분자 화합물은 폴리이미드 또는 에폭시인 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 크롬, 구리, 티타늄 순서 또는 구리, 니켈 순서 또는 크롬, 구리, 니켈 순서 또는 티타늄, 텅스텐, 니켈 순서의 재질로 형성되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 14 항에 있어서,상기 이미지 센서 기판은 상기 수광부와 제 1 전극 패드가 노출되도록 보호막이 도포되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 15 항에 있어서,상기 이미지 센서 기판은 상기 패턴 돌기가 접촉되는 제 1 전극 패드 및 제 1 전도성 라인의 끝부분과 상기 댐 돌기가 접촉되는 보호막 부분이 제 2 금속층으로 도포되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 금, 니켈, 알루미늄 및 구리 중 어느 하나가 100Å 내지 5um 두께로 도포되어 형성되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 도전성 라인 및 제 2 도전성 라인은 상기 이미지 센서 기판 및 적층 기판을 관통하는 홀을 이용하여 형성되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 18 항에 있어서,상기 적층 기판은 비활성면에 외부 회로와 제 2 도전성 라인을 전기적으로 연결하는 외부 연결 단자를 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지소자.
- 제 19 항에 있어서,상기 외부 연결 단자는 솔더범프인 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 19 항에 있어서,상기 제 2 도전성 라인 및 상기 외부 연결 단자는,그 사이에 크롬 또는 티타늄 또는 티타늄텅스텐 또는 니켈 중 어느 하나로 이루어진 씨드층에 티타늄, 구리, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 구리, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 구리, 니켈, 금, 티타늄텅스텐, 니켈 순서 중 어느 하나의 순서로 패턴 플래이팅되어 형성된 금속 배선을 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 21 항에 있어서,상기 금속 배선은,감광제가 도포되어 패터닝되거나, laser trimming 방식으로 패터닝된 후, 상 기 외부 연결 단자가 마운팅된 상태로 밀봉되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 19항 내지 22 항 중 어느 한에 있어서,상기 적층 기판의 비활성면 방향으로, 상기 외부 연결 단자와 전기적으로 연결되며 외부 회로와 전기적으로 연결되는 기판을 적어도 하나 이상 적층한 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 이미지 센서 기판의 넓이가 상기 적층 기판의 넓이보다 넓음에 따라, 상기 제 1 도전성 라인은 상기 이미지 센서 기판을 관통하는 홀을 이용하여 형성되고, 상기 제 2 도전성 라인은 상기 이미지 센서 기판의 비활성면을 통해 형성되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 24 항에 있어서,상기 이미지 센서 기판은,상기 제 1 도전성 라인과 제 2 전극 패드를 연결하는 제 1 솔더범프를 구비 하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 25 항에 있어서,상기 이미지 센서 기판은,비활성면에 외부 회로와 제 2 도전성 라인을 전기적으로 연결하는 외부 연결 단자를 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지소자.
- 제 26 항에 있어서,상기 외부 연결 단자는 제 2 솔더범프인 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 26 항에 있어서,상기 제 2 도전성 라인 및 상기 외부 연결 단자는,그 사이에 크롬 또는 티타늄 또는 티타늄텅스텐 또는 니켈 중 어느 하나로 이루어진 씨드층에 티타늄, 구리, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 구리, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 구리, 니켈, 금, 티타늄텅스텐, 니켈 순서 중 어느 하나의 순서로 패턴 플래이팅되어 형성된 금속 배선을 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 28 항에 있어서,상기 금속 배선은,감광제가 도포되어 패터닝되거나, laser trimming 방식으로 패터닝된 후, 상기 외부 연결 단자가 마운팅된 상태로 밀봉되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 26 항 내지 29 항 중 어느 한에 있어서,상기 적층 기판의 비활성면 방향으로 상기 외부 연결 단자와 전기적으로 연결되며 외부 회로와 전기적으로 연결되는 기판을 적어도 하나 이상 적층한 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 26 항에 있어서,절연성 물질로 충전되어 상기 적층 기판을 감싸며 생성되는 절연층을 더 포함하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 31 항에 있어서,상기 제 2 도전성 라인은,상기 절연층을 관통하는 홀을 이용하여 외부 회로와 전기적으로 연결되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 32 항에 있어서,상기 절연층은,비활성면에 외부 회로와 제 2 도전성 라인을 전기적으로 연결하는 외부 연결 단자를 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 33 항에 있어서,상기 외부 연결 단자는 솔더범프인 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 34 항에 있어서,상기 제 2 도전성 라인 및 상기 외부 연결 단자는,그 사이에 크롬 또는 티타늄 또는 티타늄텅스텐 또는 니켈 중 어느 하나로 이루어진 씨드층에 티타늄, 구리, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 구리, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 구리, 니켈, 금, 티타늄텅스텐, 니켈 순서 중 어느 하나의 순서로 패턴 플래이팅되어 형성된 금속 배선을 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 35 항에 있어서,상기 금속 배선은,감광제가 도포되어 패터닝되거나, laser trimming 방식으로 패터닝 된 후, 상기 외부 연결 단자가 마운팅된 상태로 밀봉되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 33 항 내지 35 항 중 어느 한에 있어서,상기 적층 기판의 비활성면 방향으로 상기 외부 연결 단자와 전기적으로 연결되며 외부 회로와 전기적으로 연결되는 기판을 적어도 하나 이상 적층한 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 16 항에 있어서,상기 재배선 기판의 넓이가 상기 이미지 센서 기판 및 상기 적층 기판의 넓이보다 넓음에 따라, 상기 제 1 도전성 라인 및 제 2 도전성 라인은, 상기 이미지 센서 기판을 관통하는 홀을 이용하여 상기 재배선 기판과 전기적으로 연결되고, 상기 제 2 도전성 라인은 상기 재배선 기판의 비활성면을 통해 외부 회로와 전기적으로 연결되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 38 항에 있어서,상기 재배선 기판은,비활성면에 외부 회로와 제 2 도전성 라인을 전기적으로 연결하는 외부 연결 단자를 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 39 항에 있어서,상기 외부 연결 단자는 솔더범프인 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 39 항에 있어서,상기 제 2 도전성 라인 및 상기 외부 연결 단자는그 사이에 크롬 또는 티타늄 또는 티타늄텅스텐 또는 니켈 중 어느 하나로 이루어진 씨드층에 티타늄, 구리, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 구리, 니켈, 금, 티타늄텅스텐, 니켈 순서 중 어느 하나의 순서로 패턴 플레 이팅되어 형성된 금속 배선을 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 41 항에 있어서,상기 금속 배선은,감광제가 도포되어 패터닝되거나, lsaer trimming 방식으로 패터닝된 후, 상기 외부 연결 단자가 마운팅된 상태로 밀봉되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 39 항 내지 42 항 중 어느 한에 있어서,상기 적층 기판의 비활성면 방향으로 상기 외부 연결 단자와 전기적으로 연결되며 외부 회로와 전기적으로 연결되는 기판을 적어도 하나 이상 적층한 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 38 항에 있어서,절연성 물질로 충전되어 상기 이미지 센서 기판 및 적층 기판을 감싸며 생성되는 절연층을 더 포함하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 44 항에 있어서,상기 제 2 도전성 라인은,상기 절연층을 관통하는 홀을 이용하여 외부 회로와 전기적으로 연결되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 45 항에 있어서,상기 절연층은,비활성면에 외부 회로와 제 2 도전성 라인을 전기적으로 연결하는 외부 연결 단자를 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 46 항에 있어서,상기 외부 연결 단자는 솔더범프인 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 46 항에 있어서,상기 제 2 도전성 라인 및 상기 외부 연결 단자는그 사이에 크롬 또는 티타늄 또는 티타늄텅스텐 또는 니켈 중 어느 하나로 이루어진 씨드층에 티타늄, 구리, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 구리, 니켈, 금 순서 또는 크롬, 구리, 니켈, 금, 티타늄텅스텐, 니켈 순서 중 어느 하나의 순서로 패턴 플래이팅되어 형성된 금속 배선을 구비하는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 48 항에 있어서,상기 금속 배선은,감광제가 도포되어 패터닝되거나, laser trimming 방식으로 패터닝된 후, 상기 외부 연결 단자가 마운팅된 상태로 밀봉되는 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
- 제 46 항 내지 49 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적층 기판의 비활성면 방향으로 상기 외부 연결 단자와 전기적으로 연결되며 외부 회로와 전기적으로 연결되는 기판을 적어도 하나 이상 적층한 3차원 구조 이미지 센서 패키지 소자.
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Legal Events
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