KR20060118848A - Deposition apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 일반적인 포인트 증착원의 단면도.1 is a cross-sectional view of a general point deposition source.
도 2는 다수의 증착원이 배치된 리볼버의 평면도.2 is a plan view of a revolver in which a plurality of deposition sources are arranged.
도 3은 도 2의 선 3-3을 따라 절취한 상태의 단면도.3 is a cross-sectional view taken along the line 3-3 of FIG.
도 4는 본 발명에 따른 증착 장치 중에서 리볼버만을 도시한 부분 평면도.4 is a partial plan view showing only a revolver in the deposition apparatus according to the present invention.
도 5는 도 4의 선 5-5를 따라 절취한 상태의 단면도.5 is a cross-sectional view taken along line 5-5 of FIG.
도 6은 2개의 리볼버를 이용하여 기판에 대한 증착 공정을 진행하는 상태를 도시한 개략적인 도면.6 is a schematic diagram illustrating a state in which a deposition process for a substrate is performed using two revolvers.
도 7은 수평 암 선단에 수직 상태로 장착된 팁의 형상을 도시한 도면.7 shows the shape of a tip mounted vertically to the horizontal arm tip.
본 발명은 유기 전자 발광층의 증착을 위한 증착 장치에 관한 것으로서, 특히 각 증착원의 증기 배출 개구 주변에 응고된 증착 물질을 제거하여 증착 재료 증기의 원활한 배출을 유도할 수 있는 증착 장치에 증착 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a deposition apparatus for depositing an organic electroluminescent layer, and more particularly, to a deposition apparatus capable of inducing a smooth discharge of vapor deposition material by removing a deposition material solidified around a vapor discharge opening of each deposition source. It is about.
열적 물리적 기상 증착은 증착 재료(예를 들어, 유기물)의 증기로 기판 표면에 발광층을 형성하는 기술로서, 증착원(deposition source) 내에 수용된 증착 재 료는 기화 온도까지 가열되며, 증착 재료의 증기는 수용된 증착원 밖으로 이동한 후 코팅될 기판 상에서 응축된다. 이러한 증착 공정은 증착 재료를 수용하는 증착원 및 코팅될 기판을 구비한 10-7 내지 10-2 Torr 범위의 압력 상태의 진공 챔버 내에서 진행된다. Thermal physical vapor deposition is a technique of forming a light emitting layer on the surface of a substrate with vapor of a deposition material (eg, organic material), and the deposition material contained in the deposition source is heated to the vaporization temperature, and the vapor of the deposition material is After moving out of the received deposition source, it condenses on the substrate to be coated. This deposition process is carried out in a vacuum chamber under pressure ranging from 10 −7 to 10 −2 Torr with a deposition source containing the deposition material and a substrate to be coated.
일반적으로, 증착 재료를 수용하는 용기인 증착원(deposition source)은 전류가 벽(부재)들을 통과할 때 온도가 증가하는 전기적 저항 재료로 만들어진다. 증착원에 전류가 인가되면, 그 내부의 증착 재료는 증착원의 벽으로부터의 방사열 및 벽과의 접촉으로부터의 전도열에 의하여 가열된다. 증착원의 상부 부재에는 기화된 재료 증기가 외부로 배출되는 증기 배출 개구(vapor efflux aperture)가 형성되어 있다.Generally, a deposition source, which is a container containing a deposition material, is made of an electrically resistive material that increases in temperature as current passes through walls (members). When a current is applied to the deposition source, the deposition material therein is heated by radiant heat from the walls of the deposition source and conduction heat from contact with the walls. A vapor efflux aperture through which the vaporized material vapor is discharged to the outside is formed in the upper member of the evaporation source.
도 1은 일반적인 포인트 증착원의 단면도로서, 원통형의 측벽 부재(1B), 원판형의 바닥 부재(1C) 및 상부 부재(1A)로 이루어진 포인트 증착원(1)의 내부 구성을 도시하고 있다. 상부 부재(1A), 측벽 부재(1B) 및 바닥 부재(1C)로 인하여 형성되는 내부 공간에는 증착 재료(M; 증착 재료)가 수용되어 있다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a general point deposition source and shows an internal configuration of a
측벽 부재(1B) 내부에는 내부 공간에 수용된 증착 재료(M)를 가열하기 위한 수단(1B-1; 예를 들어, 전원에 연결된 발열 코일)이 위치하고 있다. 이 가열 수단 (1B-1)은 측벽 부재(1B)의 전 높이에 걸쳐 장착되어 있으며, 따라서 모든 증착 재료(M)에 열을 공급할 수 있다. 상부 부재(1A)의 중앙부에는 개구(1A-1)가 형성되어 있으며, 측벽 부재(1B)에 장착된 가열 수단(1B-1)에서 발생된 열에 의하여 가열, 기화된 증착 재료(M)의 증기는 이 개구(1A-1)를 통하여 외부, 즉 챔버 내에 장착되어 있는 기판을 향하여 배출된다. Inside the
한편, 공정이 진행됨에 따라 증착원 내에 수용된 증착 재료의 양이 적정량 이하로 줄어들며, 따라서 증착 재료가 충만되어 있는 새로운 증착원으로 교체해야 한다. 그러나, 증착 공정이 진행되는 챔버의 내부 공간은 진공 상태이기 때문에 증착원을 교체할 때마다 챔버 내의 진공 상태를 해제하여야 하며, 또한 새로운 증착원이 장착된 후에는 챔버 내부를 다시 진공 상태로 조성해야 하는 문제점이 발생한다. On the other hand, as the process proceeds, the amount of deposition material contained in the deposition source is reduced to an appropriate amount or less, and therefore, a new deposition source filled with the deposition material should be replaced. However, since the internal space of the chamber where the deposition process proceeds is a vacuum state, the vacuum in the chamber must be released each time the deposition source is replaced, and the chamber interior must be vacuumed again after the new deposition source is installed. The problem arises.
이러한 상황을 방지하기 위하여 도 1에 도시된 다수의 증착원들(약 6개)이 내부에 배치된 리볼버(revolver)를 진공 챔버 내에 장착하여 모든 증착원들 내에 담겨진 증착 재료가 소모될 때까지 증착 공정을 지속적으로 수행하게 된다. In order to prevent this situation, a plurality of deposition sources (about 6) shown in FIG. 1 are mounted in a vacuum chamber with a revolver disposed therein until the deposition material contained in all deposition sources is consumed. The process will continue.
도 2는 다수의 증착원들이 배치된 리볼버의 평면도, 도 3은 도 2의 선 3-3을 따라 절취한 상태의 단면도로서, 도 2에서는 증착원의 배치 상태를 나타내기 위하여 리볼버 상부 부재를 도시하지 않았으며, 또한 도 3에서는 모든 증착원을 단면 처리하여 도시하였다. FIG. 2 is a plan view of a revolver having a plurality of deposition sources disposed therein, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the revolver taken along line 3-3 of FIG. 2, and FIG. 2 illustrates a revolver upper member to indicate an arrangement of deposition sources. In addition, in Fig. 3, all the deposition sources are shown by cross-sectional processing.
챔버 내에 장착된 리볼버(20)의 상부 부재(21)의 한 부분에는 증착 재료의 증기를 기판(도시되지 않음; 챔버 내의 지지 수단에 의하여 지지된 상태임)으로 유동시키기 위한 개구(21A)가 형성된다. 리볼버(20)에 배치된 증착원들(S1 내지 S6)중에서 상부 부재(21)의 개구(21A) 하부에 위치한 제 1 증착원(예를 들어, 도 2의 S1)이 가동(가열 수단의 가동), 증착 재료의 기화가 이루어지며, 증착 재료의 증기 는 리볼버 상부 부재(21)의 개구(21A)를 통하여 기판으로 유동한다.A portion of the
제 1 증착원(S1)의 증착 재료가 모든 기화되면, 리볼버(20) 하단 부재가 소정 각도 회전하여 인접한 제 2 증착원(S2)이 상부 부재(21)의 개구(21A) 하부로 이송되어 증착 재료의 기화가 이루어진다. 이후, 이와 같은 동작이 반복되어 제 3 내지 제 6 증착원(S3 내지 S6) 내의 모든 증착 재료의 기화가 이루어진다.When the deposition material of the first deposition source S1 is all vaporized, the lower member of the
이와 같이 리볼버(20) 내에 장착된 다수의 증착원(S1 내지 S6)를 이용하여 기판에 대한 증착 공정이 진행되는 과정에서, 증착 재료 증기가 통과하는 증착원(예를 들어, S1)의 개구(1A-1) 주변 표면에 증착 재료 증기가 응고된다. As described above, in the process of depositing the substrate using the plurality of deposition sources S1 to S6 mounted in the
증착원(S1)의 개구(1A-1) 주변에 증착 재료 증기가 응고됨에 따라 각 개구(1A-1)의 단면적이 점차적으로 감소하며, 따라서 증착원으로부터 단위 시간당 배출되는 증착 재료 증기의 양 역시 줄어들게 된다. 이러한 이유로 인하여 기판 표면에 설정된 두께의 증착막이 형성되는 시간이 증가, 즉 증착 속도가 현저히 감소할 수 밖에 없다. As the vapor deposition material vapor solidifies around the opening 1A-1 of the deposition source S1, the cross-sectional area of each
본 발명은 증착 공정이 진행되는 과정에서 증착원의 개구 주변에 응고된 증착 재료에 의하여 증착 속도가 감소하는 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 증착 재료 증기의 배출 개구 주변에 응고된 증착 재료를 효과적으로 제거하여 최적의 증착 속도를 유지할 수 있는 수단을 구비한 증착 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problem that the deposition rate is reduced by the deposition material solidified around the opening of the deposition source during the deposition process, by effectively removing the deposition material solidified around the discharge opening of the vapor deposition material It is an object of the present invention to provide a deposition apparatus having a means capable of maintaining an optimum deposition rate.
상술한 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 챔버 및 내부에 다수의 증착원들이 위치한 리볼버를 포함하는 증착 장치는 리볼버의 외측에 수평 이동 가능하게 설치된 본체, 본체에 설치되어 수직 왕복 이동 및 자전 운동하는 아암 및 아암 선단에 장착되어 증착원의 개구와 리볼버 상부 부재의 개구에 삽입되는 팁을 포함하는 증착 재료 응고물 제거 수단을 더 포함한다.A deposition apparatus including a chamber according to the present invention and a revolver having a plurality of deposition sources located therein for realizing the above object are installed in the main body so as to be movable horizontally outside the revolver, and installed in the main body to vertically reciprocate and rotate. And a deposition material coagulant removal means comprising a tip mounted to the arm and the tip of the arm and inserted into the opening of the deposition source and the opening of the revolver upper member.
본 발명에 따른 증착 장치는 리볼버의 상부에 설치되어 표면에 형성되는 증착막의 질량 변화에 따라 변화되는 진동 주파수 정보 신호를 생성하는 센서 및 센서로부터 전송된 신호에 따라 본체 및 아암의 이동을 제어하는 제어부를 더 포함한다.The deposition apparatus according to the present invention includes a sensor installed on an upper portion of the revolver to generate a vibration frequency information signal that is changed according to a mass change of a deposition film formed on a surface, and a controller to control movement of the main body and the arm according to a signal transmitted from the sensor. It further includes.
본 발명에서의 아암은 본체에 수직 상태로 설치되고 구동부에 의하여 자전 및 수직 왕복 운동하는 수직 아암; 및 수직 아암에 고정되며 그 선단에는 팁이 장착된 수평 아암으로 이루어진다. 여기서, 팁은 수평 아암의 선단에 고정되는 고정부 및 하단의 경사부로 이루어지며, 경사부에는 발열 수단이 구비된다.The arm in the present invention is a vertical arm installed in a vertical state on the main body and rotated and vertical reciprocating motion by the drive unit; And a horizontal arm fixed at the vertical arm, the tip of which is mounted. Here, the tip is composed of a fixing portion fixed to the tip of the horizontal arm and the inclined portion of the bottom, the inclined portion is provided with a heat generating means.
본체는 서로 이격된 상태로 설치된 2개의 리볼버 사이를 왕복 이동할 수 있으며, 이때 아암의 가동에 따라 팁이 선택된 리볼버 상부 부재의 개구와 그 내부의 증착원 개구에 삽입된다.The body can reciprocate between two revolvers spaced apart from one another, with the tip inserted into the opening of the selected revolver upper member and the deposition source opening therein as the arm moves.
첨부된 도면을 참고로 한 바람직한 실시예의 상세한 설명에 의하여 본 발명은 보다 완전하게 이해될 것이다. The invention will be more fully understood by the detailed description of the preferred embodiment with reference to the attached drawings.
도 4는 본 발명에 따른 증착 장치 중에서 리볼버만을 도시한 부분 평면도, 도 5는 도 4의 선 5-5를 따라 절취한 상태의 단면도이다. 도 4에서는 상부 부재를 도시하지 않았으며, 도 5에서는 증착원을 제외한 나머지 부재를 단면 처리하지 않 은 상태로 도시하였다. 각 도면에서 도 1 내지 도 3에 도시된 부재와 동일한 부재에는 동일한 참고 번호를 부여하였다. Figure 4 is a partial plan view showing only a revolver in the deposition apparatus according to the present invention, Figure 5 is a cross-sectional view taken along the line 5-5 of FIG. In FIG. 4, the upper member is not illustrated, and in FIG. 5, the remaining members except for the deposition source are not cross-sectionally treated. In each drawing, the same reference numerals are given to the same members as those shown in FIGS. 1 to 3.
한편, 도 4 및 도 5에 도시된 리볼버(20)는 도 1 내지 도 3에 도시된 리볼버와 동일한 구성 및 기능을 가지며, 따라서 리볼버에 대한 중복 설명은 생략한다.Meanwhile, the
본 발명에 따른 증착 장치의 가장 큰 특징은 리볼버(20)의 외측에 증착 재료 응고물 제거 수단(200)을 위치시키고 이 제거 수단(200)을 리볼버(20)에 대해 이동 가능하게 구성한 것이다. The biggest feature of the deposition apparatus according to the present invention is that the deposition material coagulant removal means 200 is located outside the
증착 재료 응고물 제거 수단(200)은 수평 이동 가능한 본체(21), 본체(21)에 대하여 수직 이동 및 회전(자전) 운동이 가능한 아암(22; arm) 및 아암(22)의 선단에 고정된 팁(tip ; 23)을 포함한다. The vapor deposition material coagulant removing means 200 is fixed to the
본체(21)는 도시되지 않은 제 1 구동부에 연결되어 있어 리볼버(20)에 대하여 왕복 이동 가능하게 설치되며, 그 내부에는 아암의 수직 및 회전 운동을 위한 구동부(도시되지 않음)가 설치되어 있다.The
아암(22)은 본체(21) 내의 제 2 구동부 및 제 3 구동부에 연결된 수직 아암(22A) 및 수직 아암(22A)의 종단에 연결된 수평 아암(22B)으로 이루어진다. 아암(22)은 제 3 구동부의 작동에 따라 수직으로 왕복 이동하며, 또한 제 2 구동부에 의하여 수직 아암(22A)을 축으로 하는 회전 운동을 하게 된다. 팁(23)은 수평 아암(22B)의 자유단 종단에 하향 수직 상태로 부착된다.The
리볼버(20)의 상부에는 증착원(S1)과 대응하는 석영 크리스털 센서(C; quartz crystal sensor; 이하, 편의상 "센서"라 칭함)가 장착되어 있으며, 증착 공 정이 진행되는 과정에서 이 센서(C)의 표면에도 증착막이 형성된다.The
증착 공정이 진행됨에 따라 센서(C)의 표면에 형성된 증착막의 두께 및 질량이 증가하게 되며, 질량의 증가에 따라서 센서(C)의 진동 주파수가 변화하게 된다. 따라서 센서(C)의 진동 주파수의 변화에 따라 변화되는 증착막의 질량을 하기 식에 의하여 결정할 수 있다. As the deposition process proceeds, the thickness and mass of the deposited film formed on the surface of the sensor C increase, and the vibration frequency of the sensor C changes as the mass increases. Therefore, the mass of the deposited film that changes according to the change in the vibration frequency of the sensor C can be determined by the following equation.
여기서, ω는 진동 주파수, k는 스프링 상수, m은 증착막의 질량을 각각 나타낸다.Is the vibration frequency, k is the spring constant, and m is the mass of the deposited film.
위의 식에 따르면, 센서(C)의 표면에 형성되는 증착막의 질량이 증가함에 따라 센서의 진동 주파수는 작아지며, 따라서 센서(C)에 의하여 감지된 진동 주파수 데이터를 통하여 증착막의 형성 속도(증착 속도)를 판단할 수 있다. According to the above equation, as the mass of the deposited film formed on the surface of the sensor C increases, the vibration frequency of the sensor decreases, and thus the formation speed (deposition) of the deposited film through the vibration frequency data sensed by the sensor C. Speed).
이상과 같이 구성된 본 발명의 기능을 각 도면을 참고하여 설명한다.The function of the present invention configured as described above will be described with reference to the drawings.
증착원의 가열 상태, 즉 증착 공정이 진행되는 동안 증착 재료 증기의 배출을 위하여 증착 재료 증기 응고물 제거 수단(200; 이하, "제거 수단"이라 칭함)은 리볼버(20)와 이격된 상태로 위치한다. The vapor deposition material vapor coagulant removal means 200 (hereinafter referred to as "removal means") is positioned in a state spaced apart from the
증착 공정이 진행됨에 따라 증착 재료 증기가 배출되는 증착원(S1)의 개구(1A-1) 주변에 증착 재료 증기가 응고되어 각 개구의 면적을 감소시키며, 이에 따라 단위 시간당 배출되는 증착 재료 증기의 양이 감소한다. As the deposition process proceeds, the vapor deposition material vapor solidifies around the
한편, 증착 공정이 진행됨에 따라 리볼버(20)의 상부 영역에 설치된 크리스탈 센서(C)에 형성된 증착막의 질량이 증가한다. 전술한 바와 같이, 증착막의 질량 증가에 따라 센서(C)의 진동 주파수는 작아지며, 센서(C)는 변화되는 주파수 정보를 제어부로 전송한다. Meanwhile, as the deposition process proceeds, the mass of the deposition film formed on the crystal sensor C installed in the upper region of the
제어부는 크리스탈 센서로부터 전송된 주파수 정보를 분석하여 증착원(S1)의 개구(1A-1) 주변에 증착 재료 증기가 응고되어 증착 속도가 감소, 즉, 증차 재료 증기의 배출량이 감소하였음을 판단한다. 이러한 상태에서 기판에 대한 증착 공정이 종료된 후, 새로운 기판의 교체를 위하여 증착원의 가동이 중단될 때, 제어부는 제거 수단(200)을 구동하는 제 1 구동부를 가동시킨다.The control unit analyzes the frequency information transmitted from the crystal sensor to determine that the deposition material vapor is solidified around the
제 1 구동부의 가동에 따라 제거 수단(200)의 본체(21)는 리볼버(20)에 인접위치까지 이동된다. 이후 제어부는 제 2 구동부를 가동하여 아암(22)의 수직 아암(22A)을 회전시켜 수평 아암(22A)의 선단에 장착된 팁(23)을 증착원(S1)의 개구(1A-1)에 위치시킨다. As the first drive unit moves, the
이 상태에서 제어부는 제 3 구동부를 작동시키며, 따라서 아암(22)은 하향 이동하게 된다. 결과적으로 수평 아암(22A) 선단에 수직 상태로 장착된 팁(23)은 증착원(S1)의 개구(1A-1)를 통과하게 되며, 이 과정에서 증착원(S1)의 개구(1A-1) 주변에 응고된 상태의 증착 재료는 하향 이동하는 팁(23)에 의하여 강제적으로 분리되어 증착원(S1) 내부 공간으로 떨어지게 된다. 증착원(S1) 내부 공간은 고온의 증착 재료 용융물이 담겨져 있기 때문에 증착 재료 응고물은 용융, 기화된다. In this state, the control unit operates the third drive unit, and the
이후, 제어부는 위의 과정과 반대의 순서로 각 구동부를 가동하여 제거 수단 (200)을 초기 위치로 복귀시킨다. 즉, 제 3 구동부를 구동하여 아암(22)을 상향이동시켜 팁(23)을 증착원(S1)의 개구(1A-1)에서 인출시키고, 이후 제 2 구동부를 가동하여 수평 아암(22)과 팁(23)을 리볼버(20)의 외측으로 이동시킨다. 최종적으로 제 1 구동부를 구동하여 제거 수단(200)을 리볼버(20)로부터 이격된 위치로 이동시킨다.Thereafter, the control unit returns the removal means 200 to the initial position by operating the respective driving units in the reverse order to the above process. That is, the third drive unit is driven to move the
이와 같이, 제어부에 의하여 제거 수단(200)이 작동하는 동안 새로운 기판이 장착되며, 제거 수단(200)이 이동한 후, 증착 공정이 다시 진행된다. 한편, 상술한 바와 같이 증착원(S1)의 개구(1A-1) 주변에 응고된 증착 재료가 제거 수단(200)에 의하여 제거되어 정상적인 증착 속도를 얻을 수 있음은 물론이다. As such, while the removal means 200 is operated by the control unit, a new substrate is mounted. After the removal means 200 moves, the deposition process is performed again. On the other hand, as described above, the deposition material solidified around the
위에서 설명된 과정은 리볼버(20)에 장착된 모든 증착원(S1 내지 S6)에 대하여 반복적으로 진행됨은 물론이다.The above-described process is of course repeated for all deposition sources S1 to S6 mounted on the
한편, 도 4 및 도 5에서는 단일의 리볼버(20)에 의하여 증착 공정이 진행되는 과정을 설명하였지만, 2개의 리볼버를 이용한 증착 공정에서도 본 발명에 사용된 제거 수단(200)을 이용할 수 있다.4 and 5 illustrate a process in which a deposition process is performed by a
도 6은 2개의 리볼버를 이용하여 기판에 대한 증착 공정을 진행하는 상태를 도시한 개략적인 도면으로서, 편의상 각 리볼버(20-1, 20-2)를 박스 형태로 도시하였다. FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a process of depositing a substrate using two revolvers. For convenience, each revolver 20-1 and 20-2 is shown in a box form.
다수의 증착원이 각각 내장된 2개의 리볼버(20-1, 20-2)는 기판(P) 양측 하부에 위치하며, 리볼버(20-1, 20-2) 사이에는 가이드 부재(G)가 설치되어 있다. 가이드 부재(G) 상에는 도 5에서 설명한 바와 같은 증착 재료 응고물 제거 수단(20) 이 수평 이동 가능한 상태로 설치된다.Two revolvers 20-1 and 20-2 each having a plurality of deposition sources are located under both sides of the substrate P, and a guide member G is installed between the revolvers 20-1 and 20-2. It is. On the guide member G, the vapor deposition material coagulum removal means 20 as demonstrated in FIG. 5 is provided in the state which can be moved horizontally.
한편, 각 리볼버(20-1, 20-2)의 상부에는 증착 재료 증기가 배출되는 개구(1A-1)에 대응하는 크리스탈 센서(C1, C2)가 각각 장착되어 있다.On the other hand, crystal sensors C1 and C2 corresponding to the
각 센서(C1, C2)로부터의 신호에 따라 제어부는 제 1 구동부를 구동하여 제거 수단(200)의 본체(21)를 제 1 리볼버(20-1) 또는 제 2 리볼버(20-2)에 인접하게 위치시키며, 이 후 전술한 바와 같은 제 2 구동부 및 제 3 구동부의 가동에 의하여 어느 한 리볼버(20-1 또는 20-2) 내에 장착된 증착원(S1)의 개구(1A-1) 주변에 응고된 증착 재료가 제거된다.In response to the signals from the sensors C1 and C2, the control unit drives the first driving unit so that the
도 7은 수평 암 선단에 수직 상태로 장착된 팁(23)의 형상을 도시한 도면으로서, 증착원(S1)의 개구(1A-1)에 삽입되는 팁(23)은 금속 재료로 제조되며, 그 최대 직경은 증착원(S1)의 개구(1A-1)의 직경보다 작아야 한다. 또한 팁(23)의 그 표면은 연마 가공에 의하여 매끄러운 상태를 유지하며, 따라서 증착 재료 응고물과의 접촉시 응고물이 팁(23)의 표면에 묻지 않게 된다.FIG. 7 is a view showing the shape of the
한편, 팁(23)은 수평 아암(22B)의 선단에 고정되는 고정부(23A) 및 하단의 경사부(23B)로 이루어진다. 증착원(S1)의 개구(1A-1) 주변에 형성된 증착 재료 응고물과 초기 접촉하는 경사부(23B)는 그 하단이 날카로운 상태이며 상부로 갈수록 그 두께가 점차적으로 증가한다. 또한, 경사부(23B)에는 발열 수단(예를 들어, 전원에 연결된 코일 등)이 구비되어 있다. On the other hand, the
따라서 증착원(S1)의 개구(1A-1)로의 팁(23)의 삽입이 진행됨에 따라 경사부(23B)에 초기 접촉하는 응고물은 어느 정도 용융된 상태로 변환되며, 모든 경사부 (23B)가 삽입될 때까지 응고물은 점차적으로 용융된 상태가 되어 개구(1A-1) 주변으로부터 용이하게 분리, 제거된다.Therefore, as the insertion of the
본 발명은 증착 공정이 진행되는 과정에서 증착원의 개구 주변에 응고된 증착 재료를 효과적으로 분리, 제거함으로써 증착 재료 증기의 원활한 배출을 유도하여 최적의 증착 속도를 유지할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of maintaining the optimum deposition rate by inducing a smooth discharge of the vapor deposition material by effectively separating and removing the deposition material solidified around the opening of the deposition source during the deposition process.
위에 설명된 예시적인 실시예는 제한적이기보다는 본 발명의 모든 관점들 내에서 설명적인 것이 되도록 의도되었다. 따라서 본 발명은 본 기술 분야의 숙련된 자들에 의하여 본 명세서 내에 포함된 설명으로부터 얻어질 수 있는 많은 변형과 상세한 실행이 가능하다. 다음의 청구범위에 의하여 한정된 바와 같이 이러한 모든 변형과 변경은 본 발명의 범위 및 사상 내에 있는 것으로 고려되어야 한다. The illustrative embodiments described above are intended to be illustrative within all aspects of the invention rather than limiting. Accordingly, the present invention is capable of many modifications and implementations that can be made by those skilled in the art from the description contained herein. All such modifications and variations are considered to be within the scope and spirit of the invention as defined by the following claims.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050041248A KR20060118848A (en) | 2005-05-17 | 2005-05-17 | Deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050041248A KR20060118848A (en) | 2005-05-17 | 2005-05-17 | Deposition apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060118848A true KR20060118848A (en) | 2006-11-24 |
Family
ID=37705790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050041248A KR20060118848A (en) | 2005-05-17 | 2005-05-17 | Deposition apparatus |
Country Status (1)
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KR (1) | KR20060118848A (en) |
-
2005
- 2005-05-17 KR KR1020050041248A patent/KR20060118848A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |