KR20060104645A - Display device and manufacturing method of the same - Google Patents
Display device and manufacturing method of the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060104645A KR20060104645A KR1020050026977A KR20050026977A KR20060104645A KR 20060104645 A KR20060104645 A KR 20060104645A KR 1020050026977 A KR1020050026977 A KR 1020050026977A KR 20050026977 A KR20050026977 A KR 20050026977A KR 20060104645 A KR20060104645 A KR 20060104645A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- pad
- led
- display area
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 33
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 9
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
Abstract
본 발명은 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치는 절연기판과; 절연기판 상에 가로방향으로 형성되어 있는 게이트선 및 게이트선과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선과; 표시영역 외곽의 비표시영역에 위치하는 발광다이오드(LED)와; 발광다이오드(LED)의 구동을 제어하는 발광다이오드 회로부; 및 발광다이오드(LED)와 발광다이오드 회로부를 전기적으로 연결시키는 발광다이오드 패드부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 기판의 공간활용 효율이 향상된 표시장치가 제공된다.The present invention relates to a display device. A display device according to the present invention includes an insulating substrate; A gate line formed on the insulating substrate in a horizontal direction and a data line insulated from and intersecting the gate line to define a display area; A light emitting diode (LED) positioned in the non-display area outside the display area; A light emitting diode circuit unit controlling driving of a light emitting diode (LED); And a light emitting diode pad unit electrically connecting the light emitting diode (LED) and the light emitting diode circuit unit. As a result, a display device with improved space utilization efficiency of a substrate is provided.
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치의 평면도,1 is a plan view of a display device according to a first exemplary embodiment of the present invention;
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따른 단면도, 2 is a cross-sectional view taken along II-II of FIG. 1;
도 3은 도 1 의 'A'영역의 배치도,3 is a layout view of the 'A' region of FIG.
도 4는 도 1 의 Ⅳ-Ⅳ를 따른 단면도,4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 1;
도 5a 및 도5b는 각각 본 발명의 제 2 실시예 및 제3실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.5A and 5B are cross-sectional views of display devices according to second and third embodiments of the present invention, respectively.
* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *Explanation of Signs of Major Parts of Drawings
1 : 액정표시장치 10 : 액정패널1 liquid crystal display 10 liquid crystal panel
20 : 제1기판 30 : 제2기판20: first substrate 30: second substrate
40 : 액정층 45 : 화소전극40
50 : 실런트 60 : 구동칩50: sealant 60: driving chip
70 : 구동회로부 80 : 발광다이오드70
81 : 발광다이오드 패드부 82 : 제1패드81: light emitting diode pad portion 82: first pad
83 : 패드선 84 : 제2패드83: pad wire 84: second pad
85 : 솔더 90 : 이방성도전성 필름85 solder 90 anisotropic conductive film
91 : 도전입자 92 : 수지층91: conductive particles 92: resin layer
본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 외부로부터 정보가 수신되었을 때, 이를 알려주는 상태표시용 발광다이오드(LED)를 포함하는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a display device including a status display light emitting diode (LED) indicating when information is received from the outside and a method of manufacturing the same.
최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다. 상술한 표시장치는 중소형으로 제작되어 핸드폰, PDA(Personal Digital Assistants), MP3 및 PMP(Portable Multimedia Player) 등의 휴대용 표시장치에 적용되어 오고 있다.Recently, a flat panel display such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), or an organic light emitting diode (OLED) has been developed in place of the conventional CRT. The display device described above is manufactured in a small and medium size, and has been applied to portable display devices such as mobile phones, personal digital assistants (PDAs), MP3s, and portable multimedia players (PMPs).
상기 휴대용 표시장치는 사용자의 편의를 위해 외부로 정보를 송신할 수도 있고 외부로부터 정보를 수신할 수도 있다. 외부로부터 정보를 수신하였거나, 휴대용 표시장치의 현재상태를 사용자에게 알려주기 위한 수단으로 발광다이오드(LED)가 사용된다.The portable display device may transmit information to the outside or receive information from the outside for the convenience of the user. The light emitting diode (LED) is used as a means for receiving information from the outside or informing the user of the current state of the portable display device.
이와 같은 종래의 표시장치용 발광다이오드(LED)는 회로가 형성되어 있는 PCB(Printed Circuit Board)나 FPC(Flexible Printed Circuit)와 같은 회로기판 상에 실장 된다. 그러나 회로가 형성되어 있는 영역과 동일한 영역에 표시장치용 발광다이오드(LED)가 실장되기 때문에 복잡하고, 작업성이 좋지 않은 문제점이 있다. Such a conventional light emitting diode (LED) for a display device is mounted on a circuit board such as a printed circuit board (PCB) or a flexible printed circuit (FPC) in which a circuit is formed. However, since the light emitting diodes (LEDs) for display devices are mounted in the same region where the circuits are formed, there is a problem of complexity and poor workability.
한편, 박막트랜지스터 기판의 비표시영역에는 화상신호를 인가하기 위한 구동칩과, 이를 게이트선 및 데이터선과 연결하는 패드부가 형성되어 있다. 그러나, 여전히 박막트랜지스터 기판의 비표시영역에는 쓰이지 않은 공간이 존재하며, 이 공간을 제대로 활용하지 못하여 공간활용율이 낮은 문제점있다.In the non-display area of the thin film transistor substrate, a driving chip for applying an image signal and a pad portion connecting the gate line and the data line are formed. However, the unused space still exists in the non-display area of the thin film transistor substrate, and there is a problem that the space utilization rate is low because it is not properly utilized.
따라서, 본 발명의 목적은, 작업성이 좋으며 박막트랜지스터 기판의 공간활용율이 높은 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a display device having good workability and high space utilization of a thin film transistor substrate and a method of manufacturing the same.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 절연기판과; 절연기판 상에 가로방향으로 형성되어 있는 게이트선 및 게이트선과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선과; 표시영역 외곽의 비표시영역에 위치하는 발광다이오드(LED)와; 발광다이오드(LED)의 구동을 제어하는 발광다이오드 회로부; 및 발광다이오드(LED)와 발광다이오드 회로부를 전기적으로 연결시키는 발광다이오드 패드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치에 의하여 달성된다.The object is, in accordance with the present invention, an insulating substrate; A gate line formed on the insulating substrate in a horizontal direction and a data line insulated from and intersecting the gate line to define a display area; A light emitting diode (LED) positioned in the non-display area outside the display area; A light emitting diode circuit unit controlling driving of a light emitting diode (LED); And a light emitting diode pad portion electrically connecting the light emitting diode (LED) and the light emitting diode circuit portion.
여기서, 발광다이오드 회로부는 회로기판 상에 형성되어 있으며, 발광다이오드 패드부는 발광다이오드(LED)와 전기적으로 연결되는 제1패드와 회로기판과 전기적으로 연결되는 제2패드 및 제1패드와 제2패드를 연결하는 패드선을 포함할 수 있다.The light emitting diode circuit unit is formed on a circuit board, and the light emitting diode pad unit includes a first pad electrically connected to the light emitting diode (LED), a second pad electrically connected to the circuit board, and a first pad and a second pad. It may include a pad line for connecting.
그리고, 작업성의 향상을 위하여 발광다이오드 패드부는 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, in order to improve workability, the light emitting diode pad part preferably includes ITO (Indium Tin Oxide).
또한, 작업의 편의를 위해 발광다이오드 패드부는 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.In addition, for convenience of operation, the light emitting diode pad part may include at least one of an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au), and aluminum (Al).
여기서, 발광다이오드(LED)를 발광다이오드 패드부에 고정시키는 이방성도전필름(ACF)을 더 포함할 수 있다.Here, the light emitting diode (LED) may further include an anisotropic conductive film (ACF) for fixing the light emitting diode pad portion.
또한, 발광다이오드(LED)를 발광다이오드 패드부에 고정시키는 솔더(solder)를 더 포함할 수 있다.In addition, the method may further include a solder to fix the light emitting diodes (LEDs) to the light emitting diode pads.
여기서, 솔더(solder)는 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.Here, the solder is preferably made of at least one of an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au) and aluminum (Al).
그리고, 발광다이오드 패드부와 발광다이오드(LED)는 절연기판의 배면에 형성되어 있을 수 있다.The light emitting diode pad portion and the light emitting diode LED may be formed on the rear surface of the insulating substrate.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 게이트선, 게이트선과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선 및 표시영역 외곽의 비표시영역에 투명도전물질 및 금속물질 중 어느 하나를 도포 및 패터닝하여 발광다이오드 패드부를 포함하는 절연기판을 마련하는 단계와; 발광다이오드 패드부에 발광다이오드(LED)와 회로기판 상의 발광다이오드 회로부를 전기적으로 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법에 의하여 달성된다.According to the present invention, a light emitting diode pad is formed by coating and patterning any one of a transparent conductive material and a metal material on a gate line, a data line defining an display area by crossing the gate line, and a non-display area outside the display area. Providing an insulating substrate including a portion; And a light emitting diode (LED) and a light emitting diode circuit portion on the circuit board are electrically connected to the light emitting diode pad portion.
이하에서는, 본 발명에 따른 액정표시장치에 대하여 참조도면을 이용하여 상세히 설명한다. 표시장치 중 액정표시장치를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The liquid crystal display device of the display device will be described as an example.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도이고, 도 2 는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따른 액정표시장치의 단면도이다.1 is a plan view of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display according to II-II of FIG. 1.
도 1및 도 2에 도시된 바와 같이, 액정표시장치(1)는 액정패널(10)과 구동칩(60) 및 구동회로부(70)을 포함하며, 액정패널(10)은 복수의 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있는 박막트랜지스터 기판(이하 '제1기판'이라 함, 20), 컬러필터층(33)이 형성되어 있는 컬러필터 기판(이하 '제2기판' 이라 함, 30), 상기 제1기판(20)과 제2기판(30) 사이의 공간에서 실런트(50)로 봉입되어 있는 액정층(40)을 포함한다. 액정패널(10)은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판(20)의 후면에는 빛을 조사하기 위한 백라이트 유닛(미도시)이 위치할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid
먼저, 제 1 기판(20)에는 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 절연성 재질을 포함하여 만들어진 제1절연기판(21) 상에 게이트 배선(22, 23)이 형성되어있다. 게이트 배선(22, 23)은 가로 방향으로 서로 평행하게 뻗어 있는 게이트선(미도시), 게이트선(미도시)에 연결되어 있는 박막트랜지스터(T)의 게이트 전극(22) 및 유지전극용량을 형성하기 위한 유지전극선(23)을 포함한다. 게이트선(미도시)은 각각 기판소재(21) 상에 형성되어 있는 시프트 레지스터(미도시)에 연결되어 있다. 이 시프트 레지스터는 구동회로부(70)로부터 구동신호를 전달 받아 게이트 드라이버의 역할을 한다. 이에 의해, 게이트 구동칩 제거에 따른 원가절감 및 모듈 공정 단순화에 따른 수율 향상을 달성할 수 있다. 각 게이트선(미도시)은 시프트 레지스터(미도시)에 연결되어 있으며, 각 시프트 레지스터(미도시)는 각종신호를 인가하는 게이트 어레이 패드부(미도시)에 연결되어 있다.First,
전달 받는 구동신호에는 게이트 온 전압인 제1클락신호(CKV), 제 1클락신호와 반대 위상을 가지고 있는 제2클락신호(CKVB), 스캔개시신호(STV), 게이트 오프 전압(Voff) 등이 있다.The driving signal received includes a first clock signal CKV which is a gate-on voltage, a second clock signal CKVB having a phase opposite to that of the first clock signal, a scan start signal STV, a gate-off voltage Voff, and the like. have.
제1절연기판(21)과 게이트 배선(22, 23) 위에는 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(24)이 형성되어 있다. 게이트 전극(22)이 위치한 게이트 절연막(24) 상에는 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층(25)과 n형 불순물이 고농도 도핑된 n+ 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 저항성 접촉층(26)이 순차적으로 형성되어 있다. 여기서, 저항성 접촉층(26)은 게이트 전극(22)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 있다.A
저항 접촉층(26) 및 게이트 절연막(24) 위에는 데이터 배선(27, 28, 29)이 형성되어 있다. 데이터 배선(27, 28, 29)은 세로방향으로 형성되어 게이트선(미도시)과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선(29), 데이터선(29)의 분지이며 저항 접촉층(26)의 상부까지 연장되어 있는 소스전극(27), 소스전극(27)과 분리되어 있으며 게이트 전극(22)을 중심으로 소스전극(27)의 반대쪽에 형성되어 있는 드레인 전극(28), 데이터선(29)에서 연장되어 표시영역 밖에 위치하는 데이터 패드부(미도시)를 포함한다. 데이터 패드부(미도시)는 구동칩(60)을 통해 구동신호를 받는 부분으로 데이터선(29)에 비하여 폭이 넓게 형성되어 있다. 데이터 배선(27, 28, 29) 중 데이터 패드부(미도시)는 표시영역 외곽의 비표시영역에 위치한다.
데이터 배선(27, 28) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(26)의 상부에는 실리콘 질화물로 이루어진 보호막(43)이 형성되어 있다. 보호막(43)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 유기막으로 이루어질 수 있다. 보호막(43)에는 각각 드레인 전극(28) 및 데이터 패드(미도시)를 드러내는 접촉구(41)가 형성되어 있다. A
보호막(43)의 상부에는 투명도전물질(45, 81)이 형성되어 있다. 투명도전물질(45, 81)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어져 있다. 투명도전물질(45, 81)은 접촉구(41)를 통해 드레인 전극(28)과 전기적으로 접촉하고 있는 화소전극(45)과 발광다이오드 패드부(81)을 포함한다. 화소전극(45)은 드레인 전극(28)으로부터의 전압을 액정에 인가하여 액정의 배열상태를 조정한다. Transparent
발광다이오드 패드부(81)는 제 1 실시예에 따라 비표시영역에 화소전극(45)과 동시에 형성되며, ITO(indium tin oxide)를 포함하여 이루어진다. 도 3에 도시된 바와 같이, 발광다이오드 패드부(81)를 형성하기 위하여 ITO를 증착한 후 패터닝하여 발광다이오드(LED, 80)와 전기적으로 연결되는 제1패드(82), 발광다이오드 회로부(미도시)와 전기적으로 연결되는 제2패드(84) 및 제1패드(82)와 제2패드(84)를 상호 연결하는 패드선(83)을 형성한다. 발광다이오드 패드부(81)는 상태표시용 발광다이오드(LED, 80)와 발광다이오드 회로부(미도시)를 전기적으로 연결시킨다. 그리고, 발광다이오드 회로부(미도시)로부터 구동신호를 공급 받아 발광다이오드(LED, 80)에 인가한다. The light emitting
발광다이오드(LED, 80)는 외부로부터 정보를 수신하였거나, 휴대용 표시장치의 현재상태를 사용자에게 알려주기 위한 수단으로 사용된다. 외부로부터 정보를 수신하였거나, 배터리가 부족할 경우 일정간격으로 점멸하거나 적색, 청색 및 녹색 의 빛을 발산하여 그 상태를 알려준다. 발광다이오드(LED, 80)는 양극(anode)과 음극(cathode)의 리드를 가지며, 각 양극 리드와 음극리드는 발광다이오드 패드부(81)에 각각 연결되어 전원을 공급 받는다. 발광다이오드(LED, 80)는 제1기판(20)의 비표시영역에서 사용자가 쉽게 인식할 수 있는 영역에 마련됨이 바람직하다. 한편, 사용편의 및 용도에 따라서 발광다이오드(LED, 80)는 상술한 발광다이오드 패드부(81)과 함께 제 1 기판(20)의 배면에 형성될 수 있다. 그리고, 도4에 도시된 바와 같이, 발광다이오드 패드부(81)과 발광다이오드(LED, 80)의 전극은 솔더(solder, 85)에 의하여 고정된다. 솔더(85)는 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 솔더(solder, 85)는 고정시키는 역할 이외에, 발광다이오드 패드부(81)와 발광다이오드(LED, 80)를 전기적으로 연결시키는 역할도 한다. The light emitting diodes (LED) 80 are used as a means for receiving information from the outside or for notifying a user of the current state of the portable display device. If you receive information from the outside or the battery is low, it blinks at regular intervals or emits red, blue, and green lights to indicate its status. The light emitting diodes (LED) 80 have leads of an anode and a cathode, and each of the anode leads and the cathode leads is connected to the
발광다이오드 회로부(미도시)는 발광다이오드 패드부(81)를 통하여 발광다이오드(LED, 80)에 전원을 공급하며, 구동회로부(70)에 형성되어 있다.The LED circuit unit (not shown) supplies power to the
구동칩(60)은 COG(chip on glass) 방식으로 제1기판(20) 상에 실장되어 있다. 도시되지 않았으나, COF(chip on film) 등 다양한 방법으로 제1기판(20)과 연결될 수 있으며, 또한 연성인쇄회로기판(미도시, flexible printed circuit board, FPC)과 연결될 수도 있다.The
구동회로부(70)에는 타이밍 컨트롤러(timing controller)와 구동전압 발생부 등이 형성되어 있다.In the
이와 같이, 발광다이오드(LED, 80)를 제1기판(20) 상의 비표시영역에 실장함 으로써, 비표시영역의 공간활용율을 높일 수 있다. 또한, 화소전극(45)와 동시에 발광다이오드 패드부(81)를 형성하므로 작업성이 향상된다. As such, by mounting the light emitting diodes LED 80 in the non-display area on the
다음, 제2기판(30)은 제1기판(20)에 비해 다소 작으며, 제1기판(20)과 대면하고 있다. 제2 기판(30)은 제2절연기판(31)과, 제2절연기판(31) 상에 형성되어 있는 블랙매트릭스(32)와, 적색, 녹색 및 청색 또는 청록색, 자홍색 및 노랑색의 3원색을 갖는 컬러필터층(33), 컬러필터층(33) 상에 형성된 오버코트층(34)과, 오버코트층(34) 상에 형성된 공통 전극(35)을 포함한다.Next, the
외곽에 위치하는 블랙매트릭스(32)는 표시영역과 비표시영역을 구분하며, 크롬, 크롬 옥사이드 및 크롬 나이트라이드 등의 단일 또는 이들이 조합된 다중의 금속층으로 만들어지거나, 빛을 차단하기 위해 검은색 계통의 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 만들어질 수 있다. 여기서, 검은색 계통의 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용할 수 있다. The outer
컬러필터층(33)은 각각 적색, 녹색 및 청색 또는 청록색, 자홍색 및 노랑색이 반복되어 형성되어 있으며, 액정층(40)을 통과한 빛에 색을 부여하는 역할을 하게 된다. 이러한 컬러필터층(33)은 착색 감광성 유기물질로 공지의 안료 분산법을 이용하여 만들어질 수 있다.The
오버코트층(34)은 컬러필터층(33)을 보호하는 역할을 하며, 재질로는 아크릴계 에폭시 재료가 많이 사용된다. The
공통전극(35)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어진다. 이러한 공통전극(35)은 제1 기판(20)의 화소전극(45)과 함께 액정층(40)에 직접 신호전압을 인가하게 된다.The
이와 같이 완성된 제 1 기판(20)과 제 2 기판(30)을 대향 배치하여 정렬한 다음 실런트(50)를 사용하여 상호 접합하고, 양 기판(20, 30) 사이에 액정 적하 방법 또는 진공 주입 방법을 사용하여 액정층(40)을 채운다. 그리고 발광다이오드(80) 및 구동회로부(70)를 결합시키는 모듈공정을 거쳐서 액정표시장치(1)가 완성된다.The
본 발명에 따른 액정표시장치는, 활용되지 않는 제1기판(20)의 비표시영역에 발광다이오드(LED, 80)를 실장함으로써 복잡하지 않고, 공간활용율을 높일 수 있다. 그리고, 발광다이오드 패드부(81)을 화소전극(45)의 형성과 동시에 비표시영역에 마련함으로써, 공정의 효율성과 작업성을 높일 수 있다. The liquid crystal display according to the present invention can increase the space utilization without being complicated by mounting the light emitting diodes (LED) 80 in the non-display area of the
이하에서는, 도5a 및 도5b를 참조하여 각각 본 발명에 따른 제2실시예 및 제3실시예에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the second and third embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5A and 5B.
도5a에 도시된 바와 같이, 게이트선(미도시) 형성과 동시에 발광다이오드 패드부(81)를 형성한다. 즉, 게이트선(미도시) 형성과 동시에 비표시영역에도 배선 물질을 증착한다. 여기서, 게이트선(미도시), 게이트 전극(22), 데이터선(29), 소스전극(27) 및 드레인 전극(28) 등을 포함하는 각 배선은 금속 또는 합금의 단일층으로 이루어질 수 있다. As shown in Fig. 5A, the light emitting
그러나, 각 금속 또는 합금의 단점을 보완하고 원하는 물성을 얻기 위하여 다중층으로 형성하는 경우가 많다. 일예를 들면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 하부층으로 사용하고 크롬이나 몰리브덴을 상부층으로 사용하는 것이다. 이는 하부층에는 배선저항에 의한 신호저항을 막기 위해 비저항이 작은 알루미늄 또는 알루미 늄 합금을 사용하고, 상부층에는 화학약품에 의한 내식성이 약하며 쉽게 산화되어 단선이 발생되는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 단점을 보완하기 위해 화학약품에 대한 내식성이 강한 크롬이나 몰리브덴을 상부층으로 형성하는 것이다. 근래에는 금, 주석, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐 등이 배선재료로 각광받고 있으며, 대부분 다중층으로 사용되고 있다. However, in order to compensate for the shortcomings of each metal or alloy and to obtain desired physical properties, they are often formed in multiple layers. For example, aluminum or an aluminum alloy is used as the lower layer, and chromium or molybdenum is used as the upper layer. The lower layer uses aluminum or aluminum alloy with low specific resistance to prevent signal resistance due to wiring resistance, and the upper layer uses aluminum or aluminum alloy that has low corrosion resistance due to chemicals and is easily oxidized to cause disconnection. The upper layer is formed of chromium or molybdenum, which is highly resistant to chemicals. In recent years, gold, tin, molybdenum, aluminum, titanium, tungsten, and the like have been spotlighted as wiring materials, and most of them are used in multiple layers.
특히, 본 발명의 제2실시예에 따라, 발광다이오드 패드부(81)를 동시에 형성할 때, 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 배선을 형성하는 것이 바람직하다. 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 배선물질을 증착한 후, 제1패드(82), 패드선(83) 및 제2패드(84)를 포함하도록 패터닝하여 발광다이오드 패드부(81)를 완성한다. 그 후, 접촉구(41) 형성시에 발광다이오드 패드부(81) 상에 형성된 게이트 절연막(24) 및 보호막(43)에 발광다이오드(80)의 양 전극과 발광다이오드 패드부(81)과 연결할 연결구를 형성한다. 그리고, 상술한 솔더(85)를 이용하여 발광다이오드(80)와 발광다이오드 패드부(81)를 상호 연결 및 고정시켜 액정표시장치를 완성한다.In particular, according to the second embodiment of the present invention, when simultaneously forming the light emitting
도5b에 도시된 바와 같이, 데이터선(29) 형성시에 발광다이오드 패드부(81)를 형성할 수 있다. 제3실시예에서는 솔더(solder)를 사용하지 않고, 이방성 도전성 필름을 사용하여 발광다이오드(80)와 발광다이오드 패드부(81)를 연결시키며 고정시킨다. 이방성 도전성 필름(ACF, 90) 는 도전입자(91)와 수지층(92)을 포함하며, 도전입자에 의하여 발광다이오드(80)와 발광다이오드 패드부(81)를 상호 전기적으 로 연결시킨다. 그리고, 열 또는/및 자외선에 의하여 수지층이 경화되어 발광다이오드(80)를 발광다이오드 패드부(81)에 고정시킨다. 이외의 내용은 상술한 제1실시예 및 제2실시예와 동일하다.As shown in Fig. 5B, the light emitting
이하에서는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법에 대하여 간단히 설명한다. 설명한 이외의 내용은 공지의 제조방법에 따른다.Hereinafter, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention will be briefly described. Content other than the description follows a known manufacturing method.
우선, 게이트선(미도시)과 상기 게이트선(미도시)과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선(29)이 형성되어 있는 제1절연기판(21)을 마련한다. 여기서, 후술할 제2및 제3실시예와 같이 발광다이오드 패드부(81)를 비표시영역에 상기 게이트선(미도시) 및 데이터선(29)과 동시에 마련할 수도 있다. First, a first insulating
한편, 제 1 실시예에 따라 화소전극(45) 형성과 동시에 ITO (Indium Tin Oxide)를 이용하여 비표시영역에 제1패드(82), 패드선(83) 및 제2패드(84)를 포함하는 발광다이오드 패드부(81)를 형성한다. 발광다이오드 패드부(81)는 구동회로부(70) 상에 형성된 발광다이오드 회로부(미도시)와 연결되어 있다. 그 후, 발광다이오드 패드부(81)에 발광다이오드(80)을 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 솔더(solder, 85) 및 이방성 도전성 필름(ACF, 90) 중 어느 하나를 이용하여 고정한다. 이에 의하여 액정표시장치(1)가 완성된다.Meanwhile, according to the first embodiment, the
제2실시예 및 제3실시예에 따라, 게이트선(미도시) 및 데이터선(29)의 형성과 동시에 제1기판(20)의 비표시영역에 제1패드(82), 패드선(83) 및 제2패드(84)를 포함하는 발광다이오드 패드부(81)를 형성한다. 그리고, 화소전극(45)를 드레인 전극(28)과 접촉시키기 위한 접촉구(41) 형성과 동시에 발광다이오드 패드부(81) 상에 형성된 게이트 절연막(24) 및 보호막(43)에 발광다이오드(80)의 양 전극과 발광다이오드 패드부(81)과 연결할 연결구를 형성한다. 그리고, 상술한 솔더(85) 또는 이방성 도전성 피름(90)을 이용하여 발광다이오드(80)와 발광다이오드 패드부(81)를 상호 연결 및 고정시켜 액정표시장치(1)를 완성한다.According to the second and third embodiments, the
본 발명에 따른 표시장치 및 그 제조방법은 유기전기발광장치(organic light emitting diode)에 적용되는 패널 등에도 사용될 수 있다. 유기전기발광장치는 전기적인 신호를 받아 발광하는 유기물을 이용한 자발광형 소자이다. 유기전기발광장치에는 음극층(화소전극), 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 양극층(대향전극)이 적층되어 있다. 본발명에 따른 박막트랜지스터 기판의 드레인 전극은 음극층과 전기적으로 연결되어 데이터 신호를 인가할 수 있다.The display device and the method of manufacturing the same according to the present invention can also be used in a panel or the like applied to an organic light emitting diode. The organic electroluminescent device is a self-luminous device using an organic material that emits light upon receiving an electrical signal. In the organic electroluminescent device, a cathode layer (pixel electrode), a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an anode layer (counter electrode) are stacked. The drain electrode of the TFT substrate according to the present invention may be electrically connected to the cathode layer to apply a data signal.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 작업성이 향상되고 박막트랜지스터 기판의 공간활용율이 높은 표시장치 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to provide a display device having improved workability and high space utilization of a thin film transistor substrate and a manufacturing method thereof.
Claims (9)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050026977A KR20060104645A (en) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | Display device and manufacturing method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050026977A KR20060104645A (en) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | Display device and manufacturing method of the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060104645A true KR20060104645A (en) | 2006-10-09 |
Family
ID=37634673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050026977A KR20060104645A (en) | 2005-03-31 | 2005-03-31 | Display device and manufacturing method of the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20060104645A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190080607A (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
-
2005
- 2005-03-31 KR KR1020050026977A patent/KR20060104645A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190080607A (en) * | 2017-12-28 | 2019-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8786814B2 (en) | Liquid crystal display apparatus | |
KR102086644B1 (en) | Flexible display device and manufacturing method thereof | |
US11437439B2 (en) | Display device | |
US7868986B2 (en) | Liquid crystal display having a driver contact structure for preventing corrosion of conductive films | |
US11637169B2 (en) | Light emitting display apparatus and multi-screen display apparatus including the same | |
KR102380057B1 (en) | Display device | |
JP2008052248A (en) | Display device and flexible member | |
KR100859184B1 (en) | Display panel having repair lines and signal lines disposed at different substrates | |
US9305990B2 (en) | Chip-on-film package and device assembly including the same | |
KR101016284B1 (en) | Chip On Glass Type Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same | |
CN107785394A (en) | Display device | |
KR102654664B1 (en) | Organic light emitting display device | |
US20080273003A1 (en) | Liquid crystal display device, manufacturing method thereof and driving method thereof | |
KR20210053612A (en) | Transparent display panel and transparent display device including the same | |
JP2023123634A (en) | Display device | |
KR20060103652A (en) | Liquid crystal display device | |
KR20180001978A (en) | Circuit board and display device including the same | |
KR20130024391A (en) | Flexible display device | |
KR20060104645A (en) | Display device and manufacturing method of the same | |
KR20150072508A (en) | Display device | |
KR20130022802A (en) | Liquid crystal display device | |
KR20220090955A (en) | Organic light emitting diodes display | |
KR102141553B1 (en) | Array Substrate For Liquid Crystal Display Device | |
KR20130110579A (en) | Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing method thereof | |
KR20110117511A (en) | Chip on glass type array substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |