KR20060104645A - Display device and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치는 절연기판과; 절연기판 상에 가로방향으로 형성되어 있는 게이트선 및 게이트선과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선과; 표시영역 외곽의 비표시영역에 위치하는 발광다이오드(LED)와; 발광다이오드(LED)의 구동을 제어하는 발광다이오드 회로부; 및 발광다이오드(LED)와 발광다이오드 회로부를 전기적으로 연결시키는 발광다이오드 패드부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 기판의 공간활용 효율이 향상된 표시장치가 제공된다.The present invention relates to a display device. A display device according to the present invention includes an insulating substrate; A gate line formed on the insulating substrate in a horizontal direction and a data line insulated from and intersecting the gate line to define a display area; A light emitting diode (LED) positioned in the non-display area outside the display area; A light emitting diode circuit unit controlling driving of a light emitting diode (LED); And a light emitting diode pad unit electrically connecting the light emitting diode (LED) and the light emitting diode circuit unit. As a result, a display device with improved space utilization efficiency of a substrate is provided.

Description

표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 표시장치의 평면도,1 is a plan view of a display device according to a first exemplary embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따른 단면도,  2 is a cross-sectional view taken along II-II of FIG. 1;

도 3은 도 1 의 'A'영역의 배치도,3 is a layout view of the 'A' region of FIG.

도 4는 도 1 의 Ⅳ-Ⅳ를 따른 단면도,4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 1;

도 5a 및 도5b는 각각 본 발명의 제 2 실시예 및 제3실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.5A and 5B are cross-sectional views of display devices according to second and third embodiments of the present invention, respectively.

* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *Explanation of Signs of Major Parts of Drawings

1 : 액정표시장치 10 : 액정패널1 liquid crystal display 10 liquid crystal panel

20 : 제1기판 30 : 제2기판20: first substrate 30: second substrate

40 : 액정층 45 : 화소전극40 liquid crystal layer 45 pixel electrode

50 : 실런트 60 : 구동칩50: sealant 60: driving chip

70 : 구동회로부 80 : 발광다이오드70 driving circuit portion 80 light emitting diode

81 : 발광다이오드 패드부 82 : 제1패드81: light emitting diode pad portion 82: first pad

83 : 패드선 84 : 제2패드83: pad wire 84: second pad

85 : 솔더 90 : 이방성도전성 필름85 solder 90 anisotropic conductive film

91 : 도전입자 92 : 수지층91: conductive particles 92: resin layer

본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 외부로부터 정보가 수신되었을 때, 이를 알려주는 상태표시용 발광다이오드(LED)를 포함하는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a display device including a status display light emitting diode (LED) indicating when information is received from the outside and a method of manufacturing the same.

최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다. 상술한 표시장치는 중소형으로 제작되어 핸드폰, PDA(Personal Digital Assistants), MP3 및 PMP(Portable Multimedia Player) 등의 휴대용 표시장치에 적용되어 오고 있다.Recently, a flat panel display such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), or an organic light emitting diode (OLED) has been developed in place of the conventional CRT. The display device described above is manufactured in a small and medium size, and has been applied to portable display devices such as mobile phones, personal digital assistants (PDAs), MP3s, and portable multimedia players (PMPs).

상기 휴대용 표시장치는 사용자의 편의를 위해 외부로 정보를 송신할 수도 있고 외부로부터 정보를 수신할 수도 있다. 외부로부터 정보를 수신하였거나, 휴대용 표시장치의 현재상태를 사용자에게 알려주기 위한 수단으로 발광다이오드(LED)가 사용된다.The portable display device may transmit information to the outside or receive information from the outside for the convenience of the user. The light emitting diode (LED) is used as a means for receiving information from the outside or informing the user of the current state of the portable display device.

이와 같은 종래의 표시장치용 발광다이오드(LED)는 회로가 형성되어 있는 PCB(Printed Circuit Board)나 FPC(Flexible Printed Circuit)와 같은 회로기판 상에 실장 된다. 그러나 회로가 형성되어 있는 영역과 동일한 영역에 표시장치용 발광다이오드(LED)가 실장되기 때문에 복잡하고, 작업성이 좋지 않은 문제점이 있다. Such a conventional light emitting diode (LED) for a display device is mounted on a circuit board such as a printed circuit board (PCB) or a flexible printed circuit (FPC) in which a circuit is formed. However, since the light emitting diodes (LEDs) for display devices are mounted in the same region where the circuits are formed, there is a problem of complexity and poor workability.

한편, 박막트랜지스터 기판의 비표시영역에는 화상신호를 인가하기 위한 구동칩과, 이를 게이트선 및 데이터선과 연결하는 패드부가 형성되어 있다. 그러나, 여전히 박막트랜지스터 기판의 비표시영역에는 쓰이지 않은 공간이 존재하며, 이 공간을 제대로 활용하지 못하여 공간활용율이 낮은 문제점있다.In the non-display area of the thin film transistor substrate, a driving chip for applying an image signal and a pad portion connecting the gate line and the data line are formed. However, the unused space still exists in the non-display area of the thin film transistor substrate, and there is a problem that the space utilization rate is low because it is not properly utilized.

따라서, 본 발명의 목적은, 작업성이 좋으며 박막트랜지스터 기판의 공간활용율이 높은 표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a display device having good workability and high space utilization of a thin film transistor substrate and a method of manufacturing the same.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 절연기판과; 절연기판 상에 가로방향으로 형성되어 있는 게이트선 및 게이트선과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선과; 표시영역 외곽의 비표시영역에 위치하는 발광다이오드(LED)와; 발광다이오드(LED)의 구동을 제어하는 발광다이오드 회로부; 및 발광다이오드(LED)와 발광다이오드 회로부를 전기적으로 연결시키는 발광다이오드 패드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치에 의하여 달성된다.The object is, in accordance with the present invention, an insulating substrate; A gate line formed on the insulating substrate in a horizontal direction and a data line insulated from and intersecting the gate line to define a display area; A light emitting diode (LED) positioned in the non-display area outside the display area; A light emitting diode circuit unit controlling driving of a light emitting diode (LED); And a light emitting diode pad portion electrically connecting the light emitting diode (LED) and the light emitting diode circuit portion.

여기서, 발광다이오드 회로부는 회로기판 상에 형성되어 있으며, 발광다이오드 패드부는 발광다이오드(LED)와 전기적으로 연결되는 제1패드와 회로기판과 전기적으로 연결되는 제2패드 및 제1패드와 제2패드를 연결하는 패드선을 포함할 수 있다.The light emitting diode circuit unit is formed on a circuit board, and the light emitting diode pad unit includes a first pad electrically connected to the light emitting diode (LED), a second pad electrically connected to the circuit board, and a first pad and a second pad. It may include a pad line for connecting.

그리고, 작업성의 향상을 위하여 발광다이오드 패드부는 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, in order to improve workability, the light emitting diode pad part preferably includes ITO (Indium Tin Oxide).

또한, 작업의 편의를 위해 발광다이오드 패드부는 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.In addition, for convenience of operation, the light emitting diode pad part may include at least one of an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au), and aluminum (Al).

여기서, 발광다이오드(LED)를 발광다이오드 패드부에 고정시키는 이방성도전필름(ACF)을 더 포함할 수 있다.Here, the light emitting diode (LED) may further include an anisotropic conductive film (ACF) for fixing the light emitting diode pad portion.

또한, 발광다이오드(LED)를 발광다이오드 패드부에 고정시키는 솔더(solder)를 더 포함할 수 있다.In addition, the method may further include a solder to fix the light emitting diodes (LEDs) to the light emitting diode pads.

여기서, 솔더(solder)는 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것이 바람직하다.Here, the solder is preferably made of at least one of an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au) and aluminum (Al).

그리고, 발광다이오드 패드부와 발광다이오드(LED)는 절연기판의 배면에 형성되어 있을 수 있다.The light emitting diode pad portion and the light emitting diode LED may be formed on the rear surface of the insulating substrate.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 게이트선, 게이트선과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선 및 표시영역 외곽의 비표시영역에 투명도전물질 및 금속물질 중 어느 하나를 도포 및 패터닝하여 발광다이오드 패드부를 포함하는 절연기판을 마련하는 단계와; 발광다이오드 패드부에 발광다이오드(LED)와 회로기판 상의 발광다이오드 회로부를 전기적으로 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법에 의하여 달성된다.According to the present invention, a light emitting diode pad is formed by coating and patterning any one of a transparent conductive material and a metal material on a gate line, a data line defining an display area by crossing the gate line, and a non-display area outside the display area. Providing an insulating substrate including a portion; And a light emitting diode (LED) and a light emitting diode circuit portion on the circuit board are electrically connected to the light emitting diode pad portion.

이하에서는, 본 발명에 따른 액정표시장치에 대하여 참조도면을 이용하여 상세히 설명한다. 표시장치 중 액정표시장치를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The liquid crystal display device of the display device will be described as an example.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도이고, 도 2 는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ를 따른 액정표시장치의 단면도이다.1 is a plan view of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the liquid crystal display according to II-II of FIG. 1.

도 1및 도 2에 도시된 바와 같이, 액정표시장치(1)는 액정패널(10)과 구동칩(60) 및 구동회로부(70)을 포함하며, 액정패널(10)은 복수의 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있는 박막트랜지스터 기판(이하 '제1기판'이라 함, 20), 컬러필터층(33)이 형성되어 있는 컬러필터 기판(이하 '제2기판' 이라 함, 30), 상기 제1기판(20)과 제2기판(30) 사이의 공간에서 실런트(50)로 봉입되어 있는 액정층(40)을 포함한다. 액정패널(10)은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판(20)의 후면에는 빛을 조사하기 위한 백라이트 유닛(미도시)이 위치할 수 있다.As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal display device 1 includes a liquid crystal panel 10, a driving chip 60, and a driving circuit unit 70, and the liquid crystal panel 10 includes a plurality of thin film transistors ( T) formed thin film transistor substrate (hereinafter referred to as 'first substrate', 20), color filter substrate formed on the color filter layer 33 (hereinafter referred to as 'second substrate', 30), the first The liquid crystal layer 40 encapsulated with the sealant 50 in the space between the substrate 20 and the second substrate 30 is included. Since the liquid crystal panel 10 is a non-light emitting device, a backlight unit (not shown) for irradiating light may be disposed on the rear surface of the thin film transistor substrate 20.

먼저, 제 1 기판(20)에는 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 절연성 재질을 포함하여 만들어진 제1절연기판(21) 상에 게이트 배선(22, 23)이 형성되어있다. 게이트 배선(22, 23)은 가로 방향으로 서로 평행하게 뻗어 있는 게이트선(미도시), 게이트선(미도시)에 연결되어 있는 박막트랜지스터(T)의 게이트 전극(22) 및 유지전극용량을 형성하기 위한 유지전극선(23)을 포함한다. 게이트선(미도시)은 각각 기판소재(21) 상에 형성되어 있는 시프트 레지스터(미도시)에 연결되어 있다. 이 시프트 레지스터는 구동회로부(70)로부터 구동신호를 전달 받아 게이트 드라이버의 역할을 한다. 이에 의해, 게이트 구동칩 제거에 따른 원가절감 및 모듈 공정 단순화에 따른 수율 향상을 달성할 수 있다. 각 게이트선(미도시)은 시프트 레지스터(미도시)에 연결되어 있으며, 각 시프트 레지스터(미도시)는 각종신호를 인가하는 게이트 어레이 패드부(미도시)에 연결되어 있다.First, gate wirings 22 and 23 are formed on the first substrate 20 on the first insulating substrate 21 made of an insulating material such as glass, quartz, ceramic, or plastic. The gate lines 22 and 23 form a gate line (not shown) extending in parallel to each other in the horizontal direction, a gate electrode 22 of the thin film transistor T connected to the gate line (not shown), and a storage electrode capacitance. The sustain electrode line 23 is included. Gate lines (not shown) are respectively connected to shift registers (not shown) formed on the substrate material 21. The shift register receives a driving signal from the driving circuit unit 70 and serves as a gate driver. As a result, it is possible to achieve a cost reduction by eliminating the gate driving chip and an improvement in yield by simplifying the module process. Each gate line (not shown) is connected to a shift register (not shown), and each shift register (not shown) is connected to a gate array pad unit (not shown) for applying various signals.

전달 받는 구동신호에는 게이트 온 전압인 제1클락신호(CKV), 제 1클락신호와 반대 위상을 가지고 있는 제2클락신호(CKVB), 스캔개시신호(STV), 게이트 오프 전압(Voff) 등이 있다.The driving signal received includes a first clock signal CKV which is a gate-on voltage, a second clock signal CKVB having a phase opposite to that of the first clock signal, a scan start signal STV, a gate-off voltage Voff, and the like. have.

제1절연기판(21)과 게이트 배선(22, 23) 위에는 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(24)이 형성되어 있다. 게이트 전극(22)이 위치한 게이트 절연막(24) 상에는 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층(25)과 n형 불순물이 고농도 도핑된 n+ 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 저항성 접촉층(26)이 순차적으로 형성되어 있다. 여기서, 저항성 접촉층(26)은 게이트 전극(22)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 있다.A gate insulating layer 24 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the first insulating substrate 21 and the gate lines 22 and 23. A semiconductor layer 25 made of amorphous silicon and an ohmic contact layer 26 made of n + hydrogenated amorphous silicon heavily doped with n-type impurities are sequentially formed on the gate insulating layer 24 where the gate electrode 22 is disposed. Here, the ohmic contact layer 26 is separated on both sides of the gate electrode 22.

저항 접촉층(26) 및 게이트 절연막(24) 위에는 데이터 배선(27, 28, 29)이 형성되어 있다. 데이터 배선(27, 28, 29)은 세로방향으로 형성되어 게이트선(미도시)과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선(29), 데이터선(29)의 분지이며 저항 접촉층(26)의 상부까지 연장되어 있는 소스전극(27), 소스전극(27)과 분리되어 있으며 게이트 전극(22)을 중심으로 소스전극(27)의 반대쪽에 형성되어 있는 드레인 전극(28), 데이터선(29)에서 연장되어 표시영역 밖에 위치하는 데이터 패드부(미도시)를 포함한다. 데이터 패드부(미도시)는 구동칩(60)을 통해 구동신호를 받는 부분으로 데이터선(29)에 비하여 폭이 넓게 형성되어 있다. 데이터 배선(27, 28, 29) 중 데이터 패드부(미도시)는 표시영역 외곽의 비표시영역에 위치한다.Data wirings 27, 28, and 29 are formed on the ohmic contact layer 26 and the gate insulating film 24. The data wires 27, 28, and 29 are formed in the vertical direction and intersect with the gate line (not shown) to define the pixel, which is a branch of the data line 29 and the data line 29, and the upper portion of the resistive contact layer 26. In the drain electrode 28 and the data line 29, which are separated from the source electrode 27 and the source electrode 27 extending to the opposite side of the source electrode 27 with respect to the gate electrode 22. It includes a data pad unit (not shown) that extends to be outside the display area. The data pad part (not shown) is a part receiving a driving signal through the driving chip 60 and is wider than the data line 29. The data pad part (not shown) of the data wires 27, 28, and 29 is positioned in the non-display area outside the display area.

데이터 배선(27, 28) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(26)의 상부에는 실리콘 질화물로 이루어진 보호막(43)이 형성되어 있다. 보호막(43)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 유기막으로 이루어질 수 있다. 보호막(43)에는 각각 드레인 전극(28) 및 데이터 패드(미도시)를 드러내는 접촉구(41)가 형성되어 있다. A protective film 43 made of silicon nitride is formed on the data wirings 27 and 28 and the semiconductor layer 26 which is not covered. The passivation layer 43 may be formed of silicon nitride (SiNx) or an organic layer. Each of the passivation layer 43 is provided with a contact hole 41 exposing a drain electrode 28 and a data pad (not shown).

보호막(43)의 상부에는 투명도전물질(45, 81)이 형성되어 있다. 투명도전물질(45, 81)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어져 있다. 투명도전물질(45, 81)은 접촉구(41)를 통해 드레인 전극(28)과 전기적으로 접촉하고 있는 화소전극(45)과 발광다이오드 패드부(81)을 포함한다. 화소전극(45)은 드레인 전극(28)으로부터의 전압을 액정에 인가하여 액정의 배열상태를 조정한다. Transparent conductive materials 45 and 81 are formed on the passivation layer 43. The transparent conductive materials 45 and 81 are made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The transparent conductive materials 45 and 81 include a pixel electrode 45 and a light emitting diode pad part 81 which are in electrical contact with the drain electrode 28 through the contact hole 41. The pixel electrode 45 applies the voltage from the drain electrode 28 to the liquid crystal to adjust the arrangement of the liquid crystals.

발광다이오드 패드부(81)는 제 1 실시예에 따라 비표시영역에 화소전극(45)과 동시에 형성되며, ITO(indium tin oxide)를 포함하여 이루어진다. 도 3에 도시된 바와 같이, 발광다이오드 패드부(81)를 형성하기 위하여 ITO를 증착한 후 패터닝하여 발광다이오드(LED, 80)와 전기적으로 연결되는 제1패드(82), 발광다이오드 회로부(미도시)와 전기적으로 연결되는 제2패드(84) 및 제1패드(82)와 제2패드(84)를 상호 연결하는 패드선(83)을 형성한다. 발광다이오드 패드부(81)는 상태표시용 발광다이오드(LED, 80)와 발광다이오드 회로부(미도시)를 전기적으로 연결시킨다. 그리고, 발광다이오드 회로부(미도시)로부터 구동신호를 공급 받아 발광다이오드(LED, 80)에 인가한다. The light emitting diode pad portion 81 is formed at the same time as the pixel electrode 45 in the non-display area according to the first embodiment and includes indium tin oxide (ITO). As shown in FIG. 3, the first pad 82 and the light emitting diode circuit unit (not shown) are electrically connected to the light emitting diodes (LEDs) 80 by depositing and patterning ITO to form the light emitting diode pad unit 81. A second pad 84 electrically connected to the second pad) and a pad line 83 connecting the first pad 82 and the second pad 84 to each other. The LED pad unit 81 electrically connects the LEDs 80 for status display and the LED circuit unit (not shown). Then, the driving signal is supplied from the light emitting diode circuit unit (not shown) and applied to the light emitting diodes (LED) 80.

발광다이오드(LED, 80)는 외부로부터 정보를 수신하였거나, 휴대용 표시장치의 현재상태를 사용자에게 알려주기 위한 수단으로 사용된다. 외부로부터 정보를 수신하였거나, 배터리가 부족할 경우 일정간격으로 점멸하거나 적색, 청색 및 녹색 의 빛을 발산하여 그 상태를 알려준다. 발광다이오드(LED, 80)는 양극(anode)과 음극(cathode)의 리드를 가지며, 각 양극 리드와 음극리드는 발광다이오드 패드부(81)에 각각 연결되어 전원을 공급 받는다. 발광다이오드(LED, 80)는 제1기판(20)의 비표시영역에서 사용자가 쉽게 인식할 수 있는 영역에 마련됨이 바람직하다. 한편, 사용편의 및 용도에 따라서 발광다이오드(LED, 80)는 상술한 발광다이오드 패드부(81)과 함께 제 1 기판(20)의 배면에 형성될 수 있다. 그리고, 도4에 도시된 바와 같이, 발광다이오드 패드부(81)과 발광다이오드(LED, 80)의 전극은 솔더(solder, 85)에 의하여 고정된다. 솔더(85)는 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다. 솔더(solder, 85)는 고정시키는 역할 이외에, 발광다이오드 패드부(81)와 발광다이오드(LED, 80)를 전기적으로 연결시키는 역할도 한다. The light emitting diodes (LED) 80 are used as a means for receiving information from the outside or for notifying a user of the current state of the portable display device. If you receive information from the outside or the battery is low, it blinks at regular intervals or emits red, blue, and green lights to indicate its status. The light emitting diodes (LED) 80 have leads of an anode and a cathode, and each of the anode leads and the cathode leads is connected to the LED pad unit 81 to receive power. The light emitting diodes (LEDs) 80 are preferably provided in an area that can be easily recognized by a user in the non-display area of the first substrate 20. Meanwhile, the light emitting diodes LED 80 may be formed on the rear surface of the first substrate 20 together with the above-described light emitting diode pad portion 81 according to convenience and use. As shown in FIG. 4, the light emitting diode pad portion 81 and the electrodes of the light emitting diodes LED 80 are fixed by solder 85. The solder 85 preferably includes at least one of an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au), and aluminum (Al). In addition to fixing the solder 85, the solder 85 may also electrically connect the LED pad unit 81 to the LED 80.

발광다이오드 회로부(미도시)는 발광다이오드 패드부(81)를 통하여 발광다이오드(LED, 80)에 전원을 공급하며, 구동회로부(70)에 형성되어 있다.The LED circuit unit (not shown) supplies power to the LEDs 80 through the LED pad unit 81 and is formed in the driving circuit unit 70.

구동칩(60)은 COG(chip on glass) 방식으로 제1기판(20) 상에 실장되어 있다. 도시되지 않았으나, COF(chip on film) 등 다양한 방법으로 제1기판(20)과 연결될 수 있으며, 또한 연성인쇄회로기판(미도시, flexible printed circuit board, FPC)과 연결될 수도 있다.The driving chip 60 is mounted on the first substrate 20 in a COG (chip on glass) method. Although not shown, it may be connected to the first substrate 20 by various methods such as a chip on film (COF), and may also be connected to a flexible printed circuit board (FPC).

구동회로부(70)에는 타이밍 컨트롤러(timing controller)와 구동전압 발생부 등이 형성되어 있다.In the driving circuit unit 70, a timing controller and a driving voltage generator are formed.

이와 같이, 발광다이오드(LED, 80)를 제1기판(20) 상의 비표시영역에 실장함 으로써, 비표시영역의 공간활용율을 높일 수 있다. 또한, 화소전극(45)와 동시에 발광다이오드 패드부(81)를 형성하므로 작업성이 향상된다. As such, by mounting the light emitting diodes LED 80 in the non-display area on the first substrate 20, the space utilization rate of the non-display area can be increased. In addition, since the light emitting diode pad portion 81 is formed at the same time as the pixel electrode 45, workability is improved.

다음, 제2기판(30)은 제1기판(20)에 비해 다소 작으며, 제1기판(20)과 대면하고 있다. 제2 기판(30)은 제2절연기판(31)과, 제2절연기판(31) 상에 형성되어 있는 블랙매트릭스(32)와, 적색, 녹색 및 청색 또는 청록색, 자홍색 및 노랑색의 3원색을 갖는 컬러필터층(33), 컬러필터층(33) 상에 형성된 오버코트층(34)과, 오버코트층(34) 상에 형성된 공통 전극(35)을 포함한다.Next, the second substrate 30 is slightly smaller than the first substrate 20 and faces the first substrate 20. The second substrate 30 includes a second insulating substrate 31, a black matrix 32 formed on the second insulating substrate 31, and three primary colors of red, green and blue or cyan, magenta and yellow. It includes a color filter layer 33 having, an overcoat layer 34 formed on the color filter layer 33, and a common electrode 35 formed on the overcoat layer 34.

외곽에 위치하는 블랙매트릭스(32)는 표시영역과 비표시영역을 구분하며, 크롬, 크롬 옥사이드 및 크롬 나이트라이드 등의 단일 또는 이들이 조합된 다중의 금속층으로 만들어지거나, 빛을 차단하기 위해 검은색 계통의 안료가 첨가된 감광성 유기물질로 만들어질 수 있다. 여기서, 검은색 계통의 안료로는 카본블랙이나 티타늄 옥사이드 등을 사용할 수 있다. The outer black matrix 32 separates the display area from the non-display area. The black matrix 32 is made of a single metal or a combination of multiple metal layers such as chromium, chromium oxide and chromium nitride, or a black system to block light. It can be made of a photosensitive organic material with a pigment of. Here, carbon black, titanium oxide, or the like may be used as the black pigment.

컬러필터층(33)은 각각 적색, 녹색 및 청색 또는 청록색, 자홍색 및 노랑색이 반복되어 형성되어 있으며, 액정층(40)을 통과한 빛에 색을 부여하는 역할을 하게 된다. 이러한 컬러필터층(33)은 착색 감광성 유기물질로 공지의 안료 분산법을 이용하여 만들어질 수 있다.The color filter layer 33 is formed by repeating red, green and blue or cyan, magenta and yellow colors, respectively, and serves to give color to light passing through the liquid crystal layer 40. The color filter layer 33 may be made of a colored photosensitive organic material using a known pigment dispersion method.

오버코트층(34)은 컬러필터층(33)을 보호하는 역할을 하며, 재질로는 아크릴계 에폭시 재료가 많이 사용된다. The overcoat layer 34 serves to protect the color filter layer 33, and an acrylic epoxy material is used as the material.

공통전극(35)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어진다. 이러한 공통전극(35)은 제1 기판(20)의 화소전극(45)과 함께 액정층(40)에 직접 신호전압을 인가하게 된다.The common electrode 35 is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The common electrode 35 directly applies a signal voltage to the liquid crystal layer 40 together with the pixel electrode 45 of the first substrate 20.

이와 같이 완성된 제 1 기판(20)과 제 2 기판(30)을 대향 배치하여 정렬한 다음 실런트(50)를 사용하여 상호 접합하고, 양 기판(20, 30) 사이에 액정 적하 방법 또는 진공 주입 방법을 사용하여 액정층(40)을 채운다. 그리고 발광다이오드(80) 및 구동회로부(70)를 결합시키는 모듈공정을 거쳐서 액정표시장치(1)가 완성된다.The first substrate 20 and the second substrate 30 completed as described above are arranged to face each other, and then bonded to each other using the sealant 50, and a liquid crystal dropping method or vacuum injection is performed between the two substrates 20 and 30. The liquid crystal layer 40 is filled using the method. Then, the liquid crystal display device 1 is completed through a module process of combining the light emitting diodes 80 and the driving circuit unit 70.

본 발명에 따른 액정표시장치는, 활용되지 않는 제1기판(20)의 비표시영역에 발광다이오드(LED, 80)를 실장함으로써 복잡하지 않고, 공간활용율을 높일 수 있다. 그리고, 발광다이오드 패드부(81)을 화소전극(45)의 형성과 동시에 비표시영역에 마련함으로써, 공정의 효율성과 작업성을 높일 수 있다. The liquid crystal display according to the present invention can increase the space utilization without being complicated by mounting the light emitting diodes (LED) 80 in the non-display area of the first substrate 20 which is not utilized. The light emitting diode pad portion 81 is formed in the non-display area at the same time as the pixel electrode 45 is formed, thereby improving process efficiency and workability.

이하에서는, 도5a 및 도5b를 참조하여 각각 본 발명에 따른 제2실시예 및 제3실시예에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the second and third embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5A and 5B.

도5a에 도시된 바와 같이, 게이트선(미도시) 형성과 동시에 발광다이오드 패드부(81)를 형성한다. 즉, 게이트선(미도시) 형성과 동시에 비표시영역에도 배선 물질을 증착한다. 여기서, 게이트선(미도시), 게이트 전극(22), 데이터선(29), 소스전극(27) 및 드레인 전극(28) 등을 포함하는 각 배선은 금속 또는 합금의 단일층으로 이루어질 수 있다. As shown in Fig. 5A, the light emitting diode pad portion 81 is formed at the same time as the gate line (not shown). That is, the wiring material is deposited on the non-display area at the same time as the gate line (not shown) is formed. Here, each wiring including the gate line (not shown), the gate electrode 22, the data line 29, the source electrode 27, the drain electrode 28, and the like may be formed of a single layer of a metal or an alloy.

그러나, 각 금속 또는 합금의 단점을 보완하고 원하는 물성을 얻기 위하여 다중층으로 형성하는 경우가 많다. 일예를 들면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 하부층으로 사용하고 크롬이나 몰리브덴을 상부층으로 사용하는 것이다. 이는 하부층에는 배선저항에 의한 신호저항을 막기 위해 비저항이 작은 알루미늄 또는 알루미 늄 합금을 사용하고, 상부층에는 화학약품에 의한 내식성이 약하며 쉽게 산화되어 단선이 발생되는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 단점을 보완하기 위해 화학약품에 대한 내식성이 강한 크롬이나 몰리브덴을 상부층으로 형성하는 것이다. 근래에는 금, 주석, 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐 등이 배선재료로 각광받고 있으며, 대부분 다중층으로 사용되고 있다. However, in order to compensate for the shortcomings of each metal or alloy and to obtain desired physical properties, they are often formed in multiple layers. For example, aluminum or an aluminum alloy is used as the lower layer, and chromium or molybdenum is used as the upper layer. The lower layer uses aluminum or aluminum alloy with low specific resistance to prevent signal resistance due to wiring resistance, and the upper layer uses aluminum or aluminum alloy that has low corrosion resistance due to chemicals and is easily oxidized to cause disconnection. The upper layer is formed of chromium or molybdenum, which is highly resistant to chemicals. In recent years, gold, tin, molybdenum, aluminum, titanium, tungsten, and the like have been spotlighted as wiring materials, and most of them are used in multiple layers.

특히, 본 발명의 제2실시예에 따라, 발광다이오드 패드부(81)를 동시에 형성할 때, 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 배선을 형성하는 것이 바람직하다. 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 배선물질을 증착한 후, 제1패드(82), 패드선(83) 및 제2패드(84)를 포함하도록 패터닝하여 발광다이오드 패드부(81)를 완성한다. 그 후, 접촉구(41) 형성시에 발광다이오드 패드부(81) 상에 형성된 게이트 절연막(24) 및 보호막(43)에 발광다이오드(80)의 양 전극과 발광다이오드 패드부(81)과 연결할 연결구를 형성한다. 그리고, 상술한 솔더(85)를 이용하여 발광다이오드(80)와 발광다이오드 패드부(81)를 상호 연결 및 고정시켜 액정표시장치를 완성한다.In particular, according to the second embodiment of the present invention, when simultaneously forming the light emitting diode pad portion 81, an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au) and aluminum (Al) It is preferable to form a wiring including at least one of After depositing a wiring material including at least one of an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au), and aluminum (Al), the first pad 82 and the pad wire ( 83) and the second pad 84 is patterned to complete the light emitting diode pad portion 81. As shown in FIG. Thereafter, at the time of forming the contact hole 41, the gate insulating layer 24 and the passivation layer 43 formed on the light emitting diode pad portion 81 are connected to both electrodes of the light emitting diode 80 and the light emitting diode pad portion 81. Form a connector. Then, the light emitting diodes 80 and the light emitting diode pad portion 81 are interconnected and fixed by using the solder 85 described above to complete the liquid crystal display device.

도5b에 도시된 바와 같이, 데이터선(29) 형성시에 발광다이오드 패드부(81)를 형성할 수 있다. 제3실시예에서는 솔더(solder)를 사용하지 않고, 이방성 도전성 필름을 사용하여 발광다이오드(80)와 발광다이오드 패드부(81)를 연결시키며 고정시킨다. 이방성 도전성 필름(ACF, 90) 는 도전입자(91)와 수지층(92)을 포함하며, 도전입자에 의하여 발광다이오드(80)와 발광다이오드 패드부(81)를 상호 전기적으 로 연결시킨다. 그리고, 열 또는/및 자외선에 의하여 수지층이 경화되어 발광다이오드(80)를 발광다이오드 패드부(81)에 고정시킨다. 이외의 내용은 상술한 제1실시예 및 제2실시예와 동일하다.As shown in Fig. 5B, the light emitting diode pad portion 81 can be formed when the data line 29 is formed. In the third embodiment, the light emitting diodes 80 and the light emitting diode pads 81 are connected and fixed by using an anisotropic conductive film without using solder. The anisotropic conductive film (ACF) 90 includes the conductive particles 91 and the resin layer 92, and electrically connects the light emitting diodes 80 and the light emitting diode pads 81 to each other by the conductive particles. The resin layer is cured by heat or ultraviolet rays to fix the light emitting diodes 80 to the light emitting diode pad portion 81. The other content is the same as the first and second embodiments described above.

이하에서는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법에 대하여 간단히 설명한다. 설명한 이외의 내용은 공지의 제조방법에 따른다.Hereinafter, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention will be briefly described. Content other than the description follows a known manufacturing method.

우선, 게이트선(미도시)과 상기 게이트선(미도시)과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선(29)이 형성되어 있는 제1절연기판(21)을 마련한다. 여기서, 후술할 제2및 제3실시예와 같이 발광다이오드 패드부(81)를 비표시영역에 상기 게이트선(미도시) 및 데이터선(29)과 동시에 마련할 수도 있다. First, a first insulating substrate 21 having a data line 29 defining a display area by insulated from a gate line (not shown) and the gate line (not shown) is formed. Here, as in the second and third embodiments to be described later, the light emitting diode pad unit 81 may be formed in the non-display area simultaneously with the gate line (not shown) and the data line 29.

한편, 제 1 실시예에 따라 화소전극(45) 형성과 동시에 ITO (Indium Tin Oxide)를 이용하여 비표시영역에 제1패드(82), 패드선(83) 및 제2패드(84)를 포함하는 발광다이오드 패드부(81)를 형성한다. 발광다이오드 패드부(81)는 구동회로부(70) 상에 형성된 발광다이오드 회로부(미도시)와 연결되어 있다. 그 후, 발광다이오드 패드부(81)에 발광다이오드(80)을 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 솔더(solder, 85) 및 이방성 도전성 필름(ACF, 90) 중 어느 하나를 이용하여 고정한다. 이에 의하여 액정표시장치(1)가 완성된다.Meanwhile, according to the first embodiment, the first pad 82, the pad line 83, and the second pad 84 are included in the non-display area at the same time as the pixel electrode 45 is formed using ITO (Indium Tin Oxide). The light emitting diode pad portion 81 is formed. The light emitting diode pad portion 81 is connected to a light emitting diode circuit portion (not shown) formed on the driving circuit portion 70. Thereafter, the light emitting diode pad portion 81 includes at least one of an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au), and aluminum (Al). Fixing is performed by using any one of a solder 85 and an anisotropic conductive film ACF 90. As a result, the liquid crystal display device 1 is completed.

제2실시예 및 제3실시예에 따라, 게이트선(미도시) 및 데이터선(29)의 형성과 동시에 제1기판(20)의 비표시영역에 제1패드(82), 패드선(83) 및 제2패드(84)를 포함하는 발광다이오드 패드부(81)를 형성한다. 그리고, 화소전극(45)를 드레인 전극(28)과 접촉시키기 위한 접촉구(41) 형성과 동시에 발광다이오드 패드부(81) 상에 형성된 게이트 절연막(24) 및 보호막(43)에 발광다이오드(80)의 양 전극과 발광다이오드 패드부(81)과 연결할 연결구를 형성한다. 그리고, 상술한 솔더(85) 또는 이방성 도전성 피름(90)을 이용하여 발광다이오드(80)와 발광다이오드 패드부(81)를 상호 연결 및 고정시켜 액정표시장치(1)를 완성한다.According to the second and third embodiments, the first pad 82 and the pad line 83 are formed in the non-display area of the first substrate 20 simultaneously with the formation of the gate line (not shown) and the data line 29. ) And a light emitting diode pad portion 81 including a second pad 84. The light emitting diode 80 is formed on the gate insulating film 24 and the passivation layer 43 formed on the light emitting diode pad portion 81 at the same time as the contact hole 41 for contacting the pixel electrode 45 with the drain electrode 28. And a connector to be connected to the both electrodes and the light emitting diode pad portion 81. The light emitting diodes 80 and the light emitting diode pad portion 81 are interconnected and fixed using the solder 85 or the anisotropic conductive film 90 described above to complete the liquid crystal display device 1.

본 발명에 따른 표시장치 및 그 제조방법은 유기전기발광장치(organic light emitting diode)에 적용되는 패널 등에도 사용될 수 있다. 유기전기발광장치는 전기적인 신호를 받아 발광하는 유기물을 이용한 자발광형 소자이다. 유기전기발광장치에는 음극층(화소전극), 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 양극층(대향전극)이 적층되어 있다. 본발명에 따른 박막트랜지스터 기판의 드레인 전극은 음극층과 전기적으로 연결되어 데이터 신호를 인가할 수 있다.The display device and the method of manufacturing the same according to the present invention can also be used in a panel or the like applied to an organic light emitting diode. The organic electroluminescent device is a self-luminous device using an organic material that emits light upon receiving an electrical signal. In the organic electroluminescent device, a cathode layer (pixel electrode), a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and an anode layer (counter electrode) are stacked. The drain electrode of the TFT substrate according to the present invention may be electrically connected to the cathode layer to apply a data signal.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 작업성이 향상되고 박막트랜지스터 기판의 공간활용율이 높은 표시장치 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to provide a display device having improved workability and high space utilization of a thin film transistor substrate and a manufacturing method thereof.

Claims (9)

절연기판과;An insulating substrate; 상기 절연기판 상에 가로방향으로 형성되어 있는 게이트선 및 상기 게이트선과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선과;A gate line formed on the insulating substrate in a horizontal direction and a data line defining an display area by insulating crossing with the gate line; 상기 표시영역 외곽의 비표시영역에 위치하는 발광다이오드(LED)와;A light emitting diode (LED) positioned in the non-display area outside the display area; 상기 발광다이오드(LED)의 구동을 제어하는 발광다이오드 회로부; 및A light emitting diode circuit unit controlling driving of the light emitting diode (LED); And 상기 발광다이오드(LED)와 상기 발광다이오드 회로부를 전기적으로 연결시키는 발광다이오드 패드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And a light emitting diode pad unit electrically connecting the light emitting diode (LED) and the light emitting diode circuit unit. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 발광다이오드 회로부는 회로기판 상에 형성되어 있으며,The light emitting diode circuit portion is formed on a circuit board, 상기 발광다이오드 패드부는 상기 발광다이오드(LED)와 전기적으로 연결되는 제1패드와 상기 회로기판과 전기적으로 연결되는 제2패드 및 상기 제1패드와 상기 제2패드를 연결하는 패드선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.The light emitting diode pad unit includes a first pad electrically connected to the light emitting diode (LED), a second pad electrically connected to the circuit board, and a pad line connecting the first pad and the second pad. Display device characterized in that. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광다이오드 패드부는 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.The light emitting diode pad unit includes an indium tin oxide (ITO). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광다이오드 패드부는 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.The light emitting diode pad unit includes at least one of an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au), and aluminum (Al). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광다이오드(LED)를 상기 발광다이오드 패드부에 고정시키는 이방성도전필름(ACF)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And an anisotropic conductive film (ACF) for fixing the light emitting diode (LED) to the light emitting diode pad portion. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광다이오드(LED)를 상기 발광다이오드 패드부에 고정시키는 솔더(solder)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And a solder to fix the light emitting diode (LED) to the light emitting diode pad part. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 솔더(solder)는 주석(Sn)과 금(Au)의 합금, 크롬(Cr), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.And the solder comprises at least one of an alloy of tin (Sn) and gold (Au), chromium (Cr), gold (Au), and aluminum (Al). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광다이오드 패드부와 상기 발광다이오드(LED)는 상기 절연기판의 배면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the light emitting diode pad portion and the light emitting diode (LED) are formed on a rear surface of the insulating substrate. 게이트선, 상기 게이트선과 절연교차하여 표시영역을 정의하는 데이터선 및 상기 표시영역 외곽의 비표시영역에 투명도전물질 및 금속물질 중 어느 하나를 도포 및 패터닝하여 발광다이오드 패드부를 포함하는 절연기판을 마련하는 단계와;An insulating substrate including a light emitting diode pad unit is formed by applying and patterning one of a transparent conductive material and a metal material to a gate line, a data line defining a display area by crossing the gate line, and a non-display area outside the display area. Making a step; 상기 발광다이오드 패드부에 발광다이오드(LED)와 회로기판 상의 발광다이오드 회로부를 전기적으로 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.And electrically connecting the light emitting diode (LED) to the light emitting diode pad part and the light emitting diode circuit part on the circuit board.
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