KR20060103132A - Photosensitive resin composition - Google Patents
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Abstract
감광성 수지 조성물용 용제와의 상용성이 우수하고, 표면 장력 저하능, 표면 평활능이 높으며, 또한 안정성이 높은 감광성 수지 조성물용 레벨링제를 함유한 감광성 수지 조성물을 제공한다. Provided is a photosensitive resin composition which is excellent in compatibility with the solvent for the photosensitive resin composition, has high surface tension lowering ability, high surface smoothing ability, and contains a leveling agent for photosensitive resin composition having high stability.
하기 화학식 1로 표시되는 오르가노폴리실록산 잔기인 구성 단위 A와 하기 화학식 2로 표시되는 (폴리)글리세린 유도체 잔기인 구성 단위 B가, A-B-A로 결합되어 이루어지는 (폴리)글리세린 변성 실리콘을 0.01 내지 20 중량% 함유한다. 0.01 to 20% by weight of (poly) glycerine-modified silicone formed by combining ABA with structural unit A, which is an organopolysiloxane residue represented by Formula 1 below, and structural unit B, which is a (poly) glycerine derivative residue represented by Formula 2 below: It contains.
<화학식 1><Formula 1>
<화학식 2><Formula 2>
[식 중, [In the meal,
R1은 서로 독립적으로, 할로겐으로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 10의, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, R 1 is, independently from each other, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with halogen,
x는 0 내지 100의 정수이고, x is an integer from 0 to 100,
α는 1 또는 2이고,α is 1 or 2,
R2는 서로 독립적으로 탄소수 2 내지 11의 알킬렌기이고, R 2 is independently an alkylene group having 2 to 11 carbon atoms,
s는 1 내지 11의 정수이다.] s is an integer from 1 to 11.]
감광성 수지 조성물, 레벨링제, (폴리)글리세린 변성 실리콘, 평탄성 Photosensitive resin composition, leveling agent, (poly) glycerin modified silicone, flatness
Description
도 1은 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.3의 IR 차트. 1 is an IR chart of an ABA polyglycerol modified silicone No. 3;
<특허 문헌 1> 일본 특허 공개 제2004-87900호 공보<Patent Document 1> Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-87900
<특허 문헌 2> 일본 특허 공개 제2004-4531호 공보<Patent Document 2> Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-4531
본 발명은 감광성 수지 조성물용 레벨링제로서 유용한 (폴리)글리세린 변성 실리콘을 함유하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이고, 더욱 상세하게는 포토레지스트, 에칭 레지스트, 안료 분산 레지스트 등의 각종 레지스트에 적용 가능한 감광성 수지 조성물용 레벨링제를 함유하며, 일렉트로닉스 산업, 인쇄 산업 등의 각종 분야에서 널리 사용되는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a photosensitive resin composition containing a (poly) glycerine-modified silicone useful as a leveling agent for a photosensitive resin composition, and more particularly, to a photosensitive resin composition applicable to various resists such as photoresist, etching resist and pigment dispersion resist. It relates to a photosensitive resin composition containing a leveling agent for use, and widely used in various fields such as the electronics industry and the printing industry.
종래 일렉트로닉스 산업, 인쇄 산업, 도료ㆍ잉크 산업, 금속 가공 산업 등의 각종 분야에서 수지 성분, 광개시제, 증감제, 가교제 등을 포함하는 감광성 수지 조성물이 폭넓게 사용되어 왔다. 그의 구체적인 용도의 주된 것은, 금속의 부분 에칭용 포토레지스트, LSI 등의 정밀 전자 회로 제조용 포토레지스트, 인쇄용 수지 판 제조용 재료, 스크린 인쇄용 잉크, 컬러 필터 제조용 착색 포토레지스트 등이다. 최근 정밀 전자 회로의 미세화ㆍ고밀도화 등에 따라서, 감광성 수지 조성물에 대하여 보다 한층 고감도, 고해상도를 목적으로 한 제품 개발이 진행되고 있다. Background Art Conventionally, photosensitive resin compositions containing resin components, photoinitiators, sensitizers, crosslinking agents and the like have been widely used in various fields such as the electronics industry, the printing industry, the paint and ink industry, and the metal processing industry. The main use of the specific use is the photoresist for partial etching of metal, photoresist for precision electronic circuit manufacture, such as LSI, the resin plate manufacturing material for printing, the screen printing ink, the coloring photoresist for color filter manufacture, etc. In recent years, with the miniaturization and the high density of precision electronic circuits, product development for the purpose of the more sensitive and high resolution with respect to the photosensitive resin composition is advanced.
상기 감광성 수지 조성물에는, 현상 처리시에 노광부가 제거되어 포지티브 패턴이 얻어지는 포지티브형과, 현상 처리시에 미노광부가 제거되어 네가티브 패턴이 얻어지는 네가티브형의 2종이 있다. 일반적으로, 네가티브형은 포지티브형보다 감도, 기판과의 밀착성, 내약품성이 우수하고, 포지티브형은 네가티브형보다 해상도, 건식 에칭 내성이 우수하다. There exist two types of said photosensitive resin composition: the positive type which an exposure part is removed at the time of image development process, and a positive pattern is obtained, and the negative type which an unexposed part is removed at the time of image development process, and a negative pattern is obtained. Generally, the negative type has better sensitivity, adhesion to the substrate, and chemical resistance than the positive type, and the positive type has better resolution and dry etching resistance than the negative type.
레지스트 패턴의 제작은 통상, 기판의 표면 처리, 레지스트의 도포, 프리베이킹, 노광, 현상, 포스트베이킹, 바탕(下地) 기판의 에칭 및 레지스트의 박리(세정)의 공정을 포함하지만, 각 공정의 조건에 따라서는 레지스트의 해상성, 잔막 특성, 치수 제어성, 밀착성 등이 크게 변화한다. The preparation of the resist pattern usually includes the steps of surface treatment of the substrate, coating of the resist, prebaking, exposure, development, postbaking, etching of the underlying substrate, and peeling of the resist (washing). In accordance with this, the resolution, residual film characteristic, dimensional controllability, adhesiveness, and the like of the resist greatly change.
레지스트의 도포 방법으로서는, 스핀 코팅, 분무 코팅, 롤 코터 코팅, 딥코팅 등의 방법이 있지만, 도포 막 두께의 균일성, 안정성에 있어서, 현재 스핀 코팅법이 가장 바람직하다. As a coating method of a resist, there exist methods, such as spin coating, spray coating, roll coater coating, and dip coating, but spin coating is the most preferable at present in the uniformity and stability of a coating film thickness.
레지스트의 도포 막 두께는 레지스트 용액 중의 용제의 종류, 용제 함유량, 레지스트 고형분의 종류와 함유량, 상기 고형분의 점도 등에 따라서 크게 변동한다. 또한, 레지스트의 도포 막 두께의 변동은, 직접적으로 제품의 치수에 영향을 준다. 또한, 레지스트의 도포 막 표면의 균일성은 레지스트 용액의 표면 장력, 점도, 용제의 휘발성 등에 의해서 영향을 받는다. The coating film thickness of a resist varies greatly according to the kind of solvent in a resist solution, solvent content, the kind and content of resist solid content, the viscosity of the said solid content, etc. In addition, variations in the coating film thickness of the resist directly affect the dimensions of the product. In addition, the uniformity of the coating film surface of the resist is influenced by the surface tension, viscosity, solvent volatility, and the like of the resist solution.
최근에는, 레지스트의 도포 막 두께를 보다 고도로 제어하여 도포 막 두께의 균일성을 개량하기 위해서, 레지스트 도포 공정의 환경의 재평가와 동시에, 고비점 용제의 사용이나 레벨링제(평활제)의 첨가가 검토되고 있다. 레지스트를 도포하는 경우, 레벨링제로서는, 주로 비이온성 계면활성제, 또는 폴리에테르 변성 실리콘이나 불소 폴리에테르 공변성 실리콘 등의 실리콘계 계면활성제가 사용된다. In recent years, in order to control the coating film thickness of a resist more highly and to improve the uniformity of coating film thickness, the use of a high boiling point solvent and the addition of a leveling agent (smoothing agent) are examined simultaneously with the reevaluation of the environment of a resist coating process. It is becoming. When apply | coating a resist, as a leveling agent, nonionic surfactant or silicone type surfactant, such as polyether modified silicone and fluoropolyether comodified silicone, is mainly used.
관련된 기술 문헌, 예를 들어 특허 문헌 1에는, 알콕실레이트계, 지방산 에스테르계, 아미드계 등의 비이온성 계면활성제를 함유하는 레지스트 패턴 평활화 재료가 기재되어 있다. Related technical documents, such as Patent Document 1, describe resist pattern smoothing materials containing nonionic surfactants such as alkoxylates, fatty acid esters, and amides.
또한, 특허 문헌 2에는, 실리콘계 계면활성제, 불소계 계면활성제 및 불소 원자를 갖는 실리콘계 계면활성제로부터 선택되는 계면활성제를 포함하는 감광성 수지 조성물이 기재되어 있다. In addition, Patent Document 2 describes a photosensitive resin composition containing a surfactant selected from a silicon-based surfactant, a fluorine-based surfactant, and a silicon-based surfactant having a fluorine atom.
그러나, 기존의 비이온성 계면활성제나 폴리에테르 변성 실리콘은, 감광성 수지 조성물용 용제와의 상용성이 불충분하고, 또한 레벨링제로서 감광성 수지 조성물에 사용한 경우, 충분한 표면 장력 저하능, 표면 평활능을 발휘할 수도 없었다. However, existing nonionic surfactants and polyether-modified silicones exhibit insufficient compatibility with the solvent for the photosensitive resin composition and exhibit sufficient surface tension lowering ability and surface smoothness when used in the photosensitive resin composition as a leveling agent. Could not.
그 때문에, 이들을 대신하는 감광성 수지 조성물용 레벨링제로서, 불소 폴리에테르 공변성 실리콘이 사용되지만, 이것은 불소 치환 알킬기의 안전성에 문제가 있기 때문에, 대체품이 요구되었다. Therefore, fluorine polyether co-modified silicone is used as a leveling agent for the photosensitive resin composition instead of these, but since this has a problem in the safety of the fluorine-substituted alkyl group, a replacement product was required.
따라서, 본 발명은, 감광성 수지 조성물용 용제와의 상용성이 우수하고, 표 면 장력 저하능, 표면 평활능이 높으며, 또한 안정성이 높은 감광성 수지 조성물용 레벨링제를 함유한 감광성 수지 조성물, 즉, 기재 상에 퍼지기 쉬운 전연성(展延性)이 우수하고, 도포 불균일을 발생시키지 않고 균일하게 도포할 수 있으며, 또한 안정성이 높은 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.Therefore, this invention is the photosensitive resin composition which is excellent in compatibility with the solvent for photosensitive resin compositions, and has a high level of surface tension fall ability, surface smoothness, and high stability, The photosensitive resin composition containing a high stability, ie, a base material It is an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition which is excellent in malleability that is easy to spread on a phase, can be applied uniformly without generating coating unevenness, and has high stability.
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토한 결과, (폴리)글리세린 구조를 실리콘의 주쇄에 도입하고, 이것을 감광성 수지 조성물용 레벨링제로서 사용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 이러한 발견에 기초하여 다양한 검토를 거듭하여, 본 발명을 완성하였다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, it discovered that the said subject can be solved by introducing a (poly) glycerol structure into a silicone main chain and using this as a leveling agent for photosensitive resin compositions. Based on this, various examination was repeated and this invention was completed.
즉, 본 발명은, 하기 화학식 1로 표시되는 오르가노폴리실록산 잔기인 구성 단위 A 및 하기 화학식 2로 표시되는 (폴리)글리세린 유도체 잔기인 구성 단위 B가, A-B-A로 결합되어 이루어지는 (폴리)글리세린 변성 실리콘을 0.01 내지 20 중량% 함유하는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. That is, in this invention, the structural unit A which is the organopolysiloxane residue represented by following General formula (1), and the structural unit B which is the (poly) glycerine derivative residue represented by following General formula (2) are couple | bonded with ABA (poly) glycerin modified silicone It relates to a photosensitive resin composition containing 0.01 to 20% by weight.
[식 중, [In the meal,
R1은 서로 독립적으로, 할로겐으로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 10의, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이고, R 1 is, independently from each other, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with halogen,
x는 0 내지 100의 정수이고, x is an integer from 0 to 100,
α는 1 또는 2이고, α is 1 or 2,
R2는 서로 독립적으로 탄소수 2 내지 11의 알킬렌기이고, R 2 is independently an alkylene group having 2 to 11 carbon atoms,
s는 1 내지 11의 정수이다.] s is an integer from 1 to 11.]
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감광성 수지 조성물용 레벨링제로서, 상기 구성 단위 A와 구성 단위 B가 A-B-A로 결합되어 이루어지는 (폴리)글리세린 변성 실리콘(이하, ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘이라 함)을 함유하는 것을 특징으로 한다. ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘의 구성 단위 A는, 상기 화학식 1로 표시되는 오르가노폴리실록산 잔기이다. The photosensitive resin composition of the present invention is a (poly) glycerin-modified silicone (hereinafter referred to as ABA-type (poly) glycerine-modified silicone) in which the structural unit A and the structural unit B are bonded by ABA as a leveling agent for the photosensitive resin composition. It is characterized by containing. The structural unit A of the ABA type (poly) glycerin modified silicone is an organopolysiloxane residue represented by the formula (1).
상기 화학식 1에 있어서, R1은 서로 독립적으로, 할로겐으로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 10의, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아랄킬기이다. 이들의 예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기; 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 아랄킬기; 트리플루오로프로필기나 노나플루오로옥틸기 등과 같이, 상기 탄화수소기의 일부의 수소를 할로겐으로 치환한 기를 들 수 있고, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기이다. In Formula 1, R 1 is independently of each other, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group or an aralkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with halogen. Examples thereof include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group and decyl group; Cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group; Aryl groups, such as a phenyl group and a tolyl group; Aralkyl groups such as benzyl and phenethyl; Groups in which a part of hydrogen of the hydrocarbon group is substituted with halogen, such as a trifluoropropyl group and a nonafluorooctyl group, are preferable, and a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group are preferable.
상기 화학식 1에 있어서, x는 0 내지 100의 정수이고, 바람직하게는 0 내지 20의 정수, 더욱 바람직하게는 0 내지 10의 정수이다. α는 1 또는 2이다. In Formula 1, x is an integer of 0 to 100, preferably an integer of 0 to 20, more preferably an integer of 0 to 10. α is 1 or 2.
이 구성 단위 A의 오르가노폴리실록산 잔기는, ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘의 제조 방법에 대하여 후술하는 바와 같이, 예를 들면 한쪽 말단에 히드로실릴기(Si-H기)를 갖는 α-오르가노히드로젠폴리실록산으로부터 유도될 수 있다. The organopolysiloxane residue of this structural unit A is alpha-organo which has a hydrosilyl group (Si-H group) in one terminal, for example as mentioned later about the manufacturing method of ABA type (poly) glycerol modified silicone. It may be derived from hydrogenpolysiloxanes.
ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘의 구성 단위 B는, 상기 화학식 2로 표시되는 (폴리)글리세린 유도체 잔기이다. The structural unit B of the ABA type (poly) glycerine modified silicone is a (poly) glycerine derivative residue represented by the formula (2).
상기 화학식 2에 있어서, R2는 서로 독립적으로, 탄소수 2 내지 11의 알킬렌기이고, 예를 들면 에틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 헵타메틸렌기, 옥타메틸렌기 등의 직쇄 알킬렌기; 프로필렌기, 에틸에틸렌기, 2-메틸트리메틸렌기, 2-메틸테트라메틸렌기 등의 분지쇄 알킬렌기를 들 수 있고, 감광성 수지 조성물용 레벨링제로서의 효과, 제조 용이성 등의 이유 때문에, 바람직하게는 탄소수 2 내지 5의 직쇄 알킬렌기이고, 보다 바람직하게는 탄소수 3, 즉, 트리메틸렌기이다. In Formula 2, R 2 independently of each other, an alkylene group having 2 to 11 carbon atoms, for example, ethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, heptamethylene group, octamethylene Straight chain alkylene groups such as groups; Branched-chain alkylene groups, such as a propylene group, an ethylethylene group, 2-methyl trimethylene group, and 2-methyl tetramethylene group, are mentioned, For the reason of the effect as a leveling agent for photosensitive resin compositions, ease of manufacture, etc., Preferably, It is a C2-C5 linear alkylene group, More preferably, it is a C3, ie, trimethylene group.
또한, s는 1 내지 11의 정수이고, 바람직하게는 1 내지 8의 정수, 더욱 바람직하게는 2 내지 4의 정수이다. In addition, s is an integer of 1-11, Preferably it is an integer of 1-8, More preferably, it is an integer of 2-4.
상기 화학식 2의 (폴리)글리세린 유도체 잔기의 골격 구조는, 전체 글리세린이 말단 OH기에서 중합된 직쇄상의 것일 수도 있고, 또는 글리세린의 2급 탄소에 결합된 OH기에서 중합된 분지상의 것일 수도 있다. The skeletal structure of the residue of the (poly) glycerol derivative of the formula (2) may be a straight chain polymerized from the entire glycerine in the terminal OH group, or may be a branched polymerized from the OH group bonded to the secondary carbon of the glycerin. have.
그러나, 감광성 수지 조성물용 레벨링제로서의 효과, 제조 용이성 등을 고려하면, 구성 단위 B는, 특히 하기 화학식 3으로 표시되는 직쇄상의 (폴리)폴리글리세린 유도체 잔기인 것이 바람직하다. 또한, 화학식 3에 있어서, R2는 트리메틸렌기이고, s는 1 내지 8의 정수이다. However, in consideration of the effect as a leveling agent for the photosensitive resin composition, ease of manufacture, and the like, the structural unit B is particularly preferably a linear (poly) polyglycerin derivative residue represented by the following general formula (3). In addition, in general formula (3), R <2> is trimethylene group and s is an integer of 1-8.
상기 화학식 1 중의 x와 화학식 2 및 3 중의 s의 조합은 특별히 한정되지 않고, 임의의 조합일 수 있지만, 감광성 수지 조성물용 레벨링제로서는, α가 1인 경우에는, x가 0 내지 10의 정수이며, s가 3 또는 4인 조합이고, α가 2인 경우에는, x가 0 내지 5의 정수이며, s가 3 또는 4인 조합인 것이 특히 바람직하다. The combination of x in the formula (1) and s in the formulas (2) and (3) is not particularly limited, and may be any combination. However, when α is 1, x is an integer of 0 to 10 as the leveling agent for the photosensitive resin composition. and s is a combination of 3 or 4, and when alpha is 2, it is especially preferable that it is a combination of x is an integer of 0-5, and s is 3 or 4.
구성 단위 B의 (폴리)글리세린 유도체 잔기는, 후술하는 바와 같이, 1 분자 중에 2개의 알케닐기(탄소수 2 내지 11), 특히 알릴기를 갖는 (폴리)글리세린 유도체로부터 유도될 수 있다. The (poly) glycerin derivative residue of structural unit B can be derived from (poly) glycerine derivatives having two alkenyl groups (2 to 11 carbon atoms), especially allyl groups, in one molecule, as described below.
ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘은, 한쪽 말단에 히드로실릴기를 갖는 α-오르가노히드로젠폴리실록산과, 1 분자 중에 2개의 알케닐기(탄소수 2 내지 11)를 갖는 (폴리)글리세린 유도체를, 상기α-오르가노히드로젠폴리실록산의 히드로실릴기와 상기 (폴리)글리세린 유도체의 알케닐기의 몰비(SiH기/알케닐기)가 0.5 이상 1.5 미만, 바람직하게는 0.8 이상 1.2 미만이도록 부가 반응시킴으로써 합성할 수 있다. ABA type (poly) glycerin modified silicone is the (alpha) -organohydrogenpolysiloxane which has a hydrosilyl group at one terminal, and the (poly) glycerol derivative which has two alkenyl groups (C2-C11) in 1 molecule, said alpha It can synthesize | combine by addition-reacting so that the molar ratio (SiH group / alkenyl group) of the hydrosilyl group of organohydrogenpolysiloxane and the alkenyl group of the said (poly) glycerin derivative may be 0.5 or more and less than 1.5, Preferably it is 0.8 or more and less than 1.2.
한쪽 말단에 히드로실릴기를 갖는 α-오르가노히드로젠폴리실록산으로서는, 위에서 서술한 오르가노폴리실록산 잔기인 구성 단위 A에 H가 결합한, AH로 표시되는 화합물을 들 수 있다. 예를 들면, 하기 화학식 4 내지 8로 표시되는, 순서대로 MMH, MD1MH, MD3MH, MC4H9D9MH, MC4H9D18MH를 사용할 수 있다. 단, 본 명세서에 있어서(H3C)3SiO1/2기를 M으로, (H3C)2SiO기를 D로, M 및 D 중의 메틸기 중 1개가 수소인 단위를 각각 MH 및 DH라고 표기한다. 또한, M 및 D 중의 메틸기 중 1개를 치환기 R로 치환한 단위를 각각 MR 및 DR이라고 표기한다. As (alpha)-organohydrogenpolysiloxane which has a hydrosilyl group in one terminal, the compound represented by AH which H couple | bonded with the structural unit A which is the organopolysiloxane residue mentioned above is mentioned. For example, MM H , MD 1 M H , MD 3 M H , M C4H9 D 9 M H , M C4H9 D 18 M H can be used in order, represented by the following Chemical Formulas 4 to 8. However, in the present specification, (H 3 C) refers to a 3 SiO 1/2 group as M, a (H 3 C) 2 SiO group as D, and a unit in which one of the methyl groups in M and D is hydrogen, respectively, M H and D H. Mark it. In addition, the unit which substituted one of the methyl groups in M and D with the substituent R is described with M R and D R , respectively.
한편, 1 분자 중에 2개의 알케닐기를 갖는 (폴리)글리세린 유도체로서는, 상기 구성 단위 B에서, R2의 알킬렌기 대신에, 비닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 2-메틸알릴기, 3-부테닐기 등의 탄소수 2 내지 11의 알케닐기로 한 것, 즉, 하기 화학식 9로 표시되는 것을 사용할 수 있다. 또한, 화학식 9 중, R3은 서로 독립적으로 탄소수 2 내지 11의 알케닐기이고, s는 1 내지 11의 정수이다. In addition, as a (poly) glycerol derivative which has two alkenyl groups in 1 molecule, in the said structural unit B, instead of the alkylene group of R <2> , a vinyl group, an allyl group, isopropenyl group, 2-methylallyl group, 3- Those having an alkenyl group having 2 to 11 carbon atoms such as a butenyl group, that is, those represented by the following formula (9) can be used. In addition, in general formula (9), R <3> is a C2-C11 alkenyl group mutually independently, and s is an integer of 1-11.
이 알케닐기의 이중 결합은, 구성 단위 A와의 반응성을 높이고, 또한 부생물의 생성을 억제한다는 점에서 말단에 있는 것이 바람직하고, 특히 알릴기가 바람직하다. It is preferable that the double bond of this alkenyl group exists in the terminal from the point which raises the reactivity with the structural unit A, and suppresses generation | generation of a by-product, and especially an allyl group is preferable.
구체적으로는, 1 분자 중에 2개의 알케닐기를 갖는 (폴리)글리세린 유도체로서, 하기 화학식 10(s는 1 내지 11의 정수)으로 표시되는 (폴리)글리세린 유도체, 및 하기 화학식 11 및 하기 화학식 12로 표시되는 디글리세린 골격 및 트리글리세린 골격을 갖는 것을 바람직하게 사용할 수 있다. Specifically, as a (poly) glycerin derivative having two alkenyl groups in one molecule, a (poly) glycerin derivative represented by the following formula (10) (s is an integer of 1 to 11), and the following formula 11 and the formula (12) Those having a diglycerin skeleton and a triglycerine skeleton represented can be preferably used.
1 분자 중에 2개의 알케닐기를 갖는 (폴리)글리세린 유도체는, 예를 들면 수산화칼륨, 수산화나트륨 등의 알칼리 촉매의 존재하에, 글리세린 또는 디글리세린, 트리글리세린 등의 폴리글리세린과 알릴글리시딜에테르 등을 반응시키고, 반응 후, 알칼리 촉매를 중화한 후, 저비점 분획을 증류 제거함으로써 얻을 수 있다. 그 경우의 반응 온도는 60 내지 120 ℃로 제어하는 것이 바람직하다. The (poly) glycerol derivative having two alkenyl groups in one molecule is, for example, polyglycerol such as glycerin or diglycerine, triglycerine, allyl glycidyl ether, etc. in the presence of an alkali catalyst such as potassium hydroxide or sodium hydroxide. After the reaction, the neutralization of the alkali catalyst after the reaction, it can be obtained by distilling off the low boiling point fraction. In that case, it is preferable to control the reaction temperature at 60-120 degreeC.
α-오르가노히드로젠폴리실록산의 히드로실릴기와, (폴리)글리세린 유도체의 2개의 알케닐기를 용이하게 반응시키기 위해서, α-오르가노히드로젠폴리실록산과 (폴리)글리세린 유도체와의 부가 반응은, 백금계 촉매 또는 로듐계 촉매의 존재하에 행하는 것이 바람직하다. 바람직한 촉매의 예로서는, 염화백금산, 알코올 변성 염화백금산, 염화백금산-비닐실록산 착체 등을 들 수 있다. 촉매의 사용량은, 촉매로서 효과적인 최소량으로 할 수 있지만, 백금 또는 로듐 양으로 50 ppm 이하인 것이 바람직하고, 특히 20 ppm 이하인 것이 바람직하다. In order to make the hydrosilyl group of (alpha)-organohydrogenpolysiloxane and two alkenyl groups of (poly) glycerine derivative easily react, addition reaction of (alpha)-organohydrogen polysiloxane and (poly) glycerine derivative is platinum-based. It is preferable to carry out in the presence of a catalyst or a rhodium-based catalyst. Examples of preferred catalysts include chloroplatinic acid, alcohol-modified platinum chloride, and chloroplatinic acid-vinylsiloxane complexes. Although the usage-amount of a catalyst can be made into the minimum amount effective as a catalyst, it is preferable that it is 50 ppm or less in especially platinum or rhodium amount, and it is especially preferable that it is 20 ppm or less.
상기 부가 반응은, 필요에 따라서 유기 용제 중에서 행할 수도 있다. 유기 용제로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 부탄올 등의 지방족 알코올, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소, n-펜탄, n-헥산, 시클로헥산 등의 지방족 또는 지환식 탄화수소, 디클로로메탄, 클로로포름, 사염화탄소 등의 할로겐화 탄화수소 등을 들 수 있다. The said addition reaction can also be performed in an organic solvent as needed. Examples of the organic solvent include aliphatic alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol and butanol, aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene, aliphatic or alicyclic hydrocarbons such as n-pentane, n-hexane and cyclohexane, dichloromethane, Halogenated hydrocarbons, such as chloroform and carbon tetrachloride, etc. are mentioned.
상기 부가 반응에 있어서, 토코페롤이나 2,6-디-t-부틸-p-크레졸(BHT) 등의 산화 방지제를 첨가할 수도 있다. 또한, 히드로실릴기와 OH기 사이의 부반응을 억제하기 위해서, 아세트산나트륨, 아세트산칼륨 등의 pH 조정제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 부가 반응 후에, 공지된 방법에 의해 약염산에 의한 알릴에테르기의 제거 또는 수소 첨가 반응에 의한 알킬화를 행할 수도 있다. In the addition reaction, an antioxidant such as tocopherol or 2,6-di-t-butyl-p-cresol (BHT) may be added. Moreover, in order to suppress the side reaction between hydrosilyl group and OH group, it is preferable to use pH adjusters, such as sodium acetate and potassium acetate. Moreover, after the said addition reaction, you may perform alkylation by the removal of the allyl ether group by weak hydrochloric acid, or a hydrogenation reaction by a well-known method.
상기 부가 반응의 반응 조건은 특별히 한정되지 않지만, 환류하에서 1 내지 10 시간 반응시키는 것이 바람직하다. 또한, 반응 온도는 50 내지 120 ℃인 것이 바람직하다. 상기 부가 반응의 반응률은, 상기 반응계에서의 수소 가스 발생량이나 적외 흡수 스펙트럼에 의해 용이하게 확인할 수 있다. 상기한 바와 같이 하여 부가 반응을 행하여, 목적하는 부가 반응률에 도달하였다면, 필요에 따라서 반응 용매를 통상법에 의해 증류 제거함으로써 목적으로 하는 ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘이 얻어진다. Although the reaction conditions of the said addition reaction are not specifically limited, It is preferable to make it react for 1 to 10 hours under reflux. Moreover, it is preferable that reaction temperature is 50-120 degreeC. The reaction rate of the addition reaction can be easily confirmed by the hydrogen gas generation amount and the infrared absorption spectrum in the reaction system. If the addition reaction is carried out as described above and the desired addition reaction rate is reached, the desired ABA type (poly) glycerin-modified silicone is obtained by distilling off the reaction solvent by a conventional method as necessary.
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감광성 수지 조성물용 레벨링제인 상기 ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘과, 수지 성분, 광개시제, 증감제, 가교제 등 외에도, 필요에 따라서 염료, 안료, 계면활성제, 안정제 등의 각종 첨가물을 함유하는 것이다. The photosensitive resin composition of this invention is a dye, pigment, surfactant, stabilizer, etc. as needed, in addition to the said ABA type (poly) glycerol modified silicone which is a leveling agent for photosensitive resin compositions, a resin component, a photoinitiator, a sensitizer, a crosslinking agent, etc. as needed. It contains various additives.
상기 수지 성분으로서는, 특별히 한정되지 않고, 노볼락 수지, 폴리이미드 실리콘 수지, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리올레핀술폰, 폴리비닐페놀, 폴리비닐아세테이트 등, 종래 공지된 것으로부터 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. The resin component is not particularly limited and may be appropriately selected from conventionally known ones such as novolak resins, polyimide silicone resins, polyacrylates, polymethacrylates, polyolefin sulfones, polyvinylphenols, and polyvinylacetates. Can be.
상기 광개시제, 증감제로서는, 특별히 한정되지 않고, 안트라퀴논계 화합물, 벤조페논, 아세토페논계 화합물, 벤조인계 화합물, 티오크산톤계 화합물, 쿠마린계 화합물, 벤조산 에스테르류 등, 종래 공지된 것으로부터 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. It does not specifically limit as said photoinitiator and a sensitizer, It is suitable from conventionally well-known things, such as an anthraquinone type compound, a benzophenone, an acetophenone type compound, a benzoin type compound, a thioxanthone type compound, a coumarin type compound, benzoic acid ester, etc. Can be used.
상기 가교제로서는, 특별히 한정되지 않고, 멜라민계 화합물, 요소계 화합물 등, 종래 공지된 것으로부터 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. It does not specifically limit as said crosslinking agent, It can select suitably from conventionally well-known things, such as a melamine type compound and a urea type compound, and can use.
본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하는 데 있어서는, 상기 조성물을 유기 용제에 용해시켜 사용한다. 이러한 유기 용제로서는, 상기 조성물에 대하여 충분한 용해도를 가지고, 양호한 도막성을 제공하는 용매라면 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브 아세테이트, 에 틸셀로솔브 아세테이트 등의 셀로솔브계 용매, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 디메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트 등의 프로필렌글리콜계 용매, 아세트산부틸, 아세트산아밀, 락트산메틸, 락트산에틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르계 용매, 헥산올, 디아세톤알코올 등의 알코올계 용매, 시클로헥사논, 메틸아밀케톤 등의 케톤계 용매, 메틸페닐에테르, 디에틸렌글리콜 디메틸에테르 등의 에테르계 용매, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 고극성 용매 또는 이들의 혼합 용매 등을 들 수 있다. In using the photosensitive resin composition of this invention, the said composition is dissolved in an organic solvent and used. As such an organic solvent, if it is a solvent which has sufficient solubility with respect to the said composition, and provides favorable coating film property, it can use without a restriction | limiting in particular. For example, cellosolve solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, methyl cellosolve acetate and ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate Propylene glycol solvents such as propylene glycol dimethyl ether and propylene glycol monoethyl ether acetate, ester solvents such as butyl acetate, amyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ethyl 3-methoxypropionate and ethyl 3-ethoxypropionate; Alcohol solvents such as hexanol and diacetone alcohol, ketone solvents such as cyclohexanone and methyl amyl ketone, ether solvents such as methylphenyl ether and diethylene glycol dimethyl ether, N, N-dimethylformamide and N-methyl High polar solvents, such as pyrrolidone, or these mixed solvent, etc. are mentioned.
상기 유기 용제의 사용량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중에서의 고형분(노볼락 수지 등)의 총량에 대하여, 중량비로 1 내지 20배, 특히 1 내지 15배의 범위가 바람직하다. As for the usage-amount of the said organic solvent, the range of 1-20 times, especially 1-15 times by weight ratio with respect to the total amount of solid content (novolak resin etc.) in the photosensitive resin composition of this invention is preferable.
ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘의 함유량은, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 대하여 0.01 내지 20 중량%로 한다. ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘의 함유량이 0.01 중량% 미만이면, ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘의 계면 장력 저하 효과가 불충분해지는 경우가 있다. 한편, 20 중량%를 초과하면, ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘을 충분히 용해시킬 수 없는 경우가 있다. Content of ABA type (poly) glycerol modified silicone is 0.01 to 20 weight% with respect to the photosensitive resin composition of this invention. When content of ABA type (poly) glycerol modified silicone is less than 0.01 weight%, the interface tension lowering effect of ABA type (poly) glycerol modified silicone may become inadequate. On the other hand, when it exceeds 20 weight%, ABA type (poly) glycerine modified silicone may not fully be dissolved.
상기 ABA형 (폴리)글리세린 변성 실리콘은, 감광성 수지 조성물용 레벨링제로서, 포지티브형 및 네가티브형 중 어느 감광성 수지 조성물에도 적용할 수 있다. The said ABA type (poly) glycerol modified silicone can be applied to any photosensitive resin composition of positive type and negative type as a leveling agent for photosensitive resin compositions.
본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 레지스트 패턴을 형성하기 위해서는, 공지된 리소그래피 기술을 채용하여 행할 수 있다. 그의 일례를 들면, 우선 실리콘 웨이퍼 또는 스퍼터링나 도금에 의해서 금속막을 형성한 실리콘 웨이퍼 등의 기판 상에, 유기 용제에 용해시킨 본 발명의 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅 등의 수법으로 도포하고, 80 내지 130 ℃, 50 내지 600 초 정도의 조건에서 프리베이킹하여, 두께 1 내지 50 ㎛, 바람직하게는 5 내지 30 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 내지 25 ㎛의 레지스트 막을 형성한다. In order to form a resist pattern using the photosensitive resin composition of this invention, it can carry out by employing a well-known lithography technique. For example, first, the photosensitive resin composition of this invention which melt | dissolved in the organic solvent on the board | substrates, such as a silicon wafer or the silicon wafer in which the metal film was formed by sputtering or plating, was apply | coated by methods, such as spin coating, and 80-130. Prebaking is carried out under the conditions of 50 ° C. and 50 to 600 seconds to form a resist film having a thickness of 1 to 50 μm, preferably 5 to 30 μm, and more preferably 10 to 25 μm.
이어서, 목적하는 패턴을 형성하기 위한 마스크를 상기 레지스트 막 상에 덮고, i선, g선 등의 파장 500 nm 이하의 고에너지선 또는 전자선을 노광량 1 내지 5,000 mJ/cm2 정도, 바람직하게는 100 내지 2,000 mJ/cm2 정도가 되도록 조사한다. 그 후, 필요에 따라서 핫 플레이트 상에서 60 내지 150 ℃, 1 내지 10 분간, 바람직하게는 80 내지 120 ℃, 1 내지 5 분간, 레지스트 막에 대하여 포스트익스포저 베이킹(PEB)을 행할 수도 있다. Subsequently, a mask for forming a desired pattern is covered on the resist film, and high energy rays or electron beams having a wavelength of 500 nm or less, such as i-rays and g-rays, are exposed at an exposure dose of about 1 to 5,000 mJ / cm 2 , preferably 100 To 2,000 mJ / cm 2 . After that, postexposure baking (PEB) may be performed on the resist film on a hot plate at 60 to 150 ° C. for 1 to 10 minutes, preferably at 80 to 120 ° C. for 1 to 5 minutes.
이어서, 0.1 내지 5 중량%, 바람직하게는 2 내지 3 중량% 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH) 등의 알칼리 수용액의 현상액을 사용하여 0.5 내지 20 분간, 바람직하게는 1 내지 10 분간, 침지(dip)법, 패들(puddle)법, 분무(spray)법 등의 통상법으로 현상함으로써 기판 상에 목적하는 레지스트 패턴이 형성된다. 또한, 현상 후에는 50 내지 100 ℃, 10 내지 600 초 정도의 포스트베이킹을 행할 수도 있다. Subsequently, immersion is carried out for 0.5 to 20 minutes, preferably 1 to 10 minutes, using a developing solution of an aqueous alkali solution such as 0.1 to 5% by weight, preferably 2 to 3% by weight of tetramethylammonium hydroxide (TMAH). The target resist pattern is formed on a substrate by developing in a conventional method such as a) method, a paddle method, a spray method, or the like. After the development, postbaking may be performed at 50 to 100 ° C. for about 10 to 600 seconds.
이어서, 레지스트 패턴을 형성한 기판을 산소 플라즈마 등에 의한 애싱(ashing)을 행함으로써, 레지스트 패턴 상의 미소한 레지스트 잔사를 제거함과 동 시에, 레지스트 표면을 친수화 처리하고, 계속해서 전해 또는 무전해 도금을 행함으로써, 기판 상에 금속 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 도금의 종류로서는, Au, Cu, Fe, Ni 등을 들 수 있으며, 또한 그의 막 두께는 1 내지 40 ㎛, 특히 5 내지 20 ㎛로 하는 것이 바람직하다. Subsequently, the substrate on which the resist pattern is formed is ashed by oxygen plasma or the like to remove minute resist residues on the resist pattern, and at the same time, the surface of the resist is hydrophilized, followed by electrolytic or electroless plating. By performing this, a metal pattern can be obtained on the substrate. Moreover, as a kind of plating, Au, Cu, Fe, Ni, etc. are mentioned, Its film thickness is 1-40 micrometers, It is preferable to set it as 5-20 micrometers especially.
<실시예><Example>
이하에 실시예를 들어 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들로 전혀 제약되지 않는다. Although an Example is given to the following and this invention is demonstrated to it in detail, this invention is not restrict | limited to these at all.
[1 분자 중에 2개의 알릴기를 갖는 폴리글리세린 유도체의 제조][Production of Polyglycerol Derivatives Having Two Allyl Groups in One Molecule]
상술한 방법에 의해, 1 분자 중에 2개의 알릴기를 갖는 폴리글리세린 유도체(이하, 디알릴화 폴리글리세린이라 함)를 제조하였다. 즉, 수산화칼륨 촉매의 존재하에 모노글리세린 1 ㎖와 알릴글리시딜에테르 2 ㎖를 60 내지 120 ℃에서 반응시키고, 이어서 상기 촉매를 중화한 후, 저비점 분획을 증류 제거함으로써, 하기 화학식 13으로 표시되는 1 분자 중에 2개의 알릴기를 갖는 트리글리세린 디알릴에테르를 제조하였다. By the method mentioned above, the polyglycerol derivative (henceforth diallylated polyglycerol) which has two allyl groups in 1 molecule was manufactured. That is, 1 ml of monoglycerine and 2 ml of allylglycidyl ether are reacted at 60 to 120 ° C. in the presence of a potassium hydroxide catalyst, followed by neutralization of the catalyst, followed by distillation of the low boiling point fraction, Triglycerin diallyl ether having two allyl groups in one molecule was prepared.
얻어진 트리글리세린 디알릴에테르는 점도 330 mm2/s이고, 수산기가 523 KOH mg/g, 불포화도 6.13 meq/g의 담황색 액상물이었다. 상기 수산기가 및 불포화도는 거의 이론치(각각 525, 6.24)와 같았다. The triglycerol diallyl ether thus obtained had a viscosity of 330 mm 2 / s and had a hydroxyl value of 523 KOH mg / g and a light yellow liquid having an unsaturated degree of 6.13 meq / g. The hydroxyl value and the degree of unsaturation were almost equal to the theoretical values (525, 6.24, respectively).
또한, 모노글리세린 대신에 디글리세린을 사용한 것 이외에는, 상기와 동일하게 하여, 하기 화학식 14로 표시되는 1 분자 중에 2개의 알릴기를 갖는 테트라글리세린 디알릴에테르를 제조하였다. 얻어진 테트라글리세린 디알릴에테르는 점도 1,397 mm2/s이고, 수산기가 533 KOH mg/g, 불포화도 5.05 meq/g의 담황색 액상물이었다. A tetraglycerine diallyl ether having two allyl groups in one molecule represented by the following formula (14) was prepared in the same manner as above except that diglycerin was used instead of monoglycerine. The obtained tetraglycerol diallyl ether had a viscosity of 1,397 mm 2 / s, and was a pale yellow liquid having a hydroxyl value of 533 KOH mg / g and an unsaturation of 5.05 meq / g.
[ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘의 제조][Production of ABA Polyglycerin Modified Silicone]
제조한 디알릴화 폴리글리세린을 사용하여, 표 1에 나타내는 No.1 내지 11의 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘을 제조하였다. 그의 제조는, 교반기, 온도계 및 환류관을 구비한 반응기에, α-오르가노히드로젠폴리실록산의 히드로실릴기와 디알릴화폴리글리세린 유도체의 알릴기의 몰비(SiH기/알릴기)가 1.0이 되는 양의 디알릴화폴리글리세린과 용제(이소프로필알코올)와, 유효량의 촉매(염화백금산)를 넣고, 표 1에 나타낸 각 α-오르가노히드로젠폴리실록산을 적하하면서 부가 반응시킨 후, 반응액을 감압하에 100 ℃에서 증류하고, 용제를 증류 제거하여 행하였다. 또한, 제조한 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.1 내지 11에 있어서, 각각의 구성 단위 A는, 표 1에 나타낸 각 α-오르가노히드로젠폴리실록산으로부터 수소 1 원자를 잃어 생기는 1가의 기이고, 구성 단위 B는, No.1 내지 7의 경우에는 하기 화학식 15로 표시되는 기이고, No.8 내지 11의 경우에는 하기 화학식 16으로 표시되는 기이다. Using the produced diallylated polyglycerol, the ABA type polyglycerol modified silicone of Nos. 1-11 shown in Table 1 was manufactured. In the production thereof, the molar ratio (SiH group / allyl group) of the allyl group of the hydrosilyl group of the α-organohydrogenpolysiloxane and the allyl group of the diallylated polyglycerol derivative is 1.0 in a reactor equipped with a stirrer, a thermometer, and a reflux tube. Diallylated polyglycerol, a solvent (isopropyl alcohol), and an effective amount of a catalyst (platinum chloride) were added to each of the α-organohydrogenpolysiloxanes shown in Table 1, followed by addition reaction, followed by addition of the reaction solution under reduced pressure. It distilled at 100 degreeC, and the solvent was distilled off and performed. In addition, in the manufactured ABA type | mold polyglycerol modified silicone No.1-11, each structural unit A is a monovalent group which lose | disappears 1 hydrogen atom from each (alpha)-organohydrogenpolysiloxane shown in Table 1, and a structure The unit B is a group represented by the following formula (15) in the case of Nos. 1 to 7 and a group represented by the following formula (16) in the case of Nos. 8 to 11.
여기서, ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.3의 제조에 대하여 구체적으로 서술하면, 트리글리세린 디알릴에테르 100 g과 이소프로필알코올 300 g 및 0.5 중량%의 염화백금산의 이소프로필알코올 용액 0.05 g을 넣고, 교반하면서 60 ℃에서 오르가노히드로젠폴리실록산(MD3MH) 210 g을 적하하여 반응시킨 후, 3 시간 가열 숙성 후, 반응 혼합물을 감압하에 100 ℃에서 증류하고, 이소프로필알코올의 증류 제거를 행함으로써 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.3을 제조하였다. 동일하게 하여, 실록산 중합도 및 글리세린 중합도가 상이한, 다른 번호의 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘을 제조하였다. Herein, the production of the ABA polyglycerol-modified silicone No. 3 will be described in detail. 100 g of triglycerol diallyl ether, 300 g of isopropyl alcohol, and 0.05 g of isopropyl alcohol solution of 0.5 wt% chloroplatinic acid are added thereto. 210 g of organohydrogenpolysiloxane (MD 3 M H ) was added dropwise and reacted at 60 ° C. while stirring, and after heating and aging for 3 hours, the reaction mixture was distilled at 100 ° C. under reduced pressure, and isopropyl alcohol was distilled off. Thus, ABA type polyglycerol modified silicone No. 3 was produced. In the same manner, different numbers of ABA-type polyglycerine-modified silicones having different siloxane polymerization degrees and glycerin polymerization degrees were prepared.
얻어진 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.3에 대하여, 중클로로포름을 용제로 하여 29Si-NMR에서 분석한 결과, 7.52 ppm과 7.11 ppm에 1:1의 비로 Me3SiO-기와 -CH2Me2SiO-기에 의한 시그널이 관측되고, -21.4 ppm과 -21.6 ppm에 2:1의 비로 -OMe2SiO-기에 의한 시그널이 관측되었기 때문에, 실록산 구조는, 표 1에 나타낸 α-오르가노히드로젠폴리실록산(MD3MH)으로부터 수소 1 원자를 잃어 생기는 1가의 기인 것이 확인되었다. The obtained ABA polyglycerol-modified silicone No. 3 was analyzed by 29 Si-NMR with heavy chloroform as a solvent. As a result, it was found that Me 3 SiO- group and -CH 2 Me 2 SiO were 1: 1 at 7.52 ppm and 7.11 ppm. Since the signal by the-group was observed and the signal by the -OMe 2 SiO- group was observed at a ratio of 2: 1 between -21.4 ppm and -21.6 ppm, the siloxane structure was represented by the α-organohydrogenpolysiloxane (Table 1). MD 3 M H ) was confirmed to be a monovalent group resulting from the loss of one hydrogen atom.
또한, 1H-NMR에서 분석한 결과, -CH2Me2SiO-기에 의한 0.5 ppm 시그널의 적분치 2H에 대한 Me3SiO-기 및 -Me2SiO-기에 의한 0.1 ppm 시그널의 적분치는 33H이기 때문에, 알릴기 1 몰에 대하여 MD3MH 1 몰이 결합되어 있는 것이 확인되었다. In addition, as a result of analysis by 1 H-NMR, the integral value of the 0.1 ppm signal by the Me 3 SiO- group and the -Me 2 SiO- group to the integral value of 2 ppm of the 0.5 ppm signal by the -CH 2 Me 2 SiO- group was 33H. Therefore, it was confirmed that 1 mol of MD 3 M H was bonded with respect to 1 mol of allyl groups.
또한, -CH2Me2SiO-기에 의한 0.5 ppm 시그널의 적분치 2H에 대한 수산기의 수소를 포함시킨 폴리글리세린쇄의 시그널(m, 3.3 내지 3.9 ppm)의 적분치는 11H 이기 때문에, 폴리글리세린쇄에 대하여 2 몰의 실록산이 결합되어 있는 것이 확인되었다. Moreover, since the Me 2 -CH 2 signal of the polyglycerol chain which includes hydrogen of the hydroxyl group on the integrated value of 0.5 ppm 2H signal by groups SiO- (m, 3.3 to 3.9 ppm) the integral value of 11H, a polyglycerin chain It was confirmed that 2 moles of siloxane were bonded to each other.
No.3 이외의 번호의 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘에 대해서도 동일하게 분석한 결과, 실록산 구조는, 표 1에 나타낸 각 α-오르가노히드로젠폴리실록산으로부터 수소 1 원자를 잃어 생기는 1가의 기이고, 각 α-오르가노히드로젠폴리실록산은, 알릴기 1 몰에 대하여 1 몰이 결합되어 있고, 또한 폴리글리세린쇄에 대하여 2 몰의 실록산이 결합되어 있는 것이 확인되었다. As a result of the same analysis for the ABA-type polyglycerin-modified silicones having numbers other than No. 3, the siloxane structure is a monovalent group resulting from the loss of one hydrogen atom from each of the α-organohydrogenpolysiloxanes shown in Table 1, It was confirmed that (alpha) -organohydrogenpolysiloxane has 1 mol couple | bonded with respect to 1 mol of allyl groups, and 2 mol of siloxane couple | bonded with respect to the polyglycerol chain.
또한, KBr판법에 의한 IR 측정 결과, 3,400 cm-1 부근에 OH 신축 진동에 의한 강한 흡수가 보였기 때문에, 제조한 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.3이 폴 리글리세린기를 갖는 화합물인 것이 확인되었다(도 1 참조). No.3 이외의 번호의 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘에 대해서도, 폴리글리세린기를 갖는 화합물인 것이 동일하게 확인되었다. In addition, as a result of IR measurement by the KBr plate method, strong absorption by OH stretching vibration was observed around 3,400 cm −1 , and it was confirmed that the prepared ABA type polyglycerol-modified silicone No. 3 was a compound having a polyglycerol group ( See FIG. 1). Also about the ABA type polyglycerol modified silicone of numbers other than No. 3, it was confirmed that it is a compound which has a polyglycerol group.
[ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.1 내지 11][ABA type polyglycerol modified silicone No. 1 to 11]
제조한 11 종류의 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘의 특성을 측정한 결과를 표 1에 나타내었다. Table 1 shows the results of measuring the properties of the 11 types of ABA-type polyglycerin-modified silicone.
또한, 동점도는 캐논 펜스케 점도계에 의해, 비중은 부력을 이용한 측정법에 의해, 굴절률은 Abbe 굴절계에 의해 각각 측정하였다. In addition, kinematic viscosity was measured with the Canon Penske viscometer, specific gravity was measured with the buoyancy, and refractive index was measured with the Abbe refractometer, respectively.
[표면 장력 저하능 및 상용성의 확인][Checking Surface Tension Reduction Capability and Compatibility]
얻어진 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘의 표면 장력 저하능을 조사하기 위해서, 레지스트용 용제로서 사용되는 소르파인-MP(3-메톡시프로피온산메틸, 상품명, 쇼와 덴꼬사 제조)에, 표 2에 나타낸 양(0.1 중량%, 1 중량%, 10 중량%)의 상기 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.1, No.4, No.8, No.10을 첨가한 경우의 25 ℃에 있어서의 표면 장력을 윌헬미(Wilhelmy)식 표면 장력계로써 측정하였다(교와 카이멘 가가꾸사 제조, 전자동 계면 장력계 CBVP-Z형). In order to investigate the surface tension-lowering ability of the obtained ABA-type polyglycerol modified silicone, the amount shown in Table 2 in sorbine-MP (methyl methoxypropionate, brand name, Showa Denko Co., Ltd.) used as a solvent for resists The surface tension at 25 ° C. when the above-mentioned ABA-type polyglycerine-modified silicone Nos. 1, No. 4, No. 8 and No. 10 were added (0.1 wt%, 1 wt%, 10 wt%) It was measured by a Wilhelmy type surface tension meter (manufactured by Kyowa Kaimen Kagaku Co., Ltd., a fully automatic interface tension meter CBVP-Z type).
또한, ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘의 레지스트용 용제와의 상용성을 조사하기 위해서, 레지스트용 용제로서 사용되는 락트산에틸 중에, 상기 ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.1, No.4, No.8, No.10을 각각 20 중량% 첨가하고, 락트산에틸에 대한 용해성을 육안으로 판정하였다. 또한, 비교 화합물 1로서, 불소 폴리에테르 공변성 실리콘: X-70-193(신에쯔 가가꾸 고교사 제조, 상품명), 비교 화합물 2로서, 하기 화학식 17로 표시되는 화합물을 사용하여 동일한 조건에서 측정을 행하였다. 결과를 표 2에 나타내었다. Moreover, in order to investigate the compatibility of the ABA type | mold polyglycerol modified silicone with the resist solvent, the said ABA type | mold polyglycerol modified silicone No.1, No. 4, No. 8, in ethyl lactate used as a resist solvent 20 weight% of No. 10 was respectively added, and the solubility to ethyl lactate was visually determined. In addition, as Comparative Compound 1, fluorine polyether co-modified silicone: X-70-193 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., brand name), and Comparative Compound 2, under the same conditions using a compound represented by the following formula (17): The measurement was performed. The results are shown in Table 2.
표 2에 나타낸 결과로부터, ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No.1, No.4, No.8, No.10은 모두, 소르파인-MP의 표면 장력을 현저히 저하시키고, 레벨링성을 부여하는 것을 알 수 있었다. 특히 폴리글리세린 변성 실리콘 No.10은, 불소 관능기를 갖지 않음에도 불구하고, 높은 표면 장력 저하능을 갖는 불소 폴리에테르 공변성 실리콘인 비교 화합물 1과, 거의 필적하는 표면 장력 저하능을 나타내었다. 또한, 폴리글리세린 변성 실리콘 No.1, No.4, No.8, No.10은 모두, 락트산에틸에 대한 상용성이 양호하였다. From the result shown in Table 2, it turns out that ABA type polyglycerol modified silicone No.1, No.4, No.8, No.10 all remarkably reduce the surface tension of sorbine-MP, and provide leveling property. Could. In particular, although the polyglycerol modified silicone No. 10 did not have a fluorine functional group, it showed the surface tension reducing ability almost comparable with the comparative compound 1 which is fluoro polyether co-modified silicone which has a high surface tension lowering ability. In addition, the polyglycerol modified silicone No. 1, No. 4, No. 8, and No. 10 all had favorable compatibility with ethyl lactate.
이하, 실제 레지스트 용액을 제조하여, 본 발명의 감광성 수지 조성물의 효과를 확인하였다. Hereinafter, the actual resist solution was produced and the effect of the photosensitive resin composition of this invention was confirmed.
[1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐에스테르기로 치환된 노볼락 수지(X)의 합성][Synthesis of novolak resin (X) substituted with 1,2-naphthoquinone diazide sulfonyl ester group]
교반기, 컨덴서, 온도계를 장착한 3구 플라스크에 p-크레졸 75.7 g(0.7 몰), m-크레졸 32.5 g(0.3 몰), 37 중량% 포름알데히드 수용액 52.3 g(0.59 몰) 및 중축합 촉매인 옥살산 2수화물 0.30 g(2.40×10-3 몰)을 넣고, 상기 플라스크를 오일욕에 침지하며, 내부 온도를 100 ℃로 유지하여 1 시간 중축합을 행하였다. 반응 종료 후, 500 ㎖의 메틸이소부틸케톤을 첨가하여 30 분간 교반한 후, 수층을 분리하고, 메틸이소부틸케톤층에 추출된 생성물을 300 ㎖의 순수한 물로 5회 수세, 분액하며, 증발기로써 4 mmHg에서 150 ℃의 감압 스트립을 행하여 중량 평균 분자량(Mw) 6,200의 노볼락 수지(X)(87 g)를 얻었다. In a three-necked flask equipped with a stirrer, a condenser and a thermometer, 75.7 g (0.7 mol) of p-cresol, 32.5 g (0.3 mol) of m-cresol, 52.3 g (0.59 mol) of 37 wt% aqueous formaldehyde solution and oxalic acid as a polycondensation catalyst 0.30 g (2.40 × 10 −3 mol) of dihydrate was added thereto, the flask was immersed in an oil bath, and the polycondensation was carried out for 1 hour while maintaining the internal temperature at 100 ° C. After completion of the reaction, 500 ml of methyl isobutyl ketone was added and stirred for 30 minutes, and then the aqueous layer was separated. The product extracted in the methyl isobutyl ketone layer was washed with 300 ml of pure water five times, separated, and separated by an evaporator. The pressure reduction strip of 150 degreeC was performed at mmHg, and the novolak resin (X) (87g) of 6,200 of weight average molecular weights (Mw) was obtained.
또한, 중량 평균 분자량의 측정은 GPC 칼럼(도소사 제조, G-2000H6ㆍ2개, G-3000H6ㆍ1개, G-4000H6ㆍ1개)를 사용하고, 유량 1.5 ㎖/분, 용출 용매 THF, 칼럼 온도 40 ℃에서 행하였다. In addition, the measurement of a weight average molecular weight uses a GPC column (made by Tosoh Corporation, G-2000H6 * 2, G-3000H6 * 1, G-4000H6 * 1), and flow volume 1.5 ml / min, elution solvent THF, It performed at the column temperature of 40 degreeC.
이어서, 차광하에서 교반기, 적하 깔때기, 컨덴서, 온도계를 장착한 3구 플라스크에, 상기 노볼락 수지(X) 120 g(1 몰), 1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐클로라이드 26.8 g(0.10 몰), 디옥산 400 ㎖를 용해시킨 후, 트리에틸아민 10.1 g(0.10 몰)을 내부 온도가 30 ℃를 초과하지 않도록 적하하였다. 그 후, 1 시간 숙성시키고, 0.1 N 염산수 5,000 ㎖ 중에 부어 재침전물을 여과, 분별하며, 또한 800 g의 아세트산에틸에 용해시키고, 수세, 분액한 후, 40 ℃에서 감압 스트립을 행하여 용제를 제거하고, 진공 건조시켜 1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐에스테르화 노볼락 수지(Y)(140 g)를 얻었다. Subsequently, in a three-necked flask equipped with a stirrer, a dropping funnel, a condenser, and a thermometer under shading, 120 g (1 mol) of the novolak resin (X) and 26.8 g of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonyl chloride (0.10) Mole) and 400 ml of dioxane were dissolved, and then 10.1 g (0.10 mole) of triethylamine was added dropwise so that the internal temperature did not exceed 30 ° C. Thereafter, the mixture was aged for 1 hour, poured into 5,000 ml of 0.1 N hydrochloric acid, filtered and fractionated. The precipitate was further separated and dissolved in 800 g of ethyl acetate, washed with water, separated, and stripped at 40 ° C. to remove the solvent. It dried under vacuum and obtained the 1, 2- naphthoquinone diazide sulfonyl esterified novolak resin (Y) (140g).
얻어진 노볼락 수지(Y)는, NMR의 분석 결과로부터, 노볼락 수지에 있어서의 수산기의 수소 원자의 10 %가 1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐에스테르화되어 있는 것을 확인하였다. The obtained novolak resin (Y) confirmed from the analysis result of NMR that 10% of the hydrogen atoms of the hydroxyl group in a novolak resin are 1,2-naphthoquinone diazide sulfonyl esterification.
[메틸비닐에테르-말레산 모노알킬에스테르 공중합체 (Z)의 합성][Synthesis of methyl vinyl ether maleic monoalkyl ester copolymer (Z)]
교반기, 적하 깔때기, 컨덴서, 온도계를 장착한 3구 플라스크에, 중량 평균 분자량(Mw) 약 150,000의 메틸비닐에테르/무수 말레산 공중합체: Gantrez(ISP 사제, 상품명) 100 g을 메탄올 4,000 g에 용해시킨 후, 60 내지 65 ℃에서 환류하에 약 2 시간 반응시켰다. 반응 후, 메탄올을 증류 제거하여 중량 평균 분자량(Mw) 약 200,000의 메틸비닐에테르-말레산 모노메틸에스테르 공중합체(Z) 135 g을 얻었다. In a three-necked flask equipped with a stirrer, a dropping funnel, a condenser, and a thermometer, a methylvinyl ether / maleic anhydride copolymer having a weight average molecular weight (Mw) of about 150,000 was dissolved in 100 g of Gantrez (ISP, trade name) in 4,000 g of methanol. After the reaction, the reaction was carried out at reflux at 60 to 65 ° C for about 2 hours. After the reaction, methanol was distilled off to obtain 135 g of a methylvinyl ether-maleic acid monomethyl ester copolymer (Z) having a weight average molecular weight (Mw) of about 200,000.
[실시예 1]Example 1
1,2-나프토퀴논디아지드 술포닐에스테르기로 치환된 노볼락 수지(Y) 10 g을 락트산에틸 40 g에 용해시키고, 이어서 중량 평균 분자량(Mw) 약 200,000의 메틸비닐에테르-말레산 모노메틸에스테르 공중합체(Z)를 2 g, 및 레벨링제로서 표 3에 나타내는 레벨링제를 0.05 g 혼합하고, 용해시킨 후, 0.2 ㎛의 공경의 멤브레인 필터로써 여과하여 레지스트 용액을 제조하였다. 10 g of novolak resin (Y) substituted with 1,2-naphthoquinone diazide sulfonyl ester group was dissolved in 40 g of ethyl lactate, followed by methylvinylether-maleic acid monomethyl having a weight average molecular weight (Mw) of about 200,000. 2 g of the ester copolymer (Z) and 0.05 g of the leveling agents shown in Table 3 as the leveling agents were mixed, dissolved, and filtered through a 0.2 µm pore membrane filter to prepare a resist solution.
다음에, 6 인치 실리콘 웨이퍼 상에 스퍼터로써 금을 증착한 기판 상에, 상기 레지스트 용액을 2,000 rpm/30 초의 조건에서 스피너를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서 120 ℃/300 초로써 프리베이킹하여 두께 3 ㎛의 레지스트 막을 형성하였다. Next, on the substrate on which gold was deposited by sputtering on a 6 inch silicon wafer, the resist solution was applied using a spinner at a condition of 2,000 rpm / 30 seconds, and prebaked at 120 ° C./300 seconds on a hot plate to have a thickness. A 3 탆 resist film was formed.
얻어진 레지스트 막의 막 두께 분포를, 막 두께 측정 시스템인 NanoSpec 6100(나노메트릭스ㆍ재팬사 제조, 상품명)에서 측정하였다. 결과를 표 3에 나타내었다. The film thickness distribution of the obtained resist film was measured with NanoSpec 6100 (manufactured by Nanometrics Japan Co., Ltd.) which is a film thickness measurement system. The results are shown in Table 3.
이 결과로부터, ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘을 사용한 레지스트 막은 양호한 평탄성(막 두께 균일성)을 나타내었다. From this result, the resist film using ABA type | mold polyglycerol modified silicone showed favorable flatness (film thickness uniformity).
* ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No. 4, 5의 1:1(중량) 혼합물* ABA type polyglycerin modified silicone No. 1: 1 (weight) mixture of 4 and 5
[폴리이미드 실리콘 수지의 합성]Synthesis of Polyimide Silicone Resin
교반기, 온도계 및 질소 치환 장치를 구비한 플라스크 내에 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물 35.8 g(0.1 몰) 및 n-메틸-2-피롤리돈 300 g을 투입하였다. 이어서, 하기 화학식 18로 표시되는 디아미노실록산(단, b의 평균은 64) 14.7 g(0.003 몰) 및 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 39.8 g(0.097 몰)을 반응계의 온도가 50 ℃를 초과하지 않도록 조절하면서, 상기 플라스크 내에 첨가하였다. 첨가 후, 또한 실온에서 10 시간 교반하였다. 35.8 g (0.1 mol) of 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride and 300 g of n-methyl-2-pyrrolidone were placed in a flask equipped with a stirrer, a thermometer and a nitrogen replacement device. Input. Subsequently, 14.7 g (0.003 mol) of diaminosiloxane represented by the following formula (18), with an average of b: 64, and 39.8 g (0.097 mol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane ) Was added into the flask while adjusting the temperature of the reaction system not to exceed 50 ° C. After addition, the mixture was further stirred at room temperature for 10 hours.
이어서, 상기 플라스크에 수분 수용기가 장착된 환류 냉각기를 부착한 후, 크실렌 30 g을 첨가하고, 150 ℃에 승온하여 그 온도를 6 시간 유지한 결과, 황갈색의 용액이 얻어졌다. 이렇게 해서 얻어진 황갈색의 용액을 실온(25 ℃)까지 냉각시킨 후, 메탄올 중에 투입하여 재침전시켰다. 얻어진 침강물을 건조시켜, 하기 화학식 19에 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리이미드 실리콘 수지(수평균 분자량(Mn) 31,000)를 얻었다. Subsequently, after attaching a reflux condenser equipped with a water receiver to the flask, 30 g of xylene was added, the temperature was raised to 150 ° C, and the temperature was maintained for 6 hours, whereby a yellowish brown solution was obtained. The yellowish brown solution thus obtained was cooled to room temperature (25 ° C), and then charged in methanol to reprecipitate. The obtained precipitate was dried to obtain a polyimide silicone resin (number average molecular weight (Mn) 31,000) having a repeating unit represented by the following formula (19).
[실시예 2]Example 2
얻어진 폴리이미드 실리콘 수지 10 g을 시클로헥사논 30 g에 용해시키고, 이어서 표 4에 나타낸 레벨링제를 0.04 g 첨가하여 혼합하고, 0.2 ㎛의 공경의 멤브레인 필터로써 여과하여 레지스트 용액을 제조하였다. 또한, 표 4 중, KF-643(신에쯔 가가꾸 고교사 제조, 상품명)은 폴리에테르 변성 트리실록산, X-70-193(신에 쯔 가가꾸 고교사 제조, 상품명)은 불소 폴리에테르 공변성 실리콘이다. 10 g of the obtained polyimide silicone resin was dissolved in 30 g of cyclohexanone, and then 0.04 g of the leveling agent shown in Table 4 was added and mixed, followed by filtration with a 0.2 µm pore membrane filter to prepare a resist solution. In Table 4, KF-643 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is a polyether-modified trisiloxane, and X-70-193 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., brand name) is a fluoropolyether ball. Modified silicone.
다음에, 6 인치 실리콘 웨이퍼 상에, 상기 레지스트 용액을 1,500 rpm/60 초의 조건에서 스핀 코터를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서 120 ℃/120 초로 열 처리함으로써 두께 약 9 ㎛의 레지스트 막을 형성하였다. Next, the resist solution was applied on a 6 inch silicon wafer using a spin coater under conditions of 1,500 rpm / 60 seconds, and thermally treated at 120 ° C./120 seconds on a hot plate to form a resist film having a thickness of about 9 μm.
얻어진 레지스트 막의 막 두께 분포를 NanoSpec 6100(상기와 동일함)에서 측정한 결과를 표 4에 나타내었다. 이 결과로부터 알 수 있듯이, ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘을 사용한 레지스트 막은 양호한 평탄성(막 두께 균일성)을 나타내었다. Table 4 shows the results of measuring the film thickness distribution of the obtained resist film in NanoSpec 6100 (same as above). As can be seen from this result, the resist film using ABA-type polyglycerol modified silicone showed good flatness (film thickness uniformity).
* ABA형 폴리글리세린 변성 실리콘 No. 4, 5의 1:1(중량) 혼합물* ABA type polyglycerin modified silicone No. 1: 1 (weight) mixture of 4 and 5
본 발명의 감광성 수지 조성물은, 감광성 수지 조성물용 용제와의 상용성이 양호하고, 높은 계면 활성 작용, 표면 평활 작용을 갖는 소정 구조의 (폴리)글리세린 변성 실리콘을 감광성 수지 조성물용 레벨링제로서 함유하기 때문에, 기재 상에 퍼지기 쉬운 전연성이 우수하고, 도포 불균일을 발생시키지 않고 균일하게 도포할 수 있으며, 또한 안전성도 높다는 우수한 효과를 발휘한다. The photosensitive resin composition of this invention is excellent in compatibility with the solvent for photosensitive resin compositions, and contains (poly) glycerol modified silicone of the predetermined structure which has high surfactant activity and surface smoothing effect as a leveling agent for photosensitive resin compositions. Therefore, it is excellent in the malleability which is easy to spread on a base material, can apply | coat uniformly without generating application | coating nonuniformity, and exhibits the outstanding effect that safety is also high.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190132233A (en) * | 2018-05-17 | 2019-11-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Photosensitive resin composition, photosensitive dry film, and patterning process |
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