KR20060100116A - Wafer back side detecting chuck structure in semiconductor fabrication equipment - Google Patents

Wafer back side detecting chuck structure in semiconductor fabrication equipment Download PDF

Info

Publication number
KR20060100116A
KR20060100116A KR1020050021781A KR20050021781A KR20060100116A KR 20060100116 A KR20060100116 A KR 20060100116A KR 1020050021781 A KR1020050021781 A KR 1020050021781A KR 20050021781 A KR20050021781 A KR 20050021781A KR 20060100116 A KR20060100116 A KR 20060100116A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
semiconductor
chuck structure
inspection
guides
Prior art date
Application number
KR1020050021781A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
신길훈
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050021781A priority Critical patent/KR20060100116A/en
Publication of KR20060100116A publication Critical patent/KR20060100116A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼의 전면은 물론 후면의 결함까지도 검출할 수 있도록 하는 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 전면 및 후면 검사용 웨이퍼 척 구조가 개시된다. 그러한 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 전면 및 후면 검사용 웨이퍼 척 구조는, 웨이퍼의 후면 중앙부를 지지함이 없이 웨이퍼의 지름에서 만나는 웨이퍼의 양 측면 에지부를 지지하며 검사용 렌즈가 상기 웨이퍼의 후면을 통과할 수 있도록 하는 공간을 형성하는 제1,2 웨이퍼 가이드를 구비함에 의해, 반도체 웨이퍼의 전면의 검사 시에 반도체 웨이퍼의 후면의 결함까지도 동시에 검출할 수 있게 되는 효과가 있다. Disclosed are a wafer chuck structure for inspecting wafer front and back surfaces in a semiconductor manufacturing apparatus that can detect defects on the front surface as well as the back surface of the semiconductor wafer. Wafer chuck structures for wafer front and back inspection in such semiconductor fabrication equipment support both side edges of the wafer that meet at the diameter of the wafer without supporting the back center of the wafer and allow the inspection lens to pass through the back of the wafer. By providing the first and second wafer guides that form a space to allow the space, the defects on the back surface of the semiconductor wafer can be detected at the same time when the front surface of the semiconductor wafer is inspected.

반도체 제조장비, 웨이퍼 후면 검사, 가이드, 후면결함 장비 Semiconductor Manufacturing Equipment, Wafer Back Inspection, Guide, Back Defect Equipment

Description

반도체 제조장비에서의 웨이퍼 전면 및 후면 검사용 웨이퍼 척 구조{Wafer back side detecting chuck structure in semiconductor fabrication equipment}Wafer back side detecting chuck structure in semiconductor fabrication equipment

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 전면 검사용 웨이퍼 척 구조를 개략적으로 나타낸 도면1 is a view schematically showing a wafer chuck structure for wafer front surface inspection according to the prior art;

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 전후면 검사용 웨이퍼 척 구조를 개략적으로 나타낸 도면2 is a view schematically showing a wafer chuck structure for inspecting wafer front and rear surfaces according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2중 웨이퍼 가이드의 확대 상세를 보인 도면3 is an enlarged view of the wafer guide of FIG. 2;

본 발명은 반도체소자의 제조장치 분야에 관한 것으로, 특히 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 전면 및 후면 검사용 웨이퍼 척 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the field of semiconductor device manufacturing apparatuses, and more particularly, to a wafer chuck structure for inspecting wafer front and back surfaces in semiconductor manufacturing equipment.

최근 반도체 제품들의 경우, 경쟁력 확보를 위해 낮은 비용, 고품질을 위해 필수적으로 제품의 고집적화가 요구된다. 고집적화를 위해서는 트랜지스터 소자의 게이트 산화막 두께 및 채널 길이들을 얇고 짧게 하는 작업 등을 포함하는 스케일 다운이 수반되어지며, 그에 따라 반도체 제조 프로세스(공정) 및 프로세싱 시스템도 다양한 형태로 발전되어 지고 있는 추세이다. In the case of semiconductor products, high integration is essential for low cost and high quality to secure competitiveness. Higher integration involves scaling down the gate oxide film thickness and channel lengths of transistor devices, and thus, semiconductor manufacturing processes (processes) and processing systems are being developed in various forms.

반도체 제조 프로세스에서 반도체 웨이퍼에 생긴 결함을 공정의 투입전에 사전에 검사하기 위한 검사 장비는 웨이퍼의 전면만을 대부분 검사하는 기능을 가지기 때문에, 웨이퍼의 후면에서 생긴 결함에는 검사를 해하기 어렵다.Since inspection equipment for inspecting defects on a semiconductor wafer in advance in the semiconductor manufacturing process before inputting the process has a function of inspecting only the front side of the wafer, it is difficult to inspect defects on the rear surface of the wafer.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 전면 검사용 웨이퍼 척 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도면을 참조하면, 웨이퍼 척(10)에 놓여지는 웨이퍼(20)를 검사하기 위한 검사용 렌즈(30)는 웨이퍼(20)의 전면 즉 표면만을 검사하는데 사용될 뿐이고, 웨이퍼(20)의 후면은 검사하기 어렵다. 왜냐하면, 웨이퍼 척(10)의 상부가 상기 웨이퍼(20)의 후면 중앙부를 막고 있기 때문이다. 그러므로, 종래에는 렌즈를 이용한 육안검사나 레이저의 반사작용을 이용하는 표면검사 등이 웨이퍼의 전면에 대하여만 수행되었기 때문에, 웨이퍼의 후면에 발생된 결함은 발견하기 어려운 문제점이 있어왔다. 1 is a view schematically showing a wafer chuck structure for wafer front surface inspection according to the prior art. Referring to the drawings, the inspection lens 30 for inspecting the wafer 20 placed on the wafer chuck 10 is used only to inspect the front surface, that is, the surface of the wafer 20, and the rear surface of the wafer 20 is inspected. Difficult to do This is because the upper portion of the wafer chuck 10 blocks the rear center portion of the wafer 20. Therefore, since a visual inspection using a lens or a surface inspection using a reflection function of a laser is conventionally performed only on the front surface of a wafer, defects occurring on the rear surface of the wafer have been difficult to find.

따라서, 이에 대한 웨이퍼 백 사이드의 검사에 대한 대책이 본 분야에서 절실히 요구되는 실정이다. Therefore, the countermeasure against the inspection of the wafer back side is urgently required in this field.

본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해소할 수 있는 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 전면 및 후면 검사용 웨이퍼 척 구조를 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer chuck structure for inspecting wafer front and back in a semiconductor manufacturing apparatus that can solve the above-mentioned problems.

본 발명의 다른 목적은 웨이퍼의 전면 및 후면에 대한 결함을 검사할 수 있 게 하는 개선된 웨이퍼 척 구조를 제공함에 있다. It is another object of the present invention to provide an improved wafer chuck structure that enables inspection of defects on the front and back sides of the wafer.

본 발명의 또 다른 목적은 불량 웨이퍼의 공정 투입을 사전에 방지하여 제품의 원가절감을 도모함에 있다. Still another object of the present invention is to prevent cost entry of defective wafers in advance, thereby reducing the cost of the product.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예적 양상(aspect)에 따라, 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조는, 웨이퍼의 후면 중앙부를 지지함이 없이 웨이퍼의 지름에서 만나는 웨이퍼의 양 측면 에지부를 지지하며 검사용 렌즈가 상기 웨이퍼의 후면을 통과할 수 있도록 하는 공간을 형성하는 제1,2 웨이퍼 가이드를 구비함을 특징으로 한다. According to an exemplary aspect of the present invention for achieving the above object, a wafer chuck structure in a semiconductor manufacturing equipment supports both side edge portions of a wafer that meet at the diameter of the wafer without supporting the rear center portion of the wafer. And first and second wafer guides forming a space for allowing the inspection lens to pass through the rear surface of the wafer.

바람직하기로, 상기 제1,2 웨이퍼 가이드는 각기 상기 웨이퍼의 측면과 상기 웨이퍼의 가장자리 상부 및 하부일부를 접촉적으로 지지하며, 석영 재질로 이루어질 수 있다. Preferably, the first and second wafer guides each support the side of the wafer and the upper and lower portions of the edge of the wafer in contact with each other, and may be made of quartz.

또한, 상기 검사용 렌즈는 상기 웨이퍼의 상부 및 하부면을 각기 동시에 스캐닝할 수 있다. In addition, the inspection lens may simultaneously scan the upper and lower surfaces of the wafer.

상기한 바와 같은 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조에 따르면, 반도체 웨이퍼의 전면의 검사 시에 반도체 웨이퍼의 후면의 결함까지도 동시에 검출할 수 있게 되는 효과가 있다. According to the wafer chuck structure in the semiconductor manufacturing equipment as described above, even when the front surface of the semiconductor wafer is inspected, even defects on the rear surface of the semiconductor wafer can be detected at the same time.

이하에서는 본 발명에 따른 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조에 대한 바람직한 실시 예가 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다. Hereinafter, a preferred embodiment of a wafer chuck structure in a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 2에는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 전후면 검사용 웨이퍼 척 구조를 개략적으로 나타낸 도면이 도시된다. First, FIG. 2 is a view schematically showing a wafer chuck structure for inspecting wafer front and rear surfaces according to an embodiment of the present invention.

또한, 도 3은 도 2중 웨이퍼 가이드의 확대 상세를 보인 도면이다. 3 is an enlarged view of the wafer guide of FIG. 2.

도면들을 참조하면, 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조는, 웨이퍼(20)의 후면 중앙부를 지지함이 없이 웨이퍼의 지름에서 만나는 웨이퍼의 양 측면 에지부를 지지하며 검사용 렌즈(30)가 상기 웨이퍼(20)의 후면을 통과할 수 있도록 하는 공간을 형성하는 제1,2 웨이퍼 가이드(15)를 구비한다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼(20)의 전면의 검사 시에 반도체 웨이퍼(20)의 후면의 결함까지도 동시에 검출할 수 있게 된다. Referring to the drawings, the wafer chuck structure in the semiconductor manufacturing equipment supports both side edge portions of the wafer that meet at the diameter of the wafer without supporting the rear center portion of the wafer 20, and the inspection lens 30 is connected to the wafer ( The first and second wafer guides 15 are formed to form a space through which the rear surface of 20 is passed. As a result, even defects on the rear surface of the semiconductor wafer 20 can be detected at the same time when the front surface of the semiconductor wafer 20 is inspected.

여기서, 상기 제1,2 웨이퍼 가이드(15)는 도 3에서 보다 상세히 보여지는 바로서, 하부(18) 및 상부(16)를 가짐에 의해, 각기 상기 웨이퍼(20)의 측면(17)과 상기 웨이퍼의 가장자리 상부(16-1) 및 하부(18-1)일부를 접촉적으로 지지한다. 상기 제1,2 웨이퍼 가이드(15)는 석영 재질로 이루어질 수 있다. Here, the first and second wafer guides 15 have a lower portion 18 and an upper portion 16, as shown in more detail in FIG. A portion of the upper edge 16-1 and the lower portion 18-1 of the wafer are in contact with each other. The first and second wafer guides 15 may be made of quartz.

도 2에서 보여지는 상기 검사용 렌즈(30)는 상기 웨이퍼의 상부 및 하부면을 각기 동시에 스캐닝할 수 있으며, 하나의 렌즈로 상부 및 하부에 대하여 스캐닝을 순차적으로 할 수도 있을 것이다. 상기 검사용 렌즈(30)는 렌즈를 이용한 육안검사에 적합하나 사안이 다른 경우에 레이저의 반사작용을 이용하는 표면검사 등이 웨이퍼의 전면 및 후면에 대하여 수행될 수 있다. The inspection lens 30 shown in FIG. 2 may simultaneously scan the upper and lower surfaces of the wafer, and may sequentially scan the upper and lower portions with one lens. The inspection lens 30 is suitable for visual inspection using a lens, but when the case is different, the surface inspection using the reflection effect of the laser may be performed on the front and rear surfaces of the wafer.

한편, 본 실시예의 경우에는 두 개의 웨이퍼 가이드가 척의 구성요소로서 사용된 경우에 대하여 설명되었지만, 사안이 다른 경우에 3개 이상도 가능하며 하나 의 웨이퍼 가이드는 지름 방향으로 이동가능하도록 척 베이스에 형성될 수도 있을 것이다. On the other hand, in the case of the present embodiment has been described in the case where two wafer guides are used as a component of the chuck, three or more cases are possible in different cases, one wafer guide is formed in the chuck base to be movable in the radial direction It could be.

결국, 본 발명에 따르면, 웨이퍼의 전면 뿐만 아니라 웨이퍼의 후면 중앙부가 블로킹되어 있지 않은 지지 구조를 가지므로 웨이퍼의 후면에 발생된 결함을 사전에 검출할 수 있게 된다. As a result, according to the present invention, not only the front surface of the wafer but also the back center of the wafer has a supporting structure that is not blocked, so that defects generated on the back surface of the wafer can be detected in advance.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 가이드의 형상이나 재질 등은 척 구조의 채택에 따라 적절히 변경될 수 있음은 물론이다. Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can. For example, the shape, material, etc. of the guide may be appropriately changed depending on the adoption of the chuck structure.

상기한 바와 같은 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조에 따르면, 반도체 웨이퍼의 전면의 검사 시에 반도체 웨이퍼의 후면의 결함까지도 동시에 검출할 수 있게 되는 효과가 있다. 따라서, 넥스트 공정으로의 투입 전에 웨이퍼의 전면 및 후면에서 발생된 결함을 미리 검사하므로, 결함난 웨이퍼의 공정 투입이 방지되어 제품의 제조 코스트 상승이 방지되는 이점이 있다. According to the wafer chuck structure in the semiconductor manufacturing equipment as described above, even when the front surface of the semiconductor wafer is inspected, even defects on the rear surface of the semiconductor wafer can be detected at the same time. Therefore, since defects generated on the front and rear surfaces of the wafer are inspected in advance before the introduction into the next process, process injection of the defective wafer is prevented, thereby increasing the manufacturing cost of the product.

Claims (4)

반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조에 있어서:In the wafer chuck structure in the semiconductor manufacturing equipment: 웨이퍼의 후면 중앙부를 지지함이 없이 웨이퍼의 지름에서 만나는 웨이퍼의 양 측면 에지부를 지지하며 검사용 렌즈가 상기 웨이퍼의 후면을 통과할 수 있도록 하는 공간을 형성하는 제1,2 웨이퍼 가이드를 구비함에 의해, 반도체 웨이퍼의 전면의 검사 시에 반도체 웨이퍼의 후면의 결함까지도 동시에 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조.By having first and second wafer guides that support both side edge portions of the wafer meeting at the diameter of the wafer without supporting the back center of the wafer and forming a space for the inspection lens to pass through the back of the wafer And at the same time detecting defects on the back side of the semiconductor wafer during inspection of the front side of the semiconductor wafer. 제1항에 있어서, 상기 제1,2 웨이퍼 가이드는 각기 상기 웨이퍼의 측면과 상기 웨이퍼의 가장자리 상부 및 하부일부를 접촉적으로 지지함을 특징으로 하는 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조.The wafer chuck structure of claim 1, wherein each of the first and second wafer guides is in contact with a side surface of the wafer and an upper portion and a lower portion of an edge of the wafer. 제1항에 있어서, 상기 제1,2 웨이퍼 가이드는 석영 재질로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조.The wafer chuck structure of claim 1, wherein the first and second wafer guides are made of quartz. 제3항에 있어서, 상기 검사용 렌즈는 상기 웨이퍼의 상부 및 하부면을 각기 동시에 스캐닝함을 특징으로 하는 반도체 제조장비에서의 웨이퍼 척 구조.The wafer chuck structure of claim 3, wherein the inspection lens simultaneously scans the upper and lower surfaces of the wafer.
KR1020050021781A 2005-03-16 2005-03-16 Wafer back side detecting chuck structure in semiconductor fabrication equipment KR20060100116A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050021781A KR20060100116A (en) 2005-03-16 2005-03-16 Wafer back side detecting chuck structure in semiconductor fabrication equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050021781A KR20060100116A (en) 2005-03-16 2005-03-16 Wafer back side detecting chuck structure in semiconductor fabrication equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060100116A true KR20060100116A (en) 2006-09-20

Family

ID=37631181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050021781A KR20060100116A (en) 2005-03-16 2005-03-16 Wafer back side detecting chuck structure in semiconductor fabrication equipment

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060100116A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113644000A (en) * 2021-08-09 2021-11-12 长鑫存储技术有限公司 Wafer detection method and electronic equipment

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113644000A (en) * 2021-08-09 2021-11-12 长鑫存储技术有限公司 Wafer detection method and electronic equipment
CN113644000B (en) * 2021-08-09 2023-10-24 长鑫存储技术有限公司 Wafer detection method and electronic equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8976348B2 (en) Wafer inspection system
US8361814B2 (en) Method for monitoring chamber cleanliness
US20080102542A1 (en) Wafer processing method
KR101372995B1 (en) Defect Inspection Method
CN102738029A (en) Method for detecting specific defect and system and program used for detecting specific defect
KR102430478B1 (en) Method of inspecting a wafer
KR20060100116A (en) Wafer back side detecting chuck structure in semiconductor fabrication equipment
JP2003217500A (en) Inspection device using scanning electron microscope
KR102362249B1 (en) Probe station
KR101302588B1 (en) Method for processing wafer
US20110248006A1 (en) APPARATUS AND METHOD of MANUFACTURING SPECIMEN
KR102336909B1 (en) Method of inspecting a wafer
KR20120062317A (en) A probe station having a prove cleaning device
KR20050002036A (en) Method of inspecting defect for semiconductor device
WO2011155294A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate transfer apparatus, and dent detecting apparatus
KR20090132302A (en) Method for inspection of pattern in photomask
KR100641985B1 (en) Method of inspecting the pattern on the wafer
KR100512849B1 (en) A device for positioning of wafer cassette carrier with safety lock and method thereof
KR20200099712A (en) Method of evaluating a wafer damage
Taylor et al. Applications for automated wafer backside inspection
KR20040069789A (en) A device for positioning wafer cassette carrier and method therefor
KR20040033525A (en) Method for defect inspection of semiconductor device
JP2010245358A (en) Device and method for inspection of semiconductor laser chip edge
KR20040100110A (en) Apparatus for loading reticle in expose system
JP2010050167A (en) Device and method for inspecting defect

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination