KR20060094204A - 공정 챔버의 압력 측정 장치 - Google Patents

공정 챔버의 압력 측정 장치 Download PDF

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    • G01F1/34—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure

Abstract

측정 오차 발생이 억제되는 압력 측정 장치에서, 압력 측정 유닛은 평판 형상을 갖는 제1전극, 상기 제1전극과 평행하게 배치되며 유체의 압력에 의해 상기 제1전극으로부터의 이격 거리가 변화되는 제2전극, 상기 제1 및 제2전극 사이에 개재된 유전 물질을 포함한다. 상기 압력 측정 유닛은 공정 챔버의 내부 압력을 감지하고, 상기 감지된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력한다. 상기 압력 측정 유닛과 상기 공정 챔버 사이에는 필터 유닛이 구비되어, 상기 공정 챔버에서 발생된 이물질이 상기 압력 측정 유닛으로 유입되는 것이 차단된다. 이에 따라, 상기 이물질로 인해 상기 제1 및 제2전극의 이격 거리가 비정상적으로 변화하는 것을 방지할 수 있기 때문에 압력 측정 장치의 측정 오차 발생을 억제하고, 그 사용 수명을 연장시킬 수 있다.

Description

공정 챔버의 압력 측정 장치{Apparatus for measuring the pressure in a process chamber}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 측정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1의 압력 측정 장치를 갖는 수직형 화학 기상 증착 장치의 진공 및 배기 가스 처리 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 압력 측정 장치 110 : 압력 측정 유닛
120 : 가변 체적부 130 : 감지부
140 : 기준 체적부 150 : 필터 유닛
152 : 필터 154 : 커버
156 : 확인창 158 : 피팅(fitting)
본 발명은 압력 측정 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 공정 챔버의 내부 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 일반적으로 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼에 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 확산 공정 등과 같은 일련의 단위 공정들을 순차적으로 수행함으로써 제조된다.
상기 단위 공정들을 수행함에 있어서, 반도체 장치의 품질 및 수율 향상을 위해 압력, 온도 등의 공정 조건들을 보다 정밀하게 제어하는 것이 필수적인 요구 조건으로 대두되었다.
반도체 기판 상에 소정의 막을 증착시키는 화학 기상 증착(chemical vapour deposition; CVD) 공정의 경우, 증착되는 막질에 따라 다양한 반응 가스(source gas)들이 사용된다. 이 때, 상기 공정은 반도체 기판이 대기와 반응하지 않도록 하기 위해 소정의 진공 상태에서 수행되는 것이 일반적이다.
구체적으로, 공정 챔버로 상기 반응 가스들이 투입되면 상기 공정 챔버의 내부는 일시적으로 압력이 상승하게 된다. 이 때, 상기 상승된 압력을 기 설정된 공정 조건으로 유지하기 위한 펌프 시스템이 가동된다. 또한, 상기 펌프 시스템은 상기 공정이 진행되는 과정에서 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물을 계속적으로 배출시키는 기능을 수행한다.
상기 펌프 시스템의 방식은 가공 장치에 따라 다양하며, 공정 조건의 제어를 위하여 공정 챔버의 배기 라인에는 다양한 밸브들이 설치된다. 저압을 이용한 화학 기상 증착 장치나 건식 식각 장치에서는 저진공 펌프를 이용하여, 소정의 공정이 종료된 후 상기 공정 챔버 내부에 잔류하는 공정 가스를 배출한다. 상기 공정 가스를 배출하기 위한 배가 가스 처리 시스템은 크게 공정 챔버와 연결되는 배기 라인, 배기 라인 상에 설치되는 밸브 및 배기 라인을 통해 공정 챔버와 연결되는 펌프를 포함한다.
상기 배기 라인 상에는 공정 챔버의 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치와 공정 챔버의 압력을 제어하기 위한 자동 압력 제어기(auto pressure controller; APC)가 구비되는 것이 일반적이다. 상기 압력 측정 장치의 예를 들면 피라니(Pirani), 열전쌍(thermocouple), 이온 게이지(ion gauge) 등이 있다. 특히, 공정 챔버의 실제 압력을 정확하게 측정할 수 있고, 측정되는 가스 종류의 영향을 받지 않는 바라트론 사의 용량형 압력계(Baratron?capacitance manometer; 이하, '바라트론 게이지'라 지칭함)가 산업 현장에서 널리 사용되고 있다.
자동 압력 제어기는 바라트론 게이지의 출력 전압에 따라 공정 챔버의 압력을 조절하게 된다. 여기서, 바라트론 게이지의 출력 전압은 공정 챔버의 측정 압력과 선형적으로 비례하는 특성을 가진다.
한편, 공정 챔버에서 소정의 기판 가공 공정이 진행되면서 다양한 공정 부산물이 생성될 수 있다. 특히, 파우더(powder) 형태의 파티클이 발생할 경우, 상기 파티클은 바라트론 게이지로 유입되어 압력 감지부에 응집될 수 있다. 그러면, 상기 축적된 파티클에 의해 바라트론 게이지가 공정 챔버의 압력을 정확하게 측정하지 못하는 문제가 발생할 수 있다. 이에 따라, 8시간 이상이 소요되는 영점 조정(zeroing) 작업의 주기가 단축되고, 또한 바라트론 게이지의 사용 수명이 단축될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 측정 오차 발생이 억제되고, 사용 수명이 연장되는 압력 측정 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 압력 측정 장치는 공정 챔버의 내부 압력을 감지하고, 상기 감지된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력하기 위한 압력 측정 유닛을 구비한다. 상기 공정 챔버와 상기 압력 측정 유닛 사이에는 상기 압력 측정 유닛으로 유입되는 유체에 포함된 이물질을 필터링하기 위한 필터 유닛이 구비된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 압력 측정 유닛은 평판 형상을 갖는 제1전극, 상기 제1전극과 평행하게 배치되며 상기 공정 챔버로부터 유입되는 유체의 압력에 의해 상기 제1전극으로부터의 이격 거리가 변화되는 제2전극, 상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재되는 유전 물질을 포함한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 상기 필터 유닛에 의해 공정 챔버로부터 압력 측정 장치로 유입되는 이물질이 차단되어, 상기 압력 측정 장치의 제2전극이 오염되어 측정 오차가 발생하는 것이 억제될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 측정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1에 도시된 공정 챔버(10)의 압력 측정 장치(100)는 반도체 기판 가공 장 치에 사용되는 유체 압력 측정 장치로서, 유체를 수용하기 위한 가변 체적부(120), 측정 기준 압력을 형성하기 위한 기준 체적부(140) 및 상기 유체의 압력을 측정하기 위한 감지부(130)를 포함한다.
감지부(130)는 두 개의 전극(electrode) 사이에 유전 물질이 개재되어 있는 커패시터(capacitor) 구조를 가진다. 구체적으로, 위치가 고정된 제1전극(136), 상기 제1전극(136)과 평행하게 배치되며 소정의 탄성력을 가짐으로써 상기 제1전극(136)에 대해 이동 가능한 제2전극(132)이 구비된다. 제1 및 제2전극(136, 132) 사이에는 소정의 공간(134)이 형성되고, 여기에 유전 물질이 수용된다.
제1전극(136)은 지지부(138) 상에 내부 전극(136a) 및 상기 내부 전극(136a)을 감싸는 링 형태의 외부 전극(136b)이 접합된 금속-세라믹(metal on ceramic) 구조를 가진다. 지지부(138)는 세라믹으로 형성되고, 내부 전극(136a) 및 외부 전극(136b)은 니켈과 철의 합금과 같은 팽창율이 낮은 합금으로 형성될 수 있다.
가변 체적부(120)의 연결 배관(122)을 통해 공정 챔버(10)의 유체가 유입되고, 상기 유체의 압력에 의해 제2전극(132)이 팽창 또는 수축한다. 여기서, 제2전극(132)이 높은 압력에 의해 손상되는 것을 방지하기 위하여 연결 배관(122) 앞에는 방지재(baffle, 124)가 구비된다. 기준 체적부(140)는 위치가 고정된 제1전극(136)을 포함한다. 기준 체적부(140)의 일측에는 기준 체적부(140)의 압력을 측정되는 압력보다 훨씬 낮은 압력으로 형성하기 위한 펌프(144)가 구비되며, 특히 게터 펌프(getter pump)가 널리 사용된다.
상기와 같은 구조를 갖는 압력 측정 장치(100)에 의해 유체의 압력이 측정되 는 원리를 간단히 설명하면 다음과 같다.
유체가 공정 챔버(10)로부터 소정의 압력을 가지고 가변 체적부(120)로 유입된다. 소정의 탄성력을 갖는 제2전극(132)의 중앙 부위는 상기 유체의 압력 변화에 응답하여 굴곡될 수 있다(도 1에 도시된 굴곡 정도는 이해를 돕기 위하여 다소 과장되게 표현되었으며 실제 굴곡 정도와 상이할 수 있다). 이러한 제2전극(132)의 가요성 움직임에 의해 제1 및 제2전극(136, 132) 사이의 이격 거리(D)가 변화한다. 통상 제2전극(132)은 접지되고, 제1전극(136)으로 전기 신호가 제공되므로, 제1 및 제2전극(136, 132) 사이의 커패시턴스(capacitance) 변화가 감지될 수 있다.
공지된 바와 같이, 평판형 커패시터(capacitor)의 커패시턴스(C)는 식(1)으로 나타낼 수 있다.
(1) C = κA/D
여기서, κ는 유전 물질의 유전 상수이고, A는 전극들의 공통 면적이며, D는 전극들 사이의 간격이다.
상기 간격(D)의 변화에 따른 커패시턴스의 변화는 식(2)과 같이 표현될 수 있다.
(2) dC/dD = - κA/D2
따라서, 전극들(136, 132) 사이의 이격 거리(D)는 짧고, 공통 면적(A)은 클수록 유체의 압력을 정밀하게 측정할 수 있다. 통상, 바라트론 게이지의 경우 0내지 1000Torr 사이의 압력이 측정되는데, 0.01Torr단위까지 측정이 가능한 상품이 출시되어 있다. 도시되지는 않았으나, 상기와 같은 방법으로 측정되어 전기 신호로 변환된 유체의 압력은 하우징(112)에 설치된 디스플레이 상에 표시된다. 이로써, 공정 챔버(10) 내부의 실질적인 압력이 측정될 수 있다.
한편, 압력 측정 유닛(110)은 측정된 유체의 감지 압력 따른 전압 신호를 출력할 수 있다. 통상, 그 출력 범위는 0 내지 10Volt이며, 이 때, 상기 출력 전압값은 감지된 압력값과 선형적으로 비례한다. 상기 출력 전압은 압력 측정 유닛(110)의 일단에 연결된 자동 압력 제어기(20)로 전달된다. 이에 따라, 자동 압력 제어기(20)는 공정 챔버(10)의 감지된 압력(출력 전압)과 연동하여 상기 공정 챔버(10)가 기 설정된 기준 압력을 유지하도록 조절한다.
상술한 압력 측정 유닛(110)은 압력 측정의 분해능(resolution)이 매우 우수하기 때문에 측정의 허용 오차가 매우 작다. 특히, 식(2)에서 나타나는 바와 같이 커패시턴스의 변화는 제1 및 제2전극(136, 132)의 이격 거리(D)에 매우 민감하다는 것을 알 수 있다. 그런데, 제2전극(132)이 다양한 외부 요인에 의해 영향을 받을 수 있다. 즉, 상기 압력 측정 장치(100)의 핸들링 또는 중력의 영향으로 제2전극(132)의 위치가 변경되어 제1전극(136)과의 이격 거리(D)가 변화할 수 있다. 이와는 다르게, 상기 유체에 포함된 파우더 형태의 공정 부산물(P)로 인해 제2전극(132)의 탄성이 나빠지고, 이에 따라 유체의 압력이 정확하게 측정되지 않을 수 있다. 이는, 상기 출력 전압의 영점(zero)이 쉬프트되는 문제가 발생시킨다. 상기 영점의 쉬프트 때문에 주기적인 영점 조정을 실시하는 것이 필수적이다.
예를 들면, 기판 상에 실리콘 질화막(Si3N4)을 형성하기 위해서는 디클로로실란(SiH2Cl2)과 암모니아(NH3) 가스가 사용된다. 이 때, 공정 부산물로서 염화암모늄(NH4Cl2)이 발생된다. 상기 염화암모늄은 응축성을 갖기 때문에 파우더 형태로 생성되며, 압력 측정 유닛(110)에 유입되었을 때 제2전극(136) 상에 응집될 수 있다. 상기 응집된 염화암모늄은 제2전극(132)의 탄성을 악화시킨다. 이에 따라, 제1 및 제2전극(136, 132) 사이의 이격 거리(D)가 유체의 압력 변화에 따라 정확하게 변화되지 않고, 출력 전압의 영점은 지속적으로 쉬프트되는 현상이 나타난다.
따라서, 상기 염화암모늄과 같은 파우더형 공정 부산물(P)을 필터링하기 위한 필터 유닛(150)이 구비된다. 구체적으로, 필터 유닛(150)은 공정 챔버(10)와 압력 측정 유닛(110) 사이에 설치된다. 필터 유닛(150)은 필터(152)를 보호하기 위한 커버(154), 피팅(158)을 포함하며, 연결 배관(122)에 의해 압력 측정 유닛(110)과 일체형으로 조립될 수 있다.
필터 유닛(150)은 주기적인 교체를 필요로 하므로, 그 양 단부들은 분해 및 조립이 용이한 피팅(156)으로 연결될 수 있다. 특히, 상기 피팅(156)은 브이씨알 피팅(VCR?은 Swagelok Inc.의 등록 상표이다)을 채용하는 것이 바람직하다.
또한, 필터 유닛(150)을 주기적으로 교체하지 않을 경우에 작업자가 상기 필터(152)의 막힘 여부를 외부에서 확인할 수 있도록 커버(154)의 일측에는 확인창(156)이 형성되어 있다. 이 때, 확인창(154)은 투명한 재질의 플라스틱으로 형성될 수 있다.
상기와 같이, 파우더 형태의 공정 부산물(P)이 필터 유닛(150)에 의해 필터링됨으로써 압력 측정 유닛(110)으로 유입되는 것이 방지된다. 따라서, 상기 공정 부산물(P)의 축적되어 제2전극(136)의 탄성이 악화되어 사용 수명이 단축되는 문제를 해결할 수 있다.
이하에서는, 도 1의 압력 측정 장치를 갖는 진공 및 배기 시스템의 일 예를 설명하기로 한다.
도 2는 도 1의 압력 측정 장치를 갖는 수직형 화학 기상 증착 장치의 진공 및 배기 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 상기 진공 및 배기 시스템은 크게 배기 라인(220), 제1분기 라인(222) 및 제2분기 라인(224)을 포함한다.
일반적으로, 공정 챔버(210) 내부는 저압을 유지한 상태에서 반도체 기판에 대한 소정의 가공 공정이 진행된다. 반도체 기판 상에 소정의 막을 증착시키는 화학 기상 증착 공정의 경우, 증착되는 막질에 따라 다양한 반응 가스들이 사용된다. 선택된 반응 가스들은 공정 챔버(210) 내에서 서로 혼합되어 소정의 막을 형성하는 공정에 사용된 후 잔류 가스 형태로 남아 외부로 배출되는데, 상기 배출되는 가스를 배기 가스라 부른다.
배기 라인(220)의 일단은 공정 챔버(210)와 연결되고 그 타단은 스크러버(290)와 연결된다. 스크러버(290)는 상기 배기 가스를 처리하는 장치로, 특히 드라이 스크러버의 경우 할로겐족 화합물을 주로 사용하는 공정에서 널리 사용된다. 공정 챔버(210)의 배기 가스는 배기 라인(220)을 통해 외부로 배출된다.
진공 펌프(280)는 스크러버(290)로 연결되는 배기 라인(220) 상에 설치되며, 배기 라인(220)에 진공력을 제공하여 공정 챔버(210) 내의 미반응 가스 또는 반응 부산물을 스크러버(290)로 배출시킨다. 진공 펌프(280)는 크게 부스터 펌프와 드라이 펌프로 구성된다.
제1바라트론 게이지(230)는 공정 챔버(210)와 인접한 배기 라인(220) 상에 구비되어, 제1바라트론 게이지(230)는 상기 공정 챔버(210)의 내부 압력을 측정한다. 구체적으로, 제1바라트론 게이지(230)의 측정 범위는 0 내지 1000Torr로서, 대기압 및 진공 유무를 점검하며, 진공 펌프(280)에 의한 슬로우 펌핑율을 점검하게 된다.
제2바라트론 게이지(240)는 배기 라인(220) 상에 제1바라트론 게이지(230)와 이격되어 설치된다. 제2바라트론 게이지(240)도 공정 챔버(210)의 내부 압력을 측정한다. 구체적으로, 제2바라트론 게이지(240)는 공정 챔버(210)의 베이스 압력(base pressure)을 측정하며, 공정 챔버(210)에 누설이 발생하는지를 검사한다. 여기서, 제2바라트론 게이지(240)의 압력 측정 범위는 0 내지 1Torr이다.
제2바라트론 게이지(240)와 배기 라인(220) 사이에는 에어(air)의 공급 여부에 따라 개폐되는 제1에어 밸브(242)가 구비된다. 제1에어 밸브(242)는 제1바라트론 게이지(230)에 비해 측정 범위가 좁은 제2바라트론 게이지(240)가 높은 압력에 노출됨으로써 손상되는 것을 방지한다.
제1 및 제2바라트론 게이지(230, 240)는 도 1을 참조하여 기 설명된 부분들 과 동일한 구성을 가지므로 이에 대한 추가적인 상세 설명은 생략하기로 한다.
한편, 도 2에 도시된 바와 같이 공정 챔버(210)와 인접한 부위의 배기 라인(220) 상에는 피라니 게이지(250)가 구비된다. 피라니 게이지(250)는 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)를 이용하여 진공도를 측정한다. 구체적으로, 피라니 게이지(250)는 저압하에서 기체의 열전도율이 진공도(잔류 기체의 압력)에 비례하는 것을 이용한 것으로서, 공정 챔버(210)가 대기압 상태인지 또는 고압 상태인지를 확인한다.
제2바라트론 게이지(240)와 진공 펌프(280) 사이에는 제2에어 밸브(260)가 구비되어, 배기 라인(220)을 개방 또는 차단하는 기능을 한다. 제2에어 밸브(260)는 진공 펌프(280)를 이용하여 공정 챔버(210)를 빠른 시간 내에 진공 상태로 형성할 수 있다.
제2에어 밸브(260)와 진공 펌프(280) 사이에 구비되는 자동 압력 제어기(270)는 스로틀 밸브(throttle valve)의 개폐 정도를 조절하여 공정 챔버(210)의 압력을 조절한다. 자동 압력 제어기는 제1 및 제2바라트론 게이지(230, 240)에 의해 출력된 압력에 따라 연동하여, 공정 챔버(210)의 압력을 기 설정된 범위 내에서 유지시킬 수 있다.
한편, 제2바라트론 게이지(240)와 제2에어 밸브(260) 사이의 배기 라인(220)으로부터 제1 및 제2분기 라인(222, 224)이 분기된다. 제1분기 라인(222)은 제2에어 밸브(260)와 인접한 위치에서 분기되어 자동 압력 제어기(270)와 진공 펌프(280) 사이의 배기 라인(220)으로 연통된다. 제2분기 라인(224)은 제1분기 라인 (222)의 분기점과 제2바라트론 게이지(240) 사이에서 분기되어 진공 펌프(280)와 스크러버(290) 사이의 배기 라인(220)과 다시 연통된다. 제1 및 제2분기 라인(222)의 직경은 배기 라인(220)의 직경보다 작은 것이 바람직하다.
제3에어 밸브(262)는 제1분기 라인(222) 상에 구비되고, 진공 펌프(280)를 이용하여 공정 챔버(210)를 서서히 진공 상태로 만들 때 수동으로 개방되어 사용된다. 제4에어 밸브(264)는 제2분기 라인(224) 상에 구비되며, 공정 챔버(210)에서 소정의 기판 가공 공정이 종료된 후 내부 압력이 대기압 상태에 도달할 때, 피라니 게이지(250)의 신호에 의해 자동으로 개방된다. 따라서 공정 챔버(210) 내의 미 반응 가스 및 공정 부산물은 제2분기 라인(224)을 통해 배기된다.
이어서, 상기 진공 및 배기 가스 처리 장치가 작동하는 과정을 간략하게 설명하면 다음과 같다.
우선, 제1바라트론 게이지(230) 또는 피라니 게이지(250)에 의해 공정 챔버(210)의 압력 상태를 체크된다. 이때, 제1에어 밸브(242)는 제2바라트론 게이지(240)가 고압에 노출되지 않도록 차단된 상태이다. 공정 챔버(210)가 대기압 상태인 경우에는 공정 챔버(210)가 진공 상태로 형성된다.
이어서, 제2에어 밸브(260)가 차단되어 배기 라인(220)이 차단되고, 제2에어 밸브(260)가 개방되어 배기 라인(220)이 개방된 상태에서 진공 펌프(280)의 드라이 펌프(282) 또는 드라이 펌프(282) 및 부스터 펌프(284)가 동시에 작동하여 공정 챔버(210)가 펌핑된다.
여기서, 제2바라트론 게이지(240)에 의해 공정 챔버(210)의 베이스 압력이 체크되고 진공 누설 여부를 확인된다. 또한, 자동 압력 제어기(270)의 스로틀 밸브의 개폐 정도에 따라 조절되는 압력의 정상 여부도 점검된다.
공정 챔버(210) 내부 압력이 원하는 상태가 되면, 가스 제공부로부터 반응 가스가 유입되어 기판 가공 공정이 진행된다. 이때, 자동 압력 제어기(270)에 의해 공정 챔버(210)의 압력이 자동적으로 조절된다. 기판 가공 공정이 완료되면, 퍼지 가스(purge gas)가 공급되어 공정 챔버(210)의 압력이 대기압으로 형성된다.
이어서, 공정 챔버(210)의 대기압 상태가 피라니 게이지(250)에 의해 감지되면 제4에어 밸브(264)가 개방된다. 따라서, 상기 공정 중에 발생하는 반응 부산물을 포함하는 잔류 가스가 제2분기 라인(224)을 통해 배출된다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 압력 측정 유닛으로 유입되는 가스에 포함된 이물질이 필터 유닛에 의해 차단되기 때문에 측정 압력의 오차가 억제되고, 상기 압력 측정 유닛의 사용 수명이 연장될 수 있다.
더 나가서는, 상기 측정 압력의 오차로 인해 발생하는 공정 사고가 감소되고, 압력 측정 유닛의 수명 연장에 따라 기판 가공 장치의 가동율이 증가하고, 반도체 장치의 생산성이 향상될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 공정 챔버의 내부 압력을 측정하고 상기 측정된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력하기 위한 압력 측정 유닛; 및
    상기 공정 챔버와 상기 압력 측정 유닛 사이에 설치되며, 상기 압력 측정 유닛으로 유입되는 유체에 포함된 이물질을 필터링하기 위한 필터 유닛을 포함하는 공정 챔버의 압력 측정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 압력 측정 유닛은,
    평판 형상을 갖는 제1전극;
    상기 제1전극과 평행하게 배치되며, 상기 공정 챔버로부터 유입되는 유체의 압력에 의해 상기 제1전극으로부터의 이격 거리가 변화되는 제2전극;
    상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 개재되는 유전 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버의 압력 측정 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 필터 유닛은 상기 압력 측정 유닛과 일체형으로 조립되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버의 압력 측정 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 필터 유닛은 필터의 막힘 여부를 외부에서 확인할 수 있도록 투명한 재질로 형성된 확인창을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버의 압력 측정 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220058330A (ko) * 2020-10-31 2022-05-09 (주)에스디플렉스 순차적 공정 압력 측정 시스템

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