KR20060093411A - 액정표시소자 및 그 휘점 리페어 방법 - Google Patents

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KR20060093411A
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남승희
류순성
권오남
조흥렬
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엘지.필립스 엘시디 주식회사
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Abstract

본 발명은 상,하부 기판 합착공정 이후 액정셀 내부에 이물질이 확인되는 경우, 해당 지점의 기판을 식각하고 그 식각된 음각부분에 불투명 물질을 채워 불량 부위에서 투과하는 빛을 차단하여 휘점 불량을 극복하고자 하는 액정표시소자 및 휘점 리페어 방법에 관한 것으로, 특히 액정표시소자의 휘점 리페어 방법은 제 1 ,제 2 기판 사이에 액정층을 두고 두 기판을 대향합착하여 액정패널을 형성하는 단계와, 상기 액정패널에 대해 이물질 불량을 검사하는 단계와, 상기 이물질이 확인된 지점의 제 1 , 제 2 기판 중 어느 하나의 기판을 국부적으로 식각하여 음각영역을 형성하는 단계와, 상기 음각영역에 불투명 물질을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
휘점, 이물질, 리페어, 기판 식각

Description

액정표시소자 및 그 휘점 리페어 방법{Liquid Crystal Display Device And Method For Repairing Bright Spot Of The Same}
도 1a 내지 도 1c는 본 발명에 의한 휘점 리페어 과정을 나타낸 액정표시소자의 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 노광법에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 과정을 나타낸 공정단면도.
도 3은 인쇄법에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 과정을 나타낸 공정단면도.
도 4a 내지 도 4c는 습식식각에 의해 기판을 식각하는 과정을 나타낸 공정단면도.
도 5는 건식식각에 의해 기판을 식각하는 과정을 나타낸 공정단면도.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 기판 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
11 : 제 1 기판 12 : 제 2 기판
13 : 액정층 13a : 액정분자
30 : 이물질 40 : 레지스트 패턴
41 : 음각영역 42 : 에천트
45 : 잉크 50 : 인쇄롤
70 : 마스크 90 : AP 플라즈마 장치의 노즐
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 액정셀 내부의 이물질에 의해 발생하는 휘점불량을 제거하고자 하는 액정표시소자 및 그 휘점 리페어 방법에 관한 것이다.
최근, 계속해서 주목받고 있는 평판표시소자 중 하나인 액정표시소자는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비하는 액정에 전계를 가하여 광학적 이방성을 변화시키는 소자로서, 종래 음극선관(Cathode Ray Tube)에 비해 소비전력이 낮고 부피가 작으며 대형화 및 고정세가 가능하여 널리 사용되고 있다.
이러한 특성을 갖는 액정표시소자는 상부기판인 컬러필터(color filter) 기판과 하부기판인 TFT(Thin Film Transistor) 어레이 기판이 서로 대향되도록 합착되고, 그 사이에 유전 이방성을 갖는 액정층이 형성되는 구조로 구비되어, 화소 선택용 어드레스(address) 배선을 통해 수십 만개의 화소에 부가된 박막트랜지스터(TFT)를 스위칭 동작시켜 해당 화소에 전압을 인가해 주는 방식으로 구동된다.
상기와 같은 액정표시소자를 제조하기 위해서는, 크게 박막트랜지스터 어레이 기판 공정, 컬러필터 기판 공정, 액정셀 공정 등을 수행하여야 한다.
상기 박막트랜지스터 어레이 기판 공정은 증착(deposition) 및 포토리소그래피(photolithography), 식각(etching) 공정을 반복하여 유기 기판 상에 게이트 배 선, 데이터 배선, 박막트랜지스터 및 화소전극을 형성하는 공정이다.
그리고, 상기 컬러 필터 기판 공정은 블랙 매트릭스(black matrix)가 형성된 유기 기판 상에 일정한 순서로 배열되어 색상을 구현하는 적(Red), 녹(Green), 청(Blue)의 컬러필터층을 제작한 후, 공통전극용 ITO막을 형성하는 공정이다.
또한, 액정셀 공정은 박막 트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 어레이 기판 사이에 일정한 틈이 유지되도록 합착한 후, 그 틈 사이로 액정을 주입하여 액정층을 형성하는 공정이다.
이때, 상기 액정셀 공정 이전에 박막트랜지스터 어레이 기판 및 컬러필터 기판 상의 각종 회로 패턴의 동작상태를 테스트하고 불량화소를 검출하기 위해 테스트 공정을 수행한다.
화소의 불량에는 화소영역 별 색상 불량, 항상 백색을 표시하는 휘점 불량, 항상 블랙을 표시하는 암점 불량 등의 포인트 디펙트(point defect)와, 인접한 데이터 배선 간의 단락으로 인해 발생하는 라인 디펙트(line defect) 등이 있다.
이 때, 포인트 디펙트가 발견되면 레이저 리페어 기술을 이용해서 배선을 단선화시킴으로써 포인트 디펙트가 발견된 단위 화소를 암점화시키는 리페어 과정을 수행하여 제품을 양품화시킨다.
즉, 레이저를 이용하여 배선을 단락시켜 플로팅시킴으로써 화소전극에 데이터 신호가 인가되지 않도록 하여 해당 화소를 암점화시키는 것이다.
하나의 단위 화소에 불량이 발생할 경우, 그 점이 암점(흑)이면 주위 화소가 백(白)표시인 경우 눈에 띄지 않지만, 그 점이 휘점(백)이면 주위 화소가 흑(黑)표 시인 경우 심하게 눈에 띄므로, 불량 화소에 대해서 암점화시키는 것이 유리하다.
결국, 암점화된 단위 화소는 화상을 디스플레이하는 역할을 수행하지 못하나, 단위 화소 하나에 대해 암점처리된 것은 스펙-인(spec-in)이므로 다음 공정을 계속 수행할 수 있다.
그러나, 종래 기술에 의한 액정표시소자에 있어서, 상기 테스트 공정 이후에도 여전히 이물질이 존재하는 경우에는, 상기 이물질에 의해 배향막 인쇄시 인쇄성이 떨어져 이물 주변으로 프리틸트각(pretilt angle) 및 앵커링 에너지(anchoring energy)가 달라져 액정분자의 규칙적인 배열이 깨어지게 된다. 따라서, 이물 주변으로 빛샘이 발생하게 된다.
특히, 블랙 레밸(Black level)로 갈수록 이물질 주변의 빛샘이 상대적으로 두드러져 블랙 레밸에서 휘점불량으로 인식하게 된다. IPS 모드 액정표시소자에서와 같이 수평 전계에 의해 액정이 배열하는 경우에는, 이러한 휘점 불량이 고품격 액정표시소자를 만드는데 큰 제약이 되고 있다.
더욱이, 상,하부 기판 합착 이후, 셀 내부에 이물질이 확인되는 경우에는 이물질에 의해 발생하는 휘점 불량을 리페어하는 방법이 없었다.
또한, 이물질에 의한 휘점 불량의 크기는 수십 ㎛ 정도이므로 리페어 하기가 더더욱 용이하지 않다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 상,하부 기판 합착공정 이후 액정셀 내부에 이물질이 확인되는 경우, 해당 지점의 기판을 식각하고 그 식각된 음각부분에 불투명 물질을 채워 불량 부위에서 투과하는 빛을 차단하여 휘점 불량을 극복하고자 하는 액정표시소자 및 그 휘점 리페어 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자는 제 1 ,제 2 기판이 일정 간격을 갖고 합착되고, 상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 액정층이 형성된 액정패널과, 상기 액정패널 중 휘점이 발생된 지점의 제 1 또는 제 2 기판에 형성된 음각영역과, 상기 음각영역에 형성되는 불투명 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 또다른 목적을 달성하기 위한 본발명의 액정표시소자의 휘점 리페어 방법은 제 1 ,제 2 기판 사이에 액정층을 두고 두 기판을 대향합착하여 액정패널을 형성하는 단계와, 상기 액정패널에 대해 이물질 불량을 검사하는 단계와, 상기 이물질이 확인된 지점의 제 1 , 제 2 기판 중 어느 하나의 기판을 국부적으로 식각하여 음각영역을 형성하는 단계와, 상기 음각영역에 불투명 물질을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
즉, 액정표시소자의 기판 합착공정 이후 셀 내부의 이물질에 의한 휘점을 리페어하는 방법을 제안하고자 하는바, 상하부 기판이 합착된 상태에서 이물이 발생한 부위의 위치를 확인하여 기판을 국부적으로 음각화시키고 그 음각화된 영역에 불투명한 물질 이를테면, 잉크를 떨어뜨려 빛샘이 차단되도록 하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 블랙 레밸에서 빛 투과에 의한 휘점 불량을 원천적으로 제거할 수 있게 된다.
한편, 종래에서와 같이 하나의 화소영역 전체를 암점화시키는 것이 아니라 화소 내부의 일정 영역만을 부분 암점화하는 것이므로, 화이트 레밸에서의 암점 불량이 발생될 염려가 없다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시소자 및 그 휘점 리페어 방법에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본발명에 의한 액정표시소자는, 도 1c에 도시된 바와 같이, 이물질(30)에 의한 휘점 불량 지점의 기판에 음각영역을 형성하고, 그 음각영역에 잉크와 같은 불투명 물질(45)을 형성하여 암점화하는 것을 특징으로 한다. 도시하지는 않았으나, 상기와 같이 암점화 리페어가 완료된 액정패널의 기판 외측면에 편광필름을 부착하여 액정표시소자를 완성한다.
이 때, 기판을 식각하여 형성된 음각영역이 등방성인 경우에는 상기 음각영역 중 휘점이 발생된 지점에 한하여 불투명 물질을 국부적으로 형성하여 암점화하고, 상기 음각영역이 비등방성인 경우에는 상기 음각영역에 불투명 물질을 완전히 채워 암점한다.
제조방법을 통해 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 소자를 구동하기 위한 각종 패턴이 형성되어 있는 제 1 ,제 2 기판(11,12)을 대향합착하고 그 사이에 액정층(13)을 형성한다. 상기 제 1 ,제 2 기판의 가장자리에 형성되는 실런트(미도시)가 액정층이 외부로 흘러나오지 않도록 두 기판을 완전히 접착시키는 접착제 역할을 한다.
이 때, 상기 제 1 기판(11)은 박막트랜지스터 어레이 기판으로, 단위 화소를 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터에 연결되어 액정층을 구동하기 위한 전압을 인가하는 화소전극의 패턴(29)들이 형성되어 있다.
그리고, 상기 제 2 기판(12)은 컬러필터층 어레이 기판으로, 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(21)와, 상기 블랙 매트릭스 상에 색상을 구현하기 위한 R,G,B의 컬러필터층(22)과, 상기 컬러필터층의 표면을 평탄화하기 위해 형성되는 오버코트층(23), 또는 상기 제 1 기판(11)의 화소전극에 대향하여 액정층을 구동하기 위한 전압을 인가하는 공통전극(미도시)이 형성되어 있다.
그리고, 상기와 같은 패턴이 형성되어 있는 제 1 ,제 2 기판(11,12)의 내측면에는 배향막(미도시)이 형성되어 액정층의 초기배향 방향을 결정해준다.
이와같이 구성된 액정표시소자는 제 1 기판의 화소전극과 제 2 기판의 공통전극 사이에 형성되는 수직전계에 의해 액정분자(13a)들이 재배열됨으로써 화이트 또는 블랙의 이미지를 표시한다.
상기와 같은 액정표시소자는 제 1 ,제 2 기판(11,12)을 대향 합착하기 전에, 라인 디펙트(line defect) 및 포인트 디펙트(point defect) 등의 불량을 테스트하기 위해 MPS(Mass Production System) 테스트 공정을 거치게 된다.
이 때, 포인트 디펙트가 발견되면 포인트 디펙트가 발견된 단위 화소를 암점화시키는 리페어 과정을 수행하여 제품을 양품화시킨다.
그러나, 제 1 ,제 2 기판을 대향합착한 이후에도 액정패널 내부에 잔여하는 이물질에 의해 빛샘이 발생하는 문제점이 있었다. 즉, 이물질(30)에 의해 배향막 인쇄시 인쇄성이 떨어져 이물질 주변으로 액정분자(13a)의 규칙적인 배열이 깨어지게 되고 결국, 화상에 블랙이 표시되어야 함에도 불구하고 액정의 배열상태가 깨져버린 이물질 주변에서 휘점이 발생하게 되어 고품격 액정표시소자를 만드는데 큰 제약이 되고 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 단위 화소를 암점화하여 휘점 불량을 제거해야 할것인데, 제 1 ,제 2 기판을 합착한 이후이므로 단위 화소를 암점화할 방법이 없다.
따라서, 상기와 같은 휘점 불량을 제거하기 위해서 기판을 국부적으로 식각하여 음각화된 부분에 불투명 물질을 채워서 이물질이 발생한 부분을 암점화시키는 방법이 제안되었다.
구체적으로, 제 1 기판(11) 상에 포토레지스트를 도포하고 포토식각공정으로 패터닝하여 휘점 불량이 발생하는 부위만 부분적으로 오픈되도록 레지스트 패턴(40)을 형성한다. 참고로, 레지스트 패턴을 기판 전면에 형성하지 않고 리페어가 요구되는 부분에 한정 형성하는 것이 보다 바람직할 것인데, 이후 레지스트 패턴을 제거했을 때 잔여물에 의한 불량이 발생하지 않도록 하기 위함이다.
상기 레지스트 패턴(40)을 형성하는 방법은 포토식각공정을 적용하는 노광법과 인쇄롤을 이용하는 인쇄법이 있는데, 먼저 노광법은, 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(11)의 이물질 불량이 발생된 부분에 레지스트(40)를 도포하고(도 2a), 제 1 기판 상에 배치된 마스크(70) 상에서 광을 조사하여 상기 레지 스트(40)를 선택적으로 노광(exposure)한 뒤(도 2b), 노광된 레지스트(40)를 현상(develop)하여 패터닝하는 단계로 이루어진다(도 2c). 노광법에 적용되는 레지스트는 감광 특성을 가진 것을 사용한다.
그리고, 인쇄법은, 도 3에 도시된 바와 같이, 인쇄롤(80) 외주면에 일정한 패턴의 레지스트(40)를 전개하고, 상기 이물질 불량이 발생되는 부분의 제 1 기판(11) 상에 그대로 전사하는 단계로 이루어진다.
이 때, 노광법은 노광 장비 등 각종장비를 갖추어야 하므로, 장비가 차지하는 면적이 넓어지고 공정시간 및 공정비용도 많이 소비된다는 단점이 있고, 인쇄법은 막 두께가 약 10% 정도의 편차가 있어 해상도(resolution) 및 얼라인 정확도가 약한 단점이 있으나, 치수 정도가 그다지 엄격하지 않은 패턴 형성의 경우에는 인쇄법이 보다 용이하고 생산성이 뛰어나므로 바람직할 것이다.
상기에서와 같이, 제 1 기판(11) 상에 레지스트 패턴(40)을 형성한 후에는, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 레지스트 패턴(40)을 마스크로 제 1 기판(11)을 식각하여 휘점 불량이 발생되는 부분을 음각화한다.
기판을 식각하기 위한 방법으로는 습식식각 또는 건식식각이 있는데, 먼저 습식식각은, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 레지스트 패턴(40) 사이로 에천트(etchant,42)를 드롭시키고(도 4a), 드롭된 에천트에 의해 레지스트 패턴 사이로 노출된 제 1 기판을 식각한다(도 4b). 이후, 상기 에천트를 세정해내고 레지스트 패턴을 제거하면 제 1 기판(11)이 식각된 부분에 음각영역(41)이 형성된다(도 4c). 이 때, 에천트는 유리기판을 습식식각할 수 있는 불산(HF)을 사용한다.
그리고, 건식식각으로 기판을 식각할 수도 있는데, 도 5에 도시된 바와 같이, 플라즈마를 방사하는 AP 플라즈마(Atmospheric Pressure Plasma) 장치의 노즐(90)을 제 1 기판(11)으로 향하도록 하고 레지스트 패턴(40)을 마스크로 하여 제 1 기판(11)을 식각한다.
이때, 습식식각 중 드롭방식에 의한 식각을 일실시예로 설명하였고 건식식각중 AP 플라즈마 장비에 의한 식각을 일실시예로 설명하였는데, 상기 식각방법이 리페어가 요구되는 부분에 한정하여 기판을 식각할 수 있기 때문에 보다 효과적이다.
상기에서와 같이, 이물질(30)이 형성된 부분에 대응되도록 음각영역(41)을 형성한 후에는 레지스트 패턴(40)을 제거하고, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 음각영역(41) 내부에 불투명 물질 일예로, 잉크(45)를 떨어뜨려 휘점이 발생하는 부분을 암점화시킨다.
이 때, 도 6에 도시된 바와 같이, 음각영역(41)을 등방성(isotropic)으로 형성한 경우에는, 이물질(30)이 형성되어 리페어하고자 하는 영역보다 음각영역(41)이 크므로 잉크(45)로 음각영역을 완전히 채우지 않고, 리페어가 요구되는 영역에 한정하여 국부적으로 잉크를 드롭하여 암점화시킨다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 음각영역(41)을 비등방성(anisotropic)으로 형성한 경우에는, 이물질(30)이 형성되어 리페어하고자 하는 영역과 음각영역(41)의 사이즈가 거의 같으므로 잉크(45)로 음각영역을 완전히 채워서 암점화시킨다.
이와같이, 기판을 식각하여 음각화된 영역에 잉크가 채워지면 리페어하고자 하는 영역이 잉크에 의해 불투명하게 되어, 이물질 주변에서의 휘점불량을 원천적으로 제거할 수 있다. 또한, 액정패널 완성 후에도 액정셀 내부의 이물질에 의한 휘점 불량을 리페어할 수 있게 된다.
한편, 기판 표면 위에 잉크를 바로 드롭시키지 않고 기판이 식각된 음각영역에 드롭시키는 것은, 일반적으로, 기판의 두께가 0.7mm이고 불량화소의 크기가 0.1mm인 경우와 같이, 기판 두께가 불량화소 크기에 비해 너무 크기 때문에 불량화소 위에 잉크가 형성되더라도 효과적으로 불량화소 부분에서 빛이 새어 나오는 것을 막을 수가 없기 때문이다.
그리고, 종래의 리페어 과정에서는 단위 화소를 전부 암점화하여 휘점 불량을 해결함으로써 화이트 레밸에서의 암점 불량을 종종 유발시켰으나, 본 발명에서는 단위 화소 중에서 이물질이 위치한 부분만을 부분적으로 암점화하기 때문에 화이트 레밸에서의 암점불량도 동시에 해결하게 된다.
이때, 액정표시소자는 노말리 블랙 타입(normally black type)인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 단위 화소가 암점이 되면 주위 화소가 백(白)표시인 경우 눈에 띄지 않게 되므로, 화상표시시 화상품질에 끼치는 영향이 미비하기 때문이다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
즉, 상기 실시예에서는 박막트랜지스터가 형성되어 있는 제 1 기판에 한해서 식각하는 것으로 설명하였으나, 제 1 기판에 한정하지 않고 제 2 기판을 식각하여 휘점 불량을 리페어할 수도 있을 것이다.
상기와 같은 본 발명의 액정표시소자 및 그 휘점 리페어 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 기판의 음각영역에 형성된 불투명 물질에 의해 빛이 차단되므로, 이물질 주변에서의 빛 투과에 의한 휘점불량을 원천적으로 제거할 수 있다.
둘째, 액정패널 완성 후에도 액정셀 내부의 이물질에 의한 휘점 불량을 리페어할 수 있게 된다.
셋째, 종래의 리페어 과정에서는 단위 화소영역 전체를 암점화하여 휘점 불량을 해결하였으나, 본 발명에서는 단위 화소영역 중에서도 이물질이 위치한 최소한 영역만 부분 암점화함으로써 암점화된 영역을 최소화할 수 있다.

Claims (12)

  1. 제 1 ,제 2 기판이 일정 간격을 갖고 합착되고, 상기 제 1 ,제 2 기판 사이에 액정층이 형성된 액정패널과,
    상기 액정패널 중 휘점이 발생된 지점의 제 1 또는 제 2 기판에 형성된 음각영역과,
    상기 음각영역에 형성되는 불투명 물질을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 불투명 물질은 잉크인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 음각영역이 등방성인 경우, 상기 음각영역 중 휘점이 발생된 지점에 한하여 불투명 물질이 국부적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 음각영역이 비등방성인 경우, 상기 음각영역에 불투명 물질이 완전히 채워지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 제 1 ,제 2 기판 사이에 액정층을 두고 두 기판을 대향합착하여 액정패널을 형성하는 단계와,
    상기 액정패널에 대해 이물질 불량을 검사하는 단계와,
    상기 이물질이 확인된 지점의 제 1 , 제 2 기판 중 어느 하나의 기판을 국부적으로 식각하여 음각영역을 형성하는 단계와,
    상기 음각영역에 불투명 물질을 채우는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 휘점 리페어 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 불투명 물질로 잉크를 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 휘점 리페어 방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 음각영역을 등방성으로 형성하는 경우, 상기 음각영역 중 리페어가 요구되는 영역에 한하여 불투명 물질을 국부적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 휘점 리페어 방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 음각영역을 비등방성으로 형성하는 경우, 상기 음각영역에 불투명 물질을 완전히 채우는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 휘점 리페어 방법.
  9. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 식각은 습식식각 또는 건식식각으로 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 휘점 리페어 방법.
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 식각은 드롭방식에 의한 습식식각으로 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 휘점 리페어 방법.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 식각은 AP 플라즈마 장비를 이용한 건식식각으로 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 휘점 리페어 방법.
  12. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판을 식각하는 단계에서,
    상기 기판 상에 레지스트 패턴을 형성하여 이를 마스크로 사용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 휘점 리페어 방법.
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