KR20060085988A - Apparatus for processing a substrate - Google Patents
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Abstract
개시된 퍼니스형 웨이퍼 가공 장치는 웨이퍼들에 대한 가공 공정이 수행되는 공정 챔버와 상기 웨이퍼들을 대기시키기 위한 로드록 챔버와 상기 공정 챔버 및 로드록 챔버 사이에서 이동 가능하도록 설치되는 보트를 구비한다. 상기 보트에 상기 웨이퍼들을 복층으로 수납시키기 위한 이송 장치가 상기 로드록 챔버에 배치된다. 상기 이송 장치에 대한 티칭(teaching) 작업이 이루어지는 클린룸(clean room)의 서비스 지역(service area)에 인접하여 상기 로드록 챔버의 외측에 배치되는 이송장치 정지수단은 상기 티칭 작업 중에 상기 이송 장치의 동작을 정지시킨다. 따라서, 작업자가 티칭 작업을 효율적으로 수행할 수 있으며, 티칭 작업 시간을 단축시킬 수 있다.The disclosed furnace type wafer processing apparatus includes a process chamber in which a processing process for wafers is performed, a load lock chamber for waiting the wafers, and a boat installed to be movable between the process chamber and the load lock chamber. A transfer device for storing the wafers in multiple layers in the boat is arranged in the load lock chamber. The transfer device stop means disposed outside the load lock chamber adjacent to the service area of a clean room in which the teaching operation for the transfer device is performed is performed by the transfer device during the teaching operation. Stop the operation. Therefore, the operator can perform the teaching work efficiently, and can shorten the teaching work time.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 이송 장치 및 보트를 설명하기 위한 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view for explaining the transport apparatus and the boat shown in FIG. 1.
도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 가공 장치가 클린룸 내에 배치된 형태를 나타내는 개략적인 평면도이다.FIG. 3 is a schematic plan view showing a form in which the wafer processing apparatus shown in FIG. 1 is disposed in a clean room.
도 3은 도 1에 도시된 이송장치 정지수단을 설명하기 위한 구성도이다.3 is a configuration diagram for explaining the transfer device stop means shown in FIG.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : 베이(bay) 15 : 분리벽10 bay 15 partition wall
18 : 출입구 20 : 서비스 지역(service area)18: entrance 20: service area
100 : 웨이퍼 가공 장치 110 : 공정 챔버100
112 : 종형로 120 : 제1로드록 챔버112: vertical type 120: first load lock chamber
122 : 전면(front surface) 130 : 제2로드록 챔버122: front surface 130: second load lock chamber
160 : 이송 장치 162 : 로봇암(robot arm)160: transfer device 162: robot arm (robot arm)
170 : 로더부 180 : 보트(boat)170: loader portion 180: boat (boat)
192 : 이송장치 정지수단 194 : 제1정지 버튼192: stop means for conveying device 194: first stop button
196 : 제2정지 버튼 198 : 경보부196: second stop button 198: alarm unit
본 발명은 웨이퍼 가공 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 확산(diffusion) 설비와 같은 반도체 제조를 위한 웨이퍼 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing apparatus. More particularly, it relates to a wafer processing apparatus for semiconductor manufacturing, such as diffusion equipment.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 웨이퍼로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하는 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a Fab process for forming an electrical circuit on a silicon wafer used as a semiconductor wafer, a process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process, and the semiconductor devices are epoxy It is manufactured through a package assembly process for encapsulating and individualizing with resin.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면 또는 상기 막의 성분 및 농도 등을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a wafer, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern using the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the wafer, a cleaning process for removing impurities on the wafer, and a process for forming the film or pattern An inspection process for inspecting the surface or the composition and concentration of the film, and the like.
상기 증착 공정은 기체 상태의 소스(source)로부터 특정 원자나 분자를 고상화시켜 필요한 박막을 형성하는 공정을 통칭한다. 반도체 장치의 제조에는 다결정 실리콘막, 산화막, 질화막, 금속막 등의 다양한 박막이 포함되며, 이러한 박막은 증착 공정에 의해 형성된다. 상기 증착 공정의 방법은 크게 물리 기상 증착 및 화 학 기상 증착 등이 있다. 상기 물리 기상 증착(physical vapor deposition; PVD)은 소스로부터 다른 성분이 더하거나 감해지지 않고 상변환 과정만을 통해 증착된다. 반면에, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD)은 소스의 화학 반응을 수반하여 막이 증착된다.The deposition process generally refers to a process of solidifying specific atoms or molecules from a gaseous source to form a required thin film. The manufacture of a semiconductor device includes various thin films, such as a polycrystalline silicon film, an oxide film, a nitride film, and a metal film, which are formed by a deposition process. Methods of the deposition process are largely physical vapor deposition and chemical vapor deposition. The physical vapor deposition (PVD) is deposited only through a phase conversion process without adding or subtracting other components from the source. On the other hand, chemical vapor deposition (CVD) involves the deposition of a film along with the chemical reaction of the source.
상기 화학 기상 증착은 증착 압력에 따라 상압 CVD, 고압 CVD, 저압 CVD로 분류된다. 이 중에서, 상기 저압 CVD 공정은 진공 상태에서 가스를 반응시켜 반도체 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 공정이다. 상기 저압 CVD 공정을 수행하기 위한 장치는 퍼니스(furnace)형이며, 다수매의 웨이퍼들이 퍼니스형의 반응기 내에 로딩되어 일괄적으로 상기 웨이퍼 상에 막을 증착할 수 있도록 구성된다.The chemical vapor deposition is classified into atmospheric pressure CVD, high pressure CVD, and low pressure CVD depending on the deposition pressure. Among these, the low pressure CVD process is a process of depositing a thin film on a semiconductor wafer by reacting a gas in a vacuum state. The apparatus for performing the low pressure CVD process is furnace type and is configured such that a plurality of wafers can be loaded into the furnace type reactor to deposit films on the wafers in a batch.
미합중국 특허 제4,955,775(issued to Ohkase, et al.)에는 수직형 열처리로를 갖고 불순물 확산(impurity diffusion) 공정, 열산화(thermal oxidation) 공정, 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정 등을 수행하기 위한 박막 형성 장치가 개시되어 있다.U.S. Patent No. 4,955,775 (issued to Ohkase, et al.) Has a vertical heat treatment furnace and performs an impurity diffusion process, a thermal oxidation process, a chemical vapor deposition (CVD) process, and the like. A thin film forming apparatus is disclosed.
상기와 같은 반도체 제조용 확산 설비는 수직형 열처리로의 반응 튜브 내로 반응 가스를 주입시키고, 보트(boat)에 적재되어 상기 반응 튜브 내로 진입된 웨이퍼들이 히터에 의해 가열되는 구성을 갖는다. 히터 열에 의하여 분해된 반응 가스는 웨이퍼의 표면에서 결합되면서 웨이퍼 상에 원하는 막을 형성하게 된다. 여기서, 상기 웨이퍼들은 다수의 로봇암(robot arm)을 갖는 이송 장치에 의해 상기 보트에 일정한 간격으로 형성된 슬롯(slot)에 수평 상태로 적재된다. 8인치 웨이퍼의 경우, 상기 보트는 통상 150매 정도의 웨이퍼들을 수납하도록 되어 있다. Such a diffusion apparatus for manufacturing a semiconductor has a configuration in which a reaction gas is injected into a reaction tube of a vertical heat treatment furnace, and wafers loaded into a boat and entered into the reaction tube are heated by a heater. The reaction gas decomposed by the heater heat is combined at the surface of the wafer to form a desired film on the wafer. Here, the wafers are loaded horizontally in slots formed at regular intervals in the boat by a transfer device having a plurality of robot arms. In the case of 8-inch wafers, the boat is typically designed to hold about 150 wafers.
그런데, 상기 이송 장치가 상기 보트에 웨이퍼들을 적재하는 과정에서 문제가 발생할 수 있다. 일 예로, 상기 보트의 I번째 슬롯에 웨이퍼가 수납되어 있는 상태에서, 상기 이송 장치가 다시 상기 I번째 슬롯에 다른 웨이퍼를 로딩시키는 경우 상기 웨이퍼들이 서로 충돌하여 파손될 수 있다. 이는 이송 장치의 동작이 기 설정된 위치로부터 미세하게 틀어져 발생하거나 상기 I번째 슬롯에 안착된 상기 웨이퍼를 감지하지 못하여 일어날 수 있다. 이 때, 작업자는 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 상기 이송 장치를 수동으로 조작함으로써 상기 이송 장치의 틀어짐을 바로잡는 티칭(teaching) 작업을 수행한다. 일반적으로, 상기 이송 장치의 티칭 작업은 상기 웨이퍼 가공 장치의 배면(rear surface)과 연결되는 클린룸(clean room)의 서비스 지역(service area)에서 수행된다. 그런데, 상기 티칭 작업 중에 상기 이송 장치를 정지시키는 제어 버튼이 상기 웨이퍼 가공 장치의 전면(front surface)에만 설치되어 있어 상기 서비스 지역에서 수행되는 티칭 작업이 효율적으로 이루어지지 못하는 문제점이 있다.However, a problem may occur while the transfer device loads wafers into the boat. For example, when the wafer is stored in the I-th slot of the boat, when the transfer device loads another wafer into the I-th slot, the wafers may collide with each other and be damaged. This may occur because the operation of the transfer device is finely distorted from the preset position or may not detect the wafer seated in the I-th slot. At this time, the operator performs a teaching operation to correct the misalignment of the conveying device by manually operating the conveying device to solve the above problem. In general, the teaching operation of the transfer device is performed in a service area of a clean room connected to the rear surface of the wafer processing device. However, a control button for stopping the transfer device is installed only at the front surface of the wafer processing apparatus during the teaching operation, thereby preventing the teaching operation performed in the service area from being efficiently performed.
따라서, 본 발명의 목적은 이송 장치의 티칭 작업을 효율적으로 수행할 수 있도록, 상기 이송 장치의 수동 조작 수단이 클린룸의 서비스 지역에 인접한 설비의 후면에 배치되어 있는 웨이퍼 가공 장치를 제공하는 데에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a wafer processing apparatus in which the manual operation means of the transfer apparatus is arranged on the rear side of a facility adjacent to the service area of the clean room so that the teaching operation of the transfer apparatus can be efficiently performed. have.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면 따른 웨이퍼 가공 장치는 웨이퍼들에 대한 가공 공정을 수행하기 위한 공정 가스가 공급되며 일측이 개 방된 퍼니스 형태를 갖는 공정 챔버와, 상기 개방된 공정 챔버의 일측에 연결되며 상기 웨이퍼들을 대기시키기 위한 로드록 챔버와, 상기 공정 챔버와 로드록 챔버 사이에서 이동 가능하도록 설치되며 상기 웨이퍼들을 수납하여 상기 공정 챔버에 반입시키기 위한 보트와, 상기 로드록 챔버에 배치되며 상기 웨이퍼들을 상기 보트에 복층으로 수납시키기 위한 이송 장치와, 상기 이송 장치에 대한 티칭 작업이 이루어지는 클린룸의 서비스 지역에 인접하여 상기 로드록 챔버의 외측에 배치되며, 상기 티칭 작업 중에 상기 이송 장치의 동작을 정지시키기 위한 이송장치 정지수단을 포함한다.Wafer processing apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above object is a process chamber which is supplied with a process gas for performing a processing process for the wafers and has a furnace form open on one side, and the open process chamber A load lock chamber connected to one side of the wafer and configured to move between the process chamber and the load lock chamber, the boat configured to receive the wafers into the process chamber, and to the load lock chamber; A transfer device arranged to receive the wafers in multiple layers in the boat, and an outer side of the load lock chamber adjacent to a service area of a clean room where teaching work is performed on the transfer device; A conveying device stopping means for stopping the operation of the device.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이송장치 정지수단은 상기 이송 장치의 구동을 즉각적으로 정지시키기 위한 제1정지 버튼과, 정지시키고자 하는 시점에서 구동 중인 상기 이송 장치의 동작이 완료된 후에 상기 이송 장치의 구동을 정지시키기 위한 제2정지 버튼을 포함할 수 있다. 또한, 상기 이송장치 정지수단은 상기 이송 장치의 비정상적인 구동시 점멸하는 경보 램프 및 경보 발신부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the transfer device stop means includes a first stop button for immediately stopping the driving of the transfer device, and the transfer after the operation of the transfer device being driven at the time to stop is completed. And a second stop button for stopping the driving of the device. In addition, the conveying device stop means may include an alarm lamp and an alarm transmitting unit that blinks during abnormal driving of the conveying device.
따라서, 작업자가 상기 웨이퍼 가공 장치의 이송 장치에 대한 티칭 작업을 용이하게 수행할 수 있다.Therefore, the worker can easily perform the teaching operation for the transfer device of the wafer processing apparatus.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 가공 장치의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the wafer processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 1 is a schematic diagram illustrating a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 상기 웨이퍼 가공 장치(100)는 일측이 개방된 종형로(vertical type furnace, 112)를 포함하는 공정 챔버(110)와, 상기 공정 챔버(110)의 개방된 일측과 연결되고, 상기 가공 공정이 수행되는 웨이퍼들을 대기시키기 위한 로드록 챔버(140)와, 상기 로드록 챔버(140)에서 상기 웨이퍼들을 수납하여 상기 공정 챔버(110)로 반입하기 위한 보트(180)와, 상기 웨이퍼들을 카세트(C)로부터 상기 보트(180)로 이송하기 위한 이송 장치(160)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the
로드록 챔버(140)는 제1로드록 챔버(120)와 제2로드록 챔버(130)로 이루어지고, 제2로드록 챔버(130)는 제1트랜스퍼 챔버(130a) 및 제2트랜스퍼 챔버(130b)로 구성된 형태를 갖는다.The
제1로드록 챔버(120)의 전면에는 작업자가 다수의 웨이퍼가 적재된 카세트(C)를 로딩하기 위한 로더부(170)가 형성된다. 로더부(170)는 웨이퍼의 운반용 용기, 즉 카세트(C)를 시스템에 대해 출입시키기 위한 공간이다. 로더부(170)는 제1로드록 챔버(120)의 일 측벽, 즉 전면(front surface, 122)에 배치된 개폐 게이트가 부착된 출입구(172)와, 출입구(172) 근방에 배치되고 카세트(C)를 탑재하기 위한 탑재대(174)를 포함한다. 카세트(C) 내에는 동일 치수, 예를 들면 8인치의 웨이퍼 25장이 수직으로 세운 상태로 수납될 수 있다. 상기 탑재대(174)에는 카세트(C)를 전후에서 가압하는 가압부(176, 178)와, 카세트(C) 내의 웨이퍼의 오리엔테이션 플랫(orientation flat) 정렬을 하는 플랫존 정렬기(도시되지 않음)등이 배치된다. 탑재대(172)는 수직으로 회전 가능하게 배치되고, 카세트(C) 내부의 웨이퍼가 수직 상태에서 수평 상태로 되도록 카세트(C)를 90도 회전시킬 수 있다.
On the front surface of the
제1로드록 챔버(120) 내에는 승강 동작과 수평면 내에서의 왕복 동작 및 선회 동작이 가능한 복수, 일 예로 5개(도 1에서는 그 일부만을 도시함)의 로봇암(162)을 갖는 이송 장치(160)가 배치된다. 이송 장치(160)의 주위에는 탑재대(172)와 카세트(C)를 수납 배치하기 위한 카세트 배치 선반(도시되지 않음)과, 웨이퍼의 탑재 이송부가 되는 제2로드록 챔버(130)의 제1트랜스퍼 챔버(130a)가 대략 동심원 상으로 배치된다. 이송 장치(160)의 로봇암(162)은 웨이퍼를 한 장씩 탑재하여 운반하는 지지부(도시되지 않음)를 가질 수 있다. 상기 로봇암(162)에 의해 카세트 배치 선반 상의 카세트(C)와 웨이퍼 탑재 이송부인 제1트랜스퍼 챔버(130a) 내의 보트(180) 사이에서 웨이퍼(W)가 운반된다.In the
탑재대(174), 이송 장치(160) 및 카세트 배치 선반 등이 존재하는 제1로드록 챔버(120)의 공간은 제2로드록 챔버(130)를 거쳐 종형 열처리로(112)에 접속된다. 상기 제1로드록 챔버(120)는 예비 진공실로서 기능함과 동시에, 열처리용의 석영으로 제조된 보트(180)에 대하여 웨이퍼(W)를 출입시키기 위한 탑재 이송부로서 기능한다. 상기 보트(180)에는 동일 치수, 예컨대 8인치 150장의 웨이퍼(W)들이 서로 일정한 간격을 두고 적층되는 복층(multiple stages) 방식으로 지지될 수 있다. 보트(180)는 다수의 웨이퍼들(W)을 적재한 상태로 상기 종형 열처리로(112)로 운반되어, 열처리 공정 중에 상기 웨이퍼들(W)을 지지한다.The space of the first
여기서, 제1트랜스퍼 챔버(130a)는 이송 장치(160)를 사이에 탑재대(172)와 대향하는 위치로 배치된다. 제1로드록 챔버(120)의 이송 장치(160)와 인접한 제1트랜스퍼 챔버(130a)의 측면에는 로드록 도어(136)가 부착된 개구가 형성된다. 또한, 제1트랜스퍼 챔버(130a)의 다른 측면에는 게이트 밸브(138)를 거쳐 제2트랜스퍼 챔버(130b)가 연결된다.Here, the
상기 제1로드록 챔버(120)의 후방부 상측에는 하부에 입구(114)를 갖는 종형 열처리로(112)가 배치된다. 상기 제2로드록 챔버(130)는 열처리로(112) 하방의 로딩 구역(작업 영역)을 구성한다. 제1 및 제2로드록 챔버(120, 130)는 열처리로(112)의 열처리시에 있어서의 진공도, 일 예로 1Torr와 거의 동일한 진공도까지 감압 설정할 수 있게 된다.A vertical
제1트랜스퍼 챔버(130a)는 게이트 밸브(138)를 열어 제2트랜스퍼 챔버(130b)와 연통하기에 앞서 제2트랜스퍼 챔버(130b)와 동일한 압력으로 설정된다. 또한, 상기 제1트랜스퍼 챔버(130a)는 게이트 밸브(138)를 닫은 상태로 제1로드록 챔버(120)의 로드록 도어(136)를 열어 제1로드록 챔버(120)내의 압력(대기압)으로 설정된다.The
상기 열처리로(112)의 하방에는 그 입구를 개폐하는 덮개(117)가 승강 기구의 승강암(118)에 의해 승강 가능하도록 배치된다. 덮개(117)의 상부에는 석영으로 된 보온통(116)을 거쳐 보트(180)가 탑재된다. 상기 제2로드록 챔버(130)내의 제2트랜스퍼 챔버(130b)에는 보트(180)를 보온통(116) 상에서 상기 제1트랜스퍼 챔버(130a)로 또는 그 반대로 운반하기 위한 운반기구(150)가 배치된다.Under the
도 2는 도 1에 도시된 이송 장치(160) 및 보트(180)를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.FIG. 2 is a schematic perspective view illustrating the
도 2를 참조하면, 보트(180)는 상하에 대향하여 배치된 천정판(181) 및 바닥 판(182)을 구비한다. 천정판(181)과 바닥판(182) 사이에는 다수개, 예를 들면 4개의 지주(183)가 고정된다. 상기 지주들(183a, 183b) 사이에는 웨이퍼(W)의 입구, 즉 로봇암(162)의 진입구가 형성된다. 보트(180)에 150장의 웨이퍼(W)를 한꺼번에 유지하게 위한 150단의 슬롯(184, 도 2에서는 일부만을 도시함)이 지주(183)에 형성된다. 각 웨이퍼(W)는 그 주연부가 상기 지주의 슬롯(184)에 삽입된 상태로 수평으로 유지된다.Referring to FIG. 2, the
이송 장치(160)의 각 로봇암(162)의 지지부(164)는 왕복 이동 방향(X방향)을 따라 수평으로 연장되어 나오는 얇은 플레이트들로 이루어지며, 웨이퍼(W)를 소정 위치에 탑재할 수 있도록 상면에 오목부(도시되지 않음)를 갖는다. 상기 로봇암(162)이 5단 배치될 경우, 동시에 5장의 웨이퍼(W)를 운반할 수 있다.The
여기서, 이송 장치(160)는 이송암(162)을 각각 X, θ, Z 방향으로 구동하기 위한 X 구동부(165), θ구동부(166), Z 구동부(167)를 갖는다. X 구동부(165)는 로봇암(162)을 지지하는 베이스(168) 상에서 이송암을 수평 방향(X방향)으로 진퇴시킨다. θ구동부(166)는 모든 로봇암(162)을 베이스(168)와 함께 수직축 둘레(θ방향)로 일체적으로 회전시킨다. Z 구동부(167)는 모든 로봇암(162)을 베이스(168)와 함께 수직 방향(Z방향)으로 일체 이동시킨다. 상기 구동부들(165, 166, 167)은 제어부(190)에 의해 제어되고, 이송 장치(160)의 로봇암(162)의 동작은 제어부(190) 내에 설정된 구동 좌표계에 따라 운동한다.Here, the
이에 따라, 이송 장치(160)는 카세트(C)와 보트(180) 사이를 왕복하며 카세트(C)들에 수납된 웨이퍼(W)를 보트(180)에 인입하거나 또는 보트(180)로부터 인출 하게 된다. 이때, 보트(180)는 대량의 웨이퍼(W)를 동시에 수납할 수 있도록 슬롯(184)의 간격이 매우 좁게 형성되어 있기 때문에, 이송 장치(160)의 로봇암(162)들이 웨이퍼들(W)을 상기 슬롯(184)에 안정적으로 인입시킬수 있도록 기 설정된 구동 좌표에 따라 정확하게 운동해야 한다. 따라서, 로봇암(162)이 기 설정된 구동 좌표로부터 벗어나 공정 사고가 발생하는 것을 방지하게 위하여, 상기 웨이퍼 가공 장치(100)를 담당하는 작업자는 상기 설정된 구동 좌표를 주기적으로 점검해 주어야 하는데, 이를 로봇 티칭(robot teaching) 작업이라 부른다. 티칭 작업은 통상적으로 상기 웨이퍼 가공 장치(100)의 전기적 또는 기계적인 구동을 제어하는 다수의 배선, 제어 장치 및 밸브들이 배치되는 제2로드록 챔버(130)의 배면(rear surface, 도 1의 참조번호 132)에서 이루어진다. 제어부(190) 역시 여기에 설치되는 것이 일반적이다.Accordingly, the
도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 가공 장치(100)가 클린룸 내에 배치되는 모습을 나타내기 위한 개략적인 평면도이다.FIG. 3 is a schematic plan view for illustrating a state in which the
도 3을 참조하면, 로더부(170)를 포함하는 상기 웨이퍼 가공 장치(100)의 전면(122)은 클린룸에서 작업자의 작업 공간이 되는 베이(10) 방향으로 돌출되도록 배치되어 있다. 따라서, 작업자는 베이(10) 내에서 카세트(C) 로딩 또는 언로딩 작업을 수행한다. 또한, 상기 웨이퍼 가공 장치(100)의 배면(132)은 작업자가 웨이퍼 가공 장치(100)의 보수 유지 작업을 수행하기 위한 클린룸의 서비스 지역(service area, 20)내로 돌출되어 있다. 일반적으로 상기 서비스 지역(20)은 상기 보수 유지 작업 등으로 인하여 파티클의 발생 빈도가 높기 때문에 상기 베이(10)와 분리벽 (15)으로 분리되어 있으며, 작업자가 상기 서비스 지역(10)으로 진입하기 위해서는 별도의 출입구(18)를 통과하도록 되어 있다. 따라서, 작업자는 서비스 지역(20)으로 진입하여 상기 티칭 작업을 수행한다.Referring to FIG. 3, the
한편, 상기 로봇암(162)이 웨이퍼들(W)을 이송하는 과정에서 발생될 수 있는 웨이퍼 파손을 방지하기 위하여 여러 가지 감지 수단이 설치될 수 있다. 예를 들면, 상기 로봇암(162)의 일단에 센서(도시되지 않음)가 장착되어 상기 로봇암(164)이 웨이퍼를 보트(180)의 소정의 슬롯(184)에 삽입하기 전에 상기 슬롯(184)에 기 안착된 웨이퍼(W)가 있는지를 감지할 수 있다. 이와는 다르게, 보트(180)와 인접하게 맵핑 센서(mapping sensor)를 설치하여 상기 로봇암(162)이 웨이퍼(W)를 삽입하기 전에 이미 웨이퍼(W)가 적재되지 있지 않은 슬롯(184)들을 파악하여 로봇암(162)이 상기 슬롯(184)들에만 웨이퍼(W)를 삽입하게 할 수도 있다.Meanwhile, various sensing means may be installed to prevent wafer breakage that may occur in the process of transferring the wafers W by the
상기와 같은 감지 수단에 의해서 이송 장치(160)의 비정상적인 구동을 방지할 수 있다. 이송 장치(160)가 비정상적으로 동작할 경우에는 이송 장치(160)의 구동을 정지시키는 인터록(interlock) 시스템이 작동한다. 이때, 이송 장치(160)의 이상 여부를 진단하고, 이송 장치(160)의 구동 좌표를 바로잡기 위하여 티칭 작업을 실시한다.Abnormal driving of the
도 4를 참조하면, 티칭 작업시에는 이송 장치(160)의 동작을 정지시키기 위한 이송장치 정지수단(192)이 사용된다. 이송장치 정지수단(192)은 작업자가 이송 장치(160)에 대한 티칭 작업이 이루어지는 클린룸의 서비스 지역(20)에 인접하게 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 서비스 지역(20)과 연결되는 웨이퍼 가공 장치(100)의 배면(132)의 소정 부위에 장착될 수 있다.Referring to FIG. 4, in the teaching operation, a conveying device stopping means 192 for stopping the operation of the conveying
구체적으로, 이송장치 정지수단(192)은 이송 장치(160)의 구동을 즉각적으로 정지시키기 위한 제1정지 버튼('STOP' button, 194)과 작업자가 이송 장치(160)를 정지시키고자 하는 시점에서 수행 중인 이송 장치(160)의 동작이 완료된 후에 이송 장치(160)의 구동을 정지시키기 위한 제2정지 버튼('PAUSE' button, 196)을 포함할 수 있다. 또한, 작업자 티칭 작업 중에 이송 장치(160)의 구동 이상을 즉시 인지할 수 있도록 상기의 인터록 시스템에 의한 경보 램프 및 경보음을 발생시키는 경보부(198)가 이송장치 정지수단(192)에 연결될 수 있다.Specifically, the transfer device stop means 192 is a first stop button ('STOP' button) 194 for immediately stopping the driving of the
상기와 같은 본 발명에 따르면, 티칭 작업을 위한 이송장치 정지수단을 퍼니스형 웨이퍼 가공 장치의 배면, 즉 통상적으로 티칭 작업이 수행되는 클린룸의 서비스 지역(service area)과 연결되는 웨이퍼 가공 장치의 측면에 장착함으로써 상기 티칭 작업을 효율적으로 수행할 수 있다.According to the present invention as described above, the side of the wafer processing apparatus is connected to the back of the furnace-type wafer processing apparatus, that is, the service device for the teaching operation is connected to the service area of the clean room where the teaching operation is normally performed. By mounting on the teaching operation can be performed efficiently.
더 나아가서, 티칭 작업 시간이 단축되어 웨이퍼 가공 장치의 가동율을 향상시킬 수 있다.Furthermore, the teaching work time can be shortened to improve the operation rate of the wafer processing apparatus.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020050006707A KR20060085988A (en) | 2005-01-25 | 2005-01-25 | Apparatus for processing a substrate |
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KR1020050006707A KR20060085988A (en) | 2005-01-25 | 2005-01-25 | Apparatus for processing a substrate |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100807032B1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Wafer and a method of making thereof |
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2005
- 2005-01-25 KR KR1020050006707A patent/KR20060085988A/en not_active Application Discontinuation
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