JP6176732B2 - Gas supply unit, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、シリコン基板等の基板処理技術に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造装置や製造方法において、半導体集積回路が作り込まれる半導体基板（例えば、半導体ウエハ）に酸化膜、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜等を堆積（デポジション）して成膜等の処理を行ううえで有効な基板処理技術に関する。 The present invention relates to a substrate processing technology such as a silicon substrate, and, for example, in a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC) manufacturing apparatus or manufacturing method, a semiconductor substrate (for example, a semiconductor wafer) on which a semiconductor integrated circuit is formed. The present invention relates to a substrate processing technique that is effective in depositing (depositing) an oxide film, a polysilicon film, a silicon nitride film, and the like to perform processing such as film formation.
ＩＣの製造において、例えば、ウエハ（基板）に酸化膜、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜等をデポジションするため、基板処理装置が広く使用されている。従来のこの種の基板処理装置においては、石英製のガスノズルは、インナチューブに沿って垂直に延在しガスノズルの下端において水平方向に屈曲し、ガスノズルの水平部が反応管受け（マニホールド）に設けられたガス導入ポートに接続されることにより固定される。 In manufacturing an IC, for example, a substrate processing apparatus is widely used to deposit an oxide film, a polysilicon film, a silicon nitride film, and the like on a wafer (substrate). In this type of conventional substrate processing apparatus, the quartz gas nozzle extends vertically along the inner tube and bends in the horizontal direction at the lower end of the gas nozzle, and the horizontal portion of the gas nozzle is provided in the reaction tube receiver (manifold). It is fixed by being connected to the gas introduction port.
下記の特許文献１には、ガス供給ノズル接続部からの処理ガスの外部へのリークを防止し、ガス供給ノズル取付け時の破損を防止すると共に取付けが容易に行えることが開示されている。 Patent Document 1 listed below discloses that processing gas from a gas supply nozzle connection portion is prevented from leaking to the outside, damage during gas supply nozzle attachment is prevented, and attachment is easy.
しかしながら、上述した従来技術の場合には、Ｌ型ガスノズルを設置する際に、基板側方部分の配置を考慮しつつ設置しなければならないため、設置が難しく、また、設置にあたって反応管受け周りを分解する必要があり、メンテナンスに時間がかかるという問題があった。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、ガスノズルを交換する際にガスノズルが破損するリスクを低減し、ノズル交換メンテナンス時のメンテナンス性向上およびメンテナンス所要時間の短縮が可能となるガス供給部や半導体装置の製造方法を提供することにある。
However, in the case of the above-described conventional technology, when installing the L-type gas nozzle, it is necessary to install it while taking into account the arrangement of the side portion of the substrate. There was a problem that it took a long time for maintenance because it had to be disassembled.
The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, reduce the risk of damage to the gas nozzle when replacing the gas nozzle, improve the maintainability during nozzle replacement maintenance, and shorten the maintenance time. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
本発明は、
少なくとも１つのガス供給孔を有する直管部と、
前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、
前記下端部を載置する載置部と、
前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し
前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部との接触面にガスを導入する導入孔が形成されているガス供給部を提供する。
The present invention
A straight pipe portion having at least one gas supply hole;
A lower end portion formed at the lower end of the straight pipe portion and having a width larger than the diameter of the straight pipe portion;
A placing portion for placing the lower end portion;
The lower end portion is fixed to the mounting portion, and a lid portion having a support surface for supporting the upper surface of the lower end portion when the lower end portion is tilted has an upper surface of the lid portion on the straight pipe portion. On the other hand, a notch is formed so as to have a predetermined interval, and a gas supply part is provided in which the introduction part is provided with an introduction hole for introducing gas into the contact surface with the lower end part.
又、本発明は、
少なくとも１つのガス供給孔を有する直管部と、
前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、
前記下端部を載置する載置部と、
前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し
前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部との接触面にガスを導入する導入孔が形成されているガス供給部を備えた基板処理装置を提供する。
The present invention also provides
A straight pipe portion having at least one gas supply hole;
A lower end portion formed at the lower end of the straight pipe portion and having a width larger than the diameter of the straight pipe portion;
A placing portion for placing the lower end portion;
The lower end portion is fixed to the mounting portion, and a lid portion having a support surface for supporting the upper surface of the lower end portion when the lower end portion is tilted has an upper surface of the lid portion on the straight pipe portion. Provided is a substrate processing apparatus provided with a gas supply part in which a notch is formed so as to have a predetermined interval, and an introduction hole for introducing gas is formed in a contact surface with the lower end part in the mounting part. To do.
又、本発明は、
基板を処理する処理室に前記基板を搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程では、 少なくとも１つのガス供給孔を有する直管部と、 前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、 前記下端部を載置する載置部と、 前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し、前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部との接触面にガスを導入する導入孔が形成されているガス供給部から処理ガスを供給する半導体装置の製造方法を提供する。
The present invention also provides
Carrying the substrate into a processing chamber for processing the substrate;
Processing the substrate in the processing chamber;
And unloading the substrate from the processing chamber.
In the step of processing the substrate, a straight pipe portion having at least one gas supply hole, a lower end portion formed at a lower end of the straight pipe portion and having a width larger than a diameter of the straight pipe portion, and the lower end portion A mounting portion to be mounted; and a lid portion that fixes the lower end portion to the mounting portion and has a support surface that supports an upper surface of the lower end portion when the lower end portion is inclined, and the lid portion. A gas supply in which a notch is formed in the upper surface of the tube so as to have a predetermined interval with respect to the straight pipe portion, and an introduction hole for introducing gas into the contact surface with the lower end portion is formed in the mounting portion. Provided is a method for manufacturing a semiconductor device that supplies a processing gas from a section.
上記の構成により、ガスノズルを交換する際にガスノズルが破損するリスクを低減し、ノズル交換メンテナンス時のメンテナンス性向上およびメンテナンス所要時間の短縮が可能となる。また、炉内作業のみでガスノズルのメンテナンス作業が可能となる。また、ガスノズルの交換時に、組み立て、分解に際してガスノズルから手を離して作業を行うことが可能となる。 With the above configuration, it is possible to reduce the risk of the gas nozzle being damaged when replacing the gas nozzle, to improve the maintainability during the nozzle replacement maintenance, and to shorten the maintenance time. Further, the maintenance work of the gas nozzle can be performed only by the work in the furnace. In addition, when replacing the gas nozzle, it is possible to perform work by removing the hand from the gas nozzle during assembly and disassembly.
本発明を実施するための形態において、半導体装置（ＩＣ等）の製造工程の１工程としての基板処理工程を実施する基板処理装置の構成例について、図１および図２を用いて説明する。なお、以下の説明では、縦型基板処理装置を例として述べる。
図１は、本発明の実施形態における基板処理装置の斜透視図である。図１に示すように、基板処理装置１０は、筐体１０１を備え、シリコン等からなる基板であるウエハ２００を筐体１０１内外へ搬送するために、複数枚のウエハが保持収納されたウェハキャリア（基板収容器）として前面開閉型の密閉容器であるＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）１１０が使用される。
In the mode for carrying out the present invention, a configuration example of a substrate processing apparatus that performs a substrate processing step as one step of a manufacturing process of a semiconductor device (IC or the like) will be described with reference to FIGS. In the following description, a vertical substrate processing apparatus will be described as an example.
FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a substrate processing apparatus 10 includes a housing 101, and a wafer carrier in which a plurality of wafers are held and stored in order to transport a wafer 200, which is a substrate made of silicon or the like, into and out of the housing 101. A FOUP (Front Opening Unified Pod) 110, which is a front opening / closing type sealed container, is used as the (substrate container).
筐体１０１の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１０５が設置されている。ＦＯＵＰ１１０は、筐体１０１外の工程内搬送装置（図示せず）によって、ロードポート１０５上に搬入、載置され、また、ロードポート１０５上から筐体１０１外へ搬出されるように構成されている。
筐体１０１内の前後方向における略中央部には、ＦＯＵＰ棚（基板収容器載置棚）１１４が設置されている。ＦＯＵＰ棚１１４は、複数段、複数列にて複数個のＦＯＵＰ１１０を保管するように構成されている。ＦＯＵＰ棚１１４の一部として、ウエハ搬入搬出口１２３が設けられ、ウエハ搬入搬出口１２３には、後述するウエハ移載機構１１２の搬送対象となるＦＯＵＰ１１０が収納される。
A load port (substrate container delivery table) 105 is installed on the front front side of the housing 101. The FOUP 110 is configured to be carried in and placed on the load port 105 by an in-process transfer device (not shown) outside the housing 101 and to be carried out of the housing 101 from the load port 105. Yes.
A FOUP shelf (substrate container mounting shelf) 114 is installed at a substantially central portion in the front-rear direction in the housing 101. The FOUP shelf 114 is configured to store a plurality of FOUPs 110 in a plurality of rows and columns. A wafer carry-in / out port 123 is provided as a part of the FOUP shelf 114, and the wafer carry-in / out port 123 stores a FOUP 110 to be transferred by a wafer transfer mechanism 112 described later.
筐体１０１内の前後方向における略中央部における下部には、ウエハ２００を後述する移載室１２４に搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２３が開設されており、ウエハ搬入搬出口１２３にはＦＯＵＰオープナ１２５が設置されている。ＦＯＵＰオープナ１２５はＦＯＵＰ１１０を載置する載置台と、ＦＯＵＰ１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）とを備えている。ＦＯＵＰオープナは載置台に載置されたＦＯＵＰ１１０のキャップをキャップ着脱機構によって着脱することにより、ＦＯＵＰ１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。 A wafer loading / unloading port (substrate loading / unloading port) 123 for loading / unloading the wafer 200 into / from the transfer chamber 124 described later is opened at the lower portion of the substantially central portion in the front-rear direction in the housing 101. A FOUP opener 125 is installed at the carry-out port 123. The FOUP opener 125 includes a mounting table on which the FOUP 110 is mounted, and a cap attaching / detaching mechanism (cover attaching / detaching mechanism) for attaching / detaching a cap (cover) of the FOUP 110. The FOUP opener is configured to open and close the wafer loading / unloading port of the FOUP 110 by attaching / detaching a cap of the FOUP 110 placed on the mounting table by a cap attaching / detaching mechanism.
ロードポート１０５とＦＯＵＰ棚１１４との間には、ＦＯＵＰ搬送装置（基板収容器搬送装置）１１５が設置されている。ＦＯＵＰ搬送装置１１５は、ロードポート１０５、ＦＯＵＰ棚１１４、ＦＯＵＰ載置台の間で、ＦＯＵＰ１１０を搬送することができる。 A FOUP transfer device (substrate container transfer device) 115 is installed between the load port 105 and the FOUP shelf 114. The FOUP transport device 115 can transport the FOUP 110 between the load port 105, the FOUP shelf 114, and the FOUP mounting table.
ＦＯＵＰ棚１１４の後方には、ウェハ移載機構（基板移載機構）１１２が設置されたウエハ移載空間としての移載室１２４が設けられている。ウエハ移載機構１１２は、ウエハ２００を水平姿勢で保持するツイーザ（基板移載用保持具）を備えており、ウエハ２００をウエハ搬入搬出口１２３上のＦＯＵＰ１１０内からピックアップして、基板保持具としてのボート（基板保持具）２１７へ装填（チャージング）したり、ウエハ２００をボート２１７から脱装（ディスチャージング）して、ウエハ搬入搬出口１２３上のＦＯＵＰ１１０内へ収納したりすることができる。 Behind the FOUP shelf 114 is provided a transfer chamber 124 as a wafer transfer space in which a wafer transfer mechanism (substrate transfer mechanism) 112 is installed. The wafer transfer mechanism 112 includes a tweezer (substrate transfer holder) that holds the wafer 200 in a horizontal posture. The wafer transfer mechanism 112 picks up the wafer 200 from the FOUP 110 on the wafer carry-in / out port 123 and serves as a substrate holder. The boat (substrate holder) 217 can be loaded (charged), or the wafer 200 can be detached from the boat 217 (discharge) and stored in the FOUP 110 on the wafer loading / unloading port 123.
筐体１０１の後側上方であって、移載室１２４の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１１６により開閉可能なように構成されている。処理炉２０２の構成については後述する。 A processing furnace 202 is provided above the rear side of the housing 101 and above the transfer chamber 124. A lower end portion of the processing furnace 202 is configured to be opened and closed by a furnace port shutter (furnace port opening / closing mechanism) 116. The configuration of the processing furnace 202 will be described later.
移載室１２４には、ボート２１７を昇降させて処理炉２０２内外へ搬送する機構としてのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１２１が設置されている。ボートエレベータ１２１には、昇降台としてのアーム１２２が設置されている。アーム１２２上には、シールキャップ２１９が水平姿勢で設置されている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持するとともに、ボートエレベータ１２１によりボート２１７が上昇したときに、処理炉２０２の下端部を気密に閉塞する蓋体として機能するものである。ボートエレベータ１２１は、制御部２８０に電気的に接続されている。制御部２８０は、ボートエレベータ１２１が所望のタイミングにて所望の動作をするように制御する。
ボート２１７は、複数本のウエハ保持部材（支柱）を備えており、複数枚（例えば、２５枚〜１５０枚程度）のウエハ２００を水平姿勢で、かつ、その中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて、多段に積層して保持するように構成されている。
A boat elevator (substrate holder lifting mechanism) 121 is installed in the transfer chamber 124 as a mechanism for moving the boat 217 up and down and transporting the boat 217 into and out of the processing furnace 202. The boat elevator 121 is provided with an arm 122 as a lifting platform. On the arm 122, a seal cap 219 is installed in a horizontal posture. The seal cap 219 functions as a lid that supports the boat 217 vertically and that hermetically closes the lower end of the processing furnace 202 when the boat 217 is raised by the boat elevator 121. The boat elevator 121 is electrically connected to the control unit 280. The control unit 280 controls the boat elevator 121 to perform a desired operation at a desired timing.
The boat 217 includes a plurality of wafer holding members (supports), and a plurality of (for example, about 25 to 150) wafers 200 are arranged in a horizontal posture in a vertical direction with their centers aligned. It is configured to be aligned and held in multiple layers.
次に、実施形態における処理炉２０２の構成について、図２を用いて説明する。
処理炉２０２は、その内側に、縦形のアウタチューブ（外管）２２１を備えている。アウタチューブ２２１は、上端が閉塞され下端が開口された略円筒形状をしており、開口された下端が下方を向くように、かつ、筒方向の中心線が垂直になるように縦向きに配置されている。アウタチューブ２２１の内側には、インナチューブ（内管）２２２が設けられている。インナチューブ２２２およびアウタチューブ２２１はいずれも、本例では、石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い材料によって、それぞれ略円筒形状に一体成形されており、両者でプロセスチューブを構成している。
Next, the configuration of the processing furnace 202 in the embodiment will be described with reference to FIG.
The processing furnace 202 includes a vertical outer tube (outer tube) 221 inside thereof. The outer tube 221 has a substantially cylindrical shape in which the upper end is closed and the lower end is opened, and is arranged vertically so that the opened lower end faces downward and the center line in the cylinder direction is vertical. Has been. An inner tube (inner tube) 222 is provided inside the outer tube 221. In this example, the inner tube 222 and the outer tube 221 are both integrally formed into a substantially cylindrical shape by a material having high heat resistance such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC). Is configured.
インナチューブ２２２とアウタチューブ２２１の下端部は、それぞれ、その水平断面が略円形リング形状であるマニホールド２０６によって気密に封止されている。マニホールド２０６は、金属製であり、本例ではステンレス（ＳＵＳ）である。インナチューブ２２２およびアウタチューブ２２１は、その保守点検作業や清掃作業のために、マニホールド２０６に着脱自在に取り付けられている。マニホールド２０６の側壁内側には、反応管受け２０６ａが、マニホールド２０６内壁から内向きに水平方向に突出するように設けられている。インナチューブ２２２は、反応管受け２０６ａに支持されている。マニホールド２０６の下端開口は、ウエハ２００群を保持したボート２１７を出し入れするための炉口２０５を構成している。アウタチューブ２２１とマニホールド２０６とから、反応容器が構成される。 The lower ends of the inner tube 222 and the outer tube 221 are hermetically sealed by a manifold 206 whose horizontal cross section has a substantially circular ring shape. The manifold 206 is made of metal, and is stainless steel (SUS) in this example. The inner tube 222 and the outer tube 221 are detachably attached to the manifold 206 for maintenance and inspection work and cleaning work. Inside the side wall of the manifold 206, a reaction tube receiver 206a is provided so as to protrude inward from the inner wall of the manifold 206 in the horizontal direction. The inner tube 222 is supported by the reaction tube receiver 206a. The lower end opening of the manifold 206 constitutes a furnace port 205 for taking in and out the boat 217 holding the wafer 200 group. A reaction vessel is constituted by the outer tube 221 and the manifold 206.
インナチューブ２２２は、上端と下端が開口した略円筒形状に形成されている。インナチューブ２２２内には、ボート２１７によって水平姿勢で多段に積載された複数枚のウエハ２００を収容して処理する処理室２０４が形成される。インナチューブ２２２内には、ウエハ２００へ処理ガスを供給するためのガスノズル部２２２ａが、インナチューブ２２２の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。 The inner tube 222 is formed in a substantially cylindrical shape with an upper end and a lower end opened. In the inner tube 222, a processing chamber 204 for accommodating and processing a plurality of wafers 200 stacked in multiple stages in a horizontal posture by the boat 217 is formed. In the inner tube 222, a gas nozzle portion 222 a for supplying a processing gas to the wafer 200 is provided so as to rise upward in the stacking direction of the wafer 200 along the upper portion from the lower portion of the inner wall of the inner tube 222. Yes.
ノズル部２２２ａには、複数個のガス供給口２２２ｂが垂直方向に配列するように設けられている。ガス供給口２２２ｂの個数は、例えば、ボート２１７に保持されたウエハ２００の枚数と一致するように形成されている。各ガス供給口２２２ｂの高さ位置は、例えば、ボート２１７に保持された上下で隣合うウエハ２００間の空間に対向するようにそれぞれ設定されている。
ガス流路２２２ｃから処理室２０４内に供給されたガスは、インナチューブ２２２の上側開放端から排気路２０９内へ流れた後、排気口２０７ａを介して排気管２０７内に流れ、処理炉２０２外へ排出される。
The nozzle portion 222a is provided with a plurality of gas supply ports 222b arranged in the vertical direction. The number of gas supply ports 222b is formed so as to match the number of wafers 200 held in the boat 217, for example. The height position of each gas supply port 222b is set so as to face the space between the wafers 200 adjacent to each other on the upper and lower sides held by the boat 217, for example.
The gas supplied from the gas flow path 222c into the processing chamber 204 flows from the upper open end of the inner tube 222 into the exhaust path 209, and then flows into the exhaust pipe 207 via the exhaust port 207a. Is discharged.
ボート２１７とシールキャップ２１９との間には、保温筒２１０が設けられている。保温筒２１０は、例えば、石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料から構成されている。保温筒２１０によって、後述するヒータユニット２０８からの熱が、マニホールド２０６側に伝わるのを抑止する。 A heat insulating cylinder 210 is provided between the boat 217 and the seal cap 219. The heat insulating cylinder 210 is made of a heat resistant material such as quartz (SiO 2 ) or silicon carbide (SiC), for example. The heat retaining cylinder 210 prevents heat from a heater unit 208 described later from being transmitted to the manifold 206 side.
シールキャップ２１９の下側（処理室２０４と反対側）には、ボート２１７を回転させるボート回転機構２６７が設けられている。ボート回転機構２６７のボート回転軸は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。ボート回転軸を回転させることにより、処理室２０４内にてウエハ２００を回転させることが可能となる。
ボート回転機構２６７は、制御部２８０に電気的に接続されている。制御部２８０は、ボート回転機構２６７が所望のタイミングにて所望の動作をするように制御する。
A boat rotation mechanism 267 that rotates the boat 217 is provided below the seal cap 219 (on the side opposite to the processing chamber 204). The boat rotation shaft of the boat rotation mechanism 267 passes through the seal cap 219 and supports the boat 217 from below. The wafer 200 can be rotated in the processing chamber 204 by rotating the boat rotation shaft.
The boat rotation mechanism 267 is electrically connected to the control unit 280. The control unit 280 controls the boat rotation mechanism 267 to perform a desired operation at a desired timing.
アウタチューブ２２１の外部には、処理室２０４内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱する加熱機構としてのヒータユニット２０８が、プロセスチューブ２２１を包囲するように設けられている。ヒータユニット２０８は、基板処理装置１０の筐体１０１に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっており、例えば、カーボンヒータ等の抵抗加熱ヒータにより構成されている。ヒータユニット２０８は、制御部２８０に電気的に接続されている。制御部２８０は、ヒータユニット２０８がプロセスチューブ２２１内の基板２００を所望の温度に加熱するように制御する。 Outside the outer tube 221, a heater unit 208 as a heating mechanism for heating the inside of the processing chamber 204 uniformly or with a predetermined temperature distribution is provided so as to surround the process tube 221. The heater unit 208 is vertically installed by being supported by the housing 101 of the substrate processing apparatus 10, and is configured by a resistance heater such as a carbon heater, for example. The heater unit 208 is electrically connected to the control unit 280. The controller 280 controls the heater unit 208 to heat the substrate 200 in the process tube 221 to a desired temperature.
処理室２０４内に処理ガスを供給するガス流路部４１が、マニホールド２０６の側壁を貫通して設けられている。ガス流路部４１には、処理ガス供給ラインとしての処理ガス供給管２２４が接続されている。処理ガス供給管２２４には、上流から順に、処理ガスを供給する処理ガス供給源２４０、流量制御装置としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１、及び開閉バルブ２４３が設けられている。処理ガス供給ライン、処理ガス供給源２４０、ＭＦＣ２４１、開閉バルブ２４３から、ガス供給部が構成される。
なお、処理ガス供給管２２４に、不活性ガス供給ラインを接続し、処理ガスを不活性ガスで希釈して供給するようにしてもよい。
A gas flow path portion 41 for supplying a processing gas into the processing chamber 204 is provided through the side wall of the manifold 206. A processing gas supply pipe 224 as a processing gas supply line is connected to the gas flow path portion 41. The processing gas supply pipe 224 is provided with a processing gas supply source 240 for supplying processing gas, an MFC (mass flow controller) 241 as a flow control device, and an opening / closing valve 243 in order from the upstream. The processing gas supply line, the processing gas supply source 240, the MFC 241, and the opening / closing valve 243 constitute a gas supply unit.
Note that an inert gas supply line may be connected to the processing gas supply pipe 224 so that the processing gas is diluted with an inert gas and supplied.
ＭＦＣ２４１及び開閉バルブ２４３は、制御部２８０に電気的に接続されている。制御部２８０は、処理室２０４内に供給するガスの種類が所望のタイミングにて所望のガス種となるよう、また、供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるよう、ＭＦＣ２４１及び開閉バルブ２４３を制御する。 The MFC 241 and the opening / closing valve 243 are electrically connected to the control unit 280. The control unit 280 makes the MFC 241 so that the type of gas supplied into the processing chamber 204 becomes a desired gas type at a desired timing, and the flow rate of the supplied gas becomes a desired flow rate at a desired timing. And controls the open / close valve 243.
マニホールド２０６の側壁の一部には、処理室２０４内の雰囲気を排気する排気ラインとしての排気管２０７が接続されている。マニホールド２０６と排気管２０７との接続部には、処理室２０４内の雰囲気を排気する排気口２０７ａが形成されている。排気管２０７内は、排気口２０７ａを介して、インナチューブ２２２とアウタチューブ２２１との間に形成された隙間からなる排気路２０９内に連通している。この排気路２０９の水平断面形状は、略一定幅の円形リング形状となっている。 An exhaust pipe 207 as an exhaust line for exhausting the atmosphere in the processing chamber 204 is connected to a part of the side wall of the manifold 206. An exhaust port 207 a for exhausting the atmosphere in the processing chamber 204 is formed at a connection portion between the manifold 206 and the exhaust pipe 207. The inside of the exhaust pipe 207 communicates with the inside of the exhaust path 209 formed by a gap formed between the inner tube 222 and the outer tube 221 through the exhaust port 207a. The horizontal sectional shape of the exhaust passage 209 is a circular ring shape having a substantially constant width.
排気管２０７には、上流から順に、圧力センサ（不図示）、圧力調整器としてのＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ２５５、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が設けられている。真空ポンプ２４６は、処理室２０４内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気しうるように構成されている。排気管２０７、ＡＰＣバルブ２５５、真空ポンプ２４６等から、排気ラインが構成される。 The exhaust pipe 207 is provided with a pressure sensor (not shown), an APC (Auto Pressure Controller) valve 255 as a pressure regulator, and a vacuum pump 246 as a vacuum exhaust device in order from the upstream. The vacuum pump 246 is configured to be evacuated so that the pressure in the processing chamber 204 becomes a predetermined pressure (degree of vacuum). An exhaust line is constituted by the exhaust pipe 207, the APC valve 255, the vacuum pump 246, and the like.
ＡＰＣバルブ２５５および圧力センサは、制御部２８０に電気的に接続されている。制御部２８０は、処理室２０４内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力センサにより検出された圧力値に基づいてＡＰＣバルブ２５５の開度を制御するように構成されている。 The APC valve 255 and the pressure sensor are electrically connected to the control unit 280. The control unit 280 is configured to control the opening degree of the APC valve 255 based on the pressure value detected by the pressure sensor so that the pressure in the processing chamber 204 becomes a desired pressure at a desired timing. Yes.
制御部２８０は、図示しない操作部や入出力部を備え、基板処理装置１０の各構成部と電気的に接続されており、基板処理装置１０の各構成部を制御する。例えば、ＭＦＣ２４１の流量制御、バルブ２４３の開閉動作制御、ＡＰＣバルブ２５５の開閉制御および圧力センサからの圧力情報に基づく開度調整動作を介した圧力制御、ヒータユニット２０８による温度制御、真空ポンプ２４６の起動・停止制御、ボート回転機構２６７によるボートの回転速度調節制御、ボートエレベータ１２１によるボートの昇降動作制御等をそれぞれ行うようになっている。制御部２８０は、成膜プロセスの制御シーケンスを時間軸で示したレシピに基づく温度制御や圧力制御、流量制御および機械駆動制御を指令する。また、制御部２８０は、ハードウェア構成として、ＣＰＵ（中央演算ユニット）と該ＣＰＵを動作させるプログラムが格納されるメモリとを備えるものである。 The control unit 280 includes an operation unit and an input / output unit (not shown), is electrically connected to each component of the substrate processing apparatus 10, and controls each component of the substrate processing apparatus 10. For example, the flow control of the MFC 241, the opening / closing operation control of the valve 243, the opening / closing control of the APC valve 255, the pressure control via the opening adjustment operation based on the pressure information from the pressure sensor, the temperature control by the heater unit 208, the vacuum pump 246 Start / stop control, boat rotation speed adjustment control by the boat rotation mechanism 267, boat lifting operation control by the boat elevator 121, and the like are performed. The control unit 280 commands temperature control, pressure control, flow rate control, and mechanical drive control based on a recipe that shows the control sequence of the film forming process on the time axis. The control unit 280 includes a CPU (Central Processing Unit) and a memory that stores a program for operating the CPU as a hardware configuration.
次に、基板処理装置１における基板処理について、ＩＣ製造方法における成膜工程を例にして説明する。
各部の動作は制御部２８０により制御される。
ウエハチャージングステップにおいて、基板２００はボート２１７に装填される。次に、ボートローディングステップにおいてボート２１７は、処理室２０４に搬入（ボートローディング）され、シールキャップ２１９により処理室２０４の下端がシールされた状態となる。
Next, the substrate processing in the substrate processing apparatus 1 will be described taking the film forming step in the IC manufacturing method as an example.
The operation of each unit is controlled by the control unit 280.
In the wafer charging step, the substrate 200 is loaded into the boat 217. Next, in the boat loading step, the boat 217 is loaded into the processing chamber 204 (boat loading), and the lower end of the processing chamber 204 is sealed by the seal cap 219.
次に、成膜ステップにおいて、処理室２０４内は所定のプロセス圧力および所定のプロセス温度に制御され、処理ガス供給管２２４を介して処理室２０４内に処理ガスを導入するとともに、排気管２０７を介してプロセスチューブ２２１内を排気して、基板２００の表面に薄膜を形成させる。 Next, in the film forming step, the inside of the processing chamber 204 is controlled to a predetermined process pressure and a predetermined process temperature, and a processing gas is introduced into the processing chamber 204 through the processing gas supply pipe 224 and an exhaust pipe 207 is provided. Then, the process tube 221 is evacuated to form a thin film on the surface of the substrate 200.
上記の成膜処理が終了すると、処理ガスの供給が停止され、不活性ガスにより、処理室２０４内が大気圧に復帰された後に、ボートアンロードステップにおいて、シールキャップ２１９が下降されることによって処理室２０４の下端が開口され、ボート２１７に保持された状態で処理済みウエハ２００群が処理室２０４から外部に搬出（ボートアンローディング）される。 When the film forming process is finished, the supply of the processing gas is stopped, and the inside of the processing chamber 204 is returned to the atmospheric pressure by the inert gas, and then the seal cap 219 is lowered in the boat unloading step. The lower end of the processing chamber 204 is opened, and the processed wafer group 200 is unloaded from the processing chamber 204 while being held by the boat 217 (boat unloading).
次に、本実施形態における処理炉２０２の内部のガス供給系について、図３〜図４を用いて説明する。図３は、本発明の実施形態における処理炉の垂直部分断面図である。図４は、本発明の実施形態におけるガス流路部４１の詳細図であり、図４（ａ）は組み立てた状態の斜視図であり、図４（ｂ）は分解した状態の斜視図である。 Next, the gas supply system inside the processing furnace 202 in the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a vertical partial sectional view of the processing furnace in the embodiment of the present invention. 4A and 4B are detailed views of the gas flow path portion 41 in the embodiment of the present invention. FIG. 4A is a perspective view in an assembled state, and FIG. 4B is a perspective view in an exploded state. .
図３に示すように、マニホールド２０６の側壁を水平方向に貫通して、金属製（本例ではＳＵＳ）のガス導入ポート３５が、マニホールド２０６の側壁に固定して設けられている。ガス導入ポート３５内には、マニホールド２０６の内側から、ガス流路部４１の水平部４１ｃが水平方向に挿入され、管継手３６により、ガス導入ポート３５に固定される。ガス流路部４１の水平部４１ｃと、処理ガス供給管２２４は、管継手３６により気密に接続される。 As shown in FIG. 3, a metal (SUS in this example) gas introduction port 35 that penetrates the side wall of the manifold 206 in the horizontal direction is fixed to the side wall of the manifold 206. In the gas introduction port 35, the horizontal portion 41 c of the gas flow passage portion 41 is inserted in the horizontal direction from the inside of the manifold 206, and is fixed to the gas introduction port 35 by the pipe joint 36. The horizontal part 41 c of the gas flow path part 41 and the processing gas supply pipe 224 are connected in an airtight manner by a pipe joint 36.
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、ガスノズル４１Ｎは、垂直方向に延在するガス供給ノズル部でもある垂直部（直管部ともいう）４１ｂ（２２２ａ）と、ガスノズル４１Ｎの下端に形成され、後述するガス流路部４１に接続される下端部４３とを有している。なお、図４（ａ）（ｂ）には示されていないが、垂直部４１ｂには、少なくとも１つのガス供給口２２２ｂ（図２参照）が設けられている。 As shown in FIGS. 4A and 4B, the gas nozzle 41N includes a vertical portion (also referred to as a straight pipe portion) 41b (222a) that is also a gas supply nozzle portion extending in the vertical direction, and a lower end of the gas nozzle 41N. It has a lower end portion 43 formed and connected to a gas flow path portion 41 to be described later. Although not shown in FIGS. 4A and 4B, the vertical portion 41b is provided with at least one gas supply port 222b (see FIG. 2).
ガス流路部４１は、ガスノズルの下端部４３を載置するノズル載置部４２Ｎと、ノズル載置部４２Ｎに載置された下端部４３を固定する蓋部４４とで構成される。ノズル載置部４２Ｎは水平方向に延在する水平部４１ｃと、ノズルの下端部４３の最下面と接触する座面部４２Ｚと、座面部４２Ｚより垂直に立ち上がった立ち上がり面である背面部４２Ｈとで構成される。背面部４２Ｈはガス導入孔５２を介して水平部４１ｃと連通して接続されている。蓋部４４は、背面部４２Ｈと下端部４３をはさんで対向する正面側から下端部４３を固定する正面部４４Ｓと、下端部４３の上面を抑える上面部４４Ｊとで構成される。 The gas flow path portion 41 includes a nozzle placement portion 42N for placing the lower end portion 43 of the gas nozzle and a lid portion 44 for fixing the lower end portion 43 placed on the nozzle placement portion 42N. The nozzle mounting portion 42N includes a horizontal portion 41c that extends in the horizontal direction, a seat surface portion 42Z that contacts the lowermost surface of the lower end portion 43 of the nozzle, and a back surface portion 42H that is a rising surface that rises perpendicularly from the seat surface portion 42Z. Composed. The back surface portion 42H communicates with and is connected to the horizontal portion 41c through the gas introduction hole 52. The lid portion 44 includes a front portion 44S that fixes the lower end portion 43 from the front side facing the back surface portion 42H and the lower end portion 43, and an upper surface portion 44J that suppresses the upper surface of the lower end portion 43.
下端部４３は、垂直部４１ｂの下端にブロック形状に設けられている。下端部４３の内部には、背面部４２Ｈの後述するガス導入孔５２から垂直部４１ｂへ通じるガス流路が形成されている。すなわち、ガス導入孔５２から水平方向に導入された処理ガスは、下端部４３内部においてガス流れの向きが水平方向から鉛直方向へ変化する。処理ガス供給源２４０から供給された処理ガスは、このガス流路を通じて垂直部４１ｂを経て処理室２０４内へ供給される。この下端部４３の最上面の横幅または縦幅のうち、少なくとも縦幅は垂直部４１ｂの径よりも大きい。好ましくは、横幅および縦幅の両方が垂直部４１ｂの径よりも大きい。なお、この下端部４３および垂直部４１ｂは石英により形成されている。ここで、下端部４３の最上面の縦幅とは、最上面であって、正面部４４Ｓに接する辺の幅である。 The lower end portion 43 is provided in a block shape at the lower end of the vertical portion 41b. Inside the lower end portion 43, a gas flow path is formed which communicates from a gas introduction hole 52 (described later) of the back surface portion 42H to the vertical portion 41b. That is, the direction of the gas flow of the processing gas introduced in the horizontal direction from the gas introduction hole 52 changes from the horizontal direction to the vertical direction inside the lower end portion 43. The processing gas supplied from the processing gas supply source 240 is supplied into the processing chamber 204 through the vertical passage 41b through this gas flow path. Of the horizontal width or vertical width of the uppermost surface of the lower end portion 43, at least the vertical width is larger than the diameter of the vertical portion 41b. Preferably, both the horizontal width and the vertical width are larger than the diameter of the vertical portion 41b. The lower end portion 43 and the vertical portion 41b are made of quartz. Here, the vertical width of the uppermost surface of the lower end portion 43 is the width of the side that is the uppermost surface and is in contact with the front surface portion 44S.
ガスノズル４１Ｎは、ノズル載置部４２Ｎにガスノズルの下端部４３を載置し、蓋部４２を被せて下端部４３をはさみこみ、後述する固定部材でノズル載置部４２Ｎと蓋部４２とを固定することによりガス流路部４１に設置される。 The gas nozzle 41N places the lower end portion 43 of the gas nozzle on the nozzle placement portion 42N, covers the lid portion 42, sandwiches the lower end portion 43, and fixes the nozzle placement portion 42N and the lid portion 42 with a fixing member to be described later. This is installed in the gas flow path portion 41.
背面部４２Ｈにはガスノズル４１Ｎの転倒を防ぐための少なくとも１つのサポート部（サポートピン）４５が背面から正面側に向かって設けられている。本実施形態においては、下端部をはさんで左右に１箇所であって、背面部４２Ｈの中心を点対称とした位置の合計２箇所に設置されている。サポート部４５の長さは蓋部４４の上面部４４Ｊの横幅と同じか、それよりも長くなっている。
また、この背面部４２Ｈのサポート部４５が設けられた垂直方向下側或いは垂直方向上側には後述する固定部材を設置するための固定孔４７が設けられている。背面部４２Ｈの寸法はノズルの下端部４３の寸法より大きくなっている。すなわち、背面部４２Ｈの面積は下端部４３の背面部４２Ｈに面する面の面積よりも大きく、また言い換えれば、背面部４２Ｈの横幅および縦幅は下端部４３の背面部４２Ｈに面する面の横幅および縦幅よりも大きい。
The back surface portion 42H is provided with at least one support portion (support pin) 45 for preventing the gas nozzle 41N from overturning from the back surface to the front surface side. In this embodiment, it is installed at two places in total, that is, at one place on the left and right sides with the lower end portion interposed therebetween, with the center of the back face portion 42H being point-symmetric. The length of the support portion 45 is the same as or longer than the lateral width of the upper surface portion 44J of the lid portion 44.
Further, a fixing hole 47 for installing a fixing member to be described later is provided on the lower side in the vertical direction or the upper side in the vertical direction where the support part 45 of the back surface part 42H is provided. The size of the back surface portion 42H is larger than the size of the lower end portion 43 of the nozzle. That is, the area of the back surface portion 42H is larger than the area of the surface facing the back surface portion 42H of the lower end portion 43. In other words, the horizontal width and the vertical width of the back surface portion 42H are the surfaces of the lower surface portion 43 facing the back surface portion 42H. Greater than width and height.
背面部４２Ｈのガス導入孔５２と下端部４３との接触面の少なくとも一方には、金属またはフッ素ゴム素材のＯリング４９が嵌め込むための溝がガス導入孔５２よりも大きい外径の円形に設けられている。これにより大流量の処理ガスを供給しても、ノズル載置部４２と下端部４３の接続部分からのガス漏れを防止することができる。また、背面部４２Ｈと下端部４３の接触面のうちどちらか一方、もしくは双方にＯリングが嵌め込まれる溝が設けられているため、Оリングが直接処理ガスに触れにくく、Ｏリングの劣化を抑制することができる。 At least one of the contact surfaces between the gas introduction hole 52 and the lower end portion 43 of the back surface portion 42H has a circular outer groove having a larger diameter than the gas introduction hole 52 for fitting an O-ring 49 made of metal or fluororubber material. Is provided. As a result, even if a large flow rate of processing gas is supplied, gas leakage from the connecting portion between the nozzle mounting portion 42 and the lower end portion 43 can be prevented. In addition, since a groove into which the O-ring is fitted is provided in one or both of the contact surfaces of the back surface portion 42H and the lower end portion 43, the O-ring is difficult to directly contact the processing gas, and the deterioration of the O-ring is suppressed. can do.
正面部４４Ｓにはサポート孔５１がサポート部４５に相対する位置に正面部４４Ｓを貫通するように設けられている。また、固定孔４７に相対する位置に開孔５１が設けられ、固定部材としての固定ネジ４６は開孔５３を通して固定孔４７にネジ止めされる。正面部４４Ｓの寸法はノズルの下端部４３の寸法より大きくなっている。すなわち、正面部４４Ｓの面積は下端部４３の正面部４４Ｓに面する面の面積よりも大きく、言い換えれば、正面部４４Ｓの横幅および縦幅は下端部４３の正面部４４Ｓに面する面の横幅および縦幅よりも大きい。 A support hole 51 is provided in the front part 44S so as to penetrate the front part 44S at a position facing the support part 45. An opening 51 is provided at a position opposite to the fixing hole 47, and a fixing screw 46 as a fixing member is screwed to the fixing hole 47 through the opening 53. The dimension of the front part 44S is larger than the dimension of the lower end part 43 of the nozzle. That is, the area of the front portion 44S is larger than the area of the surface of the lower end portion 43 facing the front portion 44S. In other words, the width and length of the front portion 44S are the width of the surface of the lower end portion 43 facing the front portion 44S. And larger than the vertical width.
上面部４４Ｊはガス供給ノズル部４１ｂが延伸する部分を避けるように上面切欠き（上面溝）５０が設けられている。上面切欠き５０の幅は、下端部４３の最上面の横幅および縦幅よりも小さい。また、上面部４４Ｊの寸法はノズルの下端部４３の寸法より大きくなっている。すなわち、上面部４４Ｊの面積は下端部４３の最上面の面積よりも大きく、言い換えれば、上面部４４Ｊの横幅および縦幅は下端部４３の最上面の横幅および縦幅よりも大きい。 The upper surface portion 44J is provided with an upper surface notch (upper surface groove) 50 so as to avoid a portion where the gas supply nozzle portion 41b extends. The width of the upper surface notch 50 is smaller than the horizontal width and vertical width of the uppermost surface of the lower end portion 43. Further, the size of the upper surface portion 44J is larger than the size of the lower end portion 43 of the nozzle. That is, the area of the upper surface portion 44J is larger than the area of the uppermost surface of the lower end portion 43. In other words, the horizontal width and vertical width of the upper surface portion 44J are larger than the horizontal width and vertical width of the uppermost surface of the lower end portion 43.
ノズル載置部４２Ｎと蓋部４４とによって下端部４３を挟みこむことにより、下端部４３を固定することができる。
なお、図面において下端部４３は、略直方体のブロック状に示してあるが、略直方体の各角部や辺、或いは直管部４１ｂの最下端と下端部４３との接続部が面取りされたように、Ｒ部を有していても何ら問題はない。
The lower end portion 43 can be fixed by sandwiching the lower end portion 43 between the nozzle mounting portion 42N and the lid portion 44.
In addition, although the lower end part 43 is shown in the drawing as a substantially rectangular parallelepiped block shape, it seems that each corner or side of the substantially rectangular parallelepiped or the connecting part between the lowermost end of the straight pipe part 41b and the lower end part 43 is chamfered. In addition, there is no problem even if the R portion is provided.
次に、ノズル載置部４２Ｎ及び蓋部４４から構成されるガス流路部４１にガスノズルを設置する際の、作業員による組み立て方法について説明する。図４（ｂ）に示すように、ノズル載置部４２の上方あるいは側方あるいは斜め下方から、背面部４２Ｈのサポート部４５の間に挟みこむ（下端部４３とサポート部４５は基本的には接触しない）ように、下端部４３を座面部４２Ｚに載置する。サポート部４５によって、下端部４３の左右方向への動きと回転が抑制されるため、下端部４３が左右方向に倒れない。下端部４３を座面部４２Ｚ上に乗せて自立させた状態で、作業員は蓋部４４をサポート部４５がサポート孔５１を通るようにして下端部４３に被せ、下端部４３をノズル載置部４２Ｎと蓋部４４の間に挟み込む。続いて、開孔５１から固定部材としてのボルト４６をねじ止めして、ノズル載置部４２Ｎと蓋部４４を固定し、下端部４３を固定する（図４（ａ））。下端部４３に蓋部４４を被せた際、垂直部４１ｂは上面切欠き５０内に位置するようになっている。この時、上面切欠き５０と垂直部４１ｂとが接触しないよう所定の隙間を設けるようにすると良い。 Next, an assembling method by an operator when installing the gas nozzle in the gas flow path portion 41 including the nozzle placement portion 42N and the lid portion 44 will be described. As shown in FIG. 4B, the nozzle mounting portion 42 is sandwiched between the support portions 45 of the back surface portion 42H from above, from the side, or obliquely below (the lower end portion 43 and the support portion 45 are basically arranged). The lower end portion 43 is placed on the seat surface portion 42Z so as not to contact. Since the support part 45 suppresses the movement and rotation of the lower end part 43 in the left-right direction, the lower end part 43 does not fall down in the left-right direction. With the lower end portion 43 placed on the seat surface portion 42Z and standing independently, the worker covers the lower end portion 43 with the lid portion 44 passing through the support hole 51 so that the support portion 45 passes through the support hole 51, and the lower end portion 43 is placed on the nozzle mounting portion. 42N and the lid 44 are sandwiched. Subsequently, a bolt 46 as a fixing member is screwed from the opening 51 to fix the nozzle mounting portion 42N and the lid portion 44, and the lower end portion 43 is fixed (FIG. 4A). When the lid portion 44 is put on the lower end portion 43, the vertical portion 41 b is positioned in the upper surface notch 50. At this time, it is preferable to provide a predetermined gap so that the upper surface notch 50 and the vertical portion 41b do not contact each other.
図５には、上面部４４Ｊの切欠き部５０の形状の例を示している。図５（ａ）は、切欠き部がＵ字状の例を示している。図５（ｂ）は、切欠き部がコの字状の例であり、図５（ｃ）は、切欠き部がＶ字状であり、図５（ｄ）は、切欠き部が逆さ台形状の例を示している。本発明においては、上面部４４Ｊは下端部４３の上面の少なくとも一部を覆い、かつ、切欠き部５０と垂直部４１ｂとが接触しないように所定の間隔を有するように切欠き部５０が形成されている。このような構成により、下端部４３の上下方向あるいは左右方向への動きや正面側への回転（転倒）を抑制することができ、大流量の処理ガスを供給した場合にも、下端部４３を含む垂直部４１ｂ、所謂ガスノズルの飛び出しが防止される。
なお、本実施の形態では、切欠き部５０は蓋部４４の上面部４４Ｊに設けられている例を説明したが、蓋部４４の上面には上面部を設けず、ノズル載置部４２に上面部を設置し、この面に切欠き部５０を設けても良い。
In FIG. 5, the example of the shape of the notch part 50 of the upper surface part 44J is shown. FIG. 5A shows an example in which the notch has a U shape. FIG. 5 (b) is an example in which the notch has a U-shape, FIG. 5 (c) has a V-shaped notch, and FIG. 5 (d) shows an upside down notch. An example of the shape is shown. In the present invention, the upper surface portion 44J covers at least a part of the upper surface of the lower end portion 43, and the notch portion 50 is formed so as to have a predetermined interval so that the notch portion 50 and the vertical portion 41b do not contact each other. Has been. With such a configuration, the movement of the lower end portion 43 in the vertical direction or the left and right direction and the rotation (falling) to the front side can be suppressed, and the lower end portion 43 can be reduced even when a large amount of processing gas is supplied. The vertical portion 41b including the so-called gas nozzle is prevented from popping out.
In the present embodiment, the example in which the notch 50 is provided on the upper surface 44J of the lid 44 has been described. However, the upper surface of the lid 44 is not provided with an upper surface, and the nozzle placement portion 42 is not provided. An upper surface portion may be provided, and the cutout portion 50 may be provided on this surface.
図６は、サポート孔４５とボルト４６がそれぞれ２つずつ設置される場合における蓋部４４の正面部４４Ｓの配置例を示している。図６（ａ）は、上下左右に計４つのサポート孔４５及ボルト４６が配置されている。この例では、正面向かって左上から時計回りに、ボルト４６、サポート孔４５、ボルト４６、サポート孔４５のように、同じ部位であるボルト４６及びサポート孔４５がそれぞれ対角線を描くように、それぞれ斜めに配置されている例である。
図６（ｂ）には、同様に上下左右に計４つのサポート孔４５及びボルト４６が配置されているが、本例では、左上から時計回りで、ボルト４６、ボルト４６、サポート孔４５、サポート孔４５のように、同じ部位であるボルト４６及びサポート孔４５がそれぞれ平行に、上段にボルト４６の組、下段にサポート孔４５の組が配置されている例である。もちろん、上段にボルト４６の組、下段にサポート孔４５の組が配置されていても良い。
FIG. 6 shows an arrangement example of the front portion 44S of the lid portion 44 when two support holes 45 and two bolts 46 are installed. In FIG. 6 (a), a total of four support holes 45 and bolts 46 are arranged vertically and horizontally. In this example, the bolts 46 and the support holes 45 that are the same part are diagonally drawn in a clockwise direction from the upper left toward the front so that the bolts 46 and the support holes 45 that are the same part draw diagonal lines. It is an example arranged in.
In FIG. 6 (b), a total of four support holes 45 and bolts 46 are arranged on the top, bottom, left and right, but in this example, the bolts 46, the bolts 46, the support holes 45, and the support are clockwise from the upper left. Like the hole 45, the bolt 46 and the support hole 45 which are the same part are parallel to each other, and a set of the bolt 46 is arranged on the upper stage and a set of the support hole 45 is arranged on the lower stage. Of course, a set of bolts 46 may be arranged on the upper stage, and a set of support holes 45 may be arranged on the lower stage.
また、サポート部４５をボルト形状とすることで、より簡単な構造とすることができる。すなわち、サポート部４５が蓋部４２の固定できる構成にすることにより、蓋部３４を固定するための開孔５３、固定孔４７およびボルト４６を省略することができる。このような構成の場合、サポート部４５を下端部４３の左右に少なくとも１つずつ設置すると良い。 Moreover, it can be set as a simpler structure by making the support part 45 into a bolt shape. That is, when the support portion 45 is configured to fix the lid portion 42, the opening 53, the fixing hole 47, and the bolt 46 for fixing the lid portion 34 can be omitted. In the case of such a configuration, it is preferable to install at least one support portion 45 on each of the left and right sides of the lower end portion 43.
図７には、ノズル載置部４３と下端部４３の変形例を示しており、座面部４２Ｚ上に下端部４３を載置した際の下端部４３とサポート部４５、固定孔４７との関係を示している。図７（ａ）に示す下端部４３は、直方体をしており、直方体の幅は、平行に設置されているサポート部４５と固定孔４７の幅より狭い形状となっている。図７（ｂ）に示す下端部４３は、最大幅は平行に設置されているサポート部４５と固定孔４７の幅程度となっているが、サポート部４５やボルトを固定孔４７にねじ込んだ際のボルトには接触しないような形状としている。すなわち、サポート部４５やボルトと干渉しないように溝が設けられている。このようにする事により、ガスノズルの転倒を抑制するとともにノズル載置部４２Ｎの小型化を図ることができる。 FIG. 7 shows a modified example of the nozzle placement portion 43 and the lower end portion 43, and the relationship between the lower end portion 43, the support portion 45, and the fixing hole 47 when the lower end portion 43 is placed on the seat surface portion 42Z. Is shown. The lower end portion 43 shown in FIG. 7A has a rectangular parallelepiped shape, and the width of the rectangular parallelepiped shape is narrower than the width of the support portion 45 and the fixing hole 47 that are installed in parallel. The maximum width of the lower end portion 43 shown in FIG. 7B is about the width of the support portion 45 and the fixing hole 47 installed in parallel, but when the support portion 45 and the bolt are screwed into the fixing hole 47. The shape is such that it does not touch the bolt. That is, a groove is provided so as not to interfere with the support portion 45 and the bolt. By doing so, it is possible to prevent the gas nozzle from falling and to reduce the size of the nozzle mounting portion 42N.
なお、図７に示す様に下端部４３はサポート部４５等への接触がなくとも自立できる構造であればよく、下端部４３の最下面と座面部４２Ｚが所定の面積以上接地する構造となっていれば良い。 In addition, as shown in FIG. 7, the lower end part 43 should just be a structure which can become independent even if it does not contact the support part 45 grade | etc., And becomes the structure where the lowermost surface of the lower end part 43 and the seat surface part 42Z are earth | grounded more than predetermined area. It should be.
メンテナンス等において、ガス供給ノズル即ち下端部４３を取り外しするときは、まず、固定されている複数のボルト４６を外す。次に、蓋部４４を外し、ノズル載置部４２Ｎ上に載置された下端部４３を上方、側方あるいは斜め下方に移動し、取り外せば良い。 When removing the gas supply nozzle, that is, the lower end portion 43 in maintenance or the like, first, the plurality of bolts 46 that are fixed are removed. Next, the lid portion 44 is removed, and the lower end portion 43 placed on the nozzle placement portion 42N is moved upward, sideward, or obliquely downward, and then removed.
以上説明した実施形態によれば、次の（１）〜（９）の効果のうち、少なくとも１つの効果を奏す。
（１）ガスノズルを含む下端部が、自立することができるため、反応容器内におけるガスノズルの設置等のメンテナンス作業が容易となる。
ノズル載置部上にガスノズルを載置した後にガスノズルが転倒しないように手で支える必要がなく、両手をガスノズルから離した状態で作業を行う事が出来るため、メンテナンス性が向上する。ガスノズルが転倒しないようにするためには、下端部４３の左右に少なくとも１つずつサポート部４５が設けられていれば良い。下端部４３がバランスを崩し、正面向かって時計回り方向または反時計回り方向に回転（転倒）するような場合が生じても、左右に１つずつサポート部が設けられていることにより、下端部４３の左側面および右側面がそれぞれサポート部４５に接触し、下端部がサポート部に引っかかることにより転倒が防止される。
According to the embodiment described above, at least one of the following effects (1) to (9) is achieved.
(1) Since the lower end including the gas nozzle can be self-supporting, maintenance work such as installation of the gas nozzle in the reaction vessel is facilitated.
After the gas nozzle is placed on the nozzle placement portion, it is not necessary to support it by hand so that the gas nozzle does not fall down, and the work can be performed with both hands separated from the gas nozzle, so that maintainability is improved. In order to prevent the gas nozzle from overturning, it is only necessary to provide at least one support portion 45 on each of the left and right sides of the lower end portion 43. Even if the lower end portion 43 loses its balance and rotates (falls) toward the front in the clockwise direction or the counterclockwise direction, the lower end portion is provided with one support portion on each side. The left side surface and the right side surface of 43 are in contact with the support portion 45, and the lower end portion is caught by the support portion, so that the fall is prevented.
（２）ガスノズルを含む下端部を横方向にスライドさせてガス流路部を組み立てられるため、ガスノズルのメンテナンスの際にガスノズルが処理室天井に接触したり、ガスノズルが破損したりすることを防ぐことができる。
従来はＬ字型のガスノズルを上方向に持ち上げてから導入ポートへ接続を行っていたため、ガスノズルの上端が反応管の天井部に衝突したり、導入ポートにガスノズルをはめ込む際に視野が悪いため、ガスノズルを導入ポートや内壁にぶつけたりすることによるガスノズルの破損が生じていた。本発明によれば、ガスノズルを上方向に持ち上げることなく横方向や斜め下方向から設置することができるため、反応管天井部との衝突による破損を防止することができる。また、ガスノズル接続部が反応管内にあるため、狭い作業空間であっても作業箇所を確認しやすい。
(2) Since the gas flow path section can be assembled by sliding the lower end including the gas nozzle in the horizontal direction, the gas nozzle is prevented from coming into contact with the ceiling of the process chamber or being damaged. Can do.
Conventionally, since the L-shaped gas nozzle was lifted upward and then connected to the introduction port, the upper end of the gas nozzle collided with the ceiling of the reaction tube, or the field of view was poor when fitting the gas nozzle into the introduction port. The gas nozzle was damaged by hitting the gas nozzle against the introduction port or the inner wall. According to the present invention, it is possible to install the gas nozzle from the lateral direction or obliquely downward without lifting the gas nozzle upward. Therefore, it is possible to prevent damage due to collision with the reaction tube ceiling. Moreover, since the gas nozzle connection part is in the reaction tube, it is easy to confirm the work location even in a narrow work space.
（３）炉口部周りを分解することなく、反応管内側からガスノズルの設置ができるため、メンテナンス作業の時間を短縮することができる。
従来のＬ字状ノズルでは水平部分を炉口周りに固定していたため。ノズルメンテナンスの際に炉口周りを一度分解してからでないと取り外せなかった。本発明によれば、従来のＬ字状ノズルではなく、Ｌ字状の水平部分と鉛直部分とを分割した構造としたため、水平部分は炉口周りに固定したまま、鉛直部分のガスノズルのみを取り外しすればよく、これにより反応管内作業のみでノズルのメンテナンスを行う事ができ、メンテナンス時間を短縮することができる。
(3) Since the gas nozzle can be installed from the inside of the reaction tube without disassembling the periphery of the furnace port, the maintenance work time can be shortened.
In the conventional L-shaped nozzle, the horizontal part was fixed around the furnace port. It was only possible to disassemble the area around the furnace opening during nozzle maintenance. According to the present invention, since the L-shaped horizontal portion and the vertical portion are divided instead of the conventional L-shaped nozzle, only the vertical portion gas nozzle is removed while the horizontal portion is fixed around the furnace port. As a result, the nozzle can be maintained only by the work in the reaction tube, and the maintenance time can be shortened.
（４）ノズル載置部の座面および背面と下端部の最下端面および背面側の面との２面を接触させ、さらにサポート部によりガスノズルの左右への動きを抑制することにより、メンテナンスの際のノズル位置決めを容易にすることができる。 (4) The maintenance surface can be maintained by bringing the seating surface and back surface of the nozzle mounting portion into contact with the two surfaces of the bottom end surface and the back side surface of the lower end portion, and further suppressing the movement of the gas nozzle to the left and right by the support portion. The nozzle positioning at the time can be facilitated.
（５）ガスノズルを分割形状とすることにより、ガスノズル下端部におけるノズル破損を防止することができる。
従来のＬ字形状ガスノズルでは、基板処理を繰り返すことで水平方向から鉛直方向へと曲がる部分（婉曲部分）において強度が低下し、強度が低下した部分を起点としたノズル折れが発生していた。本発明においては、強度が低下しやすい婉曲部分を下端部内に内在させたことにより、強度低下によるノズル折れを防止することができる。
(5) By making the gas nozzle into a divided shape, nozzle breakage at the lower end of the gas nozzle can be prevented.
In the conventional L-shaped gas nozzle, the strength of the portion bent from the horizontal direction to the vertical direction (curved portion) is reduced by repeating the substrate processing, and the nozzle breakage occurs from the portion where the strength is reduced. In the present invention, the bent portion where the strength is likely to be lowered is included in the lower end portion, so that the nozzle breakage due to the strength reduction can be prevented.
（６）上面部に切欠き部があることにより、大流量のガスを供給する際にも、ガスノズルの飛び出しを防止することができる。
上方向への移動を上面部が抑制するため、大流量のガスを供給すると、直管部内の上部方向へのガス流れの勢いの影響により、ガスノズル自体が上方向へ引っ張られてしまう。本発明によれば、切欠き部を有する上面部が下端部の最上面の面積よりも大きくなっていることから、ガスノズル自体が上方向へ引っ張られたとしても、上面部が下端部を抑え込むことにより、下端部の上方向への移動を抑制し、ガスノズルの飛び出しを防止することができる。
(6) Since the upper surface portion has a notch, the gas nozzle can be prevented from popping out even when a large flow rate of gas is supplied.
Since the upper surface portion suppresses the upward movement, when a large flow rate of gas is supplied, the gas nozzle itself is pulled upward due to the influence of the gas flow momentum in the upper direction in the straight pipe portion. According to the present invention, since the upper surface portion having the notch portion is larger than the area of the uppermost surface of the lower end portion, even if the gas nozzle itself is pulled upward, the upper surface portion suppresses the lower end portion. Thus, the upward movement of the lower end portion can be suppressed, and the gas nozzle can be prevented from popping out.
（７）背面部と下端部の背面部に接する側面との間の接地面にＯリングを使用するため、接地面からの処理ガス漏れを防止することができる。また、接地面にはＯリングが嵌め込まれる溝が設けられているため、Оリングが直接処理ガスに触れにくく、Ｏリングの劣化を抑制することができる。 (7) Since an O-ring is used for the grounding surface between the back surface and the side surface in contact with the back surface at the lower end, processing gas leakage from the grounding surface can be prevented. Moreover, since the groove into which the O-ring is fitted is provided on the grounding surface, the O-ring is difficult to directly contact the processing gas, and deterioration of the O-ring can be suppressed.
（８）直管部と下端部が接合する箇所や下端部の各面が形成する角部をＲ掛けすることにより、下端部の強度を高めることができる。また、それらの直角面を全てＲがけすることにより、ノズル載置部と蓋部とで固定した際に、それらの角部が設置部分と過度に干渉することを抑制することができ、下端部の破損を防止することができる。 (8) The strength of the lower end portion can be increased by multiplying the corner portion formed by the portion where the straight pipe portion and the lower end portion are joined and each surface of the lower end portion. Further, by removing all of the right-angled surfaces by R, when the nozzle mounting portion and the lid portion are fixed, it is possible to suppress the corner portions from excessively interfering with the installation portion, and the lower end portion. Can be prevented from being damaged.
（９）蓋部を固定した際に直管部と切欠き部との間に所定の間隔をあけることにより、直管部の破損を防止することができる。
直管部と切欠き部とが接触すると、その接触点を起点としたノズル折れが発生しやすくなるが、本発明においては、直管部と切欠き部とが所定の間隔をあけるように切欠き部を形成しているため、接触による直管部の破損を防止することができる。
(9) When the lid portion is fixed, a predetermined interval is provided between the straight pipe portion and the notch portion, thereby preventing the straight pipe portion from being damaged.
When the straight pipe part and the cutout part come into contact with each other, nozzle breakage starting from the contact point is likely to occur, but in the present invention, the straight pipe part and the cutout part are cut so as to have a predetermined interval. Since the notch part is formed, the straight pipe part can be prevented from being damaged by the contact.
なお、本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
前記実施形態ではインナーチューブとアウターチューブを有する２重管構造の基板処理装置を用いて説明したが、アウターチューブのみの所謂シングルチューブ構造の基板処理装置にも適用可能である。
前記実施形態では処理がウエハに施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクあるいは磁気ディスク等であってもよい。
また、前記実施形態ではバッチ式縦形ホットウオール形装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、バッチ式横形ホットウオール形装置等の基板処理装置に適用することができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
In the above embodiment, the substrate processing apparatus having a double tube structure having an inner tube and an outer tube has been described. However, the present invention is also applicable to a so-called single tube structure substrate processing apparatus having only an outer tube.
In the above-described embodiment, the case where the processing is performed on the wafer has been described. However, the processing target may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.
Moreover, although the said embodiment demonstrated the case where it applied to a batch type vertical hot wall type apparatus, it is not limited to it, It can apply to substrate processing apparatuses, such as a batch type horizontal hot wall type apparatus.
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
(Appendix)
The present invention includes the following embodiments.
（付記１）
少なくとも１つのガス供給孔を有する直管部と、
前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、
前記下端部を載置する載置部と、
前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し
前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部との接触面にガスを導入する導入孔が形成されているガス供給部。
(Appendix 1)
A straight pipe portion having at least one gas supply hole;
A lower end portion formed at the lower end of the straight pipe portion and having a width larger than the diameter of the straight pipe portion;
A placing portion for placing the lower end portion;
The lower end portion is fixed to the mounting portion, and a lid portion having a support surface for supporting the upper surface of the lower end portion when the lower end portion is tilted has an upper surface of the lid portion on the straight pipe portion. A gas supply part in which notches are formed so as to have a predetermined interval, and an introduction hole is formed in the placement part for introducing gas into a contact surface with the lower end part.
（付記２）
付記１記載のガス供給部であって、前記載置部は前記下端部の両側を挟み込むようにサポート部を有する。
(Appendix 2)
The gas supply unit according to attachment 1, wherein the placement unit has a support unit so as to sandwich both sides of the lower end.
（付記３）
付記２記載のガス供給部であって、前記サポート部は斜めに配置されている。
(Appendix 3)
The gas supply unit according to appendix 2, wherein the support unit is disposed obliquely.
（付記４）
付記１〜３記載のガス供給部であって、前記サポート部に対向する位置にボルトを有する。
(Appendix 4)
It is a gas supply part of Additional remarks 1-3, Comprising: It has a volt | bolt in the position facing the said support part.
（付記５）
少なくとも１つのガス供給孔を有する中空の直管部と、
前記直管部の下端に、その最上面の面積が前記直管部の断面積よりも大きく形成された立体形状の下端部と、を有し、
前記下端部は、側面にガス導入口が設けられ、前記下端部内部に前記ガス導入口から前記直管部の中空部分に連通するガス流路が設けられているガスノズル。
(Appendix 5)
A hollow straight pipe portion having at least one gas supply hole;
The lower end of the straight pipe part has a three-dimensional lower end formed with an area of the uppermost surface larger than the cross-sectional area of the straight pipe part,
The lower end is a gas nozzle in which a gas introduction port is provided on a side surface, and a gas flow path that communicates from the gas introduction port to the hollow portion of the straight pipe portion is provided in the lower end.
（付記６）
付記５のガスノズルであって、前記立体形状は直方体である。
(Appendix 6)
The gas nozzle according to attachment 5, wherein the three-dimensional shape is a rectangular parallelepiped.
（付記７）
付記５のガスノズルであって、前記下端部の前記ガス導入口が設けられた側面および最下面のそれぞれ少なくとも一部分は水平面になっている。
(Appendix 7)
The gas nozzle according to attachment 5, wherein at least a part of each of the side surface and the lowermost surface of the lower end portion where the gas introduction port is provided is a horizontal plane.
（付記８）
付記６のガスノズルであって、前記下端部の角部を形成する各部分はＲがけされている。
(Appendix 8)
The gas nozzle according to appendix 6, wherein each portion forming the corner portion of the lower end portion is rounded.
（付記９）
少なくとも１つのガス供給孔を有する直管部と、
前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、
前記下端部を載置する載置部と、
前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し
前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部との接触面にガスを導入する導入孔が形成されているガス供給部を備えた基板処理装置。
(Appendix 9)
A straight pipe portion having at least one gas supply hole;
A lower end portion formed at the lower end of the straight pipe portion and having a width larger than the diameter of the straight pipe portion;
A placing portion for placing the lower end portion;
The lower end portion is fixed to the mounting portion, and a lid portion having a support surface for supporting the upper surface of the lower end portion when the lower end portion is tilted has an upper surface of the lid portion on the straight pipe portion. A substrate processing apparatus, comprising: a gas supply portion in which a notch is formed so as to have a predetermined interval and an introduction hole for introducing a gas is formed in a contact surface with the lower end portion.
（付記１０）
基板を処理する処理室に前記基板を搬入する工程と、
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程では、 少なくとも１つのガス供給孔を有する直管部と、 前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、 前記下端部を載置する載置部と、 前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し、前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部との接触面にガスを導入する導入孔が形成されているガス供給部から処理ガスを供給する半導体装置の製造方法。
(Appendix 10)
Carrying the substrate into a processing chamber for processing the substrate;
Processing the substrate in the processing chamber;
And unloading the substrate from the processing chamber.
In the step of processing the substrate, a straight pipe portion having at least one gas supply hole, a lower end portion formed at a lower end of the straight pipe portion and having a width larger than a diameter of the straight pipe portion, and the lower end portion A mounting portion to be mounted; and a lid portion that fixes the lower end portion to the mounting portion and has a support surface that supports an upper surface of the lower end portion when the lower end portion is inclined, and the lid portion. A gas supply in which a notch is formed in the upper surface of the tube so as to have a predetermined interval with respect to the straight pipe portion, and an introduction hole for introducing gas into the contact surface with the lower end portion is formed in the mounting portion. A method of manufacturing a semiconductor device that supplies a processing gas from a section.
基板処理装置 １０
ガス流路部 ４１
水平部 ４１ｃ
垂直部 ４１ｂ
ガス導入部 ４２
底面部 ４２Ｚ
下端部 ４３
蓋部 ４４
サポート部 ４５
ボルト ４６
固定孔 ４７
切欠き部 ５０
サポート孔 ５１
筐体 １０１
ウエハ ２００
処理室 ２０４
処理ガス供給管 ２２４
コントローラ ２８０
Substrate processing equipment 10
Gas flow path part 41
Horizontal part 41c
Vertical part 41b
Gas introduction part 42
Bottom part 42Z
Lower end 43
Lid 44
Support section 45
Bolt 46
Fixed hole 47
Notch 50
Support hole 51
Housing 101
Wafer 200
Processing chamber 204
Process gas supply pipe 224
Controller 280
Claims (3)
前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、
前記下端部を載置する載置部と、
前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し、
前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部の側面との接触面にガスを導入する導入孔が形成され、前記直管部の延在方向と前記導入孔の開孔方向が交差するガス供給部。 A straight pipe portion having at least one gas supply hole;
A lower end portion formed at the lower end of the straight pipe portion and having a width larger than the diameter of the straight pipe portion;
A placing portion for placing the lower end portion;
A lid having a support surface that fixes the lower end to the mounting portion and supports the upper surface of the lower end when the lower end is inclined ;
Wherein the at notch formed so as to have a predetermined distance from the straight pipe portion, introduction hole to the mounting section for introducing a gas into the contact surface of the side surface of the lower end formed on the upper surface of the lid portion is, the gas supply unit opening direction you cross the extending direction and the introduction hole of the straight pipe portion.
前記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、
前記下端部を載置する載置部と、
前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し、
前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部の側面との接触面にガスを導入する導入孔が形成され、前記直管部の延在方向と前記導入孔の開孔方向が交差するガス供給部を備えた基板処理装置。 A straight pipe portion having at least one gas supply hole;
A lower end portion formed at the lower end of the straight pipe portion and having a width larger than the diameter of the straight pipe portion;
A placing portion for placing the lower end portion;
A lid having a support surface that fixes the lower end to the mounting portion and supports the upper surface of the lower end when the lower end is inclined ;
Wherein the at notch formed so as to have a predetermined distance from the straight pipe portion, introduction hole to the mounting section for introducing a gas into the contact surface of the side surface of the lower end formed on the upper surface of the lid portion is, the substrate processing apparatus opening direction of the extending direction and the introduction hole of the straight tube portion is provided with a gas supply portion you cross.
前記処理室内で前記基板を処理する工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する工程と、を有し、
前記基板を処理する工程では、少なくとも１つのガス供給孔を有する直管部と、前
記直管部の下端に形成され、前記直管部の径より大きい幅を持つ下端部と、前記下端部を載置する載置部と、前記下端部を前記載置部に固定し、前記下端部が傾いた時に前記下端部の上面を支持する支持面を有する蓋部と、を有し、前記蓋部の上面には前記直管部に対して所定間隔を有するように切欠きが形成され、前記載置部には前記下端部の側面との接触面にガスを導入する導入孔が形成され、前記直管部の延在方向と前記導入孔の開孔方向が交差するガス供給部から処理ガスを供給する半導体装置の製造方法。 Carrying the substrate into a processing chamber for processing the substrate;
Processing the substrate in the processing chamber;
And unloading the substrate from the processing chamber.
In the step of processing the substrate, and a straight pipe section having at least one gas supply holes, wherein formed at the lower end of the straight pipe portion, and a lower end having said width greater than the diameter of the straight tube portion, the lower portion a mounting portion for mounting, the lower end is fixed to the mounting section, have a lid having a support surface for supporting the upper surface of the lower end when the lower end portion is tilted, the lid of the upper surface is in notch formed so as to have a predetermined gap with respect to the straight pipe section, before mounting section introduction hole for introducing a gas is formed on the contact surface with the side surface of the lower end, the the method of manufacturing a semiconductor device for supplying a processing gas from the gas supply portion opening direction of the inlet hole and the extending direction of the straight pipe portion you cross.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP2014058275A JP6176732B2 (en) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015185578A JP2015185578A (en) | 2015-10-22 |
| JP6176732B2 true JP6176732B2 (en) | 2017-08-09 |
Family
ID=54351833
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014058275A Active JP6176732B2 (en) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6176732B2 (en) |
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|---|---|---|---|---|
| JP6602230B2 (en) | 2016-02-29 | 2019-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Quartz tube holding structure and heat treatment apparatus using the same |
| JP6550029B2 (en) * | 2016-09-28 | 2019-07-24 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | Substrate processing apparatus, nozzle base and method of manufacturing semiconductor device |
| JP6820766B2 (en) | 2017-03-02 | 2021-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Gas introduction mechanism and heat treatment equipment |
| KR102099824B1 (en) * | 2018-04-12 | 2020-04-10 | 주식회사 유진테크 | Apparatus for processing substrate |
| JP2024015526A (en) * | 2020-12-20 | 2024-02-05 | 株式会社Kokusai Electric | Substrate processing equipment and semiconductor device manufacturing method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5088331B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Component parts for heat treatment apparatus and heat treatment apparatus |
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-
2014
- 2014-03-20 JP JP2014058275A patent/JP6176732B2/en active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015185578A (en) | 2015-10-22 |
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