KR20060085493A - 반도체 제조 장비 및 이 장비의 제어 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장비 및 이 장비의 제어 방법을 공개한다. 이 장비는 웨이퍼를 가공하고, 내부의 상태에 대한 정보를 출력하는 제작 장비, 상기 제작 장비를 통해 가공된 웨이퍼를 검사하고, 상기 웨이퍼에 대해 측정한 측정값들을 출력하는 측정 장비, 및 변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값들을 비교 분석함으로써 상기 제작 장비의 이상 여부를 파악하고, 상기 제작 장비의 이상이 발생한 경우에 상기 제작 장비 및 상기 측정 장비의 동작을 정지시키는 제어 시스템을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 반도체 제조 장비에 변경점이 발생한 경우에 발생할 수 있는 생산 제품(반도체 장치)의 불량을 최소화할 수 있다.

Description

반도체 제조 장비 및 이 장비의 제어 방법{Semiconductor device production apparatus and control method of this}

도 1은 종래의 반도체 제조 장비의 블록도를 나타낸 것이다.

도 2는 본 발명의 반도체 제조 장비의 블록도를 나타낸 것이다.

도 3은 본 발명의 반도체 제조 장비의 제어 방법을 설명하기 위한 동작 흐름도이다.

도 4 내지 도 8은 본 발명의 반도체 제조 장비에서 제어부에 의해 분석한 결과가 인터페이스부에 표시되는 것을 예시한 도면이다.

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조 장비에 변경점이 생긴 전후의 데이터를 분석하고, 반도체 제조 장비를 자동으로 제어할 수 있는 반도체 제조 장비 및 이 장비의 제어 방법에 관한 것이다.

반도체 기술이 고도화됨에 따라 소자의 설계기술과 단위공정 기술의 개발과 더불어 각 제조공정에서의 공정관리의 중요성이 커지고 있다. 즉, 반도체 장치의 대량 생산에 있어서, 반도체 장치의 일정한 품질을 보증하는 것은 매우 중요한 일 이며, 문제가 발생하더라도 빠른 시간에 조치하여 불량 발생을 최소화하는 것 또한 중요한 일이다.

최근에 발생한 사고(생산된 반도체 장치의 품질 불량)를 분석해보면, 반도체 제조 장비에서 변경점(예를 들면, 장비의 세정 작업, 생산 조건의 변화 등) 발생 이후의 사고가 전체 사고의 많은 부분을 차지하고 있는데, 이는 엔지니어의 부주의, 판단 착오 등에 기인하는 경우가 많다.

도 1은 종래의 반도체 제조 장비의 블록도를 나타낸 것으로서, 제작 장비(10)와 측정 장비(20)로 구성되어 있다. 도 1에서 점선은 웨이퍼의 이동 경로를 나타낸 것이다.

도 1에 나타낸 블록들 각각의 기능을 설명하면 다음과 같다.

제작 장비(10)는 웨이퍼(wafer)에 패터닝(patterning) 등의 가공 공정을 수행하는 장비이다. 측정 장비(20)는 제작 장비(10)에서 패터닝(patterning) 등의 가공 공정을 거친 웨이퍼(wafer)에 대해 패턴(pattern)의 두께, 깊이 등 물리적인 데이터 및 반도체 장치 내부 회로에 대한 전기적인 데이터 등을 측정하는 장비이다.

제작 장비(10) 및 측정 장비(20)는 주기적으로 세정 작업, 오일 교환 등 유지 관리를 필요로 하며, 이러한 유지 관리 작업에 의해 변경점이 발생한다. 즉, 제작 장비(10)의 여러 조건들이 변화하게 된다. 또한, 생산 조건을 변경하는 등 공정을 변경할 경우에도 제작 장비(10)에서 변경점이 발생한다. 또한, 제작 장비(10) 및 측정 장비(20)에 고장이 발생한 경우에도 변경점이 발생한다. 즉, 변경점은 반도체 제조 장비에 이전과 다른 어떤 변화가 생긴 것을 의미한다.

이러한 변경점이 발생한 경우에는 제작 장비(10)가 정상적으로 동작할 수 있는지를 판단하여야 하는데, 종래의 경우에는 엔지니어가 개인적인 경험 등을 토대로 제작 장비(10)의 내부 상태에 대한 여러 가지 정보(예를 들면, 제작 장비 내부에서의 가스 누출 정도, 모터의 회전 속도 등)를 측정하여 이를 판단하였다. 또한, 사후관리의 측면에서, 측정 장비(20)에서 제작 장비(10)를 통해 가공된 웨이퍼에 대해 측정한 측정값을 토대로 웨이퍼가 정상적으로 가공되었는지를 판단하게 되는데, 이 경우에도 엔지니어가 개인적인 경험을 토대로 판단하였다.

그러나, 엔지니어가 개인적인 경험을 토대로 판단하는 종래의 경우에는 판단함에 있어 오류가 발생할 위험이 상존한다. 즉, 엔지니어의 경험이 부족한 경우에는 제작 장비(10) 내부 상태에 대한 정보 또는 측정값에 대한 판단 미숙으로 인한 오류가 발생할 위험이 있으며, 숙련된 엔지니어의 경우에도 자주 사용하지 않는 특정한 정보 또는 측정값을 보고 판단해야 하는 경우에는 판단 미숙으로 인한 오류가 발생할 위험이 있다. 또한, 일반적으로 엔지니어의 경험을 토대로 판단하는 경우에는 특정한 정보 또는 측정값만 보고 판단하는 경우가 많은데, 이 경우에 오류가 많이 발생한다. 또한, 상기 정보 또는 측정값이 실시간으로 제공되지 않음으로 인해 숙련된 엔지니어도 판단 오류를 범할 수 있다.

상술한 제작 장비(10) 내부 상태에 대한 정보 또는 측정값에 대한 판단의 오류가 발생한 경우에는 생산된 반도체 장치의 품질을 보증할 수 없게 되는 문제가 발생하며, 시간이 경과하여 이러한 오류가 발생했음을 알아낸 경우에는 시간적, 경제적으로 많은 손실이 발생하게 된다.

본 발명의 목적은 변경점 전후의 제작 장비의 상태에 대한 정보 및 측정 장비에서 측정한 측정값을 통계적 방법을 통해 자동으로 판단함으로서 변경점으로 인한 사고를 미연에 방지할 수 있는 반도체 제조 장비를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기 목적을 달성하기 위한 반도체 제조 장비의 제어 방법을 제공하는데 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비는 웨이퍼를 가공하고, 내부의 상태에 대한 정보를 출력하는 제작 장비, 상기 제작 장비를 통해 가공된 웨이퍼를 검사하고, 상기 웨이퍼에 대해 측정한 측정값들을 출력하는 측정 장비, 및 변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값들을 비교 분석함으로써 상기 제작 장비의 이상 여부를 파악하고, 상기 제작 장비의 이상이 발생한 경우에 상기 제작 장비 및 상기 측정 장비의 동작을 정지시키는 제어 시스템을 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 상기 변경점은 설계 변경으로 인한 공정 변경, 상기 제작 장비 및/또는 상기 측정 장비의 유지 관리 작업에 의한 설비 변경, 및 상기 제작 장비 및/또는 상기 측정 장비의 고장으로 인한 동작 정지 중 어느 하나 이상인 경우를 의미하는 것을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 상기 제어 시스템은 상기 제작 장비 및 상기 측정 장비로부터 상기 정보 및 상기 측정값들을 입력받아 저장하고, 출력하는 저장부, 상기 저장부의 동작을 제어하고, 상기 변경점이 발 생한 경우에 상기 저장부로부터 상기 정보 및 상기 측정값들을 입력받아 상기 변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값을 비교 분석하여 상기 제작 장비의 이상 여부를 파악하고, 상기 제작 장비의 이상이 발생한 경우에 상기 제작 장비 및 상기 측정 장비의 동작을 정지시키고, 제어신호에 응답하여 상기 비교 분석한 결과를 출력하는 제어부, 및 사용자의 입력에 응답하여 상기 제어신호를 출력하고, 상기 제어부로부터 입력된 상기 비교 분석한 결과를 표시하는 인터페이스부를 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 상기 제어부는 상기 변경점이 발생했는지 여부를 판단하고, 상기 변경점이 발생한 후 소정의 사이클 동안 입력된 상기 정보 및 상기 측정값들과 변경점이 발생하기 전에 입력된 상기 정보 및 상기 측정값들을 비교 분석하여 상기 제작 장비의 이상 여부를 파악하는 기능을 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 제어 방법은 변경점이 발생하기 전에 웨이퍼를 가공하는 제작 장비 내부의 상태에 대한 정보 및 상기 가공된 웨이퍼에 대한 측정값을 저장하는 제1 데이터 저장 단계, 상기 변경점이 발생했는지 여부를 판단하는 변경점 판단 단계, 변경점 발생 후 소정 사이클 동안 상기 제작 장비 내부의 상태에 대한 정보 및 상기 측정값을 저장하는 제2 데이터 저장 단계, 상기 제1 데이터 저장 단계에서 저장된 상기 정보 및 상기 측정값과 상기 제2 데이터 저장 단계에서 저장된 상기 정보 및 상기 측정값을 비교 분석하여 상기 제작 장비의 이상 여부를 판단하는 이상 여부 판단 단계, 및 상기 제작 장비 에 이상이 있다고 판단되면 상기 제작 장비의 동작을 정지시키고, 상기 비교 분석 결과를 표시하는 제어 및 표시 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 제어 방법은 설계 변경으로 인한 공정 변경, 상기 제작 장비 및/또는 상기 측정 장비의 유지 관리 작업에 의한 설비 변경, 및 상기 제작 장비 및/또는 상기 측정 장비의 고장으로 인한 동작 정지 중 어느 하나 이상을 상기 변경점으로 설정하는 변경점 설정 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 제어 방법은 상기 소정의 사이클을 설정하는 사이클 설정 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 장비의 제어 방법의 상기 표시 단계는 상기 변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값을 표 형태, 또는 시간에 대한 그래프로, 또는, 서로 다른 값에 대한 상관 관계를 그래프로 표시하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 반도체 제조 장비 및 제어 방법을 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명의 반도체 제조 장비의 블록도를 나타낸 것으로서, 제작 장비(10), 측정 장비(20), 및 제어 시스템(30)으로 구성되어 있으며, 제어 시스템(30)은 저장부(32), 처리부(34), 및 인터페이스부(36)로 구성되어 있다. 도 2에서 점선 은 웨이퍼의 이동 경로를 나타낸다.

도 2에 나타낸 블록들 각각의 기능을 설명하면 다음과 같다.

제작 장비(10)는 웨이퍼(wafer)에 대해 패터닝(patterning) 등의 가공 공정을 수행하며, 제작 장비(10) 내부의 상태에 대한 정보를 제어 시스템(30)으로 출력한다.

측정 장비(20)는 상기 제작 장비(10)에서 가공된 웨이퍼(wafer)의 패턴의 두께, 깊이 등 물리적인 데이터 및 웨이퍼(wafer)에 형성된 회로 내부의 전압 등에 대한 전기적인 데이터를 측정하여 이러한 측정값들을 제어 시스템(30)으로 출력한다.

제어 시스템(30)은 제작 장비(10) 및 측정 장비(20)로부터 정보 및 측정값들을 입력받아 이를 분석하고, 제작 장비(10) 및 측정 장비(20)의 동작을 제어하며, 상기 데이터 및 상기 데이터를 분석한 자료를 다양한 방법을 통해 사용자에게 알려준다.

저장부(32)는 제어부(34)에 의해 동작되며, 상기 제작 장비(10)로부터 입력된 제작 장비(10) 내부의 상태에 대한 정보 및 상기 측정 장비(20)로부터 입력된 측정값들을 저장하고, 저장된 상기 정보 및 상기 측정값들을 제어부(34)로 출력한다.

제어부(34)는 상기 저장부(32)로부터 입력된 상기 정보 및 상기 측정값들을 이용하여 변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값들을 비교 분석함으로써 제작 장비(10)의 이상 여부를 판단하고, 분석 결과 제작 장비(10)의 이상이 발생한 경우에 는 제작 장비(10) 및 측정 장비(20)의 동작을 정지시킴과 동시에 이를 인터페이스부(36)를 통해 사용자에게 알려준다.

예를 들면, 제어부(34)는 변경점 후의 상기 정보 및/또는 상기 측정값이 소정의 기준 범위를 벗어났거나, 혹은 변경점 전의 상기 정보 및/또는 상기 측정값과 변경점 후의 상기 정보 및/또는 상기 측정값과의 차이가 소정값 이상인 경우에는 제작 장비(10)에 이상이 발생했다고 판단하고, 제작 장비(10) 및 측정 장비(20)의 동작을 정지시키고, 이에 대한 정보를 인터페이스부(36)를 통해 사용자에게 알려준다.

상기 변경점은 설계 변경으로 인한 공정 변경, 상기 제작 장비(10) 및/또는 상기 측정 장비(20)의 유지 관리 작업에 의한 설비 변경, 및 상기 제작 장비(10) 및/또는 상기 측정 장비(20)의 고장으로 인한 동작 정지 중 어느 하나 이상인 경우를 의미한다.

인터페이스부(36)는 사용자에 의해 입력되는 명령(com)에 응답하여 제어 신호를 제어부(34)로 출력하고, 제어부(34)로부터 출력된 신호에 따라 상기 데이터 및 상기 데이터를 분석한 자료를 다양한 방법을 통해 사용자가 알 수 있도록 표시한다.

즉, 본 발명의 반도체 제조 장비는 제어 시스템(30)을 이용하여 변경점 발생 전후의 제작 장비(10)의 내부 상태에 대한 정보 및 측정 장비(20)에서 측정한 측정값을 비교 분석하고, 그 결과에 따라 반도체 제조 장비의 동작 여부를 자동으로 제어함으로써 변경점 발생으로 인한 반도체 장치의 불량을 사전에 방지할 수 있다. 또한, 사용자의 요구에 따라 다양한 방법으로 분석 결과를 사용자에게 알려줄 수 있다.

도 3은 도 2에 나타낸 본 발명의 반도체 제조 장비의 제어 시스템(30)의 제어부(34)의 동작을 설명하기 위한 동작 흐름도이다.

도 3을 참고하여 본 발명의 반도체 제조 장비의 제어 시스템(30)의 제어부(34)의 동작을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 사용할 변경점을 설정한다(제110단계). 변경점으로는 설계 변경으로 인한 공정 변경, 세척, 오일 교환 등 제작 장비(10) 및/또는 측정 장비(20)의 유지 관리 작업에 의한 설비 변경, 장비의 고장으로 인한 동작 정지 등이 설정될 수 있으며, 이 중 복수개를 설정하는 것도 가능하다.

다음으로, 변경점이 발생하기 전에는 제작 장비(10) 및 측정 장비(20)로부터 장비 내부의 상태에 대한 여러 가지 정보, 측정값 등의 데이터(변경점 전 데이터)를 저장부(32)로 입력받아 저장한다(제120단계).

다음으로, 변경점이 발생했는지 여부를 판단한다(제130단계).

제130단계에서 판단한 결과, 변경점이 발생하지 않았다면 다시 제120단계를 수행한다.

제130단계에서 판단한 결과, 변경점이 발생했다면 이후부터 소정 사이클 동안의 제작 장비(10) 및 측정 장비(20)로부터 장비 내부의 여러 가지 상태에 대한 정보 및 측정값 등의 데이터(변경점 후 데이터)를 저장부(32)로 입력받아 저장한다(제140단계).

다음으로, 상기 소정 사이클이 경과했는지를 판단한다(제150단계).

상기 사이클은 제작 장비(10) 및 측정 장비(20)에 의해 웨이퍼가 가공되고 검사되어 하나의 반도체 장치의 제작이 완성되는 것을 의미한다. 상기 소정 사이클은 사용자에 의해 설정될 수 있다. 즉, 몇 번의 사이클 후에 제작 장비(10)의 이상 여부를 판단할지를 사용자가 설정할 수 있다.

제150단계에서 판단한 결과, 소정 사이클이 경과하지 않았다면 제140단계를 수행한다.

제150단계에서 판단한 결과, 소정 사이클이 경과했다면 저장부(32)로부터 상기 변경점 전 데이터와 변경점 후 데이터를 입력하여 두 데이터를 비교 분석한다(제160단계).

다음으로, 제160단계에서 비교 분석한 결과를 토대로 이상 여부를 판단한다(제170단계). 즉, 변경점 후 데이터가 기준 범위를 벗어났는지 여부, 변경점 후 데이터와 변경점 전 데이터의 차이가 소정의 범위를 벗어났는지 여부 등을 판단함으로써 이상 여부를 판단한다.

제170단계에서 판단한 결과, 이상이 없다면 제120단계를 수행한다.

제170단계에서 판단한 결과, 이상이 발생했다면 장비의 동작을 정지시키고, 그 결과를 인터페이스부(36)를 통하여 사용자에게 알려준다(제180단계). 예를 들면, 경고음 등의 신호를 발생한 후, 인터페이스부(36)를 통해 이상 데이터, 즉, 변경점 후 데이터가 기준 범위를 벗어난 경우 그 데이터 및/또는 변경점 후 데이터와 변경점 전 데이터의 차이가 소정의 범위를 벗어난 경우의 그 데이터를 표시한다. 데이터를 표시하는 방법으로는 표를 이용한 방법, 시간에 따른 데이터의 변화를 그래프로 나타내는 방법, 서로 다른 데이터 간의 상관 관계를 그래프로 나타내는 방법 등이 이용될 수 있다.

도 4 내지 도 8은 본 발명의 반도체 제조 장비의 제어 시스템(30)에서 인터페이스부(36)를 통해 분석 결과를 표시하는 방법의 일례를 나타낸 도면으로서, 변경점으로 장비의 세척을 설정했다고 가정한 경우를 나타낸 것이다.

도 4 내지 도 8을 참고하여 본 발명의 반도체 제조 장비의 제어 시스템(30)에서 변경점 전후의 데이터를 분석하여 표시하는 방법을 설명하면 다음과 같다.

상술한 바와 같이, 제어 시스템(30)의 제어부(34)는 변경점 전 데이터와 변경점 후 데이터를 비교 분석하여 이상이 발생했다고 판단되면 장비의 동작을 정지시키고, 이를 사용자에게 알려준다. 사용자는 인터페이스부(36)를 통해 문제가 된 데이터에 대해 여러 가지 형태로 그 정보를 얻을 수 있다.

도 4는 제어부(34)에 의해 인터페이스부(36)에 표시되는 초기 화면이다.

도 4와 같은 초기 화면에서, 사용자는 인터페이스부(36)를 통해 연계 분석을 선택하고, 다시 서브 메뉴 중 설비 변경 분석을 선택하고, 다시 서브 메뉴 중 PM(Preventive Maintenance) 분석을 선택한다. PM(Preventive Maintenance)이란 예방 유지 보수를 말하는 것으로서, 제작 장비(10) 내부의 이물질 제거를 위해 주기적으로 세척하는 작업 등을 의미한다. PM 분석을 선택하면 새로운 창이 표시된다.

도 5는 상술한 바와 같이 PM 분석을 선택하여 인터페이스부(36)를 통해 새로운 창이 나타난 것을 나타낸 도면이다.

이 새로운 창에서 사용자는 복수개의 공정 파트(part) 선택 중 분석하기를 원하는 어느 하나의 파트(part)를 선택한다. 파트(part)를 선택하게 되면 해당되는 파트(part)에서의 이상 데이터, 즉, 변경점 후 장비 내부의 상태에 대한 정보, 또는, 측정 장비(20)에서 측정한 측정값이 기준 범위를 벗어났거나, 변경점 전후의 상기 정보 또는 측정값의 차이가 소정 범위를 벗어난 경우에는 그러한 정보 및 측정값을 표시하게 된다.

도 6은 도 5에 나타낸 새로운 창에서 공정 파트(part) 중 "Dry"를 선택한 경우에 인터페이스부(36)를 통해 이상 데이터를 표시하는 것을 나타낸 도면이다.

도 6에 나타낸 바와 같이, 도 5에서 원하는 공정 파트(part)를 선택하게 되면 문제가 된 정보 및 측정값이 각 항목으로 표시되는 표 형식으로 표시된다. 본 발명의 반도체 제조 장치의 실시예의 제어 시스템은 각 항목에 대해 두 가지 형태의 그래프를 표시할 수 있도록 구성되어 있다.

도 7은 본 발명의 반도체 제조 장비의 실시예의 제어 시스템이 인터페이스부(36)를 통해 선택한 항목의 시간의 경과에 따른 변화를 보여주는 그래프를 표시하는 것을 나타낸 도면이다.

사용자는 도 6에서 보고자 하는 항목을 선택한 후, 표 상단의 메뉴 중 "Draw Chart"를 선택한다. 그러면, 도 7에 나타낸 바와 같이, 인터페이스부(36)를 통해 선택한 항목의 시간의 경과에 따른 변화를 나타내는 그래프가 표시된다.

도 8은 본 발명의 반도체 제조 장비의 실시예의 제어 시스템이 인터페이스부(36)를 통해 서로 다른 항목들 간의 상관관계를 나타내는 그래프(상관 차트 (chart))를 표시하는 것을 나타낸 도면이다.

도 6에 나타낸 이상 데이터에 대해 표 형식으로 나타낸 창에서, 보고자 하는 항목을 선택하여(예를 들면, 마우스의 왼쪽 버튼을 클릭) 나타난 서브 메뉴에서 "상관 차트 그리기"를 선택하고, 상기에서 선택한 항목과의 상관관계를 알고자하는 항목을 다시 선택한 다음, 표 상단의 메뉴 중 "Draw Chart"를 선택한다. 그러면, 도 8에 나타낸 바와 같이, 선택된 두 항목에 대한 데이터 간의 상관관계를 나타내는 그래프(상관 차트)가 그려진다.

본 발명의 반도체 제조 장비의 실시예에서는 상술한 메뉴 또는 항목의 선택 역시 모두 인터페이스부(36)를 통해 이루어진다.

즉, 본 발명의 반도체 제조 장비 및 이 장비의 제어 방법은 종래에 엔지니어의 개인적인 경험을 토대로 이루어지던 공정 관리를 시스템을 이용하여 모든 파라미터 및 측정값에 대해 통계적인 방법으로 행함으로써 변경점이 발생한 후에 이로 인해 발생할 수 있는 생산 제품(반도체 장치)의 불량을 최소화할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

따라서, 본 발명의 반도체 제조 장비 및 이 장비의 제어 방법은 반도체 제조 장비에 변경점이 발생한 경우에 발생할 수 있는 생산 제품(반도체 장치)의 불량을 최소화할 수 있다.

Claims (13)

1. 웨이퍼를 가공하고, 내부의 상태에 대한 정보를 출력하는 제작 장비;

   상기 제작 장비를 통해 가공된 웨이퍼를 검사하고, 상기 웨이퍼에 대해 측정한 측정값들을 출력하는 측정 장비; 및

   변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값들을 비교 분석함으로써 상기 제작 장비의 이상 여부를 파악하고, 상기 제작 장비의 이상이 발생한 경우에 상기 제작 장비 및 상기 측정 장비의 동작을 정지시키는 제어 시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
2. 제1항에 있어서, 상기 변경점은

   설계 변경으로 인한 공정 변경, 상기 제작 장비 및/또는 상기 측정 장비의 유지 관리 작업에 의한 설비 변경, 및 상기 제작 장비 및/또는 상기 측정 장비의 고장으로 인한 동작 정지 중 어느 하나 이상인 경우를 의미하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
3. 제2항에 있어서, 상기 제어 시스템은

   상기 제작 장비 및 상기 측정 장비로부터 상기 정보 및 상기 측정값들을 입력받아 저장하고, 출력하는 저장부;

   상기 저장부의 동작을 제어하고, 상기 변경점이 발생한 경우에 상기 저장부 로부터 상기 정보 및 상기 측정값들을 입력받아 상기 변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값을 비교 분석하여 상기 제작 장비의 이상 여부를 파악하고, 상기 제작 장비의 이상이 발생한 경우에 상기 제작 장비 및 상기 측정 장비의 동작을 정지시키고, 제어신호에 응답하여 상기 비교 분석한 결과를 출력하는 제어부; 및

   사용자의 입력에 응답하여 상기 제어신호를 출력하고, 상기 제어부로부터 입력된 상기 비교 분석한 결과를 표시하는 인터페이스부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
4. 제3항에 있어서, 상기 제어부는

   상기 변경점이 발생했는지 여부를 판단하고, 상기 변경점이 발생한 후 소정의 사이클 동안 입력된 상기 정보 및 상기 측정값들과 변경점이 발생하기 전에 입력된 상기 정보 및 상기 측정값들을 비교 분석하여 상기 제작 장비의 이상 여부를 파악하는 기능을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
5. 제4항에 있어서, 상기 제어부는

   상기 파라미터들 및 상기 측정값들을 비교 분석한 결과를 상기 인터페이스부를 통해 표 형태로 표시하는 기능을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
6. 제5항에 있어서, 상기 제어부는

   상기 변경점 전후의 상기 파라미터들 및 상기 측정값들의 시간에 대한 변화량을 그래프 형태로 상기 인터페이스부를 통해 표시하는 기능을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
7. 제6항에 있어서, 상기 제어부는

   상기 변경점 전후의 서로 다른 상기 파라미터들 또는 상기 측정값들에 대한 상관 관계를 그래프 형태로 상기 인터페이스부를 통해 표시하는 기능을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비.
8. 변경점이 발생하기 전에 웨이퍼를 가공하는 제작 장비 내부의 상태에 대한 정보 및 상기 가공된 웨이퍼에 대한 측정값을 저장하는 제1 데이터 저장 단계;

   상기 변경점이 발생했는지 여부를 판단하는 변경점 판단 단계;

   변경점 발생 후 소정 사이클 동안 상기 제작 장비 내부의 상태에 대한 정보 및 상기 측정값을 저장하는 제2 데이터 저장 단계;

   상기 제1 데이터 저장 단계에서 저장된 상기 정보 및 상기 측정값과 상기 제2 데이터 저장 단계에서 저장된 상기 정보 및 상기 측정값을 비교 분석하여 상기 제작 장비의 이상 여부를 판단하는 이상 여부 판단 단계; 및

   상기 제작 장비에 이상이 있다고 판단되면 상기 제작 장비의 동작을 정지시키고, 상기 비교 분석 결과를 표시하는 제어 및 표시 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 제어 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 반도체 제조 장비의 제어 방법은

   설계 변경으로 인한 공정 변경, 상기 제작 장비 및/또는 상기 측정 장비의 유지 관리 작업에 의한 설비 변경, 및 상기 제작 장비 및/또는 상기 측정 장비의 고장으로 인한 동작 정지 중 어느 하나 이상을 상기 변경점으로 설정하는 변경점 설정 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 제어 방법.
10. 제8항에 있어서, 상기 반도체 제조 장비의 제어 방법은

    상기 소정의 사이클을 설정하는 사이클 설정 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 제어 방법.
11. 제8항에 있어서, 상기 표시 단계는

    상기 변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값을 표 형태로 표시하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 제어 방법.
12. 제8항에 있어서, 상기 표시 단계는

    상기 변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값을 시간에 대한 그래프로 표시하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 제어 방법.
13. 제8항에 있어서, 상기 표시 단계는

    상기 변경점 전후의 상기 정보 및 상기 측정값을 서로 다른 값에 대한 상관 관계를 그래프로 표시하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 제어 방법.

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