KR20060077968A - Apparatus for exposing a wafer - Google Patents

Apparatus for exposing a wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20060077968A
KR20060077968A KR1020040116620A KR20040116620A KR20060077968A KR 20060077968 A KR20060077968 A KR 20060077968A KR 1020040116620 A KR1020040116620 A KR 1020040116620A KR 20040116620 A KR20040116620 A KR 20040116620A KR 20060077968 A KR20060077968 A KR 20060077968A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
back surface
chuck
light
supported
Prior art date
Application number
KR1020040116620A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
오성식
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040116620A priority Critical patent/KR20060077968A/en
Publication of KR20060077968A publication Critical patent/KR20060077968A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus

Abstract

웨이퍼에 대한 노광 공정을 수행하기 위한 장치에서, 상기 웨이퍼는 척 상에 지지되며, 웨이퍼의 이면과 마주하여 배치되는 광센서는 상기 웨이퍼의 이면으로 광을 조사하고, 상기 이면으로부터 반사된 광으로부터 상기 이면에 흡착된 파티클 성분을 검출한다. 상기 척은 상기 이면을 전체적으로 검사하기 위하여 상기 광이 상기 이면을 스캔하도록 웨이퍼를 회전시킨다. 상기와 같은 파티클 검사는 상기 웨이퍼에 대한 노광 공정 전에 수행될 수 있으므로, 상기 노광 공정을 수행하는 동안 웨이퍼 이면의 파티클에 의해 발생될 수 있는 로컬 포커스와 같은 공정 불량을 미연에 방지할 수 있다.In an apparatus for performing an exposure process on a wafer, the wafer is supported on a chuck, and an optical sensor disposed to face the back side of the wafer irradiates light to the back side of the wafer, and the light is reflected from the light reflected from the back side. The particle component adsorbed on the back surface is detected. The chuck rotates the wafer so that the light scans the back side to inspect the back side as a whole. Since the particle inspection may be performed before the exposure process on the wafer, process defects such as local focus that may be generated by particles on the back surface of the wafer during the exposure process may be prevented in advance.

Description

웨이퍼 노광 장치{APPARATUS FOR EXPOSING A WAFER}Wafer exposure apparatus {APPARATUS FOR EXPOSING A WAFER}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 노광 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 1 is a perspective view illustrating a wafer exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 웨이퍼 노광 장치를 설명하기 위한 측면도이다.FIG. 2 is a side view illustrating the wafer exposure apparatus of FIG. 1.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 웨이퍼 노광 장치 110 : 척100 wafer exposure apparatus 110 chuck

120 : 구동부 130 : 광센서120: drive unit 130: optical sensor

130a : 발광부 130b : 수광부130a: light emitting unit 130b: light receiving unit

140 : 조명계 W : 웨이퍼140: illumination system W: wafer

본 발명은 반도체 기판에 대한 노광 공정을 수행하기 위한 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트 막으로 마스크 패턴을 전사하기 위하여 노광 공정을 수행하기 위한 웨이퍼 노광 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for performing an exposure process for a semiconductor substrate, and more particularly, a wafer exposure apparatus for performing an exposure process to transfer a mask pattern to a photoresist film formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer. It is about.

근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약 적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity.

이러한 요구에 부응하여 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라 상기 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 사진 공정 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.In response to such demands, manufacturing techniques have been developed for semiconductor devices to improve the degree of integration, reliability, and response speed. Accordingly, the demand for micromachining techniques such as photographic processing techniques is becoming strict as a main technique for improving the degree of integration.

상기와 같은 반도체 장치를 제조하기 위한 공정 기술에서 사진 공정 기술은 잘 알려져 있는 바와 같이, 유기적인 포토레지스트(photoresist)를 사용하여 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층을 포토레지스트 패턴으로 형성하는 기술이다. 구체적으로는 먼저, 웨이퍼 상에 자외선이나 X선과 같은 광(light)을 조사하면 알칼리성 용액에 대해 용해도 변화가 일어나게 되는 유기층인 포토레지스트층을 형성한다. 그리고 상기 포토레지스트층의 상부에 소정 부분만을 선택적으로 노광할 수 있도록 패터닝된 패턴 마스크을 개재하여 상기 포토레지스트층에 선택적으로 광을 조사한 다음, 현상하여 용해도가 큰 부분(포지티브형 포토레지스트의 경우, 노광된 부분)은 제거하고 용해도가 작은 부분은 남겨 포토레지스트 패턴을 형성한다.As is well known in the process technology for manufacturing the semiconductor device as described above, after forming a photoresist layer using an organic photoresist (photoresist), the photoresist layer is formed into a photoresist pattern It is a technique to do. Specifically, first, a photoresist layer is formed, which is an organic layer in which solubility change occurs in an alkaline solution when light such as ultraviolet rays or X-rays are irradiated onto the wafer. The photoresist layer is selectively irradiated with light through a pattern mask patterned to selectively expose only a predetermined portion on the photoresist layer, and then developed to develop a high solubility portion (in the case of a positive type photoresist). Removed) to form a photoresist pattern, leaving a low solubility portion.

그러나, 상기 사진 공정 기술 중에서 노광에서는 분해능(resolution) 등에 영향을 끼치는 로컬 포커스(local focus)와 같은 불량이 빈번하게 발생한다. 그리고 상기 사진 공정에서는 25매의 웨이퍼들을 공정 단위로 구성하는데, 상기 불량은 공정 단위로 발생하기 때문에 반도체 제조에 심각한 영향을 끼친다. However, defects such as local focus, which affects resolution and the like, frequently occur during exposure in the photolithography technique. In the photographic process, 25 wafers are configured in process units. The defects have a serious effect on semiconductor fabrication because they occur in process units.                         

또한 상기 불량이 사진 공정 도중에 수행하는 검사(ACI : after cleaning inspection 또는 ADI : after development inspection)에서 발견될 경우에는 리워크(rework) 등을 통한 조치가 가능하지만, 주로 상기 사진 공정 이후에 불량 소스로 작용하기 때문에 심각한 영향을 끼치는 것이다.In addition, if the defect is found in an inspection performed during the photographic process (ACI: after cleaning inspection or ADI: after development inspection), it is possible to take action through rework or the like. It has a serious effect because it works.

이러한 로컬 포커스는 상기 웨이퍼에 흡착된 파티클에 기인하는데, 상기 노광을 위한 척(chuck)에 상기 파티클이 흡착됨으로서 발생한다. 상기 파티클은 상기 웨이퍼를 이송하는 도중에 흡착되기도 하지만, 주로 상기 웨이퍼의 이면에 형성되는 포토레지스트층에 의해 발생한다.This local focus is due to the particles adsorbed on the wafer, which occurs by adsorbing the particles to a chuck for the exposure. The particles are adsorbed during the transfer of the wafer, but are mainly generated by the photoresist layer formed on the back surface of the wafer.

때문에, 상기 포토레지스트층을 형성할 때 신너(thinner)를 사용하여 상기 웨이퍼의 이면에 형성되는 포토레지스트층을 제거하지만, 기술적 한계로 인하여 상기 웨이퍼의 플랫존(flat zone) 부위의 이면에 형성되는 포토레지스트층은 제거하지 못하고 있는 실정이다. 따라서 상기 웨이퍼의 이면에 형성된 포토레지스트층에 의해 상기 파티클은 빈번하게 발생한다. Therefore, when forming the photoresist layer, a thinner is used to remove the photoresist layer formed on the back surface of the wafer, but due to technical limitations, it is formed on the back surface of the flat zone portion of the wafer. The photoresist layer cannot be removed. Therefore, the particles are frequently generated by the photoresist layer formed on the back surface of the wafer.

때문에, 웨이퍼의 이면에 흡착된 파티클이 완전하게 제거되지 못한 상태로 노광을 위한 장치로 이송된다. 그리고 상기 파티클은 노광을 수행할 때 척 등에 흡착되고, 로컬 포커스와 같은 불량 소스로 작용한다. 때문에 상기 불량 소스로 인하여 반도체 제조에 치명적인 영향을 끼치고, 이에 따라 반도체 제조에 따른 신뢰도를 저하시키는 문제점을 초래하고 있다. Therefore, the particles adsorbed on the back surface of the wafer are transferred to the apparatus for exposure in a state where the particles are not completely removed. The particles are then adsorbed to the chuck or the like when performing exposure and serve as a bad source, such as local focus. Therefore, the defective source has a fatal effect on the semiconductor manufacturing, thereby causing a problem of lowering the reliability according to the semiconductor manufacturing.

따라서, 상기 노광 공정 등을 수행할 때 상기 파티클에 의한 영향을 최소화하기 위한 조치를 취할 필요가 있다. Therefore, it is necessary to take measures to minimize the influence of the particles when performing the exposure process or the like.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 웨이퍼 이면에 흡착되는 파티클(particle) 성분을 검출하여 로컬 포커스(Local Focus)와 같은 공정 불량을 억제할 수 있는 웨이퍼 노광 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a wafer exposure apparatus that can detect a particle component adsorbed on the back surface of the wafer to suppress process defects such as local focus.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 노광 장치는, 웨이퍼를 지지하기 위한 척과, 상기 척에 지지된 웨이퍼 이면으로 광을 조사하고, 상기 웨이퍼 이면으로부터 반사된 광을 검출하여 상기 웨이퍼 이면 상의 파티클 성분을 검출하기 위한 광센서와, 상기 척 상에 지지된 웨이퍼 상면에 광을 조사하여 상기 웨이퍼를 노광하기 위한 조명계를 포함한다. In order to achieve the above object, a wafer exposure apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chuck for supporting a wafer, irradiating light onto a back surface of the wafer supported by the chuck, and detecting light reflected from the back surface of the wafer. An optical sensor for detecting a particle component on the back surface of the wafer, and an illumination system for exposing the wafer by irradiating light to the upper surface of the wafer supported on the chuck.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광센서는 상기 척 상에 지지된 웨이퍼의 이면 가장자리 부위에서 중심 방향으로 연장하는 폭을 갖는 리본형 광을 상기 웨이퍼의 이면으로 조사하기 위한 발광부와, 상기 웨이퍼의 이면으로부터 반사된 광을 검출하여 상기 척에 지지된 웨이퍼 이면 상의 파티클 성분을 검출하기 위한 수광부를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the invention, the optical sensor is a light emitting portion for irradiating the ribbon-shaped light having a width extending in the center direction from the edge of the back surface of the wafer supported on the chuck to the back surface of the wafer, and It may include a light receiving unit for detecting the light reflected from the back surface of the wafer to detect the particle component on the back surface of the wafer supported by the chuck.

또한, 상기 웨이퍼 노광 장치는 상기 척에 지지된 웨이퍼의 이면으로 조사되는 광이 상기 웨이퍼의 이면을 스캔하도록 상기 척을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함할 수 있다.In addition, the wafer exposure apparatus may further include a driver for rotating the chuck so that light irradiated to the back surface of the wafer supported by the chuck scans the back surface of the wafer.

상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 노광 공정을 수행하기 전에 상기 광센서를 이용하여 웨이퍼 이면의 파티클 성분을 미리 검출한 후 제거함으 로써, 노광 공정을 수행하는 동안 상기 파티클 성분에 기인하는 로컬 포커스와 같은 공정 불량 발생을 억제할 수 있다.According to one embodiment of the present invention as described above, by detecting and removing particle components on the back surface of the wafer using the optical sensor before performing the exposure process, due to the particle components during the exposure process The occurrence of process defects such as local focus can be suppressed.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 도면들에서, 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals refer to like elements.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 노광 장치를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 노광 장치를 설명하기 위한 측면도이다.1 is a perspective view illustrating a wafer exposure apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view illustrating the wafer exposure apparatus of FIG. 1.

도 1 및 2를 참조하면, 웨이퍼 노광 장치(100)는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 척과, 상기 척을 구동시키는 구동부와, 상기 척 상에 지지된 웨이퍼(W)의 이면을 스캔하는 광센서와, 상기 척 상에 지지된 웨이퍼(W)를 노광하기 위한 조명계(140)를 포함한다.1 and 2, the wafer exposure apparatus 100 includes a chuck for supporting a wafer W, a driver for driving the chuck, and an optical sensor for scanning the back surface of the wafer W supported on the chuck. And an illumination system 140 for exposing the wafer W supported on the chuck.

구체적으로, 상기 척은 웨이퍼의 이면 중심 부위를 지지하며, 상기 광은 상기 척에 의해 지지된 부위를 제외한 나머지 이면 부위로 조사된다. 여기서, 상기 광은 상기 웨이퍼의 이면 가장자리로부터 중심 부위로 연장하는 폭을 갖는 리본형 광인 것이 바람직하다. Specifically, the chuck supports the central portion of the back surface of the wafer, and the light is irradiated to the rear portion except for the portion supported by the chuck. Here, the light is preferably ribbon-shaped light having a width extending from the edge of the back surface of the wafer to the center portion.

일반적으로, 상기 웨이퍼 노광 장치(100)는 웨이퍼(W) 상부에 마스크 패턴을 갖는 레티클(미도시)을 정렬 위치시켜 조명계(140)를 이용하여 상기 웨이퍼(W) 상에 광을 조사시킴으로써 상기 웨이퍼(W) 상에 마스크 패턴을 전사하기 위한 장치이다. 상기 노광 공정을 위하여 반송되는 웨이퍼(W)는 스테이지(미도시) 상의 척(110)에 고정되어 정렬 위치된다. In general, the wafer exposure apparatus 100 arranges a reticle (not shown) having a mask pattern on the wafer W and irradiates light onto the wafer W by using an illumination system 140. An apparatus for transferring a mask pattern onto (W). The wafer W to be conveyed for the exposure process is fixedly aligned to the chuck 110 on a stage (not shown).

상기 노광 공정의 수행을 위해 상기 척 상에 지지되는 웨이퍼 상에는 포토레 지스트 막이 형성되어 있다.A photoresist film is formed on the wafer supported on the chuck for performing the exposure process.

이때, 노광 공정을 수행하는 동안 웨이퍼 이면에 부착된 파티클에 의해 발생될 수 있는 로컬 포커스를 방지하기 위하여, 상기 척(110) 상에 지지된 웨이퍼(W)에 대한 노광 공정을 수행하기 전에 상기 웨이퍼(W)의 이면에 흡착되는 파티클 성분을 미리 검출하고 제거하는 과정이 필요하다. In this case, in order to prevent local focus that may be generated by particles attached to the back surface of the wafer during the exposure process, the wafer is performed before performing the exposure process on the wafer W supported on the chuck 110. It is necessary to detect and remove the particle component adsorbed on the rear surface of (W) in advance.

이는, 웨이퍼(W)의 이면이 파티클 성분으로 인해 오염되어 있는 경우, 오염된 부분에서 국부적인 포커스 불량이 발생되어 상기 오염된 부분에서 분해능이 저하되는 문제점이 발생되기 때문이다. 또한, 상기 웨이퍼(W) 이면의 오염은 웨이퍼(W)를 척킹하는 웨이퍼(W) 척(110)을 오염시켜 연속 진행되는 후속 랏(lot)의 웨이퍼(W)들에게도 패터닝 불량을 유발시키기도 하여 대량의 불량을 발생시키기도 한다. 그리하여, 재작업에 의한 시간 및 비용에 따른 손실을 유발시킨다.This is because, when the back surface of the wafer W is contaminated by the particle component, a problem of local focus failure occurs in the contaminated portion, resulting in a problem in that the resolution decreases in the contaminated portion. In addition, contamination of the back surface of the wafer W may contaminate the wafer W chuck 110 that chucks the wafer W, causing patterning defects to the wafers W of subsequent lots. It can also cause a large amount of defects. Thus, the loss of time and money by rework.

이와 같이, 파티클 성분에 의한 로컬 포커스는 웨이퍼(W)를 육안으로 확인하여 찾을 수 있으나, 불량을 찾아내는 데는 시간적으로 많은 소요 시간이 걸리고 한번 발견하기까지 진행되는 랏은 통상 6 내지 10 랏 정도로 많은 양이다. In this way, the local focus by the particle component can be found by visually confirming the wafer W, but it takes a long time to find the defect, and the lot that proceeds until it is found is usually 6 to 10 lots. to be.

따라서, 이와 같은 로컬 포커스에 따른 웨이퍼(W)의 불량을 노광 공정에서 발견하지 못하면 로컬 포커스에 의한 수율 저하를 유발하기 때문에, 상기 노광 공정을 수행하기 전에 웨이퍼(W) 이면에 흡착되는 파티클 성분을 검출하여 제거할 필요가 있다. Therefore, if the defect of the wafer W due to the local focus is not found in the exposure process, the yield is lowered due to the local focus. Therefore, the particle component adsorbed on the back surface of the wafer W before the exposure process is performed. It needs to be detected and removed.

그리하여, 상기 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)에 노광 공정을 수행하기 위해 상기 웨이퍼(W)의 플랫존을 기준으로 상기 웨이퍼(W)를 정렬하는 과정을 수행한다. 이때, 상기 웨이퍼(W)를 정렬하기 위해서는 상기 웨이퍼(W)를 회전시킬 필요가 있으므로, 상기 척(110)을 회전시키게 된다. 상기 척(110)의 회전은 상기 척(110)과 연결되는 모터(moter)를 포함하는 구동부(120)에 의해 이루어진다. Thus, in order to perform an exposure process on the wafer W supported by the chuck 110, a process of aligning the wafer W based on the flat zone of the wafer W is performed. At this time, in order to align the wafer W, it is necessary to rotate the wafer W, thereby rotating the chuck 110. Rotation of the chuck 110 is made by a drive unit 120 including a motor connected to the chuck 110.

이때, 상기 회전하는 웨이퍼(W)의 이면은 상기 광센서(130)에 의해 스캔되어 상기 웨이퍼(W)의 이면에 흡착되는 파티클 성분이 검출된다. At this time, the back surface of the rotating wafer (W) is scanned by the optical sensor 130, the particle component adsorbed on the back surface of the wafer (W) is detected.

구체적으로, 상기 광센서(130)는 리본형 광을 조사하는 발광부(130a)와, 상기 발광부(130a)에서 조사된 광을 검출하여 상기 웨이퍼(W)의 이면에 흡착되는 파티클 성분을 검출하는 수광부(130b)를 구비한다.Specifically, the optical sensor 130 detects the light emitting unit 130a for irradiating ribbon-type light and the particle component adsorbed on the back surface of the wafer W by detecting the light irradiated from the light emitting unit 130a. It includes a light receiving unit 130b.

바람직한 본 실시예에 따르면, 상기 발광부(130a)는 상기 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)의 이면 가장자리 부위에서 상기 척(110)의 중심 방향으로 연장된 상기 웨이퍼(W)의 이면에 리본형 광을 조사하도록 상기 구동부(120)에 설치된다. According to the present exemplary embodiment, the light emitting part 130a is formed on the rear surface of the wafer W extending in the direction of the center of the chuck 110 at the edge of the rear surface of the wafer W supported by the chuck 110. It is installed on the drive unit 120 to irradiate ribbon-shaped light.

또한, 상기 수광부(130b)는 상기 발광부(130a)에서 조사된 광을 검출하여 상기 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)의 이면에 흡착되는 파티클 성분을 검출하도록 상기 척(110)을 기준으로 상기 발광부(130a)와 대향되게 상기 구동부(120)에 설치된다. 이때, 상기 발광부(130a)로부터 상기 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)의 이면에 조사된 리본형 광은 상기 회전하는 웨이퍼(W)를 따라 상기 웨이퍼(W)의 이면을 전체적으로 스캔하게 된다. In addition, the light receiver 130b refers to the chuck 110 so as to detect light emitted from the light emitter 130a and detect particle components adsorbed on the back surface of the wafer W supported by the chuck 110. As a result, the driving unit 120 is installed to face the light emitting unit 130a. At this time, the ribbon-type light irradiated from the light emitting part 130a to the back surface of the wafer W supported by the chuck 110 causes the entire back surface of the wafer W to be scanned along the rotating wafer W. do.

따라서, 상기 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)의 이면에 파티클 성분이 존재하지 않는 경우에는 상기 발광부(130a)에서 조사된 리본형 광은 상기 웨이퍼(W)의 이면에서 반사되어 상기 수광부(130b)에서 검출된다. Therefore, when there is no particle component on the back surface of the wafer W supported by the chuck 110, the ribbon-type light irradiated from the light emitting part 130a is reflected on the back surface of the wafer W and thus the light receiving part is received. Is detected at 130b.                     

이에 반해, 상기 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)의 이면에 파티클 성분이 존해하는 경우에는 상기 발광부(130a)에서 조사된 리본형 광은 상기 파티클에 의해 산란되기 때문에, 파티클이 존재하지 않는 경우와 다르게 상기 수광부(130b)에서 검출될 것이다. 이와 같은, 결과에 의해 상기 웨이퍼(W)의 이면에 흡착되는 파티클의 상태를 검출하게 된다. 또한, 상기 발광부(130a) 및 수광부(130b)는 제어부(미도시)에 연결된다. 이때, 상기 제어부는 상기 광센서(130)에서 검출되는 웨이퍼(W) 이면의 파티클 존재 여부를 인식하여 상기 웨이퍼(W)의 노광 공정의 진행 여부를 조절한다. On the other hand, when a particle component exists on the back surface of the wafer W supported by the chuck 110, the ribbon-type light irradiated from the light emitting part 130a is scattered by the particles, so no particles are present. Unlike the case where it does not, it will be detected by the light receiver 130b. As a result, the state of the particle adsorbed on the back surface of the wafer W is detected. In addition, the light emitting unit 130a and the light receiving unit 130b are connected to a controller (not shown). At this time, the control unit recognizes the presence of particles on the back surface of the wafer (W) detected by the optical sensor 130 and adjusts the progress of the exposure process of the wafer (W).

따라서, 상기 광센서(130)에 의해 상기 척(110)에 지지된 웨이퍼(W)의 이면에 파티클이 존재하게 되면, 상기 제어부는 진행 중인 공정을 중단시킨다. 이에 작업자는 상기 파티클을 제거한 이후에 상기 웨이퍼(W)에 노광 공정을 수행한다. 상기 웨이퍼(W)의 이면에 파티클이 존재하는 상태에서 노광 공정을 수행하게 되면, 로컬 포커스를 유발하여 웨이퍼(W)의 불량을 발생시키기 때문이다. Therefore, when particles exist on the back surface of the wafer W supported by the chuck 110 by the optical sensor 130, the controller stops the process in progress. Accordingly, the operator performs the exposure process on the wafer W after removing the particles. This is because if the exposure process is performed while particles are present on the back surface of the wafer W, local focus may be caused to cause defects of the wafer W.

후속 공정으로서, 상기 웨이퍼(W)에 노광 공정을 수행하기 전에 상기 웨이퍼(W)의 이면에 흡착된 파티클을 제거하는 공정이 수행된다. As a subsequent process, a process of removing particles adsorbed on the back surface of the wafer W is performed before performing the exposure process on the wafer W.

이에, 상기 파티클을 제거하는 장치(미도시)에 관한 일 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다. Thus, an example of an apparatus (not shown) for removing the particles will be described below.

상기 파티클을 제거하는 장치는 상기 척(110) 주변에 설치되고, 상기 장치는 정전기 유도부(미도시) 및 진공 흡입부(미도시)를 포함한다. 먼저, 상기 정전기 유도부는 상기 척(110) 주변에 설치되는데, 상기 웨이퍼(W)의 이면을 향하도록 설치 되는 구성을 갖는다. 상기 정전기 유도부는 상기 웨이퍼(W)의 이면에 정전기를 유도는 정전기 유도바(미도시) 및 상기 정전기를 접지하는 접지부(미도시)로 구성된다. 이때 상기 정전기 유도부의 정전기 유도바는 상기 웨이퍼(W)의 이면과 면접하도록 설치한다. 이에 따라 상기 정전기 유도바를 사용하여 상기 웨이퍼(W)의 이면에 정전기를 유도한다. 상기 정전기는 상기 접지부를 통하여 접지된다. 따라서 상기 웨이퍼(W)의 이면을 정전기적으로 중화시킨다. 그리고 상기 정전기적 중화에 의해 상기 웨이퍼(W)의 이면에 흡착된 파티클의 흡착력을 약화시킨다. An apparatus for removing particles is installed around the chuck 110, and the apparatus includes an electrostatic induction part (not shown) and a vacuum suction part (not shown). First, the electrostatic induction part is installed around the chuck 110, and has a configuration that is installed to face the back surface of the wafer (W). The electrostatic induction part includes an electrostatic induction bar (not shown) for inducing static electricity on the back surface of the wafer (W) and a grounding part (not shown) for grounding the static electricity. At this time, the electrostatic induction bar of the electrostatic induction part is installed so as to interview the back surface of the wafer (W). Accordingly, the electrostatic induction bar is used to induce static electricity on the back surface of the wafer (W). The static electricity is grounded through the ground portion. Therefore, the back surface of the wafer W is electrostatically neutralized. And the electrostatic neutralization weakens the adsorption force of the particles adsorbed on the back surface of the wafer (W).

즉, 상기 웨이퍼(W)의 이면에 정전기적 흡착력에 의해 흡착된 파티클을 상기 정전기 유도바를 이용하여 정전기를 제전(除電)시켜 상기 파티클의 흡착력을 약화시키는 것이다. 또한, 상기 정전기 유도바에는 다수개의 홀(미도시)들이 형성되고, 상기 홀들은 진공 펌프(미도시)에 의해 진공 흡입력을 제공받는다. 이에 따라 상기 진공 펌프를 사용하여 상기 웨이퍼(W)의 이면에 흡착된 파티클을 진공 흡입한다. That is, the particles adsorbed by the electrostatic adsorption force on the back surface of the wafer (W) are electrostatically discharged using the electrostatic induction bar to weaken the adsorption force of the particles. In addition, a plurality of holes (not shown) are formed in the electrostatic induction bar, and the holes are provided with a vacuum suction force by a vacuum pump (not shown). Accordingly, the particles adsorbed on the back surface of the wafer W are vacuum sucked using the vacuum pump.

즉, 상기 파티클 제거 장치는 상기 웨이퍼(W)의 이면에 정전기를 유도하고 상기 정전기를 접지시켜 상기 웨이퍼(W)의 이면에 흡착된 파티클의 흡착력을 약화시킨 다음 상기 진공 흡입을 통하여 상기 파티클을 흡입한다. 이에 따라 상기 웨이퍼(W)의 이면에 흡착된 파티클을 제거한다. 또한, 상기 척(110)의 상면에 진공 흡입구(미도시)를 형성하여 상기 척(110)의 상면에 존재하는 파티클을 제거할 수 있다. That is, the particle removing device induces static electricity on the back surface of the wafer W and grounds the static electricity to weaken the adsorption force of the particles adsorbed on the back surface of the wafer W, and then sucks the particles through the vacuum suction. do. As a result, particles adsorbed on the back surface of the wafer W are removed. In addition, a vacuum suction port (not shown) may be formed on the upper surface of the chuck 110 to remove particles existing on the upper surface of the chuck 110.

그리하여, 상기 척(110) 상에 지지된 웨이퍼(W)의 이면에 흡착된 파티클이 제거되면, 상기 조명계(140)를 이용하여 상기 웨이퍼(W)에 노광 공정을 수행하게 된다.Thus, when the particles adsorbed on the back surface of the wafer (W) supported on the chuck 110 is removed, the exposure process is performed on the wafer (W) using the illumination system 140.

이와 같이, 웨이퍼(W)의 이면에 파티클이 제거된 상태에서 상기 웨이퍼(W)에 노광 공정을 수행함으로써, 파티클로 인한 로컬 포커스 불량을 해소하여 패턴 불량이 발생하게 되는 것을 해소할 수 있다. 따라서, 결과적으로 반도체 소자의 전체 수율을 높일 수 있다. As described above, by performing the exposure process on the wafer W in a state in which particles are removed from the back surface of the wafer W, local focus defects caused by particles can be eliminated and pattern defects can be eliminated. As a result, the overall yield of the semiconductor device can be increased.

상기와 같은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 웨이퍼 이면에 흡착되는 파티클 성분을 감지하고, 상기 웨이퍼에 노광 공정을 수행하기 이전에 상기 파티클 성분을 미리 제거해 줌으로써 상기 웨이퍼 이면에 파티클 성분이 흡착된 상태로 노광 공정이 수행되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라 로컬 포커스를 발생시키는 불량 소스가 제거된다. According to a preferred embodiment of the present invention as described above, by detecting the particle component adsorbed on the back surface of the wafer, and before removing the particle component prior to performing the exposure process on the wafer by adsorbing the particle component on the back surface of the wafer It is possible to prevent the exposure process from being performed in the state. This eliminates bad sources that cause local focus.

때문에 상기 파티클로 인하여 발생되는 웨이퍼의 불량을 최소화함으로써 제품의 품질 향상과 반도체 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과를 기대할 수 있다.Therefore, by minimizing the defect of the wafer generated by the particles can be expected to improve the quality of the product and the reliability of the semiconductor manufacturing.

상기에서 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (3)

웨이퍼를 지지하기 위한 척;A chuck for supporting a wafer; 상기 척에 지지된 웨이퍼 이면으로 광을 조사하고, 상기 웨이퍼 이면으로부터 반사된 광을 검출하여 상기 웨이퍼 이면 상의 파티클 성분을 검출하기 위한 광센서; 및An optical sensor for irradiating light onto the back surface of the wafer supported by the chuck, and detecting light reflected from the back surface of the wafer to detect particle components on the back surface of the wafer; And 상기 척 상에 지지된 웨이퍼 상면에 광을 조사하여 상기 웨이퍼를 노광하기 위한 조명계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광 장치.And an illumination system for exposing the wafer by irradiating light onto a wafer upper surface supported on the chuck. 제1항에 있어서, 상기 광센서는 상기 척 상에 지지된 웨이퍼의 이면 가장자리 부위에서 중심 방향으로 연장하는 폭을 갖는 리본형 광을 상기 웨이퍼의 이면으로 조사하기 위한 발광부와, 상기 웨이퍼의 이면으로부터 반사된 광을 검출하여 상기 척에 지지된 웨이퍼 이면 상의 파티클 성분을 검출하기 위한 수광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광 장치.The wafer of claim 1, wherein the optical sensor comprises: a light emitting part for irradiating a ribbon-shaped light having a width extending in a center direction from an edge portion of the back surface of the wafer supported on the chuck to the back surface of the wafer; And a light receiving portion for detecting the light reflected from the light and detecting a particle component on the back surface of the wafer supported by the chuck. 제1항에 있어서, 상기 척에 지지된 웨이퍼의 이면으로 조사되는 광이 상기 웨이퍼의 이면을 스캔하도록 상기 척을 회전시키기 위한 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광 장치.The wafer exposure apparatus according to claim 1, further comprising a driving unit for rotating the chuck so that light irradiated to the back surface of the wafer supported by the chuck scans the back surface of the wafer.
KR1020040116620A 2004-12-30 2004-12-30 Apparatus for exposing a wafer KR20060077968A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040116620A KR20060077968A (en) 2004-12-30 2004-12-30 Apparatus for exposing a wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040116620A KR20060077968A (en) 2004-12-30 2004-12-30 Apparatus for exposing a wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060077968A true KR20060077968A (en) 2006-07-05

Family

ID=37169945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040116620A KR20060077968A (en) 2004-12-30 2004-12-30 Apparatus for exposing a wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060077968A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100800917B1 (en) * 2006-07-28 2008-02-04 동부일렉트로닉스 주식회사 Apparatus and method for preventing a defocus in a semiconductor exposure equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100800917B1 (en) * 2006-07-28 2008-02-04 동부일렉트로닉스 주식회사 Apparatus and method for preventing a defocus in a semiconductor exposure equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8059257B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006222284A (en) Pattern forming method and manufacturing method for semiconductor device
JPH0766114A (en) Cleaner for aligner
US20030155077A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2006228862A (en) Device and method for removing foreign substance and processing system
KR20060077968A (en) Apparatus for exposing a wafer
JP2003186201A (en) Exposure device equipped with foreign matter inspecting function and foreign matter inspecting method of the same device
KR100727847B1 (en) Apparatus for exposing of wafer edge
KR20020037557A (en) apparatus for removing an adhesive particle to back side of wafer in a semiconductor fabricating
KR20060011671A (en) Align apparatus of exposing equipment having particle sensing means
KR20050011334A (en) Inspection apparatus for semiconductor wafer edge
KR20060107196A (en) Method for inspecting an edge exposure area of wafer and apparatus for performing the same
KR100861221B1 (en) Device for removing particle on chuck
KR100529647B1 (en) Apparatus and method for detecting particle on wafer
KR20020096086A (en) Apparatus for cleanning particle of exposure
KR20060122417A (en) Apparatus for eliminating a particle from a semiconductor substrate and equipment for processing a semiconductor substrate using the same
KR100669865B1 (en) Semiconductor manufacturing device having an impurity cleaning apparatus
KR20080044054A (en) Semiconductor manufacturing equipment
KR100376626B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method
KR100700285B1 (en) Semiconductor wafer exposure equipment
KR20070080525A (en) Apparatus for transferring a substrate
KR20050112392A (en) Exposure apparatus for semiconductor process
KR20060015787A (en) Equipment for manufacturing semiconductor device
KR20230093923A (en) Apparatus for treating photomask and method for sensing sphotomask with the apparatus
KR20060121562A (en) Apparatus for transferring wafer for photolithography process

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination