KR20060075315A - 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정방법 - Google Patents

반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정방법 Download PDF

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KR20060075315A
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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조 공정에 있어서, 구리 필름 상의 구리 화합물(Cu Compound) 이물질을 제거하기 위한 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법은, a) 제타 포텐셜(Zeta Potential)이 네거티브(-)인 구리 화합물 계열의 이물질을 제거하기 위해, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키는 단계; 및 b) 상기 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화된 구리 화합물 상에 스핀 스크러버(Spin Scrubber) 처리하여 세정하는 단계를 포함하며, 여기서, 상기 구리 화합물은 NH4OH 또는 테트라 메틸암모늄 수산화물(TMH) 알칼리 용액을 사용하여 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화되며, 상기 스핀 스크러버는 CO2가 함유된 DIW 초순수를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 제타 포텐셜이 네거티브(-)인 구리 화합물 계열의 이물질이 웨이퍼 상에 존재할 경우, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시킨 후, 구리 필름 상의 구리 화합물 이물질을 제거함으로써, 반도체 소자의 품질을 향상시키고 수율을 향상시킬 수 있다.
이물질 제거, 반도체 소자, 웨이퍼, 구리 필름, 구리 화합물, 제타 포텐셜

Description

반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법 {A cleaning method for removing Cu compound byproducts for manufacturing a semiconductor device}
도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 소자 제조 공정에서 구리 필름 상에 구리 화합물 이물질이 발생하는 것을 나타내는 도면이다.
도 2는 종래의 기술에 따른 구리 화합물 결함을 예시하는 사진이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 구리 화합물 이물질 제거 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거 방법을 개략적으로 나타내는 공정 흐름도이다.
본 발명은 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 반도체 소자 제조 공정에 있어서, 구리 필름(Cu Film) 상의 구리 화합물(Cu Compound) 이물질을 제거하기 위한 방법에 관한 것이다
도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 소자 제조 공정에서 구리 필름 상에 구리 화합물 이물질이 발생하는 것을 나타내는 도면이고, 도 2는 종래의 기술에 따른 구리 화합물 결함을 예시하는 사진이다.
도 1을 참조하면, 종래의 기술에 따른 반도체 소자 제조 공정은, 소자분리막(112)이 형성된 실리콘 기판(111) 상의 액티브 영역에 소스/드레인/게이트를 형성하고, 그 상부에 실리사이드(113)를 형성한다, 이후, 콘택 연결을 위해 IMD 산화막(114, 115)을 형성하고, 비아 및 트렌치를 형성하며, 이후, 장벽금속(116)을 증착한 후, 금속 물질을 충진하게 된다. 이때, 금속 배선 형성을 위해 상기 충진된 금속 물질 상에 구리 필름(117)을 증착하게 되며, 상기 구리 필름을 증착한 후, CMP 평탄화를 거칠 경우, 상기 구리 필름(117) 표면에는 구리 화합물 계열의 이물질(118)이 존재하게 된다. 여기서, 도 2의 도면부호 A는 상기 이물질(118)에 의해 발생된 구리 화합물의 결함(defect)을 보여주는 사진이다.
따라서, 상기 이물질(118) 제거를 위한 세정 작업이 후속적으로 진행된다.
한편, 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법은, 도 1에 도시된 구리 필름(117) 상의 구리 화합물 이물질(118)을 제거하기 위해서 다음과 같은 단계를 거친다.
먼저, 상품명이 버퍼 스텝(Buffer Step)이라는 Cirex 화학제(Chemical)를 사용하여 웨이퍼와 패드(Pad)를 마찰시켜 클리닝을 실시하고, 이후, 롤 스핀 스크러버(Roll Spin Scrubber)를 진행한 후, 마지막으로 메가 음파 세정(MHz Cleaning)을 진행하게 된다.
그러나, 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법은, 구리 필름 상의 구리 이물질이 여전히 제거되지 않고 남아있게 되는 문제점이 있다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 제조 공정 중에서 구리 필름(Cu Film) 상에 구리 화합물(Cu Compound) 계열의 이물질이 다량 존재할 경우, 이를 효과적으로 제거하기 위한 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 수단으로서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법은,
반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법에 있어서,
a) 제타 포텐셜(Zeta Potential)이 네거티브(-)인 구리 화합물(Cu compound) 계열의 이물질을 제거하기 위해, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키는 단계; 및
b) 상기 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화된 구리 화합물 상에 스핀 스크러버(Spin Scrubber) 처리하여 세정하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 a) 단계는 패턴이 형성된 구리 필름 또는 금속간 물질(IMD) 산화막의 제타 포텐셜이 포지티브(+)인 경우, 이를 네거티브(-)로 변환시키는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 a) 단계는 구리 표면의 부식률(corrosion rate)을 조절하기 위해 부식 방지제(corrosion inhibitor)를 첨가하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 a) 단계는 알칼리(Alkali) 용액을 사용하여 상기 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 알칼리 용액은 수산화암모늄(NH4OH) 또는 테트라 메틸암모늄 수산화물(Tetra Methylammonium Hydroxide: TMH) 알칼리 용액인 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 TMH 알칼리 용액은 상온에서 TMH:H2O=30:1100의 비율로 희석시키는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 a) 단계는 25∼50℃의 온도 범위에서 진행되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 b) 단계는 CO2가 함유된 DIW(Deionized Water) 초순수를 사용하여 스킨 스크러버 처리하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 제타 포텐셜이 네거티브(-)인 구리 화합물 계열의 이물질이 웨이퍼(Wafer) 상에 존재할 경우, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시킨 후, 구리 필름 상의 구리 화합물 이물질을 제거함으로써, 반도체 소자의 품질을 향상시키고 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법을 설명한다.
본 발명의 실시예는, 반도체 제조 공정 중에서, 구리 필름(Cu Film) 또는 금속간 물질(IMD) 산화막 등 제타 포텐셜(Zeta Potential)이 포지티브(+)인 필름 위에 제타 포텐셜이 네거티브(-)인 구리 화합물 계열의 이물질이 존재할 경우, 즉, 이물질이 웨이퍼(Wafer) 상에 존재할 경우, 이를 제거하여 반도체 소자의 품질을 향상시키기 위한 것이다.
여기서, 상기 제타 포텐셜(Zeta Potential)은 액체 속에 부유하는 콜로이드 입자들의 표면 대전량 정도를 나타내는 지표로서, 전단 경계(Shear Boundary)에서의 전기적 포텐셜을 나타낸다.
한편, 본 발명의 실시예에 대한 이해를 돕기 위해, CMP 이후의 후속 세정 공정으로 사용되는 양면 스크러버 방식(Double Sided Scrubber: DSS) 또는 메가 음파 시스템(Megasonic System)의 세정 공정을 설명한다.
먼저, 양면 스크러버(DSS)를 이용하는 세정 방법에 대해 설명한다.
브러쉬 스크러빙(Brush scrubbing)은 표면의 파티클(particle) 제거를 위한 고전적인 방법 중의 하나이다. 이러한 브러쉬 스크러빙 세정 방법은 이름에서 나타난 것과는 달리 브러시(brush)와 오염물간의 직접적인 접촉에 의한 제거가 아니라, 브러시와 오염물간에 형성된 수막의 끌어당기는 힘에 의해 제거가 이루어진다.
즉, 브러시가 직접 파티클이나 표면에 접촉하는 것이 아니라, 둘 사이에 수막을 형성시키고, 오염물 제거를 위해 회전에 의한 끄는 힘을 발생시키는 노와 같은 역할을 한다.
1970년대에는 단단한 나일론과 같은 재료로 된 브러시가 사용되었는데, 웨이 퍼 표면에 스크래치(Scratch)를 남기는 문제가 있어서, 최근에는 PVA(Poly-vinyl Alcohol) 브러시가 사용되고 있다. 상기 PVA는 부드럽고 유연한 스폰지 같은 재료로서 웨이퍼 표면에 손상을 주지 않고 파티클의 제거가 가능하다.
상기 PVA 브러시 스크러빙은 1㎛ 이상의 커다란 파티클뿐만 아니라 0.12㎛ 크기의 파티클을 효과적으로 제거하는 것으로 알려져 있다. 또한, PVA는 2에서 12까지의 pH 범위에서 사용 가능하며, 수산화암모늄(NH4OH)이 주로 PVA 브러시와 함께 사용되고 있다. 또한, 금속 오염물을 제거하기 위해서 불화수소(HF)도 함께 사용될 수 있다.
한편, 현재는 양면 스크러버 시스템(Double-Sided Scrubber System)이 널리 쓰이고 있는데, 이는 웨이퍼 양면을 동시에 스크러빙해주는 방법이다. 상기 양면 스크러버 시스템은 브러시와 웨이퍼의 회전속도, 그리고 브러시의 높이에 의해 결정되는 웨이퍼에 대한 브러시의 가압 정도 등이 공정 변수로 작용한다. 예를 들어, 브러시의 높이가 낮아지면 웨이퍼에 가해지는 압력은 높아지고, 이에 따라 웨이퍼 표면에 잔류하는 파티클의 개수는 감소하게 된다.
이러한 양면 스크러버 시스템에 따른 세정 메커니즘은 상기 브러시에 의해 웨이퍼 표면에서 파티클들이 기계적으로 제거되고, 상기 파티클은 웨이퍼 표면의 유동층(Liquid layer) 상에 떠서 연속적으로 공급되는 DIW 초순수에 의해 웨이퍼 끝단으로 흘러 드레인(drain)된다.
한편, 상기 파티클의 웨이퍼 표면과 브러시로의 흡착을 막는 가장 좋은 방법 은 제타 포텐셜을 조절하는 방법이다. 예를 들어, 금속(Metal) 화학적 기계 연마(CMP) 공정에 가장 많이 사용되는 알루미나 파티클(alumina particle)은 산성 pH 영역에서 포지티브(+)한 제타 포텐셜(zeta potential)을 가지고 있고, PVA는 네거티브(-)한 제타 포텐셜을 갖는다.
이것은 산성 분위기에서 세정 공정을 수행할 경우, PVA 브러시는 알루미나 파티클로 오염이 될 수 있으며, 이에 따라 세정 공정 중에 브러시가 웨이퍼 표면의 파티클 오염의 원인이 될 수 있다는 것을 보여준다. 따라서, 알칼리 분위기에서는 서로 같은 부호의 제타 포텐셜을 가지기 때문에 브러시의 오염이 최소가 될 것이다.
또한, 폴리비닐알콜(PVA), 이산화실리콘(SiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 텅스텐(W) 및 질화실리콘(Si3N4) 등의 표면은 알칼리 수용액에서 모두 네거티브(-)의 제타 포텐셜을 가지고 있으며, 현재 널리 쓰이고 있는 공정은 상온에서 희석시킨 수산화암모늄(NH4OH)을 사용하고 있다. 또한, 산성 분위기인 불화수소(HF) 용액에서는 파티클 재오염을 막기 위해 음이온 계면활성제(anionic surfactant)를 사용하고 있다.
다음으로, 메가 음파 시스템(Megasonic System)을 이용하는 세정 방법을 설명한다.
메가 음파 시스템(Megasonic System)을 이용하는 세정 방법은, 기존의 습식 세정 방식을 그대로 사용하는 세정으로서, 파티클을 음파의 힘에 의해 물리적으로 제거하는 비접촉 세정(Non-contact Cleaning) 방법이다. 이러한 메가 음파 세정 방법은 캐비테이션(cavitation)과 음파 스트리밍(acoustic streaming) 및 방사력(radiation force)에 기인한 복잡한 물리적, 화학적 효과를 이용하게 된다.
하지만, 현재까지 메가 음파를 이용한 세정 공정의 파티클 제거 기구는 정확하게 이해되지 않고 있다. 단지, 1MHz 이하의 주파수에서 세정하는 경우, 세정 기구는 버블(bubble)의 캐비테이션에 의한 것이고, 이러한 캐비테이션에 의한 세정 방법은 웨이퍼 표면에 손상을 주는 단점이 있고, 1MHz에서 사용하는 세정 방법은 음파 스트리밍과 방사력에 기인한 것이고, 웨이퍼 표면에 손상을 주지 않고 표면의 파티클을 효과적으로 제거하는 것으로 알려져 있다.
또한, 일반적으로, 초음파 에너지는 세정조(cleaning bath) 하단부에 장착되어 있는 압전 변환기(piezoelectric transducer)에서 나오게 된다. 그리고 상기 에너지에 의해 종방향의 압력파가 세정액 내에 생성된다(Megasonic Mechanism).
한편, 상기 용액 내 음파에 의해 발생하는 음파 스트리밍은 크게 세 종류로 구분될 수 있다. 즉, 레일라이 스트리밍(Rayleigh streaming)은 관이나 수로에서 정상파(standing wave)로 인해 음파 경계층(acoustic boundary layer) 외부에 생기는 것이고, 엑카트 스트리밍(Eckart streaming)은 자유롭고 불규칙한 음파 영역에서 생기는 것이고, 마지막으로 경계층 스트리밍(boundary layer streaming)은 음파 흐름(acoustic flow)과 장애물간의 상호작용에 의해 생기는 흐름을 말한다. 이 흐름의 속도는 음파의 진동수와 힘이 증가할수록 증가하며, 반면에 매질 용액의 점도가 증가할수록 감소하게 된다.
또한, 메가 음파 세정(Megasonic cleaning)의 가장 중요한 특성 중의 하나는 음파 경계층이 똑같은 속도의 전형적인 유체역학경계층(hydrodynamic boundary layer)보다 훨씬 작다는 것이다. 이로 인해 표면 위의 매우 작은 파티클이 더 큰 속도의 흐름에 노출되도록 만들고, 결국 파티클 제거 효율을 높일 수 있다. 즉, 메가 음파 세정(Megasonic cleaning)에서 파티클 제거는 경계 두께의 감소와 밀접한 관계가 있다. 실질적으로, CMP 이후의 후속 세정 공정에서 SC1 (NH4OH/H2O2 /H2O) 또는 수산화암모늄(NH4OH) 용액의 수조에 25∼50매의 웨이퍼가 담겨져 메가 음파 에너지(700∼1500 ㎑)가 가해진다. 이때, 용액의 pH를 조절하기 위해 암모니아의 농도를 조절할 필요가 있는데, 이것은 산화막의 용해(dissolution) 속도와 제타 포텐셜의 조절에 중요하다.
또한, 구리(Cu) CMP 이후의 세정 공정에서는 암모니아 용액을 사용하기도 하고, 희석시킨 불화수소(HF) 용액에 음이온 계면활성제를 첨가하여 사용하기도 한다. 상기 음이온 계면활성제는 슬러리 파티클의 표면 전하를 변화시켜 웨이퍼 표면과 같은 부호의 제타 포텐셜을 가지게 함으로써, 웨이퍼 표면의 파티클 재오염을 방지하기 위해 사용된다. 이때, 구리 표면의 부식률(corrosion rate)을 조절하기 위해 부식 방지제(corrosion inhibitor)를 반드시 첨가하여 사용하게 된다.
한편, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 구리 화합물 이물질 제거 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 전술한 바와 같이, 반도체 소자 제조 공정은, 소자분리막 (112)이 형성된 실리콘 기판(111) 상의 액티브 영역에 소스/드레인/게이트를 형성하고, 그 상부에 실리사이드(113)를 형성한다, 이후, 콘택 연결을 위해 IMD 산화막(114, 115)을 형성하고, 비아 및 트렌치를 형성하며, 이후, 장벽금속(116)을 증착한 후, 금속 물질을 충진하게 된다. 이때, 금속 배선 형성을 위해 상기 충진된 금속 물질 상에 구리 필름(117)을 증착하게 되며, 상기 구리 필름을 증착한 후, CMP 평탄화를 거칠 경우, 상기 구리 필름(117) 표면에는 구리 화합물 계열의 이물질(118)이 존재하게 된다.
이때, 제타 포텐셜이 네거티브(-)인 구리 화합물 계열의 이물질이 웨이퍼(Wafer) 상에 존재할 경우, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키게 된다. 즉, 제타 포텐셜이 포지티브(+)인 구리 필름 상의 구리 화합물을 알칼리 용액을 사용하여 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키면, 전술한 바와 같이, 알칼리 분위기에서는 서로 같은 네거티브 부호의 제타 포텐셜을 가지기 때문에 웨이퍼 표면의 파티클 오염을 방지할 수 있게 된다.
한편, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거 방법을 개략적으로 나타내는 공정 흐름도이다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거 방법은, 먼저, 구리 화합물 이물질을 제거할 경우(S41), 제타 포텐셜(Zeta Potential)이 네거티브(-)인 구리 화합물(Cu compound) 계열의 이물질을 제거하기 위해, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키게 된다(S42).
여기서, 패턴이 형성된 구리 필름 또는 금속간 물질(IMD) 산화막의 제타 포 텐셜이 포지티브(+)인 경우, 이를 네거티브(-)로 변환시키게 되는데, 이때, 알칼리(Alkali) 용액을 사용하여 상기 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시킨다.
이때, 상기 알칼리 용액은 수산화암모늄(NH4OH) 또는 테트라 메틸암모늄 수산화물(Tetra Methylammonium Hydroxide: TMH) 알칼리 용액이며, 예를 들어, 상기 TMH 알칼리 용액은 25∼50℃의 온도 범위의 상온에서 TMH:H2O=30:1100의 비율로 희석시킨 것을 사용하게 된다.
이때, 구리 표면의 부식률(corrosion rate)을 조절하기 위해 부식 방지제(corrosion inhibitor)를 첨가하게 된다.
다음으로, 상기 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화된 구리 화합물 상에 스핀 스크러버(Spin Scrubber) 처리하여 세정하게 되는데(S43), 이때, 상기 스핀 스크러버 처리 시에, CO2가 함유된 DIW(Deionized Water) 초순수를 사용함으로써, 깨끗한 웨이퍼 표면을 얻을 수 있다.
결국, 본 발명의 실시예는, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키고, CO2가 함유된 DIW 초순수를 사용하여 스핀 스크러버를 진행함으로써, 패턴이 형성된 구리 필름 상에 존재하는 구리 화합물 계열의 이물질을 효과적으로 제거할 수 있고, 이에 따라 깨끗한 웨이퍼 표면을 얻을 수 있다.
이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면 제타 포텐셜이 네거티브(-)인 구리 화합물 계열의 이물질이 웨이퍼(Wafer) 상에 존재할 경우, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시킨 후 구리 필름 상의 구리 화합물 이물질을 제거함으로써, 반도체 소자의 품질을 향상시키고 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 반도체 소자 제조용 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법에 있어서,
    a) 제타 포텐셜(Zeta Potential)이 네거티브(-)인 구리 화합물(Cu compound) 계열의 이물질을 제거하기 위해, 구리 필름 상의 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키는 단계; 및
    b) 상기 제타 포텐셜이 네거티브(-)로 변화된 구리 화합물 상에 스핀 스크러버(Spin Scrubber) 처리하여 세정하는 단계
    를 포함하는 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 a) 단계는 패턴이 형성된 구리 필름 또는 금속간 물질(IMD) 산화막의 제타 포텐셜이 포지티브(+)인 경우, 이를 네거티브(-)로 변환시키는 것을 특징으로 하는 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 a) 단계는 구리 표면의 부식률(corrosion rate)을 조절하기 위해 부식 방지제(corrosion inhibitor)를 첨가하는 것을 특징으로 하는 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 a) 단계는 알칼리(Alkali) 용액을 사용하여 상기 구리 화합물의 제타 포텐셜을 네거티브(-)로 변화시키는 것을 특징으로 하는 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 알칼리 용액은 수산화암모늄(NH4OH) 또는 테트라 메틸암모늄 수산화물(Tetra Methylammonium Hydroxide: TMH) 알칼리 용액인 것을 특징으로 하는 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 TMH 알칼리 용액은 상온에서 TMH:H2O=30:1100의 비율로 희석시키는 것을 특징으로 하는 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 a) 단계는 25∼50℃의 온도 범위에서 진행되는 것을 특징으로 하는 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 b) 단계는 CO2가 함유된 DIW(Deionized Water) 초순수를 사용하여 스킨 스크러버 처리하는 것을 특징으로 하는 구리 화합물 이물질 제거를 위한 세정 방법.
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