KR20060075051A - 반도체 제조설비 및 그의 웨이퍼 이송방법 - Google Patents

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KR20060075051A
KR20060075051A KR1020040113605A KR20040113605A KR20060075051A KR 20060075051 A KR20060075051 A KR 20060075051A KR 1020040113605 A KR1020040113605 A KR 1020040113605A KR 20040113605 A KR20040113605 A KR 20040113605A KR 20060075051 A KR20060075051 A KR 20060075051A
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김종준
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Abstract

본 발명은 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비 및 그의 웨이퍼 이송방법에 대하여 개시한다. 그의 설비는, 소정의 반도체 제조 공정이 수행될 다수개의 웨이퍼가 탑재된 카세트를 수용하는 복수개의 로드락 챔버; 상기 로드락 챔버에 수용된 상기 웨이퍼를 지지하는 척을 구비하여 상기 반도체 제조공정을 매엽식으로 수행하는 복수개의 공정 챔버; 상기 복수개의 공정 챔버 및 로드락 챔버를 공통으로 연결하며 슬릿 밸브에 의해 선택적으로 개폐되는 트랜스퍼 챔버; 및 상기 트랜스퍼 챔버의 중심에 형성되어 상기 로드락 챔버 및 공정 챔버간에 상기 웨이퍼를 이송하고, 상기 공정 챔버로 이송되는 상기 웨이퍼의 후면에 발생된 오염 물질을 감지하는 적어도 하나 이상의 센서를 구비한 로봇암을 포함하여 이루어진다.
트랜스퍼 챔버(transfer chamber), 로드락 챔버(load lock chamber), 센서(sensor), 매엽식(single wafer), 로봇암(robot arm)

Description

반도체 제조설비 및 그의 웨이퍼 이송방법{Equipment for manufacturing semiconductor device and method of transferring wafer at the same}
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 평면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 평면도.
도 3은 도 2의 블레이드를 구체적으로 나타낸 평면도.
도 4 내지 도 5는 도 3의 센서를 이용하여 웨이퍼의 후면에 발생된 오염 물질을 감지하는 것을 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명의 반도체 제조설비의 웨이퍼 이송방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
110 : 로드락 챔버 112 : 웨이퍼
114 : 카세트 120 : 정렬 챔버
130 : 공정 챔버 140 : 세정 챔버
150 : 트랜스퍼 챔버 152 : 슬릿 밸브
154 : 로봇암 156 : 블레이드
158 : 센서 158a : 입광부
158b : 수광부 160 : 오염 물질
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 상세하게는 트랜스퍼 챔버에서 공정 챔버로 이송되는 웨이퍼의 후면에 발생된 오염물질을 감지하는 센서를 구비한 로봇암을 이용하여 생산 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 제조설비 및 그의 웨이퍼 이송방법에 관한 것이다.
통상적으로, 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 증착, 및 금속 배선 등의 공정이 반복 수행됨에 따라 반도체 소자로 제작된다. 이들 각 공정을 수행하기 위한 반도체 제조설비, 즉, 정렬 노광 설비, 식각 설비, 이온주입 설비, 증착 설비 등은 웨이퍼 상면에 대하여 특정한 방향성을 갖고 있으며, 웨이퍼가 정확히 정렬되지 않은 상태로 로딩(Loading)될 경우, 공정이 정확하게 수행되지 않아 반도체 장치의 각부 형성 및 특성을 변화시키고, 수율(yield)이 저하되는 문제점이 발생된다.
이와 같은 반도체 제조설비의 해당 설비 내부에서 파티클의 존재 또는 대기중의 오염물질은 수율에 매우 큰 영향을 미치므로, 설비내부를 높은 청정도로 유지하는 것은 중요하다. 따라서 반도체 제조 설비들은 대부분 고진공의 분위기에서 공 정을 진행하기 위해 밀폐된 공정 챔버(process chamber)를 구비한다.
이하, 도면을 참조하여 고진공을 요하는 공정 챔버가 구비된 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조설비는, 소정의 반도체 제조공정이 수행될 다수개의 웨이퍼(12)가 탑재된 카세트(14)를 수용하는 복수개의 로드락 챔버(load lock chamber, 10)와, 상기 로드락 챔버(10)에서 이송된 상기 웨이퍼(12)를 정렬하는 정렬 챔버(align chamber, 20)와, 상기 웨이퍼(12)를 지지하는 척을 구비하여 상기 반도체 제조공정을 매엽식(single wafer)으로 수행하는 복수개의 공정 챔버(30)와, 상기 공정 챔버(30)에서 상기 반도체 제조공정이 완료된 상기 웨이퍼(12)를 세정하는 세정 챔버(40)와, 상기 복수개의 공정 챔버(30) 및 로드락 챔버(10)를 클러스터 타입(cluster type)으로 공통 연결하며 슬릿 밸브(slit valve, 52)에 의해 선택적으로 개폐되는 트랜스퍼 챔버(transfer chamber, 50)와, 상기 트랜스퍼 챔버(50)의 중심에 형성되어 상기 로드락 챔버(10) 및 공정 챔버(30)간에 상기 웨이퍼(12)를 이송하는 복수개의 로봇암(robot arm54)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 공정 챔버(30)를 고진공으로 유지하기 위해 웨이퍼(12)들은 외부로부터 직접 공정 챔버(30)로 유입되지 않고, 로드락 챔버(10)와 트랜스퍼 챔버(50)를 통해서 유출입된다. 상기 로드락 챔버(10)는 공정 챔버(30)의 진공도에 근접한 진공도를 유지하는 챔버로서, 대기상태인 외부로부터 고진공 상태인 공정 챔 버(30)로 웨이퍼(12)를 직접 유입하는 경우 발생되는 압력차로 인해 외부의 파티클이 상기 공정 챔버(30)로 유입되는 것을 방지하기 위한 것이다.
도시되지는 않았지만, 로드락 챔버(10)는 다수개의 웨이퍼(12)가 수직으로 탑재된 카세트(14)를 수용할 수 있도록 개폐되는 도어(door)를 구비하며, 상기 도어를 통해 유출입되는 상기 카세트(14) 내부의 웨이퍼(12)를 수평상태로 회전시키는 인덱서(indexer)가 설치된다. 또한, 상기 로드락 챔버(10)는 내부에 유입되어 상기 카세트(14)를 수직으로 왕복 이동시키는 리프터(lifter)와, 상기 리프터의 이동방향에 대하여 수직으로 상기 카세트(14)에 탑재된 웨이퍼(12)를 감지하는 웨이퍼 감지부가 형성되어 있고, 상기 리프트의 이동에 따른 상기 웨이퍼 감지부의 웨이퍼(12) 감지를 통해 상기 매핑이 수행되도록 할 수 있다.
그리고, 상기 매핑이 완료되면 슬릿 밸브(52)가 열려지면서 상기 로드락 챔버(10)는 트랜지스퍼 챔버와 서로 연통된다. 이후, 상기 트랜스퍼 챔버(50) 내에 형성된 로봇암(54)은 상기 매핑 시 상기 웨이퍼 감지부에 의해 감지된 웨이퍼(12)의 위치정보를 이용하여 상기 로봇암(54)의 끝단에 형성된 블레이드(56)를 상기 카세트(14) 내부에 탑재된 해당 공정이 수행될 웨이퍼(12) 하부에 삽입시키고, 상기 웨이퍼(12)를 승강시키고, 상기 웨이퍼(12)를 상기 카세트(14)로부터 취출하여 상기 트랜스퍼 챔버(50)로 이송한 후 상기 트랜스퍼 챔버(50)에서 정렬 챔버(20)로 이송시킨다.
이후, 정렬 챔버(20)에서 상기 웨이퍼(12)의 정렬 공정이 완료되면 상기 로봇암(54)은 상기 웨이퍼(12)를 상기 정렬 챔버(20)에서 상기 공정 챔버(30)로 이송시킨 다. 이전에, 상기 공정 챔버(30)와 상기 트랜스퍼 챔버(50)간의 상기 슬릿 밸브(52)가 열려진다. 이때, 상기 공정 챔버(30)는 상기 웨이퍼(12)의 식각 공정을 진행하는 식각 챔버, 또는 상기 웨이퍼(12) 상에 소정의 박막을 증착하는 증착 챔버로 이루어진다.
예컨대, 상기 공정 챔버(30)가 상기 웨이퍼(12) 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 웨이퍼(12) 또는 상기 웨이퍼(12) 상에 형성된 박막을 제거하는 플라즈마 건식식각 공정이 수행되는 식각 챔버로 이루어질 경우, 상기 식각 챔버 내부에서 상기 플라즈마 건식식각 공정이 수행되는 웨이퍼(12)는 정전척(도시하지 않음, Electro-Static Chuck, 이하 ESC라 칭함)에 정전기적으로 고정 지지된다. 또한, 플라즈마 건식식각 공정 중 상기 웨이퍼(12)는 고온에서 손상될 수 있기 때문에 상기 ESC에 형성된 홀을 통해 유동되는 헬륨과 같은 냉매에 의해 냉각된다. 이때, 상기 홀은 상기 ESC상에 지지되는 상기 웨이퍼(12)의 후면 사이로 상기 헬륨을 소정양으로 유동시키면서, 상기 헬륨의 기화열에 의해 상기 웨이퍼(12)가 상기 플라즈마 반응으로부터 손상되는 것을 방지할 수 있다.
하지만, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비는 상기 포토레지스트와 같은 오염물질이 포토레지스트 패터닝 공정에서 상기 웨이퍼(12)의 후면에 발생되고 상기 웨이퍼(12)가 상기 트랜스퍼 챔버(50)의 상기 로봇암(54)에 의해 상기 식각 챔버의 상기 ESC상에 위치될 경우, 상기 포토레지스트가 후면에 발생된 상기 웨이퍼(12)는 상기 ESC척 상에서 평탄하게 위치되지 못하거나, 상기 포토레지스트가 상기 홀을 막아버려 상기 헬륨이 누출(leakage)되어 상기 웨이퍼(12)의 상기 플라즈마 반응에 의한 고열에 의해 반도체 제조공정의 불량이 발생될 수 있기 때문에 생산 수율이 떨어지는 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 후면에 오염 물질이 발생된 상기 웨이퍼가 공정 챔버의 ESC 상으로 위치되어 반도체 제조공정의 불량이 유발되는 것을 방지하여 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비 및 그의 웨이퍼 이송방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태(aspect)에 따라, 반도체 제조설비는, 소정의 반도체 제조공정이 수행될 다수개의 웨이퍼가 탑재된 카세트를 수용하는 복수개의 로드락 챔버; 상기 로드락 챔버에 수용된 상기 웨이퍼를 지지하는 척을 구비하여 상기 반도체 제조공정을 매엽식으로 수행하는 복수개의 공정 챔버; 상기 복수개의 공정 챔버 및 로드락 챔버를 공통으로 연결하며 슬릿 밸브에 의해 선택적으로 개폐되는 트랜스퍼 챔버; 및 상기 트랜스퍼 챔버의 중심에 형성되어 상기 로드락 챔버 및 공정 챔버간에 상기 웨이퍼를 이송하고, 상기 공정 챔버로 이송되는 상기 웨이퍼의 후면에 발생된 오염 물질을 감지하는 적어도 하나 이상의 센서를 구비한 로봇암을 포함함을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 양태는, 다수개의 웨이퍼가 적재된 카세트를 로드락 챔버에 로딩하는 단계; 상기 카세트 내부에 적재된 상기 다수개의 웨이퍼를 매핑하는 단계; 상기 로드락 챔버와 트랜스퍼 챔버를 연통시키고, 상기 트랜스퍼 챔버에 형성된 로봇암을 이용하여 상기 웨이퍼를 취출하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 후면에 발생된 오염 물질을 센서를 이용하여 감지하고, 상기 로봇암에 의해 상기 웨이퍼가 이송되지 못하도록 상기 로봇암을 정지시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 웨이퍼 이송방법이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비 및 그의 웨이퍼 이송방법를 설명하면 다음과 같다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 평면도이고, 도 3은 도 2의 블레이드(156)를 구체적으로 나타낸 평면도이고, 도 4 내지 도 5는 도 3의 센서를 이용하여 웨이퍼(112)의 후면에 발생된 오염 물질을 감지하는 것을 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비는, 식각 공정 또는 증착 공정과 같은 소정의 반도체 제조공정이 수행될 다수개의 웨이퍼(112)가 탑재된 카세트(114)를 수용하는 복수개의 로드락 챔버(110)와, 상기 로드락 챔버(110)에 수용된 상기 웨이퍼(112)를 이송하여 정렬하는 정렬 챔버(120)와, 상기 정렬 챔버(120)에서 정렬된 웨이퍼(112)를 고정하여 지지하는 ESC(도시하지 않음)를 구비하여 상기 반도체 제조공정을 매엽식으로 수행하는 복수개의 공정 챔버(130)와, 상기 공정 챔버(130)에서 상기 반도체 제조공정이 완료된 웨이퍼(112)를 세정하는 세정 챔버(140)와, 상기 복수개의 공정 챔버(130) 및 로드락 챔버(110)를 클러스터 타입(cluster type)으로 공통연결하며 슬릿 밸브(152)에 의해 선택적으로 개폐되는 트랜스퍼 챔버(150)와, 상기 트랜스퍼 챔버(150)의 중심에 형성되어 상기 슬릿 밸브(152)가 열린 상태에서 상기 로드락 챔버(110) 및 공정 챔버(130)간에 상기 웨이퍼(112)를 이송하고, 상기 공정 챔버(130)로 이송되는 상기 웨이퍼(112)의 후면에 발생된 오염 물질(160)을 감지하는 적어도 하나 이상의 센서(sensor, 158)를 구비한 복수개의 로봇암(154)을 포함하여 구성된다.
도시되지는 않았지만, 상기 센서(158)에서 출력되는 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼(112)의 후면에 상기 오염 물질(160)의 발생여부를 판단하고, 후면에 상기 오염 물질(160)이 발생된 상기 웨이퍼(112)가 상기 로봇암(154)에 의해 상기 공정 챔버(130)로 이송되지 못하도록 인터락(inter-lock) 제어 신호를 발생하고, 상기 로봇암(154)이 상기 웨이퍼(112)를 더 이상 이송하지 못하도록 제어하는 제어 신호를 출력하는 제어부를 더 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 센서(158)는 상기 웨이퍼(112)의 후면에 발생된 포토레지스트와 같은 오염 물질(160)을 감지하는 것으로, 적외선과 같은 입사광을 상기 웨이퍼(112)의 후면에 입사하는 입광부(158a)와, 상기 입광부(158a)에서 조사된 입사광을 수광하는 수광부(158b)를 포함하여 이루어진다. 또한, 외부에서 인가되는 전원전압을 이용하여 상기 광을 생성하고 상기 입광부(158a)에 공급하는 광원(도시하지 않 음)을 더 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 웨이퍼(112)의 후면에 포토레지스트와 같은 상기 오염 물질(160)이 존재하지 않을 경우, 상기 입광부(158a)에서 입사된 소정 세기의 입사광이 그대로 상기 수광부(158b)에서 수광되어 상기 센서(158)는 상기 제어부에 변화되지 않은 상기 입사광 세기 만큼에 해당되는 감지신호를 출력하여 상기 제어부가 상기 웨이퍼(112)의 후면에 오염 물질(160)이 존재치 않음으로 판단토록 할 수 있다.
반면, 상기 웨이퍼(112)의 후면에 포토레지스트와 같은 상기 오염 물질(160)이 존재할 경우, 상기 입광부(158a)에서 입사된 소정 세기의 입사광이 상기 포토레지스트에 흡수되어 상기 입광부(158a)에서 입사된 입사광에 비해 작은 세기의 입사광이 상기 수광부(158b)에서 수광되어 상기 센서(158)는 상기 제어부에 상기 입사광이 변화된 감지 신호를 출력하여 상기 제어부가 상기 웨이퍼(112)의 후면에 오염 물질(160)이 존재함을 판단토록 할 수 있다.
따라서, 상기 센서(158)는 상기 웨이퍼(112)의 후면 전체에 균일하게 상기 입사광을 입사시킬 수 있도록 상기 웨이퍼(112)를 이송시키는 상기 로봇암(154)에 형성되어만 한다.
이때, 상기 로봇암(154)은 상기 웨이퍼(112)의 가장자리를 지지하면서 이동시키기 위해 상기 로봇암(154)의 끝단에서 상기 웨이퍼(112)의 가장자리를 감싸는 말발굽 모양의 블레이드(156)를 구비한다.
또한, 상기 센서(158)는 상기 웨이퍼(112)의 후면 가장자리 및 중심을 포함한 전면에서 발생된 상기 오염 물질(160)을 감지하도록 상기 블레이드(156)의 내측 벽을 따라 상기 입광부(158a) 및 수광부(158b)가 등간격으로 교번하여 형성되거나, 상기 블레이드(156) 내측벽의 양쪽에 각각 형성된다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비는 트랜스퍼 챔버(150)에서 공정 챔버(130)로 이송되는 웨이퍼(112)의 후면에서 발생된 포토레지스트와 같은 오염 물질(160)을 감지하는 센서(158)를 구비한 로봇암(154)을 이용하여 후면에 상기 오염 물질(160)이 발생된 상기 웨이퍼(112)가 공정 챔버(130)의 척 상으로 위치되어 반도체 제조공정의 불량이 유발되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 이송방법을 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명의 반도체 제조설비의 웨이퍼 이송방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조설비의 웨이퍼 이송방법은, 상기 로드락 챔버(110)에 식각 공정 또는 증착 공정과 같은 반도체 제조공정이 수행될 다수개의 웨이퍼(112)가 적재된 카세트(114)가 로딩되면(S10), 상기 로드락 챔버(110)의 일측에 형성된 도어가 상기 로드락 챔버(110)를 밀폐시키고, 상기 로드락 챔버(110)는 진공 펌프에 의해 소정 진공압을 갖도록 펌핑된다. 또한, 상기 로드락 챔버(110)에 형성된 웨이퍼 감지부가 상기 카세트(114) 내부에 적재된 다수개의 웨이퍼(112)를 매핑한다(S20).
이후, 상기 웨이퍼(112)의 매핑이 완료되면 상기 로드락 챔버(110)와 상기 트랜스퍼 챔버(150) 사이의 상기 슬릿 밸브(152)가 열려지고(S30), 상기 로봇암(154)에 의해 상기 카세트(114) 내부에 적재된 상기 웨이퍼(112)가 취출되어 이송된다(S40). 또한, 상기 로봇암(154)의 블레이드(156)에 형성된 상기 센서(158)가 상기 웨이퍼(112)의 후면에서 오염 물질(160)의 발생 여부를 감지하고, 상기 제어부가 상기 웨이퍼(112)의 후면에서 오염 물질(160)의 발생 여부를 판단토록 한다(S50).
그리고, 상기 웨이퍼(112)의 후면에 오염 물질(160)이 발생된 경우, 상기 센서(158)는 상기 제어부에 상기 오염 물질(160)의 감지 신호를 출력하고, 상기 제어부는 상기 오염 물질(160)이 발생된 것으로 판단하여 인터락 제어 신호를 발생한다(S60).
다음, 상기 제어부는 후면에 오염 물질(160)이 발생된 웨이퍼(112)가 상기 공정 챔버(130)로 이송되지 못하도록 상기 로봇암(154)을 제어하는 제어 신호를 출력하고(S70), 상기 로봇암(154)에 의해 이송되는 상기 웨이퍼(112)의 후면에 포토레지스트와 같은 오염 물질(160)이 발생된 것을 알리기 위한 알람(alarm)을 발생하여 작업자에 의한 조치를 받도록 한다(S80).
마지막으로, 상기 웨이퍼(112)의 후면에 오염 물질(160)이 발생되지 않거나, 후면에 오염 물질(160)이 제거된 웨이퍼(112)가 상기 로봇암(154)의 블레이드(156)에 위치될 경우, 식각 챔버 또는 증착 챔버와 같은 공정 챔버(130)와 상기 트랜스퍼 챔버(150) 사이의 슬릿(152) 밸브가 열려지고(S90), 상기 웨이퍼(112)는 상기 공정 챔버(130)의 ESC와 같은 척에 로딩되어 안착된다(S100).
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 웨이퍼 이송방법은 공정 챔버(130)로 이송되는 웨이퍼(112)의 후면에서 포토레지스트 패턴과 같은 오염 물질(160)이 발생된 것을 감지하고, 상기 오염 물질(160)이 발생된 웨이퍼(112)가 공정 챔버(130)로 이송되는 방지하고, 공정 챔버(130)에서의 반도체 제조공정의 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 트랜스퍼 챔버에서 공정 챔버로 이송되는 웨이퍼의 후면에서 발생된 포토레지스트와 같은 오염 물질을 감지하는 센서를 구비한 로봇암을 이용하여 후면에 상기 오염 물질이 발생된 상기 웨이퍼가 공정 챔버의 척 상으로 위치되어 반도체 제조공정의 불량이 유발되는 것을 방지할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 소정의 반도체 제조공정이 수행될 다수개의 웨이퍼가 탑재된 카세트를 수용하는 복수개의 로드락 챔버;
    상기 로드락 챔버에 수용된 상기 웨이퍼를 지지하는 척을 구비하여 상기 반도체 제조공정을 매엽식으로 수행하는 복수개의 공정 챔버;
    상기 복수개의 공정 챔버 및 로드락 챔버를 공통으로 연결하며 슬릿 밸브에 의해 선택적으로 개폐되는 트랜스퍼 챔버; 및
    상기 트랜스퍼 챔버의 중심에 형성되어 상기 로드락 챔버 및 공정 챔버간에 상기 웨이퍼를 이송하고, 상기 공정 챔버로 이송되는 상기 웨이퍼의 후면에 발생된 오염 물질을 감지하는 적어도 하나 이상의 센서를 구비한 로봇암을 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서는 상기 웨이퍼의 후면에 입사광을 입사하는 입광부와, 상기 입광부에서 입사된 입사광을 수광하는 수광부를 구비하는 광센서임을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 로봇암은 상기 웨이퍼의 가장자리를 지지하면서 이동시키는 말발굽 모양의 블레이드를 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 센서는 상기 웨이퍼의 가장자리에서 중심까지에 형성된 상기 오염 물질을 감지하도록 상기 블레이드의 내측벽에 상기 센서의 입광부와 수광부를 등간격으로 교번하여 형성하거나, 상기 입광부와 수광부가 상기 블레이드의 내측벽에 약측에 각각 형성함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 센서에서 출력되는 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼의 후면에 상기 오염 물질발생여부를 판단하고, 후면에 상기 오염 물질이 발생된 상기 웨이퍼가 상기 로봇암에 의해 상기 공정 챔버로 이송되지 못하도록 인터락 제어 신호를 발생하고, 상기 로봇암이 상기 웨이퍼를 이송하지 못하도록 제어하는 제어 신호를 출력하는 제어부를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  6. 다수개의 웨이퍼가 적재된 카세트를 로드락 챔버에 로딩하는 단계;
    상기 카세트 내부에 적재된 상기 다수개의 웨이퍼를 매핑하는 단계;
    상기 로드락 챔버와 트랜스퍼 챔버를 연통시키고, 상기 트랜스퍼 챔버에 형성된 로봇암을 이용하여 상기 웨이퍼를 취출하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 후면에 발생된 오염 물질을 센서를 이용하여 감지하고, 상기 로봇암에 의해 상기 웨이퍼가 이송되지 못하도록 상기 로봇암을 정지시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비의 웨이퍼 이송방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20230150120A1 (en) * 2021-11-17 2023-05-18 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate Conveying Robot and Substrate Conveying Robot System

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