KR20060074485A - Method for manufacturing phase shift mask - Google Patents

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KR20060074485A
KR20060074485A KR1020040113238A KR20040113238A KR20060074485A KR 20060074485 A KR20060074485 A KR 20060074485A KR 1020040113238 A KR1020040113238 A KR 1020040113238A KR 20040113238 A KR20040113238 A KR 20040113238A KR 20060074485 A KR20060074485 A KR 20060074485A
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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크의 제조방법에 관한 것으로서, 건식 식각 중에 생성되는 측벽 폴리머를 통해 위상반전 마스크 패턴의 모서리에 발생하는 결함의 발생을 방지하여 성장성 이물을 제어시키는 이점이 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a phase shift mask, and has an advantage of controlling growthable foreign substances by preventing generation of defects occurring at edges of the phase shift mask pattern through sidewall polymers generated during dry etching.

이를 위해 본 발명은, 석영 기판 위에 위상반전막과 광차단막 및 감광막을 순차적으로 형성하는 단계, 감광막을 패터닝하여 투광 영역을 정의하는 단계, 패터닝한 감광막 마스크로 광차단막을 건식식각하되, 식각가스와 HCl가스를 함께 공급하는 단계, 광차단막을 마스크로 위상반전막을 건식식각하되, 식각가스와 CHF₃가스를 함께 공급하는 단계, 위상반전 영역의 광차단막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법을 제공한다.
To this end, the present invention comprises the steps of sequentially forming a phase inversion film, a light blocking film and a photoresist film on a quartz substrate, defining a light transmitting region by patterning the photoresist film, dry etching the light blocking film with a patterned photoresist mask, the etching gas and Supplying HCl gas together, dry etching the phase inversion film using the light blocking film as a mask, supplying the etching gas and CHF₃ gas together, and removing the light blocking film in the phase inversion area. Provided is a method of manufacturing a mask.

위상반전 마스크, 측벽 폴리머, 건식식각Phase inversion mask, sidewall polymer, dry etching

Description

위상반전 마스크의 제조방법{Method for manufacturing Phase Shift Mask} Method for manufacturing phase shift mask {Method for manufacturing Phase Shift Mask}             

도 1a내지 도 1e는 종래 기술의 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.1A to 1E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a halftone phase shift mask according to the related art.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a halftone phase shift mask according to the present invention.

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명--Explanation of symbols for the main parts of the drawing

20 : 반도체 기판 21 : 위상반전막20 semiconductor substrate 21 phase inversion film

22 : 광차단막 23 : 감광막22: light blocking film 23: photosensitive film

24 : 제 1폴리머 25 : 제 2폴리머
24: first polymer 25: second polymer

본 발명은 위상반전 마스크의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 건식 식각 중에 생성되는 측벽 폴리머를 통해 위상반전 마스크 패턴의 모서리에 발 생하는 결함의 발생을 방지하여 성장성 이물을 제어하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a phase shift mask, and more particularly, to a method of controlling growthable foreign substances by preventing generation of defects occurring at edges of a phase shift mask pattern through sidewall polymers generated during dry etching. will be.

최근 반도체 소자가 고집적화되면서 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 크기가 미세해지고, 이러한 미세한 패턴을 형성하기 위하여 포토 마스크를 사용하는 포토리소그래피(Photolithography) 공정이 이용되고 있다. 상기와 같은 포토마스크는 일반적으로 석영(Quartz)기판 위에 크롬(Cr)막을 형성한 다음, 이를 원하는 패턴으로 식각하여 투과광이 석영 기판만을 통과하여 웨이퍼 위에 조사될 수 있도록 한 바이너리 마스크(Binary Mask)를 사용하였다. 그러나 더 미세한 패턴의 형성을 위해 몰리브덴 실리콘 옥시나이트라이드막(MoSiON)과 같이 수 %의 투과율을 갖는 위상 반전 물질을 이용하여 이를 투과한 광과 석영 기판을 투과한 광의 소멸간섭을 이용하여 상기 바이너리 마스크보다도 미세한 패턴을 웨이퍼 상에 형성하도록 하는 하프톤 위상반전 마스크(Half-tone Phase Mask)가 제안되고 있다. Recently, as semiconductor devices are highly integrated, the size of patterns formed on wafers become fine, and photolithography processes using photo masks have been used to form such fine patterns. The photomask is generally formed with a chromium (Cr) film on a quartz substrate, and then etched in a desired pattern to apply a binary mask that allows transmitted light to pass through the quartz substrate and onto the wafer. Used. However, in order to form a finer pattern, the binary mask may be formed by using a phase inversion material having a transmittance of several percent, such as a molybdenum silicon oxynitride film (MoSiON), by extinction interference of light transmitted through it and light transmitted through a quartz substrate. Half-tone phase masks have been proposed for forming finer patterns on wafers.

이하 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법을 설명하기로 한다. 도 1a내지 도 1e는 종래 기술의 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법의 공정 단면도이다.Hereinafter, a method of manufacturing a halftone phase shift mask according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings. 1A to 1E are cross-sectional views of a method of manufacturing a halftone phase shift mask according to the prior art.

먼저 도 1a에 도시된 바와 같이, 석영 기판(10) 위에 위상반전막(11)과 광차단막(12) 및 그 위에 패터닝을 하는데 필요한 감광막(13)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 위상반전막(shifter)(11)은 위상을 반전시킬 수 있는 물질로서 몰리브덴 실리콘 옥시나이트라이드막(MoSiON)을 포함하여 이루어져 있고, 광차단막(12)은 노광공정에서 빛을 차단하기 위한 차단막으로 크롬막(Cr)을 포함한다. 또한, 상기 위상반전막(11)과 광차단막(12)을 선택적으로 식각하기 위한 마스크 물질로 감광막(13)이 사용된다. First, as shown in FIG. 1A, a phase inversion film 11, a light blocking film 12, and a photosensitive film 13 necessary for patterning thereon are sequentially formed on the quartz substrate 10. Here, the phase shifter 11 includes a molybdenum silicon oxynitride film (MoSiON) as a material capable of inverting the phase, and the light shielding film 12 is a blocking film for blocking light in an exposure process. Chromium film Cr. In addition, the photosensitive film 13 is used as a mask material for selectively etching the phase inversion film 11 and the light blocking film 12.

그리고 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 감광막(13)에 전자빔 라이팅(E-Beam writing)을 실시 및 현상하여 위상반전 영역을 정의하는 감광막 패턴(14)을 형성한다.As shown in FIG. 1B, the E-Beam writing is performed and developed on the photoresist 13 to form a photoresist pattern 14 defining a phase inversion region.

그 다음 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 감광막 패턴(14)을 식각 마스크로 하여 상기 광차단막(12)과 위상반전막(11)을 순차적으로 식각함으로써 상기 석영 기판(10)을 노출시킨다. 여기서 식각 가스로서 CF₄(테트라플루오로메탄)와 O₂(산소)를 이용한다.Next, as shown in FIG. 1C, the quartz substrate 10 is exposed by sequentially etching the light blocking film 12 and the phase inversion film 11 using the photoresist pattern 14 as an etching mask. Here, CF₄ (tetrafluoromethane) and O2 (oxygen) are used as etching gases.

이어서 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 감광막 패턴(14)의 제거 및 잔여물을 제거하기 위한 세정 공정을 실시하여 하프톤 위상반전 마스크를 형성한다. 이후 도 1e에 도시된 바와 같이, 상기 세정 공정이 완료된 석영 기판(10)의 전면에 펠리클막(Pellicle)(15)을 부착한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1D, a cleaning process for removing the photoresist pattern 14 and removing residues is performed to form a halftone phase shift mask. Thereafter, as shown in FIG. 1E, a pellicle film 15 is attached to the entire surface of the quartz substrate 10 on which the cleaning process is completed.

여기서, 상기 감광막 패턴(14)의 제거 및 잔여물을 제거하기 위한 세정 공정을 실시할 때, SPM 용액( H₂SO₄+H₂O₂) 및 SC-1(NH₄OH+H₂0₂+H₂O)용액을 이용한다. 그러나 상기 SPM 용액의 황산(SO₄) 이온 잔여물이 마스크의 표면에 남아 있게 되어 제작 환경의 변화나 노광장치의 노광량에 따라 위상반전 마스크 패턴의 모서리 부분에 결함이 발생하여 성장성 이물의 원인으로 작용하는 문제가 발생한다. 또한 상기 석영 기판(10)의 표면을 보호하기 위하여 전면에 부착한 펠리클막(15)에서도 암모니아(NH₃)이온이 나온다고 알려져 있다. Here, when the cleaning process for removing the photoresist pattern 14 and removing the residue, SPM solution (H₂SO₄ + H₂O₂) and SC-1 (NH₄OH + H₂0₂ + H₂O) solution is used. However, residues of sulfuric acid (SO₄) ions in the SPM solution remain on the surface of the mask, causing defects in the edges of the phase inversion mask pattern according to changes in the manufacturing environment or the exposure amount of the exposure apparatus, thereby acting as a cause of growth foreign matter. A problem arises. It is also known that ammonia (NH 3) ions are also emitted from the pellicle film 15 attached to the front surface to protect the surface of the quartz substrate 10.

따라서 상기 암모니아(NH₃)이온과 황산(SO₄)이온과의 반응에 의한 염의 형 성에 의하여 상기 성장성 이물의 밀도가 시간의 경과에 따라 비례하여 증가하게 되어, 결국에는 마스크로서의 역할을 수행할 수 없게 된다.
Therefore, the density of the growth foreign material is increased in proportion to time due to the formation of a salt by the reaction of the ammonia (NH 3) ion and the sulfuric acid (SO₄) ion, so that it cannot finally serve as a mask. .

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 건식 식각시 생성되는 측벽 폴리머를 통하여 위상반전 마스크 패턴의 모서리에 발생하는 결함의 발생을 방지할 수 있는 위상반전 마스크의 제조방법을 제공하는데 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a phase shift mask capable of preventing generation of defects occurring at the edges of a phase shift mask pattern through sidewall polymers generated during dry etching. To provide.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여, 석영 기판 위에 위상반전막과 광차단막 및 감광막을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 감광막을 패터닝하여 투광 영역을 정의하는 단계, 상기 패터닝한 감광막 마스크로 상기 광차단막을 건식식각하되, 식각가스와 HCl가스를 함께 공급하는 단계, 상기 광차단막을 마스크로 상기 위상반전막을 건식식각하되, 식각가스와 CHF₃가스를 함께 공급하는 단계, 상기 위상반전 영역의 광차단막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법을 제공한다.In order to solve the above technical problem, a step of sequentially forming a phase inversion film, a light blocking film and a photoresist film on a quartz substrate, defining the light-transmitting region by patterning the photosensitive film, the light blocking film by the patterned photoresist mask Dry etching, but supplying the etching gas and HCl gas together, dry etching the phase inversion film with the light blocking film as a mask, supplying the etching gas and CHF₃ gas together, removing the light blocking film of the phase inversion region It provides a method of manufacturing a phase inversion mask comprising the step.

본 발명에 있어서 상기 광차단막을 건식식각하는 단계에서는 5mTorr의 압력에서 250-350W의 전력으로 Cl₂가스 25-35sccm 과 O₂가스 4-6sccm을 식각가스로 주입하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, in the dry etching of the light blocking film, Cl 2 gas 25-35 sccm and O 2 gas 4-6 sccm are injected into the etching gas at a power of 250-350 W at a pressure of 5 mTorr.

또한, 상기 식각가스와 HCl가스를 함께 공급하는 단계에서는 HCl가스를 8- 12sccm의 유량으로 식각가스와 함께 주입하여 상기 광차단막 측벽에 제 1폴리머를 형성하는 것을 특징으로 한다.In the supplying of the etching gas and the HCl gas, the first polymer may be formed on the sidewall of the light blocking layer by injecting the HCl gas together with the etching gas at a flow rate of 8-12 sccm.

또한, 상기 위상반전막을 건식식각하는 단계에서는 5mTorr의 압력에서 310-390W의 전력과 90-110W의 바이어스 전압으로 CF₄가스 35-45sccm과 O₂가스 9-11sccm을 식각가스로 주입하는 것을 특징으로 한다.In the step of dry etching the phase inversion film, CF 것을 gas 35-45sccm and O₂ gas 9-11sccm are injected into the etching gas at 310-390W power and 90-110W bias voltage at a pressure of 5mTorr.

또한, 상기 식각가스와 CHF₃가스를 함께 공급하는 단계에서는 CHF₃가스를 12-18sccm의 유량으로 식각가스와 함께 주입하여 상기 위상반전막 측벽에 제 2폴리머를 형성하는 것을 특징으로 한다.
In the supplying of the etching gas and the CHF 3 gas together, the second polymer may be formed on the sidewall of the phase shift film by injecting the CHF 3 gas together with the etching gas at a flow rate of 12-18 sccm.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 2a내지 도 2e는 본 발명에 따른 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.2A to 2E are views for explaining a method of manufacturing a halftone phase shift mask according to the present invention.

먼저 도 2a에 도시한 바와 같이, 석영 기판(20) 위에 위상반전막(21)과 광차단막(22) 및 그 위에 패터닝을 하는데 필요한 감광막(23)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 위상반전막(shifter)(21)은 위상을 반전시킬 수 있는 물질로서 몰리브덴 실리콘 옥시나이트라이드막(MoSiON) 등을 포함하여 이루어져 있고, 광차단막(22)은 노광공정에서 빛을 차단하기 위한 차단막으로 크롬막(Cr) 등을 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 위상반전막(21)과 광차단막(22)을 선택적으로 식각하기 위한 마스 크 물질로 감광막(23)이 사용된다. First, as shown in FIG. 2A, a phase inversion film 21, a light blocking film 22, and a photosensitive film 23 necessary for patterning thereon are sequentially formed on the quartz substrate 20. Here, the phase shifter 21 includes a molybdenum silicon oxynitride film (MoSiON) as a material capable of inverting the phase, and the light blocking film 22 is used to block light in the exposure process. The blocking film is made of chromium film (Cr) or the like. In addition, the photosensitive film 23 is used as a mask material for selectively etching the phase inversion film 21 and the light blocking film 22.

그리고 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 감광막(23)에 전자빔 라이팅(E-Beam writing)을 실시 및 현상하여 투광영역(A)을 정의하는 감광막 패턴(23)을 형성한다. 이어서 상기 형성된 감광막 패턴(23)에 의해 투광영역(A)을 개방한다. As shown in FIG. 2B, electron beam writing (E-Beam writing) is performed and developed on the photoresist layer 23 to form a photoresist pattern 23 defining a light transmission region A. Referring to FIG. Subsequently, the light-transmitting region A is opened by the formed photoresist pattern 23.

그 다음 도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 패터닝한 감광막 패턴(23)을 식각 마스크로 하여 건식식각법(dry etching)으로 상기 투광영역(A)의 상기 광차단막(22)을 식각하고 상기 감광막 패턴(23)을 제거한다. 여기서 상기 광차단막(22)은 유도결합플라즈마(Inductively Coupled Plasma : ICP) 장치를 통해 5mTorr의 압력에서 250-350W의 전력으로 Cl₂가스 25-35sccm 과 O₂가스 4-6sccm의 혼합가스를 식각가스로 하여 식각한다. Next, as shown in FIG. 2C, the light blocking film 22 of the light-transmitting region A is etched by dry etching using the patterned photoresist pattern 23 as an etching mask and the photoresist pattern Remove (23). Here, the light blocking film 22 is an etching gas using a mixed gas of Cl 2 gas 25-35 sccm and O 2 gas 4-6 sccm at a power of 250-350 W at a pressure of 5 mTorr through an inductively coupled plasma (ICP) device. Etch it.

상기 건식식각법을 통한 식각공정을 진행할 때, 식각가스와 함께 HCl가스를 8-12sccm의 유량으로 주입하면 상기 광차단막(22)의 측벽에 제 1폴리머(24)가 형성된다. When the etching process is performed through the dry etching method, when HCl gas is injected together with the etching gas at a flow rate of 8-12 sccm, the first polymer 24 is formed on the sidewall of the light blocking film 22.

그리고 도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 광차단막(22)을 식각마스크로 하여 건식식각법(dry etching)으로 상기 투광영역(A)의 위상반전막(21)을 식각한다. 여기서 상기 위상반전막(21)은 유도결합플라즈마 장치(ICP)를 통해 5mTorr의 압력에서 310-390W의 전력과 90-110W의 바이어스 전압으로 CF₄가스 35-45sccm과 O₂가스 9-11sccm의 혼합가스를 식각가스로 하여 식각한다. As illustrated in FIG. 2D, the phase inversion film 21 of the light transmissive region A is etched by dry etching using the light blocking film 22 as an etching mask. Here, the phase inversion film 21 is a mixture of CF 의 gas 35-45sccm and O₂ gas 9-11sccm at 310-390W power and 90-110W bias voltage at 5mTorr pressure through an inductively coupled plasma device (ICP). Etch as etching gas.

상기 건식식각법을 통한 식각공정을 진행할 때, 식각가스와 함께 CHF₃가스를 12-18sccm의 유량으로 주입하면 상기 광차단막(22)의 식각시 발생되는 제 1폴리 머(24)와 중첩되어 상기 위상반전막(21)의 측벽에 제 2폴리머(25)가 형성된다.When the etching process is performed through the dry etching method, when CHF 3 gas is injected along with the etching gas at a flow rate of 12-18 sccm, the phase overlaps with the first polymer 24 generated during etching of the light blocking layer 22. The second polymer 25 is formed on the sidewall of the inversion film 21.

이후 도 2e에 도시한 바와 같이, 위상반전 영역(B)의 광차단막을 제거하고 SPM 용액( H₂SO₄+H₂O₂) 및 SC-1용액(NH₄OH+H₂0₂+H₂O)을 이용하여 세정공정을 실시하면 위상반전 마스크 패턴이 형성된다. 여기서 상기 위상반전막(21)의 양 측벽 및 광차단영역(C)의 측벽에 형성된 폴리머(26)는 이후 세정공정에서 발생하는 화학적 잔여물로 인하여 위상반전 마스크 패턴의 모서리 부분에 생성되는 결함(defect)을 방지하는 역할을 한다. Then, as shown in FIG. 2E, when the light blocking film of the phase inversion region B is removed and the cleaning process is performed using the SPM solution (H₂SO₄ + H₂O₂) and the SC-1 solution (NH₄OH + H₂0₂ + H₂O), the phase inversion is performed. A mask pattern is formed. Herein, the polymer 26 formed on both sidewalls of the phase shift film 21 and the sidewalls of the light blocking region C may have defects formed at edges of the phase shift mask pattern due to chemical residues generated in a subsequent cleaning process. prevents defects.

본 발명은 석영 기판 위에 위상반전막과 광차단막 및 감광막을 순차적으로 형성하고, 감광막 패턴으로 위상반전 영역을 정의하여 상기 광차단막 및 상기 위상반전막을 건식식각한 후, 위상반전 영역의 광차단막을 제거하여 위상반전 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. According to the present invention, a phase inversion film, a light blocking film, and a photoresist film are sequentially formed on a quartz substrate, and a phase inversion region is defined by a photoresist pattern to dry-etch the light blocking film and the phase inversion film, and then the light blocking film of the phase inversion region is removed. And forming a phase inversion mask pattern.

따라서 본 발명에서는 상기 건식 식각시, 식각가스와 함께 HCl 가스 및 CHF₃가스를 주입해 측벽 폴리머를 생성하여 위상반전 마스크 패턴의 모서리에 발생하는 성장성 이물의 성장을 상기 측벽 폴리머가 방지함으로써 위상반전 마스크의 결함 발생을 개선할 수 있다.
Therefore, in the present invention, in the dry etching, the sidewall polymer is formed by injecting HCl gas and CHF₃ gas together with the etching gas to form sidewall polymers, thereby preventing growth of growthable foreign substances generated at the edges of the phase inversion mask pattern. The occurrence of defects can be improved.

상술한 바와 같이, 본 발명은 위상반전 마스크 패턴을 형성하기 위한 건식식각 공정시 측벽 폴리머를 생성함으로써 위상반전 마스크 패턴의 모서리 부분의 결함 발생을 방지하여 위상반전 마스크 상에 발생하는 성장성 이물을 제어할 수 있 다.As described above, the present invention prevents the occurrence of defects at the edges of the phase inversion mask pattern by controlling the growth foreign material generated on the phase inversion mask by generating the sidewall polymer during the dry etching process for forming the phase inversion mask pattern. Can be.

Claims (5)

석영 기판 위에 위상반전막과 광차단막 및 감광막을 순차적으로 형성하는 단계,Sequentially forming a phase inversion film, a light blocking film, and a photoresist film on the quartz substrate; 상기 감광막을 패터닝하여 위상반전 영역을 정의하는 단계,Patterning the photoresist to define a phase inversion region; 상기 패터닝한 감광막 마스크로 상기 광차단막을 건식식각하되, 식각가스와 HCl가스를 함께 공급하는 단계,Dry etching the light blocking layer with the patterned photoresist mask, and supplying an etching gas and an HCl gas together; 상기 광차단막을 마스크로 상기 위상반전막을 건식식각하되, 식각가스와 CHF₃가스를 함께 공급하는 단계,Dry etching the phase shift film using the light blocking film as a mask, and supplying an etching gas and a CHF₃ gas together; 상기 위상반전 영역의 광차단막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.And removing the light blocking film of the phase inversion region. 제 1항에 있어서, 상기 광차단막을 건식식각하는 단계에서는 5mTorr의 압력에서 250-350W의 전력으로 Cl₂가스 25-35sccm 과 O₂가스 4-6sccm을 식각가스로 주입하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.The method of claim 1, wherein in the dry etching of the light shielding film, 25-35 sccm of Cl₂ gas and 4-6 sccm of O₂ gas are injected into the etching gas at a power of 250-350 W at a pressure of 5 mTorr. Manufacturing method. 제 1항에 있어서, 상기 식각가스와 HCl가스를 함께 공급하는 단계에서는 HCl가스를 8-12sccm의 유량으로 식각가스와 함께 주입하여 상기 광차단막 측벽에 제 1폴리머를 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.The phase inversion of claim 1, wherein in the supply of the etching gas and the HCl gas, the first polymer is formed on the sidewall of the light blocking layer by injecting HCl gas together with the etching gas at a flow rate of 8-12 sccm. Method of manufacturing a mask. 제 1항에 있어서, 상기 위상반전막을 건식식각하는 단계에서는 5mTorr의 압력에서 310-390W의 전력과 90-110W의 바이어스 전압으로 CF₄가스 35-45sccm과 O₂가스 9-11sccm을 식각가스로 주입하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.The method of claim 1, wherein in the dry etching of the phase inversion film, injecting CF₄ gas 35-45sccm and O₂ gas 9-11sccm into the etching gas at 310-390W power and 90-110W bias voltage at a pressure of 5mTorr. A method of manufacturing a phase inversion mask, characterized in that. 제 1항에 있어서, 상기 식각가스와 CHF₃가스를 함께 공급하는 단계에서는 CHF₃가스를 12-18sccm의 유량으로 식각가스와 함께 주입하여 상기 위상반전막 측벽에 제 2폴리머를 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.The method of claim 1, wherein in the step of supplying the etching gas and the CHF 3 gas together, the second polymer is formed on the sidewall of the phase inversion film by injecting the CHF 3 gas together with the etching gas at a flow rate of 12-18 sccm. Method for producing a reverse mask.
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