KR20060068643A - Method for manufacturing a phase shift mask - Google Patents

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    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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Abstract

본 발명은 위상 반전 마스크의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 기판 상부에 위상 반전막 및 식각 대상막을 순차적으로 형성하는 단계와, 식각 대상막을 패터닝하는 단계와, 식각 대상막 패턴의 폭을 측정하고 측정된 식각 대상막 패턴의 폭이 기설정된 폭보다 큰지 비교하는 단계와, 식각 대상막 패턴을 습식 식각하여 기설정된 폭으로 조정하는 단계와, 기설정된 폭의 식각 대상막 패턴으로 위상 반전막을 패터닝하는 단계와, 식각 대상막 패턴을 제거하는 단계를 포함한다. 그러므로 본 발명은 마스크 패턴의 임계 치수 보정을 쉽게 할 수 있으며 미세한 패턴 구현으로 패턴 사이의 간격을 크게 증가시킬 수 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a phase reversal mask, and in particular, the steps of sequentially forming a phase reversal film and an etching target film on the substrate, patterning the etching target film, and measuring and measuring the width of the etching target film pattern Comparing the width of the etch target layer pattern with a predetermined width, wet etching the etch target layer pattern to a predetermined width, patterning a phase inversion film with an etch target layer pattern having a predetermined width, and Removing the etch target layer pattern. Therefore, the present invention can easily correct the critical dimension of the mask pattern and can greatly increase the spacing between the patterns with fine pattern implementation.

위상 반전 마스크, 위상 반전막, 습식 식각Phase inversion mask, phase inversion film, wet etching

Description

위상 반전 마스크의 제조 방법{Method for manufacturing a phase shift mask} Method for manufacturing a phase shift mask             

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 위상 반전 마스크를 제조하는 공정 순서도,1a to 1c is a process flowchart of manufacturing a phase reversal mask according to the prior art,

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 공정을 나타낸 공정 순서도,2A to 2E are process flowcharts illustrating a process of manufacturing a phase reversal mask according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 공정시 고온 H2SO4 용액에 의해 식각되는 광 차단막의 임계 치수 변화를 나타낸 그래프.3 is a graph showing a change in the critical dimension of the light blocking film etched by a high temperature H 2 SO 4 solution during the manufacturing process of a phase reversal mask according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 기판100: substrate

102 : 위상 반전막 102: phase inversion film

104, 104a : 식각 대상막104, 104a: etching target film

106 : 포토레지스트 패턴
106: photoresist pattern

본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 노광 장치로부터 입사되는 광이 서로 다른 위상차로 투과되도록 하는 위상 반전 마스크(phase shift mask)의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor, and more particularly, to a method of manufacturing a phase shift mask that allows light incident from an exposure apparatus to be transmitted with different phase differences.

반도체 집적 회로의 제조 공정 중에서 사용되는 각종 패턴들은 포토리소그래피 기술에 의해 형성된다. 하지만, 패턴들의 해상도는 집적회로의 집적도가 증가하면서 서로 인접하는 패턴들간의 근접효과(proximity effect)에 의해 급격히 저하된다. 예를 들어 통상적인 투영 노광장치를 이용하여 소자의 패턴들을 형성할 경우, 광의 회절에 의해 패턴의 모서리가 둥글어지게 되는 문제점이 있었다. 이 때문에, 레벤슨(Levenson)은 위상 반전(phase shifter) 패턴이 포함된 위상 반전 마스크를 고안하여 패턴의 해상도를 높임으로써 보다 미세한 소자의 패턴을 형성할 수 있게 하였다. Various patterns used in the manufacturing process of semiconductor integrated circuits are formed by photolithography techniques. However, the resolution of the patterns is drastically degraded by the proximity effect between adjacent patterns as the degree of integration of the integrated circuit increases. For example, when the patterns of the device are formed using a conventional projection exposure apparatus, there is a problem in that the corners of the pattern are rounded by diffraction of light. For this reason, Levenson devised a phase inversion mask including a phase shifter pattern to increase the resolution of the pattern to form a finer device pattern.

이러한 위상 반전 마스크를 이용하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법은 마스크 기판의 투광부를 통과한 광에 대하여 위상 반전부를 통과한 광이 역위상이 되도록 하는데, 이 때 광이 서로 간섭 효과를 야기시켜 패턴의 경계 부분에서 광의 강도가 "0"으로 되어 해상도를 증가시킨다.The pattern formation method of a semiconductor device using such a phase reversal mask causes the light passing through the phase reversal part to be out of phase with respect to the light passing through the light transmitting part of the mask substrate. The intensity of the light becomes " 0 " in increasing the resolution.

한편, 반도체 제조 공정에서 위상 반전 마스크는 크게 두 종류로 구분된다. 첫 번째는 기판(quartz) 위에 크롬(Cr) 등의 광 차단막을 형성하여 입사되는 광을 투과 또는 차단함으로서 포토레지스트 노광 공정시 화학적 변화를 주는 바이너리 마스크이다. 두 번째는 크롬 등의 광 차단막 대신에 MoSiN 등의 위상 반전 물질을 사용하여 투과율과 위상차의 다름을 이용하여 해상도를 향상시킨 위상차 마스크이다. 이러한 위상차 마스크는 크롬을 사용한 바이너리 마스크에 비하여 제조 공정과 시간이 오래 걸리고 패터닝 작업을 많이 함에 따라 결함 확률도 증가하고 결과적으로 많은 검사와 세정 공정을 거치게 된다.In the semiconductor manufacturing process, phase inversion masks are classified into two types. The first is a binary mask that forms a light blocking film such as chromium (Cr) on a quartz to transmit or block incident light, thereby giving a chemical change during the photoresist exposure process. The second is a phase difference mask that uses a phase inversion material such as MoSiN instead of a light blocking film such as chromium to improve the resolution by using a difference in transmittance and phase difference. Compared to chrome-based binary masks, these retardation masks take longer to manufacture and require more patterning, which increases the probability of defects and results in more inspection and cleaning processes.

하지만, 반도체 디자인 룰이 점점 축소되는 추세에 노광 광원이 이에 상응하여 미세화된 패턴을 제조하는데 한계가 있다. 그러므로 마스크 기술을 이용하여 분해능을 향상시킬 수밖에 없기 때문에 바이너리 마스크보다는 위상차 마스크의 제작이 필수적이다.However, there is a limit to the exposure light source to produce a correspondingly fine pattern in the trend that the semiconductor design rules are gradually reduced. Therefore, it is necessary to manufacture a retardation mask rather than a binary mask because the resolution is inevitably improved using a mask technique.

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 위상 반전 마스크를 제조하는 공정 순서도이다. 이들 도면을 참조하여 위상차 형태의 위상 반전 마스크의 제조 공정에 대해 설명한다.1A to 1C are process flowcharts of manufacturing a phase reversal mask according to the prior art. With reference to these drawings, the manufacturing process of the phase shift mask of a phase difference form is demonstrated.

우선, 도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(10) 위에 MoSiN 등의 위상 반전막(12)을 형성한다. 그 위에 크롬(Cr) 등과 같은 광 차단막(14)과 포토레지스트(16)를 순차 적층한다.First, as shown in FIG. 1A, a phase inversion film 12 such as MoSiN is formed on the substrate 10. The light blocking film 14 such as chromium (Cr) or the like and the photoresist 16 are sequentially stacked thereon.

그리고 노광 및 현상공정으로 포토레지스트(16)를 패터닝한 후에 포토레지스트 패턴(16)에 맞추어 크롬 등의 광 차단막(14)을 식각한다. After the photoresist 16 is patterned by exposure and development, the light blocking film 14 such as chromium is etched in accordance with the photoresist pattern 16.

계속해서 도 1b에 도시된 바와 같이 크롬 등의 광 차단막 패턴(14)을 마스크로 삼아 MoSiN 등의 위상 반전막(12)을 건식 식각 공정으로 패터닝한다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, the phase inversion film 12 such as MoSiN is patterned by a dry etching process using the light blocking layer pattern 14 such as chromium as a mask.

그 다음 도 1c에 도시된 바와 같이, O2 에슁 등의 공정으로 포토레지스트 패턴을 완전히 제거하고, 습식 용액으로 광 차단막 패턴(14)을 제거하여 기판(10) 상 부에 위상 반전막 패턴(12)으로 이루어진 위상 반전 마스크를 제조한다.Then, as shown in FIG. 1C, the photoresist pattern is completely removed by a process such as O 2 etching, and the light blocking layer pattern 14 is removed with a wet solution to thereby phase-reverse the film pattern 12 on the substrate 10. A phase inversion mask consisting of

이러한 제조 공정에 의해 형성된 종래의 위상 반전 마스크는 패턴(12)이 있는 부분에 MoSiN 등의 위상 반전막이 형성되기 때문에 기판(10)을 그대로 투과되는 광과 위상 반전막 패턴(12)을 통해 투과되는 광 사이에서 위상차가 발생하게 되어 패턴의 해상도를 향상시키게 된다.In the conventional phase inversion mask formed by such a manufacturing process, since a phase inversion film such as MoSiN is formed in a portion where the pattern 12 is present, light transmitted through the substrate 10 as it is and is transmitted through the phase inversion film pattern 12 A phase difference occurs between the lights, thereby improving the resolution of the pattern.

하지만, 종래 기술에 의한 위상 반전 마스크의 제조 방법은 포토레지스트 패턴 형성, 크롬 등의 광 차단막(14) 및 위상 반전막(12)의 건식 식각 공정으로 위상 반전막 패턴을 형성하기 때문에 위상 반전막 패턴 자체 또는 패턴 사이의 임계 치수(A)를 설정된 미세 임계 치수(B)로 맞추는 것이 어려웠다.
However, the phase inversion mask pattern according to the prior art is formed by forming a phase inversion film pattern by a photoresist pattern formation or a dry etching process of the light blocking film 14 such as chromium and the phase inversion film 12. It was difficult to fit the critical dimension A between itself or the pattern to the set fine critical dimension B.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 광 차단막을 패터닝하고 광 차단막 패턴의 폭이 설정된 폭보다 클 경우 습식 용액으로 광 차단막 패턴의 폭을 설정된 폭으로 줄임으로써 마스크 패턴의 임계 치수 보정을 쉽게 할 수 있으며 미세한 패턴 구현으로 패턴 사이의 간격을 크게 증가시킬 수 있는 위상 반전 마스크의 제조 방법을 제공하는데 있다.
An object of the present invention is to mask the threshold of the mask pattern by patterning the light blocking film and reducing the width of the light blocking film pattern to the set width with a wet solution when the width of the light blocking pattern is larger than the set width in order to solve the problems of the prior art as described above. The present invention provides a method of manufacturing a phase inversion mask that can easily perform dimensional correction and greatly increase the spacing between patterns by implementing a fine pattern.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판 상부에 위상 반전 패턴을 갖는 포토 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상부에 위상 반전막 및 식각 대상막 을 순차적으로 형성하는 단계와, 식각 대상막을 패터닝하는 단계와, 식각 대상막 패턴의 폭을 측정하고 측정된 식각 대상막 패턴의 폭이 기설정된 폭보다 큰지 비교하는 단계와, 식각 대상막 패턴을 습식 식각하여 기설정된 폭으로 조정하는 단계와, 기설정된 폭의 식각 대상막 패턴으로 위상 반전막을 패터닝하는 단계와, 식각 대상막 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing a photomask having a phase reversal pattern on a substrate, the steps of sequentially forming a phase reversal film and an etching target film on the substrate, and patterning the etching target film Measuring a width of the etch target layer pattern and comparing whether the measured width of the etch target layer pattern is greater than a predetermined width, wet etching the etch target layer pattern to a predetermined width, and preset width Patterning the phase reversal film with an etch target layer pattern, and removing the etch target layer pattern.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 공정을 나타낸 공정 순서도이다. 이들 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 위상차 형태의 위상 반전 마스크의 제조 공정에 대해 설명한다.2A to 2E are flowcharts illustrating a process of manufacturing a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention. With reference to these drawings will be described a manufacturing process of the phase shift mask of the phase difference form according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(quartz)(100) 위에 MoSiN 등의 위상 반전막(102)을 형성한다. 그 위에 식각 대상막으로서 크롬(Cr) 등과 같은 광 차단막(104)과 포토레지스트(106)를 순차 적층한다.First, as shown in FIG. 2A, a phase inversion film 102 such as MoSiN is formed on a substrate 100. The light blocking film 104 such as chromium (Cr) or the like and the photoresist 106 are sequentially stacked thereon as an etching target film.

그리고 노광 및 현상공정으로 포토레지스트(106)를 패터닝한 후에 포토레지스트 패턴(106)에 맞추어 크롬 등의 광 차단막(104)을 식각한다. After the photoresist 106 is patterned by exposure and development, the light blocking film 104 such as chromium is etched in accordance with the photoresist pattern 106.                     

계속해서 도 2b에 도시된 바와 같이, O2 에슁 등의 공정으로 포토레지스트 패턴을 제거하여 위상 반전막(102) 상부에 광 차단막 패턴(104)만 남긴다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, the photoresist pattern is removed by a process such as O 2 etching to leave only the light blocking film pattern 104 on the phase inversion film 102.

그리고 식각 대상막인 광 차단막 패턴(104)의 임계 치수 폭(C)을 측정하고, 측정된 식각 대상막인 광 차단막 패턴(104)의 폭(C)이 디자인 룰에 따라 마스크 패턴에서 정한 기설정된 폭보다 큰지 비교한다. 그 비교 결과, 측정된 광 차단막 패턴(104)의 폭(C)이 기설정된 폭보다 클 경우 본 발명에 따른 패턴 보정 공정을 진행한다.In addition, the critical dimension width C of the light blocking layer pattern 104, which is the etching target layer, is measured, and the width C of the light blocking layer pattern 104, which is the etching target layer, is set in the mask pattern according to the design rule. Compare greater than width. As a result of the comparison, when the measured width C of the light blocking film pattern 104 is larger than the predetermined width, the pattern correction process according to the present invention is performed.

그 다음 도 2c에 도시된 바와 같이, 광 차단막 패턴(104)을 습식 식각하여 디자인 룰에 따라 마스크 패턴에서 정한 기설정된 폭으로 조정한다. 이때 습식 식각 공정은 크롬 등의 광 차단막이 녹는 H2SO4 용액을 이용한 습식 식각 공정을 진행하여 광 차단막 패턴(104)을 일정한 폭(D)만큼 식각(104a)한다. Next, as shown in FIG. 2C, the light blocking layer pattern 104 is wet-etched to adjust to a predetermined width determined by the mask pattern according to a design rule. At this time, the wet etching process performs a wet etching process using a H 2 SO 4 solution in which a light blocking film such as chromium is melted to etch the light blocking film pattern 104 by a predetermined width (D) 104a.

본 발명에서 광 차단막 패턴(104a)의 습식 식각은 100~130??에서 30초∼1분간 진행되는 것이 바람직하고, 적어도 1회 이상의 습식 식각 공정을 진행하여 디자인 룰에 따른 마스크 패턴의 임계 치수 폭을 갖도록 광 차단막 패턴(104a)의 측면 부분을 식각한다. 예를 들어 110??의 H2SO4 용액에서 약 30분간 처리하였을 경우 임계 치수 폭의 변화는 0.004㎛이다.In the present invention, the wet etching of the light blocking layer pattern 104a is preferably performed for 30 seconds to 1 minute at 100 to 130 °, and the critical dimension width of the mask pattern according to the design rule is performed by performing at least one wet etching process. The side portion of the light blocking film pattern 104a is etched to have a. For example, when treated for about 30 minutes in 110 ° H 2 SO 4 solution, the change in critical dimension width is 0.004㎛.

이어서 도 2d에 도시된 바와 같이, 광 차단막 패턴(104a)의 폭을 측정하고, 측정된 광 차단막 패턴(104)의 폭이 디자인 룰에 따른 임계 치수 폭(E)을 가질 경우 더 이상 광 차단막 패턴(104a)의 습식 식각 공정을 진행하지 않고 종료한다. Subsequently, as shown in FIG. 2D, the width of the light blocking film pattern 104a is measured, and when the width of the measured light blocking film pattern 104 has a critical dimension width E according to a design rule, the light blocking film pattern is no longer present. The process ends without proceeding with the wet etching process of 104a.                     

계속해서 광 차단막 패턴(104a)을 마스크로 삼아 MoSiN 등의 위상 반전막(102)을 건식 식각 공정으로 패터닝한다.Subsequently, the phase inversion film 102 such as MoSiN is patterned by a dry etching process using the light blocking film pattern 104a as a mask.

그리고 나서, 도 2e에 도시된 바와 같이, 습식 용액으로 마스크로 사용된 광 차단막 패턴을 제거하여 기판(100) 상부에 디자인 룰에 따른 임계 치수 폭(E)을 갖는 위상 반전막 패턴(102)으로 이루어진 위상 반전 마스크를 제조한다.Then, as shown in FIG. 2E, the light blocking film pattern used as a mask as a wet solution is removed to a phase inversion film pattern 102 having a critical dimension width E according to a design rule on the substrate 100. To produce a phase inversion mask.

그러므로 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 제조 방법은 기판(100) 상부에 형성된 위상 반전막 패턴(102)이 디자인 룰에서 정한 미세한 임계 치수의 폭으로 형성되기 때문에 이들 패턴(102) 사이의 간격이 넓어지게 된다.Therefore, in the method of manufacturing the phase reversal mask according to the present invention, since the phase reversal film pattern 102 formed on the substrate 100 is formed to have a width of a minute critical dimension determined by the design rule, the interval between these patterns 102 is wide. You lose.

또한 본 발명의 위상 반전 마스크의 제조 방법은 위상 반전막을 패터닝하기 이전에 광 차단막 패턴의 폭을 측정하고 측정된 패턴 폭을 고온의 H2SO4 습식 용액으로 식각하여 원하는 임계 치수 폭으로 조정한 후에 위상 반전막을 패터닝한다.In addition, the method of manufacturing a phase reversal mask of the present invention measures the width of the light blocking film pattern before patterning the phase reversal film, and then adjusts the measured pattern width to a desired critical dimensional width by etching with a hot H 2 SO 4 wet solution. The phase inversion film is patterned.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 반전 마스크의 제조 공정시 고온 H2SO4 용액에 의해 식각되는 광 차단막의 임계 치수 변화를 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing a change in the critical dimension of the light blocking film etched by the high temperature H 2 SO 4 solution during the manufacturing process of the phase inversion mask according to an embodiment of the present invention.

도 3의 그래프에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 제조 공정시 광 차단막 패턴의 임계 치수(CD)를 디자인 룰에 따른 마스크 패턴의 임계 치수 폭으로 조정하기 위하여 적어도 1회 이상의 고온의 H2SO4 습식 용액의 식각 공정을 진행할 경우 제조 공정의 시간 또는 횟수에 따라 광 차단막 패턴의 임계 치수 폭이 조정됨을 알 수 있다. 예를 들어, 1회에 0.004㎛, 2회에 0.007㎛ 등으로 광 차단막 패턴의 임계 치수(CD)가 변화하게 된다. As shown in the graph of FIG. 3, in order to adjust the critical dimension (CD) of the light blocking film pattern to the critical dimension width of the mask pattern according to the design rule in the manufacturing process of the phase reversal mask according to the present invention, at least one or more high temperatures. When the etching process of the H2SO4 wet solution of the can be seen that the critical dimension width of the light blocking film pattern is adjusted according to the time or number of times of the manufacturing process. For example, the critical dimension (CD) of the light shielding film pattern is changed to 0.004 m at one time, 0.007 m at two times, and the like.                     

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라, 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.
On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 광 차단막을 패터닝하고 광 차단막 패턴의 폭이 설정된 폭보다 클 경우 습식 용액으로 광 차단막 패턴의 폭을 설정된 폭으로 줄임으로써 마스크 패턴의 임계 치수 보정을 쉽게 할 수 있으며 미세한 패턴 구현으로 패턴 사이의 간격을 크게 증가시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention can easily correct the critical dimension of the mask pattern by patterning the light blocking film and reducing the width of the light blocking film pattern to the set width with a wet solution when the width of the light blocking film pattern is larger than the set width. By implementing a fine pattern, there is an effect that can greatly increase the spacing between patterns.

Claims (6)

기판 상부에 위상 반전 패턴을 갖는 포토 마스크를 제조하는 방법에 있어서,In the method for manufacturing a photo mask having a phase inversion pattern on the substrate, 상기 기판 상부에 위상 반전막 및 식각 대상막을 순차적으로 형성하는 단계;Sequentially forming a phase reversal film and an etching target film on the substrate; 상기 식각 대상막을 패터닝하는 단계;Patterning the etching target layer; 상기 식각 대상막 패턴의 폭을 측정하고 상기 측정된 식각 대상막 패턴의 폭이 기설정된 폭보다 큰지 비교하는 단계;Measuring a width of the etching target layer pattern and comparing whether the measured width of the etching target layer pattern is greater than a predetermined width; 상기 식각 대상막 패턴을 습식 식각하여 상기 기설정된 폭으로 조정하는 단계;Wet etching the etching target layer pattern to adjust the predetermined width; 상기 기설정된 폭의 식각 대상막 패턴으로 상기 위상 반전막을 패터닝하는 단계; 및Patterning the phase inversion layer with the etching target layer pattern having a predetermined width; And 상기 식각 대상막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.And removing the etch target layer pattern. 제 1항에 있어서, 상기 식각 대상막은 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the etching target layer is formed of a metal material. 제 2항에 있어서, 상기 식각 대상막은 크롬인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.The method of claim 2, wherein the etching target layer is chromium. 제 1항에 있어서, 상기 식각 대상막의 습식 식각은 H2SO4 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the wet etching of the etching target layer uses a H 2 SO 4 solution. 제 1항에 있어서, 상기 식각 대상막의 습식 식각은 100??∼130??에서 진행되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the wet etching of the etching target layer is performed at 100 ° to 130 °. 제 1항에 있어서, 상기 식각 대상막의 습식 식각은 30초∼1분간 진행되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the wet etching of the etching target layer is performed for 30 seconds to 1 minute.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100914287B1 (en) * 2006-12-29 2009-08-27 주식회사 하이닉스반도체 Method for fabricating phase shift mask

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