KR20060072691A - 실리콘 웨이퍼 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 산소 석출물의 밀도를 낮출 수 있는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 제조 방법은 실리콘 웨이퍼에 급속 열처리(rapid thermal process, RTP)를 수행하는 공정을 포함한다. 이 때, 급속 열처리 공정은 아르곤 가스(Ar)와 수소 가스(H2)를 포함하는 혼합 가스 또는 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)를 포함하는 혼합 가스 분위기에서 이루어진다. 그리고, 상기 급속 열처리 공정은 10 내지 40초 동안 1000 내지 1150 ℃를 유지하는 단계를 포함한다.
실리콘 웨이퍼, 급속 열처리, RTP, 산소 석출물

Description

실리콘 웨이퍼 및 이의 제조 방법{SILICON WAFER AND FABRICATION METHOD OF THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 도시한 공정 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 급속 열처리 공정의 타임 챠트를 도시한 도면이다.
도 3은 급속 열처리 공정에서 제2 단계의 온도에 따른 델타산소농도를 도시한 그래프이다.
본 발명은 실리콘 웨이퍼 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산소 석출물의 밀도를 낮출 수 있는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼에 관한 것이다.
최근 정보기술(information technology, IT) 산업 등의 발달에 의해 이러한 정보기술 산업의 핵심 기술에 해당하는 반도체에 대한 관심이 높아지고 있다. 또한, 이러한 반도체는 컴퓨터, 가전제품, 휴대폰, 액정표시장치 등의 다양한 분야에 적용될 수 있어 이러한 반도체 기술에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
반도체를 제조하기 위해서는 웨이퍼를 제조하고 이러한 웨이퍼에 소정의 이온을 주입하고 회로 패턴을 형성하는 단계 등을 거쳐야 한다. 이 때, 웨이퍼의 제조를 위해서는 먼저 단결정 실리콘을 잉곳(ingot) 형태로 제조하여야 하는데, 이를 위해 쵸크랄스키(czochralski, CZ) 법 또는 플로팅 존(floating zone, FZ) 법이 적용될 수 있다. 그런데, 플로팅 존 법을 적용하여 단결정 실리콘을 성장시키는 경우에는 대구경의 실리콘 단결정의 제조가 어렵고 공정 비용이 매우 비싼 문제가 있는 바 쵸크랄스키 법을 적용하여 단결정 실리콘을 성장시키는 것이 일반적이다.
쵸크랄스키 법은 석영 도가니(quartz crucible)에서 실리콘을 용융시킨 후 단결정 실리콘의 시드 결정(seed crystal)을 용융 실리콘 내에 담근 후 소정의 속도로 회전시키면서 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 방법이다.
이렇게 쵸크랄스키 법에 의해 제조된 단결정 실리콘 잉곳을 슬라이싱(slicing)하고, 래핑(lapping), 도너 킬링(donor killing) 열처리 및 폴리싱 등의 공정을 수행하여 실리콘 웨이퍼를 제조한다.
실리콘 웨이퍼의 벌크 내에 존재하는 산소는 후속하는 반도체 소자의 제조 공정에 의해 발생할 수 있는 금속 불순물을 제거하는 진성 게터링 사이트(intrinsic gattering site)로 작용하므로, 반도체 소자의 작동에 필수적인 것으로 알려져 있다.
반면, 실리콘 웨이퍼에 존재하는 산소는 후에 조대한 산소 석출물(예를 들면 산소적층결함(oxide-induced stacking fault, OiSF)을 발생시켜 리키지 소오스(leakage source)로 작용하여 반도체 소자 작동에 역기능을 초래할 수 있다. 이는 반도체가 고집적화되고 금속 오염을 제어하는 기술이 발전함에 따라 더욱 큰 문제가 될 수 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 일반적으로 실리콘 웨이퍼의 초기산소농도를 낮추는 방법에 초점을 맞추어 연구가 진행되어 왔다. 이는 실리콘의 초기산소농도와 산소 석출물의 양이 일반적으로 비례 관계를 가지므로, 실리콘 웨이퍼에 존재하는 초기산소농도를 저감시켜 후속 열처리에 의해 발생할 수 있는 산소 석출물을 줄이고자 하는 것이다.
그러나, 쵸크랄스키 법에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼는 공정 특성상 초기산소농도를 낮추는 것에 근본적인 한계가 있다. 즉, 실리콘을 용융시킬 수 있는 온도에서 공정을 진행하는 동안 석영 도가니로부터 용해된 산소가 성장중인 실리콘 단결정으로 혼입되어 실리콘 단결정 원자구조에서 격자간 위치에 존재하게 된다. 이에 따라, 일반적으로 쵸크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정은 10 ppma(parts per million atoms) 이상의 격자간 산소 원자를 포함한다.
따라서, 후속 열처리에 의해 실리콘 웨이퍼에 발생되어 특성을 저하시킬 수 있는 산소 석출물의 밀도를 저감시키기 위해서 산소 석출물의 밀도를 효과적으로 제어할 수 있는 새로운 방법이 요청된다.
본 발명은 상기와 같은 점에 착안한 것으로, 본 발명의 목적은 초기산소농도와 무관하게 산소 석출물의 밀도를 제어할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 제조 방법은 실리콘 웨이퍼에 급속 열처리(rapid thermal process, RTP)를 수행하는 공정을 포함한다. 이 때, 급속 열처리 공정은 아르곤 가스(Ar)와 수소 가스(H2)를 포함하는 혼합 가스 또는 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)를 포함하는 혼합 가스 분위기에서 이루어진다. 그리고, 상기 급속 열처리 공정은 10 내지 40초 동안 1000 내지 1150 ℃를 유지하는 단계를 포함한다.
상기 급속 열처리 공정은 제1 온도에서부터 1000 내지 1150 ℃ 까지 온도를 상승시키는 제1 단계와, 1000 내지 1150 ℃의 온도를 10 내지 40초 동안 유지하는 제2 단계, 및 1000 내지 1150 ℃에서부터 제2 온도까지 온도를 하강시키는 제3 단계를 포함한다.
상기 제1 단계에서 상기 제1 온도는 400 내지 500 ℃의 범위에 속할 수 있고, 상기 제1 단계 이전에 온도를 400 내지 500 ℃로 유지하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제3 단계에서 상기 제2 온도는 400 내지 500 ℃의 범위에 속할 수 있고, 상기 제3 단계 이후에 온도를 400 내지 500 ℃로 유지하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 단계에서는 10 내지 80 ℃/초의 온도 상승률을 갖도록 온도를 상승시킬 수 있고, 상기 제3 단계에서는 10 내지 80 ℃/초의 온도 하강률을 갖도록 온 도를 하강시킬 수 있다.
본 발명에서 상기 실리콘 웨이퍼의 초기산소농도는 10 ppma 이상일 수 있다.
상기 급속 열처리 공정은 도너 킬링(donor killing) 단계에서 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼는 쵸크랄스키 법으로 성장된 실리콘 단결정 잉곳으로부터 제조되고, 초기산소농도가 10 ppma 이상이고 델타산소농도가 0.1 내지 1 ppma 일 수 있다. 여기서, 델타산소농도라 함은 상기 초기산소농도와 상기 실리콘 웨이퍼에 산소 석출물을 석출할 수 있는 열처리를 수행한 후에 측정한 최종산소농도와의 차이를 말한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명을 명확하게 하기 위해서 도면에서 설명과 관계없는 부분은 생략한다.
도 1은 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 도시한 공정 순서도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 웨이퍼 제조 방법은 결정 성장 단계(S11), 슬라이싱(slicing) 단계(S12), 래핑(lapping) 단계(S13), 도너 킬링(donor killing) 단계(S14), 폴리싱(polishing) 단계(S15), 세정 단계(S16) 등을 포함한다.
먼저 결정 성장 단계(S11)에서는 쵸크랄스키 법으로 단결정 실리콘을 성장시 킨다. 즉, 석영 도가니에서 실리콘을 용융시킨 후 결정 실리콘으로 된 시드(seed)를 용융 실리콘 내에 넣은 후 소정의 속도로 회전시키면서 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시킨다.
이러한 결정 성장 단계(S11)는 먼저 시드(seed) 실리콘 단결정으로부터 가늘고 긴 형상을 갖도록 성장시키는 네킹(necking) 단계, 이러한 네킹 부분으로부터 결정을 직경 방향으로 성장시켜 원하는 직경을 갖도록 성장시키는 숄더링(shouldering) 단계, 및 단결정 실리콘을 용융 실리콘과 분리하는 테일링(tailing) 단계를 포함한다.
그런데, 쵸크랄스키 법에서는 고온의 용융 실리콘이 석영 도가니 내에 수용되어 있기 때문에 용융 실리콘이 산소 등에 의해 오염될 수 있다. 이에 따라, 쵸크랄스키 법에 의해 성장된 실리콘 단결정 내로 용융 실리콘에 용해되어 있던 산소가 침투한다. 이에 따라 쵸크랄스키 법에 의해 형성된 실리콘 단결정 잉곳으로부터 제조된 실리콘 웨이퍼는 초기산소농도가 10 ppma(part per million atoms) 이상일 수 있다.
다음으로 이렇게 제조된 실리콘 잉곳 중 숄더링 단계에서 형성된 부분을 슬라이싱하는 슬라이싱 단계(S12), 및 래핑으로 소정의 두께로 연마하면서 웨이퍼 표면의 평탄도를 향상시키는 래핑 단계(S13)를 수행한다.
본 발명에서 결정 성장 단계(S11), 슬라이싱 단계(S12) 및 래핑 단계(S13)에는 공지의 기술이 적용될 수 있고 이러한 단계 이외에 다른 단계를 포함하는 것도 가능하며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
다음으로 도너 킬링(S14) 단계를 거치는데, 본 발명에서는 도너 킬링 단계에서의 열처리는 급속 열처리(rapid thermal process, PTP)로 이루어진다. 일반적으로 도너 킬링 단계라 함은, 열처리를 통해 실리콘 웨이퍼에 존재하는 산소 이온을 산소 석출물로 만들어주는 단계를 말한다. 이는 실리콘 웨이퍼에 존재하는 산소 원자가 이온의 형태로 존재하여 후속되는 반도체 소자 제조 공정에서 이온 주입된 불순물에 대하여 도너(donor) 역할을 하여 원하는 비저항 값을 실현시킬 수 없기 때문이다.
이러한 도너 킬링 단계를 거침으로써 실리콘 웨이퍼의 원하는 비저항을 구현할 수 있고, 이에 따라 실리콘 웨이퍼의 전기적 특성을 효과적으로 제어할 수 있다.
이러한 도너 킬링(S14) 단계 이후에 폴리싱 단계(S15), 세정 단계(S16) 등을 수행하여 실리콘 웨이퍼를 제조할 수 있다. 이러한 폴리싱 단계(S15) 및 세정 단계(S16)는 공지의 기술이 적용될 수 있으며, 본 발명에서 설명한 폴리싱 단계(S15) 및 세정 단계(S16)의 세부 사항이 변형 또는 변경된 실리콘 웨이퍼의 제조 방법도 본 발명의 범위에 속한다.
또한, 본 발명은 이하에서 설명하는 도너 킬링 단계(S14)에서 수행하는 급속 열처리 공정에 관한 조건을 만족하면 족하고, 전체적인 웨이퍼 제조 공정의 순서가 변경되는 것도 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
이하에서는 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명에서 도너 킬링 단계(S14)에서 수행하는 급속 열처리 공정에 대하여 상세하게 설명한다. 도 2는 본 발명에 따른 급속 열처리 공정의 타임 챠트를 도시한 도면이고, 도 3은 급속 열처리 공정의 제2 단계 온도에 따른 델타산소농도를 도시한 그래프이다.
급속 열처리 공정은 실리콘 웨이퍼를 급속 열처리 장치 내에 배치시킨 후 급속 열처리 장치 내의 온도를 변화킴으로써 이루어진다. 본 발명에서의 급속 열처리 공정은, 400 내지 500℃로부터 1000 내지 1150 ℃까지 온도를 상승시키는 제1 단계(Ⅰ), 1000 내지 1150 ℃의 온도를 소정 시간 유지하는 제2 단계(Ⅱ), 1000 내지 1150 ℃로부터 400 내지 500℃의 온도로 냉각시키는 제3 단계(Ⅲ)를 포함한다. 이 때, 급속 열처리 공정은 급속 열처리 공정의 효과를 향상시키 위해 상기 제1 단계(Ⅰ) 이전에 400 내지 500 ℃의 온도를 유지하는 단계(P1) 및 제3 단계 이후에 400 내지 500 ℃의 온도를 유지하는 단계(P2)를 더 포함할 수 있다.
이를 보다 상세하게 설명하면, 제1 단계(Ⅰ)에서는 400 내지 500℃에서부터 1000 내지 1150 ℃ 까지 10 내지 80 ℃/초의 온도 상승률을 만족하도록 온도를 상승시킨다. 이 때, 온도 상승률이 10 ℃/초 미만인 경우에는 급속 열처리 공정의 효과를 효과적으로 실현할 수 없는 문제가 있고 온도 상승률이 80 ℃/초 이상인 경우에는 너무 빠른 온도 상승에 의해 웨이퍼의 구조 변형 등의 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 온도 상승률은 상기와 같이 10 내지 80 ℃/초의 조건을 만족하는 것이 바람직하다.
제2 단계(Ⅱ)에서는 1000 내지 1150 ℃의 온도를 10 내지 40초 동안 유지한다. 도 3을 참조하면, 제2 단계(Ⅱ)의 온도가 증가할수록 델타(delta)산소농도가 줄어드는 것을 알 수 있다.
여기서, 델타산소농도라 함은 실리콘 웨이퍼의 초기산소농도와 최종산소농도와의 차이를 말한다. 여기서 초기산소농도는 잉곳 상태 또는 슬라이싱 단계 이후에 측정된 실리콘 웨이퍼의 산소 농도로 단결정 실리콘을 성장시킨 후 일체의 열처리를 하기 전에 측정한 산소농도를 말하고, 최종산소농도는 반도체 제조 공정에서의 후속 열처리 또는 이와 유사한 열처리 이후에 측정한 산소 농도를 말한다. 최종산소농도는 원칙적으로 반도체 제조 공정이 완료된 이후의 산소농도를 의미하나, 일반적인 반도체 제조 공정에서 수행되는 후속 열처리를 임의로 수행하여 이를 측정할 수 있다.
본 발명에서는 급속 열처리 공정을 효율적으로 수행하면서 델타산소농도를 저감시키기 위해 제2 단계(Ⅱ)에서 1000 내지 1150 ℃의 온도를 유지한다. 즉, 제2 단계(Ⅱ)에서 1000 내지 1150 ℃ 의 고온으로 급속 열처리를 함으로서 산소 석출물로 성장할 수 있는 핵을 융해시켜 산소 석출물이 형성되는 임계값보다 작은 크기를 갖도록 하여 반도체 소자의 제조 공정 등에서 수행되는 열처리에 의해서도 산소 석출물이 발생하지 않도록 하는 역할을 한다.
그리고, 1000 내지 1150 ℃ 온도 유지시간이 10초 미만인 경우에는 본 발명의 효과를 효과적으로 구현하기 어렵다. 그리고, 본 발명의 효과는 40초를 유지함으로써 본 발명의 효과를 충분히 발휘할 수 있으므로 40초 이상을 유지하는 것을 불필요하게 공정시간 및 공정비용을 증가시키는 문제가 있다. 따라서, 제2 단계(Ⅱ)는 10초 내지 40초의 기간 동안 유지하는 것이 바람직하다.
즉, 본 발명에서는 실리콘 웨이퍼에 존재하는 초기산소농도가 높은 경우에도 델타산소농도를 저감시킴으로써 실리콘 웨이퍼의 산소 석출물 밀도를 저감시킬 수 있고, 이에 따라 후속 열처리에 의한 산소의 석출에 의해 발생할 수 있는 리키지 소오스(leakage source) 등의 문제를 방지할 수 있다.
제3 단계(Ⅲ)에서는 1000 내지 1150 ℃ 온도에서부터 400 내지 500℃의 온도까지 10 내지 80 ℃/초의 온도 하강률을 만족하도록 온도를 하강시킨다. 이 때, 온도 하강률이 10 ℃/초 미만인 경우에는 급속 열처리 공정의 효과를 효과적으로 실현할 수 없는 문제가 있고 온도 하강률이 80 ℃/초 이상인 경우에는 너무 빠른 온도 하강에 의해 웨이퍼가 깨지는 등의 문제를 일으킬 수 있다. 따라서, 온도 하강률을 상기와 같이 10 내지 80 ℃/초의 조건을 만족하는 것이 바람직하다.
이 때, 이러한 급속 열처리 공정은 아르곤 가스(Ar)와 수소 가스(H2)의 혼합 가스 또는 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)의 혼합 가스 분위기에 이루어진다. 아르곤 가스의 단독 사용 시 실리콘 웨이퍼 표면에 헤이즈(haze) 현상이 발생하는 등의 문제가 발생할 수 있으므로 아르곤 가스에 수소 가스 또는 산소 가스를 혼합한 혼합 가스를 사용함으로써 상기의 표면 변화 문제를 해결할 수 있다. 이 때, 아르곤 가스와 산소 가스의 혼합 가스를 사용하는 경우에는 실리콘 표면에 얇은 막을 형성함으로써 급속 열처리 공정에 의해 발생할 수 있는 오염을 방지할 수 있다.
본 발명에서는 이러한 급속 열처리 공정을 도너 킬링 단계에서 수행함으로써 비저항을 안정화시키는 도너 킬링 단계의 효과와 함께 델타산소농도를 저감시킬 수 있는 효과를 동시에 얻을 수 있다. 즉, 본 발명에서는 종래에 비저항 안정화를 위 하여 수행하였던 도너 킬링 단계를 급속 열처리 공정으로 수행함으로써 별도의 추가 공정 없이 산소 석출물의 밀도를 제어할 수 있다.
상기의 실리콘 웨이퍼의 제조 방법에 의해 제조된 실리콘 웨이퍼는 델타산소농도가 낮은 값을 갖는다. 즉, 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼는 일반적인 쵸크랄스키 법에 의해 제조되어 10 ppma 이상의 초기산소농도를 갖는 경우에도, 산소 석출물의 석출을 유도하는 일반적인 열처리 후에 측정한 최종산소농도가 초기산소농도와 0.1 내지 1 ppma 이내의 차이를 갖는다.
이하에서는 본 발명의 실험예를 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 실험예는 단지 본 발명은 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
실험예
쵸크랄스키 법에 의해 성장시켜 제조된 실리콘 웨이퍼에 도너 킬링 단계에서 본 발명에 따른 급속 열처리 공정을 수행하여 실리콘 웨이퍼를 제조하였다. 이렇게 제조된 실리콘 웨이퍼(이하 '실시예에 따른 실리콘 웨이퍼'라 한다)의 초기산소농도는 10 ppma 이상의 범위를 만족한다. 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼를 800 ℃ 에서 4 시간 동안 유지한 다음 1000 ℃에서 16 시간 동안 유지하여 산소 석출물의 석출을 유도하는 후속 열처리를 수행한 후 실리콘 웨이퍼의 비저항 및 최종산소농도를 측정하였다.
쵸크랄스키 법에 의해 성장시켜 제조된 실리콘 웨이퍼에 도너 킬링 단계에서 종래와 같이 600 ~ 700℃ 의 온도 범위의 확산로(diffusion furnace)에서 급속한 온도 변화 없이 열처리 공정을 수행하여 실리콘 웨이퍼를 제조하였다. 이렇게 제조된 실리콘 웨이퍼(이하 '비교예에 따른 실리콘 웨이퍼'라 한다)의 초기산소농도는 10 ppma 이상의 범위를 만족한다. 이러한 실리콘 웨이퍼를 800 ℃ 에서 4 시간 동안 유지한 다음 1000 ℃에서 16 시간 동안 유지하여 산소 석출물의 석출을 유도하는 후속 열처리를 수행한 후 실리콘 웨이퍼의 비저항 및 최종산소농도를 측정하였다.
실험 결과, 후속 열처리 이후 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼의 비저항과 비교예에 따른 실리콘 웨이퍼의 비저항은 동일하게 11 Ωcm 의 값을 가졌다. 즉, 종래의 도너 킬링 단계에서의 비저항 안정화의 효과를 본 발명에 따라 급속 열처리 공정을 수행한 도너 킬링 단계에서 동일하게 구현할 수 있음을 알 수 있다.
또한, 후속 열처리 이후 실시예에 따른 실리콘 웨이퍼에서는 델타산소농도가 0.5 ppma 인 반면 비교예에 따른 실리콘 웨이퍼에서는 델타산소농도가 대략 3 ppma의 값을 가졌다. 즉, 실시예에서의 델타산소농도는 비교에에서의 델타산소농도보다 매우 낮은 값을 가짐을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 제조 방법에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼를 반도체 소자 제조 공정에 적용하여 소정의 열처리를 하는 경우에도 산소 석출물의 밀도가 적절하게 제어될 수 있다.
즉, 본 발명에서는 종래의 도너 킬링 단계에서의 비저항 안정화의 효과를 유지하면서 별도의 공정 없이 후속 열처리에 의한 산소 석출물의 밀도를 저감시킬 수 있다.
본 발명은 상기의 기재에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세 한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 실리콘 웨이퍼 제조 방법에 따르면, 도너 킬링 단계에서 급속 열처리 공정을 수행함으로써 별도의 공정 추가 없이 실리콘 웨이퍼의 비저항을 안정화시키면서 델타산소농도를 줄이는 효과를 동시에 실현할 수 있다.
그리고, 본 발명에서는 급속 열처리 공정에서의 적절한 공정 조건을 제시함으로써 더욱 효과적으로 델타산소농도를 저감시킬 수 있고, 이에 따라 높은 초기산소농도를 가지는 실리콘 웨이퍼를 반도체 소자 제조 공정에 적용하여 소정의 열처리를 하는 경우에도 산소 석출물의 밀도가 적절하게 제어될 수 있다.
결과적으로, 산소 석출물에 의해 발생할 수 있는 누설전류를 방지할 수 있고 이에 따라 이러한 웨이퍼로 제조되는 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 실리콘 웨이퍼에 급속 열처리(rapid thermal process, RTP)를 수행하는 공정을 포함하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법에 있어서,
    상기 급속 열처리 공정은 아르곤 가스(Ar)와 수소 가스(H2)를 포함하는 혼합 가스 또는 아르곤 가스(Ar)와 산소 가스(O2)를 포함하는 혼합 가스 분위기에서 이루어지며, 10 내지 40초 동안 1000 내지 1150 ℃를 유지하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 급속 열처리 공정은,
    제1 온도에서부터 1000 내지 1150 ℃ 까지 온도를 상승시키는 제1 단계;
    1000 내지 1150 ℃의 온도를 10 내지 40초 동안 유지하는 제2 단계; 및
    1000 내지 1150 ℃에서부터 제2 온도까지 온도를 하강시키는 제3 단계
    를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 제1 온도는 400 내지 500 ℃의 범위에 속하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 급속 열처리 공정은, 상기 제1 단계 이전에 온도를 400 내지 500 ℃로 유지하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제3 단계에서 상기 제2 온도는 400 내지 500 ℃의 범위에 속하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 급속 열처리 공정은, 상기 제3 단계 이후에 온도를 400 내지 500 ℃로 유지하는 단계를 포함하는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 단계에서는 10 내지 80 ℃/초의 온도 상승률을 갖도록 온도를 상승시키는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 제3 단계에서는 10 내지 80 ℃/초의 온도 하강률을 갖도록 온도를 하강시키는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 웨이퍼의 초기산소농도가 10 ppma 이상인 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 급속 열처리 공정은 도너 킬링(donor killing) 단계에서 수행되는 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.
  11. 쵸크랄스키 법으로 성장되어 제조되는 실리콘 웨이퍼에 있어서,
    초기산소농도가 10 ppma 이상이고, 델타산소농도가 0.1 내지 1 ppma 인 실리콘 웨이퍼.
    여기서, 델타산소농도라 함은 상기 실리콘 웨이퍼의 초기산소농도와 상기 실리콘 웨이퍼에 산소 석출물을 석출할 수 있는 열처리를 수행한 후에 측정한 최종산소농도와의 차이를 말한다.
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