KR20060070440A - Metal substrate device, ic card module manufacturing method and ic card module body - Google Patents

Metal substrate device, ic card module manufacturing method and ic card module body Download PDF

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Abstract

본 발명은, 비접촉형 IC카드용 IC모듈을 보다 양산성 좋게 제조할 수 있는 메탈기재장치 및 IC카드모듈 제조방법을 제공한다.The present invention provides a metal base apparatus and a method for manufacturing an IC card module that can produce a non-contact type IC module for a contact card more productively.

메탈기재부재는, 트랜스퍼몰드 형식의 비접촉형 IC카드용 IC카드모듈에 쓰이는 다수 단위 메탈기재를 갖도록 되어 있다. 메탈기재부재는, 금속으로 된 대상의 얇은 가공용 소재로 이루어져, 단위 메탈기재의 각 부분이 이음부에 의해 지지되도록 되어 있다. 각 단위 메탈기재는 IC칩을 탑재하기 위한 다이패드를 갖고서, 안테나코일과 접속하기 위한 안테나 단자가 다이패드 및 수지밀봉영역보다 외측에 설치되어 있다. 가공용 소재의 길이방향에 인접하는 단위 메탈기재끼리의 안테나 단자부가, 폭방향 공통영역 내에 겹쳐져 들어가 있도록 되어 있다. 각 단위 메탈기재는, 그 외측의 2개의 연결선에서 가공용 소재의 길이방향을 따라 소정의 폭으로 패어져 들어가도록 하면 수지로 밀봉한 후에 분리될 수 있게 된다.The metal base member has a plurality of unit metal bases used for an IC card module for a non-contact type IC card of a transfer mold type. The metal base member is made of a metal material for thin processing, and each part of the unit metal base is supported by the joint portion. Each unit metal substrate has a die pad for mounting an IC chip, and an antenna terminal for connecting to the antenna coil is provided outside the die pad and the resin sealing area. The antenna terminal portions of the unit metal substrates adjacent to the longitudinal direction of the raw material for processing are overlapped in the common region in the width direction. Each unit metal base material can be separated after sealing with resin if it is made to dent in the predetermined width | variety along the longitudinal direction of a workpiece | work material in the two connection lines of the outer side.

Description

메탈기재장치, 아이씨카드모듈 제조방법 및 아이씨카드모듈체{METAL SUBSTRATE DEVICE, IC CARD MODULE MANUFACTURING METHOD AND IC CARD MODULE BODY}METAL DEVICE, IC CARD MODULE MANUFACTURING METHOD AND IC CARD MODULE {METAL SUBSTRATE DEVICE, IC CARD MODULE MANUFACTURING METHOD AND IC CARD MODULE BODY}

도 1은, 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재부재의 제1실시예의 일부 및 단위 메탈기재를 나타낸 도면,1 is a view showing a part and a unit metal substrate of a first embodiment of a metal substrate member for an IC card module of the present invention;

도 2는, 도 1a에 도시된 IC카드모듈용 메탈기재부재의 각 단위 메탈기재의 다이패드 상에 IC칩을 탑재하고, 와이어본딩선을 연결한 상태 및 단위 메탈기재부를 나타낸 도면,FIG. 2 is a view showing a state in which an IC chip is mounted on a die pad of each unit metal base of the metal base member for the IC card module shown in FIG. 1A, the wire bonding wires are connected, and the unit metal base unit;

도 3은, 도 2a에 도시된 부재에 트랜스퍼몰드처리를 실시한 도면,FIG. 3 is a diagram in which the transfer molding process is performed on the member shown in FIG. 2A;

도 4는, 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재부재의 제2실시예의 일부를 나타낸 개략구성도,4 is a schematic structural diagram showing a part of a second embodiment of a metal base member for an IC card module of the present invention;

도 5는, 도 4에 도시된 IC카드모듈용 메탈기재부재의 각 단위 메탈기재의 다이패드 상에 IC칩을 탑재하고, 와이어본딩선을 연결한 도면,FIG. 5 is a view in which an IC chip is mounted on a die pad of each unit metal base of the metal base member for the IC card module shown in FIG. 4, and a wire bonding line is connected thereto;

도 6은, 도 5에 도시된 부재에 트랜스퍼몰드처리를 실시한 도면,FIG. 6 is a diagram in which the transfer molding process is performed on the member shown in FIG. 5;

도 7은, 종래의 메탈기재와 IC모듈의 제작방법을 설명하기 위한 도면,7 is a view for explaining a manufacturing method of a conventional metal substrate and IC module,

도 8은, 비접촉식 IC카드에서의 IC모듈과 그 회로구성을 설명하기 위한 도 면,8 is a view for explaining an IC module and its circuit configuration in a contactless IC card;

도 9는, 메탈기재의 가공방법과 수지누설과의 관계를 설명하기 위한 도면이다.9 is a view for explaining a relationship between a processing method of a metal substrate and resin leakage.

(부호의 설명)(Explanation of the sign)

100A, 100B - - - 릴 111 - - - 가공용 소재100A, 100B---Reel 111---Material for processing

120 - - - -메탈기재 121 - - - 다이패드120----Metal substrate 121---Die pad

122A, 122B - - - 안테나 단자 123A, 123B - - - 내부단자    122A, 122B---Antenna terminal 123A, 123B---Internal terminal

124 - - - 관통구멍 125 - - - 관통구멍    124---Through Hole 125---Through Hole

130 - - - IC칩 135 - - - 본딩와이어    130---IC chip 135---Bonding wire

140 - - - 밀봉용 수지 220 - - - 메탈기재    140---Sealing resin 220---Metal

221 - - - 다이패드     221---Die Pad

222A, 222B, 222C, 222D - - - 안테나 단자     222A, 222B, 222C, 222D---Antenna Terminal

223A, 223B, 223C, 223D - - - 내부단자     223A, 223B, 223C, 223D---Internal Terminal

225 - - - 관통구멍 230 - - - IC칩225---Through hole 230---IC chip

235 - - - 본딩와이어 240 - - - 밀봉용 수지235---Bonding Wire 240---Sealing Resin

본 발명은, 비접촉형 IC카드에 쓰이는 트랜스퍼몰드(transfer mold)형 IC카 드모듈용 메탈기재장치와, 이 메탈기재장치를 이용한 비접촉형 IC카드에 쓰이는 트랜스퍼몰드형 IC카드모듈 제조방법 및 IC카드모듈체에 관한 것이다.The present invention provides a metal mold device for transfer mold type IC card modules used in a non-contact type IC card, a method for manufacturing a transfer mold type IC card module used for a non-contact type IC card using the metal base device, and an IC card module. It is about a sieve.

정보의 기밀성 면에서 IC카드가 점차 보급되어가고 있다. 근래에는, 읽고 쓰기장치(리더-라이터)와 접촉하지 않고서 정보의 교환을 실행하는 비접촉형 IC카드가 제안되어 있는바, 그 중에도 외부의 읽고 쓰기장치와의 신호교환 또는 신호교환과 전력공급을 전자파로 실행하는 방식으로 된 것이 실용화되어 있다.In terms of confidentiality of information, IC cards are becoming more and more popular. Recently, a non-contact type IC card for exchanging information without contacting a read / write device (reader / writer) has been proposed. Among them, an electromagnetic wave is used for exchanging a signal with an external read / write device or for signal exchange and power supply. It has been put to practical use in the manner of execution.

이와 같은 비접촉식 IC카드는, 예컨대 도 8a에 도시된 것과 같이 IC모듈(812)을 갖고 있는바, 이 IC모듈(812)은 안테나(811)에 접속되어 있고, 그 회로구성은 통상적으로 도 8b와 같게 되어 있다.Such a contactless IC card has, for example, an IC module 812 as shown in Fig. 8A. The IC module 812 is connected to an antenna 811, and the circuit configuration thereof is generally shown in Fig. 8B. It is supposed to be the same.

도 8a 및 도 8b에서, 도면참조부호 810은 IC카드, 811은 안테나, 812는 IC 모듈, 813은 (IC 모듈의)단자이다.8A and 8B, reference numeral 810 denotes an IC card, 811 an antenna, 812 an IC module, and 813 a terminal (of an IC module).

이와 같은 IC모듈에서 IC칩을 실장(實裝)하는 방법으로는, 프린트기판에 IC칩을 탑재하고서 본딩와이어(bonding wire)로 프린트기판 상에 접속시키는 COB(Chip On Board)가 가장 많이 쓰이고 있다. 그러나 이 방법에서는 실장 두께를 얇게 할 수가 없다고 하는 결점이 있다. 최근에는, 실장 두께를 얇게 할 수 있고 양산에도 대응할 수 있는 실장형태로서, 도전성 다이패드를 하프 에칭(half etching)한 메탈기재(metal substrate) 상에 IC칩을 탑재하고서, 본딩와이어로 메탈기재의 단자부에 접속시키는 형태가 제안되어 있다.As a method of mounting an IC chip in such an IC module, a COB (Chip On Board) for mounting an IC chip on a printed circuit board and connecting the printed circuit board to a printed circuit board using a bonding wire is most commonly used. . However, this method has a drawback that the mounting thickness cannot be made thin. In recent years, as a mounting type that can reduce the thickness of the package and support mass production, an IC chip is mounted on a metal substrate on which a conductive die pad is half-etched, and a bonding wire is used for the metal substrate. The form which connects to a terminal part is proposed.

이와 같은 형태의 IC모듈에서는, 단위(單位) 메탈기재가, 가공용 소재를 가공해서 만들어져, IC칩을 탑재하기 위한 영역(다이패드부)과 안테나회로의 접속용 영역 및 입출력단자의 영역을 갖추되, 이들 복수의 영역 일부가 상호 이어진 상태로 분할형성된 구조로 되어 있다. IC모듈을 제조할 때는, 이들 복수의 영역이 이음부에 의해 가공용 소재에 접속하게 되는바, 이 경우 상기 가공용 소재에는 단위 메탈기재가 다면(多面)에서 부착되게 된다. 각 단위 메탈기재에 IC칩이 탑재되어 수지로 밀봉된 후에는, 소정의 이음부를 절단해서 분리하게 된다.In this type of IC module, a unit metal base is formed by processing a work material, and includes an area for mounting an IC chip (die pad part), an area for connecting an antenna circuit, and an area for input / output terminals. In addition, the plurality of regions have a structure in which part of the plurality of regions is divided. When manufacturing an IC module, these several areas are connected to a workpiece | work material by a joint part, In this case, a unit metal base material is attached to the said workpiece | work material from various surfaces. After the IC chip is mounted on each unit metal substrate and sealed with resin, predetermined joints are cut and separated.

단위 메탈기재를 리드 또는 리드프레임이라 하는 경우가 있다. 또, 단위 메탈기재가 다면에서 부착되고, 가공용 소재에 직접 또는 프레임부가 설치되어 프레임부에 이음부에 의해 이어진 상태인 것을 리드프레임이라 하는 경우도 있다.The unit metal substrate may be referred to as a lead or lead frame. In addition, a lead metal may be referred to as a unit metal base material attached on a plural face and in a state in which a unit or a frame part is directly attached to a work material and connected to the frame part by a joint part.

이와 같은 메탈기재를 프레스 해서 만들게 되면, 프레스가공을 할 때에 거스러미(burr; 911)가 생겨나, 도 9a에 도시된 것과 같이, 수지로 밀봉을 한 경우 이면(裏面)으로 수지누설(931)이 일어나기 때문에 에칭가공방법이 채택되게 된다. 에칭가공방법에 의한 경우에는, 도 9b에 도시된 것과 같이 수지누설을 일으키지 않고 밀봉될 수 있게 된다.When the metal substrate is pressed and made, a burr 911 is formed during press working, and as shown in FIG. 9A, resin leakage 931 occurs on the back surface when the resin is sealed with resin. Therefore, the etching processing method is adopted. In the case of the etching processing method, it can be sealed without causing resin leakage as shown in Fig. 9B.

한편, 도 9a 및 도 9b에서, 도면참조부호 910은 메탈기재, 920은 IC칩, 930은 밀봉용 수지, 931은 수지누설, 940은 본딩와이어이다.9A and 9B, reference numeral 910 denotes a metal substrate, 920 denotes an IC chip, 930 denotes a sealing resin, 931 denotes a resin leakage, and 940 denotes a bonding wire.

에칭가공방법에서는, 가공용 소재로서 얇은 Cu재 또는 42합금(42%Ni-Fe 합금)이 쓰이고, 또 통상적으로 제판처리(製版處理) 및 에칭처리가 릴·토우·릴(reel toe reel)로 이루어지게 된다(릴 방식).In the etching processing method, a thin Cu material or a 42 alloy (42% Ni-Fe alloy) is used as a material for processing, and a plate making process and an etching process are usually made of reel toe reel. (Reel method).

그리고, 가공용 소재를 에칭으로 가공해서 메탈기재를 면부착한 후, 면부착상태 그대로 순차적으로 부분 은도금 처리를 하거나 부분 파라듐도금 처리 또는 전 면 파라듐도금 처리, IC칩 탑재, 와이어본딩, 개별 수지밀봉 등의 처리가 연속적으로 또는 나뉘어져 릴 방식으로 이루어지게 된다.After processing the processing material by etching and attaching the metal substrate to the surface, partial silver plating treatment, partial palladium plating treatment, or full palladium plating treatment, IC chip mounting, wire bonding, and individual resin are sequentially performed as they are. Processing such as sealing may be carried out continuously or divided in a reel manner.

그리고, 종래에는 가공용 소재를 에칭으로 가공함으로써, IC모듈용 메탈기재를 면접촉시켜 릴 방식으로 만드는 경우, 도 7a에 도시된 것과 같이, 1면 마다 그 무늬가 겹쳐지지(overlap) 않도록 배열시켜 만들고 있었다.In the related art, when the processing material is processed by etching, the metal substrate for the IC module is brought into surface contact with a reel method, as shown in FIG. 7A, the patterns are arranged so that the patterns do not overlap on each surface. there was.

한편, 도 7b는, 도 7a와 같이 면부착되어 에칭된 메탈기재부재의 각 다이패드부(621)에 IC칩을 탑재하고서, 다시 트랜스퍼방식으로 수지밀봉한 상태를 나타내고 있다.On the other hand, Fig. 7B shows a state in which an IC chip is mounted on each die pad portion 621 of the metal base member which is attached and etched as shown in Fig. 7A, and is again sealed in a transfer method.

그 후, 소정의 위치를 절단함으로써 개별화된 IC카드모듈이 얻어질 수 있게 된다.Thereafter, by cutting the predetermined position, an individualized IC card module can be obtained.

도 7a 및 도 7b에서, 도면참조부호 611은 가공용 소재(素材), 620은 단위 메탈기재, 621은 다이패드, 621H는 하프 에칭부, 622A 및 622B는 (안테나와 접속되는)단자, 625는 관통구멍, 626은 이음부, 628은 스프로켓, 640은 밀봉용 수지이다.7A and 7B, reference numeral 611 denotes a workpiece material, 620 denotes a unit metal substrate, 621 denotes a die pad, 621H denotes a half etching portion, 622A and 622B denote terminals (connected to the antenna), and 625 denotes through Holes, 626 are joints, 628 are sprockets, and 640 are sealing resins.

여기서 종래의 메탈기재를 만드는 방법으로서는, 일본국 특허공개공보 제2000-174176호에 개시된 것을 들 수가 있다.As a method of making a conventional metal base material here, what was disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-174176 can be mentioned.

상기와 같이, 최근에는 IC모듈용으로 메탈기재를 이용하는 형태가 제안되어, 에칭가공으로 IC모듈용 메탈기재를 면접촉시켜 릴 방식으로 제조하는 방법이 알려져 있다. 이 경우, 특히 비접촉형 IC카드용 IC모듈에서는, 한층 더 양산화 및 저비용화가 요구되고 있다.As mentioned above, in recent years, the form which uses a metal base material for IC modules is proposed, and the method of manufacturing in a reel manner by making surface contact of the metal base material for IC modules by the etching process is known. In this case, in particular, in a non-contact type IC card IC module, mass production and cost reduction are demanded.

본 발명은, 이와 같은 점을 고려해서 이루어진 것으로, 비접촉형 IC카드용 IC모듈을, 보다 더 양산성 좋게 제조할 수 있는 메탈기재장치 및 IC카드모듈 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide a metal base apparatus and a method of manufacturing an IC card module that can produce a non-contact type IC card IC module more productively.

본 발명은, 비접촉 IC카드모듈용의 다수의 메탈기재를 가진 메탈기재장치로서, 길이방향으로 뻗은 대상의 가공용 소재를 에칭함으로써 길이방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추되, 각 메탈기재가, IC칩 탑재용 다이패드와, 이 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드 및 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출하도록 형성된 적어도 1쌍의 안테나 단자를 갖고서, 하나의 메탈기재의 안테나 단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나 단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통 영역 내로 들어가 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.The present invention provides a metal base apparatus having a plurality of metal bases for a non-contact IC card module, comprising a plurality of metal bases continuously formed in the longitudinal direction by etching the workpiece material extending in the longitudinal direction. And a die pad for mounting an IC chip, a resin sealing area including the die pad, and at least one pair of antenna terminals formed to protrude on both sides along the longitudinal direction from the outside of the die pad and the resin sealing area. The metal base antenna terminal and the metal base antenna terminal adjoining the longitudinal direction of this metal base material are comprised so that it may enter in the common area of the width direction of a workpiece | work material.

본 발명은, 각 메탈기재가, 길이방향을 따라 2개의 연결선에 설치된 연결부에 의해 가공용 소재에 연결되고, 이들 2개의 연결선을 따라 절단됨으로써 각 메탈기재가 가공용 소재의 다른 부분으로부터 분리되도록 구성된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.The present invention is characterized in that each metal substrate is connected to a workpiece by a connecting portion provided on two connecting lines along the longitudinal direction, and is cut along these two connecting lines so that each metal substrate is separated from other parts of the workpiece. It is a metal base apparatus.

본 발명은, 각 메탈기재가, 다이패드 및 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측으로 각각 돌출된 2쌍의 안테나 단자를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.The present invention is a metal base apparatus, wherein each metal base member has two pairs of antenna terminals protruding to both sides along the longitudinal direction from the outside of the die pad and the resin sealing region.

본 발명은, 각 메탈기재의 다이패드가 IC칩보다 큰 형상으로 되어 있으면서 다이패드의 IC칩 탑재영역이 가공용 소재를 하프 에칭하는 것에 의해 가공용 소재의 두께보다 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.The present invention provides a metal substrate characterized in that the die pad of each metal substrate has a larger shape than the IC chip, and the IC chip mounting area of the die pad is thinner than the thickness of the processing material by half etching the processing material. Device.

본 발명은, 각 메탈기재의 수지밀봉영역에, 수지와의 밀착성을 향상시키기 위한 오목부 또는 관통구멍부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.The present invention is a metal base apparatus, wherein recesses or through-hole portions for improving adhesion with resin are formed in the resin sealing region of each metal base.

본 발명은, 각 메탈기재가, 다이패드와 안테나 단자 사이에 설치된 내부단자를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.The present invention is a metal base apparatus, wherein each metal base member has an internal terminal provided between the die pad and the antenna terminal.

본 발명은, 가공용 소재가 Cu재 또는 42합금으로 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치이다.This invention is a metal base apparatus characterized by the process material being a Cu material or 42 alloy.

본 발명은, 비접촉 IC카드모듈용의 다수의 메탈기재를 가진 메탈기재장치로서, 길이방향으로 뻗은 대상의 가공용 소재를 에칭함으로써 길이방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추되, 각 메탈기재가 IC칩 탑재용 다이패드와, 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드 및 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출하도록 형성된 적어도 1쌍의 안테나 단자를 갖고서, 하나의 메탈기재의 안테나 단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나 단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통 영역 내로 들어가 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치를 준비하는 공정과, 각 메탈기재의 다이패드 상에 IC칩을 탑재하는 공정, IC칩과 메탈기재의 소정 부분을 와이어를 이용해서 와이어본딩으로 접속 하는 공정, 각 메탈기재의 수지밀봉영역에 IC칩과 와이어를 피복하고서 수지를 형성시켜 수지밀봉하는 공정 및, IC칩마다 조각이 되도록 가공용 소재를 절단하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 IC카드모듈 제조방법이다.The present invention provides a metal base apparatus having a plurality of metal bases for a non-contact IC card module, comprising a plurality of metal bases continuously formed in the longitudinal direction by etching the workpiece material extending in the longitudinal direction. One metal substrate having an IC chip mounting die pad, a resin sealing area including the die pad, and at least one pair of antenna terminals formed to protrude on both sides along the longitudinal direction from the outside of the die pad and the resin sealing area, respectively. A process for preparing a metal base apparatus comprising: an antenna terminal of a metal base and an antenna terminal of a metal base adjacent in the longitudinal direction of the metal base into a common area in the width direction of the workpiece, and a die of each metal base The process of mounting an IC chip on a pad, The process of connecting the IC chip and predetermined part of a metal base by wire bonding using a wire, Each An IC card module manufacturing method comprising the steps of forming a resin by covering an IC chip and a wire in a resin sealing area of a degassing material and sealing the resin, and cutting a processing material so that each IC chip is cut into pieces. .

본 발명은, 가공용 소재가 Cu재 또는 42합금으로 된 것을 특징으로 하는 IC카드모듈 제조방법이다.The present invention is a method for manufacturing an IC card module, characterized in that the material for processing is made of Cu material or 42 alloy.

본 발명은, 길이방향으로 뻗은 대상의 가공용 소재를 에칭함으로써 길이방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추되, 각 메탈기재가 IC칩 탑재용 다이패드와, 이 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드 및 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출하도록 형성된 적어도 1쌍의 안테나 단자를 갖고서, 하나의 메탈기재의 안테나 단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나 단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통 영역 내로 들어가 있는 메탈기재장치와, 각 메탈기재의 다이패드 상에 탑재된 IC칩, IC칩과 메탈기재의 소정 부분을 와이어본딩으로 접속시키는 와이어, 각 메탈기재의 수지밀봉영역에, IC칩과 와이어를 피복하도록 형성된 밀봉수지를 갖추되, 가공용 소재 상에, 밀봉수지에 연결됨과 더불어 폭방향으로 뻗도록 된 몰드게이트부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 IC카드모듈체이다.The present invention provides a plurality of metal substrates continuously formed in the longitudinal direction by etching a workpiece for processing in the longitudinal direction, wherein each metal substrate is an IC chip mounting die pad and a resin sealing area including the die pad. And at least one pair of antenna terminals formed to protrude on both sides along the longitudinal direction from the outside of the die pad and the resin sealing region, the antenna terminals of one metal substrate and the metal substrate adjacent to each other in the longitudinal direction of the metal substrate. A metal base device into which the antenna terminals of the processing material enter a common area in the width direction of the workpiece, an IC chip mounted on each die pad of each metal base, a wire connecting the IC chip and a predetermined portion of the metal base by wire bonding, The resin sealing area of each metal base is provided with a sealing resin formed so as to cover the IC chip and the wire, and is connected to the sealing resin on the processing material. The module is an IC card, characterized in that air is provided the molded portion so as to extend in a direction gate width.

본 발명은, 메탈기재가 가공용 소재의 폭방향으로 다수의 열로 배치되고, 가공용 소재 상에는 각 메탈기재의 밀봉수지끼리를 연결함과 더불어 폭방향으로 뻗은 몰드 스루 게이트부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 IC카드모듈체이다.In the present invention, an IC is characterized in that a metal substrate is arranged in a plurality of rows in the width direction of a processing material, and a mold through gate portion extending in the width direction is connected to the sealing resins of the metal materials on the processing material. Card module type.

본 발명은, 가공용 소재의 각 메탈기재의 1쌍의 안테나 단자 근방에, 각 안 테나 단자를 가공용 소재의 다른 부분으로부터 절연하는 개구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 IC카드모듈체이다.The present invention is an IC card module body characterized in that an opening is formed in the vicinity of a pair of antenna terminals of each metal substrate of a work material to insulate each antenna terminal from another part of the work material.

본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치는, 이와 같이 구성됨으로써 비접촉형 IC카드용 IC모듈을 보다 더 양산성 좋게 제조할 수 있게 된다.The metal base apparatus for an IC card module of the present invention can be manufactured in a more mass-produced manner without the IC module for a non-contact type IC card.

구체적으로는, 단위 메탈기재가, IC칩을 탑재하기 위한 다이패드를 갖고서, 안테나코일과 접속하기 위한 안테나 단자가 상기 다이패드 및 수지밀봉영역 보다 외측에, 안테나코일 1루프용으로 2개 또는 안테나코일 2루프용으로 4개가 설치되어 있다. 대상의 가공용 소재의 길이방향으로 인접하는 단위 메탈기재 끼리의 안테나 단자 영역이 폭방향으로 공통하는 영역으로서 겹쳐지도록, 단위 메탈기재가 가공용 소재의 길이방향으로 면부착되어 있다. 각 단위 메탈기재는 수지밀봉가 된 후에, 그 외측(2곳)에서 가공용 소재의 길이 방향으로 소정의 폭으로 절단을 하기만 하면, 수지밀봉한 후에 가공용 소재의 다른 부분으로부터 분리될 수 있게 된다.Specifically, the unit metal substrate has a die pad for mounting the IC chip, and two antenna terminals for connecting with the antenna coil are located outside the die pad and the resin sealing area, for the antenna coil 1 loop or antennas. Four are installed for two loops of coils. The unit metal substrate is surface-attached in the longitudinal direction of the workpiece material such that the antenna terminal regions of the unit metal substrates adjacent in the longitudinal direction of the target workpiece are overlapped as areas common in the width direction. After each unit metal base material is resin-sealed, it is possible to separate from other parts of the material for processing after sealing the resin simply by cutting a predetermined width in the longitudinal direction of the material for processing on the outside (two locations).

상세히는, 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치를 릴·토우·릴로 제판처리 및 에칭처리를 실행해서 만들 수 있도록 하고, 또 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치를 이용해서 IC카드모듈을 양산성 좋게 릴·토우·릴로 각종 처리를 실행항 수 있도록 한다.Specifically, the metal substrate device for the IC card module of the present invention can be made by reel, toe, and reel making and etching treatment, and the IC card module is used by the metal substrate device for the IC card module of the present invention. The reel, toe, and reel can be used for good productivity.

또, IC칩을 탑재하기 위해, IC칩 보다 큰 사이즈의 다이패드를 갖추되, 이 다이패드의 IC칩 탑재영역이 하프 에칭으로 메탈기재의 기재 두께보다 얇게 형성되어 있다. 이에 의해, 특히 IC모듈을 박형화 요구에 대응할 수 있도록 한다.In order to mount the IC chip, a die pad having a larger size than the IC chip is provided, and the IC chip mounting area of the die pad is formed to be thinner than the thickness of the base material of the metal base by half etching. This makes it possible, in particular, to cope with thinning demands of the IC module.

또, 금속으로 된 대상의 얇은 가공용 소재로서는, 도전성, 처리성, 범용성 등의 면에서 통상적으로는 Cu재 또는 42합금(42%Ni-Fe 합금)이 쓰이지만, 이들에 한정되지는 않는다.As the material for thin processing of the metal object, Cu materials or 42 alloys (42% Ni-Fe alloys) are usually used in terms of conductivity, processability, versatility, and the like, but are not limited thereto.

한편, 금속으로 된 대상의 얇은 가공용 소재의 두께로는 IC모듈의 박화(薄化) 요구에 대응할 수 있는 두께이면 좋은바, 0.1mm 두께의 정도로 얇은 것이 특히 박화 요구에는 바람직하다.On the other hand, as the thickness of the thin material for processing a metal object, any thickness as long as it can meet the thinning demand of the IC module is preferable. A thin thickness of about 0.1 mm is particularly preferable for the thinning demand.

또, 다이패드영역의 바깥쪽에 밀봉수지의 밀착성을 향상시키기 위한 오목부 또는 관통구멍을 형성시켜, 상기 안테나 단자와 일체적으로 접속하게 되는 밀봉용 수지 지지부를 설치할 수가 있어, 수지밀봉을 신뢰성이 좋게 되어 있다.Further, by forming a recess or a through hole for improving the adhesion of the sealing resin on the outer side of the die pad area, a sealing resin support portion which is integrally connected to the antenna terminal can be provided, so that the resin sealing can be made reliable. It is.

본 발명의 IC카드모듈 제작방법은, 이와 같이 구성됨으로써, 비접촉형 IC카드용 IC모듈을 양산성 좋게 제조할 수 있게 한다.The IC card module manufacturing method of the present invention is configured in this manner, so that the IC module for a non-contact type IC card can be manufactured in a high productivity.

즉, 각 처리를 릴·토우·릴로 실행함으로써 이를 달성할 수가 있게 된다.In other words, this can be achieved by performing each process with a reel toe reel.

금속으로 된 대상의 얇은 가공용 소재로서는, 도전성과 처리성, 범용성 등의 면에서, 통상적으로는 Cu재 또는 42함금(42%Ni-Fe 합금)이 쓰이지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.As a thin material for metal processing, a Cu material or a 42 alloy (42% Ni-Fe alloy) is usually used in terms of conductivity, processability, versatility, and the like, but is not limited thereto.

(실시예)(Example)

다음에는 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치의 실시예를 도면을 기초로 해서 설명한다.Next, an embodiment of a metal base apparatus for an IC card module of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1a는 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치의 제1실시예의 일부를 나타난 개략구성도이고, 도 1b는 도 1a에서의 단위 메탈기재를 나타낸 도면, 도 2a는 도 1a에 도시된 IC카드모듈용 메탈기재장치의 각 단위 메탈기재의 다이패드 상에 IC칩 을 탑재하고서 와이어본딩선을 연결한 도면, 도 2b는 도 2a에서의 단위 메탈기재를 나타낸 도면, 도 3은 도 2a에 도시된 메탈기재장치에 트랜스퍼몰드처리를 실시한 도면, 도 4는 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치의 제2실시예의 일부를 나타낸 개략구성도, 도 5는 도 4에 도시된 IC카드모듈용 메탈기재장치의 각 단위 메탈기재의 다이패드 상에 IC칩을 탑재하고서 와이어본딩선을 연결한 도면, 도 6은 도 5에 도시된 메탈기재장치에 트랜스퍼몰드처리를 실시한 도면이다.FIG. 1A is a schematic configuration diagram showing a part of a first embodiment of a metal substrate device for an IC card module of the present invention, FIG. 1B is a view showing a unit metal substrate in FIG. 1A, and FIG. 2A is an IC card shown in FIG. 1A. FIG. 2B is a view showing a unit metal substrate in FIG. 2A and FIG. 2A is a view showing a unit metal substrate mounted on the die pad of each unit metal substrate of a module metal substrate device. 4 is a schematic view showing a part of a second embodiment of the metal base apparatus for an IC card module of the present invention, and FIG. 5 is a metal base for IC card module shown in FIG. FIG. 6 is a diagram in which a wire bonding line is connected by mounting an IC chip on a die pad of each unit metal substrate of the device. FIG. 6 is a diagram in which a transfer molding process is performed on the metal substrate device shown in FIG. 5.

도 1 ~ 도 6에서, 도면참조부호 111은 가공용 소재, 120은 단위 메탈기재, 121은 다이패드, 121H는 하프 에칭부, 122A 및 122B는 (안테나와 접속하는)단자, 123A 및 123B는 내부단자, 124는 관통구멍, 125는 관통구멍, 126은 이음부, 128은 스프로켓, 130은 IC칩, 131은 단자, 135는 본딩와이어, 140은 밀봉용 수지, 221은 다이패드, 221H는 하프 에칭부, 222A, 222B, 222C 및 222D는 (안테나와 접속되는)단자, 223A, 223B, 223C 및 223D는 내부단자, 225는 관통구멍, 226은 이음부, 228은 스프로켓, 230은 IC칩, 231은 단자, 235는 본딩와이어, 240은 밀봉용 수지이다.1 to 6, reference numeral 111 is a work material, 120 is a unit metal substrate, 121 is a die pad, 121H is a half etching portion, 122A and 122B are terminals (connecting to the antenna), 123A and 123B are internal terminals , 124 is through hole, 125 is through hole, 126 is joint, 128 is sprocket, 130 is IC chip, 131 is terminal, 135 is bonding wire, 140 is sealing resin, 221 is die pad, and 221H is half etching part , 222A, 222B, 222C and 222D are terminals (connected to the antenna), 223A, 223B, 223C and 223D are internal terminals, 225 are through holes, 226 are seams, 228 are sprockets, 230 are IC chips, 231 are terminals 235 denotes a bonding wire, and 240 denotes a sealing resin.

다음에는 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치(메탈기재부재)의 제1실시예를 도 1a, 도 1b, 도 2a 및 도 2b를 기초로 해서 설명한다.Next, a first embodiment of a metal base apparatus (metal base member) for an IC card module of the present invention will be described based on FIGS. 1A, 1B, 2A, and 2B.

제1실시예에 따른 IC카드모듈용 메탈기재(metal substrate)장치는, 트 랜스퍼몰드형식의 비접촉형 IC카드용 IC카드모듈로서, 안테나를 1루프로 배치한 IC모듈에 쓰이는 다수 단위 메탈기재(120; 도 1b 참조)를 갖고 있다. 이 메탈기재부재는 도전성 금속으로 된 대상의 얇은 가공용 소재(111)를 에칭해서 만들어져, 단위 메탈기재(120)의 각 부가 이음부(126)에 의해 상호 지지하도록 되어 있다.The metal substrate device for an IC card module according to the first embodiment is an IC card module for a non-contact type IC card of a transfer mold type, and a multi-unit metal substrate for an IC module having an antenna arranged in one loop. (120; see FIG. 1B). The metal base member is made by etching the target thin working material 111 made of a conductive metal, and is mutually supported by the joints 126 of the unit metal base 120.

즉, 메탈기재장치(메탈기재부재)는 길이방향으로 뻗은 가공용 소재(111)를 에칭함으로써 가공형성된 다수 단위 메탈기재(120)를 갖고, 1쌍의 릴(100A, 100B) 사이로 뻗도록 되어 있다.That is, the metal base apparatus (metal base member) has a multi-unit metal base 120 formed by etching the processing material 111 extending in the longitudinal direction, and extends between a pair of reels 100A and 100B.

상기 메탈기재(120)는 가공용 소재(111)에 폭 방향으로 4열을 이루고서 길이방향으로 연속해서 형성되어 있다.The metal substrate 120 is formed continuously in the longitudinal direction by forming four rows in the width direction on the workpiece material 111.

각 메탈기재(120)는 IC칩 탑재용 다이패드(121)와, 이 다이패드(121)를 포함하는 수지밀봉영역(140A)을 갖고서, 상기 다이패드(121) 및 수지밀봉영역(140A)의 외측에 그 길이방향을 따라 양쪽에 1쌍의 안테나 단자(122A, 122B)가 돌출하여 형성되어 있다. 이들 1쌍의 안테나 단자(122A, 122B)는 수지밀봉영역(140A)에 대각으로 배치되어 있다. 밀봉용 수지(140)의 안테나 단자(122B) 측 각부(角部)는 모따기가 되어, 안테나 단자(122B) 측 극지(極地)의 인덱스로 사용되게 된다.Each metal base 120 has an IC chip mounting die pad 121 and a resin sealing area 140A including the die pad 121, and the die pad 121 and the resin sealing area 140A are formed. A pair of antenna terminals 122A and 122B protrude from both sides along the longitudinal direction of the outer side. These pairs of antenna terminals 122A and 122B are disposed diagonally to the resin sealing region 140A. Each part of the antenna terminal 122B side of the sealing resin 140 is chamfered, and is used as an index of the polar region of the antenna terminal 122B side.

또, 1개의 메탈기재(120)의 안테나 단자(122A)와, 이 메탈기재(120)의 길이방향으로 인접하는 메탈기재(120)의 안테나 단자(122B)는, 가공용 소재(111)의 폭방향으로 공통하는 영역(111A) 내에 들어가도록 되어 있다.In addition, the antenna terminal 122A of one metal base 120 and the antenna terminal 122B of the metal base 120 adjacent in the longitudinal direction of the metal base 120 are in the width direction of the processing material 111. In the common region 111A.

그리고, 각 단위 메탈기재(120)는, 길이방향을 따르는 2개의 연결선(L1, L2)에 설치된 이음부(연결부; 126)에 의해 가공용 소재(111)의 다른 부분(111B)에 연결되고서(도 1b), 수지로 밀봉된 후, 도 1b의 연결선(L1, L2)을 따라 가공용 소재(111)의 길이방향으로 소정의 폭으로 절단되기만 하면, 메탈기재(120)가 가공용 소재(111)의 다른 부분(111B)으로부터 분리되어, 원하는 외형을 갖게 된다.And, each unit metal base 120 is connected to the other part 111B of the workpiece material 111 by the joint part (connection part 126) provided in the two connection lines L1 and L2 along the longitudinal direction ( FIG. 1B), after sealing with resin, the metal substrate 120 is formed of the processing material 111 as long as it is cut to a predetermined width in the longitudinal direction of the processing material 111 along the connection lines L1 and L2 of FIG. 1B. It is separated from the other part 111B, and has a desired external shape.

본 실시예에서는, 메탈기재(120)의 다이패드(121)와 안테나 단자(122A, 22B) 와의 사이에 안테나 단자(122A, 122B)와 각각 일체적으로 접속되는 내부단자(123A, 123B)가 설치되어 있다. 이 내부단자(123A, 123B)는 수지밀봉영역(140A) 내에 위치하고서, 이들 내부단자(123A, 123B)에는 수지와의 밀착성을 향상시키기 위한 관통구멍(124)이 형성되어 있다. 이 관통구멍(124)은 오목부로 역할하게 되는바, 오목부는 관통하도록 되어 있지 않아도 좋다.In this embodiment, internal terminals 123A and 123B which are integrally connected to the antenna terminals 122A and 122B are provided between the die pad 121 of the metal base 120 and the antenna terminals 122A and 22B, respectively. It is. These internal terminals 123A and 123B are located in the resin sealing area 140A, and through holes 124 are formed in these internal terminals 123A and 123B to improve adhesion with the resin. The through hole 124 acts as a concave portion, and the concave portion does not have to penetrate.

가공용 소재(111)로는, 통상적으로 Cu재 또는 42합금(42%Ni-Fe 합금)이 도전성이나 처리성, 범용성 면에서 쓰이고 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.As the material 111 for processing, Cu material or 42 alloy (42% Ni-Fe alloy) is usually used in terms of conductivity, processability, and general purpose, but is not limited thereto.

금속으로 된 대상의 얇은 가공용 소재의 두께는, IC모듈의 박화 요구에 대응할 수 있는 두께로 되면 좋다.The thickness of the thin material for processing the object made of metal may be a thickness that can meet the thinning demand of the IC module.

이 제1실시예의 변형예로는, 메탈기재(120)가 단자면을 위쪽으로 해서 IC 칩을 탑재하기 위해 IC칩(130)보다 큰 사이즈의 다이패드(121)를 갖게 되는바, 이 다이패드(121)의 IC칩 탑재영역(130A)은 하프 에칭에 의해 가공용 소재(111)의 두께보다 얇게 형성되어 있다.In a modification of this first embodiment, the metal base 120 has a larger die pad 121 than the IC chip 130 in order to mount the IC chip with the terminal face upward. The IC chip mounting region 130A at 121 is formed thinner than the thickness of the processing material 111 by half etching.

이 변형예의 경우는, 상기 제1실시예의 경우보다 한층 더 박형화될 수가 있다.In the case of this modification, it can be further thinner than in the case of the first embodiment.

다음에는 본 발명의 IC카드모듈용 메탈기재장치의 실시예의 제2실시예를 도 4a, 도 4b 및 도 6를 기초로 간단히 설명한다.Next, a second embodiment of an embodiment of the metal substrate device for an IC card module of the present invention will be briefly described with reference to Figs. 4A, 4B and 6.

본 제2실시예는, 메탈기재장치(메탈기재부재)가 트랜스퍼몰드 형식의 비접촉형 IC카드용 IC카드모듈로서, 안테나코일이 2루프로 배치되는 IC모듈에 쓰이는 다수 단위 메탈기재(220)를 갖고 있다. 이 메탈기재부재는, 도전성 금속으로 된 대상 의 얇은 가공용 소재(211)를 에칭으로 만들어져, 단위 메탈기재(220)의 각 부(部)가 이음부(226)에 의해 상호 지지되도록 구성되어 있다.In the second embodiment, a metal base device (metal base member) is a transfer mold type IC card module for a non-contact type IC card, and a multi-unit metal base 220 used for an IC module having an antenna coil arranged in two loops is used. Have The metal base member is formed by etching an object thin processing material 211 made of a conductive metal so that the parts of the unit metal base 220 are mutually supported by the joint 226.

이 제2실시예에에서는, 각 메탈기재(220)가 단자면(單子面)을 위쪽이 되도록 하여 IC칩(230)을 탑재하기 위해, IC칩(230)보다 큰 사이즈의 다이패드(221)를 갖추되, 이 다이패드(221)의 IC칩 탑재영역(221H)이 하프 에칭에 의해 가공용 소재(211)의 두께 보다 얇게 형성되어 있다.In this second embodiment, the die pad 221 having a larger size than the IC chip 230 in order to mount the IC chip 230 with the metal bases 220 facing upwards. The IC chip mounting area 221H of the die pad 221 is formed thinner than the thickness of the processing material 211 by half etching.

이 제2실시예의 경우도, 상기 제1실시예 보다 한층 더 박형화될 수 있게 할 수가 있다.Also in the case of this second embodiment, it can be made even thinner than the first embodiment.

여기서, 도 4는 가공용 소재(211)의 길이방향으로 인접하는 2개의 단위 메탈기재의 상태를 확대해서 나타낸 것이다.4 shows an enlarged view of two unit metal substrates adjacent in the longitudinal direction of the workpiece material 211.

도 4에서, 각 단위 메탈기재(220)는 다이패드(221)와, 안테나 단자(222A, 222B, 222C, 222D), 내부단자(223A, 223B, 223C, 23D) 및, 이들을 가공용 소재(211)의 다른 부분(211B)에 연결하기 위한 이음부(226)로 구성되어 있다. 가공용 소재(211)의 길이방향으로 인접하는 단위 메탈기재(220)끼리의 안테나 단자부(222A, 222B, 222C, 222D)가, 가공용 소재(211)의 폭방향 공통영역(211A) 내에서 겹쳐지도록 단위 메탈기재(220)가 가공용 소재(211)의 길이방향으로 면부착되어 있다.In FIG. 4, each unit metal substrate 220 includes a die pad 221, antenna terminals 222A, 222B, 222C, and 222D, internal terminals 223A, 223B, 223C, and 23D, and materials 211 for processing the same. It consists of a joint 226 for connecting to the other part 211B of the. The unit so that the antenna terminal portions 222A, 222B, 222C, and 222D of the unit metal substrates 220 adjacent to each other in the longitudinal direction of the workpiece 211 overlap within the widthwise common area 211A of the workpiece 211. The metal base material 220 is surface-attached in the longitudinal direction of the processing material 211.

제2실시예는, 안테나코일 2루프용으로 된 것으로, 다이패드(221) 및 밀봉영역(240)의 외측에 길이방향을 따라 양쪽에 2쌍의 안테나 단자(222A, 222B, 222C, 22D)가 돌출하도록 형성되어 있다.The second embodiment is for the antenna coil 2 loop, and two pairs of antenna terminals 222A, 222B, 222C, and 22D are provided on both sides of the die pad 221 and the sealing area 240 in the longitudinal direction. It is formed to protrude.

한편, 제2실시예에서는, 상기 제1실시예와 같이, 내부단자에 관통구멍(도 1의 124에 상당)이 형성되어 있지 않으나, 적절히 형성시켜도 좋다. 도 4에 도시된 것과 같이, 각 단위 메탈기재(220)가 길이방향을 따라 2개의 연결선(L3, L4)에 설치된 이음부(226)에 의해 가공용 소재(211)의 다른 부분(211B)에 연결되고서 수지로 밀봉된 후, 연결선(L3, L4)을 따라 가공용 소재(211)의 길이방향으로 소정의 폭으로 절단됨으로써, 메탈기재(220)가 가공용 소재(211)의 다른 부분(211B)으로부터 분리되어, 원하는 외형을 갖게 된다.On the other hand, in the second embodiment, through holes (corresponding to 124 in FIG. 1) are not formed in the internal terminals as in the first embodiment, but may be formed as appropriate. As shown in FIG. 4, each unit metal substrate 220 is connected to the other part 211B of the workpiece 211 by a joint 226 provided at two connection lines L3 and L4 along the longitudinal direction. And then sealed with a resin, the metal substrate 220 is cut from the other portion 211B of the workpiece 211 by cutting it to a predetermined width in the longitudinal direction of the workpiece 211 along the connecting lines L3 and L4. Separated, they have the desired appearance.

다음에는, 본 발명의 IC카드모듈 제조방법의 1예를, 도 1 ~ 도 3을 기초로 해서 간단히 설명한다.Next, an example of the IC card module manufacturing method of the present invention will be briefly described based on Figs.

본 실시예의 IC카드모듈 제조방법은, 도 1에 도시된 제1실시예의 메탈기재부재를 이용해서 제조하는 방법이다.The IC card module manufacturing method of this embodiment is a manufacturing method using the metal base member of the first embodiment shown in FIG.

본 실시예는, 비접촉형 IC카드에 쓰이는 트랜스퍼몰드 형식의 IC카드모듈을 제조하는 방법으로서, 금속으로 된 얇은 가공용 소재(111)에 대해 릴·토우·릴로 제판처리 및 에칭처리를 실행하여, 도 1에 도시된 제1실시예의 메탈기재부재를 형성하게 된다(도 1).This embodiment is a method of manufacturing a transfer mold type IC card module for use in a non-contact type IC card, which is subjected to a plate forming process and an etching process with a reel toe reel on a thin material 111 for processing metal. The metal base member of the first embodiment shown in FIG. 1 is formed (FIG. 1).

가공용 소재(111)로는, 통상적으로 두께 0.1mm 정도의 대상(帶狀)의 Cu재 또는 42함금(42%Ni-Fe 합금)재를 이용해서, 제판처리로 그 양면에 내(耐)에칭성 레지스트패턴을 형성한 후, 소정의 에칭액을 이용해서 양면에서 스프레이 에칭을 실행하여 메탈기재부재를 형성한다.As the material 111 for processing, using a target Cu material or a 42 alloy (42% Ni-Fe alloy) material having a thickness of about 0.1 mm, the etching resistance on both surfaces thereof by the plate making process. After the resist pattern is formed, spray etching is performed on both surfaces using a predetermined etching solution to form a metal base member.

한편, 하프 에칭을 보다 정밀하게 실행하기 위해, 에칭을 2단계로 나누어 먼 저 하프 에칭 형성면 측에 제1에칭을 실행한 다음, 에칭 형성된 구멍에 소정의 충전재가 묻히도록 한 상태에서 반대측에서 제2에칭을 실행하는 방법을 채용하여도 좋다.On the other hand, in order to execute the half etching more precisely, the etching is divided into two stages, and the first etching is first performed on the side of the half etching formation surface, and then, on the opposite side, the predetermined filling material is buried in the etching formed holes. A method of performing two etchings may be employed.

이어, 릴·토우·릴로 에칭 형성된 메탈기재부재(도 1a)의 각 단위 메탈기재(120)의 소정 영역에 은도금처리를 실행해서, 메탈기재부재의 각 단위 메탈기재(120)의 다이패드(121) 상의 IC칩 탑재영역(130A)에다 IC칩(130)을 탑재한다. 메탈기재(120)의 소정 영역에 은도금처리를 하는 대신, 메탈기재(120)의 전면에 파라듐도금을 실시하여도 좋다.Subsequently, a silver plating process is performed on a predetermined region of each unit metal base 120 of the metal base member (FIG. 1A) formed by etching the reel toe reel, and the die pad 121 of each unit metal base 120 of the metal base member is performed. The IC chip 130 is mounted in the IC chip mounting area 130A on the (). Instead of silver plating a predetermined region of the metal substrate 120, palladium plating may be applied to the entire surface of the metal substrate 120.

그 후, IC칩(130)의 단자(도시되어 있지 않음)와 내부단자(123A, 123B)를 와이어(135)에 의한 와이어본딩으로 접속시킨다(도 2a).Thereafter, the terminal (not shown) of the IC chip 130 and the internal terminals 123A and 123B are connected by wire bonding with the wire 135 (FIG. 2A).

이어, 트랜스퍼 방식으로, IC칩(130)과 본딩와이어(135)를 포함한 수지밀봉영역(140A)을 밀봉용 수지(140)로 밀봉한다(도 3).Subsequently, in the transfer method, the resin sealing region 140A including the IC chip 130 and the bonding wire 135 is sealed with the sealing resin 140 (FIG. 3).

이와 같이 해서, 메탈기재장치와, 각 메탈기재(120)의 다이패드(121) 상에 탑재된 IC칩(130), 이 IC칩(130)과 내부단자(23A, 123B)를 접속하는 와이어(135) 및, 상기 IC칩(130)과 와이어(135)를 피복하는 밀봉용 수지(140)로 이루어진 IC카드모듈체(150A)가 만들어지게 된다(도 3). 이 경우, 가공용 소재(111) 상에 메탈기재(120)가 폭방향으로 4열로 배치되고, 그에 따라 IC칩(130)을 피복하는 밀봉용 수지(140)도 폭방향으로 4열로 배치되게 된다.In this manner, the metal base device and the IC chip 130 mounted on the die pad 121 of each metal base 120, the wires connecting the IC chip 130 and the internal terminals 23A and 123B ( 135) and an IC card module body 150A made of a sealing resin 140 covering the IC chip 130 and the wire 135 (FIG. 3). In this case, the metal base 120 is arranged in four rows on the workpiece 111 in the width direction, and thus the sealing resin 140 covering the IC chip 130 is also arranged in four rows in the width direction.

가공용 소재(111) 상에, 밀봉용 수지(140)끼리를 연결함과 더불어 폭방향으로 뻗은 몰드 스루 게이트부(140b)가 설치되고, 또 가공용 소재(111) 측부의 밀봉 용 수지(140)와 가공용 소재(111)의 옆 가장자리 사이에는 몰드 게이트부(140a)가 설치되어 있다. 이들 몰드 게이트부(140a)와 몰드 스루 게이트부(140b)는 가공용 소재(111) 상에 미소한 두께로 형성되어 있다. 밀봉용 수지(140)는, 가공용 소재(111)의 측방으로부터 몰드 게이트부(140a) 및 몰드 스루 게이트부(140b)를 거쳐 흐르는 수지로 형성되게 된다.On the processing material 111, the sealing resin 140 is connected to each other, and a mold through gate portion 140b extending in the width direction is provided, and the sealing resin 140 on the side of the processing material 111 is formed. The mold gate part 140a is provided between the side edges of the processing material 111. These mold gate portions 140a and mold through gate portions 140b are formed to a minute thickness on the material for processing 111. The sealing resin 140 is formed of resin flowing from the side of the processing material 111 through the mold gate portion 140a and the mold through gate portion 140b.

그리고, 도 3에 도시된 것과 같이, 각 메탈기재(120)의 1쌍의 안테나 단자(122A, 122B) 근방에는, 각 안테나 단자(122A, 122B)를 가공용 소재(111)의 다른 부분으로부터 절연시키는 개구(140C)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, the antenna terminals 122A and 122B are insulated from the other portions of the work material 111 in the vicinity of the pair of antenna terminals 122A and 122B of the metal base 120. The opening 140C is formed.

이와 같이 개구(140C)를 형성시켜 각 안테나 단자(122A, 122B)를 가공용 소재(111)의 다른 부분으로부터 절연되도록 함으로써, 다수의 IC칩(130)을 가진 IC카드모듈체(150a)의 상태로, IC칩(130)에 대해 안테나 단자(122A, 122B)를 이용해서 1쌍의 측정단자(도시되지 않음)에 의해 전기적 특성을 일괄해서 측정할 수 있게 된다. 그 때문에, IC칩(130)마다 가공용 소재(111)을 절단해서 IC모듈(150)을 얻은 후, 각 IC모듈(150)마다 IC칩(130)의 전기적 특성을 측정하는 경우에 비해 신속하고 쉽게 IC칩(130)의 전기적 특성을 측정할 수 있게 된다.In this way, the opening 140C is formed so that each of the antenna terminals 122A and 122B is insulated from other parts of the material 111 for processing, so that the IC card module body 150a having the plurality of IC chips 130 is in a state. By using the antenna terminals 122A and 122B with respect to the IC chip 130, electrical characteristics can be collectively measured by a pair of measurement terminals (not shown). Therefore, after cutting the processing material 111 for each IC chip 130 to obtain the IC module 150, it is faster and easier than in the case of measuring the electrical characteristics of the IC chip 130 for each IC module 150. The electrical characteristics of the IC chip 130 can be measured.

그 후, 소정의 커터로, 도 1b의 연결선(Ll, L2)을 따라 이음부(126)를 절단해서 가공용 소재(111)를 낱개로 개별화시켜 각각 IC모듈(150)을 얻는다.Subsequently, with a predetermined cutter, the joints 126 are cut along the connecting lines L1 and L2 in FIG. 1B to individually separate the processing material 111 to obtain IC modules 150, respectively.

상기의 방법에서, 도 4에 도시된 제2실시예 메탈기재부재를 이용한 경우도, 마찬가지로 릴·토우·릴로 에칭 형성한 메탈기재부재(도 4)의 각 단위 메탈기재(220)의 소정의 영역에 은도금처리 또는 파라듐도금처리를 실시한다. 다음 메탈기 재부재의 각 단위 메탈기재(220)의 다이패드(221) 상에 IC칩(230)을 탑재한 후, 와이어(235)에 의한 와이어본딩으로 접속되도록 한다(도 5). 그 후, 트랜스퍼방식으로 IC칩(230)과 본딩와이어(235)를 포함한 수지밀봉영역(240A)을 밀봉수지(240)로 밀봉한다(도 6).In the above method, even when the second embodiment metal base member shown in Fig. 4 is used, a predetermined area of each unit metal base 220 of the metal base member (Fig. 4) formed by etching with reel, toe, and reel in the same manner. The silver plating treatment or the palladium plating treatment is performed. Next, the IC chip 230 is mounted on the die pad 221 of each unit metal base 220 of the metal base member, and then connected by wire bonding by the wire 235 (FIG. 5). Thereafter, the resin sealing area 240A including the IC chip 230 and the bonding wire 235 is sealed with the sealing resin 240 by the transfer method (FIG. 6).

그 후, 소정의 커터로 도 4의 연결선(L3, L4)을 따라 이음부(226)를 절단해서 가공용 소재(111)를 개별화시켜 각각의 IC모듈(250)을 얻는다.Thereafter, the joints 226 are cut along the connection lines L3 and L4 of FIG. 4 with a predetermined cutter to individualize the processing material 111 to obtain respective IC modules 250.

본 발명에 의하면, 비접촉형 IC카드용 IC모듈에 쓰이는 메탈기재부재를, 더욱 양산성 좋게 제조할 수 있다. 동시에, 그와 같은 메탈기재부재를 이용한 IC모듈의 제조를 쉽게 실행할 수가 있게 된다.According to the present invention, the metal base member used for the IC module for the non-contact type IC card can be manufactured more productively. At the same time, it is possible to easily manufacture the IC module using such a metal base member.

Claims (12)

비접촉 IC카드모듈용의 다수의 메탈기재를 가진 메탈기재장치로서, A metal base apparatus having a plurality of metal bases for a non-contact IC card module, 길이방향으로 뻗은 대상의 가공용 소재를 에칭함으로써 길이방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추되,Equipped with a plurality of metal substrates formed continuously in the longitudinal direction by etching the processing material of the object extending in the longitudinal direction, 각 메탈기재가, IC칩 탑재용 다이패드와, 이 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드 및 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출하도록 형성된 적어도 1쌍의 안테나 단자를 갖고서,Each metal substrate includes at least one pair of antenna terminals formed so as to protrude on both sides along the longitudinal direction from the die pad for IC chip mounting, the resin sealing area including the die pad, and the outside of the die pad and the resin sealing area. Take it, 하나의 메탈기재의 안테나 단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나 단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통 영역 내로 들어가 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.A metal base apparatus, characterized in that an antenna terminal of one metal base and an antenna terminal of a metal base adjacent in the longitudinal direction of the metal base enter the common area in the width direction of the workpiece material. 제1항에 있어서, 각 메탈기재가, 길이방향을 따라 2개의 연결선에 설치된 연결부에 의해 가공용 소재에 연결되고,The method of claim 1, wherein each metal substrate is connected to the workpiece material by a connecting portion provided in two connecting lines along the longitudinal direction, 이들 2개의 연결선을 따라 절단됨으로써 각 메탈기재가 가공용 소재의 다른 부분으로부터 분리되도록 구성된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.A metal substrate device characterized in that each metal base material is cut along these two connecting lines so that each metal base material is separated from other parts of the processing material. 제1항에 있어서, 각 메탈기재가, 다이패드 및 수지밀봉영역의 외측에서 길이 방향을 따라 양측으로 각각 돌출된 2쌍의 안테나 단자를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.The metal base apparatus according to claim 1, wherein each metal base member has two pairs of antenna terminals protruding from both sides of the die pad and the resin sealing area along the longitudinal direction, respectively. 제1항에 있어서, 각 메탈기재의 다이패드가 IC칩보다 큰 형상으로 되어 있으면서 다이패드의 IC칩 탑재영역이 가공용 소재를 하프 에칭하는 것에 의해 가공용 소재의 두께보다 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.The method of claim 1, wherein the die pad of each metal substrate has a shape larger than that of the IC chip, and the IC chip mounting area of the die pad is thinner than the thickness of the material for processing by half etching the material for processing. Metal base equipment. 제1항에 있어서, 각 메탈기재의 수지밀봉영역에, 수지와의 밀착성을 향상시키기 위한 오목부 또는 관통구멍부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.The metal base apparatus according to claim 1, wherein a recess or a through hole is formed in the resin sealing region of each metal base to improve adhesion to the resin. 제1항에 있어서, 각 메탈기재가, 다이패드와 안테나 단자 사이에 설치된 내부단자를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.The metal base apparatus according to claim 1, wherein each metal base member has an internal terminal provided between the die pad and the antenna terminal. 제1항에 있어서, 가공용 소재가 Cu재 또는 42합금으로 된 것을 특징으로 하는 메탈기재장치.The metal base apparatus according to claim 1, wherein the processing material is made of Cu or 42 alloy. 비접촉 IC카드모듈용의 다수의 메탈기재를 가진 메탈기재장치로서,A metal base apparatus having a plurality of metal bases for a non-contact IC card module, 길이방향으로 뻗은 대상의 가공용 소재를 에칭함으로써 길이방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추되, 각 메탈기재가 IC칩 탑재용 다이패드와, 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드 및 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출하도록 형성된 적어도 1쌍의 안테나 단자를 갖고서, 하나의 메탈기재의 안테나 단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나 단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통 영역 내로 들어가 있는 것을 특징으로 하는 메탈기재장치를 준비하는 공정과,Equipped with a plurality of metal substrates continuously formed in the longitudinal direction by etching the processing material of the object extending in the longitudinal direction, each metal substrate is a resin sealing area including an IC chip mounting die pad, a die pad, and a die pad and With at least one pair of antenna terminals formed so as to protrude on both sides along the longitudinal direction from the outer side of the resin sealing area, an antenna terminal of one metal base and an antenna terminal of a metal base adjacent to each other in the longitudinal direction of the metal base, A process for preparing a metal base apparatus, characterized by entering into a common region in the width direction of a work material; 각 메탈기재의 다이패드 상에 IC칩을 탑재하는 공정,Mounting IC chip on die pad of each metal base, IC칩과 메탈기재의 소정 부분을 와이어를 이용해서 와이어본딩으로 접속하는 공정,Connecting the IC chip and a predetermined portion of the metal substrate by wire bonding using a wire, 각 메탈기재의 수지밀봉영역에 IC칩과 와이어를 피복하고서 수지를 형성시켜 수지밀봉하는 공정 및,A resin sealing process by forming a resin by covering an IC chip and a wire in a resin sealing area of each metal base, and IC칩마다 가공용 소재를 절단하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 IC카드모듈 제조방법.An IC card module manufacturing method comprising the steps of cutting a processing material for each IC chip. 제8항에 있어서, 가공용 소재가 Cu재 또는 42합금으로 된 것을 특징으로 하 는 IC카드모듈 제조방법.The method of manufacturing an IC card module according to claim 8, wherein the material for processing is made of Cu or 42 alloy. 길이방향으로 뻗은 대상의 가공용 소재를 에칭함으로써 길이방향으로 연속해서 형성된 다수의 메탈기재를 갖추되, 각 메탈기재가 IC칩 탑재용 다이패드와, 이 다이패드를 포함하는 수지밀봉영역 및, 다이패드 및 수지밀봉영역의 외측에서 길이방향을 따라 양측에 각각 돌출하도록 형성된 적어도 1쌍의 안테나 단자를 갖고서, 하나의 메탈기재의 안테나 단자와, 이 메탈기재의 길이방향으로 인접하는 메탈기재의 안테나 단자가, 가공용 소재의 폭방향의 공통 영역 내로 들어가 있는 메탈기재장치와,Equipped with a plurality of metal substrates formed continuously in the longitudinal direction by etching the processing material of the object extending in the longitudinal direction, each metal substrate is an IC chip mounting die pad, a resin sealing area including the die pad, and a die pad And at least one pair of antenna terminals formed to protrude from both sides of the resin sealing area along the longitudinal direction, respectively, wherein the antenna terminal of one metal base and the antenna terminal of the metal base adjacent to each other in the longitudinal direction of the metal base A metal base apparatus which is placed in a common area in the width direction of a workpiece, 각 메탈기재의 다이패드 상에 탑재된 IC칩,IC chip mounted on each metal base die pad, IC칩과 메탈기재의 소정 부분을 와이어본딩으로 접속시키는 와이어,A wire for connecting an IC chip and a predetermined portion of a metal substrate by wire bonding, 각 메탈기재의 수지밀봉영역에, IC칩과 와이어를 피복하도록 형성된 밀봉수지를 갖추되,In the resin sealing area of each metal base, a sealing resin formed to cover the IC chip and the wire is provided. 가공용 소재 상에, 밀봉수지에 연결됨과 더불어 폭방향으로 뻗도록 된 몰드게이트부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 IC카드모듈체.An IC card module body comprising a mold gate portion which is connected to a sealing resin and extends in a width direction on a material for processing. 제10항에 있어서, 메탈기재가 가공용 소재의 폭방향으로 다수의 열로 배치되고, 가공용 소재 상에는 각 메탈기재의 밀봉수지끼리를 연결함과 더불어 폭방향으 로 뻗은 몰드 스루 게이트부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 IC카드모듈체.The method of claim 10, wherein the metal base material is arranged in a plurality of rows in the width direction of the workpiece material, and the mold through gate portion extending in the width direction while connecting the sealing resin of each metal base on the workpiece material is provided. IC card module body. 제10항에 있어서, 가공용 소재의 각 메탈기재의 1쌍의 안테나 단자 근방에, 각 안테나 단자를 가공용 소재의 다른 부분으로부터 절연하는 개구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 IC카드모듈체.The IC card module body according to claim 10, wherein an opening is formed in the vicinity of the pair of antenna terminals of each metal base of the work material to insulate each antenna terminal from another part of the work material.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101426438B1 (en) * 2013-03-14 2014-08-06 (주)바이오스마트 Method for inserting a COB type chip package in a metal card and metal card using the method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7847380B2 (en) * 2007-09-20 2010-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card
KR101066642B1 (en) * 2009-08-31 2011-09-22 삼성전기주식회사 Manufacturing method for printed circuit board
DE102010005771B4 (en) * 2010-01-25 2012-12-13 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Modular metal strip, process for its manufacture and component with improved flatness

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62150868A (en) * 1985-12-25 1987-07-04 Hitachi Micro Comput Eng Ltd Lead frame for semiconductor device and resin sealing method using same
JPH01302757A (en) * 1988-05-30 1989-12-06 Ibiden Co Ltd Substrate assembly sheet
JPH05102377A (en) * 1991-10-04 1993-04-23 Sony Corp Lead frame for semiconductor device
JP2000174176A (en) * 1998-12-01 2000-06-23 Tokin Corp Lead frame for ic module, ic module using the same, and ic card
JP3679285B2 (en) * 1999-11-12 2005-08-03 株式会社ケンウッド Shield case
JP3895570B2 (en) * 2000-12-28 2007-03-22 株式会社ルネサステクノロジ Semiconductor device
JP4121335B2 (en) * 2002-08-28 2008-07-23 三洋電機株式会社 Lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP2004266109A (en) * 2003-03-03 2004-09-24 Dainippon Printing Co Ltd Circuit board for ic card, ic module and manufacturing method thereof
JP4357885B2 (en) * 2003-06-17 2009-11-04 大日本印刷株式会社 Metal substrate member for IC card module and manufacturing method of IC card module

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101426438B1 (en) * 2013-03-14 2014-08-06 (주)바이오스마트 Method for inserting a COB type chip package in a metal card and metal card using the method

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