KR20060064886A - Rf 송수신기의 온도 보상 및 선형 이득 제어 장치 - Google Patents

Rf 송수신기의 온도 보상 및 선형 이득 제어 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전압제어형 감쇄기의 고유 특성인 온도에 따른 감쇄량 변화와 제어전압에 대한 비선형 감쇄특성을 보상하여 RF(Radio Frequency) 송수신기를 온도변화에 대하여 안정화 하고 넓은 영역에서 선형적으로 이득을 제어하기 위한 기술에 관한 것이다.
본 발명은 증폭된 RF 신호의 출력을 조절하는 전압제어 감쇄기를 갖는 RF 송수신기의 온도보상 장치로서, 입력되는 제어비트 신호에 의해 감쇄량 설정 전압을 발생시키는 감쇄량 설정부, 온도에 따라 변화하는 기준전압을 발생시키는 기준전압 발생부와, 상기 감쇄량 설정 전압과 상기 기준전압의 차에 비례하는 제어전압을 출력하여 상기 전압제어 감쇄기에 제공하는 차동증폭부로 이루어진다.
본 발명에 따르면, RF 송수신기의 동작 시, 온도변화에 대하여 안정적인 이득과 전력을 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 선형적 이득과 전력 제어 시 감쇄기의 감쇄량이 작은 영역에서부터 사용할 수 있으므로 고성능, 저전력의 RF 송수신기를 구현할 수 있다.
RF 송수신기, 온도 보상, 선형 이득

Description

RF 송수신기의 온도 보상 및 선형 이득 제어 장치 {Temperature Compensation and Linear Gain Control Apparatus for RF Transceiver}
도 1은 일반적인 전압제어 감쇄기의 제어전압에 대한 온도에 따른 감쇄특성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 RF 송수신기의 온도 보상 및 선형 이득제어 장치의 회로도이다.
도 3은 본 발명에 따른 기준전압 발생부에 의해 제어전압의 온도 보상을 한 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 기준전압 발생부와 차동 증폭부에 의해 제어전압의 온도보상을 한 결과를 나타내는 도면이다.
본 발명은 RF(Radio Frequency) 송수신기의 온도보상 및 선형적 이득 제어 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 전압제어형 감쇄기의 고유 특성인 온도에 따른 감쇄량 변화와 제어전압에 대한 비선형 감쇄특성을 보상하여 RF 송수신기를 온도변화에 대하여 안정화 하고 넓은 영역에서 선형적으로 이득을 제어하기 위한 기술에 관한 것이다.
고주파  감쇄기는 이동통신 기지국이나 중계기, 위성 통신용 이득 증폭기 등에 적용되는 회로로서, 외부 제어 명령이나 내부의 마이컴 등을 이용하여 감쇄 특성을 조정하게 된다.
감쇄기를 핀-다이오드를 이용하여 구성하는 경우, 입력전류에 따라 핀-다이오드의 RF저항이 대수(log)적으로 변하는 원리를 이용한다.  전류구동형 감쇄기를 제어하는 외부 제어 명령은 디지털/아날로그 변환기를 이용하여 아날로그 신호로 변환되고, 이렇게 변환된 신호가 역대수 증폭기를 통과하여 핀-다이오드의 대수 특성을 보상한 후 최종적으로 전압-전류 변환기를 거쳐 감쇄기를 구동시킨다.이에 따라 제어회로가 복잡해지는 문제가 발생한다.
또한 감쇄기에서 사용된 핀-다이오드는 온도에 따라 입력전류에 따른 감쇄특성이 선형적이지 않은 특성을 나타내므로, 이를 보상하기 위해 제어회로 내에 온도검출기 및 온도가 검출된 신호를 적절한 구동전압으로 바꾸는 기억소자 등이 추가되어야 한다. 그러므로, 제어회로의 복잡성이 증가될 뿐만 아니라 회로의 크기가 커져 회로 설계에 어려움이 수반되는 문제점도 발생한다.
이와 같은 제어회로의 복잡도 증가로 인해 감쇄기에 이득제어회로를 사용하는 방식이 있으나, 이는 이동통신 시스템 등에 적용하기가 어려울 뿐만 아니라 이득제어회로를 구현하더라도 제작비용이 증가하는 문제점이 있다.
최근에 구성 회로를 간단히 하는 기술로서, 감쇄기에서 사용한 동일한 핀-다이오드를 온도보상용으로 사용하는 방법이 제시되었다(국내특허, 10-2004-0013282). 온도 보상용 핀-다이오드를 감쇄기 근방에 위치하여 감쇄기의 동작온도와 동일하게 변화하도록 하는 보상 방법이다. 하지만 이 경우 온도보상은 가능하나 넓은 감쇄 영역에서 선형적 이득을 제공하지 못하는 단점이 있다. 또한 감쇄기의 제어 전압별 온도 특성이 다른 현상을 보상하지 못하는 기술적 한계가 있다.
이와 관련하여, 일반적인 전압제어 감쇄기의 특성을 보다 구체적으로 살펴볼 필요가 있다. 도 1는 일반적인 전압제어 감쇄기의 제어 전압(Vc)에 대한 저온, 상온, 고온에서의 감쇄특성을 도시한 것이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 전압제어 감쇄기는 온도에 따라 감쇄량이 변화한다. 즉 동일한 제어전압을 가한 상태에서, 고온에서는 상온에 비해 감쇄량이 증가하며, 저온에서는 상온에 비해 감쇄량이 감소한다. 따라서, 전압제어 감쇄기가 동일한 제어전압에 대해서 온도에 따라 다른 감쇄량을 나타냄으로써, RF 송수신기의 이득도 온도에 따라 변할 수 밖에 없는 문제점이 발생한다.
또한, 도1에 도시된 바와 같이, 일반적인 전압제어 감쇄기는 제어전압(Vc)에 따라 온도별 감쇄량의 변화량이 다르다. 즉, 제어전압 a에서의 온도에 따른 감쇄량의 변화량은 제어전압 b에서의 온도에 따른 감쇄량의 변화량보다 크다. 따라서, 전압제어 감쇄기의 온도 특성을 좀 더 정확히 보상하기 위해서는 이러한 점을 고려할 필요가 있다.
한편, 도1에 도시된 바와 같이, 일반적인 전압제어 감쇄기의 감쇄량은 제어 전압(Vc)에 대해 S 자 형태의 비선형적인 감쇄특성을 보인다. 종래에는 RF 송수신기의 선형 이득 제어를 위해 전압제어 감쇄기의 선형 영역만을 이용하였다. 도 1에서 제어 전압(Vc) 대하여 감쇄 특성이 선형적인 영역은 제어전압a에서 제어전압b까지의 영역이다. 제어전압a에서 제어전압b까지의 선형 영역에서 감쇄기를 사용하게 되면 선형적인 제어 특성을 얻을 수 있으나, 제어전압a에서의 감쇄량이 비선형적 감쇄 구역인 제어전압c에서의 감쇄량 보다 크므로 증폭기의 전력 소모가 증가할 수 있다. 또한 감쇄 영역의 감소로 인하여 보다 많은 감쇄기를 사용하여야 하는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, RF 송수신기의 이득 및 전력 특성을 온도변화에 따라 일정하게 유지할 뿐만 아니라 선형적 이득 및 전력 제어를 소형, 경량, 저가로 구현하는 기술을 제공한다.
제 1발명은 증폭된 RF(Radio Frequency) 신호의 출력을 조절하는 전압제어 감쇄기를 갖는 RF 송수신기의 온도보상 장치로서, 입력되는 제어비트 신호에 의해 감쇄량 설정 전압을 발생시키는 감쇄량 설정부, 온도에 따라 변화하는 기준전압을 발생시키는 기준전압 발생부와, 상기 감쇄량 설정 전압과 상기 기준전압의 차에 비례하는 제어전압을 출력하여 상기 전압제어 감쇄기에 제공하는 차동증폭부로 이루 어진다.
바람직하게는, 기준전압 발생부는 온도가 증가함에 따라 감소하는 기준전압을 발생시킨다.
제2발명은 증폭된 RF 신호의 출력을 조절하는 전압제어 감쇄기를 갖는 RF 송수신기의 온도보상 장치로서, 상기 전압제어 감쇄기의 감쇄 설정량에 해당하는 감쇄량 설정 전압을 발생시키는 감쇄량 설정부, 기준전압을 발생시키는 기준전압 발생부, 상기 감쇄량 설정 전압과 상기 기준전압의 차에 비례하는 제어전압을 출력하여 상기 전압제어 감쇄기에 제공하는 차동증폭부로 이루어지며, 상기 감쇄량 설정 전압에 대한 상기 제어전압의 기울기인 차동 증폭률이 온도에 따라 변화한다.
바람직하게는, 상기 차동증폭률은 온도가 증가함에 따라 증가한다.
바람직하게는, 상기 감쇄 설정량이 증가함에 따라 온도 변화에 대한 제어전압의 변화가 작다.
제3발명은 증폭된 RF 신호의 출력을 조절하는 전압제어 감쇄기를 갖는 RF 송수신기의 선형적 이득 제어 장치로서, 입력되는 제어비트 신호에 따라 감쇄량 설정 전압을 발생시키는 감쇄량 설정부, 기준전압을 발생시키는 기준전압 발생부와, 상기 감쇄량 설정 전압과 상기 기준전압의 차에 비례하는 제어전압을 출력하여 상기 전압제어 감쇄기에 제공하는 차동증폭부로 이루어지며, 상기 전압제어 감쇄기의 감쇄특성이 비선형인 구간에서 상기 제어전압이 비선형적으로 인가된다.
바람직하게는, 상기 제어전압의 증가에 따라 상기 전압제어 감쇄기의 감쇄량이 선형영역에 비해 크게 증가하는 구간에서는, 상기 제어비트 신호가 선형영역에 비해 작게 증가한다. 또한, 상기 제어전압의 증가에 따라 상기 전압제어 감쇄기의 감쇄량이 선형영역에 비해 작게 증가하는 구간에서는, 상기 제어비트 신호가 선형영역에 비해 크게 증가한다.
바람직하게는, 상기 기준전압 발생부는 온도가 증가함에 따라 감소하는 기준전압을 발생시킨다.
바람직하게는, 온도가 증가함에 따라, 상기 감쇄량 설정 전압에 대한 상기 제어전압의 기울기인 차동 증폭률이 증가한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본발명의 실시예를 상세히 기술한다.
온도에 따른 감쇄량 변화
전술한 바와 같이, 일반적인 전압제어 감쇄기는 온도에 따라 감쇄량이 변화한다. 즉 동일한 제어전압을 가한 상태에서, 고온에서는 상온에 비해 감쇄량이 증가하며, 저온에서는 상온에 비해 감쇄량이 감소한다. 본발명은 온도의 변화에 관계 없이 일정한 감쇄를 얻기 위해 제어 전압을 온도에 따라 변화시킨다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 RF 송수신기의 온도보상 및 선형 이득제어 회로도이다. RF 송수신기는 고주파증폭기(10), 전압제어 감쇄기(20) 및 고주파 증폭기로 이루어진다. RF 입력신호는 고주파 증폭기(10), 전압제어 감쇄기(20), 고주파 증폭기(30)를 차례로 거쳐 출력된다. 전압제어 감쇄기(20)는 고주파 증폭기(10)에 의해 증폭된 RF 신호의 이득을 정확하게 제어하기 위한 목적으로 사용된다.
온도보상 및 선형 이득 제어회로(100)는 감쇄량 설정부(110), 기준전압 발생부(120), 차동증폭부(130)로 이루어진다. 감쇄량 설정부(110)의 출력인 감쇄량 설정 전압(VD)은 제어비트신호가 마이크로 프로세서(111)를 통한 후 D/A(Digital to Analog) 변환부(112)를 거쳐 나온 전압이다. 제어비트신호는 원하는 감쇄 설정량에 해당하는 2진수이다. 그러므로 감쇄량 설정 전압(VD)은 원하는 감쇄 설정량에 따라 선형적으로 증감하는 전압이며, 온도에 대한 변화특성은 없다. 예를 들어 감쇄 설정량을 1dB 증가시키려면 제어비트신호도 그에 따라 증가하여 감쇄량 설정 전압(VD)은 10mV 증가하고, 감쇄 설정량을 2dB 증가시키려면 감쇄량 설정 전압(VD)은 20mV 증가하는 식으로 선형적으로 증감한다. 그러므로 감쇄량 설정 전압(VD)는 감쇄 설정량을 나타낸다고 볼 수 있다.
차동증폭부(130)는 감쇄량 설정부(110)의 출력전압인 감쇄량 설정 전압(VD)과 기준전압 발생부(120)의 출력전압인 기준전압(Vref)을 입력받아 전압제어 감쇄기(20)에 대한 제어전압(Vc)을 출력한다. 감쇄량 설정 전압(VD)은 저항 R5를 통해 연산증폭기 OP2의 (+) 입력단자에 입력되고, 기준전압(Vref)은 저항 R5*를 통해 연산증폭기 OP2의 (-) 입력단자에 입력된다. 저항 RT2와 저항 R6의 병렬 회로의 일단은 연산증폭기 OP2의 (+) 입력단자에 연결되고, 타단은 저항 R7을 통해 접지된다. 또한, 저항 RT2*와 저항 R6*의 병렬 회로의 일단은 연산증폭기 OP2의 (-)입력단자에 연결되고, 타단은 저항 R7*을 통해 연산증폭기 OP2의 출력단자에 연결된다. 저항 R5*, R6*, R7*, RT2*은 각각 저항 R5, R6, R7,RT2와 동일한 저항값을 갖는다.
차동증폭부(130)가 도2와 같은 구성을 가질 때, 차동증폭부(130)의 출력인 제어전압(Vc)은 수학식 1과 같이 표현된다.
Figure 112004058038349-PAT00001
원하는 감쇄 설정량에 대한 제어비트신호가 마이크로 프로세서(111) 및 D/A 변환부(112)를 통해 감쇄량 설정 전압(VD)으로 출력될 때, 감쇄량 설정 전압(VD)은 일정 전압으로 고정된다. 따라서, 수학식1에서 RT2를 온도에 따라 저항이 변하는 써미스터(thermistor)가 아니라 고정 저항으로 가정한 경우, 제어전압(Vc)이 온도에 따라 변하기 위해서는 기준전압(Vref)이 온도에 따라 변해야 한다.
기준전압 발생부(120)는 온도에 따라 기준전압(Vref)이 변하도록 구성된다. 저항 R1과 써미스터 RT1의 병렬회로의 일단은 접지되고, 타단은 연산증폭기 OP1의 (+) 입력단자에 연결된다. 저항 R2의 일단은 바이어스 전압(VB)에 연결되고 타단은 연산증폭기 OP1의 (+) 입력단자에 연결된다. 연산증폭기 OP1의 (-) 입력단자는 저항 R3를 통해 접지되고, 또한 저항 R4를 통해 연산증폭기 OP1의 출력단자에 연결된다.
기준 전압 발생부(120)가 상기 구성을 가지는 경우 기준전압 발생부(120)의 출력인 기준전압(Vref)는 수학식 2와 같이 표현된다.
Figure 112004058038349-PAT00002
써미스터 RT1은 온도에 따라서 저항이 감소하는 NTC(Negative Temperature Coefficient)형식을 사용하는 것이 바람직하다. 그리하여, 온도에 따라 변화하는 기준전압(Vref)에 의해 제어 전압(Vc)도 도3과 같이 온도에 따라 변화하게 됨으로써, 온도가 증가함에 따라 감쇄량이 커지는 전압제어 감쇄기의 특성을 보상하게 된다. 도 3에서 보는 바와 같이 감쇄 설정량이 동일하더라도 고온에서는 저온에 비해 제어 전압(Vc)이 작으므로 고온에서 감쇄량이 증가하는 감쇄기의 온도 특성을 보상하게 된다.
제어전압(Vc)에 따른 온도별 감쇄량의 변화량의 상이
전술한 바와 같이, 일반적인 전압제어 감쇄기는 제어전압(Vc)에 따른 온도별 감쇄량의 변화량이 다르다. 즉, 제어전압 a에서의 온도에 따른 감쇄량의 변화량은 제어전압 b에서의 온도에 따른 감쇄량의 변화량보다 크다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 도3의 감쇄 설정량에 따른 제어전압(Vc) 특성 그래프에서 제어전압(Vc)의 기울기를 온도에 따라 변화시킨다. 즉, 차동증폭부(130)의 차동 증폭률을 온도에 따라 변화시킨다.
차동 증폭부(130)의 출력인 제어전압(Vc)은 수학식1에서와 같이, 감쇄량 설정전압(VD)에 대해 저항 R5, R6, R7 및 써미스터 RT2에 의해 결정되는 기울기 즉, 차동 증폭률을 갖는다. 수학식1에서와 같이, 제어전압(Vc)은 써미스터 RT2에 의해 온도에 따라 차동 증폭률이 변할 수 있다. 써미스터 RT2는 온도에 따라서 저항이 증가하는 PTC(Positive Temperature Coefficient)형식을 사용하는 것이 바람직하다.
도 4는 기준전압 발생부(120)와 차동 증폭부(130)의 온도 특성을 이용한 제어전압(Vc)의 온도 보상 결과를 보여준다. 기준전압 발생부(120)의 기준 전압(Vref)을 온도에 따라 변화시켜 제어전압(Vc)은 온도에 따라 오프셋이 발생된 특성을 가지며, 차동 증폭부(130)의 차동 증폭률도 온도에 따라 변화시켜 제어전압(Vc)의 기울기가 변하는 특성을 갖는다.
도 4에서 보는 바와 같이, 감쇄 설정량이 작은 영역에서는 온도에 따른 제어전압(Vc)의 변화가 크며, 감쇄 설정량이 큰 영역에서는 상대적으로 제어전압(Vc)의 변화가 작다. 따라서, 일반적인 전압제어 감쇄기의 온도특성을 정확히 보상하게 된다. 즉, 본 발명은 온도에 따라 제어 전압(Vc)의 기울기를 변화시키는 차동 증폭부 회로를 추가하여 감쇄기의 온도 특성을 정확히 보상한다.
비선형적 감쇄특성
전술한 바와 같이, 일반적인 전압제어 감쇄기의 감쇄량은 제어전압(Vc)에 대해 S 자 형태의 비선형적인 감쇄특성을 보인다. 제어전압a에서 제어전압b까지의 선 형 영역에서 감쇄기를 사용하게 되면 선형적인 제어 특성을 얻을 수 있으나, 제어전압a에서의 감쇄량이 비선형적 감쇄 구역인 제어전압c에서의 감쇄량 보다 크므로 증폭기의 전력 소모가 증가할 수 있다. 또한 감쇄 영역의 감소로 인하여 보다 많은 감쇄기를 사용하여야 하는 문제점이 있다. 본발명은 전술한 문제점을 감쇄 설정량을 결정짓는 제어비트 스테이트(state)를 비선형적으로 구성함으로써 해결한다.
감쇄기의 감쇄량은 제어 비트신호에 의해 설정되어 단계적으로 동작한다. 예를 들어, 6비트의 제어신호를 사용하여 16dB의 감쇄영역을 갖는 감쇄기를 1dB 단위로 제어한다면, D/A 변환부(112)의 출력인 감쇄량 설정 전압(VD)은 000000비트에서는 0V, 111111비트에서는 0.63V와 같이 공급될 것이다. 감쇄량 설정 전압(VD)은 감쇄설정량의 증감에 따라 선형적으로 증가하게 된다. 종래에는 감쇄량 설정 전압(VD)을 출력시키는 제어비트 스테이트도 선형적으로 구성하였으나, 본 발명은 표1에서와 같이, 제어비트 스테이트(State)를 비선형적으로 구성하여 감쇄기의 감쇄량이 제어전압(Vc)에 대해S 자 형태의 비선형적인 감쇄특성을 가지는 것을 보상하여 선형적 이득 제어를 구현한다. 즉, 감쇄기의 비선형 영역에서는 감쇄 설정 제어 비트신호를 선형 영역에 비해 크거나 작게 증가하도록 한다. 제어전압에 따른 감쇄량이 선형영역에 비해 크게 증가하는 구간에서는 감쇄 설정 제어비트 신호가 선형영역에 비해 작게 증가하는 반면, 제어전압에 따른 감쇄량이 선형영역에 비해 작게 증가하는 구간에서는 감쇄 설정 제어비트 신호가 선형영역에 비해 크게 증가하도록 한다.
예를 들어, 표 1에서 순번 1번과 2번 사이, 그리고 2번과 3번 사이의 제어 비트 신호의 증가량은 순번 3번과 4번 사이 및 순번 4번과 5번사이 등의 제어비트 신호의 증가량에 비해 크다. 순번 1번과 2번 사이의 제어 비트의 증가량이 크면, 감쇄량 설정 전압의 증가량도 커지게 되고, 수학식1에서와 알 수 있듯이, 제어전압(Vc)의 증가량도 커지게 된다. 따라서 도1의 비선형 영역인 제어전압c와 제어전압a 사이 구간에서 제어전압(Vc)의 증가량이 크면 감쇄량도 커지게 되어 제어전압c와 제어전압a 사이 구간에서의 비선형 특성이 보상된다.
Figure 112004058038349-PAT00003
감쇄기의 비선형 특성에 맞게 제어비트 신호를 변형하면 감쇄기의 감쇄량이 작은 영역을 이용할 수 있으므로, 선형 영역을 확장하여 사용할 수 있다. 따라서 최저 감쇄량이 작아 고주파 증폭기의 전력 소모를 줄일 수 있으며 선형적으로 이득을 제어할 수 있다.
표 1과 같이 제어비트 스테이트(State)를 비선형적으로 구성하는 방법은 감쇄기의 감쇄량이 제어전압(Vc)에 대해 S 자 형태의 비선형적인 감쇄특성을 가지는 것에 부합하여 제어전압(Vc)도 비선형적으로 인가하여 선형적인 이득 제어 특성을 얻는 방법이다.
결론적으로, NTC 써미스터를 사용한 기준 전압 발생부(120)에서는 전압제어 감쇄기(20)의 온도에 대한 감쇄 특성을 보상하기 위하여 온도에 따라 변화하는 기준전압(Vref)을 제공하고, 차동 증폭부(130)에서는 PTC써미스터를 사용한 차동 증폭에 의하여 온도 별로 서로 다른 기울기를 갖는 제어전압(Vc)을 전압제어 감쇄기(20)에 공급해 주고, 감쇄량 설정부(110)에서는 제어비트 신호를 적절히 조정하여 감쇄기의 선형적 감쇄 영역을 확대한다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다. 특히, 본발명에 따른 선형적 이득 제어 기술은 선형적 전력제어 기술에 그대로 응용될 수 있다는 것을 당업자라면 잘 알 것이다.
본 발명에 따르면, RF 송수신기의 동작 시, 온도변화에 대하여 안정적인 이득과 전력을 제공할 수 있을 뿐만 아니라, 선형적 이득과 전력 제어 시 감쇄기의 감쇄량이 작은 영역에서부터 사용할 수 있으므로 고성능, 저전력의 RF 송수신기를 구현할 수 있다.

Claims (15)

  1. 증폭된 RF(Radio Frequency) 신호의 출력을 조절하는 전압제어 감쇄기를 갖는 RF 송수신기의 온도보상 장치에 있어서,
    입력되는 제어비트 신호에 의해 감쇄량 설정 전압을 발생시키는 감쇄량 설정부;
    온도에 따라 변화하는 기준전압을 발생시키는 기준전압 발생부;
    상기 감쇄량 설정 전압과 상기 기준전압의 차에 비례하는 제어전압을 출력하여 상기 전압제어 감쇄기에 제공하는 차동증폭부를 포함하는
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기준전압 발생부는 온도가 증가함에 따라 감소하는 기준전압을 발생시키는
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기준전압 발생부는
    상기 기준전압을 출력하는 제1선형 증폭기를 포함하고,
    제1저항과 제1 써미스터의 병렬회로의 일단은 접지되고 타단은 상기 제1선형 증폭기의 (+)단자에 연결되며,
    제2저항의 일단은 바이어스전압에 연결되고 타단은 상기 제1선형 증폭기의 (+)단자에 연결되고,
    제3저항의 일단은 접지되고 타단은 상기 제1선형 증폭기의 (-)단자에 연결되며,
    제4저항의 일단과 타단이 각각 상기 제1선형 증폭기의 (-)단자와 출력단자에 연결되고,
    상기 제1 써미스터는 온도증가에 따라 저항이 감소하는
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
  4. 제3항에 있어서
    상기 기준전압은 하기의 수학식에 의해 구해지는
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
    Figure 112004058038349-PAT00004
    (단, Vref는 기준전압, VB는 바이어스 전압, R1,R2,R3,R4는 각각 제1,2,3,4저항, RT1은 제1써미스터)
  5. 증폭된 RF(Radio Frequency) 신호의 출력을 조절하는 전압제어 감쇄기를 갖는 RF 송수신기의 온도보상 장치에 있어서,
    상기 전압제어 감쇄기의 감쇄 설정량에 해당하는 감쇄량 설정 전압을 발생시키는 감쇄량 설정부;
    기준전압을 발생시키는 기준전압 발생부;
    상기 감쇄량 설정 전압과 상기 기준전압의 차에 비례하는 제어전압을 출력하여 상기 전압제어 감쇄기에 제공하는 차동증폭부를 포함하며,
    상기 감쇄량 설정 전압에 대한 상기 제어전압의 기울기인 차동 증폭률이 온도에 따라 변화하는
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 차동증폭률은 온도가 증가함에 따라 증가하는
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 감쇄 설정량이 증가함에 따라 온도 변화에 대한 제어전압의 변화가 작은
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 차동증폭부는
    상기 제어전압을 출력하는 제2선형 증폭기를 포함하고,
    상기 감쇄량 설정전압이 제5저항을 통해 상기 제2선형 증폭기의 (+)단자에 입력되며,
    제6저항과 제2써미스터의 병렬회로의 일단은 상기 제2선형 증폭기의 (+)단자에 연결되고 타단은 제7저항을 통해 접지되고,
    상기 기준전압이 제8저항을 통해 상기 제2선형 증폭기의 (-)단자에 입력되며,
    제9저항과 제3써미스터의 병렬회로의 일단은 상기 제2선형 증폭기의 (-)단자에 연결되고 타단은 제10저항을 통해 상기 제2 선형 증폭기의 출력단자에 연결되고,
    상기 제5,6,7저항은 각각 상기 제8,9,10저항과 동일한 저항값을 가지며,
    상기 제2써미스터와 상기 제3써미스터는 동일한 저항값을 가지고 온도의 증가에 따라 저항이 증가하는
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어전압은 하기의 수학식에 의해 구해지는
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
    Figure 112004058038349-PAT00005
    (단, Vc는 제어전압, VD는 감쇄량 설정 전압, Vref는 기준전압, R5,6,7은 각각 제5,6,7 저항, RT2는 제2써미스터)
  10. 제8항에 있어서,
    상기 기준전압 발생부는
    상기 기준전압을 출력하는 제1선형 증폭기를 포함하고,
    제1저항과 제1 써미스터의 병렬회로의 일단은 접지되고 타단은 상기 제1선형 증폭기의 (+)단자에 연결되며,
    제2저항의 일단은 바이어스전압에 연결되고 타단은 상기 제1선형 증폭기의 (+)단자에 연결되고,
    제3저항의 일단은 접지되고 타단은 상기 제1선형 증폭기의 (-)단자에 연결되며,
    제4저항의 일단과 타단이 각각 상기 제1선형 증폭기의 (-)단자와 출력단자에 연결되고,
    상기 제1 써미스터는 온도증가에 따라 저항이 감소하는
    RF 송수신기의 온도보상 장치.
  11. 증폭된 RF(Radio Frequency) 신호의 출력을 조절하는 전압제어 감쇄기를 갖는 RF 송수신기의 선형적 이득 제어 장치에 있어서,
    입력되는 제어비트 신호에 따라 감쇄량 설정 전압을 발생시키는 감쇄량 설정부;
    기준전압을 발생시키는 기준전압 발생부; 및
    상기 감쇄량 설정 전압과 상기 기준전압의 차에 비례하는 제어전압을 출력하여 상기 전압제어 감쇄기에 제공하는 차동증폭부를 포함하며,
    상기 전압제어 감쇄기의 감쇄특성이 비선형인 구간에서 상기 제어전압을 비선형적으로 인가하는
    RF 송수신기의 선형 이득 제어 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제어비트 신호를 비선형적으로 입력하는
    RF 송수신기의 선형 이득 제어 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제어전압의 증가에 따라 상기 전압제어 감쇄기의 감쇄량이 선형영역에 비해 크게 증가하는 구간에서는 상기 제어비트 신호가 선형영역에 비해 작게 증가하고,
    상기 제어전압의 증가에 따라 상기 전압제어 감쇄기의 감쇄량이 선형영역에 비해 작게 증가하는 구간에서는 상기 제어비트 신호가 선형영역에 비해 크게 증가하는
    RF 송수신기의 선형 이득 제어 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 기준전압 발생부는 온도가 증가함에 따라 감소하는 기준전압을 발생시키는
    RF 송수신기의 선형 이득 제어 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    온도가 증가함에 따라, 상기 감쇄량 설정 전압에 대한 상기 제어전압의 기울기인 차동 증폭률이 증가하는
    RF 송수신기의 선형 이득 제어 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2021145465A1 (ko) * 2020-01-13 2021-07-22 엘지전자 주식회사 차량에 탑재되는 안테나 시스템
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06216788A (ja) * 1993-01-14 1994-08-05 Nec Corp 送信電力制御方式の通信装置
JP3073122B2 (ja) * 1993-12-22 2000-08-07 シャープ株式会社 可変減衰器
KR20000019800A (ko) * 1998-09-15 2000-04-15 윤종용 이동 통신용 기지국 송신기의 가변 감쇄기
KR20040038417A (ko) * 2002-11-01 2004-05-08 엘지전자 주식회사 자동 이득 제어 장치 및 그 동작 방법
KR20060032287A (ko) * 2004-10-12 2006-04-17 주식회사 팬택 이동통신 단말기에서의 알에프 송신 전력 보상 장치 및 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021145465A1 (ko) * 2020-01-13 2021-07-22 엘지전자 주식회사 차량에 탑재되는 안테나 시스템
KR20220121781A (ko) * 2020-01-13 2022-09-01 엘지전자 주식회사 차량에 탑재되는 안테나 시스템
KR20220059889A (ko) * 2020-11-03 2022-05-10 김완수 이득제어 가능한 rf 송수신기

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