KR20060064422A - 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은 전면 글라스 상부에 투명전극을 포함하는 복수의 유지전극쌍이 설치된 전면 패널과 상기 유지전극쌍과 교차되도록 대향하여 형성된 복수의 어드레스 전극이 설치된 후면 패널을 포함하고, 상기 전면 패널을 형성하는 과정은 (a) 상기 전면 글라스 상부에 투명전극을 형성하는 단계, (b) 상기 투명전극의 페이스트 상부에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하여 노광하는 단계, (c) 상기 노광된 투명전극을 에칭하여 제 1 패턴을 형성하는 단계, 및 (d) 상기 투명전극에 레이저를 이용하여 제 2 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은 전면 글라스 상부에 투명전극을 포함하는 복수의 유지전극쌍이 설치된 전면 패널과 상기 유지전극쌍과 교차되도록 대향하여 형성된 복수의 어드레스 전극이 설치된 후면 패널과 상기 후면패널에 플라즈마 방전 시 양광주(Positive Column)영역을 이용할 수 있도록 방전셀을 구획하는 격벽을 포함하고, 상기 전면 패널을 형성하는 과정은 (a) 상기 전면 글라스 상부에 투명전극을 형성하는 단계, (b) 상기 투명전극의 상부에 양광주 영역을 이용할 수 있도록 형성된 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하여 노광하는 단계, (c) 상기 노광된 투명전극을 에칭하여 제 1 패턴을 형성하는 단계, 및 (d) 상기 투명전극에 레이저를 이용하여 제 2 패턴을 형성하는 단계를 포함 하는 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법{Making Method of Plasma Display Panel}
도 1은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 따른 공정을 순차적으로 나타낸 공정도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조공정 중 투명전극을 형성하는 과정을 순차적으로 나타낸 평면 공정도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
300 : 전면 글라스 301a, 302a : 투명전극
A : 드라이 필름 포토 레지스트 B : 포토 마스크
301b : 버스 전극 303 : 유전체층
304: 보호층
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 전면패널의 투명전극 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 패널과 후면 패널 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온과 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet Rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면 패널(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테 인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.
후면 패널(110)은 복수 개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 살펴보면 다음 도 2와 같다.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, (a) 단계에서는 화상이 디스플레이 될 표시면인 전면 글라스 상부(200)에 산화인듐과 산화주석으로 이루어진 ITO를 E-beam이나 스퍼터링 방법을 이용하여 소정의 두께로 증착하여 전면 글라스 상부 표면에 투명전극(201a, 202a)을 형성한다.
이 후, (b) 단계에서, 투명전극(201a, 202a) 상부에 포토 레지스트(Photo Resist), 예컨대 드라이 필름 포토 레지스트(Dry Film Photo Resist: 이하 'DFR'이라 함.)(A)를 라미네이팅하여 형성한다. (c) 단계에서, 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(Photo Mask)(B)를 DFR(A) 상부에 올려놓고, 광을 조사하여 DFR(A)을 경화시킨다. 이러한 공정을 노광공정(Photolithography)이라 한다. 노광공정을 거친 전면 글라스는 (d) 단계에서 현상공정을 통하여 경화되지 않은 DFR을 세척하고, 이 후, (e) 단계에서 샌드블러스트나 에칭을 하여 투명전극을 소정의 패턴으로 형성하고, (f) 단계에서 DFR이 제거됨으로써 스캔 전극 및 서스테인 전극용 투명전극(201a, 202a)의 패턴이 형성된다.
이 후, (g) 단계에서, 투명전극(201a, 202a) 상부에 버스전극을 형성한다. 이러한 버스전극의 형성 방법의 일례를 살펴보면, 감광성의 은(Ag)페이스트를 스크린 인쇄(Screen-printing)방식으로 인쇄한 후, 상술한 방법과 마찬가지로 노광공정을 이용하여 버스전극(201b)을 형성한다. 그 후, 550℃ 정도의 온도로 가열하여 소성을 행함으로써 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된다.
이 후, (h) 단계에서, 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된 전면 글라스 상부에 유전체층을 형성한다. 이러한 유전체층의 형성의 예를 들면, 유전체 유리 페이스트를 도포하여 건조한 후, 약 500℃ ∼ 600℃의 온도로 소성을 행하여 유전체층(203)을 형성한다.
마지막으로, (i) 단계에서, 유전체층(203)의 표면상에 CVD법, 이온도금법이나 진공증착법 등을 이용하여 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호층(204)이 형성되어 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널이 완성된다.
한편, 상술한 바와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조공정에서 DFR을 이용하여 투명전극을 패터닝 하는 경우, DFR의 두께가 10㎛ ~ 75㎛로 상대적으로 두껍고, 노광시에 포토 마스크와 DFR간의 갭을 100㎛ ~ 200㎛로 설정하기 때문에 투명전극의 패턴을 샤프니스하게 구현할 수 없다는 문제점을 가지고 있다.
이러한 문제점은 특히, 플라즈마 방전시 양광주 영역을 이용하기 위하여 투명 전극간 갭을 조절시 더욱 더 잘 나타난다.
이와 같이 투명전극의 패턴이 샤프니스(Sharpness)하게 형성되지 않게 되면 플라즈마 디스플레이 패널 구동시 투명전극간의 갭 전압 특성 즉, 스캔 전극과 서스테인 전극간의 서스테인 전압 특성에 악영향을 끼치고 어드레스 방전시 지터링현상을 유발하여 방전효율을 저하시키게 된다.
따라서 본 발명은 투명전극간의 갭을 좀 더 샤프니스하게 형성하여 플라즈마 디스플레이 패널 구동 시 방전 효율을 향상시키기 위한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은 전면 글라스 상부에 투명전극을 포함하는 복수의 유지전극쌍이 설치된 전면 패널과 상기 유지전극쌍과 교차되도록 대향하여 형성된 복수의 어드레스 전극이 설치된 후면 패널을 포함하고, 전면 패널을 형성하는 과정은 (a) 전면 글라스 상부에 투명전극을 형성하는 단계, (b) 투명전극의 페이스트 상부에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하여 노광하는 단계, (c) 노광된 투명전극을 에칭하여 제 1 패턴을 형성하는 단계, 및 (d) 투명전극에 레이저를 이용하여 제 2 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
제 2 패턴은 투명전극간의 갭을 형성하는 것을 특징으로 한다.
투명전극간의 갭은 20㎛이상 40㎛이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은 전면 글라스 상부에 투명전극을 포함하는 복수의 유지전극쌍이 설치된 전면 패널과 유지전극쌍과 교차되도록 대향하여 형성된 복수의 어드레스 전극이 설치된 후면 패널과 후면패널에 플라즈마 방전시 양광주(Positive Column)영역을 이용할 수 있도록 방전셀을 구획하는 격벽을 포함하고, 전면 패널을 형성하는 과정은 (a) 전면 글라스 상부에 투명전극을 형성하는 단계, (b) 투명전극의 페이스트 상부에 양광주 영역을 이용할 수 있도록 형성된 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하여 노광하는 단계, (c) 노광된 투명전극을 에칭하여 제 1 패턴을 형성하는 단계, 및 (d) 투명전극에 레이저를 이용하여 제 2 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
제 1 패턴은 투명전극간의 방전점화전극을 형성하는 마스크를 사용하는 것을 특징으로 한다.
제 1 패턴을 형성한 투명전극간의 갭은 10㎛이상 100㎛이하인 것을 특징으로 한다.
제 2 패턴은 방전점화전극이 이격되어 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명한다.
<제 1실시예>
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조공정을 순차적으로 나타낸 공정도이다.
도 3을 살펴보기 전에, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 복수의 유지전극쌍이 설치된 전면 패널과 유지전극쌍과 교차되도록 대향하여 형성된 복수의 어드레스 전극이 설치된 후면 패널이 일정한 간격을 두고 실링된다.
이와 같이 형성된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 전면 패널은 도 3에 도시된 바와 같이, (a) 단계에서 화상이 디스플레이 될 표시면인 전면 글라스 상부(300)에 산화인듐과 산화주석으로 이루어진 ITO를 E-beam이나 스퍼터링 방법을 이용하여 소정의 두께로 증착하여 투명전극(301a, 302a)을 형성한다.
이 후, (b) 단계에서, 투명전극(301a, 302a) 상부에 포토 레지스트(Photo Resist), 예컨대 드라이 필름 포토 레지스트(Dry Film Photo Resist: 이하 'DFR'이라 함.)(A)를 라미네이팅하여 형성한다.
(c) 단계에서, 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(B)를 DFR(A) 상부에 올려놓고, 광을 조사하여 DFR(A)을 경화시킨다. 이러한 공정을 노광공정이라 한다.
노광공정을 거친 전면 글라스는 (d) 단계에서 현상공정을 통하여 경화되지 않은 DFR(A)을 세척하고, 이 후, (e) 단계에서 샌드블러스트법 또는 에칭법을 통해 투명전극을 제 1 패턴으로 형성한다. 이렇게 형성된 제 1 패턴은 후술할 제 2 패턴에 비하여 상대적으로 샤프니스 허용오차가 커도 상관없다. 왜냐하면 제 1 패턴의 경우 방전셀 간의 투명전극 패턴을 형성하는 것이므로 플라즈마 디스플레이 패널 방전시 투명전극 패턴의 샤프니스 정도에 의한 방전효율과 같은 특성에 영향을 주지 않기 때문이다. 따라서 제 1 패턴은 후술할 제 2 패턴에 비하여 상대적으로 샤프니스(Sharpness)의 정도가 낮아도 관계없다.
이 후, (f) 단계에서 제 1 패턴이 형성된 투명전극에 레이저를 조사하여 방전이 발생될 투명전극간의 갭 즉, (g) 단계에서와 같이 상대적으로 허용오차의 범위가 작은 스캔 전극 및 서스테인 전극용 투명전극(301a, 302a)의 제 2 패턴을 형성한다. 이렇게 형성된 제 2 패턴은 투명전극의 제 1 패턴에 비하여 상대적으로 샤프니스가 좋아진다. 여기서, 레이저를 이용하여 제 2 패턴을 형성하는 이유를 살펴보면 레이저는 광의 세기를 제어하기 용이하여 미세패턴의 샤프니스 특성을 더욱 향상시킬 수 있기 때문이다.
이와 같이 레이저 광을 이용하여 제 2 패턴을 형성하는 (f) 단계에서 레이저를 조사하여 형성하는 투명전극간의 갭의 크기는 20㎛이상 40㎛이하인 것이 바람직하다. 이는 방전셀 내에서 방전을 위한 공간 확보 및 플라즈마 디스플레이 패널의 고정세화 특성을 고려한 것이다.
이 후, (h)단계에서 투명전극 상부에 버스전극을 형성한다. 버스전극의 형성 방법은 여러 가지 방법으로 이루어질 수 있지만 그 중 한 일례를 살펴보면, 감광성 의 은(Ag)페이스트를 스크린 인쇄(Screen-printing)방식으로 인쇄한 후, 상술한 방법과 마찬가지로 노광공정을 이용하여 버스전극(301b)을 형성한다. 그 후, 소정 온도 예컨대, 550℃ 정도의 온도로 가열하여 소성을 행하게 되면 투명전극과 버스전극이 일체화 되어 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된다.
이 후, (i) 단계에서, 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된 전면 글라스 상부에 유전체층을 형성한다. 이러한 유전체층의 형성방법의 예를 들면, 유리 페이스트를 도포하여 건조한 후, 약 500℃ ∼ 600℃의 온도로 소성을 행하여 유전체층(303)을 형성한다.
마지막으로, (j) 단계에서, 유전체층(303)의 표면상에 CVD법, 이온도금법이나 진공증착법 등을 이용하여 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호층(304)이 형성되어 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널이 완성된다.
이와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 투명전극 간의 갭을 레이저를 이용하여 형성하게 되면 투명전극간의 갭이 샤프니스하게 형성되고, 이로 인하여 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 방전시 지터링 현상이 개선됨과 동시에 방전특성이 향상된다.
한편, 레이저를 이용하여 투명전극의 패턴을 형성하는 방법은 양광주 방전을 이용하는 방전셀의 전극구조를 형성하는데 더욱 효과적으로 적용될 수 있다. 이러한 전극구조를 형성하는 방법을 살펴보면 다음 제 2 실시예와 같다.
<제 2 실시예>
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조공정 중 투명전극을 형성하는 과정을 순차적으로 나타낸 평면 공정도이다.
도 4를 살펴보기 전에, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 본 발명의 제 1 실시예와 마찬가지로 복수의 유지전극쌍이 설치된 전면 패널과 유지전극쌍과 교차되도록 대향하여 형성된 복수의 어드레스 전극이 설치된 후면 패널이 일정한 간격을 두고 실링된다. 다만, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 플라즈마 방전시 양광주 영역을 이용할 수 있는 방전셀을 구획하도록 격벽이 소정의 폭으로 형성된다.
이와 같이 형성된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서 전면 패널의 투명전극은 도 4에 도시된 바와 같이, 화상이 디스플레이 될 표시면인 전면 글라스 상부(400)에 산화인듐과 산화주석으로 이루어진 ITO를 E-beam이나 스퍼터링 방법을 이용하여 소정의 두께로 증착하여 투명전극(401a, 402a)을 형성한다.
이 후, 투명전극(401a, 402a) 상부에 포토 레지스트(Photo Resist), 예컨대 드라이 필름 포토 레지스트(Dry Film Photo Resist: 이하 'DFR'이라 함.)(403)를 라미네이팅하여 형성한다.
이 후, 양광주 영역을 이용할 수 있는 소정의 패턴이 형성된 포토 마스크(404)를 DFR(403) 상부에 올려놓고, 광을 조사하여 DFR(403)을 경화시킨다. 이러한 공정을 노광공정이라 한다.
여기서 양광주 영역을 이용할 수 있는 소정의 패턴이란, 구동 효율의 감소를 억제하기 위한 투명전극간의 돌출부 예컨대, 후술할 방전점화전극을 형성하는 패턴을 말한다.
이와 같이 노광공정을 거친 전면 글라스는 현상공정을 통하여 경화되지 않은 DFR(403)을 세척하고, 샌드블러스트법 또는 에칭법을 통해 투명전극(401a, 402a)을 제 1 패턴으로 형성한다. 여기서 형성된 제 1 패턴의 투명전극간의 갭(dB)은 10㎛이상 100㎛이하인 것이 바람직하다.
이렇게 형성된 제 1 패턴은 후술할 제 2 패턴에 비하여 상대적으로 샤프니스 허용오차가 커도 상관없다. 왜냐하면 제 1 패턴의 경우 방전셀 간의 투명전극 패턴을 형성하는 것이므로 플라즈마 디스플레이 패널 방전시 투명전극 패턴의 샤프니스 정도에 의한 방전효율과 같은 특성에 영향을 주지 않기 때문이다. 따라서 제 1 패턴은 후술할 제 2 패턴에 비하여 상대적으로 샤프니스의 정도가 낮아도 관계없다.
이 후, 제 1 패턴이 형성된 투명전극에 레이저를 조사하여 방전이 발생될 투명전극간의 갭 즉, 상대적으로 허용오차의 범위가 작은 스캔 전극용 투명전극 및 서스테인 전극용 투명전극의 제 2 패턴을 형성한다. 이렇게 형성된 제 2 패턴의 스캔 전극용 투명전극 및 서스테인 전극용 투명전극은 예컨대, 방전점화전극(405b, 406b)을 포함한다. 여기서 말하는 방전점화전극이란, 방전효율을 최대로 향상시키기 위하여 투명전극간의 갭(dB)을 크게 하였을 경우, 투명전극간의 방전 개시 전압의 상승 및 구동 효울 감소를 억제하기 위하여 스캔 전극의 투명전극과 서스테인 전극의 투명전극에 각각 방전 개시 전압을 낮추기 위한 돌출부를 형성하는 전극을 말한다. 이렇게 형성된 방전점화전극간의 갭(dA)에서 방전을 일으키게 된다. 이러 한 방전점화전극은 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 시 상대적으로 낮은 전압에서 방전을 일으켜 방전셀의 전체로 방전을 확산하도록 하는 것이다.
이렇게 형성된 제 2 패턴은 투명전극의 제 1 패턴에 비하여 상대적으로 샤프니스가 좋아진다. 여기서, 레이저를 이용하여 제 2 패턴을 형성하는 이유를 살펴보면 레이저는 광의 세기를 제어하기 용이하여 미세패턴의 샤프니스 특성을 더욱 향상시킬 수 있기 때문이다.
이 후의 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널 제조 방법은 제 1 실시예와 마찬가지로 형성된 스캔 전극용 투명전극과 서스테인 전극용 투명전극 각 상부에 버스전극을 형성한다. 버스전극의 형성방법은 여러 가지 방법으로 이루어질 수 있지만 그 중 한 일례를 살펴보면, 감광성의 은(Ag)페이스트를 스크린 인쇄(Screen-printing)방식으로 인쇄한 후, 상술한 방법과 마찬가지로 노광공정을 이용하여 버스전극을 형성한다. 그 후, 소정 온도 예컨대, 550℃ 정도의 온도로 가열하여 소성을 행하게 되면 투명전극과 버스전극이 일체화 되어 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된다.
이 후, 스캔 전극 및 서스테인 전극이 형성된 전면 글라스 상부에 유전체층을 형성한다. 이러한 유전체층의 형성방법의 예를 들면, 유리 페이스트를 도포하여 건조한 후, 약 500℃ ∼ 600℃의 온도로 소성을 행하여 유전체층을 형성한다.
이렇게 형성된 유전체층의 표면상에 CVD법, 이온도금법이나 진공증착법 등을 이용하여 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 보호층이 형성되어 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널이 완성된다.
이와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 방전점화전극을 포함하는 투명전극 간의 갭을 레이저를 이용하여 형성하게 되면 투명전극간의 갭이 샤프니스하게 형성되고, 이로 인하여 플라즈마 디스플레이 패널의 어드레스 방전 시 지터링 현상 및방전특성이 향상된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 보는 바와 같이, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 제조시 전면 패널에 형성된 투명전극의 제조방법을 달리하여 투명전극 간 갭면의 샤프니스를 높이고 이에 따라 어드레스 방전 시 지터링 현상을 억제함과 동시에 방전특성을 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법은 특히, 양광주 영역을 이용하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법에 적용되어 상술한 어드레스 방전시 지터링 현상 및 방전특성을 향상 시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 전면 글라스 상부에 투명전극을 포함하는 복수의 유지전극쌍이 설치된 전면 패널과 상기 유지전극쌍과 교차되도록 대향하여 형성된 복수의 어드레스 전극이 설치된 후면 패널을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법에 있어서,
    상기 전면 패널을 형성하는 과정은
    (a) 상기 전면 글라스 상부에 투명전극을 형성하는 단계;
    (b) 상기 투명전극의 페이스트 상부에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하여 노광하는 단계;
    (c) 상기 노광된 투명전극을 에칭하여 제 1 패턴을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 투명전극에 레이저를 이용하여 제 2 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 패턴은 상기 투명전극간의 갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 투명전극간의 갭은 20㎛이상 40㎛이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  4. 전면 글라스 상부에 투명전극을 포함하는 복수의 유지전극쌍이 설치된 전면 패널과 상기 유지전극쌍과 교차되도록 대향하여 형성된 복수의 어드레스 전극이 설치된 후면 패널과 상기 후면패널에 플라즈마 방전 시 양광주(Positive Column)영역을 이용할 수 있도록 방전셀을 구획하는 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법에 있어서,
    상기 전면 패널을 형성하는 과정은
    (a) 상기 전면 글라스 상부에 투명전극을 형성하는 단계;
    (b) 상기 투명전극의 상부에 양광주 영역을 이용할 수 있도록 형성된 소정의 패턴을 갖는 마스크를 배치하여 노광하는 단계;
    (c) 상기 노광된 투명전극을 에칭하여 제 1 패턴을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 투명전극에 레이저를 이용하여 제 2 패턴을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 패턴은 상기 투명전극간의 방전점화전극을 형성하는 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1 패턴을 형성한 투명전극간의 갭은 10㎛이상 100㎛이하인 것을 특 징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 제 2 패턴은 방전점화전극이 이격되어 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
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