KR20060061934A - 반도체 설비의 인터락 시스템 및 방법 - Google Patents

반도체 설비의 인터락 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 소자 제조 장치의 인터락 시스템 및 인터락 방법은 감지부에서 다수의 설비에서 발생하는 각각의 알람을 분류하여 감지하고, 제어부에서 각 설비별로 감지된 알람 발생 회수를 카운팅, 상기 알람 발생 회수와 기준 회수와 비교 및 상기 알람 발생 회수가 상기 기준 회수 이상인 경우, 인터락을 위한 제어 신호를 발생한다. 상기 제어 신호에 따라 인터락 설정부에서 해당 설비를 인터락시킨다. 작업자가 상기 해당 설비의 이상 유무를 점검하고, 상기 해당 설비의 점검 결과에 따라 인터락 해제부는 상기 해당 설비의 인터락을 해제시킨다.

Description

반도체 설비의 인터락 시스템 및 방법{System and method for interlocking equipment for semiconductor}
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 설비의 인터락 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 설비의 인터락 방법을 설명하기 위한 개략적인 흐름도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 감지부 120 : 제어부
122 : 카운터 124 : 비교부
126 : 신호 발생부 130 : 인터락 설정부
140 : 인터락 해제부 150 : 반도체 설비
본 발명은 반도체 설비의 인터락 시스템 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 반도체 설비의 이상으로 인한 알람 발생을 이용하여 상기 반도체 설비를 인터락시킬 수 있는 반도체 설비의 인터락 시스템 및 방법에 관한 것이다.
최근, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 소자도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능적인 면에 있어서, 상기 반도체 소자는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응함으로서, 상기 반도체 소자는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다.
일반적으로 반도체 소자는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 소자들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 소자들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기와 같은 다양한 공정은 각각 상기 공정을 수행하기 위한 반도체 설비에서 이루어진다. 상기 반도체 설비로는 증착 장치, 화학적 기계적 연마 장치, 노광 장치, 식각 장치, 이온 주입 장치, 세정 장치 및 검사 장치 등이 있다. 상기 반도 체 설비는 상기 반도체 소자 제조 공정을 수행하는 도중 상기 설비 차체에 이상이 발생하거나, 내부의 공정 파라미터 등에 이상이 발생할 수 있다. 이 경우 상기 반도체 설비의 알람부에서 알람 신호를 발생하게 된다.
그러나 상기 알람 신호는 상기 반도체 설비에서 경미한 이상에 의한 것이거나 반도체 소자 제조 공정에 큰 이상을 줄 정도가 아닌 이상에 의한 것인 경우가 많다. 따라서 상기 알람 신호는 단지 경고만 할 뿐 상기 반도체 설비의 작동을 멈추게 하지는 않는다.
그런데 상기와 같은 알람 신호라도 반복하여 발생한다는 것은 상기 반도체 설비에 지속적으로 어떠한 문제가 있다는 것을 의미한다. 상기의 문제로 인해 상기 반도체 설비에 중대한 문제가 발생하고, 이로해 반도체 소자의 품질에 영향을 줄 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 반도체 설비의 알람 신호를 이용하여 반도체 설비를 인터락시킬 수 있는 반도체 설비의 인터락 시스템을 제공하는데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 목적은 반도체 설비의 알람 신호를 이용하여 반도체 설비를 인터락시킬 수 있는 반도체 설비의 인터락 방법을 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하 면, 반도체 설비 인터락 시스템은 다수의 설비의 이상시 상기 다수의 설비 각각으로부터 발생하는 알람 신호를 감지하는 감지부를 구비한다. 제어부는 상기 감지부의 알람 신호의 감지 횟수에 따라 제어 신호를 발생하며, 인터락 설정부는 상기 제어 신호에 따라 상기 설비들을 인터락시킨다.
상기 반도체 설비 인터락 시스템은 상기 설비들의 인터락을 해제하기 위한 인터락 해제부를 더 포함할 수 있다.
상기 제어부는 상기 감지부의 알람 신호 감지 회수를 카운팅하는 카운터, 상기 카운터의 카운팅 회수와 기준 회수를 비교하는 비교부 및 상기 비교부의 비교 결과 상기 카운팅 회수가 기준 회수 이상인 경우 상기 제어 신호를 발생하는 신호 발생부를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 바람직한 일 실시예에 따른 반도체 설비의 인터락 방법을 제공한다. 상기 반도체 설비의 인터락 방법은 우선 다수의 설비 자체 또는 파라미터의 이상시 상기 다수의 설비로부터 발생하는 알람 신호를 감지한 후, 상기 알람 신호의 감지 횟수에 따라 제어 신호를 발생한다. 상기 제어 신호에 따라 상기 설비를 인터락시킨다. 다음으로 상기 설비의 이상 유무를 점검한다.
상기 반도체 설비의 인터락 방법은 상기 설비의 점검 결과에 따라 상기 인터락된 설비의 인터락을 해제할 수 있다.
상기에서 상기 알람 신호의 감지 회수를 카운팅하고, 상기 카운팅 회수와 기준 회수를 비교한 후, 상기 비교 결과 상기 카운팅 회수가 기준 회수 이상인 경우 상기 제어 신호를 발생하게 된다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 설비의 인터락 시스템 및 방법은 특정 반도체 설비에서 기 설정 회수 이상으로 알람 신호가 발생하는 경우 상기 해당 반도체 설비를 인터락시키고 상기 해당 반도체 설비를 점검한다. 따라서 상기 해당 반도체 설비의 이상 유무를 확인할 수 있으므로 상기 반도체 설비의 이상으로 인한 문제 발생을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 설비의 인터락 시스템 및 방법에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 설비의 인터락 시스템을 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
상기 반도체 설비의 인터락 시스템은 크게 감지부(110), 제어부(120), 인터락 설정부(130) 및 인터락 해제부(140)를 구비한다.
감지부(110)는 반도체 설비(150)의 자체적인 이상 또는 공정 파라미터의 이상 등의 원인으로 상기 반도체 설비(150)에서 발생하는 알람 신호를 감지한다. 상기 감지부(110)는 상기 반도체 설비(150)와 인접하도록 배치되어 상기 반도체 설비(150)에서 발생하는 알람음을 감지함으로써 상기 알람 신호를 감지하거나, 상기 반도체 설비(150)와 연결되도록 구비되어 상기 반도체 설비(150)의 전기적인 신호를 이용하여 상기 알람 신호를 감지할 수 있다.
상기 감지부(110)는 하나의 반도체 설비(150)와 연결될 수도 있지만 다수의 반도체 설비(150)와 각각 연결되는 것이 바람직하다.
상기 감지부(110)가 다수의 반도체 설비(150)와 각각 연결되는 경우, 상기 감지부(110)는 각각의 반도체 설비(150)에서 발생하는 알람 신호를 분류하여 감지한다. 예를 들면, 상기 감지부(110)는 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 장치에서 발생하는 알람 신호, 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 장치에서 발생하는 알람 신호, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 장치에서 발생하는 알람 신호, 막을 식각하기 위한 식각 장치에서 발생하는 알람 신호, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 장치에서 발생하는 알람 신호, 웨이퍼의 표면을 검사하기 위한 검사 장치에서 발생하는 알람 신호 등 다양한 알람 신호를 구분하여 감지한다.
상기 제어부(120)는 상기 감지부(110)와 연결되며, 상기 감지부(110)에서 감지되는 알람 신호의 감지 회수에 따라 상기 반도체 설비(150)의 인터락을 위한 제어 신호를 발생한다.
상기 제어부(120)는 상기 감지부(110)에서 감지되는 알람 신호의 회수를 카운팅하기 위한 카운터(122), 상기 카운터(122)의 카운팅 회수와 기준 회수를 비교하는 비교부(124) 및 상기 제어 신호를 발생하기 위한 신호 발생부(126)로 구성된다.
상기 카운터(122)는 상기 감지부(110)에서 각각의 반도체 설비(150)에 따라 구분하여 감지된 알람 신호를 카운팅한다. 이때 상기 카운터(122)는 각각의 반도체 설비(150) 별로 상기 감지부(110)에서 감지된 알람 신호를 카운팅한다.
예를 들면, 상기 반도체 설비(150)의 증착 장치에서 이상이 3번 생겨 3번의 알람 신호를 발생하면 상기 감지부(110)는 상기 증착 장치의 알람 신호로 감지하고 카운터(122)는 상기 증착 장치의 알람 신호의 발생 회수가 3이라고 카운팅한다. 상기 증착 장치의 알람 신호는 연달아 3번 발생할 수도 있고, 상기 반도체 설비(150)를 구성하는 다른 장치들의 알람 신호와 번갈아 발생할 수도 있다. 또한 상기 증착 장치의 알람 신호는 다른 장치들의 알람 신호와 동시에 발생할 수도 있다.
따라서 상기 카운터(122)는 각각의 반도체 설비(150) 별로 알람 신호의 발생 회수를 카운팅한다.
상기 비교부(124)는 상기 카운터(122)에서 각각의 반도체 설비(150) 별로 카운팅된 알람 신호의 회수와 기준 회수를 비교한다. 상기 비교부(124)에 기준 회수는 상기 다수의 반도체 설비(150) 전체에 균일하게 설정될 수 있지만, 상기 다수의 반도체 설비(150)에 개별적으로 설정되는 것이 바람직하다. 경미한 이상이 다소 발생하더라도 반도체 설비(150)에 큰 영향을 미치지 않는 경우, 상기 반도체 설비(150)의 기 설정 회수를 많게 설정하고, 경미한 이상이더라도 반도체 설비(150)에 큰 영향을 미치는 경우, 상기 반도체 설비(150)의 기 설정 회수를 적게 설정한다.
상기 신호 발생부(126)는 상기 비교부(124)에서의 비교 결과 상기 카운팅 회수가 기준 회수 이상인 경우 반도체 설비(150)를 인터락하기 위한 제어 신호를 발생한다. 상기 제어 신호는 해당 반도체 설비(150), 즉 알람 신호의 발생 회수가 기준 회수 이상인 반도체 설비(150)만을 인터락시키기 위한 제어 신호이다.
상기 신호 발생부(126)는 상기 비교부(124)의 비교 결과 상기 카운팅 회수가 기준 회수 미만인 경우 어떠한 신호도 발하지 않는다.
상기 인터락 설정부(130)는 상기 제어부(120)의 제어 신호, 구체적으로 신호 발생부(126)의 제어 신호에 따라 카운터(122)에서 상기 알람 신호가 기준 회수 이상으로 발생한 반도체 설비(150)를 인터락시킨다. 상기 인터락 설정부(130)는 상기 제어 신호에 따라 해당 반도체 설비(150) 만을 인터락시키고, 나머지 반도체 설비(150)는 작동 상태가 유지된다.
상기 인터락 해제부(140)는 작업자의 조치에 의해 인터락이 설정된 반도체 설비(150)의 인터락을 해제한다. 상기 작업자는 상기 반도체 설비(150)가 인터락되면 상기 반도체 설비(150)의 이상 유무를 조사하게 된다. 상기 반도체 설비(150)의 이상이 심각한 경우 상기 이상을 해결된 뒤 상기 작업자의 조치에 의해 상기 반도체 설비(150)의 인터락이 해제된다. 상기 반도체 설비(150)의 이상이 경미한 경우 별도의 조치없이 상기 반도체 설비(150)의 인터락이 해제될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 설비의 인터락 방법을 설명하기 위한 개략적인 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 우선 반도체 설비(150) 자체에 이상이 있거나, 상기 반도체 설비(150)의 공정 파라미터 등에 이상이 있는 경우 상기 반도체 설비(150)는 알람 신호를 발생한다. 상기 반도체 설비(150)에서 발생하는 알람 신호를 감지부(110)에서 감지한다. 이때 상기 감지부(110)는 상기 알람 신호를 각각의 반도체 설비(150) 별로 구분하여 감지한다. (S110)
상기 감지부(110)의 감지 결과에 따라 상기 제어부(120)의 카운터(122)는 상기 알람 신호 발생 회수를 카운팅한다. 상기 카운터(122)는 상기 알람 신호의 회수 를 각각의 반도체 설비(150) 별로 구분하여 카운팅한다.(S120)
상기 비교부(124)는 상기 카운터(122)의 카운팅된 상기 알람 신호의 회수와 기준 회수를 서로 비교한다. 상기 비교부(124)는 상기 카운터(122)의 카운팅 회수가 변경되면 기준 회수와 비교를 진행한다. 상기 비교부(124)는 각각의 반도체 설비(150) 별로 비교를 진행한다.(S130)
상기 비교부(130)의 비교 결과 알람 발생 회수가 상기 기준 회수보다 작은 경우에는 상기 감지부(110)에서 알람 신호 감지를 계속하고, 상기 카운터(122)에서 상기 알람 신호의 카운팅을 계속한다.
상기 비교부(130)의 비교 결과 알람 발생 회수가 상기 기준 회수와 동일한 경우 상기 신호 발생부(126)에서 인터락을 위한 제어 신호를 발생한다. 상기 제어 신호는 상기 알람 발생 회수가 상기 기준 회수 이상인 반도체 설비(150)에만 적용되는 제어 신호이다.(S140)
상기 신호 발생부(126)의 제어 신호에 따라 상기 인터락 설정부(130)는 상기 알람 발생 회수가 상기 기준 회수 이상인 반도체 설비(150)를 인터락시킨다. 따라서 상기 반도체 설비(150)의 작동이 일시적으로 중단된다.(S150)
상기 반도체 설비(150)에 인터락이 설정되면, 작업자는 상기 반도체 설비(150)를 점검한다. 작업자는 상기 반도체 설비(150)에 이상이 있는 경우 상기 반도체 설비(150)를 정비 또는 교체 등의 작업을 수행한다. 상기 반도체 설비(150)의 이상이 경미한 경우 별도의 상기 반도체 설비(150)의 정비 또는 교체 작업이 수행되지 않을 수도 있다.(S160)
상기와 같이 상기 반도체 설비(150)에 대한 작업자의 점검이 완료되면, 상기 작업자의 조치에 따라 상기 반도체 설비(150)에 대한 인터락을 해제한다.(S170)
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 설비의 인터락 시스템 및 방법은 특정 반도체 설비에서 이상을 나타내는 알람 신호가 반복하여 발생하는 경우 상기 반도체 설비를 인터락시켜 점검하므로 상기 반도체 설비의 이상이 사고로 이어지는 것을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 다수의 설비의 이상시 상기 다수의 설비들로부터 발생하는 알람 신호를 감지하는 감지부;
    상기 감지부의 알람 신호의 감지 횟수에 따라 제어 신호를 발생하는 제어부; 및
    상기 제어 신호에 따라 상기 설비들을 인터락시키는 인터락 설정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치의 인터락 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 설비들의 인터락을 해제하기 위한 인터락 해제부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치의 인터락 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 감지부의 알람 신호 감지 회수를 카운팅하는 카운터;
    상기 카운터의 카운팅 회수와 기준 회수를 비교하는 비교부; 및
    상기 비교부의 비교 결과 상기 카운팅 회수가 기준 회수 이상인 경우 상기 제어 신호를 발생하는 신호 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치의 인터락 시스템.
  4. 다수의 설비의 이상시 상기 다수의 설비들로부터 발생하는 알람 신호를 감지 하는 단계;
    상기 알람 신호의 감지 횟수에 따라 제어 신호를 발생하는 단계;
    상기 제어 신호에 따라 상기 설비를 인터락시키는 단계; 및
    상기 설비의 이상 유무를 점검하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치의 인터락 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 설비의 점검 결과에 따라 상기 인터락된 설비의 인터락을 해제하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치의 인터락 방법.
  6. 제4항에 있어서, 각각의 설비에서 발생하는 알람 신호를 구분하여 감지하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치의 인터락 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제어 신호를 발생하는 단계는
    상기 알람 신호의 감지 회수를 카운팅하는 단계;
    상기 카운팅 회수와 기준 회수를 비교하는 단계; 및
    상기 비교 결과 상기 카운팅 회수가 기준 회수 이상인 경우 상기 제어 신호를 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치의 인터락 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 카운팅 단계에서 각각의 설비별로 알람 신호 감지 회수를 카운팅하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치의 인터락 방법.
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