KR20060061449A

KR20060061449A - Method for designing mask

Info

Publication number: KR20060061449A
Application number: KR1020040100191A
Authority: KR
Inventors: 유경희
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-12-02
Filing date: 2004-12-02
Publication date: 2006-06-08

Abstract

노광 공정 시 사용되는 마스크를 제작하기 전에 마스크를 설계하는 방법에서, 셀 패턴의 크기 및 수량과 스크라이브 레인의 폭 및 수량을 설정하여 메인 패턴의 크기를 설정한다. 상기 메인 패턴의 위치 좌표를 상기 다수의 정렬 마크들의 위치 좌표를 이용하여 설정한 후, 상기 메인 패턴의 위치 좌표 및 상기 다수의 정렬 마크들의 위치 좌표 사이의 이격 거리와, 상기 메인 패턴의 위치 좌표 및 상기 다수의 정렬 마크들의 위치 좌표 사이의 기 설정된 이격 거리와 비교하여 상기 메인 패턴이 펠리클 내에 위치하는지 판단한다. 따라서, 메인 패턴이 펠리클에 의해 오버랩되어 현상을 방지할 수 있다.In the method of designing the mask before fabricating the mask used in the exposure process, the size of the main pattern is set by setting the size and quantity of the cell pattern and the width and quantity of the scribe lane. After setting the position coordinates of the main pattern using the position coordinates of the plurality of alignment marks, the separation distance between the position coordinates of the main pattern and the position coordinates of the plurality of alignment marks, the position coordinates of the main pattern and It is determined whether the main pattern is located in the pellicle by comparing with a predetermined separation distance between the position coordinates of the plurality of alignment marks. Therefore, the main pattern is overlapped by the pellicle to prevent the phenomenon.

Description

Method for designing mask

도 1은 메인 패턴이 펠리클과 오버랩된 마스크를 간략하게 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for briefly explaining a mask in which a main pattern overlaps a pellicle.

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 마스크 설계 방법을 설명하기 위한 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a mask design method according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 설명된 마스크 설계 방법에 따라 설계된 마스크를 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view for describing a mask designed according to the mask designing method described in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 마스크 설계 방법을 설명하기 위한 순서도이다.4 is a flowchart illustrating a mask design method according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 설명된 마스크 설계 방법에 따라 설계된 마스크을 설명하기 위한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view for describing a mask designed according to the mask designing method described in FIG. 4.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 마스크 110 : 메인 패턴100: mask 110: main pattern

112 : 셀 패턴 114 : 스크라이브 레인112: cell pattern 114: scribe lane

120 : 정렬 마크 122 : 제1정렬 마크120: alignment mark 122: first alignment mark

124 : 제2정렬 마크 130 : 펠리클124: second alignment mark 130: pellicle

140 : 기 설정된 셀 패턴 형성 영역140: preset cell pattern formation region

본 발명은 마스크 설계 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노광 공정에 사용되는 마스크를 설계하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask design method, and more particularly, to a method for designing a mask used in an exposure process.

근래에 반도체 제조 기술은 정보 통신 기술의 비약적인 발전에 따라 집적도, 신뢰도 및 처리 속도 등을 향상시키는 방향으로 발전되고 있다. 상기 반도체는 실리콘 단결정으로부터 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼를 제작하고, 상기 반도체 기판 상에 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다. 상기 패턴들은 막 형성, 사진 식각, 연마, 이온 주입 등의 단위공정들의 선택적 또는 반복적 수행에 따라 형성된다.Recently, semiconductor manufacturing technology has been developed in the direction of improving integration, reliability, and processing speed according to the rapid development of information and communication technology. The semiconductor is produced by fabricating a silicon wafer used as a semiconductor substrate from a silicon single crystal, forming a film on the semiconductor substrate, and forming the film in a pattern having electrical properties. The patterns are formed by selective or repetitive performance of unit processes such as film formation, photolithography, polishing, and ion implantation.

상기와 같은 단위 공정들 중에서 사진 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트(photo resist) 막을 형성하고 이를 경화시키는 공정과, 반도체 기판 상에 형성된 포토레지스트 막을 원하는 포토레지스트 패턴으로 형성하기 위해 소정 부위를 제거하는 노광 공정 및 현상 공정을 포함한다.Among the above-described unit processes, a photo process includes forming a photoresist film on a semiconductor substrate and curing the photoresist film, and removing a predetermined portion to form a photoresist film formed on the semiconductor substrate into a desired photoresist pattern. An exposure process and a developing process.

상기와 같이 소정의 포토레지스트 패턴을 상기 반도체 기판 상에 형성하기 위하여 상기 패턴을 가진 마스크가 필요하다. 상기 마스크는 통상적으로 석영 기판 상에 광을 차단하기 위한 크롬(Cr)으로 패턴을 형성한 것을 의미하며, 광이 상기 마스크 상으로 조사될 때, 석영 영역에서는 광이 통과하고 크롬 패턴은 광을 차단하여 상기 패턴을 형성한다. As described above, a mask having the pattern is required to form a predetermined photoresist pattern on the semiconductor substrate. The mask typically means a pattern formed of chromium (Cr) for blocking light on a quartz substrate. When light is irradiated onto the mask, light passes through the quartz area and the chrome pattern blocks light. To form the pattern.

상기 마스크에 형성된 패턴은 렌즈에 의해 반도체 기판 상에 축소 투영되어 상기 반도체 기판 상에 형성된 실제 패턴 비율과 보통 4:1 또는 5:1 정도로 축소된다.The pattern formed in the mask is reduced and projected onto the semiconductor substrate by the lens, and is usually reduced to about 4: 1 or 5: 1 with the actual pattern ratio formed on the semiconductor substrate.

상기 마스크에 대하여 자세하게 살펴보면, 마스크에는 소정의 패턴을 가진 메인 패턴과, 상기 소정의 패턴들 사이를 구별하기 위한 스크라이브 래인(scribe lane)과, 상기 메인 패턴을 반도체 기판 상의 소정의 영역에 위치시키기 위한 마스크 정렬 마크(reticle align mark) 및 등록 마크(registration mark)와, 마스크 번호 및 정보를 가지고 있는 바코드(bar code) 등이 형성되어 있다. 또한, 상기 마스크는 상기 메인 패턴을 보호하기 위한 펠리클(pellicle)을 포함한다.In detail, the mask includes a main pattern having a predetermined pattern, a scribe lane for distinguishing the predetermined patterns, and a position for positioning the main pattern in a predetermined region on the semiconductor substrate. A mask alignment mark and a registration mark, a bar code having a mask number and information, and the like are formed. The mask also includes a pellicle to protect the main pattern.

한편, 반도체 장치의 양산성을 향상시키기 위하여 상기 마스크의 제작 시 메인 패턴의 크기를 증가시키는 것이 바람직하다. 구체적으로, 메인 패턴에 포함되는 셀 패턴의 수량을 증가시키는 것이 바람직하다. 이는 일 회의 노광 공정의 수행으로 보다 많은 셀들을 노광하기 위함이다. 그러나, 마스크의 크기 및 펠리클의 크기가 고정되어 있으므로, 이에 대한 제약이 있다.Meanwhile, in order to improve mass productivity of the semiconductor device, it is preferable to increase the size of the main pattern when fabricating the mask. Specifically, it is desirable to increase the number of cell patterns included in the main pattern. This is to expose more cells in one performance of the exposure process. However, since the size of the mask and the size of the pellicle are fixed, there are limitations on this.

도 1을 참조하면, 상기 메인 패턴(10)의 크기를 증대시키는 것에 있어서, 상기 메인 패턴(10)이 펠리클(20) 등과 같은 고정된 위치에 있는 것들에 의해 오버랩(overlap)되는 경우가 종종 발생되고 있다. 또한, 상기 메인 패턴(10)의 크기가 과도하게 증가된 경우, 다수의 반복적인 노광 공정들을 통해 기판 상에 전사된 메인 패턴(10)들 사이에서 충분한 이격 거리가 확보되지 않은 문제점이 발생될 수 있다.Referring to FIG. 1, in increasing the size of the main pattern 10, the main pattern 10 often overlaps with those in a fixed position such as the pellicle 20. It is becoming. In addition, when the size of the main pattern 10 is excessively increased, a problem may not occur in which sufficient separation distance is not secured between the main patterns 10 transferred on the substrate through a plurality of repetitive exposure processes. have.

상기와 같은 현상은 마스크 제작 과정에서 메인 패턴(10)의 크기를 설정한 후 이에 대한 검증 작업이 선행되지 않기 때문이다. 구체적으로, 설정된 메인 패턴(10)의 크기가 마스크 및 기 설정되어 있는 셀 패턴(22) 형성 영역 또는 펠리클(20)의 크기에 대하여 적정한 수준인지 사전에 확인되지 않은 상태에서 마스크의 제작 공정이 수행되기 때문이다. 따라서, 설정된 마스크의 크기가 적정 수준인지를 확인할 수 있는 마스크 설계 방법이 요구되고 있다.The above phenomenon is because a verification operation is not performed after setting the size of the main pattern 10 in the mask fabrication process. Specifically, the mask fabrication process is performed in a state in which it is not confirmed in advance whether the size of the set main pattern 10 is an appropriate level with respect to the size of the mask and the predetermined cell pattern 22 forming region or the pellicle 20. Because it becomes. Therefore, there is a need for a mask design method capable of confirming whether or not the size of the set mask is at an appropriate level.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 마스크의 메인 패턴이 펠리클과 오버랩되지 않고, 상기 메인 패턴들 사이의 거리가 충분히 이격된 마스크를 설계하는 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to provide a method for designing a mask in which the main pattern of the mask does not overlap the pellicle, and the distance between the main patterns is sufficiently spaced apart.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 포토리소그래피를 위한 마스크 상에 메인 패턴을 형성하기 위하여 셀 패턴 크기 및 수량과 스크라이브 레인의 폭 및 수량을 설정하여 상기 메인 패턴의 크기를 설정하는 단계와, 상기 마스크 상에서 기 설정된 다수의 정렬 마크들의 위치 좌표를 기준으로 상기 메인 패턴의 위치 좌표를 설정하는 단계와, 상기 정렬 마크의 위치 좌표 및 상기 메인 패턴의 위치 좌표 사이의 이격 거리를 산출하는 단계와, 상기 산출된 이격 거리와 상기 정렬 마크의 위치 좌표 및 메인 패턴의 위치 좌표 사이의 기 설정된 이격 거리를 비교하여, 상기 메인 패턴이 기 설정된 셀 패턴 형성 영역 내에 위치하는지 판단하는 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention for achieving the above object, in order to form a main pattern on the mask for photolithography to set the size and the number of the cell pattern and the width and quantity of the scribe lane to set the size of the main pattern And setting position coordinates of the main pattern based on position coordinates of a plurality of alignment marks preset on the mask, and calculating a separation distance between the position coordinates of the alignment marks and the position coordinates of the main pattern. And comparing the calculated separation distance with a predetermined separation distance between the position coordinates of the alignment mark and the position coordinates of the main pattern, and determining whether the main pattern is located within a preset cell pattern formation region. .

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 포토리소그래피를 위한 마스크 상에 메인 패턴을 형성하기 위하여 셀 패턴 크기 및 수량과 스크라이브 레인의 폭 및 수량을 설정하여 상기 메인 패턴의 크기를 설정하는 단계와, 상기 마스크 상에서 기 설정된 다수의 정렬 마크들의 위치 좌표를 기준으로 상기 메인 패턴의 위치 좌표를 설정하는 단계와, 상기 정렬 메인 패턴의 위치 좌표와 기 설정된 셀 패턴 형성 영역의 위치 좌표를 비교하여, 상기 메인 패턴이 기 설정된 셀 패턴 형성 영역 내에 위치하는 지 판단하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention for achieving the above object, in order to form the main pattern on the mask for photolithography to set the size and the number of the cell pattern and the width and quantity of the scribe lane to set the size of the main pattern Setting the position coordinates of the main pattern based on the position coordinates of the plurality of alignment marks preset on the mask, comparing the position coordinates of the alignment main pattern with the position coordinates of the preset cell pattern formation region. And determining whether the main pattern is located within a preset cell pattern formation region.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 상기 메인 패턴이 기 설정된 셀 패턴 형성 영역 내에 위치하는지 비교 및 판단하여 상기 메인 패턴이 정렬 마크와 오버랩되는 현상를 미연에 방지할 수 있으며, 상기 메인 패턴들 사이의 거리를 충분히 이격시킬 수 있다.According to the present invention as described above, it is possible to prevent the phenomenon that the main pattern overlaps with the alignment mark by comparing and determining whether the main pattern is located within a predetermined cell pattern formation region, and the distance between the main patterns It can be spaced far enough.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들에 따른 마스크 설계 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a mask design method according to preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 설계 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이고, 도 3은 도 2에 설명된 마스크 설계 방법에 따라 형성된 마스크를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a schematic flowchart illustrating a mask design method according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a mask formed according to the mask design method described in FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 마스크(100)는 소정의 패턴을 형성하는 메인 패턴(110)과, 다수의 정렬 마크들(120)을 포함한다. 상기 메인 패턴(110)은 셀 패턴(112)과 스크라이브 레인(114)을 포함하며, 상기 셀 패턴(112)의 크기 및 수량과 상기 스크라이브 레인(114)의 폭 및 수량에 따라 상기 메인 패턴(110)의 크기가 조절된다.2 and 3, the mask 100 includes a main pattern 110 forming a predetermined pattern and a plurality of alignment marks 120. The main pattern 110 includes a cell pattern 112 and a scribe lane 114, and the main pattern 110 according to the size and quantity of the cell pattern 112 and the width and quantity of the scribe lane 114. ) Is scaled.

상기 다수의 정렬 마크들(120)에는 상기 마스크(100)의 에지 부위에 근접하게 위치하는 제1정렬 마크(122)들과, 상기 마스크(100)의 변 부위에 근접하게 위치하는 제2정렬 마크(124)들을 포함한다. 상기 제1 및 제2정렬 마크(120)들과 상기 메인 패턴(110) 사이의 이격 거리(150)가 각각 동일해야 한다.The plurality of alignment marks 120 include first alignment marks 122 positioned close to an edge portion of the mask 100, and second alignment marks positioned close to a side portion of the mask 100. And (124). The separation distance 150 between the first and second alignment marks 120 and the main pattern 110 should be the same.

자세하게, 상기 메인 패턴(110)의 꼭지점과 상기 제1정렬 마크(122)들과의 이격 거리가 동일하여야 하고, 상기 제2정렬 마크(124)와 상기 메인 패턴(110)의 변상의 점들 사이의 이격 거리(150)가 동일해야한다. 이때, 상기 제1정렬 마크(122)들과 상기 메인 패턴(110)의 꼭지점과의 이격 거리(150)가 동일하여도, 상기 제2정렬 마크(124)와 상기 메인 패턴(110)의 변상의 점들 사이의 이격 거리(미도시)가 동일하지 않으면 상기 패턴은 상기 패턴의 중심으로 회전되어 위치하고 있다고 판단된다.In detail, a distance between a vertex of the main pattern 110 and the first alignment marks 122 should be equal to each other, and between the second alignment marks 124 and the points of the deformation of the main pattern 110. The separation distance 150 should be the same. In this case, even when the distance 150 between the first alignment marks 122 and the vertex of the main pattern 110 is the same, the second alignment mark 124 and the main pattern 110 may be displaced. If the distance (not shown) between the points is not the same, it is determined that the pattern is rotated and positioned to the center of the pattern.

또한, 상기 마스크(100)에는 상기 마스크(100)로 침입할 수 있는 오염물을 차단하기 위하여 펠리클(130)이 더 포함된다. 상기 펠리클(130)은 모딴 부분을 가지고 있으며, 본 실시예에서 기 설정된 셀 패턴 형성 영역(140)은 상기 펠리클(130)과 실질적으로 동일하다.In addition, the mask 100 further includes a pellicle 130 to block contaminants that may invade the mask 100. The pellicle 130 has a chamfered portion, and in the present embodiment, the preset cell pattern forming region 140 is substantially the same as the pellicle 130.

상기와 같은 구성 요소를 갖는 마스크(100)를 설계하는 방법을 살펴보면, 마스크(100)의 셀 패턴(112) 크기 및 수량과 스크라이브 레인(114)의 폭 및 수량을 설정하여 메인 패턴(110)의 크기를 설정하고(S11), 상기 메인 패턴(110)을 정렬하 기 위한 다수의 정렬 마크들(120)의 위치 좌표를 기준으로 상기 메인 패턴(110)의 위치 좌표를 설정한다.(S12) 이어서, 상기 정렬 마크의 위치 좌표 및 상기 메인 패턴(110)의 위치 좌표 사이의 이격 거리(150)와 상기 정렬 마크의 위치 좌표 및 메인 패턴(110)의 위치 좌표 사이의 기 설정된 이격 거리(152)를 비교하여, 메인 패턴(110)이 기 설정된 셀 패턴 형성 영역(140) 내에 위치하는지 판단하여 수행된다.(S14)Looking at the method of designing the mask 100 having the above components, by setting the size and quantity of the cell pattern 112 and the width and quantity of the scribe lane 114 of the mask 100 of the main pattern 110 Set the size (S11), and set the position coordinates of the main pattern 110 based on the position coordinates of the plurality of alignment marks 120 for aligning the main pattern 110. (S12) , A predetermined distance 152 between the position coordinates of the alignment mark and the position coordinates of the main pattern 110 and the position coordinates of the alignment mark and the position coordinates of the main pattern 110. In comparison, it is performed by determining whether the main pattern 110 is located in the predetermined cell pattern formation region 140 (S14).

자세하게, 상기 셀 패턴(112) 크기 및 수량과 스크라이브 레인(114)의 폭 및 수량을 설정하여 메인 패턴(110)의 크기를 설정한다.(S11) 상기 메인 패턴(110)의 크기는 셀 패턴(112) 크기 및 수량과 스크라이브 레인(114)의 폭 및 수량에 따라 변화되는 반면, 상기 다수의 정렬 마크들(120)의 위치는 고정되어 있다.In detail, the size of the main pattern 110 is set by setting the size and quantity of the cell patterns 112 and the width and quantity of the scribe lanes 114 (S11). 112) varies depending on size and quantity and width and quantity of scribe lanes 114, while the position of the plurality of alignment marks 120 is fixed.

이이서, 상기 설정된 메인 패턴(110)의 꼭지점의 위치 좌표를 다수의 정렬 마크들(120)에 의해 설정한다. 본 실시예에서는 제1정렬 마크(122)들을 이용하여 상기 메인 패턴의 꼭지점의 위치 좌표(116)를 설정한다.(S12)Next, the position coordinates of the vertices of the set main pattern 110 are set by the plurality of alignment marks 120. In the present exemplary embodiment, the position coordinates 116 of the vertices of the main pattern are set using the first alignment marks 122 (S12).

상기 메인 패턴의 꼭지점의 위치 좌표(116)와 상기 제1정렬 마크(122) 사이의 이격 거리를 산출하고,(S13) 메인 패턴(110)의 꼭지점의 위치 좌표(116)와 제1정렬 마크(122) 사이의 기 설정된 이격 거리(152)와 비교한다.(S14)The separation distance between the position coordinates 116 of the vertices of the main pattern and the first alignment mark 122 is calculated (S13), and the position coordinates 116 and the first alignment marks of the vertices of the main pattern 110 ( It compares with the predetermined separation distance 152 between 122. (S14)

상기 산출된 이격 거리(150)가 상기 기 설정된 이격 거리(152) 내에 있는 경우, 상기 메인 패턴(110)이 기 설정된 셀 패턴 형성 영역(140), 즉 펠리클(130) 영역 내부에 위치하는 것으로 판단하여 상기 메인 패턴(110)의 크기를 유지하여 마스크(100) 제작을 수행한다. When the calculated separation distance 150 is within the predetermined separation distance 152, it is determined that the main pattern 110 is located inside the predetermined cell pattern formation region 140, that is, the pellicle 130 region. By maintaining the size of the main pattern 110 to produce a mask 100.

이와는 다르게, 상기 산출된 이격 거리(150)가 상기 기 설정된 이격 거리(152)를 벗어나는 경우, 상기 메인 패턴(110)이 상기 펠리클(130)과 오버랩된다고 판단하여 상기 메인 패턴(110)의 크기를 조절하여 상기와 같은 단계를 다시 수행한다. Unlike this, when the calculated separation distance 150 is out of the predetermined separation distance 152, it is determined that the main pattern 110 overlaps with the pellicle 130 to determine the size of the main pattern 110. Adjust and repeat the above steps.

상기와 같은 방법을 이용하면, 상기 메인 패턴 꼭지점 좌표(116)와 다수의 정렬 마크(122) 사이의 이격 거리(150)를 기 설정된 이격 거리(152)와 비교한 후, 마스크(100)를 제작하기 때문에 상기 메인 패턴(110)이 펠리클(130)에 오버랩되는 현상을 미연에 방지할 수 있다. 또한, 상기 마스크(100) 상에 형성될 메인 패턴(110) 사이 또한 충분히 이격될 수 있다.By using the method as described above, after comparing the separation distance 150 between the main pattern vertex coordinate 116 and the plurality of alignment marks 122 with a predetermined separation distance 152, a mask 100 is manufactured. Therefore, the phenomenon in which the main pattern 110 overlaps the pellicle 130 may be prevented in advance. In addition, the main patterns 110 to be formed on the mask 100 may also be sufficiently spaced apart.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 설계 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이고, 도 5는 도 4에 설명된 마스크 설계 방법에 따라 형성된 마스크를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a schematic flowchart illustrating a mask design method according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a mask formed according to the mask design method described in FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 마스크(200)를 설계하는 방법을 살펴보면, 마스크(200)의 셀 패턴(212) 크기 및 수량과 스크라이브 레인(214)의 폭 및 수량을 설정하여 메인 패턴(210)의 크기를 설정하고,(S110) 상기 메인 패턴(210)을 정렬하기 위한 다수의 정렬 마크들의 위치 좌표를 기준으로 상기 메인 패턴(210)의 위치 좌표를 설정한다.(S120) 이어서, 상기 메인 패턴(210)의 꼭지점 위치 좌표 및 기 설정된 셀 패턴(212) 형성 영역 사이의 이격 거리와 상기 메인 패턴(210)의 위치 좌표 및 기 설정된 셀 패턴(212) 형성 영역 사이의 이격 거리 사이의 기 설정된 이격 거리를 비교하여, 메인 패턴(210)이 기 설정된 셀 패턴(212) 형성 영역 내에 위치 하는지 판단하여 수행된다.(S130)4 and 5, a method of designing the mask 200 will be described. The main pattern 210 may be set by setting the size and quantity of the cell pattern 212 of the mask 200 and the width and quantity of the scribe lane 214. ) And set the position coordinates of the main pattern 210 based on the position coordinates of the plurality of alignment marks for aligning the main pattern 210 (S120). A predetermined distance between a vertex position coordinate of the pattern 210 and a distance between the predetermined cell pattern 212 forming region and a distance between the position coordinate of the main pattern 210 and the predetermined cell pattern 212 forming region The separation is performed by comparing the separation distance and determining whether the main pattern 210 is located within the predetermined cell pattern 212 formation region (S130).

자세하게, 상기 셀 패턴(212) 크기 및 수량과 스크라이브 레인(214)의 폭 및 수량을 설정하여 메인 패턴(210)의 크기를 설정한다.(S110) 상기 메인 패턴(210)의 크기는 셀 패턴(212) 크기 및 수량과 스크라이브 레인(214)의 폭 및 수량에 따라 변화되는 반면, 상기 다수의 정렬 마크들(220)의 위치는 고정되어 있다. In detail, the size of the main pattern 210 is set by setting the size and quantity of the cell pattern 212 and the width and quantity of the scribe lane 214. (S110) The size of the main pattern 210 is a cell pattern ( 212) vary in size and quantity and the width and quantity of the scribe lane 214, while the position of the plurality of alignment marks 220 is fixed.

이이서, 상기 설정된 메인 패턴(210)의 꼭지점의 위치 좌표를 다수의 정렬 마크들(220)에 의해 설정한다. 본 실시예에서는 제1정렬 마크(222)들을 이용하여 상기 메인 패턴(210)의 꼭지점의 위치 좌표를 설정한다.(S120)Next, the position coordinates of the vertices of the set main pattern 210 are set by the plurality of alignment marks 220. In the present embodiment, the position coordinates of the vertices of the main pattern 210 are set using the first alignment marks 222 (S120).

상기 메인 패턴의 꼭지점의 위치 좌표(216)와 기 설정된 셀 패턴 형성 영역의 꼭지점 좌표(242)를 비교한다. 자세하게, 상기 메인 패턴(210) 꼭지점 위치 좌표가 상기 기 설정된 셀 패턴(212) 형성 영역의 꼭지점 좌표 내에 위치하는 경우, 상기 메인 패턴(210)이 상기 기 설정된 셀 패턴 형성 영역(240) 즉, 펠리클(210) 내부에 위치하는 것으로 판단하여(S130) 상기 메인 패턴(210)의 크기를 유지하여 마스크(200) 제작을 수행한다.The position coordinates 216 of the vertices of the main pattern are compared with the vertex coordinates 242 of the preset cell pattern forming region. In detail, when the vertex position coordinates of the main pattern 210 are located within the vertex coordinates of the predetermined cell pattern 212 formation region, the main pattern 210 is the preset cell pattern formation region 240, that is, the pellicle In operation S130, the mask 200 is manufactured by maintaining the size of the main pattern 210.

이와는 다르게, 상기 메인 패턴(210)의 꼭지점 좌표가 상기 기 설정된 셀 패턴 형성 영역(240)을 벗어나는 경우, 상기 메인 패턴(210)이 상기 펠리클(210)과 오버랩된다고 판단하여 상기 메인 패턴(210)의 크기를 조절하여 상기와 같은 단계를 다시 수행한다.Unlike this, when the vertex coordinate of the main pattern 210 is out of the preset cell pattern formation region 240, the main pattern 210 is determined to overlap with the pellicle 210, and thus the main pattern 210 is determined. Perform the same steps again by adjusting the size of.

상기와 같은 방법을 이용하면, 상기 메인 패턴 꼭지점 좌표(216)와 상기 기 설정된 셀 패턴 형성 영역의 꼭지점 좌표(242)와 비교 및 판단하여 마스크(200)를 제작하기 때문에 상기 메인 패턴(210)이 펠리클(210)에 오버랩되는 현상을 미연에 방지할 수 있다.Using the method described above, the main pattern 210 is manufactured by comparing and determining the main pattern vertex coordinate 216 and the vertex coordinate 242 of the predetermined cell pattern formation region. Overlap of the pellicle 210 can be prevented in advance.

상기와 같은 마스크(200) 설계 방법을 통해 마스크(200) 제작 방법을 살펴보면, 석영과 같이 광을 투과할 수 있는 기판을 준비한 후, 상기 석영 기판에 크롬막을 형성한다. 상기 크롬은 후 공정을 통해 소정의 패턴을 형성하는데, 상기 크롬 패턴은 광을 차단하는 기능을 한다. 상기 패턴을 형성하고 광을 차단하는 기능을 하는 것들로는 유상액(emulsion), 산화철, 실리콘 등이 사용할 수 있다.Looking at the manufacturing method of the mask 200 through the mask 200 design method as described above, after preparing a substrate that can transmit light, such as quartz, a chromium film is formed on the quartz substrate. The chromium forms a predetermined pattern through a post process, and the chromium pattern functions to block light. As a function of forming the pattern and blocking light, an emulsion, iron oxide, silicon, or the like may be used.

상기 유리 기판에는 마스크의 메인 패턴을 정렬하기 위한 제1정렬 마크들과 제2정렬 마크들이 형성되어 있다. 셀 패턴의 크기 및 수량과 스크라이브 패턴의 폭 및 수량을 설정하여 상기 마스크의 메인 패턴의 크기를 설정한다. 이때, 상기 메인 패턴의 꼭지점과 상기 제1정렬 마크들과 이격 거리를 산출하여 기 설정된 이격 거리와 비교 및 판단하여 상기 메인 패턴의 크기를 설정한다.First alignment marks and second alignment marks are formed on the glass substrate to align the main pattern of the mask. The size and quantity of the cell pattern and the width and quantity of the scribe pattern are set to set the size of the main pattern of the mask. In this case, the distance between the vertex of the main pattern and the first alignment marks is calculated, and the size of the main pattern is set by comparing and determining the distance with the preset separation distance.

상기 메인 패턴의 크기가 설정되면, 상기 크롬 막에 사진 공정을 통해 상기 메인 패턴을 패터닝한다. 상기 패턴이 형성된 유리 기판에 상기 유리 기판으로 오염물이 침입하는 것을 방지하기 위한 펠리클을 형성한다. 이때, 상기 메인 패턴은 펠리클 내부에 위치하게 된다.When the size of the main pattern is set, the main pattern is patterned on the chromium film through a photo process. A pellicle is formed on the glass substrate on which the pattern is formed to prevent contaminants from entering the glass substrate. In this case, the main pattern is located inside the pellicle.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 마스크를 제작하기 전에 마스크의 메인 패턴과 다수의 정렬 마크 사이의 이격 거리를 측정하여 상기 메인 패턴과 다수의 정렬 마크 사이의 기 설정된 이격 거리와 비교하고 판단하여 상기 메인 패턴이 펠리클과 오버랩되는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to a preferred embodiment of the present invention, before manufacturing the mask, the separation distance between the main pattern of the mask and the plurality of alignment marks is measured to determine a predetermined separation distance between the main pattern and the plurality of alignment marks. By comparing and determining, the main pattern may be prevented from overlapping with the pellicle.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 마스크의 메인 패턴의 꼭지점 좌표와 기 설정된 셀 패턴 형성 영역의 꼭지점 좌표를 비교하고 판단하여 상기 메인 패턴이 펠리클과 오버랩되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 다수의 메인 패턴이 마스크 상에 형성될 때, 상기 메인 패턴들 사이의 간격이 충분하게 이격된다.According to another embodiment of the present invention, it is possible to prevent the main pattern from overlapping with the pellicle by comparing and determining the vertex coordinates of the main pattern of the mask and the vertex coordinates of the preset cell pattern formation region. In addition, when a plurality of main patterns are formed on the mask, the spacing between the main patterns is sufficiently spaced apart.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

Claims

Setting a size of the main pattern by setting a cell pattern size and quantity and a width and quantity of scribe lanes to form a main pattern on a mask for photolithography;

Setting position coordinates of the main pattern based on position coordinates of a plurality of alignment marks preset on the mask;

Calculating a separation distance between the position coordinates of the alignment mark and the position coordinates of the main pattern; And

Comparing the calculated separation distance with a predetermined separation distance between the position coordinates of the alignment mark and the position coordinates of the main pattern, and determining whether the main pattern is located within a preset cell pattern formation region. .

The display apparatus of claim 1, wherein the plurality of alignment marks are positioned in proximity to a vertex portion of a mask and first alignment marks for measuring a separation distance from the vertex of the main pattern, and are positioned in proximity to sides of the mask. And second alignment marks for measuring a separation distance from sides of the pattern.

The method of claim 1, wherein the predetermined cell pattern formation region is substantially the same as a pellicle for protecting the main pattern.

Setting position coordinates of the main pattern based on position coordinates of a plurality of alignment marks preset on the mask; And

And comparing the position coordinates of the alignment main pattern with the position coordinates of the preset cell pattern formation region, and determining whether the main pattern is located in the preset cell pattern formation region.