KR20060056060A - Device for detecting vacuum leakage in semiconductor deposition equipment - Google Patents

Device for detecting vacuum leakage in semiconductor deposition equipment Download PDF

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KR20060056060A
KR20060056060A KR1020040095319A KR20040095319A KR20060056060A KR 20060056060 A KR20060056060 A KR 20060056060A KR 1020040095319 A KR1020040095319 A KR 1020040095319A KR 20040095319 A KR20040095319 A KR 20040095319A KR 20060056060 A KR20060056060 A KR 20060056060A
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김정남
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 소정의 진공 포트를 갖는 플랜지와, 상기 플랜지의 상부에 결합되는 확산로의 외부 튜브와, 상기 외부 튜브와 플랜지를 소정의 체결 수단에 의해 결합시키는 환형 링 부재 및 상기 환형 링 부재 내부에서 상기 외부 튜브와 플랜지간의 기밀을 유지하기 위하여 설치되는 적어도 하나의 씰링 부재를 구비하는 반도체 확산 설비에 관한 것으로서, 상기 환형 링 부재와 상기 씰링 부재 사이에 설치되는 프로브와, 상기 프로브에 연결되어 상기 환형 링부재와 씰링 부재 사이의 기밀 상태에 따라 작동하는 음압 게이지 및 상기 음압 게이지에 연결되어 기 설정된 정상 압력값과 현재의 음압값을 비교하여 상기 반도체 확산 설비를 제어하는 컨트롤러를 포함하여, 외부 튜브와 플랜지간의 진공 누설을 미연에 감지하고 작업자에게 인지시켜주기 때문에 공정 중 발생할 수 있는 사고를 미연에 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 확산로 내부의 정상 공정 환경을 항상 유지시키기 때문에 웨이퍼의 불량율을 감소시킬 수 있다.

Figure 112004054084469-PAT00001

반도체, 확산 설비, 씰링 부재, 음압 게이지, 컨트롤러

The present invention relates to a flange having a predetermined vacuum port, an outer tube of a diffusion path coupled to an upper portion of the flange, an annular ring member for coupling the outer tube and the flange by a predetermined fastening means, and the annular ring member. A semiconductor diffusion apparatus comprising at least one sealing member installed to maintain airtightness between the outer tube and the flange, the semiconductor diffusion apparatus comprising: a probe installed between the annular ring member and the sealing member; An outer tube and a negative pressure gauge operating according to the airtight state between the ring member and the sealing member, and a controller connected to the negative pressure gauge to control the semiconductor diffusion facility by comparing a preset normal pressure value with a current negative pressure value. Because vacuum leakage between flanges is detected beforehand and the operator is notified In addition to preventing accidents during the process, the defect rate of the wafer can be reduced because the normal process environment inside the diffusion furnace is always maintained.

Figure 112004054084469-PAT00001

Semiconductor, Diffusion Equipment, Sealing Elements, Sound Pressure Gauge, Controller

Description

반도체 확산 설비의 진공 누설 감지 장치{DEVICE FOR DETECTING VACUUM LEAKAGE IN SEMICONDUCTOR DEPOSITION EQUIPMENT} DEVICE FOR DETECTING VACUUM LEAKAGE IN SEMICONDUCTOR DEPOSITION EQUIPMENT}             

도 1은 종래 기술에 따른 종래 기술에 따른 확산로의 구성을 도시한 도면,1 is a view showing the configuration of a diffusion path according to the prior art according to the prior art,

도 2는 도 1의 A부분을 도시한 요부 단면도,2 is a sectional view showing the main parts of a portion A of FIG. 1;

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 확산로의 구성을 도시한 도면, 및3 is a view showing the configuration of a diffusion path according to an embodiment of the present invention, and

도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 확산로의 음압 게이지가 설치되는 부분을 도시한 요부 단면도.
Figure 4 is a cross-sectional view showing the main portion of the negative pressure gauge is installed in the diffusion passage according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 제조 설비 중 확산 설비(deposition equipment)에 관한 것으로서, 특히 확산로의 외부 튜브(outer tube)와 플랜지(flange)간의 결합 부분 누설을 미연에 감지하여 공정 중 발생할 수 있는 사고를 미연에 방지하도록 구성되는 반도체 확산 설비의 진공 누설 감지 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to deposition equipment in semiconductor manufacturing equipment. In particular, the present invention relates to the detection of leaks in the connection between the outer tube and the flange of the diffusion furnace. It relates to a vacuum leak detection device of a semiconductor diffusion installation configured to prevent.                         

일반적으로, 반도체 제조 공정중에서 웨이퍼상에 산화막을 성장시키거나, 전기적인 특성을 갖게 하기 위하여 붕소나 인 등의 불순물을 활성화 및 안정화시키기 위한 어닐링 처리등을 하는 공정을 확산 공정(diffusion process)이라 한다. 근래들어, 다수매의 웨이퍼를 보우트내에 종방향으로 적재시키고 공정을 수행하는 종형 저압화학기상증착설비(LPCVD; Low Pressure Chemical Vapour Deposition Equipment)가 주로 사용되고 있는 실정이다.In general, a process of performing an annealing process for activating and stabilizing impurities such as boron and phosphorus in order to grow an oxide film on a wafer or to have electrical characteristics in a semiconductor manufacturing process is called a diffusion process. . In recent years, vertical low pressure chemical vapor deposition equipment (LPCVD), in which a plurality of wafers are longitudinally loaded in a boat and performing a process, is mainly used.

상기 확산 공정을 수행하는 반도체 설비로는 다수매의 웨이퍼가 적재된 보우트를 수납시켜 공정을 수행하는 고온의 확산로와, 상기 확산로내의 고청정 진공 환경을 제공하기 위한 진공 펌프를 포함하는 진공 펌핑 시스템을 포함한다. 또한, 상기 웨이퍼를 웨이퍼 카세트에서 로드락 챔버 또는 보우트내로 탑재시키는 로봇 암을 구비할 수 있을 것이며, 로드락 챔버내의 웨이퍼를 확산로내로 로딩 및 언로딩 시키는 엘리베이터 장치가 보조장치로 사용될 수 있을 것이다.The semiconductor equipment for performing the diffusion process includes a vacuum pumping apparatus including a high temperature diffusion furnace for accommodating a plurality of wafer-loaded boats and a vacuum pump for providing a high clean vacuum environment in the diffusion furnace. It includes a system. It may also be provided with a robotic arm that mounts the wafer from the wafer cassette into the loadlock chamber or boat, and an elevator apparatus for loading and unloading the wafer in the loadlock chamber into the diffusion furnace may be used as an auxiliary device.

상술한 장치중 확산로의 하부에 설치되는 소정의 중공형 플랜지는 소정의 진공 포트를 구비하고 있으며, 상기 진공 포트에는 진공 펌프와 연결되는 진공 라인이 설치될 수 있다. 상기 플랜지는 확산로 내부를 밀폐시키는 외부 튜브와 긴밀히 결합되어야 하는데, 따라서, 상기 플랜지와 외부 튜브간에는 소정의 테프론 가이드와 오링등의 씰링 부재(sealing members)가 개재된 후 결합된다.Among the above-described devices, a predetermined hollow flange installed below the diffusion path has a predetermined vacuum port, and the vacuum port may be provided with a vacuum line connected to a vacuum pump. The flange must be tightly coupled with an outer tube that seals the interior of the diffusion furnace, so that a sealing member such as a Teflon guide and an O-ring is interposed between the flange and the outer tube.

도 1은 종래 기술에 따른 종래 기술에 따른 확산로의 구성을 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 A부분을 도시한 요부 단면도이다.1 is a view showing the configuration of a diffusion path according to the prior art according to the prior art, Figure 2 is a cross-sectional view of the main portion showing part A of FIG.

도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 종형 확산로(10)는 다수매의 웨이퍼(11)가 적재된 보우트(12)가 설치되는 상부가 개방된 내부 튜브(13)와, 상기 내부 튜브(13)를 감싸면서 밀폐 공간을 형성시키는 외부 튜브(14)를 포함한다. 상기 외부 튜브(14)의 외부에는 소정의 가열 수단(15)이 설치되어 소정의 공정 온도(약 750℃)까지 확산로를 가열하게 된다.As shown in FIG. 1, the conventional vertical diffusion path 10 includes an inner tube 13 having an upper opening on which a boat 12 loaded with a plurality of wafers 11 is installed, and the inner tube 13. ) And an outer tube (14) forming a closed space. A predetermined heating means 15 is installed outside the outer tube 14 to heat the diffusion furnace to a predetermined process temperature (about 750 ° C.).

그후 상기 확산로(10)의 하부에는 진공 포트(22)를 구비한 중공형 플랜지(20)가 설치된다. 상기 플랜지(20)의 일측에 설치되는 진공 포트(22)는 미도시된 진공 라인과 긴밀히 연결되어 진공 펌프에 의해 확산로 내부를 공정 환경인 진공 상태로 유지시켜 줄 수 있을 것이다.Thereafter, a hollow flange 20 having a vacuum port 22 is installed below the diffusion path 10. The vacuum port 22 installed at one side of the flange 20 may be closely connected with a vacuum line (not shown) to maintain the inside of the diffusion path in a vacuum state as a process environment by a vacuum pump.

한편, 상기 플랜지(20)의 상부 플랜지부(23)와 상기 외부 튜브(14)의 하단부는 확산로 내부의 진공 상태를 유지하기 위하여 긴밀히 결합되어야 하는데, 이러한 구성을 도 2에 도시하고 있다. 상기 플랜지(20)의 상부 플랜지부(23)와 외부 튜브(14)를 결합하기 위한 환형 링 부재(50)가 상기 상부 플랜지부(23)에 볼트(60)와 같은 체결 수단으로 고정된다. 이때, 상기 외부 튜브(14)와 상부 플랜지부(23) 사이에는 오링(O-ring)(52)과 테프론 링(51) 및 테프론 가이드(53)가 씰링 부재로써 개재될 수 있다.On the other hand, the upper flange portion 23 of the flange 20 and the lower end of the outer tube 14 should be closely coupled to maintain the vacuum state inside the diffusion path, this configuration is shown in FIG. An annular ring member 50 for joining the upper flange portion 23 and the outer tube 14 of the flange 20 is fixed to the upper flange portion 23 with fastening means such as bolts 60. At this time, an O-ring 52, a Teflon ring 51, and a Teflon guide 53 may be interposed between the outer tube 14 and the upper flange portion 23 as a sealing member.

그러나 상술한 바와 같이 확산로의 기밀을 유지하기 위하여 다수의 씰링 부재가 설치되기는 하나, 장비 세팅 작업시 틀어짐등으로 인하여 상기 씰링 부재가 정확한 기밀 역할을 하지 못하게 되면 누설이 발생하게 되고 계속적인 누설은 진공 상태를 유지해야 하는 확산로 내부의 공정 환경을 저해하여 결과적으로 웨이퍼의 불량률이 증가할 뿐만 아니라 공정중 사고가 발생하는 문제점이 있었다.
However, as described above, although a plurality of sealing members are installed to maintain the airtightness of the diffusion path, leakage occurs when the sealing member does not play an accurate airtight role due to misalignment during the equipment setting operation. The diffusion process that must maintain the vacuum condition inhibits the internal process environment, and as a result, the defect rate of the wafer is increased and there is a problem that an accident occurs during the process.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써 본 발명의 목적은 진공 누설을 미연에 감지하여 공정 중 발생할 수 있는 사고를 미연에 방지할 수 있도록 구성되는 반도체 확산 설비의 진공 누설 감지 장치를 제공하는데 있다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a vacuum leak detection device of a semiconductor diffusion equipment configured to detect the vacuum leakage in advance to prevent accidents that may occur during the process in advance. have.

본 발명의 다른 목적은 진공 누설을 미연에 감지하여 누설 초기에 공정을 중지시킴으로써 웨이퍼의 불량률을 현저히 감소시킬 수 있도록 구성되는 반도체 확산 설비의 진공 누설 감지 장치를 제공하는데 있다.
It is another object of the present invention to provide a vacuum leak detection apparatus of a semiconductor diffusion apparatus configured to significantly reduce a defect rate of a wafer by detecting a vacuum leak in advance and stopping the process at the early stage of the leak.

상술한 바와 같은 목적을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 소정의 진공 포트를 갖는 플랜지와, 상기 플랜지의 상부에 결합되는 확산로의 외부 튜브와, 상기 외부 튜브와 플랜지를 소정의 체결 수단에 의해 결합시키는 환형 링 부재 및 상기 환형 링 부재 내부에서 상기 외부 튜브와 플랜지간의 기밀을 유지하기 위하여 설치되는 적어도 하나의 씰링 부재를 구비하는 반도체 확산 설비에 있어서, 상기 환형 링 부재와 상기 씰링 부재 사이에 설치되는 프로브와, 상기 프로브에 연결되어 상기 환형 링부재와 씰링 부재 사이의 기밀 상태에 따라 작동하는 음압 게이지 및 상기 음압 게이지에 연결되어 기 설정된 정상 압력값과 현재의 음압값을 비교하여 상기 반도체 확산 설비를 제어하는 컨트롤러를 포함함을 특징으로 한다.In order to solve the above object, the present invention provides a flange having a predetermined vacuum port, an outer tube of a diffusion path coupled to an upper portion of the flange, and the outer tube and the flange to a predetermined fastening means. A semiconductor diffusion facility comprising an annular ring member coupled by means and at least one sealing member provided to maintain an airtight between the outer tube and the flange inside the annular ring member, wherein the annular ring member and the sealing member are interposed therebetween. The semiconductor diffusion by comparing a probe is installed, the negative pressure gauge connected to the probe and operating according to the airtight state between the annular ring member and the sealing member and the negative pressure gauge connected to the negative pressure gauge and the current normal pressure value And a controller for controlling the installation.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the case where it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily obscured, the detailed description thereof will be omitted.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 확산로의 구성을 도시한 도면으로써 종형 확산로를 도시하고 설명하였다. 그러나 이게 국한되지 않으며, 진공 상태의 기밀을 유지해야하는 각종 반도체 설비에 적용가능할 것이다.3 is a view illustrating a configuration of a diffusion furnace according to an exemplary embodiment of the present invention. However, this is not limited, and may be applicable to various semiconductor equipments that must maintain the airtightness in a vacuum state.

도 3에 도시한 바와 같이, 다수매의 웨이퍼(11)가 적재된 보우트(12)가 확산로(10) 중앙에 설치된다. 상기 보우트(12)는 소정의 엘리베이터 장치(32)에 의해 상하 승강이 가능하도록 소정의 구동 샤프트(31)에 의해 지지 받는다. 그후, 상기 보우트(12)를 감싸도록 상부가 개방된 석영 재질의 내부 튜브(13)가 설치된다. 상기 내부 튜브(13)의 외부에는 상기 내부 튜브(13)를 감싸면서 밀폐 공간이 형성되도록 석영 재질의 외부 튜브(14)가 설치된다. 상기 외부 튜브(14)의 외측으로는 상기 확산로(10)의 내부를 일정 공정 온도(약 750℃)까지 가열하기 위한 가열 수단(15)이 설치된다. 상기 가열 수단(15)은 상기 외부 튜브(14)의 외주면을 감싸도록 설치되는 공지의 가열로일 수 있을 것이다.As shown in FIG. 3, a boat 12 on which a plurality of wafers 11 are placed is provided at the center of the diffusion path 10. The boat 12 is supported by a predetermined drive shaft 31 to be able to move up and down by a predetermined elevator device 32. Thereafter, an inner tube 13 of a quartz material having an open upper portion is formed to surround the boat 12. The outer tube 14 of quartz material is installed outside the inner tube 13 to form a sealed space while surrounding the inner tube 13. Outside the outer tube 14 is provided with a heating means 15 for heating the inside of the diffusion path 10 to a predetermined process temperature (about 750 ℃). The heating means 15 may be a known heating furnace installed to surround the outer circumferential surface of the outer tube 14.

그후, 상기 확산로(10)의 하측에는 일정 높이의 중공형 플랜지(20)가 설치된다. 상기 플랜지(20)는 바디(21)와 상기 바디의 상부에서 외부 튜브(14)의 하측과 긴밀히 결합되는 상부 플랜지부(23) 및 확산로 전체를 지지하는 베이스(30)상에 고정되는 하부 플랜지부(24)로 구성된다.Thereafter, a hollow flange 20 having a predetermined height is installed below the diffusion path 10. The flange 20 is fixed on the body 21 and the upper flange 23 which is tightly coupled to the lower side of the outer tube 14 at the top of the body and the lower plan which is fixed on the base 30 supporting the entire diffusion path. It is composed of a branch 24.

상기 바디(21)의 외주면 적소에는 플랜지(20)의 중공형 부분까지 관통되는 일정 길이의 진공 포트(22)가 설치된다. 상기 진공 포트922)는 미도시된 진공 라인 과 기밀히 결합되어 진공 펌프에 의해 공정 중 확산로 내부의 진공 상태를 유지시키도록 한다. 미도시되었으나, 상기 플랜지(20)의 바디(21)상에는 작업 가스가 유입되는 작업가스 유입관과 배출되는 작업 가스 배출관이 설치될 수 있을 것이다.In place of the outer circumferential surface of the body 21, a vacuum port 22 having a predetermined length penetrating to the hollow portion of the flange 20 is installed. The vacuum port 922 is hermetically coupled to a vacuum line, not shown, to maintain the vacuum inside the diffusion path during the process by the vacuum pump. Although not shown, the working gas inlet pipe and the working gas discharge pipe into which the working gas is introduced may be installed on the body 21 of the flange 20.

한편, 상기 플랜지(20)의 상부 플랜지부(23)와 확산로(10)의 외부 튜브(14)를 긴밀히 연결하기 위한 매개 수단으로 환형 링 부재(50)가 설치된다. 상기 환형 링 부재(50)에는 소정의 프로브(probe)(72)가 삽입 고정되어 있으며, 상기 프로브(72)에 의해 상기 외부 튜브(14)와 상부 플랜지부(23)간의 기밀 압력을 측정하기 위한 음압 게이지(70)가 상기 프로브(72)와 연결되도록 설치된다. 또한, 상기 음압 게이지(70)와 연결되어 상기 음압 게이지(70)에 의해 측정된 음압값에 따라 반도체 확산 설비를 제어하기 위한 컨트롤러(71)가 설치된다.On the other hand, the annular ring member 50 is installed as a medium for closely connecting the upper flange portion 23 of the flange 20 and the outer tube 14 of the diffusion path 10. A predetermined probe 72 is inserted and fixed to the annular ring member 50, and the probe 72 is used to measure the airtight pressure between the outer tube 14 and the upper flange portion 23 by the probe 72. A negative pressure gauge 70 is installed to connect with the probe 72. In addition, a controller 71 is connected to the sound pressure gauge 70 and controls the semiconductor diffusion device according to the sound pressure value measured by the sound pressure gauge 70.

도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 확산로의 음압 게이지(70)가 설치되는 부분을 도시한 요부 단면도로써, 상부 플랜지부(23)와 외부 튜브(14)의 결합을 위하여 볼트(60)와 같은 소정의 체결 수단에 의해 환형 링 부재(50)가 설치된다. 상기 환형 링 부재(50)의 내부에는 프로브(72)가 일부 삽입되어 압력값을 측정할 수 있도록 하였다. 이때, 상기 환형 링 부재(50)의 내부는 외부 튜브(14)와 상부 플랜지부(23) 사이에 개제되는 다수의 씰링 부재에 의해 항상 일정한 기밀 상태가 유지되고 있을 것이다. 상기 씰링 부재로는 오링(O-ring)(52), 테프론 링(51), 테프론 가이드(53)등이 사용될 수 있을 것이다.4 is a cross-sectional view illustrating main parts of the diffusion path in which the negative pressure gauge 70 is installed according to an exemplary embodiment of the present invention, and includes a bolt 60 for coupling the upper flange portion 23 to the outer tube 14. The annular ring member 50 is installed by a predetermined fastening means such as). The probe 72 is partially inserted into the annular ring member 50 to measure the pressure value. At this time, the inside of the annular ring member 50 will always be maintained in a constant hermetic state by a plurality of sealing members interposed between the outer tube 14 and the upper flange portion (23). As the sealing member, an O-ring 52, a teflon ring 51, a teflon guide 53, or the like may be used.

만일, 상부 플랜지부(23)와 외부 튜브(14)간의 정확한 씰링 작용이 이루어지게 되면 누설이 발생되지 않아 상기 음압 게이지(70)에는 항상 일정 음압값이 디스 플레이될 것이다. 그러나, 상부 플랜지부(23)의 상면에 설비 세팅 작업 도중 발생할 수 있는 스트래치등이 형성되면 진공 누설 현상이 발생된다. 이러한 경우 상기 씰링 부재는 제기능을 하지 못하게 되며, 이러한 경우 진공 펌핑 동작중에 누설 현상이 발생되고, 이로 인하여 상기 환형 링 부재(50)의 내부는 압력값이 변할 것이다. 따라서, 음압 게이지(70)는 평소와 다른 압력값이 디스플레이 될 것이다.If the correct sealing action between the upper flange 23 and the outer tube 14 is made, no leakage occurs so that a constant negative pressure value will always be displayed on the negative pressure gauge 70. However, if a stretch or the like is formed on the upper surface of the upper flange portion 23 during the facility setting operation, a vacuum leakage phenomenon occurs. In this case, the sealing member may not function properly. In this case, a leakage phenomenon occurs during the vacuum pumping operation, and the pressure value of the inside of the annular ring member 50 will change. Thus, the negative pressure gauge 70 will display a different pressure value than usual.

상기 컨트롤러(71)는 상기 음압 게이지(70)에 연결되어 기 설정된 정상 압력값과 현재의 음압값을 비교하여 상기 반도체 확산 설비를 제어할 수 있을 것이다. 예를 들어, 상기 컨트롤러(71)는 기 설정된 정상 압력과 음압 게이지(70)에 의해 측정되는 현재 압력을 비교하여 현재 측정된 압력이 정상 압력의 범위를 벗어났을 경우, 확산 설비의 구동을 정지시키도록 설정될 수 있을 것이다. 또한, 상기 컨트롤러(71)는 작업자가 인지할 수 있도록 음압 게이지(70)의 현재 압력을 디스플레이 할 수 있는 디스플레이 장치를 포함할 수 있을 것이다. 상기 디스플레이 장치는 공지의 모니터 장치일 수 있다.The controller 71 may be connected to the sound pressure gauge 70 to control the semiconductor diffusion facility by comparing a preset normal pressure value with a current sound pressure value. For example, the controller 71 compares the preset normal pressure with the present pressure measured by the negative pressure gauge 70 to stop driving of the diffusion apparatus when the present measured pressure is out of the range of the normal pressure. May be set to In addition, the controller 71 may include a display device that can display the current pressure of the sound pressure gauge 70 so that the operator can recognize. The display device may be a known monitor device.

분명히, 청구항들의 범위내에 있으면서 이러한 실시예들을 변형할 수 있는 많은 방식들이 있다. 다시 말하면, 이하 청구항들의 범위를 벗어남 없이 본 발명을 실시할 수 있는 많은 다른 방식들이 있을 수 있는 것이다.
Apparently, there are many ways to modify these embodiments while remaining within the scope of the claims. In other words, there may be many other ways in which the invention may be practiced without departing from the scope of the following claims.

본 발명에 따른 누설 감지 장치는 외부 튜브와 플랜지간의 진공 누설을 미연에 감지하고 작업자에게 인지시켜주기 때문에 공정 중 발생할 수 있는 사고를 미연 에 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 확산로 내부의 정상 공정 환경을 항상 유지시키기 때문에 웨이퍼의 불량율을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.The leak detection apparatus according to the present invention detects the vacuum leakage between the outer tube and the flange in advance and makes the worker aware of the accident that may occur during the process, as well as the normal process environment inside the diffusion furnace. Since it is always maintained, there is an effect that the defect rate of the wafer can be reduced.

Claims (3)

소정의 진공 포트를 갖는 플랜지와, 상기 플랜지의 상부에 결합되는 확산로의 외부 튜브와, 상기 외부 튜브와 플랜지를 소정의 체결 수단에 의해 결합시키는 환형 링 부재 및 상기 환형 링 부재 내부에서 상기 외부 튜브와 플랜지간의 기밀을 유지하기 위하여 설치되는 적어도 하나의 씰링 부재를 구비하는 반도체 확산 설비에 있어서,A flange having a predetermined vacuum port, an outer tube of a diffusion path coupled to an upper portion of the flange, an annular ring member for coupling the outer tube and the flange by a predetermined fastening means, and the outer tube inside the annular ring member A semiconductor diffusion apparatus comprising at least one sealing member provided to maintain airtightness between a flange and a flange. 상기 환형 링 부재와 상기 씰링 부재 사이에 설치되는 프로브와,A probe installed between the annular ring member and the sealing member; 상기 프로브에 연결되어 상기 환형 링부재와 씰링 부재 사이의 기밀 상태에 따라 작동하는 음압 게이지, 및A negative pressure gauge connected to the probe and operating according to an airtight state between the annular ring member and the sealing member, and 상기 음압 게이지에 연결되어 기 설정된 정상 압력값과 현재의 음압값을 비교하여 상기 반도체 확산 설비를 제어하는 컨트롤러를 포함함을 특징으로 하는 반도체 확산 설비의 진공 누설 감지 장치.And a controller connected to the sound pressure gauge to control the semiconductor diffusion device by comparing a preset normal pressure value with a current sound pressure value. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 컨트롤러는 작업자가 인지할 수 있도록 음압 게이지의 현재 압력을 디스플레이 할 수 있는 디스플레이 장치를 포함함을 특징으로 하는 반도체 확산 설비의 진공 누설 감지 장치.The controller includes a display device capable of displaying the current pressure of the sound pressure gauge so that the operator can recognize the vacuum leakage detection device of the semiconductor diffusion equipment. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 컨트롤러는 기 설정된 정상 압력과 음압 게이지에 의해 측정되는 현재 압력을 비교하여 현재 측정된 압력이 정상 압력의 범위를 벗어났을 경우, 확산 설비의 구동을 정지시키도록 설정됨을 특징으로 하는 반도체 확산 설비의 진공 누설 감지 장치.The controller compares a preset normal pressure with a current pressure measured by a negative pressure gauge to stop the operation of the diffusion equipment when the current measured pressure is outside the normal pressure range. Vacuum leak detection device.
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