KR20060055100A - 기판, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치, 박막트랜지스터를 구비한 기판, 이를 구비한 평판 디스플레이장치 및 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법 - Google Patents

기판, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치, 박막트랜지스터를 구비한 기판, 이를 구비한 평판 디스플레이장치 및 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법 Download PDF

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KR20060055100A KR1020040094423A KR20040094423A KR20060055100A KR 20060055100 A KR20060055100 A KR 20060055100A KR 1020040094423 A KR1020040094423 A KR 1020040094423A KR 20040094423 A KR20040094423 A KR 20040094423A KR 20060055100 A KR20060055100 A KR 20060055100A
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Abstract

본 발명은 플렉서블하면서도 외부로부터의 수분 등의 침투가 방지된 기판과, 상기 기판을 구비한 평판 디스플레이 장치와, 박막 트랜지스터를 구비한 기판과, 상기 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 구비한 평판 디스플레이 장치, 그리고 상기 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법을 위하여, 상면과 하면 사이에 적어도 하나의 배리어층을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판과, 상기 기판을 구비한 평판 디스플레이 장치와, 박막 트랜지스터의 상부에 유기 평탄화층과 유무기 하이브리드층을 갖는 박막 트랜지스터를 구비한 기판과, 상기 기판을 구비한 평판 디스플레이 장치와, 상기 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법을 제공한다.

Description

기판, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치, 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법{Substrate, flat panel display device therewith, substrate having thin film transistor, flat panel display device therewith and method of manufacturing substrate having thin film transistor}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판을 개략적으로 도시하는 평면도.
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 절개한 단면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 기판을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 기판을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 기판을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 수동 구동형 전계발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.
도 7은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.
도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 수동 구동형 전계발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.
도 9는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.
도 10은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.
도 11은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 12는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110: 기판 110a: 기판의 상면
110b: 기판의 하면 114: 배리어층
본 발명은 기판, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치, 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 플렉서블하면서도 외부로부터의 수분 등의 침투가 방지된 기판과, 상기 기판을 구비한 평판 디스플레이 장치와, 박막 트랜지스터를 구비한 기판과, 상기 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 구비한 평판 디스플레이 장치, 그리고 상기 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법에 관한 것이다.
최근 디스플레이 장치는 점차 박형화, 대면적화되는 추세이며, 이와 더불어 플렉서블 디스플레이 장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 플렉서블 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는, 디스플레이부뿐만 아니라 디스플레이부가 구비되는 기판이 플렉서블해야만 한다. 그러나 기존의 글라스재 기판의 경우에는 이러한 플렉서블 디스플레이 장치를 구현하기에 적합하지 않다는 문제점이 있었다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 최근 유기물로 형성된 기판을 사용한 디스플레이 장치에 대한 연구가 진행되었다. 이와 같은 유기물로 형성된 기판은 플렉서빌리티(flexibility)가 높아 플렉서블 디스플레이 장치를 구현하기에 적합하기 때문이다. 그러나 유기물로 형성된 기판은 그 기계적 강도가 충분하지 않다는 문제점이 있었다.
한편, 평판 디스플레이 장치, 특히 전계발광 디스플레이 장치는 전극으로 사용되는 ITO로부터의 산소에 의한 발광층의 열화, 발광층-계면간의 반응에 의한 열화 등의 내적 요인에 의한 열화 일어나는 것 외에도, 외부의 수분, 산소, 자외선 및 소자의 제작 조건 등의 외적 요인에 의해 쉽게 열화가 일어나는 단점을 가지고 있다. 특히 외부의 산소와 수분은 소자의 수명에 치명적인 영향을 주므로 전계발광 디스플레이 장치의 패키징이 매우 중요하다.
이를 위해 종래에는 기판의 상부에 구비된 디스플레이 소자들을 메탈 캡으로 밀봉하거나 보호막으로 코팅하였으나, 평판 디스플레이 장치의 기판을 통해서도 외부로부터의 수분 등이 침투할 수 있다는 문제점이 있었다. 특히 전술한 바와 같은 유기물로 형성된 기판의 경우, 외부로부터의 수분 등의 침투가 더욱 용이하다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 플렉서블하면서도 외부로부터의 수분 등의 침투가 방지된 기판과, 상기 기판을 구비한 평판 디스플레이 장치와, 박막 트랜지스터를 구비한 기판과, 상기 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 구비한 평판 디스플레이 장치, 그리고 상기 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 상면과 하면 사이에 적어도 하나의 배리어층을 구비하고, 상기 배리어층의 상하부의 층에는 강화재료가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 배리어층의 상하부의 층들은 각각 유기물 층이고, 상기 유기물 층에 상기 강화재료가 구비되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유기물 층은, 에스테르, 이미드, 카보네이트, 아마이드, 에테르케톤, 에테르, 에테르에테르케톤, 에테르술폰, 에테르 이미드, 액정 고분자 및 불소계 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막, 다층막 또는 혼합막 구조인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 강화재료는, 유리섬유, 실리카섬유, 실리카 파티클, 클레이, 운모, 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 필름 또는 이들의 혼합물인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 배리어층은 금속막인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 금속막은, 구리, 알루미늄, 은, 니켈, 몰리브덴, 티타늄, 크롬, 철, 아연 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막 또는 다층막 구조인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판의 상면에 무기층 또는 유무기 하이브리드층을 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판의 상면에서 가장 가까운 거리에 구비된 배리어층의 상기 기판의 상면 방향의 면 상에, 무기층 또는 유무기 하이브리드층을 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 배리어층의 상면 및 하면에, 무기층 또는 유무기 하이브리드층을 각각 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 무기층 또는 유무기 하이브리드층은, SOG, 실록산 고분자, 실록산 올리고머, 실록산기를 갖는 열 경화재료, 실록산 기를 갖는 자외선 경화재료, 이들 재료로 유도된 실리카, SiO2, SiNx, SiON, Al 2O3, Ta2O5, 실란 반응층, 콜로이드 실리카 입자를 함유하는 실리콘 레진, 콜로이드 실리카 입자를 함유하는 아크릴 레진, 티타니아 입자를 함유하는 실리콘 레진 및 티타니아 입자를 함유하는 아크릴 레진으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막, 다층막 또는 혼합막 구조인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 기판의 상부에 박막 트랜지스터를 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 상기와 같은 기판 상에 디스플레이부를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 디스플레이부는 전계발광 소자인 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 기판과, 상기 기판의 상부에 구비된 적어도 하나의 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판의 전면에 구비된 유기 평탄화층, 그리고 상기 유기 평탄화층의 상면에 구비된 유무기 하이브리드층을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 유기 평탄화층은, 이미드계 고분자막, 아크릴계 고분자막, 실리콘을 포함하는 벤조사이클로부텐계 고분자막, 페 놀계 고분자막, 또는 노블락계 고분자막인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 유무기 하이브리드층은 실록산계 고분자, 상기 재료로 유도된 실리카 또는 실리카 혼합물로 형성된 층인 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 상기와 같은 기판 상에 디스플레이부를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 디스플레이부는 전계발광 소자인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 디스플레이부에서 발생된 광은 상기 기판의 반대 방향으로 취출되는 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 기판의 상부에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판의 전면에 유기 평탄화층을 형성하는 단계, 그리고 상기 유기 평탄화층의 상면에 유무기 하이브리드층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 유기 평탄화층은, 이미드계 고분자막, 아크릴계 고분자막, 실리콘을 포함하는 벤조사이클로부텐계 고분자막, 페놀계 고분자막, 또는 노블락계 고분자막인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기 판의 전면에 유기 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 유기 평탄화층의 상면에 유무기 하이브리드층을 형성하는 단계 사이에, 상기 유기 평탄화층의 표면을 자외선, 오존, 플라즈마 또는 코로나 방전처리하는 단계를 더 구비하는 것으로 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 기판을 개략적으로 도시하는 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 절개한 단면도이다.
상기 도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판(110)은, 상면(110a)과 하면(110b) 사이에 적어도 하나의 배리어층(114)을 구비하고 있다. 이와 같이 배리어층(114)이 기판(110) 내에 구비되도록 함으로써, 수분 등이 상기 기판(110)을 통과하는 것을 방지할 수 있다.
이때, 상기 기판(110)이 플렉서블한 특성을 갖도록 하기 위해 상기 배리어층(114)의 상하부의 층들(111, 112)은 각각 유기물로 형성된 유기물 층인 것으로 할 수 있다. 이때, 상기 유기물 층은, 에스테르, 이미드, 카보네이트, 아마이드, 에테르케톤, 에테르, 에테르에테르케톤, 에테르술폰, 에테르이미드, 액정 고분자 및 불소계 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막, 다층막 또는 혼합막 구조인 것으로 할 수 있다.
이때, 상기 배리어층(114)의 상하부의 층들(111, 112)이 유기물 등으로만 이루어질 경우에는 디스플레이 장치 등의 기판으로서 필요한 기계적 강도를 갖지 못할 수도 있으므로, 그와 같은 경우에는 상기 유기물 층이 강화재료(119)를 구비하 도록 함으로써, 플렉서블 특성과 함께 적절한 기계적 강도를 유지할 수 있도록 할 수 있다. 상기 유기물 층에 구비될 강화재료(119)로서 사용될 수 있는 것으로는, 유리섬유, 실리카섬유, 실리카 파티클, 클레이, 운모, 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 필름 또는 이들의 혼합물 등이 있다. 후술하는 실시예들을 설명하는 도면에서는 편의상 상기 강화재료를 도시하지 않았으나 도 2에 도시된 것과 동일한 형태로 구비될 수 있음은 물론이다.
한편, 수분 등이 상기 기판(110)을 통과하는 것을 방지하기 위해, 상기 기판(110) 중에 구비되는 상기 배리어층(114)으로서 다양한 물질들이 사용될 수도 있으나, 특히 금속막이 구비되도록 함으로써 그와 같은 효과를 높일 수 있다. 이 경우, 상기 배리어층(114)으로서 사용할 수 있는 금속막은, 구리, 알루미늄, 은, 니켈, 몰리브덴, 티타늄, 크롬, 철, 아연 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막 또는 다층막 구조를 취하도록 할 수 있다.
상기와 같은 구조를 취하도록 함으로써, 플렉서블하면서도 수분 등이 기판을 통과하는 것을 방지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따른 기판을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 기판(210)은, 상면(210a)과 하면(210b) 사이에 적어도 하나의 배리어층(214)을 구비하고 있다. 이와 같이 배리어층(214)이 기판(210) 내에 구비되도록 함으로써, 수분 등이 상기 기판(210)을 통과하는 것을 방지할 수 있다.
이때, 상기 기판(210)이 플렉서블한 특성을 갖도록 하기 위해 상기 배리어층(214)의 상하부의 층들(211, 212)은 각각 유기물로 형성된 유기물 층인 것으로 할 수 있다. 또한, 상기 배리어층(214)의 상하부의 층들(211, 212)이 유기물로만 이루어질 경우에는 디스플레이 장치 등의 기판으로서 필요한 기계적 강도를 갖지 못할 수도 있으므로, 그와 같은 경우에는 상기 유기물 층이 강화재료를 구비하도록 함으로써, 플렉서블 특성과 함께 적절한 기계적 강도를 유지할 수 있도록 할 수 있다.
한편, 수분 등이 상기 기판(210)을 통과하는 것을 방지하기 위해, 상기 기판(210) 중에 구비되는 상기 배리어층(214)으로서 다양한 물질들이 사용될 수도 있으나, 특히 금속막이 구비되도록 함으로써 그와 같은 효과를 높일 수 있다.
상기와 같은 구조를 취한 기판 상에 디스플레이부가 구비될 경우, 상기 디스플레이부를 구성하는 디스플레이 소자에 주로 사용되는 ITO 등의 전극이 상기 기판(210) 상에 구비된다. 이 경우, 상기 ITO 등의 전극재료는 유기물과의 접착특성이 매우 좋지 않은 바, 따라서 상기와 같은 구조의 기판 상에 직접 ITO 등의 전극을 형성할 경우, 후에 상기 전극과 상기 기판이 박리되는 등의 문제점이 발생할 수 있다.
따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 기판(210)의 유기물로 형성된 층(211)의 상면(210a)에, 상기 유기물로 형성된 층(211)과의 접착력도 좋고 ITO 등의 전극재료와의 접착력도 좋은, 무기층 또는 유무기 하이브리드층(216)이 더 구비되도록 함으로써, 후에 상기 기판(210) 상에 ITO 등의 전극이 형성되더라도 상기 전극이 상기 기판(210)이 박리되는 것을 방지할 수 있다.
상기 유기물로 형성된 층(211)과의 접착력도 좋고 ITO 등의 전극재료와의 접착력도 좋은, 무기층 또는 유무기 하이브리드층(216)은, SOG, 실록산 고분자, 실록산 올리고머, 실록산기를 갖는 열 경화재료, 실록산기를 갖는 자외선 경화재료, 이들 재료로 유도된 실리카, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, Ta 2O5, 실란 반응층, 콜로이드 실리카 입자를 함유하는 실리콘 레진, 콜로이드 실리카 입자를 함유하는 아크릴 레진, 티타니아 입자를 함유하는 실리콘 레진 및 티타니아 입자를 함유하는 아크릴 레진으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막, 다층막 또는 혼합막 구조인 것으로 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 바람직한 제 3 실시예에 따른 기판을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판(310)은, 상면(310a)과 하면(310b) 사이에 적어도 하나의 배리어층을 구비하는 바, 도 4에서는 두 개의 배리어층들(314, 315)이 구비된 것으로 도시되어 있다. 이와 같이 배리어층들(314, 315)이 기판(310) 내에 구비되도록 함으로써, 수분 등이 상기 기판(310)을 통과하는 것을 방지할 수 있다.
이때, 상기 기판(310)이 플렉서블한 특성을 갖도록 하기 위해 상기 배리어층들(314, 315)의 상하부의 층들(311, 312, 313)은 각각 유기물로 형성된 유기물 층인 것으로 할 수 있다. 또한, 상기 배리어층들(314, 315)의 상하부의 층들(311, 312, 313)이 유기물 등으로만 이루어질 경우에는 디스플레이 장치 등의 기판으로서 필요한 기계적 강도를 갖지 못할 수도 있으므로, 그와 같은 경우에는 상기 유기물 층이 강화재료를 구비하도록 함으로써, 플렉서블 특성과 함께 적절한 기계적 강도를 유지할 수 있도록 할 수 있다.
한편, 수분 등이 상기 기판(310)을 통과하는 것을 방지하기 위해, 상기 기판(310) 중에 구비되는 상기 배리어층들(314, 315)로서 다양한 물질들이 사용될 수도 있으나, 특히 금속막이 구비되도록 함으로써 그와 같은 효과를 높일 수 있다.
상기와 같은 구조에 있어서, 본 실시예에 따른 기판이 전술한 실시예들에 따른 기판들과 다른 점은, 상기 기판의 상면(310a)에서 가장 가까운 거리에 구비된 배리어층(314)의 상기 기판의 상면(310a) 방향의 면 상에, 무기층 또는 유무기 하이브리드층(317)이 더 구비되어 있다는 점이다.
전술한 바와 같이 유기물과 금속은 접착력이 좋지 않아, 후에 박리되는 등의 문제점이 있다. 따라서 유기물과 금속의 접착력을 높이기 위해서는, 상기 유기물과 금속의 계면에서의 거칠기(roughness)가 크도록 해야만 한다. 그러나 그와 같은 경우, 기판의 표면이 평탄하지 못할 수 있으며, 따라서 그러한 기판 상에 박막 트랜지스터 등을 형성함에 있어서 불량이 발생할 수 있다.
따라서, 상기 기판의 상면(310a)에서 가장 가까운 거리에 구비된 배리어층(314)이 아닌 배리어층(315)의 양면은 거칠기가 크도록 하여 그 상하부의 유기물 층들(312, 313)과의 접착력을 높이고, 상기 기판의 상면(310a)에서 가장 가까운 거리에 구비된 배리어층(314)의 상기 기판의 하면(310b) 방향의 면도 거칠기가 크도록 하여 그 하부의 유기물 층(312)과의 접착력을 높이면서, 상기 기판의 상면 (310a)에서 가장 가까운 거리에 구비된 배리어층(314)의 상기 기판의 상면(310a) 방향의 면은 평탄하게 함으로써 상기 기판의 상면(310a)을 평탄하게 할 수 있다.
이 경우, 상기 기판의 상면(310a)에서 가장 가까운 거리에 구비된 배리어층(314)과 그 상부의 유기물 층(311) 사이의 접착력이 약하기에 후에 박리되는 등의 문제점이 발생할 수 있으므로, 상기 배리어층(314)과의 접착력이 좋으면서 상기 유기물 층(311)과의 접착력도 좋은 무기층 또는 유무기 하이브리드층이, 상기 기판의 상면(310a)에서 가장 가까운 거리에 구비된 배리어층(314)의 상기 기판의 상면(310a) 방향의 면 상에 구비되도록 한다. 이러한 구조를 취하도록 함으로써, 기판의 상면(310a)이 평탄하면서도 그 내부의 배리어층과 유기막 층 사이의 접착력이 높도록 하여, 상기 기판의 수명을 늘릴 수 있다.
상기 배리어층(314)과의 접착력이 좋으면서 상기 유기물 층(311)과의 접착력도 좋은, 무기층 또는 유무기 하이브리드층(317)은, SOG, 실록산 고분자, 실록산 올리고머, 실록산기를 갖는 열 경화재료, 실록산기를 갖는 자외선 경화재료, 이들 재료로 유도된 실리카, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, Ta 2O5, 실란 반응층, 콜로이드 실리카 입자를 함유하는 실리콘 레진, 콜로이드 실리카 입자를 함유하는 아크릴 레진, 티타니아 입자를 함유하는 실리콘 레진 및 티타니아 입자를 함유하는 아크릴 레진으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막, 다층막 또는 혼합막 구조인 것으로 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 제 4 실시예에 따른 기판을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판(410)은, 상면(410a)과 하면(410b) 사이에 적어도 하나의 배리어층(414)을 구비한다. 이와 같이 배리어층(414)이 기판(410) 내에 구비되도록 함으로써, 수분 등이 상기 기판(410)을 통과하는 것을 방지할 수 있다.
이때, 상기 기판(410)이 플렉서블한 특성을 갖도록 하기 위해 상기 배리어층(414)의 상하부의 층들(411, 412)은 각각 유기물로 형성된 유기물 층인 것으로 할 수 있다. 또한, 상기 배리어층(414)의 상하부의 층들(411, 412)이 유기물로만 이루어질 경우에는 디스플레이 장치 등의 기판으로서 필요한 기계적 강도를 갖지 못할 수도 있으므로, 그와 같은 경우에는 상기 유기물 층이 강화재료를 구비하도록 함으로써, 플렉서블 특성과 함께 적절한 기계적 강도를 유지할 수 있도록 할 수 있다.
한편, 수분 등이 상기 기판(410)을 통과하는 것을 방지하기 위해, 상기 기판(410) 중에 구비되는 상기 배리어층(414)으로서 다양한 물질들이 사용될 수도 있으나, 특히 금속막이 구비되도록 함으로써 그와 같은 효과를 높일 수 있다.
상기와 같은 구조에 있어서, 본 실시예에 따른 기판이 전술한 실시예들에 따른 기판들과 다른 점은, 상기 배리어층(414)의 상면 및 하면에, 무기층 또는 유무기 하이브리드층(417, 418)을 각각 더 구비한다는 것이다.
전술한 바와 같이 유기물 층들(411, 412)과 배리어층(414) 사이의 접착력이 좋지 못하기 때문에, 그 계면의 거칠기를 크게 해야만 소정의 접착력이 유지되도록 할 수 있다. 따라서 상기 배리어층(414)의 상면뿐만 아니라 하면에도 무기층 또는 유무기 하이브리드층이 구비되도록 함으로써, 계면이 그와 같은 거칠기를 갖지 않은 경우에도 안정적으로 소정의 접착력이 유지되도록 할 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 바람직한 제 5 실시예에 따른 수동 구동형 전계발광 디스플레이 장치 및 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치를 각각 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 전계발광 소자가 전술한 제 1 실시예에 따른 기판 상에 구비되어 있다. 물론 전계발광 소자 외의 다른 소자들로 이루어진 디스플레이부가 상기 기판(510) 상에 구비될 수도 있으나, 특히 전계발광 소자는 외부로부터의 수분 등에 의해 쉽게 열화되는 바, 본 발명에 따른 기판에 구비될 실익이 크다. 전계발광 소자의 구조에 대해 간략히 설명하자면 다음과 같다.
전계발광 소자는 다양한 형태의 것이 적용될 수 있는 데, 즉, 단순 매트릭스 타입의 수동 구동형(Passive Matrix: PM) 전계발광 소자이건, 박막 트랜지스터를 구비한 능동 구동형(Active Matrix: AM) 전계발광 소자이건 본 발명이 적용될 수 있다.
먼저, 도 6은 수동 구동형(PM type) 전계발광 소자의 일 예를 도시한 것으로, 기판(510) 상에 제 1 전극(531)이 소정의 패턴으로 형성되어 있다. 물론 상기 기판(510) 상에 SiO2 등으로 버퍼층(미도시)이 필요에 따라 더 구비될 수도 있다. 상기 제 1 전극(531)의 상부로 발광층(533) 및 제 2 전극(534)이 순차로 형성된다. 상기 제 1 전극(531)의 각 라인 사이에는 절연층(532)이 더 개재될 수 있으며, 상 기 제 2 전극(534)은 상기 제 1 전극(531)의 패턴과 직교하는 패턴으로 형성될 수 있다. 그리고, 도면에 도시되지는 않았지만, 제 2 전극(534)의 패턴을 위해 제 1 전극(531)과 직교하는 패턴으로 별도의 절연층이 더 구비될 수 있다.
상기 발광층(533)은 유기물 또는 무기물로 구비될 수 있으며, 유기물의 경우에는 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 유기 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 전술한 바와 같은 패터닝으로 구비되며, 전술한 바와 같은 마스크들을 이용하여 진공증착의 방법으로 형성된다.
고분자 유기물의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다.
상기 제 1 전극(531)은 애노드 전극의 기능을 하고, 상기 제 2 전극(534)은 캐소드 전극의 기능을 한다. 물론, 이들 제 1 전극(531)과 제 2 전극(534)의 극성 은 반대로 되어도 무방하다.
상기 제 1 전극(531)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 상기 기판(510) 중에 구비된 배리어층(514)이 금속막 등의 불투명한 배리어층(514)인 경우에는 반사형 전극으로 구비되는 것이 바람직하다. 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3를 형성할 수 있다.
제 2 전극(534)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 전술한 바와 같이 배리어층(514)이 불투명한 경우에는 투명 전극으로 구비된다. 투명전극으로 사용될 때에는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 유기막(533)의 방향을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.
도 7에는 능동 구동형(AM type) 전계발광 소자의 일 예를 도시하였다. 각 부화소들은 도 7에서 볼 수 있는 바와 같은 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한다.
상기 박막 트랜지스터는 반드시 도 7에 도시된 구조로만 가능한 것은 아니며, 그 수와 구조는 다양하게 변형 가능하다. 이러한 능동 구동형 전계발광 소자를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 7에서 볼 수 있듯이, 기판(510)의 상부에 전술한 박막 트랜지스터가 구비 된다. 물론 상기 기판(510) 상에는 필요에 따라 SiO2 등으로 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다.
상기 박막 트랜지스터는 활성층(522)과, 상기 활성층(522)의 상부에 형성된 게이트 절연막(523)과, 게이트 절연막(523) 상부의 게이트 전극(524)을 갖는다. 상기 게이트 절연막(523) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(524)이 형성된다. 상기 게이트 전극(524)은 박막 트랜지스터 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인과 연결되어 있다. 그리고, 상기 게이트 전극(524)이 형성되는 영역은 활성층(522)의 채널 영역에 대응된다.
상기 게이트 전극(524)의 상부로는 층간 절연막(inter-insulator : 525)이 형성되고, 컨택홀을 통해 소스 전극(526)과 드레인 전극(527)이 각각 활성층(522)의 소스 영역 및 드레인 영역에 접하도록 형성된다.
소스 전극(516) 및 드레인 전극(527) 상부로는 평탄화층(528)이 형성되고, 상기 평탄화층(528)의 상부에는 아크릴, 폴리 이미드 등에 의한 화소정의막(529)이 형성되어 있다. 상기 평탄화층(528)은 그 하부의 박막 트랜지스터를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있다.
그리고 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 상기 박막 트랜지스터에는 적어도 하나의 커패시터가 연결된다. 그리고, 이러한 박막 트랜지스터를 포함하는 회로는 반드시 도 7에 도시된 예에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변형 가능함은 물론이다.
한편, 상기 드레인 전극(527)에 전계발광 소자가 연결된다. 상기 전계발광 소자의 제 1 전극(531)은 평탄화층(528)의 상부에 형성되어 있고, 그 상부로는 절연성 화소정의막(529)이 형성되어 있으며, 상기 화소정의막(529)에 구비된 소정의 개구부에 발광층(533) 등이 형성된다. 도 7에는 상기 발광층(533)이 상기 부화소에만 대응되도록 패터닝된 것으로 도시되어 있으나, 이는 각 부화소의 구성을 설명하기 위해 편의상 그와 같이 도시한 것이며, 상기 발광층(533)은 인접한 부화소의 발광층과 일체로 형성될 수 있음은 물론이다.
상기 제 1 전극(531) 및 제 2 전극(534)의 재질, 상기 전극들 사이에 개재된 발광층(533) 및 상기 발광층 상하부의 중간층(미도시) 등은 전술한 수동 구동형 전계발광 소자와 동일할 수 있다.
기판(510) 상에 형성된 전계발광 소자는, 대향 부재(미도시)에 의해 밀봉된다. 대향부재는 상기 기판(510)과 동일한 물질로 구비될 수도 있으며, 이 외에도, 플라스틱재 또는 메탈 캡(metal cap) 등으로 형성될 수도 있다.
상기와 같은 구조에 있어서, 상기 전계발광 소자의 중간층(533) 등은 수분 등에 의해 매우 쉽게 열화되는 바, 따라서 상술한 바와 같이 배리어층(514)이 구비된 기판(510) 상에 상기 전계발광 소자들이 구비되도록 하여, 전계발광 디스플레이 장치의 수명을 늘릴 수 있다. 물론, 전계발광 소자 외의 다른 소자들로 디스플레이부가 구비된 경우에도 동일하게 적용될 수 있음은 물론이며, 이는 후술할 실시예들에 있어서도 동일하다. 이하의 실시예들에서는 편의상 디스플레이부가 전계발광 소자로 구비된 경우에 대해 설명하겠다.
도 8은 본 발명의 바람직한 제 6 실시예에 따른 수동 구동형 전계발광 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 수동 구동형 전계발광 디스플레이 장치와 같은 소자가 기판(610) 상에 구비될 경우에는, 전극(631)이 기판(610) 상에 구비되게 된다. 전술한 바와 같이 전극재료와 유기물은 접착력이 좋지 않으므로, 전술한 제 2 실시예에 따른 기판, 즉 기판의 상면(610a)에 유기물로 형성된 층(611)과의 접착력도 좋고 제 1 전극(631)과의 접착력도 좋은, 무기층 또는 유무기 하이브리드층(616)이 더 구비되도록 함으로써, 후에 상기 기판(610)과 상기 제 1 전극(631)이 박리되는 것을 방지하여, 평판 디스플레이 장치의 장수명화를 도모할 수 있다.
또한, 도 9에 도시된 바와 같이 전술한 제 4 실시예에 따른 기판과 동일한 기판(710) 상에 디스플레이부가 구비된 평판 디스플레이 장치는 물론, 도 10에 도시된 바와 같이 전술한 제 5 실시예에 따른 기판(810) 상에 디스플레이부가 구비된 평판 디스플레이 장치도 가능함은 물론이다.
그리고 이와 같은 평판 디스플레이 장치 외에도, 전술한 제 1 실시예 내지 제 5 실시예에 따른 기판을 다양한 장치에 적용할 수도 있음은 물론이다.
도 11은 본 발명의 바람직한 제 9 실시예에 따른 박막 트랜지스터를 구비한 기판을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 기판(902)의 상부에 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)가 구비되어 있고, 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 상기 기판(910)의 전면에 유기 평탄화층(928)이 구비되어 있다. 그리고 상기 유기 평탄화층(928)의 상면에 유무기 하이브리드층(928a)이 구비되어 있다.
상기 기판(902)은 전술한 제 1 실시예 내지 제 5 실시예에 따른 기판이 될 수도 있고, 그 외의 다양한 기판이 될 수도 있다. 그리고 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 구조는 전술한 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치에서 간략히 설명한 구조와 동일하나, 이 외의 다양한 박막 트랜지스터가 구비되는 경우에도 본 발명이 적용될 수 있음은 물론이다.
일반적으로 박막 트랜지스터가 구비될 경우, 상기 박막 트랜지스터의 상면을 평탄화하기 위해 상기 박막 트랜지스터를 덮도록 평탄화층이 구비된다. 상기 평탄화층은 물론 상기 박막 트랜지스터를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있다.
전술한 바와 같이, 플렉서블 디스플레이 장치를 구현하기 위해, 상기 디스플레이 장치에 박막 트랜지스터가 구비될 경우 상기 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화층도 플렉서블한 특성을 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 이를 위해 상기 평탄화층이 유기물로 형성된 유기 평탄화층이 되도록 할 수 있으며, 이러한 유기 평탄화층은, 이미드계 고분자막, 아크릴계 고분자막, 실리콘을 포함하는 벤조사이클로부텐계 고분자막, 페놀계 고분자막, 또는 노블락계 고분자막인 것으로 할 수 있다.
이때, 전술한 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치와 같이, 박막 트랜지스터를 구비한 다양한 디스플레이 소자들이 상기와 같은 기판 상에 구비될 경우, 대부분 상기 평탄화층 상부에 전극이 구비되게 된다. 이러한 경우, 전술한 바와 같이 전극재료와 상기 유기 평탄화층을 이루는 유기물의 접착력이 좋지 않다는 문제점이 있다.
따라서, 상기 유기 평탄화층(928)의 상면에, 유기물과의 접착력이 좋으면서도 전극재료와의 접착력도 좋은, 유무기 하이브리드층(928a)이 구비되도록 함으로써, 이러한 문제점을 해결할 수 있다. 이러한 유무기 하이브리드층(928a)은 실록산계 고분자, 상기 재료로 유도된 실리카 또는 실리카 혼합물로 형성되도록 할 수 있다.
상기와 같은 구조를 취하는 경우, 기판(902)의 상부에 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 유기 평탄화층(928)을 형성하는 단계, 그리고 상기 유기 평탄화층(928)의 상면에 유무기 하이브리드층(928a)을 형성하는 단계를 거치게 된다.
상기와 같은 공정에 있어서, 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 상기 기판(902)의 전면에 유기 평탄화층(928)을 형성하는 단계와, 상기 유기 평탄화층(928)의 상면에 유무기 하이브리드층(928a)을 형성하는 단계 사이에, 상기 유기 평탄화층(928)의 표면을 자외선, 오존, 플라즈마 또는 코로나 방전처리하는 단계를 더 구비하도록 함으로써, 상기와 같은 효과를 더 크게 할 수 있다.
상기와 같이 유무기 하이브리드층이 유기 평탄화층의 상면에 구비되도록 한 후, 도 12에 도시된 바와 같이, 그 상부에 디스플레이 소자가 구비되도록 함으로써, 플렉서블하면서도 수명이 긴 평판 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 기판, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치, 박막 트랜지스터를 구비한 기판, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 기판의 상면과 하면 사이에 배리어층이 구비되도록 함으로써, 기판이 플렉서블하면서도 수분 등이 기판을 통과하는 것을 방지할 수 있다.
둘째, 유기물로 이루어진 기판의 상면과 하면 사이에 배리어층이 구비되도록 하고, 상기 기판의 상면에 무기층 또는 유무기 하이브리드층이 구비되도록 함으로써, 상기 기판의 상면에 구비되는 전극 등과 상기 기판 사이의 접착력을 강화할 수 있다.
셋째, 기판의 상면과 하면 사이에 구비된 배리어층과의 접착력이 좋으면서 기판을 이루는 유기물 층과의 접착력도 좋은 무기층 또는 유무기 하이브리드층이, 배리어층의 상면 또는 하면에 구비되도록 함으로써, 기판의 내구성을 더욱 높일 수 있다.
넷째, 상기와 같은 기판 상에 디스플레이부를 구비함으로써, 외부로부터의 수분 등의 침투가 방지된 플렉서블한 평판 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.
다섯째, 기판 상에 구비된 박막 트랜지스터를 덮는 평탄화층의 상면에 유무기 하이브리드층이 구비되도록 함으로써, 상기 평탄화층의 상부에 구비되는 전극 등과 상기 평탄화층 사이의 접착력을 강화할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정 한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (22)

  1. 상면과 하면 사이에 적어도 하나의 배리어층을 구비하고, 상기 배리어층의 상하부의 층에는 강화재료가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 배리어층의 상하부의 층들은 각각 유기물 층이고, 상기 강화재료는 상기 유기물 층에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 유기물 층은, 에스테르, 이미드, 카보네이트, 아마이드, 에테르케톤, 에테르, 에테르에테르케톤, 에테르술폰, 에테르이미드, 액정 고분자 및 불소계 물질로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막, 다층막 또는 혼합막 구조인 것을 특징으로 하는 기판.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 강화재료는, 유리섬유, 실리카섬유, 실리카 파티클, 클레이, 운모, 탄소 나노 튜브, 탄소 나노 필름 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 기판.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 배리어층은 금속막인 것을 특징으로 하는 기판.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 금속막은, 구리, 알루미늄, 은, 니켈, 몰리브덴, 티타늄, 크롬, 철, 아연 및 금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막 또는 다층막 구조인 것을 특징으로 하는 기판.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 상면에 무기층 또는 유무기 하이브리드층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 상면에서 가장 가까운 거리에 구비된 배리어층의 상기 기판의 상면 방향의 면 상에, 무기층 또는 유무기 하이브리드층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 배리어층의 상면 및 하면에, 무기층 또는 유무기 하이브리드층을 각각 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판.
  10. 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 무기층 또는 유무기 하이브리드층은, SOG, 실록산 고분자, 실록산 올리고머, 실록산기를 갖는 열 경화재료, 실록산기를 갖는 자외선 경화재료, 이들 재료로 유도된 실리카, SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, Ta2 O5, 실란 반응층, 콜로이드 실리카 입자를 함유하는 실리콘 레진, 콜로이드 실리카 입자를 함유하는 아크릴 레진, 티타니아 입자를 함유하는 실리콘 레진 및 티타니아 입자를 함유하는 아크릴 레진으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는, 단일막, 다층막 또는 혼합막 구조인 것을 특징으로 하는 기판.
  11. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 상부에 박막 트랜지스터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판.
  12. 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 기판 상에 디스플레이부를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 디스플레이부는 전계발광 소자인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  14. 기판;
    상기 기판의 상부에 구비된 적어도 하나의 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판의 전면에 구비된 유기 평탄화층; 및
    상기 유기 평탄화층의 상면에 구비된 유무기 하이브리드층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 유기 평탄화층은, 이미드계 고분자막, 아크릴계 고분자막, 실리콘을 포함하는 벤조사이클로부텐계 고분자막, 페놀계 고분자막, 또는 노블락계 고분자막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 유무기 하이브리드층은 실록산계 고분자, 상기 재료로 유도된 실리카 또는 실리카 혼합물로 형성된 층인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판.
  17. 제 14항 내지 제 16항 중 어느 한 항의 기판 상에 디스플레이부를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 디스플레이부는 전계발광 소자인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 디스플레이부에서 발생된 광은 상기 기판의 반대 방향으로 취출되는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
  20. 기판의 상부에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판의 전면에 유기 평탄화층을 형성하는 단계; 및
    상기 유기 평탄화층의 상면에 유무기 하이브리드층을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 유기 평탄화층은, 이미드계 고분자막, 아크릴계 고분자막, 실리콘을 포함하는 벤조사이클로부텐계 고분자막, 페놀계 고분자막, 또는 노블락계 고분자막인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법.
  22. 제 20항 또는 제 21항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판의 전면에 유기 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 유기 평탄화층의 상면에 유무기 하이브리드층을 형성하는 단계 사이에, 상기 유기 평탄화층의 표면을 자외선, 오존, 플라즈마 또는 코로나 방전처리하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터를 구비한 기판의 제조방법.
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