KR20060036913A - 광 기록매체 - Google Patents

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KR20060036913A
KR20060036913A KR1020057022662A KR20057022662A KR20060036913A KR 20060036913 A KR20060036913 A KR 20060036913A KR 1020057022662 A KR1020057022662 A KR 1020057022662A KR 20057022662 A KR20057022662 A KR 20057022662A KR 20060036913 A KR20060036913 A KR 20060036913A
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KR1020057022662A
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라이팟 에이. 엠. 히크맷
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코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

실온 이상의 온도에서 가열시에 크기의 변화를 받을 수 있는 나노미터 크기의 무기 미립자와, 그 무기 미립자를 분산하여 합성 폴리머를 형성하는 폴리머를 포함한 광 기록매체가 개시되어 있다. 바람직한 실시예에 의하면, 크기의 변화는, 상기 합성 폴리머의 흡수 스펙트럼의 변화에 의해 검출가능하다.
광 기록매체, 합성 폴리머, 무기 미립자, 흡수 스펙트럼

Description

광 기록매체{OPTICAL RECORDING MEDIUM}
본 발명은 광 기록매체에 관한 것이다.
각 종 시스템은, 광 기록을 발광의 원리를 사용하여 기재되었고 이들 시스템은 방법들과 조합하여 한번 기록 가능 여러 번 판독 가능(WORM: Write Once Read Many) 디스크 및 판독전용 메모리(ROM) 디스크의 생산시에 사용될 수 있는 다중층을 제조한다. 관련된 개시내용의 요약을 아래에 나타내었다.
도 1은 트랙(3)에 정보(2)를 기록하는 상기와 같은 디스크(1)를 개략적으로 나타낸 것이다. 트랙의 부분을 따라서의 기록 디스크의 단면을 도 2에 개략적으로 도시하였다.
도 2의 층은, 기록된 정보(7)와, 그 사이에 투명층(8)을 포함한다. 형광성에 의거한 다중층 기록 개념에 있어서, 빔(5)은 기록과 판독 모두에 대해 사용된 스폿에 포커싱된다. 기록 및 판독을 위해 사용될 수 있는 가열은, 빔(5)에 의해 유기된 발광(빔(6))을 검출하여 행해진다. 상기 빔(5)은 일부의 층(7, 8)을 통해 포커싱된다. 따라서, 이들 환경하에서 흡수대역으로부터 멀리 발광이 일어나도록 라아지 스토크 시프트를 갖는 재료를 갖는 중요하기도 하다. 이러한 방식으로 발광된 광(6)(형광 광)은 흡수시키지 않고 상기 층들을 통해 전도될 수 있다. 또한, 제 3 층은, 기록을 향상시키거나 용이하게 하기 위해서 상기 기록층 보다 아래에 또는 위에 설 치될 수 있다. 이러한 층은, 감온변색 또는 감광변색층일 수 있다.
US 특허 5 399 451에는, 매체 형광재료에 의해 흡수되는 파장의 광으로 조사되어서 광반응 쌍안정 ??처의 쌍안정 이소머(isomer)를 사용한 정보의 디지털 기록이 개시되어 있고, 이에 따라 에너지는 상기 형광재료에서 광반응 쌍안정 ??처에 전달된다. 상기 매체에 보다 약한 광으로 조사하고 그 형광재료에서 방출한 형광성을 검출하여서 판독을 한다.
US 6 027 855에는, 비형광 로다마인(rhodamine) B 락탐(lactam)의, 판독전용 메모리(ROM)에서 사용할 수 있는 형광 로다마인 B 유도체로의 광화학 변환이 기재되어 있다. 마찬가지로, US 5 945 252에는, 폴리사이클릭 퀴논의 비형광 페리-페녹시 유도체의, (ROM)용 아나퀴논의 형광성 아미노 유도체로의 변환이 개시되어 있다.
EP 0 280 284에는, 컬러현상층에서의 특수 형광 염료 및/또는 형광안료를 함유한 열감지 기록재에서 전자 억셉터 및 전자 도우너의 사용이 기재되어 있다. 아래의 본 발명에 따른 기록재료는, UV 광에 대한 노출시에 우수한 국부적 획득능력과 근자외선 영역에서 양호한 광학 판독능력을 갖는다.
WO 00/15 425에서, 형광성 한번 기록 가능 여러 번 판독 가능(WORM) 디스크에서 사용하기 위한 폴리머 조성물 내의 염료는 레이저 방사선을 흡수하고 그 흡수된 광을 열로 변환한 수 있는 형광염료의 약 0.1 내지 10 중앙 백분율 농도; 니트로셀루로스 및 막형성 폴리머의 약 10 내지 80 중앙 백분율 농도를 포함한다. 용액을 함유한 염료는, 스핀, 롤러 또는 딥 코팅에 의해 광 기록매체의 기판에 도포된 다. 이 방법은 포커싱된 레이저 빔을 사용하여 기록층을 주사한다.
WO 00/48 178에는, 형광염료, 니트로셀루로스 및 막 형성 폴리머를 함유한 형광성 WORM 디스크의 광 기록매체가 개시되어 있다. 이 매체는, 3차원 광 메모리 시스템을 구비한 WORM 디스크에 고용량 광 메모리를 제공한다.
WO 00/55 850에는, 형광 판독/기록으로 다중층 광 정보매체를 제조하는 방법이 기재되어 있다. 기판의 일면 또는 양면에 형광막을 갖는 기판으로 형성된 구조를 제조하고, 이때 상기 기판은 형광 판독/기록에 사용된 입사 방사선에 대해 투과적이다. 패터닝된 구조는, 소정의 처리조건 하에서 형광막에 도포되어, 이것은 불연속 형광 영역으로 이루어진 어레이의 형태로 표면 릴리프를 갖는 형광성 패터닝된 구조를 제조하기에 충분하다. 이와 같은 과정을 필요한 수의 시간동안 반복하여, 다중층 광 정보매체의 처리 완료시에 얻어진다.
끝으로, WO 01/06 505에는, 형광 판독으로 감광층을 갖는 WORM 형태 다중층 광 메모리가 개시되어 있다. 이러한 디스크는, 투명 기판과, 공간적으로 서로 폴리머층으로 분할되고 접착층을 사용하여 조립된 다수의 정보층을 포함한다. 나선형 그루브 내의 감광 물질에 정보가 저장되어 있다. 감광물질은, 연속층으로서 형성되거나, 비감광 백그라운드에 불연속 그루브들로서 형성될 수 있다. 상기 감광물질의 여러 가지 조성물에 의해, 형광 표백 또는 방출을 변화하여 기록하는 것을 임계 형태 기록으로 할 수 있다.
상기 인용한 특허문헌에 기재한 폭넓은 기술적 개시내용에도 불구하고, 아직도 개선된 광 기록매체에 대한 요구가 있다. 특히, 그것은, 광 활성 성분으로서 유 기 화합물에 의거하는 상기 광 기록매체에 대해 일반적인 것이다. 이러한 시스템은, 유기화합물이 불안정할 수도 있고 표백에 민감할 수도 있다는 단점이 있다.
본 발명의 목적은, 상기 단점을 해결하고, 안정한 광 활성 성분에 의거하는 광 기록매체를 제공하는데 있다.
상기 목적은, 청구항 1에 기재된 광 기록매체에 의해 달성된다. 그 광 기록매체의 바람직한 실시예는 종속항에 기재되어 있다.
본 발명의 폴리머 조성물에 함유된 무기 미립자는 기본적으로 나노미터 크기이다. 그들의 특성은 그들의 크기에 영향을 받는다. 벌크구조에서 분자구조로의 점진적인 천이는 미립자 크기가 감소될 때, 이와는 반대로 될 때 일어난다. 이들 양자화 효과를 나타내는 미립자를, 종종 양자점이라고 부른다. 그들은, 크기에 의존하는 광학 및 전자 작용을 나타낸다. 예를 들면, 이들 재료의 밴드갭은 미립자 크기가 감소되면서 벌크 재료에 대해 수 전자볼트만큼 증가되는 것으로 나타날 수 있다. 이것은, 미립자 크기가 감소되면서 수백 나노미터 이동하는 재료의 흡수 및 광발광 분광에 반영된다.
상기 미립자의 크기는, 합성 폴리머의 생성 후 열을 가하는 것에 영향을 받을 수도 있다. 이러한 방법은, 미립자의 크기를 변화시킬 수 있다.
무기 미립자의 크기는, 합성 폴리머의 생성 후 열을 가하는 것에 영향을 받을 수도 있다. 이러한 방법은, 무기 미립자의 작용에 따라 서로 다른 효과를 갖는다.
가열시에 집적되게 하여, 크기가 증대되는 무기 미립자가 있다. 이 경우에, 크기의 변화는 증가이다. CdS는 상기 형태의 무기 미립자를 나타낸다. 화학적인 변환으로 유기된 열을 받아 크기가 감소하게 되는 다른 무기 미립자가 있다. 이러한 형태의 무기 미립자의 일례로는, 대기의 공기에서 가열된 경우 CdO로 부분적으로 변환된 CdSe가 있다. 이러한 변환은, 실제로 무기 미립자의 전체 크기의 변화가 아니고, 오히려 화학적 반응으로 그 조성물에 있어서 부분적으로 변화되게 한다. 상기 변환도 광화학적으로 달성할 수 있다. 그것은, X선 광 전자 분광학을 사용하여 검출될 수 있다.
무기 미립자의 광학특성(흡수 및/또는 방출 파장)은, 그에 따라서 변화될 수 있다. 온도 증가와 미립자 크기의 변화간의 불변의 관계가 존재한다는 것을 주목해야 한다. 처리온도가 제조 후 높아질수록, 무기 미립자의 변화와 그에 따른 결과적인 광학특성의 변화가 보다 많다.
상기 내용으로부터 수반되는 것은, 상기 미립자가 실온에서 특별한 크기를 갖도록 제조되는 경우, 그 미립자는 특정 파장에서 흡수 및/또는 방출할 것이 다는 것이다. 온도를 증가시킨 가열시에, 그 미립자는 상술한 것처럼 크기에 있어서 끊임없이 변화(증가 또는 감소)되고 그에 따라서 그들의 특성이 변화할 것이다(흡수도와 광발광 대역의 이동). 이들 변화는 본 발명의 조성물을 본 발명의 제 1 국면에 따라 광 기록을 하는데 적합하게 한다. 적절한 온도의 범위는, 100-300℃이다. 이러한 온도는, 광 레코딩 기술에서 사용된 레이저에 의해 달성된다. 일반적으로, 상기 이동은 바소크로믹(bathochromic) 방식에서, 즉 보다 높은 파장에 대해 일어난다.
본 발명의 제 2 국면에 의하면, 본 발명의 무기 미립자는, 발광효율이 높은 시스템의 형광성을 소광하는데 사용될 수 있다. 이러한 시스템은, 유기 패시베이션층에 무기 미립자가 삽입되는 경우를 나타낸다. 이러한 층은, 상기 고 발광효율을 얻도록 표면상태를 안정화시킨다. 상기 미립자를 고온까지 가열하면 그 표면으로부터 유기 분자를 제거하여, 형광성을 소광한다. 또, 시스템의 광학특성의 변화로 관찰되는 것은, 광 레코딩에 사용될 수 있다는 것이다. 나중에 밝혀질 것에 의하면, 상기와 같은 형광성 소광(quenching)은, 방출대역의 파장 이동을 아주 많이 일으키지 않지만 우선적으로 발광의 강도에 영향을 미친다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 무기 미립자로는, CdS, CdTe, CdSe, ZnS, ZnSe, PbS, HgS, HgTe, GaAs, GaP, InAs, InP 및 ZnO가 있다.
다른 바람직한 실시예에 의하면, 크기의 변화는 합성 폴리머의 흡수 스펙트럼의 변화에 의해 검출가능하다.
또 다른 바람직한 실시예에 의하면, 본 발명의 무기 미립자는 발광 미립자이다. 또 다른 바람직한 실시예에 의하면, 적어도 일 방향에서 10nm보다 작은 크기를 갖는 둥근형 디스크 또는 막대기형 디스크이다.
또 다른 바람직한 실시예에 의하면, 폴리머는, 아크릴레이트, 에폭시 또는 티오렌 모노머로 이루어진 폴리머이다. 이와는 달리, 상기 폴리머는, 카르복실산기 및/또는 카르복실산염을 함유하기도 한다. 또 다른 바람직한 실시예에 의하면, 상기 폴리머는 화학적으로 교차연결된다.
무기 미립자는, 합성 폴리머의 전체 중량에 의거한, 1 내지 60 중앙 백분율 농도의 양으로 상기 폴리머에 함유되어 있는 것이 바람직하다.
상기 무기 미립자를 얻는 일 방법은, 그들의 금속염을 함유한 용액 내의 침전에 의한 것이다. 그들 중에서, 황화물, 셀렌화물, 텔루르 화합물 및 인화물(CdS, CdTe, CdSe, ZnS, ZnSe, PbS, HgS, HgTe, GaP, InP)은 H2S, H2Se, H2Te 또는 PH3 또는 그들의 알칼리 금속염을 사용하여 침전될 수 있다. AsH3 및 As(CH3)3는 비화물(GaAs, InAs)의 조제품에 사용될 수 있다. ZnO 등의 산화물은 수산화물 등의 염기를 갖는 첨가물에 의해 얻어질 수 있다.
상기와 같은 미립자를 만드는 또 다른 방법은, 트리-n-옥틸포스핀(산화물) 및 도데실 아민 등의 배위 용제를 사용하여 증가된 온도에서 디메틸 카드뮴 및 카드뮴 아세테이트 등의 오가노 금속성 전구체의 열분해에 의한 것이다.
상술한 것처럼, 적절한 미립자는, 둥글고 막대기형 또는 디스크형일 수 있다. 그러나, 그 미립자들도 비대칭이어도 된다.
본 발명의 광 기록매체를 제조하는 일 방법은, 폴리머 매트릭스에서 사전 제조된 무기 미립자의 분산을 포함한다. 이를 위해, 나노 미립자는, 분자를 안정화하는 경우에 유기 용제에서 생성될 수 있다. 이어서, 미립자는, 폴리머 용액에 첨가된다. 이러한 폴리머 용액은, 기판의 상부에 용액을 도포할 때 용제의 증발에 의해 나노 미립자를 함유한 얇은 폴리머층에 형성될 수 있다. 폴리카보네이트 폴리스티렌은, 이를 위해 사용될 수 있는 공지된 폴리머이다. 그러나, 다른 폴리머도 사용될 수도 있다.
광 기록매체를 제조하는 다른 방법은, 폴리머 매트릭스에서 무기 미립자의 인 시츄(in-situ) 제조를 포함한다. 이를 위해, 전구체 금속염 및/또는 폴리머 매트릭스에 용해된다. 이어서, 상기 전구체는, 상술한 것과 같은 나노 미립자를 형성하도록 반응물을 사용하여 감소된다. 폴리머 매트릭스에서의 전구체 재료를 분산하기 위해서, 용해 그룹 또는 배위 그룹을 갖는 폴리머를 사용하는 것이 필요하다. 이를 위해, 호모폴리머, 코폴리머, 블록 코폴리머를 사용할 수 있다. 용해 그룹을 갖는 폴리머의 예로는, 폴리(스티렌 술폰산), 폴리(N-알킬피리디늄 할라이드), 폴리(메틸)아크릴산, 폴리(N-비닐파이롤리돈), 폴리(비닐 에테르), 폴리(에틸렌(프로필렌) 산화물), 폴리(비닐 메틸 에테르), 폴리-)메틸(아크릴레이트), 및 폴리(비닐 부틸 에테르)가 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 무기 미립자가 분산된 폴리머는, 교차연결망을 포함한다. 이러한 망은, 아크릴레이트, 에폭시 또는 티오렌 등의 반응성 말단기(A) 및 (C)를 갖는 것으로 아래에 나타내어진 기본식(I, II)의 분자를 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 망은, 금속이온을 갖는 착물을 형성할 능력을 갖는 기를 함유하거나, 그것을 용해하는 능력을 가져야 한다. 하이드록시, 카르복실산, 피리딘 및 에틸렌 산화물기는, 사이드(side) 또는 브리징기(bridging group)(B)로서 사용될 수 있다. 상기 금속이온은, 각 종 상태에서의 상기와 같은 망을 초래할 수 있다. 그것은 모노모릭 상태에서 상기 시스템을 초래할 수 있다. 이것은, 금속원자를 함유한 식(I)에서의 기(group) B를 선택하여 그 시스템을 폴리머화하여 금속원자(M)를 함유한 고체막을 형성하여 행해질 수 있다. 이러한 아크릴 레이트는, 식(III)으로 나타내어진다. 본 예시에서, X는 임의의 브리징기일 수 있다. 이어서, 그것은, 나노입자로 변환될 수 있다. 또한, 망을 제조한 후, 용제를 팽창시켜서 금속 이온을 초래한다. 아크릴레이트기를 갖는 상기와 같은 분자의 예로는, 식(IV)가 있다.
Figure 112005068761849-PCT00001
본 발명을 바람직한 예시와 첨부도면을 참조하여 더욱 상세히 기재 및 설명할 것이다.
도 1은 정보(2)를 트랙(3)에 기록한 종래의 기록 디스크(1)의 도면이고,
도 2는 도 1의 기록 디스크의 단면도,
도 3은 무기 미립자로서 CdS를 함유하고, (실온) 측정하고 온도 100-200℃ 사이에서 처리 후인 본 발명의 제 1 국면에 따른 폴리아크릴레이트계 합성 폴리머의 흡수 스펙트럼을 나타내고,
도 4는 모두 처리온도와 관련하여, 기초의 CdS 결정 반경뿐만 아니라 도 4의 흡수 스펙트럼의 흡수 에지의 위치(파장) λe를 나타내고,
도 5는 도 3의 합성 폴리머의 광발광 스펙트럼을 나타내고,
도 6은 무기 미립자로서 CdS를 함유한 본 발명에 따른 폴리아크릴레이트계 합성 폴리머 상에서 각 종 펄스길이의 레이저 조사에 의해 기록한 스폿 상의 반사의 변화를 나타내고,
도 7은 무기 미립자로서 CdS를 함유하고, (실온) 측정하고 온도 100-250℃ 사이에서 처리 후인 본 발명의 제 2 국면에 따른 폴리비닐피롤리돈계 합성 폴리머의 방출 스펙트럼을 나타낸다.
(예시 1)
예시 1은, 본 발명의 제 1 국면에 관하고, 무기 미립자의 열 유기 성장에 의한 흡수대역의 적색 이동을 사용한다. 다음의 구조를 갖는 화합물(아크릴레이트)을 사용하였다.
Figure 112005068761849-PCT00002
화합물(VI)에 10% wt 화합물(V)을 함유한 혼합물을 제조하였다. 이 혼합물은, 하나의 셀에 배치하였고 10W 형광램프(필립스 PL 10)로부터 UV 방사선을 사용하여 폴리머화를 시작하였다. 폴리머화된 막은, 상기 망을 중화시키고 빌드(build) Cd을 화합물(VI)에 섞기 위해서 3% 카드뮴 아세테이트 디하이드레이트, 40% 에탄올, 7% 탈염수 및 50% 디클로로메탄을 함유한 용액에 배치되었고, 그 화합물을 화합물(VII)로 변환하였다. 상기 샘플들을, 반나절 동안 용액에 담그고, 42% 에탄올, 8% 탈염수 및 50% 디클로로메탄을 함유한 혼합물에 헹구어, 상기 망에 속박되지 않은 이온을 씻었다. 이어서, 그 샘플들을 실온에서 건조하고 나머지 용제를 150℃까지 가열하여 제거하였다. 적외선 분광학을 사용하여 발견한 것은, 화합물(VI)을 전체적으로 화합물(VII)로 변환하였다는 것이다. CdS 양자점을 생성하기 위해서, 카드뮴을 함유한 망은 대기압과 실온에서 4시간동안 드라이 H2S를 갖는 튜브에 배치되었다. 이러한 처리 후, 즉 화합물(VII)의 분자가, IR 분광학과, CdS 결정이 형성되었다는 사실에 의해, 관찰된 것과 같은 형태(VI)로 다시 역변환되었다.
도 3은 실온에서 측정되고 상기 샘플을 2분 동안 여러 온도에서 가열한 후의 스펙트럼을 나타낸다. 본 도면에서, 또한 순(pure) 망의 스펙트럼을 비교를 위해 나타낸다. CdS 양자점의 존재는 순 망에 존재하지 않는 흡수대역을 일으킨다는 것을 알 수 있다. 더욱이, 흡수대역(λe)의 온셋은, 온도가 증가하면서 보다 높은 파장으로 이동된다. 증가하는 흡수 에지는, CdS 결정의 크기가 저장온도가 증가하면서 증가한다는 것을 나타낸다.
상기 결정(R)의 크기는, 다음의 실험식을 사용하여 흡수 에지로부터 계산되었다.
R(nm)=0.1/(0.1338 - 0.0002345*λe)
도 4에는 그 결과가 도시되어 있다. 상기 샘플을 가열하는 동안, 상기 결정의 크기는 연속적인 증가가 저장온도의 함수로서 관측되는 80℃까지 거의 변화되지 않고 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 상기 샘플들의 광발광 스펙트럼은, 상기 언급된 처리온도에서 저장한 후 측정하였다. 그 결과를 도 5에 도시하였다. 온도가 증가함에 따라 방출 최대값은, 증가된 결정의 크기의 결과로서 보다 높은 파장으로 이동한다(적색 이동)는 것을 알 수 있다.
열을 가함으로써, 상기 결정의 크기는 변화될 수 있을 것이고 방출 대역의 위치에서의 큰 변화인, 그 시스템을 광 기록에 적합하도록 얻어질 수 있다는 것을 알 수 있다.
다양한 기록 실험도 상기 층들에 관해 실행하였다. 상술한 것처럼 상기 층을 제공하였다. 레이저 빔을 사용하여, CdS 결정은 현지내에서 제조되었다. 검출선은 국부 가열에 의해 상기 층에 기록될 수 있다.
고속에서는, λ=405nm의 파장을 갖는 고체상태 레이저에 의한 스태틱 테스터를 사용하였다. 개구수(NA)가 0.85인 대물렌즈를 사용하였다. 레이저의 출력은 10mW로 설정하였고, 스폿은 다양한 펄스길이에서 기록되었다. 기록전후마다, 상기 스폿으로부터의 반사를 측정하였다. 반사도의 변화는, 레이저 펄스길이의 함수로서 도 6에 도시되어 있다.
그렇게 단시간에 기록하는 것이 가능한 것을 나타내는 상기 샘플의 반사도의 충분한 변화를 이미 10ns에서 관측된 것을 도 6으로 알 수 있다. 그 도면에서, 또 한, 500ns보다 긴 펄스가 반사도의 보다 큰 변화를 생성할 수 있다는 것을 알 수 있다. 이러한 현상은, 도 3에 도시된 작용과 관련되어 있다. 결정이 증대함에 따라, 약 400ns의 흡수도가 초기에 점차적으로 더욱 증가하고, 그 결정들이 특정 크기에 도달할 때, 상기 파장에서의 흡수도가 급속하게 증가하는 것을 나타낸다.
상기 실험과로부터 (특히 도 5로부터) 처리온도(즉, 무기 미립자를 기록 레이저에 의해 가열한 온도)는 80℃보다 높아야 한다고 결론을 내릴 수 있다. 추가의 상세한 설명은 주어진 상황에 의존한다. 한편, 신호 산출 때문에 160-220℃만큼 높은 온도이어야 할 것이다. 또 한편, 고온은 고속기록에서 달성될 수 없다. 이들은, 기술적인 최적화에 의해 브리징되어야 하는 모순된 사항들이다.
(예시 2)
예시 2는 본 발명의 제 2 국면에 관한 것이고 열 유기 형광 소광을 사용한다. CdTe 미립자를 사용하였다. 그 미립자는, 그 문헌에 설명된 과정에 따라서 합성하였다. 이 미립자는 티올 분자에 의해 안정화되고, 매우 높은 발광을 나타낸다. 폴리머(폴리비닐파이롤리돈)를 상기와 같은 혼합물에 첨가하였고, CdTe 미립자를 함유한 폴리머층은 유리 기판 상에 제조될 수 있다. 실온에서, 그 폴리머층은 매우 센 발광을 나타내었다. 그러나, 250℃이상 가열 후, 도 7에 도시된 것처럼, 발광이 크게 감소되는 것을 관측하였다. 상술한 것처럼, 광학특성의 변화는, 우선적으로 방출 대역의 강도에 있고, 그들의 파장은 일정하다. 그 대역을 적색으로 이동하기 위한 250℃의 고온이 필요하다.

Claims (10)

  1. 실온 이상의 온도에서 가열시에 크기의 변화를 받을 수 있는 나노미터 크기의 무기 미립자와, 그 무기 미립자를 분산하여 합성 폴리머를 형성하는 폴리머를 포함한 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 실온 이상의 온도의 범위는, 100 - 300℃이고, 바람직하게는 80보다 큰 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 크기의 변화는, 상기 합성 폴리머의 흡수 스펙트럼의 변화에 의해 검출가능한 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 미립자는, 발광 미립자인 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 미립자는, CdS, CdTe, CdSe, ZnS, ZnSe, PbS, HgS, HgTe, GaAs, GaP, InAs, InP, 또는 ZnO인 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 무기 미립자는, 적어도 일 방향에서 10nm보다 작은 크기를 갖는 둥근형 디스크 또는 막대기형 디스크인 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머는, 아크릴레이트, 에폭시 또는 티오렌 모노머로 이루어진 폴리머인 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머는, 카르복실산기 및/또는 카르복실산염을 함유하는 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머는 화학적으로 교차연결되는 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 미립자는, 합성 폴리머의 전체 중량에 의거한, 1 내지 60 중앙 백분율 농도의 양으로 상기 폴리머에 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 광 기록매체.
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