KR20060033235A - Dry etching apparatus having actuator combine structure by coupler - Google Patents

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KR20060033235A KR1020040082226A KR20040082226A KR20060033235A KR 20060033235 A KR20060033235 A KR 20060033235A KR 1020040082226 A KR1020040082226 A KR 1020040082226A KR 20040082226 A KR20040082226 A KR 20040082226A KR 20060033235 A KR20060033235 A KR 20060033235A
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이승석
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Abstract

본 발명은 반응 기체 입자의 플라즈마 상태를 이용하여 식각하고자 하는 막질을 화학적 또는 물리적으로 제거시키는 건식 식각 장치에 관한 것으로서, 식각 반응이 일어나는 프로세스 챔버와; 그 프로세스 챔버 내부에 설치되어 있으며 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 척과; 그 웨이퍼 척의 하부에 설치되어 플라즈마를 형성시키기 위한 플라즈마를 형성시키기 위한 전극으로서 작용하는 캐소드와; 그 웨이퍼 척 상에 놓여진 웨이퍼를 수직으로 위치 이동시키는 복수의 리프트 핀들과, 그 리프트 핀들이 수직으로 결합되어 있는 리프트 핀 고정구 및 상기 리프트 핀 고정구에 액추에이터 축이 결합된 액추에이터를 포함하는 리프트 핀 어셈블리;를 구비하는 건식 식각 장치에 있어서, 리프트 핀 고정구에 체결되도록 하여 프로세스 챔버 내부와 외부에 걸쳐 커플러가 결합되어 있고, 프로세스 챔버 외부에서 커플러와 액추에이터 축이 결합되어 있는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 액추에이터의 분리 및 결합 시에 챔버를 개방하고 캐소드를 들어내는 작업이 필요 없기 때문에, 액추에이터의 교체에 소요되는 시간을 크게 감소시킬 수 있고, 액추에이터 교체로 인한 비정기적인 유지 보수가 불필요하여 생산성이 향상될 수 있다.The present invention relates to a dry etching apparatus for chemically or physically removing a film to be etched using a plasma state of a reaction gas particle, the process chamber including an etching reaction; A wafer chuck installed in the process chamber and on which the wafer is mounted; A cathode disposed below the wafer chuck and serving as an electrode for forming a plasma for forming a plasma; A lift pin assembly comprising a plurality of lift pins for vertically positioning a wafer placed on the wafer chuck, a lift pin fixture to which the lift pins are vertically coupled, and an actuator coupled to the lift pin fixture; In the dry etching apparatus having a, it is coupled to the lift pin fixture, the coupler is coupled to the inside and outside of the process chamber, and the coupler and the actuator shaft is coupled to the outside of the process chamber. This eliminates the need for opening the chamber and lifting the cathode during the separation and coupling of the actuator, which greatly reduces the time required to replace the actuator and eliminates the need for occasional maintenance due to actuator replacement. This can be improved.

건식식각장치, 화학기상증착, 액추에이터, 커플러, 캐소드, 챔버Dry Etchers, Chemical Vapor Deposition, Actuators, Couplers, Cathodes, Chambers

Description

커플러에 의한 액추에이터 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치{Dry etching apparatus having actuator combine structure by coupler}Dry etching apparatus having actuator combine structure by coupler

도 1은 종래 기술에 따른 건식 식각 장치의 일 예를 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a configuration diagram schematically showing an example of a dry etching apparatus according to the prior art.

도 2는 도 1에 도시된 건식 식각 장치의 액추에이터 결합 구조를 개략적으로 나타낸 부분 단면도이다.FIG. 2 is a partial cross-sectional view schematically illustrating an actuator coupling structure of the dry etching apparatus illustrated in FIG. 1.

도 3은 본 발명에 따른 건식 식각 장치의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 구성도이다.3 is a configuration diagram schematically showing an embodiment of a dry etching apparatus according to the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 건식 식각 장치의 액추에이터 결합 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view schematically illustrating an actuator coupling structure of the dry etching apparatus illustrated in FIG. 3.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10; 건식식각 장치 11; 프로세스 챔버10; Dry etching apparatus 11; Process chamber

13; 챔버 벽 15; 상단 덮개13; Chamber wall 15; Top cover

17; 가스 공급 슬릿부 21; 웨이퍼 척17; Gas supply slit portion 21; Wafer chuck

25; 포커스 링 27; 캐소드25; Focus ring 27; Cathode

29; 터보 펌프 30; 리프트 핀 어셈블리29; Turbo pump 30; Lift pin assembly

31; 리프트 핀 고정구 33; 리프트 핀 31; Lift pin fixture 33; Lift pins                 

35; 액추에이터 37; 액추에이터 축35; Actuator 37; Actuator shaft

39,45; 고정나사 41; 커플러39,45; Fixing screw 41; Coupler

43; 연결대43; Connecting rod

본 발명은 반도체 제조 공정에 사용되는 식각 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반응 기체 입자의 플라즈마 상태를 이용하여 식각하고자 하는 막질을 화학적 또는 물리적으로 제거시키는 건식 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an etching apparatus used in a semiconductor manufacturing process, and more particularly to a dry etching apparatus for chemically or physically removing a film to be etched using a plasma state of a reaction gas particle.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진(photo) 공정, 식각(etching) 공정, 확산, 박막 공정 등이 반복적으로 실시된다. 이러한 공정들 중에서 식각 공정은 크게 건식 식각(dry etching)과 습식 식각(wet etching)으로 나눌 수 있으며, 현재 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 등방성(isotropic) 특성을 나타내는 습식 식각에 비해 이방성(anisotropic) 특성을 나타내는 건식 식각이 많이 이용된다.In order to manufacture a semiconductor device, a photo process, an etching process, a diffusion process, a thin film process, and the like are repeatedly performed. Among these processes, the etching process can be largely divided into dry etching and wet etching, and is anisotropic compared to wet etching, which shows isotropic characteristics as the degree of integration of semiconductor devices increases. Dry etching, which is characteristic, is often used.

건식 식각은 반응 기체를 고주파가 인가된 프로세스 챔버(process chamber) 내부로 주입하여 높은 에너지 상태로 활성화시켜 생성되는 이온, 전자, 원자, 라디컬(radical) 등을 사용하여 피가공 재료의 식각할 부분을 화학적 또는 물리적으로 깎아 내는 식각이다. 이때, 피가공 재료가 실리콘 또는 실리콘 기판인 경우에는 플루오르(fluorine; F) 등의 할로겐(Halogen)을 기초로 한 기체가 주로 사용된다. 이와 같은 건식 식각 공정을 수행하는 건식 식각 장치의 구성을 이하에 소개하기로 한다.Dry etching involves the use of ions, electrons, atoms, radicals, etc., generated by injecting a reaction gas into a high-frequency applied process chamber and activating it in a high energy state to etch the part of the workpiece. It is chemically or physically etched off. At this time, when the material to be processed is silicon or a silicon substrate, a gas based on halogen such as fluorine (F) is mainly used. The configuration of a dry etching apparatus for performing such a dry etching process will be described below.

도 1은 종래 기술에 따른 건식 식각 장치의 일 예를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 건식 식각 장치의 액추에이터 결합 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a configuration diagram schematically showing an example of a dry etching apparatus according to the prior art, Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing the actuator coupling structure of the dry etching apparatus shown in FIG.

도 1을 참조하면, 건식 식각 장치(100)는 챔버 벽(chamber wall; 113)과 상단 덮개(115)가 결합되어 웨이퍼 가공 공간이 형성된 프로세스 챔버(111)를 갖는다. 프로세스 챔버(111)의 상부에 결합된 상단 덮개(115)의 하부에는 반응 기체의 공급을 위한 가스 공급 슬릿부(117)가 결합되어 있다.Referring to FIG. 1, the dry etching apparatus 100 includes a process chamber 111 in which a chamber wall 113 and a top cover 115 are coupled to form a wafer processing space. A gas supply slit 117 for supplying a reaction gas is coupled to a lower portion of the upper cover 115 coupled to the upper portion of the process chamber 111.

프로세스 챔버(111) 내에는 웨이퍼가 탑재 및 고정되는 웨이퍼 척(wafer chuck; 121)이 설치되어 있고, 웨이퍼를 웨이퍼 척(121)으로부터 상승 또는 하강시키기 위한 리프트 핀(lift pin; 133)을 포함하는 리프트 핀 어셈블리(130)가 웨이퍼 척(121)의 하부에 설치되어 있으며, 플라즈마 집진을 위하여 포커스 링(focus ring; 125)이 웨이퍼 척(121)의 가장자리 상부에 설치되어 있다. 웨이퍼 척(121)의 하부에는 플라즈마를 형성시키기 위한 전극으로서 작용하는 캐소드(cathode; 127)가 설치되어 있으며, 프로세스 챔버(111)의 하부 가장자리 부분에 진공 상태를 만들어주기 위한 터보 펌프(turbo pump; 129)가 설치되어 있다.In the process chamber 111, a wafer chuck 121 on which a wafer is mounted and fixed is installed and includes a lift pin 133 for raising or lowering the wafer from the wafer chuck 121. The lift pin assembly 130 is disposed below the wafer chuck 121, and a focus ring 125 is provided on the upper edge of the wafer chuck 121 for plasma collection. A cathode 127 serving as an electrode for forming plasma is provided below the wafer chuck 121, and includes a turbo pump for creating a vacuum in the lower edge portion of the process chamber 111; 129 is installed.

종래 기술에 따른 건식 식각 장치(100)에 있어서 리프트 핀 어셈블리(130)는 도 2에 도시된 바와 같이 "+"자 형태의 리프트 핀 고정구(131)와 그 리프트 핀 고정구(131)의 각 말단 부분에 결합된 리프트 핀(133) 및 액추에이터(actuator; 135)를 포함하여 구성된다. 액추에이터 축(137)이 프로세스 챔버(111) 내부로 돌출되도 록 챔버 벽(113)에 고정나사(145)로 결합되고, 리프트 핀 고정구(131)의 상부에서 고정나사(139)가 리프트 핀 고정구(139)를 관통하여 액추에이터 축(137)에 체결됨으로써 액추에이터 축(137)과 리프트 핀 고정구(131)의 결합이 이루어진다. 이와 같이 액추에이터 축(137)이 리프트 핀 고정구(131)와 결합되어 액추에이터 축(137)의 수직 운동에 따라 리프트 핀(133)의 승강 또는 하강이 이루어진다.In the dry etching apparatus 100 according to the related art, the lift pin assembly 130 has a lift pin fixture 131 having a “+” shape and each end portion of the lift pin fixture 131 as shown in FIG. 2. It comprises a lift pin 133 and an actuator (135) coupled to the. The actuator shaft 137 is coupled to the chamber wall 113 with a set screw 145 so that the actuator shaft 137 protrudes into the process chamber 111, and the set screw 139 is formed at the top of the lift pin fixture 131. 139 is coupled to the actuator shaft 137 to thereby engage the actuator shaft 137 and the lift pin fixture 131. In this way, the actuator shaft 137 is coupled to the lift pin fixture 131 to make the lift pin 133 move up or down in accordance with the vertical movement of the actuator shaft 137.

그런데 상기한 바와 같은 종래 기술에 따른 건식 식각 장치는, 리프트 핀 고정구와 액추에이터 축과의 결합이 프로세스 챔버 내부에서 이루어지기 때문에, 액추에이터의 수리 및 교체 시에 액추에이터를 분리하기 위해서는 리프트 핀 고정구 상부에 설치된 캐소드를 들어내야 했다. 액추에이터의 분리 작업이 캐소드를 들어낸 상태에서 이루어지기 때문에 교체 작업에 많은 시간이 소요되었다. 또한, 액추에이터의 분리를 위하여 챔버 내부가 개방되기 때문에 교체 후에는 건식 식각 장치에 대한 설정 조건을 다시 맞추어야 하는 등 비정기적인 유지 보수가 필요하였다. 실제로, AMK(Applied Materials Korea)사의 모델명 "P-5000" 건식 식각 장치에서 액추에이터의 교체에는 2시간 이상의 시간이 소요되는 것으로 나타났다. 이와 같이 종래의 건식 식각 장치는 액추에이터의 교체에 소요되는 시간으로 인한 작업 손실을 발생시키고 생산성 저하를 초래하는 문제점이 있었다.However, in the dry etching apparatus according to the related art as described above, since the coupling between the lift pin fixture and the actuator shaft is performed in the process chamber, in order to separate the actuator during the repair and replacement of the actuator, the dry etching apparatus is installed above the lift pin fixture. Had to lift the cathode. Since the disconnection of the actuator was performed with the cathode lifted out, the replacement was time consuming. In addition, since the inside of the chamber is opened for the separation of the actuator, after maintenance, it is necessary to reconfigure the setting conditions for the dry etching device. In fact, it was found that the replacement of the actuator in the model name "P-5000" dry etching device of AMK (Applied Materials Korea) took more than two hours. As such, the conventional dry etching apparatus has a problem of causing a loss of work due to the time required for the replacement of the actuator and a decrease in productivity.

따라서 본 발명의 목적은 액추에이터의 교체에 소요되는 시간 및 그에 따른 비정기적인 유지 보수 작업에 소요되는 시간을 감소시킬 수 있는 건식 식각 장치를 제공하는 데에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a dry etching apparatus that can reduce the time required for the replacement of the actuator, and thus the time required for the occasional maintenance work.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 커플러에 의한 액추에이터 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치는, 식각 반응이 일어나는 프로세스 챔버와; 그 프로세스 챔버 내부에 설치되어 있으며 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 척과; 그 웨이퍼 척의 하부에 설치되어 플라즈마를 형성시키기 위한 플라즈마를 형성시키기 위한 전극으로서 작용하는 캐소드와; 그 웨이퍼 척 상에 놓여진 웨이퍼를 수직으로 위치 이동시키는 복수의 리프트 핀들과, 그 리프트 핀들이 수직으로 결합되어 있는 리프트 핀 고정구 및 상기 리프트 핀 고정구에 액추에이터 축이 결합된 액추에이터를 포함하는 리프트 핀 어셈블리;를 구비하는 건식 식각 장치에 있어서, 리프트 핀 고정구에 체결되도록 하여 프로세스 챔버 내부와 외부에 걸쳐 커플러가 결합되어 있고, 프로세스 챔버 외부에서 커플러와 액추에이터 축이 결합되어 있는 것을 특징으로 한다.Dry etching apparatus having an actuator coupling structure by a coupler according to the present invention for achieving the above object, the process chamber and the etching reaction; A wafer chuck installed in the process chamber and on which the wafer is mounted; A cathode disposed below the wafer chuck and serving as an electrode for forming a plasma for forming a plasma; A lift pin assembly comprising a plurality of lift pins for vertically positioning a wafer placed on the wafer chuck, a lift pin fixture to which the lift pins are vertically coupled, and an actuator coupled to the lift pin fixture; In the dry etching apparatus having a, it is coupled to the lift pin fixture, the coupler is coupled to the inside and outside of the process chamber, and the coupler and the actuator shaft is coupled to the outside of the process chamber.

본 발명에 따른 커플러에 의한 액추에이터 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치에 있어서, 커플러와 액추에이터 축은 끼움 결합되어 있는 것이 바람직하다.In a dry etching apparatus having an actuator coupling structure by a coupler according to the present invention, the coupler and the actuator shaft are preferably fitted.

본 발명에 따른 커플러에 의한 액추에이터 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치에 있어서, 커플러를 둘러싸는 연결대를 포함하는 것이 바람직하다.In a dry etching apparatus having an actuator coupling structure by a coupler according to the present invention, it is preferable to include a connecting rod surrounding the coupler.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 커플러에 의한 액추에이터 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, a dry etching apparatus having an actuator coupling structure by a coupler according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 건식 식각 장치의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 4는 도 3에 도시된 건식 식각 장치의 액추에이터 결합 구조를 개략적 으로 나타낸 단면도이다.3 is a configuration diagram schematically showing an embodiment of a dry etching apparatus according to the present invention, Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing the actuator coupling structure of the dry etching apparatus shown in FIG.

도 3에 도시되고 있는 본 발명에 따른 일 실시예의 건식 식각 장치(10)는, 종래의 건식 식각 장치와 같이 식각 반응이 일어나는 프로세스 챔버(11)와, 프로세스 챔버(10) 내부에 설치되어 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 척(21)과, 그 웨이퍼 척(21)의 하부에 설치되어 플라즈마를 형성시키기 위한 전극으로서 작용하는 캐소드(27)를 포함하여 구성되는 것에 있어서는 종래와 동일하나, 종래와 달리 리프트 핀 고정구(31)와 액추에이터(43)의 결합이 커플러(41)에 의해 이루어지는 구조를 갖는다. 이하에서 종래 기술에 따른 건식 식각 장치(도 1의 110)와 동일한 구성요소에 대하여는 그 설명을 생략하기로 한다. 참조부호 13은 챔버 벽, 15는 상단 덮개, 17은 가스 공급 슬릿부, 25는 포커스 링, 29는 터보 펌프이다.The dry etching apparatus 10 according to the exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIG. 3 includes a process chamber 11 in which an etching reaction occurs and a wafer is installed inside the process chamber 10 as in the conventional dry etching apparatus. It is the same as the conventional one in that it comprises the wafer chuck 21 mounted and the cathode 27 provided below the wafer chuck 21 and acts as an electrode for forming a plasma, but unlike a conventional lift pin The coupling of the fixture 31 and the actuator 43 is made by the coupler 41. Hereinafter, a description of the same components as in the dry etching apparatus 110 of FIG. 1 according to the related art will be omitted. Reference numeral 13 is a chamber wall, 15 is a top cover, 17 is a gas supply slit, 25 is a focus ring and 29 is a turbopump.

본 발명에 따른 일 실시예의 건식 식각 장치(10)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 리프트 핀 고정구(31)와 액추에이터(35)가 커플러(41)가 개재되어 결합되어 있다. 커플러(41)는 일측 부분이 프로세스 챔버(11)의 내부에서 고정나사(39)에 의해 리프트 핀 고정구(31)와 결합되어 있으며, 프로세스 챔버(11)의 내부와 외부에 걸쳐 있도록 설치되어 있다. 리프트 핀 고정구(31)와 액추에이터(35)를 연결시켜주는 고정나사(39)는 종래에 비하여 5㎝정도 길게 만들어주어 결합력을 확보한다.In the dry etching apparatus 10 according to the exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, the lift pin fixture 31 and the actuator 35 are coupled to each other with a coupler 41 interposed therebetween. The coupler 41 is coupled to the lift pin fixture 31 by a fixing screw 39 in one side of the process chamber 11, and is installed to span the inside and outside of the process chamber 11. The fixing screw 39 connecting the lift pin fixture 31 and the actuator 35 is made to be about 5 cm longer than in the prior art to secure the coupling force.

커플러(41)는 프로세스 챔버(11)의 외부로 돌출되어 있는 타측 일정 부분이 액추에이터 축(39)에 끼움 결합되어 있다. 커플러(41)의 액추에이터 축(39)과 결합되는 부분과 액추에이터 축(39)은 서로 정합되는 형태를 갖는다. 예를 들어, 커플러(41)의 액추에이터 축(39)과의 결합되는 부분이 각진 반원 형태로 구성되고, 액 추에이터 축(39)에 형성된 결합 구멍을 그에 정합되는 형태인 반원 형태로 형성한다.The coupler 41 is fitted to the actuator shaft 39 to the other predetermined portion protruding out of the process chamber 11. The portion coupled to the actuator shaft 39 of the coupler 41 and the actuator shaft 39 have a form that is mated with each other. For example, the portion of the coupler 41 that is engaged with the actuator shaft 39 is formed in an angular semicircle shape, and forms a coupling hole formed in the actuator shaft 39 in a semicircular shape that is matched thereto.

챔버 벽(13)과 액추에이터(35) 사이에는 커플러(41)를 둘러싸는 형태로 연결대(43)가 개재되어 있다. 이 연결대(43)는 구동수단을 챔버 벽(13)에 고정시킬 때 연결시키는 역할을 한다.A connecting rod 43 is interposed between the chamber wall 13 and the actuator 35 so as to surround the coupler 41. This connecting rod 43 serves to connect the drive means to the chamber wall 13.

액추에이터(35)는 연결대(43)를 관통하여 챔버 벽(13)에 체결되는 복수 개의 고정나사(45)로 챔버 벽(13)에 고정된다. 그리고 커플러(35)의 동작에 따라 동력이 액추에이터의 축(37)과 커플러(41)를 거쳐 리프트 핀 고정구(31)에 전달되어 리프트 핀(33)의 상승 및 하강이 이루어진다.The actuator 35 is fixed to the chamber wall 13 by a plurality of fixing screws 45 which are fastened to the chamber wall 13 through the connecting rod 43. In addition, the power is transmitted to the lift pin fixture 31 through the shaft 37 and the coupler 41 of the actuator in accordance with the operation of the coupler 35 to raise and lower the lift pin 33.

액추에이터(35)의 교체 시에 액추에이터(35)를 챔버 벽(13)에 고정시켜주는 고정나사(45)를 분리하고 커플러(41)로부터 액추에이터 축(37)을 분리시킴으로써 액추에이터(35)의 분리가 이루어진다. 액추에이터(35)의 교체 시에 프로세스 챔버(11) 내부에서 커플러(41)를 고정하는 고정나사(39)의 분리는 필요 없다. 따라서, 프로세스 챔버(11)의 개방이 불필요하고 캐소드(27)의 분리도 불필요하다. 그리고 액추에이터(35)의 교체 작업이 프로세스 챔버(11)의 외측에서 이루어지기 때문에 실링(sealing) 작업이 요구되지 않는다.When the actuator 35 is replaced, the separation of the actuator 35 is performed by removing the fixing screw 45 which fixes the actuator 35 to the chamber wall 13 and separating the actuator shaft 37 from the coupler 41. Is done. When the actuator 35 is replaced, it is not necessary to remove the fixing screw 39 which fixes the coupler 41 inside the process chamber 11. Therefore, the opening of the process chamber 11 is unnecessary and the separation of the cathode 27 is also unnecessary. And since the replacement work of the actuator 35 is made outside the process chamber 11, no sealing work is required.

전술한 바와 같은 실시예에서와 같은 커플러에 의한 액추에이터의 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치는 본 발명의 기술적 중심 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다.Dry etching apparatus having a coupling structure of the actuator by the coupler as in the embodiment as described above may be variously modified within the scope without departing from the technical spirit of the present invention.

이상과 같은 본 발명에 따른 커플러에 의한 액추에이터 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치에 의하면, 액추에이터의 분리 및 결합 시에 프로세스 챔버를 개방하고 캐소드를 들어내는 작업이 필요 없기 때문에, 액추에이터의 교체에 소요되는 시간을 크게 감소시킬 수 있고, 액추에이터 교체로 인한 비정기적인 유지 보수가 불필요하여 생산성이 향상될 수 있다. According to the dry etching apparatus having the actuator coupling structure by the coupler according to the present invention as described above, the time required for the replacement of the actuator, because the operation of opening the process chamber and lifting the cathode is not necessary at the time of separation and coupling of the actuator Can be greatly reduced and the productivity can be improved by the occasional maintenance by the actuator replacement is unnecessary.

Claims (3)

식각 반응이 일어나는 프로세스 챔버와; 상기 프로세스 챔버 내부에 설치되어 있으며 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 척과; 상기 웨이퍼 척의 하부에 설치되어 플라즈마를 형성시키기 위한 플라즈마를 형성시키기 위한 전극으로서 작용하는 캐소드와; 상기 웨이퍼 척 상에 놓여진 웨이퍼를 수직으로 위치 이동시키는 복수의 리프트 핀들과, 상기 리프트 핀들이 수직으로 결합되어 있는 리프트 핀 고정구 및 상기 리프트 핀 고정구에 액추에이터 축이 결합된 액추에이터를 포함하는 리프트 핀 어셈블리;를 구비하는 건식 식각 장치에 있어서, 상기 리프트 핀 고정구에 체결되도록 하여 상기 프로세스 챔버 내부와 외부에 걸쳐 커플러가 결합되어 있고, 상기 프로세스 챔버 외부에서 상기 커플러와 상기 액추에이터 축이 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 커플러에 의한 액추에이터 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치.A process chamber in which an etching reaction takes place; A wafer chuck installed in the process chamber and mounted with a wafer; A cathode disposed below the wafer chuck and serving as an electrode for forming a plasma for forming a plasma; A lift pin assembly comprising a plurality of lift pins for vertically positioning a wafer placed on the wafer chuck, a lift pin fixture to which the lift pins are vertically coupled, and an actuator coupled to the lift pin fixture; In the dry etching apparatus having a, it is coupled to the lift pin fixture, coupler is coupled to the inside and outside of the process chamber, the coupler and the actuator shaft is coupled to the outside of the process chamber Dry etching apparatus having an actuator coupling structure by a coupler. 제 1항에 있어서, 상기 커플러와 상기 액추에이터 축은 끼움 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 커플러에 의한 액추에이터 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치.The dry etching apparatus of claim 1, wherein the coupler and the actuator shaft are fitted to each other. 제 1항에 있어서, 상기 커플러를 둘러싸는 연결대를 포함하는 것을 특징으로 하는 커플러에 의한 액추에이터 결합 구조를 갖는 건식 식각 장치.The dry etching apparatus according to claim 1, further comprising a connecting rod surrounding the coupler.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109423630A (en) * 2017-09-04 2019-03-05 台湾积体电路制造股份有限公司 Lifting device, chemical vapor deposition unit and method

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