KR20060031629A

KR20060031629A - Substrate for mounting luminous element and luminous element

Info

Publication number: KR20060031629A
Application number: KR1020057024140A
Authority: KR
Inventors: 켄이치로 미야하라
Original assignee: 켄이치로 미야하라
Priority date: 2003-06-30
Filing date: 2004-01-07
Publication date: 2006-04-12
Also published as: WO2005004246A1

Abstract

A substrate for mounting a luminous element, characterized in that it comprises a sintered product containing, as a primary component, a ceramic material having optical transparency, or in that it comprises a sintered product containing, as a primary component, a ceramic material having an antireflection member formed, or in that it comprises a sintered product containing, as a primary component, a ceramic material having a reflection member formed. The above substrate allows the preparation of a luminous element which exerts the characteristics, such as luminescent strength, inherent in the element satisfactorily, is easy to control the luminescent strength, and further is easy to control the direction of the emission of a light.

Description

Substrate for mounting light emitting device and light emitting device {SUBSTRATE FOR MOUNTING LUMINOUS ELEMENT AND LUMINOUS ELEMENT}

본 발명은, 발광소자를 탑재하기 위한 기판 및 상기 기판에 탑재된 발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element mounted on the substrate.

근년, 보라색 외광 영역~가시광선~근적외광 영역에 있어 발광 기능을 가지는 반도체 발광소자가 연구되고 그리고 실용화 되고 있다. 예를 들면 ZnO계 등의 파장 350 nm~500 nm 부근의 근자외~가시광선 영역에서 발광하는 것 혹은 ZnCdSe계 등의 파장 450 nm~650 nm 부근의 가시광선 영역에서 발광하는 것 혹은 AlGaInP계 등의 파장 610 nm~660 nm 부근의 가시광선 영역에서 발광하는 것 혹은 AlGaAs계 등의 재료를 주성분으로 하는 파장 760 nm~800 nm 부근의 근적외광 영역에서 발광하는 것 등 각종 재료의 것이 이용된다. 그 중에서도 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 III－V족 질화물을 이용해 이들 주성분에 Mg, Zn 등의 성분을 도핑하고 P형 반도체화한 반도체 박막층 및 Si 등의 성분을 도핑하고 N형 반도체화한 박막층 및 적당 Mg, Zn, Si 등의 도핑 성분을 이용해 혹은 도핑 성분을 이용하지 않고 형성한 우물 구조 등으로 이루어지는 발광층의 적어도 3층 이상으로 이루어지는 III－V족 질화물 단결정 박막을 사파 이어 혹은 탄화규소 단결정 등의 기판에 에피택셜 성장시키고 녹색, 녹청색, 청색, 파랑 보라색 등 380 nm~550 nm의 범위의 비교적 파장의 짧은 영역의 가시광선(레이저광도 포함된다), 혹은 파장 200 nm~380 nm의 범위의 보라색 외광(레이저광도 포함된다)을 발광하는 소자가 개발되고 있다. 상기의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 적어도 N형 반도체층, 발광층, 및 P형 반도체층의 3층 이상으로 이루어지는 III－V족 질화물 반도체 발광소자는 신호기, 액정용 백 라이트, 백열전구나 형광등에 대신하는 일반 조명용 등의 광원이나, 광디스크 장치의 레이저광원 등에 사용되고 있다. 용도에 의해 발광소자로부터의 빛을 그대로 사용하거나, 형광체를 이용해 청색과 황색 등의 보색 작용에 의해 백색광으로 변환해 이용된다. 상기 발광소자는 통상 상기 각 질화물 혹은 각 질화물 혼정의 P형 반도체 및 N형 반도체와 발광층으로 형성된 2 단자 소자(다이오드) 구조로 직류 전력을 인가하는 것으로 구동한다.In recent years, semiconductor light emitting devices having a light emitting function in the purple external light region, visible light region, and near infrared region have been studied and put into practical use. For example, emitting light in the near-ultraviolet-visible light region near the wavelength 350 nm to 500 nm such as ZnO-based light, or emitting light in the visible light region near the wavelength 450 nm-650 nm such as ZnCdSe-based or AlGaInP-based light. Various materials are used, such as emitting light in the visible light region around the wavelength of 610 nm to 660 nm or emitting in the near infrared light region around the wavelength of 760 nm to 800 nm, which is mainly composed of materials such as AlGaAs system. Among them, a semiconductor thin film layer and a Si-doped semiconductor thin film layer and a P-type semiconductor layer are doped with Mg, Zn and the like by using a group III-V nitride having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. III-V consisting of at least three layers of a light emitting layer formed of a thin film layer doped with an N-type semiconductor layer and doped with an N-type semiconductor and a well structure formed using a suitable doping component such as Mg, Zn, or Si, or without a doping component. An epitaxial single crystal thin film is epitaxially grown on a substrate such as sapphire or silicon carbide single crystal, and visible light having a relatively short wavelength of visible light (including laser light) in the range of 380 nm to 550 nm such as green, cyan, blue, and blue violet Alternatively, devices for emitting purple external light (including laser light) in the wavelength range of 200 nm to 380 nm have been developed. A group III-V nitride semiconductor light emitting element comprising at least three layers of at least an N-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a P-type semiconductor layer mainly comprising at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. It is used in light sources, such as signal lamps, liquid crystal backlights, general lighting instead of incandescent lamps or fluorescent lamps, and laser light sources of optical disk devices. The light from the light emitting element may be used as it is or may be converted into white light by complementary colors such as blue and yellow using phosphors. The light emitting element is usually driven by applying direct current power in a two-terminal element (diode) structure formed of the P-type semiconductors and the N-type semiconductors of each nitride or each nitride mixed crystal and the light emitting layer.

종래, 상기 발광소자는 상기 발광소자로부터의 빛을 가능한 한 흡수하는 일 없이 효율적으로 외부에 방출시키기 때문에 반사 기능을 가지는 금속 리드, 금속 기판, 백색 세라믹 기판 등에 탑재해 에폭시 수지나 실리콘 수지 등의 투명 수지로 주위를 봉지한 상태로 이용된다. 또, 최근 발광소자를 이러한 봉지 재료중에 매설하지 않고 기밀 봉지 상태로 수납된 것도 제안되고 있다.Conventionally, since the light emitting device emits light from the light emitting device as efficiently as possible without absorbing the light from the light emitting device as much as possible, the light emitting device is mounted on a metal lead, a metal substrate, a white ceramic substrate, etc. having a reflective function, and thus transparent such as an epoxy resin or a silicone resin. It is used in the state sealed around with resin. In addition, recently, it has been proposed that the light emitting element is stored in a hermetically sealed state without being embedded in such a sealing material.

근년, 보라색 외광 영역~가시광선~근적외광 영역에 있어 발광 기능을 가지는 발광소자를 고출력 레이저의 광원으로서 이용하거나 전구나 형광등 등에 대신하는 일반 조명의 광원으로서 이용하는 등 발광소자의 고출력화가 시작되어 있다. 발광 소자를 이러한 용도 특히 일반 조명용 광원에 이용하려고 할 때 발광소자 탑재용 기판으로서는 모든 방향에 방출되는 발광소자로부터의 발광을 가능한 한 손실하는 일 없이 효율적으로 기판 외부에 방출하기 쉽고, 발광소자로부터의 발열을 기판 외부에 놓치기 쉽고, 고출력화에 수반하는 대형 소자의 탑재가 가능해, 한층 더 발광소자의 구동에 수반해 급열급냉되어도 발광소자와 기판과의 접합성이 유지되어 기판 내부에 다층 배선을 마련하는 등 컴팩트한 회로설계가 가능한 것, 등인 것이 바람직하다. 종래 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서는 발광소자로부터의 발광을 가능한 한 해치지 않고 효율적으로 외부에 방출하기 위해서 연구된 기판이 이용되고 있다. 예를 들면 일본특허 제 3065258호에 대해 수납부가 형성되고 있는 동 등의 금속제 리드나 수지제 기판에 발광소자를 탑재해 발광시켜 미리 형성되고 있는 반사부에 의해 수납부로부터 방출되는 발광을 효율적으로 외부에 방출하고 있다. 또, 예를 들면 일본특허 제 3256951호에 대해서는, 발광소자로부터의 발광을 반사하는 백색 세라믹, 혹은 아르마이트 등의 얇은 막 상태 절연성 피막을 피복 한 알루미늄 기판이 발광소자 탑재용 기판으로서 제안되어 이용되고 있다. 이러한 종래부터의 기판 재료는 발광소자로부터의 발광을 특정의 방향으로 집광성을 높이는 것으로 효율적으로 발광소자로부터의 발광을 외부에 방출할 수 있다. 종래부터의 발광소자 탑재용 기판은 액정의 백 라이트용 등 특정의 방향으로 발광소자로부터의 발광을 방출하는 경우 등은 효과가 높다. 그렇지만, 일반 조명등과 같이 전구나 형광등 등에 대신하는 광원으로서 발광소자를 고용하는 경우 등, 상기 발광소자로부터의 발광을 모든 방향의 공간에 효율적으로 방출하는 것이 요구된다. 즉, 발광 소자로부터의 발광을 특정의 방향으로 방출 가능할 뿐만 아니라 발광소자가 탑재된 기판의 상부 공간측 및 기판측의 임의의 방향에 방출할 수 있는 것이 요구된다. 이러한 경우는 종래부터의 발광소자 탑재용 기판은 적당하다고 할 수 없다. 또 아르마이트 피복 한 알루미늄을 이용한 기판 등을 이용했을 경우, 방출되는 빛은 직선적이어 인간의 눈에 상냥한 것이라고 말하기 어렵다. 또, 예를 들면 상기 아르마이트로 피복 한 알루미늄 기판 등을 이용했을 경우 상기 알루미늄은 열팽창율이 발광소자의 주성분인 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄과 달라 있어 고출력화에 수반하는 발광소자의 급열급냉시의 응력에 참기 어렵고, 대형 발광소자의 탑재가 어렵다. 게다가 상기 아르마이트로 피복 한 알루미늄 기판 위에 형성되는 전기 배선은 기판과의 접착력이 작아 박리 하기 쉽기 때문에 접착제 등에 의한 발광소자의 설치를 배선상에 실시하는 것이 불가능하다고 하는 결점이 있어, 한층 더 기판 내부에는 전기 배선을 형성할 수 없기 때문에 표면의 아르마이트 피복 부분 밖에 전기 배선을 깔지 않으면 안되어 기판 설계에 제약이 생기거나 기판의 소형화가 불가능한, 등의 결점이 있었다.In recent years, high output of light emitting elements has begun, such as using a light emitting element having a light emitting function in a purple external light region, visible light region, and near infrared light region as a light source of a high power laser or as a light source of general lighting instead of a light bulb or a fluorescent lamp. When the light emitting element is intended to be used for such a light source for general use, especially as a light emitting element mounting substrate, it is easy to emit the light from the light emitting element emitted in all directions as efficiently as possible without losing as much as possible to the outside of the substrate. It is easy to miss heat generation outside of the substrate, and it is possible to mount a large-scale device with high output, and even when quenching and quenching is accompanied by driving of the light-emitting device, bonding between the light-emitting device and the substrate is maintained and a multilayer wiring is provided inside the substrate. It is preferable that such a compact circuit design is possible. Conventionally, as a substrate for mounting a light emitting element, a substrate studied for efficiently emitting light from a light emitting element to the outside without harming it is used. For example, in Japanese Patent No. 3065258, a light emitting element is mounted on a metal lead or a resin substrate such as copper in which an accommodating portion is formed to emit light, thereby efficiently emitting light emitted from the accommodating portion by a reflecting portion formed in advance. Emitted to. For example, in Japanese Patent No. 3256951, an aluminum substrate coated with a thin film state insulating film such as white ceramic or an armite that reflects light emission from a light emitting element is proposed and used as a light emitting element mounting substrate. have. Such conventional substrate materials can efficiently emit light emitted from the light emitting device by increasing light condensing from the light emitting device in a specific direction. Conventionally, a substrate for mounting a light emitting element has a high effect when emitting light from a light emitting element in a specific direction, such as for a backlight of a liquid crystal. However, it is required to efficiently emit light emitted from the light emitting element in the space in all directions, such as in the case of employing a light emitting element as a light source instead of a light bulb, a fluorescent lamp or the like like a general lighting lamp. In other words, it is required to be able to emit light from the light emitting element in a specific direction and to emit light in any direction on the upper space side and the substrate side of the substrate on which the light emitting element is mounted. In such a case, conventional substrates for mounting light emitting elements are not suitable. In addition, when using a substrate made of anodized aluminum and the like, the emitted light is linear and hard to say that it is kind to the human eye. For example, in the case where the aluminum substrate coated with the armite is used, the aluminum has a thermal expansion rate different from that of gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride, which are main components of the light emitting device, and thus rapid heating of the light emitting device with high output. It is hard to tolerate the stress at the time of quenching, and it is difficult to mount a large light emitting element. In addition, since the electrical wiring formed on the aluminum substrate coated with the armite has a small adhesive force with the substrate and is easily peeled off, there is a drawback that it is impossible to install a light emitting element by an adhesive or the like on the wiring. Since no electrical wiring can be formed, the electrical wiring must be laid only on the part of the anodized coating on the surface, resulting in limitations in the design of the substrate or miniaturization of the substrate.

상기와 같이 고출력 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 방출할 때에 빛의 강도 제어를 행하기 쉽고, 방출되는 빛을 임의의 방향으로 제어하기 쉽고, 방출되는 빛이 사람의 눈에 상냥하고, 한층 더 방열성, 소형화 회로설계성, 대형 발광소자의 탑재성, 발광소자와 기판과의 접합 신뢰성 등을 동시에 만족할 수 있는 것이 아직껏 얻을 수 없고, 특히 향후 크게 발전할 일반 조명용 광원이나 고출력 레이저용 광원을 실현해 가기 위해서는 종래부터의 기판에 없는 뛰어난 특성의 기판의 개발이 요구되고 있었다.As described above, it is easy to control the intensity of light when emitting light from the light emitting element to the outside of the substrate as a substrate for mounting the high output light emitting element, and to easily control the emitted light in an arbitrary direction, It is kind to our eyes, and it is not yet possible to meet heat dissipation, miniaturization of circuit design, mounting of large light emitting devices, and reliability of bonding of light emitting devices and substrates at the same time. In order to realize a high-power laser light source, development of a substrate having excellent characteristics that has not existed in the prior art has been required.

상기와 같이 기판에 탑재한 발광소자의 경우, 상기 발광소자가 본래 가지는 발광 특성 예를 들면 발광 강도 등을 충분히 발현해 혹은 발광 강도를 제어해, 혹은 발광소자로부터의 발광 방향이 임의에 제어 가능하다, 등의 특성을 가진 발광소자를 얻지 못하고 있다고 하는 문제가 있었다.In the case of the light emitting device mounted on the substrate as described above, the light emitting characteristic originally possessed by the light emitting device can be sufficiently expressed, or the light emitting intensity can be controlled or the light emitting direction from the light emitting device can be arbitrarily controlled. There was a problem that a light emitting device having characteristics such as?

본 발명은 상기에 나타낸 것 같은 과제를 해결하기 위해서 된 것이다. 본 발명자는 보라색 외광 영역~가시광선~근적외광 영역에 있어 발광 기능을 가지는 발광소자, 그 중에서도 특히 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 적어도 N형 반도체층, 발광층, 및 P형 반도체층의 3층 이상의 적층체로 이루어지는 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서 방열성이나 전기 절연성이 뛰어나 발광소자를 구동시키기 위한 전기 회로를 컴팩트하게 설계하기 쉽고, 대형의 발광소자를 탑재할 수 있어 한층 더 발광소자와 기판과의 접합 신뢰성을 높일 수 있도록 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판을 검토해 왔다. 그 결과, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 높은 열전도율을 가져, 열팽창율이 발광소자와 가까워, 한층 더 양호한 광투과성의 것을 얻을 수 있어 발광소자 탑재용 기판으로서 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 상기 광투과성을 이용하는 것으로써 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측 뿐만이 아니라 그 반대의 기판면측에도 상기 발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하는 것으로 기판 외부에 효율적으로 방출되는 것을 찾아냈다. 또, 발광소자가 탑재 혹은 수납되고 있는 기판의 면과 반대측의 면을 포함해 발광소자로부터의 발광을 기판 주위 공간의 임의의 방향에 대해서 방출하는 것이 가능하고, 그 방출 강도의 제어가 용이해 발광소자로부터의 발광의 방향도 제어 가능한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판을 얻을 수 있는 일도 찾아냈다. 게다가 반사 방지 부재 혹은 반사 부재를 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 경우 탑재된 발광소자로부터의 발광을 기판 외부의 특정의 방향에 방출할 수 있는 것을 찾아냈다. 또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 경우, 발광소자로부터의 방출빛은 사람의 눈에 상냥한 것이 되기 쉽다. 또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 경우 광발광소자로부터의 발열을 기판 외부에 놓치기 쉽고, 발광소자 구동용의 전기 회로를 다층 메탈라이즈나 박막 메탈라이즈 등을 이용해 컴팩트하게 설계하기 쉬운, 등의 특징을 가지고 있다.The present invention has been made to solve the problems as described above. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor has at least an N-type semiconductor layer which has a light emitting element which has a light emission function in purple external light region-visible light-near-infrared light region, especially at least 1 or more selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride at least. As a substrate for mounting a light emitting element comprising a light emitting layer and a laminate of three or more layers of a P-type semiconductor layer, having excellent heat dissipation and electrical insulation, and easily designing an electric circuit for driving the light emitting element compactly, and mounting a large light emitting element In order to improve the bonding reliability of a light emitting element and a board | substrate, the light emitting element mounting substrate which used the sintered compact which has various ceramics as a main component has been examined. As a result, the sintered compact mainly composed of aluminum nitride has a high thermal conductivity, and the thermal expansion coefficient is close to that of the light emitting element, so that a better light transmittance can be obtained, and the light of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride as the light emitting element mounting substrate is obtained. It has been found that light emission from the light emitting element penetrates the substrate not only on the side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted but also on the opposite side of the substrate on which the light emitting element is mounted, thereby being efficiently emitted to the outside of the substrate. In addition, it is possible to emit light from the light emitting element in any direction of the space around the substrate, including the surface opposite to the surface of the substrate on which the light emitting element is mounted or housed. It has also been found that a substrate for mounting a light emitting element comprising a sintered body containing aluminum nitride as a main component which can also control the direction of light emission from an element can be obtained. Moreover, when the sintered compact which consists of an antireflection member or aluminum nitride which provided the reflecting member as a main component was used as a light emitting element mounting board | substrate, it discovered that light emission from the mounted light emitting element can be emitted to a specific direction outside a board | substrate. Moreover, when the sintered compact which has aluminum nitride as a main component is used as a light emitting element mounting substrate, the emission light from a light emitting element tends to be kind to a human eye. In addition, when a sintered body containing aluminum nitride as a main component is used as a substrate for mounting a light emitting device, it is easy to miss heat generation from the photoluminescent device on the outside of the substrate, and the electric circuit for driving the light emitting device may be formed using multilayer metallization or thin film metallization. It has features such as being easy to design compactly.

또, 발광소자 탑재용 기판으로서 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 뿐만이 아니라, 질화 알루미늄 이외의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용한 것이어도 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우와 같은 효과를 얻을 수 있는 것이 판명되었다.When the sintered compact including aluminum nitride as a main component is used as the light emitting element mounting substrate, the sintered compact including aluminum nitride as a main component, as well as the sintered compact including ceramic material other than aluminum nitride as the main component, is used as the light emitting element mounted substrate. It turns out that the same effect can be obtained.

게다가 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 기판으로서 이용하는 것으로 본래의 발광 강도가 발현 성과 발광 강도의 제어가 용이해 한층 더 발광 방향의 제어를 용이하게 실시할 수 있는 발광소자, 그 중에서도 특히 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 적어도 N형 반도체층, 발광층, 및 P형 반도체층의 3층 이상의 적층체로 이루어지는 발광소자를 얻을 수 있는 것이 판명되었다.In addition, by using the sintered body containing the ceramic material as a main component as a substrate, the light emitting device can easily control the light emission direction due to its intrinsic light emission intensity and the control of the light emission intensity, in particular gallium nitride, It has been found that a light emitting element comprising at least three layers of at least an N-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a P-type semiconductor layer can be obtained based on at least one or more selected from indium nitride and aluminum nitride.

본 발명은 상기와 같은 지견에 근거해 된 것이다.This invention is based on the above knowledge.

즉 본 발명은, 발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 탑재용 기판이다.That is, this invention is a board | substrate for mounting a light emitting element, The said board | substrate is a board | substrate for light emitting element mounting characterized by consisting of the sintered compact which has a ceramic material which has a light transmittance as a main component.

또 본 발명은, 발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판이다.Moreover, this invention is a board | substrate for mounting a light emitting element, The said board | substrate is a board | substrate for light emitting element mounting which consists of a sintered compact mainly containing the ceramic material in which the reflection prevention member was formed.

또 본 발명은, 발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 탑재용 기판이다.Moreover, this invention is a board | substrate for mounting a light emitting element, The said board | substrate is a board | substrate for light emitting element mounting characterized by consisting of the sintered compact which has a ceramic material with a reflective member as a main component.

또 본 발명은, 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 발광소자이다.Moreover, this invention is mounted on the board | substrate which consists of a sintered compact which has a ceramic material which has light transmittance as a main component, The light emitting element characterized by the above-mentioned.

또 본 발명은, 반사 방지 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 발광소자이다.Moreover, this invention is mounted on the board | substrate which consists of a sintered compact which has a ceramic material with a reflection prevention member as a main component, The light emitting element characterized by the above-mentioned.

또 본 발명은, 반사 부재가 형성된 세라믹 재료 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 발광소자이다.Moreover, this invention is mounted on the board | substrate which consists of a sintered compact which is a main component of the ceramic material with a reflective member, The light emitting element characterized by the above-mentioned.

상기 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 관계되어 그 상세를 항 1~항 280에 기재했다. 또, 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자에 관해서 그 상세를 항 1001~항 1280에 기재했다.Regarding the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the details are described in Items 1 to 280. Moreover, the detail about the light emitting element using the sintered compact which has the ceramic material which concerns on this invention as a main component is described in Item 1001-Item 1280.

도 1은, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 탑재되는 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting element mounted on a light emitting element mounting substrate according to the present invention.

도 2는, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 탑재되는 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting element mounted on a light emitting element mounting substrate according to the present invention.

도 3은, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention.

도 4는, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention.

도 5는, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention.

도 6은, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention.

도 7은, 본 발명에 의한 도통 비아 가지는 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element having conductive vias according to the present invention.

도 8은, 본 발명에 의한 도통 비아 가지는 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element having conductive vias according to the present invention.

도 9는, 서브 마운트를 가질 때의 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.9 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention when having a submount.

도 10은, 서브 마운트를 가질 때의 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.10 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention when having a submount.

도 11은, 서브 마운트를 가질 때의 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.11 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention when having a submount.

도 12는, 서브 마운트를 가질 때의 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.12 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention having a submount.

도 13은, 서브 마운트를 가질 때의 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.Fig. 13 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention having a submount.

도 14는, 서브 마운트를 가질 때의 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.14 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention having a submount.

도 15는, 기체와 틀과의 접합에 의해 얻을 수 있는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판의 1예를 나타내는 단면도이다.15 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element according to the present invention, which can be obtained by joining a base and a frame.

도 16은, 일체화한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판의 1예를 나타내는 단면도이다.Fig. 16 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element according to the present invention, which is composed of a sintered body composed mainly of an integrated ceramic material.

도 17은, 종래부터의 발광소자 탑재용 기판을 나타내는 단면도이다.17 is a cross-sectional view showing a conventional substrate for mounting a light emitting element.

도 18은, 반사 방지 부재 및 반사 부재가 형성되어 있지 않은 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.18 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention in which the antireflection member and the reflection member are not formed.

도 19는, 반사 방지 부재가 형성되고 있는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.19 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention, in which an antireflection member is formed.

도 20은, 반사 방지 부재가 형성되고 있는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.20 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention, in which an antireflection member is formed.

도 21은, 반사 방지 부재가 형성되고 있는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.21 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention, in which an antireflection member is formed.

도 22는, 반사 부재가 형성되고 있는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.Fig. 22 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention, in which a reflective member is formed.

도 23은, 반사 부재가 형성되고 있는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.23 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention, in which a reflective member is formed.

도 24는, 반사 부재가 형성되고 있는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.24 is a cross-sectional view showing one example of a light emitting element mounting substrate and a light emitting element according to the present invention in which a reflective member is formed.

도 25는, 반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 형성되고 있는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.25 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention, in which an antireflection member and a reflection member are formed at the same time.

도 26은, 반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 형성되고 있는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.Fig. 26 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting element mounting substrate and a light emitting element according to the present invention in which an antireflection member and a reflection member are formed at the same time.

도 27은, 본 발명에 의한 질화 알루미늄 소결체의 광투과율을 나타내는 도이다.It is a figure which shows the light transmittance of the aluminum nitride sintered compact which concerns on this invention.

도 28은, 직선적으로 빛을 투과하는 재료에 의한 광투과의 모습을 나타내는 도이다.Fig. 28 is a diagram showing the state of light transmission by a material that transmits light linearly.

도 29는, 산란빛이 되어 빛을 투과하는 재료에 의한 광투과의 모습을 나타내는 도이다.Fig. 29 is a diagram showing the state of light transmission by a material that becomes scattered light and transmits light.

도 30은, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판의 기판 두께의 1예를 나타내는 단면도이다.30 is a cross-sectional view showing one example of the substrate thickness of the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention.

도 31은, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판의 기판 두께의 1예를 나타내는 단면도이다.Fig. 31 is a cross-sectional view showing one example of the substrate thickness of the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention.

도 32는, 내부에 전기 회로가 형성된 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.32 is a cross-sectional view showing an example of a light emitting element mounting substrate and a light emitting element according to the present invention having an electric circuit formed therein.

도 33은, 내부에 전기 회로가 형성된 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.33 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element and a light emitting element according to the present invention, in which an electric circuit is formed.

도 34는, 내부에 반사 방지 부재가 형성된 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.34 is a cross-sectional view showing one example of a light emitting element mounting substrate and a light emitting element according to the present invention having an antireflection member formed therein.

도 35는, 내부에 반사 부재가 형성된 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.35 is a cross-sectional view showing one example of a light emitting element mounting substrate and a light emitting element according to the present invention, in which a reflective member is formed.

도 36은, 서멀 비아가 형성된 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.36 is a cross-sectional view showing one example of a light emitting element mounting substrate and a light emitting element according to the present invention in which a thermal via is formed.

도 37은, 서멀 비아가 형성된 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판의 1예를 나타내는 단면도이다.Fig. 37 is a cross-sectional view showing one example of a substrate for mounting a light emitting element according to the present invention in which a thermal via is formed.

도 38은, 서멀 비아가 형성된 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자의 1예를 나타내는 단면도이다.38 is a cross-sectional view showing one example of a light emitting element mounting substrate and a light emitting element according to the present invention in which a thermal via is formed.

1：발광소자 제작용 기판(전기 절연성)1: Substrate for light emitting device manufacturing (electric insulation)

2：질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 N형 반도체 박막층2: N-type semiconductor thin film layer mainly containing at least 1 sort (s) selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride

3：질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광층3: Light emitting layer which has at least 1 sort (s) or more selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component

4：질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 P형 반도체 박막층4: P-type semiconductor thin film layer mainly containing at least 1 sort (s) selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride

5：외부 전극5: external electrode

6：외부 전극6: external electrode

10：발광소자 제작용 기판(전기 전도성)10: board | substrate for manufacturing light emitting elements (electrical conductivity)

20：발광소자 탑재용 기판20: Board for light emitting element mounting

21：발광소자21: light emitting element

22：발광소자가 탑재되고 있는 기판면측으로의 방출빛22: Emission light toward the substrate surface side on which the light emitting element is mounted

23：기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 빛23: Light from the light emitting element that passes through the substrate and is emitted outside the substrate

24：음푹패인 공간을 형성하는 측벽 부분으로부터 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 빛24: The light from the light emitting element which permeate | transmits a board | substrate from the side wall part which forms dented space, and is emitted to the exterior of a board | substrate.

25：와이어25: Wire

26：표면 전기 회로26: surface electric circuit

27：표면 전기 회로27: Surface electric circuit

29：비와이어장의 접속 재료29: Connection material of non-wire length

30：음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판30: Light emitting element mounting board | substrate which has recessed space (cavity)

31：음푹패인 공간(캐비티)31: Damp space (cavity)

32：뚜껑32: Cover

33：음푹패인 공간 내부의 측벽33: side wall in the hollow space

34：기체34: Gas

35：틀35 ： Frame

36：접합부36: junction

37：봉지부37: Envelope

38：발광소자 탑재부38: light emitting element mounting part

40：도통 비아40: Through via

41：표면 전기 회로41: surface electric circuit

42：표면 전기 회로42: surface electric circuit

43：내부 전기 회로43: Internal electric circuit

50：서브 마운트50: Submount

51：서브 마운트에 형성된 전기 회로51: The electric circuit formed in the submount

52：서브 마운트 측면으로 형성된 전기 회로52: An electric circuit formed in the sub mount side

53：서브 마운트에 형성된 도통 비아53: Through via formed in the sub mount

60：발광소자가 탑재되고 있는 기판면에 조사되는 발광소자로부터의 빛60: light from the light emitting element irradiated on the substrate surface on which the light emitting element is mounted

61：반사 방지 부재 및 반사 부재가 형성되어 있지 않은 기판면의 반사광61: Reflected light of the board surface on which the antireflection member and the reflection member are not formed

70：반사 방지 부재70: Anti-reflective member

71：기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 빛71: Light from a light emitting element that passes through the substrate and is emitted outside the substrate

72：기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 빛72: Light from a light emitting element that passes through the substrate and is emitted outside the substrate

73：기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 빛73: Light from a light emitting element that passes through the substrate and is emitted outside the substrate

74：반사 방지 부재가 형성된 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 빛74: Light from the light emitting element transmitted through the substrate on which the antireflection member is formed and emitted outside the substrate

80：반사 부재80: reflection member

81：반사 부재에 의한 반사광81: Reflected light by the reflecting member

82：반사 부재가 형성된 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 빛82: Light from a light emitting element that passes through the substrate on which the reflecting member is formed and is emitted outside the substrate

83：음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판 내부에서 반사 부재에 의해 반사된 반사광83: Reflected light reflected by the reflecting member in the light emitting element mounting substrate having a recessed space

84：반사 부재의 형성되어 있지 않은 기판 부분을 투과한 방출빛84: The emission light which permeate | transmitted the board | substrate part in which the reflection member is not formed

85：음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판 내부에서 반사 부재에 의해 반사된 반사광85: Reflected light reflected by the reflective member in the light emitting element mounting substrate having a recessed space

86：반사 부재의 형성되어 있지 않은 부분의 기판을 투과한 기판 외부에의 방출빛86: Emission light to the outside of the board | substrate which permeate | transmitted the board | substrate of the part in which the reflective member is not formed

87：반사 방지 부재의 형성되고 있는 부분의 기판을 투과한 기판 외부에의 방출빛87: Emission light to the outside of the board | substrate which permeate | transmitted the board | substrate of the formed part of an antireflection member

88：음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판 내부에서 반사 부재에 의해 반사된 반사광88: Reflected light reflected by the reflecting member in the light emitting element mounting substrate having a recessed space

90：발광소자로부터 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측벽 부분 및 뚜껑에 향하여 조사되는 빛90: Light irradiated to the side wall part and the lid which form the recessed space from a light emitting element

91：반사 방지 부재가 형성되고 있는 부분의 기판을 투과한 기판 외부에의 방출빛91: Emission light to the outside of the board | substrate which permeate | transmitted the board | substrate of the part in which the antireflection member is formed.

92：반사 방지 부재가 형성되고 있는 부분의 기판을 투과한 기판 외부에의 방출빛92: Emission light to the outside of the board | substrate which permeate | transmitted the board | substrate of the part in which the reflection prevention member is formed

100：기판100: Board

101：반사부101: Reflector

102：발광소자로부터의 발광102: Light emission from light emitting element

103：수납부103: Storing department

104：기판을 투과한 발광소자로부터의 기판 외부에의 방출빛104: emission light from the light emitting element that has passed through the substrate to the outside of the substrate

110：빛을 직선적으로 투과하는 재료110: material that transmits light linearly

111：입사빛111: Incident light

112：투과광112: Transmitted light

120：투과광이 산란빛이 되는 재료120: material where transmitted light becomes scattered light

121：입사빛121: Incident light

122：투과광122: Transmitted light

130：서멀 비아130: Thermal Via

본 발명에 관한 도면은 상기와 같이 도 1~도 38로 나타나고 있다. 도 1~도 38에 대해 이용되고 있는 부호(참조 번호)의 내용은 이하에 나타나는 대로이다.The drawings relating to the present invention are shown in Figs. 1 to 38 as described above. The content of the code | symbol (reference number) used about FIGS. 1-38 is as showing below.

즉,In other words,

5：외부 전극5: external electrode

6：외부 전극6: external electrode

20：발광소자 탑재용 기판20: Board for light emitting element mounting

21：발광소자21: light emitting element

25：와이어25: Wire

26：표면 전기 회로26: surface electric circuit

27：표면 전기 회로27: Surface electric circuit

29：비와이어장의 접속 재료29: Connection material of non-wire length

31：음푹패인 공간(캐비티)31: Damp space (cavity)

32：뚜껑32: Cover

33：음푹패인 공간 내부의 측벽33: side wall in the hollow space

34：기체34: Gas

35：틀35 ： Frame

36：접합부36: junction

37：봉지부37: Envelope

38：발광소자 탑재부38: light emitting element mounting part

40：도통 비아40: Through via

41：표면 전기 회로41: surface electric circuit

42：표면 전기 회로42: surface electric circuit

43：내부 전기 회로43: Internal electric circuit

50：서브 마운트50: Submount

70：반사 방지 부재70: Anti-reflective member

80：반사 부재80: reflection member

100：기판100: Board

101：반사부101: Reflector

103：수납부103: Storing department

111：입사빛111: Incident light

112：투과광112: Transmitted light

121：입사빛121: Incident light

122：투과광122: Transmitted light

130：서멀 비아130: Thermal Via

이다.to be.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 된다. 본 발명은 발광소자로부터의 발광을 종래부터의 반사 기능인 만큼 따르지 않고 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성을 이용해 효율적으로 기판 외부에 방출할 수 있도록 한 점에 특징이 있다. 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로, 발광소자로부터의 발광을 발광소자를 중심으로 하는 공간의 모든 방향으로 효율적으로 방출하는 것이 가능해졌다. 즉, 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재된 기판면측 뿐만이 아니라 상기 발광소자가 탑재된 면과는 반대의 기판면측에도 상기 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 효율적으로 방출할 수 있다. 또, 반사 방지 부재를 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로 발광소자 탑재용 기판에 광반사 방지 기능을 부여하면 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재된 면과는 반대의 기판면측으로부터 보다 강하게 외부에 방출 가능해진다. 또, 반사 부재를 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로 발광소자 탑재용 기판에 광반사 기능을 부여하면 발광소자로부터의 발광을 특정의 방향으로 강하게 방출시키는 일도 가능해진다. 꾸어 말하면, 본 발명의 효과는 큰 손실을 수반하는 일 없이 발광소자 주위의 모든 공간 방향에 대해서 상기 발광소자로부터의 발광의 힘을 비교적 용이하게 제어할 수 있는 점에도 있다. 즉, 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용해 한층 더 상기 발광소자 탑재용 기판에 광반사 방지 기능 혹은 광반사 기능을 부가하는 것으로 큰 손실을 수반하는 일 없이 발광소자 주위의 모든 공간 방향에 대해서 방출되는 상기 발광소자로부터의 발광의 힘을 비교적 용이하게 제어할 수 있다.The light emitting element mounting board | substrate which concerns on this invention consists of a sintered compact whose main component is a ceramic material which has light transmittance. The present invention is characterized in that the light emitted from the light emitting element can be efficiently emitted to the outside of the substrate by using the light transmittance of the sintered body mainly composed of a ceramic material instead of following the conventional reflection function. By using a sintered body containing a light-transmitting ceramic material as a main component as a light emitting element mounting substrate, it becomes possible to efficiently emit light emitted from the light emitting element in all directions of a space centered on the light emitting element. That is, light emission from the light emitting device can be efficiently emitted from the light emitting device to the outside of the substrate not only on the side of the substrate surface on which the light emitting device is mounted, but also on the side of the substrate opposite to the surface on which the light emitting device is mounted. In addition, when a light emitting element mounting substrate is provided with a sintered body mainly composed of a ceramic material on which an antireflection member is formed as a light emitting element mounting substrate, light emitted from the light emitting element is caused to emit light from the light emitting element. It can be discharged to the outside more strongly from the substrate surface side on the contrary. In addition, by using a sintered body composed mainly of a ceramic material on which a reflective member is formed as a light emitting element mounting substrate, if a light reflection function is provided to the light emitting element mounting substrate, it is possible to strongly emit light emitted from the light emitting element in a specific direction. Become. In other words, the effect of the present invention also lies in that the force of light emission from the light emitting element can be controlled relatively easily in all spatial directions around the light emitting element without enormous loss. That is, by using a sintered body mainly composed of a light-transmitting ceramic material as a light emitting element mounting substrate, the light reflection preventing function or light reflecting function is added to the light emitting element mounting substrate to emit light without significant loss. The force of light emission from the light emitting element emitted in all spatial directions around the element can be controlled relatively easily.

본 발명에 대해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와는 질화물, 산화물, 탄화물, 붕화물, 규화물 등의 무기 화합물을 주성분으로 하는 소결체여, 금속이나 합금 혹은 수지 등을 주성분으로 하는 소결체는 아니다. 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 통상 상기 무기 화합물을 주성분으로 하는 미립자를 주체로 하는 구조를 가진다. 또 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에는 통상 상기 무기 화합물을 주성분으로 하는 미립자 이외에 립계상 등을 포함한 구조의 것도 이용된다. 본 발명에 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 통상의 방법에 의해 용이하게 제작할 수 있다. 즉 질화물, 산화물, 탄화물, 붕화물, 규화물 등의 무기 화합물을 주성분으로 하는 미분말을 분말 성형체가 이루어 그 후 소성하여 굳혀서 제조된다.In the present invention, a sintered body having a ceramic material as a main component is a sintered body containing inorganic compounds such as nitride, oxide, carbide, boride, and silicide as a main component, and is not a sintered body having a metal, an alloy, or a resin as a main component. The sintered compact mainly containing the ceramic material according to the present invention usually has a structure mainly composed of fine particles mainly composed of the above inorganic compound. Moreover, the thing of the structure containing a grain boundary phase etc. other than the microparticles | fine-particles which have the said inorganic compound as a main component as a main component is normally used for the sintered compact which has a ceramic material as a main component. The sintered compact mainly containing the ceramic material used for this invention can be manufactured easily by a conventional method. That is, the powder compact is made of a fine powder mainly composed of inorganic compounds such as nitrides, oxides, carbides, borides, and silicides, and then fired and hardened.

본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 예로서 예를 들면 질화 알루미늄(AIN), 질화 붕소(BN), 질화 규소(Si3N4), 질화 티탄(TiN), 질화 갈륨(GaN)등의 질화물, 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 아연(ZnO), 산화 베릴륨(BeO), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 마그네슘(MgO), 알루민산마그네슘(MgAl2O4), 산화 티탄(TiO2), 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산지르콘산연(PZT：티탄과 지르코늄을 몰수 1：1의 비율로 포함한 복합 산화물), 산화 이트륨(Y2O3)등의 희토류 산화물, 산화 도륨(ThO2), 각종 페라이트(Fe3O4 혹은 MnFe2O4 등 일반식 AFe2O4로 나타나는 복합 산 화물：다만, A는 2값의 금속 원소), 멀라이트(3 Al2O32 SiO2), 포르스테라이트(2 MgOSiO2), 스테어 타이트(MgOSiO2)등의 산화물, 탄화규소(SiC), 탄화 티탄(TiC), 탄화 붕소(B4C), 탄화 텅스텐(WC)등의 탄화물, 붕화 티탄(TiB2), 붕화 지르코늄(ZrB2), 붕화 랜턴(LaB6)등의 붕화물, 규화 몰리브덴(MoSi2), 규화 텅스텐(WSi2)등의 규화물 등의 무기 화합물을 주성분으로 하는 소결체가 있어, 그 외에도 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체가 포함된다.Examples of the sintered body mainly containing the ceramic material according to the present invention include nitrides such as aluminum nitride (AIN), boron nitride (BN), silicon nitride (Si3N4), titanium nitride (TiN), gallium nitride (GaN), and the like. Aluminum oxide (Al2O3), zinc oxide (ZnO), beryllium oxide (BeO), zirconium oxide (ZrO2), magnesium oxide (MgO), magnesium aluminate (MgAl2O4), titanium oxide (TiO2), barium titanate (BaTiO3), titanic acid Compounds represented by general formula AFe2O4 such as lead zirconate (PZT: complex oxide containing titanium and zirconium in a molar ratio of 1: 1), rare earth oxides such as yttrium oxide (Y2O3), thorium oxide (ThO2), and various ferrites (Fe3O4 or MnFe2O4) Oxides: however, A is a bivalent metal element), oxides such as mullite (3 Al2O32 SiO2), forsterite (2 MgOSiO2), stearite (MgOSiO2), silicon carbide (SiC), titanium carbide (TiC ), Carbides such as boron carbide (B4C), tungsten carbide (WC), titanium boride (TiB2), zirconium boride (ZrB2) And sintered bodies containing inorganic compounds such as borides such as boride boron (LaB6), silicides such as molybdenum silicide (MoSi 2), tungsten silicide (WSi 2), and the like as main components. In addition, sintered bodies containing crystallized glass as main components are included.

또한 결정화 유리와는 예를 들면 붕규산 유리(통상 SiO2 및 B2O3을 주성분으로 해, 그 외에 Al2O3, CaO, BaO, PbO 등의 성분을 포함한다)등의 유리 모체(유리 매트릭스) 중에 코지에라이트, 아노르사이트(재나가이시), 코런덤(Al2O3), 멀라이트(3 Al2O32 SiO2), 워라스트나이트(CaOSiO2), 규산 마그네슘(MgOSiO2)등의 결정 성분이 존재하고 있는 구조를 가지고 있는 것이다. 결정화 유리는 통상 유리 분말에 적당 알루미나 분말, 실리카 분말, 마그네시아 분말, 탄산칼슘 분말, 탄산발륨 분말, 산화 붕소 분말, 산화납 분말 등을 더해 한층 더 요약하면 TiO2, ZrO2, SnO2, ZnO, Li2O 등의 성분을 더해 혼합해, 1축프레스법이나 시트 성형법 등으로 분말 성형체가 이루어, 그 후 소성하여 상기 분말 성형체를 구워 굳히는 방법에 의해 제작된다. 제조때 상기 TiO2, ZrO2, SnO2, ZnO, Li2O 등의 성분을 적당 더한 것을 소성하면 결정화가 촉진되는 경우가 많다. 그 외에 결정화 유리는 용해 해 성형한 유리 성형체를 열처리 해, 상기 유리 성형 체내에 결정을 석출시키는 방법 등에 의해서도 제작할 수 있다.In addition, crystallized glass, for example, in a glass matrix (glass matrix) such as borosilicate glass (usually comprising SiO 2 and B 2 O 3 as main components and other components such as Al 2 O 3, CaO, BaO, PbO, etc.) Crystallites such as norcite (Jannagaishi), corundum (Al 2 O 3), mullite (3 Al 2 O 32 SiO 2), warlastite (CaOSiO 2) and magnesium silicate (MgOSiO 2) are present. Crystallized glass is usually added to alumina powder, silica powder, magnesia powder, calcium carbonate powder, barium carbonate powder, boron oxide powder, lead oxide powder, etc., in order to further summarize the glass powder, such as TiO2, ZrO2, SnO2, ZnO, Li2O, etc. The components are added, mixed, and a powder compact is formed by a uniaxial press method, a sheet molding method, or the like, which is then fired to produce the powder compact and then produced by a method of hardening. At the time of manufacture, when the appropriate addition of the components such as TiO2, ZrO2, SnO2, ZnO, Li2O and the like is often carried out, crystallization is often promoted. In addition, crystallized glass can also be manufactured by the method of heat-processing the glass molded object melted and shape | molded, and depositing a crystal | crystallization in the said glass molded body.

이와 같이 본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서는 단지 세라믹 재료 를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것 만으로는 충분한 효과를 얻을 수 없다. 앞에서 본 같게 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서는 광투과성의 것을 이용하는 것이 중요하다. 본 발명에 대해 상기와 같은 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재된 기판면측 뿐만이 아니라 상기 발광소자가 탑재된 면과는 반대의 기판면측에도 상기 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 효율적으로 방출할 수 있다. 이러한 효과는 통상 광투과율 1%이상의 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 얻을 수 있다. 또 상기 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율이 5%이상으로 보다 큰 효과를 얻을 수 있게 된다. 또 상기 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율이 10%이상으로 효과가 명확하게 인정되게 된다. 본 발명에 대해 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와는 상기와 같이 통상 1%이상의 광투과율을 가지는 것이다.As described above, as the substrate for mounting the light emitting element, only a sintered body composed mainly of a ceramic material cannot be obtained as a substrate for mounting a light emitting element. As described above, it is important to use a light-transmissive material as the sintered body mainly containing a ceramic material. In the present invention, the sintered body containing the light-transmitting ceramic material as a main component is used to emit light from the light emitting device not only on the substrate surface side on which the light emitting element is mounted, but also on the substrate surface side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted. Light emission from the light emitting device can be efficiently emitted to the outside of the substrate. Such an effect can usually be obtained with a sintered body whose main component is a ceramic material having a light transmittance of 1% or more. In addition, a light transmittance of 5% or more can be obtained with respect to the sintered body mainly composed of the light-transmitting ceramic material. In addition, the effect of the light transmittance of 10% or more with respect to the sintered body containing the light-transmitting ceramic material as a main component is clearly recognized. In the present invention, the sintered body containing the light-transmissive ceramic material as a main component usually has a light transmittance of 1% or more as described above.

본 발명에 있어서의 광투과성과는 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서의 투과성을 의미한다. 본 발명에 대해 특별히 제한하지 않는 한 「가시광선」이란 파장 380 nm~800 nm의 범위의 빛이다. 또, 「보라색 외광」이란 파장 380 nm 이하의 빛이다. 본 발명에 대해 특별히 제한하지 않는 한 「가시광선 투과율」이란 파장 380 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 투과율이다. 또, 「보라색 외광 투과율」이란 파장 380 nm 이하의 빛에 대한 투과율이다.Light transmittance in this invention means the transmittance | permeability with respect to the light of the range of wavelength 200nm-800nm at least. "Visible light" is light in the range of 380 nm-800 nm in wavelength, unless it restricts especially about this invention. In addition, "purple external light" is light of wavelength 380 nm or less. "Visible light transmittance" is a transmittance | permeability with respect to the light of the wavelength of 380 nm-800 nm unless there is particular restriction about this invention. In addition, "purple external light transmittance" is a transmittance | permeability with respect to the light of wavelength 380nm or less.

본 발명에 대해 특별히 제한하지 않는 한 상기 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서의 광투과율은, 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛을 대표해 파장 605 nm의 단색광을 이용해 측정된 것이다. 그 형상은 직경 25.4 mm두께 0.5 mm의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 시료로서 측정된 것이다. 통상 분광 광도계 등을 이용해 소정의 파장의 빛을 상기 발광소자 탑재용 기판 시료에 맞혀 입사한 빛의 강도와 투과한 빛의 강도를 측정해 그 비를 백분율로 나타낸 것이다. 또 본 발명에 있어서의 광투과율은 상기 측정용 시료를 적분공의 창을 가리도록 세트 해 전투과광을 모으고 이 전투과광과 입사빛과의 강도비를 백분율로 나타낸 것이다.Unless otherwise specified, the light transmittance of light in the range of 200 nm to 800 nm is measured using monochromatic light having a wavelength of 605 nm, representing light in the range of 200 nm to 800 nm. . The shape measured as a sample the sintered compact which has a ceramic material of 25.4 mm diameter 0.5 mm as a main component. Normally, a spectrophotometer or the like is used to match a light having a predetermined wavelength to the light emitting device mounting substrate sample, and the intensity of the incident light and the intensity of the transmitted light are measured, and the ratio is expressed as a percentage. In the present invention, the light transmittance is set to cover the window of the integrating hole, and the battle light is collected and the intensity ratio between the battle light and the incident light is expressed as a percentage.

본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서의 광투과율의 측정은 통상 상기와 같이 직경 25.4 mm두께 0.5 mm의 형상의 시료에 의해 파장 605 nm의 단색광을 이용해 측정된 것이다. 그렇지만 광투과율을 측정하는 시료의 형상, 크기는 특히 상기에 나타낸 것이 아니어도 괜찮고 임의의 것을 이용할 수가 있다. 예를 들면 직경 1 mm두께 0.5 mm정도의 작은 형상의 것이어도 용이하게 측정할 수가 있다. 또 광투과율의 측정 장치도 분광 광도계를 이용하는 방법만으로 한정하지 않고 적당 임의의 방법을 이용할 수가 있다.In the present invention, the measurement of the light transmittance as a sintered body mainly composed of a ceramic material used as a substrate for mounting a light emitting element is measured using a monochromatic light having a wavelength of 605 nm with a sample having a shape of 25.4 mm in diameter and 0.5 mm in diameter as described above. will be. However, the shape and size of the sample for measuring light transmittance may not be particularly shown above, and any one may be used. For example, even a small shape having a diameter of about 1 mm and a thickness of about 0.5 mm can be easily measured. Moreover, the measuring apparatus of light transmittance can also use arbitrary arbitrary methods, not only the method of using a spectrophotometer.

유리 등의 투명체의 광투과율은 통상 직선 투과율로서 요구되지만, 일반적으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 등의 세라믹 재료의 광투과율은 입사빛이 소결체 내부에서 산란되어 직선적으로 투과되지 않고, 산란된 상태로 모든 방향에 투과된다. 따라서 투과광의 강도는 이러한 방향성이 없는 산란빛을 모두 모은 것이 된다. 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작해 그 외의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 이러한 전투과율로서 측정된 것이어, 유리 등의 투명체의 직선 투과율과는 다르다.The light transmittance of a transparent body such as glass is usually required as a linear transmittance, but in general, the light transmittance of a ceramic material such as a sintered body composed mainly of aluminum nitride is scattered in the sintered body and is not transmitted linearly, but in a scattered state. It is transmitted in all directions. Therefore, the intensity of transmitted light is a collection of all scattered light without such directivity. In the present invention, the light transmittance of the sintered body including aluminum nitride as a main component and the other ceramic material as the main component is measured as such a combat transmittance, and is different from the linear transmittance of transparent bodies such as glass.

광투과율은 시료의 두께에 의해 변화해 본 발명에 의한 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용의 기판 등으로 해서 실제로 이용하는 경우 상기 기판의 두께를 얇게 해 광투과율을 높이는 것은 예를 들면 발광소자의 발광 효율을 높이는데 있어서 유효하다. 통상 발광소자 탑재용의 기판 등으로 해서는 두께 0.01 mm이상의 것을 이용하는 것이 취급상의 강도의 점으로부터는 바람직하다. 또 두께가 두꺼워지면 광투과율이 저하하기 쉽기 때문에 통상 발광소자 탑재용의 기판 등으로 해서는 두께 8.0 mm 이하의 것을 이용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 대해 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 그 두께가 적어도 0.01 mm~8.0 mm의 범위에 대해 실제로 사용되는 상태의 발광소자 탑재용 기판 등이 광투과성을 가지고 있으면 유효하다. 즉, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 그 두께가 적어도 0.01 mm~8.0 mm의 범위 혹은 그 이외여도 실제로 사용되는 상태에서의 광투과율이 적어도 1%이상이면 좋은 것이고, 예를 들면 발광소자 탑재용의 기판으로서 실제로 두께 0.1 mm 혹은 2.0 mm 등 두께가 반드시 0.5 mm는 아닌 것으로 있어도 광투과성을 가져 광투과율이 적어도 1%이상이면 제작되는 발광소자의 발광 효율은 향상하기 쉽다.The light transmittance changes depending on the thickness of the sample, and when the sintered body containing the ceramic material according to the present invention as a main component is actually used as a substrate for mounting a light emitting element or the like, the thickness of the substrate is reduced to increase the light transmittance, for example. It is effective in increasing the luminous efficiency of a light emitting element. Usually, as a board | substrate for mounting a light emitting element, it is preferable from the point of handling strength to use the thing of thickness 0.01mm or more. Since the light transmittance tends to decrease when the thickness becomes thick, it is preferable to use a thickness of 8.0 mm or less as a substrate for mounting a light emitting element. In the present invention, the sintered body containing the ceramic material as the main component is effective as long as the substrate for mounting a light emitting element in a state where the thickness is actually used for a range of at least 0.01 mm to 8.0 mm has a light transmittance. In other words, the sintered body containing the ceramic material as a main component may have a light transmittance of at least 1% or more in a state of actual use even if the thickness thereof is in the range of at least 0.01 mm to 8.0 mm, or the like. Even if the substrate is not necessarily 0.5 mm in thickness, such as 0.1 mm or 2.0 mm in thickness, the luminous efficiency of the light emitting device produced is easy to improve when the light transmittance is at least 1%.

따라서 본 발명에 의한 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 상기 소결체의 두께에는 무관계하고, 실제 상기 소결체가 이용되고 있는 상태에서의 광투과성이 중요하고 실제 상기 소결체가 이용되고 있는 상태에서의 광투 과율을 의미한다.Therefore, the light transmittance of the sintered compact mainly containing the ceramic material according to the present invention is irrelevant to the thickness of the sintered compact, and the light transmittance in the state in which the sintered compact is actually used is important. Means light transmittance.

기판 두께가 실제 사용 상태로 0.5 mm보다 얇은 경우 혹은 0.5 mm보다 두꺼운 경우는 기판 두께 0.5 mm 때 측정한 광투과율과 달리, 광투과율은 0.5 mm보다 얇은 경우는 0.5 mm 때 측정했던 것보다 높아지기 쉽고 0.5 mm보다 두꺼운 경우는 0.5 mm 때 측정한 광투과율보다 낮아지기 쉽다. 본 발명에 대해 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재된 기판면측 뿐만이 아니라 상기 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 방향에도 방출하기 쉽게 하기 위해서 상기 실제로 사용되는 상태로 광투과율이 1%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것이 바람직하다.When the thickness of the substrate is actually thinner than 0.5 mm or thicker than 0.5 mm, the light transmittance is likely to be higher than that measured at 0.5 mm when the substrate thickness is thinner than 0.5 mm. If it is thicker than mm, it tends to be lower than the light transmittance measured at 0.5 mm. In the present invention, in order to easily emit light emitted from the light emitting element not only in the side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted, but also in a direction opposite to the surface of the substrate on which the light emitting element is mounted, the light transmittance of 1% or more in the state actually used. It is preferable to use a sintered body containing a ceramic material as a main component as a light emitting element mounting substrate.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 탑재되는 발광소자는 앞에서 본 같게 200 nm~550 nm의 범위라고 하는 보라색 외광 영역으로부터 가시광선의 비교적 파장의 짧은 영역의 빛을 발광할 수 있다. 이러한 발광소자를 조명용 광원에 사용하는 경우, 예를 들면 상기 발광소자의 발광 파장보다 긴 파장 영역의 여기 스펙트럼을 가지는 YAG(이트륨알루미늄가닛)등을 주성분으로 하는 형광체를 병용 하는 것으로 상기 형광체와 상기 발광소자와의 보색 관계에 의해 인간의 눈에는 연속 스펙트럼의 백색광으로서 느끼게 된다. 본원 발명자가 파장 605 nm의 빛을 투과율 측정용의 빛으로서 선정한 이유의 하나는 상기 백색광의 파장이 대략 400 nm~800 nm의 범위에 있어 파장 605 nm의 빛은 그 중심 부근에 있기 때문에 있다. 또 본 발명에 대해, 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 통상 파장 200 nm이상의 빛에 대해서 투과성을 나타내는 경우가 많다. 즉, 파장 200 nm~250 nm의 범위의 빛에 대해서 투과성을 나타내기 시작해 파장 250 nm~350 nm의 범위의 빛에 대해서 급격하게 투과성이 상승해 보라색 외광으로부터 가시광선 영역에 걸친 경계 영역에 있는 파장 350 nm~400 nm이상의 빛에 대해서는 거의 일정한 광투과율을 가지는 경향이 있다. 본원 발명자가 파장 605 nm의 빛을 광투과율 측정용의 파장으로서 선정한 이유의 하나는 광투과율이 가시광선 영역의 파장 400 nm~800 nm의 범위에서 거의 일정이 되어 파장 605 nm의 빛은 그 중심 부근에 있기 때문에도 있다.The light emitting device mounted on the light emitting element mounting substrate according to the present invention can emit light in a relatively short wavelength region of visible light from the purple external light region in the range of 200 nm to 550 nm as seen from the above. When such a light emitting device is used for a light source for illumination, the phosphor and the light emission are used in combination with, for example, a phosphor mainly composed of YAG (yttrium aluminum garnet) having an excitation spectrum in a wavelength region longer than the light emission wavelength of the light emitting device. Due to the complementary color relationship with the element, the human eye feels it as white light of continuous spectrum. One of the reasons for the present inventors selecting light having a wavelength of 605 nm as light for transmittance measurement is that the wavelength of the white light is in the range of approximately 400 nm to 800 nm, and light having a wavelength of 605 nm is near its center. Moreover, about this invention, the sintered compact which has a ceramic material which has a light transmittance as a main component usually shows transparency with respect to the light of wavelength 200nm or more in many cases. That is, it starts to show transmittance for light in the range of 200 nm to 250 nm, and rapidly transmits light for the light in the range of 250 nm to 350 nm. The light of 350 nm to 400 nm or more tends to have a substantially constant light transmittance. One reason for the present inventors to select light having a wavelength of 605 nm as a wavelength for measuring light transmittance is that the light transmittance is almost constant in the range of 400 nm to 800 nm in the visible light range, so that light having a wavelength of 605 nm is near its center. There is also because.

이와 같이 광투과율로서 파장 605 nm 이외의 빛 혹은 연속 스펙트럼에 있어서의 측정치를 이용하지 않아도 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율을 이용하면 본 발명에 의한 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 발광소자 탑재용 기판으로서의 양부를 대표해 판별할 수 있다.As described above, when the light transmittance for light having a wavelength of 605 nm is used as the light transmittance without using the light having a wavelength other than the wavelength of 605 nm or the measured value in the continuous spectrum, It can discriminate | determine by representing both as a board | substrate for light emitting element mounting.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 적어도 발광소자를 탑재하기 위한 지지체 혹은 수납 용기로서의 기능도 가져, 상기 발광소자 탑재용 기판의 형상으로서 단순한 판 모양 뿐만이 아니라 필요에 따라서 발광소자를 탑재하기 위한 음푹패인 공간(캐비티)이나 대좌 등의 구조를 가져, 또 발광소자 탑재 부분에는 필요에 따라서 동시 소성에 의한 메탈라이즈, 후막인화에 의한 메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등의 메탈라이즈를 베풀어, 납재(Pb－Sn계는 다 합금, Au－Si계 합금, Au－Sn계 합금, Au－Ge계 합금, Sn함유 합금, In함유 합금, 금속 Sn, 금속 In, Pb프리 등의 저융점 납재, 혹은 은등의 고융점 납재, 등을 포함한다), 저융점 유리, 그 외 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 유기 수지를 주성분으로 하는 도전성 접착제 혹은 전기 절연성 접착제 혹은 고열 전도성 접착제 등의 접속 재료를 이용해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 발광소자가 고정되고 탑재된다. 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 발광소자 탑재 부분에 형성되는 메탈라이즈는 필요에 따라서 발광소자와 전기적으로 접속해 상기 발광소자에게 전기신호나 전력을 공급하기 위한 전기 회로로서의 역할도 완수한다.The sintered body containing ceramic material as a main component of the light emitting element mounting substrate according to the present invention has at least a function as a support body or a storage container for mounting the light emitting element, and is not only a simple plate shape as a shape of the light emitting element mounting substrate. The light emitting device has a structure such as a cavity (cavity) and a pedestal for mounting the light emitting device, and the light emitting device mounting portion includes metallization by simultaneous firing, metallization by thick film printing, or thin film metallization, if necessary. Metallization and brazing (Pb-Sn-based alloys are multi-alloy, Au-Si-based alloys, Au-Sn-based alloys, Au-Ge-based alloys, Sn-containing alloys, In-containing alloys, metal Sn, metal In, Pb-free, etc.) Low melting point brazing material or high melting point brazing material such as silver), low melting glass, other electrically conductive resins such as epoxy resin and silicone resin The light-emitting device on a substrate made of a sintered body composed mainly of ceramic material with a connecting material such as an adhesive or an electrically insulating adhesive or a thermally conductive adhesive is secured is mounted. The metallization formed on the light emitting element mounting portion of the sintered body mainly composed of the ceramic material serves as an electric circuit for electrically connecting the light emitting element as necessary to supply an electric signal or electric power to the light emitting element.

본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판과 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자와는 열팽창율이 가깝기 때문에, 상기 발광소자를 기판에 고정해 탑재할 때의 가열 냉각시나 발광소자 자체가 구동하고 있을 때에 생기는 가열 냉각 등에 있어도 고정 부분에 있어서의 응력 발생이 적기 때문에 상기 예시한 접속 재료 이외 나무와 같은 접속 재료여도 사용할 수 있다. 또한 상기 접속 재료 중 도전성 접착제 혹은 전기 절연성 접착제 등의 접착제를 이용해 발광소자를 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 고정하는 경우는 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 발광소자 탑재 부분에 반드시 메탈라이즈가 수행된 것이 아니어도 좋다.Since the thermal expansion coefficient is close to the light emitting element mounting substrate which consists of the sintered compact which has a ceramic material as a main component of this invention, and the light emitting element whose main component is at least 1 sort (s) chosen from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride, Even in the case of heating and cooling when the light emitting device is mounted on a substrate and heating and cooling generated when the light emitting device itself is driven, there is little stress in the fixed portion. Therefore, a connection material such as wood other than the above-described connection material can be used. Can be. In addition, when fixing the light emitting device to a sintered body composed mainly of the ceramic material using an adhesive such as a conductive adhesive or an electrically insulating adhesive among the connecting materials, the sintered body composed mainly of the ceramic material must be metallized on the light emitting element mounting part. It does not have to be done.

또 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 필요에 따라서 발광소자를 구동시키기 위한 동시 소성 등에 의한 다층화 메탈라이즈나 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이 즈등의 전기 회로, 한층 더 도통 비아를 구비한다.The sintered body containing the ceramic material as a main component includes an electric circuit such as multilayered metallization, thick film metallization, or thin film metallization by simultaneous firing or the like for driving the light emitting element as necessary, and furthermore, conductive vias.

상기 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 음푹패인 공간 을 형성하는 방법으로서 일체화한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 음푹패인 공간을 형성하는 방법, 평판 모양의 기체에 틀을 접합하는 것으로 음푹패인 공간을 형성하는 방법이 있다. 본 발명에 대해 상기 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판으로서는, 일체화한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 음푹패인 공간을 형성한 것, 혹은 평판 모양의 기체에 다른 재료 예를 들면 투명 수지 혹은 유리로 이루어지는 틀을 접합해 음푹패인 공간을 형성한 것, 이라고 하는 구성의 것이 바람직하다. 전기 구성에 의해 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 보다 발광소자로부터의 발광을 외부에 방출하기 쉬워질 뿐만이 아니게 방열성이 높아져, 전기 회로가 보다 컴팩트하게 설계할 수 있어 대형의 발광소자가 탑재할 수 있다. 상기 평판 모양의 기체에 틀을 접합하는 것으로 음푹패인 공간이 형성된 발광소자 탑재용 기판에 대해 발광소자는 통상 상기 평판 모양의 기체에 탑재된다. 본 발명에 대해 상기 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 평판 모양의 기체와 틀과의 접합에 의해 음푹패인 공간이 형성된 것에서는 평판 모양의 기체 및 틀중에서 어느쪽이든 한편이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되든가, 혹은 평판 모양의 기체 및 틀 모두 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 된다. 상기 평판 모양의 기체 혹은 틀에는 필요에 따라서 발광소자를 구동시키기 위한 다층화 메탈라이즈나 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등의 전기 회로, 한층 더 도통 비아가 구비된다.A method of forming a recessed space using a sintered body composed mainly of a ceramic material integrated as a method of forming a recessed space for the light emitting element mounting substrate having the recessed space, and joining a frame to a flat gas. There is a method of forming a recessed space. In the present invention, a substrate for mounting a light emitting element having the recessed space may be formed by forming a recessed space using a sintered body composed of an integrated ceramic material as a main component, or another material such as a transparent resin or a flat substrate. The thing of the structure called the thing which formed the space which was made by joining the frame which consists of glass, and is preferable. According to the above configuration, the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention not only makes it easier to emit light emitted from the light emitting element to the outside but also increases heat dissipation, and the electric circuit can be designed more compactly, so that a large light emitting element can be mounted. Can be. The light emitting element is usually mounted on the flat substrate with respect to the substrate for mounting a light emitting element on which a recessed space is formed by joining a frame to the flat substrate. In the present invention, in the light emitting element mounting substrate having the recessed space, in the recessed space formed by the bonding of the flat substrate and the mold, either of the flat substrate and the frame is made of ceramic material. Either from a sintered body having a main component, or both a flat gas and a frame are made from a sintered body containing a ceramic material as a main component. The plate-shaped base or frame is provided with electrical circuits such as multilayered metallization, thick film metallization, or thin film metallization for driving the light emitting element as required, and further conductive vias.

상기 평판 모양의 기체 혹은 틀의 재료로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 이외에서는, 예를 들면 각종 금속, 각종 수지, 각종 유리, 각종 세라믹 등 필요에 따라서 사용할 수 있다.Except for the sintered body which has a ceramic material as a main component as said flat board | substrate base or frame material, it can use as needed, for example, various metal, various resin, various glass, various ceramics.

또, 본 발명에 의한 상기 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판에는 필요에 따라서 음푹패인 공간에 탑재된 발광소자를 봉지하기 위한 뚜껑이 형성된다. 상기 뚜껑을 이용한 봉지는 봉지재에 금속, 합금, 유리를 이용한 기밀 봉지 혹은 봉지재에 수지 등을 이용한 비기밀 봉지의 모두 실시할 수가 있다. 상기 뚜껑의 재료로서 예를 들면 각종 금속, 각종 수지, 각종 유리, 각종 세라믹 등을 사용할 수 있다. 뚜껑에 본 발명에 의한 광투과성이 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체나, 다른 투명 수지나 유리 혹은 세라믹 등을 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광을 효율적으로 기판 외부에 방출할 수 있다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에는 상기에 같게 뚜껑으로서 광투과성이 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용한 것도 포함된다.In addition, the lid for sealing the light emitting element mounted in the recessed space is formed in the light emitting element mounting substrate having the recessed space according to the present invention. The encapsulation using the lid can be performed in both a hermetic encapsulation using a metal, an alloy, glass, or a non-sealed encapsulation using a resin or the like in the encapsulating material. As a material of the said lid, various metals, various resins, various glass, various ceramics, etc. can be used, for example. Light emission from the light emitting element can be efficiently emitted to the outside of the substrate by using a sintered body composed mainly of the light-transmitting ceramic material according to the present invention on the lid, or other transparent resin, glass, or ceramic. The light emitting element mounting board | substrate which concerns on this invention includes the thing using the sintered compact which has a light-transmitting ceramic material as a main component as a lid similarly to the above.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 탑재 혹은 수납되는 발광소자로서는 통상보라색 외광 영역~가시광선~근적외광 영역에 있어 발광 기능을 가지는 것이면 어떠한 것에서도 탑재할 수 있다. 구체적으로는 예를 들면 파장 대략 200 nm~800 nm의 범위의 빛을 발광할 수 있는 것이면 어떠한 발광소자여도 탑재할 수 있다. 예를 들면 ZnO계 등의 재료를 주성분으로 하는 파장 대략 380 nm~550 nm 부근의 가시광선 영역의 빛을 발광하는 것 혹은 ZnCdSe계 등의 재료를 주성분으로 하는 파장 대략 450 nm~650 nm 부근의 가시광선 영역의 빛을 발광하는 것 혹은 AlGaInP계 등의 재료를 주성분으로 하는 파장 대략 600 nm~660 nm 부근의 가시광선 영역의 빛을 발광하는 것 혹은 AlGaAs계 등의 재료를 주성분으로 하는 파장 대략 760 nm~820 nm 부근의 가시광선~근적외광 영역의 빛을 발광하는 것 등 각종 재료로 이루어지는 발광소자가 탑재할 수 있다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판을 이용하는 것으로 본래의 발광 특성이 충분히 발현된 발광소자가 실현될 수 있다. 즉, 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자, 및 반사 방지 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자, 및 반사 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이다.As the light emitting element mounted or housed on the light emitting element mounting substrate according to the present invention, any light emitting element can be mounted as long as it has a light emitting function in the purple outer light region, visible light region, and near infrared region. Specifically, any light emitting device can be mounted as long as it can emit light having a wavelength of approximately 200 nm to 800 nm. For example, emitting light in the visible light region having a wavelength of approximately 380 nm to 550 nm mainly containing ZnO-based materials or visible light having a wavelength of approximately 450 nm-650 nm mainly containing ZnCdSe-based materials Emitting light in the light ray region or wavelengths mainly containing materials such as AlGaInP-based light emitting light in the visible light region in the vicinity of approximately 600 nm to 660 nm, or wavelengths mainly composed of materials such as AlGaAs-based materials The light emitting element which consists of various materials, such as emitting light in the visible-near-infrared light region of -820 nm vicinity, can be mounted. By using the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention, a light emitting element in which the original light emitting characteristics are sufficiently expressed can be realized. That is, the light emitting element mounted on the board | substrate which consists of the sintered compact which has a light-transmitting ceramic material as a main component, and the light emitting element mounted on the board | substrate which consists of the sintered compact which mainly contains the ceramic material with antireflection member, and the ceramic in which the reflective member was formed It is a light emitting element mounted on the board | substrate which consists of a sintered compact which mainly uses a material.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서는 상기 발광소자중에서 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 적어도 N형 반도체층, 발광층, 및 P형 반도체층의 3층 이상의 적층체로 이루어지는 발광소자를 탑재하는데에 보다 적합하다. 상기 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자는 파장 200 nm~700 nm정도의 범위의 빛을 발광할 수 있다. 또한 이하 본 발명에 대해 특별히 제한하지 않는 한 상기 「질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 적어도 N형 반도체층, 발광층, 및 P형 반도체층의 3층 이상의 적층체로 이루어지는 발광소자」를 단지 「질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자」라고 한다. 상기 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자는 상기로 예시한 다른 발광소자에 비해 광출력도 높고 보라색 외광 및 파장의 짧은 가시광선을 발광하는 것이 성 과 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 탑재하는 것으로 본래의 발광 특성이 다른 발광소자보다 한층 더 효과적으로 발현할 수 있다.In the light emitting device mounting substrate according to the present invention, at least one of at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride among the above light emitting devices, at least three layers of at least an N-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a P-type semiconductor layer It is more suitable for mounting the light emitting element which consists of the above laminated bodies. The light emitting device having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component may emit light having a wavelength in a range of about 200 nm to 700 nm. In addition, unless the present invention is specifically limited, at least three or more layers of at least an N-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a P-type semiconductor layer having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. A light emitting element composed of a laminate '' is simply referred to as a "light emitting element having at least one or more selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride as a main component". The light emitting device having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component has higher light output than other light emitting devices exemplified above, and emits purple external light and short visible light having a wavelength. By mounting on the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the original light emitting characteristics can be expressed more effectively than other light emitting elements.

상기 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자는 통상 예를 들면 도 1 혹은 도 2에 나타나는 것 같은 구조를 가진다. 도 1은, 사파이어 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 단결정이나 소결체 등의 전기 절연성의 발광소자 제작용 기판 1에 MOCVD 등의 방법에 의해 에피택셜 성장한 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 한층 더 Si 등의 도핑별로 보다 N형 반도체화 된 박막층 2가 형성되어 한층 더 에피택셜 성장한 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 예를 들면 단일 우물 구조, 다중 우물 구조 혹은 더블에 테러 구조 등으로 이루어지는 발광층 3이 형성되어 한층 더 에피택셜 성장한 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 또한 Mg, Zn 등의 도핑별로 보다 P형 반도체화 된 박막층 4가 형성되어 N형 반도체 박막층 및 P형 반도체 박막층에는 각각 외부 전극 5 및 6이 형성되고 있는 발광소자의 단면 구조를 나타낸다. 도 1에 나타내는 발광소자에 있어 박막층 2는 P형 반도체층이라고 해도 형성할 수가 있어 그 경우 박막층 4는 N형 반도체층으로서 형성된다. 도 1에 나타나듯이 발광소자를 제작하기 위한 기판으로서 전기 절연성의 것을 이용했을 경우 통상은 외부 전극 5 및 6은 소자의 형성되고 있는 면측에 배치된다. 도 2는 탄화규소를 주성분으로 하는 단결정 혹은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 단결정이나 소결체 혹은 산화 아연을 주 성분으로 하는 단결정이나 소결체 등 도전성을 가지는 발광소자 제작용 기판 10에 MOCVD 등의 방법에 의해 에피택셜 성장한 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상으로 이루어지는 주성분에 Si 등의 도핑제 등에 의해 N형 반도체 박막층 2가 형성되어 한층 더 상기 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 우물 구조를 가지는 발광층 3이 형성되어 한층 더 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상으로 이루어지는 주성분에 Mg 등의 도핑별로 보다 P형 반도체 박막층 4가 형성되어 N형 반도체 박막층 및 P형 반도체 박막층에는 각각 외부 전극 5 및 6이 형성되고 있는 발광소자의 단면 구조를 나타낸다. 도 2에 나타내는 발광소자에 있어 박막층 2는 P형 반도체층이라고 해도 형성할 수가 있어 그 경우 박막층 4는 N형 반도체층으로서 형성된다. 도 2에 나타나듯이 발광소자를 제작하기 위한 기판으로서 도전성의 것을 이용했을 경우 통상 전극 5는 발광소자를 형성하기 위한 기판 10의 소자가 형성되고 있는 면과 반대측의 면에 형성 성과 한편의 전극 6은 소자의 형성되고 있는 면측에 배치할 수 있다. 도 2의 기판 10에는 상기와 같이 탄화규소를 주성분으로 하는 단결정 혹은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 단결정이나 소결체 혹은 산화 아연을 주성분으로 하는 단결정이나 소결체 등 원래 도전성을 가지는 재료 뿐만이 아니라, 질화 알루미늄 등 전기 절연성의 재료여도 발광소자를 형성하기 위한 기판 내부에 도통 비아가 형성되고 상기 기판의 발광소자가 형성되는 면과 그 반대측의 면이 전기적으로 접속 가능한 것도 포함된다. 또한 도 1 및 도 2에 대해 기판 1 혹은 기판 10으로 에피택셜 성장한 N형 반도체( 혹은 P형)의 박막층 2와의 사이에는 통상 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 박막 버퍼층이 형성된다.버퍼층은 통상 저온으로 형성되고 무정형, 다결정, 혹은 배향성 다결정 등의 결정 상태를 가지는 경우가 많다. 또한 도 2로 나타나는 발광소자 제작용으로 이용되는 도전성의 기판 10으로서는 통상 실온에 있어서의 저항율 1104Ωcm 이하가면 상하에 전극을 배치한 형상의 발광소자가 제작할 수 있고 충분히 기능 할 수 있다. 도전성을 가지는 발광소자 제작용 기판의 실온에 있어서의 저항율로서는 실온에 대해 통상 1102Ωcm 이하의 것이면 적은 손실로 충분한 전력을 발광층에 공급 할 수 있다. 도전성을 가지는 발광소자 제작용 기판의 실온에 있어서의 저항율로서는 실온에 대해 1101Ωcm 이하의 것이 바람직하고, 1100Ωcm 이하의 것이 보다 바람직하고, 110－1Ωcm 이하의 것이 한층 더 바람직하고, 110－2Ωcm 이하의 것이 가장 바람직하다.A light emitting device having, as a main component, at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride usually has a structure as shown in, for example, FIG. 1 is at least 1 selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride epitaxially grown by a method such as MOCVD on a substrate 1 for manufacturing an electrically insulating light emitting element such as a single crystal or a sintered body including sapphire or aluminum nitride as a main component; An example in which at least one species selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride, which are more epitaxially grown, is formed by forming N-type semiconducting thin film 2 for each doping such as Si. For example, a light emitting layer 3 composed of a single well structure, a multiple well structure, or a double terror structure is formed, and further includes epitaxially grown gallium nitride, indium nitride, aluminum nitride, and at least one selected from Mg, P-type semiconductor thin film layer 4 is formed for each doping such as Zn. Film layer and the P-type semiconductor thin film is shown a cross-sectional structure of the light emitting element in each of the external electrodes 5 and 6 is formed. In the light emitting device shown in FIG. 1, the thin film layer 2 can be formed even as a P-type semiconductor layer, and in this case, the thin film layer 4 is formed as an N-type semiconductor layer. When the electrically insulating thing is used as a board | substrate for manufacturing a light emitting element as shown in FIG. 1, the external electrodes 5 and 6 are normally arrange | positioned at the surface side in which the element is formed. 2 is epitaxially applied to a substrate 10 for manufacturing a light emitting device having conductivity such as a single crystal or a sintered body composed mainly of silicon carbide or gallium nitride, or a single crystal or a sintered body composed mainly of zinc oxide, by a method such as MOCVD; An N-type semiconductor thin film layer 2 is formed by a doping agent, such as Si, on a main component composed of at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride grown, and further from the gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride. A light emitting layer 3 having a well structure including at least one selected from the group consisting of at least one selected from the group consisting of at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride is further formed into a P-type semiconductor thin film layer for each doping such as Mg. 4 is formed to form an N-type semiconductor thin film layer and a P-type semiconductor Film shows an cross-sectional structure of a light emitting device in each of the external electrodes 5 and 6 is formed. In the light emitting device shown in Fig. 2, the thin film layer 2 can be formed even as a P-type semiconductor layer, and in this case, the thin film layer 4 is formed as an N-type semiconductor layer. As shown in FIG. 2, when a conductive substrate is used as the substrate for manufacturing the light emitting device, the electrode 5 is formed on the surface opposite to the surface on which the device of the substrate 10 for forming the light emitting device is formed. It can arrange | position to the surface side in which the element is formed. As described above, the substrate 10 shown in FIG. 2 has electric conductivity such as aluminum nitride or not only a material having original conductivity such as a single crystal or sintered body composed mainly of silicon carbide or gallium nitride, or a single crystal or sintered body composed mainly of zinc oxide. The material may also include conductive vias formed inside the substrate for forming the light emitting element, and the surface on which the light emitting element of the substrate is formed may be electrically connected to the opposite side thereof. 1 and 2, at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride is usually used as a main component between the thin film layer 2 of the N-type semiconductor (or P-type) epitaxially grown on the substrate 1 or the substrate 10. A thin film buffer layer is formed. The buffer layer is usually formed at a low temperature and often has a crystalline state such as amorphous, polycrystalline, or oriented polycrystal. Further, as the conductive substrate 10 used for the light emitting device fabrication shown in Fig. 2, a light emitting device having an electrode disposed above and below the resistivity at room temperature of 1104? Cm or less can be produced and can function sufficiently. As the resistivity at room temperature of the light emitting device fabrication substrate having conductivity, the electric power can be supplied to the light emitting layer with a small loss as long as it is usually 1102? Cm or less relative to room temperature. As a resistivity at room temperature of the board | substrate for manufacturing electroconductive light emitting elements, the thing of 1101 ohm cm or less with respect to room temperature is preferable, The thing of 1100 ohm cm or less is more preferable, The thing of 110-1 ohm cm or less is further more preferable, The thing of 110-2 ohm cm or less Most preferred.

본 발명으로 말하는 「질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자」란 상기와 같이 사파이어 등의 기판상에 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피택셜 성장한 박막을 N형 반도체층, 발광층, P형 반도체층이 이루어 이들을 적층해 구성된 것이어, 전극에 직류 전위를 인가하는 것으로 발광층으로부터 빛이 발산한다. 발광의 파장은 상기 발광층의 조성을 조정하는 것등으로 예를 들면 자외선 영역으로부터 가시광선 영역의 넓은 파장 범위에 걸쳐서 빛을 발할 수가 있다. 구체적으로 말하면 예를 들면 200 nm~700 nm의 파장 범 위의 빛을 발할 수가 있어 통상 250 nm~650 nm의 파장 범위의 빛을 발하도록(듯이) 제작되는 것이 많다. 상기 발광소자는 발광 다이오드(LED) 혹은 레이저 다이오드(LD)로서 넓게 사용되기 시작하고 있다.The term " light emitting element mainly composed of at least one selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride " as used in the present invention is selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride on a substrate such as sapphire as described above. An N-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a P-type semiconductor layer are formed by stacking epitaxially grown thin films containing at least one kind or more as main components, and light is emitted from the light emitting layer by applying a direct current potential to the electrodes. The wavelength of light emission is to adjust the composition of the light emitting layer, for example, can emit light over a wide wavelength range from the ultraviolet region to the visible light region. Specifically, for example, it is possible to emit light in the wavelength range of 200 nm to 700 nm, and is usually produced to emit light in the wavelength range of 250 nm to 650 nm. The light emitting device is widely used as a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD).

상기와 같은 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피택셜 성장한 박막에 의해 구성되는 발광소자를 제작하기 위해서 이용되는 기판은 종래부터 이용되어 온 사파이어 등이 같은 단결정보다, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽을 주성분으로 하는 소결체, 한층 더 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 멀라이트, 결정화 유리 등의 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽을 주성분으로 하는 소결체 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가, 발광 효율이 적어도 등등한가 최대 4~5배 이상의 발광소자가 제작될 수 있는 것을 본원 발명자는 일본특허출원 2003－186175, 일본특허출원 2003－396236 등으로 제안해 왔다. 상기 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 기판으로서 이용해 제작되는 발광소자는 사파이어 등 종래부터의 기판을 이용해 제작되는 발광소자의 발광 효율이 2%~8%정도인데 대해 발광 효율이 적어도 등등의 8%인가 그 이상, 최대 4~5배 이상의 것을 제작할 있고 50%이상의 발광 효율을 가지는 발광소자도 제작할 수 있다. 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에는 본원 발명자가 제안한 이러한 높은 발광 효율을 가지는 발광소자도 문제 없이 탑재할 수 있다.The substrate used for fabricating a light emitting element composed of an epitaxially grown thin film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component is the same as conventionally used sapphire. Sintered body containing aluminum nitride as a main component or a sintered body containing at least one selected from silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium, and aluminum oxide as a main component, and further, zirconium oxide, magnesium oxide, and aluminate A sintered body containing various ceramic materials as a main component, such as a sintered body containing at least one selected from among rare earth element oxides such as magnesium and yttrium oxide, thorium oxide, mullite, crystallized glass, and the like, has at least luminescence efficiency and the like. ~ 5 times more light emitting device The inventors of the present application have proposed Japanese Patent Application 2003-186175, Japanese Patent Application 2003-396236, and the like. The light emitting device manufactured using the sintered body including the various ceramic materials as a substrate as a substrate has a light emission efficiency of about 2% to 8% of a light emitting device manufactured using a conventional substrate such as sapphire, and at least 8% of the light emission efficiency. In addition to the above, a maximum of 4 to 5 times or more can be manufactured, and a light emitting device having a luminous efficiency of 50% or more can be manufactured. In the light emitting element mounting substrate according to the present invention, a light emitting element having such a high luminous efficiency proposed by the present inventor can be mounted without any problem.

적어도 도 1 및 도 2에 예시된 구조의 발광소자는 발광층으로부터 파장 800 nm 이하, 통상 파장 650 nm 이하 한층 더 파장 550 nm 이하의 녹색빛~파장 200 nm까지의 보라색 외광이라고 하는 파장 범위의 빛을 발광해, 상기 발광소자의 발광층으로부터는 통상 모든 방향으로 상기 파장 범위의 빛이 발산한다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 이러한 발광소자를 탑재 혹은 수납하기 위한 것이다.The light emitting device having the structure illustrated in at least one of FIGS. 1 and 2 has a wavelength range of light from the light emitting layer of about 400 nm or less in wavelength, usually 650 nm or less, and purple external light having a wavelength of 550 nm or less to violet wavelength of 200 nm or less. Light is emitted and light of the wavelength range is usually emitted from all the directions from the light emitting layer of the light emitting element. The substrate for mounting a light emitting element according to the present invention is for mounting or storing such a light emitting element.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판의 재료로서는 단지 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체라고 하는 것 만으로는 충분하지 않다.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 예를 들면 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 등과 같이 원래 열전도율이 높고, 전기 절연성이 있어, 한층 더 열팽창율이 발광소자의 주성분인 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄과 거의 일치하고 있어, 상기 발광소자로부터의 발열을 효율적으로 기판 외부에 놓치는데 매우 적합하고, 다층화 메탈라이즈나 박막 메탈라이즈 등을 이용해 컴팩트한 회로 기판 설계가 가능하고, 또 발광소자의 구동에 수반하는 급열급냉에도 견디어 한층 더 대형 발광소자를 탑재해 수납하는 것이 가능한 것이 많다.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 이외에도 그 외 전기 한 것처럼 예를 들면 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 소결체 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체도 발광 소자 탑재용 기판으로서 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 상기 예시한 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 중에서 특별히 우수하다. 이와 같이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 상기와 같이 기판 재료로서 양호한 특성을 가지지만 발광소자 탑재용 기판으로서는 충분하지 않다. 즉, 발광소자가 탑재되는 기판으로서는 상기 발광소자로부터의 발광이 기판의 외부에 효율적으로 방출되는 것이 중요하고, 기판 재료로서 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작으로 하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 그 외의 면에서 얼마나 우수해도 기판 외부에의 발광소자로부터의 발광을 효율적으로 방출할 수 없으면 발광소자가 탑재되는 기판으로서는 충분하지 않다. 발광소자로부터의 발광은 통상 모든 방향으로 방출된다. 종래, 발광소자를 탑재해 수납하기 위한 기판은 앞에서 본 아르마이트 피복 해 표면을 절연화한 알루미늄 등의 금속재료를 주로 이용하고 있었다. 그 때문에 발광소자를 탑재 혹은 수납하기 위한 기판에 대해, 발광소자가 탑재 혹은 수납되고 있는 면측으로부터는 발광소자 탑재 부분의 반사율을 높이거나 혹은 상기 탑재 부분의 형상을 연구하는 것으로 발광소자의 발광이 기판의 외부에 비교적 효율적으로 방출된다. 한편, 발광소자로부터의 발광이 기판을 관통해 투과하기 어렵기 때문에 발광소자가 탑재 혹은 수납되고 있는 기판의 면과 반대측의 면으로부터는 발광소자로부터의 발광이 효율적으로 기판 외부에 방출되지 않는다. 따라서 종래부터의 기판에서는 전체적으로 보면 발광소자로부터의 발광은 반드시 기판 외부에 효율적으로 방출되고 있다고는 말하기 어렵다.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 대해도 똑같이 발광소자로부터의 발광이 기판 외부에 효율적으로 방출되지 않으면 발광소자를 탑재 혹은 수납하기 위한 기판으로서는 충분한 것이다고는 말할 수 없다.As the material of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, it is not enough to merely call a sintered body composed mainly of a ceramic material. A sintered body composed mainly of a ceramic material is, for example, an original thermal conductivity such as a sintered body composed mainly of aluminum nitride. It has high electrical insulation properties, and its thermal expansion coefficient is almost equal to that of gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride, which are the main components of the light emitting device, and is very suitable for efficiently losing heat generated from the light emitting device to the outside of the substrate. It is possible to design a compact circuit board using multilayered metallization or thin-film metallization, and to mount and store a large-sized light emitting element in order to withstand the rapid quenching and cooling associated with driving the light emitting element. As the main sintered body, aluminum nitride is mainly used. In addition to the sintered compact as described above, for example, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate, A sintered body mainly composed of various ceramic materials such as rare earth oxides such as yttrium oxide, thorium oxide, various ferrites, mullite, forsterite, stearite, sintered body and at least one selected from crystallized glass as main components It can be used suitably as a board | substrate for mounting. The sintered compact containing aluminum nitride as a main component is particularly excellent among the sintered compacts mainly composed of the above-described various ceramic materials. As described above, the sintered body containing the ceramic material as a main component has good characteristics as a substrate material as described above, but is not sufficient as a substrate for mounting a light emitting element. That is, as a substrate on which a light emitting element is mounted, it is important that light emitted from the light emitting element be efficiently emitted to the outside of the substrate, and a sintered body mainly composed of a ceramic material including a sintered body mainly composed of aluminum nitride as a substrate material is used. No matter how excellent in other aspects, if the light emission from the light emitting element outside the substrate cannot be emitted efficiently, the substrate on which the light emitting element is mounted is not sufficient. Light emission from the light emitting element is usually emitted in all directions. Conventionally, as a substrate for mounting and storing a light emitting element, a metal material such as aluminum, which is coated with an armite and insulated its surface, has been mainly used. Therefore, the light emitting element emits light by increasing the reflectance of the light emitting element mounting portion or studying the shape of the mounting portion from the surface of the substrate on which the light emitting element is mounted or stored. It is released relatively efficiently to the outside. On the other hand, since light emitted from the light emitting element is difficult to penetrate through the substrate, light emitted from the light emitting element is not efficiently emitted from the outside of the substrate from the surface opposite to the surface of the substrate on which the light emitting element is mounted or housed. Therefore, in the conventional substrate, it is hard to say that the light emitted from the light emitting element is efficiently emitted to the outside of the substrate as a whole. Similarly to the sintered body mainly composed of the ceramic material, the light emitted from the light emitting element is effectively emitted to the outside of the substrate. If it does not, it cannot be said that it is sufficient as a board | substrate for mounting or accommodating a light emitting element.

본 발명에 대해, 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판에 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광은 기판을 투과하여 외부에 방출되고 쉬워지므로 효율적으로 기판 외부에 방출하는 것이 가능해진다.In the present invention, by using a sintered body containing a light-transmitting ceramic material as a main component in a light emitting element mounting substrate, light emission from the light emitting element can be easily transmitted to the outside through the substrate and can be easily emitted to the outside of the substrate. Become.

게다가 본 발명은 발광소자가 탑재 혹은 수납되고 있는 기판의 면과 반대측의 면을 포함해 발광소자로부터의 발광을 기판 주위의 공간의 임의의 방향에 대해서 방출하는 것이 가능한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판도 제공하는 것이다. 상기 발광소자로부터의 발광을 기판 주위의 공간의 임의의 방향으로 방출 가능이라고 하는 것은, 예를 들면 발광소자로부터의 발광이 기판 주위의 모든 공간에 균등하게 가까운 힘으로 방출할 수 있다, 혹은 기판 주위의 모든 공간에 방출되지만 특정의 방향의 공간에 의해 강하게 방출할 수 있다, 혹은 기판 주위의 모든 공간에는 방출되지 않지만 특정의 방향의 공간에 의해 강하게 방출할 수 있다, 혹은 기판 주위의 특정의 방향의 공간에 대해서만 방출할 수 있는, 일등을 의미한다. 본 발명은 이와 같이 발광소자로부터의 발광의 방향을 제어 가능한 발광소자 탑재용 기판도 제공하는 것이다. 그 때문에 본 발명은 기판을 구성하는 재료로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서 광투과성을 가지는 것을 이용하는 것이 유효하다. 상기 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광은 기판을 관통하 도록 투과하여, 발광소자가 탑재 혹은 수납되고 있는 면측으로부터는 물론, 발광소자가 탑재 혹은 수납되고 있는 기판의 면과 반대측의 면으로부터도 발광소자로부터의 발광이 효율적으로 기판 외부에 방출되도록 개선할 수 있다. 또, 본 발명에 대해 발광소자로부터의 발광의 방향을 제어 가능한 발광소자 탑재용 기판으로서 반사 방지 부재 혹은 반사 부재 등과 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 조합한 것도 유효하다. 반사 방지 부재 혹은 반사 부재 등과 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 조합해 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광의 방향 제어를 비교적 용이하게 실시할 수가 있게 된다. 또 상기 반사 방지 부재 혹은 반사 부재와 조합하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 광투과성을 가지는 것을 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광의 방향 제어를 한층 더 용이하고 확실히 실시할 수 있게 된다. 또한 상기 반사 방지 부재 혹은 반사 부재는 광투과율이 1%보다 작은가 혹은 실질적으로 광투과성을 가지지 않는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성해도 그 반사 방지 기능 및 반사 기능을 발현할 수 있다.In addition, the present invention provides a sintered body mainly composed of a ceramic material capable of emitting light emitted from the light emitting element in any direction of the space around the substrate, including the surface opposite to the surface of the substrate on which the light emitting element is mounted or housed. It also provides a light emitting element mounting substrate. The fact that light emitted from the light emitting element can be emitted in any direction of the space around the substrate can be, for example, light emitted from the light emitting element can be emitted with a force equally close to all the spaces around the substrate, or around the substrate. Can be emitted in all spaces of the substrate but can be strongly emitted by space in a particular direction, or not in all spaces around the substrate but can be emitted strongly in space in a particular direction, or in a particular direction around the substrate It means first place, which can be emitted only for space. The present invention also provides a light emitting element mounting substrate capable of controlling the direction of light emission from the light emitting element. Therefore, it is effective to use the thing which has a light transmittance as a sintered compact which has a ceramic material as a main component as a material which comprises a board | substrate. By using a sintered body mainly composed of the above-mentioned light-transmitting ceramic material, the light emitted from the light emitting element is transmitted to penetrate the substrate, and the light emitting element is mounted or housed, as well as from the surface on which the light emitting element is mounted or housed. The light emitted from the light emitting element can also be improved from being emitted to the outside of the substrate from the surface opposite to the surface of the substrate. Moreover, it is also effective to combine the sintered compact which mainly contains a ceramic material as an antireflection member, a reflective member, etc. as a light emitting element mounting substrate which can control the direction of light emission from a light emitting element with respect to this invention. By using a combination of an anti-reflection member or a reflection member and a sintered body composed mainly of a ceramic material, it becomes possible to relatively easily control the direction of light emission from the light emitting element. In addition, the sintered body mainly composed of the antireflection member or the ceramic material combined with the reflection member can be used to have light transmittance so that the direction of light emission from the light emitting element can be more easily and surely performed. In addition, the antireflection member or the reflection member can exhibit the antireflection function and the reflection function even when the light transmittance is formed in a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of less than 1% or substantially free of light transmittance.

본 발명에 의한 발광소자로부터의 발광을 기판 주위의 공간의 임의의 방향에 대해서 방출하는 것이 가능한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는, 상기와 같이 반사 방지 부재나 반사 부재 등과 조합해 이용하면 반드시 광투과성을 가지지 않는 것으로 있어도 그 기능을 발현할 수 있지만, 발광소자로부터의 발광 방향의 제어를 용이하게 해 상기 발광의 기판 외부에의 방출 효율을 높이기 위해서 할 수 있으면 광투과성을 가져 요약하면 높은 광투과율을 가지는 것을 이용하는 것이 바람직하다.The sintered body whose main component is a ceramic material used as a light emitting element mounting substrate capable of emitting light emitted from the light emitting element according to the present invention in any direction of the space around the substrate is an antireflection member or a reflective member as described above. When used in combination with the light, the function can be expressed even if it does not necessarily have light transmissivity. However, in order to facilitate the control of the light emission direction from the light emitting element and to increase the emission efficiency to the outside of the light emitting substrate, the light transmissivity can be achieved. In summary, it is preferable to use one having a high light transmittance.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 광투과성을 가지는 것이다. 그렇지만 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성과 유리나 수지 등의 재료의 광투과성과는 성질과 상태가 다르다. 즉, 예를 들면 광투과율이 80%과 같은 것에서 만나도 유리나 수지 등의 재료는 조사된 빛이 직선적으로 투과하여 나가는데 대해 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 경우는 조사된 빛은 상기 소결체 안을 직선적으로 투과되는 것은 적고 대부분은 산란되면서 투과하여 결과적으로 투과한 빛의 총량은 유리나 수지 재료와 같게 된다.같은 광투과율의 재료여도 광투과의 경로가 다른 것이면 투과된 빛의 인간의 눈에 의한 시각적인 사고 방식에 차이가 생길 것이라고 생각된다. 즉 발광소자로부터의 빛은 투명 수지나 투명 유리 등에 대해 직선적으로 투과하여 눈을 찌르는 빛나는 것 같은 빛으로서 인간의 눈은 느끼고 쉽고, 한편 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 경우는 산란하면서 투과 하므로 유리나 수지 재료와 비교해 온화한 빛으로서 인간의 눈에는 느끼고 쉽다고 생각된다. 이 모습을 도 28 및 도 29의 모식도로 가리켰다. 도 28은 광투과성을 가지는 유리 혹은 수지 등 빛이 직선적으로 투과하는 재료를 이용했을 때의 광투과의 모습을 나타내는 모식도이다. 도 28에 대해 광투과성을 가지는 유리 혹은 수지 등의 재료 110에 발광소자로부터의 광111이 조사되고 그대로 직선적으로 투과광 112가 되어 투과한다. 도 29에는 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 빛이 투과 할 때의 모습을 나타내는 모식도이다. 도 29에 대해 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 120에 발광소자로부터의 광 121이 조사되고 산란광 122가 되어 투과한다.The sintered compact whose main component is the ceramic material used for the light emitting element mounting substrate by this invention has a light transmittance. However, the property and state differ from the light transmittance of the sintered compact mainly containing the ceramic material according to the present invention and the light transmittance of materials such as glass and resin. That is, for example, even if the light transmittance is equal to 80%, the material such as glass or resin passes through the irradiated light linearly, whereas in the case of the sintered body mainly composed of the ceramic material according to the present invention, the irradiated light is the sintered body. There is little linear transmission inside, and most of it is scattered and transmitted, and the total amount of transmitted light is the same as that of glass or resin. Even if the material has the same light transmittance, if the path of light transmission is different, the transmitted light is caused by the human eye. I think there will be a difference in visual thinking. In other words, the light from the light emitting element is transparent to transparent resin, transparent glass, etc., and it looks like a shining light that stings the eyes. Human eyes are easy to feel, while sintered bodies composed mainly of ceramic material are scattered and transmitted. It is thought to be easy to feel it to human eyes as mild light in comparison with material. This state is shown in the schematic diagram of FIG. 28 and FIG. It is a schematic diagram which shows the mode of light transmission when the material which light transmits linearly, such as glass or resin which has light transmittance, is used. 28, light 111 from a light emitting element is irradiated to material 110, such as glass or resin, which has a light transmittance, and is transmitted as it is linearly transmitted light 112 as it is. FIG. 29: is a schematic diagram which shows when light permeate | transmits the sintered compact which has a ceramic material which has a light transmittance as a main component. 29, light 121 from a light emitting element is irradiated to the sintered compact 120 which has a ceramic material which has a light transmittance as a main component, and becomes scattered light 122, and is transmitted.

또 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서 예를 들면 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색한 것도 이용할 수가 있다. 이러한 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 투과한 발광소자로부터의 발광을 온화한 빛으로서 인간의 눈에는 느끼고 쉬워진다. 예를 들면 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 투과한 발광소자로부터의 발광은 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색하고 있지 않는 예를 들면 백색 등의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 투과한 빛과 비교해 다른 광조의 온화한 빛으로서 인간의 눈에는 느끼고 쉽다. 따라서 용도에 따라서는 백색 등 착색하고 있지 않는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체보다 상기 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것이 바람직한 경우가 있다.여기서 다른 광조라고 하는 의미는 눈으로 느끼는 빛의 사고 방식이 다르다고 하는 것고, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 색조가 다르면 소결체를 투과하는 빛의 빛나는 방법, 온화함의 정도, 색조 등의 요인이 조금씩 다른 결과 발광소자로부터의 발광은 실제의 눈에서의 사고 방식이 미묘하게 달라질 것이라고 생각된다. 상기 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서 예를 들면 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 천이 금속, 혹은 카 본등의 성분을 포함하는 것이 이용된다. 또, 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색한 세라믹 재료 를 주성분으로 하는 소결체로서 그 외의 천이 금속 예를 들면 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아 연등의 성분을 포함하는 것도 이용된다. 상기 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 얻기 위해서 이용되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 성분은, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 제조할 경우에 의도적으로 더해진 것이어도 좋고 소결체 제작용 원료내 등 불가피 불순물로서 혼입해 오는 것이어도 좋다. 또, 상기 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속, 혹은 카본 등의 각 성분을 각각 1종씩 단독으로 포함되어 있어도 괜찮고 혹은 2종 이상이 동시에 포함되어 있어도 괜찮다. 상기 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속, 혹은 카본 등의 각 성분의 함유량은 적당 선택할 수가 있어 함유량으로서 통상 0.1 ppm~1 ppm 이상이면 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 충분히 소망한 착색된 것으로 하는 것이 가능한 경우가 많다. 이와 같이 통상 상기 각 성분의 종류와 그 함유량에 의해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 대해서 소망한 착색과 그 정색의 정도를 제어할 수 있다. 예를 들면 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 크롬 성분을 0.1 ppm~1.0 ppm 정도 혹은 그 이상 포함하는 것 은 핑크색 혹은 적색 혹은 팥색 혹은 흑색 등에 정색 한 것을 얻기 쉽다.As the sintered body containing the above ceramic material as a main component, for example, black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, red bean, red and the like can be used. The light emitted from the light-emitting element that has passed through the sintered body containing such colored ceramic material as a main component is perceived by the human eye as mild light and is easy. For example, light emission from a light emitting element that has passed through a sintered body composed mainly of a ceramic material colored in black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, red bean, red, etc. is black, ash black, gray, brown, yellow. Compared with the light transmitted through a sintered body composed mainly of ceramic material such as white, which is not colored in green, blue, adzuki bean, red, or the like, it is easy to be felt by the human eye as a gentle light of another light tone. Therefore, depending on the application, it may be desirable to use a sintered body containing the colored ceramic material as a main component as a substrate for mounting light emitting elements, rather than a sintered body composed mainly of a non-colored ceramic material such as white. When the way of thinking of light that is perceived by the eyes is different, and the color tone of the sintered body mainly composed of ceramic material is different, the results of the light emission from the light emitting device are slightly different. I think the way of thinking in the real eye will be slightly different. As a sintered body mainly composed of a ceramic material colored in the above black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, red bean, red, and the like, for example, transition metals such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, or Those containing components such as carbon are used. In addition, as a sintered body mainly composed of a ceramic material colored in black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, red bean, red, and the like, other transition metals such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, The thing containing components, such as cobalt, copper, and zinc, is also used. Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, carbon, iron, which are used to obtain a sintered body composed mainly of colored ceramic materials such as black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, red bean, red, etc. The components such as nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc may be added intentionally when producing a sintered body containing the ceramic material as a main component or mixed as unavoidable impurities such as in the raw materials for sintered body fabrication. It may be coming. In addition, sintered bodies mainly composed of colored ceramic materials such as black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, red beans, red, etc. include Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, iron, nickel, chromium, Transition metals, such as manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc, or each component, such as carbon, may respectively be included individually by 1 type, or 2 or more types may be included simultaneously. Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, iron, nickel, chromium, which are contained in a sintered body composed mainly of colored ceramic materials such as black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, red bean, red, etc. The content of each component, such as transition metals such as manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc, or carbon, can be appropriately selected, and if the content is usually 0.1 ppm to 1 ppm or more, a sintered body containing ceramic material as a main component is sufficiently desired. It is often possible to make it colored. In this manner, the desired coloration and the degree of coloration of the sintered body containing the ceramic material as a main component can usually be controlled by the type and content of the respective components. For example, when the sintered compact mainly composed of aluminum oxide contains 0.1 to 1.0 ppm or more of chromium, it is easy to obtain pink or red or red bean or black color.

본 발명에 의한 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 발광소자로부터의 발광은 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 중을 일단 투과한 후 기판 외부에 방출되는 경우가 많다. 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 미결정으로 이루어지는 다결정체이다. 따라서 발광소자로부터의 발광은 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 중을 투과 할 때 소결체 중에서 산란빛이 되기 쉽기 때문에, 기판 외부에 방출되는 상기 발광소자로부터의 발광은 발광소자로부터 발산되는 직접적인 빛이 아니고 모든 방향을 가지고 있으므로 투명 수지나 투명 유리 등을 직선적으로 투과하여 온 눈을 찌르는 빛나는 것 같은 빛과는 달라 온화한 빛이 되기 쉽다. 따라서 일반 조명의 광원으로서 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 탑재한 발광소자를 사용하면 인간의 눈에 좋고 한편 온화한 광원을 얻기 쉽다.With respect to a substrate for mounting a light emitting element comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material having light transmittance according to the present invention, light emission from the light emitting element is transmitted through the sintered body containing the ceramic material as a main component once and then emitted to the outside of the substrate. There are many cases. The sintered compact containing the above ceramic material as a main component is a polycrystal composed of microcrystals containing various ceramic materials as a main component. Therefore, since light emitted from the light emitting element is easily scattered in the sintered body when penetrating through the sintered body mainly composed of the ceramic material, the light emitted from the light emitting element emitted outside the substrate is not direct light emitted from the light emitting element. Because it has all directions, it tends to be a gentle light, unlike a shining light that streaks through the eyes through a transparent resin or transparent glass. Therefore, when a light emitting element mounted on the light emitting element mounting substrate according to the present invention is used as a light source for general lighting, it is easy to obtain a light source that is gentle to human eyes and gentle.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 표면에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 메탈라이즈, 일단 소성하여 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의해 소결체 내부 혹은 소결체 표면에 전기 회로가 설치되고 있어도, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 되기 때문에 발광소자로부터의 발광은 상기와 같이 산란빛이 되기 쉽고 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 형성되고 있는 전기 회로로부터의 손실을 받는 것이 적고 상기 발광소자 탑재용 기판을 투과한 빛으로서 효율적으로 기판 외부에 방출될 수 있다. 즉 기판내를 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광은 소결체 표면에 형성되고 있는 전기 회로의 도 자등에 의한 밝음의 감소가 생기기 어렵다.Thick film metallization which is later engraved into a metallization formed by co-firing with tungsten, molybdenum, copper, etc. as a main component on the surface of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, and a sintered body composed mainly of a ceramic material obtained by firing once Light-emitting element mounting substrate according to the present invention becomes a sintered body mainly composed of a ceramic material even when an electric circuit is installed inside the sintered body or on the surface of the sintered body by thin film metallization, such as by sputtering or vapor deposition or ion plating, etc. The light emitted from the device tends to be scattered light as described above, and the light emitted from the light emitting device is less likely to be lost from the electric circuit being formed, and is efficiently emitted to the outside of the substrate as light transmitted through the light emitting device mounting substrate. Can be. That is, light emission from the light emitting element that penetrates the inside of the substrate and is emitted to the outside hardly causes a decrease in brightness due to the ceramics of the electric circuit formed on the surface of the sintered compact.

또 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 전기 회로가 기판의 표면 뿐만이 아니라 세라믹 재료를 주성분으로 하는 기판의 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분에 이용해 동시 소성 등에 의해 단층 혹은 다층 메탈라이즈에 의한 전기 회로, 혹은 도통 비아가 형성되고 있는 것도 이용할 수가 있다. 이와 같이 기판의 내부에 전기 회로가 형성되고 있는 것이어도, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하기 때문에 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽고 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 형성되고 있는 전기 회로, 혹은 도통 비아로부터의 손실을 받는 것이 적게 기판을 투과하여 효율적으로 기판 외부에 방출될 수 있다. 즉 기판내를 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광은 소결체 내부에 형성되고 있는 전기 회로나 도통 비아의 도자 등에 의한 밝음의 감소가 생기기 어렵다.In addition, the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention may be formed by a single layer or multilayer metallization by co-firing using tungsten, molybdenum, copper, etc. as a main component not only on the surface of the substrate but also inside a substrate mainly composed of a ceramic material. Electrical circuits or conductive vias can also be used. In this way, even if an electric circuit is formed inside the substrate, since the sintered body whose main component is a light-transmitting ceramic material is used as the substrate for mounting the light emitting element according to the present invention, light emission from the light emitting element becomes scattered light. The light emitted from the light emitting element can be easily transmitted through the substrate and can be efficiently emitted to the outside of the substrate with little loss from the electrical circuits or the conductive vias being formed. That is, light emission from the light emitting element that penetrates the inside of the substrate and is emitted to the outside hardly causes a decrease in brightness due to the electric circuit formed inside the sintered body or the conductor of the conductive via.

상기와 같이, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 전기 회로가 기판의 표면 뿐만이 아니라 세라믹 재료를 주성분으로 하는 기판의 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로 한 도전성 재료를 이용해 동시 소성 등에 의해 단층 혹은 다층 메탈라이즈에 의한 전기 회로, 혹은 도통 비아가 형성되고 있는 것도 이용할 수가 있다. 한층 더 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 기판의 표면 에 전기 회로가 형성되고 기판의 내부에도 등시에도 전기 회로가 형성되고 있는 것도 이용할 수가 있다. 이와 같이 기판의 표면에 전기 회로가 형성되고 기판의 내부에도 등시에도 전기 회로가 형성되고 있는 것이어도, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하면 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽기 때문에 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 형성되고 있는 전기 회로, 혹은 도통 비아로부터의 손실을 받는 것이 적게 기판을 투과한 빛으로서 효율적으로 기판 외부에 방출될 수 있다. 즉 기판내를 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광은 소결체 내부 혹은 소결체 표면에 형성되고 있는 전기 회로나 도통 비아의 도자 등에 의한 밝음의 감소가 생기기 어렵다.As described above, the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention is subjected to simultaneous firing using a conductive material composed mainly of tungsten, molybdenum, copper, or the like in an electric circuit not only on the surface of the substrate but also in a substrate composed mainly of a ceramic material. It is also possible to use an electric circuit formed by single layer or multilayer metallization or a conductive via. In addition, the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention can also be used in which an electric circuit is formed on the surface of the substrate, and the electric circuit is formed even inside the substrate. Thus, even if the electrical circuit is formed on the surface of the board | substrate and the electrical circuit is formed also in the inside of a board | substrate, even if it is isochronous, the sintered compact which uses the ceramic material which has light transmittance as a main component is used as the board | substrate for light emitting element mounting by this invention. Since light emitted from the light emitting element is easily scattered, the light emitted from the light emitting element can be efficiently emitted to the outside of the substrate as light transmitted through the substrate with less loss from the electrical circuit or conductive vias being formed. Can be. That is, light emission from the light emitting element that penetrates the inside of the substrate and is emitted to the outside hardly causes a decrease in the brightness due to the electric circuit or the conductor of the conductive via formed in the sintered body or on the surface of the sintered body.

도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15, 도 16, 도 32 및 도 33, 도 36, 도 37, 도 38은 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판을 예시한 단면도이다. 본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 광투과성을 가지는 것이 바람직하다. 상기 각 도에 대해 적어도 도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 9, 도 10은 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것으로서 그려져 있다. 또, 도 32, 도 33, 도 37 및 도 38은 내부에 전기 회로가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작되는 발광소자 탑재용 기판을 예시한 단면도이다. 도 36, 도 37 및 도 38에는 한층 더 발광소자 탑재부 에 소자로부터의 발열을 기판 외부에 방출하기 위한 서멀 비아가 형성된 것을 나타내고 있다. 발광소자는 필요에 따라서 투명 수지 등의 봉지재를 이용해 상기 봉지재중에 봉지된다. 특히 음푹패인 공간을 가지지 않는 평판 모양의 발광소자 탑재용 기판을 이용하는 경우, 탑재되는 발광소자는 상기 봉지재중에 봉지된 상태로 사용되는 것이 바람직하다.3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 32 and 33 and 36. 37 and 38 are cross-sectional views illustrating a light emitting element mounting substrate made of a sintered body containing a ceramic material as a main component of the present invention. In the present invention, it is preferable that the sintered body mainly composed of a ceramic material used as a substrate for mounting a light emitting element has light transmittance. 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, and 10, the sintered body mainly composed of a ceramic material used as a substrate for mounting a light emitting element has light transmittance. It is depicted as one. 32, 33, 37, and 38 are cross-sectional views illustrating light emitting device mounting substrates produced using a sintered body containing a ceramic material having an electric circuit formed therein as a main component. 36, 37, and 38 further show that a thermal via is formed in the light emitting element mounting portion for emitting heat generated from the element to the outside of the substrate. A light emitting element is sealed in the said sealing material using sealing materials, such as a transparent resin, as needed. In particular, when using a plate-shaped light emitting element mounting substrate having no recessed space, the light emitting element to be mounted is preferably used in a sealed state in the encapsulant.

또, 도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8, 도 9, 도 10, 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 도 32, 도 33, 도 36 및 도 38은 발광소자 탑재용 기판에 탑재된 상태의 발광소자를 예시하고 있다.3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 32, 33, 36 and 38 The light emitting element mounted on the light emitting element mounting substrate is illustrated.

도 3에 대해 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 20에 발광소자 21이 탑재되어 기판 20의 발광소자 탑재면에 형성되고 있는 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 26으로 와이어 25로 전기적으로 접속되고 있다. 기판 20의 발광소자가 탑재되고 있는 면에 있어 발광소자 21으로부터의 발광 22는 대부분 차단해지는 일 없이 기판 외부에 방출된다. 또, 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대 측에 두어도 발광소자 21으로부터 발산된 빛이 기판 20을 투과한 광23으로서 기판 외부에 방출된다. 이와 같이 발광소자 탑재용 기판에 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의해 전기 회로가 설치되고 있어도, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 되기 때문에 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽기 때문에 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 형성되고 있는 전기 회로로부터의 손실을 받는 것이 적고 기판 20을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출될 수 있다.3, a metallization or thick film metal by co-firing, in which a light emitting element 21 is mounted on a light emitting element mounting substrate 20 composed of a sintered body composed mainly of a ceramic material according to the present invention and formed on the light emitting element mounting surface of the substrate 20. It is electrically connected to the wire 25 by the surface electrical circuit 26 by rise or thin film metallization. On the surface where the light emitting element of the substrate 20 is mounted, most of the light emission 22 from the light emitting element 21 is emitted to the outside of the substrate without being blocked. Moreover, even when placed on the side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, light emitted from the light emitting element 21 is emitted to the outside of the substrate as light 23 passing through the substrate 20. In this way, even when the electric circuit is provided by metallization or thick film metallization or thin-film metallization by simultaneous firing on the light emitting device mounting substrate, the light emitting device mounting substrate according to the present invention becomes a sintered body composed mainly of ceramic material. Therefore, since the light emitted from the light emitting device tends to be scattered light, the light emitted from the light emitting device is less susceptible to loss from the electric circuit being formed and can be efficiently emitted to the outside of the substrate as light 23 transmitted through the substrate 20. .

또 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 전기 회로가 기판의 표면 뿐만이 아니라 세라믹 재료를 주성분으로 하는 기판의 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분에 이용해 동시 소성 등에 의해 단층 혹은 다층 메탈라이즈에 의한 전기 회로, 혹은 도통 비아가 형성되고 있는 것도 이용할 수가 있다. 이와 같이 기판의 내부에 전기 회로가 형성되고 있는 것이어도, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 되기 때문에 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽기 때문에 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 형성되고 있는 전기 회로, 혹은 도통 비아로부터의 손실을 받는 것이 적고 기판 20을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출될 수 있다.In addition, the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention may be formed by a single layer or multilayer metallization by co-firing using tungsten, molybdenum, copper, etc. as a main component not only on the surface of the substrate but also inside a substrate mainly composed of a ceramic material. Electrical circuits or conductive vias can also be used. In this way, even if an electric circuit is formed inside the substrate, since the substrate for mounting the light emitting element according to the present invention becomes a sintered body containing a ceramic material as a main component, the light emitted from the light emitting element tends to be scattered light. Light emitted therefrom is less likely to be lost from the electrical circuits or conductive vias being formed and can be efficiently emitted outside the substrate as light 23 transmitted through the substrate 20.

또한 도 3에 대해 발광소자 21은 도 1에서 가리킨 구조의 것을 예시했다.3, the light emitting element 21 exemplifies a structure shown in FIG. 1.

도 4에 대해 발광소자 21은 도 1에 나타낸 구조의 것이 예시되고 있다. 발광소자 21은 도 1에 나타낸 상태로부터 상하 반전한 상태로 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 20에 탑재되고 있다. 도 4에 대해 발광소자 21에 형성되고 있는 외부 전극 중 N형 반도체층에 접속되고 있는 것은 기판 20의 발광소자 탑재면측에 형성되고 있는 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 26으로 저융점 납재나 도전성 접착제 등으로 이루어지는 비와이어장의 접속 재료 29에 의해 고정되고 전기적으로도 접속되고 있다. 한층 더 상기 발광소자 21의 P형 반도체층에 접속되고 있는 외부 전극은 기판 20의 발광소자 탑재면측에 형성되고 있는 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 26으로 저융점 납재나 도전성 접착제 등으로 이루어지는 비와이어장의 접속 재료(도에 나타나지 않았다)에 의해 고정되고 전기적으로도 접속되고 있다. 기판 20의 발광소자가 탑재되고 있는 면측에 두어 상기 발광소자로부터의 발광 22는 대부분 차단해지는 일 없이 기판 외부에 방출된다. 또, 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대 측에 두어도 발광소자로부터 발산된 빛이 기판 20을 투과한 광23으로서 기판 외부에 방출된다. 이와 같이 발광소자 탑재용 기판에 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의해 전기 회로가 설치되고 있어도, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 되기 때문에 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽기 때문에 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 형성되고 있는 전기 회로로부터의 손실을 받는 것이 적고 기판 20을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출될 수 있다.4, the light emitting element 21 is one having the structure shown in FIG. The light emitting element 21 is mounted on the light emitting element mounting substrate 20 made of a sintered body containing a ceramic material as a main component in a state of upside down from the state shown in FIG. 4, the external electrodes formed on the light emitting element 21 are connected to the N-type semiconductor layer due to metallization or thick film metallization or thin film metallization due to co-firing formed on the light emitting element mounting surface side of the substrate 20. In the surface electrical circuit 26, it is fixed by the non-wire long connection material 29 which consists of a low melting point brazing material, a conductive adhesive, etc., and is also electrically connected. Furthermore, the external electrode connected to the P-type semiconductor layer of the light emitting element 21 is a surface electrical circuit 26 by metallization or thick film metallization or thin film metallization by co-firing formed on the light emitting element mounting surface side of the substrate 20. It is fixed and electrically connected by a non-wire connecting material (not shown) made of a low melting point brazing material, a conductive adhesive, or the like. By placing the light emitting element of the substrate 20 on the side where the light emitting element is mounted, most of the light emission 22 from the light emitting element is emitted outside the substrate without being blocked. Moreover, even when placed on the side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, light emitted from the light emitting element is emitted to the outside of the substrate as light 23 passing through the substrate 20. In this way, even when the electric circuit is provided by metallization or thick film metallization or thin-film metallization by simultaneous firing on the light emitting device mounting substrate, the light emitting device mounting substrate according to the present invention becomes a sintered body composed mainly of ceramic material. Therefore, since the light emitted from the light emitting device tends to be scattered light, the light emitted from the light emitting device is less susceptible to loss from the electric circuit being formed and can be efficiently emitted to the outside of the substrate as light 23 transmitted through the substrate 20. .

또한 도 4에 대해 발광소자 21은 도 1으로 가리킨 구조의 것을 예시했다.4, the light emitting element 21 exemplifies a structure shown in FIG. 1.

상기 비와이어장의 접속 재료는 통상 저융점 납재나 도전성 접착제 등에서 되지만, 상기 접속 재료의 사용 형태로서는 액상, 페이스트상, 구상, 원주상, 각주장등의 상태의 것이 이용된다.The connection material of the non-wire length is usually made of a low melting point brazing material, a conductive adhesive, or the like. As the use form of the connection material, those in a state of liquid, paste, spherical shape, columnar shape, or rectangular shape are used.

도 5에 대해 발광소자 21은 도 2에 나타낸 구조의 것이 예시되고 있다. 도 5에 대해 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 20에 발광소자 21이 탑재되고 발광소자 21의 N형 반도체층에 접속되고 있는 외부 전극은 기판 20의 발광소자 탑재면측에 형성되고 있는 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 26으로 저융점 납재나 도전성 접착제 등으로 이루어지는 비와이어장의 접속 재료 (도에 나타나지 않았다)에 의해 고정되고 전기적으로도 접속되며 한편의 P형의 반도체층에 접속되고 있는 외부 전극은 기판 20의 발광소자 탑재면측에 형성되고 있는 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 26으로 와이어 25로 전기적으로 접속되고 있다. 기판 20의 발광소자가 탑재되고 있는 면측에 두어 상기 발광소자로부터의 발광 22는 대부분 차단해지는 일 없이 기판 외부에 방출된다. 또, 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대 측에 두어도 발광소자로부터 발산된 빛이 기판 20을 투과한 광23으로서 기판 외부에 방출된다. 이와 같이 발광소자 탑재용 기판에 동시 소성에 의한 메탈 라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의해 전기 회로가 설치되고 있어도, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 되기 때문에 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽기 때문에 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 형성되고 있는 전기 회로로부터의 손실을 받는 것이 적고 기판 20을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출될 수 있다.5, the light emitting element 21 is one having the structure shown in FIG. 5, the light emitting element 21 is mounted on a light emitting element mounting substrate 20 composed of a sintered body composed mainly of a ceramic material according to the present invention, and the external electrode connected to the N-type semiconductor layer of the light emitting element 21 is a light emitting element of the substrate 20. Surface electrical circuit 26 formed by metallization or thick film metallization or thin film metallization by co-firing formed on the mounting surface side, and fixed by a non-wire length connecting material (not shown) made of a low melting point solder material or a conductive adhesive, etc. The external electrode connected to the P-type semiconductor layer is electrically surfaced by metallization or thick film metallization or thin film metallization by simultaneous firing formed on the light emitting element mounting surface side of the substrate 20. It is electrically connected to the wire 25 at 26. By placing the light emitting element of the substrate 20 on the side where the light emitting element is mounted, most of the light emission 22 from the light emitting element is emitted outside the substrate without being blocked. Moreover, even when placed on the side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, light emitted from the light emitting element is emitted to the outside of the substrate as light 23 passing through the substrate 20. As described above, even when the electric circuit is provided by metallization or thick film metallization or thin film metallization by co-firing on the light emitting device mounting substrate, the light emitting device mounting substrate according to the present invention becomes a sintered body composed mainly of ceramic materials. Therefore, since the light emitted from the light emitting device tends to be scattered light, the light emitted from the light emitting device is less susceptible to loss from the electric circuit being formed and can be efficiently emitted to the outside of the substrate as light 23 transmitted through the substrate 20. .

도 6에 대해 발광소자 21은 도 1에 나타낸 구조의 것이 예시되고 있다. 또 발광소자 탑재용 기판은 음푹패인 공간을 가지는 것이다. 발광소자 21은 도 1에 나타낸 상태로부터 상하 반전한 상태로 발광소자 탑재용 기판 30에 탑재되고 있다. 도 6에 있어서의 발광소자의 탑재 상태는 도 4에 나타낸 탑재 상태와 같은 물건이다. 도 6에 대해 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 30은 발광소자를 수납하기 위한 음푹패인 공간(캐비티) 31을 가지고 있다. 음푹패인 공간 31에는 발광소자 21이 탑재되고 상기 발광소자 21에 형성되고 있는 외부 전극 중 N형 반도체층에 접속되고 있는 것은 기판 20의 발광소자 탑재면측에 형성되고 있는 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 전기 회로 26으로 저융점 납재나 도전성 접착제 등으로 이루어지는 비와이어장의 접속 재료 29에 의해 전기적으로 접속되고 있다. 한층 더 상기 발광소자 21의 P형 반도체층에 접속되고 있는 외부 전극은 기판 20의 발광소자 탑재면측에 형성되고 있는 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 26으로 저융점 납재나 도전성 접착제 등으로 이루어지는 비와이어장의 접속 재료(도에 나타나지 않았다)에 의해 전기적으로 접속되고 있다. 기판 30의 발광소자가 탑재되고 있는 면측에는 필요에 따라서 음푹패인 공간 31에 탑재되고 있는 발광소자를 봉지하기 위해서, 뚜껑 32가 땜납, 납재, 유리, 수지 등의 봉지 재료에 의해 봉지부 37으로 발광소자 탑재용 기판 30에 장착되고 있다. 뚜껑 32로서 광투과성이 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작으로 하는 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체, 혹은 투명한 유리나 수지를 이용하는 것으로 상기 발광소자로부터의 발광 22는 실질적으로 대부분 흡수되는 일 없이 기판 외부에 방출된다. 또, 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대 측에 두어도 발광소자로부터 발산된 빛이 기판 30을 투과한 광23으로서 기판 외부에 방출된다. 한층 더 발광소자로부터 발산된 빛은 음푹패인 공간 31의 측벽 33으로부터도 기판을 투과한 광24로서 기판 외부에 방출된다. 이와 같이 음푹패인 공간을 가지는 기판에 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹 은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의해 전기 회로가 설치되고 있어도, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 되기 때문에 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽기 때문에 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 형성되고 있는 전기 회로로부터의 손실을 받는 것이 적고 기판 30을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출될 수 있다.6, the light emitting element 21 has the structure shown in FIG. In addition, the substrate for mounting a light emitting element has a recessed space. The light emitting element 21 is mounted on the light emitting element mounting substrate 30 in an upside down state from the state shown in FIG. The mounting state of the light emitting element in FIG. 6 is the same thing as the mounting state shown in FIG. 6, the light emitting element mounting board | substrate 30 which consists of a sintered compact which mainly uses the ceramic material by this invention has the recessed space (cavity) 31 for accommodating a light emitting element. The light emitting element 21 is mounted in the recessed space 31 and the external electrodes formed on the light emitting element 21 are connected to the N-type semiconductor layer by metallization or thick film formed by co-firing formed on the light emitting element mounting surface side of the substrate 20. The electrical circuit 26 by metallization or thin-film metallization etc. is electrically connected by the non-wire-type connection material 29 which consists of a low melting point solder | pewter, a conductive adhesive, etc. Furthermore, the external electrode connected to the P-type semiconductor layer of the light emitting element 21 is a surface electrical circuit 26 by metallization or thick film metallization or thin film metallization by co-firing formed on the light emitting element mounting surface side of the substrate 20. It is electrically connected by the non-wire connecting material (not shown in figure) which consists of a low melting point brazing material, a conductive adhesive, etc. In order to seal the light emitting element mounted in the recessed space 31 on the surface side where the light emitting element of the board | substrate 30 is mounted, the lid 32 light-emits to the sealing part 37 by sealing materials, such as solder, a solder material, glass, resin, etc. It is attached to the board | substrate 30 for element mounting. As the lid 32, a sintered body composed mainly of various ceramic materials including a sintered body made of light-transmitting aluminum nitride as a main component, or transparent glass or resin, and the light emitted from the light emitting device 22 is substantially not absorbed by the substrate. Emitted to the outside. Further, even when placed on the side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, light emitted from the light emitting element is emitted to the outside of the substrate as light 23 passing through the substrate 30. Furthermore, the light emitted from the light emitting element is also emitted outside the substrate as the light 24 transmitted through the substrate from the side walls 33 of the recessed space 31. As described above, even when an electric circuit is provided by metallization or thick-film metallization or thin-film metallization by co-firing on a substrate having a recessed space, the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention has a ceramic material as a main component. Since light emitted from the light emitting element is easily scattered, since the light emitted from the light emitting element is less likely to be lost from the electric circuit being formed, the light 23 transmitted through the substrate 30 can be efficiently emitted to the outside of the substrate. Can be.

또 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 전기 회로가 기판의 표면 뿐만이 아니라 세라믹 재료를 주성분으로 하는 기판의 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분에 이용해 동시 소성 등에 의해 단층 혹은 다층 메탈라이즈에 의한 전기 회로, 혹은 도통 비아가 형성되고 있는 것도 이용할 수가 있다. 이와 같이 기판의 내부에 전기 회로가 형성되고 있는 것이어도, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 되기 때문에 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽기 때문에 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 형성되고 있는 전기 회로, 혹은 도통 비아로부터의 손실을 받는 것이 적고 기판 30을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출될 수 있다.In addition, the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention may be formed by a single layer or multilayer metallization by co-firing using tungsten, molybdenum, copper, etc. as a main component not only on the surface of the substrate but also inside a substrate mainly composed of a ceramic material. Electrical circuits or conductive vias can also be used. In this way, even if an electric circuit is formed inside the substrate, since the substrate for mounting the light emitting element according to the present invention becomes a sintered body containing a ceramic material as a main component, the light emitted from the light emitting element tends to be scattered light. Light emitted therefrom is less likely to suffer from electrical circuits or conductive vias being formed and can be efficiently emitted outside the substrate as light 23 transmitted through the substrate 30.

본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판이 도 6에 나타나는 것 같은 음푹패인 공간을 가지는 경우에 대해도 발광소자로서는 도 2에 나타낸 구조의 것도 탑재할 수 있다. 또 발광소자의 탑재 상태로서 도 3, 혹은 도 5에 나타낸 것 같은 와이어를 이용하는 방법에 따라도 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 탑재할 수 있다. 도 6에 대해 음푹패인 공간 부분 31을 기밀에 봉지하기 위해서 설치되고 있는 뚜껑 32는 반드시 필요하지 않고, 한편 발광소자로부터의 발광을 손실 없고 기판 외부에 방출하기 위해서 뚜껑 32가 없는 상태에서도 본 발명의 발광소자 탑재용 기판으로서 사용할 수 있다. 뚜껑 32를 마련하지 않는 경우 발광소자로부터의 발광은 완전히 흡수되는 일 없이 기판 외부에 방출된다. 발광소자로부터의 발광을 손실 없고 기판 외부에 방출하기 위해서 뚜껑 32를 반드시 투명한 광투과성의 재료를 이용해 마련하는 필요성은 없다. 뚜껑을 마련하지 않는 경우도 6에 있어서의 음푹패인 공간 부분 31의 부분에 광투과성의 수지(도 6에는 표시하고 있지 않다)를 충전하는 것도 발광소자의 봉지가 가능해, 한편 발광소자로부터의 발광을 효율적으로 기판 외부에 방출할 수 있다. 이러한 광투과성의 뚜껑 및 광투과성의 수지에 형광체등을 더하는 것으로 발광소자로부터의 발광을 임의의 색채에 변환 가능하다.In the case where the substrate for mounting a light emitting element has a recessed space as shown in FIG. 6, the light emitting element can also be mounted with the structure shown in FIG. 2. Moreover, according to the method of using the wire as shown in FIG. 3 or FIG. 5 as a mounting state of a light emitting element, it can mount on the board | substrate for light emitting element mounting by this invention. 6, the lid 32 provided for hermetically sealing the spaced portion 31 in the airtight state is not necessarily required. On the other hand, even when the lid 32 is not present so as to emit light from the light emitting element without emitting light to the outside of the substrate, It can be used as a substrate for mounting a light emitting element. When the lid 32 is not provided, light emitted from the light emitting element is emitted outside the substrate without being completely absorbed. It is not necessary to provide the lid 32 by using a transparent light transmissive material in order to lose the light emission from the light emitting element without emitting it to the outside of the substrate. When the lid is not provided, the light emitting element can be encapsulated by filling the transparent space (not shown in FIG. 6) in the portion of the recessed space 31 in FIG. 6 while emitting light from the light emitting element. It can be efficiently released to the outside of the substrate. By adding a phosphor or the like to the light transmissive lid and the light transmissive resin, light emission from the light emitting element can be converted into any color.

기판 내부에 도통 비아, 혹은 텅스텐, 몰리브덴, 동 등을 주성분으로서 이용한 동시 소성에 의한 단층 또는 다층화 메탈라이즈, 혹은 후막메탈라이즈, 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 전기 회로 등이 설치되었을 경우에서도 같다. 도 7은 판 모양의 발광소자 탑재용 기판 내부에 도통 비아가 설치되었을 경우를 예시한다.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작되는 발광소자 탑재용 기판 20의 내부에는 상기 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 면과 그 반대측의 면을 전기적으로 접속하는 도통 비아 40이 형성되고 있다. 도통 비아 40을 개입시켜 발광소자 21으로 기판의 발광소자 탑재면과 반대 측에 설치된 동시 소성메탈라이즈나 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 41이 전기적으로 접속되고 있다. 상기 전기 회로 41으로부터 발광소자 21을 구동하기 위한 전력등이 기판 외부로부터 공급된다. 도 7으로 가리킨 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 동시 소성에 의한 단층 또는 다층화 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의해 전기 회로가 설치되고 있어도, 상기 기판이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 되기 때문에 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽기 때문에 실질적으로 전기 회로로부터의 손실을 받는 일 없이 상기 발광소자로부터 발산된 빛은 기판 20을 투과한 광23으로서 기판 외부에 방출된다. 또, 도 7에 나타나듯이 기판으로서 도통 비아가 형성된 것이어도, 기판 20의 발광소자가 탑재되고 있는 면측에 두어 상기 발광소자로부터의 발광 22는 손실을 받는 것이 적고 기판 외부에 방출되어 한층 더 상기 발광소자로부터 발산된 빛이 기판 20을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출된다고 하는 효과는 같다.The same applies when a conductive via or a single layer or multilayer metallization by co-firing using a tungsten, molybdenum, copper or the like as a main component, or an electric circuit such as thick film metallization or thin film metallization is provided. Fig. 7 illustrates a case where a conductive via is provided inside a plate-shaped light emitting device mounting substrate. The light emitting device of the substrate is mounted inside the light emitting device mounting substrate 20 fabricated using a sintered body composed mainly of ceramic material. A conductive via 40 is formed which electrically connects the surface to the surface on the opposite side thereof. The surface electrical circuit 41 is electrically connected to the light emitting element 21 via the conductive via 40 by co-fired metallization, thick film metallization, thin film metallization, or the like provided on the side opposite to the light emitting element mounting surface of the substrate. Power lamps for driving the light emitting element 21 are supplied from the outside of the substrate from the electric circuit 41. Even if an electric circuit is provided on the light emitting element mounting substrate according to the present invention as shown in FIG. 7 by single layer or multilayer metallization, thick film metallization, thin film metallization, or the like by co-firing, the sintered compact in which the substrate is mainly composed of a ceramic material Since the light emitted from the light emitting element tends to be scattered light, the light emitted from the light emitting element is emitted outside the substrate as the light 23 transmitted through the substrate 20 without substantially losing the electrical circuit. In addition, as shown in Fig. 7, even when a conductive via is formed as the substrate, the light emitting element 22 is less likely to be lost due to the surface side on which the light emitting element of the substrate 20 is mounted. The effect that the light emitted from the element is efficiently emitted outside the substrate as the light 23 transmitted through the substrate 20 is the same.

도 7에 예시된 도통 비아 뿐만이 아니라 기판 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로 하는 단층 또는 다층화 메탈라이즈, 혹은 금, 은, 동, 페러디엄, 백금 등을 주성분으로 하는 후막메탈라이즈, 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의해 전기 회로가 설치되었을 경우에서도, 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대 측에 두어 발광소자로부터 발산된 빛이 손실을 받는 것이 적고 기판 20을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출된다고 하는 효과는 같다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 도통 비아 40에 의해 기판 내부의 전기 회로와 표면의 전기 회로를 접속해보다 복잡한 전기 회로를 가지는 것도 제조할 수 있다.In addition to the conductive vias illustrated in FIG. 7, a single layer or multilayer metallization mainly composed of tungsten, molybdenum, copper, etc., or a thick film metallized or thin film mainly composed of gold, silver, copper, ferradium, platinum, etc. Even when an electric circuit is installed by metallization or the like, the light emitted from the light emitting element is less likely to be lost on the side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, and is efficiently emitted to the outside of the substrate as light 23 transmitted through the substrate 20. The effect is the same. The conductive via 40 can be connected to the light emitting element mounting substrate according to the present invention so that the electrical circuit inside the substrate and the surface electrical circuit can be manufactured to have a more complicated electrical circuit.

또, 음푹패인 공간을 가지는 기판의 내부에 도통 비아 혹은 동시 소성에 의한 단층 또는 다층화 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 전기 회로가 설치되었을 경우에서도 같다. 도 8은 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판 내부에 도통 비아가 설치되었을 경우 상태를 예시한 것이다. 도 8에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작되는 음푹패인 공간 31을 가지는 발광소자 탑재용 기판 30의 내부에는 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 면과 그 반대측의 면을 전기적으로 접속하는 도통 비아 40이 형성되고 있다. 도통 비아 40을 개입시켜 발광소자 21으로 기판의 발광소자 탑재면과 반대 측에 설치된 동시 소성메탈라이즈, 혹은 후막메탈라이즈, 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 41이 전기적으로 접속되고 있다. 또, 도 8에 나타나듯이 기판으로서 도통 비아가 형성된 것이어도, 기판 30의 발광소자가 탑재되고 있는 면측에 두어 상기 발광소자로부터의 발광 22는 손실을 받는 것이 적고 기판 외부에 방출되어 한층 더 상기 발광소자로부터 발산된 빛이 기판 30을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출된다고 하는 효과는 같다. 또, 발광소자로부터 발산된 빛은 음푹패인 공간 31의 측벽 33으로부터도 기판을 투과한 광24로서 기판 외부에 방출된다.The same applies to the case where an electrical circuit such as a single layer or multilayer metallization, a thick film metallization, or a thin film metallization by conducting vias or co-firing is provided inside a substrate having a recessed space. FIG. 8 illustrates a state in which a conductive via is installed inside a light emitting device mounting substrate having a recessed space. The conduction for electrically connecting the surface on which the light emitting element of the substrate is mounted and the surface on the opposite side to the inside of the substrate 30 for mounting the light emitting element having the recessed space 31 produced using a sintered body composed mainly of ceramic materials with respect to FIG. 8. Via 40 is being formed. The surface electrical circuit 41 is electrically connected to the light emitting element 21 via the conductive via 40 by co-fired metallization, thick film metallization, thin film metallization, or the like provided on the side opposite to the light emitting element mounting surface of the substrate. In addition, even when a conductive via is formed as a substrate as shown in FIG. 8, the light emitting element 22 is less likely to be lost due to the surface side where the light emitting element is mounted on the substrate 30, and is emitted outside the substrate. The effect that the light emitted from the element is efficiently emitted outside the substrate as the light 23 transmitted through the substrate 30 is the same. Light emitted from the light emitting element is also emitted from the side wall 33 of the recessed space 31 as the light 24 transmitted through the substrate to the outside of the substrate.

도 8에 예시된 도통 비아 뿐만이 아니라 기판 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로 하는 단층 또는 다층화 메탈라이즈, 혹은 금, 은, 동, 페러디엄, 백금 등을 주성분으로 하는 후막메탈라이즈, 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의해 전기 회로가 설치되었을 경우에서도, 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대 측에 두어 발광소자로부터 발산된 빛이 손실을 받는 것이 적고 기판 30을 투과한 광23으로서 효율적으로 기판 외부에 방출된다고 하는 효과는 같다. 상기 기판 내부에 도통 비아, 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 단층 혹은 다층화 메탈라이즈, 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의하는 전기 회로가 설치되는 부분에는 도 8에 예시한 것 같은 기판 저부 뿐만이 아니라 음푹패인 공간의 측벽 부분도 포함된다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 도통 비아 40에 의해 기판 내부의 전기 회로와 표면의 전기 회로를 접속해보다 복잡한 전기 회로를 가지는 것도 제조할 수 있다.In addition to the conductive vias illustrated in FIG. 8, single-layered or multilayered metallized metals mainly composed of tungsten, molybdenum, copper, etc., or thick-film metallized metals or thin films mainly composed of gold, silver, copper, parodydium, platinum, etc. Even when an electric circuit is provided by metallization or the like, the light emitted from the light emitting element is less likely to be lost on the side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, and is efficiently emitted to the outside of the substrate as light 23 transmitted through the substrate 30. The effect is the same. Thick film metallization which is later engraved and formed into a sintered body composed mainly of conductive vias, tungsten, molybdenum, copper, or the like as a main component in a single layer or multilayered metallization formed by simultaneous firing, or a ceramic material obtained by firing once. The portion where the electrical circuit is formed by, for example, thinner metallization by sputtering or vapor deposition or ion plating, or the like includes not only the substrate bottom as illustrated in FIG. 8 but also the sidewall portion of the recessed space. The conductive via 40 can be connected to the light emitting element mounting substrate according to the present invention so that the electrical circuit inside the substrate and the surface electrical circuit can be manufactured to have a more complicated electrical circuit.

본 발명에 의한 기판을 실제 발광소자 탑재용으로서 사용하는 경우의 형태로서는, 상기도 3~도 8에서 예시해 설명해 온 것처럼 1개의 기판에 발광소자를 직접 탑재하는 형태로 이용할 수가 있다.As a form in the case of using the board | substrate by this invention for actual light emitting element mounting, it can use with the form which mounts a light emitting element directly on one board | substrate as demonstrated and demonstrated by the above-mentioned in FIGS.

본 발명에 의한 기판과 발광소자와의 전기적 접속은 도 3~도 8으로 가리킨 와이어에 의한 방법, 및 저융점 납재나 도전성 접착제 등 비와이어장의 접속 재료를 이용하는 방법을 각각 단독으로 혹은 이러한 방법을 조합해 실시할 수가 있다. 또, 발광소자를 구동하기 위한 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 단층 혹은 다층화 메탈라이즈, 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의하는 전기 회로는, 도 3~도 8으로 가리킨 것처럼 기판의 외부 표면 혹은 도통 비아 등과 같이 기판 내부에 마련할 수가 있다. 이들 기판 표면 및 기판 내부의 전기 회로는 도통 비 아등을 적당 이용해 단독으로, 혹은 동시에 조합해 마련할 수 가 있다.The electrical connection between the substrate and the light emitting device according to the present invention may be performed alone or in combination with a method using a wire as shown in FIGS. 3 to 8 and a non-wire-type connection material such as a low melting point solder or a conductive adhesive. You can do that. Further, a thick film metal which is later inscribed and formed into a sintered body composed mainly of tungsten, molybdenum, copper or the like as a main component for driving the light emitting element, or a single layer or multilayered metallization formed by simultaneous firing, or a ceramic material obtained by firing once. An electrical circuit based on a rise, a sputter or thin film metallization by vapor deposition or ion plating, or the like can be provided inside the substrate, such as the outer surface of the substrate or through vias as shown in FIGS. 3 to 8. These circuits on the surface of the substrate and inside the substrate can be provided alone or simultaneously in combination using a conductive via or the like.

발광소자의 크기가 1 mm전후와 비교적 작은 경우나 기판에 직접 탑재하는 것이 곤란한 경우 등, 상기 발광소자의 기판에의 실장성을 높이기 위해서 상기 발광소자를 일단 서브 마운트에 탑재한 후 본 발명에 의한 기판에 탑재할 수도 있다. 도 9 및 도 10은 서브 마운트를 이용해 발광소자를 탑재하는 경우의 본 발명에 의한 기판의 사용 형태의 단면을 나타내고 있다.In order to increase the mountability of the light emitting element on the substrate, such as when the size of the light emitting element is relatively small and around 1 mm or when it is difficult to mount it directly on the substrate, It can also be mounted on a board | substrate. 9 and 10 show a cross section of the use mode of the substrate according to the present invention in the case of mounting the light emitting element using the sub-mount.

도 9는 발광소자 21이 서브 마운트 50에 일단 탑재되고 상기 서브 마운트 50이 본 발명에 의한 기판 20에 탑재되고 있는 예가 나타나고 있다. 도 9에 대해 발광소자 21과의 발광소자 탑재용 기판 20과는 서브 마운트 50의 표면에 설치되고 있는 동시 소성메탈라이즈, 혹은 후막메탈라이즈, 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 전기 회로 51으로 기판 20의 발광소자 탑재면측에 설치되고 있는 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로 하는 동시 소성메탈라이즈, 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의하는 표면 전기 회로 26을 와이어 25에 의해 접속하는 것으로 전기적으로 접속되고 있다. 도 9에 대해 기판 20의 발광소자가 탑재되고 있는 면측에 두어 상기 발광소자로부터의 발광 22는 대부분 차단해지는 일 없이 기판 외부에 방출된다. 또, 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대 측에 두어도 발광소자로부터 발산된 빛이 기판 20을 투과한 광23으로서 기판 외부에 방출된다. 본 발명에 대해 서브 마운트 50으로서 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 단층 혹은 다층화 메탈라이즈에 의한 전기 회로를 가지는 것도 이용할 수가 있다.9 shows an example in which the light emitting element 21 is once mounted on the submount 50 and the submount 50 is mounted on the substrate 20 according to the present invention. 9, the light emitting element mounting substrate 20 with the light emitting element 21 emits light on the substrate 20 with the electric circuit 51 formed by co-fired metallization, thick film metallization, thin film metallization, or the like provided on the surface of the submount 50. Simultaneous firing metallization mainly composed of tungsten, molybdenum or copper, etc. installed on the element mounting surface side, thick film metallization, sputtering or vapor deposition which is later inscribed and formed into a sintered body composed mainly of a ceramic material obtained by firing. It is electrically connected by connecting the surface electrical circuit 26 by thin film metallization by ion plating etc. with the wire 25. As shown in FIG. As shown in Fig. 9, the light emitting element 22 of the substrate 20 is placed on the side where the light emitting element is mounted, and most of the light emission 22 from the light emitting element is emitted to the outside of the substrate without being blocked. Moreover, even when placed on the side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, light emitted from the light emitting element is emitted to the outside of the substrate as light 23 passing through the substrate 20. In the present invention, it is also possible to use an electric circuit made of a single layer or a multilayered metallization, which is formed by co-firing or the like having tungsten, molybdenum, copper or the like as a main component as a submount 50.

도 10은 발광소자 21이 서브 마운트 50에 일단 탑재되고 상기 서브 마운트 50이 본 발명에 의한 음푹패인 공간 31을 가지는 발광소자 탑재용 기판 30에 탑재되고 있는 예가 나타나고 있다. 도 10에 대해 발광소자 21으로 발광소자 탑재용 기판 30과는 서브 마운트 50의 표면에 설치되고 있는 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로 하는 동시 소성메탈라이즈, 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의하는 전기 회로 51으로 기판 30의 발광소자 탑재면측에 설치되고 있는 후막 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 26을 와이어 25에 의해 접속하는 것으로 전기적으로 접속되고 있다. 도 10에 대해 기판 30의 발광소자가 탑재되고 있는 면측에 두어 상기 발광소자로부터의 발광 22는 대부분 차단해지는 일 없이 기판 외부에 방출된다. 또, 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대 측에 두어도 발광소자로부터 발산된 빛이 기판 30을 투과한 광23으로서 기판 외부에 방출된다. 또, 발광소자로부터 발산된 빛은 음푹패인 공간 31의 측벽으로부터도 기판을 투과한 광24로서 기판 외부에 방출된다. 본 발명에 대해 서브 마운트 50으로서 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 단층 혹은 다층화 메탈라이즈에 의한 전기 회로를 가지는 것도 이용할 수가 있다.Fig. 10 shows an example in which the light emitting element 21 is once mounted on the submount 50 and the submount 50 is mounted on the light emitting element mounting substrate 30 having the recessed space 31 according to the present invention. 10 shows a light-emitting element 21 and a substrate 30 for mounting a light-emitting element, and a co-fired metallization mainly composed of tungsten, molybdenum, copper, or the like, which is provided on the surface of the sub-mount 50, and a ceramic material obtained by firing once. Thick film or thin film metallization, which is provided on the light emitting element mounting surface side of the substrate 30 in the electrical circuit 51 by thick film metallization, thin film metallization by sputtering or vapor deposition or ion plating, etc., which are later carved into a sintered body which is a main component. Is electrically connected by connecting the surface electrical circuits 26 by wires 25. As shown in Fig. 10, the light emitting element 22 of the substrate 30 is placed on the side where the light emitting element is mounted, and most of the light emission 22 from the light emitting element is emitted outside the substrate without being blocked. Further, even when placed on the side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, light emitted from the light emitting element is emitted to the outside of the substrate as light 23 passing through the substrate 30. Light emitted from the light emitting element is also emitted to the outside of the substrate as light 24 transmitted through the substrate from the side walls of the recessed space 31. In the present invention, it is also possible to use an electric circuit made of a single layer or a multilayered metallization, which is formed by co-firing or the like having tungsten, molybdenum, copper or the like as a main component as a submount 50.

서브 마운트의 형태는 도 9, 도 10에 예시된 것 만이 아니고 각종 형태의 것 을 사용할 수 있다. 또, 상기 서브 마운트와 본 발명에 의한 기판과의 접속도 도 9, 도 10에 예시된 것 만이 아니고 각종 방법을 사용할 수 있다. 도 11 및 도 12에 서브 마운트의 형태, 및 상기 서브 마운트와 본 발명에 의한 기판과의 접속 상태의 단면을 예시했다.Submounts may be used in various forms as well as those illustrated in FIGS. 9 and 10. In addition, not only the connection of the said submount and the board | substrate which concerns on this invention is illustrated, but various methods can be used. 11 and 12 illustrate cross sections of the form of the sub mount and the connection state between the sub mount and the substrate according to the present invention.

도 11은 서브 마운트 50의 측면으로 동시 소성메탈라이즈나 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 전기 회로 52가 수행하고 있는 예를 나타낸다. 도 11에 대해 발광소자 21은 서브 마운트 50에 일단 탑재되고 상기 서브 마운트 50이 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 20에 탑재되고 있다. 도 11에 대해 발광소자 21으로 발광소자 탑재용 기판 20과는 서브 마운트 50의 표면에 설치되고 있는 전기 회로 51으로 기판 20의 발광소자 탑재면측에 설치되고 있는 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로 하는 동시 소성메탈라이즈, 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의하는 표면 전기 회로 26을 서브 마운트 측면의 전기 회로 52에 의해 접속하는 것으로 전기적으로 접속되고 있다. 본 발명에 대해 서브 마운트 50으로서 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 단층 혹은 다층화 메탈라이즈에 의한 전기 회로를 가지는 것도 이용하는 것이 성과 도통 비아 53에 의해 표면의 전기 회로와 접속해보다 복잡한 전기 회로를 형성할 수 있다.11 shows an example in which the electric circuit 52 is performed by co-fired metallization, thick film metallization, thin film metallization, or the like on the side surface of the sub-mount 50. 11, the light emitting element 21 is once mounted on the submount 50, and the submount 50 is mounted on the light emitting element mounting substrate 20 according to the present invention. 11, the light emitting element 21 is composed of tungsten, molybdenum, copper, or the like, which is provided on the surface of the submount 50 with the substrate 20 for mounting the light emitting element, and is provided on the light emitting element mounting surface side of the substrate 20. Subsurface electrical circuits 26, such as by co-fired metallization, thick film metallization, which are later engraved into a sintered body composed mainly of a ceramic material obtained by firing once, thin film metallization by sputtering or deposition or ion plating, etc. It is electrically connected by connecting by the electric circuit 52 of a mount side surface. According to the present invention, it is also possible to use an electric circuit of single layer or multilayer metallization formed by co-firing or the like as a main component of tungsten, molybdenum, copper, etc. as a main component in the present invention. More complex electrical circuits can be formed by connection.

도 12는 서브 마운트 50의 내부에 도통 비아 63이 수행하고 있는 예를 나타 낸다. 도 12에 대해 발광소자 21은 서브 마운트 50에 일단 탑재되고 상기 서브 마운트 50이 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 20에 탑재되고 있다. 도 12에 대해 발광소자 21으로 발광소자 탑재용 기판 20과는 서브 마운트 50의 내부에 설치되고 있는 도통 비아 53으로 기판 20의 발광소자 탑재면측에 설치되고 있는 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로 하는 동시 소성메탈라이즈, 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의하는 전기 회로 26을 서브 마운트 내부의 도통 비아 53에 의해 접속하는 것으로 전기적으로 접속되고 있다. 본 발명에 대해 서브 마운트 50으로서 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 단층 혹은 다층화 메탈라이즈에 의한 전기 회로를 가지는 것도 이용하는 것이 성과 도통 비아 53에 의해 표면의 전기 회로와 접속해보다 복잡한 전기 회로를 형성할 수 있다.12 shows an example in which the conductive via 63 is performing inside the submount 50. 12, the light emitting element 21 is once mounted on the submount 50, and the submount 50 is mounted on the light emitting element mounting substrate 20 according to the present invention. 12, the light emitting element 21 is a conductive via 53 provided inside the sub-mount 50 and the tungsten, molybdenum, copper, etc., which are provided on the light emitting element mounting surface side of the substrate 20. Sub-mounting an electrical circuit 26 by co-fired metallization, thick film metallization which is later engraved into a sintered body composed mainly of a ceramic material obtained by firing once, thin film metallization by sputtering or deposition or ion plating, or the like It is electrically connected by connecting by the internal conductive via 53. According to the present invention, it is also possible to use an electric circuit of single layer or multilayer metallization formed by co-firing or the like as a main component of tungsten, molybdenum, copper, etc. as a main component in the present invention. More complex electrical circuits can be formed by connection.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 상기 서브 마운트를 탑재하는 경우, 기판은 임의의 형태의 것을 이용할 수가 있다. 도 9~도 12 이외서나 기판으로서 내부에 도통 비아, 혹은 텅스텐, 몰리브덴, 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 다층화 메탈라이즈, 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등을 가지는 것 등을 이용할 수가 있다. 예를 들면, 1) 도 13의 부호 20으로 가리키는 것 같은 평판 모양으로 기판 내부에 도통 비아 40을 가지는 것, 2) 도 14의 부호 30으로 가리키는 것 같은 음푹패인 공간 31을 가져 한층 더 기판 내부에 도통 비아 40을 가지는 것, 등의 형태를 가지는 것을 사용할 수 있다. 또한 도 13 및 도 14는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 서브 마운트를 개입시켜 발광소자가 탑재되고 있는 모습을 나타내는 단면도이다.When the sub-mount is mounted on the light emitting element mounting substrate according to the present invention, any type of substrate can be used. In addition to FIGS. 9 to 12, a multilayered metallization formed by conducting vias or tungsten, molybdenum, copper, and the like as a main component in a co-firing process as a main component, and a sintered body mainly composed of a ceramic material obtained by firing once It is possible to use a thick film metallized to be formed by engraving, a thinner metallized by sputtering or vapor deposition or ion plating, or the like. For example, 1) having a conductive via 40 inside the substrate in a flat plate shape as indicated by reference numeral 20 in FIG. 13, and 2) having a recessed space 31 as indicated by reference numeral 30 in FIG. One having a through via 40 or the like can be used. 13 and 14 are cross-sectional views showing a state in which a light emitting device is mounted via a submount on a light emitting device mounting substrate according to the present invention.

또, 서브 마운트로서 본 발명에 의한 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작으로 하는 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판을 이용할 수가 있다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되지만, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판을 서브 마운트로서 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발열을 효과적으로 놓쳐, 다층화 메탈라이즈나 박막 메탈라이즈 등을 이용해 컴팩트한 서브 마운트 기판을 설계할 수 있어 발광소자의 구동에 수반하는 급열급냉에도 견디어 한층 더 광투과성을 가지는 등, 다른 재료로 이루어지는 서브 마운트에 비해 우수하다.As the sub-mount, a substrate for mounting a light emitting element comprising a sintered body composed of various ceramic materials including a sintered body composed mainly of aluminum nitride having light transparency according to the present invention as a main component can be used. The light emitting element mounting substrate according to the present invention is composed of a sintered body mainly composed of a light-transmitting ceramic material, but by using the light emitting element mounting substrate according to the present invention as a sub-mount, the heat generation from the light emitting element is effectively missed and the multilayered metal is used. It is possible to design a compact sub-mount substrate using a rise or thin film metallization and the like, and it is superior to sub-mounts made of other materials, such as having a light transmittance withstand rapid quenching and cooling associated with driving the light emitting element.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 중 발광소자가 탑재되어 있지 않은 상태의 음푹패인 공간을 가지는 것의 단면도를 도 15 및 도 16에 예시한다.15 and 16 illustrate cross-sectional views of the light emitting element mounting substrate according to the present invention having a recessed space in which no light emitting element is mounted.

도 15에 대해 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판 30은 평판 모양의 기체 34, 틀 35 및 뚜껑 32로 구성되고 있다. 평판 모양의 기체 34에 틀 35가 접합부 36으로 접합되는 것으로 음푹패인 공간 31이 형성되고 있다. 본 발명에 대해 상기 발광소자 탑재용 기판 30에 대해 기체 34 혹은 틀 35 중에서 어느쪽이든 한편이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되든가, 혹은 기체 34 혹은 틀 35의 어느쪽이나 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는지, 언젠가이다. 또, 기체 34 혹은 틀 35의 재료로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 이외에 필요에 따라서 각종 금속, 합금, 유리, 세라믹, 수지 등을 주성분으로 하는 것을 사용할 수 있다. 기체 34 혹은 틀 35의 재료로서 투명한 유리, 수지, 세라믹 등을 이용하면 발광소자로부터의 발광이 너무 손실을 수반하는 일 없이 기판 외부에 방출할 수 있으므로 바람직하다. 또, 기체 34 혹은 틀 35의 재료로서 빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 각종 금속, 합금, 유리, 세라믹, 수지 등을 주성분으로 하는 것을 이용하면 그 부분에서는 발광소자로부터의 발광은 기판을 투과하기 어려워지므로 상기 발광을 기판 외부에 방출시키고 싶지 않을 방향을 제어하기 위해서 이용하면 유효하게 기능한다. 상기 발광소자 탑재용 기판 30에 대해 음푹패인 공간을 봉지하기 위한 뚜껑 32가 장착되고 있다. 뚜껑 32는 통상 발광소자를 탑재한 후에 틀에 달아 그 때 뚜껑 32는 봉지부 37에 대해 다, 납재, 유리, 수지 등을 주성분으로 하는 봉지 재료로 발광소자를 봉지한다. 뚜껑 32의 재료로서 각종 금속, 합금, 유리, 세라믹, 수지 등을 주성분으로 하는 재료가 이용할 수가 있다. 뚜껑 32의 재료로서 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작으로 하는 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체나 투명한 유리, 수지 등을 이용하면 발광소자로부터의 발광이 너무 손실을 수반하는 일 없이 뚜껑으로부터 기판 외부에 방출할 수 있으므로 바람직하다. 또, 뚜껑 32의 재료로서 빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 각종 금속, 합금, 유리, 수지, 등을 주성분 으로 하는 것, 혹은 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체(빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 등을 포함한다)등을 이용하면 발광소자로부터의 발광은 뚜껑을 투과하기 어려워지므로 뚜껑이 장착될 방향으로 상기 발광을 방출시키고 싶지 않은 경우에는 유효하다. 또, 봉지에서 뚜껑의 재료로서 금속, 합금, 유리, 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체 등, 봉지재로서는 다, 납재, 유리 등을 이용하면 기밀 봉지가 가능해진다. 또, 더 뚜껑 32는 필요에 따라서 이용하지 않아도 좋다. 그 경우 발광소자의 봉지는 음푹패인 공간 31에 투명한 수지 등을 충전하는 것으로 실시할 수가 있다. 도 15에 대해 기체 34에는 도통 비아 40, 기판의 외부 표면에 형성되고 있는 표면 전기 회로 41, 발광소자 탑재측의 기판 표면에도 표면 전기 회로 26이 형성되고 있다. 또, 필요에 따라서 상기 도통 비아, 외부 전기 회로, 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로 이외에도 기판 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 단층 혹은 다층화 된 전기 회로도 마련할 수가 있다. 또, 필요에 따라서 상기 도통 비아, 외부 전기 회로, 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로는 틀 35에도 마련할 수가 있다. 또, 필요에 따라서 상기 도통 비아, 외부 전기 회로, 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로는 적당 마련하지 않아도 좋다. 또한 상기 도통 비아 및 각종 전기 회로는 동시 소성에 의한 메탈라이즈, 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 도통 비아, 혹은 외부 표면에 형성되는 전기 회로, 혹은 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로, 혹은 기판 내부의 전기 회로를 마련하지 않기 때문에라고 해 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서의 성능에는 특히 영향은 없다.The light emitting element mounting substrate 30 having a recessed space with respect to FIG. 15 is composed of a flat substrate 34, a frame 35, and a lid 32. As shown in FIG. The frame 35 is formed by joining the frame 35 to the joining portion 36 to the flat substrate 34. In the present invention, either the base 34 or the frame 35 of the substrate 30 for light emitting device mounting is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material, or the base 34 or frame 35 is a sintered body composed mainly of a ceramic material. It is done, someday. As the material of the base 34 or the frame 35, in addition to the sintered body containing the ceramic material as the main component, those containing various metals, alloys, glass, ceramics, resins, etc. as necessary may be used. Use of transparent glass, resin, ceramics, or the like as the material of the base 34 or the frame 35 is preferable because light emission from the light emitting element can be emitted to the outside of the substrate without too much loss. In addition, when the material of the base 34 or frame 35 is composed of various optically impermeable metals, alloys, glass, ceramics, resins, etc., which are difficult to transmit light, the light emitted from the light emitting element is difficult to transmit through the substrate. Therefore, it is effective when used to control the direction in which the light emission does not want to be emitted outside the substrate. The lid 32 for encapsulating the space which is recessed with respect to the light emitting element mounting substrate 30 is mounted. The lid 32 is usually attached to the mold after mounting the light emitting element, and the lid 32 is then sealed to the sealing portion 37 by encapsulating the light emitting element with a sealing material mainly composed of a brazing material, glass, resin, and the like. As the material of the lid 32, a material mainly composed of various metals, alloys, glass, ceramics, resins and the like can be used. When the sintered body, transparent glass, resin, etc., which are mainly composed of various ceramic materials including the sintered body whose main component is aluminum nitride having light transparency as the material of the lid 32, is used, the light emission from the light emitting device does not involve too much loss. It is preferable because it can discharge from the lid to the outside of the substrate. In addition, as a material of the lid 32, the main component of various optically impermeable metals, alloys, glasses, resins, etc., which are difficult to transmit light, or a sintered body composed mainly of various ceramics (light impermeable aluminum nitride Light emitting from the light emitting element becomes difficult to penetrate the lid, and is effective when the light is not emitted in the direction in which the lid is to be mounted. In the sealing, when the sealing material such as a sintered body mainly composed of metal, alloy, glass, and various ceramics is used as the material of the lid, a hermetic sealing can be performed using lead material, glass, or the like. In addition, you may not use the lid 32 as needed. In that case, sealing of a light emitting element can be performed by filling transparent space etc. in the recessed space 31. As shown in FIG. 15, the surface electrical circuit 26 is formed in the base 34 in the conductive via 40, the surface electrical circuit 41 formed on the outer surface of the substrate, and the surface of the substrate on the light emitting element mounting side. In addition to the electrical vias, external electrical circuits, and electrical circuits formed on the substrate surface on the light emitting element mounting side, single-layered or multilayered electrical circuits are formed by co-firing as a main component in the substrate as necessary. I can arrange it. If necessary, the conductive via, the external electric circuit, and the electric circuit formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side can also be provided in the frame 35. In addition, the conductive via, the external electric circuit, and the electric circuit formed on the substrate surface on the light emitting element mounting side may not be appropriately provided as necessary. In addition, the conductive vias and various electric circuits may be formed by metallization by co-firing, thick film metallization, sputter or vapor deposition or ion plating, which are later inscribed and formed into a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material obtained by firing once. It is preferable to form by thin film metallization, etc. by this. Since the electric vias formed on the conductive vias or the outer surface, the electric circuits formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side, or the electric circuits inside the substrate are not provided, There is no particular impact on performance.

도 15는 각각 다른 부재인 기체 34로 틀 35를 접합하는 방법으로 발광소자 탑재용 기판이 구성되어 있도록 나타내고 있다. 한편 도 16에 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 30으로서 도 15에 나타낸 접합부 36이 없는 상태로 기체 34로 틀 35가 일체화한 것을 예시하고 있다. 도 15에 나타낸 접합부 36이 없는 상태로 기체 34로 틀 35가 일체화한 것은 도 6, 도 8, 도 10, 도 14에서도 예시했다. 이러한 일체화한 발광소자 탑재용 기판은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에서는 용이하게 제작할 수 있다. 즉, 예를 들면 미리 세라믹 재료를 주성분으로 하는 성형체를 일체화한 상태로 만들어 두어 그 후 상기 성형체를 소성하거나, 혹은 일단 제작한 소결체를 예를 들면 동질의 세라믹 재료로 이루어지는 분말 페이스트로 접착해 그 후 소성하는 것으로 일체화하는, 등의 방법으로 용이하게 제작할 수 있다.일체화하는 것으로써 음푹패인 공간 31이 형성되고 있는 발광소자 탑재용 기판이어도, 뚜껑 32를 이용해 봉지부 37에 대해 다, 납재, 유리, 수지 등을 주성분으로 하는 봉지 재료로 발광소자가 봉지할 수 있는 것에는 변화가 없다. 또, 뚜껑 32는 통상 발광소자를 탑재한 후에 틀에 달아 그 때뚜껑 32는 봉지부 37에 대해 다, 납재, 유리, 수지 등을 주성분으로 하는 봉지 재료로 발광소자를 봉지한다. 뚜껑 32의 재료로서 각종 금속, 합금, 유리, 세라믹, 수지 등을 주성분으로 하는 재 료가 이용할 수가 있다. 뚜껑 32의 재료로서 광투과성을 가진다고 하는 소결체를 시작해 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체나 투명한 유리, 수지 등을 이용하면 발광소자로부터의 발광이 너무 손실을 수반하는 일 없이 뚜껑으로부터 기판 외부에 방출할 수 있으므로 바람직하다. 또, 뚜껑 32의 재료로서 빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 각종 금속, 합금, 유리, 수지, 등을 주성분으로 하는 것, 혹은 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체(빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 등을 포함한다)등을 이용하면 발광소자로부터의 발광은 뚜껑을 투과하기 어려워지므로 뚜껑이 장착될 방향으로 상기 발광을 방출시키고 싶지 않은 경우에는 유효하다. 또, 봉지에서 뚜껑의 재료로서 금속, 합금, 유리, 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체 등, 봉지재로서는 다, 납재, 유리 등을 이용하면 기밀 봉지가 가능해진다. 또, 더 뚜껑 32는 필요에 따라서 이용하지 않아도 좋다. 그 경우 발광소자의 봉지는 음푹패인 공간 31에 투명한 수지 등을 충전하는 것으로 실시할 수가 있다. 도 16에 대해 발광소자 탑재용 기판 30의 발광소자가 탑재되는 부분 38에는 도통 비아 40, 기판의 외부 표면에 형성되고 있는 표면 전기 회로 41, 발광소자 탑재측의 기판 표면에도 표면 전기 회로 26이 형성되고 있다. 또, 필요에 따라서 상기 도통 비아, 외부 전기 회로, 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로 이외에도 기판 내부에 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로서 동시 소성 등에 의해 형성되는 단층 혹은 다층화 된 전기 회로도 마련할 수가 있다. 또, 필요에 따라서 상기 도통 비아, 외부 전기 회로, 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로, 기판 내부에 형성되는 내 부 전기 회로는 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측벽 부분 33에도 마련할 수가 있다. 또, 필요에 따라서 상기 도통 비아, 외부 전기 회로, 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로, 기판 내부에 형성되는 내부 전기 회로는 적당 마련하지 않아도 좋다. 또한 상기 도통 비아 및 각종 전기 회로는 동시 소성에 의한 메탈라이즈, 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 도통 비아, 혹은 외부 전기 회로, 혹은 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로, 혹은 기판 내부의 전기 회로를 마련하지 않기 때문에라고 해 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서의 성능에는 특히 영향은 없다.Fig. 15 shows that the substrate for mounting a light emitting element is constituted by joining the frame 35 with the base 34, which is a different member. On the other hand, FIG. 16 illustrates that the substrate 34 and the frame 35 are integrated as the light emitting element mounting substrate 30 according to the present invention without the junction portion 36 shown in FIG. 15. The integration of the frame 34 into the body 34 without the joint 36 shown in FIG. 15 was also illustrated in FIGS. 6, 8, 10, and 14. Such an integrated light emitting element mounting substrate can be easily produced in a sintered body containing a ceramic material as a main component. That is, for example, the molded body mainly containing a ceramic material is made into an integrated state in advance, and then the molded body is fired, or the sintered body once produced is bonded with a powder paste made of, for example, a homogeneous ceramic material. It can be easily manufactured by the method of integrating by baking, etc. Even if it is the board | substrate for light emitting element mounting in which the recessed space 31 is formed by integrating, even if it is the board | substrate 37 with the lid 32, it will be filled with solder, glass, There is no change in that the light emitting element can be encapsulated with a sealing material mainly composed of resin or the like. The lid 32 is usually attached to the mold after mounting the light emitting element, and the lid 32 is sealed to the encapsulation portion 37, and the light emitting element is encapsulated with an encapsulating material mainly composed of a brazing material, glass, resin, or the like. As the material of the lid 32, a material mainly composed of various metals, alloys, glass, ceramics, resins, and the like can be used. Starting from the sintered compact, which is said to be light-transmitting as the material of the lid 32, and using a sintered compact, transparent glass, resin, etc. mainly composed of various ceramic materials, light emitted from the light emitting device can be emitted from the lid to the outside of the substrate without too much loss. It is preferable because it can. In addition, as a material of the lid 32, the main component of various optically impermeable metals, alloys, glass, resins, etc., which are difficult to transmit light, or a sintered body having various ceramics as a main component (light impermeable aluminum nitride Light emitting from the light emitting element becomes difficult to penetrate the lid, and is effective when the light is not emitted in the direction in which the lid is to be mounted. In the sealing, when the sealing material such as a sintered body mainly composed of metal, alloy, glass, and various ceramics is used as the material of the lid, a hermetic sealing can be performed using lead material, glass, or the like. In addition, you may not use the lid 32 as needed. In that case, sealing of a light emitting element can be performed by filling transparent space etc. in the recessed space 31. As shown in FIG. 16, a conductive via 40, a surface electrical circuit 41 formed on the outer surface of the substrate, and a surface electrical circuit 26 are formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side in the portion 38 on which the light emitting element is mounted on the substrate 30 for mounting the light emitting element. It is becoming. In addition to the electrical vias, external electrical circuits, and electrical circuits formed on the substrate surface on the light emitting element mounting side, single-layered or multilayered electrical circuits are formed by co-firing as a main component in the substrate as necessary. I can arrange it. In addition, the conducting via, the external electric circuit, the electric circuit formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side, and the internal electric circuit formed inside the substrate can also be provided on the sidewall portion 33 which forms the recessed space as necessary. have. As necessary, the conducting via, the external electric circuit, the electric circuit formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side, and the internal electric circuit formed inside the substrate may not be appropriately provided. In addition, the conductive vias and various electric circuits may be formed by metallization by co-firing or thin film metallization, sputter or vapor deposition or ion plating, which are later engraved into a sintered body composed mainly of a ceramic material that can be obtained by firing once. It is preferable to form by rise, etc. Particularly affects the performance as the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, because the conductive via, the external electrical circuit, the electrical circuit formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side, or the electrical circuit inside the substrate is not provided. There is no.

본 발명에 대해, 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판으로서 도 15로 예시한 것처럼 기체와 틀과의 접합에 의해 음푹패인 공간을 형성한 것을 이용할 수가 있다. 이 구성에 의한 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 경우, 기체 혹은 틀의 어느 한쪽에 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 혹은 기체 혹은 틀의 다른 한쪽에 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 언젠가이다. 또, 기체 혹은 틀의 재료로서 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작으로 하는 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 이외에 필요에 따라서 각종 금속, 합금, 수지 등을 주성분으로 하는 것을 사용할 수 있다. 기체 혹은 틀의 재료로서 투명한 유리, 수지 등을 이용하면 발광소자로부터의 발광이 너무 손실을 수반하는 일 없이 기판 외부에 방출할 수 있으므로 바람직하다. 또, 기체 혹은 틀 의 재료로서 빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 각종 금속, 합금, 유리, 수지, 등을 주성분으로 하는 것, 혹은 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체(빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 등을 포함한다)등을 이용하면 그 부분에서는 발광소자로부터의 발광은 기판을 투과하기 어려워지므로 상기 발광을 기판 외부에 방출시키고 싶지 않을 방향을 제어하기 위해서 이용하면 유효하게 기능한다. 상기 본 발명에 의한 기체와 틀과의 접합에 의해 얻을 수 있는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 음푹패인 공간을 봉지하기 위한 등의 목적으로 뚜껑을 달 수가 있다. 뚜껑은 통상 발광소자를 탑재한 후에 틀에 달아 그 때뚜껑은 봉지부에 있어 다, 납재, 유리, 수지 등을 주성분으로 하는 봉지 재료로 발광소자를 봉지한다. 뚜껑의 재료로서 각종 금속, 합금, 유리, 세라믹, 수지 등을 주성분으로 하는 재료가 이용할 수가 있다. 뚜껑의 재료로서 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작해 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체나 투명한 유리, 수지 등을 이용하면 발광소자로부터의 발광이 너무 손실을 수반하는 일 없이 뚜껑으로부터 기판 외부에 방출할 수 있으므로 바람직하다. 또, 뚜껑의 재료로서 빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 각종 금속, 합금, 유리, 수지, 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체(빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 등을 포함한다)등을 이용하면 발광소자로부터의 발광은 뚜껑을 투과하기 어려워지므로 뚜껑이 장착될 방향으로 상기 발광을 방출시키고 싶지 않은 경우에는 유효하다. 또, 봉지에서 뚜껑의 재료로서 금속, 합금, 유리, 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 등, 봉지재로서는 다, 납 재, 유리 등을 이용하면 기밀 봉지가 가능해진다. 또, 더 뚜껑은 필요에 따라서 이용하지 않아도 좋다. 그 경우 발광소자의 봉지는 음푹패인 공간에 투명한 수지 등을 충전하는 것으로 실시할 수가 있다.For the present invention, as the substrate for mounting a light emitting element having a recessed space, as shown in Fig. 15, a recessed space formed by joining the base and the frame can be used. In the case of a substrate for mounting a light emitting element having a recessed space according to this configuration, a sintered body containing aluminum nitride as a main component in one of the bases or the mold, or a sintered body containing aluminum nitride as the main component in the other part of the base or the mold, is one day . In addition to the sintered body including various ceramic materials including aluminum nitride as a main component as the main component, as the base material or the base material, various metals, alloys, resins and the like may be used as necessary. It is preferable to use transparent glass, resin, or the like as the material of the substrate or the mold because light emitted from the light emitting element can be emitted outside the substrate without too much loss. In addition, as a base material or a base material composed mainly of various optically impermeable metals, alloys, glass, resins, etc., which are difficult to transmit light, or a sintered body composed mainly of various ceramics (light impermeable nitride which is difficult to transmit light). Light emitting from the light emitting element becomes difficult to pass through the substrate in such a portion, and is effective when used to control a direction in which the light emission does not want to be emitted outside the substrate. do. A lid can be attached to the light emitting element mounting substrate obtained by joining the base and the frame according to the present invention, for the purpose of sealing the recessed space. The lid is usually attached to a frame after mounting the light emitting element, and the lid is then in the encapsulation portion. As the material of the lid, a material mainly composed of various metals, alloys, glass, ceramics, resins and the like can be used. Starting from a sintered body made mainly of light-transmitting aluminum nitride as the material of the lid, and using a sintered body made of various ceramic materials, transparent glass, resin, etc., the light emission from the light emitting element is not reduced. It is preferable because it can release to the outside. Moreover, as a material of a lid, the sintered compact which has various optically impermeable metals, alloys, glass, resin, and various ceramics which are hard to permeate | transmit light (the sintered compact which has a light impermeable aluminum nitride which does not permeate light as a main component, etc.) is included. When light is emitted from the light emitting element, it becomes difficult to penetrate the lid, which is effective when it is not desired to emit the light in the direction in which the lid is to be mounted. In addition, when the sealing material such as a sintered body including metal, alloy, glass, and various ceramic materials as a main component as the material of the lid in the encapsulation material is used, airtight sealing can be performed. In addition, you may not use a lid as needed. In that case, sealing of a light emitting element can be performed by filling a transparent resin etc. in the recessed space.

또, 상기 본 발명에 의한 기체와 틀과의 접합에 의해 얻을 수 있는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 필요에 따라서 도통 비아, 기판 외부 표면에 형성되는 전기 회로, 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로 이외에도 기판 내부에 단층 혹은 다층화 된 전기 회로도 마련할 수가 있다. 또, 필요에 따라서 상기 도통 비아, 외부 전기 회로, 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로는 틀에도 마련할 수가 있다. 또, 필요에 따라서 상기 도통 비아, 외부 전기 회로, 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로, 기판 내부에 형성되는 내부 전기 회로는 적당 마련하지 않아도 좋다. 또한 상기 도통 비아 및 각종 전기 회로는 동시 소성에 의한 메탈라이즈, 혹은 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 혹은 스팩터, 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 도통 비아, 혹은 외부 전기 회로, 혹은 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로, 혹은 기판 내부의 전기 회로를 마련하지 않기 때문에라고 해 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서의 성능에는 특히 영향은 없다.In addition, the light emitting element mounting substrate obtainable by joining the base and the frame according to the present invention is formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side, through vias, electrical circuits formed on the outer surface of the substrate, as necessary. In addition to the electrical circuits, a single layer or multilayered electrical circuit can be provided inside the substrate. If necessary, the conductive via, the external electric circuit, and the electric circuit formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side can be provided in the mold. As necessary, the conducting via, the external electric circuit, the electric circuit formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side, and the internal electric circuit formed inside the substrate may not be appropriately provided. In addition, the conductive vias and various electric circuits may be metallized by co-firing, or thick film metallized later formed on a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material obtained by firing, or by sputtering, vapor deposition or ion. It is preferable to form by thin film metallization by plating etc. Particularly affects the performance as the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, because the conductive via, the external electrical circuit, the electrical circuit formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side, or the electrical circuit inside the substrate is not provided. There is no.

도 15에 예시한 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 상기 기체 34로 틀 35와의 접합을 실시하는에 즈음해서는 각종 방법을 적당 이용할 수가 있다. 예를 들면 유리나 수지 등의 접착제를 이용하는 방법, 기체 혹은 틀의 적어도 어딘가에 메탈라이즈 혹은 도금을 시 하지는 다 하자 재등을 이용해 접합하는 방법, 열압착에 의해 접합하는 방법, 초음파를 이용해 접합하는 방법, 마찰에 의해 접합하는 방법 등이 있다.접착제를 이용하는 경우 광투과성의 높은 재료를 이용하는 것이 바람직하다.Various methods can be suitably used for bonding the substrate 34 to the substrate 35 to the light emitting element mounting substrate having the recessed space illustrated in FIG. 15. For example, a method using an adhesive such as glass or resin, metallization or plating at least somewhere in the base or frame, bonding using ash, bonding by thermocompression bonding, bonding using ultrasonic waves, friction And the like. In the case of using an adhesive, it is preferable to use a light-transmitting high material.

기체와 틀이 모두 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체인 경우, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 분말 성형체 상호를 동질의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 분말 페이스트 등을 이용해 접착 후 동시 소성하여 접합하는 방법 등도 있다.In the case where both the base and the frame are sintered bodies having a ceramic material as a main component, there is also a method in which powder compacts having the ceramic material as a main component are bonded together using a paste of powder having the same ceramic material as a main component, followed by simultaneous firing.

기체 및 틀 중 어느 쪽인지 한편만이 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체인 경우, 통상 기체와 틀과의 사이의 열팽창율이 다른 경우가 많다. 이와 같이 기체와 틀과의 사이의 열팽창율이 다른 경우 부드러운 실리콘 수지 등의 접착제를 이용해 접합하는 것이 바람직하다. 상기 실리콘 수지 등의 접착제는 광투과성도 높기 때문에 바람직하다. 상기 부드러운 실리콘 수지 등의 접착제는 기체와 틀과의 사이의 열팽창율이 동일한가 가까운 경우여도 사용할 수 있다.When only one of the base and the frame is a sintered body whose main component is a light-transmitting ceramic material, the thermal expansion coefficient between the base and the frame is often different. In this way, when the coefficient of thermal expansion between the base and the mold is different, it is preferable to join using an adhesive such as a soft silicone resin. Adhesives, such as said silicone resin, are preferable because they have high light transmittance. Adhesives, such as the said soft silicone resin, can be used even if the thermal expansion coefficient between a base and a frame is the same or near.

또 본 발명에 대해, 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판으로서 도 16으로 예시한 것처럼 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 의해 일체화한 상태로 음푹패인 공간을 형성한 것도 이용할 수가 있다. 상기 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 의해 일체화한 상태로 형성되는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 음푹패인 공간을 봉지하기 위한 등의 목적으로 뚜껑을 달 수가 있다. 뚜껑은 통상 발광소자를 탑재한 후에 틀에 달아 그 때 뚜껑은 봉지부에 있 어 다, 납재, 유리, 수지 등을 주성분으로 하는 봉지 재료로 발광소자를 봉지한다. 뚜껑의 재료로서 각종 금속, 합금, 유리, 세라믹, 수지 등을 주성분으로 하는 재료가 이용할 수가 있다. 뚜껑의 재료로서 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작으로 하는 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체나 투명한 유리, 수지 등을 이용하면 발광소자로부터의 발광이 너무 손실을 수반하는 일 없이 뚜껑으로부터 기판 외부에 방출할 수 있으므로 바람직하다. 또, 뚜껑의 재료로서 빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 각종 금속, 합금, 유리, 수지, 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체(빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 등을 포함한다)등을 이용하면 발광소자로부터의 발광은 뚜껑을 투과하기 어려워지므로 뚜껑이 장착될 방향으로 상기 발광을 방출시키고 싶지 않은 경우에는 유효하다. 또, 봉지에서 뚜껑의 재료로서 금속, 합금, 유리, 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체 등, 봉지재로서는 다, 납재, 유리 등을 이용하면 기밀 봉지가 가능해진다. 또, 더 뚜껑은 필요에 따라서 이용하지 않아도 좋다. 그 경우 발광소자의 봉지는 음푹패인 공간에 투명한 수지 등을 충전하는 것으로 실시할 수가 있다.In the present invention, as the light emitting element mounting substrate having the recessed space, as shown in FIG. 16, a recessed space formed in a state in which the recessed body is integrated with a sintered body composed mainly of ceramic material can be used. A lid can be attached to the light emitting element mounting substrate formed in an integrated state by the sintered body containing the ceramic material according to the present invention as a main component, for example, to seal the recessed space. The lid is usually attached to the frame after mounting the light emitting element, and the lid is then placed in the encapsulation part. The light emitting element is encapsulated with a sealing material mainly composed of lead material, glass, resin, or the like. As the material of the lid, a material mainly composed of various metals, alloys, glass, ceramics, resins and the like can be used. When using a sintered body, transparent glass, resin, etc., which are mainly composed of various ceramic materials including a sintered body whose main component is aluminum nitride having light transparency as a material of the lid, the light emission from the light emitting device does not involve too much loss. It is preferable because it can emit from the outside of the substrate. Moreover, as a material of a lid, the sintered compact which has various optically impermeable metals, alloys, glass, resin, and various ceramics which are hard to permeate | transmit light (the sintered compact which has a light impermeable aluminum nitride which does not permeate light as a main component, etc.) is included. When light is emitted from the light emitting element, it becomes difficult to penetrate the lid, which is effective when it is not desired to emit the light in the direction in which the lid is to be mounted. In the sealing, when the sealing material such as a sintered body mainly composed of metal, alloy, glass, and various ceramics is used as the material of the lid, a hermetic sealing can be performed using lead material, glass, or the like. In addition, you may not use a lid as needed. In that case, sealing of a light emitting element can be performed by filling a transparent resin etc. in the recessed space.

또, 상기 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 의해 일체화한 상태로 형성되는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 필요에 따라서 도통 비아, 기판 표면에 형성되는 전기 회로 이외에도 기판 내부에 단층 혹은 다층화 된 전기 회로도 마련할 수가 있다. 또, 필요에 따라서 상기 도통 비아나 전기 회로는 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측벽부에도 마련할 수가 있다. 또, 필요에 따라서 상 기 도통 비아, 기판 표면에 형성되는 전기 회로, 기판 내부에 형성되는 내부 전기 회로는 적당 마련하지 않아도 좋다. 또한 상기 도통 비아 및 각종 전기 회로는 동시 소성에 의한 메탈라이즈, 혹은 일단 소성하는 것으로 얻을 수 있는 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새겨 형성하는 후막메탈라이즈, 혹은 스팩터, 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈, 등에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 상기 도통 비아, 혹은 발광소자 탑재측과 반대측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로, 혹은 발광소자 탑재측의 기판 표면에 형성되는 전기 회로, 혹은 기판 내부의 전기 회로를 마련하지 않기 때문에라고 해 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서의 성능에는 특히 영향은 없다.In addition, the light emitting element mounting substrate formed in a state of being integrated with a sintered body containing the ceramic material according to the present invention as a main component, in addition to the conductive vias and the electrical circuit formed on the surface of the substrate, may be monolayered or multilayered in the substrate. It is also possible to prepare an electric circuit. In addition, the conducting via and the electric circuit can be provided in the side wall portion which forms the recessed space as needed. In addition, the conducting via, the electric circuit formed on the substrate surface, and the internal electric circuit formed inside the substrate may not be appropriately provided as necessary. In addition, the conductive vias and various electric circuits may be metallized by co-firing, or thick film metallized later formed on a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material obtained by firing, or by sputtering, vapor deposition or ion. It is preferable to form by thin film metallization by plating etc. In the present invention, no electrical circuit is formed on the surface of the substrate on the side opposite to the conductive via or the light emitting element mounting side, or the electric circuit formed on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side or the internal circuit of the substrate is not provided. There is no particular effect on the performance as a substrate for mounting a light emitting element.

도 32는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 판 모양의 발광소자 탑재용 기판의 내부에 전기 회로가 형성되고 있는 예를 나타낸다. 도 32에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 20에는 내부 전기 회로 43이 형성되고 있다. 발광소자 탑재용 기판 20에는 표면 전기 회로 27이 형성되고 저융점 납재나 도전성 접착제 등의 접속 재료 (도에 나타나지 않았다)에 의해 고정되고 있다. 전기 회로 27은 통상 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성된다. 발광소자 탑재용 기판 20의 전기 회로 27이 형성된 부분에 발광소자 21이 탑재되고 와이어 25에 의해 발광소자 탑재측의 기판 표면의 전기 회로 26으로 전기적으로 접속되고 있다. 표면 전기 회로 26은 도통 비아 40에 의해 내부 전기 회로 43에 접속되어 한층 더 도통 비아 40에 의해 기판의 외 부 표면에 형성되고 있는 표면 전기 회로 41에 접속되고 있다. 본 발명에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 내부 혹은 상기 기판의 표면에 도 32에 나타내는 것 같은 전기 회로가 형성되고 있어도, 기판을 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터 발산된 빛의 힘이 형성된 전기 회로에 의해 줄일 수 있는 것이 적다.32 shows an example in which an electric circuit is formed inside a plate-shaped light emitting element mounting substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material. 32, an internal electric circuit 43 is formed on a light emitting element mounting substrate 20 made of a sintered body composed mainly of a ceramic material. The surface electrical circuit 27 is formed on the substrate 20 for mounting the light emitting element, and is fixed with a connection material (not shown) such as a low melting point solder or a conductive adhesive. The electric circuit 27 is usually formed in a sintered body mainly composed of a ceramic material by metallization, thick film metallization or thin film metallization by co-firing. The light emitting element 21 is mounted on the portion where the electric circuit 27 of the light emitting element mounting substrate 20 is formed, and is electrically connected to the electric circuit 26 on the surface of the substrate on the light emitting element mounting side by a wire 25. The surface electrical circuit 26 is connected to the internal electrical circuit 43 by the conductive via 40 and further connected to the surface electrical circuit 41 formed on the outer surface of the substrate by the conductive via 40. In the present invention, even if an electric circuit such as shown in Fig. 32 is formed in the light emitting element mounting substrate made of a sintered body composed mainly of ceramic material or on the surface of the substrate, the light emitting element penetrates the substrate and is released to the outside. There is little that the power of the emitted light can be reduced by the formed electrical circuit.

도 33은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 내부에 전기 회로가 형성되고 있는 다른 예를 나타낸다. 도 33에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 음푹패인 공간 31을 가지는 발광소자 탑재용 기판 30에는 내부 전기 회로 43이 형성되고 있다. 발광소자 탑재용 기판 30에는 발광소자 21이 탑재되고 비와이어장의 접속 재료 29(한편의 발광소자 전극에 접속되는 접속 재료는 도시하지 않음)에 의해 발광소자 탑재측의 기판 표면의 전기 회로 26으로 전기적으로 접속되고 있다. 표면 전기 회로 26은 도통 비아 40에 의해 내부 전기 회로 43에 접속되어 한층 더 상기 내부 전기 회로 43은 도통 비아 40에 의해 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 기판 표면과 반대측의 기판 외부 표면에 형성되고 있는 표면 전기 회로 41 및 기판의 음푹패인 공간내의 측벽 33의 반대 측에 있는 기판 외부 표면(기판의 측면)에 형성되고 있는 표면 전기 회로 42로 접속되고 있다. 본 발명에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 내부 혹은 상기 기판의 표면에 도 33에 나타내는 것 같은 전기 회로가 형성되고 있어도, 기판을 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터 발산된 빛의 힘이 형성된 전기 회로에 의 해 줄일 수 있는 것이 적다.33 shows another example in which an electric circuit is formed inside a light emitting element mounting substrate having a recessed space formed of a sintered body composed mainly of a ceramic material. 33, an internal electric circuit 43 is formed on a light emitting element mounting substrate 30 having a recessed space 31 composed of a sintered body composed mainly of ceramic material. The light emitting element mounting substrate 30 is mounted on the light emitting element 21 and electrically connected to the electric circuit 26 on the surface of the light emitting element mounting side by the non-wire connecting material 29 (the connecting material connected to one light emitting element electrode is not shown). Is connected. The surface electrical circuit 26 is connected to the internal electrical circuit 43 by the conductive via 40, and the internal electrical circuit 43 is formed on the outer surface of the substrate opposite to the substrate surface on which the light emitting element of the substrate is mounted by the conductive via 40. It is connected to the surface electrical circuit 41 and the surface electrical circuit 42 formed in the board | substrate outer surface (side surface of a board | substrate) on the opposite side to the side wall 33 in the recessed space of a board | substrate. In the present invention, even if an electric circuit such as shown in Fig. 33 is formed in a light emitting element mounting substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material or on the surface of the substrate, the light emitting element penetrates the substrate and is released to the outside. The power of the emitted light is less likely to be reduced by the formed electrical circuit.

도 36은 발광소자 탑재용 기판에 발광소자로부터의 발열을 기판 외부에 방출하기 쉽게 하기 위한 서멀 비아가 형성된 예를 나타낸다. 즉 도 36에 대해 발광소자 탑재용 기판 20의 발광소자 탑재부에 서멀 비아 130이 형성되고 있다. 도 36에 대해 발광소자 탑재용 기판 20에는 그 외에 도통 비아 40 및 표면 전기 회로 41이 형성되고 있다. 도 36에 대해 실제 발광소자 21이 탑재되고 와이어 25에 의해 발광소자와 발광소자 탑재용 기판이 전기적으로 접속되고 있다.FIG. 36 shows an example in which a thermal via is formed on a substrate for mounting a light emitting element so as to easily emit heat generated from the light emitting element to the outside of the substrate. That is, the thermal via 130 is formed in the light emitting element mounting portion of the light emitting element mounting substrate 20 in FIG. 36. 36, the conductive via 40 and the surface electrical circuit 41 are formed on the substrate 20 for mounting the light emitting element. 36, the actual light emitting element 21 is mounted, and the light emitting element and the light emitting element mounting substrate are electrically connected by wire 25. As shown in FIG.

도 37은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 내부에 전기 회로가 형성되고 한층 더 발광소자로부터의 발열을 기판 외부에 방출하기 쉽게 하기 위한 서멀 비아가 형성되고 있는 예를 나타낸다. 즉 도 37에 대해 음푹패인 공간 31을 가지는 발광소자 탑재용 기판 30의 발광소자 탑재부 38에 서멀 비아 130이 형성되고 있다. 도 37에 대해 발광소자 탑재용 기판 30에는 그 외에 도통 비아 40 및 표면 전기 회로 41 및 42, 한층 더 내부 전기 회로 43이 형성되어 또 음푹패인 공간 내부의 발광소자 탑재면에는 표면 전기 회로 26이 형성되고 있다.FIG. 37 shows an example in which an electric circuit is formed inside a light emitting element mounting substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material, and a thermal via is formed to facilitate the emission of heat generated from the light emitting element to the outside of the substrate. . That is, the thermal via 130 is formed in the light emitting element mounting part 38 of the light emitting element mounting substrate 30 having the recessed space 31 with respect to FIG. 37. 37, the conductive via 40 and the surface electrical circuits 41 and 42, and the internal electrical circuit 43 are further formed on the light emitting element mounting substrate 30, and the surface electrical circuit 26 is formed on the light emitting element mounting surface in the recessed space. It is becoming.

도 38은 서멀 비아가 형성된 발광소자 탑재용 기판에 탑재된 발광소자의 예를 나타낸다. 즉, 도 38은 도 37에 나타낸 서멀 비아 130이 형성된 음푹패인 공간 31을 가지는 발광소자 탑재용 기판 30에 발광소자 21이 상하 반전한 상태로 탑재되고 있는 모습을 나타낸다. 도 38에 대해 발광소자 21에 형성되고 있는 외부 전극 중 N형 반도체층에 접속되고 있는 것은 발광소자 탑재용 기판 30의 면측에 형성되 고 있는 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 26으로 저융점 납재나 도전성 접착제 등으로 이루어지는 비와이어장의 접속 재료 29에 의해 고정되고 전기적으로도 접속되고 있다. 한층 더 발광소자 21의 P형 반도체층에 접속되고 있는 외부 전극은 기판 30의 발광소자 탑재면측에 형성되고 있는 동시 소성에 의한 메탈라이즈 혹은 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈 등에 의한 표면 전기 회로 26으로 저융점 납재나 도전성 접착제 등으로 이루어지는 비와이어장의 접속 재료(도에 나타나지 않았다)에 의해 고정되고 전기적으로도 접속되고 있다.38 shows an example of a light emitting element mounted on a light emitting element mounting substrate on which a thermal via is formed. That is, FIG. 38 shows the state in which the light emitting element 21 is mounted upside down on the light emitting element mounting substrate 30 having the recessed space 31 in which the thermal via 130 shown in FIG. 37 is formed. 38, the external electrodes formed on the light emitting element 21 are connected to the N-type semiconductor layer by metallization, thick film metallization, thin film metallization, or the like, which are formed on the surface side of the substrate 30 for mounting the light emitting element. In the surface electrical circuit 26, it is fixed and electrically connected by a non-wire length connecting material 29 made of a low melting point brazing material, a conductive adhesive, or the like. Furthermore, the external electrode connected to the P-type semiconductor layer of the light emitting element 21 is low in the surface electrical circuit 26 by metallization or thick film metallization or thin film metallization by simultaneous firing formed on the light emitting element mounting surface side of the substrate 30. It is fixed and electrically connected by a non-wire length connection material (not shown) which consists of a melting point brazing material, a conductive adhesive, and the like.

도 17은 종래부터의 기판의 예를 나타내는 단면도이다. 도 17에 대해 반사부 101을 가지는 기판 100의 수납부 103에 발광소자 21이 탑재되고 있다. 발광소자로부터의 발광 102가 반사부 101에 의해 반사되고 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측으로부터 기판 외부에 방출된다. 또 기판 100을 구성하는 재료가 예를 들면 알루미늄이나 백색 세라믹 혹은 수지를 주성분으로 하는 것 등과 같이, 발광소자로부터의 발광에 대해서 반사 능력이 높고 상기 발광의 대부분이 기판 탑재면측에 반사되어 버리든가, 혹은 상기 발광소자로부터의 발광을 산란 흡수하기 쉬운 것으로 있든가, 혹은 기판 재료 그 자체가 상기 발광소자로부터의 발광에 대해서 불투과성을 가진 것일까, 등으로 결국 상기 발광소자로부터의 발광을 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 것과 반대측의 면에 투과하는 것이 곤란하다.17 is a cross-sectional view showing an example of a conventional substrate. 17, the light emitting element 21 is mounted in the accommodating portion 103 of the substrate 100 having the reflecting portion 101. As shown in FIG. Light emission 102 from the light emitting element is reflected by the reflecting portion 101 and is emitted to the outside of the substrate from the side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted. In addition, the material constituting the substrate 100 has a high reflecting ability with respect to light emission from the light emitting element, such as mainly composed of aluminum, white ceramic or resin, and most of the light emission is reflected on the substrate mounting surface side. Or is it easy to scatter and absorb light emitted from the light emitting element, or is the substrate material itself impermeable to light emitted from the light emitting element? It is difficult to penetrate the surface on the opposite side to the one mounted.

상기와 같이 종래부터의 발광소자 탑재용 기판에서는, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로 실현되고 있는 발광소자로부터의 발광이 상기 발광소자 탑재 측의 면과는 반대측의 면으로부터 기판 외부에의 방출(부호 104의 점선으로 기록된 화살표)은 곤란하다.As described above, in the conventional light emitting element mounting substrate, light emission from the light emitting element realized by the light emitting element mounting substrate according to the present invention is emitted to the outside of the substrate from the surface opposite to the surface on the light emitting element mounting side. (Arrows indicated by dotted lines at 104) is difficult.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작해 통상 어떠한 재료를 주성분으로 하는 것이어도 문제 없이 이용할 수가 있다. 이러한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 속에서 광투과성을 가지는 것이면 바람직하다. 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성은 높고, 발광소자 탑재용 기판으로서 상기 기판의 내부 혹은 표면에 도통 비아 혹은 전기 회로 혹은 서멀 비아 등이 형성된 것이어도 통상 기판을 투과한 발광소자로부터의 빛의 밝음이나 강도가 줄이는 것은 적다.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 조성이나 소성상태의 미소한 변화에 의한 내부미구조의 불균일성이나 소결 밀도의 저하 혹은 내부 결함의 생성 등의 요인에 의해 광투과성이 작기도 하고, 혹은 광투과성이 없는 것이 되기 쉽지만, 본 발명에 의하면 종래부터 방법을 이용하는 것으로 비교적 용이하게 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다. 즉 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 경우, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체를 헬륨, 네온, 아르곤, 질소 등의 적어도 1종 이상을 주체로 하는 중성 분위기 혹은 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등의 적어도 1종 이상을 포함한 환원성 분위기라고 하는 비산화성 분위기의 상압하에서, 혹은 감압하에서, 혹은 가압하에서 통상 1500~2400℃정도의 온도 범위에서 가열해 제조된다. 소성시간은 통상 10분 ~3시간 정도의 범 위가 이용된다. 또 진공중에서의 소성에 의해서도 제조될 수 있다. 한층 더 핫 프레스법 혹은 HIP(열간 정수압 가압) 소성에 따라도 제조된다. 핫 프레스법에 따르는 소성조건으로서는 상기 비산화성 분위기중 혹은 진공 나카도리상 1500~2400℃정도의 소성온도 범위 및 10분 ~3시간 정도의 범위의 소성시간 및 10 Kg/cm2~1000 Kg/cm2 정도의 압력 범위가 이용된다. 또 HIP법에 따르는 소성조건으로서는 상기 비산화성 분위기를 500 Kg/cm2~10000 Kg/cm2 정도의 범위에 가압해 통상 1500~2400℃정도의 소성온도 범위 및 10분 ~10시간 정도의 범위의 소성시간이 이용된다. 상기의 소성에서 질화 알루미늄 성분이 소성분위기중에 존재하는 것 같은 연구를 실시하는 것으로보다 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다.즉, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 증기가 소성분위기중에 존재하는 것으로 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 보다 이득 쉬워진다. 질화 알루미늄 성분을 소성분위기중에 존재시키는 방법으로서는 예를 들면 피소성물인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 소성중에 상기 피소성물 자체로부터의 증발에 의해 분위기중에 공급하든가, 혹은 상기 피소성물 이외로부터 공급하는 방법이 있다. 구체적으로는 예를 들면, 피소성물자체로부터 질화 알루미늄 성분을 소성분위기중에 공급하는 방법으로서 상기 피소성물을 질화 붕소 혹은 텅스텐, 몰리브덴 등으로 가능한 한 카본을 포함하지 않는 재료로 제작된 「칼집」이나 「갑발」등의 소성용기 혹은 「셋타」등의 소성치구에 수납해 고온에서 굽든가, 혹은 카본을 포함한 소성용기 혹은 소성치구를 이용했다고 해도 그 표면을 질화 붕소등으로 코팅 한 것을 이용하는 등 효과가 있다. 소성용기 혹은 소성치구 등에 수납 후 한층 더 밀폐도를 높인 상태로 피소성물을 소성하는 것으로 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작할 수도 있다.피소성물 이외로부터 질화 알루미늄 성분을 소성분위기중에 공급하는 방법으로서 피소성물을 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 재료로 제작된 「칼집」이나 「갑발」등의 소성용기 혹은 「셋타」등의 소성치구에 수납해 소성하는 것으로 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작할 수가 있다. 또, 피소성물을 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말중에 매설해 소성하는 방법은 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다. 상기 소성용기 혹은 소성치구내에 피소성물 이외의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽이든 1이상의 것을 피소성물과 함께 동시에 존재시켜 소성하여도 광투과율이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작할 수가 있다. 이 방법에서는 피소성물을 프리인 상태로 고온에서 구울 수가 있으므로 제품의 대량 처리나 복잡한 형상의 것을 소성하는 경우에 매우 적합하다. 또한 상기 소성용기 혹은 소성치구 중 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 재료로 제작된 소성용기 혹은 소성치구를 이용해 피소성물 이외의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽이든 1이상의 것을 피소성물과 함께 동시에 존재시켜 소성하여도 광투과율이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작할 수가 있다. 상기 질화 알루미늄 성분을 소성분위기중에 존재시키고 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작하는 방법 속에서, 통상상기 질화 알루미늄 성분을 피소성물자체로부터의 증발에 의해 분위기중에 공급하는 것보다도 피소성물 이외로부터 공급하는 편이 보다 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 제작할 수 있다. 또한 상기 질화 알루미늄 성분을 소성분위기중에 존재시키고 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작하는 방법은, 통상 소결조제 등의 첨가물이나 원료중에 포함되는 산소 혹은 불가피 불순물등의 성분이 소성중에 휘산 하지 않기 때문에 분말 성형체와 거의 같은 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작할 수가 있다.The sintered body whose main component is a ceramic material used as the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention can be used without any problem, including a sintered body whose main component is aluminum nitride. It is preferable to have light transmittance in the sintered compact which has such a ceramic material as a main component. The effectiveness of the light-transmitting sintered body whose main component is a ceramic material used as a light emitting element mounting substrate is high, and a light emitting element mounting substrate has conductive vias, electrical circuits, or thermal vias formed on or inside the substrate. At least, the brightness and intensity of light from the light emitting element that has passed through the substrate are rarely reduced. A sintered body composed mainly of a ceramic material has a nonuniformity of internal microstructure, a decrease in sintered density due to a slight change in composition or plasticity state, or The light transmittance may be small or non-transmissive due to factors such as the generation of defects, but according to the present invention, a sintered body comprising a ceramic material having light transmittance as a main component can be obtained relatively easily by conventional methods. Can be. That is, in the case of a sintered body containing aluminum nitride as a main component, the powder compact including aluminum nitride as a main component includes at least one of a neutral atmosphere such as helium, neon, argon, and nitrogen, or at least one of hydrogen, carbon monoxide, carbon, and hydrocarbons. It is produced by heating in a temperature range of about 1500 to 2400 ° C. under normal pressure, under reduced pressure, or under pressure in a non-oxidizing atmosphere called a reducing atmosphere containing one or more kinds. The firing time usually ranges from 10 minutes to 3 hours. It can also be produced by firing in a vacuum. Furthermore, it is also manufactured by hot pressing or HIP (hot hydrostatic pressure) firing. The firing conditions according to the hot press method include a firing temperature range of about 1500 to 2400 ° C. in a non-oxidizing atmosphere or a vacuum Nakadori phase, a firing time of about 10 minutes to about 3 hours, and about 10 Kg / cm 2 to 1000 Kg / cm 2. The pressure range of is used. In addition, as the firing conditions according to the HIP method, the non-oxidizing atmosphere is pressurized in the range of about 500 Kg / cm 2 to 10000 Kg / cm 2, and the firing time of the firing temperature range of about 1500 to 2400 ° C. and the range of about 10 minutes to about 10 hours This is used. By conducting a study in which the aluminum nitride component is present in the minor component atmosphere in the above firing, a sintered body composed mainly of aluminum nitride having excellent light transmittance can be obtained. By being present, the sintered compact mainly containing aluminum nitride which is excellent in light transmittance becomes easier to gain. As a method of causing the aluminum nitride component to be present in the minor component atmosphere, for example, a powder compact or a sintered body containing aluminum nitride as a main component or an aluminum nitride as a main component may be supplied to the atmosphere by evaporation from the object to be burned. Or there exists a method of supplying from other than said to-be-baked material. Specifically, for example, as a method of supplying an aluminum nitride component from the object to be subjected to the minor component crisis, a "scabbard" or "sheath" made of a material that does not contain carbon as much as possible, such as boron nitride, tungsten, molybdenum, or the like, Even if it is stored in a plastic container such as "Karp" or a plastic jig such as "setter" and bent at a high temperature, or if a plastic container or a plastic jig containing carbon is used, it is effective to use the surface coated with boron nitride or the like. . It is also possible to produce a sintered body composed mainly of aluminum nitride having excellent light transmittance by firing a to-be-encapsulated product in a sealed container or a plastic jig, and further increasing the sealing degree. As a main method, aluminum nitride having excellent light transmittance is mainly made by storing a fired product in a plastic container such as "sheath" or "carapace" made of a material containing aluminum nitride as a main component, or by firing fixtures such as "setter". The sintered compact can be produced. Moreover, the method of embedding a baked material in the powder which has aluminum nitride as a main component and baking can obtain the sintered compact which has aluminum nitride which is excellent in light transmittance as a main component. At least one selected from a powder containing aluminum nitride as a main component, a powder molded body containing aluminum nitride as a main component, or a sintered body containing aluminum nitride as a main component in the firing container or the firing jig is present together with the at least one burned material. Even if it bakes, it can manufacture the sintered compact which has aluminum nitride which is excellent in light transmittance as a main component. In this method, since the to-be-baked material can be baked at a high temperature in a free state, it is very suitable for mass processing of products or firing of complicated shapes. In addition, by using a firing container or a firing jig made of a material containing aluminum nitride as a main component of the firing container or a jig, a powder or a molded body or aluminum nitride containing aluminum nitride as a main component or aluminum nitride as a main component At least one selected from among the sintered compacts can be produced by sintering at least one of the sintered compacts simultaneously with the to-be-fired body and firing, with the aluminum nitride having excellent light transmittance as a main component. In the method of manufacturing a sintered body containing the aluminum nitride component in the minor component atmosphere and having a high light transmittance as the main component, the material is usually less than the aluminum nitride component supplied to the atmosphere by evaporation from the material itself. The sintered compact mainly containing aluminum nitride which is more excellent in light transmittance can be produced by supplying from the other. In addition, the method for producing a sintered body containing the aluminum nitride component in a minor component atmosphere and having a high optical transmittance as a main component is usually a component such as additives such as a sintering aid or oxygen or inevitable impurities contained in the raw material during volatilization. Since it does not, the sintered compact which has aluminum nitride of the composition substantially the same as a powder compact can be manufactured.

그 외, 핫 프레스법이나 HIP법에 따르는 소성에 즈음해서는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체를 그대로 가압 소성하는 것보다도 상기 분말 성형체를 일단 소성하여 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 이루어, 상기 소결체를 재차 가압 소성하는 편이 보다 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다. 또, 핫 프레스법이나 HIP법에 따르는 소성에 대해도, 상기 소성용기나 소성치구를 이용하는 등 각종 방법에 의해 소성분위기중에 질화 아르미니우 성분을 존재시켜 소성하는 것이 보다 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작하는데 있어서 바람직하다.In addition, on the firing according to the hot press method or the HIP method, the powder compact is fired once and the sintered compact containing aluminum nitride as a main component is formed rather than the pressure firing of the powder compact mainly composed of aluminum nitride. It is possible to obtain a sintered body containing aluminum nitride, which is more excellent in light transmittance as a main component, by pressurizing and firing again. In addition, also about the firing by the hot press method or the HIP method, aluminum nitride having excellent light transmittance as a main component is produced by the presence of an armini nitride component in a minor component crisis by various methods such as using the above-described firing container or firing jig. It is preferable in producing the sintered compact which is used.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성을 높이기 위해서 필요에 따라서 상기 이외의 조건도 선택할 수 있다. 예를 들면 1750℃이상의 온도로 3 시간 이상의 비교적 긴 시간을 들이고 요약하면 환원성 분위기중에서 소성을 실시하면 포함되는 산소나 소결조제로서 이용되는 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물 등의 성분 혹은 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 착색하기 위해서 이용되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분이나 카본 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분 예를 들면 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 성분을 비산제거해 감소화할 수 있으므로 ALON(산질화 알루미늄：스피넬형 결정 구조를 가지는 AIN와 Al2O3와의 사이의 화학반응으로 생기는 화합물)나 상기 알루미늄 이외의 금속 성분이나 규소 혹은 카본을 포함한 화합물의 함유량이 저감화되어 AIN 순도가 높아져 그 결과 광투과성이 향상한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조할 수 있고 쉽다.In order to improve the light transmittance of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component, conditions other than the above can also be selected as needed. For example, a relatively long time of 3 hours or more at a temperature of 1750 ° C. or more, in summary, a component such as a rare earth element compound or an alkaline earth metal compound used as an oxygen or a sintering aid which is included when firing in a reducing atmosphere or a firing temperature reducing agent Metal components such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, carbon or Mo, W, V, Nb, which are used to color components such as alkali metals and silicon, or sintered bodies containing aluminum nitride as a main component. Unavoidable metal components other than Ta and Ti, for example, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc can be reduced by scattering and reducing, so that ALON (aluminum oxynitride: spinel crystal structure) Compounds resulting from chemical reactions between AIN and Al2O3), or metals other than the aluminum, or compounds containing silicon or carbon Reducing the content of the higher AIN purity can as a result producing a sintered body of aluminum nitride as a main component improves the light transmittance and easy.

상기와 같이 1750℃이상의 온도로 3시간 이상의 비교적 긴 시간을 들이고 요약하면 환원성 분위기중에서 소성을 실시하는 것으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성을 보다 높일 수가 있지만, 상기 소성에 의해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자가 성장하기 쉽고 그 결과 입자 경계가 감소하는 일도 광투과성이 높아지기 쉬워지는 것의 요인의 하나는 아닐까 본원 발명자는 추측하고 있다.As described above, when a relatively long time of 3 hours or more at a temperature of 1750 ° C. or more is summarized, firing in a reducing atmosphere can improve the light transmittance of a sintered body containing aluminum nitride as a main component. The inventors of the present invention conjecture that the aluminum nitride particles in the sintered compact are likely to grow easily, and as a result, the particle boundary decreases, which is likely to increase the light transmittance.

상기와 같이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 AIN 순도를 높여 혹은 질화 알루미늄 입자가 성장하는 것으로 광투과성이 향상한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조할 때의 소성온도로서 소성시간을 단축하는데 있어서 1900℃이상이 보다 바람직하고, 2050℃이상이 한층 더 바람직하고, 2100℃이상이 가장 바람직하다.2050℃이상은 물론 게다가 2100℃이상의 고온이어도 AIN 성분 자체는 대부분 승화하는 일 없이 고온에서 구울 수 있다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 AIN 순도를 높여 혹은 질화 알루미늄 입자가 성장하는 것으로 광투과성이 향상한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조하기 위해서 소성온도 1750℃~1900℃의 범위에서는 소성시간은 통상 10시간 이상으로 하는 것이 바람직하고 게다가 24시간 이상으로 보다 큰 효과를 얻을 수 있다. 소성온도 1900℃이상에서는 소성시간 6시간 이상으로 충분히 광투과성을 높이는 효과를 얻을 수 있어 게다가 10시간 이상으로 한층 더 광투과율을 높이기 위 한보다 큰 효과를 얻을 수 있다. 소성온도 2050℃이상에서는 소성시간 4시간 이상으로 충분히 광투과성을 높이기 위한 효과를 얻을 수 있어 게다가 6시간 이상으로 광투과성을 높이기 위한 보다 큰 효과를 얻을 수 있다. 또 소성온도 2100℃이상에서는 소성시간 3시간 이상으로 충분히 광투과성을 높이기 위한 효과를 얻을 수 있고 게다가 4시간 이상으로 광투과성을 높이기 위한 보다 큰 효과를 얻을 수 있다. 상기와 같이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 AIN 순도를 높이고 질화 알루미늄 입자를 성장시키는 것으로 상기 소결체의 광투과성을 높이는데 있어서 소성온도를 높이면 소성시간을 짧게 하면 소성온도를 낮게 하면 소성시간이 길어진다고 하는 관계에 있어, 소성온도와 소성시간은 임의의 조건의 것을 이용할 수가 있다.As described above, in order to increase the AIN purity of the aluminum nitride-containing sintered body or to grow the aluminum nitride particles, the firing temperature when shortening the firing time as a sintering temperature when manufacturing the sintered body containing the aluminum nitride having improved light transmittance as the main component is 1900. More than 20 degreeC is more preferable, More than 2050 degreeC is further more preferable, More than 2100 degreeC is the most preferable. Even if it is 2050 degreeC or more, and high temperature of 2100 degreeC or more, AIN component itself can be baked at high temperature, without subliming most. In order to increase the AIN purity of the aluminum nitride-containing sintered body or to produce aluminum nitride-based sintered body whose light transmittance is improved by growing aluminum nitride particles, the firing time is usually in the range of firing temperature of 1750 ° C to 1900 ° C. It is preferable to set it as 10 hours or more, and also a larger effect can be acquired in 24 hours or more. At a firing temperature of 1900 ° C. or more, an effect of sufficiently improving light transmittance can be obtained with a firing time of 6 hours or more, and a greater effect than that for further increasing light transmittance of 10 hours or more. At a firing temperature of 2050 ° C. or more, an effect for sufficiently improving light transmittance can be obtained with a firing time of 4 hours or more, and further, a greater effect for improving light transmittance can be obtained for 6 hours or more. Moreover, at the baking temperature of 2100 degreeC or more, the effect for fully improving light transmittance can be acquired by baking time more than 3 hours, and also the larger effect for improving light transmittance can be obtained more than 4 hours. As described above, by increasing the AIN purity of the aluminum nitride-containing sintered compact and growing the aluminum nitride particles, in order to increase the light transmittance of the sintered compact, if the firing temperature is shortened, the firing time is shortened. In this regard, the firing temperature and the firing time may be any ones.

상기와 같이 AIN 순도를 높이는 것으로 높은 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조할 때의 소성분위기는 불순물을 보다 휘산 시 키고 쉽게 하기 위해서 예를 들면 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등의 적어도 1종 이상을 포함한 환원성 분위기를 이용하는 것이 바람직하다.환원성 분위기로서는 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등 중에서 적어도 1종 이상을 주체로 하는 것이라도 좋지만 질소, 헬륨, 네온, 아르곤등중에서 적어도 1종 이상을 주체로 하는 분위기중에 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등중에서 적어도 1종 이상을 예를 들면 0.1 ppm 정도의 미량 포함한 분위기여도 좋다.환원성 분위기가 질소, 헬륨, 네온, 아르곤등중에서 적어도 1종 이상을 주체로 하는 분위기중에 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등 중에서 적어도 1종 이상을 미량 포함한 분위기인 경우 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등 중에서 적어도 1종 이상을 10 ppm 이상 포함하는 것이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 고순도화하는데 있어서 보다 바람직하다. 또 전기 환원성 분위기에 대해 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등중에서 적어도 1종 이상을 100 ppm 이상 포함하는 것이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 고순도화해 광투과성을 높이는데 있어서 게다가 바람직하다.As mentioned above, in order to make the sintered compact mainly composed of aluminum nitride having high light transmittance by increasing the AIN purity, at least a small amount of hydrogen, carbon monoxide, carbon, hydrocarbon or the like is used to make the impurities more volatilized and easier. It is preferable to use a reducing atmosphere containing one or more kinds. The reducing atmosphere may be mainly composed of at least one of hydrogen, carbon monoxide, carbon, and hydrocarbons, but at least one of nitrogen, helium, neon, argon, etc. At least one kind of hydrogen, carbon monoxide, carbon, hydrocarbons, etc. may be included in a main atmosphere, for example, at least 0.1 ppm. A reducing atmosphere may include at least one kind of nitrogen, helium, neon, argon, etc. In hydrogen, carbon monoxide, carbon, hydrocarbons, etc. If the atmosphere of at least one or more, including a very small amount is more preferable to be highly purified screen the sintered body mainly composed of aluminum nitride containing hydrogen, carbon monoxide, carbon, hydrocarbon at least one kind or more from at least 10 ppm and more. Moreover, it is more preferable to contain at least 1 or more types of 100 ppm or more among hydrogen, carbon monoxide, carbon, a hydrocarbon, etc. with respect to an electroreductive atmosphere in order to high-purify the sintered compact which has aluminum nitride as a main component, and to improve light transmittance.

질화 알루미늄 입자를 성장시키는 것으로 광투과성을 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조할 때의 분위기는 특히 환원 분위기를 이용하는 필요성은 없고 비산화성의 분위기이면 충분하다.The atmosphere at the time of manufacturing a sintered compact mainly containing aluminum nitride having high light transmittance by growing aluminum nitride particles does not need to use a reducing atmosphere, and a non-oxidizing atmosphere is sufficient.

상기와 같은 비교적 긴 시간 소성을 실시해 AIN의 순도를 높여 혹은 질화 알루미늄 입자를 성장시키는 것으로 광투과성을 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조할 때, 질화 알루미늄 원료 분말을 주성분으로 하는 분말 성형체를 이용해 소성하여도 괜찮고, 전기 분말 성형체를 일단 소성하여 소결체로 한 것 을 이용해도 좋다. 또, 주성분인 질화 알루미늄 이외에 희토류 원소 화합물 혹은 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체나 소결체를 이용하는 일도 바람직하다.When producing a sintered body containing aluminum nitride as its main component by increasing the purity of AIN or growing aluminum nitride particles by performing the above-mentioned relatively long time firing, the aluminum nitride raw material powder is used as a powder molding. It may be calcined, or an electric powder compact may be calcined once to form a sintered body. Moreover, it is also preferable to use the powder compact or sintered compact which has aluminum nitride containing at least 1 sort (s) or more selected from a rare earth element compound or an alkaline earth metal compound other than aluminum nitride which is a main component.

AIN 순도의 높은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조할 경우에는 특히 소결조제를 사용하지 않고 원료 분말을 그대로 사용한 분말 성형체나 소결체를 이용하고 바람직하지는 앞에서 본 같은 환원성 분위기중 1750℃이상의 온도로 3시간 이상 가열해 포함되는 성분을 휘산제거해도 괜찮지만, 상기와 같이 희토류 원소 화합물 혹은 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체나 소결체를 이용하는 것이 AIN 이외의 성분을 휘산제거, 저감화해 고순도화를 달성되고 쉽기 때문에 보다 바람직하다. 또, 희토류 원소 화합물로부터 선택된 화합물을 적어도 1종 이상 및 알칼리 토류 금속 화합물로부터 선택된 화합물을 적어도 1종 이상 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 혹은 분말 성형체를 일단 소성하여 소결체로 한 것을 이용하는 것으로, 희토류 원소 화합물 혹은 알칼리 토류 금속 화합물을 각각 단독으로 이용했을 경우에 비해 소성온도를 50℃~300℃정도로 저하하는 것이 가능해져 효율적으로 질화 알루미늄 이외의 성분을 휘산제거, 저감화해 고순도화를 달성되고 쉬워지므로 다 바람직하다. 이러한 방법에 의해 X선회절 등의 방법을 이용한 만큼 석으로 실질적으로 AIN 단일상으로 이루어지는 질화 알루미늄 소결체도 제조할 수 있다.In the case of producing a sintered body containing aluminum nitride having a high purity of AIN as a main component, a powder compact or a sintered body using raw material powder without using a sintering aid is particularly preferable. Although the above components may be volatilized and removed, it is preferable to use a powder compact or a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one or more selected from rare earth element compounds or alkaline earth metal compounds as described above. It is more preferable because volatilization removes and reduces and high purity is achieved. Further, by firing a powder compact or powder compact mainly composed of aluminum nitride containing at least one compound selected from the rare earth element compounds and at least one compound selected from the alkaline earth metal compounds simultaneously as a sintered compact, Compared to the case of using the rare earth element compound or the alkaline earth metal compound alone, the firing temperature can be reduced to about 50 ° C. to 300 ° C., and volatilization and reduction of components other than aluminum nitride can be efficiently achieved to achieve high purity. It is all desirable. By such a method, an aluminum nitride sintered body composed of AIN single phase substantially in stone can also be produced by using methods such as X-ray diffraction.

본원 발명에 대해 기판으로서 이용하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소 결체의 AIN 순도를 높이는 것은 상기 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판의 광투과성을 높이기 위해서 유효하다.In this invention, increasing the AIN purity of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component used as a board | substrate is effective in order to improve the light transmittance of the light emitting element mounting substrate using the said sintered compact.

또 한편으로 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 일도 유효하다. 즉 예를 들면 전기 분말 성형체나 소결체를 1750℃이상의 온도로 3시간 이상의 비교적 긴 시간을 들여 소성을 실시해 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 질화 알루미늄 입자는 크게 성장하고 있을 뿐으로 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물 등의 소결조제, 혹은 산소, 혹은 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 착색하기 위해서 이용되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분이나 카본 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분 예를 들면 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 성분, 혹은 ALON나 상기 알루미늄 이외의 금속 성분이나 규소 혹은 카본을 포함한 화합물 등의 성분이 비교적 많이 잔존하고 있는 경우가 있다. 이러한 질화 알루미늄 이외의 성분을 비교적 많이 포함할 뿐으로 질화 알루미늄 입자가 성장하고 있는 소결체여도 광투과성은 높아지기 쉽고, 상기 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것이 유효가 된다. 즉 본 발명에 대해 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서 이용되는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 반드시 AIN 순도의 높은 것으로 않아도 소결체 중의 질화 알루미늄 입자를 크게 하는 것이 유효한 것을 나타내고 있다. 그 이유로서 소결체 중의 질화 알루미늄 결정립자의 크기가 증대화하면 립계가 감소하므로 립계의 영향이 적게 되어 이 크게 증대한 AIN 입자가 단결정에 가까운 성질을 발현하기 쉬워져, 그 결과 광투과성이 높아지기 쉬워지기 때문이라고 추측된다. 질화 알루미늄 소결체 중의 순도는 상기 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하기에 즈음해 후막메탈라이즈 혹은 박막 메탈라이즈에 의한 전기 회로를 형성할 때의 해메탈라이즈의 기판에 대한 접합성, 혹은 유리나 수지 등의 봉지재와 기판과의 접합성, 혹은 그 외 접착제나 납재 등에 의한 이종 재료와의 접합성 등에 영향을 주는 경우가 많다. 즉 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 대해, AIN 순도는 특히 높지 않아도 해메탈라이즈의 재료나 그 형성 방법, 봉지재의 재질이나 그 형성 방법, 접착제나 납재의 재질이나 그 형성 방법, 등에 대응한 AIN 순도이면 좋다.On the other hand, it is also effective to use a sintered body composed mainly of aluminum nitride in which aluminum nitride particles have grown as a substrate for mounting a light emitting element. That is, for example, aluminum nitride particles, which are obtained mainly by firing an electric powder compact or a sintered body at a temperature of 1750 ° C. over 3 hours or longer, have a large amount of rare earth element compounds. Mo, W, V, Nb, which are used to color sintering aids such as alkali earth metal compounds, or components such as alkali metals and silicon used as oxygen or calcination temperature reducing agents, or sintered bodies containing aluminum nitride as a main component, Metal components such as Ta, Ti, carbon or inevitable metal components other than Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, for example, components such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, Alternatively, there may be relatively large amounts of components such as metal components other than ALON or the aluminum, compounds containing silicon or carbon, and the like. . Even if the sintered compact in which the aluminum nitride particles are grown grows containing only a relatively large amount of components other than such aluminum nitride, the light transmittance tends to be increased, and it is effective to use the sintered compact as a light emitting element mounting substrate. That is, the sintered compact mainly composed of aluminum nitride used as the substrate for mounting the light emitting element according to the present invention shows that it is effective to increase the aluminum nitride particles in the sintered compact even if the AIN purity is high. For this reason, as the size of the aluminum nitride crystal grains in the sintered body increases, the grain boundary decreases, so the influence of the grain boundary decreases, and this greatly increased AIN particle tends to exhibit properties close to the single crystal, and as a result, light transmittance tends to increase. It is assumed. Purity in the aluminum nitride sintered body is such that when the sintered body is used as a light emitting device mounting substrate, the bonding property to the substrate of the hametallized when forming an electric circuit by thick film metallization or thin film metallization, or glass or resin, etc. It often affects the bonding property between the sealing material and the substrate or the bonding property between different materials by an adhesive or a brazing material. In other words, with respect to a substrate for mounting a light emitting element composed of a sintered body composed mainly of aluminum nitride in which aluminum nitride particles have grown, the AIN purity is not particularly high, but the material of the metallurgy, its formation method, sealing material, its formation method, adhesive or brazing material The AIN purity may be appropriate to the material, the formation method thereof, and the like.

상기와 같이 높은 온도로 장시간 소성하면 소결체 중의 질화 알루미늄 결정립자의 크기가 증대화하지만 통상 그것과 동시에 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 소결조제, 첨가물등의 휘산이 생기기 쉽다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 결정립자의 크기를 증대화 시키는 것만으로 AIN 소결체 중의 소결조제, 첨가물등의 휘산을 억제하기 위해서는 소성분위기를 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등의 환원성 성분의 비교적 적은 질소나 아르곤등의 비산화성 분위기를 이용하는 것이 바람직하다. 또 소성으로 카본 발열체를 이용하는 방식의 것 혹은 전자 유도로 카본을 발열시키는 방식의 것 혹은 카본제의 로재를 가지는 것 등도 이용할 수가 있지만 그 이외의 예를 들면 텅스텐, 몰리브덴등의 고융점 금속을 발열체로 하는 방식의 것 혹은 전자 유도로 텅스텐, 몰리브덴 등의 고융점 금속을 발열시키는 방식 혹은 텅스텐, 몰리브덴등의 고융점 금속제의 로재를 이용한 것 등을 이용하는 것이 유효한 경우가 있다. 또 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등을 포함한 환원성 분위기중에서 소성하여도 혹은 카본 발열체를 이용하는 방식의 것이나 전자 유도로 카본을 발열시키는 방식의 소성로를 이용해도, 전기 분말 성형체나 소결체를 질화 알루미늄이나 질화 붕소 혹은 텅스텐 등으로 가능한 한 카본을 포함하지 않는 셋타나 치구 혹은 칼집내에 수납하든가, 혹은 질화 알루미늄 분말중에 매설하든가, 혹은 카본을 포함한 셋타나 치구 혹은 칼집을 이용했다고 해도 질화 알루미늄 분말중에 매설하든가, 혹은 상기 셋타나 치구 혹은 칼집내에 수납해 한층 더 질화 알루미늄 분말중에 매설하는 등, 가능한 한 환원성 분위기와 격절 한 상태로 소성하는 일도 유효하다.As long as it bakes at a high temperature as mentioned above for a long time, the size of the aluminum nitride crystal grains in a sintered compact will increase, but at the same time, volatilization of sintering aids, additives, etc. in a sintered compact mainly containing aluminum nitride is likely to occur. In order to suppress volatilization of the sintering aid and additives in the AIN sintered body only by increasing the size of the aluminum nitride crystal grains in the sintered body containing aluminum nitride as a main component, the small component risk is relatively low in reducing components such as hydrogen, carbon monoxide, carbon, and hydrocarbons. It is preferable to use non-oxidizing atmospheres, such as nitrogen and argon. In addition, the carbon heating element may be used for firing, the carbon heating element may be used for electromagnetic induction, or the carbon steel may be used. However, other high-melting metals such as tungsten and molybdenum may be used as the heating element. It is sometimes effective to use a method of generating a high melting point metal such as tungsten or molybdenum or a furnace material made of a high melting point metal such as tungsten or molybdenum by electromagnetic induction. In addition, even when firing in a reducing atmosphere containing hydrogen, carbon monoxide, carbon, hydrocarbons, or the like, or by using a carbon heating element or a firing furnace in which carbon is generated by electron induction, the electrical powder compact or sintered body may be formed of aluminum nitride or boron nitride. Or stored in a setter, jig or sheath that does not contain carbon as much as possible, such as tungsten, or embedded in aluminum nitride powder, or embedded in aluminum nitride powder even if setta, jig or sheath containing carbon is used, or It is also effective to store in a setter, jig or sheath and to bury in a reducing atmosphere as much as possible, for example, embedding in aluminum nitride powder.

상기와 같은 소결체의 고순도화를 억제하는 것 같은 소성이 아니고 카본 발열체를 이용하는 방식의 것 혹은 전자 유도로 카본을 발열시키는 방식의 것 혹은 카본제의 로재를 이용한 소성로등을 이용하거나, 카본제의 셋타나 치구 혹은 칼집을 이용해 전기 분말 성형체 혹은 소결체를 소성하면 자발적으로 일산화탄소나 탄소를 포함한 환원 분위기가 형성되고 쉽기 때문에 AIN 이외의 성분이 휘산제거되고 쉬워져 AIN 순도가 높고 한편 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 용이하게 얻을 수 있으므로 바람직하다. 통상 카본 발열체를 이용하는 방식의 것 혹은 전자 유도로 카본을 발열시키는 방식의 것 혹은 카본제의 로재를 이용한 소성로등을 이용해 동시에 카본제의 셋타나 치구 혹은 칼집을 이용해 전기 분말 성형체 혹은 소결체를 소성하는 것이 AIN 순도가 높고 한편 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조하는데 있어서 바람직하다.It is not a sintering that suppresses the high purity of the sintered body as described above, but a method of using carbon heating elements or a method of generating carbon by electromagnetic induction, or a sintering furnace using carbon furnace materials or the like. When the electric powder compact or sintered body is fired using a tartar or jig or a sheath, a reducing atmosphere containing carbon monoxide or carbon is spontaneously formed and easily removed, so that the components other than AIN are volatilized and easily removed. Since the sintered compact which has as a main component can be obtained easily, it is preferable. Usually, the carbon heating element is used, or the method of generating carbon by electromagnetic induction, or the firing furnace using a carbon furnace, etc., and simultaneously firing the electric powder compact or sintered body using a carbon setter, jig or sheath. It is preferable in manufacturing the sintered compact which has high AIN purity and whose aluminum nitride particle | grains which the aluminum nitride particle grew were made into as a main component.

AIN 순도가 높고 한편 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 발광소자 탑재용 기판으로서 바람직하지만, 반드시 AIN의 순도가 높지 않아도, 즉 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물 등의 소결조제, 혹은 산소, 혹은 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 착색제로서 이용되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분이나 카본, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분, 혹은 ALON나 상기 알루미늄 이외의 금속 성분이나 규소 혹은 카본을 포함한 화합물 등의 성분이 비교적 많이 잔존하고 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체여도 질화 알루미늄 입자가 성장한 것이면 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판이 될 수 있다. 상기와 같은 불순물이 잔존하고 있을 뿐으로 질화 알루미늄 입자가 성장하고 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체여도 광투과성이 부족하거나 혹은 작은 것 만일거라고는 할 수 없지 않고, 파장 200 nm~800 nm의 범위의 광투과율이 60%~80%의 높은 것도 얻을 수 있다. 이러한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 뛰어난 기판이 될 수 있다.A sintered body having a high purity of AIN and containing aluminum nitride having grown aluminum nitride particles as a main component is preferable as a substrate for mounting a light emitting element. Oxygen or a component such as an alkali metal or silicon used as a calcination temperature reducing agent, or a metal component such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, or carbon used as a colorant, or Mo, W, V, Nb, Gallium nitride as long as aluminum nitride particles are grown, even if it is a sintered body whose main component is aluminum nitride in which unavoidable metal components other than Ta and Ti, or metal components other than ALON and the above-mentioned aluminum, or compounds containing silicon or carbon remain relatively Luminescence mainly containing at least one selected from indium nitride, aluminum nitride and aluminum nitride It can be a substrate for mounting those. Even if the above impurity remains and a sintered body mainly composed of aluminum nitride in which aluminum nitride particles are grown, light transmittance is insufficient or small. It is not necessarily the case that the light has a wavelength of 200 nm to 800 nm. A high transmittance of 60% to 80% can also be obtained. Such a sintered body containing aluminum nitride as a main component can be an excellent substrate for mounting a light emitting element containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component.

이러한 AIN 순도의 높은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 AIN 순도가 높고 한편 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 가시광선 혹은 보라색 외광에 대한 광투과성이 높아진다. 게다가 열전도율도 예를 들면 실온에 대해 200 W/mK이상 혹은 220 W/mK이상으로 향상할 수 있다고 하는 부차적인 효과를 가져온다.원래 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 열전도율이 실온에 대해 적어도 50 W/mK이상, 통상은 100 W/mK이상으로 높고 그 때문에 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하면 발광소자에 더해지는 전력을 크게 할 수 있으므로 발광소자의 발광 출력이 높아진다고 하는 이점을 가지지만, 한층 더 예를 들면 상기와 같은 방법으로 열전도율을 실온에 대해 200 W/mK이상으로 높이는 것으로 한층 더 발광소자의 발광 출력을 높이는 것이 성과보다 바람직하다.A sintered body containing aluminum nitride with high AIN purity as the main component, or a sintered body containing aluminum nitride grown with aluminum nitride particles, or a sintered body containing aluminum nitride having high AIN purity and grown with aluminum nitride particles as the main component may be exposed to visible light or purple external light. Light transmittance is increased. In addition, the thermal conductivity also has the secondary effect of improving the thermal conductivity to, for example, 200 W / mK or higher and 220 W / mK or higher with respect to room temperature. The original sintered body containing aluminum nitride has a thermal conductivity of at least 50 W / mK or higher, usually 100 W / mK or higher. Therefore, when a sintered body containing aluminum nitride as a main component is used as a substrate for mounting a light emitting element, the power added to the light emitting element can be increased. Although, for example, it is more preferable to improve the light emission output of the light emitting device by increasing the thermal conductivity to 200 W / mK or more with respect to room temperature in the same manner as described above.

한층 더 상기 AIN 순도의 높은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 가시광선 및/또는 파장 200 nm~380 nm의 범위의 보라색 외광에 있어서의 광투과성이 높아져 광투과율로서 20~40%이상으로 비교적 높은 것을 얻기 쉽기 때문에 발광소자로부터의 빛이 기판으로 흡수되는 비율이 줄어들어 발광소자의 발광 효율이 높아진다고 하는 다른 이점도 있다.Furthermore, the sintered compact containing the aluminum nitride having the high AIN purity as the main component or the aluminum nitride in which the aluminum nitride particles are grown has a light transmittance in visible light and / or purple external light having a wavelength of 200 nm to 380 nm. Since it is easy to obtain a relatively high thing, such as 20-40% or more as a light transmittance, there exists another advantage that the light emission efficiency of a light emitting element becomes high because the ratio which light from a light emitting element is absorbed to a board | substrate is reduced.

상기의 고순도화 된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성을 높이기 위해서는 소성에 제공하는 분말 성형체나 소결체의 형상은 어떠한 것에서도 이용할 수가 있지만 같은 체적이면 입방체나 직방체 혹은 원주상 등의 블록장보다 예를 들면 판 모양 등 보다 표면적의 큰 것을 이용하는 것이 바람직하다. 또 상기 소성에 제공하는 분말 성형체나 소결체의 형상으로 그 1변의 크기가 8.0 mm 이하의 것을 이용하는 것이 고순도화 된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성을 높이는데 있어서 바람직하다. 한층 더 상기의 1변의 크기가 5 mm 이하의 것을 이용하는 것이 보다 바람직하고, 상기의 1변의 크기가 2.5 mm 이하의 것을 이용하는 것이 게다가 바람직하고, 1변의 크기가 1 mm 이하의 것을 이용하는 것이 가장 바람직하다. 상기 소성에 제공하는 분말 성형체나 소결체의 형상이 판 모양 때 그 두께는 8 mm 이하의 것을 이용하는 것이 고순도화 된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성을 높이는데 있어서 바람직하다. 한층 더 상기 판 모양의 분말 성형체나 소결체의 두께는 5 mm 이하의 것을 이용하는 것이 보다 바람직하고, 두께 2.5 mm 이하의 것을 이용하는 것이 게다가 바람직하고, 두께 1 mm 이하의 것을 이용하는 것이 가장 바람직하다. 상기에 나타낸 것을 구체적으로 말하면 예를 들면, 조성이 실질적으로 같아 실질적으로 AIN 단일상의 소결체여도 상기 입방체나 직방체 혹은 원주상 등의 블록장의 것 혹은 1변이 8 mm를 넘는 분말 성형체나 소결체를 이용해 제조한 고순도화 된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 판 모양 혹은 1변이 8 mm 이하의 성형체나 소결체를 이용해 제조한 것에 비해 광투과성이 저감화해, 경우에 따라서는 착색해 광투과율이 제로에 가까운 것이 되는 경우가 있다. 그 이유는 반드시 명확하지 않지만, 소성의 과정에서 AIN 이외의 성분이 휘산제거되는에서 해휘산성분의 압력이 높아져 소결체로부터 급격한 빠지는 방법을 하거나 예를 들면 소결조제의 Y2O3 등 휘산중에 X선회절이나 화학분석으로는 판별 불가능한 미량 성분이 질화물이나 탄화물 등의 환원 생성물에 변질하기 때 문에는 아닐까 추측된다.In order to increase the light transmittance of the sintered compact containing the highly purified aluminum nitride as a main component, the shape of the powder compact or the sintered compact to be used for firing can be used in any one, but if the same volume is used, it is better than the block length such as a cube, a cuboid or a columnar shape. For example, it is preferable to use a larger surface area than a plate shape. Moreover, it is preferable to use the thing of the size of 8.0 mm or less in the shape of the powder compact and sintered compact provided for the said baking in order to improve the light transmittance of the sintered compact which has a high purity aluminum nitride as a main component. Furthermore, it is more preferable to use the thing whose size of said one side is 5 mm or less, It is still more preferable to use the thing whose size of said one side is 2.5 mm or less, It is most preferable to use the thing whose size of one side is 1 mm or less. . When the shape of the powder compact or the sintered compact to be used for the sintering is in the form of a plate, it is preferable to use the one having a thickness of 8 mm or less in order to increase the light transmittance of the sintered compact mainly composed of highly purified aluminum nitride. Furthermore, as for the thickness of the said plate-shaped powder compact and sintered compact, it is more preferable to use the thing of 5 mm or less, It is still more preferable to use the thing of thickness 2.5mm or less, It is most preferable to use the thing of thickness 1mm or less. Specifically, for example, the composition is substantially the same, even if the sintered body of AIN single phase is substantially the same as that of a block, such as a cube, a cuboid or a cylinder, or a powder molded body or sintered body of more than 8 mm on one side. In a sintered body containing high purity aluminum nitride as a main component, the light transmittance is reduced, and in some cases, colored and the light transmittance is close to zero compared with the plate-shaped or one side manufactured using a molded body or sintered body of 8 mm or less. There is. The reason for this is not always clear. However, during the calcination process, when the components other than AIN are volatilized off, the pressure of the volatile acid component increases, so that a rapid release from the sintered body or X-ray diffraction or chemical analysis is carried out during volatilization such as Y2O3 of the sintering aid. It is speculated that the trace component, which cannot be discriminated from, may deteriorate with reducing products such as nitride and carbide.

또한 본 발명에 대해 기판의 두께와는 통상 발광소자가 탑재되는 부분의 기판 두께이다. 또, 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 경우는 음푹패인 공간을 형성하는 측벽 부분의 기판 두께도 의미한다. 이것을 도(도 30 및 도 31)에 의해 설명한다. 즉, 도 30은 발광소자 탑재용 기판이 판 모양인 경우의 예를 나타내는 단면도이다. 도 30에 대해 기판 20의 발광소자 21이 탑재되는 부분의 t1로 가리키는 치수가 상기 발광소자가 탑재되는 부분의 기판 두께이다. 도 31은 발광소자 탑재용 기판이 음푹패인 공간을 가지는 경우의 예를 나타내는 단면도이다. 도 31에 대해 음푹패인 공간 31이 형성되고 있는 기판 30의 발광소자 21이 탑재되고 있는 부분의 t1로 가리킨 치수가 상기 발광소자가 탑재되는 부분의 기판 두께이며, 음푹패인 공간을 형성하고 있는 기판 부분의 t2로 가리킨 치수가 음푹패인 공간을 형성하는 측벽 부분의 기판 두께이다. 본 발명에 있어서의 기판 두께란, 통상 이들 발광소자가 탑재되는 부분의 기판 두께 및 음푹패인 공간을 형성하는 측벽 부분의 기판 두께를 총칭한 것이다. 본 발명에 대해 t1 및 t2 각각이 8.0 mm 이하인 것이 바람직하다.In addition, with respect to this invention, the thickness of a board | substrate is the board | substrate thickness of the part in which a light emitting element is mounted normally. In addition, in the case of the board | substrate for light emitting element mounting which has a recessed space, the board | substrate thickness of the side wall part which forms a recessed space also means. This will be explained with reference to FIGS. 30 and 31. That is, FIG. 30 is sectional drawing which shows the example when the board | substrate for light emitting element mounting is plate-shaped. 30, the dimension indicated by t1 of the portion where the light emitting element 21 of the substrate 20 is mounted is the thickness of the substrate of the portion where the light emitting element is mounted. 31 is a cross-sectional view illustrating an example in which the substrate for mounting a light emitting element has a recessed space. The dimension indicated by t1 of the portion where the light emitting element 21 of the substrate 30 on which the recessed space 31 is formed is shown in FIG. 31 is the substrate thickness of the portion where the light emitting element is mounted, and the substrate portion which forms the recessed space. The dimension indicated by t2 is the substrate thickness of the sidewall portion forming the recessed space. The substrate thickness in the present invention generally refers to the substrate thickness of the portion where these light emitting elements are mounted and the substrate thickness of the sidewall portion forming the recessed space. It is preferred for the present invention that t1 and t2 are each 8.0 mm or less.

또, 도 30 및 도 31은 발광소자 탑재용 기판에 탑재된 상태의 발광소자를 예시하고 있다.30 and 31 illustrate light emitting elements in a state where they are mounted on a light emitting element mounting substrate.

상기 예시한 방법 등을 적당 이용하는 것으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의, 1) 치밀도, 2) 기공의 양이나 크기, 3) 소결조제 등의 양이나 분포, 4) 산소의 함유량이나 존재 상태, 5) 소결조제 이외의 불순물의 양이나 분포, 6) 질화 알루미늄 입자의 크기나 입도 분포, 7) 질화 알루미늄 입자의 형상, 등을 제어해 광투과성을 높일 수가 있다.1) Density, 2) Amount and size of pores, 3) Amount and distribution of a sintering aid, 4) Oxygen content and presence state, 5) The amount and distribution of impurities other than the sintering aid, 6) the size and particle size distribution of the aluminum nitride particles, 7) the shape and the like of the aluminum nitride particles can be controlled to improve the light transmittance.

또, 상기와 같이 포함되는 알루미늄 및 질소 이외의 성분을 비산제거해 감소화 시키는 소성에 의해 제조된 소결체는 통상의 소성(상기한 감압하, 상압하, 분위기 가압하, 핫 프레스, HIP등의 방법을 포함한다)에 의해 제조된 것에 비해 광투과성이 높아져, AIN 순도도 높아져, 질화 알루미늄 입자의 크기도 커지는, 열전도율도 높아진다, 라고 하는 특징이 있다. 이러한 소결체는 다결정체이지만 립계의 영향이 적게 되므로 단결정의 성질과 상태에 가까워진다. 그 때문에 상기 소결체를 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 경우, 상기 발광소자로서 발광 효율 및 발광 출력이 향상한 것을 탑재하기 쉽다. 본 발명은 이러한 고순도화를 목적으로 한 소성에 의해 제조되는 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 질화 알루미늄 입자의 크기를 성장시킨 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 AIN 순도를 높이고 질화 알루미늄 입자의 크기를 성장시킨 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판을 제공한다.In addition, the sintered body produced by the sintering to remove and reduce components other than aluminum and nitrogen included as described above is subjected to the normal sintering (under the above-mentioned pressure reduction, normal pressure, atmosphere pressurization, hot press, HIP, etc.). Light transmittance, the AIN purity is high, and the size of the aluminum nitride particles is also increased, so that the thermal conductivity is high. Such a sintered body is a polycrystal, but since the influence of grain boundaries is small, the sintered body is close to the properties and state of the single crystal. Therefore, when the sintered compact is used as a light emitting element mounting substrate having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component, the light emitting element is equipped with improved luminous efficiency and light emission output. easy. The present invention provides a sintered body made of aluminum nitride having high AIN purity produced by firing for the purpose of high purity, or a sintered body made of aluminum nitride having grown size of aluminum nitride particles or AIN purity, and made of aluminum nitride particles Provided is a substrate for mounting a light emitting device using a sintered body containing aluminum nitride having a grown size as a main component.

상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 제조에 이용하는 원료 분말은 산화 알루미늄을 카본 등으로 환원해 질화 하는 산화물 환원법, 혹은 금속 알루미늄을 직접 질화 하는 금속 알루미늄의 직접 질화법, 혹은 염화 알루미늄, 새 메틸 알루미늄, 아르미니움아르코키시드등의 알루미늄 화합물을 분해해 기상중에서 암모니아 등을 이용해 반응 질화 하는 CVD법, 이라고 하는 방법으로 제작된 것이 사용된다. 소결체의 광투과성을 높이기 위해서는 원료로서 입자 지름이 서브 미크론으로 샤프한 입도 분포를 가지는 것, 또 성형체를 제작했을 때 상기 성형체의 밀도가 높은 일, 한층 더 화확적인 순도의 높은 것이 바람직하다. 그 때문에 상기 방법에 따르는 원료 중 산화 알루미늄을 카본 등으로 환원해 질화 하는 산화물 환원법에 의해 제작된 것, 혹은 금속 알루미늄을 직접 질화 하는 금속 알루미늄의 직접 질화법에 의해 제작된 것을 각각 단독으로 이용하든가 혹은 이러한 원료를 혼합해 이용하는 것이 바람직하다.The raw material powder used for the production of the sintered body containing aluminum nitride as a main component is an oxide reduction method of reducing aluminum oxide with carbon or the like, or direct nitriding of metal aluminum directly nitriding metal aluminum, or aluminum chloride, new methyl aluminum, What is produced by the method called CVD method which decomposes aluminum compounds, such as an arminimum arkokiside, and reacts and nitrides with ammonia etc. in a gaseous phase is used. In order to increase the light transmittance of the sintered compact, it is preferable that the raw material has a particle size distribution whose particle diameter is sharp at submicron, and that the density of the molded article is high when the molded article is produced, and that the higher the purity is. Therefore, among the raw materials according to the above method, one produced by the oxide reduction method of reducing and nitriding aluminum oxide to carbon, or one produced by the direct nitriding method of metal aluminum directly nitriding metal aluminum is used alone, or It is preferable to mix and use these raw materials.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 상기 제조법을 적당 이용하는 것으로 60~80%정도 혹은 80~90%이상의 것을 얻을 수 있다. 본 발명에 대해 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 이용된다. 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 상기와 같이 1%이상인 것이 바람직하고, 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 사용했을 때 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 방출하는 것이 가능해진다. 또 광투과율은 5%이상인 것이 보다 바람직하다. 이러한 광투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로, 발광소자로부터의 발광이 상기 발광소자 탑재용 기판내를 투과하여 보다 효율적으로 기판 외부로 방출되게 되어, 육안에서도 기판을 투과한 상기 발광소자로부터의 발광이 명확하게 관 찰된다.The light transmittance of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component can be suitably used in the above-mentioned production method, and can be about 60 to 80% or 80 to 90% or more. In the present invention, as a substrate for mounting a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride as a main component, a sintered body containing aluminum nitride having light transparency as a main component is used. It is preferable that the light transmittance of the sintered compact including aluminum nitride as a main component is 1% or more as described above. When the sintered compact containing aluminum nitride as a main component is used as a light emitting device mounting substrate, light emitted from the light emitting device is emitted to the outside of the substrate. It becomes possible. Moreover, it is more preferable that light transmittance is 5% or more. By using a sintered body containing aluminum nitride having such a light transmittance as a main component as a light emitting element mounting substrate, light emitted from the light emitting element penetrates into the light emitting element mounting substrate and is more efficiently emitted to the outside of the substrate. Light emission from the light emitting element that has passed through the substrate is clearly observed.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 10%이상이면 발광소자로부터의 발광이 상기 발광소자 탑재용 기판내를 투과하여 보다 효율적으로 기판 외부로 방출되게 되어, 육안에서도 기판을 투과한 상기 발광소자로부터의 발광이 보다 명확하게 관찰되어 한층 더 그 광투과성을 이용해 발광소자 탑재용 기판에 탑재되고 있는 발광소자로부터의 발광의 기판 외부에 방출될 방향의 제어를 용이하게 실시할 수가 있게 된다. 이 발광소자로부터의 발광의 방향 제어를 실시하는 경우, 후술의 반사 방지 부재나 반사 부재가 형성되어 있는 발광소자 탑재용 기판을 이용하는 것이 효과적이다.When the light transmittance of the sintered body including aluminum nitride as a main component is 10% or more, light emission from the light emitting element is transmitted through the inside of the light emitting element mounting substrate and is more efficiently emitted to the outside of the substrate. The light emission from the light emitting device can be observed more clearly, and it is possible to easily control the direction to be emitted to the outside of the substrate of light emission from the light emitting element mounted on the light emitting element mounting substrate by using the light transmittance. When controlling the direction of light emission from the light emitting element, it is effective to use a light emitting element mounting substrate on which the antireflection member and the reflecting member described later are formed.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 20%이상인 것이 바람직하고, 발광소자로부터의 발광이 상기 발광소자 탑재용 기판내를 투과하여 보다 효율적으로 기판 외부로 방출되게 되어, 육안에서도 기판을 투과한 상기 발광소자로부터의 발광이 강한 빛으로서 명확하게 관찰되어 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광의 방향 제어를 보다 용이하게 실시할 수가 있게 된다.It is preferable that the light transmittance of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component is 20% or more with respect to the light emitting element mounted substrate using the sintered compact containing aluminum nitride as a main component, and the light emission from the light emitting element is transmitted through the light emitting element mounted substrate. The light emitted from the light emitting element that has penetrated the substrate is clearly observed as strong light, and the direction of light emission from the light emitting element emitted to the outside of the substrate can be more easily performed. It becomes the number.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 40%이상인 것이 바람직하고, 발광소자로부터의 발광이 상기 발광소자 탑재용 기판내를 투과하여 한층 더 효율적으로 기판 외부로 방출되게 되어, 육안에서도 기판을 투과한 상기 발광소자로부터의 발광이 강한 빛으로서 보다 명확하게 관찰되어 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광의 방향 제어를 한층 더 용이하게 실시할 수가 있게 된다.It is preferable that the light transmittance of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component is 40% or more with respect to the light emitting element mounted substrate using the sintered compact containing aluminum nitride as a main component, and the light emission from the light emitting element is transmitted through the light emitting element mounted substrate. The light emitted from the light emitting element that has penetrated the substrate is more clearly observed as strong light, and the direction of light emission from the light emitting element emitted to the outside of the substrate is more easily controlled. It can be done.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 60%이상인 것이 바람직하고, 발광소자로부터의 발광이 상기 발광소자 탑재용 기판내를 투과하여 한층 더 효율적으로 기판 외부로 방출되게 되어, 육안에서도 기판을 투과한 상기 발광소자로부터의 발광이 강한 빛으로서 보다 명확하게 관찰되어 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광의 방향 제어를 한층 더 용이하게 실시할 수가 있게 된다.It is preferable that the light transmittance of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component is 60% or more with respect to the light emitting element mounted substrate using the sintered compact containing aluminum nitride as a main component, and the light emission from the light emitting element is transmitted through the light emitting element mounted substrate. The light emitted from the light emitting element that has penetrated the substrate is more clearly observed as strong light, and the direction of light emission from the light emitting element emitted to the outside of the substrate is more easily controlled. It can be done.

또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 80%이상인 것이 바람직하고, 발광소자로부터의 발광이 상기 발광소자 탑재용 기판내를 투과하여 한층 더 효율적으로 기판 외부로 방출되게 되어, 육안에서도 기판을 투과한 상기 발광소자로부터의 발광이 강한 빛으로서 보다 명확하게 관찰되어 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광의 방향 제어를 한층 더 용이하게 실시할 수가 있게 된다.The light transmittance of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component is preferably 80% or more with respect to the light emitting element mounted substrate using the sintered compact containing aluminum nitride as a main component, and the light emission from the light emitting device is in the light emitting element mounted substrate. Is emitted to the outside of the substrate more efficiently, and the light emission from the light emitting element that has passed through the substrate is more clearly observed as strong light even with the naked eye, thereby further controlling the direction of light emission from the light emitting element emitted to the outside of the substrate. It becomes easier to implement.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 85%이상인 것이 바람직하고, 발광소자로부터의 발광이 상기 발광소자 탑재용 기판내를 투과하여 가장 효율적으로 기판 외부로 방출되게 되어, 육안에서도 기판을 투과한 상기 발광소자로부터의 발광이 강한 빛으로서 보다 명확하게 관찰되어 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광의 방향 제어를 가장 용이하게 실시할 수가 있게 된다.It is preferable that the light transmittance of the sintered compact including aluminum nitride as a main component is 85% or more with respect to the light emitting element mounted substrate using the sintered compact containing aluminum nitride as a main component, and the light emission from the light emitting element is transmitted through the light emitting element mounted substrate. The light emitted from the light emitting element that has passed through the substrate is more clearly observed as strong light, and the direction control of light emission from the light emitting element emitted outside the substrate is most easily performed. I can do it.

상기 광투과율은 통상 파장 605 nm의 단색광으로 측정된 것이지만 해방법에 의해 측정된 가시광선에 대한 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 380 nm~800 nm의 범위의 전가시광선 영역에서도 등일한 투과율을 가진다. 또 이러한 가시광선에 대한 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 200 nm~380 nm의 범위의 자외 영역의 빛에 대해서도 같은 높은 투과율을 가진다.The light transmittance is usually measured by monochromatic light having a wavelength of 605 nm, but a sintered body mainly composed of aluminum nitride having light transmittance to visible light measured by the solution method has a wavelength range of 380 nm to 800 nm. It has the same transmittance. Moreover, the sintered compact mainly containing aluminum nitride which has the light transmittance with respect to visible light has the same high transmittance with respect to the light of the ultraviolet region of the wavelength range of 200 nm-380 nm.

본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판은 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가며 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 결정 방위가 랜덤인 방향을 향한 다결정체이다. 따라서 해상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중을 투과한 발광소자로부터의 발광은 거의 직진빛이 되지 않고 소결체 중의 질화 알루미늄 입자에 의해 산란된 빛이 되어 기판 외부로 방출된다. 본 발명자는 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판에 이용해 상기 기판에 탑재된 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자로부터의 발광은 상기 기판을 투과하여 기판 외부에 방출될 때, 상기 방출빛은 강한 빛인 것에도 불구하고 투명한 유리나 수지 등을 투과한 눈에 찌르는 것 같은 직진빛과 달리 온화해 인간의 눈에 상냥한 빛이 되기 쉬운 것을 확인했다.In the present invention, the substrate for mounting a light emitting element is a sintered body containing aluminum nitride having light transmittance as a main component, and is a polycrystalline body facing a direction in which the crystal orientations of the aluminum nitride particles in the sintered body are random. Therefore, the light emitted from the light emitting element that has passed through the sintered compact mainly composed of the above-mentioned aluminum nitride becomes almost straight light and is emitted to the outside of the substrate as light scattered by the aluminum nitride particles in the sintered compact. The present inventors use the sintered body containing the aluminum nitride as a main component in a light emitting element mounting substrate to emit light from a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride mounted on the substrate. When the light is transmitted through the substrate and is emitted outside the substrate, the emitted light is gentle, unlike straight light, such as stinging through the transparent glass, resin, etc., despite being strong light, which is easy to be gentle to the human eye. Confirmed.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 높으면, 본 발명에 의한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판을 투과한 빛은 온화해보다 밝은 것이 되기 쉽다.When the light transmittance of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component is high, the light transmitted through the light emitting element mounting substrate using the sintered compact containing aluminum nitride as a main component of the present invention tends to be softer and brighter.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서는 질화 알루미늄을 50 체적%이상 포함하는 것으로 양호한 광투과성의 것을 얻기 쉽다. 질화 알루미늄을 50 체적%이상 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서 이용하는 것으로 상기 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 효율적으로 방출할 수 있게 된다. 또 상기 발광의 방향을 제어하는 것이 가능해진다.As a sintered compact containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention, it is easy to obtain a good light transmissive one containing 50% by volume of aluminum nitride. A sintered body containing aluminum nitride containing 50% by volume or more of aluminum nitride as a main component is used as a substrate for mounting a light emitting element containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. Can emit light efficiently outside of the substrate. Moreover, it becomes possible to control the direction of the light emission.

또한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판중의 질화 알루미늄의 함유량은 소결체에 포함되는 희토류 원소, 알칼리 토류 금속물, 산소, 알칼리 금속, 규소 성분, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분, 카본, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 천이 금속의 불가피 불순물, ALON, 등 알루미늄 및 질소 이외의 성분의 함유량을 각각 원소 환산해, 혹은 산화물 환산하는 것으로 용이하게 산정할 수 있다. 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 상기 희토류 원소, 알칼리 토류 금속, 알칼리 금속, 규소 함유량은 산화물 환산에 의해 요구했다. 상기 산소, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분, 카본, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 천이 금속의 불가피 불순물에 대해서는 원소 환산에 의해 요구했다.In addition, content of aluminum nitride in the board | substrate which consists of aluminum nitride as a main component is a rare earth element, alkaline earth metals, oxygen, an alkali metal, a silicon component, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, etc. contained in a sintered compact It is easy to perform element conversion or oxide conversion of content of metal components, carbon, or components other than aluminum and nitrogen, such as inevitable impurities of transition metals other than Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, ALON, etc., respectively. Can be calculated In the present invention, the rare earth elements, alkaline earth metals, alkali metals and silicon contents contained in the sintered body containing aluminum nitride as a main component were required by oxide conversion. The inevitable impurities of the above-described oxygen or metal components such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, carbon, or transition metals other than Mo, W, V, Nb, Ta, Ti were required by element conversion.

본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 상기 각 알루미늄 및 질소 이외의 성분의 함유량을 체적 백분율(체적%) 혹은 중량 백분율(중량%)의 양쪽으로 구했다. 체적 백분율의 산정 방법은 포함되는 알루미늄 및 질소 이외 의 성분을 산화물 환산 혹은 원소 환산에 의해 중량 백분율로 요구해 이들 산화물 혹은 원소의 밀도로부터 산정하는 것으로 용이하게 요구할 수가 있다. 또한 ALON의 함유량은 이하 별도 말하듯이 X선회절에 의해 ALON의 최강선과 AIN의 최강선을 비교하는 방법에 의해 요구했다.About this invention, content of components other than said aluminum and nitrogen of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component was calculated | required by both volume percentage (vol%) or weight percentage (weight%). The method for calculating the volume percentage can be easily required by calculating the weight percentage of components other than aluminum and nitrogen included in terms of oxide or element, and calculating them from the density of these oxides or elements. In addition, content of ALON was requested | required by the method of comparing the strongest line of ALON and the strongest line of AIN by X-ray diffraction as mentioned separately below.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은, 1) 소결체의 밀도, 2) 소결체 내부의 기공의 유무나 크기, 3) 소결체의 소결조제나 착색제의 함유량, 4) 소결체의 산소 함유량, 5) 소결체의 소결조제 및 산소 이외의 불순물 함유량, 6) 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기, 7) 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 형상, 이라고 하는 요인으로 변화하지만, 상기의 소결체의 광투과율에 영향을 주는 각 요인을 제어하는 것으로 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 사용할 수 있는 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조할 수 있다.The light transmittance of a sintered compact composed mainly of aluminum nitride is 1) density of the sintered compact, 2) presence or size of pores in the sintered compact, 3) content of a sintering aid or colorant in the sintered compact, 4) oxygen content of the sintered compact, 5) sintered compact Impurity content other than sintering aid and oxygen, 6) the size of aluminum nitride particles in the sintered body, 7) the shape of the aluminum nitride particles in the sintered body, but each factor affecting the light transmittance of the sintered body By controlling, the sintered compact containing aluminum nitride which has a light transmittance which can be used for the light emitting element mounting substrate by this invention as a main component can be manufactured.

본 발명에 대해, 발광소자 탑재용 기판으로서 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것이 바람직하다. 그 광투과율은 1%이상인 것이 바람직하다.For the present invention, it is preferable to use a sintered body containing aluminum nitride having light transparency as a main component as a substrate for mounting a light emitting element. It is preferable that the light transmittance is 1% or more.

본원 발명자는 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성에게 주는 상기 각 요인에 대해 이하 한층 더 자세하게 조사했다.The inventors of the present invention have further investigated the above-mentioned factors which give the light transmittance of a sintered body containing aluminum nitride as a main component used as a light emitting element mounting substrate.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 밀도이지만, 소결체 중에서 질화 알루미늄 입자나 소결조제 등이 조밀하게 찬 상태가 아니면 광투과성은 높아지지 않는다는 것을 용이하게 추측할 수 있다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 광투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 위해서는 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 상대 밀도는 95%이상인 것이 바람직하고, 1%이상의 광투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 상대 밀도가 98%이상이면 5%이상의 광투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 상대 밀도가 99%이상의 것으로 10%이상의 광투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 상대 밀도가 99.5%이상의 것으로 20%이상의 광투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다.Although the density of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component is easy, it can be easily inferred that light transmittance will not increase unless the aluminum nitride particle | grains, a sintering aid, etc. are densely packed in a sintered compact. In order to obtain a sintered body having a light-transmitting aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, the relative density of the sintered body having the aluminum nitride as a main component is preferably 95% or more, and has a light transmittance of 1% or more. It is easy to obtain a sintered body containing aluminum nitride as a main component. When the relative density of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention is 98% or more, it is easy to obtain a sintered compact composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance of 5% or more. Moreover, the relative density of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the board | substrate for light emitting element mounting by this invention is 99% or more, and it is easy to obtain the sintered compact which has aluminum nitride which has a light transmittance of 10% or more as a main component. Moreover, the relative density of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the light emitting element mounting substrate by this invention is 99.5% or more, and it is easy to obtain the sintered compact which has aluminum nitride which has a light transmittance of 20% or more as a main component.

또한 본 발명에 대해 상대 밀도는 소결조제나 착색제 등의 첨가물을 더하지 말고 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 질화 알루미늄의 이론 밀도(3.261g/cm3)에 대하는 것이지만, 소결조제나 착색제 등의 첨가물을 더해 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 질화 알루미늄의 이론 밀도에 대하는 것은 아니고 질화 알루미늄과 소결조제 등의 성분이 단지 혼합하고 있다고 보았을 때 계산상의 밀도에 대한 값으로 가리켰다. 따라서 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 상대 밀도는 소결체 조성에 의존한다. 구체적으로 말하면 예를 들면 질화 알루미늄(AIN)을 95 중량%, 산화 이트륨(Y2O3)을 5 중량%포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, AIN의 밀도는 3.261g/cm3이며, Y2O3의 밀 도는 5.03g/cm3이기 때문에 이 조성의 소결체가 완전하게 치밀화했을 때의 밀도는 3.319g/cm3이라고 산정되므로, 실제 얻을 수 있던 소결체의 밀도와 전기 계산상의 밀도와의 백분율이 본 발명으로 말하는 상대 밀도가 된다. 한층 더 구체적인 예를 나타내면 질화 알루미늄(AIN)을 90 중량%, 산화 에르비움(Er2O3)을 10 중량%포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, Er2O3의 밀도는 8.64g/cm3이기 때문에 이 조성의 소결체가 완전하게 치밀화했을 때의 밀도는 3.477g/cm3이라고 산정되므로, 실제 얻을 수 있던 소결체의 밀도와 상기 계산상의 밀도와의 백분율이 본 발명으로 말하는 상대 밀도가 된다. 또 질화 알루미늄(AIN)을 99.5 중량%, 산화칼슘(CaO)을 0.5 중량%포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, CaO의 밀도는 3.25g/cm3이기 때문에 이 조성의 소결체가 완전하게 치밀화했을 때의 밀도는 3.261g/cm3이라고 산정되므로, 실제 얻을 수 있던 소결체의 밀도와 이 계산상의 밀도와의 백분율이 본 발명으로 말하는 상대 밀도가 된다.In the present invention, the relative density refers to the theoretical density (3.261 g / cm3) of aluminum nitride of a sintered body composed mainly of aluminum nitride prepared without adding additives such as a sintering aid or a colorant, The sintered body containing aluminum nitride as the main component added with additives was not related to the theoretical density of aluminum nitride, but was indicated as a value for the calculated density when it was considered that only components such as aluminum nitride and a sintering aid were mixed. Therefore, the relative density of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component depends on the sintered compact composition. Specifically, for a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 95% by weight of aluminum nitride (AIN) and 5% by weight of yttrium oxide (Y2O3), the density of AIN is 3.261 g / cm3 and the density of Y2O3 is Since the density of 5.03 g / cm3 when the sintered compact of this composition is completely densified is calculated to be 3.319 g / cm3, the percentage of the obtained sintered compact and the electrical calculation density is the relative density of the present invention. do. In a more specific example, the density of Er 2 O 3 is 8.64 g / cm 3 for a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 90% by weight of aluminum nitride (AIN) and 10% by weight of erbium oxide (Er 2 O 3). Since the density when the sintered compact is completely densified is calculated to be 3.477 g / cm 3, the percentage of the density of the sintered compact actually obtained and the density calculated above becomes the relative density referred to in the present invention. In the case of a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 99.5% by weight of aluminum nitride (AIN) and 0.5% by weight of calcium oxide (CaO), the density of CaO was 3.25 g / cm < 3 > Since the density at the time is calculated to be 3.261 g / cm 3, the percentage of the actually obtained sintered compact and this calculated density becomes the relative density referred to in the present invention.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 상대 밀도를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.For a sintered body having aluminum nitride as a main component having the relative density in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance can be obtained much higher than that indicated above, and the light of up to 80% to 85% or more One having a transmittance can be obtained.

또 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 내부의 기공의 크기도 작은 편이 광투과율은 높아질 일도 용이하게 추측할 수 있다.실제 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 기공의 크기가 평균 1μm 이하의 것으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율 5%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 기공의 크기가 평균 0.7μm 이하의 것으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율 10%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 기공의 크기가 평균 0.5μm 이하의 것으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율 20%이상의 것을 얻기 쉽다.In addition, the smaller the pore size in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride, the higher the light transmittance can be estimated. The actual pore in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride with respect to the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention It is easy to obtain the thing with the light transmittance of 5% or more of the sintered compact which has an average of 1 micrometer or less in size, and has aluminum nitride as a main component. Moreover, since the pore size is 0.7 micrometer or less in average, it is easy to obtain the thing with the light transmittance of 10% or more of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component. Moreover, since the pore size is 0.5 micrometer or less in average, the thing of 20% or more of light transmittance of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component is easy to be obtained.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 평균 기공의 크기를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.For the sintered body containing aluminum nitride as a main component having the average pore size in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, up to 80% to 85% A thing having the above light transmittance can be obtained.

상기와 같이 기공의 평균 크기가 작고 한편 상대 밀도의 높은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 높은 광투과율을 가지는 것이 되기 쉽다. 소결체의 상대 밀도와 소결체 중에 포함되는 기공의 양과는 역의 관계에 있다.바꾸어 말하면 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 상대 밀도가 높아지면 소결체 중에 포함되는 기공의 양이 작아지는 것을 의미한다. 즉, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 기공율이 5%이하인 것이 바람직하고, 투과율 1%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 기공율이 2%이하이면 광투과율 5%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 기공율이 1%이하이면 광투과율 10%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 게다가 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 기공율이 0.5%이하이면 광투과율 20%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다.As mentioned above, the sintered compact whose average size of pore is small and whose relative density is high aluminum nitride tends to have a high light transmittance. The relative density of the sintered compact is inversely related to the amount of pores contained in the sintered compact. In other words, the higher the relative density of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride, the smaller the amount of pores contained in the sintered compact. That is, it is preferable that the porosity of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component of the light emitting element mounting substrate by this invention is 5% or less, and it is easy to obtain the sintered compact which has aluminum nitride with a transmittance of 1% or more as a main component. Moreover, when the porosity of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the board | substrate for light emitting element mounting by this invention is 2% or less, the sintered compact which has aluminum nitride with a light transmittance of 5% or more as a main component is easy to be obtained. Moreover, when the porosity of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the board | substrate for light emitting element mounting by this invention is 1% or less, it is easy to obtain the sintered compact which mainly consists of aluminum nitride with a light transmittance of 10% or more. Moreover, when the porosity of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention is 0.5% or less, it is easy to obtain a sintered compact composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance of 20% or more.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 기공율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.As for the sintered body mainly composed of aluminum nitride having the porosity in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, and the light transmittance of 80% to 85% or more at most. Can be obtained.

상기 소결체 밀도의 향상, 및 소결체 내부 기공의 감소 혹은 내부 기공의 크기를 작게 하기 위해서는 예를 들면 이하의 방법이 유효하다. 즉, (1) 소결체 제조용 원료로서 일차 입자가 서브 미크론으로 입자 사이즈의 분포가 균일한 것을 사용하는, (2) 소성온도를 저감화해 입자 성장을 억제하는, (3) 분위기 가압소성이나 핫 프레스 혹은 HIP 등 소성을 1 기압보다 높은 상태로 실시하는, (4) 소성에 대해 보관 유지 온도를 다단계에 실시하는, (5) 감압소성 혹은 상압소성과 분위기 가압소성이나 핫 프레스 혹은 HIP등의 1 기압보다 높은 분위기하에서의 소성을 조합해 실시하는, 등이다. 또, 상기 방법을 2 이상 조합해 실시하는 일도 유효하다.In order to improve the sintered compact, decrease the internal pores of the sintered body or reduce the size of the internal pores, for example, the following method is effective. (1) Atmospheric pressure firing, hot press or (4) Performing storage holding temperature in multiple stages about (4) firing firing such as HIP in a state higher than 1 atmosphere; It is performed by combining baking in high atmosphere. Moreover, it is also effective to combine and perform the said method 2 or more.

또 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 주성분인 질화 알루미늄 이외에 소결조제로서 예를 들면 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, 등의 희토류 원소 산화물 혹은 그 외 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu등의 희토류 원소, 혹은 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu등을 포함한 탄산염, 질산염, 유산염, 염화 물등의 무기 희토류 화합물, 초산염, 옥살산소금, 구연산소금 등의 유기 희토류 화합물 등의 각종 희토류 원소 화합물, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 산화물이나 그 외 Be, Mg, Ca, Sr, Ba등의 알칼리 토류 금속, 혹은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba 등을 포함한 탄산염, 질산염, 유산염, 염화물 등의 무기 알칼리 토류 금속 화합물, 초산염, 옥살산소금, 구연산소금 등의 유기 알칼리 토류 금속 화합물 등의 각종 알칼리 토류 금속 화합물, 소성온도 저감화를 위해서 희토류 원소 화합물과 알칼리 토류 금속 화합물을 동시 병용으로 이용하는 것이나 Li2O, Li2CO3, LiF, LiOH, Na2O, Na2CO3, NaF, NaOH, K2O, K2CO3, KF, KOH 등의 알칼리 금속을 포함한 화합물이나 Si, SiO2, Si3N4, SiC 등의 규소를 포함한 화합물, 착색을 도모하기 위해서 Mo(몰리브덴), W(텅스텐), V(바나듐), Nb(니오브), Ta(탄 탈), Ti(티탄)등을 포함한 금속, 합금 및 금속 화합물이나 카본 등의 성분을 포함한 것도 이용할 수가 있다. 이들 소결조제나 소성온도 저감화제, 착색제도 소결체의 광투과율에 영향을 주는 것은 용이하게 추측할 수 있다.실제 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 주성분인 질화 알루미늄 이외의 성분이 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속의 경우 이러한 집으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 30 체적%이하, 알칼리 금속 및 규소의 경우는 이들 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 화합물의 함유량이 산화물 환산으로 5 체적%이하, 상기 착색을 도모하기 위한 성분은 상기 착색을 도모하기 위한 성분 중으로부터 선택된 적어도 1 종 이상의 성분을 원소 환산으로 5 체적%이하, 포함하는 것을 이용하는 것으로, 적어도 1%이상의 광투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있게 된다. 이러한 질화 알루미늄 이외의 성분을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로 상기 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 효율적으로 방출할 수 있게 된다. 또 상기 발광의 방향을 제어하는 것이 가능해진다.In the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the sintered body containing aluminum nitride as a main component is, for example, Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Rare earth element oxides such as Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, or other Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Rare earth elements such as Er, Tm, Yb, Lu, or carbonates including Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, etc. Rare earth compounds such as inorganic rare earth compounds such as nitrates, lactates, chlorides, organic rare earth compounds such as acetates, salts of oxalate and citric acid, alkaline earth metal oxides such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, and other Be , Alkaline earth metals such as Mg, Ca, Sr, Ba, or inorganic alkaline earth metals such as carbonate, nitrate, lactate, chloride, including Be, Mg, Ca, Sr, Ba, etc. Various alkaline earth metal compounds, such as organic alkaline earth metal compounds such as compound, acetate, salt of oxalate, and citrate, and the simultaneous use of rare earth element compounds and alkaline earth metal compounds for reducing the firing temperature, or Li2O, Li2CO3, LiF, LiOH , Compounds containing alkali metals such as Na 2 O, Na 2 CO 3, NaF, NaOH, K 2 O, K 2 CO 3, KF, KOH, compounds containing silicon such as Si, SiO 2, Si 3 N 4, SiC, Mo (molybdenum), W ( Metals, alloys including metals including tungsten), V (vanadium), Nb (niobium), Ta (tantalum), Ti (titanium), alloys, and components such as metal compounds and carbon may be used. It can be easily estimated that these sintering aids, sintering temperature reducing agents, and coloring agents also affect the light transmittance of the sintered compact. In the case of components other than aluminum, rare earth elements and alkaline earth metals, the content of at least one selected from such houses is 30 vol% or less in terms of oxides, and in the case of alkali metals and silicon, the content of at least one or more compounds selected from these components. 5 vol% or less in terms of the oxide, and the component for the coloring is 5 vol% or less in elemental terms and includes at least one or more components selected from the components for the coloring, at least 1% Mainly based on aluminum nitride having the above light transmittance A sintered compact can be obtained. Light emission from the light emitting device by using a sintered body containing aluminum nitride as a main component including a component other than aluminum nitride as a light emitting device mounting substrate having at least one selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride as a main component Can be efficiently released to the outside of the substrate. Moreover, it becomes possible to control the direction of the light emission.

상기 소결조제나 소성온도 저감화제, 착색제는 질화 알루미늄과 다른 화합물이나 결정상을 소결체 내부에 생기기 쉽다. 상기 소결조제나 소성온도 저감화제, 착색제에 의해 생성한 화합물이나 결정상 및 상기 화합물이나 결정상의 존재량이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성에 영향을 주는 것이라고도 추측된다.The sintering aid, the sintering temperature reducing agent, and the colorant are likely to form aluminum nitride and other compounds or crystal phases in the sintered body. It is also assumed that the amount of the compound or crystal phase produced by the sintering aid, the sintering temperature reducing agent, or the colorant and the amount of the compound or crystalline phase affects the light transmittance of the sintered body containing aluminum nitride as a main component.

또한 상기 소결조제나 소성온도 저감화제, 착색을 도모하기 위한 성분 등의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 체적%(체적 백분율)과는 앞에서 본 같게, 발광소자 탑재용 기판인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에 포함되는 질화 알루미늄 이외의 각 원소 성분을 산화물로 환산해 이 산화물의 밀도와 중량 백분율으로 산정한 것이다. 예를 들면 전기 기판에 포함되는 질화 알루미늄 이외의 각 원소 성분이 서로 혹은 산소나 천이 금속 등의 불가피 혼입 성분과 반응해 실제 생기는 반응물의 체적 백분율을 의미하는 것은 아니지만, 실제의 소결체의 치밀함을 측정하는 척도가 될 수 있다.In addition, the volume percent (volume percentage) in the sintered body containing aluminum nitride as a main component such as the sintering aid, the sintering temperature reducing agent, and the component for coloring is the same as previously described, in which aluminum nitride, which is a substrate for mounting a light emitting element, is used as the main component. Each element component other than aluminum nitride contained in a sintered compact is converted into oxide, and is calculated from the density and weight percentage of this oxide. For example, although the elemental components other than aluminum nitride contained in the electrical substrate do not mean the volume percentage of the reactants actually generated by reacting with each other or an inevitable mixed component such as oxygen or transition metal, the actual compactness of the sintered body is measured. It can be a measure.

구체적으로 말하면 예를 들면 질화 알루미늄(AIN)을 95 중량%, 산화 이트륨(Y2O3)을 5 중량%포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, AIN의 밀도는 3.261g/cm3이며, Y2O3의 밀도는 5.03g/cm3이기 때문에 희토류 원소 화합물의 함유량은 3.30 체적%이라고 산정된다. 또 질화 알루미늄(AIN)을 90 중량%, 산화 에르비움(Er2O3)을 10 중량%포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, Er2O3의 밀도는 8.64g/cm3이기 때문에 희토류 원소 화합물의 함유량은 4.02 체적%이라고 산정된다. 또 질화 알루미늄(AIN)을 99.5 중량%, 탄산칼슘(CaCO3)을 산화칼슘(CaO) 환산으로 0.5 중량%포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, CaO의 밀도는 3.25g/cm3이기 때문에 알칼리 토류 금속 화합물의 함유량은 0.50 체적%이라고 산정된다.Specifically, for a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 95% by weight of aluminum nitride (AIN) and 5% by weight of yttrium oxide (Y2O3), the density of AIN is 3.261 g / cm3 and the density of Y2O3 is Since it is 5.03 g / cm <3>, content of a rare earth element compound is calculated as 3.30 volume%. In the case of a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 90% by weight of aluminum nitride (AIN) and 10% by weight of erbium oxide (Er 2 O 3), the density of Er 2 O 3 is 8.64 g / cm 3, so the content of the rare earth element compound is 4.02 volume. It is calculated%. In the case of a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 99.5% by weight of aluminum nitride (AIN) and 0.5% by weight of calcium carbonate (CaCO3) in terms of calcium oxide (CaO), the CaO density is 3.25 g / cm3, and therefore, alkaline earth The content of the metal compound is calculated to be 0.50% by volume.

또, 예를 들면 질화 알루미늄(AIN)을 99 중량%, 몰리브덴(Mo)을 1 중량%포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, AIN의 밀도는 3.261g/cm3이며, Mo의 밀도는 10.2g/cm3이기 때문에 몰리브덴의 함유량은 0.32 체적%이라고 산정된다. 또 질화 알루미늄(AIN)을 90 중량%, 텅스텐(W)을 10 중량%포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, W의 밀도는 19.1g/cm3이기 때문에 텅스텐의 함유량은 1.86 체적%이라고 산정된다.For example, for a sintered body containing aluminum nitride (AIN) of 99% by weight and molybdenum (Mo) of 1% by weight, the density of AIN is 3.261 g / cm 3 and the density of Mo is 10.2 g. It is calculated that the content of molybdenum is 0.32% by volume because it is / cm3. In the case of a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 90% by weight of aluminum nitride (AIN) and 10% by weight of tungsten (W), the density of W is 19.1 g / cm < 3 > .

또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판은 주성분인 질화 알루미늄 이외에 상기 소결조제로서의 성분, 착색을 도모하기 위한 성분, 소성온도의 저감화를 꾀하기 위한 성분 뿐만이 아니라 소결체 제조용 원료에 포함되고 한층 더 제조 공정으로부터 혼입하기 쉬운 천이 금속의 불가피 불순물 성분을 함유한다. 이러한 불가 피 불순물은 희토류 원소 및 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 천이 금속 예를 들면 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 성분을 포함하는 것이다. 본 발명에 대해 상기 「천이 금속의 불가피 불순물 성분」이란 통상 특별히 제한하지 않는 한 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연, 을 의미한다. 또, 「천이 금속의 불가피 불순물 성분을 함유한다」란 상기 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 각 성분중에서 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 의미한다. 상기 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 상기 천이 금속 등의 불가피 불순물 성분의 함유량은 원소 환산으로 1 중량%이하인 것이 바람직하고, 상기 불가피 불순물량의 기판을 이용하는 것으로 광투과율이 1%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 상기 천이 금속 등의 불가피 불순물 성분의 함유량은 원소 환산으로 0.5 중량%이하인 것이 보다 바람직하고, 상기 불가피 불순물량의 기판을 이용하는 것으로 광투과율이 5%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 상기 천이 금속 등의 불가피 불순물 성분의 함유량은 원소 환산으로 0.2 중량%이하인 것이 바람직하고, 상기 불가피 불순물량의 기판을 이용하는 것으로 광투과율이 10%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 게다가 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 상기 천이 금속 등의 불가피 불순물 성분의 함유량은 원소 환산으로 0.05 중량%이하인 것이 바람직하고, 상기 불가피 불순물량의 기판을 이용하는 것으로 광투과율이 20%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 제조에서 고순도 원료를 사용해 그린 시트나 분말 프레스용 과립 제조 혹은 소성 등의 제조 공정으로 세라믹이 접촉하는 부분에 사용하는 부재의 고순도화를 도모하는 등의 연구로 불가피 불순물의 혼입을 감소할 수가 있다.Further, the light emitting element mounting substrate according to the present invention is included in the raw material for producing the sintered compact as well as the component as the sintering aid, the coloring component, and the reduction of the sintering temperature in addition to the aluminum nitride which is the main component. It contains an unavoidable impurity component of the transition metal which is easy to mix from. Such unavoidable impurities include rare earth elements and components such as transition metals other than Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, for example, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc. . In the present invention, the "unavoidable impurity component of the transition metal" means iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, unless otherwise specified. In addition, "it contains the unavoidable impurity component of a transition metal" means containing at least 1 sort (s) from each component, such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc. Content of unavoidable impurity components, such as said transition metal, contained in the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the board | substrate for mounting the light emitting element whose main component is at least 1 sort (s) chosen from the said gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride. It is preferable that it is 1 weight% or less in conversion of silver element, and it is easy to obtain the sintered compact which has a light transmittance of 1% or more as a main component by using the board | substrate of the said unavoidable impurity amount. The content of unavoidable impurity components such as the transition metal contained in the sintered body containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention is more preferably 0.5% by weight or less in terms of elements, and the amount of unavoidable impurity By using a substrate having a light transmittance, it is easy to obtain a sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance of 5% or more as a main component. The content of the unavoidable impurity component such as the transition metal contained in the sintered body containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention is preferably 0.2% by weight or less in terms of elements, By using a substrate, it is easy to obtain a sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance of 10% or more as a main component. Furthermore, it is preferable that content of the unavoidable impurity component, such as said transition metal, contained in the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the light emitting element mounting substrate by this invention is 0.05 weight% or less in element conversion, and the board | substrate of the said unavoidable impurity amount It is easy to obtain a sintered body mainly composed of aluminum nitride having a light transmittance of 20% or more. Impurities that are unavoidable in the manufacture of sintered compacts containing aluminum nitride as a major component in the manufacture of green sheets, granules for powder presses or firing using high-purity raw materials. It is possible to reduce the mixing of.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 알칼리 토류 금속 화합물을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.For the sintered body containing aluminum nitride containing the alkaline earth metal compound in the above range used as the substrate for mounting the light emitting device according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, up to 80% to 85% A thing having the above light transmittance can be obtained.

또, 본 발명에 의한 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판은 주성분인 질화 알루미늄 이외에 상기 소결조제로서의 성분, 흑색 등의 착색을 도모하기 위한 성분, 소성온도의 저감화를 꾀하기 위한 성분, 불가피 금속 불순물 성분 뿐만이 아니라 소결체 제조용 원료에 포함되고 한층 더 제조 공정으로부터 혼입하는 산소를 함유한다. 소결체 제조용 원료에는 통상 산소가 0.01~5.0 중량%정도 포함되어 소성중에 일부 휘산 하지만 대부분 이대로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에 받아들여지는 것이 많이 소결조제 등을 이용하지 말고 제조된 소결체 중에는 스피넬형 결정 구조의 ALON(산질화 알루미늄：AIN와 Al2O3와의 화합물)가 생성되는 것이 많다. 이 ALON는 통상 JCPDS 파일 번호 36－50에 나타나는 회절선을 나타낸다. 산소는 또 소결체 중에 ALON를 생성하도록(듯이) 적극적으로 Al2O3를 첨가하는 것으로써 함유된다. 게다가 소결조제나 착색제가 산화물이나 복합 산화물 등 산소를 포함한 화합물인 경우는 이러한 분도 함유된다. 소결체 중의 산소량이 10 중량%보다 많으면 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 내부에서 ALON 혹은 소결조제와 산소, 착색제와 산소, 소성온도 저감화제와 산소, 등의 화합물의 생성이 많아져 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율의 저하를 가져오기 쉽다. 소결체 중에서의 ALON의 생성량은 산소량과 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물 등의 소결조제량으로 제어할 수 있지만, 소결조제를 이용하지 않는 경우는 소결체 중의 산소량인 만큼 의존한다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 ALON의 함유량이 12%이하의 것으로 광투과율은 5%이상의 것을 얻기 쉽기 때문에 바람직하다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 ALON의 함유량이 7%이하의 것으로 광투과율 10%이상의 것을 얻기 쉽기 때문에 보다 바람직하다. 또한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 ALON의 함유량은 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 표면의 X선회절을 실시해 ALON의 밀러 지수(311) 격자면으로부터의 회절선강도와 AIN의 밀러 지수(100) 격자면으로부터의 회절선강도와의 비를 백분율로 요구한 것이다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에 있어 12%이하의 ALON의 양은 소결조제 등의 첨가제를 이용하지 않고 질화 알루미늄 원료 분말만 혹은 상기 원료 분말과 Al2O3와의 혼합 분말만으로 소성된 소결체에 대해 산소량 5.0 중량%이하의 것으로 형성되기 쉽다.7%이하의 ALON의 양은 소결조제 등의 첨가제를 이용하지 않고 질화 알루미늄 원료 분말만 혹은 상기 원료 분말과 Al2O3와의 혼합 분말만으로 소성된 소결체에 대해 산소량 3.0 중량%이하의 것으로 형성되기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 ALON의 양이 20%이하의 것으로는 광투과율은 1%이상의 것을 얻기 쉽기 때문에 바람직하다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에 있어 20%이하의 ALON의 함유량은 소결조제 등의 첨가제를 이용하지 않고 질화 알루미늄 원료 분말만 혹은 상기 원료 분말과 Al2O3와의 혼합 분말만으로 소성된 소결체에 대해 산소량 10.0 중량%이하의 것으로 형성되기 쉽다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에 ALON가 20%보다 많이 생성하고 있는 경우 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 저하해, 상기 광투과율이 저하한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 경우 발광소자로부터의 발광은 충분히 효율적으로 기판 외부에 방출 되기 어려워지므로 바람직하지 않다. 이와 같이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에서 ALON의 양이 많아지면 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 저하하기 쉬워진다. 그 이유로서 본원 발명자는 ALON 결정은 AIN의 우르트광형결정과 결정계가 다른 스피넬형이기 때문에 발광소자로부터의 발광이 소결체 내부에 조사되었을 때 상기 소결체 내부의 ALON 입자와 질화 알루미늄 입자라고 하는 다른 결정계를 가지는 입자간에 광산란 이 많아져 결과적으로 기판을 빛이 투과하기 어려워지는 것이라고 추측하고 있다.In addition, the substrate for mounting a light emitting element comprising a sintered body containing aluminum nitride having light transmittance as a main component of the present invention, in addition to aluminum nitride as a main component, a component for the coloring of the sintering aid, black and the like, and a reduction in the firing temperature. It contains not only the component for intention, the inevitable metal impurity component, but also the oxygen contained in the raw material for producing a sintered compact and further incorporated from the manufacturing process. The raw material for sintered body production usually contains about 0.01 to 5.0% by weight of oxygen, which partially volatilizes during firing, but most of it is accepted in the sintered body containing aluminum nitride as the main component. ALON (aluminum oxynitride: a compound of AIN and Al2O3) is often produced. This ALON shows the diffraction line normally appearing in JCPDS file number 36-50. Oxygen is also contained by actively adding Al 2 O 3 to form ALON in the sintered body. Moreover, when a sintering aid and a coloring agent are compounds containing oxygen, such as an oxide and a complex oxide, such a content is also contained. If the amount of oxygen in the sintered body is more than 10% by weight, the production of ALON or sintering aid and oxygen, colorant and oxygen, sintering temperature reducing agent and oxygen in the sintered body mainly composed of aluminum nitride is increased, and the aluminum nitride is used as the main component. It is easy to bring about the fall of the light transmittance of the sintered compact. The amount of ALON produced in the sintered body can be controlled by the amount of oxygen and the amount of sintering aids such as rare earth element compounds and alkaline earth metal compounds. However, when the sintering aid is not used, it depends only on the amount of oxygen in the sintered body. Since the ALON content of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the board | substrate for light emitting element mounting by this invention is 12% or less, and a light transmittance of 5% or more is easy to obtain, it is preferable. Moreover, since the ALON content of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the light emitting element mounting substrate by this invention is 7% or less, since it is easy to obtain a thing with a light transmittance of 10% or more, it is more preferable. In addition, the ALON content of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride was subjected to X-ray diffraction of the substrate surface composed of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride, and the diffraction line intensity from the lattice surface of Miller index 311 of ALON and the Miller index of AIN ( 100) The ratio to the diffraction line intensity from the lattice plane is required as a percentage. The amount of ALON of 12% or less in the sintered body mainly composed of aluminum nitride is not more than 5.0% by weight of oxygen relative to the sintered body fired using only aluminum nitride raw material powder or mixed powder of Al 2 O 3 with the raw material powder without using an additive such as a sintering aid. The amount of ALON of 7% or less is less than 3.0% by weight of oxygen based on the sintered body fired using only aluminum nitride raw material powder or mixed powder of the raw material powder and Al2O3 without using an additive such as a sintering aid. Easy to be In the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the amount of ALON in the sintered body containing aluminum nitride as a main component of 20% or less is preferable because a light transmittance of 1% or more is easily obtained. The content of ALON of 20% or less in the sintered body mainly composed of aluminum nitride is 10.0% by weight of oxygen based on the sintered body fired using only aluminum nitride raw material powder or mixed powder of the raw material powder and Al2O3 without using an additive such as a sintering aid. It is easy to be formed with the following. When more than 20% of ALON is produced in a sintered compact composed of aluminum nitride as a main component, the light transmittance of the sintered compact composed of aluminum nitride as a main component decreases, and the light emitting element is mounted with a sintered compact composed of aluminum nitride having the reduced light transmittance as a main component When used as a substrate for use, light emission from the light emitting element is not preferable because it is difficult to be emitted to the outside of the substrate sufficiently efficiently. As described above, when the amount of ALON is increased in the sintered body containing aluminum nitride as a main component, the light transmittance of the sintered body containing aluminum nitride as a main component tends to decrease. For this reason, the inventors of the present invention found that the ALON crystal is a spinel type in which the crystal system of the AIN is different from the crystal system of AIN. It is speculated that eggplants have more light scattering between the particles, and as a result, it becomes difficult for light to pass through the substrate.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 ALON를 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.For the sintered body mainly composed of aluminum nitride including ALON in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, so that the light transmittance of 80% to 85% or more is at most. Can be obtained.

본 발명에 대해 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 대해 상기 소결체 중의 질화 알루미늄 입자를 예를 들면 0.5μm정도와 성장시키지 않고 , 즉 원료 분말의 입자의 크기와 같은 상태로 소결 한 것이라도 광투과성의 것을 얻을 수 있고 발광소자 탑재용 기판으로서 사용할 수 있다. 한편, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 상기 소결체 내부에 포함되는 질화 알루미늄 입자의 크기가 증대화하면 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성이 향상하기 쉬워지므로 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 발광소자 탑재용 기판으로서 매우 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 내부에 포함되는 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 1μm이상이면 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율 1%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 5μm이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율 5%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 8μm이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율 10%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 15μm이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율 20%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 25μm이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 이것은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 내부의 질화 알루미늄 입자의 크기가 커지면 질화 알루미늄 결정립자의 립계의 면적이 감소해 립계의 영향이 줄이므로 질화 알루미늄 결정립자 자체의 성질이 반영되고 쉬워져, 그 결과광투과율이 향상하기 쉬워지기 때문이라고 추측된다. 상기와 같은 질화 알루미늄 입자를 크게 하는 것의 효과는 통상 어떠한 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판이어도 볼 수 있다. 이러한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 예로서는 전기 한 산소, 혹은 소결조제로서 이용되는 희토류 원소나 알칼리 토류 금속 등의 성분, 혹은 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 착색제로서 이용되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분, 혹은 카본 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분 등, 한층 더 결정상으로서 ALOn 등을 포함하는 것이다. 또, 이러한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 예로서는 원료 분말에 소결조제를 더하지 말고 제조되고 실질적으로 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속 등의 소결조제를 포함하지 않는 소 결체도 포함된다. 상기로 예시한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 대해, 질화 알루미늄 입자의 크기를 증대하는 것으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성이 향상하기 쉬워진다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기를 증대화 시키는 것의 효과는 나중에도 자세하게 말하지만, AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로보다 광투과성의 높은 것을 얻을 수 있고 상기 소결체는 발광소자 탑재용 기판으로서 한층 더 매우 적합하게 이용할 수가 있다.In the present invention, the aluminum nitride particles in the sintered compact are not grown to about 0.5 μm with respect to a substrate composed of a sintered compact composed of aluminum nitride having light transmittance, that is, sintered in the same state as the particle size of the raw material powder. Even if it is a single thing, a light transmissive thing can be obtained and it can be used as a board | substrate for light emitting element mounting. On the other hand, when the size of the aluminum nitride particles contained in the sintered compact increases with respect to the sintered compact having aluminum nitride as a main component, the light transmittance of the sintered compact having the aluminum nitride as a main component is easily improved, and thus the sintered compact having the aluminum nitride as a main component Can be suitably used as a substrate for mounting a light emitting element. When the size of the aluminum nitride particles contained in the sintered compact including aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention is 1 μm or more on average, one having a light transmittance of 1% or more can be easily obtained. In the sintered compact containing aluminum nitride particles having an average size of 5 µm or more as the main component of the light emitting element mounting substrate according to the present invention, those having a light transmittance of 5% or more of the sintered compact composed of aluminum nitride as a main component are easily obtained. In the sintered compact containing aluminum nitride particles having an average size of 8 µm or more as the main component of the light emitting element mounting substrate according to the present invention, those having a light transmittance of 10% or more of the sintered compact composed of aluminum nitride as a main component are easily obtained. In the sintered compact containing aluminum nitride particles having an average size of 15 µm or more as the main component of the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention, a light transmittance of 20% or more of the sintered compact composed of aluminum nitride as a main component is easily obtained. In the sintered compact containing aluminum nitride particles having an average size of 25 µm or more aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, one having a light transmittance of 30% or more of a sintered compact composed of aluminum nitride as a main component is easily obtained. This is because the larger the size of the aluminum nitride particles in the sintered body mainly composed of aluminum nitride, the area of the grain boundaries of the aluminum nitride grains decreases and the influence of the grain boundaries is reduced, thereby reflecting and facilitating the properties of the aluminum nitride grains themselves. It is guessed because this becomes easy to improve. The effect of enlarging the above-mentioned aluminum nitride particle can be seen also as the board | substrate for light emitting element mounting which consists of a sintered compact mainly containing aluminum nitride of a certain composition. Examples of the sintered body containing aluminum nitride as a main component include oxygen, a rare earth element or alkaline earth metal used as a sintering aid, an alkali metal or silicon used as a sintering temperature reducing agent, or a colorant. ALOn etc. are further included as a crystal phase, such as metal components, such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, or unavoidable metal components other than carbon or Mo, W, V, Nb, Ta, Ti. Further, examples of the sintered body containing aluminum nitride as a main component include a sintered body which is manufactured without adding a sintering aid to the raw material powder and which does not substantially contain a sintering aid such as rare earth elements or alkaline earth metals. By increasing the size of the aluminum nitride particles with respect to the substrate made of the sintered body containing aluminum nitride as a main component, the light transmittance of the sintered body containing aluminum nitride as a main component can be easily improved. The effect of increasing the size of the aluminum nitride particles in the sintered body containing aluminum nitride as a main component will be described later in detail. However, the use of a sintered body containing aluminum nitride having high AIN purity as a main component can provide a higher light transmittance. It can be used more suitably as a board | substrate for light emitting element mounting.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 질화 알루미늄 입자의 평균 크기를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.For a sintered body containing aluminum nitride having an average size of the aluminum nitride particles in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, up to 80% to A light transmittance of 85% or more can be obtained.

상기와 같은 질화 알루미늄 입자를 크게 하는 것의 효과는 통상 어떠한 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판이어도 볼 수 있지만, 소결체 중의 AIN의 함유량이 적게 되는 것에 따라 효과의 정도는 적게 되는 경향은 있다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 AIN의 함유량이 50 체적%이상이면 1%이상의 광투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 상기와 같은 질화 알루미늄 입자를 크게 하는 것의 효과를 발현하기 쉽게 하기 위해서는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 있어서의 AIN의 함유량이 70 체적%이상인 것이 바람직하다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN의 함유량이 70 체적%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가면 5%이상의 광투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다.The effect of enlarging the above-mentioned aluminum nitride particles can be seen in the case of a substrate composed of a sintered body mainly containing aluminum nitride of any composition, but the degree of effect tends to decrease as the content of AIN in the sintered body decreases. . When the content of AIN of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention is 50% by volume or more, a sintered compact containing aluminum nitride having a light transmittance of 1% or more as a main component is easily obtained. In order to make it easy to express the effect of enlarging the above-mentioned aluminum nitride particle, it is preferable that content of AIN in the light emitting element mounting substrate which consists of a sintered compact containing aluminum nitride as a main component is 70 volume% or more. The sintered compact which has the light transmittance of 5% or more as a main component of the sintered compact which has AIN content of 70 volume% or more of aluminum nitride with respect to the light emitting element mounting substrate by this invention is easy to be obtained.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 AIN 함유량의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.With respect to the sintered body mainly composed of aluminum nitride having the AIN content in the above range used as the substrate for mounting the light emitting device according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, and the light transmittance of 80% to 85% or more at most. Can be obtained.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기를 증대화 시키기 위해서 통상소성온도를 높일까 소성시간을 길게 하는 것이 효과적이다. 질화 알루미늄 입자의 크기를 제어하기 위해서는 질화 알루미늄의 원료 분말의 유래나 입도, 혹은 성형체나 소결체의 조성에도 의존하기 쉽지만 본 발명에 의하면 1750℃이상의 온도로 3시간 이상 비교적 긴 시간 소성하는 것으로 평균 5μm이상의 질화 알루미늄 입자를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 쉽다. 평균 8μm이상을 가지는 질화 알루미늄 입자의 소결체를 얻기 위해서(때문에) 1750℃이상의 온도로 10시간 이상, 1900℃이상의 온도에서는 3시간 이상의 소성을 실시하는 것이 바람직하다. 평균 15μm이상을 가지는 질화 알루미늄 입자의 소결체를 얻기 위해서는 1900℃이상의 온도로 6시간 이상, 2050℃이상의 온도로 3시간 이상의 소성을 실시하는 것이 바람직하다. 평균 25μm이상을 가지는 질화 알루미늄 입자의 소결체를 얻기 위해서는 2050℃이상의 온도로 4시간 이상, 2100℃이상의 온도로 3시간 이상의 소성을 실시하는 것이 바람직하다. 이러한 소성에 대 해 질화 알루미늄 입자의 크기가 증대하고 있는 것만으로 산소, 혹은 소결조제로서 이용되는 희토류 원소나 알칼리 토류 금속 등의 성분, 혹은 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 착색제로서 이용되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분, 혹은 카본 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분 등, 의 성분의 휘산제거를 억제해 한층 더 포함되는 결정상으로서 ALOn 등을 함유 한 상태의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 위해서는 전기 한 것처럼 환원성 성분의 비교적 적은 질소나 아르곤등의 비산화성 분위기를 이용하는 것이 바람직하다. 한편 질화 알루미늄 입자의 크기가 증대 밖에 개AIN 순도가 향상한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻기 위해서는 수소, 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등의 환원성 성분을 포함한 비산화성 분위기중에서 소성하는 것이 바람직하다.In order to increase the size of the aluminum nitride particles in the sintered body mainly composed of aluminum nitride, it is effective to increase the firing temperature or to lengthen the firing time. In order to control the size of the aluminum nitride particles, it is easy to depend on the origin and particle size of the aluminum nitride raw material powder, or the composition of the molded or sintered body. It is easy to obtain a sintered body containing aluminum nitride having aluminum nitride particles as a main component. In order to obtain a sintered body of aluminum nitride particles having an average of 8 μm or more, it is preferable to perform firing for 3 hours or more at a temperature of 1750 ° C. or more for 10 hours or more and 1900 ° C. or more. In order to obtain a sintered body of aluminum nitride particles having an average of 15 µm or more, it is preferable to perform firing for at least 6 hours at a temperature of 1900 ° C or more and at least 3 hours at a temperature of 2050 ° C or more. In order to obtain a sintered body of aluminum nitride particles having an average of 25 μm or more, it is preferable to perform firing for at least 4 hours at a temperature of 2050 ° C. or more for 3 hours or more at a temperature of 2100 ° C. or more. As the size of the aluminum nitride particles increases with respect to such firing, components such as rare earth elements and alkaline earth metals used as oxygen or sintering aids, or alkali metals and silicon used as firing temperature reducing agents, Or volatilization of metal components such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, or inevitable metal components other than Mo, W, V, Nb, Ta, Ti In order to obtain a sintered body containing aluminum nitride in a state containing ALOn as a main crystalline phase, which is further included, it is preferable to use a non-oxidizing atmosphere such as nitrogen or argon having a relatively small amount of reducing component as described above. On the other hand, in order to obtain a sintered body composed mainly of aluminum nitride having an increased AIN purity as the size of aluminum nitride particles is increased, it is preferable to fire in a non-oxidizing atmosphere containing reducing components such as hydrogen, carbon monoxide, carbon, and hydrocarbons.

또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 내부에 포함되는 질화 알루미늄 입자의 형상은 입자가 성품이 원만해진 둥근 것보다 다각형으로 서로의 면이나 능선, 다각형의 정점에서 겹치거나 긴밀한 것임이 상기 소결체의 광투과율을 1%이상으로 하는데 있어서는 바람직하다. 이것은 질화 알루미늄 입자의 형상이 모퉁이가 잡힌 둥근 것으로 있으면 소결체 내부에 있어 소결체 입자 상호가 틈새 없게 합체 하지 못하고 질화 알루미늄 이외의 성분으로 이루어지는 립계상이 개재하기 쉽고, 이들립계상에 의해 소결체의 투과율은 저하하기 쉽기 때문에라고 추측된다. 소결체 입자가 둥그스름을 띤 것은 통상 전기 소결조제나 소성온도 저감화제가 과잉에 포함되는 경우로 보여진다. 즉 소성 중 과잉인 소결조별로 따라 과잉인 액상이 생성되고 그 액상 중에서 소결체 입자가 성장하므로 둥그스름을 띠고 쉽다. 소결체 입자가 둥그스름을 띠고 쉬워지는 것은 앞에서 본 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 원소 화합물 등의 소결조제, 알칼리 금속 원소 화합물, 규소 화합물 등의 소성온도 저감화제 등이 전기에 나타낸 범위보다 많이 포함되는 경우에 생기기 쉽다고 하는 것을 의미한다.In addition, the shape of the aluminum nitride particles contained in the sintered body containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention is polygonal rather than smooth rounded particles. It is preferable that the light transmittance of the sintered compact is 1% or more to overlap or be intimate. If the shape of the aluminum nitride particles is a rounded corner, it is easy to interpose the sintered body particles in the sintered body without gaps, and the grain boundary phase composed of components other than aluminum nitride is easily interposed. It is guessed because it is easy to do it. The roundness of the sintered body particles is generally considered to be a case where an excessive amount of the electric sintering aid or the sintering temperature reducing agent is included. That is, an excess liquid phase is generated according to each excess sintering tank during firing, and the sintered body particles grow in the liquid phase so that it is rounded and easy. The sintered body particles are rounded and become easier when the sintering aid such as the rare earth element compound or the alkaline earth metal element compound, and the firing temperature reducing agent such as the alkali metal element compound or the silicon compound are included in the above range. It means that it is easy to occur.

또한 상기 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제조하기 위한 원료 분말중에는 통상 AIN 성분 이외에 산소를 0.01 중량%~5.0 중량%정도 포함한다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 희토류 원소의 함유량은 앞에서 본 같게 산화물 환산으로 30 체적%이하인 것이 바람직하다. 상기 희토류 원소의 바람직한 함유량은 산화물 환산으로 12.0 체적%이하이다. 보다 바람직한 함유량은 산화물 환산으로 7.0 체적%이하이다. 또한 상기 희토류 원소에 대해 산화물 환산에는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm4O7, Yb2O3, Lu2O3의 각 산화물을 기준의 화합물로서 이용해 함유량이 산정된다. 상기 희토류 원소는 질화 알루미늄 분말 성형체의 치밀화를 촉진하면서 원료중에 포함되는 산소를 트랩 해 립계상으로서 석출시키고 소결체 중의 질화 알루미늄 결정립자를 고순도화 시키는 작용을 하므로, 전체적으로 얻을 수 있던 기판의 열전도율을 향상시킨다. 그 때문에 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 소성 후의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 있어서의 희토류 원소의 존재 형태는 희토류 원소 산화물 혹은 알루미늄과의 복합 산화물인 경우가 많다. 알루미늄과의 복합 산화물로서의 존재는 X선회절에 의해 용이하게 분류 할 수 있다. 상기 복합 산화물은 희토류 원소를 Ln로 나타냈을 때, 가닛형 결정 구조의 3 Ln2O35 Al2O3, 로브스카이트형 결정 구조의 Ln2O3Al2O3, 단사정결정 구조 2 Ln2O3Al2O3, 등 3 종류의 결정형의 것이다. 이들 복합 산화물 중 1또는 2이상을 동시에 포함한다. 상기 복합 산화물은 소결체 내부에 있어 주로 질화 알루미늄 입자간의 립계상으로서 존재하고 있다. 본 발명에 의한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판은 이들 복합 산화물이 형성된 것을 포함한다. 이들 복합 산화물은 질화 알루미늄 입자의 우르트광형과 다른 결정 구조를 가지고 있다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 희토류 원소 화합물의 함유량이 산화물 환산으로 30 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 광투과율 1%이상의 것을 얻기 쉽다. 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 희토류 원소 화합물이 전기에 나타낸 것처럼 산화물 환산으로 30 체적%보다 많으면 광투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있기 어려워진다. 그 이유로서 본원 발명자는 소결체 중의 희토류 원소와 알루미늄과의 복합 산화물의 결정은 AIN의 우르트광형결정과 결정계가 다르기 때문에 발광소자로부터의 발광이 소결체 내부에 조사되었을 때 상기 소결체 내부의 희토류 원소 및 알루미늄과의 복합 산화물의 입자와 질화 알루미늄 입자라고 하는 다른 결정계를 가지는 입자간에 광산란이 많아져 결과적으로 기판을 빛이 투과하기 어려워지는 것이라고 추측하고 있다.In addition, the raw material powder for producing a sintered body containing aluminum nitride as a main component used as the substrate for mounting the light emitting element usually contains about 0.01% by weight to about 5.0% by weight of oxygen in addition to the AIN component. The content of the rare earth elements contained in the sintered body containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting element according to the present invention is preferably 30 vol% or less in terms of oxide as described above. Preferable content of the said rare earth element is 12.0 volume% or less in oxide conversion. More preferable content is 7.0 volume% or less in conversion of oxide. In addition, in terms of oxides of the rare earth elements, Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm4O7, and each of the oxides of Y2O3, Yb2O3, Content is calculated using. The rare earth element promotes the densification of the aluminum nitride powder compact, while trapping oxygen contained in the raw material as a trapped grain boundary and high purity of the aluminum nitride crystal grains in the sintered compact, thereby improving the thermal conductivity of the substrate obtained as a whole. Therefore, the presence form of the rare earth element in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride after firing used as the substrate for mounting the light emitting element is often a rare earth element oxide or a complex oxide with aluminum. Presence as a composite oxide with aluminum can be easily classified by X-ray diffraction. When said rare-earth element is represented by Ln, it is three types of crystalline forms, such as 3 Ln2O35 Al2O3 of a garnet type | mold crystal structure, Ln2O3Al2O3 of a lobite type crystal structure, 2 Ln2O3Al2O3 of a single crystal structure. One or two or more of these complex oxides are included simultaneously. The composite oxide is mainly present as grain boundaries between aluminum nitride particles in the sintered body. The light emitting element mounting board | substrate using the sintered compact which has aluminum nitride as a main component by this invention includes the thing in which these complex oxides were formed. These complex oxides have a crystal structure different from the wurtzite type of aluminum nitride particles. It is easy to obtain a light transmittance of 1% or more in a sintered body containing aluminum nitride having a volume of 30 vol% or less in terms of oxide as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention. When the rare earth element compound in the sintered compact containing aluminum nitride as a main component is more than 30% by volume in terms of oxide, it is difficult to obtain a sintered compact composed of light-transmissive aluminum nitride as a main component. For this reason, the inventors of the present invention have found that the crystals of the complex oxides of rare earth elements and aluminum in the sintered body have different crystal systems from the wurtzite crystals of AIN. It is speculated that light scattering increases between the particles of the composite oxide and the particles having another crystal system called aluminum nitride particles, and as a result, it becomes difficult for light to pass through the substrate.

본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판에 대해 희토류 원소를 포함한 질화 알 루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 형상은 성품이 원만해진 둥근 것으로는 없게 다각형으로 서로의 입자 상호 면이나 능선, 혹은 다각형의 정점에서 겹치거나 틈새 없이 긴밀한 것이 되기 쉽다. 또, 상기 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 희토류 원소의 함유량이 산화물 환산으로 12.0 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에서는 광투과율 5%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 상기 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 희토류 원소의 함유량이 산화물 환산으로 7.0 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에서는 광투과율 10%이상의 것을 얻기 쉽다. 이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 희토류 원소 함유량의 감소에 수반하는 광투과성의 향상은, 아마 주로 립계상으로서 존재하는 상기 가닛형 결정 구조의 3 Ln2O35 Al2O3(예를 들면 3 Y2O35 Al2O3, 3 Dy2O35 Al2O3, 3 Ho2O35 Al2O3, 3 Er2O35 Al2O3, 3 Yb2O35 Al2O3, 등), 로브스카이트형 결정 구조의 Ln2O3Al2O3(예를 들면 YAlO3, LaAlO3, PrAlO3, NdAlO3, SmAlO3, EuAlO3, GdAlO3, DyAlO3, HoAlO3, ErAlO3, YbAlO3, 등), 단사정결정 구조 2 Ln2O3Al2O3(예를 들면 2 Y2O3Al2O3, 2 Sm2O3Al2O3, 2 Eu2O3Al2O3, 2 Gd2O3Al2O3, 2 Dy2O3Al2O3, 2 Ho2O3Al2O3, 2 Er2O3Al2O3, 2 Yb2O3Al2O3, 등)의 생성량의 감소에 수반하는 것이라고 추측된다.In the present invention, the shape of the aluminum nitride particles in the sintered body containing aluminum nitride containing rare earth elements as a main component of the substrate for mounting a light emitting element is polygonal, not smooth rounded in nature, and mutually mutual surfaces, ridges, or polygons of each other. It is easy to become close without overlapping or gaps at the vertices of. Moreover, in the sintered compact whose content of a rare earth element is 12.0 volume% or less of aluminum nitride as a main component with respect to the light emitting element mounting substrate by this invention, it is easy to obtain the thing with a light transmittance of 5% or more. Moreover, in the sintered compact whose content of a rare earth element is 7.0 volume% or less of aluminum nitride as a main component with respect to the light emitting element mounting substrate by the said invention, it is easy to obtain the thing of 10% or more of light transmittance. The improvement of the light transmittance accompanying the reduction of the rare earth element content in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride is mainly due to the 3 Ln2O35 Al2O3 (eg, 3 Y2O35 Al2O3, 3 Dy2O35 Al2O3 of the garnet-shaped crystal structure existing mainly as grain boundaries). , 3 Ho 2 O 35 Al 2 O 3, 3 Er 2 O 35 Al 2 O 3, 3 Yb 2 O 35 Al 2 O 3, etc. ), A monoclinic crystal structure of 2 Ln2O3Al2O3 (e.g., 2 Y2O3Al2O3, 2 Sm2O3Al2O3, 2 Eu2O3Al2O3, 2 Gd2O3Al2O3, 2 Dy2O3Al2O3, 2 Ho2O3Al2O3, 2 Er2O3Al2O3,2O3,2O3,2O3, etc.) is reduced.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 희토류 원소를 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.As for the sintered compact mainly composed of aluminum nitride containing the rare earth element in the above-mentioned range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, and the maximum 80% to 85% or more of light One having a transmittance can be obtained.

본 발명의 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 상기 알칼리 토류 금속의 함유량도 앞에서 본 대로 산화물 환산으로 30 체적%이하인 것이 바람직하다.바람직한 함유량은 산화물 환산으로 5.0 체적%이하이다. 보다 바람직한 함유량은 산화물 환산으로 3.0 체적%이하이다. 또한 상기 알칼리 토류 금속에 대해 산화물 환산에는 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO의 각 산화물을 기준의 화합물로서 이용해 함유량이 산정된다. 알칼리 토류 금속은 질화 알루미늄 분말 성형체의 치밀화를 촉진하면서 원료중에 포함되는 산소를 트랩 해 립계상으로서 석출시키고 질화 알루미늄 소결체 중의 AIN 결정립자를 고순도화 시키는 작용을 하므로, 전체적으로 얻을 수 있던 기판의 열전도율을 향상시킨다. 그 때문에 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 소성 후의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 있어서의 알칼리 토류 금속의 존재 형태는 알루미늄과의 복합 산화물인 경우가 많다.복합 산화물로서의 존재는 X선회절에 의해 용이하게 분류 할 수 있다. 상기 복합 산화물은 알칼리 토류 금속 원소를 Ae로 나타냈을 때, 3 AeOAl2O3, AeOAl2O3, AeO2 Al2O3, AeO6 Al2O3, 등의 결정형의 것이다. 이들 복합 산화물 중 1또는 2이상을 동시에 포함한다. 상기 알칼리 토류 금속을 포함한 복합 산화물은 소결체 내부에 있어 주로 질화 알루미늄 입자간의 립계상으로서 존재하고 있다. 본 발명의 발광소자 탑재용 기판은 이들 복합 산화물이 형성된 것을 포함한다. 이들 복합 산화물은 질화 알루미늄 입자의 우르트광형과 다른 결정 구조를 가지고 있다. 본 발명의 발광소자 탑재용 기판에 대해 알칼리 토류 금속의 함유량이 산화물 환산으로 30 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에서 광투과율 1%이상의 것을 얻을 수 있기 쉽다. 본 발명의 발광소자 탑재용 기판에 대해 알칼리 토류 금속이 전기에 나타낸 것처럼 산화물 환산으로 30 체적%보다 많으면 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있기 어려워진다. 그 이유로서 본원 발명자는 소결체 중의 알칼리 토류 금속과 알루미늄과의 복합 산화물의 결정은 AIN의 우르트광형결정과 결정계가 다르기 때문에 발광소자로부터의 발광이 소결체 내부에 조사되었을 때 상기 소결체 내부의 알칼리 토류 금속 및 알루미늄과의 복합 산화물의 입자와 질화 알루미늄 입자라고 하는 다른 결정계를 가지는 입자간에 광산란이 많아져 결과적으로 기판을 빛이 투과하기 어려워지는 것이라고 추측하고 있다.It is preferable that the content of the alkaline earth metal is also 30 vol% or less in terms of oxide, as described above, for the sintered body mainly composed of aluminum nitride used as the light emitting element mounting substrate of the present invention. The preferred content is 5.0 vol% in terms of oxide. It is as follows. More preferable content is 3.0 volume% or less in oxide conversion. In addition, content of the alkali earth metal is calculated using oxides of BeO, MgO, CaO, SrO, and BaO as reference compounds in terms of oxide. Alkaline earth metals promote the densification of the aluminum nitride powder compact, and trap oxygen contained in the raw material as a grain boundary phase and make the AIN crystal grains in the aluminum nitride sintered compact highly purified, thereby improving the overall thermal conductivity of the obtained substrate. . Therefore, the presence form of alkaline earth metal in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride after firing used as a substrate for mounting a light emitting element is often a complex oxide with aluminum. The presence of the complex oxide is easy by X-ray diffraction. Can be classified. The composite oxide is of crystalline form such as 3 AeOAl 2 O 3, AeOAl 2 O 3, AeO 2 Al 2 O 3, AeO 6 Al 2 O 3, and the like when the alkaline earth metal element is represented by Ae. One or two or more of these complex oxides are included simultaneously. The composite oxide containing the said alkaline earth metal exists mainly as a grain boundary between aluminum nitride particles in a sintered compact. The light emitting element mounting substrate of the present invention includes one in which these complex oxides are formed. These complex oxides have a crystal structure different from the wurtzite type of aluminum nitride particles. It is easy to obtain a light transmittance of 1% or more in a sintered body containing aluminum nitride of 30 vol% or less in terms of oxide as the main component of the substrate for mounting a light emitting element of the present invention. When the alkaline earth metal is more than 30% by volume in terms of oxide, the sintered compact mainly composed of aluminum nitride, which is excellent in light transmittance, becomes difficult to obtain for the light emitting element mounting substrate of the present invention. As a reason for this, the inventors of the present invention have found that the crystals of the complex oxide of alkaline earth metal and aluminum in the sintered body have different crystal systems from the wurtzite crystal of AIN. And light scattering between the particles of the composite oxide with aluminum and the particles having another crystal system called aluminum nitride particles, it is inferred that light is difficult to transmit through the substrate.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 알칼리 토류 금속의 함유량이 산화물 환산으로 5.0 체적%이하의 것은 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 형상은 다각형의 것이 많이 입자 상호 서로의 면이나 능선, 혹은 다각형 입자의 정점에서 겹치거나 긴밀한 것이 되기 쉽다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 산화물 환산으로 5.0 체적%이하의 조성 범위의 알칼리 토류 금속을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 5%이상의 것을 얻을 수 있기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 알칼리 토류 금속의 함유량이 산화물 환산으로 3.0 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것을 얻을 수 있기 쉽다. 이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 알칼리 토류 금속 화합물량의 감소에 수반하는 광투과성의 향상은, 아마 주로 립계상으로서 존재 하는 상기 3 AeOAl2O3, AeO·Al2O3, AeO2 Al2O3, AeO6 Al2O3, 등 우르트광형과 다른 결정 구조를 가지는 복합 산화물의 생성량의 감소에 수반하는 것이라고 추측된다.The content of the alkaline earth metal in the sintered compact containing aluminum nitride as the main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention is 5.0 vol% or less in terms of oxide is that the shape of the aluminum nitride particles in the sintered compact is polygonal. It is likely to overlap or become dense at the vertices of faces, ridges, or polygon particles. With respect to the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, a sintered body containing aluminum nitride containing an alkaline earth metal having a composition range of 5.0 vol% or less in terms of oxide can be easily obtained with a light transmittance of 5% or more. In addition, in the sintered compact in which the content of alkaline earth metal is 3.0 vol% or less in terms of oxide, the light emitting element mounting substrate according to the present invention can easily obtain a light transmittance of 10% or more. The improvement of the light transmittance accompanying the reduction in the amount of alkaline earth metal compounds in the sintered body mainly composed of aluminum nitride is probably a wurtzite type such as the above-mentioned 3 AeOAl2O3, AeOAl2O3, AeO2 Al2O3, AeO6 Al2O3, etc. It is guessed that it is accompanied by the reduction of the production amount of the composite oxide which has a crystal structure different from that.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 알칼리 토류 금속 화합물을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것도 얻을 수 있다.For the sintered body containing aluminum nitride containing the alkaline earth metal compound in the above range used as the substrate for mounting the light emitting device according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, up to 80% to 85% It can also be obtained having the above light transmittance.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 소성온도의 저감화를 꾀하기 위해서 Li, Na, K등의 알칼리 금속, 혹은 Li2O, Li2CO3, LiF, LiOH, Na2O, Na2CO3, NaF, NaOH, K2O, K2CO3, KF, KOH 등의 알칼리 금속 화합물, 혹은 Si, 혹은 SiO2, Si3N4, SiC 등의 규소를 포함한 화합물을 가지는 것도 이용할 수가 있다. 이러한 소성온도의 저감화를 촉진하는 알칼리 금속 혹은 규소를 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체여도 그 함유량이 산화물 환산으로 5 체적%이하이면 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다. 또한 상기 알칼리 금속 및 알칼리 금속 화합물에 대해 산화물 환산에는 Li2O, Na2O, K2O, Rb2O, Cs2O의 각 산화물을 기준의 화합물로서 이용해 함유량이 산정된다. 또, 규소를 포함한 화합물에 대해 산화물 환산에는 SiO2(밀도：2.65g/cm3)를 기준의 화합물로서 함유량이 산정된다. 즉, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 알칼리 금속 혹은 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 5 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성 분으로 하는 소결체로 광투과율 1%이상의 것을 얻을 수 있다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 알칼리 금속 혹은 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 3 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 5%이상의 것을 얻을 수 있다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 알칼리 금속 혹은 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 1 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것을 얻을 수 있다.As a sintered body containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, in order to reduce the firing temperature, alkali metals such as Li, Na, and K, or Li2O, Li2CO3, LiF, LiOH, Na2O, Na2CO3, NaF And alkali metal compounds such as NaOH, K 2 O, K 2 CO 3, KF, and KOH, or compounds containing Si or silicon such as SiO 2, Si 3 N 4, and SiC can also be used. Even if the sintered body whose main component is aluminum nitride containing alkali metal or silicon which promotes the reduction of the firing temperature is reduced, if the content is 5 vol% or less in terms of oxide, the sintered body having the light transmitting aluminum nitride as the main component can be obtained. In the oxide conversion, the content of the alkali metal and alkali metal compound is calculated by using each oxide of Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, Rb 2 O, Cs 2 O as a reference compound. In addition, with respect to the compound containing silicon, in terms of oxide, the content is calculated based on SiO 2 (density: 2.65 g / cm 3) as a reference compound. That is, with respect to the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, a sintered body comprising at least 5% by volume of aluminum nitride in terms of oxide as the main component of at least one or more selected from alkali metals or silicon can obtain a light transmittance of 1% or more. Can be. In the sintered compact in which at least one or more selected from alkali metals or silicon in the light emitting element mounting substrate according to the present invention contains 3% by volume or less of aluminum nitride as a main component, a light transmittance of 5% or more can be obtained. have. In addition, in the sintered compact in which at least one or more selected from alkali metals or silicon in the light emitting element mounting substrate according to the present invention contains 1% by volume or less of aluminum nitride as a main component, a light transmittance of 10% or more can be obtained. have.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 알칼리 금속 혹은 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.The light transmittance of the sintered body which has at least one or more selected from alkali metals or silicon in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention as a main component can be obtained even higher than that indicated above. The light transmittance of 80%-85% or more can be obtained.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 흑색, 재흑색, 회색 등의 착색화를 도모하기 위해서 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등을 포함한 금속, 합금 및 금속 화합물이나 카본 등의 성분을 포함한 것도 이용할 수가 있다. 이러한 흑색 등을 나타내는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로부터 기판 외부에 방출되는 발광은 보다 온화한 것이 되기 쉽기 때문에, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 흑색, 재흑색, 회색 등의 착색화는 발광소자 탑재용 기판으로서 사용하는 경우 유효한 것이다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 상기에 예시된 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 착색화를 촉진 하기 쉬운 성분을 포함하고 있어도 그 함유량이 원소 환산으로 5 체적%이하이면 광투과성을 가지는 것을 얻을 수 있다. 즉, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분의 함유량이 원소 환산으로 5 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 광투과율 1%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분의 함유량이 원소 환산으로 3 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 광투과율 5%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분의 함유량이 원소 환산으로 1 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 광투과율 10%이상의 것을 얻기 쉽다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것도 얻을 수 있다.A sintered body containing aluminum nitride as a main component of a substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, in order to achieve coloring of black, ash black, gray and the like, including metals, alloys including Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and the like. And those containing components such as metal compounds and carbon can be used. Since light emitted from the light emitting element mounting substrate according to the present invention to the outside of the substrate tends to be milder by using a sintered body containing aluminum nitride as the main component, such as black, black and ash of the sintered body composed of aluminum nitride as the main component Coloration of black or gray is effective when used as a substrate for mounting a light emitting element. Even if the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains a component that is easy to promote coloring of the sintered body containing the above-mentioned aluminum nitride as a main component, if the content is 5 vol% or less in terms of elements, it is possible to obtain a light transmittance. have. That is, the content of at least one or more components selected from among Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon based on the light emitting element mounting substrate according to the present invention is 5 vol% or less of aluminum nitride as the main component. It is easy to obtain a light transmittance of 1% or more with a sintered compact. In addition, the content of at least one or more components selected from among Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon based on the light emitting element mounting substrate according to the present invention is 3% by volume or less in terms of elemental aluminum nitride. It is easy to obtain a light transmittance of 5% or more with a sintered compact. In addition, the content of at least one or more components selected from among Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon based on the light emitting element mounting substrate according to the present invention is 1 vol.% Or less of aluminum nitride in terms of elements. It is easy to obtain a sintered compact having a light transmittance of 10% or more. The light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride including at least one component selected from among Mo, W, V, Nb, Ta, Ti and carbon in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention is It is possible to obtain even higher than indicated by, and to have a light transmittance of up to 80% to 85% or more.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에 포함되는 산소는 주성분의 AIN와 반응해 ALON로서 존재하든가 혹은 소결조제의 희토류 원소나 알칼리 토류 금속과 반응해 립계상으로서 존재하든가 혹은 소결체 중의 AIN 결정립자의 결정 격자에 고용 할까 차이인가로 존재하고 있다고 생각된다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄을 주 성분으로 하는 소결체 중에 포함되는 전산소량은 10 중량%이하가 바람직하다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 전산소량이 10 중량%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이상의 것을 얻기 쉽다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 전산소량이 5.0 중량%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 5%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 전산소량이 3.0 중량%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것을 얻기 쉽다.Oxygen contained in the sintered body containing aluminum nitride as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention is present as an ALON by reacting with AIN of the main component or as a grain boundary by reacting with a rare earth element or alkaline earth metal of the sintering aid. It is considered that it exists either by dissolving in the crystal lattice of AIN crystal grains in a sintered compact, or whether it differs. The total amount of oxygen contained in the sintered body containing aluminum nitride as a main component of the light emitting element mounting substrate according to the present invention is preferably 10% by weight or less. With respect to the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, in a sintered body having a total oxygen content of 10 wt% or less of aluminum nitride as a main component, one having a light transmittance of 1% or more is easily obtained. With respect to the light emitting element mounting substrate according to the present invention, in the sintered body whose main oxygen content is aluminum nitride of 5.0% by weight or less, it is easy to obtain a light transmittance of 5% or more. Moreover, in the sintered compact which has the total amount of oxygen of 3.0 weight% or less with respect to the light emitting element mounting substrate by this invention as a main component, it is easy to obtain the thing of 10% or more of light transmittance.

또한 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소나 알칼리 토류 금속을 포함한 경우, 혹은 알칼리 금속이나 규소를 포함한 경우, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등을 포함한 경우, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분을 포함한 경우, 등은 상기 범위보다 적은 양의 산소 밖에 포함하지 않는 것으로 있어도 광투과율이 저하하는 경우가 있다. 또, 반대로 상기 범위보다 많은 양의 산소를 포함하는 것이어도 광투과율이 저하하지 않고 비교적 높은 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있는 경우가 있다. 즉, 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물을 포함한 경우, 혹은 알칼리 금속 화합물이나 규소 함유 화합물을 포함한 경우, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등을 포함한 경우, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분을 포함한 경우, 포함되는 산소량이 10 중량%이하여도 광투과율 1%이하의 것이 생기는 경우가 있어, 포함되는 산소량이 5.0 중량%이하여도 광 투과율 5%이하의 것이 생기는 경우가 있어, 한층 더 포함되는 산소량이 3.0 중량%이하여도 광투과율 10%이하의 것이 생기는 경우가 있다. 이것은 아마 상기 질화 알루미늄 이외의 성분이 포함되어 있으면 소성중에 복잡한 화합물이 생성해 소결체의 립계상으로서 석출해 광투과율이 저해되고 쉬워지는 것이라고 추측된다. 또, 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소나 알칼리 토류 금속을 포함한 경우, 혹은 알칼리 금속이나 규소를 포함한 경우, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등을 포함한 경우, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분을 포함한 경우, 포함되는 산소량이 10 중량%이상이어도 광투과율 1%이상의 것이 생기는 경우가 있어, 포함되는 산소량이 5.0 중량%이상이어도 광투과율 5%이상의 것이 생기는 경우가 있어, 한층 더 포함되는 산소량이 3.0 중량%이상이어도 광투과율 10%이상의 것이 생기는 경우가 있다. 이것은 아마 상기 질화 알루미늄 이외의 성분이 질화 알루미늄 입자 등에서 산소를 효과적으로 수중에 넣어 예를 들면 립계상으로서 석출시키고 산소에 의한 광투과율의 저하를 방지하는 것이라고 추측된다.In the present invention, when the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains a rare earth element or an alkaline earth metal, or contains an alkali metal or silicon, or contains Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, carbon, or the like. Or the case where iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, and the like contain unavoidable metal components, the light transmittance may decrease even if it contains only a small amount of oxygen less than the above range. have. On the contrary, even if it contains oxygen in a quantity larger than the said range, the thing which has comparatively high light transmittance may be obtained without falling light transmittance. That is, in the present invention, when the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains a rare earth element compound or an alkaline earth metal compound, or contains an alkali metal compound or silicon-containing compound, or Mo, W, V, Nb, Ta, Ti , Carbon, etc., or inevitable metal components such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, etc., the oxygen content of less than 10% by weight of less than 1% It may generate | occur | produce, and even if the amount of oxygen contained is 5.0 weight% or less, the thing of 5% or less of light transmittance may arise, and even if the amount of oxygen contained is 3.0 weight% or less, the thing of 10% or less of light transmittance may arise. It is presumed that if a component other than the above-mentioned aluminum nitride is contained, a complex compound is formed during firing and precipitates as a grain boundary phase of the sintered compact, and the light transmittance is inhibited and becomes easy. In the present invention, when the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains a rare earth element or an alkaline earth metal, or contains an alkali metal or silicon, or contains Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, carbon, or the like. In the case of or containing an unavoidable metal component such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper or zinc, even if the amount of oxygen contained is 10% by weight or more, a light transmittance of 1% or more may occur. Even if the amount of oxygen used is 5.0% by weight or more, a light transmittance of 5% or more may be generated, and even if the amount of oxygen contained is 3.0% by weight or more, a light transmittance of 10% or more may occur. It is presumed that this component other than the above-mentioned aluminum nitride effectively absorbs oxygen from the aluminum nitride particles or the like and precipitates it as a grain boundary, for example, and prevents a decrease in light transmittance by oxygen.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 산소를 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.For a sintered body containing aluminum nitride containing oxygen in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, and the light transmittance of 80% to 85% or more at most. Can be obtained.

상기와 같이 산소, 혹은 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 등 소결조제로서 이용되는 성분, 혹은 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 착색화제로서 이용되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분이나 카본, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분, 혹은 ALOn 등을 비교적 많이 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체여도 광투과율이 상기에서 가리킨 광투과율보다 한층 더 높은 80%~85%이상의 것을 얻을 수 있다.실제 실험적으로 광투과율이 87%의 높은 것을 얻을 수 있었다. 이와 같이 본 발명에 대해 AIN 순도가 반드시 높지 않은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체여도 광투과율의 높은 것을 얻을 수 있으므로 AIN 순도가 높지 않은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체여도 발광소자 탑재용 기판으로서 이용할 수가 있다.As described above, components used as sintering aids such as oxygen or rare earth elements and alkaline earth metals, components such as alkali metals and silicon used as sintering temperature reducing agents, or Mo, W, V, Nb used as coloring agents, Even if a sintered body is composed mainly of metal components such as Ta and Ti, carbon, or inevitable metal components other than Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, or aluminum nitride containing relatively large amounts of ALOn, the light transmittance indicated by the above The 80%-85% or more thing higher than the transmittance | permeability can be obtained. In fact, the thing of 87% of light transmittance was obtained experimentally. As described above, even if the sintered body whose main component is aluminum nitride whose AIN purity is not necessarily high is obtained, a high light transmittance can be obtained, and the sintered body whose main component is aluminum nitride which does not have high AIN purity can be used as a substrate for mounting a light emitting element. .

본 발명에 대해 상기 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등의 성분, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분, 혹은 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 소결조제로서 이용되는 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용할 수도 있다. 상기와 같이 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등의 성분, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분, 혹은 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속중에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속을 포함하지 않는 경우에 비해 소결체 제조시의 소성온도를 저하할 수가 있기 때문에 제조가 용이하게 되어, 한층 더 제조된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율을 높이는 일도 가능해지는 경우도 있으므로 바람직하다.Component of alkali metal, silicon, etc. or components such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, carbon, or iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, etc. A light emitting device comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one component selected from inevitable metal components or oxygen and at least one component selected from rare earth elements and alkaline earth metals used as sintering aids It can also be used as a substrate. As described above, components such as alkali metals and silicon, or components such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon, or inevitable such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc A sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one metal component or at least one component selected from oxygen and at least one component selected from rare earth elements and alkaline earth metals does not contain a rare earth element and alkaline earth metal. Since the baking temperature at the time of manufacture of a sintered compact can be reduced, manufacture becomes easy and it is preferable because it may become possible to raise the light transmittance of the sintered compact which has further manufactured aluminum nitride as a main component.

본원 발명자는 전기 1750℃이상의 온도로 3시간 이상, 환원성 분위기중에서 소성을 실시해 포함되는 산소, 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 등 소결조제로서 이용되는 성분, 혹은 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분 혹은 착색제로서 이용되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분이나 카본 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분 등을 비산제거해, 감소시켜, 결정상으로서의 ALON나 상기 알루미늄 이외의 금속 성분이나 규소 혹은 카본을 포함한 화합물의 함유량이 저감화된 AIN 순도의 높은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성의 향상에 대해 한층 더 검토해, 상기 소결체를 이용한 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서의 특성 향상을 시도했다.The inventors of the present invention carry out firing in a reducing atmosphere for at least 3 hours at a temperature of 1,750 ° C or higher, and are used as sintering aids such as oxygen, rare earth elements and alkaline earth metals, or alkali metals and silicon used as sintering temperature reducing agents. Metal components such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon or inevitable metal components other than Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, etc. are scattered and removed to reduce The improvement of the light transmittance of a sintered compact mainly composed of ALON as the main component of aluminum nitride having high purity of AIN with reduced content of a metal component other than the above-mentioned aluminum and a compound containing silicon or carbon, and gallium nitride using the sintered compact, A device for mounting a light emitting element having as a main component at least one selected from indium nitride and aluminum nitride We tried to improve the characteristics as a plate.

상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 AIN 순도는 소성온도가 높아질수록 또 소성시간을 길게 할수록 높아지는 경향이 있다. 소성온도로서는 1900℃이상이 보다 바람직하고, 2050℃이상이 한층 더 바람직하고, 2100℃이상이 가장 바람직하다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 AIN 순도를 높이는데 있어서는 소성온도를 높이면 소성시간을 짧게 하면 소성온도를 낮게 하면 소성시간이 길어진다고 하는 관계에 있어, 어디라도 효과는 대부분 같다.AIN의 순도를 높이기 위해서 소성온도 1750℃~1900℃의 범위에서는 소성시간은 통상 10시간 이상으로 하는 것이 바람직하다. 소성온도 1900℃이상에서는 소성시간 6시간 이상, 소 성온도 2050℃이상에서는 소성시간 4시간 이상, 소성온도 2100℃이상에서는 소성시간 3시간 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이러한 방법에 의해 본 발명에 의한 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.5 중량%(5000 ppm) 이하 또한 산소 함유량이 0.9 중량%이하의 조성의 것을 얻을 수 있다. 그 때문에 이러한 조성의 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율이 향상하기 쉽다. 따라서 이러한 조성의 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서 뛰어난 것이 될 수 있다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.2 중량%(2000 ppm) 이하 또한 산소 함유량이 0.5 중량%이하의 조성을 가지는 것을 얻을 수 있고 바람직하다. 또 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.05 중량%(500 ppm) 이하 또한 산소 함유량이 0.2 중량%이하의 조성을 가지는 것을 얻는 것이 성과보다 바람직하다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.02 중량%(200 ppm) 이하 또한 산소 함유량이 0.1 중량%이하의 조성을 가지는 것을 얻을 수 있고 게다가 바람직하다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.005 중량%(50 ppm) 이하 또한 산소량이 0.05 중량%이하의 조성을 가지는 것을 얻을 수 있고 가장 바람직하다. 본 발명자는 상기 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판에 이용했을 경우여도, 상기 기판에 탑재된 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자로부터의 발광이 상기 기판을 투과하여 기판 외부에 방출될 때, 상기 방출빛은 강한 빛인 것에도 불구하고 투명한 유리나 수지 등을 투과한 눈에 찌르는 것 같은 직진빛과 달리 온화한 산란빛이 되기 쉬운 것을 확인했다.For the sintered body containing aluminum nitride as a main component, the AIN purity tends to increase as the firing temperature increases and as the firing time increases. As baking temperature, 1900 degreeC or more is more preferable, 2050 degreeC or more is further more preferable, and 2100 degreeC or more is the most preferable. In increasing the AIN purity of aluminum nitride-based sintered compacts, the effect is almost the same regardless of the fact that the higher the firing temperature, the shorter the firing time, the lower the firing temperature, the longer the firing time. For that reason, it is preferable to make baking time into 10 hours or more normally in the range of baking temperature 1750 degreeC-1900 degreeC. At a firing temperature of 1900 ° C. or higher, a firing time of at least 6 hours, at a firing temperature of 2050 ° C. or higher is preferably at least 4 hours, and at a firing temperature of 2100 ° C. or higher of at least 3 hours. By this method, a sintered body containing aluminum nitride having a high AIN purity according to the present invention as a main component, and at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals is 0.5% by weight or less (5000 ppm) in terms of elements and further oxygen content This 0.9 wt% or less composition can be obtained. Therefore, the light transmittance tends to improve in the sintered compact which mainly has aluminum nitride which raises the AIN purity of such a composition. Therefore, a sintered body containing aluminum nitride having a high AIN purity of such a composition as a main component can be excellent as a substrate for mounting a light emitting element containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. A sintered body containing aluminum nitride having high AIN purity as a main component of a substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, wherein at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals is 0.2% by weight (2000 ppm) or less in terms of elements It is also possible to obtain and preferably have a composition having an oxygen content of 0.5% by weight or less. In addition, a sintered body containing aluminum nitride having high AIN purity as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals, is 0.05% by weight (500 ppm) in terms of elements in total. In addition, it is more preferable than the result to obtain what has an oxygen content of 0.2 weight% or less. In addition, a sintered body containing aluminum nitride having a high AIN purity as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals, is 0.02% by weight in total (200 ppm). ) And also having an oxygen content of 0.1% by weight or less. In addition, a sintered body containing aluminum nitride having high AIN purity as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals, is 0.005% by weight in total (50 ppm). It is possible to obtain a composition having an oxygen content of 0.05% by weight or less and most preferably. The present inventors have at least one selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride mounted on the substrate, even when the sintered body containing aluminum nitride having a high AIN purity as a main component is used for a light emitting element mounting substrate. When the light emitted from the light emitting device is transmitted through the substrate and is emitted outside the substrate, the emitted light is a strong scattered light, in contrast to the straight light like stinging through the transparent glass, resin, etc. We confirmed that it was easy to be.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.5 중량%이하 또한 산소 함유량이 0.9 중량%이하의 조성을 가지는 것은 광투과율 10%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소 함유량이 0.5 중량%이하의 조성을 가지는 것은 광투과율 20%이상의 것을 얻기 쉽고 바 람직하다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.05 중량%이하 또한 산소 함유량이 0.2 중량%이하의 조성을 가지는 것은 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽고 보다 바람직하다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.02 중량%이하 또한 산소 함유량이 0.1 중량%이하의 조성을 가지는 것은 광투과율 40%이상의 것을 얻기 쉽고 한층 더 바람직하다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.005 중량%이하 또한 산소 함유량이 0.05 중량%이하의 조성을 가지는 것은 광투과율 50%이상의 것을 얻기 쉽고 가장 바람직하다.A sintered body comprising aluminum nitride having a high AIN purity as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, wherein at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals is 0.5 wt% or less in terms of elements in total and has an oxygen content. A composition having a composition of 0.9% by weight or less tends to be obtained with a light transmittance of 10% or more. In addition, the light emitting device mounting substrate according to the present invention is a sintered body containing aluminum nitride having high AIN purity as a main component, and at least one or more contents selected from rare earth elements and alkaline earth metals are not more than 0.2% by weight in total in terms of elements and oxygen It is preferable to have a composition having a content of 0.5% by weight or less to obtain a light transmittance of 20% or more. Further, the light emitting device mounting substrate according to the present invention is a sintered body containing aluminum nitride having high AIN purity as a main component, and at least one or more contents selected from rare earth elements and alkaline earth metals are 0.05% by weight or less in total in terms of elements and oxygen It is more easy to obtain the thing with a light transmittance of 30% or more that content has a composition of 0.2 weight% or less. In addition, the light emitting device mounting substrate according to the present invention is a sintered body containing aluminum nitride having high AIN purity as a main component, and at least one or more content selected from rare earth elements and alkaline earth metals is 0.02% by weight or less in terms of elements and oxygen It is easy to obtain the thing with a light transmittance of 40% or more, and it is still more preferable that content has a composition of 0.1 weight% or less. A sintered body containing aluminum nitride having high AIN purity as a main component of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals, in terms of elements, is 0.005% by weight or less in total and has an oxygen content. Having a composition of 0.05 wt% or less is most preferable to obtain a light transmittance of 50% or more.

이러한 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 다결정체인 것에도 불구하고 광투과율이 전기보다 한층 더 높은 80%~85%이상의 것도 얻을 수 있다.실제 실험적으로 광투과율이 88%의 높은 것을 얻을 수 있었다.In spite of being a polycrystal for a sintered body composed mainly of aluminum nitride having high AIN purity, a light transmittance of 80% to 85% or more, which is higher than that of electricity, can be obtained. Could get

상기 AIN 순도를 높인 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 결정상은 AIN가 95~98%이상이며, ALON나 희토류 원소 화합물 혹은 알칼리 토류 금속 화합물 등의 결정상은 2~5%이하이며, 실질적으로 AIN 단일상의 것도 얻을 수 있다. 또한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 결정상은 X선회 절에 의한 얻을 수 있던 각 결정상이 가리키는 회절 피크의 최강선을 상대 비교하는 것으로 용이하게 계측 할 수 있다.The crystal phase included in the sintered body containing aluminum nitride having a high purity of AIN as a main component has 95 to 98% or more of AIN, and 2 to 5% or less of crystal phase of ALON, rare earth element compounds or alkaline earth metal compounds. You can also get AIN single phase. In addition, the crystal phase in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride can be easily measured by comparatively comparing the strongest lines of the diffraction peaks indicated by the respective crystal phases obtained by X-ray diffraction.

또, 상기의 방법에 의해 산소 혹은 희토류 원소나 알칼리 토류 금속 이외에도 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 Mo, W, V(바나듐), Nb, Ta, Ti, Fe, Ni, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, Zn 등의 천이 금속 불순물, 혹은 카본 등의 성분, 혹은 그 외에 질화 알루미늄 분말 원료나 소결체 제조 공정으로부터 혼입하는 불가피 불순물이 휘산제거, 저감화할 수 있으므로 AIN 순도의 높은 질화 알루미늄 소결체를 제조할 수 있다.AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 포함되는 알칼리 금속 및 규소 성분이 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소량이 0.9 중량%이하의 조성을 가지는 것에서는 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 알칼리 금속 및 규소 성분을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.In addition to the oxygen, rare earth elements, or alkaline earth metals, the above-described method may also be used for components such as alkali metals and silicon used as calcination temperature reducing agents, or Mo, W, V (vanadium), Nb, Ta, Ti, Fe, Ni AIN purity because transition metal impurities such as, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, Zn, or components such as carbon, or other unavoidable impurities mixed from aluminum nitride powder raw materials or sintered body manufacturing process can be volatilized and reduced. A high aluminum nitride sintered compact can be produced. The alkali metal and silicon components included as a sintered compact containing aluminum nitride having high AIN purity as a main component have a composition of 0.2 wt% or less in total and an oxygen content of 0.9 wt% or less. It is easy to obtain a light transmittance of 30% or more. As for the sintered compact mainly composed of aluminum nitride having the alkali metal and silicon component in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance can be obtained even higher than that indicated above, up to 80% to 85 It is possible to obtain a light transmittance of more than%.

AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 Mo, W, V(바나듐), Nb, Ta, Ti, 카본이 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소량이 0.9 중량%이하의 조성을 가지는 것에서는 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 Mo, W, V(바나듐), Nb, Ta, Ti, 카본을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상 의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.A sintered body containing aluminum nitride with high AIN purity as its main component, and Mo, W, V (vanadium), Nb, Ta, Ti, and carbon are 0.2 wt% or less in elemental conversion and oxygen content is 0.9 wt% or less. It is easy to obtain a transmittance of 30% or more. For the sintered body containing aluminum nitride having Mo, W, V (vanadium), Nb, Ta, Ti, and carbon in the above range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance is further than that indicated above. The higher one can be obtained and the light transmittance of up to 80% to 85% or more can be obtained.

또, AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서 Fe, Ni, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, Zn가 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소량이 0.9 중량%이하의 조성을 가지는 것에서는 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 범위의 Fe, Ni, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, Zn를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율은 상기에서 가리킨 것보다 한층 더 높은 것을 얻을 수 있어 최대 80%~85%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있다.In addition, a sintered body containing aluminum nitride with high AIN purity as a main component, in which Fe, Ni, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, and Zn have a composition of 0.2 wt% or less in total and an oxygen content of 0.9 wt% or less It is easy to obtain a light transmittance of 30% or more. For a sintered body composed mainly of aluminum nitride having Fe, Ni, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, and Zn in the above-mentioned range used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention, the light transmittance is further than that indicated above. The higher one can be obtained and the one having light transmittance of 80% to 85% or more can be obtained.

또한 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에 포함되는 희토류 원소 화합물과는 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu등의 희토류 원소, 및 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, 등의 희토류 원소 산화물 혹은 그 외 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, 등을 포함한 탄산염, 질산염, 유산염, 염화물 등의 무기 희토류 화합물, 초산염, 옥살산소금, 구연산소금 등의 유기 희토류 화합물 등의 각종 희토류 원소 화합물이며, 한층 더 Ln를 희토류 원소로서 나타냈을 때 가닛형 결정 구조의 3 Ln2O35 Al2O3(예를 들면 3 Y2O35 Al2O3, 3 Dy2O35 Al2O3, 3 Ho2O35 Al2O3, 3 Er2O35 Al2O3, 3 Yb2O35 Al2O3, 등), 로브스카이트형 결정 구조의 Ln2O3Al2O3(예를 들면 YAlO3, LaAlO3, PrAlO3, NdAlO3, SmAlO3, EuAlO3, GdAlO3, DyAlO3, HoAlO3, ErAlO3, YbAlO3, 등), 단사정결정 구조 2 Ln2O3Al2O3(예를 들면 2 Y2O3Al2O3, 2 Sm2O3Al2O3, 2 Eu2O3Al2O3, 2 Gd2O3Al2O3, 2 Dy2O3Al2O3, 2 Ho2O3Al2O3, 2 Er2O3Al2O3, 2 Yb2O3Al2O3, 등)등의 각종 희토류 원소를 포함한 복합 산화물 등이다. 또 상기 질화 알루미늄 소결체 중에 포함되는 알칼리 토류 금속 화합물과는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba등의 알칼리 토류 금속, 및 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 산화물이나 그 외 Be, Mg, Ca, Sr, Ba등을 포함한 탄산염, 질산염, 유산염, 염화물 등의 무기 알칼리 토류 금속 화합물, 초산염, 옥살산소금, 구연산소금 등의 유기 알칼리 토류 금속 화합물 등의 각종 알칼리 토류 금속 화합물이며, 한층 더 Ae를 알칼리 토류 금속으로서 나타냈을 때 3 AeOAl2O3, AeOAl2O3, AeO2 Al2O3, AeO6 Al2O3 등의 알칼리 토류 금속을 포함한 복합 산화물 등이다.In addition, the rare earth element compound included in the sintered body containing aluminum nitride as a main component is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu Rare earth elements such as Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, and other earth, such as Inorganic rare earth compounds, acetates, such as carbonates, nitrates, lactates, chlorides, including Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, etc. It is various rare earth element compounds such as organic rare earth compounds such as salt of oxalate and citric acid, and when Ln is represented as rare earth element, it is 3 Ln2O35 Al2O3 having a garnet-type crystal structure (for example, 3 Y2O35 Al2O3, 3 Dy2O35 Al2O3, 3 Ho2O35). Al2O3, 3 Er2O35 Al2O3, 3 Yb2O35 Al2O3, etc., Ln2O3Al2O3 (e.g., YAlO3, LaAlO3, PrAlO3, NdAlO3, SmAlO3, EuAlO3, GdAlO3, DyAlO3, HoA) 1O3, ErAlO3, YbAlO3, etc.), single crystal structure 2 Ln2O3Al2O3 (e.g. And composite oxides. The alkaline earth metal compounds contained in the aluminum nitride sintered body include alkaline earth metals such as Be, Mg, Ca, Sr, and Ba, and alkaline earth metal oxides such as BeO, MgO, CaO, SrO, and BaO, and other Be, It is various alkaline earth metal compounds such as inorganic alkaline earth metal compounds such as carbonates, nitrates, lactates and chlorides including Mg, Ca, Sr, Ba, etc., and organic alkaline earth metal compounds such as acetates, salts of oxalate and citrate. When Ae is represented as an alkaline earth metal, it is a complex oxide containing alkaline earth metals, such as 3AeOAl2O3, AeOAl2O3, AeO2 Al2O3, AeO6 Al2O3.

상기 환원성 분위기중 1750℃이상의 온도로 3시간 이상이라고 하는 비교적 긴 시간 가열하는 방법에 의해 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 특징은 실온에 있어서의 열전도율이 실온에 대해 200 W/mK이상으로 높은 것을 얻기 쉽다. 또 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 불순물 함유량이 적은 것이나 AIN 단일상으로 이루어지는 것의 경우에는 한층 더 실온에 있어서의 열전도율이 220 W/mK이상의 것을 얻기 쉽다. 이러한 특징에 가세해 상기 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 광투과성의 높은 것을 얻기 쉽다. 이것은 희토류 원소나 알칼리 토류 금속 이외에도 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분 혹은 착색제로서 이용되는 Mo, W, V(바나듐), Nb, Ta, Ti, 카본 등의 성분 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 질화 알 루미늄 분말 원료나 소결체 제조 공정으로부터 혼입하는 Fe, Ni, Co, Mn 등의 천이 금속 불순물이 휘산제거, 저감화되기 때문이라고 추측된다. 또, 상기 천이 금속 등의 불순물이나 소결조제가 잔류하고 있는 소결체여도 실온에 있어서의 열전도율이 200 W/mK이상 게다가 220 W/mK이상의 고열 전도율을 가지는 것, 혹은보다 광투과성이 뛰어난 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다. 이것은 아마 장시간 가열하는 것으로 소결체 중의 질화 알루미늄 입자가 크게 성장해 립계의 영향이 적게 되기 때문에 AIN 본래의 단결정으로서의 성질이 보다 발현하기 쉬워지기 때문에 있으려고 본원 발명자는 추측하고 있다.The characteristics of the sintered body whose main component is aluminum nitride obtained by a relatively long time heating method of 3 hours or more at a temperature of 1750 ° C. or higher in the reducing atmosphere are characterized in that the thermal conductivity at room temperature is 200 W / mK or more relative to room temperature. Easy to get high In the case where the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a small impurity content or a single AIN phase, the thermal conductivity at room temperature is more easily 220 W / mK or more. In addition to these characteristics, a sintered body containing aluminum nitride having a high AIN purity as a main component is likely to obtain high light transmissive properties. In addition to the rare earth elements and alkaline earth metals, this is a component such as an alkali metal or silicon used as a calcination temperature reducing agent or a component such as Mo, W, V (vanadium), Nb, Ta, Ti, carbon, or Mo, W used as a colorant. It is speculated that transition metal impurities such as Fe, Ni, Co, and Mn mixed from aluminum nitride powder raw materials other than, V, Nb, Ta, and Ti or from a sintered body manufacturing process are volatilized off and reduced. In addition, even in the case of the sintered body in which impurities such as the transition metal and the sintering aid remain, the main component is one having a thermal conductivity at room temperature of 200 W / mK or more and a high thermal conductivity of 220 W / mK or more, or aluminum nitride having superior light transmittance. A sintered compact can be obtained. This is probably because the aluminum nitride particles in the sintered compact grow significantly and the grain boundary is less affected by heating for a long time, so the present inventors conjecture that the properties of the original single crystal of AIN are more likely to be expressed.

본 발명에 의하면 상기 고순도화를 실시하는 소성과정에서 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기가 통상 증대화한다. 상기 고순도화 되고 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기가 증대화하는 것이 한층 더 높은 광투과율을 주는 큰 요인이다고 생각된다. 소성온도를 높일까 소성시간을 길게 하는 것으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 소결조제 등 AIN 이외의 성분이 휘산제거 감소해 소결체 중의 질화 알루미늄 입자 내부나 질화 알루미늄 입자의 립계에 AIN 이외의 성분이 적게 되든가 혹은 실질적으로 제로에 가깝게 되기로 가세해 소결체 중의 질화 알루미늄 결정립자의 크기가 증대화한다. 이것은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 질화 알루미늄 입자 내부나 질화 알루미늄 입자의 립계에 AIN 이외의 성분이 적게 되든가 혹은 실질적으로 제로에 가깝게 되기로 가세해 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기가 증대화하면 질화 알루미늄 입자 경계(립계)가 감소하므로 립계의 영향이 적게 되어 이 크게 증대한 질화 알루미늄 입자 자체도 고순도화 되고 한층 더 결정성도 높아져 순도의 높은 단결정의 질화 알루미늄에 가까운 성질을 발현하기 쉬워지기 때문이라고 추측된다. 즉 순도의 높은 단결정에 가까운 상태의 큰 결정립자로 이루어지는 소결체가 되기 때문에 광투과성도 질화 알루미늄 단결정의 흡수단의 파장 200 nm 부근으로부터 장파장측에서 단결정에 필적하는 높은 광투과율을 가지게 된다. 또 이 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 사용하면 탑재되고 있는 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하여 효율적으로 기판 외부에 방출할 수 있어 상기 방출빛은 강한 빛인 것에도 불구하고 투명한 유리나 수지 등을 투과한 눈에 찌르는 것 같은 직진빛과 달리 온화한 산란빛이 되기 쉬운 일이 본원 발명자는 확인할 수 있었다.According to the present invention, the size of the aluminum nitride particles in the sintered body containing aluminum nitride as a main component is usually increased in the firing step of performing the high purity. It is considered that the increase in the size of the aluminum nitride particles in the sintered body containing aluminum nitride having high purity and high AIN purity as a main component is a major factor that gives higher light transmittance. By increasing the firing temperature or by increasing the firing time, components other than AIN, such as a sintering aid of aluminum nitride as a main component, are reduced in volatilization, and there are fewer components other than AIN in the interior of aluminum nitride particles or grain boundaries of aluminum nitride particles. In addition to being substantially close to zero, the size of the aluminum nitride crystal grains in the sintered compact increases. This is because when the size of the aluminum nitride particles in the sintered body increases, the size of the aluminum nitride particles in the sintered body increases, in addition to the fact that the sintered body containing aluminum nitride as the main component is made to have less components other than AIN or substantially close to zero in the grain boundaries of the aluminum nitride particles or the aluminum nitride particles. It is speculated that the aluminum grain boundary (grain boundary) is reduced, so the influence of grain boundary is reduced, and this greatly increased aluminum nitride particle itself is also highly purified and further crystallinity is increased, making it easier to express properties close to that of high purity single crystal aluminum nitride. do. That is, since it becomes a sintered compact made of large crystal grains in a state close to a high purity single crystal, the light transmittance also has a high light transmittance comparable to the single crystal on the long wavelength side from around 200 nm wavelength of the absorption end of the aluminum nitride single crystal. When the sintered compact is used as a substrate for mounting a light emitting element, light emitted from a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component on the substrate penetrates the substrate, and efficiently exits the substrate. The present inventors can confirm that the emitted light is easy to become a mild scattered light, unlike straight light such as stinging through the transparent glass or resin, despite being strong light.

본 발명에 대해 소성온도를 높여 혹은 소성시간을 길게 하는 것으로 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 제조되지만 이 소결체의 질화 알루미늄 입자의 크기는 통상 평균 5μm이상이다. 통상소성온도를 높여 가든가 혹은 소성시간을 길게 하면 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기도 평균 25μm이상으로 증대한다. 또 실험상에서는 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 100μm정도의 것을 얻을 수 있고 있다. 이와 같이 증대화한 질화 알루미늄 입자는 AIN 순도도 높아지는 것으로부터 단결정에 가까운 상태여도 생각된다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 방법에 의해 고순도화 되고 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 5 μm이상에서는 광투과율 10%이상의 것을 얻기 쉽다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 방법에 의해 고순도화 되고 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 8μm이상에서는 광투과율 20%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 방법에 의해 고순도화 되고 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 15μm이상에서는 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 방법에 의해 고순도화 되고 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 25μm이상에서는 광투과율 40%이상의 것을 얻기 쉽다. 이와 같이 소결조제 등 AIN 이외의 성분을 휘산제거, 감소하는 것으로 제조되는 고순도화 된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 질화 알루미늄 입자의 크기는 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 경우 중요하다. 본 발명에 대해 상기와 같이 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 5μm이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판을 제공할 수 있어 상기 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 100μm정도의 것은 비교적 용이하게 제조할 수 있다.In the present invention, a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a high AIN purity is produced by increasing the firing temperature or lengthening the firing time, but the average size of the aluminum nitride particles of the sintered body is usually 5 µm or more. In general, when the firing temperature is increased to increase the gardening or firing time, the size of the aluminum nitride particles in the sintered body also increases to 25 µm or more on average. In experiments, the average size of aluminum nitride particles is about 100 μm. The aluminum nitride particles thus expanded may be in a state close to a single crystal because the AIN purity also increases. With respect to the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, when the size of the aluminum nitride particles in the sintered body, which is high purity by the above method and has a high AIN purity as a main component, is 5 μm or more, a light transmittance of 10% or more is easily obtained. With respect to the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention, when the size of the aluminum nitride particles in the sintered body made of aluminum nitride having high purity and high AIN purity by the above method is 8 μm or more on average, it is easy to obtain a light transmittance of 20% or more. In addition, when the size of the aluminum nitride particles in the sintered body, which is made of aluminum nitride having high purity and high AIN purity by the method described above, of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention is 15 μm or more on average, a light transmittance of 30% or more is easily obtained. . In the light emitting device mounting substrate according to the present invention, when the size of aluminum nitride particles in the sintered body, which is high purity by the above method and has high AIN purity, is 25 µm or more on average, it is easy to obtain a light transmittance of 40% or more. . As such, the size of the aluminum nitride particles of the sintered body mainly composed of highly purified aluminum nitride prepared by volatilizing and removing components other than AIN such as a sintering aid is important when used as a substrate for mounting a light emitting device. With respect to the present invention, it is possible to provide a substrate for mounting a light emitting element comprising a sintered body containing aluminum nitride having an average size of 5 μm or more in the sintered body as described above, and the aluminum nitride particles in the sintered body having an average size of about 100 μm. The thing can be manufactured relatively easily.

예를 들면 평균 입경 1μm, 산소를 1 중량%포함한 고순도 질화 알루미늄 분말을 원료로 해 소결조제로서 Y2O3를 3.3 체적%(Y로서 3.9 중량%, 산소로서 1.1 중량%를 포함한다) 혼합한 크기 외형 6060 mm, 두께 0.8 mm의 판 모양 정방형으로 한 분말 성형체를 1800℃1시간 소성하여 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하 는 소결체는 실온에 있어서의 열전도율 150 W/mK~180 W/mK의 범위이며, 소결조제로서 이용된 Y2O3중의 이트륨 성분은 대부분 그대로의 양소결체 중에 남아 5~20%정도의 양의 3 Y2O35 Al2O3, YAlO3, 2 Y2O3Al2O3, Y2O3 등의 희토류 원소 화합물을 주체로 하는 립계상이 X선회절에 의해 존재하는 것이 인정된다. 또 원료의 산소 및 소결조제로서 이용된 Y2O3중의 산소도 대부분 그대로의 양소결체 중에 남아, 상기 소결체의 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 투과율은 10%정도 혹은 그것 이하이다. 상기 소결체에 대해 질화 알루미늄 입자의 크기는 평균 2~4μm정도이다. 이 소결체를 한층 더 예를 들면 일산화탄소를 1 ppm~1000 ppm의 범위에서 포함한 질소 분위기중에서 2050℃~2200℃3시간~24시간 소성하면 이용한 원료 및 소결조별로 포함되어 있던 산소는 0.5량%이하에 감소해 가장 적은 것으로 0.014 중량%의 것을 얻을 수 있었다.Y2O3는 대부분 휘산제거되고 함유량은 0.2 중량%이하가 되어 가장 적은 것으로 0.00005 중량%(0.5 ppm) 이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있었다.파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 투과율은 최악이어도 10%이상 많은 것이 20%~60%이상이며 최대 88%의 것을 얻을 수 있었다. 소결체의 상구성은 AIN98%이상이며 실질적으로 AIN 단일상의 것도 용이하게 얻을 수 있었다.실온에 있어서의 열전도율은 200 W/mK~220 W/mK이상이 되어 최대 239 W/mK의 것을 얻을 수 있었다. 이 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기는 최저 평균 5~8μm이상 많은 것은 평균 15μm~25μm이상으로 크게 성장해 있어 최대로 평균 74μm의 것을 얻을 수 있었다. 상기 예시한 소성조건으로 소결조제를 휘산제거해 감소화하는 방법에 의해 제작해 고순도화 되고 AIN 순도를 높일 수 있었던 질화 알루 미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해 투과율을 측정했는데 파장 605 nm에 대해 88%의 높은 것으로 있었다. 그 결과를 도 27에 나타낸다. 또한 이 투과율 측정에 이용한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 Y(이트륨) 함유량은 0.0005 중량%이하, 산소 함유량 0.034 중량%, 구성상은 실질적으로 AIN 단일상이며, 질화 알루미늄 입자의 크기는 평균 29 mμ이다.For example, a high-purity aluminum nitride powder containing an average particle diameter of 1 μm and 1% by weight of oxygen was used as a raw material, and a volume of 60% of Y 2 O 3 as a sintering aid (including 3.9% by weight of Y and 1.1% by weight of oxygen) was mixed. The sintered compact whose main component is aluminum nitride obtained by calcining a plate-shaped square having a thickness of 0.8 mm and a thickness of 0.8 mm at 1800 ° C. for 1 hour is in the range of 150 W / mK to 180 W / mK of thermal conductivity at room temperature. The yttrium component in Y2O3 used as a sintering aid remains in the same sintered body, and the grain boundary mainly composed of rare earth element compounds such as 3 Y2O35 Al2O3, YAlO3, 2 Y2O3Al2O3, and Y2O3 in an amount of about 5 to 20% is X-ray diffraction. It is admitted to exist by. In addition, oxygen of the raw material and oxygen in Y 2 O 3 used as the sintering aid remain in the sintered body as it is, and the transmittance of the sintered body with light in the wavelength range of 200 nm to 800 nm is about 10% or less. About the said sintered compact, the size of the aluminum nitride particle is about 2-4 micrometers on average. If the sintered body is further calcined, for example, in a nitrogen atmosphere containing carbon monoxide in the range of 1 ppm to 1000 ppm, the oxygen contained in each raw material and the sintering tank used is 0.5% or less by firing at 2050 ° C to 2200 ° C for 3 hours to 24 hours. The smallest amount was 0.014% by weight. Most of Y2O3 was volatilized off and the content was 0.2% by weight or less, and the smallest amount was obtained, and the sintered body containing 0.00005% (0.5 ppm) or less of aluminum nitride as the main component was obtained. The transmittance of the light in the wavelength range of 200 nm to 800 nm was at least 10%, more than 20% to 60%, and up to 88% was obtained. The phase structure of the sintered body was AIN98% or more, and the AIN single phase was also easily obtained. The thermal conductivity at room temperature was 200 W / mK to 220 W / mK or more, so that a maximum of 239 W / mK was obtained. The aluminum nitride particles in this sintered compact had a large average of 5 to 8 µm or more and largely grown to an average of 15 µm to 25 µm or more, and an average of 74 µm was obtained. For the light having a wavelength range of 200 nm to 800 nm using a sintered body made of aluminum nitride, which was manufactured by a method of volatilizing and reducing the sintering aid under the sintering conditions exemplified above to increase AIN purity. The transmittance was measured and found to be as high as 88% for the wavelength 605 nm. The result is shown in FIG. In addition, the Y (yttrium) content of the sintered compact mainly containing aluminum nitride used for this transmittance measurement is 0.0005 wt% or less, oxygen content 0.034 wt%, and the constituent phase is substantially AIN single phase, and the average size of aluminum nitride particles is 29 mμ. .

이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 도 27으로부터 분명한 것 같게 파장 210~220 nm의 빛에 대해서 1%이상의 투과성을 나타내, 파장 220 nm~230 nm의 빛에 대해 5%이상의 투과율이며, 파장 250 nm의 빛에 대해 투과율은 30%이상이며, 파장 300 nm의 빛에 대해 투과율은 60%이상이며, 파장 330 nm의 빛으로 80%이상의 투과율을 나타내게 되어, 파장 330 nm이상의 모든 파장의 빛에 대해 80%이상의 투과율을 나타낸다. 또 광투과율의 최대치는 파장 480 nm~650 nm의 범위의 빛에 대해 85~88%과 85%이상의 높은 것으로 있다.As apparent from Fig. 27, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride shows a transmittance of 1% or more for light having a wavelength of 210 to 220 nm, and a transmittance of 5% or more for light having a wavelength of 220 nm to 230 nm. The transmittance is over 30% for light with a wavelength of 250 nm, the transmittance is over 60% for light with a wavelength of 300 nm, and the transmittance is over 80% with light at a wavelength of 330 nm. It shows a transmittance of 80% or more with respect to. In addition, the maximum value of the light transmittance is high in the range of 85 to 88% and more than 85% for light in the wavelength range of 480 nm to 650 nm.

상기의 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 때의 주된 유효성을 정리하면, 1) 기판의 파장 200 nm~800 nm의 범위의 광투과율이 높기 때문에 기판으로부터의 광흡수가 적고 발광소자로부터의 발광은 효율적으로 기판 외부에 방출되는, 2) 발광소자로부터의 발광이 기판 외부에 효율적으로 방출할 수 있으므로 반사 방지 부재 혹은 반사 부재 등을 사용해 상기 발광의 기판 외부에의 방출 방향을 제어하기 쉬운, 3) 기판의 열전도율이 실온에 대해 200 W/mK이상으로 높은 것을 얻기 쉽고 이러한 기판에 탑재되는 발광소자에게는 큰 전력의 인가가 가능해져 발광 출력을 높일 수가 있는, 등의 점이다. 즉 고효율, 고출력, 한편 저비용의 발광소자 탑재용 기판의 제조가 가능해져 산업에게 주는 영향은 크다.The main effectiveness of using a sintered body containing aluminum nitride having a high AIN purity as a main component as a light emitting element mounting substrate is as follows. 2) light emission from the light emitting element is efficiently emitted to the outside of the substrate, and 2) light emission from the light emitting element can be efficiently emitted to the outside of the substrate. 3) The thermal conductivity of the substrate is easy to control the emission direction of the substrate, and it is easy to obtain a high thermal conductivity of 200 W / mK or more with respect to room temperature. And so on. In other words, it is possible to manufacture a substrate for mounting a light emitting device having high efficiency, high output, and low cost, and thus has a large impact on the industry.

본 발명에 대해, 광투과성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 통상 파장 200 nm이상의 빛에 대해 투과성을 나타낸다. 도 27에 예시한 것처럼 파장 200 nm~250 nm의 범위의 빛에 대해 투과성을 나타내기 시작해 파장 250 nm~350 nm의 범위의 빛에 대해 급격하게 투과성이 상승해 파장 350 nm~400 nm이상의 빛에 대해 거의 일정한 광투과율을 가지는 경향이 있는 것이 확인되었다. 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이라고는 특별히 제한하지 않는 한 「파장 200 nm~800 nm의 범위의 광투과율」이며, 그것은 특별히 제한하지 않는 한 파장 605 nm의 빛에 대해 측정된 투과율을 의미하고 있지만, 파장 605 nm의 빛에 있어서의 투과율을 이용해도 본 발명에 의한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성노우를 대표해 판별할 수 있다. 보다 구체적으로 말하면 본 발명에 대해 특별히 제한하지 않는 한 1%이상의 광투과율과는 파장 605 nm의 빛에 있어서의 투과율이다. 이러한 1%이상의 광투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 파장 605 nm 이외에도 1%이상의 투과율을 가진다고는 할 수 없지만 이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로 기판을 투과한 상기 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 방출할 수 있게 된다. 본 발명에 대해, 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상 을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서 이용하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 1%이상의 투과율을 가지는 것이 바람직하다.In the present invention, a sintered body mainly composed of aluminum nitride having light transparency exhibits transparency to light having a wavelength of 200 nm or more. As illustrated in FIG. 27, light transmittance starts to appear for light in the range of 200 nm to 250 nm, and light transmittance rapidly increases for light in the range of 250 nm to 350 nm. It was confirmed that there was a tendency to have almost constant light transmittance. In the present invention, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride is "light transmittance in the wavelength range of 200 nm to 800 nm", and unless otherwise specified, it is measured for light having a wavelength of 605 nm. Although the transmittance | permeability is meant, the transmittance | permeability in the light of wavelength 605nm can be discriminated on behalf of the optically transparent nozzle of the sintered compact which mainly consists of aluminum nitride by this invention. More specifically, the light transmittance of 1% or more is the transmittance | permeability in the light of wavelength 605nm unless it restrict | limits especially about this invention. A sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance of 1% or more as a main component cannot be said to have a transmittance of 1% or more in addition to a wavelength of 605 nm for light in the wavelength range of 200 nm to 800 nm, but a sintered body containing aluminum nitride as a main component By using a light emitting element mounting substrate, light emitted from the light emitting element that has passed through the substrate can be emitted to the outside of the substrate. In the present invention, a sintered body containing aluminum nitride as a main component used as a substrate for mounting a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component is in the range of 200 nm to 800 nm. It is desirable to have a transmittance of 1% or more with respect to light.

이상과 같이 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이라고는 특별히 제한하지 않는 한 파장 605 nm의 빛에 대해 측정된 투과율을 의미하고 있다.As mentioned above, the transmittance measured with respect to the light of wavelength 605nm means the light transmittance of the sintered compact which mainly contains aluminum nitride about this invention.

본 발명에 대해 AIN 순도가 높고 한편 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 발광소자 탑재용 기판으로서 바람직하지만, 반드시 AIN의 순도가 높지 않아도, 즉 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물 등의 소결조제, 혹은 산소, 혹은 소성온도 저감화제로서 이용되는 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 착색제로서 이용되는 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분이나 카본, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분, 혹은 ALON나 상기 알루미늄 이외의 금속 성분이나 규소 혹은 카본을 포함한 화합물 등의 성분이 비교적 많이 잔존하고 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체여도 질화 알루미늄 입자가 성장한 것이면 양호한 발광소자 탑재용 기판이 될 수 있다. 이러한 질화 알루미늄 이외의 성분을 비교적 많이 함축 질화 알루미늄 입자가 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 전술과 같이 가능한 한 환원성 성분을 포함하지 않는 비산화성 분위기중 1750℃이상으로 3시간 이상의 비교적 고온, 장시간의 조건으로 소성하는 것으로 제작할 수 있다. 즉, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기와 같은 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합 물, 산소, 알칼리 금속, 규소, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분, 카본, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분, ALON, 상기 알루미늄 이외의 금속 성분, 등의 성분을 비교적 많이 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 내부에 포함되는 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 1μm이상의 것으로는 광투과율 1%이상의 것을 얻기 쉽다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄 이외의 성분을 비교적 많이 함축 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 5μm이상으로 성장한 소결체에서는 광투과율 5%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄 이외의 성분을 비교적 많이 함축 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 8μm이상으로 성장한 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄 이외의 성분을 비교적 많이 함축 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 15μm이상으로 성장한 소결체에서는 광투과율 20%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 알루미늄 이외의 성분을 비교적 많이 함축 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 25μm이상으로 성장한 소결체에서는 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 이것은 소결체 내부의 질화 알루미늄 입자의 크기가 커지면 질화 알루미늄 결정립자의 립계의 면적이 감소해 립계의 영향이 줄이므로 립계에서 산란 흡수되는 빛이 감소하므로 광투과율이 향상하는 것이라고 추측된다. 본 발명에 대해 상기와 같이 가능한 한 환원성 성분을 포함하지 않는 비산화성 분위기중소성온도를 높여 혹은 소성시간을 길게 하는 것으로 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 산소, 알칼리 금속, 규소, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분, 카본, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분, ALON, 상기 알루미늄 이외의 금속 성분, 등의 성분을 비교적 많이 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해도 질화 알루미늄 입자가 성장한 것이 제조되지만, 이 소결체가 성장한 질화 알루미늄 입자의 크기는 통상 평균 5μm이상이다. 통상소성온도를 높여 가든가 혹은 소성시간을 길게 하면 소결체 중의 질화 알루미늄 입자의 크기도 평균 8μm이상, 한층 더 평균 15μm이상, 한층 더 평균 25μm이상으로 증대해, 실험상에서는 질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 100μm정도의 것도 얻을 수 있다.In the present invention, a sintered body having high AIN purity and mainly containing aluminum nitride in which aluminum nitride particles have grown is preferable as a substrate for mounting a light emitting element, but the purity of AIN is not necessarily high, that is, rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, etc. Components such as alkali metals and silicon used as sintering aids or oxygen or firing temperature reducing agents, or metals such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, used as colorants, carbon, or Mo, W, Aluminum nitride particles may be used even if the sintered body is composed mainly of aluminum nitride in which unavoidable metal components other than V, Nb, Ta, and Ti, or metal components other than ALON or the above-mentioned aluminum, or compounds containing silicon or carbon remain relatively. If it is grown, it can be a favorable substrate for mounting a light emitting element. The sintered compact mainly containing aluminum nitride, in which aluminum nitride particles have grown with a relatively large amount of components other than aluminum nitride, has a relatively high temperature for a long time of 3 hours or longer at 1750 ° C. or more in a non-oxidizing atmosphere containing no reducing component as described above. It can manufacture by baking on conditions. That is, the rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, oxygen, alkali metals, silicon, metal components such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and the like for the light emitting element mounting substrate according to the present invention, carbon Size of aluminum nitride particles contained in a sintered body mainly composed of aluminum nitride including relatively large amounts of components, such as inevitable metal components other than Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, ALON, metal components other than the aluminum, and the like. When the average is 1 μm or more, a light transmittance of 1% or more is easily obtained. In the sintered compact in which the size of the aluminum nitride particles impregnated with a relatively large amount of components other than aluminum nitride with respect to the light emitting element mounting substrate according to the present invention is more than 5% of light transmittance, it is easy to obtain. In addition, in the sintered compact in which the size of the aluminum nitride particles impregnated with a relatively large amount of components other than aluminum nitride with respect to the light emitting element mounting substrate according to the present invention grows to an average of 8 µm or more, a light transmittance of 10% or more is easily obtained. In addition, in the sintered compact in which the size of the aluminum nitride particles impregnated with a relatively large amount of components other than aluminum nitride is relatively high in the light emitting element mounting substrate according to the present invention, a light transmittance of 20% or more is easily obtained. In addition, in the sintered compact in which the size of the aluminum nitride particles impregnated with a relatively large amount of components other than aluminum nitride with respect to the light emitting element mounting substrate according to the present invention grows to an average of 25 µm or more, a light transmittance of 30% or more is easily obtained. It is presumed that the increase in the size of the aluminum nitride particles in the sintered compact reduces the area of the grain boundaries of the aluminum nitride crystal grains, thereby reducing the influence of the grain boundaries, thus reducing the light scattered and absorbed in the grain boundaries, thereby improving the light transmittance. Rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, oxygen, alkali metals, silicon, Mo, W, by increasing the non-oxidizing atmosphere medium firing temperature or long firing time as possible as described above with respect to the present invention as possible Aluminum nitride containing relatively large amounts of components such as metal components such as V, Nb, Ta, Ti, inevitable metal components other than carbon, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, ALON, and other metal components other than the aluminum. The aluminum nitride particles have also been grown with respect to the sintered compact as a main component, but the average size of the aluminum nitride particles in which the sintered compact is grown is usually 5 µm or more. Increasing the firing temperature or lengthening the firing time increases the average size of the aluminum nitride particles in the sintered body to an average of 8 μm or more, an average of 15 μm or more, and an average of 25 μm or more. You can also get

본 발명에 대해 상기와 같이 가능한 한 환원성 성분을 포함하지 않는 비산화성 분위기중소성온도를 높여 혹은 소성시간을 길게 하는 것으로 질화 알루미늄 입자가 성장해, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 산소, 알칼리 금속, 규소, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분, 카본, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분, ALON, 상기 알루미늄 이외의 금속 성분, 등의 성분을 비교적 많이 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로서는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는(예를 들면 AIN로서 50%체적 이상 포함한다) 것이면 어떠한 조성의 것에서도 사용할 수 있지만, 그 중에 희토류 원소 화합물 혹은 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 화합물의 함유량이 산화물 환산으로 20 체적%이하, 산소 함유량 10 중량%이하, 알칼리 금속 화합물 혹은 규소 함유 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 화합물의 함유량이 산화물 환산으로 5 체적%이하, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함한 화합물의 함유량이 원소 환산으로 5 체적%이하, 희토류 원소 및 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 천이 금속을 포함한 성분의 함유량이 원소 환산으로 합계 1 중량%이하, ALON 함유량 20%이하, 의 조성의 것을 이용하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 조성이면 반드시 AIN의 순도가 높지 않은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체여도 질화 알루미늄의 입자가 성장한 것은 뛰어난 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자 탑재용의 기판으로서 사용할 수 있다.In the present invention, aluminum nitride particles grow by increasing the non-oxidizing atmosphere medium-sintering temperature or reducing the calcination time as long as possible, as described above, so that rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, oxygen, alkali metals, Metal components such as silicon, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and components such as unavoidable metal components other than carbon, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, ALON, metal components other than the aluminum As a sintered compact containing aluminum nitride as a main component, it can be used in any composition as long as it contains aluminum nitride as its main component (for example, 50% by volume or more as AIN). Among them, rare earth element compounds or alkaline earth metal compounds Content of at least 1 or more types of compounds chosen from the inside is 20 volume% or less in oxygen conversion, 10 weight% or less of oxygen content, and an alkali Content of the compound containing the content of the at least 1 sort (s) or more compound chosen from a metal compound or the silicon containing compound below 5 volume% in conversion of oxide, and containing at least 1 sort (s) or more selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon. 5 vol% or less in terms of this element, the content of components including rare earth elements and transition metals other than Mo, W, V, Nb, Ta, and Ti is 1% by weight or less in total, and 20% or less of ALON content. It is preferable to use. If the composition is as described above, even if the sintered body is composed of aluminum nitride, which is not necessarily high in AIN purity, the particles of aluminum nitride are grown so that the light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. It can be used as a board | substrate for mounting.

상기와 같이 소성온도를 높여 혹은 소성시간을 길게 하는 것으로 질화 알루미늄 입자가 성장해, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 산소, 알칼리 금속, 규소, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 금속 성분, 카본, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 불가피 금속 성분, ALON, 상기 알루미늄 이외의 금속 성분, 등의 성분을 비교적 많이 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 가능한 한 수소나 일산화탄소, 탄소, 탄화수소 등의 환원성 성분을 포함하지 않는 소성분위기로 소성하는 것으로 얻기 쉽다.By increasing the firing temperature or lengthening the firing time as described above, aluminum nitride particles grow, and metals such as rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, oxygen, alkali metals, silicon, Mo, W, V, Nb, Ta and Ti A sintered body whose main component is aluminum nitride containing relatively large amounts of components, such as components, carbon, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and inevitable metal components other than ALON, metal components other than the above-mentioned aluminum, is hydrogen or carbon monoxide It is easy to obtain by calcining with a minor component crisis containing no reducing components such as carbon, hydrocarbons and the like.

본 발명에 대해 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판을 제조할 때 상기의 고순도화 된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율을 높이기 위해서는 소성에 제공하는 분말 성형체나 소결체의 형상은 예를 들면 입방체나 직방체 혹은 원주상 등 어떠한 것에서도 이용할 수가 있지만 기판장에 가공하기 쉬운 미리 판 모양의 것을 이용하는 것이 바람직하다.같은 체적이면 입방체나 직방체 혹 은 원주상 등의 블록장보다 표면적의 큰 것을 이용하는 것이 바람직하다. 또 상기 소성에 제공하는 분말 성형체나 소결체의 형상으로 그 1변의 크기가 8 mm 이하의 것을 이용하는 것이 고순도화 된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율을 높이는데 있어서 바람직하다. 한층 더 상기의 1변의 크기가 5 mm 이하의 것을 이용하는 것이 보다 바람직하고, 1변의 크기가 2.5 mm 이하의 것을 이용하는 것이 게다가 바람직하고, 1변의 크기가 1 mm 이하의 것을 이용하는 것이 가장 바람직하다. 상기 소성에 제공하는 분말 성형체나 소결체의 형상이 판 모양 때 그 두께는 8 mm 이하의 것을 이용하는 것이 고순도화 된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율을 높이는데 있어서 바람직하다. 한층 더 상기 판 모양의 분말 성형체나 소결체의 두께는 5 mm 이하의 것을 이용하는 것이 보다 바람직하고, 두께 2.5 mm 이하의 것을 이용하는 것이 게다가 바람직하고, 두께 1 mm 이하의 것을 이용하는 것이 가장 바람직하다. 상기에 나타낸 것을 구체적으로 말하면 예를 들면, 조성이 실질적으로 같아 실질적으로 AIN 단일상의 소결체여도 상기 입방체나 직방체 혹은 원주상 등의 블록장의 것 혹은 1변이 8 mm를 넘는 분말 성형체나 소결체를 이용해 제조한 고순도화 된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 판 모양 혹은 1변이 8 mm 이하의 성형체나 소결체를 이용해 제조한 것에 비해 광투과율이 저감화해, 경우에 따라서는 변색화가 높아져 광투과율이 한층 더 저하하는 경우가 있다.The light transmittance of the sintered compact of which the above-mentioned highly purified aluminum nitride is a main component when manufacturing a substrate for mounting a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component of the present invention In order to increase the density, the shape of the powder compact or the sintered compact to be used for firing may be used in any one of, for example, a cube, a cube, or a columnar shape, but it is preferable to use a plate-shaped one that is easy to process on a substrate. It is preferable to use one having a larger surface area than block length such as a rectangular parallelepiped or columnar shape. Moreover, it is preferable to use the thing of one side of 8 mm or less in the shape of the powder compact and sintered compact provided for the said baking in order to raise the light transmittance of the sintered compact which has a high purity aluminum nitride as a main component. Furthermore, it is more preferable to use the thing whose size of said one side is 5 mm or less, It is still more preferable to use the thing whose size of one side is 2.5 mm or less, It is most preferable to use the thing whose size of one side is 1 mm or less. When the shape of the powder compact or the sintered compact provided for the sintering is in the form of a plate, it is preferable to use the one having a thickness of 8 mm or less in order to increase the light transmittance of the sintered compact mainly composed of highly purified aluminum nitride. Furthermore, as for the thickness of the said plate-shaped powder compact and sintered compact, it is more preferable to use the thing of 5 mm or less, It is still more preferable to use the thing of thickness 2.5mm or less, It is most preferable to use the thing of thickness 1mm or less. Specifically, for example, the composition is substantially the same, even if the sintered body of AIN single phase is substantially the same as that of a block, such as a cube, a cuboid or a cylinder, or a powder molded body or sintered body of more than 8 mm on one side. In a sintered body containing high purity aluminum nitride as a main component, the light transmittance is reduced compared with the plate-shaped or one side molded or sintered body of 8 mm or less, and in some cases, the discoloration is increased and the light transmittance further decreases. There is.

질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위해서 본 발명에 의한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판(즉 발광소자 탑재용 기판) 표면의 평활도는 임의의 것을 이용할 수가 있다. 기판 표면이 예를 들면 평균 표면 엉성함 Ra가 100 nm 이하의 비교적 평활성의 높은 상태여도 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 발광소자로부터의 발광에 대한 반사율은 비교적 낮고 최대 15%전후이다. 상기 기판의 반사율을 15%이하로 하기 위해서는 평균 표면 엉성함 Ra가 100 nm이상으로 하는 것이 바람직하다. 한층 더 상기 기판의 반사율을 10%이하로 하기 위해서는 평균 표면 엉성함 Ra가 2000 nm이상으로 하는 것이 바람직하다.In order to mount a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component, a surface of a substrate (that is, a substrate for mounting a light emitting element) comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride according to the present invention The smoothness can use any thing. The surface of the substrate is, for example, even if the average surface roughness Ra is in a relatively high state of relatively smoothness of 100 nm or less. In order to make the reflectance of the said substrate 15% or less, it is preferable that average surface roughness Ra is 100 nm or more. Furthermore, in order to make the reflectance of the said board | substrate 10% or less, it is preferable that average surface roughness Ra is 2000 nm or more.

본 발명에 대해 상기의 평균 표면 엉성함 Ra를 가지는 발광소자 탑재용 기판은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 구워 놓은(as－fire) 표면이나 랩연삭, 브러쉬 연마, 경면 연마된 표면 등에 있어 얻을 수 있다.2000 nm이상의 평균 표면 엉성함 Ra를 가지는 발광소자 탑재용 기판은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 구워 놓은(as－fire) 표면이나 랩연삭, 브러쉬 연마된 표면 등에 있어 얻을 수 있다. 100 nm이상의 평균 표면 엉성함 Ra를 가지는 발광소자 탑재용 기판은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 구워 놓은(as－fire) 표면이나 랩연삭, 브러쉬 연마된 표면 등에 있어 얻을 수 있다. 100 nm 이하의 평균 표면 엉성함 Ra를 가지는 발광소자 탑재용 기판은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 구워 놓은(as－fire) 표면이나 브러쉬 연마, 혹은 경면 연마된 표면 등에 있어 얻을 수 있다.　The substrate for mounting a light emitting element having the above average surface roughness Ra can be obtained on an as-fire surface of a sintered body mainly composed of aluminum nitride, lap grinding, brush polishing, mirror polished surface, or the like. A substrate for mounting a light emitting element having an average surface roughness Ra of .2000 nm or more can be obtained on an as-fire surface of a sintered body mainly composed of aluminum nitride, lap grinding, brush polished surface, or the like. A substrate for mounting a light emitting element having an average surface roughness Ra of 100 nm or more can be obtained on an as-fire surface of a sintered body mainly composed of aluminum nitride, lap grinding, brush polished surface, and the like. A substrate for mounting a light emitting element having an average surface roughness Ra of 100 nm or less can be obtained on an as-fire surface, brush polishing, or mirror polished surface of a sintered body composed mainly of aluminum nitride.

본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광 소자 탑재용 기판에 대해 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 방출 하기에 즈음해, 발광소자 탑재용 기판에 반사 방지 부재나 반사 부재 등을 형성해 상기 방출빛의 방향을 제어하기 쉽게 하기 위해서, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 표면 상태, 표면 평활성을 적당 높이는 것으로 상기 발광소자 탑재용 기판의 광투과성 혹은 반사율을 향상 할 수 있는 경우도 있다.According to the present invention, light emission from a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component is emitted to the outside of the substrate for a light emitting element mounting substrate composed of a sintered body containing aluminum nitride as a main component. In the following, the surface state of the light emitting element mounting substrate which consists of a sintered body containing aluminum nitride as a main component in order to form a reflection prevention member, a reflection member, etc. in the light emitting element mounting substrate, and to control the direction of the said emission light easily, In some cases, the light transmittance or reflectance of the substrate for mounting a light emitting device can be improved by appropriately increasing the surface smoothness.

이 표면 상태, 표면 평활성은 예를 들면 1750℃이상의 온도로 3시간 이상의 비교적 긴 시간 소성하는 것등으로 얻을 수 있는 AIN 순도를 높일 수 있는 질화 알루미늄 입자가 크게 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 혹은 AIN 순도가 높지 않고 질화 알루미늄 입자가 크게 성장한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 등, 광투과율을 높일 수 있었던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로 했을 경우도 마찬가지이다.This surface state, surface smoothness is, for example, a sintered body composed mainly of aluminum nitride in which aluminum nitride particles which can increase AIN purity can be obtained by firing at a temperature of 1750 ° C or higher for a relatively long time of 3 hours or more, or The same applies to the case where a sintered body composed mainly of aluminum nitride, which has a high light transmittance, such as a sintered body composed mainly of aluminum nitride in which aluminum nitride particles have not grown high in AIN purity and has been increased, is used as a light emitting element mounting substrate.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 투과율을 높이기 위해서는 소결체의 화학 조성이나 미구조 등의 소결체 그 자체의 특성을 개선하는 것 외에 기판의 두께를 얇게 하는 일도 유효하다. 기판의 두께가 8.0 mm 이하가면 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 투과성을 유지 할 수 있다. 투과성을 유지할 수 있다고 하는 것은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 두께가 8.0 mm여도 투과율이 1%이상이다고 하는 것을 의미한다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 두께가 0.5 mm의 것 을 이용해 측정했을 때의 투과율이 예를 들면 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 60~80%의 범위의 높은 투과율을 가지는 것이라도 기판의 두께가 두꺼워지면 투과율은 감소해 나간다. 기판의 두께가 0.5 mm의 것을 이용해 측정했을 때의 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 투과율이 예를 들면 80%의 기판의 경우 그 두께가 8.0 mm여도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해 투과율은 1%이상이다. 기판의 두께가 5.0 mm 이하가면 투과율은 5%이상의 것을 얻을 수 있다. 기판의 두께가 2.5 mm 이하가면 투과율은 10%이상의 것을 얻을 수 있다. 한층 더 기판의 두께가 1.0 mm 이하가면 투과율은 60%이상의 것을 얻을 수 있다. 기판의 두께가 0.2 mm 이하와 얇아지면 투과율은 90%이상의 것을 얻을 수 있다. 기판의 두께가 0.05 mm 이하의 경우 투과율은 95%이상의 것을 얻을 수 있다. 또 기판의 두께가 0.5 mm의 것을 이용해 측정했을 때의 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 투과율이 예를 들면 1.0%의 기판의 경우 그 두께가 0.2 mm와 얇아지면 투과율 10%이상의 것을 얻을 수 있다. 기판의 두께가 0.1 mm 이하의 경우 투과율은 20%이상의 것을 얻을 수 있다. 또 기판의 두께가 0.05 mm 이하의 경우 투과율은 40%이상의 것을 얻을 수 있다. 이와 같이 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 60%이상의 높은 투과율을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 대해 두께 1.0 mm 이하에서는 30%이상의 투과율을 가져, 0.2 mm 이하의 두께에서는 90%이상으로 대부분 투명하게 가까운 투과율을 가지는 것을 얻기 쉽다.실질적으로 100%에 가까운 투과율을 가지는 것도 얻을 수 있다. 통상 기판의 두께는 얇을 정도 투과율은 높아지는 경향을 가지지만 기계적 강도가 작아지므로 기판으로서 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하는 경우의 작업시에 크랙이나 이지러짐이 생기기 시작한다고 하는 결점이 있으므로 기판의 두께는 0.01 mm이상인 것이 바람직하고, 0.02 mm이상인 것이 보다 바람직하고, 0.05 mm이상인 것이 게다가 바람직하다. 상기와 같이 본 발명에 의한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서 이용하는 경우 광투과성의 관점으로부터 봐(즉 본 발명에 의한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 발광소자를 형성했을 때의 우위성) 기판의 두께는 8 mm 이하인 것이 바람직하고, 5.0 mm 이하인 것이 보다 바람직하다. 또 기판의 두께는 2.5 mm 이하인 것이 게다가 바람직하고, 기판의 두께는 1.0 mm 이하인 것이 가장 바람직하다. 이러한 두께의 기판에 대해 기계적 강도의 관점으로부터는 0.01 mm이상인 것이 바람직하고, 0.02 mm이상인 것이 보다 바람직하고, 0.05 mm이상인 것이 게다가 바람직하다.In order to improve the transmittance of the substrate which consists of a sintered compact containing aluminum nitride as a main component, it is also effective to reduce the thickness of the substrate as well as to improve the characteristics of the sintered compact itself such as the chemical composition of the sintered compact and the microstructure. If the thickness of the substrate is 8.0 mm or less, the transmittance can be maintained for light in the wavelength range of 200 nm to 800 nm. To be able to maintain the permeability means that the transmittance is 1% or more even if the thickness of the substrate made of a sintered body containing aluminum nitride as the main component is 8.0 mm. When the thickness of the substrate which consists of a sintered compact which consists of aluminum nitride as a main component is 0.5 mm, the transmittance | permeability is high, for example, 60 to 80% of the high transmittance | permeability with respect to the light of the wavelength of 200 nm-800 nm. Even if it has, the transmittance decreases as the thickness of the substrate becomes thick. When the thickness of the substrate is 0.5 mm, the transmittance of light with a wavelength in the range of 200 nm to 800 nm is, for example, in the case of an 80% substrate, the thickness is in the range of 200 nm to 800 nm even if the thickness is 8.0 mm. For light, the transmittance is over 1%. If the thickness of the substrate is 5.0 mm or less, a transmittance of 5% or more can be obtained. If the thickness of the substrate is 2.5 mm or less, a transmittance of 10% or more can be obtained. Furthermore, when the thickness of the substrate is 1.0 mm or less, a transmittance of 60% or more can be obtained. When the thickness of the substrate becomes 0.2 mm or less and the thickness of the substrate is 90% or more. When the thickness of the substrate is 0.05 mm or less, a transmittance of 95% or more can be obtained. In the case of a substrate having a transmittance of light having a wavelength of 200 nm to 800 nm and a thickness of 1.0%, for example, when the thickness of the substrate was measured using a 0.5 mm thickness, a thickness of 0.2 mm and a thickness of 10% or more were obtained. Can be. When the thickness of the substrate is 0.1 mm or less, a transmittance of 20% or more can be obtained. When the thickness of the substrate is 0.05 mm or less, a transmittance of 40% or more can be obtained. As such, a substrate made of a sintered body containing aluminum nitride having a high transmittance of 60% or more for light having a wavelength in the range of 200 nm to 800 nm has a transmittance of 30% or more at a thickness of 1.0 mm or less, and a thickness of 0.2 mm or less. In 90% or more, it is easy to obtain a transparent transmittance almost transparent. A substantially transmittance close to 100% can also be obtained. In general, when the thickness of the substrate is thin, the transmittance tends to be high, but the mechanical strength decreases, and thus, when a light emitting device having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component is mounted, Since the defect that a crack and a distortion begin to generate | occur | produce in it exists, it is preferable that the thickness of a board | substrate is 0.01 mm or more, It is more preferable that it is 0.02 mm or more, It is further more preferable that it is 0.05 mm or more. As described above, when a substrate composed of a sintered body having aluminum nitride as a main component of the present invention is used as a substrate for mounting a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride as a main component From the viewpoint of the present invention (that is, the superiority when the light emitting element is formed on the substrate composed of the sintered body mainly composed of aluminum nitride according to the present invention), the thickness of the substrate is preferably 8 mm or less, and more preferably 5.0 mm or less. Moreover, it is still more preferable that the thickness of a board | substrate is 2.5 mm or less, and it is most preferable that the thickness of a board | substrate is 1.0 mm or less. It is preferable that it is 0.01 mm or more from a viewpoint of mechanical strength with respect to the board | substrate of such thickness, It is more preferable that it is 0.02 mm or more, It is still more preferable that it is 0.05 mm or more.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 앞에서 본 같게 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 뿐만이 아니라 광투과성을 가지는 것이면 어떠한 것이어도 문제 없이 이용할 수가 있다. 예를 들면 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 소결체, 한층 더 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티 탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등의 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 소결체여도 비교적 용이하게 제조할 수가 있고 그리고 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 문제 없이 이용할 수가 있다.The sintered body whose main component is a light-transmitting ceramic material used as the light emitting element mounting substrate according to the present invention can be used without any problem as long as it has not only the sintered body whose main component is aluminum nitride but also the light-transmissive one. For example, a sintered body whose main component is at least one selected from zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, and gallium nitride, further zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, and titanium carbonate Rare earth oxides such as barium, lead zirconate titanate and yttrium oxide, sintered oxides, doped oxides, various ferrites, mullites, forsterite, stearite, crystallized glass, etc. It can manufacture and can use it without a problem as a board | substrate for light emitting element mounting by this invention.

즉, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등을 주성분으로 하는 미분말에 적당 소결조제, 바인더, 분산제 등을 혼합한 분말 성형체를 고온으로 소성하여 소결체로 한 것이다.That is, rare earth oxides such as silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, zirconate titanate, yttrium oxide, thorium oxide, A powder compact obtained by mixing a suitable sintering aid, binder, dispersant and the like into a fine powder mainly composed of various ferrites, mullite, forsterite, stairtite, crystallized glass and the like is fired at high temperature to obtain a sintered compact.

소성조건은 각각 각종 세라믹 재료의 원료 분말의 입도나 조성에 의존하지만, 소성온도로서 예를 들면 탄화규소로 1500℃~2500℃, 질화 규소로 1600℃~2100℃, 질화 갈륨으로 1100℃~1700℃, 산화 아연으로 1100℃~1700℃, 산화 베릴륨으로 1100℃~2000℃, 산화 알루미늄으로 1100℃~2000℃, 등의 온도가 이용된다. 소성시의 분위기로서 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨 등의 비산화물은 아르곤, 헬륨, 질소, 수소, 일산화탄소, 카본 등을 주성분으로 하는 비산화성 분위기나 760 Torr 미만의 감압 상태 혹은 110－3 Torr 이하의 고진공 상태가 이용되어 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄 등의 산화물은 상기 비산화성 분위기나 감압 상태 혹은 고진공 상태 이외에도 대기, 산소, 이산화탄소등을 주성분으로 하는 산화성 분위기등 이 이용된다. 소성시의 압력은 상기 감압 상태 혹은 고진공 상태 이외에도 상압소성으로 이용되는 1 Kg/cm2(760 Torr) 전후의 압력, 및 가압소성, 핫 프레스, HIP등으로 이용되는 5000 Kg/cm2 정도 이하의 압력이 문제 없이 사용할 수 있다.The firing conditions depend on the particle size and composition of the raw material powder of various ceramic materials, respectively, but the firing temperature is, for example, 1500 ° C to 2500 ° C with silicon carbide, 1600 ° C to 2100 ° C with silicon nitride, and 1100 ° C to 1700 ° C with gallium nitride. The temperature of 1100 degreeC-1700 degreeC with zinc oxide, 1100 degreeC-2000 degreeC with beryllium oxide, 1100 degreeC-2000 degreeC with aluminum oxide, etc. are used. Non-oxides such as silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, and the like as the atmosphere at the time of firing may be a non-oxidizing atmosphere mainly composed of argon, helium, nitrogen, hydrogen, carbon monoxide, carbon, etc., under a reduced pressure of less than 760 Torr, or less than 110-3 Torr. The high vacuum state is used, and oxides such as zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide and the like are used in addition to the non-oxidizing atmosphere, the reduced pressure state, or the high vacuum state, an oxidizing atmosphere mainly containing air, oxygen, carbon dioxide, and the like. The pressure during firing is about 1 Kg / cm2 (760 Torr) before and after the reduced pressure or high vacuum, and about 5000 Kg / cm2 or less used for pressurized firing, hot press, HIP, etc. Can be used without problem.

상기 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 및 산화 알루미늄을 시작으로 하는 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 소결조제 등의 첨가물을 포함하지 않고 각각의 재료의 주성분만큼 포함하는 것, 혹은 주성분 외에 적당 소결조제, 착색제, 혹은 원료중의 불순물 등의 성분을 단독으로 혹은 복수 포함하는 것이어도 문제 없이 사용할 수 있다. 즉, 예를 들면 탄화규소를 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 실질적으로 SiC만으로 이루어지는 것, 혹은 카본 성분, 혹은 B, B4C, Bn 등의 붕소 성분, 혹은 Y2O3, Er2O3, Yb2O3 등의 희토류 원소 성분, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 Al2O3 등의 알루미늄 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 이러한 성분을 단독 혹은 복수 포함하는 것 등이다. 질화 규소를 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 실질적으로 Si3N4만으로 이루어지는 것, 혹은 Y2O3, Er2O3, Yb2O3 등의 희토류 원소 성분, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 Al2O3 등의 알루미늄 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속 성분, 혹은 카본 등, 이러한 성분을 단독 혹은 복수 포함하는 것 등이다. 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 실질적으로 GaN만으로 이루어지는 것, 혹은 Y2O3, Er2O3, Yb2O3 등의 희토류 원소 성분, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 Al2O3 등의 알루미늄 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 카본, 몰리브덴, 텅스텐 등의 흑색화 촉진 성분, 혹은 TiO2, Cr2O3, MnO, CoO, NiO, Fe2O3 등의 천이 금속 성분, 이러한 성분을 단독 혹은 복합으로 포함하는 것 등이다. 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 실질적으로 ZnO만으로 이루어지는 것, 혹은 Y2O3, Er2O3, Yb2O3 등의 희토류 원소 성분, 혹은 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 Al2O3 등의 알루미늄 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속 성분 등, 이러한 성분을 단독 혹은 복수 포함하는 것 등이다. 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 실질적으로 BeO만으로 이루어지는 것, 혹은 Y2O3, Er2O3, Yb2O3 등의 희토류 원소 성분, 혹은 MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 Al2O3 등의 알루미늄 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속 성분, 혹은 카본 등, 이러한 성분을 단독 혹은 복수 포함하는 것 등이다. 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 실질적으로 Al2O3만으로 이루어지는 것, 혹은 Y2O3, Er2O3, Yb2O3 등의 희토류 원소 성분, 혹은 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속 성분, 혹은 카본 등, 이러한 성분을 단독 혹은 복수 포함 하는 것 등이다.The composition of the sintered body containing various ceramic materials including silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium, and aluminum oxide as a main component does not include additives such as sintering aids, and includes only the main components of the respective materials. It can be used without a problem even if it contains a single or multiple components, such as an appropriate sintering aid, a coloring agent, or an impurity in a raw material other than a main component. That is, for example, the composition of the sintered body containing silicon carbide as a main component is substantially composed of only SiC, or a carbon component, or a boron component such as B, B4C, and Bn, or a rare earth element such as Y2O3, Er2O3, Yb2O3, or BeO. , Alkaline earth metal components such as MgO, CaO, SrO, BaO, aluminum components such as Al2O3, or silicon components such as SiO2, and those containing one or more of these components. The composition of the sintered body containing silicon nitride as a main component is substantially composed of only Si 3 N 4, rare earth element components such as Y 2 O 3, Er 2 O 3, and Yb 2 O 3, alkaline earth metal components such as BeO, MgO, CaO, SrO, and BaO, or aluminum such as Al 2 O 3. Components, or silicon components such as SiO2, or transition metal components such as molybdenum, tungsten, vanadium, niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, or carbon, It contains these components individually or in multiple numbers. The composition of the sintered body containing gallium nitride as a main component is substantially composed of only GaN, rare earth element components such as Y2O3, Er2O3, and Yb2O3, alkaline earth metal components such as BeO, MgO, CaO, SrO, and BaO, or aluminum such as Al2O3. Components, or silicon components such as SiO2, or blackening promoting components such as carbon, molybdenum, tungsten, or transition metal components such as TiO2, Cr2O3, MnO, CoO, NiO, Fe2O3, and those components alone or in combination And so on. The composition of the sintered body containing zinc oxide as a main component is substantially composed of only ZnO, rare earth element components such as Y 2 O 3, Er 2 O 3, and Yb 2 O 3, or alkaline earth metal components such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, or Al 2 O 3. Such components as an aluminum component or a silicon component such as SiO 2 or a transition metal component such as molybdenum, tungsten, vanadium, niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, or zinc. It may include a single or a plurality. The composition of the sintered body containing beryllium oxide as a main component is substantially composed of BeO alone, rare earth element components such as Y2O3, Er2O3 and Yb2O3, or alkaline earth metal components such as MgO, CaO, SrO and BaO, or aluminum components such as Al2O3. Or a silicon component such as SiO 2 or a transition metal component such as molybdenum, tungsten, vanadium, niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, or carbon. It contains a component individually or in multiple numbers. The composition of the sintered body mainly composed of aluminum oxide is composed of Al2O3 only, rare earth element components such as Y2O3, Er2O3, and Yb2O3, or alkaline earth metal components such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, or SiO2. Silicon components or transition metal components such as molybdenum, tungsten, vanadium, niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, or carbon alone or in a plurality of such components It is to include.

이러한 소결체에 대해 구체적인 예를 나타낸다.A specific example is shown about such a sintered compact.

상기 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 아연 이외에 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속 성분, 혹은 카본, 혹은 알루미늄 성분을 함유하는 것, 등이 비교적 용이하게 제작할 수 있고 그러한 안으로 광투과성을 가지는 것을 제작할 있고 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용할 수가 있다.Alkaline earth metal components such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, or Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Rare earth elements such as Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, or silicon components such as SiO2, or molybdenum, tungsten, vanadium, niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, Transition metal components such as hafnium, cobalt, copper and zinc, or those containing carbon or aluminum components, and the like can be produced relatively easily, and those having light transmissivity therein can be produced. It can be used as.

상기 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 CO나 H2 등을 포함한 환원성 분위기, 혹은 Ar, He, N2 등을 포함한 비산화성 분위기, 혹은 감압 상태, 혹은 핫 프레스등에 의한 고압 상태등의 분위기중에서 소성하는 것으로 비교적 높은 광투과성을 가지는 것을 제작할 수 있다. 특히 이러한 분위기를 이용하지 않고 상압의 대기중에서 소성을 실시한 것이어도 비교적 높은 광투과성을 가지는 것을 제작 가능하다. 즉, 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 어떠한 조성의 것이어도 적어도 파장 380 nm이상의 가시광선 및 가시광선보다 파장의 긴 빛에 대해서 광투과성을 가지는 것이 제작할 수 있다. 예를 들면, 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 어떠한 조성의 것이어도 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 통상 산화 아연 성분을 ZnO 환산으로 55.0 몰%이상 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 에 대해 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 또, 예를 들면 첨가물을 이용하지 않고 소성하여 실질적으로 ZnO만으로 이루어지는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 또한 본 발명에 대해 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것이다. 상기 광투과율은 파장 605 nm의 빛에 대해서 측정된 것이다. 본 발명에 대해 향후 특별히 제한하지 않는 한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율에는 상기 측정치를 이용했다.The sintered body containing zinc oxide as a main component is relatively fired in a reducing atmosphere containing CO, H2, or the like, or a non-oxidizing atmosphere containing Ar, He, N2, or the like, under reduced pressure, or in a high pressure state by a hot press. The thing which has high light transmittance can be manufactured. In particular, even if the firing is performed in an atmospheric pressure atmosphere without using such an atmosphere, one having a relatively high light transmittance can be produced. That is, a sintered body containing zinc oxide as a main component can be produced having a light transmittance with respect to visible light having a wavelength of at least 380 nm or more and a wavelength longer than visible light, regardless of the composition. For example, the sintered compact containing zinc oxide as a main component can be produced with a composition having a light transmittance of 1% or more even with any composition. Usually, the thing with a light transmittance of 1% or more can be produced with respect to the sintered compact which has a zinc oxide component 55.0 mol% or more in conversion of ZnO as a main component. Further, for example, a sintered body composed mainly of zinc oxide composed of only ZnO by firing without using an additive can be produced with a light transmittance of 10% or more. In the present invention, the light transmittance of the sintered body containing zinc oxide as a main component is for light having a wavelength of at least 200 nm to 800 nm. The light transmittance is measured for light having a wavelength of 605 nm. The measured value was used for the light transmittance of the sintered compact containing zinc oxide as a main component unless otherwise specifically limited in the future.

본 발명에 대해 알루미늄 성분 혹은 희토류 원소 성분 각각 단독으로 혹은 양성분을 동시에 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 광투과성을 가지는 것이 제작할 수 있다. 상기 알루미늄 성분 혹은 희토류 원소 성분 각각 단독으로 혹은 양성분을 동시에 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율로서는 1%이상의 것을 제작할 수 있다. 예를 들면 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 45.0 몰%이하의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 통상 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 또, 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.001 몰%~45.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 10%이상으로 향상한 것을 얻을 수 있고 쉬워지므로 바람직하다. 또, 희토류 원소 성분을 산화물 환산으로 10.0 몰%이하의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 통상 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 상기 희토류 원소 성분을 산화물 환산으로 0.0002 몰%~10.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율이 10%이상으로 향상하기 쉬워지므로 바 람직하다. 한층 더 상기 알루미늄 성분과 희토류 원소 성분을 동시에 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서는 한층 더 광투과율 20%이상, 30%이상, 40%이상, 50%이상, 60%이상 게다가 80%이상의 것도 제작할 수 있으므로 보다 바람직하다. 또한 상기 광투과율과는 유리 등의 투명체의 직선 투과율은 아니고 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율과 같은 전투과율을 의미한다.With respect to the present invention, a sintered body having zinc oxide as its main component, either alone or at the same time containing an aluminum component or a rare earth element component, can be produced. As a light transmittance of the sintered compact containing zinc oxide as the main component alone or simultaneously with each of the aluminum component and the rare earth element component, one having 1% or more can be produced. For example, a sintered body containing zinc oxide as the main component containing aluminum components in the range of 45.0 mol% or less in terms of Al2O3 can usually be produced with a light transmittance of 1% or more. A sintered body containing zinc oxide as a main component containing an aluminum component in the range of 0.001 mol% to 45.0 mol% in terms of Al2O3 is preferable because an improved light transmittance of 10% or more can be obtained and easily obtained. Moreover, the sintered compact which has a zinc oxide as a main component containing the rare earth element component in the range of 10.0 mol% or less in conversion of oxide can manufacture normally the thing of 1% or more of light transmittance. A sintered body containing zinc oxide as a main component containing the rare earth element component in the range of 0.0002 mol% to 10.0 mol% in terms of oxide is preferable because the light transmittance tends to be improved to 10% or more. Furthermore, in the sintered body mainly composed of zinc oxide containing the aluminum component and the rare earth element component, a light transmittance of 20% or more, 30% or more, 40% or more, 50% or more, 60% or more and 80% or more can also be produced. It is more preferable because it is. In addition, the light transmittance is not a linear transmittance of a transparent body such as glass, but means a combat transmittance such as a light transmittance of a sintered body containing aluminum nitride as a main component.

또한 본 발명에 대해 알루미늄 성분을 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 광투과성 외에 도전성을 가지는 것이 제작할 수 있다.Moreover, about this invention, the sintered compact which has zinc oxide containing an aluminum component as a main component can produce the thing which has electroconductivity besides light transmittance.

자세하게 설명하면, 이러한 광투과성을 가지는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 그 밖에 BeO, MgO, CaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2 등의 천이 금속 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분, 등의 금속 성분이 알루미늄 성분 이외에 포함되어 있었다고 해도 광투과성 혹은 도전성이 줄이는 것은 적다. 그 중에 예를 들면 Al2O3 등의 알루미늄 성분과 동시에 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu등의 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 10.0 몰%이하 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체여도 광투과율 20%이상의 것을 얻을 수 있다. 또, 상기 희토류 원소 성분을 산화물 환산으로 0.0002 몰%~10.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 한층 더 광투과율이 향상하기 쉬워져 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉬워, 본 발명에 대해 최대 84%의 것도 얻을 수 있었다. 즉 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 45.0 몰%이하 포함해 동시에 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.0002 몰%~10.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 45.0 몰%이하 포함해 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.0006 몰%~6.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 40%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 45.0 몰%이하 포함해 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.001 몰%~6.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 50%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 45.0 몰%이하 포함해 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.002 몰%~3.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 60%이상의 것을 얻기 쉽다.In detail, the light-transmitting zinc oxide-containing sintered body includes other alkaline earth metal components such as BeO, MgO, and CaO, or transition metal components such as MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, or Silicon components such as SiO2 or Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, and rare earth metals such as Lu2, O2O3, etc. Even if it contains other than this aluminum component, there is little light transmittance or electroconductivity. Among them, rare earth element components such as Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, etc., simultaneously with aluminum components such as Al2O3. Even if it is the sintered compact which has the zinc oxide as a main component which contains 10.0 mol% or less in oxide conversion at least 1 or more types of components selected from the inside, the thing of 20% or more of light transmittance can be obtained. Moreover, the sintered compact containing zinc oxide containing the said rare earth element component in the range of 0.0002 mol%-10.0 mol% in oxide conversion is easy to improve light transmittance further, and it is easy to obtain the thing of 30% or more of light transmittance, and to this invention Up to 84% was obtained. That is, a sintered body containing zinc oxide as the main component containing not more than 45.0 mol% of aluminum in terms of Al2O3 and simultaneously containing at least one or more components selected from rare earth elements in terms of oxide in a range of 0.0002 mol% to 10.0 mol% in total It is easy to obtain a transmittance of 30% or more. A sintered body containing zinc oxide as the main component, containing 45.0 mol% or less in terms of Al2O3 and further including at least one or more components selected from rare earth element components in the range of 0.0006 mol% to 6.0 mol% in terms of oxide. It is easy to obtain a light transmittance of 40% or more. A sintered body containing zinc oxide as the main component, containing 45.0 mol% or less in terms of Al2O3 and further including at least one or more components selected from rare earth elements in the range of 0.001 mol% to 6.0 mol% in terms of oxide. It is easy to obtain a thing with a light transmittance of 50% or more. A sintered body comprising zinc oxide as a main component, which contains 45.0 mol% or less in terms of Al2O3 and further contains at least one or more components selected from rare earth element components in the range of 0.002 mol% to 3.0 mol% in terms of oxide in total. It is easy to obtain a thing with a light transmittance of 60% or more.

또한 상기 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 희토류 원소 성분의 함유량의 환산에 이용하는 산화물과는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3를 의미한다. 또, 상기 알루미늄 성분과 희토류 원소 성분을 동시에 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 있어서의 알루미늄 성분의 함유량은 Al2O3 환산으로 0.001 몰%~45.0 몰%의 범위인 것이 광투과성을 높이는데 있어서는 바람직 하다. 이와 같이 알루미늄 성분과 희토류 원소 성분을 동시에 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 보다 광투과성이 뛰어난 것을 얻을 수 있고 쉽지만, 알루미늄 성분과 희토류 원소 성분을 동시 포함하는 것에 의해 도전성을 손상시킬 수 있는 것은 적다.In addition, the oxides used for conversion of the content of the rare earth element components contained in the sintered body containing zinc oxide as a main component are Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2 Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, and Lu2O3. The content of the aluminum component in the sintered body containing zinc oxide containing both the aluminum component and the rare earth element component as a main component is preferably in the range of 0.001 mol% to 45.0 mol% in terms of Al2O3 in order to increase light transmittance. Thus, a sintered body containing zinc oxide containing both aluminum and rare earth elements at the same time can be more easily and easily obtained. However, the inclusion of aluminum and rare earth elements at the same time reduces the conductivity. .

상기와 같이, 알루미늄 성분을 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 비교적 높은 광투과율과 함께 도전성을 가지는 것이 비교적 용이하게 제작할 수 있다.As mentioned above, the sintered compact which has zinc oxide containing an aluminum component as a main component can be manufactured comparatively easily which has electroconductivity with comparatively high light transmittance.

상기와 같은 산화 아연 등의 도전성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 혹은 도전성과 동시에 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하면, 기판 자체가 발광소자 구동용의 전기 회로의 일부로서의 기능을 가지는 것이 가능해져, 기판에 발광소자 구동용의 미세한 배선을 베푸는 것이 생략 할 수 있으므로 기판에 진입한 빛을 배선이 흡수하거나 산란할 우려가 없고 바람직하다. 또, 미세한 배선을 생략 할 수 있기 때문에 기판의 소형화가 용이하게 실시할 수 있다고 하는 특징을 가진다.When a sintered body containing a conductive ceramic material such as zinc oxide as the main component or a sintered body containing a conductive and light-transmitting ceramic material as a main component is used as a light emitting device mounting substrate, the substrate itself is used for driving the light emitting device. Since it becomes possible to have a function as a part of an electric circuit, and to make fine wiring for driving a light emitting element on a board | substrate can be omitted, there is no possibility that a wiring may absorb or scatter the light which entered the board | substrate. In addition, since fine wiring can be omitted, the substrate can be miniaturized easily.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 도전성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 경우 그 저항율은 실온에 대해 1104Ωcm 이하, 통상은 1102Ωcm 이하가면 기판 자체가 발광소자 구동용의 전기 회로의 일부로서의 기능을 충분히 발현할 수 있으므로 바람직하다.In the case of using the sintered body whose main component is a conductive ceramic material as the substrate for mounting the light emitting device according to the present invention, the resistivity thereof is 1104? It is preferable because the function can be sufficiently expressed.

산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 대해 알루미늄 성분을 포함하지 않는 도전성은 통상 작지만, 상기 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 45.0 몰%이하의 범위 에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 도전성은 향상한다. 구체적으로 말하면, 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.001 몰%~45.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 도전성은 향상해 예를 들면 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1102Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽다. 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.005 몰%~45.0 몰%의 범위 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1101Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽고 상기 소결체를 도통 비아가 없는 기판으로서 이용하는 것이 가능해지므로 바람직하다. 또, 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.02 몰%~45.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1100Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽고 상기 소결체를 도통 비아가 없는 기판으로서 이용하는 것이 가능해지므로보다 바람직하다. 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.08 몰%~35.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 110－1Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽고 상기 소결체를 도통 비아가 없는 기판으로서 이용하는 것이 가능해지므로 게다가 바람직하다. 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.2 몰%~25.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 110－2Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽고, 1~210－3Ωcm정도의 것보다 낮은 저항율을 가지는 것도 얻을 수 있다. 이러한 도전성을 가지는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 특히 기판의 상하 표면을 전기적으로 접속하기 위한 도통 비아를 마련할 필요가 없기 때문에 바람직하다. 또, 상기 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 BeO, MgO, CaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2 등의 천이 금속 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분, 등의 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분이 알루미늄 성분 이외에 포함되어 있었다고 해도 도전성이 손상되는 정도는 적다. 상기 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 중에 포함되는 알루미늄 이외의 성분으로서 도전성이 손상되는 정도가 작으면 어떠한 함유량이어도 괜찮다. 통상상기 알루미늄 이외의 성분의 함유량으로서 산화물 환산으로 10.0 몰%이하인 것이 도전성이 손상되는 정도가 작기 때문에 바람직하다.Although the electroconductivity which does not contain an aluminum component is small with respect to the sintered compact which has a zinc oxide as a main component, the electroconductivity of the sintered compact which has a zinc oxide as a main component which contains the said aluminum component in the range of 45.0 mol% or less in conversion of Al2O3 is improved. Specifically, the conductivity of the sintered body containing zinc oxide as the main component containing aluminum components in the range of 0.001 mol% to 45.0 mol% in terms of Al2O3 is improved, and for example, a resistivity at room temperature of at least 1102 Ωcm or less is easily obtained. In a sintered body containing zinc oxide in the range of 0.005 mol% to 45.0 mol% in terms of Al 2 O 3, the resistivity at room temperature is at least 1101 Ωcm or less, and the sintered body can be used as a substrate without conductive vias. desirable. Moreover, in the sintered compact containing zinc oxide containing aluminum component in the range of 0.02 mol%-45.0 mol% in terms of Al2O3, a resistivity at room temperature of at least 1100? Cm or less is easily obtained, and the sintered compact is used as a substrate without conductive vias. It is more preferable as it becomes possible. In a sintered body containing zinc oxide containing an aluminum component in the range of 0.08 mol% to 35.0 mol% in terms of Al2O3, a resistivity at room temperature of at least 110-1Ωcm or less is easily obtained, and the sintered body is used as a substrate without conductive vias. It is also preferable as it becomes possible. In sintered bodies containing zinc oxide containing aluminum components in the range of 0.2 mol% to 25.0 mol% in terms of Al2O3, those having a resistivity at room temperature of at least 110-2 Ωcm or less are easier to obtain than those of about 1 to 210-3 Ωcm. It is also possible to obtain low resistivity. Since the sintered compact which has the electroconductive zinc oxide as a main component does not need to provide the conducting via especially for electrically connecting the upper and lower surfaces of a board | substrate, it is preferable. The sintered body containing zinc oxide as a main component may be an alkaline earth metal component such as BeO, MgO, or CaO, or a transition metal component such as MnO, CoO, NiO, Fe 2 O 3, Cr 2 O 3, TiO 2, or a silicon component such as SiO 2, or Sc 2 O 3. At least one rare earth element such as at least one of rare earth elements such as Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, and the like Even if it is contained other than a component, the extent to which electroconductivity is impaired is small. Any content may be sufficient as a component other than aluminum contained in the said sintered compact which has the said zinc oxide as a main grade, as long as electroconductivity is impaired. Usually, it is preferable that content of components other than the said aluminum is 10.0 mol% or less in oxide conversion, because the extent to which electroconductivity is impaired is small.

또, 도전성을 가지는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 아연 이외의 성분으로서 알루미늄 성분 뿐만이 아니라, MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2 등의 천이 금속 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 10 몰%이하 함유하는 것이라도 얻는 것이 가능하다. 통상 상기 천이 금속 성분으로서 Fe 및 Cr 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 10 몰%이하 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체가 비교적 저항율의 작은 것이 제작할 수 있으므로 바람직하다.혹은, Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분을 상기 천이 금속 성분과 동시에 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서도 도전성을 가지는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체를 제작할 수 있다.In addition, the sintered body which has electroconductive zinc oxide as a main component converts oxide into at least one component selected from not only aluminum components but also transition metal components, such as MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, as components other than zinc. It is possible to obtain even if it contains 10 mol% or less. Usually, a sintered body composed mainly of zinc oxide containing at least 10 mol% or less in terms of oxides of at least one component selected from Fe and Cr as the transition metal component can be produced with a relatively small resistivity. Or, Sc2O3, Zinc oxide and other rare earth elements including Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3 and Lu2O3 Also in a sintered compact, the sintered compact which has electroconductive zinc oxide as a main component can be manufactured.

또, 상기 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 베릴륨 이외에 MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속 성분, 혹은 카본, 혹은 알루미늄 성분을 함유하는 것, 등이 비교적 용이하게 제작할 수 있고 그러한 안으로 광투과성을 가지는 것을 제작할 있고 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용할 수가 있다.For the sintered body containing beryllium oxide as a main component, alkaline earth metal components such as MgO, CaO, SrO, and BaO other than beryllium, or Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3 Rare earth elements such as Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, or silicon components such as SiO2, or molybdenum, tungsten, vanadium, niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, Transition metal components such as hafnium, cobalt, copper and zinc, or those containing carbon or aluminum components, and the like can be produced relatively easily, and those having light transmittance therein can be produced. It can be used as.

상기 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 통상 CO나 H2 등을 포함한 환원성 분위기, 혹은 Ar, He, N2 등을 포함한 비산화성 분위기, 혹은 감압 상태, 혹은 핫 프레스등에 의한 고압 상태등의 분위기중에서 소성하는 것으로 높은 광투과성을 가지는 것을 제작할 수 있지만, 이러한 분위기를 이용하지 않고 상압의 대기중에서 소성을 실시한 것이어도 비교적 높은 광투과성을 가지는 것을 얻을 수 있다. 즉, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 어떠한 조성의 것이어도 적어도 파장 200 nm이상의 보라색 외광, 가시광선 및 가시광선보다 파장의 긴 빛에 대해서 광투과성을 가지는 것이 제작할 수 있다. 예를 들면, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 어떠한 조성의 것이어도 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 통상 산화 베릴륨 성분을 BeO 환산으로 65.0 몰%이상 함유하는 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 또, 예를 들면 첨가물을 이용하지 않고 소성하여 실질적으로 BeO만으로 이루어지는 산화 베릴 륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 또한 본 발명에 대해 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것이다. 상기 광투과율은 파장 605 nm의 빛에 대해서 측정된 것이다. 본 발명에 대해 향후 특별히 제한하지 않는 한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율에는 상기 측정치를 이용했다.The sintered body containing the beryllium oxide as a main component is usually fired in a reducing atmosphere including CO, H2, or the like, or in a non-oxidizing atmosphere including Ar, He, N2, or a reduced pressure, or an atmosphere such as a high pressure state by a hot press. Although the thing which has high light transmissivity can be manufactured, even if it bakes in atmospheric | air atmosphere of normal pressure, without using such an atmosphere, what has comparatively high light transmittance can be obtained. In other words, a sintered body containing beryllium oxide as a main component may be produced having a light transmittance with respect to light having a wavelength longer than purple external light, visible light and visible light having a wavelength of at least 200 nm or more. For example, the sintered compact which contains beryllium oxide as a main component can produce the thing of 1% or more of light transmittance even if it is what kind of composition. Usually, the thing with a light transmittance of 1% or more can be produced with respect to the sintered compact which has a beryllium oxide main component which contains a beryllium oxide component 65.0 mol% or more in conversion of BeO. For example, in the sintered compact which has a beryllium oxide which consists only of BeO substantially by baking without using an additive, the thing with a light transmittance of 10% or more can be manufactured. In the present invention, the light transmittance of the sintered body containing beryllium oxide as a main component is for light in the range of at least a wavelength of 200 nm to 800 nm. The light transmittance is measured for light having a wavelength of 605 nm. The measured value was used for the light transmittance of the sintered compact mainly containing beryllium oxide as long as there is no restriction | limiting in particular about this invention in the future.

또, 상기와 같이 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 35.0 몰%이하의 범위에서 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체에서도 광투과율이 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 게다가 상기와 같이 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.0002 몰%~35.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율이 20%이상으로 향상한 것을 얻기 쉽고, 광투과율 30%이상, 40%이상, 50%이상, 60%이상, 게다가 80%이상의 것도 제작할 수 있다. 또한 상기 광투과율과는 유리 등의 투명체의 직선 투과율은 아니고 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율과 같은 전투과율을 의미한다.Also, a sintered body containing beryllium oxide as a main component containing at least one or more components selected from the magnesium component, the calcium component, and the silicon component in an oxide conversion in the range of 35.0 mol% or less as described above may have a light transmittance of 10% or more. Can be. In addition, the sintered body containing beryllium oxide as a main component containing at least one or more components selected from magnesium, calcium and silicon components in terms of oxide in a range of 0.0002 mol% to 35.0 mol% as described above has a light transmittance of 20% or more. It is easy to obtain the improvement, and the light transmittance of 30% or more, 40% or more, 50% or more, 60% or more, and 80% or more can also be produced. In addition, the light transmittance is not a linear transmittance of a transparent body such as glass, but means a combat transmittance such as a light transmittance of a sintered body containing aluminum nitride as a main component.

자세하게 설명하면, 상기에 나타내는 것 같은 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 MgO, CaO, SrO, BaO, MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등, 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 이외의 다른 금속 성분이 포함되어 있었다고 해도 광투과성이 줄이는 것은 적다. 그 중에 예를 들면 MgO 등의 마그네슘 성분, CaO 등의 칼슘 성분, SiO2 등의 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 동시에 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu등의 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 5.0 몰%이하 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체여도 광투과율 20%이상의 것을 얻을 수 있다. 또, 상기 희토류 원소 성분을 산화물 환산으로 0.00005 몰%~5.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 한층 더 광투과율이 향상하기 쉬워져 광투과율 30%이상의 것을 얻을 수 있고 쉬워져, 본 발명에 대해 최대 81%의 것도 얻을 수 있었다. 즉 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 35.0 몰%이하의 범위에서 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.00005 몰%~5.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 35.0 몰%이하의 범위에서 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.0005 몰%~3.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 40%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 35.0 몰%이하의 범위에서 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.002 몰 %~3.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 50%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 35.0 몰%이하의 범위에서 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.005 몰%~3.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 60%이상의 것을 얻기 쉽다.In detail, the sintered body mainly containing beryllium oxide as shown above is MgO, CaO, SrO, BaO, MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3 Even if a metal component other than a magnesium component, a calcium component, and a silicon component is contained, such as Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, and Lu2O3, there is little reduction in light transmittance. Among them, for example, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, simultaneously with at least one component selected from magnesium components such as MgO, calcium components such as CaO, and silicon components such as SiO 2 20% of light transmittance even in a sintered body containing beryllium oxide as a main component of at least one or more components selected from rare earth elements such as Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu in terms of oxide The above can be obtained. Moreover, the sintered compact which has the beryllium oxide containing the said rare earth element component in the range of 0.00005 mol%-5.0 mol% in oxide conversion as a main component is more easy to improve light transmittance, and can obtain the thing of 30% or more of light transmittance easily, A maximum of 81% was also obtained for the present invention. That is, at least one component selected from the magnesium component, the calcium component, and the silicon component is included in the range of 35.0 mol% or less in total in terms of oxide, and the at least one component selected from the rare earth element components is further summed in oxide. The sintered compact mainly containing beryllium oxide contained in the range of 0.00005 mol%-5.0 mol% has a light transmittance of 30% or more easily. Further, at least one or more components selected from the magnesium component, the calcium component, and the silicon component are included in an oxide conversion of 35.0 mol% or less, and at least one component selected from the rare earth element components is further converted into oxide. The sintered compact mainly containing beryllium oxide contained in the range of 0.0005 mol%-3.0 mol% in total is easy to obtain the thing with 40% or more of light transmittance. Further, at least one or more components selected from the magnesium component, the calcium component, and the silicon component are included in an oxide conversion of 35.0 mol% or less, and at least one component selected from the rare earth element components is further converted into oxide. The sintered compact mainly containing beryllium oxide contained in the range of 0.002 mol%-3.0 mol% in total is easy to obtain the thing with a light transmittance of 50% or more. Further, at least one or more components selected from the magnesium component, the calcium component, and the silicon component are included in an oxide conversion of 35.0 mol% or less, and at least one component selected from the rare earth element components is further converted into oxide. The sintered compact mainly containing beryllium oxide contained in the range of 0.005 mol%-3.0 mol% in total is easy to obtain the thing with 60% or more of light transmittance.

또한 상기 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 희토류 원소 성분의 함유량의 환산에 이용하는 산화물과는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3이다. 또, 상기 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분중에서 적어도 1종 이상을 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분을 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분의 함유량으로서는 산화물 환산으로 합계 0.0002 몰%~35.0 몰%의 범위인 것이, 광투과성을 높이는데 있어서는 바람직하다.In addition, the oxides used for conversion of the content of the rare earth element components contained in the sintered body containing beryllium oxide as a main component include Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3. Moreover, at least 1 selected from a magnesium component, a calcium component, and a silicon component with respect to the sintered compact which contains at least 1 or more types of said magnesium component, a calcium component, and a silicon component, and has a beryllium oxide containing a rare earth element component as a main component further. As content of a component more than a species, it is preferable in the range of 0.0002 mol%-35.0 mol% in conversion of oxide in order to improve light transmittance.

또, 상기 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 알루미늄 이외에 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 혹은 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분, 혹은 SiO2 등의 규소 성분, 혹은 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속 성분, 혹은 카본을 함유하는 것, 등이 비교적 용이하게 제작할 수 있고 그러한 안으로 광투과성을 가지는 것을 제작할 있고 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 이용할 수가 있다.For the sintered body containing aluminum oxide as a main component, alkaline earth metal components such as BeO, MgO, CaO, SrO, and BaO other than aluminum, or Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Rare earth elements such as Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, or silicon components such as SiO2, or molybdenum, tungsten, vanadium, niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, Transition metal components such as zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc, or those containing carbon can be produced relatively easily, and those having light transmissivity therein can be produced and used as the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention. There is a number.

상기 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 통상 CO나 H2 등을 포함한 환원성 분위기, 혹은 Ar, He, N2 등을 포함한 비산화성 분위기, 혹은 감압 상태, 혹은 핫 프레스등에 의한 고압 상태 등의 분위기중에서 소성하는 것으로 높은 광투과성을 가지는 것을 제작할 수 있지만, 이러한 분위기를 이용하지 않고 상압의 대기중에서 소성을 실시한 것이어도 비교적 높은 광투과성을 가지는 것을 얻을 수 있다. 즉, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 어떠한 조성의 것이어도 적어도 파장 160 nm이상의 보라색 외광, 가시광선 및 가시광선보다 파장의 긴 빛에 대해서 광투과성을 가지는 것이 제작할 수 있다. 예를 들면, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 어떠한 조성의 것이어도 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 통상 산화 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 55.0 몰%이상 함유하는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 또, 예를 들면 첨가물을 이용하지 않고 소성하여 실질적으로 Al2O3만으로 이루어지는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 또한 본 발명에 대해 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 적어도 파장 160 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것이다. 상기의 광투과율은 파장 605 nm의 빛에 대해서 측정된 것이다. 본 발명에 대해 향후 특별히 제한하지 않는 한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율에는 상기 측정치를 이용했다.The sintered body containing aluminum oxide as a main component is usually fired in a reducing atmosphere containing CO, H2, or the like, or a non-oxidizing atmosphere containing Ar, He, N2, or the like, or a reduced pressure, or an atmosphere such as a high pressure state by a hot press. Although the thing which has high light transmissivity can be manufactured, even if it bakes in atmospheric | air atmosphere of normal pressure, without using such an atmosphere, what has comparatively high light transmittance can be obtained. In other words, a sintered body containing aluminum oxide as a main component can be produced in any composition having light transmittance with respect to purple external light having a wavelength of at least 160 nm, visible light, and light having a wavelength longer than visible light. For example, the sintered compact including aluminum oxide as a main component can be produced with a composition having a light transmittance of 1% or more even with any composition. Usually, the thing with a light transmittance of 1% or more can be produced with respect to the sintered compact which mainly contains aluminum oxide component 55.0 mol% or more in conversion of Al2O3. For example, in the sintered compact which mainly consists of aluminum oxide which consists of Al2O3 only by baking without using an additive, a thing with a light transmittance of 10% or more can be produced. In the present invention, the light transmittance of the sintered body containing aluminum oxide as a main component is for light having a wavelength of at least 160 nm to 800 nm. The above light transmittance is measured for light having a wavelength of 605 nm. The measured value was used for the light transmittance of the sintered compact which has aluminum oxide as a main component, unless there is particular restriction about this invention in the future.

또, 상기와 같이 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 가운데, 적어도 MgO 등의 마그네슘 성분 및 CaO 등의 칼슘 성분 및 SiO2 등의 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 45.0 몰%이하의 범위에서 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 통상 광투과율이 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 게다가 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 가운데, 적어도 MgO 등의 마그네슘 성분 및 CaO 등의 칼슘 성분 및 SiO2 등의 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.001 몰%~45.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 통상 광투과율이 20%이상으로 향상한 것을 얻기 쉽고, 광투과율 30%이상, 40%이상, 50%이상, 60%이상, 게다가 80%이상의 것도 제작할 수 있다. 또한 상기 광투과율과는 유리 등의 투명체의 직선 투과율은 아니고 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율과 같게 전투과율을 의미한다.Moreover, at least one component selected from the above-mentioned sintered compact which has a magnesium component, a calcium component, and a silicon component containing a silicon component as a main component, at least a magnesium component, such as MgO, a calcium component, such as CaO, and a silicon component, such as SiO2, The sintered compact containing aluminum oxide as a main component contained in a total of 45.0 mol% or less in terms of oxide can usually be produced with a light transmittance of 10% or more. Furthermore, at least one or more components selected from magnesium components such as MgO, calcium components such as CaO, and silicon components such as SiO 2 are converted into oxides in a sintered body composed mainly of aluminum oxide including magnesium components, calcium components, and silicon components. Sintered bodies containing aluminum oxide as the main component contained in the range of 0.001 mol% to 45.0 mol% in total are easily obtainable by improving the light transmittance to 20% or more, and the light transmittance of 30% or more, 40% or more, 50% or more and 60%. In addition, more than 80% can also be produced. In addition, the light transmittance is not the linear transmittance of a transparent body such as glass, but means a combat transmittance in the same way as the light transmittance of a sintered body composed mainly of aluminum nitride.

자세하게 설명하면, 이러한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 BeO, MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등, 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 이외의 다른 금속 성분이 포함되어 있었다고 해도 광투과성이 줄이는 것은 적다. 그 중에 예를 들면 MgO 등의 마그네슘 성분 및 CaO 등의 칼슘 성분 및 SiO2 등의 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함해, 또한 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu등의 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 10.0 몰%이하 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체여도 광투과율 20%이상의 것을 얻을 수 있다. 또, 상기 희토류 원소 성분을 산화물 환산으로 0.0002 몰%~10.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 한층 더 광투과율이 향상하기 쉬워져 광투과율 30%이상의 것을 얻을 수 있고 쉬워져, 본 발명에 대해 최대 82%의 것도 얻을 수 있었다. 즉, 마그네슘 성분 및 칼슘 성분 및 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 45.0 몰%이하 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.0002 몰%~10.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 마그네슘 성분 및 칼슘 성분 및 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 45.0 몰%이하 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.001 몰%~6.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 40%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 마그네슘 성분 및 칼슘 성분 및 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 45.0 몰%이하 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.005 몰%~6.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 50%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 마그네슘 성분 및 칼슘 성분 및 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성 분을 산화물 환산으로 합계 45.0 몰%이하 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.01 몰%~3.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 60%이상의 것을 얻기 쉽다.In detail, the sintered body mainly composed of aluminum oxide is BeO, MnO, CoO, NiO, Fe 2 O 3, Cr 2 O 3, TiO 2, Sc 2 O 3, Y 2 O 3, La 2 O 3, CeO 2, Pr 6 O 11, Nd 2 O 3, Pm 2 O 3, Sm 2 O 3, Eu 2 O 3, Gd 2 O 3 D Even if a metal component other than a magnesium component, a calcium component, and a silicon component is contained, such as Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, and Lu2O3, light transmittance is hardly reduced. Among them, for example, at least one or more components selected from magnesium components such as MgO and calcium components such as CaO and silicon components such as SiO 2, and further include Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, and Sm. Even if the sintered compact which consists of aluminum oxide containing 10.0 mol% or less in oxide conversion contains at least 1 or more types selected from rare earth elements, such as Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu, the light transmittance 20% or more can be obtained. In addition, the sintered body containing aluminum oxide containing the rare earth element component in the range of 0.0002 mol% to 10.0 mol% in terms of oxide is more likely to improve light transmittance, which makes it easier to obtain a light transmittance of 30% or more. A maximum of 82% was also obtained for the present invention. That is, at least one component selected from the magnesium component, the calcium component, and the silicon component is 45.0 mol% or less in total in terms of oxide, and further 0.0002 mol in total is at least one component selected from the rare earth element components in total. The sintered compact mainly containing aluminum oxide contained in the range of%-10.0 mol% has a light transmittance of 30% or more easily. Further, at least one component selected from the magnesium component, the calcium component, and the silicon component is 45.0 mol% or less in total in terms of oxide, and further 0.001 mol in total is at least one component selected from the rare earth element components in total. The sintered compact mainly containing aluminum oxide contained in the range of%-6.0 mol% has a light transmittance of 40% or more easily. Further, at least one component selected from the magnesium component, the calcium component, and the silicon component is 45.0 mol% or less in total in terms of oxide, and further 0.005 mol in total is at least one component selected from the rare earth element components in total. The sintered compact mainly containing aluminum oxide contained in the range of%-6.0 mol% has a light transmittance of 50% or more easily. Further, at least one component selected from the magnesium component, the calcium component, and the silicon component is 45.0 mol% or less in total in terms of oxide, and further, at least one component selected from the rare earth element components in total is 0.01 in total. The sintered compact mainly containing aluminum oxide contained in the range of mol%-3.0 mol% has a light transmittance of 60% or more easily.

또, 상기 마그네슘 성분 및 칼슘 성분 및 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함해 한층 더 희토류 원소 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 포함되는 마그네슘 성분 및 칼슘 성분 및 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분은 산화물 환산으로 합계 0.001 몰%~45.0 몰%의 범위인 것이, 광투과성을 높이는데 있어서는 바람직하다.Moreover, in the sintered compact which contains at least 1 or more types selected from the said magnesium component, a calcium component, and the silicon component, and which has an aluminum oxide containing a rare earth element component as a main component, it is included in the magnesium component, calcium component, and silicon component contained The at least one component selected from is preferably in the range of 0.001 mol% to 45.0 mol% in terms of oxide, in order to increase light transmittance.

또한 상기 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 희토류 원소 성분과 동시에 포함되는 마그네슘 성분 및 칼슘 성분 및 규소 성분으로서는 통상 이러한 우리 적어도 2종 이상을 이용하는 것이 광투과율을 보다 향상시키는데 있어서 바람직하다.MgO 등의 마그네슘 성분 및 CaO 등의 칼슘 성분 및 SiO2 등의 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 2종 이상의 성분을 포함한다고 하는 것은 구체적으로는 마그네슘 성분과 규소 성분을 동시에 포함한, 혹은 칼슘 성분과 규소 성분을 동시에 포함한, 혹은 마그네슘 성분과 칼슘 성분을 동시에 포함한, 혹은 마그네슘 성분과 칼슘 성분 및 규소 성분의 3 성분을 동시에 포함한다고 하는 것을 의미한다.마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분의 함유량의 환산에 이용하는 산화물과는 각각 마그네슘 성분으로 MgO, 칼슘 성분으로 CaO, 규소 성분으로 SiO2이다. 또, 상기 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 희토류 원소 성분의 함유량의 환산 에 이용하는 산화물과는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3를 의미한다.As the magnesium component, calcium component, and silicon component simultaneously contained in the sintered body including aluminum oxide as the main component, it is preferable to use at least two of these cages in order to further improve the light transmittance. Magnesium such as MgO To include at least two or more components selected from a component, a calcium component such as CaO and a silicon component such as SiO 2, specifically includes simultaneously a magnesium component and a silicon component, or simultaneously includes a calcium component and a silicon component, or magnesium It means that it contains a component and a calcium component at the same time or includes three components of a magnesium component, a calcium component, and a silicon component simultaneously. The oxide used for conversion of content of a magnesium component, a calcium component, and a silicon component is respectively a magnesium component. MgO, calcium Minutes with a SiO2 to CaO, the silicon component. In addition, the oxides used for conversion of the content of the rare earth element component contained in the sintered body containing aluminum oxide as a main component are Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, and Dy2O3, Ho2. , Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3.

상기 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 CO나 H2 등을 포함한 환원성 분위기 및 Ar, He, N2 등을 포함한 비산화성 분위기의 상압중, 혹은 감압중, 혹은 핫 프레스나 HIP등에 의한 고압하에서 소성하는 것으로 비교적 높은 광투과성을 가지는 것이 제작할 수 있다. 즉, 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 어떠한 조성의 것이어도 통상 적어도 파장 360 nm이상의 가시광선 및 가시광선보다 파장의 긴 빛에 대해서 광투과성을 가지는 것이 제작할 수 있다. 예를 들면, 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 어떠한 조성의 것이어도 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 통상 갈륨 성분을 GaN 환산으로 55.0 몰%이상 함유하는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 또, 예를 들면 첨가물을 이용하지 않고 소성하여 실질적으로 GaN만으로 이루어지는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 또한 본 발명에 대해 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것이다. 상기 광투과율은 파장 605 nm의 빛에 대해서 측정된 것이다. 본 발명에 대해 향후 특별히 제한하지 않는 한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율에는 상기 측정치를 이용했다.The sintered body containing gallium nitride as a main component is fired at atmospheric pressure in a reducing atmosphere including CO, H2, and the like, and in a non-oxidizing atmosphere including Ar, He, N2, or under reduced pressure, or under high pressure by hot press or HIP. The thing which has high light transmittance can be manufactured. That is, the sintered compact which has a gallium nitride as a main component can produce what kind of composition has light transmittance with respect to the visible light of the wavelength of at least 360 nm or more and the light of wavelength longer than a visible light normally. For example, the sintered compact containing gallium nitride as a main component can be produced with a composition having a light transmittance of 1% or more even with any composition. Usually, the thing with a light transmittance of 1% or more can be produced with respect to the sintered compact which has a gallium nitride containing 55.0 mol% or more in conversion of GaN as a main component. For example, in the sintered compact which has the gallium nitride which consists only of GaN substantially by baking without using an additive, the thing with a light transmittance of 10% or more can be manufactured. In the present invention, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of gallium nitride is for light in the range of 200 nm to 800 nm. The light transmittance is measured for light having a wavelength of 605 nm. The measured value was used for the light transmittance of the sintered compact containing gallium nitride as a main component, unless otherwise specified in the future.

그 중에 예를 들면 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분 및 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성에 유효한 작용을 미친다. 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체 중에 각각 단독으로 포함되어 있어도 괜찮고 혹은 동시에 포함되어 있어도 괜찮다. 상기 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 30.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 또, 상기 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 20.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 한층 더 광투과성이 향상하기 쉬워져 광투과율 20%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 10.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 30%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 6.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 40%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 3.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 50%이상의 것을 얻기 쉽다. 또, 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 0.0001 몰%~3.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 60%이상의 것을 얻기 쉽다. 한층 더 광투과율 80%이상의 것도 제작할 수 있다. 본 발명에 대해 광투과율이 최 대 86%의 것을 얻을 수 있었다.Among them, for example, alkaline earth metal components such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, and Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3O2O3O2O3O2O3 Rare earth element components, such as Yb2O3 and Lu2O3, have an effective effect on the light transmittance of a sintered body composed mainly of gallium nitride. The alkaline earth metal component and the rare earth element component may be included alone or simultaneously in the sintered body containing gallium nitride as a main component. A sintered body containing gallium nitride containing at least 30.0 mol% or less in terms of oxides of at least one component selected from the alkaline earth metal component and the rare earth element component can be produced having a light transmittance of 10% or more. Further, a sintered body containing gallium nitride containing at least 20.0 mol% or less in terms of oxides of at least one or more components selected from the alkaline earth metal component and the rare earth element component is more likely to improve light transmittance, resulting in a light transmittance of 20% or more. It is easy to get one. Further, a sintered body comprising gallium nitride containing at least 10.0 mol% or less in terms of oxides of at least one or more components selected from alkaline earth metal components and rare earth element components is likely to have a light transmittance of 30% or more. Further, a sintered body comprising gallium nitride containing at least one or more components selected from alkaline earth metal components and rare earth element components in terms of oxides of 6.0 mol% or less as a main component is likely to obtain a light transmittance of 40% or more. Moreover, a sintered compact having a gallium nitride containing at least one or more components selected from alkaline earth metal components and rare earth element components in terms of oxides of 3.0 mol% or less as a main component tends to obtain a light transmittance of 50% or more. Further, a sintered body comprising gallium nitride containing at least one component selected from alkaline earth metal components and rare earth element components in terms of oxides of 0.0001 mol% to 3.0 mol% or less is likely to have a light transmittance of 60% or more. Furthermore, the thing of 80% or more of light transmittance can be produced. The light transmittance of the present invention was obtained up to 86%.

그 외, MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5등의 천이 금속 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 10.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 또, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 10.0 몰%이하의 범위에서 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 게다가 알루미늄 및 인지움 및 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 40.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 또, 알루미늄 및 인지움 및 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 30.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 20%이상의 것이 제작할 수 있으므로 바람직하다.In addition, gallium nitride containing 10.0 mol% or less of at least one component selected from transition metal element components such as MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5 and the like in terms of elements In the sintered compact which has a main component, the thing of 10% or more of light transmittance can be manufactured. In addition, in a sintered body composed mainly of gallium nitride containing at least one component selected from Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, and Te in the range of 10.0 mol% or less in terms of elements, a light transmittance of 10% or more can be produced. Can be. Furthermore, in a sintered body composed mainly of gallium nitride containing at least 40.0 mol% or less in terms of elements of at least one component selected from aluminum, indium and oxygen, one having a light transmittance of 10% or more can be produced. Moreover, since the sintered compact which has a gallium nitride containing at least 30.0 mol% or less in element conversion of at least 1 sort (s) selected from aluminum, indium, and oxygen can produce a thing with a light transmittance of 20% or more.

또, 상기 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5등의 천이 금속 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 알루미늄 및 인지움 및 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 이라고 하는 성분을 적어도 2종 이상 동시에 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체여도 광투과성의 것이 제작할 수 있다. 예를 들면, BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분 및 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 30.0 몰%이하 포함해 동시에 MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5등의 천이 금속 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 10.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체, 혹은 상기 범위의 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함해 동시에 Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 10.0 몰%이하의 범위에서 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체, 혹은 상기 범위의 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함해 동시에 알루미늄 및 인지움 및 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 40.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체, 에서 만나도 각각 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다.And from at least one or more components selected from the above alkaline earth metal components and rare earth element components, or from transition metal element components such as MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5 and the like. At least one component selected, or at least one component selected from Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, or at least one component selected from aluminum and indium and oxygen, Even if it is a sintered compact containing as a main component gallium nitride containing at least 2 or more types simultaneously, a light-transmissive thing can be produced. For example, alkaline earth metal components such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, and Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, O2O3O2O3O2O3O2O3O2O3 At least one component selected from rare earth elements such as Yb2O3 and Lu2O3 is 30.0 mol% or less in terms of oxide, and simultaneously contains MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5 and the like. At least one component selected from the group consisting of gallium nitride containing at least 10.0 mol% or less in terms of elemental conversion, or an alkaline earth metal component and a rare earth element component in the above range A sintered body comprising gallium nitride as a main component, including at least one or more components selected from Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, and Te in the range of 10.0 mol% or less in elemental conversion; A sintered body comprising gallium nitride as the main component, including not less than 40.0 mol% in terms of elements, including at least one component selected from the rare earth metal component and the rare earth element component, and at least one component selected from aluminum, indium and oxygen Even if they meet at, the light transmittance of 10% or more can be produced.

또한 상기 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5등의 천이 금속 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 알루미늄 및 인지움 및 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 이라고 하는 성분을 적어도 2종 이상 동시에 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체여도, 광투과성은, 상기 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5등의 천이 금속 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 알루미늄 및 인지움 및 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 이라고 하는 성분을 각각 단독으로 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 것에 비해 통상은 같은 정도이며, 상기 광투과성이 크게 저하하는 등의 변화는 적다.　And at least one or more components selected from the alkaline earth metal component and the rare earth element component, or selected from transition metal element components such as MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5, etc. At least one component, or at least one component selected from Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, or at least one component selected from aluminum and indium and oxygen, at least Even in a sintered body composed mainly of gallium nitride containing two or more kinds at the same time, the light transmittance is at least one or more components selected from the alkaline earth metal component and the rare earth element component, or MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3 , At least one component selected from transition metal element components such as WO 3, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, V 2 O 5, or at least one selected from Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te It is usually about the same as compared with using a sintered body composed mainly of gallium nitride containing the above components or at least one or more components selected from aluminum, indium and oxygen, respectively, and the components referred to alone. There is little change.

질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 질화 갈륨 입자로부터 되어 따라서 립계가 존재하고 있어, 단결정이나 박막등과 같이 비교적 균질에 가까운 상태는 아님에도 불구하고 통상 도전성을 가지는 것을 얻을 수 있는 경우가 많다. 상기 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소등의 성분을 실질적으로 포함하지 않는 것으로 있어도 실온에 있어서의 저항율 1108Ωcm 이하의 도전성을 가지는 것을 얻을 수 있는 경우가 많다. 또, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 도전성은 향상하기 쉽기 때문에 바람직하다. 즉, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소등의 성분을 실질적으로 포함하지 않는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 실온에 있어서의 저항율이 반드시 1104Ωcm 이하의 도전성을 가진다고는 할 수 없지만 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소 결체의 도전성은 실온에 있어서의 저항율이 1104Ωcm 이하에 향상하기 쉽기 때문에 바람직하다. 보다 구체적으로 말하면, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 10.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 도전성은 향상해 예를 들면 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1104Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽다. 또, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 0.00001 몰%~10.0 몰%의 범위 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 도전성은 향상해 예를 들면 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1103Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽다. 또, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 0.00001 몰%~7.0 몰%의 범위 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1101Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽고 상기 소결체를 도통 비아가 없는 기판으로서 이용하는 것이 가능해지므로 바람직하다. 또, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 0.00001 몰%~5.0 몰%의 범위에서 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1100Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽고 상기 소결체를 도통 비아가 없는 기판으로서 이용하는 것이 가능해지므로보다 바람직하다. 또, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 0.00001 몰%~3.0 몰%의 범위에서 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 110－1Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽고 상기 소결체를 도통 비아가 없는 기판으로서 이용하는 것이 가능해지므로 게다가 바람직하다. 이러한 조성의 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해 실온에 있어서의 저항율이 110－2Ωcm 이하 혹은 게다가 1~210－3Ωcm정도의 것보다 낮은 저항율을 가지는 것도 얻을 수 있다. 이러한 도전성을 가지는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 특히 기판의 상하 표면을 전기적으로 접속하기 위한 도통 비아를 마련할 필요가 없기 때문에 바람직하다.A sintered body containing gallium nitride as a main component is made of gallium nitride particles, and thus grain boundaries exist, and in many cases, a conductive material can be obtained even though it is not a relatively homogeneous state such as a single crystal or a thin film. Even if the sintered body containing gallium nitride as a main component does not substantially contain components such as Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen, it has conductivity of 1108 Ωcm or less at room temperature. Many things can be obtained. Moreover, since the electrical conductivity of the sintered compact which has a gallium nitride containing at least 1 sort (s) or more selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen as a main component is easy to improve, it is preferable. That is, a sintered body containing gallium nitride, which is substantially free of components such as Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen, has a conductivity of 1104 Ωcm or less at room temperature. The conductivity of the sintered body containing gallium nitride containing at least one selected from Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen as its main component may not be said to have a resistivity at room temperature. Since it is easy to improve to 1104 (ohm) cm or less, it is preferable. More specifically, the conductivity of the sintered body mainly composed of gallium nitride containing at least 10.0 mol% or less of Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen in elemental terms is It is easy to improve and for example, to obtain a resistivity of at least 1104? Cm or less at room temperature. Further, a sintered body comprising gallium nitride containing at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen in an amount of 0.00001 mol% to 10.0 mol% in terms of elements Conductivity improves, for example, it is easy to obtain a resistivity of at least 1103? Cm or less at room temperature. Further, a sintered body containing gallium nitride containing at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen in an amount of 0.00001 mol% to 7.0 mol% in terms of elements In the case where the resistivity at room temperature is at least 1101? Cm or less, it is easy to obtain, and the sintered body can be used as a substrate without conductive vias. Further, gallium nitride containing at least one or more components selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen in the range of 0.00001 mol% to 5.0 mol% in terms of elements is a main component. The sintered compact is more preferable because a resistivity at room temperature of at least 1100 Ωcm or less can be obtained and the sintered compact can be used as a substrate without conductive vias. In addition, gallium nitride containing at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen in the range of 0.00001 mol% to 3.0 mol% in terms of elements is used as a main component. In the sintered compact, a resistivity at room temperature of at least 110-1 OMEGA cm or less can be easily obtained, and the sintered compact can be used as a substrate without conductive vias. It is also possible to obtain a resistivity at room temperature of less than 110-2 Ωcm or less or about 1 to 210-3 Ωcm with respect to the sintered body having gallium nitride having such a composition as a main component. A sintered body containing gallium nitride having such conductivity as a main component is particularly preferable because it is not necessary to provide a conductive via for electrically connecting the upper and lower surfaces of the substrate.

또, 상기 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분, 및 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분, 및 MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5등의 천이 금속 원소 성분, 및 알루미늄 성분, 인지움 성분 등의 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분이 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 이외에 포함되어 있었다고 해도 도전성이 손상되는 정도는 적다. 상기 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체 중에 포함되는 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 이외의 성분의 함유량은 도전성이 손상되는 정도가 작으면 어떠한 것이어도 괜찮다. 통상해Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 이외의 성분의 함유량으로서 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분은 산화물 환산으로 10.0 몰%이하, 천이 금속 원소 성분은 원소 환산으로 10.0 몰%이하, 알루미늄 성분 및 인지움 성분은 원소 환산으로 40.0 몰%이하인 것 이 도전성이 손상되는 정도가 작기 때문에 바람직하다.The sintered body containing gallium nitride as a main component is alkaline earth metal components such as CaO, SrO and BaO, and Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Ho2O3 Rare earth element components such as Er 2 O 3, Tm 2 O 3, Yb 2 O 3, Lu 2 O 3, and transition metal element components such as MnO, CoO, NiO, Fe 2 O 3, Cr 2 O 3, TiO 2, MoO 3, WO 3, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, V 2 O 5, and aluminum components and phosphorus components. Even if at least one or more components selected from among are contained in at least one or more components selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen, the degree of conductivity is reduced. The content of components other than at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen contained in the sintered body containing gallium nitride as a main component is such that conductivity is impaired. Anything may be small if it is small. Usually, the content of components other than at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen is 10.0 mol% in terms of oxides of alkaline earth metal components and rare earth elements. Hereinafter, the transition metal element component is preferably 10.0 mol% or less in terms of elements, and the aluminum component and the phosphate component are 40.0 mol% or less in terms of elements, and are preferable because the degree of damage to conductivity is small.

또, 도전성을 가지는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 갈륨 이외의 성분으로서 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 뿐만이 아니라, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분 및 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 10.0 몰%이하, 혹은 MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5등의 천이 금속 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 10.0 몰%이하, 혹은 알루미늄 성분 및 인지움 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 40.0 몰%이하 함유하는 것이라도 얻는 것이 가능하다.　　The sintered body containing gallium nitride having conductivity as a main component is not only gallium, but also CaO, Alkali earth metal components such as SrO, BaO and the like, Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, etc. 10.0 mol% or less of at least one selected component in terms of oxide, or at least one selected from transition metal element components such as MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5, etc. It is possible to obtain even if it contains 10.0 mol% or less in element conversion, or 40.0 mol% or less in element conversion of at least 1 sort (s) or more components chosen from an aluminum component and a phosphorus.

또, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 도전성을 가질 뿐만 아니라 광투과성을 가지는 것이 제작할 수 있다. 상기 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율로서는 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 상기와 같이 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 10.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 상기와 같이 도전성을 가질 뿐만 아니라 광투과율 10%이상으로 향상한 것이 제작할 수 있다. 또, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 0.00001 몰%~10.0 몰%의 범위에서 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 도전성을 가질 뿐만 아니라 광투과율 20%이상의 것이 제작할 수 있어 한층 더 광초과율이 30%이상, 40%이상, 50%이상, 60%이상 게다가 80%이상의 것도 제작할 수 있다.In addition, a sintered body composed mainly of gallium nitride including at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen has not only conductivity but also light transmittance. Can be. A light transmittance of 1% or more can be produced as a light transmittance of a sintered body composed mainly of gallium nitride including at least one component selected from Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen. As described above, the sintered compact mainly composed of gallium nitride including at least 10.0 mol% or less of Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen in terms of an element is as described above. Not only having conductivity, but also improving the light transmittance of 10% or more can be produced. Further, gallium nitride containing at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen in the range of 0.00001 mol% to 10.0 mol% in terms of elements is a main component. The sintered body has not only conductivity but also a light transmittance of 20% or more can be produced, and a light transmittance of 30% or more, 40% or more, 50% or more, 60% or more and 80% or more can also be produced.

또, 이러한 도전성을 가져 한층 더 광투과성을 가지는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해, Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분이 포함되어 있는 것 뿐만이 아니고 동시에 CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 성분 및 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것, 혹은 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 동시에 MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5등의 천이 금속 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것, 혹은 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 동시에 알루미늄 및 인지움 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것이었다고 해도 상기 도전성 혹은 광투과성이 줄이는 것은 적다. 도전성을 가져 한층 더 광투과성을 가지는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 상기의 예시한 성분을 각각 1종씩 합계 2종 포함하는 것 뿐만이 아니고, 어느 쪽인가의 성분을 적어도 2종 이상계 3종 이상의 성분을 포함하는 것이어도 상기 도전성 혹은 광투과성이 줄이는 것은 적다. 본 발명에 대해, 예를 들면 상기 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 및 Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 동시에 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 실온에 있어서의 저항율 1104Ωcm 이하의 도전성을 갖고 또한 광투과성을 가지는 것이 제작할 수 있지만, 이러한 조성의 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해 실온에 있어서의 저항율 1.710－2Ωcm를 가져 광투과율 82%과 높은 도전성과 동시에 높은 광투과율을 가지는 것이라도 얻을 수 있었다.Further, at least one component selected from Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen may be used for a sintered body having such conductivity as a main component of gallium nitride having further light transmittance. Alkaline earth metal components such as CaO, SrO, BaO, etc. as well as Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Tb2O3 At least one component selected from rare earth element components such as, Lu2O3, or at least one component selected from Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen At least one or more components selected from transition metal element components such as MnO, CoO, NiO, Fe2O3, Cr2O3, TiO2, MoO3, WO3, Nb2O5, Ta2O5, V2O5, or Be, Mg, Zn, Cd, C Aluminium simultaneously with at least one component selected from among Si, Ge, Se, Te and oxygen Even if it contains at least one component selected from among nium and indium, the conductivity or light transmittance is less reduced. In the sintered compact which has electroconductivity and has a gallium nitride which has further light transmittance as a main component, it does not only contain 2 types of said components respectively, respectively in total, one type, but also contains any of at least 2 or more types of 3 or more types of components Even if it contains a component, the said electroconductivity or light transmittance is less reduced. For the present invention, for example, at least one component selected from among the alkaline earth metal component and rare earth element component and at least one component selected from Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, and Te at the same time A sintered body containing gallium nitride as a main component can be produced having a conductivity of 1104 Ωcm or less at room temperature and light transmittance, but a resistivity at room temperature of 1.710-2 Ωcm at a sintered body having gallium nitride having such a composition as a main component In addition, even if it has 82% of light transmittance and high electroconductivity, even if it has a high light transmittance.

또한 상기 광투과율과는 유리 등의 투명체의 직선 투과율은 아니고 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율과 같게 전투과율을 의미한다.In addition, the light transmittance is not the linear transmittance of a transparent body such as glass, but means a combat transmittance in the same way as the light transmittance of a sintered body composed mainly of aluminum nitride.

질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 상기와 같이 높은 광투과성을 가지는 이유에 대해서는 반드시 명확하지 않지만, 비교적 균질로 치밀한 조직을 가지는 것이 용이하게 제작할 수 있는 것이 큰 요인이라고 추측된다. 한층 더 상기 조성의 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해 보다 균질로 치밀한 조직을 가지는 것이 제작할 수 있기 때문에 광투과성의 높은 것을 얻을 수 있을 것이라고 생각된다.The reason why the sintered body containing gallium nitride as a main component has a high light transmittance as described above is not necessarily clear, but it is speculated that it is easy to have a relatively homogeneous and dense structure to be easily manufactured. Furthermore, since the thing which has a more homogeneous and dense structure with respect to the sintered compact which has a gallium nitride of the said composition as a main component can be manufactured, it is thought that a thing with high light transmissivity can be obtained.

질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 통상 질화 갈륨을 주성분으로 하는 분말 성형체를 비산화성 분위기중 1000℃~1700℃정도의 온도로 소성하는 것으로 비교적 용이하게 제작할 수 있다. 광투과성을 높이기 위해서는 통상 1200℃이상으로 소성하는 것이 바람직하다. 상기의 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 사용하는 질화 갈륨의 원료 분말은 어떠한 것에서도 사용할 수 있지만, 소결성이 뛰어난 것을 이용하는 것이 광투과성의 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소 결체를 제작하는데 있어서 바람직하다. 통상 평균 입경 10μm 이하의 미분말이면 매우 적합하게 이용하는 것이 성과 광투과성의 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 제작할 수 있다. 또, 평균 입경 5.0μm 이하의 것이 보다 바람직하고, 평균 입경 2.0μm 이하의 것이 한층 더 바람직하다. 또, 평균 입경 1.0μm 이하의 것도 이용할 수가 있다. 또한 평균 입경 10μm보다 큰 것으로 있어도 볼 밀이나 제트 밀등으로 분쇄하는 것으로써 10μm 이하의 미분말로 하는 것으로써 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 이러한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 원료 분말로서는, 1) 금속 갈륨을 질소나 암모니아 등의 질소 함유 물질등을 이용해 직접 질화 반응 하게 해 제작한 것, 2) 산화 갈륨을 카본 등의 환원제와 질소나 암모니아 등의 질소 함유 물질을 이용해 환원 질화 해 제작한 것, 3) 갈륨 화합물(예를 들면 트리메틸갈륨 등의 유기 갈륨 화합물이나 염화 갈륨 등의 무기 갈륨 화합물)을 기체가 이루어 질소나 암모니아 등의 질소 함유 물질과 반응시켜(요약하면 수소 등의 환원 가스를 공존시키고) 제작한 화학 수송법에 따르는 것, 등이 매우 적합하게 이용된다. 또, 그 외 시판의 것도 이용할 수가 있다.금속 갈륨을 직접 질화 해 질화 갈륨 분말을 제작하는 방법으로서 예를 들면 금속 갈륨은 융점이 낮기 때문에 통상 아르곤, 헬륨 등의 불활성 분위기중, 혹은 수소 등의 환원 분위기중에서 300℃~1700℃정도의 온도로 가열해 금속 갈륨을 기화시킨 후, 상기 기체가 된 금속 갈륨을 질소나 암모니아 등의 질소 성분을 포함한 가스와 300℃~1700℃정도의 온도로 반응시켜 질화 갈륨 분말을 제작한다고 하는 방법이 있다. 산화 갈륨을 환원 질화 해 질화 갈륨 분말을 제작하는 방법으로서 예를 들면 산화 갈륨 분말을 카본 분말과 함께 혼합해 질소나 암모니아 등의 질소 성분을 포함한 가스와 400℃~1600℃정도의 온도로 가열해 산화 갈륨의 환원과 질화 반응을 행해 질화 갈륨 분말을 제작한다고 하는 방법이 있다. 또한 반응물중에 잔류 카본이 있으면 대기등의 산화 분위기중에서 가열하는 등 해 제거한다.갈륨 화합물을 기화시켜 질화 갈륨 분말을 제작하는 방법으로서 예를 들면 염화 갈륨, 브롬화 갈륨 혹은 트리메틸갈륨 등의 갈륨 화합물을 아르곤, 헬륨, 질소 등의 비산화성 분위기중, 혹은 수소 등의 환원 분위기중에서 50℃~1800℃정도의 온도로 가열해 상기 염화 갈륨, 브롬화 갈륨 혹은 트리메틸갈륨 등의 갈륨 화합물을 기화시킨 후, 기체가 된 상기 염화 갈륨, 브롬화 갈륨 혹은 트리메틸갈륨 등의 갈륨 화합물을 질소나 암모니아 등의 질소 성분을 포함한 가스 한층 더 요약하면 수소 등의 환원 가스를 더한 질소나 암모니아 등의 질소 성분을 포함한 가스와 300℃~1800℃정도의 온도로 반응시켜 질화 갈륨 분말을 제작한다고 하는 방법이 있다. 이러한 소결체 제작용의 원료로서 이용할 수 있는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 분말에는 불순물로서 산소가 포함되는 경우가 있지만 이러한 불순물 산소를 포함한 원료 분말을 이용해 제작되는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체여도 치밀해 광투과성을 가지는 것도전성을 가지는 것이 제작할 수 있다. 통상 질화 갈륨 분말의 산소 함유량이 10 중량%이하이면 상기 분말을 이용해 제작되는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성 혹은 도전성은 발현할 수 있다. 질화 갈륨 분말의 산소 함유량이 5.0 중량%이하이면 적어도 광투과율 5%이상 혹은 실온에 있어서의 저항율 1104Ωcm 이하의 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있고 쉬워지므로 바람직하다.A sintered body containing gallium nitride as a main component can be produced relatively easily by sintering powder compacts mainly containing gallium nitride at a temperature of about 1000 ° C to 1700 ° C in a non-oxidizing atmosphere. In order to raise light transmittance, it is preferable to bake to 1200 degreeC or more normally. Although the raw material powder of gallium nitride used for producing the sintered compact which has the said gallium nitride as a main component can be used in any thing, it is preferable to use the thing which is excellent in sinterability in producing the sintered compact which has a light transmittance gallium nitride as a main component. Do. Usually, a fine powder having an average particle diameter of 10 µm or less can be suitably used, and a sintered body containing gallium nitride having a light transmittance and a light transmittance as a main component can be produced. Moreover, the thing of average particle diameter 5.0 micrometers or less is more preferable, and the thing of average particle diameter 2.0 micrometers or less is further more preferable. Moreover, an average particle diameter of 1.0 micrometer or less can also be used. Moreover, even if it is larger than an average particle diameter of 10 micrometers, it can grind | pulverize with a ball mill, a jet mill, etc., and can use it suitably by making it into the fine powder 10 micrometers or less. As a raw material powder containing gallium nitride as a main component, 1) metal gallium is directly nitrified using nitrogen-containing substances such as nitrogen or ammonia, and 2) gallium oxide is reduced to carbon or a reducing agent such as nitrogen or ammonia. Prepared by reduction and nitriding using a nitrogen-containing material of the present invention, and 3) a gallium compound (for example, an organic gallium compound such as trimethylgallium or an inorganic gallium compound such as gallium chloride). The thing according to the chemical transport method produced by reaction (to summarize, coexisting reducing gas, such as hydrogen), etc. are used suitably. In addition, commercially available ones can also be used. As a method of directly nitriding metal gallium to produce gallium nitride powder, for example, metal gallium has a low melting point, so it is usually reduced in an inert atmosphere such as argon, helium, or hydrogen. In the atmosphere, the metal gallium is vaporized by heating to a temperature of about 300 ° C. to 1700 ° C., and then the metal gallium, which becomes a gas, is reacted with a gas containing nitrogen, such as nitrogen or ammonia, at a temperature of about 300 ° C. to 1700 ° C. for nitriding. There is a method of producing gallium powder. As a method of reducing and nitriding gallium oxide to produce gallium nitride powder, for example, gallium oxide powder is mixed with carbon powder, and heated to a temperature of 400 ° C to 1600 ° C with a gas containing nitrogen, such as nitrogen or ammonia, to oxidize. There is a method of producing gallium nitride powder by reduction and nitriding of gallium. If there is residual carbon in the reactants, the reaction product is removed by heating in an oxidizing atmosphere such as air. A method of producing a gallium nitride powder by vaporizing a gallium compound, for example, a gallium compound such as gallium chloride, gallium bromide, or trimethylgallium may be removed. In a non-oxidizing atmosphere such as helium, nitrogen, or a reducing atmosphere such as hydrogen, and heated to a temperature of about 50 ° C to 1800 ° C to vaporize the gallium compound such as gallium chloride, gallium bromide, or trimethylgallium and then become a gas. The gallium compounds such as gallium chloride, gallium bromide, or trimethylgallium are further summarized as gas containing nitrogen components such as nitrogen and ammonia, and gas containing nitrogen components such as nitrogen and ammonia plus reducing gas such as hydrogen, and 300 ° C to 1800. There is a method of producing gallium nitride powder by reacting at a temperature of about ℃. Although the powder containing gallium nitride as a main component that can be used as a raw material for producing such a sintered compact may contain oxygen as an impurity, even a sintered compact composed of gallium nitride produced using a raw powder containing such impurity oxygen may be dense and light-transmissive. It is possible to manufacture a thing having conductivity. Usually, when the oxygen content of gallium nitride powder is 10 weight% or less, the light transmittance or electroconductivity of the sintered compact which has the gallium nitride manufactured using the said powder as a main component can be expressed. If the gallium nitride powder has an oxygen content of 5.0% by weight or less, a sintered body composed mainly of gallium nitride having a light transmittance of 5% or more or a resistivity of 1104 Ωcm or less at room temperature can be easily obtained and is preferable.

또한 상기 본 발명에 의한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 분말과는 통상 갈륨 성분을 GaN 환산으로 55.0 몰%이상 포함한 분말을 의미한다.In addition, the powder mainly containing gallium nitride according to the present invention means a powder containing 55.0 mol% or more of gallium component in terms of GaN.

상기 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 알칼리 토류 금속 성분의 함유량의 환산에 이용하는 산화물과는 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO를 의미해, 희토류 원소 성분의 함유량의 환산에 이용하는 산화물과는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3를 의미한다.The oxide used for conversion of the content of the alkaline earth metal component contained in the sintered body containing gallium nitride as a main component means BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, and the oxide used for conversion of the content of the rare earth element component is Sc2O3. , Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3.

또한 상기와 같은 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 혹은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체 등의 도전성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 도 2에 나타내는 발광소자 제작용의 기판 10으로서 이용해 발광소자를 제작하면, 도 2에 나타내는 것 같은 상하에 전극을 배치해 전극과 소자와의 전기적 접속을 도모한다고 하는 형상의 발광소자가 제작할 수 있다. 도전성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 경우 상기 소결체의 실온에 있어서의 저항율로서는 1104Ωcm 이하가면 상하에 전극을 배치한 형상의 발광소자가 제작할 수 있다. 도전성을 가지는 소결체의 실온에 있어서의 저항율로서는 실온에 대해 통상 1102Ωcm 이하의 것이면 적은 손실로 충분한 전력을 발광층에 공급 할 수 있다. 도전성을 가지는 소결체의 실온에 있어서의 저항율로서는 실온에 대해 1101Ωcm 이하의 것이 바람직하고, 1100Ωcm 이하의 것이 보다 바람직하고, 110－1Ωcm 이하의 것이 한층 더 바람직하고, 110－2Ωcm 이하의 것이 가장 바람직하다.In addition, when the light emitting device is fabricated using the sintered body having a conductive ceramic material as a main component such as a sintered body including zinc oxide as a main component or a sintered body containing gallium nitride as a main component as the substrate 10 for light emitting device fabrication shown in FIG. The light emitting element of the shape which arrange | positions an electrode above and below as shown in FIG. 2, and aims at electrical connection between an electrode and an element can be manufactured. In the case of using a sintered body containing a conductive ceramic material as a main component, a light emitting element having a shape in which electrodes are disposed above and below the surface of the sintered body at room temperature of 1104? Cm or less can be produced. As a resistivity at room temperature of an electrically conductive sintered compact, sufficient electric power can be supplied to a light emitting layer with little loss as long as it is 1102 ohm cm or less with respect to room temperature normally. As a resistivity in the room temperature of an electroconductive sintered compact, the thing of 1101 ohm cm or less with respect to room temperature is preferable, The thing of 1100 ohm cm or less is more preferable, The thing of 110-1 ohm cm or less is more preferable, The thing of 110-2 ohm cm or less is the most preferable.

상기와 같이 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 질화 갈륨 각각을 주 성분으로 하는 소결체는 비교적 높은 광투과성의 것을 얻을 수 있는 것이 나타났다.As mentioned above, it was shown that the sintered compact which has zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, and gallium nitride as a main component can obtain the thing with comparatively high light transmittance.

또, 본 발명에 대해 산화 알루미늄, 산화 아연, 산화 베릴륨, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨 등을 주성분으로 하는 소결체 뿐만이 아니라, 상기와 같이 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 대해도 광투과성을 가지는 것을 얻는 것이 가능하다. 구체적으로는 광투과율로서 적어도 1%이상 통상 10%이상을 가지는 것이 제작할 수 있다. 또 상기 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연(특히 희토류 원소 성분을 포함하는 것), 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율이 50%이상의 것을 제작할 수 있어 최대 80%이상의 것도 제작할 수 있다. 상기 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 중에서 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 멀라이트, 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체는 특히 광투과성이 뛰어나 적당 소결조제를 첨가해 상압소성(예를 들면 대기중, 혹은 H2 등의 환원성 가스중, 혹은 N2 등의 비산화성 가스중, 혹은 CO2 등의 약산 화성 가스중), 감압소성, 핫 프레스등의 정법에 의해 비교적 용이하게 광투과성의 것을 제작할 수가 있다. 대기중에서의 상압소성이어도 광 투과율 10%이상, 통상 광투과율 20%이상 혹은 광투과율 30%이상의 것을 제작할 수가 있다. 또 수소중에서의 소성 혹은 핫 프레스 혹은 감압소성 등에 의해 광투과율 40%이상, 통상은 광투과율 50%이상 혹은 광투과율 60%이상의 것을 제작할 수가 있어 광투과율 80%이상의 것도 제작할 수 있다.Moreover, not only the sintered compact which has aluminum oxide, zinc oxide, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, etc. as a main component about this invention, but also zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate as mentioned above Rare earth element oxides such as lead, zirconate titanate, yttrium oxide, thorium oxide, various ferrites, mullite, forsterite, stearite, crystallized glass, etc. It is possible. Specifically, what has at least 1% or more and usually 10% or more as light transmittance can be produced. In addition, rare earth element oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate (particularly rare earth element components), yttrium oxide, rhodium oxide, various ferrites, mullites, pores A sintered body composed mainly of sterite, stair tight, crystallized glass and the like can be produced with a light transmittance of 50% or more, and can also produce up to 80% or more. Among the sintered bodies mainly composed of the above various ceramic materials, sintered bodies containing rare earth element oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate and yttrium oxide, rhodium oxide, mullite and crystallized glass as main components are particularly suitable for sintering aids. By adding atmospheric pressure (for example, in the atmosphere, in reducing gas such as H2, or in non-oxidizing gas such as N2, or in weakly oxidizing gas such as CO2), and by a method such as reduced pressure firing and hot press. A light transmissive thing can be manufactured easily. Even at atmospheric pressure firing in the atmosphere, it is possible to produce a light transmittance of 10% or more, a light transmittance of 20% or more, or a light transmittance of 30% or more. In addition, a light transmittance of 40% or more, usually a light transmittance of 50% or more, or a light transmittance of 60% or more can be produced by baking in hydrogen, hot press or reduced pressure firing, or the like, and a light transmittance of 80% or more can be produced.

광투과성을 향상시키기 위해서 예를 들면 산화 지르코늄의 경우는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등 희토류 원소 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등 알칼리 토류 금속 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 등을 포함하는 것을 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 또, 산화 마그네슘의 경우는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등 희토류 원소 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 BeO, CaO, SrO, BaO 등 알칼리 토류 금속 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 LiF, NaF 등 알칼리 금속 성분을 포함한 불화물 등의 화합물 혹은 SiO2 등의 규소 화합물 등을 포함하는 것을 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 또, 알루민산마그네슘의 경우는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등 희토류 원소 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등 알칼리 토류 금속 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 SiO2 등의 규소 화합물 등을 포함하는 것을 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 또, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물의 경우는 Al2O3 등 알루미늄 성분을 포함한 산화 물 등의 화합물 혹은 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등의 안으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 주성분과 다른 희토류 원소 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등 알칼리 토류 금속 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 등을 포함하는 것을 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 또, 산화 도륨의 경우는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등 희토류 원소 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등 알칼리 토류 금속 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 등을 포함하는 것을 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 또, 멀라이트의 경우는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등 희토류 원소 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등 알칼리 토류 금속 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 SiO2 등의 규소 화합물 등을 포함하는 것을 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 또, 결정화 유리의 경우는 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 등 희토류 원소 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 BeO, MgO, CaO, SrO, BaO 등 알칼리 토류 금속 성분을 포함한 산화물 등의 화합물 혹은 SiO2 등의 규소 화합물 등을 포함하는 것을 매우 적합하게 이용할 수가 있다.In order to improve the light transmittance, for example, in the case of zirconium oxide, Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Yb2O3, Tb2, etc. A compound containing a compound such as an oxide containing a component or a compound such as an oxide containing an alkaline earth metal component such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, or the like can be suitably used. In the case of magnesium oxide, oxides such as Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, and Yb2O3, such as oxides, etc. Alternatively, a compound containing a compound such as an oxide containing an alkaline earth metal component such as BeO, CaO, SrO or BaO, or a compound such as a fluoride containing an alkali metal component such as LiF or NaF, or a silicon compound such as SiO 2 can be suitably used. . In the case of magnesium aluminate, oxides such as Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gy2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, and Yb2O3, such as oxides A compound containing a compound or an oxide containing an alkaline earth metal component such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, or a silicon compound such as SiO2 can be used suitably. In the case of rare earth element oxides such as yttrium oxide, compounds such as oxides containing aluminum components such as Al 2 O 3 or Sc 2 O 3, Y 2 O 3, La 2 O 3, CeO 2, Pr 6 O 11, Nd 2 O 3, Pm 2 O 3, Sm 2 O 3, Eu 2 O 3, Gd 2 O 3, Tb 4 O 7, and Dy 2 O 3, Compounds such as oxides containing at least one main component selected from Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3 and other rare earth elements, or oxides containing alkaline earth metal components such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, etc. It can use suitably including these. In the case of thorium oxide, oxides such as Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, etc. Alternatively, a compound containing a compound such as an oxide containing an alkaline earth metal component such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, or the like can be suitably used. In the case of mullite, oxides such as Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, and Yb2O3, such as oxides such as oxides Alternatively, a compound containing a compound such as an oxide containing an alkaline earth metal component such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, or a silicon compound such as SiO 2 can be suitably used. In the case of crystallized glass, oxides such as Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Pm2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Tb4O7, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, etc. Alternatively, a compound containing a compound such as an oxide containing an alkaline earth metal component such as BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, or a silicon compound such as SiO 2 can be suitably used.

또, 이들 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 이트륨 등 의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 멀라이트, 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체에는 각각 상기 예시한 성분 이외에 예를 들면 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속 성분, 혹은 카본 등의 성분을 포함하는 것도 매우 적합하게 이용할 수가 있어 이러한 성분을 포함하는 것은 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 정색 한 것을 얻기 쉽고, 정색 한 것이어도 광투과성을 가지는 것을 얻을 수 있다.In addition, the sintered bodies containing rare earth element oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, and yttrium oxide, thorium oxide, mullite, and crystallized glass as main components may be, for example, molybdenum, tungsten, vanadium, Transition metal components such as niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, or carbon, or other components, such as carbon, can also be used suitably. It is easy to obtain the thing colored in black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, reddish red, red, etc., and even if it is colored, it is possible to obtain a light transmissive thing.

또한 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체에 대해 한층 더 자세하게 설명한다. 상기와 같이 결정 유리를 주성분으로 하는 소결체여도 광투과성의 것을 얻을 수 있고 광투과율 1%이상의 것이 제작할 수 있다. 통상 광투과율 10%이상의 것이 비교적 용이하게 제작할 수 있다. 붕규산 유리와 산화 알루미늄을 혼합해 제작되는 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체의 경우 등은 통상 광투과율 20%이상의 것이 제작할 수 있다. 또 예를 들면 La2O3나 Y2O3 등의 희토류 원소나 알칼리 토류 금속을 포함하는 것은 광투과성이 보다 향상하기 쉽기 때문에 바람직하다. 상기 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속을 포함하는 것은 광투과율 30%이상의 것을 제작할 수 있어 희토류 원소를 포함하는 것은 광투과율 50%이상의 것도 비교적 용이하게 제작할 수 있으므로 바람직하다. 또 희토류 원소의 종류나 함유량등을 적당 선택하는 것으로 광투과율 70%이상의 것도 제작할 수 있다. 또 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체는 독터 블레이드법 등에 의한 시트상 성형체를 적층하는 방법 등에 의해 은이나 동 등을 주성분으로 하는 저저항의 도체를 내부 혹은 표 면 혹은 내부 및 표면에 동시에 가지는 것을 제작할 수 있으므로 전기 특성이 뛰어난다. 또, 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체에는 은이나 동 등의 고열 전도성 재료를 이용해 서멀 비아도 형성할 수 있으므로 발광소자 등의 고발열성 반도체소자를 탑재했을 때의 방열성이 뛰어난다고 하는 특징이 있으므로 바람직하다. 한층 더 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체는 통상 유리 모체중에 결정 성분이 존재하고 있는 구조를 가지고 있으므로 소성온도로서 700℃~1100℃정도의 비교적 저온으로 상기 소결체를 제작하는 것이 가능하다라고 말하는 특징이 있다. 또, 예를 들면 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 등의 천이 금속, 혹은 카본 등의 성분, 혹은 그 외의 천이 금속 예를 들면 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 성분을 함유 시키는 것으로 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색한 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 제작하는 일도 가능하다.Moreover, the sintered compact which has crystallized glass as a main component is demonstrated in more detail. Even if it is a sintered compact which has crystal glass as a main component as mentioned above, a thing with a light transmittance can be obtained and a thing with a light transmittance of 1% or more can be produced. Usually, a light transmittance of 10% or more can be produced relatively easily. In the case of the sintered compact whose main component is crystallized glass produced by mixing borosilicate glass and aluminum oxide, a thing having a light transmittance of 20% or more can usually be produced. For example, it is preferable to include a rare earth element such as La 2 O 3 or Y 2 O 3 or an alkaline earth metal because light transmittance is more easily improved. It is preferable that the rare earth element or the alkaline earth metal can be produced with a light transmittance of 30% or more, and the rare earth element can be produced with a light transmittance of 50% or more relatively easily. Moreover, the thing of 70% or more of light transmittance can be manufactured by selecting suitably the kind, content, etc. of a rare earth element. In addition, a sintered body containing crystallized glass as a main component can be produced by simultaneously stacking sheet-shaped molded bodies by the doctor blade method or the like and having a low resistance conductor including silver, copper, etc. as a main component on the inside or the surface or the inside and the surface at the same time. Therefore, the electrical characteristics are excellent. In addition, since the thermal via can be formed using a high thermally conductive material such as silver or copper, the sintered body mainly composed of crystallized glass is preferred because it has excellent heat dissipation when a high heat generating semiconductor device such as a light emitting device is mounted. . Furthermore, since the sintered compact mainly composed of crystallized glass has a structure in which a crystal component is present in the glass matrix, the sintered compact can be produced at a relatively low temperature of about 700 ° C to 1100 ° C as the firing temperature. . Further, for example, transition metals such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, or components such as carbon, or other transition metals such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper It is also possible to produce a sintered body composed mainly of crystallized glass colored in black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, adzuki bean, red, etc. by containing a component such as zinc or the like.

또한 본 발명에 대해 상기 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것이다. 상기 광투과율은 파장 605 nm의 빛에 대해서 측정된 것이다. 본 발명에 대해 향후 특별히 제한하지 않는 한 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율에는 상기 측정치를 이용했다.In the present invention, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of the above-mentioned various ceramic materials is for light having a wavelength of at least 200 nm to 800 nm. The light transmittance is measured for light having a wavelength of 605 nm. The measured value was used for the light transmittance of the sintered compact which has various ceramic materials as a main component, unless there is particular restriction about this invention in the future.

또한 본 발명에 대해 특별히 제한하지 않는 한 상기의 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라 이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와 같이 직경 25.4 mm두께 0.5 mm의 원반상으로 표면을 경면에 연마한 상태의 시료를 이용하고 소정의 파장의 빛을 상기 소결체 시료에 맞혀 입사한 빛의 강도와 투과한 빛의 강도를 분광 광도계 등으로 측정해 그 비를 백분율로 나타낸 것이다.파장으로서는 통상 특별히 제한하지 않는 한 605 nm의 것을 이용해 측정된 것이다. 본 발명에 있어서의 광투과율은 상기 측정용 시료를 적분공의 내부에 세트 해 전투과광을 모으고 이 전투과광과 입사빛과의 강도비를 백분율로 나타낸 전투과율로서 요구한 것이다. 또한 광투과율로서 파장 605 nm 이외의 빛에 대하는 것을 측정하고 있지 않아도 파장 605 nm의 빛에 대해서의 광투과율을 파악하고 있으면 본 발명에 의한 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 성능, 즉 예를 들면 발광소자 탑재용의 기판으로서 이용했을 때 탑재되는 발광소자의 발광 효율을 판정 할 수 있다.In addition, unless specifically limited to the present invention, rare earth element oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, zirconate titanate, yttrium oxide, rhodium oxide, various ferrites, mullites, and pores. The light transmittance of a sintered body composed mainly of various ceramic materials such as sterite, stair tight, crystallized glass, and the like is sintered body composed of aluminum nitride as a main component, and the surface is polished on a mirror surface in a disk shape having a diameter of 25.4 mm and a thickness of 0.5 mm. By using a sample, light having a predetermined wavelength was applied to the sintered compact sample, and the intensity of incident light and the intensity of transmitted light were measured by a spectrophotometer or the like, and the ratios were expressed as percentages. Measured using nm. In the present invention, the light transmittance is set as the battle transmittance in which the measurement sample is set inside the integral hole to collect battle light and the intensity ratio between the battle light and incident light in percentage. In addition, if the light transmittance of light having a wavelength of 605 nm is grasped without measuring the light transmittance of light other than the wavelength of 605 nm, the zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, and barium titanate according to the present invention Performance of a sintered body mainly composed of various ceramic materials such as rare earth element oxides such as lead, zirconate titanate and yttrium oxide, thorium oxide, various ferrites, mullites, forsterite, stearite, crystallized glass, ie, light emitting devices When used as a substrate for mounting, the luminous efficiency of the light emitting element to be mounted can be determined.

광투과율은 시료의 두께에 의해 변화해 본 발명에 의한 상기 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판 등으로 해서 실제로 이용하는 경우 상기 기판의 두께 를 얇게 해 광투과율을 높이는 것은 예를 들면 발광소자의 발광 효율을 높이는데 있어서 유효하다. 통상 발광소자 탑재용 기판 등으로 해서는 두께 0.01 mm이상의 것을 이용하는 것이 취급상의 강도의 점으로부터는 바람직하다. 또 두께가 두꺼워지면 광투과율이 저하하기 쉽기 때문에 통상 발광소자 탑재용 기판으로서는 두께 8.0 mm 이하의 것을 이용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 대해 상기 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 그 두께가 적어도 0.01 mm~8.0 mm의 범위에 대해 실제로 사용되는 상태의 발광소자 탑재용 기판이 광투과성을 가지고 있으면 유효하다. 즉, 상기 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 그 두께가 적어도 0.01 mm~8.0 mm의 범위 혹은 그 이외여도 실제로 사용되는 상태에서의 광투과율이 적어도 1%이상이면 좋은 것이어, 예를 들면 발광소자 제작용의 기판으로서 실제로 두께 0.1 mm 혹은 2.0 mm 등 두께가 반드시 0.5 mm는 아닌 것으로 있어도 광투과성을 가져 예를 들면 광투과율이 적어도 1%이상이면 제작되는 발광소자의 발광 효율은 향상하기 쉽다.The light transmittance varies with the thickness of the sample, and the rare earth element oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate and yttrium oxide according to the present invention, dorium oxide, various ferrites, mullite In the case where a sintered body mainly composed of various ceramic materials such as light, forsterite, stair tight, crystallized glass, and the like is used as a substrate for mounting a light emitting element, the thickness of the substrate is increased to increase the light transmittance, for example. It is effective in increasing the luminous efficiency of. Usually, as a board | substrate for light emitting element etc., it is preferable from the point of handling strength to use the thing of thickness 0.01mm or more. Since the light transmittance tends to decrease when the thickness becomes thick, it is preferable to use a substrate having a thickness of 8.0 mm or less as a substrate for mounting a light emitting element. In the present invention, rare earth element oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate and yttrium oxide, dorium oxide, various ferrites, mullite, forsterite, stearite, A sintered body mainly composed of various ceramic materials such as crystallized glass is effective as long as the substrate for mounting a light emitting element in a state where the thickness is actually used for a range of at least 0.01 mm to 8.0 mm has light transmittance. That is, rare earth element oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate, yttrium oxide, dorium oxide, various ferrites, mullite, forsterite, stearite, crystallized glass The sintered compact mainly composed of various ceramic materials may have a light transmittance of at least 1% or more in a practically used state even if the thickness thereof is in the range of at least 0.01 mm to 8.0 mm, or the like. Even if the substrate is not necessarily 0.5 mm in thickness, such as 0.1 mm or 2.0 mm in thickness, the luminous efficiency of the light emitting device produced is easy to improve when the light transmittance is at least 1%, for example.

따라서 본 발명에 의한 상기 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산 화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 상기 소결체의 두께에는 무관계하고, 실제 상기 소결체가 이용되고 있는 상태에서의 광투과성이 중요해 실제 상기 소결체가 이용되고 있는 상태에서의 광투과율을 의미한다.Therefore, rare earth element oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate, yttrium oxide according to the present invention, thorium oxide, various ferrites, mullite, forsterite, stear The light transmittance of the sintered compact mainly composed of various ceramic materials such as tight and crystallized glass is irrelevant to the thickness of the sintered compact, and the light transmittance in the state in which the sintered compact is actually used is important. Mean transmittance.

산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 두께가 실제 사용 상태로 0.5 mm보다 얇은 경우 혹은 0.5 mm보다 두꺼운 경우는 기판 두께 0.5 mm 때 측정한 광투과율과 달리, 광투과율은 0.5 mm보다 얇은 경우는 0.5 mm 때 측정했던 것보다 높아지기 쉽고 0.5 mm보다 두꺼운 경우는 0.5 mm 때 측정한 광투과율보다 낮아지기 쉽다. 본 발명에 대해 상기 실제로 사용되는 상태로 광투과율이 적어도 1%이상의 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 등 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것이 바람직하다.Rare earth oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate, yttrium oxide, thorium oxide, various ferrites, mullite, forsterite, stearite and crystallized glass When the thickness of a sintered body containing a material as a main component is thinner than 0.5 mm in actual use or thicker than 0.5 mm, the light transmittance is measured at 0.5 mm when the thickness is thinner than 0.5 mm. It tends to be higher than it is, and thicker than 0.5 mm, which tends to be lower than the light transmittance measured at 0.5 mm. Rare earth element oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate, yttrium oxide and the like, and various ferrites having a light transmittance of at least 1% or more in the state actually used for the present invention. It is preferable to use a sintered body composed mainly of various ceramic materials such as mullite, forsterite, stairtite, and crystallized glass.

상기와 같은 산화 아연 혹은 질화 갈륨 등의 도전성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하면, 기판 자체가 발광소자 구동용의 전기 회로의 일부로서의 기능을 가지는 것이 가능해져, 기판에 발광소자 구동용의 미세한 배선을 베푸는 것이 생략 할 수 있으므로 기판의 소형화가 용이하게 실시할 수 있다고 하는 특징을 가진다.When the sintered body mainly composed of a conductive ceramic material such as zinc oxide or gallium nitride is used as the light emitting element mounting substrate, the substrate itself can function as a part of the electric circuit for driving the light emitting element, Since it is possible to omit fine wiring for driving the light emitting element on the substrate, the substrate can be easily downsized.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 도전성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 경우 그 저항율은 실온에 대해 1104Ωcm 이하, 통상은 1102Ωcm 이하가면 기판 자체가 발광소자 구동용의 전기 회로의 일부로서의 기능을 충분히 발현할 수 있으므로 바람직하다. 보다 바람직하지는 실온에 대해 1100Ωcm 이하의 저항율을 가지는 것이다. 한층 더 바람직하지는 실온에 대해 110－1Ωcm 이하의 저항율을 가지는 것이다. 또, 가장 바람직하지는 실온에 대해 110－2Ωcm 이하의 저항율을 가지는 것이다.In the case of using the sintered body whose main component is a conductive ceramic material as the substrate for mounting the light emitting device according to the present invention, the resistivity thereof is 1104? It is preferable because the function can be sufficiently expressed. More preferably, it has a resistivity of 1100 Ωcm or less with respect to room temperature. More preferably, it has a resistivity of 110-1 ohm cm or less with respect to room temperature. Moreover, it is most preferable to have a resistivity of 110-2 ohm-cm or less with respect to room temperature.

본 발명에 대해 도전성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서 상기 예시한 산화 아연 혹은 질화 갈륨 이외에 예를 들면 탄화규소를 주성분으로 하는 소결체 혹은 질화 규소를 주성분으로 하는 소결체 등도 매우 적합하게 이용할 수가 있다.탄화규소를 주성분으로 하는 소결체는 전기 예시한 소결조제 등을 포함한 조성의 것으로 비교적 용이하게 도전성의 것이 제작할 수 있지만, 질화 규소를 주성분으로 하는 소결체는 소결조제 등 이외로 예를 들면 질화 티탄, 질화 지르코늄 등의 도전성 재료와 복합화하는 것으로 도전성의 것이 비교적 용이하게 제작할 수 있다.As a sintered compact having a conductive ceramic material as a main component of the present invention, in addition to the above-described zinc oxide or gallium nitride, for example, a sintered compact including silicon carbide or a silicon nitride as a main component can be suitably used. A sintered body containing silicon carbide as a main component has a composition containing a sintering aid and the like exemplified above, and a conductive one can be produced relatively easily. A conductive thing can be produced relatively easily by compounding with conductive materials, such as these.

본 발명에 대해, 발광소자 탑재용 기판으로서 도전성과 동시에 광투과성을 가지는 것을 이용하면 미세한 배선이 생략 가능해, 기판에 진입한 빛을 배선이 흡수하거나 산란할 우려가 없기 때문에 기판의 광투과성이 그대로 이용할 수 있으므로 바람직하다. 또, 기판의 것보다 한층 더 소형화가 용이하게 실시할 수 있다고 하는 특징을 가진다.With respect to the present invention, when the substrate for mounting the light emitting element is used as the substrate having the conductivity and the light transmittance, fine wiring can be omitted, and the light transmittance of the substrate can be used as it is because there is no fear that the wiring absorbs or scatters the light entering the substrate. It is preferable because it can. Moreover, it has the feature that size reduction can be carried out more easily than that of a board | substrate.

질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위해서 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판(즉 발광소자 탑재용 기판) 표면의 평활도는 임의의 것을 이용할 수가 있다. 기판 표면이 예를 들면 평균 표면 엉성함 Ra가 100 nm 이하의 비교적 평활성의 높은 상태여도 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 발광소자로부터의 발광에 대한 반사율은 비교적 낮고 최대 15%전후이다. 상기 기판의 반사율을 15%이하로 하기 위해서는 평균 표면 엉성함 Ra가 100 nm이상으로 하는 것이 바람직하다. 한층 더 상기 기판의 반사율을 10%이하로 하기 위해서는 평균 표면 엉성함 Ra가 2000 nm이상으로 하는 것이 바람직하다.In order to mount a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component, a surface of a substrate (that is, a substrate for mounting a light emitting element) comprising a sintered body composed mainly of the ceramic material according to the present invention The smoothness can use any thing. Even if the surface of the substrate is, for example, an average surface roughness Ra of a relatively smooth high state of 100 nm or less, the reflectance of the substrate from the light emitting element of the sintered body containing the ceramic material as a main component is relatively low and is around 15% at most. In order to make the reflectance of the said substrate 15% or less, it is preferable that average surface roughness Ra is 100 nm or more. Furthermore, in order to make the reflectance of the said board | substrate 10% or less, it is preferable that average surface roughness Ra is 2000 nm or more.

본 발명에 대해 상기의 평균 표면 엉성함 Ra를 가지는 발광소자 탑재용 기판은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 구워 놓은(as－fire) 표면이나 랩연삭, 브러쉬 연마, 경면 연마된 표면 등에 있어 얻을 수 있다.2000 nm이상의 평균 표면 엉성함 Ra를 가지는 발광소자 탑재용 기판은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 구워 놓은(as－fire) 표면이나 랩연삭, 브러쉬 연마된 표면 등에 있어 얻을 수 있다. 100 nm이상의 평균 표면 엉성함 Ra를 가지는 발광소자 탑재용 기판은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 구워 놓은(as－fire) 표면이나 랩연삭, 브러쉬 연마된 표면 등에 있어 얻을 수 있다. 100 nm 이하의 평균 표면 엉성함 Ra를 가지는 발광소자 탑재용 기판은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 구워 놓은(as－fire) 표면이나 브러쉬 연마, 혹은 경면 연마된 표면 등에 있어 얻을 수 있다.　The substrate for mounting a light emitting element having the above average surface roughness Ra can be obtained on an as-fire surface of a sintered body composed mainly of a ceramic material, lap grinding, brush polishing, mirror polished surface, and the like. A substrate for mounting a light emitting element having an average surface roughness Ra of .2000 nm or more can be obtained on an as-fire surface of a sintered body composed mainly of a ceramic material, lap grinding, brush polished surface, and the like. A substrate for mounting a light emitting element having an average surface roughness Ra of 100 nm or more can be obtained on an as-fire surface, lap grinding, brush polished surface, etc. of a sintered body composed mainly of a ceramic material. A substrate for mounting a light emitting element having an average surface roughness Ra of 100 nm or less can be obtained on an as-fire surface, a brush polished surface, or a mirror polished surface of a sintered body composed mainly of a ceramic material.

본 발명에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 대해 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 방출 하기에 즈음해, 발광소자 탑재용 기판에 반사 방지 부재나 반사 부재 등을 형성해 상기 방출빛의 방향을 제어하기 쉽게 하기 위해서, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 표면 상태, 표면 평활성을 적당 높이는 것으로 상기 발광소자 탑재용 기판의 광투과성 혹은 반사율을 향상 할 수 있는 일도 있다.With respect to the light emitting element mounting substrate comprising a sintered body composed mainly of ceramic material, the present invention emits light from a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component to the outside of the substrate. In the following, the surface state of the substrate for mounting a light emitting element comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material in order to form an antireflection member, a reflecting member, or the like on the substrate for mounting a light emitting element so that the direction of the emitted light can be easily controlled, By appropriately increasing the surface smoothness, the light transmittance or the reflectance of the substrate for mounting the light emitting element may be improved.

세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 투과율을 높이기 위해서는 소결체의 화학 조성이나 미구조 등의 소결체 그 자체의 특성을 개선하는 것 외에 기판의 두께를 얇게 하는 일도 유효하다. 기판의 두께가 8.0 mm 이하가면 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 투과성을 유지 할 수 있다. 투과성을 유지할 수 있다고 하는 것은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 두께가 8.0 mm여도 투과율이 1%이상이다고 하는 것을 의미한다.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 두께가 0.5 mm의 것을 이용해 측정했을 때의 투과율이 예를 들면 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 60~80%의 범위의 높은 투과율을 가지는 것이라도 기판의 두께가 두꺼워지면 투과율은 감소해 나간다. 기판의 두께가 0.5 mm의 것을 이용해 측정했을 때의 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 투과율이 예를 들면 80%의 기판의 경우 그 두께가 8.0 mm여도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해 투과율은 1%이상이다. 기판의 두께가 5.0 mm 이하가면 투과율은 5%이상의 것을 얻을 수 있다. 기판의 두께가 2.5 mm 이하가면 투과율은 10%이상의 것을 얻을 수 있다. 한층 더 기판의 두께가 1.0 mm 이하가면 투과율은 60%이상의 것을 얻을 수 있다. 기판의 두께가 0.2 mm 이하와 얇아지면 투과율은 90%이상의 것을 얻을 수 있다. 기판의 두께가 0.05 mm 이하의 경우 투과율은 95%이상의 것을 얻을 수 있다. 또 기판의 두께가 0.5 mm의 것을 이용해 측정했을 때의 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 투과율이 예를 들면 1.0%의 기판의 경우 그 두께가 0.2 mm와 얇아지면 투과율 10%이상의 것을 얻을 수 있다. 기판의 두께가 0.1 mm 이하의 경우 투과율은 20%이상의 것을 얻을 수 있다. 또 기판의 두께가 0.05 mm 이하의 경우 투과율은 40%이상의 것을 얻을 수 있다. 이와 같이 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 60%이상의 높은 투과율을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 대해 두께 1.0 mm 이하에서는 30%이상의 투과율을 가져, 0.2 mm 이하의 두께에서는 90%이상 대부분 투명하게 가까운 투과율을 가지는 것을 얻기 쉽다.실질적으로 100%에 가까운 투과율을 가지는 것도 얻을 수 있다. 통상 기판의 두께는 얇을 정도 투과율은 높아지는 경향을 가지지만 기계적 강도가 작아지므로 기판으로서 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하는 경우의 작업시에 크랙이나 이지러짐이 생기기 시작한다고 하는 결점이 있으므로 기판의 두께는 0.01 mm이상인 것이 바람직하고, 0.02 mm이상인 것이 보다 바람직하고, 0.05 mm이상인 것이 게다가 바람직하다. 상기와 같이 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자를 탑재하기 위한 기판으로서 이용하는 경우 광투과성의 관점으로부터 봐(즉 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 발광소자를 형성했을 때의 우위성) 기판의 두께는 8 mm 이하인 것이 바람직하고, 5.0 mm 이하인 것이 보다 바람직하다. 또 기판의 두께는 2.5 mm 이하인 것이 게다가 바람직하고, 기판의 두께는 1.0 mm 이하인 것이 가장 바람직하다. 이러한 두께의 기판에 대해 기계적 강도의 관점으로부터는 0.01 mm이상인 것이 바람직하고, 0.02 mm이상인 것이 보다 바람직하고, 0.05 mm이상인 것이 게다가 바람직하다.In order to improve the transmittance of the substrate which consists of a sintered compact containing a ceramic material as a main component, it is also effective to reduce the thickness of the substrate as well as to improve the characteristics of the sintered compact itself such as chemical composition of the sintered compact and microstructure. If the thickness of the substrate is 8.0 mm or less, the transmittance can be maintained for light in the wavelength range of 200 nm to 800 nm. The fact that the permeability can be maintained means that the transmittance is 1% or more even if the thickness of the substrate made of a sintered body composed mainly of ceramic material is 8.0 mm. The thickness of the substrate made of a sintered body composed mainly of ceramic material is 0.5 mm Even if the transmittance measured by using the device has a high transmittance in the range of 60 to 80% with respect to light in the wavelength range of 200 nm to 800 nm, the transmittance decreases as the thickness of the substrate becomes thick. When the thickness of the substrate is 0.5 mm, the transmittance of light with a wavelength in the range of 200 nm to 800 nm is, for example, in the case of an 80% substrate, the thickness is in the range of 200 nm to 800 nm even if the thickness is 8.0 mm. For light, the transmittance is over 1%. If the thickness of the substrate is 5.0 mm or less, a transmittance of 5% or more can be obtained. If the thickness of the substrate is 2.5 mm or less, a transmittance of 10% or more can be obtained. Furthermore, when the thickness of the substrate is 1.0 mm or less, a transmittance of 60% or more can be obtained. When the thickness of the substrate becomes 0.2 mm or less and the thickness of the substrate is 90% or more. When the thickness of the substrate is 0.05 mm or less, a transmittance of 95% or more can be obtained. In the case of a substrate having a transmittance of light having a wavelength of 200 nm to 800 nm and a thickness of 1.0%, for example, when the thickness of the substrate was measured using a 0.5 mm thickness, a thickness of 0.2 mm and a thickness of 10% or more were obtained. Can be. When the thickness of the substrate is 0.1 mm or less, a transmittance of 20% or more can be obtained. When the thickness of the substrate is 0.05 mm or less, a transmittance of 40% or more can be obtained. Thus, a substrate having a sintered body composed mainly of a ceramic material having a high transmittance of 60% or more for light having a wavelength in the range of 200 nm to 800 nm has a transmittance of 30% or more at a thickness of 1.0 mm or less, and a thickness of 0.2 mm or less. It is easy to obtain a transparent transparent transmittance of 90% or more in most cases. A substantially transparent transmittance of 100% can also be obtained. In general, when the thickness of the substrate is thin, the transmittance tends to be high, but the mechanical strength decreases, and thus, when a light emitting device having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component is mounted, Since the defect that a crack and a distortion begin to generate | occur | produce in it exists, it is preferable that the thickness of a board | substrate is 0.01 mm or more, It is more preferable that it is 0.02 mm or more, It is further more preferable that it is 0.05 mm or more. As described above, when a substrate made of a sintered body containing a ceramic material according to the present invention as a main component is used as a substrate for mounting a light emitting element having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component, light transmittance From the viewpoint of the present invention (that is, the superiority when the light emitting element is formed on the substrate composed of the sintered body mainly containing the ceramic material according to the present invention), the thickness of the substrate is preferably 8 mm or less, more preferably 5.0 mm or less. Moreover, it is still more preferable that the thickness of a board | substrate is 2.5 mm or less, and it is most preferable that the thickness of a board | substrate is 1.0 mm or less. It is preferable that it is 0.01 mm or more from a viewpoint of mechanical strength with respect to the board | substrate of such thickness, It is more preferable that it is 0.02 mm or more, It is still more preferable that it is 0.05 mm or more.

본 발명에 의한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 시작으로 하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작되는 발광소자 탑재용 기판에는 도통 비아를 마련할 수가 있다. 상기 도통 비아는 통상 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 내부에 설치된다. 상기 도통 비아는 단지 기판의 상하의 표면(즉 발광소자가 탑재되고 있는 측의 표면과 발광소자가 탑재되고 있는 측과 반대측의 표면)을 전기적으로 접속할 뿐만 아니라, 기판 내부에 전기 회로가 형성되고 있는 경우 상기 기판 내부의 전기 회로 상호를 전기적으로 접속하거나 혹은 상기 기판 내부의 전기 회로와 기판의 발광소자 탑재측의 표면, 기판의 발광소자 탑재측과 반대측의 표면, 기판의 외부 측면을 전기적으로 접속하는 경우에도 적당 마련할 수가 있다. 도통 비아는 예를 들면 질화 알 루미늄 등의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 그린 시트 등의 세라믹 분말 성형체에 스루홀(관통공)을 형성해 거기에 미리 금속 등을 주성분으로 하는 도전성 분말을 넣고 동시 소성하는, 스루홀이 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 용해 금속에 함침해 상기 스루홀 부분에 용해 금속 도입하는, 기판의 스루홀에 도전성 페이스트를 도입해 가열 혹은 소성하는, 등의 방법으로 용이하게 형성할 수 있다. 본 발명에 의한 도통 비아로서 도 7, 도 8, 도 13, 도 14, 도 15, 도 16의 각 도에 대해 부호 40으로 예시된 것등이 있다. 상기 도통 비아는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판(부호 20 또는 부호 30으로 나타난다) 내부에 형성되고 있다.A conductive via can be provided in the light emitting element mounting substrate which is manufactured using a sintered body containing a ceramic material as a main component, starting from the sintered body containing aluminum nitride as a main component. The conductive via is usually provided inside a light emitting element mounting substrate made of a sintered body mainly composed of a ceramic material. The conductive via not only electrically connects the upper and lower surfaces of the substrate (ie, the surface on which the light emitting element is mounted and the surface opposite to the side where the light emitting element is mounted), but also when an electrical circuit is formed inside the substrate. When the electrical circuits inside the substrate are electrically connected to each other, or the electrical circuits inside the substrate and the surface on the light emitting element mounting side of the substrate, the surface on the opposite side to the light emitting element mounting side of the substrate, and the external side of the substrate are electrically connected. It can be arranged appropriately. The through via forms through-holes (through-holes) in a ceramic powder compact such as a green sheet mainly composed of a ceramic material such as aluminum nitride, for example, and simultaneously calcinates the conductive powder containing a metal or the like as a main component in advance. It is easy by a method such as introducing a conductive paste into the through hole of the substrate, which impregnates the substrate made of a sintered body having a ceramic material with a through hole as a main component into the through hole, and introduces the molten metal into the through hole portion. Can be formed. As the through via according to the present invention, there are exemplified by reference numeral 40 with respect to each of FIGS. 7, 8, 13, 14, 15, and 16. The conductive vias are formed inside a substrate (denoted by reference numeral 20 or 30) made of a sintered body composed mainly of a ceramic material used for mounting the light emitting element according to the present invention.

본 발명에 대해 상기 도통 비아의 크기 및 형상은 적당 선정할 수 있어 어떠한 크기의 것이어도 혹은 어떠한 형상의 것이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 가능한 한 저해하지 않게 연구된 것이면 좋다. 통상 도통 비아의 크기는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하지 않게 하기 위해서 500μm 이하인 것이 바람직하다. 도통 비아의 크기가 500μm 이하가면 기판내를 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광에 도통 비아의 도자 등에 의한 밝음의 감소가 생기기 어려워진다. 이러한 현상이 생기는 것은 상기 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광은 기판 내부의 세라믹 다결정 입자에 의해 산란된 산란빛이기 때문이라고 생각된다. 통상 도통 비아의 크기는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 형성할 때의 그린 시트나 소결체 에 대한 가공성을 용이화하는 것을 고려하면 250μm 이하인 것이 바람직하다. 도통 비아의 크기가 250μm 이하가면 기판내를 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광에는 도통 비아의 도자 등에 의한 밝음의 감소가 보다 생기기 어렵다. 도통 비아의 크기로서 100μm 이하인 것이 보다 바람직하다. 도통 비아의 크기가 100μm 이하가면 기판내를 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광에는 도통 비아의 도자 등에 의한 밝음의 감소가 보다 생기기 어렵다. 도통 비아의 크기로서 50μm 이하인 것이 게다가 바람직하다. 도통 비아의 크기가 50μm 이하가면 기판내를 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광에는 도통 비아의 도자 등에 의한 밝음의 감소가 한층 더 생기기 어려워지므로 바람직하다. 도통 비아의 크기로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 형성할 때의 그린 시트나 소결체에 대한 가공성을 용이화하는 것을 고려하면 25μm 이하인 것이 가장 바람직하다. 도통 비아의 크기가 25μm 이하가면 기판내를 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광에는 도통 비아의 도자 등에 의한 밝음의 감소가 거의 생기기 어려워진다.In the present invention, the size and shape of the conductive via may be appropriately selected, and any size or shape may be studied so as to avoid satisfactory light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component. In general, the size of the conductive via is preferably 500 µm or less in order not to impair the good light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component. When the size of the conductive via is 500 μm or less, it is difficult to reduce the brightness caused by the conductor of the conductive via or the like from the light emitting element that penetrates into the substrate and is emitted to the outside. This phenomenon is considered to be because light emission from the light emitting element emitted outside the substrate is scattered light scattered by the ceramic polycrystalline particles inside the substrate. In general, the size of the conductive via is preferably 250 μm or less in consideration of facilitating the workability of the green sheet or the sintered body when forming a sintered body composed mainly of a ceramic material. When the size of the conductive via is 250 μm or less, light emission from the light emitting element that penetrates into the substrate and is emitted to the outside is less likely to decrease the brightness caused by the conductor of the conductive via. It is more preferable that it is 100 micrometers or less as a magnitude | size of a conductive via. When the size of the conductive via is 100 μm or less, light emission from the light emitting element that penetrates into the substrate and is emitted to the outside is less likely to decrease the brightness caused by the conductor of the conductive via. It is further preferable that the size of the conductive via is 50 μm or less. If the size of the conductive via is 50 μm or less, light emission from the light emitting element that penetrates the inside of the substrate and is emitted to the outside is preferable because the decrease in brightness due to the conductor of the conductive via is less likely to occur. It is most preferable that it is 25 micrometers or less in consideration of facilitating the workability with respect to the green sheet and the sintered compact when forming the sintered compact which has a ceramic material as a main component as a magnitude | size of a conductive via. When the size of the conductive via is 25 μm or less, light emission from the light emitting element that penetrates into the substrate and is emitted to the outside hardly causes a decrease in brightness due to the conductor of the conductive via.

또한 본 발명에 대해 도통 비아의 크기와는 단면의 최대 치수로 가리킨다. 즉 단면이 직경 200μm의 원형의 경우 도통 비아의 크기는 그대로 200μm이며, 한 변 150μm의 정방형의 경우 도통 비아의 크기는 212μm이다.In addition, with respect to the present invention, the size of the conductive via is indicated by the maximum dimension of the cross section. That is, in the case of a circular cross section having a diameter of 200 μm, the size of the through via is 200 μm as it is, and in the case of a square of 150 μm on one side, the size of the through via is 212 μm.

또 도통 비아의 단면 형상은 임의의 것을 사용할 수 있지만 가공성의 점으로부터 단면이 원형의 것을 이용하는 것이 바람직하다.In addition, although the arbitrary shape can be used for the cross-sectional shape of a through via, it is preferable to use a circular cross section from a workability point.

도 7, 도 8, 도 13, 도 14, 도 15, 도 16의 각 도에 대해 도통 비아는 2개 형성된 것이 예시되고 있지만 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판중에는 적당 1개 혹은 3개 이상 복수개의 도통 비아를 마련할 수가 있다. 다수의 도통 비아가 마련해 있어도 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판의 광투과성은 상기 기판의 재료로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체라고 하는 기판의 투과광이 산란빛이 되기 쉬운 것을 이용하고 있으므로 투과광의 도통 비아 등의 도자에 의한 밝음의 감소는 거의 생기기 어렵다. 이 도통 비아를 가지는 기판에 발광소자를 탑재했을 때 상기 발광소자를 구동하기 위한 전력 혹은 전기신호를 기판 내부의 상기 도통 비아를 경유해 기판의 발광소자가 탑재된 반대측의 면으로부터 공급할 수가 있으므로 발광소자 탑재용 기판으로서 컴팩트한 설계를 할 수 있다.7, 8, 13, 14, 15, and 16 are illustrated that two conductive vias are formed, but one or three or more suitable substrates for mounting a light emitting device according to the present invention are shown. There can be two through vias. The light transmittance of the substrate for mounting a light emitting device according to the present invention even if a large number of conductive vias is provided is used as the material of the substrate, since the transmitted light of the substrate, which is a sintered body containing ceramic material as its main component, is likely to be scattered light. The decrease in brightness due to the conductors such as vias is hardly generated. When the light emitting element is mounted on the substrate having the conductive via, power or electric signals for driving the light emitting element can be supplied from the surface on the opposite side of the substrate via the conductive via inside the substrate. A compact design can be performed as a mounting board.

도통 비아를 형성하기 위해서 상기와 같이 질화 알루미늄 등의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 그린 시트 등의 세라믹 분말 성형체에 스루홀을 형성하는 방법으로서 통상 행해지고 있는 니들을 이용한 펀칭법 이외에 예를 들면 탄산 가스 레이저나 YAG 레이저 혹은 엑시머 레이져(excimer laser)등에 의한 레이저 가공법이 미세한 구멍내기 가공법으로서는 바람직하다. 상기 레이저 가공법은 소성 후의 소결체에의 천공에도 적합한다. 레가저 가공법을 이용하는 것으로 50μm 이하, 1μm정도까지의 도통 비아를 형성할 수 있다. 소성에 의해 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 내부에 형성된 도통 비아의 크기가 50μm로부터 한층 더 작아져 1μm에 가까워지는 것에 따라 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 의한 발광소자 탑재용 기판내를 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광에는 도통 비아의 도자 등이 생겨 투과광의 밝음이 감소해 나가는 것이 거의 생기기 어려워져 특히 바람직하다.In addition to the punching method using a needle that is commonly used as a method of forming a through hole in a ceramic powder compact such as a green sheet mainly composed of a ceramic material such as aluminum nitride to form a conductive via, for example, a carbon dioxide laser or A laser processing method using a YAG laser or an excimer laser or the like is preferable as a fine hole drilling method. The laser processing method is also suitable for drilling into a sintered body after firing. By using the laser processing method, it is possible to form through vias of up to 50 μm and up to about 1 μm. As the size of the conductive via formed in the sintered body containing the ceramic material obtained by firing becomes smaller from 50 μm to 1 μm, the inside of the substrate for mounting a light emitting element by the sintered body containing the ceramic material as the main component becomes closer to 1 μm. Light emission from the light emitting element that is transmitted and emitted to the outside is particularly preferable because it is difficult for the conduction of vias, etc. to occur, and the brightness of the transmitted light hardly decreases.

도통 비아에 이용되는 도전성 재료로서는 어떠한 것에서도 이용할 수 있지만, 특히 발광소자 탑재용 기판을 형성하고 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 일체화하기 쉽고, 한층 더 상기 도전성 재료를 형성중에 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 유해한 반응을 일으키는 등에 의해 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하기 어렵고 발광소자로부터 발산되는 빛이 상기 소결체를 투과한 후도 광강도가 저하하기 어려운 것으로 있으면 어떠한 재료에서도 이용할 수가 있다. 이러한 재료는 예를 들면 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 텅스텐, 몰리브덴, 질화 티탄 및 질화 지르코늄 등의 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 것 등이다. 이러한 재료로 이루어지는 도통 비아가면, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 일체화하기 쉽고, 한층 더 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하기 어렵다. 또 도통 비아의 재료로서 상기의 주성분에 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 등의 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 더한 것은 기판의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 보다 저해하기 어려워진다. 상기의 도통 비아의 재료 중에서 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄중에서 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하 는 것은 기판의 질화 알루미늄 소결체를 시작으로 하여 재료와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 한층 더 저해하기 어려워진다. 또, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄중에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 주성분으로 해 한층 더 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 한층 더 저해하기 어려워진다.Any conductive material used for the conductive via can be used, but is particularly easy to integrate with a sintered body composed mainly of a ceramic material forming a substrate for mounting a light emitting element, and furthermore, the ceramic material is used as a main component during the formation of the conductive material. It is difficult to inhibit the good light transmittance of the sintered body mainly composed of the ceramic material by causing a harmful reaction with the sintered body, and even if the light emitted from the light emitting element is difficult to decrease the light intensity even after passing through the sintered body, It is available. Such materials are selected from among, for example, gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, ruthenium, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, tungsten, molybdenum, titanium nitride and zirconium nitride, etc. It is a thing containing at least 1 or more types as a main component. It is easy to integrate with the sintered compact which has the said ceramic material as a main component, and it is hard to impair the favorable light transmittance of the sintered compact which has the said ceramic material as a main component. In addition, at least one component selected from among aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium, aluminum oxide, a rare earth element compound, and an alkaline earth metal compound is used as the main component of the conductive via. In addition, it is easier to integrate with the sintered body which mainly contains the ceramic material of a board | substrate, and it becomes difficult to inhibit the favorable light transmittance of the sintered body which has the said ceramic material as a main component more. Among the materials of the above-mentioned conductive vias, at least one selected from gold, silver, copper, ferridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride and zirconium nitride as a main component starts with the aluminum nitride sintered body of the substrate. Not only is it easier to integrate, but it is also difficult to further inhibit the good light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component. In addition, as a main component, at least one or more components selected from gold, silver, copper, ferridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride are further included in aluminum nitride, aluminum oxide, rare earth element compounds, and alkaline earth metal compounds. The inclusion of at least one component selected from the above is not only easier to integrate with the sintered body composed mainly of the ceramic material, but also more difficult to inhibit the good light transmittance of the sintered body composed mainly of the ceramic material.

이 도통 비아를 형성하는 재료에 포함되는 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분의 함유량은 합계로 30 중량%이하인 것이 바람직하고 상기 도통 비아에 이용되는 재료의 실온에 있어서의 저항율이 110－3Ωcm 이하가 되기 쉽기 때문에 바람직하다.30 중량%보다 많으면 실온에 있어서의 저항율이 110－3Ωcm보다 높은 것이 되기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 보다 바람직한 함유량은 20 중량%이하이며 실온에 있어서의 저항율은 110－4Ωcm 이하가 되기 쉽기 때문에 보다 바람직하다. 한층 더 바람직한 함유량은 10 중량%이하이며 실온에 있어서의 저항율은 510－5Ωcm 이하가 되기 쉽기 때문에 보다 바람직하다.무엇보다 바람직한 함유량은 5 중량%이하이며, 이 재료의 실온에 있어서의 저항율은 110－5Ωcm 이하가 되기 쉽기 때문에 바람직하다. 또한 상기 도통 비아의 주성분으로서 이용되는 몰리브덴 및 텅스텐은 금속 뿐만이 아니 라 탄화물이나 질화물이라고 해도 이용할 수가 있다. 이와 같이 도통 비아의 재료 중에서 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄중에서 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 것이나, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄중에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 주성분으로 해 한층 더 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것, 혹은 상기 도통 비아가 형성되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 포함하는 것이, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 한층 더 저해하기 어렵고 발광소자로부터 발산되는 빛이 상기 소결체를 투과한 후도 광강도가 저하하기 어려워지는 이유는 반드시 명확하지 않지만, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 반응하기 어렵고, 한편 반응하기 어려움에도 불구하고 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 스루홀내에서 엥커 효과가 보다 발현하기 쉬운 성질과 상태를 가지기 때문에 있으려고 생각된다.The content of at least one or more components selected from aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium, aluminum oxide, rare earth element compounds, and alkaline earth metal compounds contained in the material forming the conductive vias is It is preferable that it is 30 weight% or less in total, and since the resistivity at room temperature of the material used for the said via via is easy to become 110-3 ohm cm or less. When more than 30 weight%, the resistivity at room temperature is higher than 110-3 ohm cm. It is not preferable because it is easy to become. More preferable content is 20 weight% or less, and since the resistivity in room temperature tends to be 110-4 ohm cm or less, it is more preferable. More preferable content is 10 weight% or less, and since resistivity at room temperature tends to be 510-5 ohm cm or less, it is more preferable. What is more preferable content is 5 weight% or less, and the resistivity at room temperature of this material is 110-. Since it is easy to become 5 ohm cm or less, it is preferable. Molybdenum and tungsten, which are used as main components of the conductive vias, can be used not only as metals but also as carbides and nitrides. In this way, the material of the conductive via contains at least one selected from gold, silver, copper, parodydium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride as a main component, or gold, silver, copper, ferradium, platinum, Further comprising at least one component selected from aluminum nitride, aluminum oxide, rare earth element compounds, and alkaline earth metal compounds, with at least one component selected from molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride as a main component, or The inclusion of a component contained in the sintered body containing the ceramic material as the main component of the conductive via is not only easier to integrate with the sintered body containing the ceramic material as a main component, but also has good light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as the main component. It is hard to inhibit further and light emitted from the light emitting element The reason why the light intensity becomes difficult to decrease even after passing through the sintered body is not necessarily clear, but it is difficult to react with the sintered body containing the ceramic material as a main component, and the through of the sintered body containing the ceramic material as the main component despite the difficulty of reacting It is thought to be because anchoring effect has property and state that are more prominent in hall.

또한 상기 도통 비아에 이용되는 희토류 원소 화합물과는 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb, Lu등의 희토류 원소, 및 Sc2O3, Y2O3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Yb2O3, Lu2O3, 등의 희토류 원소 산화물 혹은 그 외 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb, Lu, 등을 포함한 탄산염, 질산염, 유산염, 염화물 등의 무기 희토류 화합물, 초산염, 옥살산소금, 구연산소금 등의 유기 희토류 화합물 등의 각종 희토류 원소 화합물 등이어, 한층 더 Ln를 희토류 원소로서 나타냈을 때 가닛형 결정 구조의 3 Ln2O35 Al2O3(예를 들면 3 Y2O35 Al2O3, 3 Dy2O35 Al2O3, 3 Ho2O35 Al2O3, 3 Er2O35 Al2O3, 3 Yb2O35 Al2O3, 등), 로브스카이트형 결정 구조의 Ln2O3Al2O3(예를 들면 YAlO3, LaAlO3, PrAlO3, NdAlO3, SmAlO3, EuAlO3, GdAlO3, DyAlO3, HoAlO3, ErAlO3, YbAlO3, 등), 단사정결정 구조 2 Ln2O3Al2O3(예를 들면 2 Y2O3Al2O3, 2 Sm2O3Al2O3, 2 Eu2O3Al2O3, 2 Gd2O3Al2O3, 2 Dy2O3Al2O3, 2 Ho2O3Al2O3, 2 Er2O3Al2O3, 2 Yb2O3Al2O3, 등)등의 희토류 원소를 포함한 복합 산화물 등이다. 또 상기 도통 비아에 이용되는 알칼리 토류 금속 화합물과는 Mg, Ca, Sr, Ba등의 알칼리 토류 금속, 및 MgO, CaO, SrO, BaO 등의 알칼리 토류 금속 산화물이나 그 외 Mg, Ca, Sr, Ba등을 포함한 탄산염, 질산염, 유산염, 염화물 등의 무기 알칼리 토류 금속 화합물, 초산염, 옥살산소금, 구연산소금 등의 유기 알칼리 토류 금속 화합물 등의 각종 알칼리 토류 금속 화합물이며, 한층 더 Ae를 알칼리 토류 금속으로서 나타냈을 때 3 AeOAl2O3, AeOAl2O3, AeO2 Al2O3, AeO6 Al2O3 등의 알칼리 토류 금속을 포함한 복합 산화물이다.In addition, the rare earth element compounds used in the conductive vias include rare earth elements such as Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Yb, Lu, and Sc2O3, Y2O3, La2O3. , Rare earth element oxides such as CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Yb2O3, Lu2O3, or other Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy And rare earth element compounds such as inorganic rare earth compounds such as carbonates, nitrates, lactates, chlorides including Ho, Er, Yb, Lu, and the like, organic rare earth compounds such as acetates, salts of oxalate, citrate, and the like. 3 Ln2O35 Al2O3 (eg, 3 Y2O35 Al2O3, 3 Dy2O35 Al2O3, 3 Ho2O35 Al2O3, 3 Er2O35 Al2O3, 3 Yb2O35 Al2O3, etc.) having a garnet-type crystal structure when represented as a rare earth element, Ln3O3Al2 of an lobite type crystal structure For example, YAlO3, LaAlO3, PrAlO3, NdAlO3, SmAlO3, EuAlO3, GdAlO3, DyAlO3, HoAlO3, ErAlO3, YbAlO3, etc., single crystal structure 2 Ln2O3Al2O3 (for example, 2 Y2O3Al2) Composite oxides containing rare earth elements such as O 3, 2 Sm 2 O 3 Al 2 O 3, 2 Eu 2 O 3 Al 2 O 3, 2 Gd 2 O 3 Al 2 O 3, 2 Dy 2 O 3 Al 2 O 3, 2 Ho 2 O 3 Al 2 O 3, 2 Er 2 O 3 Al 2 O 3, 2 Yb 2 O 3 Al 2 O 3, and the like. The alkaline earth metal compounds used for the conductive vias include alkaline earth metals such as Mg, Ca, Sr, and Ba, and alkaline earth metal oxides such as MgO, CaO, SrO, and BaO, and other Mg, Ca, Sr, and Ba. And various alkaline earth metal compounds such as inorganic alkaline earth metal compounds such as carbonates, nitrates, lactates, chlorides, and organic alkaline earth metal compounds such as acetates, salts of oxalate, and citrate, including Ae as alkaline earth metals. It is a composite oxide containing alkaline earth metals, such as 3 AeOAl2O3, AeOAl2O3, AeO2 Al2O3, AeO6 Al2O3, when cut out.

본 발명에 대해, 도통 비아에 이용되는 상기 금, 은,동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄중에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 주성분으로 해 한층 더 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것, 혹은 도통 비아가 형성되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 더한 것 이외의 각 재료에 대해도 그 실온에 있어서의 저항율은 110－3Ωcm 이하 정도의 도전성이 있으면 바람직하고, 실온에 있어서의 저항율이 110－4Ωcm 이하인 것이 보다 바람직하고, 한층 더 실온에 있어서의 저항율이 110－5Ωcm 이하인 것이 게다가 바람직하다.있고.In the present invention, aluminum nitride, aluminum oxide, and aluminum nitride, aluminum oxide, The room temperature is also different for each material other than one containing at least one or more components selected from rare earth element compounds and alkaline earth metal compounds, or the components contained in a sintered body whose main component is a ceramic material in which conductive vias are formed. The resistivity in is preferably as long as there is conductivity of about 110-3 Ωcm or less, the resistivity at room temperature is more preferably 110-4 Ωcm or less, and more preferably the resistivity at room temperature is 110-5 Ωcm or less. .

본 발명에 대해 상기 도통 비아가 형성되는 기판이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체인 경우 소결조제, 소성온도 저감화제, 착색제, 불가피 불순물, ALOn 등중에서 적어도 1종 이상을 포함하는 것이어도 좋고, 고순도화 되고 결정상으로서 AIN를 95%이상 포함하는 것 혹은 AIN를 98%이상 포함하는 것 혹은 실질적으로 AIN 단일상으로 이루어지는 것이어도 괜찮고, 어느 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체도 이용할 수가 있다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성되는 도통 비아의 재료가 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄중에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 주성분으로 하는 것, 혹은 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄중에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 주성분으로 해 한층 더 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 이용하면 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 고순도화해 광투과율을 높이기 위해서 행해지는 고온으로 장시간의 열처리중에도 휘산 되는 것이 대부분 없기 때문에 도통 비아를 가지는 기판이 용이하게 제조 가능해져, 고열 전도율로 광투과성을 가져 열팽창율이 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자에게 근처 한층 더 기판의 상하 표면 혹은 기판의 내부 전기 회로와 기판 표면을 전기적으로 접속할 수 있는 뛰어난 기판이 저비용으로 제공 성과 산업계에게 주는 영향은 한층 더 크다.In the present invention, when the substrate on which the conductive via is formed is a sintered body containing aluminum nitride as a main component, the substrate may include at least one or more of a sintering aid, a sintering temperature reducing agent, a colorant, an unavoidable impurity, ALOn, and the like. The crystal phase may contain 95% or more of AIN, 98% or more of AIN, or substantially consist of a single phase of AIN. A sintered body containing any aluminum nitride as a main component may be used. The material of the conductive via formed in the sintered body containing aluminum nitride as a main component is based on at least one or more components selected from gold, silver, copper, ferrite, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride and zirconium nitride, or gold At least one selected from among aluminum nitride, aluminum oxide, rare earth element compounds and alkaline earth metal compounds based on at least one or more components selected from among silver, copper, ferrite, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride and zirconium nitride By using one containing at least one component, a substrate having conductive vias can be easily manufactured since most of the volatilization is performed at a high temperature, which is performed in order to increase the purity of the aluminum nitride as a main component and increase the light transmittance even during long-term heat treatment. Heat-transmitting light with high thermal conductivity An excellent substrate capable of electrically connecting the upper and lower surfaces of the substrate or the internal electrical circuits of the substrate and the substrate surface to the light emitting element whose window rate is mainly composed of at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride. At low cost, deliverables have a greater impact on the industry.

또, 본 발명에 대해 도통 비아의 형태로서 도전성 재료가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 스루홀내에 조밀하게 충전된 것이나 상기 스루홀의 측벽에 도전성 재료를 형성한 것 등 각종 형태의 것을 사용할 수 있다. 그 중에 스루홀내에 도전성 재료가 치밀한 상태로 형성되어 이른바 충전 비아의 형태의 것이 바람직하고, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와의 일체화하기 쉬운, 혹은 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하기 어려운, 등 이점이 많다.In the present invention, various types of conductive vias can be used, such as those in which the conductive material is densely packed in the through-holes of the sintered body containing the ceramic material as a main component, and the conductive material is formed on the sidewalls of the through-holes. Among them, the conductive material is formed in a dense state in a dense state, and is preferably in the form of a so-called filling via. There are many advantages such as hard to inhibit.

도통 비아를 마련하는 것으로 원래 통상의 것은 전기적으로는 절연체인 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 상하 표면 혹은 기판의 내부 전기 회로와 기판 표면을 전기적으로 접속할 수 있다. 발광소자 탑재용 기판에 도통 비아를 형성하는 것으로 발광소자의 실장을 실시하는 경우 상기 발광소자 탑재용 기판의 소형화 및 설계 자유도가 높아져 유리하다고 된다.By providing a conductive via, the conventionally conventional one can electrically connect the upper and lower surfaces of the substrate for mounting a light emitting element, which is composed of a sintered body composed mainly of a ceramic material which is electrically insulator, or the internal electrical circuit of the substrate and the substrate surface. Forming a conductive via on the substrate for mounting the light emitting device is advantageous in that the size of the substrate for mounting the light emitting device is increased and design freedom is increased.

본 발명에 의한 질화 알루미늄을 시작으로 하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에는 전기 회로를 마련할 수가 있다. 상기 전기 회로는 통상 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 표면 혹은 내부 혹은 표면 및 내부 동시에 설치된다. 상기 전기 회로는 통상 발광소자를 구동시키기 위한 전기신호나 전력을 공급하기 위 해서 설치된다. 상기 전기 회로를 기판의 내부에 마련하고 도통 비아를 이용해 표면의 전기 회로와 접속하는 것으로 다층 전기 회로를 가지는 발광소자 탑재용 기판을 얻을 수 있다. 발광소자 탑재용 기판에 다층 전기 회로를 형성하는 것으로 소형화된 기판을 얻을 수 있다.An electric circuit can be provided in the board | substrate for light emitting element mounting which consists of a sintered compact whose main component is a ceramic material including aluminum nitride by this invention. The electric circuit is provided at the same time as the surface or the inside of the light emitting element mounting substrate which is usually made of a sintered body composed mainly of ceramic material. The electric circuit is usually provided to supply an electric signal or electric power for driving a light emitting element. By providing the electrical circuit inside the substrate and connecting the electrical circuit on the surface using a conductive via, a substrate for mounting a light emitting element having a multilayer electrical circuit can be obtained. A miniaturized substrate can be obtained by forming a multilayer electric circuit on a light emitting element mounting substrate.

본 발명에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 발광소자 탑재 부분에는 발광소자를 납재나 도전성 접착제 등의 접속 재료를 이용해 고정해 탑재하기 위한 메탈라이즈가 필요에 따라서 형성된다. 본 발명으로 말하는 전기 회로에는 발광소자를 납재나 도전성 접착제 등의 접속 재료를 이용해 기판에 고정해 탑재하기 위한 전기 메탈라이즈도 포함된다. 해메탈라이즈는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 대해서 발광소자를 단지 기계적으로 고정할 뿐만 아니라, 발광소자와 전기적으로 접속해 전기신호나 전력을 발광소자에게 공급하는 기능도 아울러 가지는 것이 가능하다.In the light emitting element mounting portion of the light emitting element mounting substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material according to the present invention, metallization for fixing and mounting the light emitting element using a connecting material such as a solder material or a conductive adhesive is formed as necessary. . The electric circuit referred to in the present invention also includes an electric metallization for fixing a light emitting element on a substrate using a connecting material such as a brazing material or a conductive adhesive. Hammetalize not only mechanically fixes the light emitting element to a light emitting element mounting substrate made of a sintered body composed mainly of ceramic material, but also has a function of electrically connecting the light emitting element to supply an electric signal or electric power to the light emitting element. It is possible to have together.

세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 내부에 전기 회로를 형성하기 위해서는 상법에 의해 질화 알루미늄을 시작으로 하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 그린 시트 등의 세라믹 분말 성형체에 예를 들면 도전성 재료로 이루어지는 페이스트를 이용해 회로 패턴을 형성해 상기 그린 시트 등의 세라믹 분말 성형체를 내부에 회로 패턴이 배치되도록 2이상 적층해 건조, 탈바인더를 실시한 후 소성하는 것으로 도전성 재료와 세라믹 재료를 주성분으로 하는 성형체가 일체가 되어 동시 소성하고 내부에 전기 회로가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다. 상기 동시 소성을 이용하면 기판 내부에 전기 회로를 형성한 발광소자 탑재용 기판을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 기판의 표면에 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판을 얻을 수 있다. 게다가 전기 동시 소성을 이용하면 기판 내부 및 기판 표면에 동시에 전기 회로를 형성한 다층 전기 회로를 가지는 발광소자 탑재용 기판을 얻을 수 있다.In order to form an electric circuit inside a light emitting element mounting substrate made of a sintered body containing a ceramic material as a main component, a conductive powder may be formed into a ceramic powder molded body such as a green sheet containing, as a main component, a ceramic material including aluminum nitride by a conventional method. A circuit pattern is formed by using a paste made of a material, and the ceramic powder molded article such as the green sheet is laminated two or more so that the circuit pattern is disposed therein, followed by drying and debinding, followed by firing. The molded article mainly comprising a conductive material and a ceramic material It is possible to obtain a sintered body whose main component is a ceramic material in which all of them are integrated and co-fired and an electric circuit is formed therein. By using the co-firing, not only a light emitting element mounting substrate having an electric circuit formed inside the substrate can be obtained, but also a light emitting element mounting substrate having an electric circuit formed on the surface of the substrate. In addition, by using electric co-firing, it is possible to obtain a light emitting element mounting substrate having a multilayer electric circuit in which an electric circuit is formed at the same time inside the substrate and on the surface of the substrate.

본 발명에 대해 전기 회로에 이용되는 도전성 재료로서는 어떠한 것에서도 이용할 수 있지만, 특히 발광소자 탑재용 기판을 형성하고 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 일체화하기 쉽고, 한층 더 상기 도전성 재료를 형성중에 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 유해한 반응을 일으키는 등에 의해 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하기 어렵고 발광소자로부터 발산되는 빛이 상기 소결체를 투과한 후도 광강도가 저하하기 어려운 것으로 있으면 어떠한 재료에서도 이용할 수가 있다. 이러한 재료로서는 예를 들면 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 산화 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 텅스텐, 몰리브덴, 크롬, 티탄, 지르코늄, 질화 티탄, 질화 지르코늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 등의 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 금속, 합금 혹은 금속 질화물 등을 주성분으로 하는 도전성 재료이다. 이러한 도전성 재료로 전기 회로를 형성하면, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 일체화하기 쉽고, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하기 어렵고 발광소자로부터 발산되는 빛이 상기 소결체를 투과한 후도 광강도가 저하하기 어렵다. 또 전기 회로의 재료로 서 상기의 주성분에 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 등의 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 더한 것, 혹은 전기 회로가 형성되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 더한 것은 기판의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체료와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 보다 저해하기 어려워진다. 상기의 전기 회로 형성용 재료 중에서 금, 은, 동, 니켈, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄중에서 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 것은 기판의 질화 알루미늄 소결체를 시작해로 하는 재료와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 한층 더 저해하기 어려워진다. 또, 금, 은, 동, 니켈, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄중에서 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 주성분으로 해 한층 더 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 한층 더 저해하기 어려워진다.As the conductive material used in the electric circuit with respect to the present invention, any of them can be used, but in particular, it is easy to integrate with a sintered body composed mainly of a ceramic material forming a substrate for mounting a light emitting element, and the ceramic is further formed during the formation of the conductive material. It is difficult to inhibit the good light transmittance of the sintered body including the ceramic material as a main component by causing harmful reaction with the sintered body containing the main component, and it is difficult for the light intensity to decrease even after the light emitted from the light emitting device passes through the sintered body. Any material can be used if it exists. As such a material, for example, gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, ruthenium, ruthenium oxide, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, tungsten, molybdenum, chromium, titanium, zirconium And a conductive material containing, as a main component, a metal, an alloy, or a metal nitride having, as a main component, at least one or more selected from among titanium nitride, zirconium nitride, tantalum nitride, nickel-chromium alloy, and the like. When the electrical circuit is formed from such a conductive material, it is easy to integrate with the sintered body containing the ceramic material as a main component, and it is difficult to inhibit the good light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as the main component, and light emitted from the light emitting element penetrates the sintered body. Even after the light intensity is difficult to decrease. At least one component selected from among aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium, aluminum oxide, rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, etc. as the main components of the electric circuit. The addition of or the components contained in the sintered body containing the ceramic material on which the electric circuit is formed as a main component is not only easier to integrate with the sintered material containing the ceramic material of the substrate as a main component, but also the sintered body containing the ceramic material as the main component. It is difficult to inhibit the good light transmittance of. Among the above-mentioned materials for forming electrical circuits, the main component is at least one selected from gold, silver, copper, nickel, ferrite, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride and zirconium nitride, starting with an aluminum nitride sintered body of a substrate. Not only is it easier to integrate with the material, but it is also difficult to further inhibit the good light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component. In addition, aluminum nitride, aluminum oxide, rare earth element compounds, and alkaline earth metals are composed mainly of at least one or more components selected from gold, silver, copper, nickel, ferrite, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride. The inclusion of at least one or more components selected from the compounds is not only easier to integrate with the sintered body containing the ceramic material as a main component, but also more difficult to inhibit the good light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as the main component.

본 발명에 대해 전기 회로는 상기 예시한 도전성 재료를 이용해 필요하게 응한 패턴 형상에 가공해 형성된다. 그 형상은 임의에 선택할 수 있지만 예를 들면 발광소자를 탑재하는 부분에 형성되는 경우는 발광소자와 같은가 혹은 조금 큰 형 상의 것이 이용된다. 즉 발광소자의 크기가 예를 들면 3 mm3 mm의 경우는 3 mm3 mm~5 mm5 mm의 비교적 큰 베타장 패턴이 이용된다. 전기 회로를 선상으로서 형성하는 경우 미세한 패턴이 필요한 경우는 광석판 인쇄나 레이저 혹은 이온미링등의 가공 기술이나 가공기를 이용해 라인 앤드 스페이스 5μm~20μm정도의 치수의 것이 동시 소성나 후막인화법 혹은 박막법 등의 방법을 이용해 형성할 수 있다. 본 발명에 대해 전기 회로가 미세한 선상 패턴으로부터 비교적 큰 치수의 베타장 패턴이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하기 어렵다.In the present invention, the electric circuit is formed by processing to a pattern shape suitably required using the above-described conductive material. Although the shape can be selected arbitrarily, for example, when formed in the part which mounts a light emitting element, the same thing as a light emitting element or a slightly larger shape is used. That is, when the size of the light emitting device is, for example, 3 mm 3 mm, a relatively large beta-length pattern of 3 mm 3 mm to 5 mm 5 mm is used. In the case of forming an electric circuit in the form of a line, when a fine pattern is required, a line and space having a size of about 5 μm to 20 μm using a processing technique such as ore plate printing, a laser, or an ion mirror, or co-fired, thick film printing, or thin film method It can form using methods, such as these. In the present invention, even if the electric circuit is a beta-length pattern having a relatively large dimension from a fine linear pattern, it is difficult to inhibit the good light transmittance of the sintered body mainly composed of the ceramic material.

이러한 도전성 재료를 이용해 동시 소성에 의해 형성한다, 혹은 일단 소성하여 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 이러한 도전성 재료를 후막으로서 새겨 접합하거나 혹은 유기 수지를 포함한 도전성 접착제로서 접착하는 것으로써 형성하는, 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막으로서 형성하는, 등의 방법에 따라 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 내부 혹은 소결체 표면에 전기 회로를 형성할 수가 있다.It is formed by co-firing using such a conductive material or by sintering the conductive material as a thick film later to a sintered body having a ceramic material obtained by firing once as a thick film or by bonding it as a conductive adhesive containing an organic resin. The electric circuit can be formed in the sintered compact or the surface of the sintered compact mainly composed of a ceramic material according to a method such as forming as a thin film by sputtering or vapor deposition or ion plating or the like.

또한 본 발명에 대해 일단 소성하여 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체란, 동시 소성에 의해 표면 혹은 내부 혹은 표면과 내부의 어느 쪽에도 전기 회로가 형성된 것, 혹은 도통 비아가 형성된 것, 혹은 동시 소성에 의해 표면 혹은 내부 혹은 표면과 내부의 어느 쪽에도 전기 회로가 형성되고 한층 더 도통 비아가 형성된 것도 포함된다.In the present invention, a sintered body composed mainly of a ceramic material which can be obtained by sintering once is one in which an electric circuit is formed on the surface or inside, or both of the surface and the interior, or a conductive via is formed or co-firing by simultaneous firing. This includes an electric circuit formed on the surface or inside or on both the surface and the inside, and further, a conductive via is formed.

상기 전기 회로를 형성하기 위해서 이용되는 재료에 포함되는 질화 알루미 늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분, 혹은 전기 회로가 형성되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 더한 것의 함유량은 합계로 30 중량%이하인 것이 바람직하고 상기 전기 회로에 이용되는 재료의 실온에 있어서의 저항율이 110－3Ω·cm 이하가 되기 쉽기 때문에 바람직하다.30 중량%보다 많으면 실온에 있어서의 저항율이 110－3Ωcm보다 높은 것이 되기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 보다 바람직한 함유량은 20 중량%이하이며 실온에 있어서의 저항율은 110－4Ωcm 이하가 되기 쉽기 때문에 보다 바람직하다. 한층 더 바람직한 함유량은 10 중량%이하이며 실온에 있어서의 저항율은 510－5Ωcm 이하가 되기 쉽기 때문에 한층 더 바람직하다.무엇보다 바람직한 함유량은 5 중량%이하이며 실온에 있어서의 저항율은 110－5Ωcm 이하가 되기 쉽기 때문에 바람직하다.At least one or more selected from aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, rare earth element compounds, and alkaline earth metal compounds contained in the material used to form the electric circuit. It is preferable that the content of the component or the component contained in the sintered compact which has the ceramic material in which an electric circuit is formed as a main component is 30 weight% or less in total, and the resistivity at room temperature of the material used for the said electric circuit is 110-3 ohms. It is preferable because it tends to be cm or less. If it is more than 30% by weight, it is not preferable because the resistivity at room temperature tends to be higher than 110-3? Cm. More preferable content is 20 weight% or less, and since the resistivity in room temperature tends to be 110-4 ohm cm or less, it is more preferable. More preferable content is 10 weight% or less, and since resistivity at room temperature tends to be 510-5 ohm-cm or less, it is still more preferable. What is more preferable content is 5 weight% or less, and resistivity at room temperature is 110-5 ohm-cm or less It is preferable because it is easy to become.

소결체 내부에 전기 회로를 형성하는 경우는 상기 도전성 재료중에서 예를 들면 텅스텐, 몰리브덴, 동 등을 메탈라이즈 성분으로서 적당 선택해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 동시 소성에 의해 상기 소결체 내부에 전기 회로를 형성하는 것이 바람직하다.동시 소성을 이용하면 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 표면에도 전기 회로를 형성할 수 있고 용이하게 다층 전기 회로가 형성된 기판을 제조할 수가 있다. 또, 일단 소성하여 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 도전성 재료를 접합하는 방법을 이용하면 금, 은, 동, 백금, 페러디엄 등을 주성분으로 하는 저저항의 재료를 후막메탈라이즈로서 인화혹 은 도전성 접착제로서 접착하는 등 비교적 간편하게 전기 회로를 형성할 수 있다고 하는 이점이 있다. 또, 상기 도전성 재료중에서 예를 들면 알루미늄, 크롬, 티탄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금 등과 같이 동시 소성이나 인화법 및 도전성 접착제를 이용한 접착법에서는 전기 회로의 형성이 곤란한 경우 스팩터 혹은 증착 혹은 이온 도금 등에 의한 박막 메탈라이즈로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 전기 회로를 형성할 수가 있다. 상기 박막에 의한 전기 회로로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 대해서 예를 들면 알루미늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 산화 르테니움 등 단일의 재료만을 이용한 1층 구조의 메탈라이즈로서 형성된 것도 이용할 수가 있다. 또 그 외에 크롬, 티탄, 지르코늄 등을 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와의 밀착 금속으로서 이용해 또한 철, 코발트, 니켈, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 등을 바리어 금속으로서 적당 이용해 또한 금, 은, 동, 알루미늄 등의 저저항재료를 적당 형성한 예를 들면 크롬/동, 티탄/몰리브덴/금, 티탄/텅스텐/니켈, 티탄/텅스텐/금, 티탄/백금/금, 티탄/니켈/금, 지르코늄/텅스텐/금, 지르코늄/백금/금, 등 박막 다층 구조의 것도 전기 회로로서 이용할 수가 있다. 또 한층 더 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 산화 르테니움등을 상기 다층 박막상에 형성한 것도 이용할 수가 있다. 상기 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 산화 르테니움, 등을 주성분으로 하는 재료는 전기 회로의 저항체로서 이용하는 것이 바람직하다. 도전성 재료를 박막으로 형성하면 보다 미세한 전기 회로를 형성할 수 있으므로 보다 소형의 발광소자 탑재용 기판을 얻기 쉽다.In the case of forming an electric circuit in the sintered compact, for example, tungsten, molybdenum, copper, and the like are appropriately selected as the metallization component among the conductive materials, and an electrical circuit is formed in the sintered compact by co-firing with a sintered compact composed mainly of ceramic material. Simultaneous firing makes it possible to form an electric circuit on the surface of a sintered body composed mainly of a ceramic material and to easily manufacture a substrate on which a multilayer electric circuit is formed. In addition, when a method of joining a conductive material later to a sintered body containing a ceramic material obtained by firing once as a main component is used, a low-resistance material composed mainly of gold, silver, copper, platinum, and paradium is used as the thick film metallization. There is an advantage that the electrical circuit can be formed relatively easily, such as bonding with a ignition or conductive adhesive. In the conductive material, for example, aluminum, chromium, titanium, tantalum nitride, nickel-chromium alloy, etc., it is difficult to form an electric circuit in the simultaneous firing, ignition method, or bonding method using a conductive adhesive. As a thin film metallization by ion plating etc., an electric circuit can be formed in the sintered compact which has a ceramic material as a main component. As the electric circuit using the thin film, a sintered body mainly composed of a ceramic material may be used as a metallization having a single layer structure using only a single material such as aluminum, tantalum nitride, nickel-chromium alloy, or ruthenium oxide. There is a number. In addition, chromium, titanium, zirconium, etc. are used as the adhesion metal to the sintered body mainly composed of ceramic materials, and also iron, cobalt, nickel, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and nitride Zirconium or the like is suitably used as a barrier metal, and appropriately formed low-resistance materials such as gold, silver, copper, and aluminum, for example, chromium / copper, titanium / molybdenum / gold, titanium / tungsten / nickel, titanium / tungsten / gold, Titanium / platinum / gold, titanium / nickel / gold, zirconium / tungsten / gold, zirconium / platinum / gold, etc., may be used as an electric circuit. Furthermore, what formed tantalum nitride, a nickel-chromium alloy, a ruthenium oxide, etc. on the said multilayer thin film can also be used. It is preferable to use the material which has the said tantalum nitride, nickel-chromium alloy, a ruthenium oxide, etc. as a main component as a resistor of an electric circuit. When the conductive material is formed into a thin film, a finer electric circuit can be formed, and therefore, a smaller substrate for mounting a light emitting element can be easily obtained.

동시 소성에 의해 전기 회로를 형성하는 경우 도전성 재료로서 예를 들면 동, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 이용하는 것이 바람직하다. 상기로 예시한 동, 몰리브덴, 텅스텐 등의 도전성 재료로 전기 회로를 형성하면, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 일체화하기 쉽고, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하기 어렵다. 또, 상기로 예시한 동, 몰리브덴, 텅스텐 등의 도전성 재료에 한층 더 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 한층 더 저해하기 어려워지므로 보다 바람직하다.When forming an electric circuit by co-firing, it is preferable to use what consists of materials which have at least 1 sort (s) or more selected from copper, molybdenum, and tungsten as a main component as an electroconductive material, for example. When the electrical circuit is formed of a conductive material such as copper, molybdenum or tungsten as exemplified above, it is easy to integrate with a sintered body containing a ceramic material as a main component, and it is difficult to inhibit the good light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component. In addition, the conductive material such as copper, molybdenum, tungsten and the like exemplified above further include at least one or more components selected from aluminum nitride, aluminum oxide, rare earth element compounds, and alkaline earth metal compounds. Not only is it easier to integrate with a sintered compact, but also the light transmittance of the sintered compact which has the said ceramic material as a main component becomes more difficult to inhibit further, and it is more preferable.

도전성 재료를 일단 소성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 후막으로서 새겨 접합하거나 혹은 유기 수지를 포함한 도전성 페이스트로서 접착해 전기 회로를 형성하는 경우, 도전성 재료로서 예를 들면 금, 은, 동, 니켈, 르테니움, 산화 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 재료를 이용해 전기 회로를 형성하면, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 일체화하기 쉽고, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하기 어렵다. 또, 상기로 예시한 도전성 재료에 한층 더 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알 루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 한층 더 저해하기 어려워지므로 보다 바람직하다.　　When the conductive material is engraved and bonded as a thick film to a sintered body containing the ceramic material, which has been fired once as a thick film, or adhered as a conductive paste containing an organic resin to form an electrical circuit, for example, gold, silver, copper, nickel, It is preferable to use a material mainly composed of at least one selected from among the following: terenium, ruthenium oxide, rhodium, palladium, osmium, iridium, platinum, molybdenum and tungsten. When an electric circuit is formed using the said conductive material, it is easy to integrate with the sintered compact which has a ceramic material as a main component, and it is difficult to inhibit the favorable light transmittance of the sintered compact which has the ceramic material as a main component. Further, at least one component selected from aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium, aluminum oxide, rare earth element compounds, and alkaline earth metal compounds may be further added to the conductive materials exemplified above. It is more preferable to include it because it is easier to integrate with the sintered body containing the ceramic material as a main component, and it is difficult to further inhibit the good light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as the main component.

도전성 재료를 일단 소성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 박막으로서 전기 회로를 형성하는 경우, 도전성 재료로서 예를 들면 금, 은, 동, 알루미늄, 니켈, 르테니움, 산화 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 크롬, 티탄, 질화 티탄, 질화 지르코늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 상기 도전성 재료를 이용해 전기 회로를 형성하면, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 일체화하기 쉽고, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 저해하기 어렵다. 한층 더 광석판 인쇄나 레이저 혹은 이온미링등의 가공 기술, 가공기를 이용해 라인 앤드 스페이스가 5μm정도의 미세 패턴을 형성할 수 있다. 상기로 예시한 도전성 재료에 한층 더 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 보다 일체화하기 쉬울 뿐만 아니라, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 양호한 광투과성을 한층 더 저해하기 어려워지므로 보다 바람직하다.　　In the case of forming an electric circuit as a thin film on a sintered body having a ceramic material whose main component is a fired ceramic material as a main component, as the conductive material, for example, gold, silver, copper, aluminum, nickel, ruthenium, ruthenium oxide, or rhodium It is preferable to use a material composed mainly of at least one selected from among, ,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, titanium, titanium, zirconium, tantalum nitride, and nickel-chromium alloy. . When an electric circuit is formed using the said conductive material, it is easy to integrate with the sintered compact which has a ceramic material as a main component, and it is difficult to inhibit the favorable light transmittance of the sintered compact which has the ceramic material as a main component. Furthermore, fine patterns with line and space of about 5 μm can be formed by using processing techniques such as ore printing, laser or ion mirror, and processing machines. The conductive material exemplified above further includes at least one component selected from aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, rare earth element compounds, and alkaline earth metal compounds. Not only is it easier to integrate with the sintered body which has a ceramic material as a main component, but also it is more preferable because it becomes difficult to inhibit the favorable light transmittance of the sintered body which has the said ceramic material as a main component further.

본 발명에 대해 전기 회로를 형성하는 방법으로서 상기로 예시한 것처럼 동시 소성에 의한 방법, 혹은 일단 소성하여 얻을 수 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 도전성 재료를 인화 혹은 접착하는 방법, 혹은 도전성 재료를 박막으로서 형성하는 방법, 이라고 하는 적어도 3개의 방법이 있지만 그 중의 2이상의 방법을 적당 조합해 실시할 수도 있다. 전기 회로를 상기 2이상의 방법을 조합해 실시하면 각각의 방법에 있어서의 장점을 살려보다 고성능의 발광소자 탑재용 기판을 얻는 것이 가능해진다. 예를 들면 동시 소성로 기판 내부에 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판을 제작해 기판 표면에 형성되는 전기 회로의 적어도 1부를 박막으로 형성하면 보다 소형화된 다층 전기 회로를 가지는 발광소자 탑재용 기판을 얻는 것이 가능해진다. 또, 예를 들면 동시 소성로 기판 내부에 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판을 제작해 기판 표면에 형성되는 전기 회로의 적어도 1부를 후막메탈라이즈로 형성하면 소형화된 다층 전기 회로를 가지는 발광소자 탑재용 기판을 간편하게 얻는 것이 가능해진다.As a method for forming an electric circuit according to the present invention, a method by simultaneous firing as illustrated above, or a method of igniting or bonding a conductive material later to a sintered body having a ceramic material obtained by firing once as a main component, or a conductive material Although there are at least three methods of forming a thin film as a thin film, two or more of them may be appropriately combined. When the electric circuit is performed in combination of the two or more methods described above, it is possible to obtain a substrate having a high performance light emitting element utilizing the advantages of the respective methods. For example, if a light emitting device mounting substrate having an electric circuit is formed inside a co-fired furnace substrate and at least one part of the electric circuit formed on the substrate surface is formed in a thin film, a light emitting device mounting substrate having a smaller multilayered electric circuit can be obtained. It becomes possible. Further, for example, a light emitting device mounting substrate having an electric circuit formed inside a co-fired substrate may be fabricated, and at least one part of the electric circuit formed on the surface of the substrate may be formed by thick film metallization. It is possible to easily obtain a substrate.

상기 발광소자 탑재용 기판의 내부에 형성되는 전기 회로는 통상 기판 내부의 도통 비아와 전기적으로 접속해 조합해 다층화 된 전기 회로로서 이용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use the electrical circuit formed in the inside of the light emitting element mounting substrate as a multilayered electrical circuit by electrically connecting and combining with a conductive via in the substrate.

이러한 금속, 합금 혹은 금속 질화물 재료 등을 주성분으로 하는 도전성 재료는 단일층 뿐만이 아니라, 상기 박막에 의한 전기 회로의 형성으로 가리킨 것처럼 다층화한 상태에서도 이용할 수가 있다. 상기 도전성 재료를 다층화해 제작한 전기 회로는 상기 도전성 재료안이 다른 재료 상호여도 좋고 동일한 재료를 다층화해 형성한 것이어도 좋다. 도전성 재료의 다층화 방법도 도금이나 스핀 코트, 침지 코트, 인쇄 등에 의해 적당 열처리를 베푸는 것으로 매우 적합하게 실시할 수가 있다. 예를 들면 다층화 된 전기 회로의 예로서 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로 한 동시 소성에 의해 얻을 수 있는 메탈라이즈에 니켈 도금 및 금도금을 베푸는 것에 의해 형성된 것이어도 좋다. 또 메탈라이즈의 표면을 금, 은, 백금, 니켈, 알루미늄을 주성분으로 하는 재료로 피복 하면 와이어나 납재 등의 접속 재료와의 접속성이 향상해 내환경성도 향상하므로 바람직하다. 예를 들면 텅스텐, 몰리브덴, 동 등을 주성분으로서 동시 소성에 의해 형성된 메탈라이즈에는 통상 표면에 금 도금을 베풀어 앞에서 본 같은 접속성, 내환경성의 향상을 꾀해진다.The conductive material mainly containing such a metal, an alloy, or a metal nitride material can be used not only in a single layer but also in a multilayered state as indicated by the formation of an electric circuit by the thin film. The electrical circuit produced by multilayering the conductive material may be a different material from each other in the conductive material, or may be formed by multilayering the same material. The multilayering method of an electrically conductive material can also be suitably performed by giving suitable heat processing by plating, spin coating, immersion coat, printing, etc. For example, an example of a multilayered electric circuit may be formed by applying nickel plating and gold plating to metallization obtained by co-firing mainly composed of tungsten, molybdenum, copper, or the like. In addition, it is preferable to coat the surface of the metallization with a material composed mainly of gold, silver, platinum, nickel, and aluminum, since the connectivity with connecting materials such as wire and brazing material is improved, and the environmental resistance is also improved. For example, metallization formed by co-firing with tungsten, molybdenum, copper, etc. as a main component is usually gold plated on the surface to improve the connectivity and environmental resistance as seen previously.

본 발명에 대해 적어도 상기로 예시한 도전성 재료를 이용해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 혹은 소결체의 표면에 전기 회로가 형성된 발광소 자 탑재용 기판이면, 형성된 상기 전기 회로에 의해 상기 기판을 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터 발산된 빛의 힘을 줄일 수 있는 것은 적다.The substrate for light emitting element mounting in which the electric circuit is formed in the inside of the sintered compact or the surface of the sintered compact which has a ceramic material as a main component using the electrically-conductive material illustrated at least above about this invention permeate | transmits the said board | substrate by the said electric circuit formed, There is little that can reduce the power of light emitted from the light emitting element emitted to the outside.

또한 상기 전기 회로가 형성되는 소결체 표면과는 이하로 설명하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 발광소자가 탑재되는 면, 발광소자가 탑재되는 면과 반대측의 면, 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 음푹패인 공간측의 측면, 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 음푹패인 공간과 반대측의 측면, 등 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 내부 이외의 발광소자 탑재용 기판이 가지는 표면을 의미한다.The surface on which the light emitting element is mounted, the surface opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, with respect to the substrate for mounting a light emitting element comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material described below with the surface of the sintered body on which the electric circuit is formed, Light emitting elements other than the inside of a sintered body mainly composed of a ceramic material such as a side surface of the light emitting element mounting substrate having a recessed space, a side opposite to the recessed space of the light emitting element mounting substrate having a recessed space, etc. It means the surface which a board | substrate for mounting has.

본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에는 상기와 같이 필요에 따라서 발광소자를 기판에 고정해 탑재하기 위한 메탈라이즈가 베풀어진다. 이러한 메탈라이즈는 상기와 같이 동시 소성에 따르는 것, 후막인화법에 따르는 것, 혹은 스팩터, 증착, 이온 도금 등에 의한 박막에 의하는 것 등이 매우 적합하게 이용된다. 이러한 메탈라이즈가 베풀어진 부분에 납재(Pb－Sn계는 다 합금, Au－Si계 합금, Au－Sn계 합금, Au－Ge계 합금, Sn함유 합금, In함유 합금, 금속 Sn, 금속 In, Pb프리 등의 저융점 납재, 혹은 은 등의 고융점 납재, 등을 포함한다), 저융점 유리, 그 외 예를 들면 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 유기 수지를 주성분으로 하는 도전성 접착제 혹은 전기 절연성 접착제 혹은 고열 전도성 접착제 등의 접속 재료를 이용해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 발광소자가 고정, 탑재된다. 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판은 예를 들면 질화 알루 미늄을 주성분으로 하는 소결체 등과 같이 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 발광소자와는 열팽창율이 가까운 것이 많기 때문에, 상기 발광소자를 기판에 고정해 탑재하려면 상기 고정 부분에 있어서의 응력 발생이 적고 상기 접속 재료 이외 목과 같은 접속 재료여도 사용할 수 있다. 또한 상기 접속 재료 중저융점 유리, 또는 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 유기 수지를 주성분으로 하는 도전성 접착제 혹은 전기 절연성 접착제 혹은 고열 전도성 접착제 등의 접착제를 이용해 발광소자를 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체인 경우는 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 발광소자 탑재 부분에 반드시 메탈라이즈가 수행된 것이 아니어도 좋다.The light emitting element mounting substrate which consists of the sintered compact which mainly uses the ceramic material by this invention is subjected to metallization for fixing and mounting a light emitting element to a board | substrate as needed as mentioned above. Such metallization is suitably used by co-firing as described above, by thick film printing, or by thin film by sputtering, vapor deposition, ion plating, or the like. The brazing material (Pb-Sn-based alloy is poly-alloy, Au-Si-based alloy, Au-Sn-based alloy, Au-Ge-based alloy, Sn-containing alloy, In-containing alloy, metal Sn, metal In, Low melting point brazing materials such as Pb-free or high melting point brazing materials such as silver), low melting glass, and other conductive adhesives or electrically insulating adhesives mainly composed of organic resins such as epoxy resins and silicone resins. Or a light emitting element is fixed and mounted in the sintered compact which mainly uses a ceramic material using connection materials, such as a high thermally conductive adhesive. The light emitting element mounting substrate which consists of the sintered compact which has a ceramic material as a main component of this invention is a main component which consists of at least 1 sort (s) selected from gallium nitride, indium nitride, aluminum nitride, for example, a sintered compact which consists of aluminum nitride as a main component. In many cases, the thermal expansion rate is close to that of the light emitting device. Therefore, in order to fix the light emitting device on a substrate, there is little stress in the fixed portion and a connection material such as a neck other than the connection material can be used. In the case of the sintered body in which the light emitting element is mainly composed of a ceramic material, the light-emitting element is made of a medium-low melting point glass or an adhesive such as an epoxy resin or a silicone resin, or an adhesive such as an electrically insulating adhesive or a high thermal conductive adhesive. The sintered body containing the ceramic material as a main component may not necessarily be metallized on the light emitting element mounting portion.

또, 상기 저융점 유리, 또는 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 유기 수지를 주성분으로 하는 도전성 접착제 혹은 전기 절연성 접착제 혹은 고열 전도성 접착제 등은 광투과성을 가지는 것을 얻을 수 있으므로 발광소자를 탑재하기 위한 접속 재료로서는 바람직하다.The low melting point glass, or an electrically conductive adhesive or an electrically insulating adhesive or a high thermally conductive adhesive mainly composed of organic resins such as epoxy resins and silicone resins can be obtained as a light transmitting element. desirable.

본 발명에 대해 적어도 상기로 예시한 도전성 재료를 이용해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 발광소자를 탑재하는 부분에 메탈라이즈가 형성된 발광소자 탑재용 기판이면, 형성된 메탈라이즈에 의해 기판을 투과하여 외부에 방출되는 발광소자로부터 발산된 빛의 힘을 줄일 수 있는 것은 적다.The substrate for mounting a light emitting element on which a metallization is formed on a portion on which a light emitting element of a sintered body containing a ceramic material as a main component is mounted using at least the conductive material exemplified above for the present invention may be formed by penetrating the substrate by the formed metallization to the outside. There is little that can reduce the power of light emitted from the light emitting element to be emitted.

본 발명이 나타내듯이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 특히 광투과성을 가지는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로, 발광소자로부터의 발광이 상기 기판을 투과하여 발광소자가 탑재되고 있는 면과는 반대의 기판면 측에 방출되는 것이 가능해져, 발광소자를 중심으로 하는 공간의 모든 방향으로 발광소자로부터의 발광을 효율적으로 외부에 방출하는 것이 가능하다. 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판이어도 그 표면에서 발광소자로부터의 빛(즉, 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛)을 최대 15%정도 반사하는 일이 있다(즉, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 최대 15%정도이다).특히 기판의 표면 평활성이 높은 경우 등 발광소자로부터의 발광이 상기의 비율로 반사되기 쉽다. 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 발광소자로부터의 빛에 대한 반사율을 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 본래 가지는 것 이하에 억제해 발광소자로부터의 발광을 발광소자가 탑재되고 있는 것과는 반대측의 기판면측에 보다 강하고 투과시키기 쉽게 하기 위해서, 상기 발광소자 탑재용 기판에 반사 방지 기능을 부여하는 것이 바람직하다. 또한 상기 반사율은 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대하는 것이다. 또 상기 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 반사율과는 파장 200 nm~800 nm의 범위의 어느쪽이든 특정의 파장의 빛으로 측정된 반사율을 의미한다.As the present invention shows, a sintered body comprising a ceramic material as a main component, in particular a sintered body having a light transmittance, is used as a substrate for mounting a light emitting element, and the light emitted from the light emitting element penetrates the substrate and is opposite to the surface on which the light emitting element is mounted. It becomes possible to be emitted to the substrate surface side, and it is possible to efficiently emit light from the light emitting element to the outside in all directions of the space centering on the light emitting element. Even a substrate made of a sintered body containing a light-transmitting ceramic material as a main component may reflect up to 15% of light from the light emitting element (that is, light having a wavelength of at least 200 nm to 800 nm) at its surface (i.e., The reflectance of the sintered compact mainly composed of ceramic material is about 15%). In particular, light emission from the light emitting element is easily reflected at the above ratio, such as when the surface smoothness of the substrate is high. The light emitting element mounts light emission from the light emitting element by suppressing the reflectance of light from the light emitting element of the light emitting element mounting substrate comprising the sintered body containing the ceramic material as the main component below that of the sintered body containing the ceramic material as the main component. In order to make it stronger and more permeable to the board | substrate surface side on the opposite side to what is being done, it is preferable to provide an antireflection function to the said light emitting element mounting substrate. The reflectance is for light in the range of at least a wavelength of 200 nm to 800 nm. In addition, the reflectance with respect to the light of the said wavelength 200nm-800nm means the reflectance measured with the light of a specific wavelength either in the range of the wavelength 200nm-800nm.

본 발명에 대해 반사 방지 부재의 형성되고 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로 발광소자 탑재용 기판에 반사 방지 기능을 부여하는 것이 가능해진다. 즉 예를 들면 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판으로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율이 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 본래 가지는 것보다 저하할 수 있는 재료 를 반사 방지 부재로서 이용하면 비교적 용이하게 발광소자 탑재용 기판에 반사 방지 기능을 부여하는 것이 가능해진다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 형성되는 반사 방지 부재로서는 통상 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하거나 혹은 그것 이하의 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 재료를 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광에 대해서 충분한 반사 방지 기능을 발현할 수 있다. 상기 반사 방지 기능의 부여는 예를 들면 각종 유리, 각종 수지, 각종 무기 재료 등 비교적 굴절률의 작은 재료로 한층 더 요약하면 투명한 재료를 발광소자 탑재용 기판에 형성하는 것으로써 실시할 수가 있다. 통상 이러한 재료를 피막장으로 형성하는 것이 바람직하게 반사 방지 부재로서 기능한다. 통상 이러한 재료는 굴절률 2.3 이하의 재료로부터 적당 선택해 이용하는 것이 바람직하다. 통상 이러한 재료를 요약하면 피막장으로 발광소자 탑재용 기판에 형성하는 것으로써 반사 방지 부재로서 기능해, 발광소자로부터의 빛이 발광소자 탑재용 기판을 투과하여 기판 외부에 보다 강하게 방출되고 쉬워지므로 바람직하다. 또한 굴절률이 2.3이상의 재료여도 상기 재료를 형성하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하거나 혹은 그것 이하의 것이면 충분히 반사 방지 부재로서 사용할 수 있다. 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률보다 큰 재료를 이용했을 경우는 충분한 반사 방지 기능이 발현할 수 있지 없게 되기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 즉, 이러한 재료를 형성한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 발광소자 탑재용 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 빛의 힘 혹은 밝음은 커지기 어렵기 때문에 바람직하지 않다. 상기 반사 방지 부재 는 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하거나 혹은 그것 이하인 것과 동시에 투명성이 높은 일이 바람직하다. 반사 방지 부재의 투명성이 낮으면 발광소자 탑재용 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 빛의 힘 혹은 밝음은 커지기 어렵기 때문에 바람직하지 않다. 즉, 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판이어도 그 표면에서 발광소자로부터의 빛을 최대 20%정도 반사하는 일이 있다. 특히 기판의 표면 평활성이 높은 경우 등 발광소자로부터의 발광이 상기의 비율로 반사되기 쉽다. 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하거나 혹은 그것 이하로 한층 더 요약하면 투명한 재료로 이루어지는 부재를 발광소자 탑재용 기판에 형성하는 것으로(통상은 기판의 발광소자를 탑재하는 면) 발광소자로부터의 빛의 반사를 방지하도록 기능하기 때문에(즉 발광소자로부터의 빛에 대해서 반사율이 20%보다 작아진다), 발광소자 탑재용 기판을 투과하는 발광소자로부터의 빛이 증가해, 기판 외부에 보다 많은 발광이 방출되게 된다. 통상 상기 반사 방지 부재로서 이용하는 재료의 굴절률은 2.1 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 상기 반사 방지 부재로서 이용하는 재료의 굴절률은 2.0 이하인 것이 게다가 바람직하다.In the present invention, by using a sintered body composed mainly of a ceramic material on which an antireflection member is formed as a light emitting element mounting substrate, it is possible to impart an antireflection function to the light emitting element mounting substrate. That is, for example, if the reflectance of the sintered body including the ceramic material as a main component of the substrate for mounting the light emitting device according to the present invention may be lower than that of the sintered body containing the ceramic material as a main component, it is relatively effective. It is possible to easily provide the antireflection function to the light emitting element mounting substrate. As the anti-reflection member formed on the light emitting element mounting substrate according to the present invention, it is usually preferable to use a material which is equal to or less than the refractive index of the sintered body mainly composed of a ceramic material. By using such a material, sufficient antireflection function can be exhibited with respect to light emission from a light emitting element. The antireflection function can be provided by forming a transparent material on a substrate for mounting a light emitting element, for example, by summarizing it with a relatively small refractive index material such as various glass, various resins, and various inorganic materials. It is usually preferable to form such a material into a coating sheet to function as an antireflection member. Usually, such a material is preferably selected from materials having a refractive index of 2.3 or less. Generally, these materials are summarized and formed on the light emitting element mounting substrate as a coating film to function as an antireflection member, so that light from the light emitting element penetrates the light emitting element mounting substrate and is more easily emitted to the outside of the substrate, which is preferable. Do. Moreover, even if it is a material with a refractive index of 2.3 or more, if it is equal to or less than the refractive index of the sintered compact which has the ceramic material which forms the said material as a main component, it can fully be used as an antireflection member. When using a material larger than the refractive index of the sintered compact which contains a ceramic material as a main component, since sufficient antireflection function does not appear easily, it is unpreferable. In other words, the light emitting element mounting substrate on which such a material is formed is not preferable because the force or brightness of light from the light emitting element passing through the light emitting element mounting substrate and emitted to the outside of the substrate does not become large. It is preferable that the said antireflection member has a refractive index equal to or less than the refractive index of the sintered compact which has a ceramic material as a main component, and is high in transparency. When the transparency of the antireflection member is low, it is not preferable because the force or brightness of light from the light emitting element that penetrates the substrate for mounting the light emitting element and is emitted outside the substrate is not large. In other words, even a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having light transmittance as a main component may reflect up to 20% of light from the light emitting element on its surface. In particular, when the surface smoothness of the substrate is high, light emitted from the light emitting element is easily reflected at the above ratio. In summary, if the refractive index is equal to or less than the refractive index of the sintered body mainly composed of the ceramic material, a member made of a transparent material is formed on the substrate for mounting the light emitting element (usually the surface on which the light emitting element of the substrate is mounted). Because it functions to prevent the reflection of light from the element (i.e., the reflectance is less than 20% for light from the light emitting element), the light from the light emitting element passing through the light emitting element mounting substrate increases, More light emission will be emitted. In general, the refractive index of the material used as the antireflection member is more preferably 2.1 or less. Moreover, it is further preferable that the refractive index of the material used as the said antireflection member is 2.0 or less.

또한 본 발명의 발광소자 탑재용 기판에 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률을 예시하면 이하와 같다. 즉, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 2.1, 탄화규소를 주성분으로 하는 소결체로 2.6, 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체로 2.0, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체 로 2.2, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 산화 티탄을 주성분으로 하는 소결체로 2.7, 티탄산바륨을 주성분으로 하는 소결체로 2.4, 티탄산지르콘산연을 주성분으로 하는 소결체로 2.5, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체로 1.9, 멀라이트를 주성분으로 하는 소결체로 1.6, 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체로 1.6, 등이다.Moreover, the refractive index of the sintered compact which has the ceramic material used for the light emitting element mounting substrate of this invention as a main component is as follows. That is, sintered body composed mainly of aluminum nitride 2.1, sintered body composed mainly of silicon carbide 2.6, sintered body composed mainly of zinc oxide 2.0, sintered body composed mainly of beryllium oxide 1.7, and sintered body composed mainly of aluminum oxide 1.7, zirconium oxide as main component 2.2, magnesium oxide as main component 1.7, magnesium aluminate as main component 1.7, titanium oxide as main component 2.7, barium titanate as main component 2.4, a sintered body composed mainly of lead zirconate titanate 2.5, a sintered body composed mainly of yttrium oxide 1.9, a sintered body composed mainly of mullite 1.6, a sintered body composed mainly of crystallized glass 1.6, and the like.

또한 굴절률이나 반사율 등의 측정은 통상의 에리프소메이타 등을 이용한 편광 해석법, 반복 간섭 현미경법, 프리즘 카플러-방식, 혹은 그 외 분광 광도계(Spectrophotometer)등의 광학 기기를 이용해 용이하게 실시할 수가 있다.In addition, measurement of refractive index, reflectance, etc. can be easily performed using optical instruments, such as a polarization analysis method, a cyclic interference microscopy method, a prism coupler method, or other spectrophotometers using a conventional lipsomometer etc. .

또, 발광소자 탑재용 기판으로서 상기 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 경우, 반사 방지 부재를 형성한 것을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서는 예를 들면 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속, 혹은 카본 등의 성분을 포함하는 것이 통상 이용된다. 즉, 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 통상 상기 천이 금속이나 카본 등에 의해 상기 소결체의 내부에 진입한 빛을 흡수하기 쉬운 성질이 되기 쉽기 때문에, 상기 소결체를 투과하는 빛의 강도를 높이기 위해서 상기 소결체에 대해서 발광소자로부터의 빛을 가능한 한 효율적으로 진입시킬 필요가 있다. 그 때문에 상기 소결체에 반사 방지 부재를 형성한 것을 이용하면 반사 방지 부재가 형성되어 있지 않은 것에 비해 상기 소결체 표면에서의 반사를 방지할 수 있으므로 상기 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 진입해, 투과하는 빛의 강도가 높아진다.In the case of using a sintered body composed mainly of the ceramic material colored in the above black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, adzuki bean, red, etc. as a light emitting element mounting substrate, it is preferable to use one formed with an antireflection member. desirable. Examples of the sintered body whose main component is a ceramic material colored in black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, adzuki bean, red, etc., for example, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, iron, nickel, chromium And those containing components such as transition metals such as manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc, or carbon. That is, since a sintered body containing a colored ceramic material as a main component usually tends to easily absorb light entering the interior of the sintered body by the transition metal, carbon, or the like, the sintered compact is used to increase the intensity of light passing through the sintered compact. It is necessary to enter the light from the light emitting element into the sintered body as efficiently as possible. Therefore, when the antireflection member is formed on the sintered compact, the reflection on the surface of the sintered compact can be prevented as compared with the case where the antireflective member is not formed. The intensity of the light increases.

상기 반사 방지 부재는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해서 도 19에 예시한 것 같은 발광소자가 탑재되고 있는 면 이외에도, 도 20 혹은 도 21에 예시한 것처럼 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측면, 혹은 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 뚜껑 등 적당 목적에 따라 임의의 위치에 형성할 수 있다. 또 필요에 따라서 도 34에 예시한 것처럼 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 내부에도 형성할 수가 있다. 통상 상기 반사 방지 부재는 상기 발광소자 탑재용 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 측의 면에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 반사 방지 부재의 형성 위치로서 발광소자 탑재용 기판이 평판 모양의 경우는 상기 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 측의 표면에 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 발광소자 탑재용 기판이 음푹패인 공간을 가지는 것이면 발광소자가 탑재되고 있는 측의 표면, 혹은 발광소자가 탑재되고 있는 측의 음푹패인 공간의 측벽, 혹은 뚜껑의 발광소자가 탑재되고 있는 측의 면에 형성되는 것이 바람직하다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 상기 반사 방지 부재가 형성된 부분으로부터는 발광소자로부터의 발광이 보다 강하고 기판 외부에 방출된다.The anti-reflection member is for mounting a light emitting device having a recessed space as illustrated in FIG. 20 or 21 in addition to the surface on which the light emitting device mounting substrate according to the present invention is mounted as shown in FIG. 19. It can be formed in arbitrary positions according to a suitable purpose, such as the side surface which forms the recessed space of a board | substrate, or the lid | cover of the board | substrate for light emitting element mounting which has a recessed space. 34, it can also be formed also inside the board | substrate which consists of a sintered compact which has a ceramic material as a main component as shown in FIG. It is preferable that the antireflection member is usually formed on the surface of the light emitting element mounting substrate of the light emitting element mounting substrate. When the substrate for mounting a light emitting element is a flat plate as a position where the antireflection member is formed, it is preferable to form the surface on the side on which the light emitting element of the substrate is mounted. That is, if the substrate for mounting the light emitting element has a recessed space, the side of the surface where the light emitting element is mounted, the sidewall of the recessed space on the side where the light emitting element is mounted, or the side where the light emitting element of the lid is mounted It is preferable to be formed in a surface. From the portion where the antireflection member is formed for the light emitting element mounting substrate according to the present invention, light emission from the light emitting element is stronger and is emitted outside the substrate.

또한 상기 반사 방지 부재에 대해 「투명」이라고 하는 의미는 광투과율이 적어도 30%이상인 것을 의미한다. 해 투명한 반사 방지 부재는 통상 유리나 수지 혹은 무기 결정 등과 같이 빛을 직선적으로 투과하는 재료, 혹은 각종 무기 소결체 재료 등과 같이 소결체 내부의 다결정 입자에 의해 빛을 산란빛으로서 투과하는 재료, 등에서 된다. 이러한 반사 방지 부재의 투명성은 발광소자 탑재용 기판에 형성되는 두께에 의해 변화하지만, 어떠한 두께여도 형성되고 있는 상태로 광투과율이 30%이상인 것이 반사 방지 부재로서 기능하는데 있어서는 바람직하다. 예를 들면 발광소자 탑재용 기판에 형성되고 있는 두께가 10 nm정도의 얇은 것으로 있어도 그 두께 상태로 광투과율이 30%보다 작으면 본 발명에 의한 반사 방지 부재로서는 바람직하지 않다. 반대로 발광소자 탑재용 기판에 형성되고 있는 두께가 100μm정도의 비교적 두꺼운 것으로 있어도 그 두께 상태로 광투과율이 30%이상이면 본 발명에 의한 반사 방지 부재로서 바람직하다. 상기 반사 방지 부재의 광투과율은 50%이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 상기 반사 방지 부재의 광투과율은 80%이상인 것이 게다가 바람직하다. 반사 방지 부재의 두께는 어떠한 것이어도 괜찮지만 통상 1 nm이상의 범위에서 그 광투과성의 우열과 함께 적당 선택된다. 반사 방지 부재의 두께는 어떠한 것이어도 괜찮지만 통상 1 nm~100μm의 범위의 것을 이용하는 것이 실용상 바람직하다.In addition, the meaning of "transparent" with respect to the said antireflection member means that light transmittance is at least 30% or more. The transparent antireflection member is usually made of a material that transmits light linearly, such as glass, resin, or inorganic crystals, or a material that transmits light as scattered light by polycrystalline particles inside the sintered body, such as various inorganic sintered materials. Although the transparency of such an antireflection member varies with the thickness formed on the substrate for mounting a light emitting element, it is preferable to function as an antireflection member having a light transmittance of 30% or more in a state where any thickness is formed. For example, even if the thickness formed on the substrate for mounting a light emitting element is as thin as about 10 nm, if the light transmittance is less than 30% in the thickness state, it is not preferable as the antireflection member according to the present invention. On the contrary, even if the thickness formed in the light emitting element mounting substrate is relatively thick, about 100 μm, the light transmittance of 30% or more in the thickness state is preferable as the antireflection member according to the present invention. As for the light transmittance of the said antireflection member, it is more preferable that it is 50% or more. Moreover, it is further more preferable that the light transmittance of the said antireflection member is 80% or more. The thickness of the antireflective member may be any, but is usually appropriately selected along with its superior transmittance in the range of 1 nm or more. The thickness of the antireflection member may be any, but it is usually practical to use a thickness in the range of 1 nm to 100 µm.

또, 본 발명에 있어서의 반사 방지 부재의 상기 반사율, 굴절률, 광투과율은 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것이다.Moreover, the said reflectance, refractive index, and light transmittance of the antireflection member in this invention are with respect to the light of the range of wavelength 200nm-800nm at least.

이와 같이 본 발명에 대해 반사 방지 부재로서 상기 굴절률이 2.3 이하로, 요약하면 투명해, 한층 더 요약하면 반사율을 15%이하가 될 수 있는 재료를 이용하는 것이 바람직하다.As described above, it is preferable for the antireflection member to use a material having the above refractive index of 2.3 or less, which is transparent in summary, and further summarizes the reflectance of 15% or less.

도 19, 도 20, 도 21, 도 34에 본 발명에 의한 반사 방지 부재의 형성되고 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판의 단면도가 예시되어 있다. 도 18은 반사 방지 부재의 효과를 보다 설명하기 쉽게 하기 위한 발광소자 탑재용 기판의 단면도이며, 도 18에 나타나고 있는 발광소자 탑재용 기판 20은 반사 방지 부재가 형성되기 전 상태를 나타내고 있다. 도 19에 나타내는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 20 및 도 20, 도 21, 도 34에 나타내는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 30에는 반사 방지 부재 70이 형성되고 있다.19, 20, 21, and 34 illustrate cross-sectional views of a substrate for mounting a light emitting element using a sintered body composed mainly of a ceramic material on which an antireflection member according to the present invention is formed. FIG. 18 is a cross-sectional view of the light emitting element mounting substrate for facilitating the effect of the antireflection member, and the light emitting element mounting substrate 20 shown in FIG. 18 shows a state before the antireflection member is formed. The light emitting element mounting substrate 20 which consists of the sintered compact which has the ceramic material shown in FIG. Is being formed.

또, 도 18은 반사 방지 부재가 형성되기 전의 발광소자 탑재용 기판에 탑재된 발광소자를 예시하고 있다. 도 19, 도 20, 도 21, 및 도 34는 반사 방지 부재가 형성된 발광소자 탑재용 기판에 탑재된 발광소자를 예시하고 있다.18 exemplifies a light emitting element mounted on a light emitting element mounting substrate before the antireflection member is formed. 19, 20, 21, and 34 illustrate light emitting elements mounted on a light emitting element mounting substrate on which antireflection members are formed.

도 18에 대해 발광소자 21로부터의 발광은 상기 발광소자가 탑재되고 있는 면측으로의 방출광 22로 상기 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대측의 면에의 방출광 73으로서 기판 외부에 방출된다. 도 18에 대해, 발광소자 21이 탑재되고 있는 기판면에 조사되고 있는 광60은 그 일부가 상기 기판면에서 반사되고 반사광 61로서 발광소자가 탑재된 기판면측의 기판 외부에 방출되기 쉽다. 따라서 발광소자 21이 탑재되고 있는 기판면에 조사되고 있는 광60이 기판을 투과하여 발광소자가 탑재되고 있는 기판면과는 반대의 기판면측으로부터 기판 외부에 방출되는 광73은 약한 것이 되기 쉽다. 또한 반사 방지 부재가 형성되어 있지 않은 경우 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판면에 조사되는 광60으로부터의 반사광 61의 강도는 상기 광 60에 대해서 최대 15%정도이다.18, light emission from the light emitting element 21 is emitted to the outside of the substrate as light emitted from the light emitting element 21 onto the surface side on which the light emitting element is mounted, and emitted light 73 on the surface opposite to the surface on which the light emitting element is mounted. 18, part of the light 60 irradiated onto the substrate surface on which the light emitting element 21 is mounted is easily reflected from the substrate surface and emitted to the outside of the substrate on the substrate surface side on which the light emitting element is mounted as reflected light 61. Therefore, the light 73 emitted from the substrate surface on which the light emitting element 21 is mounted passes through the substrate and is emitted to the outside of the substrate from the substrate surface side opposite to the substrate surface on which the light emitting element is mounted. In addition, when the antireflection member is not formed, the intensity of the reflected light 61 from the light 60 irradiated to the light emitting element mounting substrate surface composed of a sintered body composed mainly of ceramic material is about 15% at maximum.

또한 상기도 18에 있어서의 방출광 73은, 이하 도 19, 도 20, 도 21, 도 34로 나타나는 반사 방지 부재가 형성되기 전의 기판 부분을 투과하여 기판 외부에 방출되는 광71로 반사 방지 부재가 형성되지 않는 부분의 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 광72와의 합계이다.The emission light 73 in FIG. 18 is light 71 emitted through the substrate portion before the antireflection member shown in FIGS. 19, 20, 21, and 34 is formed and emitted outside the substrate. It is the sum of the light 72 passing through the substrate of the portion not formed and emitted outside the substrate.

도 19에 대해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 20에는 반사 방지 부재 70이 형성되고 있다. 상기 반사 방지 부재 70은 발광소자 21이 탑재되고 있는 기판면에 형성되고 있다. 도 19에 대해 발광소자가 탑재되고 있는 기판면에 조사되고 있는 광60은 기판 표면에서의 반사가 억제되기 때문에 거의 반사되지 않고 기판을 투과하여 발광소자가 탑재되고 있는 기판면과는 반대의 기판면측으로부터 기판 외부에 방출되므로, 반사 방지 부재가 형성되고 있는 기판 부분으로부터의 방출광 74의 강도는 도 18과 같이 반사 방지 부재가 형성되기 전 상태의 방출광 71과 비교해 커진다. 따라서 발광소자 21이 탑재되고 있는 기판면과는 반대의 기판면측으로부터 기판 외부에 방출되는 전부의 방출광 73의 강도도 큰 것이 된다. 또한 상기도 19에 있어서의 방출광 73은, 도 19로 나타나는 반사 방지 부재가 형성되는 부분의 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 광74로 반사 방지 부재가 형성되지 않는 부분의 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 광72와의 합계이다.19, the antireflection member 70 is formed on the light emitting element mounting substrate 20 composed of a sintered body composed mainly of a ceramic material. The antireflection member 70 is formed on the substrate surface on which the light emitting element 21 is mounted. 19, the light 60 irradiated onto the substrate surface on which the light emitting element is mounted is hardly reflected, so that the light 60 irradiated on the substrate surface is transmitted to the substrate and is opposite to the substrate surface on which the light emitting element is mounted. Since the light is emitted outside the substrate from the substrate, the intensity of the emitted light 74 from the portion of the substrate on which the antireflective member is formed is larger than the emitted light 71 before the antireflective member is formed as shown in FIG. Therefore, the intensity of all the emitted light 73 emitted outside the substrate from the substrate surface side opposite to the substrate surface on which the light emitting element 21 is mounted is also large. Further, the emission light 73 in FIG. 19 passes through the substrate in the portion where the antireflective member shown in FIG. 19 is formed and passes through the substrate in the portion where the antireflective member is not formed by light 74 emitted outside the substrate. It is the sum of the light 72 emitted to the outside.

이와 같이 도 19에 대해, 반사 방지 부재 70이 형성되고 있는 경우 발광소자로부터 기판면에 조사되는 광60은 기판 표면에서의 반사가 억제되므로 도 18과 같이 반사 방지 부재가 형성되어 있지 않은 경우에 비해 효율적으로 발광소자 탑재용 기판 20을 투과하여 발광소자가 탑재되고 있는 반대측의 면으로부터 기판 외부에 의해 강한 광74로서 방출된다.As described above with reference to FIG. 19, when the antireflection member 70 is formed, the light 60 irradiated from the light emitting element to the substrate surface is suppressed from the surface of the substrate. It efficiently penetrates through the light emitting element mounting substrate 20 and is emitted as strong light 74 from the surface on the opposite side on which the light emitting element is mounted by the outside of the substrate.

또한 반사 방지 부재가 형성되고 있는 발광소자 탑재용 기판으로서는, 도 19에 그려져 있듯이 발광소자 21로부터 조금은 될 수 있던 기판면에 반사 방지 부재가 형성되고 있는 것 뿐만이 아니고 발광소자 21의 부근의 기판면 혹은 발광소자 탑재 부분의 기판면에 형성되고 있는 것도 본 발명에 포함된다. 즉, 반사 방지 부재는 발광소자 탑재용 기판 표면의 어떠한 위치에도 형성할 수 있어 형성된 반사 방지 부재의 효과는 기판 표면의 형성 위치에 영향을 받지 않고 동일한 효과를 가진다. 또, 반사 방지 부재 70은 형성되는 면적이 기판 면적에 대해서 그 비율이 높으면 발광소자가 탑재되는 기판면과 반대의 기판면 측에서의 방출광 73을 보다 증가시키고 쉬워진다.As the light emitting element mounting substrate on which the antireflective member is formed, not only the antireflective member is formed on the substrate surface that can be a little from the light emitting element 21 as shown in Fig. 19, but also the substrate surface in the vicinity of the light emitting element 21 or Also included in the substrate surface of the light emitting element mounting portion is included in the present invention. That is, the antireflection member can be formed at any position on the surface of the light emitting element mounting substrate so that the effect of the antireflection member formed has the same effect without being influenced by the formation position of the substrate surface. In addition, when the area to be formed has a high ratio with respect to the substrate area, the antireflection member 70 increases the emission light 73 at the side of the substrate surface opposite to the substrate surface on which the light emitting element is mounted, and becomes easier.

도 20은 음푹패인 공간(캐비티)이 형성되고 있는 발광소자 탑재용 기판에 반사 방지 부재가 형성되고 있는 예를 나타낸다. 도 20에 대해 음푹패인 공간 31을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 30의 음푹패인 공간을 형성하는 측벽에 반사 방지 부재 70이 형성되고 있다. 또 도 20에 대해 뚜껑 32의 발광소자 탑재측의 면의 일부에도 상기 반사 방지 부재 70이 형성되고 있다. 발광소자 21로부터 음푹패인 공간을 형성하는 측벽 부분 및 뚜껑에 향하여 조사되는 광90은 측벽 및 뚜껑에 형성되고 있는 반사 방지 부재 70으로 거의 반사되는 일 없이 기판을 투과하여 광91로서 기판 외부에 방출된다. 도 20에 나타나듯이 반사 방지 부재가 형성되고 있는 부분으로부터 기판 외부에 방출 되는 광91은, 반사 방지 부재가 형성되기 전에 비해보다 강도의 큰 것이 되기 쉽다.20 shows an example in which an antireflection member is formed on a light emitting element mounting substrate on which a recessed space (cavity) is formed. The anti-reflection member 70 is formed in the side wall which forms the recessed space of the light emitting element mounting board | substrate 30 which consists of a sintered compact which has a ceramic material which has a recessed space 31 as a main component in FIG. 20, the said antireflection member 70 is formed also in a part of the surface of the light emitting element mounting side of the lid 32. As shown in FIG. Light 90 emitted from the light emitting element 21 toward the side wall portion and the lid forming the recessed space is transmitted to the outside of the substrate as light 91 through the substrate with almost no reflection by the antireflection member 70 formed on the side wall and the lid. . As shown in FIG. 20, the light 91 emitted outside the substrate from the portion where the antireflection member is formed is likely to be greater in intensity than before the antireflection member is formed.

도 21은 반사 방지 부재가 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판에 형성되고 있는 예를 나타낸다. 반사 방지 부재 70은 음푹패인 공간 31을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 30의 발광소자가 탑재되고 있는 면 및 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측벽 전체에 형성되고 있다. 또 뚜껑 32의 발광소자 탑재측의 면전체에도 반사 방지 부재 70이 형성되고 있다.21 shows an example in which the antireflection member is formed on a light emitting element mounting substrate having a recessed space (cavity). The antireflection member 70 is formed on the surface on which the light emitting element of the light emitting element mounting substrate 30 composed of a sintered body mainly composed of a ceramic material having a recessed space 31 and the sidewalls forming the recessed space. The antireflection member 70 is also formed on the entire surface of the lid 32 on the light emitting element mounting side.

본 발명에 대해 상기 반사 방지 부재의 형성되는 발광소자 탑재용 기판으로서 도 19에 나타나는 평판 모양의 것 뿐만이 아니고, 예를 들면 도 7, 도 13에 예시되고 있듯이 평판 모양의 것에 도통 비아가 형성되고 있는 것도 20 및 도 21에 예시되고 있듯이 단지 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 것 뿐만이 아니고, 도 8, 도 14, 도 15, 도 16에 예시되고 있듯이 음푹패인 공간을 가지는 형상의 것에 도통 비아가 형성되고 있는 것, 등을 들 수 있다. 이들 발광소자용 기판에 대해, 통상 반사 방지 부재는 상기 발광소자 탑재용 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 측의 면에 형성되는 것이 바람직하다. 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 봉지 등에 사용하는 뚜껑에 대해서는, 봉지때의 가열로 반사 방지 부재와 봉지재 등이 반응해 변질하는 경우 등 상기 반사 방지 부재는 발광소자가 탑재되는 반대측의 면에 형성되어도 괜찮다.In the present invention, not only the flat plate shape shown in Fig. 19 as the light emitting element mounting substrate on which the anti-reflection member is formed, but also conductive vias are formed on the flat plate shape as illustrated in Figs. As shown in FIGS. 20 and 21, not only a recessed space (cavity) but also a conductive via is formed in a shape having a recessed space as illustrated in FIGS. 8, 14, 15, and 16. What exists, etc. can be mentioned. With respect to these light emitting element substrates, it is usually preferable that the antireflection member is formed on the surface of the light emitting element mounting side of the light emitting element mounting substrate. For a lid used for encapsulation of a substrate for mounting a light emitting element having a recessed space, the antireflective member may be formed on the opposite side on which the light emitting element is mounted, such as when the antireflection member and the encapsulant react and deteriorate due to heating at the time of encapsulation. It may be formed on the cotton.

상기 반사 방지 부재로서 이용되는 투명해 굴절률이 비교적 작은 재료로서 예를 들면 석영 유리, 고규산 유리, 소다 석회 유리, 납소다 유리, 칼리 유리, 납칼리 유리, 아르미노 규산염 유리, 붕규산 유리, 무알칼리 유리, 카르코겐 화물 유리, 테르라이드가라스, 인산염 유리, 랜턴 유리, 리튬 함유 유리, 바륨 함유 유리, 아연 함유 유리, 불소 함유 유리, 납함유 유리, 질소 함유 유리, 게르마늄 함유 유리, 크라운 유리, 붕산 크라운 유리, 겹크라운 유리, 희토류 원소 혹은 니오브, 탄 탈을 포함한 크라운 유리, 납유리, 경납유리, 겹납유리, 희토류 원소 혹은 니오브, 탄 탈을 포함한 납유리, 땜납 유리, 광학유리, 각종 결정화 유리 등의 유리 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 유리 재료는 얇은 막 상태 혹은 후막상 혹은 판 모양 등 각종 형태의 것을 이용할 수가 있다.As a transparent material having a relatively small refractive index used as the antireflection member, for example, quartz glass, high silica glass, soda lime glass, lead soda glass, kali glass, lead-caliber glass, amino silicate glass, borosilicate glass, alkali-free Glass, Cargogen Cargo Glass, Teride Glass, Phosphate Glass, Lantern Glass, Lithium Glass, Barium Glass, Zinc Glass, Fluorine Glass, Leaded Glass, Nitrogen Glass, Germanium Glass, Crown Glass, Boric Acid Crown glass, double-crowned glass, rare earth element or niobium, crown glass containing tantalum, lead glass, braze glass, laminated glass, rare earth element or niobium, lead glass containing tantalum, solder glass, optical glass, and various crystallized glass It is preferable to use a material. Such a glass material can use various forms, such as a thin film | membrane state, thick film form, or plate shape.

또, 상기 반사 방지 부재로서 예를 들면 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 비스마레이미드트리아진 수지(BT레진), 불포화 폴리에스텔, PTFE나 PFA 혹은 FEP 혹은 PVdF등의 불소 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리 메틸 메타크릴레이트 수지(PMMA), 스틸렌아크릴로니트릴 공중합 수지(SAN), 아릴 지그 리콜 카보네이트 수지(ADC), 우레탄 수지, 티오 우레탄 수지, 디알릴 프탈레이트 수지(DAP), 폴리스티렌, 폴리 에테르 에테르 케톤(PEEK), 폴리에틸렌 나프타 레이트(PEN), 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리 아미드이미드(PAI), 포화 폴리에스텔, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리카보네이트(polycarbonate)(PC), 폴리아미드, 폴리페닐렌 술피드(PPS), 폴리페닐렌 에테르(PPE), 폴리페닐렌 옥사이드(PPO), 포리에이테르이미드(PEI), 폴리에텔술폰(PES), 포리메치르펜텐(PMP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌 비닐 알 코올 공중합체, 포리스르혼, 폴리아릴레이트, 디알릴 프탈레이트, 폴리아세탈등의 중으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 수지 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 수지 재료는 얇은 막 상태 혹은 후막상 혹은 판 모양 등 각종 형태의 것을 이용할 수가 있다.As the antireflection member, for example, an epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a phenol resin, a bismarademid triazine resin (BT resin), an unsaturated polyester, a fluorine resin such as PTFE or PFA or FEP or PVdF, Acrylic resins, methacryl resins, polymethyl methacrylate resins (PMMA), styrene acrylonitrile copolymer resins (SAN), aryl zigole carbonate resins (ADC), urethane resins, thiourethane resins, diallyl phthalate resins (DAP) , Polystyrene, polyether ether ketone (PEEK), polyethylene naphtharate (PEN), thermoplastic polyimide resin, polyamideimide (PAI), saturated polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), Polycarbonate (PC), polyamide, polyphenylene sulfide (PPS), polyphenylene ether (PPE), polyphenylene oxide (PPO), polyether (PEI), polyethersulfone (PES), polymethyrpentene (PMP), polyethylene (PE), polypropylene (PP), ethylene vinyl alcohol copolymer, polysulfone, polyarylate, diallyl phthalate, poly It is preferable to use the resin material which has at least 1 or more types chosen from among acetal etc. as a main component. Such a resin material can use various forms, such as a thin film | membrane state, thick film form, or plate shape.

또, 상기 반사 방지 부재로서 예를 들면 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), strontium(Sr), 바륨(Ba), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 랜턴(La), 세륨(Ce), 프라세오지움(Pr), 네오짐(Nd), 사마리움(Sm), 유로피움(Eu), 가드리니움(Gd), 디스프로시움(Dy), 호르미움(Ho), 에르비움(Er), 잇테르비움(Yb), 르테치움(Lu), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 니오브(Nb), 탄 탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 아연(Zn), 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인지움(In), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 중으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 등의 무기 재료로 이루어지는 박막, 후막, 단결정 혹은 다결정체, 소결체 등으로 해서 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 등의 무기 재료는 결정질 상태의 것 뿐만이 아니라 무정형 상태의 것도 이용할 수 있다. 이러한 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 등의 무기 재료는 얇은 막 상태 혹은 후막상 혹은 판 모양 등 각종 형태의 것 이용할 수가 있지만, 통상 피막장으로 이용하는 것이 바람직하다. 상기 예시한 반사 방지 부재로서 이용할 수 있는 재료는 굴절률 2.3 이하의 것이 바람직하지만, 본 발명의 반사 방지 부재로서 이용할 수 있는 것은 상기 재료에 한정하지 않고, 형성하는 상대의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하 거나 혹은 그것 이하로 한층 더 요약하면 투명한 재료이면 어떠한 것이어도 괜찮다.As the antireflection member, for example, beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), scandium (Sc), yttrium (Y), lantern (La), Cerium (Ce), Praseium (Pr), Neozim (Nd), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gardnium (Gd), Disprosium (Dy), Hormium (Ho) , Erbium (Er), Itterbium (Yb), Lethium (Lu), Zirconium (Zr), Hafnium (Hf), Niobium (Nb), Tantalum (Ta), Molybdenum (Mo), Tungsten (W) Choose from zinc (Zn), boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), antimony (Sb) It is preferable to use it as a thin film, a thick film, a single crystal or polycrystal, a sintered compact, etc. which consist of inorganic materials, such as a metal oxide, metal nitride, and metal carbide which have at least 1 sort (s) as a main component. Inorganic materials such as metal oxides, metal nitrides and metal carbides can be used not only in the crystalline state but also in the amorphous state. Inorganic materials such as metal oxides, metal nitrides, and metal carbides can be used in various forms such as thin films, thick films, or plate shapes, but are preferably used as a coating film. The material that can be used as the anti-reflection member exemplified above is preferably refractive index of 2.3 or less, but the material that can be used as the anti-reflection member of the present invention is not limited to the above-mentioned material, but the sintered body whose main component is a counterpart ceramic material to be formed In summary, equal to or below the refractive index, any material may be used.

이러한 반사 방지 부재의 발광소자 탑재용 기판에의 형성 방법은 상기 각종 유리 재료, 수지 재료, 무기 재료를 판 모양 혹은 박장으로 한 것을 예를 들면 접착제, 땜납, 납재 등을 이용하거나 압착하는 등에 의해 상기 발광소자 탑재용 기판에 접합하는 방법, 상기 각종 유리 재료, 수지 재료, 무기 재료를 스팩터, 증착, 이온 도금, 도금, CVD, 스핀 코트 등에서 얇은 막 상태로 한 것을 상기 발광소자 탑재용 기판에 접합하는 방법, 혹은 상기 각종 유리 재료, 무기 재료를 주성분으로 하는 분말 페이스트나 콜로이드 용액 겔 페이스트 등을 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 동시 소성에 의해 형성한다, 혹은 벌써 제작된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 상기 각종 유리 재료, 수지 재료, 무기 재료를 주성분으로 하는 분말 페이스트나 콜로이드 용액 겔 페이스트 등을 나중에 새기거나 접착하는 것 등에 의해 상기 발광소자 탑재용 기판에 접합하는 방법, 등이 있어 적당 선정할 수 있다.The method of forming such a reflection preventing member on a substrate for mounting a light emitting element is one in which the various glass materials, resin materials, and inorganic materials are plate-shaped or thin, for example, by use of adhesives, solders, solders, or the like. A method of joining to a substrate for mounting a light emitting element, and bonding the above-mentioned various glass materials, resin materials, and inorganic materials to a thin film state by sputtering, vapor deposition, ion plating, plating, CVD, spin coating, etc., to the substrate for mounting a light emitting element Or a powder paste or a colloidal solution gel paste mainly composed of the above-mentioned various glass materials and inorganic materials by co-firing with a sintered body composed mainly of a ceramic material, or a sintered body composed mainly of a manufactured ceramic material as a main component Powder paste or colloid mainly containing the above-mentioned various glass materials, resin materials, and inorganic materials Solution gel paste, etc. how to engrave or bonded to the substrate for mounting the light emitting element or the like to the adhesive later, there is such can be suitably selected.

통상 상기 반사 방지 부재로서 알루미나, 실리카, 마그네시아 등의 피막을 이용하는 것이 매우 적합하다. 또, 상기 반사 방지 부재 중에서 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 질화 규소를 주성분으로 하는 소결체, 혹은 탄화규소를 주성분으로 하는 소결체, 혹은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체 등의 비산화물을 주성분으로 하는 소결체의 자기 산화 피막도 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 상기 자기 산화 피막은 모재인 상기 비산화물을 주성분으로 하는 소결체의 반사율 을 15%이하로 저하할 수가 있다. 상기 자기 산화 피막은 통상 상기 비산화물을 주성분으로 하는 소결체를 예를 들면 700℃~1500℃이라고 하는 고온의 대기중등의 산화 분위기중에서 가열하는 것으로 용이하게 형성할 수 있다. 상기 자기 산화 피막은 예를 들면 산화 알루미늄 혹은 산화 규소 등으로 이루어져 모재인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 질화 규소를 주성분으로 하는 소결체, 혹은 탄화규소를 주성분으로 하는 소결체, 혹은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체 등의 비산화물을 주성분으로 하는 소결체와의 밀착성은 높다. 상기 자기 산화 피막은 산화 알루미늄 혹은 산화 규소 혹은 산화 갈륨 등에서 완성되므로 자외선의 파장 영역까지의 빛에 대한 투과성도 높기 때문에 바람직하고 두께도 10μm 이하의 것이 용이하게 얻을 수 있다.Usually, it is very suitable to use a film of alumina, silica, magnesia or the like as the antireflection member. In the anti-reflection member, a sintered body having a non-oxide as a main component such as a sintered body composed mainly of aluminum nitride, a sintered body composed mainly of silicon nitride, a sintered body composed mainly of silicon carbide, or a sintered body composed mainly of gallium nitride A self-oxidizing film can also be used suitably. The self-oxidizing film can reduce the reflectance of the sintered compact mainly composed of the non-oxide as a base material to 15% or less. The self-oxidizing film can be easily formed by heating a sintered body mainly containing the non-oxide in a oxidizing atmosphere such as a high temperature atmosphere such as 700 ° C to 1500 ° C. The self-oxidizing film is made of, for example, aluminum oxide or silicon oxide, and has a sintered body composed of aluminum nitride as a main component, a sintered body composed mainly of silicon nitride, or a sintered body composed mainly of silicon carbide, or gallium nitride as a main component. Adhesiveness with the sintered compact which has a non-oxide as a main component, such as a sintered compact, is high. Since the self-oxidizing film is made of aluminum oxide, silicon oxide, gallium oxide, or the like, the permeability to light up to the wavelength range of ultraviolet light is also high, and a thickness of 10 μm or less can be easily obtained.

상기 반사 방지 부재는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해서 도 19, 도 20, 도 21에 예시한 것처럼 발광소자가 탑재되고 있는 면, 혹은 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측면, 혹은 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 뚜껑 등 적당 목적에 따라 임의의 위치에 형성할 수 있다. 본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용할 수가 있으므로 상기 반사 방지 부재는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부에 있어도 그 반사 방지 기능을 발현할 수 있다. 광투과성을 가지는 기판을 이용하는 것으로 반사 방지 부재가 형성된 기판 내부에까지 발광소자로부터의 빛이 도달해 상기 반사 방지 부재에 의한 반사 방지 기능을 발현할 수 있다.The anti-reflective member is formed on the surface on which the light emitting element is mounted or the recessed surface of the light emitting element mounting substrate having a recessed space as illustrated in FIGS. 19, 20, and 21 with respect to the light emitting element mounting substrate according to the present invention. It can be formed in arbitrary positions according to a suitable purpose, such as the side surface which forms a space, or the lid | cover of the board | substrate for light emitting element mounting which has a recessed space. Since the sintered body containing the light-transmitting ceramic material as a main component can be used as the substrate for mounting the light emitting element in the present invention, the antireflection member can exhibit its antireflection function even inside the sintered body containing the ceramic material as the main component. . By using a substrate having light transparency, light from the light emitting element can reach the inside of the substrate on which the antireflection member is formed, thereby exhibiting an antireflection function by the antireflection member.

반사 방지 부재를 발광소자 탑재용 기판 내부에 형성하는 방법은 상기 각종 유리 재료, 수지 재료, 무기 재료를 판 모양 혹은 박장으로 한 것을 예를 들면 상기 발광소자 탑재용 기판으로 사이에 두어 접착제, 땜납, 납재 등을 이용하거나 압착하는 등에 의해 접합하는 방법, 상기 각종 유리 재료, 수지 재료, 무기 재료를 스팩터, 증착, 이온 도금, 도금, CVD, 스핀 코트 등에서 얇은 막 상태로 한 것을 2이상의 발광소자 탑재용 기판에 형성 후 이들 발광소자 탑재용 기판 상호를 접합하는 방법, 혹은 상기 각종 유리 재료, 무기 재료를 주성분으로 하는 분말 페이스트나 콜로이드 용액 겔 페이스트 등을 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 동시 소성에 의해 형성하는 방법, 혹은 벌써 제작된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 상기 각종 유리 재료, 수지 재료, 무기 재료를 주성분으로 하는 분말 페이스트나 콜로이드 용액 겔 페이스트 등을 나중에 새기거나 접착하는 등에 의해 2이상의 발광소자 탑재용 기판에 형성될 수 있는 발광소자 탑재용 기판 상호를 접합하는 방법, 등이 있어 적당 선정할 수 있다.The method of forming the antireflection member inside the light emitting element mounting substrate includes an adhesive, solder, sandwiching the various glass materials, resin materials, and inorganic materials in the form of a plate or a thin film, for example, the light emitting element mounting substrate. Two or more light emitting elements mounted on a thin film by sputtering, vapor deposition, ion plating, plating, CVD, spin coating, or the like, by joining by use of a brazing material or by crimping or the like. After the formation on the substrate for use, the method of joining the substrates for mounting the light emitting elements, or the powder paste or the colloidal solution gel paste containing the above various glass materials and inorganic materials as main components and the sintered body containing the ceramic materials as the main components are co-fired. The above-mentioned various glass materials in the sintered compact which has a method of forming or a ceramic material which has already been manufactured as a main component, A method of bonding together light emitting device mounting substrates that can be formed on two or more light emitting device mounting substrates by carving or bonding a resin paste or a powder paste mainly composed of an inorganic material or a colloidal solution gel paste, etc. There is a fitness to choose.

도 34에는 반사 방지 부재가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부에 형성한 예가 나타나고 있다. 도 34에 대해 반사 방지 부재 70은 음푹패인 공간 31을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 30의 발광소자가 탑재되고 있는 부분의 내부 및 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측벽 33의 내부에 형성되고 있다.34 shows an example in which the antireflection member is formed inside a sintered body composed mainly of a ceramic material. 34, the anti-reflection member 70 is formed on the inside of the portion on which the light emitting element is mounted and on the recessed space of the light emitting element mounting substrate 30 composed of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a recessed space 31. As shown in FIG. It is formed inside.

이와 같이 상기 반사 방지 부재는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 또는 표면 어느쪽이든 한편에 형성할 수가 있고, 한층 더 세라믹 재료를 주성 분으로 하는 소결체의 내부 및 표면의 양쪽 모두에 동시에 형성할 수도 있다.In this manner, the antireflection member can be formed on either the inside or the surface of the sintered body containing the ceramic material as a main component, and can be formed simultaneously on both the inside and the surface of the sintered body containing the ceramic material as the main component. .

상기와 같이, 본 발명에 대해 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하고 한층 더 상기 발광소자 탑재용 기판에 반사 방지 부재를 형성하는 것으로, 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재된 기판면측 뿐만이 아니라 상기 발광소자가 탑재된 면과는 반대의 기판면측에도 방출되고 발광소자 주위의 모든 공간 방향으로 효율적으로 방출하는 것이 가능해졌다.As described above, in the present invention, a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material is used as a substrate for mounting a light emitting element, and an antireflection member is further formed on the substrate for mounting a light emitting element, thereby emitting light from the light emitting element. Is emitted not only on the substrate surface side on which the light emitting element is mounted, but also on the substrate surface side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted, and it is possible to efficiently emit in all spatial directions around the light emitting element.

또한 본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 반사 방지 부재를 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 반드시 광투과성을 가지는 것이 아니어도 발광소자로부터의 빛의 방출 방향을 제어하는 것이 가능하다. 즉 광투과성이 없는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체여도 반사 방지 부재를 형성하는 것으로써 발광소자 탑재용 기판으로서 이용할 수가 있다.In the present invention, the sintered body mainly composed of the ceramic material on which the above-mentioned antireflection member is used as the substrate for mounting the light emitting element can control the emission direction of light from the light emitting element even if it does not necessarily have light transmittance. That is, even if it is a sintered compact mainly containing a ceramic material without light transmittance, it can be used as a board | substrate for light emitting element mounting by forming an antireflection member.

한편, 본 발명에 의한 반사 부재의 형성되고 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하고 발광소자 탑재용 기판에 광반사 기능을 부가하는 것으로, 발광소자로부터의 발광을 특정의 방향에 의해 강하게 방출시키는 일도 가능하다. 반사 기능을 발광소자 탑재용 기판에 부여해 발광소자로부터의 발광의 일부 또는 전부를 반사시키는 것으로, 상기 발광소자로부터의 발광이 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판을 투과하여 상기 발광소자가 탑재된 면과는 반대의 기판면측에 방출되는 것을 촉진 혹은 억제하는 것이 가능하다. 즉, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 반사 기능이 부여되어 있지 않은 경우에 비해 발광소자 탑재용 기판의 발광소자 탑재측의 면으로부터 보다 강한 발광을 방출할 수도 있고, 혹은 발광소자 탑재용 기판의 발광소자 탑재측의 면으로부터만 발광을 방출할 수 있다. 반대로, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 반사 기능이 부여되어 있지 않은 경우에 비해 발광소자 탑재용 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 반대측의 면으로부터 보다 강한 발광을 방출할 수도 있고, 혹은 발광소자 탑재용 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 반대측의 면으로부터만 발광을 방출할 수 있다. 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 대해 그 표면에서 발광소자로부터의 빛(즉, 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛)을 최대 15%정도 밖에 반사하지 않는 경우가 많다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 형성하는 반사 부재로서는 반사 기능을 높이기 위해서 발광소자로부터의 발광에 대해서 적어도 15%이상의 반사율을 가지는 것을 이용하는 것이 바람직하다. 또 발광소자로부터의 발광에 대한 반사율이 50%이상의 재료를 이용하는 것이 보다 바람직하다. 또 발광소자로부터의 발광에 대한 반사율이 70%이상의 재료를 이용하는 것이 게다가 바람직하다. 또 발광소자로부터의 발광에 대한 반사율이 80%이상의 재료를 이용하는 것이 가장 바람직하다. 또한 상기 발광소자로부터의 발광에 대한 반사율과는 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 반사율이다. 또, 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 반사율과는 파장 200 nm~800 nm의 범위의 어느쪽이든 특정의 파장의 빛으로 측정된 반사율을 의미한다. 본 발명에 대해 특별히 제한하지 않는 한 통상 파장 605 nm의 빛에 대한 반사율을 이용했다. 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 형성되는 반사 부재의 반사율이 상기 범위에 있으면 발광소자로부터의 발광에 대해서 충분한 반사 기능을 발현할 수 있다. 이와 같이 본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판에 광반사 기능을 부가하는 것으로 발광소자 주위의 모든 공간 방향에 대해서 상기 발광소자로부터의 발광의 힘을 비교적 용이하게 제어하는 것이 가능해진다.On the other hand, by using a sintered body composed mainly of the ceramic material formed of the reflective member of the present invention as a light emitting element mounting substrate and adding a light reflection function to the light emitting element mounting substrate, light emission from the light emitting element is identified. It is also possible to emit strongly by the direction. By reflecting a part or all of the light emission from the light emitting device by applying a reflecting function to the light emitting device mounting substrate, the light emitting device mounting substrate comprising a sintered body whose main component is light emission from the light emitting device It is possible to promote or suppress the emission to the substrate surface side opposite to the surface on which the light emitting element is mounted. That is, compared with the case where the reflection function is not provided to the light emitting element mounting substrate according to the present invention, stronger light emission may be emitted from the surface of the light emitting element mounting side of the light emitting element mounting substrate, or the light emitting element mounting substrate The light emission can be emitted only from the surface on the light emitting element mounting side of. On the contrary, compared with the case where the reflection function is not provided to the light emitting element mounting substrate according to the present invention, stronger light emission may be emitted from the surface on the opposite side where the light emitting element of the light emitting element mounting substrate is mounted, or the light emitting element Light emission can be emitted only from the surface on the opposite side on which the light emitting element of the mounting substrate is mounted. In the case of a substrate made of a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material, only a maximum of 15% of light from the light emitting element (that is, light having a wavelength in the range of 200 nm to 800 nm) is reflected on the surface thereof. many. As the reflective member formed on the light emitting element mounting substrate according to the present invention, it is preferable to use one having a reflectance of at least 15% or more with respect to light emission from the light emitting element in order to enhance the reflection function. Moreover, it is more preferable to use the material whose reflectance with respect to light emission from a light emitting element is 50% or more. Moreover, it is further preferable to use a material having a reflectance of 70% or more with respect to light emission from the light emitting element. It is most preferable to use a material having a reflectance of 80% or more with respect to light emission from the light emitting element. In addition, the reflectance with respect to the light emission from the light emitting device is at least reflectance with respect to light in the range of 200 nm to 800 nm. Moreover, the reflectance with respect to the light of the range of 200 nm-800 nm of wavelengths means the reflectance measured with the light of a specific wavelength either in the range of 200 nm-800 nm of wavelengths. Unless the present invention is particularly limited, the reflectance of light having a wavelength of 605 nm is usually used. When the reflectance of the reflecting member formed on the light emitting element mounting substrate according to the present invention is within the above range, it is possible to express a sufficient reflecting function with respect to light emission from the light emitting element. Thus, by adding the light reflection function to the light emitting element mounting substrate in the present invention, it becomes possible to relatively easily control the force of light emission from the light emitting element in all spatial directions around the light emitting element.

본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 상기 반사 부재를 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 광투과성을 가지는 것이어도 괜찮고 광투과성을 가지지 않는 것으로 있어도 괜찮고, 발광소자로부터의 빛의 방출 방향을 제어하는 것이 가능하다. 즉 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성의 유무에 관계없이 상기 소결체에 반사 부재를 형성하는 것으로써 발광소자 탑재용 기판으로서 이용할 수가 있다.In the present invention, the sintered body mainly composed of the ceramic material on which the reflective member used as the substrate for mounting a light emitting element is formed may be light transmissive or may be non-light transmissive, and the direction of light emission from the light emitting element may be determined. It is possible to control. That is, it is possible to use as a substrate for mounting a light emitting element by forming a reflective member on the sintered body regardless of the light transmittance of the sintered body composed mainly of the ceramic material.

발광소자 탑재용 기판으로서 상기 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 경우, 반사 부재를 형성한 것을 이용하는 것이 바람직하다. 상기 흑색, 재흑색, 회색, 갈색, 황색, 녹색, 청색, 팥색, 적색 등에 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서는 예를 들면 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속, 혹은 카본 등의 성분을 포함하는 것이 통상 이용된다. 즉, 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 백색 등 착색하고 있지 않는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 비교해 통상 소결체 표면에 있어서의 빛의 반사율이 작고, 상기 천이 금속이나 카본 등에 의해 상기 소결체의 내부에 진입한 빛을 흡수하기 쉬운 성질이 되기 쉽기 때문에, 상기 소결체 표면에서 반사되는 빛의 강도를 높이기 위해서 상기 소결체의 발광소자로부터의 빛을 가능한 한 효율적으로 반사시킬 필요가 있다. 그 때문에 상기 소결체에 반사 부재를 형성한 것을 이용하면 반사 부재가 형성되어 있지 않은 것에 비해 상기 소결체 표면에서의 반사를 향상할 수 있으므로 상기 착색한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 반사된 빛의 강도가 높아진다.As a light emitting element mounting substrate, when using a sintered body composed mainly of the ceramic material colored in black, red black, gray, brown, yellow, green, blue, reddish red, red, or the like, it is preferable to use one having a reflective member. Examples of the sintered body whose main component is a ceramic material colored in black, ash black, gray, brown, yellow, green, blue, adzuki bean, red, etc., for example, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, iron, nickel, chromium And those containing components such as transition metals such as manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc, or carbon. In other words, the sintered body having the colored ceramic material as a main component has a smaller reflectance of light on the surface of the sintered body, as compared with the sintered body having the main component as the ceramic material which is not colored, such as white. Since it is easy to absorb the light entering into, it is necessary to reflect the light from the light emitting element of the sintered body as efficiently as possible in order to increase the intensity of the light reflected on the surface of the sintered body. Therefore, when the reflecting member is formed in the sintered compact, the reflection on the surface of the sintered compact can be improved as compared with that in which the reflecting member is not formed. Therefore, the intensity of light reflected from the sintered compact composed of the colored ceramic material Increases.

본 발명에 대해 상기 반사 부재의 형성되고 있는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용한 예로서 도 22, 도 23, 도 24, 도 35를 나타낸다. 도 22, 도 23, 도 24는 본 발명에 의한 반사 부재가 형성되고 있는 발광소자 탑재용 기판을 나타내는 단면도이다. 본 발명에 의한 반사 부재가 형성되고 있는 발광소자 탑재용 기판으로서는 도 22로 나타나는 평판 모양의, 혹은 도 23 및 도 24로 나타나는 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 것 뿐만이 아니고, 예를 들면 도 7, 도 13에 예시되고 있듯이 평판 모양의 것에 도통 비아 40이 형성되고 있는 것도 8, 도 14, 도 15, 도 16에 예시되고 있듯이 음푹패인 공간을 가지는 형상의 것에 도통 비아 40이 형성되고 있는 것, 등을 들 수 있다. 상기 반사 부재는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해서 도 22, 도 23, 도 24에 예시한 것처럼 발광소자가 탑재되고 있는 기판면, 혹은 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측면, 혹은 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 뚜껑 등 적당 목적에 따라 임의의 위치에 형성할 수 있다. 또, 반사 부재는 필요에 따라서 세라믹 재료를 주성분으로 하 는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 내부에도 형성할 수가 있다. 도 35에 반사 부재가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판의 내부에 형성된 예를 나타낸다. 통상상기 반사 부재는 상기 발광소자 탑재용 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 기판면에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 반사 부재의 형성 위치로서 발광소자 탑재용 기판이 평판 모양의 경우는 상기 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 측의 기판 표면에, 또 발광소자 탑재용 기판이 음푹패인 공간을 가지는 것이면 발광소자가 탑재되고 있는 측의 기판 표면, 혹은 발광소자가 탑재되고 있는 측의 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측벽, 혹은 뚜껑의 발광소자가 탑재되고 있는 측의 면에 형성되는 것이 바람직하다.22, 23, 24, and 35 are shown as an example of using the sintered compact mainly composed of the ceramic material formed of the reflective member as the substrate for mounting the light emitting element. 22, 23, and 24 are cross-sectional views showing a substrate for mounting a light emitting element on which a reflective member according to the present invention is formed. As the light emitting element mounting substrate on which the reflective member according to the present invention is formed, not only has a flat plate shape shown in Fig. 22 or a recessed space (cavity) shown in Figs. 23 and 24, for example, Fig. 7, As illustrated in FIG. 13, the conductive via 40 is formed in a flat plate shape, and the conductive via 40 is formed in a shape having a recessed space as illustrated in FIGS. 8, 14, 15, and 16. Can be mentioned. The reflecting member is a substrate for mounting a light emitting element according to the present invention, as shown in Figs. 22, 23 and 24, the substrate surface on which the light emitting element is mounted, or a light emitting element mounting substrate having a recessed space (cavity). It can be formed in any position according to a suitable purpose, such as the side surface which forms the recessed space of the, or the lid | cover of the board | substrate for light emitting element mounting which has a recessed space (cavity). Moreover, the reflecting member can be formed also inside the light emitting element mounting substrate which consists of a sintered compact which mainly uses a ceramic material as needed. 35 shows an example in which the reflective member is formed inside the light emitting element mounting substrate made of the sintered body containing the ceramic material as a main component. Usually, the reflective member is preferably formed on the surface of the substrate on which the light emitting element of the light emitting element mounting substrate is mounted. In the case where the light emitting element mounting substrate is formed as a flat plate as the position where the reflective member is formed, the light emitting element is mounted on the surface of the substrate on which the light emitting element is mounted, and when the light emitting element mounting substrate has a recessed space. It is preferable that it is formed in the surface of the board | substrate on the side being formed, the side wall which forms the recessed space of the side in which the light emitting element is mounted, or the surface of the side in which the light emitting element of the lid is mounted.

또, 도 22, 도 23, 도 24 및 도 35는 반사 부재가 형성된 발광소자 탑재용 기판에 탑재된 발광소자를 예시하고 있다.22, 23, 24, and 35 illustrate light emitting elements mounted on a light emitting element mounting substrate on which a reflective member is formed.

도 22는 반사 부재가 형성된 발광소자 탑재용 기판의 예를 나타내는 단면도이다. 반사 부재가 형성되고 있는 것의 효과를 보다 명확하게 하기 위해서, 반사 부재가 형성되기 전의 발광소자 탑재용 기판으로서 앞에서 본 도 18을 재차 이용해 비교하면서 설명한다. 도 18에 나타나고 있는 발광소자 탑재용 기판 20은 반사 부재가 형성되기 전 상태를 나타내고 있다. 즉, 도 18에 대해 발광소자 21로부터의 발광은 상기 발광소자가 탑재되고 있는 면측으로의 방출광 22로 상기 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대측의 면에의 방출광 73으로서 기판 외부에 방출된다. 도 18에 대해, 발광소자 21이 탑재되고 있는 기판면에 조사되고 있는 광60은 그 일부가 상기 기판면에서 반사되고 반사광 61로서 발광소자가 탑재된 기판면측의 기판 외부에 방출되기 쉽다. 또 기판면에 조사되고 있는 광60의 대부분은 기판을 투과하여 발광소자가 탑재되고 있는 기판면과는 반대의 기판면측으로부터 기판 외부에 광71로서 방출되기 쉽다. 또한 반사 부재가 형성되어 있지 않은 경우 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판면에 조사되는 광60으로부터의 반사광 61의 강도는 상기 광 60에 대해서 최대 15%정도이다.22 is a cross-sectional view illustrating an example of a substrate for mounting a light emitting element on which a reflective member is formed. In order to clarify the effect of the reflection member being formed, the above description will be made while comparing FIG. 18 seen above again as the substrate for mounting the light emitting element before the reflection member is formed. The light emitting element mounting substrate 20 shown in FIG. 18 shows a state before the reflection member is formed. That is, with reference to Fig. 18, light emission from the light emitting element 21 is emitted to the outside of the substrate as light emitted from the light emitting element 21 onto the surface side on which the light emitting element is mounted as emission light 73 on the surface opposite to the surface on which the light emitting element is mounted. . 18, part of the light 60 irradiated onto the substrate surface on which the light emitting element 21 is mounted is easily reflected from the substrate surface and emitted to the outside of the substrate on the substrate surface side on which the light emitting element is mounted as reflected light 61. Most of the light 60 irradiated to the substrate surface is easily transmitted to the outside of the substrate from the substrate surface side opposite to the substrate surface on which the light emitting element is mounted through the substrate. In addition, when the reflection member is not formed, the intensity of the reflected light 61 from the light 60 irradiated to the light emitting element mounting substrate surface composed of the sintered body containing the ceramic material as a main component is about 15% at maximum.

한편, 도 22에 나타나듯이 발광소자 탑재용 기판 20에 반사 부재 80이 형성되고 있으면 발광소자 21로부터의 발광 중 발광소자가 탑재되고 있는 면에 조사되는 광60은 반사광 81이 되어 발광소자가 탑재되고 있는 면측의 기판 외부에 방출되기 쉽다. 상기 반사광 81의 강도는 반사 부재가 형성되어 있지 않은 경우의 반사광 61(도 18에 나타나고 있다)의 강도에 비해 높다. 따라서 발광소자 탑재용 기판에 반사 부재 80이 형성되고 있으면 발광소자 21로부터의 발광은 반사 부재가 형성되어 있지 않은 경우에 비해보다 많이 발광소자 21이 탑재되고 있는 면측으로부터 방출된다. 도 22에 나타나듯이 반사 부재 80이 형성되는 것으로, 발광소자 21로부터의 발광 중 발광소자가 탑재되고 있는 면에 조사되는 광60은 발광소자 21이 탑재되고 있는 면측에 반사된다. 따라서 반사 부재 80이 형성되는 것으로, 발광소자 탑재용 기판 20을 투과하여 발광소자가 탑재되고 있는 반대의 기판면측으로부터 방출되는 광82는, 반사 부재가 없는 경우에 비해 약한 빛으로서 기판 외부에 방출되든가 혹은 실질적으로 기판 외부에 방출되지 않게 되는 경우가 생긴다.On the other hand, when the reflective member 80 is formed on the substrate 20 for mounting the light emitting element as shown in FIG. It is easy to be discharged to the outside of the substrate on the surface side. The intensity of the reflected light 81 is higher than that of the reflected light 61 (shown in FIG. 18) when the reflective member is not formed. Therefore, when the reflecting member 80 is formed on the light emitting element mounting substrate, the light emitted from the light emitting element 21 is emitted more from the surface on which the light emitting element 21 is mounted than in the case where the reflecting member is not formed. As shown in FIG. 22, the reflective member 80 is formed, and the light 60 irradiated to the surface on which the light emitting element is mounted during light emission from the light emitting element 21 is reflected on the surface side on which the light emitting element 21 is mounted. Therefore, the reflective member 80 is formed, and the light 82 transmitted through the substrate 20 for mounting the light emitting element and emitted from the opposite side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted is emitted to the outside of the substrate as light that is weaker than without the reflective member. Or it may not be discharged substantially outside the board | substrate.

또한 반사 부재가 형성되고 있는 발광소자 탑재용 기판으로서는, 도 22에 그려져 있듯이 발광소자 21로부터 조금은 될 수 있던 기판면에 반사 부재 80이 형성 되고 있는 것 뿐만이 아니고 발광소자 21의 부근의 기판면 혹은 발광소자 탑재 부분의 기판면에 형성되고 있는 것도 본 발명에 포함된다. 즉, 반사 부재는 발광소자 탑재용 기판 표면의 어떠한 위치에도 형성할 수 있어 형성된 반사 부재의 효과는 기판 표면의 형성 위치에 영향을 받지 않고 동일한 효과를 가진다. 또, 반사 부재 80은 형성되는 면적이 기판 면적에 대해서 그 비율이 높으면 반사광 81이 증대해 발광소자가 탑재되는 기판면 측에서의 방출빛을 보다 증가시키고 쉬워진다.As the light emitting element mounting substrate on which the reflecting member is formed, not only the reflecting member 80 is formed on the substrate surface that can be a little from the light emitting element 21 as shown in FIG. What is formed in the board | substrate surface of an element mounting part is also included in this invention. That is, the reflective member can be formed at any position on the surface of the light emitting element mounting substrate, so that the effect of the formed reflective member has the same effect without being influenced by the formation position of the substrate surface. In addition, when the reflecting member 80 has a high ratio with respect to the substrate area, the reflected light 81 increases, which makes it easier to increase the emitted light on the substrate surface side on which the light emitting element is mounted.

도 23에 대해, 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판 30에는 반사 부재 80이 형성되고 있다. 반사 부재 80은 음푹패인 공간을 형성하는 측벽과 뚜껑 32의 발광소자가 탑재되고 있는 측의 면과에 형성되고 있다. 상기 반사 부재 80은 발광소자가 탑재되고 있는 기판면에는 형성되어 있지 않다. 도 23에 대해 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판 30의 음푹패인 공간을 형성하는 측벽에 반사 부재 80이 형성되고 있다. 또 도 23에 대해 뚜껑 32의 발광소자 탑재측의 면의 일부에도 상기 반사 부재 80이 형성되고 있다. 발광소자 21로부터 상기 반사 부재 80이 형성되고 있는 측벽 부분과 뚜껑에 향하여 조사되는 발광 90은 반사 부재로 반사되고 반사 부재가 형성되고 있는 측벽과 뚜껑의 부분으로부터 기판 외부에 방출되는 빛의 강도는 작아지기 쉽다. 상기 발광 90은 음푹패인 공간의 내부에서 반사광 83이 되어 반사 부재의 형성되어 있지 않은 기판 부분을 투과하여 방출광 84가 되어 기판 외부에 방출된다. 도 23에 나타나듯이 반사 부재가 형성되고 있을 때에 발광소자 탑재면으로부터 기판 외부에 방출되는 광84는, 반사 부재가 형성되어 있지 않은 경우에 비해보다 강도의 큰 것이 되기 쉽다.23, the reflective member 80 is formed in the light emitting element mounting board | substrate 30 which has a recessed space (cavity). The reflective member 80 is formed in the side wall which forms the space which is dented, and the surface of the side in which the light emitting element of the lid 32 is mounted. The reflective member 80 is not formed on the substrate surface on which the light emitting element is mounted. The reflective member 80 is formed in the side wall which forms the recessed space of the light emitting element mounting board | substrate 30 which has a recessed space with respect to FIG. 23, the said reflection member 80 is formed also in a part of the surface of the light emitting element mounting side of the lid 32. As shown in FIG. The light emitted from the light emitting element 21 toward the side wall portion and the lid on which the reflective member 80 is formed is reflected by the reflective member and the intensity of light emitted from the side wall and the lid portion on which the reflective member is formed to the outside of the substrate is small. Easy to lose The light emission 90 becomes reflected light 83 inside the recessed space, passes through the portion of the substrate not formed of the reflective member, and becomes emission light 84 and is emitted outside the substrate. As shown in Fig. 23, the light 84 emitted from the light emitting element mounting surface to the outside of the substrate when the reflecting member is formed tends to be greater in intensity than in the case where the reflecting member is not formed.

도 24는, 반사 부재가 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판에 접합되고 있는 뚜껑의 발광소자 탑재측의 면전체에 형성되고 있는 모습을 예시하는 것이다. 도 24에 대해 반사 부재 80은 뚜껑 32의 발광소자 탑재측의 면전체에 형성되고 있다. 도 23으로 예시한 발광소자 탑재용 기판에 대해 뚜껑에 형성되고 있는 반사 부재 80은 상기 뚜껑의 일부 밖에 형성되어 있지 않지만, 도 24에 예시한 발광소자 탑재용 기판에 대해 반사 부재 80은 뚜껑의 전면에 형성되고 있다. 따라서 발광소자 21로부터 반사 부재 80이 형성되고 있는 측벽 부분과 뚜껑에 향하여 조사되는 발광 90은 반사 부재로 반사되고 상기 측벽 및 뚜껑으로부터 기판 외부에는 방출 되기 어려워지고 있다. 도 24에 대해, 반사 부재가 형성되고 있는 측벽과 뚜껑의 부분으로부터 기판 외부에 방출되는 빛의 강도는 작아지기 쉽다. 따라서 도 24에 대해 발광소자 21로부터 반사 부재 80이 형성되고 있는 측벽 부분과 뚜껑에 향하여 조사되는 발광 90은, 도 23으로 나타난 음푹패인 공간 내부의 반사광 83보다 강도의 높은 반사광 85가 되어 발광소자 탑재용 기판을 투과하여 보다 강도의 높은 광86이 되어 기판 외부에 방출된다. 도 24에 나타나듯이 반사 부재가 뚜껑의 전면에 형성되고 있을 때에 발광소자 탑재면으로부터 기판 외부에 방출되는 광86은, 도 23에 나타나듯이 반사 부재가 뚜껑의 일부 밖에 형성되어 있지 않은 것에 비해보다 강도의 큰 것이 되기 쉽다.FIG. 24 illustrates a state in which the reflective member is formed on the entire surface of the lid on the light emitting element mounting side of the lid bonded to the light emitting element mounting substrate having a recessed space. 24, the reflection member 80 is formed in the whole surface of the lid 32 light emitting element mounting side. The reflective member 80 formed on the lid with respect to the light emitting element mounting substrate illustrated in FIG. 23 is formed only a part of the lid. However, the reflective member 80 is the front surface of the lid with respect to the light emitting element mounting substrate illustrated in FIG. Is being formed. Therefore, the sidewall portion where the reflective member 80 is formed from the light emitting element 21 and the light emission 90 irradiated toward the lid are reflected by the reflective member and are hardly emitted from the sidewall and the lid to the outside of the substrate. 24, the intensity of light emitted to the outside of the substrate from the portion of the side wall and the lid on which the reflective member is formed tends to be small. Therefore, the light emitted from the light emitting element 21 from the light emitting element 21 from the light emitting element 21 and the side wall portion of the light emitting 90 is irradiated toward the lid, which is reflected light 85 having a higher intensity than the reflected light 83 in the recessed space shown in FIG. It penetrates the dragon substrate and becomes light 86 of higher intensity and is emitted outside the substrate. As shown in FIG. 24, the light 86 emitted from the light emitting element mounting surface to the outside of the substrate when the reflecting member is formed on the front surface of the lid is stronger than that of the reflecting member having only a part of the lid as shown in FIG. It is easy to become big.

또 도 24에 나타낸 발광소자 탑재용 기판에 대해, 발광소자 21로부터의 발광을 반사 부재로 거의 반사시켜 실질적으로 발광소자 탑재용 기판의 측면 및 뚜껑 32로부터는 기판 외부에 방출되지 않고 발광소자가 탑재되고 있는 기판면만으로부 터 방출하는 일도 가능해진다.In addition, the light emitting element mounting substrate shown in FIG. 24 reflects light emitted from the light emitting element 21 to the reflective member so that the light emitting element is mounted on the side surface and the lid 32 of the light emitting element mounting substrate without being substantially emitted to the outside of the substrate. It is also possible to discharge from only the substrate surface being used.

또한 반사 부재를 형성하는 것으로 발광소자로부터 발산되는 빛을 상기 반사 부재로 반사시키고 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 투과하지 않는 강한 빛으로서 기판 외부에 직접 방출할 수도 있다. 본 발명에 대해 기판을 형성하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 높은 광투과율을 가진 것이어도 발광소자로부터의 발광을 실질적으로 기판을 투과시키지 않고 기판 외부에 방출할 수 있다. 즉 본 발명에 대해 반사 부재를 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성하는 것으로 발광소자로부터의 발광 방향을 보다 세세하게 제어할 수가 있다.Also, by forming the reflective member, the light emitted from the light emitting element can be reflected by the reflective member and emitted directly to the outside of the substrate as strong light that does not pass through the substrate made of a sintered body composed mainly of ceramic material. In the present invention, even if the sintered body mainly composed of the ceramic material forming the substrate has a high light transmittance, light emitted from the light emitting element can be emitted outside the substrate without substantially transmitting the substrate. That is, according to the present invention, the reflection member is formed in a sintered body composed mainly of a ceramic material, whereby the light emission direction from the light emitting element can be more finely controlled.

상기 반사 기능은 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 용이하게 부여할 수 있다. 예를 들면 상기 반사 기능은 통상 각종 금속재료 혹은 합금 재료를 반사 부재로서 적당 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 형성하는 것으로 얻을 수 있다. 상기의 각종 금속재료 혹은 합금 재료로부터 구성되는 반사 부재는 발광소자로부터의 발광을 저손실로 반사할 수가 있다. 이러한 금속재료 혹은 합금 재료로서 예를 들면 적당 Be, Mg, Sc, Y, 희토류 금속, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi 등의 중으로부터 1종 이상을 주성분으로 하는 것을 사용할 수 있다. 이러한 금속 혹은 합금의 파장 605 nm의 빛에 대한 반사율은 통상 15%이상이며 충분히 반사 부재로서 사용할 수 있다. 이러한 금속재료 혹은 합금 재료는 단일층 뿐만이 아니라 다층화 한 상태에서도 사용할 수 있다. 금속재료 혹은 합금 재료를 다층화해 제작한 반사 재료는 다른 재료 상호여도 좋고 동일한 재료를 다층화해 형성한 것이어도 좋다. 상기 재료의 다층화 방법도 도금이나 스핀 코트, 침지 코트, 인쇄 등의 방법을 이용할 수가 있어 요약하면 다층화 후 적당 열처리를 베푸는 일도 실시할 수가 있다. 예를 들면 다층화 된 재료로서 텅스텐 혹은 몰리브덴 혹은 동 등을 주성분으로 한 동시 소성에 의한 메탈라이즈에 니켈 도금이나 금도금을 베푸는 것에 의해 형성된 것이어도 좋다. 또 이러한 금속재료, 합금 재료는 결정질 상태의 것 뿐만이 아니라 무정형 상태의 것도 이용할 수 있다. 이러한 금속재료 혹은 합금 재료 중 Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt 중으로부터 선택된 1종 이상을 주성분으로 하는 금속 혹은 합금이 파장 605 nm의 빛에 대한 반사율이 50%이상으로 높은 것이 이득이나 비는 손실이 작기 때문에 바람직하다. 또, 상기 금속재료 혹은 합금 재료 중 Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt 중으로부터 선택된 1종 이상을 주성분으로 하는 금속 혹은 합금이 파장 605 nm의 빛에 대한 반사율이 70%이상과 보다 높게 손실이 한층 더 작기 때문에 바람직하다. 이들 금속 혹은 합금 속에서 동/텅스텐, 동/몰리브덴, 은/텅스텐, 은/몰리브덴, 금/텅스텐, 금/몰리브덴 등 Cu, Ag, Au와 W, Mo와의 합금 등도 모든 조성 범위에 대해 파장 605 nm의 빛에 대한 반사율이 50%이상의 것이 이득 쉽고 한층 더 조성에 따라서는 반사율이 70%이상과 보다 높은 것도 얻을 수 있으므로 반사 부재로서 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 상기 예시한 반사율 70%이상의 14 종류의 금속 혹은 합금 중 Rh, Pd, Os, Ir, Pt등의 백금족 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 금속 또는 합금은 제작 조건에 의해 반사율 80%이상의 것을 얻을 수 있으므로 바람직하다. 또, 이들 반사율 70%이상의 금속 혹은 합금 재료 중 Cu, Ag, Au, Al를 주성분으로 하는 금속 혹은 합금은 파장 605 nm의 빛에 대한 반사율 80%이상의 높은 것이 이득이나 비는 손실이 가장 작기 때문에 바람직하다.　The reflection function can be easily given to the light emitting element mounting substrate according to the present invention. For example, the above-described reflection function can be obtained by forming various metal materials or alloy materials on a light emitting element mounting substrate made of a sintered body mainly composed of a suitable light transmissive ceramic material as a reflection member. The reflective member composed of the above various metal materials or alloy materials can reflect light emitted from the light emitting element with low loss. As such metal materials or alloy materials, for example, suitable Be, Mg, Sc, Y, rare earth metals, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, etc. Can be used. The reflectance of such a metal or alloy with respect to light having a wavelength of 605 nm is usually 15% or more and can be sufficiently used as a reflecting member. Such a metal material or alloy material can be used not only in a single layer but also in a multilayered state. The reflective material produced by multilayering a metal material or an alloy material may be formed from different materials or may be formed by multilayering the same material. As the method of multilayering the above materials, methods such as plating, spin coating, immersion coat, printing, and the like can be used. In summary, appropriate heat treatment after multilayering can also be performed. For example, the multilayered material may be formed by applying nickel plating or gold plating to metallization by simultaneous firing mainly composed of tungsten, molybdenum, copper, or the like. These metal materials and alloy materials can be used not only in the crystalline state but also in the amorphous state. Among these metal materials or alloy materials, at least one selected from Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt as a main component It is preferable that the metal or alloy has a high reflectance of 50% or more for light having a wavelength of 605 nm because the gain and the ratio are small. In addition, among the metal materials or alloy materials, metals or alloys containing at least one selected from Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, and Pt as main components It is preferable because the reflectance for light having a wavelength of 605 nm is 70% or more and higher and the loss is much smaller. Copper / tungsten, copper / molybdenum, silver / tungsten, silver / molybdenum, gold / tungsten, gold / molybdenum, and other alloys with Cu, Ag, Au, W, Mo, etc. It is easy to obtain that the reflectance with respect to the light of 50% or more is easy to obtain, and further, depending on the composition, it is possible to obtain the reflectance of 70% or more and higher, and thus it can be used as a reflective member. Among 14 kinds of metals or alloys having a reflectance of 70% or more, the metals or alloys whose main components are at least one selected from platinum groups such as Rh, Pd, Os, Ir, and Pt are those having a reflectance of 80% or more depending on manufacturing conditions. It is preferable because it can be obtained. Of these metals or alloy materials having a reflectance of 70% or more, Cu or Ag, Au, or Al are mainly composed of metals or alloys having a high reflectance of 80% or more with respect to light having a wavelength of 605 nm because the gain and ratio are smallest. Do.

이와 같이 상기 각종 금속 혹은 합금 재료는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 형성하는 반사 부재로서 이용했을 경우 발광소자로부터의 발광에 대한 양호한 반사 기능을 가진다.As described above, when the various metals or alloy materials are used as reflecting members formed on the light emitting element mounting substrate according to the present invention, they have a good reflecting function for light emission from the light emitting element.

또, 본 발명에 대해 예를 들면 반사 부재로서 매우 적합하게 이용되는 상기 각종 금속재료 혹은 합금 재료가 상기 전기 회로를 형성하는 도전성 재료와 동질의 재료인 경우 등, 상기 전기 회로의 일부를 반사 부재로서 이용할 수가 있다.Moreover, a part of said electric circuit is used as a reflective member, for example, when the said various metal material or alloy material used suitably as a reflective member is a material of the same quality as the electroconductive material which forms the said electric circuit. It is available.

상기 각종 금속재료 혹은 합금 재료로 이루어지는 반사 부재를 발광소자 탑재용 기판에 형성하기 위한 방법은 상기 금속재료 혹은 합금 재료의 판 혹은 박을 상기 발광소자 탑재용 기판에 예를 들면 접착제, 땜납, 납재 등을 이용하거나 압착하는 등에 의해 접합하는 방법, 상기 금속재료 혹은 합금 재료를 스팩터, 증착, 이온 도금, 도금, CVD, 침지법, 스핀 코트 등에서 얇은 막 상태로 한 것을 상기 발광소자 탑재용 기판에 접합하는 방법, 상기 금속재료 혹은 합금 재료를 주성분으로 하는 분말 페이스트를 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 동시 소성에 의해 형성하는 혹은 벌써 제작된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새기는 것으로 후막으로서 상기 발광소자 탑재용 기판에 접합하는 방법, 등이 있어 적 당 선정할 수 있다. 상기와 같은 반사 부재의 두께는 어떠한 것이어도 괜찮지만 통상 1 nm이상이면 충분히 효과를 발휘할 수 있다. 또 1 nm이상이면 어떠한 두께여도 괜찮지만 실용상은 통상 100μm 이하, 또 10μm 이하인 것이 바람직하다.The method for forming a reflective member made of the various metal materials or alloy materials on a light emitting element mounting substrate includes a plate or foil of the metal material or alloy material on the light emitting element mounting substrate, for example, an adhesive, solder, a solder material, or the like. Bonding to the light emitting device mounting substrate using a method of joining by pressing or by pressing, or by forming the metal material or alloy material into a thin film by sputtering, vapor deposition, ion plating, plating, CVD, dipping, spin coating, or the like. Or a powder paste containing the metal material or alloy material as a main component, which is formed by co-firing with a sintered body containing a ceramic material as a main component or later sintered into a sintered body containing a manufactured ceramic material as a main component, as the thick film. The method of joining to a mounting board, etc. can be selected suitably. The thickness of the reflective member as described above may be any, but can be sufficiently effective as long as it is usually 1 nm or more. Moreover, as long as it is 1 nm or more, what kind of thickness may be sufficient, but practically it is preferable that it is 100 micrometers or less normally, and 10 micrometers or less.

본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에의 상기 반사 기능의 부여는 상기 발광소자 탑재용 기판에 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료를 이용하는 것도 비교적 용이하게 실시할 수가 있다. 예를 들면 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 질화 알루미늄인 경우, 굴절률 2.1이상의 재료를 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성하는 것으로 반사율이 비약적으로 향상하기 쉽다. 또, 예를 들면 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 산화 알루미늄인 경우, 굴절률 1.7이상의 재료를 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성하는 것으로 반사율이 비약적으로 향상하기 쉽다. 실제 본 발명에 대해 발광소자로부터의 발광(즉, 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛)은 상기 반사 부재로서 이용되는 굴절률 2.1이상의 재료를 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 및 굴절률 1.7이상의 재료를 형성한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 반사율이 비약적으로 향상하는 것이 찾아내졌다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 자신, 혹은 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 자신의 반사율은 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 최대 15%정도이며 통상은 10%~15%이지만, 각각 굴절률 2.1이상의 재료 및 굴절률 1.7이상의 재료를 형성하는 것으로 비약적으로 증대한다. 예를 들면 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해 서 굴절률이 2.4~2.8의 TiO2를 주성분으로 하는 피막을 스팩터 등으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성한 것에서는 반사율이 80%이상으로 향상한다. 또, 예를 들면 굴절률이 1.9~2.1의 ZnO를 주성분으로 하는 피막을 스팩터 등으로 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성한 것에서는 반사율이 80%이상으로 향상하고, 피막인 TiO2 자신 혹은 ZnO 자신의 반사율은 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 각각 최대 20%정도이며 통상은 10%~20%이지만, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 및 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성하는 것으로 각각 단독으로는 볼 수 없는 반사율의 비약적인 향상을 달성된다. 이것은 아마 상기 피막과 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 혹은 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와의 계면에서 전반사가 생기기 때문에 반사율의 비약적인 향상이 초래되는 것이라고 추측된다. 반사 부재로서 이러한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료를 이용하는 것으로 전반사가 생기고 쉬워진다고 생각되므로 발광소자로부터의 발광을 용이하게 방향 제어할 수 있다. 이러한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료를 이용한 반사 기능은 전반사에 의해 발현된다고 생각되므로 발광소자로부터의 발광을 거의 손실하는 일 없이 방향 제어해 기판 외부에 방출할 수 있게 되어 바람직하다. 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료를 이용하는 것으로 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 30%이상으 로 향상하기 쉬워지므로 바람직하다. 반사 부재로서 이용하는 재료의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률보다 작으면 상기 재료가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율이 저하하기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 이것은 상기 반사 부재와 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와의 계면에서의 전반사가 상기 반사 부재의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상으로 생기기 때문이라고 추측된다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률보다 적어도 0.2이상 큰 것으로 있는 것이 보다 바람직하다. 반사 부재의 굴절률로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률보다 적어도 0.2이상 큰 재료가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 50%이상으로 향상하기 쉽다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률보다 적어도 0.3이상 큰 것으로 있는 것이 게다가 바람직하다. 반사 부재의 굴절률로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률보다 적어도 0.3이상 큰 재료가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 70%이상으로 향상하기 쉽다.In order to impart the reflection function to the light emitting element mounting substrate according to the present invention, a material having a refractive index equal to or higher than that of the main component of the sintered body whose main component is a ceramic material used for the light emitting element mounting substrate may be used. It can be carried out relatively easily. For example, in the case where the main component of the sintered body containing the ceramic material as the main component is aluminum nitride, the reflectance can easily be remarkably improved by forming a material having a refractive index of 2.1 or more on the sintered body containing the aluminum nitride as the main component. For example, in the case where the main component of the sintered body containing the ceramic material as the main component is aluminum oxide, the reflectance is easily improved significantly by forming a material having a refractive index of 1.7 or more in the sintered body containing the aluminum oxide as the main component. Indeed, in the present invention, light emission from a light emitting element (i.e., light having a wavelength of at least 200 nm to 800 nm) is a sintered body mainly composed of aluminum nitride formed with a material having a refractive index of 2.1 or more, and a refractive index of 1.7. It has been found that the reflectance is remarkably improved with respect to a sintered body containing aluminum oxide as a main component of the above materials. The reflectance of the sintered compact itself mainly composed of aluminum nitride or aluminum oxide, or the sintered compact itself mainly composed of aluminum oxide, is about 15% maximum for light in the wavelength range of 200 nm to 800 nm, and is usually 10% to 15%, but the refractive index is 2.1. Significantly increases by forming the above material and a material having a refractive index of 1.7 or more. For example, when a film containing TiO2 having a refractive index of 2.4 to 2.8 as a main component for a light having a wavelength in the range of 200 nm to 800 nm is formed on a sintered body composed of aluminum nitride as a main component, the reflectance is 80% or more. To improve. For example, in the case where a film mainly composed of ZnO having a refractive index of 1.9 to 2.1 is formed on a sintered body containing aluminum oxide as a main component, the reflectance is improved to 80% or more, and the film is TiO2 itself or ZnO itself. Reflectance is about 20% at maximum for light in the wavelength range of 200 nm to 800 nm, and is usually 10% to 20%, but is formed on a sintered body composed of aluminum nitride and a sintered body composed mainly of aluminum oxide. A significant improvement in reflectance, which cannot be seen alone, is achieved. This is presumably because total reflection occurs at the interface between the coating film and the sintered body containing aluminum nitride as a main component or the sintered body containing aluminum oxide as a main component. It is considered that total reflection occurs and becomes easier by using a material having a refractive index equal to or higher than that of the main component of the sintered body including such a ceramic material as the reflective member, so that light emission from the light emitting element can be easily controlled. Since the reflection function using a material having a refractive index equal to or higher than that of the main component of the sintered body having such a ceramic material as the main component is thought to be expressed by total reflection, the substrate is controlled by directional control with almost no loss of light emission from the light emitting element. It is desirable to be able to release to the outside. By using a material having a refractive index equal to or higher than that of the main component of the sintered body including the ceramic material as a main component, the reflectance of the sintered body composed mainly of the ceramic material used as the substrate for mounting the light emitting element is improved to 30% or more. Since it becomes easy, it is preferable. When the refractive index of the material used as the reflecting member is smaller than the refractive index of the main component of the sintered body containing the ceramic material as the main component, the reflectance of the sintered body containing the ceramic material on which the material is formed as the main component tends to be lowered. This is presumably because the total reflection at the interface between the reflective member and the sintered body containing the ceramic material as the main component is the same as or higher than the refractive index of the main component of the sintered body containing the ceramic material as the main component. Moreover, it is more preferable that the refractive index of the said reflective member is at least 0.2 or more larger than the refractive index which the main component of the sintered compact which has a ceramic material as a main component has. The reflectance of the sintered compact mainly composed of a ceramic material having a material at least 0.2 or larger than the refractive index of the main component of the sintered compact having the ceramic material as the main component as the refractive index of the reflective member is easily improved to 50% or more. Moreover, it is further preferable that the refractive index of the said reflection member is at least 0.3 or more larger than the refractive index which the main component of the sintered compact which has a ceramic material as a main component has. As the refractive index of the reflective member, the reflectance of the sintered body mainly composed of the ceramic material on which the material formed at least 0.3 or more larger than the refractive index of the main component of the sintered body composed mainly of the ceramic material is easily improved to 70% or more.

예를 들면 굴절률 2.1이상의 재료가 형성된 질화 알루미늄 소결체의 반사율은 30%이상으로 향상하기 쉬워지므로 바람직하다. 반사 부재로서 이용하는 재료의 굴절률이 2.1보다 작으면 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 반사율이 저하하기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 이것은 상기 반사 부재와 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와의 계면에서의 전반사가 상기 반사 부재의 굴절률 2.1이상으로 생기기 때문이라고 추측된다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 2.3이상인 것이 보다 바람직하다. 굴절률 2.3이상의 재료가 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 50%이상으로 향상하기 쉽다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 2.4이상인 것이 게다가 바람직하다. 굴절률 2.4이상의 재료가 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 70%이상으로 향상하기 쉽다. 또, 예를 들면 굴절률 1.7이상의 재료가 형성된 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 30%이상으로 향상하기 쉬워지므로 바람직하다. 반사 부재로서 이용하는 재료의 굴절률이 1.7보다 작으면 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체 혹은 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체 혹은 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 반사율이 저하하기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 이것은 상기 반사 부재와 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체 혹은 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체 혹은 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체 혹은 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체와의 계면에서의 전반사가 상기 반사 부재의 굴절률 1.7이상으로 생기기 때문이라고 추측된다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 1.9이상인 것이 보다 바람직하다. 굴절률 1.9이상의 재료가 형성된 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분 으로 하는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 50%이상으로 향상하기 쉽다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 2.0이상인 것이 게다가 바람직하다. 굴절률 2.0이상의 재료가 형성된 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 70%이상으로 향상하기 쉽다.　For example, since the reflectance of the aluminum nitride sintered compact in which the material of refractive index 2.1 or more was formed becomes easy to improve to 30% or more, it is preferable. When the refractive index of the material used as a reflecting member is less than 2.1, since reflectance tends to fall when it forms in the sintered compact which has aluminum nitride as a main component, it is unpreferable. This is presumably because total reflection at the interface between the reflective member and the sintered body containing aluminum nitride as a main component occurs at a refractive index of 2.1 or more of the reflective member. Moreover, it is more preferable that the refractive index of the said reflection member is 2.3 or more. The reflectance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride on which a material having a refractive index of 2.3 or more is formed is easily improved to 50% or more. Moreover, it is further preferable that the refractive index of the said reflection member is 2.4 or more. The reflectance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride on which a material having a refractive index of 2.4 or more is formed is easily improved to 70% or more. Further, for example, a sintered body composed mainly of aluminum oxide having a material having a refractive index of 1.7 or more, a sintered body composed mainly of beryllium oxide, a sintered body composed of magnesium oxide, a sintered body composed of magnesium aluminate, and crystallized glass as main components Since the reflectance of the sintered compact made easy to improve to 30% or more is preferable. When the refractive index of the material used as the reflecting member is less than 1.7, the reflectance is formed in a sintered body composed mainly of aluminum oxide or beryllium oxide, a sintered body composed mainly of magnesium oxide, or a sintered body composed of magnesium aluminate as a main component It is not preferable because it is easy to lower. This is at the interface between the reflective member and the sintered body composed mainly of aluminum oxide, the sintered body composed mainly of beryllium oxide, the sintered body composed of magnesium oxide, the sintered body composed mainly of magnesium aluminate, or the sintered body composed mainly of crystallized glass It is assumed that the total reflection occurs at the refractive index of 1.7 or more of the reflection member. Moreover, it is more preferable that the refractive index of the said reflection member is 1.9 or more. The reflectances of a sintered compact composed of aluminum oxide with a refractive index of 1.9 or more, a sintered compact composed of beryllium oxide, a sintered compact composed of magnesium oxide, a sintered compact composed of magnesium aluminate, and a sintered compact composed of crystallized glass It is easy to improve to more than 50%. Moreover, it is further preferable that the refractive index of the said reflection member is 2.0 or more. The reflectances of a sintered body composed mainly of aluminum oxide having a refractive index of 2.0 or more, a sintered body composed of beryllium oxide, a sintered body composed of magnesium oxide, a sintered body composed of magnesium aluminate, and a sintered body composed of crystallized glass It is easy to improve to more than 70%.

게다가 예를 들면 굴절률 1.9이상의 재료가 형성된 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 30%이상으로 향상하기 쉬워지므로 바람직하다. 반사 부재로서 이용하는 재료의 굴절률이 1.9보다 작으면 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 반사율이 저하하기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 이것은 상기 반사 부재와 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체와의 계면에서의 전반사가 상기 반사 부재의 굴절률 1.9이상으로 생기기 때문이라고 추측된다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 2.1이상인 것이 보다 바람직하다. 굴절률 2.1이상의 재료가 형성된 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 50%이상으로 향상하기 쉽다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 2.2이상인 것이 게다가 바람직하다. 굴절률 2.2이상의 재료가 형성된 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 70%이상으로 향상하기 쉽다.Moreover, since the reflectance of the sintered compact mainly containing yttrium oxide in which the material of refractive index 1.9 or more was formed as main component becomes easy to improve to 30% or more, it is preferable. If the refractive index of the material used as the reflecting member is less than 1.9, the reflectance tends to decrease when formed in a sintered body containing yttrium oxide as a main component, which is not preferable. This is presumably because total reflection at the interface between the reflective member and the sintered body containing yttrium oxide as a main component occurs at a refractive index of 1.9 or more of the reflective member. Moreover, it is more preferable that the refractive index of the said reflection member is 2.1 or more. The reflectance of the sintered compact mainly composed of yttrium oxide on which a material having a refractive index of 2.1 or more is formed is easily improved to 50% or more. Moreover, it is further preferable that the refractive index of the said reflection member is 2.2 or more. The reflectance of the sintered compact mainly composed of yttrium oxide on which a material having a refractive index of 2.2 or more is formed is easily improved to 70% or more.

또, 예를 들면 굴절률 2.0이상의 재료가 형성된 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 30%이상으로 향상하기 쉬워지므로 바람직하다. 반사 부재로 서 이용하는 재료의 굴절률이 2.0보다 작으면 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 반사율이 저하하기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 이것은 상기 반사 부재와 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체와의 계면에서의 전반사가 상기 반사 부재의 굴절률 2.0이상으로 생기기 때문이라고 추측된다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 2.2이상인 것이 보다 바람직하다. 굴절률 2.2이상의 재료가 형성된 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 50%이상으로 향상하기 쉽다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 2.3이상인 것이 게다가 바람직하다. 굴절률 2.3이상의 재료가 형성된 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 70%이상으로 향상하기 쉽다.Moreover, since the reflectance of the sintered compact which has zinc oxide in which the material of refractive index 2.0 or more was formed as a main component becomes easy to improve to 30% or more, it is preferable. If the refractive index of the material used as the reflecting member is less than 2.0, it is not preferable because the reflectance tends to decrease when formed in a sintered body containing zinc oxide as a main component. This is presumably because total reflection at the interface between the reflective member and the sintered body containing zinc oxide as a main component occurs at a refractive index of 2.0 or more of the reflective member. Moreover, it is more preferable that the refractive index of the said reflection member is 2.2 or more. The reflectance of the sintered compact mainly composed of zinc oxide having a material having a refractive index of 2.2 or more is easily improved to 50% or more. Moreover, it is further preferable that the refractive index of the said reflection member is 2.3 or more. The reflectance of the sintered compact mainly composed of zinc oxide having a material having a refractive index of 2.3 or more is easily improved to 70% or more.

또, 예를 들면 굴절률 2.2이상의 재료가 형성된 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 30%이상으로 향상하기 쉬워지므로 바람직하다. 반사 부재로서 이용하는 재료의 굴절률이 2.2보다 작으면 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 반사율이 저하하기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 이것은 상기 반사 부재와 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체와의 계면에서의 전반사가 상기 반사 부재의 굴절률 2.2이상으로 생기기 때문이라고 추측된다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 2.4이상인 것이 보다 바람직하다. 굴절률 2.4이상의 재료가 형성된 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 50%이상으로 향상하기 쉽다. 또, 상기 반사 부재의 굴절률은 2.5이상인 것이 게다가 바람직하다. 굴절률 2.5이상의 재료가 형성된 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 70%이상으로 향상하기 쉽다.Moreover, since the reflectance of the sintered compact which has a zirconium oxide as a main component in which the material of refractive index 2.2 or more is formed as a main component becomes easy to improve to 30% or more, it is preferable. If the refractive index of the material used as the reflecting member is less than 2.2, the reflectance tends to decrease when formed in a sintered body containing zirconium oxide as a main component, which is not preferable. This is presumably because total reflection at the interface between the reflective member and the sintered body containing zirconium oxide as a main component occurs at a refractive index of 2.2 or more of the reflective member. Moreover, it is more preferable that the refractive index of the said reflection member is 2.4 or more. The reflectance of the sintered compact mainly composed of zirconium oxide having a material having a refractive index of 2.4 or more is easily improved to 50% or more. Moreover, it is further preferable that the refractive index of the said reflection member is 2.5 or more. The reflectance of the sintered compact mainly composed of zirconium oxide having a material having a refractive index of 2.5 or more is easily improved to 70% or more.

상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료로 이루어지는 반사 부재로서는 한층 더 광투과율 30%의 높은 재료인 것이 바람직하고, 상기 광투과율은 50%이상인 것이 보다 바람직하고, 상기 광투과율은 80%이상인 것이 게다가 바람직하다. 반사 부재로서 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료의 광투과율을 높이는 것으로 상기 반사 부재에 의한 발광소자로부터의 발광의 흡수나 산란 등을 방지해 상기 반사 부재의 전반사 기능이 보다 발현하기 쉬워진다. 또한 상기 굴절률 및 광투과율은 통상 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것이다. 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 반사 부재로서 예를 들면 금속 혹은 합금 재료, 원소 단체, 금속의 산화물, 금속의 질화물, 금속의 탄화물, 금속의 규소 화물 등을 주성분으로 하는 재료를 이용할 수가 있다. 보다 구체적으로는, 굴절률 1.7이상의 재료로서는 BeO, MgO, Al2O3, MgAl2O4, Y2O3 등의 희토류 원소 산화물, ZnO, ZrSiO4, Gd3Ga5O12, 납유리 등, 또 굴절률 2.1이상의 재료로서 예를 들면 TiO2, BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, PbTiO3, PZT〔Pb(Zr, Ti) O3〕, PLZT〔(Pb, La)(Zr, Ti) O3〕, PLT〔(Pb, La) TiO3〕, ZrO2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, LiNbO3, LiTaO3, SBN〔(Sr1－xBax) Nb2O6〕, BNN(Ba2NaNb5O15), Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, PbMoO4, PbMoO5, TeO2, SiC, Si3N4, AIN, GaN, InN, 다이아몬드, Si, Ge, 카르코게나이드가라스 등을 주성분으로 하는 재료를 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 상기 재료 중 TiO2, SrTiO3, PbTiO3, PZT〔Pb(Zr, Ti) O3〕, PLZT〔(Pb, La)(Zr, Ti) O3〕, PLT〔(Pb, La) TiO3〕, ZnSe, Nb2O5, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, TeO2, SiC, 다이아몬드, 카르코게나이드가라스 등을 주성분으로 하는 것이 굴절률 2.4이상의 것을 얻기 쉽기 때문에 보다 바람직하다. 예를 들면 상기 재료 중에서 ZnO, TiO2, ZrO2, Nb2O5, Ta2O5, AIN, GaN, InN, Si3N4, SiC, 다이아몬드 등을 주성분으로 하는 것을 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체 혹은 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체 혹은 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 상기 기판의 반사율이 90%이상이 되기 쉽기 때문에 한층 더 바람직하다. 또, 예를 들면 상기 재료 중에서 TiO2, ZrO2, Nb2O5, Ta2O5, AIN, GaN, InN, Si3N4, SiC, 다이아몬드 등을 주성분으로 하는 것을 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 상기 기판의 반사율이 90%이상이 되기 쉽기 때문에 한층 더 바람직하다. 또, 예를 들면 상기 재료 중에서 TiO2, Nb2O5, Ta2O5, GaN, InN, SiC, 다이아몬드 등을 주성분으로 하는 것을 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 상기 기판의 반사율이 90%이상이 되기 쉽기 때문에 한층 더 바람직하다. 또, 예를 들면 상기 재료 중에서 TiO2, InN, SiC, 다이아몬드 등을 주성분으로 하는 것을 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 상기 기판의 반사율이 90%이상이 되기 쉽기 때문에 한층 더 바람직하다. 또, 예를 들면 상기 재료 중에서 TiO2, SrTiO3, PbTiO3, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, GaN, InN, Si3N4, SiC 등을 주성분으로 하는 것을 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성했을 때 상기 기판의 반사율이 90%이상이 되기 쉽기 때문 에 한층 더 바람직하다. 또, 예를 들면 상기 재료 중에서 TiO2, GaN, InN, Si3N4, SiC를 주성분으로 하는 것을 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 혹은 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 형성했을 때 상기 기판의 반사율이 95%전후의 높은 것을 얻기 쉽기 때문에 특히 바람직하다. 이러한 금속 혹은 합금 재료, 원소 단체, 금속의 산화물, 금속의 질화물, 금속의 탄화물, 금속의 규소 화물 등을 주성분으로 하는 재료는 결정질 상태의 것 뿐만이 아니라 무정형 상태의 것도 이용할 수 있다.As a reflective member made of a material having a refractive index equal to or higher than the refractive index of the main component of the sintered body including the ceramic material as a main component, it is preferable that the material has a high light transmittance of 30%, and the light transmittance is 50% or more. More preferably, the light transmittance is more preferably 80% or more. It is possible to prevent the absorption or scattering of light emission from the light emitting element by increasing the refractive index of the main component of the sintered body having the ceramic material used as the reflective member as the main component and the light transmittance of the material having the same or higher refractive index. The total reflection function of the said reflection member becomes easy to express more. In addition, the said refractive index and light transmittance are with respect to the light of the range of the wavelength of 200 nm-800 nm normally. As a reflective member having a refractive index equal to or greater than or equal to that of the main component of the sintered body including the ceramic material as a main component, for example, a metal or alloy material, an elemental element, an oxide of a metal, a nitride of a metal, a carbide of a metal, a metal It is possible to use a material mainly composed of silicon carbide or the like. More specifically, materials having a refractive index of 1.7 or more include rare earth element oxides such as BeO, MgO, Al 2 O 3, MgAl 2 O 4, Y 2 O 3, ZnO, ZrSiO 4, Gd 3 Ga 5 O 12, lead glass, and other materials having a refractive index of 2.1 or more, for example, TiO 2, BaTiO 3, SrTiO 3, CaTiO 3 , PbTiO3, PZT [Pb (Zr, Ti) O3], PLZT [(Pb, La) (Zr, Ti) O3], PLT [(Pb, La) TiO3], ZrO2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, LiNbO3 , LiTaO3, SBN ((Sr1-xBax) Nb2O6], BNN (Ba2NaNb5O15), Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, PbMoO4, PbMoO5, TeO2, SiC, Si3N4, AIN, GaN, InN, diamond, Si, Ge, Ge The material mainly containing lath etc. can be used suitably. Among the materials, TiO2, SrTiO3, PbTiO3, PZT [Pb (Zr, Ti) O3], PLZT [(Pb, La) (Zr, Ti) O3], PLT [(Pb, La) TiO3], ZnSe, Nb2O5, Bi12GeO20 It is more preferable to have Bi12TiO20, Bi2WO6, TeO2, SiC, diamond, chalcogenide glass and the like as the main component because it is easy to obtain a refractive index of 2.4 or more. For example, a sintered body or an oxidized sintered body or beryllium oxide composed mainly of ZnO, TiO2, ZrO2, Nb2O5, Ta2O5, AIN, GaN, InN, Si3N4, SiC, diamond, etc. Since the reflectance of the said board | substrate becomes easy to become 90% or more when formed in the sintered compact which has magnesium as a main component, or the magnesium aluminate main component, it is further more preferable. For example, when the sintered body containing yttrium oxide as a main component is formed in a sintered body composed mainly of TiO 2, ZrO 2, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, AIN, GaN, InN, Si 3 N 4, SiC, and diamond, the reflectance of the substrate is 90%. Since it is easy to become more than%, it is still more preferable. Further, for example, when the sintered body containing zinc oxide as a main component is formed in the above material mainly containing TiO 2, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, GaN, InN, SiC, diamond, etc., the reflectance of the substrate is easily 90% or more. It is more preferable. For example, when the sintered compact containing zirconium oxide as a main component of TiO 2, InN, SiC, diamond and the like is formed in the above material, the reflectance of the substrate is more preferably 90% or more, and therefore more preferable. For example, the reflectance of the substrate is 90 when a sintered body containing aluminum nitride as the main component is formed of TiO2, SrTiO3, PbTiO3, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, GaN, InN, Si3N4, SiC, etc. It is more preferable because it is easy to become more than%. Further, for example, when the main material of TiO 2, GaN, InN, Si 3 N 4, and SiC is formed on a substrate made of a sintered body composed of aluminum nitride or a sintered body composed of aluminum oxide as the main component, It is especially preferable because it is easy to obtain a high reflectance around 95%. The materials mainly composed of such metals or alloy materials, elemental elements, metal oxides, metal nitrides, metal carbides, metal silicon carbides and the like can be used not only in the crystalline state but also in the amorphous state.

상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료로 이루어지는 반사 부재를 발광소자 탑재용 기판에 형성하는 방법으로서 판 모양 혹은 박장으로 한 반사 부재를 예를 들면 접착제, 땜납, 납재 등을 이용하거나 압착하는 등에 의해 상기 발광소자 탑재용 기판에 접합하는 방법, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료를 스팩터, 증착, 이온 도금, 도금, CVD, 스핀 코트, 콜로이드 용액 겔 페이스트에의 침지법 등으로 얇은 막 상태로서 상기 발광소자 탑재용 기판에 접합하는 방법, 혹은 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 주성분이 가지는 굴절률과 동 등 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료를 주성분으로 하는 분말 페이스트나 콜로이드 용액 겔 페이스트 등을 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 동시 소성에 의해 혹은 벌써 제작된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 나중에 새기는 것으로 후막으로서 상기 발광소자 탑재용 기판에 접합하는 방법, 등이 있어 적당 선정할 수 있다. 상기와 같은 굴절률의 높이를 이용한 반사 부재의 두께는 어떠한 것이어도 괜찮지만 통상 1 nm이상이면 충분히 효과를 발휘할 수 있다. 또 1 nm이상이면 어떠한 두께여도 괜찮지만 실용상은 통상 100μm 이하, 또 10μm 이하인 것이 바람직하다.As a method of forming a reflecting member made of a material having a refractive index equal to or higher than the refractive index of the main component of the sintered body having the ceramic material as a main component on a light emitting element mounting substrate, for example, a reflecting member having a plate shape or a thin film may be used. A method of joining to a substrate for mounting a light emitting element by using or pressing an adhesive, solder, solder, or the like, and a material having a refractive index equal to or higher than that of the main component of the sintered body containing the ceramic material as a main component , A method of bonding to a substrate for mounting a light emitting element in a thin film state by evaporation, ion plating, plating, CVD, spin coating, immersion in a colloidal solution gel paste, or a main component of a sintered body containing the ceramic material as a main component Material having a refractive index equal to or higher than the refractive index The powder paste or the colloidal solution gel paste, which is used as a component, is bonded to the substrate for mounting a light emitting device as a thick film by simultaneously sintering the sintered body containing the ceramic material as a main component or later on the sintered body containing the ceramic material already produced. Method, etc., so it can be selected appropriately. The thickness of the reflective member using the above-mentioned height of the refractive index may be any, but can be sufficiently effective as long as it is usually 1 nm or more. Moreover, as long as it is 1 nm or more, what kind of thickness may be sufficient, but practically it is preferable that it is 100 micrometers or less normally, and 10 micrometers or less.

상기 반사 부재는 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 대해서 도 22, 도 23, 도 24에 예시한 것처럼 발광소자가 탑재되고 있는 면, 혹은 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측면, 혹은 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 뚜껑 등 적당 목적에 따라 임의의 위치에 형성할 수 있다. 본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용할 수가 있으므로 상기 반사 부재는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부에 있어도 그 반사 기능을 발현할 수 있다. 광투과성을 가지는 기판을 이용하는 것으로 반사 부재가 형성된 기판 내부에까지 발광소자로부터의 빛이 도달해 상기 반사 부재에 의한 반사 기능을 발현할 수 있다. 즉 상기 반사 부재는 필요에 따라서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 또는 표면 어느쪽이든 한편에 형성할 수가 있고, 한층 더 필요에 따라서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면의 양쪽 모두에 동시에 형성할 수도 있다.The reflecting member has a surface on which the light emitting element is mounted or a pitted space as shown in Figs. 22, 23, and 24 with respect to the substrate for mounting a light emitting element comprising a sintered body composed mainly of the ceramic material according to the present invention. It can be formed in arbitrary positions according to a suitable purpose, such as the side surface which forms the recessed space of the board | substrate for mounting a light emitting element, or the lid of the board | substrate for mounting a light emitting element which has recessed space. Since the sintered compact having a light-transmitting ceramic material as a main component can be used as the substrate for mounting a light emitting element in the present invention, the reflective member can exhibit its reflection function even inside the sintered compact having a ceramic material as a main component. By using a substrate having a light transmittance, light from the light emitting element can reach the inside of the substrate on which the reflective member is formed, thereby expressing a reflection function by the reflective member. That is, the reflecting member can be formed on either or both the inside and the surface of the sintered body containing the ceramic material as a main component, if necessary, and formed simultaneously on both the inside and the surface of the sintered body containing the ceramic material as necessary. You may.

반사 부재를 발광소자 탑재용 기판 내부에 형성하는 방법으로서 상기 각종 금속재료 혹은 합금 재료 혹은 상기의 굴절률의 재료를 판 모양 혹은 박장으로 한 것을 예를 들면 상기 발광소자 탑재용 기판으로 사이에 두어 접착제, 땜납, 납재 등을 이용하거나 압착하는 등에 의해 접합하는 방법, 상기 각종 금속, 합금, 유리 재료, 수지 재료, 무기 재료를 스팩터, 증착, 이온 도금, 도금, CVD, 스핀 코트, 콜로이드 용액 겔 페이스트에의 침지법 등으로 얇은 막 상태로 한 것을 2이상의 발광소자 탑재용 기판에 형성 후 이들 발광소자 탑재용 기판 상호를 접합하는 방법, 혹은 상기 각종 금속, 합금, 유리 재료, 무기 재료를 주성분으로 하는 분말 페이스트 등을 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 동시 소성에 의해 형성하는 방법, 혹은 벌써 제작된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 상기 각종 금속, 합금, 유리 재료, 수지 재료, 무기 재료를 주성분으로 하는 분말 페이스트나 콜로이드 용액 겔 페이스트 등을 나중에 새기는 충분하고 접착하는 등에 의해 2이상의 발광소자 탑재용 기판에 형성될 수 있는 발광소자 탑재용 기판 상호를 접합하는 방법, 등이 있어 적당 선정할 수 있다.As a method of forming a reflecting member inside a substrate for mounting a light emitting element, the above-mentioned various metal materials or alloy materials or materials having the above refractive index in the form of a plate or a thin film are sandwiched between the substrates for mounting the light emitting element, for example, adhesives, Joining by soldering, soldering or the like, or by splicing, etc., the various metals, alloys, glass materials, resin materials, and inorganic materials to sputtering, vapor deposition, ion plating, plating, CVD, spin coating, colloidal solution gel paste Forming a thin film on a substrate for mounting two or more light emitting elements by immersion method, etc., and then joining the substrates for mounting the light emitting elements, or a powder mainly composed of the various metals, alloys, glass materials, and inorganic materials. A method of forming a paste or the like by co-firing with a sintered body containing a ceramic material as a main component, or an already manufactured ceramic Powder paste or colloidal solution gel paste mainly composed of the above various metals, alloys, glass materials, resin materials, and inorganic materials on a sintered body having a main component as a main component. There is a method of joining the substrates for mounting light emitting elements, which can be formed, and the like.

도 35는 반사 부재가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 내부에 형성되고 있는 모습을 나타내는 단면도이다. 도 35에 대해 반사 부재 80은 음푹패인 공간 31을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 30의 발광소자가 탑재되고 있는 부분의 내부 및 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측벽 33의 내부에 형성되고 있다.35 is a cross-sectional view showing a reflection member formed inside a sintered body containing a ceramic material as a main component. 35, the reflective member 80 is formed of the inside of the portion where the light emitting element is mounted and the side wall 33 of the light emitting element on which the light emitting element is mounted, which is composed of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a recessed space 31. It is formed inside.

이와 같이 상기 반사 부재는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 또는 표면 어느쪽이든 한편에 형성할 수가 있고, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면의 양쪽 모두에 동시에 형성할 수도 있다.In this manner, the reflective member can be formed on either the inside or the surface of the sintered body containing the ceramic material as a main component, and can be formed simultaneously on both the inside and the surface of the sintered body containing the ceramic material as the main component.

상기의 도 19~도 24로 예시해 온 것처럼 반사 방지 부재 및 반사 부재를 발광소자 탑재용 기판에 대해서 각각 별개에 형성한 것 뿐만이 아니고, 반사 방지 부 재와 반사 부재를 같은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 동시에 형성한 것도 본 발명에 포함된다. 도 25 및 도 26에 이러한 발광소자 탑재용 기판을 예시한다. 또한 도 25 및 도 26은 상기 반사 방지 부재와 반사 부재를 같은 발광소자 탑재용 기판에 동시에 형성했지만 단면도이다. 또한 반사 방지 부재와 반사 부재를 동시에 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 상기 반사 방지 부재 혹은 반사 부재는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 또는 표면 어느쪽이든 한편에만 형성한 것이어도 괜찮고, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면의 양쪽 모두 어느 쪽에도 형성한 것이어도 괜찮다.As illustrated in FIGS. 19 to 24, the antireflection member and the reflection member are not only formed separately on the substrate for mounting the light emitting element, but the antireflection member and the reflection member have the same ceramic material as the main component. It is also included in this invention that it formed simultaneously in the light emitting element mounting substrate which consists of a sintered compact. 25 and 26 illustrate such a substrate for mounting a light emitting device. 25 and 26 are cross-sectional views of the antireflection member and the reflection member formed simultaneously on the same light emitting element mounting substrate. In addition, with respect to a substrate for mounting a light emitting element comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material on which an antireflective member and a reflective member are formed at the same time, the antireflective member or the reflective member may be either inside or on the surface of the sintered body composed mainly of a ceramic material. It may be formed only in the above, and may be formed in both of the inside and the surface of the sintered body mainly containing a ceramic material.

또, 도 25 및 도 26은 반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 형성된 발광소자 탑재용 기판에 탑재된 발광소자도 예시하고 있다.25 and 26 also illustrate a light emitting element mounted on a light emitting element mounting substrate on which an antireflection member and a reflection member are formed at the same time.

도 25에 예시된 발광소자 탑재용 기판은, 도 23으로 나타난 반사 부재가 벌써 형성되고 있는 발광소자 탑재용 기판의 발광소자가 탑재된 기판면에 반사 방지 부재 70이 한층 더 형성된 것이다. 도 25로 나타난 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 30에 대해 반사광 83은 반사 방지 부재 70에 일단 조사되고 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 투과하여 발광소자가 탑재된 면으로부터 광87로서 기판 외부에 방출된다. 상기 방출광 87은 도 23에 나타난 방출광 84보다 강도의 높은 것이 되기 쉽다.In the light emitting element mounting substrate illustrated in FIG. 25, an antireflection member 70 is further formed on the substrate surface on which the light emitting element of the light emitting element mounting substrate on which the reflective member shown in FIG. 23 is already formed. With respect to the light-emitting element mounting substrate 30 composed of the sintered body composed mainly of the ceramic material shown in FIG. Light 87 is emitted from the surface to the outside of the substrate. The emitted light 87 tends to be higher in intensity than the emitted light 84 shown in FIG.

도 26에 예시된 발광소자 탑재용 기판은, 도 20으로 나타난 반사 방지 부재가 벌써 형성되고 있는 발광소자 탑재용 기판의 발광소자가 탑재된 기판면에 반사 부재 80이 한층 더 형성된 것이다. 도 26으로 나타난 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판 30에 대해 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측벽부 및 뚜껑 32로부터 기판 외부로 방출되는 발광소자로부터의 발광 92의 강도는, 반사 부재에 의한 반사광 88이 더해지기 때문에 반사 부재 80이 형성되어 있지 않은 경우에 비해 높은 것이 되기 쉽다. 또 반사 부재 80이 형성되고 있는 발광소자가 탑재되고 있는 기판면에서 외부에 방출되는 빛은 약한 것이 되기 쉽다.In the light emitting element mounting substrate illustrated in FIG. 26, the reflection member 80 is further formed on the substrate surface on which the light emitting element of the light emitting element mounting substrate is already formed. The intensity of light emission 92 from the light emitting element emitted from the side wall portion and the lid 32 which form a recessed space with respect to the light emitting element mounting substrate 30 composed of the ceramic material shown in FIG. 26 as a main component and to the outside of the substrate is reflected. Since the reflected light 88 by the member is added, it becomes more likely to be higher than when the reflective member 80 is not formed. In addition, the light emitted to the outside from the substrate surface on which the light emitting element on which the reflective member 80 is formed is mounted tends to be weak.

도 19~도 26으로 예시한 반사 방지 부재 및 반사 부재가 형성되고 있는 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판으로서 상기 도면 15로 가리킨 것 같은 기체 34로 틀 35를 접합부 36으로 접합하는 것으로써 형성된 것도 이용할 수가 있다. 기체와 틀과의 접합에 의해 얻을 수 있던 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판에 대해, 기체 혹은 틀의 어느쪽이든 한편이 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것이든가, 혹은 기체 및 틀의 어느쪽이나 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것이거나 어느 한쪽이다.19 to 26, a substrate for mounting a light emitting element having a recessed space in which an antireflection member and a reflection member are formed, formed by joining a base 34 to a junction portion 36 as shown in FIG. 15. Also available. With respect to a substrate for mounting a light emitting element having a pitted space obtained by joining a base and a frame, either the base or the frame is composed of a sintered body mainly composed of a light-transmitting ceramic material or a base And either of the molds or the sintered body containing the light-transmitting ceramic material as a main component.

또, 도 19~도 26으로 예시한 반사 방지 부재 및 반사 부재가 형성되고 있는 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판으로서 상기 도면 16으로 예시한 발광소자 탑재용 기판 30 및 뚜껑 32를 사용할 수 있다.In addition, the light emitting element mounting substrate 30 and the lid 32 illustrated in FIG. 16 can be used as the light emitting element mounting substrate having the anti-reflection member and the recessed space in which the reflection member is formed as shown in FIGS. 19 to 26. .

또, 도 19~도 26으로 예시한 반사 방지 부재 및 반사 부재가 형성되고 있는 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판을 사용할 때에, 뚜껑의 재료로서 각 종 금속, 합금, 유리, 세라믹, 수지 등을 주성분으로 하는 재료가 이용할 수가 있다. 뚜껑 32의 재료로서 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체나 투명한 유리, 수지, 세라믹 등을 이용하면 발광소자로부터의 발광이 너무 손실을 수반하는 일 없이 뚜껑 32로부터 기판 외부에 방출할 수 있으므로 바람직하다. 또, 뚜껑 32의 재료로서 빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 각종 금속, 합금, 유리, 수지, 각종 세라믹을 주성분으로 하는 소결체(빛을 투과하기 어려운 광불투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 포함한다)등을 주성분으로 하는 것을 이용하면 발광소자로부터의 발광은 뚜껑 32를 투과하기 어려워지므로 뚜껑 32가 장착될 방향으로 상기 발광을 방출시키고 싶지 않은 경우에는 유효하다. 또, 봉지에서 뚜껑 32의 재료로서 금속, 합금, 유리, 세라믹 등, 봉지재로서는 다, 납재, 유리 등을 이용하면 기밀 봉지가 가능해진다. 또, 더 뚜껑 32는 필요에 따라서 이용하지 않아도 좋다. 그 경우 발광소자의 봉지는 음푹패인 공간 31에 투명한 수지 등을 충전하는 것으로 실시할 수가 있다.Moreover, when using the light emitting element mounting board | substrate which has the recessed space in which the antireflection member and the reflection member which were illustrated by FIGS. 19-26 are formed, metal, alloy, glass, ceramic, resin, etc. as a material of a cover A material containing as a main component can be used. When the sintered compact, transparent glass, resin, ceramic, etc., which are mainly composed of a light-transmitting ceramic material, are used as the material of the lid 32, the light emitted from the light emitting element can be emitted to the outside of the substrate from the lid 32 without too much loss. desirable. Moreover, as the material of the lid 32, the sintered compact which has various optically impermeable metals, alloys, glass, resin, and various ceramics which are hard to permeate | transmit light (The sintered compact which contains light impermeable aluminum nitride hardly permeable to light is a main component is included. The use of a light emitting element as a main component makes the light emitted from the light emitting element difficult to penetrate through the lid 32, and thus is effective when the light is not emitted in the direction in which the lid 32 is to be mounted. In the sealing, when the sealing material such as metal, alloy, glass, ceramic, or the like is used as the material of the lid 32, a sealing material, glass, or the like can be hermetically sealed. In addition, you may not use the lid 32 as needed. In that case, sealing of a light emitting element can be performed by filling transparent space etc. in the recessed space 31. As shown in FIG.

본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 광투과성을 가지는 것이 바람직하다. 상기 반사 방지 부재 및 반사 부재가 형성되고 있는 상태를 예시한 각 도(도 19~도 26)에 대해 적어도 도 19, 도 20, 도 22, 도 23, 도 24, 도 25, 도 26은 발광소자 탑재용 기판으로서 이용되는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것으로서 그려져 있다.In the present invention, it is preferable that the sintered body mainly composed of a ceramic material used as a substrate for mounting a light emitting element has light transmittance. 19, 20, 22, 23, 24, 25, and 26 show light emitting elements with respect to the angles (Figs. 19 to 26) illustrating the state in which the anti-reflection member and the reflection member are formed. The sintered compact which contains the ceramic material used as a board | substrate for mounting as a main component is drawn as having light transmittance.

상기와 같이 본 발명에 의해, 발광소자 탑재용 기판에 반사 방지 부재 또는 반사 부재를 이용해, 혹은 반사 방지 부재 및 반사 부재를 동시에 이용해 발광소자로부터의 발광의 강도 혹은 발광의 방향을 비교적 용이하게 제어하는 것이 가능해진다.As described above, according to the present invention, it is relatively easy to control the intensity or direction of light emission from the light emitting device by using the antireflection member or the reflection member on the light emitting element mounting substrate or the antireflection member and the reflection member at the same time. It becomes possible.

본 발명에 대해 반사 방지 부재 혹은 반사 부재 등 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 이외의 부재를 특별히 이용하지 않고, 혹은 그 외의 반사 방지 기능이나 반사 기능을 발광소자 탑재용 기판에 부가하는 일 없이 발광소자로부터의 발광의 강도 혹은 발광의 방향을 비교적 용이하게 제어하는 일도 가능하다.With respect to the present invention, without using a member other than a sintered body mainly composed of a ceramic material such as an antireflection member or a reflection member, or without adding other antireflection functions or reflection functions to a light emitting element mounting substrate, It is also possible to control the intensity of light emission or the direction of light emission relatively easily.

즉, 발광소자 탑재용 기판으로서 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광을 발광소자가 탑재되고 있는 기판의 특정 방향으로 효율적으로 방출하는 것이 가능하다. 이 방법은, 상기의 반사 방지 부재나 반사 부재의 부가, 혹은 그 외의 반사 방지 기능이나 반사 기능의 부가에 의지하는 일 없이 발광소자 탑재용 기판 재료로서 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 자체의 광투과율을 50%이하로 하는 것으로 발광소자로부터의 발광을 효율적으로 기판 외부의 특정 방향에 방출할 수 있도록 한 점에 특징이 있다. 즉, 발광소자 탑재용 기판 재료로서 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 자체의 광투과율을 50%이하로 하는 것으로 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측에 강하게 방출해, 발광소자가 탑재되고 있는 기판면과 반대측의 기판으로부터의 광방출을 줄인 것이다. 본 방법에 대해, 상기 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측만으로부터 강하게 방출해, 발광소자가 탑재되고 있는 기판면과 반대측의 기판으로부터 의 광방출을 제로로 하는 일도 가능하다.That is, by using a sintered body whose main component is a ceramic material having a light transmittance of 50% or less as a light emitting element mounting substrate, it is possible to efficiently emit light emitted from the light emitting element in a specific direction of the substrate on which the light emitting element is mounted. This method has a light transmittance of the sintered body itself whose main component is a ceramic material used as a substrate material for mounting a light emitting element without resorting to the addition of the above antireflection member or reflection member, or other antireflection function or reflection function. It is characterized in that the light emission from the light emitting element can be efficiently emitted to a specific direction outside the substrate by using 50% or less. That is, the light transmittance of the sintered compact itself, which is mainly composed of a ceramic material used as a substrate material for mounting a light emitting element, is 50% or less, thereby releasing light emitted from the light emitting element strongly on the side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted. The light emission from the substrate on the opposite side to the substrate surface on which the is mounted is reduced. In this method, the light emission from the light emitting element can be strongly emitted only from the side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted, and the light emission from the substrate on the side opposite to the substrate surface on which the light emitting element is mounted can be zero. .

이 방법에서는 발광소자 탑재용 기판으로서 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것이 바람직하다. 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로, 발광소자로부터의 발광은 기판을 투과하여 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측과 반대의 방향으로부터의 방출이 억제되고 쉽고 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측으로부터 효율적으로 강한 광방출이 행해지고 쉬워진다. 상기 발광소자 탑재용 기판에 대해 광투과율이 30%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로보다 효과를 얻을 수 있게 된다. 또 상기 발광소자 탑재용 기판에 대해 광투과율이 10%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로보다 효과가 명확하게 인정되게 된다. 또 상기 발광소자 탑재용 기판에 대해 광투과율이 5%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로보다 효과가 한층 더 명확하게 인정되게 된다. 또 상기 발광소자 탑재용 기판에 대해 광투과율이 1%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광은 발광소자 탑재용 기판을 투과하여 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측과 반대의 방향으로부터 방출되는 것이 실질적으로 생기기 어려워지므로 특히 바람직하다. 상기 발광소자 탑재용 기판에 대해 광투과율이 0%의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광은 발광소자 탑재용 기판을 투과하여 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측과 반대의 방향으로부터 방출되는 것이 실질적으로 생기지 않기 때문에 가장 바람 직하다.In this method, it is preferable to use a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 50% or less as a substrate for mounting a light emitting element. A sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 50% or less as a main component is used as a substrate for mounting a light emitting element, and the light emitted from the light emitting element passes through the substrate and emission from a direction opposite to the substrate surface side on which the light emitting element is mounted is prevented. It is easily suppressed and the strong light emission is performed easily from the substrate surface side on which the light emitting element is mounted. The use of a sintered body whose main component is a ceramic material having a light transmittance of 30% or less with respect to the light emitting element mounting substrate can be obtained more effectively. Moreover, the effect is more clearly recognized by using the sintered compact which has a ceramic material whose light transmittance is 10% or less as a main component with respect to the said light emitting element mounting substrate. In addition, the effect of the light emitting element mounting substrate is more clearly recognized than using a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 5% or less. In addition, a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 1% or less as a main component of the substrate for mounting a light emitting device is used, and the light emitted from the light emitting device passes through the substrate for mounting the light emitting device and the surface of the substrate on which the light emitting device is mounted. Particular preference is given to the fact that emission from the opposite direction becomes less likely to occur. By using a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 0% with respect to the light emitting device mounting substrate, light emission from the light emitting device passes through the light emitting device mounting substrate and is opposite to the side of the substrate surface on which the light emitting device is mounted. It is most desirable because it is virtually no emission from the direction.

본 방법에 대해, 광투과율이 50%를 넘는 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하면, 발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하여 발광소자가 탑재 혹은 수납되고 있는 기판의 면과 반대측의 면으로부터도 기판 외부에 많이 방출되게 되기 쉽기 때문에 바람직하지 않다. 따라서 상기 광투과율이 50%를 넘는 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것은, 발광소자로부터의 발광을 특정의 방향으로 효율적으로 방출하기 위해서는 적당하다라고 말할 수 없다.In the present method, when a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of more than 50% as a main component is used as a light emitting element mounting substrate, light emission from the light emitting element passes through the substrate and the light emitting element is mounted or stored. It is not preferable because it is easy to be released to the outside of a board | substrate also from the surface on the opposite side to the surface of an existing substrate. Therefore, it can be said that it is suitable to use the sintered compact whose main component is a ceramic material having a light transmittance of more than 50% as a light emitting element mounting substrate to efficiently emit light emitted from the light emitting element in a specific direction. none.

본 방법에 따르는 발광소자 탑재용 기판으로서 광투과율이 30%~50%의 범위의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우, 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 상기 발광소자로부터 직접 발산된 강한 빛이 방출되고 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터는 그것보다 약하고 온화한 산란빛이 방출되고 있어 육안으로 관찰된다. 또 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 10%~30%의 범위에서는 광투과율이 30%에서 10%로 저하해 감에 따라 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터 방출되는 온화한 산란빛은 점차 약해져 가는 모습이 육안으로 관찰된다. 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 30%~50%의 범위의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우보다 강한 빛이 발광소자로부터 방출된다. 또, 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%~10%의 범위에서는 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반 대측의 면으로부터 방출되는 온화한 산란빛은 한층 더 약해져 가는 모습이 육안으로 관찰된다. 또 이 범위에 대해 광투과율이 5%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 때, 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터 방출되는 온화한 산란빛은 한층 약해져 가는 모습이 육안으로 관찰된다. 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 10%~30%의 범위의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우보다 한층 더 강한 빛이 발광소자로부터 방출된다. 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%보다 작아진다고 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터의 온화한 산란빛은 육안으로 거의 관찰되기 어려워져, 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 1%~10%의 범위의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우보다 강한 빛이 발광소자로부터 방출된다. 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 0%에서는 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터의 온화한 산란빛은 육안에서는 관찰되지 않게 되어, 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 1%보다 작은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우와 거의 같은 강한 빛이 발광소자로부터 방출된다. 이와 같이 본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서는 광투과율이 30%이하의 것을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 한층 더 본 발명에 대해 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 차광성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서는 광투과율이 10%이하의 것을 이용하는 것이 게다가 바람직하다.When a sintered body mainly composed of a ceramic material having a light transmittance in the range of 30% to 50% is used as a substrate for mounting a light emitting element according to the present method, a strong light emitted directly from the light emitting element is directly emitted from the surface of the substrate on which the light emitting element is mounted. Light is emitted from the surface on the opposite side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted, and scattered light is weaker and gentler than that. In the range of 10% to 30% of the light transmittance of the sintered body mainly composed of the ceramic material used as the substrate for mounting the light emitting element, the light transmittance is reduced from 30% to 10%, so that the substrate surface on which the above light emitting element is mounted The mild scattered light emitted from the opposite side of the surface is gradually weakened. At this time, stronger light is emitted from the light emitting element from the side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted, than when using a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance in the range of 30% to 50%. Further, in the range of 1% to 10% of the light transmittance of the sintered compact mainly composed of a ceramic material used as a substrate for mounting a light emitting element, the mild scattered light emitted from the surface opposite to the substrate surface on which the light emitting element is mounted is further enhanced. The weakening is observed with the naked eye. In addition, when a sintered body whose main component is a ceramic material having a light transmittance of 5% or less is used as a substrate for mounting a light emitting element, the mild scattered light emitted from the surface opposite to the substrate surface on which the light emitting element is mounted becomes weaker. Thinness is observed with the naked eye. At this time, more intense light is emitted from the light emitting device from the side of the substrate surface on which the light emitting device is mounted, than when using a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance in the range of 10% to 30%. When the light transmittance of the sintered compact mainly composed of ceramic material becomes smaller than 1%, the light scattering light from the surface opposite to the substrate surface on which the light emitting device is mounted is hardly observed with the naked eye. From the substrate surface side, stronger light is emitted from the light emitting element than when using a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance in the range of 1% to 10%. When the light transmittance of the sintered compact mainly composed of ceramic material is 0%, gentle scattered light from the surface opposite to the substrate surface on which the above light emitting device is mounted is not observed by the naked eye, and at this time, toward the substrate surface side where the light emitting device is mounted. From now on, the same strong light is emitted from the light emitting element as when using a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of less than 1%. Thus, as a sintered compact which has a ceramic material as a main component used as a board | substrate for light emitting element mounting in this invention, it is more preferable to use the thing with 30% or less of light transmittance. Furthermore, in the present invention, as the main component of a ceramic material having light shielding properties used as a substrate for mounting a light emitting element, it is more preferable to use one having a light transmittance of 10% or less.

또한 본 방법으로 말하는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것이다.Moreover, the light transmittance of the sintered compact which has a ceramic material as a main component by this method is with respect to the light of the range of 200 nm-800 nm at least.

본 방법에 대해, 기판 두께가 실제 사용 상태로 0.5 mm보다 얇은 경우는 기판 두께 0.5 mm 때 측정한 광투과율과 달리, 광투과율이 50%보다 높게 상승하기 쉽고, 발광소자로부터의 발광은 기판을 투과하여 상기 발광소자가 탑재된 기판면측과 반대측의 방향으로 방출되고 쉬워진다. 본 방법에 대해 상기 실제로 사용되고 있는 상태의 기판 두께에 있어서의 광투과율이 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것이 바람직하다. 또, 실제 사용 상태로 기판 두께가 0.5 mm보다 두꺼운 경우는 통상 0.5 mm로 측정했을 때의 광투과율보다 저하하기 쉽다. 본 방법에 대해 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재된 기판면측의 방향으로 효율적으로 방출하기 위해서 실제로 사용되고 있는 상태의 기판 두께에 있어서의 광투과율이 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것이 바람직하다.For this method, when the substrate thickness is thinner than 0.5 mm in actual use state, unlike the light transmittance measured when the substrate thickness is 0.5 mm, the light transmittance tends to rise higher than 50%, and the light emission from the light emitting element is transmitted through the substrate. As a result, the light emitting element is easily discharged in the direction opposite to the substrate surface side. It is preferable to use a sintered body whose main component is a ceramic material having a light transmittance of 50% or less in the substrate thickness in the state actually used for the present method. In addition, when the substrate thickness is thicker than 0.5 mm in the actual use state, it is usually easier to lower than the light transmittance when measured at 0.5 mm. In the present method, in order to efficiently emit light emitted from the light emitting element in the direction toward the side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted, a sintered body mainly composed of a ceramic material having a light transmittance of 50% or less in the thickness of the substrate actually used. Is preferably used as a substrate for mounting a light emitting element.

상기와 같이 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로, 발광소자로부터의 발광을 발광소자가 탑재되고 있는 기판의 특정 방향으로 효율적으로 방출하는 것이 가능해졌다. 즉, 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재된 기판면측의 방향으로 효율적으로 방출할 수 있다.As described above, by using a sintered body whose main component is a ceramic material having a light transmittance of 50% or less as a light emitting element mounting substrate, it is possible to efficiently emit light emitted from the light emitting element in a specific direction of the substrate on which the light emitting element is mounted. . That is, light emission from the light emitting element can be efficiently emitted in the direction toward the substrate surface side on which the light emitting element is mounted.

또, 본 방법에 대해 필요에 따라서 발광소자 탑재용 기판에 광반사 방지 기능 혹은 광반사 기능을 부여하면 보다 효과적으로 강하고 기판 외부의 특정 방향으 로 방출 가능해진다. 바꾸어 말하면, 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 본 발명에 의한 반사 방지 부재나 반사 부재를 필요에 따라서 부가하는 것으로 발광소자로부터의 발광을 발광소자가 탑재되고 있는 기판의 특정 방향으로 한층 더 효율적으로 방출하는 것이 가능해진다. 즉, 발광소자로부터의 발광을 상기 발광소자가 탑재된 기판면측의 방향으로 효율적으로 방출할 수 있다고 하는 효과가 한층 더 증대한다.In addition, if the light reflection prevention function or the light reflection function is provided to the light emitting element mounting substrate in accordance with the present method, it is more effective and can be emitted in a specific direction outside the substrate. In other words, the anti-reflective member or reflecting member according to the present invention is added to the sintered body whose main component is a ceramic material having a light transmittance of 50% or less, if necessary, to emit light from the light emitting element in a specific direction of the substrate on which the light emitting element is mounted. It becomes possible to discharge | emit more efficiently by this. That is, the effect that the light emission from the light emitting element can be efficiently emitted in the direction toward the substrate surface side on which the light emitting element is mounted is further increased.

본 방법으로 이용하는 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서 열전도율 혹은 전기 절연성 등의 특성을 크게 해치지 않는 것으로 있는 한 어떠한 것에서도 이용할 수가 있다. 예를 들면 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 경우 상기 소결체 중의 질화 알루미늄의 함유량은 50 체적%이상인 것이 바람직하다. 광투과율 50%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 통상은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 착색을 촉진하는 성분을 포함하는 것이나 희토류 원소 및 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 천이 금속의 불가피 불순물 성분 예를 들면 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등을 포함하는 것, 등으로 얻을 수 있다. 이러한 성분 이외에도 예를 들면 산소나, 질화 알루미늄과 결정계가 다른 ALON나, 규소 함유 화합물과 질화 알루미늄이 반응해 생기는 SIALON(규소, 알루미늄, 산소, 질소와의 화합물), 혹은 알칼리 금속 화합물 등이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중에 생성되는지 함유 한 것은 광투과율 50%이하가 되기 쉽기 때문에 바람직하다. 희토류 원소 화합물이나 알칼 리 토류 금속 화합물 등의 소결조제를 포함한 경우는 통상 광투과율 50%이상의 것이 이득 쉽지만, 예를 들면 소결조제의 함유량이 많은 경우 등은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 50%이하가 되기 쉽기 때문에 바람직하다. 또, 산소 함유량이 많은 경우 등은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 50%이하가 되기 쉽기 때문에 바람직하다.As a sintered body whose main component is a ceramic material having a light transmittance of 50% or less used in the present method, any material can be used as long as it does not significantly deteriorate characteristics such as thermal conductivity or electrical insulation. For example, when using a sintered compact containing aluminum nitride as the main component as the sintered compact having a ceramic material as its main component, the content of aluminum nitride in the sintered compact is preferably 50 vol% or more. A sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance of 50% or less as a main component usually contains a component which promotes coloring of a sintered body composed mainly of aluminum nitride such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon, and rare earth elements and Unavoidable impurity components of transition metals other than Mo, W, V, Nb, Ta and Ti can be obtained, for example, containing iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc and the like. . In addition to these components, for example, aluminum nitride, ALON having a different crystal system from aluminum nitride, SIALON (compound with silicon, aluminum, oxygen, nitrogen), or an alkali metal compound produced by the reaction between a silicon-containing compound and aluminum nitride, or the like It is preferable that it is contained in the sintered body containing as a main component, since it tends to be 50% or less in light transmittance. When a sintering aid such as a rare earth element compound or an alkaline earth metal compound is included, a light transmittance of 50% or more is usually easy to gain. For example, when the content of the sintering aid is high, the light transmittance of a sintered body containing aluminum nitride as a main component is Since it is easy to become 50% or less, it is preferable. In the case where the oxygen content is high, the light transmittance of the sintered body containing aluminum nitride as a main component tends to be 50% or less, which is preferable.

또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이하가 되기 쉬운 것은 상기 질화 알루미늄 이외의 성분 중 비교적 다량의 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속을 포함하는 것이다. 즉, 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 30 체적%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다. 또, 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 40 체적%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 0%가 되기 쉽기 때문에 바람직하다. 상기 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 50 체적%이하인 것이 바람직하다. 상기 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 50 체적%보다 많은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성의 저하나 실온에 있어서의 열전도율이 50 W/mK보다 낮아지는 등 특성 저하가 생기고 쉬워지므로 바람직하지 않다.In addition, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride tends to be 1% or less and includes a relatively large amount of rare earth elements or alkaline earth metals among the components other than the above-mentioned aluminum nitride. That is, in the sintered compact in which at least 1 or more types of content chosen from a rare earth element or alkaline earth metal is 30 vol% or more of aluminum nitride as a main component, it is easy to obtain a light transmittance of 1% or less. Moreover, since the light transmittance of the sintered compact which has at least 1 type (s) or more content chosen from a rare earth element or alkaline earth metal as a main component of 40 volume% or more of aluminum nitride in oxide conversion is easy to become 0%, it is preferable. It is preferable that at least 1 type or more content chosen from the said rare earth element or alkaline earth metal is 50 volume% or less in conversion of oxide. In a sintered body having at least one content selected from rare earth elements or alkaline earth metals as the main component of aluminum nitride in an amount of more than 50% by volume in terms of oxide, the electrical insulation is lowered and the thermal conductivity at room temperature is lower than 50 W / mK. It is not preferable because such deterioration of properties occurs and becomes easy.

바꾸어 말한다면, 산화물 환산으로 50 체적%이하~40 체적%의 범위의 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함한 질화 알 루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 0%의 것을 얻기 쉽다. 또, 산화물 환산으로 40 체적%이하~30 체적%의 범위의 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다.In other words, in a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from rare earth elements or alkaline earth metals in the range of 50% by volume or less and 40% by volume in terms of oxide, a thing having a light transmittance of 0% is easy to obtain. . In addition, in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride containing at least one selected from rare earth elements or alkaline earth metals in the range of 40% by volume to 30% by volume in terms of oxide, one having a light transmittance of 1% or less is easy to obtain.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이하가 되기 쉬운 것은 상기 질화 알루미늄 이외의 성분 중 비교적 다량의 알칼리 금속 혹은 규소 성분을 포함하는 것이다. 즉, 알칼리 금속 혹은 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 5 체적%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다. 또, 알칼리 금속 혹은 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 10 체적%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 0%가 되기 쉽기 때문에 바람직하다. 상기 알칼리 금속 혹은 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 20 체적%이하인 것이 바람직하다. 상기 알칼리 금속 혹은 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 함유량이 산화물 환산으로 20 체적%보다 많은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성의 저하나 실온에 있어서의 열전도율이 50 W/mK보다 낮아지는 등 특성 저하가 생기고 쉬워지므로 바람직하지 않다.The light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride tends to be 1% or less and includes a relatively large amount of an alkali metal or silicon component among the components other than the above-mentioned aluminum nitride. That is, in the sintered compact in which at least 1 or more types of content chosen from the alkali metal or the silicon component has 5 volume% or more of aluminum nitride as a main component in oxide conversion, a thing with less than 1% of light transmittance is easy to be obtained. Moreover, since the light transmittance of the sintered compact which has 10 volume% or more of aluminum nitride as a main component in the oxide conversion of at least 1 or more types chosen from an alkali metal or a silicon component tends to be 0%, it is preferable. It is preferable that at least 1 type or more content chosen from the said alkali metal or the silicon component is 20 volume% or less in conversion of oxide. In the sintered compact in which at least one or more types of content selected from the above alkali metal or silicon components are composed of aluminum nitride having a volume of more than 20% by volume in terms of oxides, the electrical insulation is lowered and the thermal conductivity at room temperature is lower than 50 W / mK. It is not preferable because deterioration of properties occurs and becomes easy.

바꾸어 말한다면, 산화물 환산으로 20 체적%이하~10 체적%의 범위의 알칼리 금속 혹은 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 0%의 것을 얻기 쉽다. 또, 산화물 환 산으로 10 체적%이하~5 체적%의 범위의 알칼리 금속 혹은 규소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다.In other words, in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride containing at least one selected from alkali metals or silicon components in the range of 20% by volume to 10% by volume in terms of oxide, one having a light transmittance of 0% is easy to obtain. Moreover, in the sintered compact which has aluminum nitride containing at least 1 sort (s) or more selected from the alkali metal or silicon component of 10 volume% or less and 5 volume% in conversion, it is easy to obtain the thing of 1% or less of light transmittance.

또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이하가 되기 쉬운 것은 상기 질화 알루미늄 이외의 성분 중 비교적 다량의 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본을 포함하는 것이다. 즉, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 5 체적%이상 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다. 또, Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 20 체적%이상 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 0%가 되기 쉽기 때문에 바람직하다. 상기 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분의 함유량은 원소 환산으로 50 체적%이하인 것이 바람직하다. 상기 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 함유량이 원소 환산으로 50 체적%보다 많은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성이 저하해 실온에 있어서의 저항율이 1108Ωcm보다 낮아지거나 실온에 있어서의 열전도율이 50 W/mK보다 낮아지는 등 특성 저하가 생기고 쉬워지므로 바람직하지 않다. 또, 상기 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 함유량이 원소 환산으로 20 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성이 향상해 실온에 있어서의 저항율 1109Ωcm이상의 것이 이득 싸지므로 바람직하다. 또, 상기 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 함유량이 원소 환산으로 5 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성이 한층 더 향상해 실온에 있어서의 저항율 11011Ωcm이상의 것을 얻을 수 있으므로 보다 바람직하다.In addition, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride tends to be 1% or less and includes a relatively large amount of Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon among the components other than the aluminum nitride. That is, in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride containing at least 5 vol% or more in terms of elements of at least one or more components selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon, one having a light transmittance of 1% or less is easy to be obtained. Moreover, since the light transmittance of the sintered compact mainly containing aluminum nitride containing 20 volume% or more in element conversion of at least 1 or more types selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon is easy to become 0%, it is preferable. Do. It is preferable that content of at least 1 or more types of components chosen from said Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon is 50 volume% or less in element conversion. In a sintered body having at least one component content selected from among the above Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon having an aluminum nitride content of more than 50% by volume in terms of elements, electrical insulation is lowered and resistivity at room temperature It is not preferable because the characteristic degradation occurs and becomes easier, such as lower than this 1108 Ωcm or lower than the thermal conductivity at room temperature lower than 50 W / mK. Moreover, in the sintered compact in which at least 1 or more types of component content selected from said Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon are 20 volume% or less of aluminum nitride as a main component improves electrical insulation, The resistivity of 1109? Cm or more is preferable because the gain becomes cheaper. Moreover, in the sintered compact in which at least 1 or more types of component content selected from said Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon are 5 volume% or less of aluminum nitride as a main component improves electrical insulation further, and room temperature It is more preferable because a resistivity of 11011? Cm or more can be obtained.

바꾸어 말한다면, 원소 환산으로 50 체적%이하~20 체적%의 범위의 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 0%의 것을 얻기 쉽다.　In other words, in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride including at least one component selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon in the range of 50% by volume or less and 20% by volume in terms of elements, It is easy to obtain a thing with a transmittance of 0%.

또, 원소 환산으로 20 체적%이하~5 체적%의 범위의 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다.In the sintered compact containing aluminum nitride containing at least one component selected from among Mo, W, V, Nb, Ta, Ti and carbon in the range of 20% by volume to 5% by volume in terms of elements, the light transmittance is 1 It is easy to get less than%.

상기 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 함유량이 원소 환산으로 10 체적%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율 11010Ωcm이상과 전기 절연성이 향상한 것이 이득이나 들이마셔.In a sintered body in which at least one component content selected from among Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon is composed of aluminum nitride having a volume of 10 vol% or less in terms of elements, the resistivity at room temperature of 11010? Cm or more and electrical insulation properties It is profit and breathe that this improved.

또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이하가 되기 쉬운 것은 상기 질화 알루미늄 이외의 성분 중 희토류 원소 및 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti 이외의 천이 금속의 불가피 불순물 성분을 비교적 다량으로 포함하는 것이다. 즉, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 1 중량%이상 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다. 또, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 원소 환산으로 20 중량%이상 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 0%가 되기 쉽기 때문에 바람직하다. 상기 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분의 함유량은 원소 환산으로 50 중량%이하인 것이 바람직하다. 상기 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분의 함유량이 원소 환산으로 50 중량%보다 많은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성이 저하해 실온에 있어서의 저항율이 1108Ωcm보다 낮아지거나 실온에 있어서의 열전도율이 50 W/mK보다 낮아지는 등 특성 저하가 생기고 쉬워지므로 바람직하지 않다. 또, 상기 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 함유량이 원소 환산으로 20 중량%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성이 향상해 실온에 있어서의 저항율 1109Ωcm이상의 것이 이득 싸지므로 바람직하다. 또, 상기 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분 함유량이 원소 환산으로 1 중량%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성이 한층 더 향상해 실온에 있어서의 저항율 11011Ωcm이상의 것을 얻을 수 있으므로 보다 바람직하다.In addition, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride tends to be 1% or less. Among the components other than the above-mentioned aluminum nitride, rare earth elements and inevitable impurity components of transition metals other than Mo, W, V, Nb, Ta, and Ti are used. It is included in a relatively large amount. That is, in a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least 1% by weight or more of iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc in terms of elements, 1% light transmittance It is easy to obtain the following. In addition, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride containing at least one component selected from iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc in an elemental conversion of 20% by weight or more is 0%. It is preferable because it is easy to become. The content of at least one or more components selected from iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc is preferably 50% by weight or less in terms of elements. Electrical insulation is deteriorated in the sintered compact in which the content of at least one or more components selected from among iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc is more than 50% by weight in terms of elements. It is not preferable because the deterioration of properties occurs and becomes easy such as the resistivity at room temperature is lower than 1108? Cm or the thermal conductivity at room temperature is lower than 50 W / mK. In addition, the electrical insulation is improved in the sintered body in which at least one component content selected from among the iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc is 20 wt% or less in terms of elemental aluminum nitride. It is preferable that the resistivity at room temperature of 1109 Ωcm or more becomes cheaper. In addition, in the sintered compact in which at least one component content selected from among iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc is 1 wt% or less in terms of elemental aluminum nitride, electrical insulation is further increased. It is more preferable because it can improve further and can obtain the thing of the resistivity of 11011 ohm-cm or more at room temperature.

바꾸어 말한다면, 원소 환산으로 50 중량%이하~20 중량%의 범위의 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 0%의 것을 얻기 쉽다.In other words, the main component is aluminum nitride containing at least one component selected from iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc in the range of 50% by weight to 20% by weight in terms of elements. In the sintered compact described above, one having a light transmittance of 0% is easily obtained.

또, 원소 환산으로 20 중량%이하~1 중량%의 범위의 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다.In addition, a sintered body containing aluminum nitride containing at least one component selected from iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc in an amount of 20% by weight to 1% by weight in terms of elements. It is easy to obtain a light transmittance of 1% or less.

상기 원소 환산으로 10 중량%이하의 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율 11010Ωcm이상의 것이 이득 싸진다.In the sintered body containing aluminum nitride containing at least one component selected from iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc of 10 wt% or less in terms of the above element, the resistivity at room temperature is 11010 Ωcm The above becomes cheaper.

또한 본 발명에 대해 「천이 금속의 불가피 불순물 성분」이란, 통상 특별히 제한하지 않는 한 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연, 을 의미한다. 또, 「천이 금속의 불가피 불순물 성분을 함유한다」란 상기 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 각 성분중에서 적어도 1종 이상을 포함하는 것을 의미한다.In the present invention, the term "unavoidable impurity component of a transition metal" means iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, unless otherwise specified. In addition, "it contains the unavoidable impurity component of a transition metal" means containing at least 1 sort (s) from each component, such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc.

또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이하가 되기 쉬운 것은 상기 질화 알루미늄 이외의 성분 중 비교적 다량의 산소를 포함하는 것이다. 즉, 산소를 10 중량%이상 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다. 또, 산소를 15 중량%이상 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 0%가 되기 쉽기 때문에 바람직하 다. 상기 산소의 함유량은 25 중량%이하인 것이 바람직하다. 상기 산소의 함유량이 25 중량%보다 많은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성의 저하나 실온에 있어서의 열전도율이 50 W/mK보다 낮아지는 등 특성 저하가 생기고 쉬워지므로 바람직하지 않다.In addition, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride tends to be 1% or less and contains a relatively large amount of oxygen in components other than the aluminum nitride. That is, a sintered body containing aluminum nitride containing 10 wt% or more of oxygen as a main component tends to obtain a light transmittance of 1% or less. Moreover, since the light transmittance of the sintered compact mainly containing aluminum nitride containing 15 weight% or more of oxygen is easy to become 0%, it is preferable. It is preferable that content of the said oxygen is 25 weight% or less. In the sintered body containing aluminum nitride having a content of oxygen of more than 25% by weight as a main component, deterioration of electrical properties and thermal conductivity at room temperature are lower than 50 W / mK.

바꾸어 말한다면, 25 중량%이하~15 중량%의 범위의 산소를 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 0%의 것을 얻기 쉽다. 또, 15 중량%이하~10 중량%의 범위의 산소를 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다.In other words, in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride containing oxygen in the range of 25% by weight to 15% by weight, one having a light transmittance of 0% is easily obtained. Moreover, in the sintered compact which has aluminum nitride containing oxygen in the range of 15 weight% or less and 10 weight% as a main component, the thing of 1% or less of light transmittance is easy to be obtained.

또한 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물을 포함한 경우, 혹은 알칼리 금속 화합물이나 규소 함유 화합물을 포함한 경우, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등을 포함한 경우, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분을 포함한 경우, 등은 상기 범위보다 적은 양의 산소 밖에 포함하지 않는 것으로 있어도 광투과율이 저하하는 경우가 있다. 또, 반대로 상기 범위보다 많은 양의 산소를 포함하는 것이어도 광투과율이 저하하지 않고 비교적 높은 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있는 경우가 있다. 즉, 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물을 포함한 경우, 혹은 알칼리 금속 화합물이나 규소 함유 화합물을 포함한 경우, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등을 포함한 경우, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분을 포함한 경우, 포함되는 산소량이 15 중량%이하~10 중량%까지의 범위여도 광투과율 0%의 것이 생기는 경우가 있다. 이것은 아마 상기 질화 알루미늄 이외의 성분이 포함되어 있으면 소성중에 복잡한 화합물이 생성해 소결체의 립계상으로서 석출해 광투과율이 저해되고 쉬워지는 것이라고 추측된다. 또, 본 발명에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물을 포함한 경우, 혹은 알칼리 금속 화합물이나 규소 함유 화합물을 포함한 경우, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등을 포함한 경우, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분을 포함한 경우, 포함되는 산소량이 25 중량%이하~15 중량%까지의 범위여도 광투과율이 0%보다 크고 게다가 1%이상의 것이 생기는 경우가 있다. 이것은 아마 상기 질화 알루미늄 이외의 성분이 질화 알루미늄 입자 등에서 산소를 효과적으로 수중에 넣어 예를 들면 립계상으로서 석출시키고 산소에 의한 광투과율의 저하를 방지하는 것이라고 추측된다.In the present invention, when the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains a rare earth element compound or an alkaline earth metal compound, or contains an alkali metal compound or a silicon-containing compound, or Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, In the case of containing carbon or the like, or inevitable metal components such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc, the light transmittance may be included even if it contains only a small amount of oxygen. This may fall. On the contrary, even if it contains oxygen in a quantity larger than the said range, the thing which has comparatively high light transmittance may be obtained without falling light transmittance. That is, in the present invention, when the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains a rare earth element compound or an alkaline earth metal compound, or contains an alkali metal compound or silicon-containing compound, or Mo, W, V, Nb, Ta, Ti , Carbon, etc., or in the case of containing unavoidable metal components such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc, the amount of oxygen contained may be in the range of 15% to 10% by weight. A thing with 0% light transmittance may occur. It is presumed that if a component other than the above-mentioned aluminum nitride is contained, a complex compound is formed during firing and precipitates as a grain boundary phase of the sintered compact, and the light transmittance is inhibited and becomes easy. In the present invention, when the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains a rare earth element compound or an alkaline earth metal compound, or contains an alkali metal compound or a silicon-containing compound, or Mo, W, V, Nb, Ta, Ti , Carbon, etc., or in the case of containing unavoidable metal components such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc, the amount of oxygen contained may be in the range of 25% to 15% by weight. Light transmittance is larger than 0%, and 1% or more may arise. It is presumed that this component other than the above-mentioned aluminum nitride effectively absorbs oxygen from the aluminum nitride particles or the like and precipitates it as a grain boundary, for example, and prevents a decrease in light transmittance by oxygen.

또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이하가 되기 쉬운 것은 상기 질화 알루미늄 이외의 성분 중 비교적 다량의 ALON를 포함하는 것이다. 즉, ALON를 20%이상 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다. 또, ALON를 40%이상 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 0%가 되기 쉽기 때문에 바람직하다. 상기 ALON의 함유량은 50%이하인 것이 바람직하다. 상기 ALON의 함유량이 50%보다 많은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 전기 절연성의 저하나 실온에 있어서의 열전도율이 50 W/mK보다 낮아지는 등 특성 저하가 생기고 쉬워지므로 바람직 하지 않다.In addition, the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride tends to be 1% or less and includes a relatively large amount of ALON among components other than the aluminum nitride. That is, a sintered body containing aluminum nitride containing 20% or more of ALON as its main component is likely to obtain a light transmittance of 1% or less. Moreover, since the light transmittance of the sintered compact which has aluminum nitride containing 40% or more of ALON as a main component easily becomes 0%, it is preferable. It is preferable that content of the said ALON is 50% or less. In the sintered compact containing aluminum nitride having a content of more than 50% as the main component, the lowering of electrical insulation properties and the thermal conductivity at room temperature are lower than 50 W / mK.

바꾸어 말한다면, 50%이하~40%의 범위의 ALON를 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 0%의 것을 얻기 쉽다. 또, 40%이하~20%의 범위의 ALON를 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 1%이하의 것을 얻기 쉽다.In other words, in a sintered body containing aluminum nitride containing ALON in a range of 50% or less and 40% or less, a thing having a light transmittance of 0% is easy to be obtained. Moreover, in the sintered compact which has aluminum nitride containing ALON in 40% or less and 20% of ranges as a main component, the thing of 1% or less of light transmittance is easy to be obtained.

또한 상기 ALON의 함유량은 앞에서 본 같게 X선회절법에 의해 ALON와 AIN의 각각의 최강 회절선을 비교해 그 비를 백분율로서 요구한 것이다.As described above, the content of ALON is compared with the strongest diffraction lines of ALON and AIN by the X-ray diffraction method and the ratio is required as a percentage.

상기와 같이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율을 50%이하로 하기 위해서 이용되는 비교적 다량의 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물 등의 소결조제, 혹은 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등 소결체의 착색을 촉진하기 위한 성분, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분, 혹은 산소를 복수 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용할 수도 있다. 예를 들면 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 알칼리 금속이나 규소 등의 성분, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본 등의 성분, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 불가피 금속 성분, 혹은 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속을 포함하지 않는 경우에 비해 소결체 제조시의 소성온도를 저하할 수가 있기 때문에 제조가 용이하게 되므로 바람직하다.As described above, sintering aids such as a relatively large amount of rare earth element compounds and alkaline earth metal compounds used for reducing the light transmittance of the sintered body containing aluminum nitride as a main component of 50% or less, or components such as alkali metals and silicon, or Mo, A plurality of components for promoting the coloring of sintered bodies such as W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon or inevitable metal components such as iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc, or oxygen A sintered body containing mainly included aluminum nitride can also be used as a substrate for mounting a light emitting element. For example, at least one or more components selected from rare earth elements and alkaline earth metals, components such as alkali metals and silicon, or components such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon, or iron, nickel, and chromium The sintered body mainly composed of aluminum nitride containing at least one component selected from oxygen, or inevitable metal components such as manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc, or when the rare earth element and alkaline earth metal are not included In contrast, since the firing temperature at the time of manufacture of a sintered compact can be reduced, since manufacture becomes easy, it is preferable.

본 발명에 대해 상기로 예시한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 이외의, 예를 들면 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽을 주성분으로 하는 소결체, 한층 더 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 산화 이트륨 등의 희토류 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 스테어 타이트, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽을 주성분으로 하는 소결체 등의 각종 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 대해도 광투과율 50%이하의 것이 제작할 수 있다. 상기 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에는 통상 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연 등의 천이 금속, 혹은 카본 등의 각 성분이 적어도 1종 이상 포함된다. 그 함유량은 통상 0.1 ppm~1 ppm 이상이면 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 착색하기 쉽고 상기 소결체의 광투과율을 50%이하의 것으로 하는 것이 가능한 경우가 많다.Sintered bodies having, as main components, at least one selected from, for example, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, and aluminum oxide, other than sintered bodies having as main components the above-described aluminum nitride, Furthermore, from rare earth oxides such as zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate, yttrium oxide, dorium oxide, various ferrites, mullite, forsterite, stearite, crystallized glass The thing of 50% or less of light transmittance can also be produced also about the sintered compact which has various ceramic materials, such as a sintered compact which has at least one selected as a main component, as a main component. The sintered body mainly composed of the ceramic material having a light transmittance of 50% or less includes transition metals such as Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc, Or at least 1 type (s) of each component, such as carbon, are contained. When the content is usually 0.1 ppm to 1 ppm or more, the sintered body containing the ceramic material as a main component is easy to color, and in many cases, the light transmittance of the sintered body can be 50% or less.

본 발명에 의한 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 것으로 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터 강한 빛이 방출 가능해져, 특정의 방향에의 발광이 필요한 예를 들면 벽패널 조명이나 천정 조명 등 평면상의 조명용으로 매우 적합하게 응용할 수 있다.The use of a sintered body whose main component is a ceramic material having a light transmittance of 50% or less according to the present invention as a substrate for mounting a light emitting element enables strong light to be emitted from the side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted, and thus requires light emission in a specific direction. For example, it can be suitably applied for planar lighting such as wall panel lighting or ceiling lighting.

본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작되는 발광소자 탑재용 기판은 발광소자를 2개 이상의 복수개 탑재했을 때에 같은 기판내에서 반사 방지 부재 혹은 반사 부재의 재료, 형성 위치, 형상 등을 각각의 발광소 자 탑재 부분 마다 변화시키는 것으로 각 발광소자로부터의 발광의 방향이 개별적으로 제어 가능하다. 그 결과 기판 전체로부터 방출되는 빛은 보다 고도로 방향의 제어와 밝음의 제어를 받은 것이 되어, 발광소자를 1개만 탑재한 같은 복수개의 기판으로부터의 빛보다, 예를 들면 국부적으로 보다 밝게 조사할 수 있는, 등의 이점이 있다. 발광소자 탑재용 기판에 2개 이상의 복수개 발광소자를 탑재해 기판 외부에 방출되는 빛이 국부적으로 밝음이 증대한 것이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판을 투과한 빛은 눈에 상냥하고 온화한 것이다.The substrate for mounting a light emitting element manufactured by using a sintered body containing the ceramic material according to the present invention as a main component may have a material, a forming position, a shape, etc. of the antireflection member or the reflecting member in the same substrate when two or more light emitting elements are mounted. By changing each light emitting element mounting portion, the direction of light emission from each light emitting element can be controlled individually. As a result, the light emitted from the entire substrate is subjected to a higher degree of direction control and brightness control, and can be irradiated locally brighter than light from a plurality of substrates having only one light emitting element mounted thereon. , And the like. Even though the light emitted from the outside of the substrate is locally increased by mounting two or more light emitting elements on the light emitting element mounting substrate, the light transmitted through the light emitting element mounting substrate composed of a sintered body composed mainly of ceramic material It is kind and gentle.

발광소자를 2개 이상 탑재하는 경우, 탑재되는 상기 발광소자로서는 발광 파장이 모두 같은 것에서 만나도 괜찮고 예를 들면 적, 황, 록, 청, 자, 자외광 등 다른 파장의 빛을 발광하는 것이 각각 1이상이어도 괜찮다. 다른 파장의 빛을 발광하는 발광소자를 탑재했을 때 이들 발광소자로부터의 빛은 혼합해 원의 파장과 다른 색조의 것이 될 수 있지만, 본 발명에 의한 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판을 이용하면 상기 기판을 투과한 빛은 소결체 내부에서 산란되고 쉽기 때문에 다른 파장의 빛의 혼합성이 높아지기 쉽다고 하는 효과가 있다. 이러한 빛의 혼합성이 높아지기 쉬운 이유의 하나로서 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 결정 방위가 다른 미결정립자로 이루어지는 구조를 가지기 때문이라고 추측된다. 보다 구체적으로 말하면, 예를 들면 적색과 청록색색을 각각 발광하는 발광소자, 혹은 오렌지색과 청색을 각각 발광하는 발광소자, 혹은 황색과 파랑 보라색을 각각 발광하는 발광소자, 등을 동시 에 탑재하면 백색광이 얻는 것이 가능하지만, 단지 이들 파장이 다른 빛을 발광하는 발광소자를 늘어놓고 이러한 발광소자로부터 발광된 직접적인 혼합빛 보다 본 발명에 의한 광투과성을 가지는 발광소자 탑재용 기판을 투과한 혼합빛 쪽이 보다 백색성이 높게 느껴지는 경우가 많다. 또, 이러한 발광소자로부터의 혼합빛으로서 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 형성된 반사 방지 부재를 투과한 것 혹은 반사 부재에 의해 반사된 것은 발광소자로부터 발광된 직접적인 혼합빛보다 보다 백색성이 높게 느껴지는 경우가 많다. 이러한 현상이 생기는 것은 발광소자로부터 발광된 직접적인 혼합빛에는 상기 발광소자가 발광한 원의 색조가 남아 있기 때문이라고 생각된다.In the case where two or more light emitting devices are mounted, the light emitting devices to be mounted may all meet at the same emission wavelength and emit light of different wavelengths such as red, yellow, green, blue, purple, and ultraviolet light, respectively. It may be ideal. When a light emitting device emitting light of different wavelengths is mounted, the light from these light emitting devices may be mixed to have a color different from that of the original wavelength. When the light emitting element mounting substrate is used, the light transmitted through the substrate is easily scattered in the sintered compact, and thus, the mixing property of light of different wavelengths is easily increased. As one of the reasons for such easy mixing of light, it is presumed that the sintered body mainly composed of a ceramic material has a structure composed of microcrystalline particles having different crystal orientations. More specifically, for example, when a light emitting device emitting red and cyan colors respectively, or a light emitting device emitting orange and blue colors, or a light emitting device emitting yellow and blue purple colors, etc. is simultaneously mounted, white light is generated. Although it is possible to obtain, the mixed light transmitted through the light emitting element mounting substrate having the light transmittance according to the present invention is more preferable than the direct mixed light emitted from the light emitting elements by arranging light emitting devices emitting light of different wavelengths. Whiteness is often felt high. In addition, the mixed light from the light emitting element, which has passed through the antireflection member formed on the light emitting element mounting substrate according to the present invention or reflected by the reflecting member, has a higher whiteness than the direct mixed light emitted from the light emitting element. It is often felt. This phenomenon is considered to be because the color tone of the circle emitted by the light emitting element remains in the direct mixed light emitted from the light emitting element.

또, 이러한 다른 파장의 것이 혼합한 빛이어도 본 발명에 의한 광투과성을 가지는 발광소자 탑재용 기판을 투과하는 것으로써 눈에 상냥하고 온화한 것이 될 수 있다.Moreover, even light mixed with such other wavelengths can pass through the light-emitting device-mounting substrate having the light transmissive according to the present invention, which can be gentle and gentle to the eyes.

또, 이러한 발광소자로부터의 빛이 혼합한 것이어도 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 형성된 반사 방지 부재 혹은 반사 부재에 의해 빛의 방향 제어는 가능하다.In addition, even if the light from such a light emitting element is mixed, the direction of light can be controlled by the antireflection member or the reflection member formed in the light emitting element mounting substrate by this invention.

이하, 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 대해 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 이하에 기재하는 실시예에는 본 발명에 의한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판을 이용하는 것으로 상기 기판에 탑재된 발광소자의 우위성도 동시에 나타나고 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the light emitting element mounting substrate by this invention is demonstrated concretely by an Example. In the embodiments described below, the superiority of the light emitting element mounted on the substrate is simultaneously shown by using a light emitting element mounting substrate composed of a sintered body mainly composed of the ceramic material according to the present invention.

실시예 1Example 1

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성에 관해서 소결체의 조성이나 소결체의 미구조 등의 특성에 의한 영향을 조사했다. 또 얻을 수 있던 각종 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 때의 기판을 투과하는 빛의 성질과 상태에 대해 조사했다.The influence of the composition of the sintered compact, the microstructure of the sintered compact, and the like on the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride was investigated. Moreover, the nature and state of the light which permeate | transmits the board | substrate when using the obtained various sintered compacts as a board | substrate for light emitting element loading were investigated.

소결체 제작용 원료 분말로서 고순도 질화 알루미늄 분말(토쿠야마조들 주식회사(현：주식회사 트크야마) 제 「F」그레이드)를 준비했다. 이 원료 분말은 산화물 환원법에서 제조된 것이다. 이 원료 분말은 불순물로서 산소를 0.9 중량%포함한다. 이 원료 분말에 적당 소결조제나 착색제 등을 더하고 에탄올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 건조해 에탄올을 휘산 한 후 파라핀 왁스를 분말 혼합체에 대해서 5 중량%더하고 성형용 분말을 제작해, 직경 32 mm두께 1.5 mm의 원형 성형체를 1축프레스 성형에 의해 얻었다. 그 후 감압하 300℃으로 파라핀 왁스를 탈지 해, 소성용 치구로서 질화 알루미늄제 혹은 텅스텐제의 셋타, 칼집을 사용해 환원성 분위기가 되지 않게 순질소 분위기중에서 상압소성, 분위기 가압소성(가스압소성), 핫 프레스, HIP(홋트아이소스타틱크프레스：정수압 가압 소결)에 의해 각종 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 얻을 수 있던 소결체를 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 치수로 연삭, 한층 더 표면을 경면 연마 가공했다. 또한 상기 분말 성형체의 소성에서 첨가물을 이용하지 않는 것, 첨가물로서 탄산칼슘을 산화물 환산으로 3.0 체적%포함하는 것, Si 및 Si3N4를 산화물 환산으로 각각 0.02 체적%및 2.5 체적%포함하는 것은 소성치구로서 텅스텐제의 것을 그대로의 상태로 이용하고 상압소성 혹은 분위기 가압소성을 실시했다. 그 이외의 조성의 분말 성 형체는 소성에서 텅스텐제의 셋타에 따로 준비한 질화 알루미늄 분말만을 이용해 제작한 분말 성형체를 동시에 소성하거나, 질화 알루미늄제의 셋타를 이용해 소성했다. 또 핫 프레스 및 HIP에 즈음해서는 첨가물을 이용하지 않는 것을 제외해 분말 성형체를 일단 1820℃으로 1시간 질소중에서 상압 소성하여 일단 소결체로 한 것을 이용해 가압소성을 실시했다.High-purity aluminum nitride powder ("F" grade made by Tokuyamazo Co., Ltd. (current: Tokyama Corporation)) was prepared as a raw material powder for sintered compact production. This raw material powder is manufactured by the oxide reduction method. This raw material powder contains 0.9 weight% of oxygen as an impurity. A suitable sintering aid or colorant was added to the raw material powder, pulverized and mixed in a ball mill with ethanol for 24 hours, dried, followed by volatilization of ethanol, and 5% by weight of paraffin wax was added to the powder mixture to form a molding powder. The circular molded object of thickness 1.5mm was obtained by uniaxial press molding. Afterwards, the paraffin wax is degreased at 300 ° C. under reduced pressure, and an atmospheric pressure firing, atmospheric pressure firing (gas pressure firing), and hot in a pure nitrogen atmosphere is used so as not to be a reducing atmosphere using a set of aluminum nitride or tungsten as a firing jig. By pressing and HIP (hot isostatic press: hydrostatic pressure sintering), the sintered compact which has various aluminum nitride as a main component was obtained. The obtained sintered compact was ground in the dimension of diameter 25.4mm thickness 0.5mm, and the surface was further mirror-polished. In addition, in the firing of the powder compact, an additive is not used, calcium carbonate is contained in an amount of 3.0% by volume in terms of oxide, and Si2 and Si3N4 are contained in an oxide equivalent of 0.02% by volume and 2.5% by volume, respectively. The tungsten product was used as it is and atmospheric pressure baking or atmosphere pressurization was performed. The powder compacts of other compositions were fired simultaneously using the aluminum nitride powder prepared separately from the tungsten setter in firing, or fired using the aluminum nitride setter. In the hot press and HIP, except that no additives were used, the powder compacts were subjected to pressurizing firing by using a one-time sintered compact under normal pressure firing at 1820 ° C for 1 hour in nitrogen.

얻을 수 있던 각종 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성, 상대 밀도, 기공의 평균 크기, AIN 입자의 크기, 전산소량, ALON량, 605 nm의 단색광을 이용한 광투과율, 및 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 경면 연마한 후의 기판 표면의 평활성, 의 측정을 실시했다. 또한 광투과율의 측정은 히타치 제작소제의 분광 광도계 U－4000을 이용하고 적분구내에 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 기판을 넣고 상기 소결체에 입사하는 빛의 강도와 투과하는 빛을 모두 모아 그 강도를 측정해, 전투과광과 입사빛과의 강도의 백분율비를 산출해 광투과율로 했다. 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 특성의 측정 결과를 표 1에 나타낸다. 얻을 수 있던 각종 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 원료 분말에 불순물로서 존재하고 있는 것이나 첨가한 알루미나 등에서 혼입하는 산소, 혹은 첨가한 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물 등의 소결조제, 혹은 첨가한 알칼리 금속 화합물이나 규소 함유 화합물, 혹은 첨가한 몰리브덴, 텅스텐, 니오브, 티탄, 카본 등의 착색을 촉진하는 성분, 혹은 첨가한 철, 니켈 등의 성분은 원료 분말에 첨가한 첨가물이 대부분 휘산제거되지 않고 분말 성형 체내와 동량 존재하고 있다. 즉 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으 로 하는 소결체의 조성은 분말 성형체의 조성과 같다. 따라서 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 전산소량 이외 특히 표 1에는 기재하고 있지 않다. 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작할 때 첨가한 알루미나량은 산화물 환산에 의해 산정한 것이어, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 산소량은 원소 환산으로 측정한 것이다. 또한 기판의 표면 평활성은 표 1에는 가리키지 않지만 평균 표면 엉성함(Ra)=20 nm~45 nm의 범위에 있었다. 그 후 상기 표면을 경면 연마 가공한 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 각종 기판을 10mm/10mm의 크기에 절단 해 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자를 구동하기 위한 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 또, 상기 발광소자의 중심 발광 파장 460 nm이다.The composition, the relative density, the average size of pores, the size of AIN particles, the total amount of oxygen, the amount of ALON, the light transmittance using monochromatic light of 605 nm, and the aluminum nitride as the main components The smoothness of the surface of the substrate after mirror polishing of the sintered compact was measured. The light transmittance was measured using a spectrophotometer U-4000 manufactured by Hitachi, Inc., and a substrate composed mainly of aluminum nitride, which was manufactured in an integrating sphere, was collected, and the intensity of light incident on the sintered body and the transmitted light were collected. It measured and calculated the percentage ratio of the intensity | strength of combat light and incident light, and made it the light transmittance. Table 1 shows the measurement results of the properties of the sintered compact containing aluminum nitride as a main component. For the sintered body having various kinds of aluminum nitride obtained as a main component, sintering aids such as those present as impurities in the raw material powder, oxygen mixed in the added alumina, or the like, added rare earth element compounds or alkaline earth metal compounds, or added Alkali metal compounds, silicon-containing compounds, added molybdenum, tungsten, niobium, titanium, carbon and other components that promote coloring, or added components such as iron and nickel, most of the additives added to the raw material powder is not volatilized off It exists in the same amount as the powder molding body. That is, the composition of the obtained sintered compact containing aluminum nitride as a main component is the same as that of the powder compact. Therefore, as a composition of the sintered compact which has the obtained aluminum nitride as a main component, it does not mention in particular in Table 1 other than the amount of oxygen. The amount of alumina added when producing the sintered compact containing aluminum nitride as a main component was calculated by conversion of oxide, and the amount of oxygen in the sintered compact containing aluminum nitride as the main component was measured in terms of elements. In addition, although the surface smoothness of the board | substrate is not shown in Table 1, the average surface roughness (Ra) was in the range of 20 nm-45 nm. After that, various substrates with a diameter of 25.4 mm in diameter and 0.5 mm in mirror-polished surface were cut into 10 mm / 10 mm in size, and an electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 μm by Ti / Pt / Au thin film on one surface was prepared. It formed and the board | substrate for light emitting element mounting was produced. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. Moreover, the center light emission wavelength of the said light emitting element is 460 nm.

그 결과, 표 1에 대해 실험 No.6으로 제작한 기판을 제외해 모든 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판에 대해 발광소자가 탑재된 기판면의 반대측에서 발광소자로부터의 발광이 관찰되었다. 이것은 분명하게 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이상의 것을 기판으로서 이용하는 것으 로 발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 것을 나타내고 있다. 실험 No.6의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 ALON의 함유량이 50%이상이며 AIN의 함유량이 50%보다 적게 산소도 10 중량%보다 많기 때문에 광투과성이 발현하기 어렵다고 생각된다.As a result, light emission from the light emitting element was observed on the opposite side of the substrate surface on which the light emitting element was mounted on the substrate using the sintered body containing all aluminum nitride as a main component except the substrate produced in Experiment No. 6 in Table 1. This clearly indicates that the substrate having a light transmittance of 1% or more of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride is used as the substrate, and the light emitted from the light emitting element is transmitted through the substrate to be emitted outside the substrate. It is considered that the sintered compact mainly composed of aluminum nitride of Experiment No. 6 has an AlON content of 50% or more and an AIN content of less than 50% and an oxygen content of more than 10% by weight.

표 1에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 Y, Gd, Dy, Ho, Er, Yb의 각 원소를 포함한 희토류 원소 화합물 및 Ca를 포함한 알칼리 토류 금속 화합물의 함유량이 산화물 환산으로 각각 30 체적%이하의 것으로는 광투과율이 1%이상이며, 실제상 얻을 수 있던 것은 적어도 20%이상의 광투과율을 가지는 것이었다. 또 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 Li를 포함한 알칼리 금속 화합물 및 규소 화합물의 함유량이 각각 5 체적%이하의 것으로는 광투과율이 1%이상이다. 또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 Mo, W, V, Ti, Nb의 각 원소를 포함한 착색을 도모하기 위한 화합물의 함유량이 산화물 환산으로 각각 5 체적%이하의 것으로는 광투과율은 1%이상이며, 실제상 얻을 수 있던 것은 적어도 10%이상의 광투과율을 가지는 것이었다. 또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 Fe, Ni의 각 원소를 포함한 불가피 불순물 성분을 산화물 환산으로 각각 1 중량%이하 포함하는 것에서는 광투과율은 1%이상이며, 실제상 얻을 수 있던 것은 적어도 20%이상의 광투과율을 가지는 것이었다. 또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 산소 함유량이 10 중량%이하의 것으로는 광투과율은 1%이상이며, 실제상 얻을 수 있던 것은 적어도 20%이상의 광투과율을 가지는 것이었다. 또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 ALON 함유량이 20%이하의 것으로는 광투과율은 1%이 상이었다. 본 실시예에 대해 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 상압소성에 대해도 50%~60%이상의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있었다. 또 핫 프레스소성으로 광투과율 81%의 것을 얻을 수 있었다.The contents of the rare earth element compounds containing each element of Y, Gd, Dy, Ho, Er, and Yb and the alkaline earth metal compound including Ca of the sintered body mainly composed of aluminum nitride are shown in Table 1 below 30 vol%. The light transmittance was 1% or more, and what was actually obtained was at least 20% or more. Moreover, as for content of the alkali metal compound and silicon compound containing Li of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component, respectively, 5 volume% or less, light transmittance is 1% or more. The light transmittance is 1% or more when the content of the compound for planning coloring including each element of Mo, W, V, Ti, and Nb of the sintered body containing aluminum nitride as a main component is 5 vol% or less in terms of oxides, respectively. In fact, what was actually obtained had a light transmittance of at least 10%. In addition, in the case of including an inevitable impurity component including each element of Fe and Ni in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride, in terms of oxide, the light transmittance is 1% or more, and at least 20 have been obtained in practice. It had a light transmittance of more than%. The oxygen content of the sintered body containing aluminum nitride as a main component of 10% by weight or less was 1% or more in light transmittance, and what was actually obtained had at least 20% or more in light transmission. Moreover, as for the ALON content of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component of 20% or less, the light transmittance was 1% or more. The sintered compact mainly composed of aluminum nitride produced in this example was obtained having a light transmittance of 50% to 60% or more even at atmospheric pressure firing. Moreover, the thing of 81% of light transmittance was obtained by hot press baking.

표 1에 대해 실험 No.6의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제외해 그 외의 모든 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 AIN의 함유량이 50%이상이며, 광투과율 1%이상이다.In Table 1, except for the sintered body containing aluminum nitride as the main component of Experiment No. 6, all other aluminum nitride sintered bodies had a content of AIN of 50% or more and a light transmittance of 1% or more.

표 1에 대해 모든 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 상대 밀도 95%이상이며, 실험 No.6의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제외해 광투과율이 1%이상이다.In Table 1, the sintered compact including all aluminum nitride as a main component has a relative density of 95% or more, and the light transmittance is 1% or higher except for the sintered compact containing aluminum aluminum as a main component of Experiment No. 6.

표 1에 대해 모든 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 평균 기공 지름 1μm 이하이며, 실험 No.6의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제외해 광투과율이 1%이상이다.In Table 1, all aluminum nitride sintered bodies have an average pore diameter of 1 μm or less, and the light transmittance is 1% or more except for the sintered body composed of aluminum nitride of Experiment No. 6 as a main component.

표 1에 대해 모든 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 AIN 입자의 평균 크기가 1μm이상으로여, 실험 No.6의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제외해 광투과율이 1%이상이다.In Table 1, the sintered body containing all aluminum nitride as a main component has an average size of AIN particles of 1 µm or more, and the light transmittance is 1% or more except for the sintered body containing aluminum nitride of Experiment No. 6 as a main component.

표 1에 대해 실험 No.8~10의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에는 AIN 이외에 3 Y2O35 Al2O3이, No.13에는 AIN 이외에 3 Y2O35 Al2O3 및 YAlO3이, No.15에는 AIN 이외에 YAlO3 및 2 Y2O3Al2O3이, No.16~18에는 AIN 이외에 2 Y2O3Al2O3 및 Y2O3이 X선회절에 의해 검출된다. 또, 실험 No.19의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에는 AIN 이외에 2 Gd2O3Al2O3 및 Gd2O3이 X선회절에 의 해 검출된다. 또, 실험 No.20의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에는 AIN 이외에 DyAlO3 및 2 Dy2O3Al2O3이 X선회절에 의해 검출된다. 또, 실험 No.21의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에는 AIN 이외에 HoAlO3 및 2 Ho2O3Al2O3이 X선회절에 의해 검출된다. 또, 실험 No.22의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에는 AIN 이외에 3 Er2O35 Al2O3이 X선회절에 의해 검출된다. 또, 실험 No.23의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에는 AIN 이외에 ErAlO3 및 2 Er2O3Al2O3 및 Er2O3이 X선회절에 의해 검출된다. 또, 실험 No.24의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에는 AIN 이외에 2 Er2O3Al2O3 및 Er2O3이 X선회절에 의해 검출된다. 또, 실험 No.25의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에는 AIN 이외에 3 Yb2O35 Al2O3 및 YbAlO3이 X선회절에 의해 검출된다.In Table 1, 3 Y2O35 Al2O3 other than AIN was used for the sintered body mainly composed of aluminum nitride of Experiment Nos. 8 to 10, 3 Y2O35 Al2O3 and YAlO3 other than AIN was used, and No.15 YAlO3 and 2 Y2O3Al2O3 other than AIN were used. , Nos. 16 to 18, in addition to AIN, 2 Y 2 O 3 Al 2 O 3 and Y 2 O 3 are detected by X-ray diffraction. In addition, 2 Gd 2 O 3 Al 2 O 3 and Gd 2 O 3 in addition to AIN were detected by X-ray diffraction in the sintered body mainly composed of aluminum nitride of Experiment No. 19. In addition, DyAlO 3 and 2 Dy 2 O 3 Al 2 O 3 in addition to AIN are detected by X-ray diffraction in the sintered body mainly composed of aluminum nitride of Experiment No. 20. In addition, HoAlO3 and 2 Ho2O3Al2O3 in addition to AIN are detected by X-ray diffraction in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride of Experiment No.21. In addition, 3 Er 2 O 35 Al 2 O 3 in addition to AIN is detected by X-ray diffraction in the sintered body mainly composed of aluminum nitride of Experiment No. 22. In addition, ErAlO3 and 2 Er2O3Al2O3 and Er2O3 in addition to AIN are detected by X-ray diffraction in the sintered compact mainly containing aluminum nitride of Experiment No.23. In addition, 2 Er 2 O 3 Al 2 O 3 and Er 2 O 3 in addition to AIN are detected by X-ray diffraction in the sintered body mainly composed of aluminum nitride of Experiment No. 24. In addition, 3 Yb2O35 Al2O3 and YbAlO3 in addition to AIN are detected by X-ray diffraction in the sintered compact mainly containing aluminum nitride of Experiment No.25.

또, 실험 No.14의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에는 AIN 이외에 3 CaOAl2O3 및 CaOAl2O3라고 생각되는 화합물이 X선회절에 의해 검출된다.In addition, in the sintered body mainly composed of aluminum nitride of Experiment No. 14, compounds thought to be 3 CaOAl 2 O 3 and CaOAl 2 O 3 in addition to AIN are detected by X-ray diffraction.

본 실시예에 대해 실험 No.6이외의 각 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 앞에서 본 같게 10mm/10mm/0.5mm의 발광소자 탑재용 기판을 제작해 시판의 발광소자를 탑재해 상기 발광소자에게 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했지만, 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 이 때, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 거의 관찰되지 않았다.In this embodiment, using a sintered body composed mainly of aluminum nitride other than Experiment No. 6, a 10 mm / 10 mm / 0.5 mm light emitting device mounting substrate was prepared as described above, and a commercially available light emitting device was mounted to the light emitting device. Although electric power was applied by applying 3.5 V / 350 mA and the transmission state from the substrate was visually confirmed, the light transmitted through the substrate was observed with all the light emitting element mounting substrates produced. At this time, the decrease of the brightness by the thin film electric circuit formed in the surface of the board | substrate which consists of a sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the said transmitted light was hardly observed.

비교를 위해서 광투과율 80%의 시판의 유리판을 10mm/10mm/0.5mm의 크기의 기판에 가공해 같은 발광소자를 같이 에폭시 수지로 접착해 탑재해 발광시켜 상기 유리 기판으로부터의 투과광을 관찰했다. 그 결과, 분명하게 발광소자로부터의 직진빛이기 때문에 눈에 띄어 찌르는 것 같은 빛이 육안으로 관찰된다. 한편 본 발명에 의한 실험 No.9의 광투과율 81%의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판을 이용했을 경우 거의 같은 투과율인 것에도 불구하고 기판을 투과한 빛은 눈을 찌르는 것 같은 빛을 그다지 느끼지 않는 온화한 것이었다. 본 실시예로 얻은 광투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용한 것은 상기 기판을 투과한 빛은 모두 눈을 찌르는 것 같은 빛을 그다지 느끼지 않는 온화한 것이었다.For comparison, a commercially available glass plate having a light transmittance of 80% was processed on a substrate having a size of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm, and the same light emitting device was bonded and mounted with an epoxy resin to emit light to observe transmitted light from the glass substrate. As a result, since it is clearly straight light from a light emitting element, the light like a prominent sting is visually observed. On the other hand, in the case of using a substrate using a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance of 81% of the experiment No. 9 according to the present invention, the light transmitted through the substrate has a light like stinging eyes, despite having almost the same transmittance. It was a mild feeling that did not feel so much. The use of the sintered body containing the light-transmissive aluminum nitride as the main component of the present example as a substrate for mounting a light emitting element was a mild one that did not feel much of the light that pierced the eye.

또, 실험 No.29~36으로 제작한 광투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 흑색, 재흑색, 회색에 정색 하고 있었다. 흑색, 재흑색, 회색에 정색 한 상기 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용한 것에서는 상기 기판을 투과한 빛은 눈을 찌르는 것 같은 빛을 그다지 느끼지 않는 온화한 것이었지만, 그 광조는 실험 No.1~5 및 실험 No.7~28로 제작한 광투과성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판으로부터의 투과광과 미묘하게 이의 것으로 보다 온화함을 가지 듯이 관찰되었다.Moreover, the sintered compact which has the light transmittance aluminum nitride produced by experiment No.29-36 as the main component was colored black, ash black, and gray. In the case where the sintered body colored in black, ash black, and gray was used as a substrate for mounting a light emitting element, the light transmitted through the substrate was a mild one that does not feel light such as stinging eyes. The light transmitted from the substrate using a sintered body composed mainly of light-transmitting aluminum nitride produced in 5 and Experiment Nos. 7 to 28 and slightly subsequently, was observed to have a more gentleness.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 표면에 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투 과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다. 또 정색 밖에 있고 또한 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 유효성을 확인할 수 있었다.According to the present embodiment, even if the light emitting element mounting substrate having the electric circuit formed on the surface of the sintered body containing the ceramic material as a main component has a light transmittance, the brightness of light transmitted through the substrate is greatly reduced. It is possible to confirm that such a thing is unlikely to occur, and to confirm the effectiveness of the sintered body containing the ceramic material as a main component having light transmittance. Moreover, the effectiveness of the sintered compact which has a ceramic material which is outside coloration and which has a light transmittance as a main component was confirmed.

실시예 2Example 2

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 제작용 원료 분말로서 고순도 질화 알루미늄 분말(토쿠야마조들 주식회사(현：주식회사 트크야마) 제 「H」그레이드)을 준비했다. 이 원료 분말은 산화물 환원법에서 제조된 것이다. 이 원료 분말은 산소를 1.0 중량%불순물로서 포함한다. 이 원료 분말에 적당 Y2O3 분말을 3.3 체적%더한 것, Er2O3 분말을 4.02 체적%더한 것, 및 CaCO3 분말을 CaO 환산으로 0.6 체적%더한 것을 톨루엔 및 이소프로필 알코올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 아크릴 바인더를 분말 원료 100 중량부에 대해서 12 중량부 더하고 게다가 12시간 혼합하는 것으로 페이스트화해 독터 블레이드법으로 두께 0.75 mm의 3 종류의 조성을 가지는 그린 시트를 제작했다. 또 별로 상기 3 종류의 조성으로 이루어지는 두께 0.3 mm의 그린 시트도 제작했다. 상기 그린 시트 중 두께 0.75 mm의 그린 시트로부터 한 변 35 mm의 정방형장의 시트를 제작해 이 시트에 펀칭기 및 YAG 레이저로 표리면을 관통하는 직경 25μm, 50μm, 250μm의 원형 스루홀을 형성했다. 다음에 용매로서α테르피네오르, 바인더로서 아크릴 수지를 더하고 도전성 성분으로서 순텅스텐 분말, 50 체적%텅스텐＋50 체적%동의 혼합 분말 및 순동분말의 3 종류의 분말을 이용해 도통 비아용 페이스트를 제작해 상기의 스루홀내에 충전했다. 동을 포함한 도통 비아용 페이스트를 충전한 그린 시트에 대해서 두께 0.3 mm의 그린 시트를 양면에 적층 밀착했다. 양측으로 적층 밀착한 두께 0.3 mm의 그린 시트 는 스루홀 등을 형성하고 있지 않는 그린 시트 성형한 상태 인 채의 것이다. 본 실시예에 대해 양측으로 그린 시트를 밀착한 것은 소성중동의 휘산이 생기지 않도록 고려한 것이지만 경우에 따라서는 반드시 필요로 하지 않는다. 그 후 건조해, 적당 질소 또는 질소/이산화탄소 혼합 가스를 주성분으로 하는 분위기중에서 탈바인더를 실시한 후 1820℃으로 2시간 상압의 순질소 분위기중에서 동시 소성하여 도통 비아가 내부에 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 소성에 즈음해서는 실시예 1로 가리킨 방법과 같이, 피소성물인 스루홀에 도통 비아 페이스트가 충전된 그린 시트의 탈지물을 텅스텐제 셋타에 두어 상기 피소성물과는 별도로 질화 알루미늄 분말 성형체를 동시에 두어 주위를 텅스텐의 테두리로 둘러싸 갔다. 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 최초 그린 시트의 스루홀에 충전한 금속 성분은 소결 혹은 용해 응고에 의해 충분히 치밀화해 도전성이 발현하고 있어 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와도 긴밀히 일체화해 도통 비아로서 기능하고 있다. 텅스텐, 50 체적%텅스텐＋50 체적%동, 동의 각 도통 비아 재료와 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와의 사이에는 반응이 인정받지 않는다. 얻을 수 있던 도통 비아의 크기는 소성 후 수축해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 내부에서 각각 직경 208~216μm, 40~44μm 및 20~23μm이 되어 있었다. 다음에 얻을 수 있던 소결체를 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 치수로 양면연삭, 및 경면 연마 가공해 내부의 도통 비아를 노출시키고 도통 비아를 가지는 기판장의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 경면 연마 후의 표면 평활성은 평균 표면 엉성함(Ra)=26 nm정도였다. 또한 상기 도통 비아는 10mm/10mm의 면적에 1~30개 형성되도록 배치되고 있다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 도통 비아를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 파장 605 nm의 단색광에 대한 광투과율을 측정해 그 후 도통 비아의 실온에 있어서의 저항을 4 단자법으로 측정해 도통 비아의 형상으로부터 실온에 있어서의 저항율을 산출했다. 그 결과 도통 비아가 형성되고 싶은 차이의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해도 광투과율은 1%이상이며, 실제상 얻을 수 있던 것은 적어도 50%이상의 광투과율을 가지는 것이었다. 도통 비아의 실온에 있어서의 저항율은 2.010－6Ωcm~7.710－6Ωcm의 범위였다. 이러한 결과를 표 2에 나타낸다.High-purity aluminum nitride powder ("H" grade made by Tokuyamazo Co., Ltd. (current: Tokyama Corporation)) was prepared as a raw material powder for sintered compact production which has aluminum nitride as a main component. This raw material powder is manufactured by the oxide reduction method. This raw material powder contains oxygen as 1.0 weight% impurity. 3.3% by volume of Y2O3 powder, 4.02% by volume of Er2O3 powder, and 0.6% by volume of CaCO3 powder in terms of CaO were pulverized and mixed with toluene and isopropyl alcohol in a ball mill for 24 hours. The binder was pasteurized by adding 12 parts by weight to 100 parts by weight of the powder raw material and further mixing for 12 hours to produce a green sheet having three kinds of compositions having a thickness of 0.75 mm by the doctor blade method. Moreover, the green sheet of thickness 0.3mm which consists of said three kinds of compositions was also produced separately. Of the green sheets, a sheet of 35 mm square length was made from a green sheet having a thickness of 0.75 mm, and circular through holes having a diameter of 25 μm, 50 μm, and 250 μm penetrating the front and back surfaces were punched with a punching machine and a YAG laser. Next, [alpha] terpineor is added as a solvent, an acrylic resin as a binder, and a conductive via paste is prepared using three types of powders: pure tungsten powder, 50 vol% tungsten +50 vol% copper powder, and pure copper powder. Was charged in the through hole. A green sheet having a thickness of 0.3 mm was laminated on both surfaces of the green sheet filled with the conductive via via paste containing copper. The green sheet having a thickness of 0.3 mm that is laminated on both sides is in a state of being formed in a green sheet which does not form through holes or the like. In this embodiment, the green sheets are in close contact with each other in consideration of preventing volatilization of the firing weight, but in some cases, they are not necessarily required. It is then dried and debindered in an atmosphere containing moderate nitrogen or a nitrogen / carbon dioxide mixed gas as a main component, followed by simultaneous firing at 1820 ° C. in a pure nitrogen atmosphere at atmospheric pressure for 2 hours, where conducting vias are mainly composed of aluminum nitride formed therein. A sintered compact was obtained. In the case of firing, as in the method indicated in Example 1, the degreasing material of the green sheet filled with the through-hole via paste in the through-hole, which is a to-be-fired material, is placed in a tungsten setter, and the aluminum nitride powder compact is simultaneously placed separately from the to-be-fired material. Surrounded by a border of tungsten. The metal component filled in the through hole of the green sheet for the first time in the sintered body mainly composed of aluminum nitride is sufficiently densified by sintering or melt coagulation to exhibit conductivity, and is tightly integrated with the sintered body containing aluminum nitride as a main component. It is functioning as. Reaction is not recognized between tungsten, 50% by volume tungsten + 50% by volume copper, and each conductive via material of copper and the sintered body containing aluminum nitride as a main component. The obtained via vias were shrunk after firing and had diameters of 208 to 216 µm, 40 to 44 µm, and 20 to 23 µm, respectively, in the sintered body mainly composed of aluminum nitride. Next, the obtained sintered body was subjected to double-sided grinding and mirror-polishing processing with a diameter of 25.4 mm in thickness of 0.5 mm to expose the conductive vias therein, and to produce a sintered compact composed mainly of aluminum nitride in the substrate length having the conductive vias. The surface smoothness after mirror polishing was about 26 nm in average surface roughness (Ra). In addition, the conductive vias are arranged to form 1 to 30 in an area of 10 mm / 10 mm. The light transmittance of monochromatic light having a wavelength of 605 nm was measured using a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a conductive via obtained as described above. Then, the resistance at room temperature of the conductive via was measured by a four-terminal method. The resistivity in room temperature was computed from the shape of. As a result, the light transmittance was 1% or more even for the sintered body whose main component was aluminum nitride of which a conductive via was desired to be formed, and what was actually obtained had a light transmittance of at least 50% or more. The resistivity in conduction via at room temperature was the range of 2.010-6 ohm-cm-7.710-6 ohm-cm. These results are shown in Table 2.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 치수로 연삭, 및 경면 연마 가공한 도통 비아를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 각각 10mm/10mm의 크기에 절단 해, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 상기 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과는 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화하고 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 형성된 도통 비아의 도자는 1~30개 어느 수량의 도통 비아를 가지는 기판에 대해도 관찰되지 않았다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 거의 관찰되지 않았다.Next, a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a conductive via, which was ground and mirror-polished through vias of 25.4 mm in diameter and 0.5 mm in diameter obtained in this example was cut into a size of 10 mm / 10 mm, respectively, An electric circuit for driving the light emitting element having a width of 50 µm was formed on the Ti / Pt / Au thin film to form a substrate for mounting a light emitting element. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. In addition, the size of the light emitting element is 1 mm, and the substrate for mounting the light emitting element is bonded with a resin containing epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and bright. Moreover, the conduction via of the through via formed in the board | substrate which consists of a sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the said transmitted light was not observed about the board | substrate which has 1-30 conductive vias of any quantity. In addition, the decrease in the brightness due to the thin film electric circuit formed on the surface of the substrate made of a sintered body composed mainly of aluminum nitride with respect to the transmitted light was hardly observed.

또한 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 실험 No.37~51로 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 실온에 있어서의 열전도율은 모두 150 W/mK~180 W/mK의 범위의 것이었다.In addition, the thermal conductivity in the room temperature of the sintered compact which has aluminum nitride produced by the experiment Nos. 37-51 which were obtained about this Example as a main component was all in the range of 150 W / mK-180 W / mK.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 표면에 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소 하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.According to this embodiment, even if the light emitting element mounting substrate having the electric circuit formed on the surface of the sintered body containing the ceramic material as a main component has a light transmittance, the brightness of the light transmitted through the substrate is greatly reduced. It is possible to confirm that such a thing is unlikely to occur, and to confirm the effectiveness of the sintered body containing the ceramic material as a main component having light transmittance.

실시예 3Example 3

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 제작용 원료 분말로서 실시예 1 및 실시예 2로 이용한 2 종류의 산화 알루미늄의 환원법에 따르는 원료 외에 금속 알루미늄의 직접 질화법에 의해 제작된 2 종류의 질화 알루미늄 분말(토요 알루미늄 주식회사제 「TOYAINITE」및 독일 Starck 사제 「Grade　B」)을 준비했다. 이러한 원료 중 금속 알루미늄의 직접 질화법에 의해 제작된 원료 분말은 2 종류 각각 단독으로, 한층 더 산화 알루미늄의 환원법에 따르는 것과 금속 알루미늄의 직접 질화법에 의해 제작된 원료를 각각 50 중량%두개 혼합한 것을 실시예 1로 같은 방법 으로 성형, 탈지를 실시한 후 질소중 1950℃2시간, 300 Kg/cm2로 핫 프레스를 실시해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 6 종류의 소결체를 얻었다. 얻을 수 있던 소결체를 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 치수로 연삭, 및 경면 연마 가공해 표면 평활도 Ra=27 nm의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 제작했다. X선회절에 의해 원료에 「TOYAINITE」만을 이용한 소결체는 주상이 AIN로 그 외 1.6%의 ALON가 검출된다. 또 원료에 「Grade　B」만을 이용한 소결체는 주상이 AIN로 그 외 2.2%의 ALON가 검출된다. 또 산화 알루미늄의 환원법에 따르는 것과 알루미늄 금속의 직접 질화법에 의해 제작된 원료와의 혼합 원료로부터 제작된 소결체도 마찬가지 주상은 AIN이며 1.2~1.9%의 ALON를 포함한다. 이들 6 종류의 소결체의 상대 밀도는 모두 98%이상이다. 상기 경면 연마 가공된 기판을 이용해 파장 605 nm의 단색광에 대한 광투과율을 측정했다. 그 결과 금속 알루미늄의 직접 질화법에 따르는 원료만을 이용해 제작한 2 종류의 소결체의 광투과율은 「TOYAINITE」를 이용한 것이 69%, 「Grade　B」를 이용한 것이 53%로 어느 원료를 이용한 것도 50%이상의 광투과율을 나타냈다. 한편, 산화물의 환원법으로 제작된 원료만을 이용해 제작한 2 종류의 소결체의 광투과율은 「H」그레이드를 이용한 것이 59%, 「F」그레이드를 이용한 것이 70%로 어느 원료를 이용한 것도 50%이상의 광투과율을 나타냈다. 게다가 금속 알루미늄의 직접 질화법에 따르는 원료와 산화물의 환원법으로 제작된 원료를 50 중량%두개 혼합한 원료로부터 제작된 소결체에 대해, 「TOYAINITE」＋「H」그레이드의 혼합 원료 분말로부터 얻을 수 있던 소결체의 광투과율은 58%, 「TOYAINITE」＋「F」그레이드를 이용한 것이 67%로 어느 원료 를 이용한 것도 50%이상의 광투과율을 나타냈다.Two kinds of aluminum nitride powders produced by the direct nitriding method of metal aluminum in addition to the raw materials according to the reduction methods of the two types of aluminum oxides used in Examples 1 and 2 as raw material powders for the production of sintered bodies mainly composed of aluminum nitride (Saturday "TOYAINITE" made by aluminum Corporation and "Grade'B" made by Starck, Germany were prepared. Among these raw materials, two kinds of raw material powders produced by the direct nitriding method of metal aluminum alone are further obtained by mixing 50 wt% of two raw materials produced by the reduction method of aluminum oxide and each of the raw materials produced by the direct nitriding method of metal aluminum. After molding and degreasing in the same manner as in Example 1, hot pressing was carried out at 300 kg / cm < 2 > for 1950 DEG C for 2 hours in nitrogen to obtain six kinds of sintered bodies containing aluminum nitride as a main component. The obtained sintered compact was ground and mirror-polished by the dimension of diameter 25.4mm thickness 0.5mm, and the board | substrate which consists of a sintered compact which has aluminum nitride of surface smoothness Ra = 27 nm as a main component was produced. X-ray diffraction shows that the sintered body using only "TOYAINITE" as the raw material has AIN as its main phase and 1.6% of other ALONs. In addition, in the sintered compact using only "Grade B" as the raw material, the main phase is AIN, and other 2.2% ALON is detected. Similarly, the sintered body produced from the mixed raw material according to the reduction method of aluminum oxide and the raw material produced by the direct nitriding method of aluminum metal is AIN, and contains 1.2 to 1.9% of ALON. The relative densities of these six kinds of sintered bodies are all 98% or more. The light transmittance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm was measured using the said mirror-polished board | substrate. As a result, the light transmittances of the two kinds of sintered compacts made using only the raw material according to the direct nitriding method of metal aluminum were 69% using "TOYAINITE" and 53% using "Grade B", and 50% or more of any raw material was used. Light transmittance is shown. On the other hand, the light transmittances of the two kinds of sintered bodies produced using only the raw materials produced by the reduction method of oxide were 59% using the "H" grade and 70% using the "F" grade, and 50% or more of the light using any of the raw materials. The transmittance | permeability was shown. Furthermore, the sintered compact obtained from the mixed raw material powder of "TOYAINITE" + "H" grade with respect to the sintered compact produced from the raw material which followed the direct nitriding method of metal aluminum, and the raw material produced by the reduction method of oxide 50 weight% two. The light transmittance was 58% and 67% was used for the "TOYAINITE" + "F" grades.

상기 6 종류의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 각각 10mm/10mm/0.5mm의 경면 연마된 기판을 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 상기 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화하고 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 거의 관찰되지 않았다.A 10 mm / 10 mm / 0.5 mm mirror polished substrate was cut out of the six kinds of aluminum nitride sintered bodies, and the electric circuit for driving the light emitting element having a width of 50 μm was formed on one surface by a Ti / Pt / Au thin film. It formed and the board | substrate for light emitting element mounting was produced. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and bright. In addition, the decrease in the brightness due to the thin film electric circuit formed on the surface of the substrate made of a sintered body composed mainly of aluminum nitride with respect to the transmitted light was hardly observed.

또한 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 6 종류의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 실온에 있어서의 열전도율은 76 W/mK~87 W/mK의 범위의 것이었다.Moreover, the thermal conductivity in the room temperature of the sintered compact which has six types of aluminum nitride obtained as a main component in this Example was a thing of the range of 76 W / mK-87 W / mK.

실시예 4Example 4

실시예 1로 같은 방법으로 새롭게 11 종류의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작해 실시예 1로 같은 방법으로 이들 소결체의 특성을 조사했다. 본 실시예에 의해 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 모두 1%이상이며, 실제 얻을 수 있던 것은 모두 30%이상의 광투과율을 가지고 있었다. 소결체의 특성의 측정 결과를 표 3에 나타낸다. 또한 표 3에는 적지 않지만 경면 연마 후의 표면 평활성은 평균 표면 엉성함(Ra)=26 nm~32 nm의 범위에 있었다. 파장 605 nm의 단색광으로 측정한 광투과율은 모두 30%이상의 범위에 있었다. 또 희토류 원소 화합물, 칼슘 화합물, 알루미나를 첨가해 제작된 것은 모두 광투과율이 50%이상이었다.In the same manner as in Example 1, sintered bodies containing 11 types of aluminum nitride as main components were newly prepared, and the properties of these sintered bodies were examined in the same manner as in Example 1. The light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride obtained by the present example was 1% or more, and all actually obtained had a light transmittance of 30% or more. Table 3 shows the measurement results of the properties of the sintered compact. In addition, although not much in Table 3, the surface smoothness after mirror polishing was in the range of average surface roughness (Ra) = 26 nm-32 nm. The light transmittances measured by monochromatic light having a wavelength of 605 nm were all in the range of 30% or more. In addition, the light transmittance of all of the rare earth element compounds, calcium compounds, and alumina prepared was 50% or more.

상기 11 종류의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 각각 10mm/10mm/0.5mm의 경면 연마된 기판을 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 상기 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑 재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화하고 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 거의 관찰되지 않았다.10 mm / 10 mm / 0.5 mm mirror polished substrates were cut from the 11 kinds of aluminum nitride sintered bodies, and the electric circuit for driving the light emitting element having a width of 50 μm was formed on one surface by a Ti / Pt / Au thin film. It formed and the board | substrate for light emitting element mounting was produced. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting device mounting substrates. The transmitted light was mild and bright. In addition, the decrease in the brightness due to the thin film electric circuit formed on the surface of the substrate made of a sintered body composed mainly of aluminum nitride with respect to the transmitted light was hardly observed.

실시예 5Example 5

실시예 1 및 실시예 4에 대해 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 300 nm의 빛에 대한 투과율을 측정했다. 측정은 빛이 자외선에 대신한 이외는 실시예 1로 같은 방법으로 갔다. 그 결과를 표 4에 나타낸다. 이 결과는 파장 300 nm의 빛에 대한 투과율도 1%이상인 것이 나타났다. 또 분명하게 가시광선 영역에서의 광투과율의 높은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 보라색 외광에 대해도 높은 투과율을 가지는 경향이 있는 것이 나타났다.300 nm의 보라색 외광에 대해서도 광투과율은 최대 72%과 높은 것으로 있었다.　The transmittance | permeability with respect to the light of wavelength 300nm of the sintered compact which has the aluminum nitride produced about Example 1 and Example 4 as a main component was measured. The measurement was carried out in the same manner as in Example 1 except that light was substituted for ultraviolet light. The results are shown in Table 4. The results show that the transmittance of light with a wavelength of 300 nm is also 1% or more. Clearly, the sintered body mainly composed of aluminum nitride having a high light transmittance in the visible range tends to have a high transmittance even against purple external light. There was.

실시예 6Example 6

본 실시예에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 혹은 미리 소성제의 소결체를 장시간 가열하는 것으로 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분 으로 하는 소결체의 특성에 대해 조사했다.In this Example, the characteristics of the sintered compact including aluminum nitride as a main component which can be obtained by heating a powder compact or a sintered compact of a firing agent in advance for a long time were investigated.

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 제작용 원료 분말로서 산화물(산화 알루미늄)의 환원법에 의해 제조된 고순도 질화 알루미늄 분말(토쿠야마조들 주식회사(현：주식회사 트크야마) 제 「H」그레이드) 및 금속 알루미늄의 직접 질화법에 의해 제작된 토요 알루미늄 주식회사제 「TOYAINITE」를 준비해, 소결조제로서 각종 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물 분말을 준비했다. 분석의 결과 「H」그레이드에는 산소가 1.2 중량% 「TOYAINITE」에는 불순물로서 산소가 1.4 중량%포함된다. 분말의 평균 입자 지름은 각각 0.9μm과 1.1μm이다. 또 그 외에 첨가물로서 산화 알루미늄, 카본, 규소 등을 준비했다. 이러한 원료를 이용해 실시예 1로 같은 방법에 의해 각종 조성의 분말 성형체를 제작했다. 또 이와 같이 해 얻은 분말 성형체의 일부를 이용해 가능한 한 소결조제 등이 휘산 하지 않게 실시예 1로 같은 방법에 의해 1800℃으로 1시간 상압 소성하여 미리 소성제의 소결체도 제작했다. 해 미리 소성제의 소결체는 본 실시예의 내용을 나타내는 표 6의 실험 No.118~121의 샘플이 그래서 있다. 상술한 것과 같이하여 얻은 분말 성형체 및 미리 소성제의 소결체를 카본제의 셋타에 둔 후 카본제의 칼집에 넣고 카본노를 이용하고 일산화탄소 1000 ppm 포함한 상압의 질소 분위기중에서 각종 온도 및 시간 조건에 의해 고온 장시간 소성하여 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 얻을 수 있던 소결체의 조성 분석, X선회절에 의한 AIN 결정상의 정량, 질화 알루미늄 입자의 크기 측정을 실시했다. X선회절에 의한 AIN 결정상의 정량은 AIN 이외의 결정상의 회절 피크를 측정해 그것과 AIN의 최강 회절 피크와의 비를 백분율로 요구해 전체의 결정상의 양으로부터 해AIN 이외의 결정상의 양을 공제하는 것으로 요구한 값이다. 다음에 얻을 수 있던 소결체의 표면을 30 nm에 경면 연마해 두께 0.5 mm에 가공해 파장 605 nm의 단색광으로 광투과율을 측정했다. 이러한 결과를 표 5 및 표 6에 나타낸다. 표 5에는 산화물 환원법에 따르는 원료를 이용해 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 제작용 분말 성형체의 조성과 소성조건 및 얻을 수 있던 소결체의 조성, 특성이 적어 있다. 표 6에는 금속 알루미늄의 직접 질화법에 따르는 원료를 이용해 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 제작용 분말 성형체의 조성과 소성조건 및 얻을 수 있던 소결체의 조성, 특성이 적어 있다. 또, 표 6에는 장시간 소성하는 샘플로서 미리 소성제의 소결체를 이용해 제작된 장시간소성 후의 소결체의 예도 나타나고 있다(실험 No.118~121).As a raw material powder for producing a sintered body containing aluminum nitride as a main component, high-purity aluminum nitride powder ("H" grade made by Tokuyamazo Co., Ltd. (current: Tokyama Corporation)) and metal aluminum manufactured by the reduction method of oxide (aluminum oxide) "TOYAINITE" manufactured by Toyo Aluminum Co., Ltd., produced by direct nitriding, was prepared, and various rare earth element compounds and alkaline earth metal compound powders were prepared as sintering aids. As a result of the analysis, 1.2% by weight of oxygen contained in the "H" grade and 1.4% by weight of oxygen contained in the "TOYAINITE" as impurities. The average particle diameter of the powder is 0.9 μm and 1.1 μm, respectively. In addition, aluminum oxide, carbon, silicon, and the like were prepared as additives. Using such a raw material, the powder compacts of various compositions were produced by the same method as Example 1. In addition, by using a part of the powder compact thus obtained, the sintering aid and the like were vaporized at 1800 ° C. for 1 hour by the same method as in Example 1, so as not to volatilize as much as possible. The sample of Experiment No. 118-121 of Table 6 which shows the content of this Example is the sintered compact of the baking agent previously. The powder compact obtained as described above and the sintered compact of the firing agent were previously placed in a carbon setter, placed in a carbon sheath, and then subjected to a high temperature under various temperature and time conditions in a nitrogen atmosphere containing carbon monoxide and 1000 ppm of carbon monoxide. It baked for a long time and obtained the sintered compact which has aluminum nitride as a main component. The composition analysis of the obtained sintered compact, the determination of the AIN crystal phase by X-ray diffraction, and the size measurement of the aluminum nitride particle were implemented. Quantification of AIN crystal phases by X-ray diffraction measures the diffraction peaks of crystal phases other than AIN and requires the ratio of it to the strongest diffraction peak of AIN as a percentage to subtract the amount of crystal phases other than AIN from the total amount of crystal phases. Is the value requested. Next, the surface of the obtained sintered compact was mirror-polished at 30 nm, processed to 0.5 mm in thickness, and the light transmittance was measured by monochromatic light of wavelength 605 nm. These results are shown in Tables 5 and 6. In Table 5, the composition and the firing conditions of the powder compact for producing a sintered compact mainly composed of aluminum nitride produced using the raw material according to the oxide reduction method, and the composition and characteristics of the obtained sintered compact are small. In Table 6, the composition and firing conditions of the powder compact for producing a sintered compact including aluminum nitride as a main component produced using a raw material according to the direct nitriding method of metallic aluminum, and the composition and characteristics of the obtained sintered compact are small. In addition, Table 6 also shows an example of a sintered body after a long time firing produced using a sintered body of a firing agent in advance as a sample to be fired for a long time (Experimental Nos. 118 to 121).

본 실시예에 대해 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 모두 1%이상이었다. 상기 1750℃이상의 온도로 3시간 이상의 비교적 긴 시간 소성하는 방법에 의해 AIN 순도를 높인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있어 한편 이러한 소결체의 광투과율은 40%이상의 것이었다. 소결조제로서 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물을 포함한 분말 성형체 혹은 미리 소성 끝난 소결체에 대해, 보다 낮은 온도로 한편 짧은 시간에 소결조제 등의 성분이 휘산제거되고 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 AIN의 순도가 높아지기 쉬운 경향이 있다. 또 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물을 동시에 포함한 분말 성형체 혹은 미리 소성 끝난 소결체에 대해, 한층 더 낮은 온도로 한편 짧은 시간에 소결조제 등의 성분이 휘산제거되고 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 AIN의 순도가 높아지기 쉬운 경향이 있다.The light transmittances of the sintered compact mainly containing aluminum nitride obtained in this example were 1% or more. By sintering at a temperature of 1750 DEG C or higher for a relatively long time of 3 hours or more, a sintered body containing aluminum nitride having a high AIN purity was obtained, while the light transmittance of the sintered body was 40% or more. AIN of a sintered compact containing, as a sintering aid, a powdered compact containing a rare earth element compound and an alkaline earth metal compound or a pre-fired sintered compact at a lower temperature and in a shorter time, in which components such as the sintering aid are volatilized off and the aluminum nitride is a main component. The purity tends to be high. AIN of sintered compacts containing a rare earth element compound and an alkaline earth metal compound or a sintered compact which has been pre-fired at a lower temperature at a lower temperature and in a shorter time in which components such as a sintering aid are volatilized off The purity tends to be high.

그 결과, 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물 등의 소결조제 혹은 Si, Mo, C(카본), Fe, Ni 등의 성분을 포함하지 않는 분말 성형체여도 고온으로 장시간 소성하는 것으로, 질화 알루미늄 입자의 크기가 증대화해 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물이 휘산제거된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다. 이러한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 질화 알루미늄 입자의 평균 크기는 5μm이상이다. 이러한 소결체의 광투과율은 모두 40%이상이었다.As a result, even when a sintering aid such as a rare earth element compound and an alkaline earth metal compound, or a powder molded product containing no components such as Si, Mo, C (carbon), Fe, and Ni is baked at a high temperature for a long time, the size of the aluminum nitride particles The sintered compact whose main component is aluminum nitride in which the rare earth element compound and the alkaline earth metal compound are volatilized off can be obtained. The average size of the aluminum nitride particles of the sintered body containing such aluminum nitride as a main component is 5 µm or more. The light transmittances of these sintered bodies were all 40% or more.

또 본 실시예에 대해, 소결조제로서 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물을 포함한 분말 성형체 혹은 미리 소성 끝난 소결체를 고온으로 장시간 소성하는 것으로, 질화 알루미늄 입자의 크기가 증대화해 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물이 휘산제거된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다. 이러한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 질화 알루미늄 입자의 평균 크기는 5μm이상이며, 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 화합물의 함유량이 원소 환산으로 합계 0.5 중량%이하 또한 산소 함유량이 0.9 중량%이하의 조성으로 이루어지는 것이었다. 이러한 소결체의 광투과율은 모두 40%이상이었다. 이러한 소결체에 대해 최고 88%의 광투과율을 가지는 것을 얻을 수 있었다. 또, 광투과율에 대해서 원료 분말에 의한 영향은 거의 보지 못하고 어느 원료여도 양호한 광투과율을 가지는 질 화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있다. 또 실온에 있어서의 열전도율도 200 W/mK이상으로 높아져, 실험 No.120의 것으로 237 W/mK이었다.In the present embodiment, by sintering a powder compact or a pre-fired sintered compact containing a rare earth element compound and an alkaline earth metal compound as a sintering aid at a high temperature for a long time, the size of the aluminum nitride particles is increased to increase the rare earth element compound and the alkaline earth metal. A sintered body containing, as a main component, aluminum nitride in which the compound is volatilized can be obtained. The average size of the aluminum nitride particles of the sintered body having such aluminum nitride as a main component is 5 µm or more, and the content of at least one or more compounds selected from rare earth element compounds and alkaline earth metal compounds is 0.5% by weight or less in total in terms of elements and oxygen content. It consisted of the composition of 0.9 weight% or less. The light transmittances of these sintered bodies were all 40% or more. It was possible to obtain a light transmittance of up to 88% for such a sintered body. In addition, the influence of the raw material powder on the light transmittance is hardly seen, and a sintered body mainly composed of aluminum nitride having a good light transmittance can be obtained. Moreover, the thermal conductivity in room temperature was also raised to 200 W / mK or more, and it was 237 W / mK of the thing of experiment No.120.

(비교예)(Comparative Example)

비교를 위해서 실험 No.100으로 같은 분말 성형체를 텅스텐제의 셋타에 두어 텅스텐제의 칼집에 넣어 텅스텐로재와 발열체로 이루어지는 텅스텐노에 의해 순질소 분위기중에서 2200℃의 온도에 대해 8시간 소성했지만 소결조제인 산화 이트륨은 거의 휘산제거되지 않고 분말 성형체인 채 남아 고순도화되어 있지 않다. 또 열전도율도 200 W/mK이하와 낮게 광투과성도 작았다.For comparison, the same powder molded body as in Experiment No. 100 was placed in a tungsten set and placed in a tungsten sheath. The prepared yttrium oxide is hardly volatilized and remains as a powder compact to be not highly purified. In addition, the thermal conductivity was lower than 200 W / mK and low light transmittance.

본 실시예로 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 각각 10mm/10mm/0.5mm의 경면 연마된 기판을 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 상기 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화하고 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중으로 이루어지는 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 도자는 관찰되지 않았다.A 10 mm / 10 mm / 0.5 mm mirror polished substrate was cut out from a sintered body containing aluminum nitride as the main component, and the light emitting device for driving the light emitting element having a width of 50 μm was formed on one surface by a Ti / Pt / Au thin film. The electric circuit was formed and the board | substrate for light emitting element mounting was produced. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and bright. Moreover, the conductor by the thin film electric circuit formed in the surface of the board | substrate which consists of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the said transmitted light was not observed.

실시예 7Example 7

실시예 6으로 제작한 분말 성형체를 이용하고 소성분위기를 일산화탄소 150 ppm를 포함한 질소, 수소 60 ppm를 포함한 질소, 탄화수소 240 ppm 포함한 질소, 일산화탄소 1800 ppm를 포함한 아르곤, 의 4 종류의 것에 대신한 이외는 실시예 6으로 사용한 실험 No.104의 분말 성형체를 이용해 실시예 6으로 같은 카본셋타, 카본 칼집, 카본노를 사용해 2200℃의 온도로 4시간 소성하여 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 그 결과 상기 모든 분위기로 소성한 것이 실시예 6으로 같이 이트륨 및 칼슘의 함유량은 각각 0.5 ppm 이하가 되었다. 질화 알루미늄 입자도 30μm~45μm으로 성장해 두께 0.5 mm로 측정한 광투과율도 모두 80%를 넘었다.The powder compacts prepared in Example 6 were used, except that the small-component atmospheres were replaced by four types of nitrogen containing 150 ppm of carbon monoxide, nitrogen containing 60 ppm of hydrogen, nitrogen containing 240 ppm of hydrocarbons, and argon containing 1800 ppm of carbon monoxide. The powder compact of Experiment No. 104 used in Example 6 was used, and the same carbon setter, carbon sheath, and carbon furnace as in Example 6 were fired at a temperature of 2200 ° C for 4 hours to obtain a sintered body containing aluminum nitride as a main component. As a result, the contents of yttrium and calcium became 0.5 ppm or less, respectively, as in Example 6, which was fired in all of the above atmospheres. Aluminum nitride particles also grew from 30 μm to 45 μm, and the light transmittance measured at a thickness of 0.5 mm was over 80%.

본 실시예로 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 10mm/10mm/0.5mm의 경면 연마된 기판을 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 상기 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미 늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 거의 관찰되지 않았다.The 10 mm / 10 mm / 0.5 mm mirror polished board | substrate was cut out from the sintered compact which has the aluminum nitride as a main component obtained by the present Example, and the said electric drive for light-emitting element drive of 50 micrometers width by Ti / Pt / Au thin film on one side The circuit was formed and the board | substrate for light emitting element mounting was produced. A light emitting device fabricated by using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer by laminating an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride on the light emitting device mounting substrate. It was mounted to emit light by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the above emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and sufficiently bright. In addition, the decrease in the brightness due to the thin film electric circuit formed on the surface of the substrate made of a sintered body composed mainly of aluminum nitride with respect to the transmitted light was hardly observed.

실시예 8Example 8

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 제작용 원료 분말로서 고순도 질화 알루미늄 분말(토쿠야마조들 주식회사(현：주식회사 트크야마) 제 「H」그레이드)을 준비했다. 이 원료 분말은 산화물 환원법에서 제조된 것이다. 이 원료 분말에 Y2O3 분말을 5 중량%더한 것과 Y2O3 분말 5 중량%및 CaCO3 분말을 CaO 환산으로 0.5 중량%더한 것을 톨루엔 및 이소프로필 알코올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼 합 후 아크릴 바인더를 분말 원료 100 중량부에 대해서 12 중량부 더하고 게다가 12시간 혼합하는 것으로 페이스트화해 독터 블레이드법으로 두께 0.8 mm의 2 종류의 조성을 가지는 그린 시트를 제작했다. 이 그린 시트로부터 한 변 35 mm의 정방형장의 시트를 제작해 이 시트에 YAG 레이저로 표리면을 관통하는 직경 25μm 및 50μm의 원형 스루홀을 형성했다. 다음에 용매로서α테르피네오르, 바인더로서 아크릴 수지를 사용해 도전성 성분으로서 텅스텐 분말을 이용하고 한층 더 상기 텅스텐 분말에 대해서 상기 질화 알루미늄 분말을 0~30 중량%의 범위에서 더해 혼합해 도통 비아용 페이스트를 제작했다. 각 혼합비의 분말 페이스트를 상기 스루홀에 충전해 건조 후, 적당 질소 또는 질소/이산화탄소 혼합 가스를 주성분으로 하는 분위기중에서 탈바인더 후, 다음의 2개의 소성조건으로 동시 소성에 의해 도통 비아를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 소성조건은, 1) 순N2분위기중 1820℃에 대해 2시간 상압 소성하는, 2) 일산화탄소를 200 ppm 포함한 질소 분위기중 2200℃에 대해 4시간 상압 소성하거나, 라고 하는 2조건이다. 이와 같이 해 도통 비아가 내부에 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 어느 소결체에 대해도 최초 그린 시트의 스루홀내에 충전한 도전성 성분은 충분히 치밀화해 도전성이 발현하고 있어 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와도 일체화하고 있어 도통 비아로서 기능하고 있다. 상기 2200℃으로 4시간 소성한 것은 소결조제가 휘산 해 이트륨 및 칼슘의 함유량이 합계로 50 ppm 이하가 되어 있다. 또 질화 알루미늄 입자도 35μm~45μm으로 성장하고 있다. 얻을 수 있던 도통 비아가 형성된 판 모양의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 두께 0.5 mm에 연삭 및 경면 연마했다. 상기 도통 비아를 가지는 두께 0.5 mm의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광으로 측정한 광투과율도 80%이상이었다. 소성을 1820℃으로 2시간 및 2200℃으로 4시간을 얻을 수 있고 싶은 차이의 소결체에 대해도, 도통 비아용 텅스텐 페이스트중의 질화 알루미늄 함유량이 증가하는 것에 따라 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 증가하는 경향을 나타냈다. 다음에 도통 비아의 실온에 있어서의 저항을 4 단자법으로 측정해 도통 비아의 형상으로부터 실온에 있어서의 저항율을 산출했다. 도통 비아의 크기는 소성 후 수축해 각각 직경 40~44μm 및 20~23μm이 되어 있었다. 이러한 결과를 표 7에 나타냈다. 도통 비아의 실온에 있어서의 저항율은 질화 알루미늄의 함유량이나 소성조건 및 도통 비아의 지름 등에 의해 변화했지만 6.810－6Ωcm~13210－6Ωcm의 범위였다. 또한 상기 도통 비아는 10mm/10mm의 면적에 1~30개 형성되도록 배치되고 있다.High-purity aluminum nitride powder ("H" grade made by Tokuyamazo Co., Ltd. (current: Tokyama Corporation)) was prepared as a raw material powder for sintered compact production which has aluminum nitride as a main component. This raw material powder is manufactured by the oxide reduction method. 5% by weight of Y2O3 powder and 5% by weight of Y2O3 powder and 0.5% by weight of CaCO3 powder were added to this raw material powder. 12 parts by weight was added to the parts by weight, and the mixture was further pasted for 12 hours to produce a green sheet having two kinds of compositions having a thickness of 0.8 mm by the doctor blade method. A 35 mm square sheet was produced from this green sheet, and 25 µm in diameter and 50 µm of circular through holes penetrating the front and back surfaces were formed in the sheet by a YAG laser. Next, a tungsten powder is used as the conductive component using? Terpineor as the solvent and an acrylic resin as the binder. Furthermore, the aluminum nitride powder is added to the tungsten powder in a range of 0 to 30% by weight, and mixed. Made. After filling and drying the powder paste of each mixing ratio in the through-holes, debinding in an atmosphere containing a suitable nitrogen or nitrogen / carbon dioxide mixed gas as a main component, aluminum nitride having conductive vias by simultaneous firing under the following two firing conditions. The sintered compact which has as a main component was produced. The firing conditions are two conditions: 1) atmospheric firing at 1820 ° C. for 2 hours in a pure N 2 atmosphere, and 2) atmospheric firing at 2200 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere containing 200 ppm of carbon monoxide. In this way, a sintered compact having aluminum nitride formed therein with conductive vias as a main component was obtained. In any of the sintered bodies, the conductive component filled in the through hole of the first green sheet is sufficiently densified and exhibits electrical conductivity, and is integrated with the sintered body containing aluminum nitride as a main component and functions as a conductive via. The sintering aid was volatilized for 4 hours at 2200 ° C., and the yttrium and calcium contents were 50 ppm or less in total. Aluminum nitride particles are also growing at 35 μm to 45 μm. The sintered compact mainly composed of plate-shaped aluminum nitride on which the obtained conductive vias were formed was ground and mirror polished to a thickness of 0.5 mm. The light transmittance measured by the monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which has a 0.5-mm-thick aluminum nitride which has the said conductive via as a main component was also 80% or more. The sintered compact whose main component is aluminum nitride obtained as the aluminum nitride content in the tungsten paste for conducting via increases also for the sintered compact of which the firing can obtain 2 hours at 1820 ° C and 4 hours at 2200 ° C. The light transmittance of showed a tendency to increase. Next, the resistance at room temperature of the conductive via was measured by the four-terminal method, and the resistivity at room temperature was calculated from the shape of the conductive via. The through vias contracted after firing and were 40-44 μm in diameter and 20-23 μm in diameter, respectively. These results are shown in Table 7. The resistivity at room temperature of the conductive via was varied depending on the content of aluminum nitride, the firing conditions, the diameter of the conductive via, etc., but was in the range of 6.810-6Ωcm to 1322-6Ωcm. In addition, the conductive vias are arranged to form 1 to 30 in an area of 10 mm / 10 mm.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 도통 비아를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 각각 10mm/10mm/0.5mm의 경면 연마된 기판을 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 상기 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm 각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화하고 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 형성된 도통 비아에 의한 밝음의 감소는 1~30개 어느 수량의 도통 비아를 가지는 기판에 대해 거의 관찰되지 않았다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 밝음의 감소도 거의 관찰되지 않았다.Next, a 10 mm / 10 mm / 0.5 mm mirror polished substrate was cut out from a sintered body composed mainly of aluminum nitride having conductive vias obtained in this example, and 50 µm wide on one surface by a Ti / Pt / Au thin film. The electric circuit for driving the said light emitting element was formed, and the board | substrate for light emitting element mounting was produced. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. In addition, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and bright. In addition, the decrease in the brightness caused by the conductive vias formed in the substrate made of the sintered body mainly composed of aluminum nitride with respect to the transmitted light was hardly observed for the substrate having the conductive vias of any number of 1 to 30. In addition, the decrease in brightness due to the thin film electrical circuit formed on the surface of the substrate made of a sintered body composed mainly of aluminum nitride with respect to the transmitted light was hardly observed.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면에 도통 비아 혹은 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.According to this embodiment, even if the light emitting element mounting substrate is formed with conductive vias or electric circuits formed on the inside and the surface of the sintered body including the ceramic material as a main component, the sintered body containing the ceramic material as the main component has light transmittance. It is possible to confirm that such a thing that the brightness is greatly reduced is unlikely to occur, and thus the effectiveness of the sintered body having a ceramic material as a main component having light transmittance was confirmed.

실시예 9Example 9

실시예 2로 제작한 3 종류의 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 두께 0.75 mm의 그린 시트를 이용해 한 변 35 mm의 정방형장의 시트를 제작했다. 또한 이들 그린 시트는 각각 소결조제로서 Y2O3을 3.3 체적%, Er2O3을 4.02 체적%, CaCO3을 CaO 환산으로 0.6 체적%가지고 있다. 다음에 용매로서α테르피네오르, 바인더로서 아크릴 수지를 더하고 도전성 성분으로서 순텅스텐, 50 체적%텅스텐＋50 체적%동의 혼합 분말 및 순동분말의 3 종류의 분말을 이용해 전기 회로 형성용 페 이스트를 제작해 상기의 각 시트에 폭 200μm의 배선을 피치 1 mm간격으로 스크린 인쇄해, 상기 배선이 내부가 되도록 상기 시트를 적층해, 건조 후, 적당 질소 또는 질소/이산화탄소 혼합 가스를 주성분으로 하는 분위기중에서 탈바인더 후, 1) 순N2분위기중 1820℃에 대해 2시간 상압 소성하는, 2) 일산화탄소를 200 ppm 포함한 질소 분위기중 2200℃에 대해 4시간 상압 소성하거나, 라고 하는 2개의 조건으로 동시 소성하여 전기 회로가 내부에 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 1820℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성은 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 그대로의 양이 잔존해, 원료중의 산소도 거의 그대로의 양이 잔존하고 있었다. 한편 2200℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 휘산 해, 3 종류 모든 조성의 그린 시트로부터 얻을 수 있던 소결체에 대해 Y2O3, CaO, Er2O3의 함유량은 Y, Ca, Er원소 환산으로 100 ppm 이하였다. 또 원료에 포함되어 있던 산소의 함유량도 감소해 모두 300 ppm 이하였다. 질화 알루미늄 입자도 30μm~45μm으로 성장하고 있었다. 이러한 소결체에 대해 전기 회로를 형성하는 도전성 성분과 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와의 반응은 볼 수 없다. 그 후 내부에 전기 회로가 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 두께 0.5 mm에 연삭 및 경면 연마했다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 내부에 전기 회로가 형성된 두께 0.5 mm의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 광투과율은 모두 50%이상이었다. 그 중 2200℃으로 4시간 소성한 것은 광투과율이 모두 80%이상이었다. 또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 내부에 형성된 전기 회로의 실온에 있어서의 저항율을 4 단자법을 이용해 측정했는데 2.210－6Ωcm~8.610－6Ωcm의 범위였다. 이러한 측정 결과를 표 8에 나타냈다.A 35 mm square sheet | seat of one side was produced using the green sheet of thickness 0.75 mm which has three types of aluminum nitride of the composition produced in Example 2 as a main component. Each of these green sheets had 3.3 vol% of Y2O3, 4.02 vol% of Er2O3, and 0.6 vol% of CaCO3 in terms of CaO as a sintering aid. Next, α terpineor is added as a solvent, an acrylic resin is used as a binder, and an electric circuit forming paste is prepared using a mixture of pure tungsten, 50 vol% tungsten + 50 vol% copper, and pure copper powder as the conductive component. Screen-print a 200 μm wide wiring at a pitch of 1 mm on each sheet, stack the sheets so that the wiring is inside, and dry after debinding in an atmosphere containing a suitable nitrogen or nitrogen / carbon dioxide mixed gas as a main component. Thereafter, 1) atmospheric firing at 1820 ° C. for 2 hours in a pure N 2 atmosphere, 2) atmospheric firing at 2200 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere containing 200 ppm of carbon monoxide, or simultaneous firing under two conditions, The sintered compact which has the aluminum nitride formed inside as a main component was obtained. The composition of the sintered body containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 1820 ° C. has a large amount of each component of Y 2 O 3, CaO, and Er 2 O 3 remaining in the green sheet, and the oxygen in the raw material is almost intact. The sheep remained. On the other hand, the sintered compact containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 2200 ° C is almost completely volatilized, and each component of Y2O3, CaO and Er2O3 existing in the green sheet is volatilized, and the sintered compact obtained from the green sheets of all three compositions is obtained. The content of Y 2 O 3, CaO and Er 2 O 3 was 100 ppm or less in terms of Y, Ca and Er elements. In addition, the content of oxygen contained in the raw material was also reduced, all 300 ppm or less. Aluminum nitride particles also grew to 30 µm to 45 µm. Reaction of the electroconductive component which forms an electrical circuit with such a sintered compact, and the sintered compact which has aluminum nitride as a main component is not seen. Then, the sintered compact which has aluminum nitride in which the electric circuit was formed inside as a main component was ground and mirror-polished in thickness 0.5mm. Thus, the light transmittance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which has a 0.5-mm-thick aluminum nitride in which the electrical circuit was formed inside as a main component was all 50% or more. Among them, the light transmittance was 80% or more when fired at 2200 ° C for 4 hours. Moreover, although the resistivity in the room temperature of the electrical circuit formed in the inside of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component was measured using the 4-probe method, it was the range of 2.210-6 ohm-cm-8.610-6 ohm-cm. These measurement results are shown in Table 8.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 내부 전기 회로를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 각각 10mm/10mm/0.5mm의 경면 연마된 기판을 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판의 내부에 동시 소성에 의해 형성된 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 어느 기판에 대해도 거의 관찰되지 않았다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 밝음의 감소도 거의 관찰되지 않았다.Next, a 10 mm / 10 mm / 0.5 mm mirror polished substrate was cut out of the sintered body composed mainly of aluminum nitride having an internal electric circuit obtained in this example, and the width was widened by Ti / Pt / Au thin film on one surface. An electric circuit for driving a light emitting element of 50 µm was formed to produce a substrate for mounting a light emitting element. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and sufficiently bright. In addition, the decrease in the brightness caused by the electric circuit formed by co-firing inside the substrate using the sintered body containing aluminum nitride as the main component to the transmitted light was hardly observed for any substrate. In addition, the decrease in brightness due to the thin film electrical circuit formed on the surface of the substrate made of a sintered body composed mainly of aluminum nitride with respect to the transmitted light was hardly observed.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면에 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.According to the present embodiment, even if the light emitting element mounting substrate having the electric circuit formed on the inside and the surface of the sintered body containing the ceramic material as a main component, if the sintered body containing the ceramic material as the main component has light transmittance, the brightness of the light transmitted through the substrate is greatly increased. It is possible to confirm that such a thing as a decrease is unlikely to occur, and that the sintered body mainly composed of the ceramic material has a light transmittance.

실시예 10Example 10

실시예 2로 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 두께 0.75 mm의 그린 시트와 도통 비아용 페이스트를 이용하고 실시예 2로 같은 방법으로 도통 비아 페이스트가 스루홀내에 형성된 그린 시트를 제작했다. 이 도통 비아 페이스트가 형성되고 있는 그린 시트를 이용해 실시예 9로 제작한 전기 회로 형성용 페이스트를 이용해 실시예 9로 같은 방법으로 배선 패턴을 형성해 적층해 내부에 배선 패턴이 형성된 그린 시트를 제작했다. 그 후 상기 그린 시트를 건조해, 적당 질소 또는 질소/이산화탄소 혼합 가스를 주성분으로 하는 분위기중에서 탈바인더 후, 1) 순N2분위기중 1820℃에 대해 2시간 상압 소성하는, 2) 일산화탄소를 200 ppm 포함한 질소 분위기중 2200℃에 대해 4시간 상압 소성하거나, 라고 하는 2개의 조건으로 동시 소성하여 내부에 도통 비아와 전기 회로가 동시에 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 1820℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성은 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 그대로의 양이 잔존해, 원료중의 산소도 거의 그대로의 양이 잔존하고 있었다. 한편 2200℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성 분은 거의 휘산 해, 3 종류 모든 조성의 그린 시트로부터 얻을 수 있던 소결체에 대해 Y2O3, CaO, Er2O3의 함유량은 Y, Ca, Er원소 환산으로 100 ppm 이하였다. 또 원료에 포함되어 있던 산소의 함유량도 감소해 모두 300 ppm 이하였다. 질화 알루미늄 입자도 30μm~45μm으로 성장하고 있었다. 이러한 소결체에 대해 도통 비아를 형성하는 도전성 성분 및 전기 회로를 형성하는 도전성 성분과 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와의 반응은 볼 수 없다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 내부에 도통 비아와 전기 회로가 동시에 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 의한 광투과율은 모두 50%이상이었다. 그 중 2200℃으로 4시간 소성한 것은 광투과율이 모두 80%이상이었다.A green sheet having a thickness of 0.75 mm made mainly of aluminum nitride prepared in Example 2 and a paste for a conductive via was used, and a green sheet in which the conductive via paste was formed in the through hole was produced in the same manner as in Example 2. Using the green sheet in which this conductive via paste was formed, the wiring pattern was formed and laminated by the same method as Example 9 using the electrical circuit formation paste produced in Example 9, and the green sheet in which the wiring pattern was formed was produced. The green sheet is then dried and debindered in an atmosphere containing a suitable nitrogen or nitrogen / carbon dioxide mixed gas as the main component, followed by 1) atmospheric firing at 1820 ° C. in a pure N 2 atmosphere for 2 hours, and 2) containing 200 ppm of carbon monoxide. A sintered body mainly composed of aluminum nitride in which a conducting via and an electrical circuit were simultaneously formed by simultaneously firing at 2200 ° C. in a nitrogen atmosphere at 4 hours under atmospheric pressure or simultaneously was obtained. The composition of the sintered body containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 1820 ° C. has a large amount of each component of Y 2 O 3, CaO, and Er 2 O 3 remaining in the green sheet, and the oxygen in the raw material is almost intact. The sheep remained. On the other hand, the sintered compact mainly composed of aluminum nitride obtained by sintering at 2200 ° C is sintered compact obtained from green sheets of all three compositions by almost volatilizing each component of Y 2 O 3, CaO and Er 2 O 3, which were present in large amounts in the green sheet. The content of Y 2 O 3, CaO and Er 2 O 3 was less than or equal to 100 ppm in terms of Y, Ca, and Er elements. In addition, the content of oxygen contained in the raw material was also reduced, all 300 ppm or less. Aluminum nitride particles also grew to 30 µm to 45 µm. With respect to such a sintered compact, the reaction between the conductive component forming a conductive via and the conductive component forming an electrical circuit and the sintered compact containing aluminum nitride as a main component cannot be seen. Thus, the light transmittance by monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which mainly consists of aluminum nitride in which the conducting via and the electric circuit were formed simultaneously was all 50% or more. Among them, the light transmittance was 80% or more when fired at 2200 ° C for 4 hours.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 내부에 도통 비아와 전기 회로를 동시에 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 각각 10mm/10mm/0.5mm의 경면 연마된 기판을 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판의 내부에 동시 소성에 의해 형성된 도통 비아 및 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 어느 기판에 대해도 거의 관찰되지 않았다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 밝음의 감소도 거의 관찰되지 않았다.Next, 10 mm / 10 mm / 0.5 mm mirror polished substrates were cut out from a sintered body composed mainly of aluminum nitride having conductive vias and an electrical circuit at the same time obtained in the present embodiment, and Ti / Pt / An electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 μm was formed by using an Au thin film to prepare a substrate for mounting a light emitting element. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and sufficiently bright. In addition, the decrease in the brightness due to the conductive via and the electrical circuit formed by the co-firing in the interior of the substrate using the sintered body containing aluminum nitride as the main component to the transmitted light was hardly observed for any substrate. In addition, the decrease in the brightness due to the thin film electric circuit formed on the substrate surface using the sintered body containing aluminum nitride as a main component to the transmitted light was hardly observed.

실시예 11Example 11

실시예 2로 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 그린 시트 중 두께 0.3 mm의 것을 이용해 한 변 35 mm의 정방형장의 시트를 제작했다. 또한 이들 그린 시트는 각각 소결조제로서 Y2O3을 3.3 체적%, Er2O3을 4.02 체적%, CaCO3을 CaO 환산으로 0.6 체적%포함한 3 종류의 조성을 가지고 있다. 다음에 용매로서α테르피네오르, 바인더로서 아크릴 수지를 더하고 도전성 성분으로서 순텅스텐, 50 체적%텅스텐＋50 체적%동의 혼합 분말 및 순동분말의 3 종류의 분말을 이용해 전기 회로 형성용 페이스트를 제작해 상기의 각 시트에 폭 50μm의 배선을 피치 0.5 mm의 간격으로 형성해, 상기 배선이 내부 및 표면에 형성되도록 상기 시트를 2매 적층해, 건조 후, 적당 질소 또는 질소/이산화탄소 혼합 가스를 주성분으로 하는 분위기중 에서 탈바인더 후, 1) 순N2분위기중 1820℃에 대해 2시간 상압 소성하는, 2) 일산화탄소를 200 ppm 포함한 질소 분위기중 2200℃에 대해 4시간 상압 소성하거나, 라고 하는 2개의 조건으로 동시 소성하여 전기 회로가 내부 및 표면에 형성된 두께 0.5 mm의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 1820℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성은 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 그대로의 양이 잔존해, 원료중의 산소도 거의 그대로의 양이 잔존하고 있었다. 한편 2200℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 휘산 해, 3 종류 모든 조성의 그린 시트로부터 얻을 수 있던 소결체에 대해 Y2O3, CaO, Er2O3의 함유량은 Y, Ca, Er원소 환산으로 100 ppm 이하였다. 또 원료에 포함되어 있던 산소의 함유량도 감소해 모두 300 ppm 이하였다. 질화 알루미늄 입자도 30μm~45μm으로 성장하고 있었다. 이러한 소결체에 대해 전기 회로를 형성하는 도전성 성분과 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와의 반응은 볼 수 없다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 내부에 전기 회로가 형성된 두께 0.5 mm의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 광투과율은 모두 50%이상이었다. 그 중 2200℃으로 4시간 소성한 것은 광투과율이 모두 80%이상이었다.A sheet having a square length of 35 mm on one side was produced using a 0.3 mm thick one among the green sheets produced mainly from aluminum nitride prepared in Example 2. In addition, these green sheets each have three types of compositions containing 3.3 vol% of Y2O3, 4.02 vol% of Er2O3, and 0.6 vol% of CaCO3 in terms of CaO. Next, α terpineor is added as a solvent, an acrylic resin is used as a binder, and an electric circuit forming paste is prepared using a mixture of pure tungsten, 50 vol% tungsten + 50 vol% copper, and pure copper powder as the conductive component. 50 μm wide wires were formed on each sheet at a pitch of 0.5 mm, two sheets were laminated so that the wires were formed on the inside and the surface, and after drying, an atmosphere containing a suitable nitrogen or nitrogen / carbon dioxide mixed gas as a main component After debinding in, 1) firing at atmospheric pressure for 2 hours at 1820 ° C in a pure N2 atmosphere, and 2) firing at atmospheric pressure for 2 hours at 2200 ° C in a nitrogen atmosphere containing 200 ppm of carbon monoxide, or simultaneously firing under two conditions. To obtain a sintered body whose main component was aluminum nitride having a thickness of 0.5 mm formed on the inside and the surface of the electric circuit. The composition of the sintered body containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 1820 ° C. has a large amount of each component of Y 2 O 3, CaO, and Er 2 O 3 remaining in the green sheet, and the oxygen in the raw material is almost intact. The sheep remained. On the other hand, the sintered compact containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 2200 ° C is almost completely volatilized, and each component of Y2O3, CaO and Er2O3 existing in the green sheet is volatilized, and the sintered compact obtained from the green sheets of all three compositions is obtained. The content of Y 2 O 3, CaO and Er 2 O 3 was 100 ppm or less in terms of Y, Ca and Er elements. In addition, the content of oxygen contained in the raw material was also reduced, all 300 ppm or less. Aluminum nitride particles also grew to 30 µm to 45 µm. Reaction of the electroconductive component which forms an electrical circuit with such a sintered compact, and the sintered compact which has aluminum nitride as a main component is not seen. Thus, the light transmittance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which has a 0.5-mm-thick aluminum nitride in which the electrical circuit was formed inside as a main component was all 50% or more. Among them, the light transmittance was 80% or more when fired at 2200 ° C for 4 hours.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 내부 전기 회로를 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 10mm/10mm/0.5mm의 기판을 잘라, 표면의 배선 패턴에는 Ni/Au도금을 베풀어 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판의 내부 및 표면에 동시 소성에 의해 형성된 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 어느 기판에 대해도 거의 관찰되지 않았다.Next, a 10 mm / 10 mm / 0.5 mm substrate is cut out of a sintered body composed mainly of aluminum nitride having an internal electric circuit obtained in the present embodiment, and Ni / Au plating is applied to the wiring pattern on the surface to drive the light emitting device. The electric circuit was formed and the board | substrate for light emitting element mounting was produced. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and sufficiently bright. In addition, the decrease in the brightness caused by the electric circuit formed by the co-firing on the inside and the surface of the substrate using the sintered body containing aluminum nitride as a main component to the transmitted light was hardly observed for any substrate.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면에 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.According to the present embodiment, even if the light emitting element mounting substrate having the electric circuit formed on the inside and the surface of the sintered body containing the ceramic material as a main component, if the sintered body containing the ceramic material as the main component has light transmittance, the brightness of the light transmitted through the substrate is greatly increased. It is possible to confirm that such a thing as a decrease is unlikely to occur, and it was possible to confirm the effectiveness of the sintered body having a ceramic material as a main component having light transmittance.

실시예 12Example 12

실시예 2로 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 그린 시트 중 두께 0.3 mm의 것을 이용해 한 변 35 mm의 정방형장의 시트를 제작했다. 또한 이들 그린 시트는 각각 소결조제로서 Y2O3을 3.3 체적%, Er2O3을 4.02 체적%, CaCO3을 CaO 환산으로 0.6 체적%포함한 3 종류의 조성을 가지고 있다. 상기 질화 알루미늄을 주성 분으로 하는 그린 시트와 도통 비아용 페이스트를 이용하고 실시예 2로 같은 방법으로 도통 비아 페이스트가 스루홀내에 형성된 그린 시트를 제작했다. 이 도통 비아 페이스트가 형성되고 있는 그린 시트를 이용해 실시예 9로 제작한 전기 회로 형성용 페이스트를 이용해 실시예 9로 같은 방법으로 배선 패턴을 형성한 후 상기 그린 시트를 2매 적층해 내부 및 표면에 배선 패턴이 형성된 그린 시트를 제작했다. 그 후 상기 그린 시트를 건조해, 적당 질소 또는 질소/이산화탄소 혼합 가스를 주성분으로 하는 분위기중에서 탈바인더 후, 1) 순N2분위기중 1820℃에 대해 2시간 상압 소성하는, 2) 일산화탄소를 200 ppm 포함한 질소 분위기중 2200℃에 대해 4시간 상압 소성하거나, 라고 하는 2개의 조건으로 동시 소성하여 내부에 도통 비아와 전기 회로가 동시에 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 두께 0.5 mm의 소결체를 얻었다. 1820℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성은 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 그대로의 양이 잔존해, 원료중의 산소도 거의 그대로의 양이 잔존하고 있었다. 한편 2200℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 휘산 해, 3 종류 모든 조성의 그린 시트로부터 얻을 수 있던 소결체에 대해 Y2O3, CaO, Er2O3의 함유량은 Y, Ca, Er원소 환산으로 100 ppm 이하였다. 또 원료에 포함되어 있던 산소의 함유량도 감소해 모두 300 ppm 이하였다. 질화 알루미늄 입자도 30μm~45μm으로 성장하고 있었다. 이러한 소결체에 대해 도통 비아를 형성하는 도전성 성분 및 전기 회로를 형성하는 도전성 성분과 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와의 반응은 볼 수 없다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 내부에 도통 비아와 전기 회로가 동시에 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 의한 광투과율은 모두 50%이상이었다. 그 중 2200℃으로 4시간 소성한 것은 광투과율이 모두 80%이상이었다.A sheet having a square length of 35 mm on one side was produced using a 0.3 mm thick one among the green sheets produced mainly from aluminum nitride prepared in Example 2. In addition, these green sheets each have three types of compositions containing 3.3 vol% of Y2O3, 4.02 vol% of Er2O3, and 0.6 vol% of CaCO3 in terms of CaO. In the same manner as in Example 2, a green sheet in which the through via paste was formed in the through hole was produced using the green sheet containing aluminum nitride as the main ingredient and the paste for the through via. The wiring pattern was formed in the same manner as in Example 9 using the electrical circuit-forming paste prepared in Example 9 using the green sheet on which the conductive via paste was formed, and then the two green sheets were laminated to the inside and the surface. The green sheet in which the wiring pattern was formed was produced. The green sheet is then dried and debindered in an atmosphere containing a suitable nitrogen or nitrogen / carbon dioxide mixed gas as the main component, followed by 1) atmospheric firing at 1820 ° C. in a pure N 2 atmosphere for 2 hours, and 2) containing 200 ppm of carbon monoxide. A sintered compact having a thickness of 0.5 mm mainly composed of aluminum nitride in which a conducting via and an electrical circuit were formed at the same time by simultaneously firing at 2200 ° C. in a nitrogen atmosphere at 4 hours under atmospheric pressure or simultaneously. The composition of the sintered body containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 1820 ° C. has a large amount of each component of Y 2 O 3, CaO, and Er 2 O 3 remaining in the green sheet, and the oxygen in the raw material is almost intact. The sheep remained. On the other hand, the sintered compact containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 2200 ° C is almost completely volatilized, and each component of Y2O3, CaO and Er2O3 existing in the green sheet is volatilized, and the sintered compact obtained from the green sheets of all three compositions is obtained. The content of Y 2 O 3, CaO and Er 2 O 3 was 100 ppm or less in terms of Y, Ca and Er elements. In addition, the content of oxygen contained in the raw material was also reduced, all 300 ppm or less. Aluminum nitride particles also grew to 30 µm to 45 µm. With respect to such a sintered compact, the reaction between the conductive component forming a conductive via and the conductive component forming an electrical circuit and the sintered compact containing aluminum nitride as a main component cannot be seen. Thus, the light transmittance by monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which mainly consists of aluminum nitride in which the conducting via and the electric circuit were formed simultaneously was all 50% or more. Among them, the light transmittance was 80% or more when fired at 2200 ° C for 4 hours.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 내부에 도통 비아와 전기 회로를 동시에 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 10mm/10mm/0.5mm의 기판을 잘라, 표면의 배선 패턴에는 Ni/Au도금을 베풀어 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 동시 소성에 의해 형성된 기판의 내부 및 표면의 전기 회로, 및 기판 내부에 형성되고 있는 도통 비아에 의한 밝음의 감소는 어느 기판에 대해도 거의 관찰되지 않았다.Next, the 10 mm / 10 mm / 0.5 mm board | substrate is cut out from the sintered compact which has the conducting via and the aluminum circuit which has an electrical circuit simultaneously as the main component in the inside obtained by this Example, and Ni / Au plating is given to the surface wiring pattern. The electric circuit for driving a light emitting element was formed, and the board | substrate for light emitting element mounting was produced. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and sufficiently bright. In addition, the reduction of the brightness due to the electrical circuits of the inside and the surface of the substrate formed by the co-firing using a sintered body composed mainly of aluminum nitride with respect to the transmitted light, and the conductive vias formed in the inside of the substrate is almost the same for any substrate. Not observed.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면에 도통 비아 혹은 전기 배선 등의 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.According to this embodiment, even if the light emitting element mounting substrate is formed in the interior and the surface of the sintered body containing the ceramic material as a main component, or the electrical circuit such as a conductive via or electrical wiring, if the sintered body containing the ceramic material as the main component is light-transmitting, It was difficult to produce such a thing that the brightness of the transmitted light greatly decreased, and it was confirmed that the sintered body mainly composed of the ceramic material had light transmittance.

실시예 13Example 13

산화물 환원법에서 제조된 고순도 질화 알루미늄 분말(토쿠야마조들 주식회사(현：주식회사 트크야마) 제 「H」그레이드)을 준비했다. 이 질화 알루미늄 원료 분말에 소결조제로서 산화 이트륨을 5 중량%포함한 혼합 분말을 이용해 외형 사이즈를 직경 32 mm의 원반상으로 한 각종 두께의 분말 성형체를 제작했다. 이 분말 성형체를 탈바인더 후 실시예 1로 같이 환원성이 되지 않게 순질소 분위기중 1800℃으로 2시간 소성하여 각종 두께의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 또 한편으로 상기 분말 성형체를 실시예 6으로 같이 카본제의 셋타, 카본제의 칼집을 이용하고 카본노에서 1000 ppm의 일산화탄소를 함유하는 질소 분위기중 2200℃으로 8시간 소성했다. 1800℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 분말 성형체 때 다량으로 존재한 Y2O3 성분은 거의 그대로의 양이 잔존해, 원료중의 산소도 거의 그대로의 양이 잔존하고 있었다. 한편 2200℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 모든 두께에 대해 분말 성형체 때 다량으로 존재한 Y2O3 성분은 거의 휘산 해 Y2O3의 함유량은 Y원소 환산으로 200 ppm 이하였다. 또 원료에 포함되어 있던 산소의 함유량도 감소해 모두 500 ppm 이하였다. 질화 알루미늄 입자도 30μm~45μm 으로 성장하고 있었다. 그 결과, 순질소 분위기중 1800℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 두께 0.5 mm에 있어서의 광투과율은 65%이었다. 또한 광투과율의 측정치는 파장 605 nm의 단색광에 대하는 것이다. 이 소결체에 대해 두께 5 mm의 것의 광투과율은 1.6%이었다. 또, 2.5 mm의 두께의 것으로 광투과율은 6%, 0.2 mm의 두께로 광투과율은 82%, 0.05 mm의 두께로 광투과율은 91%이었다.High-purity aluminum nitride powder ("H" grade made by Tokuyamazo Co., Ltd. (current: Tokyama Corporation)) prepared by the oxide reduction method was prepared. The powdered compacts of various thickness which made the aluminum nitride raw material powder the yttrium oxide 5 weight% as a sintering adjuvant using the mixed powder which made the outer shape the disk shape of 32 mm in diameter were produced. This powder compact was calcined at 1800 ° C. for 2 hours in a pure nitrogen atmosphere so as not to be reducible as in Example 1 after debindering to obtain a sintered compact mainly composed of aluminum nitride of various thicknesses. On the other hand, the powder compact was calcined at 2200 ° C. for 8 hours in a carbon atmosphere containing 1000 ppm of carbon monoxide in a carbon furnace using a carbon setter and a carbon sheath as in Example 6. In the sintered compact composed mainly of aluminum nitride obtained by firing at 1800 ° C., a large amount of Y 2 O 3 components present in a large amount in powder compacts remained almost intact, and almost as much oxygen in the raw material remained. On the other hand, the sintered compact containing aluminum nitride as a main component obtained by calcining at 2200 ° C was almost volatilized to the Y 2 O 3 component present in a large amount in the powder compact, and the content of Y 2 O 3 was 200 ppm or less in terms of Y element. In addition, the content of oxygen contained in the raw material was also reduced, all less than 500 ppm. Aluminum nitride particles were also growing at 30 μm to 45 μm. As a result, the light transmittance in thickness 0.5mm of the sintered compact which has the aluminum nitride as a main component obtained by baking at 1800 degreeC in pure nitrogen atmosphere was 65%. The measurement of light transmittance is for monochromatic light having a wavelength of 605 nm. The light transmittance of the thing of thickness 5mm was 1.6% with respect to this sintered compact. The light transmittance was 6% and 0.2 mm, and the light transmittance was 82% and the thickness was 0.05%, and the light transmittance was 91%.

한편 1000 ppm의 일산화탄소를 함유하는 질소 분위기중 2200℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 두께 0.5 mm에 있어서의 광투과율 84%이었다. 상기 소결체의 두께 8 mm의 것으로는 광투과율은 1.9%, 5.0 mm의 두께의 것으로 광투과율은 7%, 2.5 mm의 두께의 것으로 광투과율은 14%, 1.0 mm의 두께의 것으로 광투과율은 64%, 0.5 mm의 두께의 것으로 광투과율은 83%, 0.2 mm의 두께의 것으로 광투과율은 92%, 0.05 mm의 두께의 것으로 광투과율은 96%이었다.On the other hand, it was 84% of the light transmittance in 0.5 mm of the thickness of the sintered compact which consists of aluminum nitride obtained by baking at 2200 degreeC in nitrogen atmosphere containing 1000 ppm of carbon monoxide. The thickness of the sintered body is 8 mm, the light transmittance is 1.9%, 5.0 mm thick, the light transmittance is 7%, 2.5 mm thick and the light transmittance is 14%, 1.0 mm thick and the light transmittance is 64% The light transmittance was 83%, 0.2 mm thick, the light transmittance was 92%, and the thickness was 0.05 mm, and the light transmittance was 96%.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 각각 10mm/10mm의 경면 연마된 기판을 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 상기 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 또한 순질소 분위기중 1800℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판의 두께는 0.05 mm로 해, 1000 ppm의 일산화탄소를 함유하는 질소 분위기중 2200℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판의 두께는 0.2 mm의 것을 이용했 다. 어느 기판도 광투과율 90%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 된다.Next, a 10 mm / 10 mm mirror polished substrate was cut out of the sintered body containing aluminum nitride as the main component, and the light emitting device for driving the light emitting element having a width of 50 µm was formed on one surface by a Ti / Pt / Au thin film. The electric circuit was formed and the board | substrate for light emitting element mounting was produced. In addition, the thickness of the substrate using the sintered body containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 1800 ° C. in pure nitrogen atmosphere is 0.05 mm, and the nitride obtained by firing at 2200 ° C. in nitrogen atmosphere containing 1000 ppm carbon monoxide. The thickness of the substrate using a sintered body composed mainly of aluminum was 0.2 mm. Any substrate is made from a sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance of 90% or more as a main component.

제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화하고 밝고 광조가 온화한 것에 변화하고 있지만 발광소자가 원래 발하는 빛이 그대로의 강도로 기판을 투과되고 있도록(듯이) 관찰되었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판 표면에 형성된 박막 전기 회로에 의한 밝음의 감소도 거의 관찰되지 않았다.On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was changed to a mild, bright and light-colored one, but it was observed that the light originally emitted by the light emitting element was transmitted through the substrate at the same intensity. In addition, the decrease in brightness due to the thin film electrical circuit formed on the surface of the substrate made of a sintered body composed mainly of aluminum nitride with respect to the transmitted light was hardly observed.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.According to the present embodiment, even if the light emitting element mounting substrate having the electric circuit formed on the sintered body containing the ceramic material as a main component has a light transmittance, the brightness of the light transmitted through the substrate is greatly reduced. Work could hardly be confirmed, and it was possible to confirm the effectiveness of the sintered compact having a ceramic material as a main component having light transmittance.

실시예 14Example 14

실시예 2로 제작한 Y2O3을 3.3 체적%, Er2O3을 4.02 체적%, CaCO3을 CaO 환 산으로 0.6 체적%포함한 3 종류의 조성을 가지는 두께 0.3 mm의 그린 시트를 이용해 각각 2매 적층해 35 mm각의 정방형장에 자른 시트를 준비했다. 한편, 두께 0.75 mm로 상기 3 종류의 조성을 가지는 그린 시트를 준비해 그대로의 두께로 35 mm각의 정방형장에 자른 시트를 준비했다. 이러한 시트를 대기중 550℃으로 탈바인더 후, 질화 알루미늄제의 셋타에 분말 성형체를 이상순질소 분위기중 1800℃으로 2시간 소성하여 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 두께 0.75 mm의 그린 시트로부터 제작한 소결체를 두께 0.5 mm에 랩 연마 및 경면 연마해 그 표면의 반사율과 광투과율을 측정했다. 또한 두께 0.3 mm를 2매 적층한 그린 시트로부터 제작한 소결체는 두께 0.5 mm이며 구워 놓은(as－fire) 면 상태로 반사율과 광투과율을 측정했다. 반사율 및 광투과율은 파장 605 nm의 단색광을 이용해 측정했다.Two sheets of 35 mm each were laminated using a 0.3 mm thick green sheet having three types of compositions containing 3.3% by volume of Y2O3, 4.02% by volume of Er2O3, and 0.6% by volume of CaCO3 in terms of CaO. The sheet cut to the square was prepared. On the other hand, the sheet | seat cut into the square length of 35 mm square was prepared with the thickness as it was, and the green sheet which has the said three types of composition at thickness 0.75 mm was prepared. After the sheet was unbindered at 550 ° C. in the air, the powder compact was calcined at 1800 ° C. in an ideal pure nitrogen atmosphere for 2 hours to obtain a sintered body containing aluminum nitride as a main component. The sintered compact produced from the green sheet of thickness 0.75 mm was subjected to lap polishing and mirror polishing at a thickness of 0.5 mm, and the reflectance and the light transmittance of the surface were measured. In addition, the sintered compact produced from the green sheet which laminated | stacked two sheets of thickness 0.3mm was 0.5 mm in thickness, and the reflectance and light transmittance were measured in the as-fire surface state. Reflectance and light transmittance were measured using monochromatic light having a wavelength of 605 nm.

그 다음에 상기 각 표면 상태의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 대기중 1000℃으로 1시간 가열해 표면에 자기 산화 피막을 형성했다. 형성된 자기 산화 피막의 두께는 대략 0.3μm이며 산화 알루미늄으로부터 된다. 한층 더 규산 에틸을 이용해 CVD법에 의해 두께 0.4μm의 실리카 피막을 상기 각 표면 상태의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성했다. 또 두께 0.3μm의 산화 마그네슘의 스팩터 피막을 상기 각 표면 상태의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성했다. 자기 산화 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율을 측정했다.Then, the sintered compact mainly containing aluminum nitride of each said surface state was heated at 1000 degreeC in air for 1 hour, and the self-oxidizing film was formed in the surface. The formed self oxide film has a thickness of approximately 0.3 m and is made of aluminum oxide. Furthermore, the silica film of 0.4 micrometer in thickness was formed in the sintered compact which made the aluminum nitride of each said surface state the main component by CVD method using ethyl silicate. Further, a sputtered film of magnesium oxide having a thickness of 0.3 µm was formed on a sintered body composed mainly of aluminum nitride in each of the above surface states. The light transmittance of the sintered compact mainly containing aluminum nitride which has a self-oxidizing film, a silica film, and a magnesia film was measured.

이러한 결과를 표 9에 나타냈다. 표 9에 나타나듯이 자기 산화 피막, 실리 카 피막, 및 마그네시아 피막을 형성하기 전의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 조성에 그다지 영향을 받지 않고 구워 놓은(as－fire) 면에서 9~12%, 경면 연마면에서 13~16%, 랩 연마면에서 10~12%이었다. 또 광투과율은 56%~65%이었다. 그에 대한 자기 산화 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막 형성 후의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 67%~76%로 대략 10%~11%향상했다. 이것은 자기 산화 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막의 굴절률이 각각 1.69, 1.44, 1.67로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 굴절률 2.1보다 작고 또 광투과성도 높기 때문에 반사 방지 부재로서 기능했기 때문이라고 생각된다. 또한 실리카 피막, 및 마그네시아 피막의 굴절률은 두께 1 mm의 용해 석영 유리에 형성해 파장 605 nm의 단색광으로 측정한 것이다.　These results are shown in Table 9. As shown in Table 9, the reflectance of the sintered body composed mainly of aluminum nitride before forming the self-oxidizing film, the silica film, and the magnesia film was 9 to 12% in terms of baking as-fire without being influenced by the composition. , 13 to 16% in mirror polished surface and 10 to 12% in wrap polished surface. The light transmittance was 56% to 65%. The light transmittance of the sintered compact mainly composed of a self-oxidizing film, a silica film, and aluminum nitride after magnesia film formation was improved from 10% to 11% to 67% to 76%. This is considered to be because the refractive index of the self-oxidizing film, the silica film, and the magnesia film is 1.69, 1.44, and 1.67, respectively, which is smaller than the refractive index 2.1 of the sintered body mainly composed of aluminum nitride and also has high light transmittance, thereby functioning as an antireflection member. In addition, the refractive index of a silica film and a magnesia film is formed in the molten quartz glass of thickness 1mm, and is measured with the monochromatic light of wavelength 605nm.

또한 상기 피막의 굴절률은 미국 「SCI(Scientific　Computing　International) 회사」제의 분광 광도계(Spectrophotometer) 「제품명：FilmTek4000」을 이용해 측정했다. 또, 소결체의 반사율 및 피막 형성 전후의 광투과율은 실시예 1로 같이 히타치 제작소제의 분광 광도계 U－4000을 이용했다.In addition, the refractive index of the said film was measured using the spectrophotometer "Product name: FilmTek4000" by the American "Scientifice Computing International" company. In addition, the reflectance of the sintered compact and the light transmittance before and after film formation used the spectrophotometer U-4000 by Hitachi Ltd. similarly to Example 1.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 자기 산화 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막 형성전 및 형성 후의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 각각 10mm/10mm/0.5mm의 크기에 잘라, 한 면에 Ag/Pd를 주성분으로 하는 후막페이스트에 의해 폭 100μm의 배선 패턴을 형성해 발광소자 구동용의 전기 회로를 제작해 발광소자 탑재용 기판을 얻었다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 그 중에 자기 산화 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막 형성 후의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판으로부터의 투과광은 온화해보다 밝은 것으로 있어 투과광의 강도가 높아지고 있다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판 표면에 형성된 후막전기 회로에 의한 밝음의 감소도 거의 관찰되지 않았다.Next, a sintered body composed mainly of an aluminum oxide film, a silica film, and an aluminum nitride film obtained before and after the formation of the magnesia film obtained in this example was cut into a size of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm, respectively, and Ag / A wiring pattern having a width of 100 µm was formed by a thick film paste containing Pd as a main component to produce an electric circuit for driving a light emitting element, thereby obtaining a light emitting element mounting substrate. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Then, light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the above light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and sufficiently bright. Among them, the transmitted light from the substrate using a sintered body composed mainly of a self-oxidizing film, a silica film, and aluminum nitride after magnesia film formation is brighter, and the intensity of the transmitted light is higher. In addition, the decrease in the brightness due to the thick film electric circuit formed on the surface of the substrate using the sintered body containing aluminum nitride as a main component to the transmitted light was hardly observed.

이와 같이 본 실시예에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성한 자기 산화 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막이 반사 방지 부재로서 기능해 기판을 투과하는 발광소자로부터의 발광의 강도를 제어하는 것이 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다. 즉, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성한 비교적 굴절률의 작은 재료를 이용한 피막이 반사 방지 부재로서 기능해 기판을 투과하는 발광소자로부터의 발광의 강도를 제어하는 것이 가능하다라고 생각된다.As described above, the self-oxidizing film, the silica film, and the magnesia film formed on the sintered body mainly composed of aluminum nitride as the main component can function as antireflection members to control the intensity of light emission from the light emitting element passing through the substrate. I could confirm that. That is, it is thought that the film using the comparatively small refractive index material formed in the sintered compact which mainly uses a ceramic material functions as an antireflection member, and can control the intensity of light emission from the light emitting element which permeates a board | substrate.

실시예 15Example 15

실시예 14로 사용한 Y2O3을 3.3 체적%, Er2O3을 4.02 체적%, CaCO3을 CaO 환 산으로 0.6 체적%포함한 3 종류의 조성을 가지는 35 mm두께 0.75 mm의 그린 시트를 이용하고 대기중 550℃으로 탈바인더 후 질화 붕소를 도포한 카본셋타를 이용해 순질소 분위기중 1800℃으로 2시간 카본 히터노에서 상압소성을 행해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 회색~재흑색을 나타내고 있었다. 다음에 실시예 14와 같게 얻을 수 있던 각 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 표면 상태로서 구워 놓은(as－fire) 인 채의 것, 및 두께 0.5 mm에 랩 연마 및 경면 연마한 것을 제작했다. 이러한 각 소결체에 대해 반사율을 측정했는데 8%~14%의 범위였다. 또 상기 각 소결체의 광투과율을 측정했는데 Y2O3을 3.3 체적%포함하는 것으로 12.7%, Er2O3을 4.02 체적%포함하는 것으로 8.4%, CaO를 0.6 체적 포함하는 것은 0%이었다. 다음에 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금의 증착 피막을 한쪽 편 전면에 형성했다. 상기 증착 피막의 두께는 모두 0.4μm이다. 제작한 증착 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율과 광투과율을 측정했다. 반사율 및 광투과율은 파장 605 nm의 단색광을 이용해 측정했다. 증착 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 어느 것도 0%이었다.Debinder at 550 ° C. in air using a 35 mm thick 0.75 mm green sheet having three compositions comprising 3.3% by volume of Y2O3, 4.02% by volume of Er2O3, and 0.6% by volume of CaCO3 in terms of CaO. Subsequently, using a carbon setter coated with boron nitride, atmospheric sintering was carried out in a carbon heater furnace at 1800 ° C. for 2 hours in a pure nitrogen atmosphere to prepare a sintered body containing aluminum nitride as a main component. The sintered compact which has the obtained aluminum nitride as a main component showed gray-ash black. Next, as the surface state of the sintered compact which has the aluminum nitride of each composition obtained similarly to Example 14 as an as-fire, and the thing which carried out the lap | polishing grinding | polishing and mirror-polishing to the thickness 0.5mm were produced. . The reflectance was measured for each of these sintered bodies, which ranged from 8% to 14%. The light transmittance of each of the above sintered bodies was measured, including 3.3% by volume of Y 2 O 3, 12.7%, and 4.02% by volume of Er 2 O 3, 8.4%, and 0.6% of CaO, including 0%. Next, the vapor deposition film of aluminum, gold, silver, copper, a parodydium, and platinum was formed in the whole sintered compact which has the obtained aluminum nitride as a main component. The thickness of the said vapor deposition film is all 0.4 micrometer. The reflectance and the light transmittance of the sintered compact mainly containing aluminum nitride on which the produced vapor deposition film was formed were measured. Reflectance and light transmittance were measured using monochromatic light having a wavelength of 605 nm. The light transmittance of the sintered compact mainly containing aluminum nitride on which the vapor deposition film was formed was 0%.

이러한 결과를 표 10에 나타냈다. 단, 표 10에는 광투과율의 측정 결과는 나타나지 않았다. 표 10에 나타나듯이 증착 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 모두 70%이상으로 높은 것으로 있었다. 특히 경면 연마된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 알루미늄, 금, 은, 동이 형성된 것은 반사율이 90%이상이었다.These results are shown in Table 10. However, the measurement result of the light transmittance is not shown in Table 10. As shown in Table 10, the reflectances of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride on which the vapor deposition film was formed were high as 70% or more. In particular, aluminum, gold, silver, and copper were formed in the sintered body mainly composed of mirror-polished aluminum nitride, and the reflectance was 90% or more.

다음에 실시예 2로 제작한 그린 시트를 이용해 일체화한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 의해 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 상기 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판은 도 6, 8, 10, 14, 15, 16, 20, 21, 23, 24, 25, 26에 있어서의 부호 30으로 예시되는 것 같은 형태를 가진 것이다. 또, 상기 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 외형 치수는 10mm/10mm/2mm이며 발광소자 탑재면 및 음푹패인 공간 측벽의 기판 두께는 각각 0.5 mm이다. 또 음푹패인 공간내의 발광소자 탑재면에는 텅스텐을 이용한 동시 소성에 의해 선폭 150μm의 발광소자 구동용의 전기 회로가 형성되고 Ni/Au도금이 베풀어지고 있다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해, 실시예 14에 있어서의 자기 산화 피막, 실리카 피막, 마그네시아 피막, 혹은 본 실시예에 있어서의 증착 피막 등을 형성하고 있지 않는 그대로의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와 본 실시예로 제작한 전면에 증착 피막을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 뚜껑으로서 이용해 에폭시 수지로 접착해 발광소자를 봉지했다. 그 후 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과, 실시예 14에 있어서의 자기 산화 피막, 실리카 피막, 마그네시아 피막, 혹은 본 실시예에 있어서의 증착 피막 등을 형성하고 있지 않는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 뚜껑으로서 이용한 것에서는 기판 전체로부터 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 한편, 본 실시예로 제작한 증착 피막이 전면에 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 뚜껑으로서 이용한 것에서는 분명하게 뚜껑 부분에 있어 상기 뚜껑을 투과한 빛은 관찰되지 않고, 발광소자를 탑재한 기판측(음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판측)에서 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화하지만 밝음은 증착 피막을 형성하고 있지 않는 뚜껑을 이용한 기판의 것보다 꽤 큰 것으로 있었다. 이것은 뚜껑에 형성된 증착 피막이 반사 부재로서 충분히 기능하고 있는 것을 나타내고 있다. 또한 상기 각 기판에 있어서의 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판 표면에 형성된 동시 소성메탈라이즈에 의해 형성된 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 거의 관찰되지 않았다.Next, the board | substrate for light emitting element mounting which has the space (cavity) which was dented by the sintered compact which has the aluminum nitride integrated as the main component using the green sheet produced in Example 2 was produced. The substrate for mounting a light emitting element having the recessed space (cavity) is a shape as exemplified by reference numeral 30 in FIGS. 6, 8, 10, 14, 15, 16, 20, 21, 23, 24, 25, and 26. Will have. The external dimension of the light emitting device mounting substrate having the recessed space (cavity) is 10mm / 10mm / 2mm, and the substrate thicknesses of the light emitting device mounting surface and the recessed space sidewall are 0.5 mm, respectively. In addition, an electric circuit for driving a light emitting element having a line width of 150 µm is formed on the light emitting element mounting surface in the recessed space by using tungsten, and Ni / Au plating is applied. On the light emitting device mounting substrate, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. The sintered compact made of aluminum nitride as a main component and the front surface produced by this example which do not form the self-oxidizing film, the silica film, the magnesia film, or the vapor deposition film in this example, etc. The light emitting element was sealed by adhering with a epoxy resin using the sintered compact which has aluminum nitride which has a vapor deposition film as a main component as a lid | cover. Thereafter, electric power was applied at 3.5 V / 350 mA to emit light, and the state of transmission from the substrate of the above light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, when a sintered body composed mainly of aluminum nitride, which does not form a self-oxidizing film, a silica film, a magnesia film, or a vapor deposition film in the present embodiment, etc. in Example 14 is used as a lid, Light transmitted through the substrate was observed. The transmitted light was mild and sufficiently bright. On the other hand, in the case where the vapor deposition film produced in the present embodiment uses a sintered body composed mainly of aluminum nitride formed on the entire surface as a lid, the light transmitted through the lid is not observed in the lid portion, and the substrate side on which the light emitting element is mounted is observed. The light transmitted through the substrate was observed on the (light emitting element mounting substrate side having a recessed space). The transmitted light was mild, but bright was considerably larger than that of a substrate using a lid which did not form a vapor deposition film. This shows that the vapor deposition film formed in the lid fully functions as a reflection member. In addition, the decrease of the brightness by the electric circuit formed by the co-fired metallization formed in the surface of the board | substrate using the sintered compact which has aluminum nitride as a main component with respect to the transmitted light in each said board | substrate was hardly observed.

이와 같이 본 실시예에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성한 높은 반사율을 가지는 피막이 반사 부재로서 기능해 발광소자의 발광 방향을 제어할 수 있어 한층 더 발광 강도의 제어가 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다. 또 이 반사 부재로서의 기능은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성의 유무에 의하지 않는 것도 확인할 수 있었다.As described above, it was confirmed that the film having a high reflectance formed on the sintered body mainly composed of the ceramic material as the main component functions as a reflecting member to control the light emitting direction of the light emitting device, and thus the light emission intensity can be further controlled. Could. It was also confirmed that the function as the reflective member was not dependent on the presence or absence of light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

실시예 16Example 16

실시예 14로 제작한 외형 치수 10mm/10mm/0.5mm의 자기 산화 피막, 실리카 피막, 마그네시아 피막 및 증착 피막 등을 형성하고 있지 않는 그대로의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 기체로서 준비했다. 상기 기체에는 Ag/Pd를 주성분으로 하는 후막메탈라이즈 선폭 150μm의 배선이 발광소자 구동용의 전기 회로로서 형성되었다. 또 한편에서는 외형 치수 10mm/10mm/1.5 mm, 안치수 7mm/7mm/1.5mm의 고순도 알루미늄으로 이루어지는 틀을 준비했다. 이들 기체 및 틀은 각각 도 15에 예시되고 있는 부호 34 및 부호 35의 부품에 상당한다. 이 기체와 틀을 시판의 에폭시 수지 및 실리콘 수지로 접착해 도 15에 나타나고 있는 것 같은 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판을 얻었다. 제작한 상기 발광소자 탑재용 기판의 기체 부분에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재했다. 그 다음에 실시예 15로 제작한 금속 알루미늄이 증착된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 뚜껑으로서 준비해 발광소자 탑재용 기판에 시판의 에폭시 수지 및 실리콘 수지로 접착해 발광소자를 봉지했다. 봉지 후 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광소자를 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 발광소자 탑재용 기판에 있어서의 발광소자가 탑재된 기체 부분으로부터 밖에 관측되지 않았다. 상기 투과광은 온화했지만 실시예 15로 관측한 투과광 보다 한층 밝게 관측되었다.A sintered body containing aluminum nitride as its main component, which did not form a self-oxidized film, a silica film, a magnesia film, a vapor deposition film, or the like having an external dimension of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm produced in Example 14, was prepared as a base. In the substrate, a wiring having a thickness of 150 μm with a thick film metallization line having Ag / Pd as a main component was formed as an electric circuit for driving a light emitting element. On the other hand, a frame made of high-purity aluminum having an external dimension of 10 mm / 10 mm / 1.5 mm and a depth of 7 mm / 7 mm / 1.5 mm was prepared. These bodies and frames correspond to parts 34 and 35 illustrated in Fig. 15, respectively. The substrate and the mold were bonded with a commercial epoxy resin and a silicone resin to obtain a light emitting element mounting substrate having a pitted space (cavity) as shown in FIG. 15. The epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated on the substrate of the light emitting device mounting substrate, and a mixed light of InN and GaN was used as a light emitting layer. A light emitting element was mounted. Subsequently, a sintered body composed mainly of aluminum nitride on which metal aluminum deposited in Example 15 was deposited was prepared as a lid, and a light emitting device was sealed by bonding a commercially available epoxy resin and a silicone resin to a light emitting device mounting substrate. After encapsulation, a power of 3.5 V / 350 mA was applied to emit light, and the transmission state from the light-emitting substrate was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was observed only from the base portion on which the light emitting element was mounted on the light emitting element mounting substrate. Although the transmitted light was mild, it was observed brighter than the transmitted light observed in Example 15.

이와 같이 본 실시예에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 형성한 알루미늄 피막이 반사 부재로서 기능해 발광소자의 발광 방향을 제어할 수 있어 한층 더 발광 강도의 제어가 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다. 또 이 반사 부재로서의 기능은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성의 유무에 의하지 않는 것도 확인할 수 있었다.As described above, it was confirmed that the aluminum film formed on the sintered body containing aluminum nitride as the main component functions as a reflecting member to control the light emission direction of the light emitting device, and thus the light emission intensity can be further controlled. It was also confirmed that the function as the reflective member was not dependent on the presence or absence of light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride.

　상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기체와 고순도 알루미늄으로 이루어지는 틀을 에폭시 수지 및 실리콘 수지를 이용해 접합해 제작한 발광소자 탑재용 기판에 대해, 상기 접합 부분의 장기 신뢰성에 대해 조사했지만 실리콘 수지를 이용해 접합한 것은 급열급냉 등의 열충격에 대해서 지극히 강인하다라고 하는 것이 확인되었다. 즉-40℃~＋125℃간의 냉열 충격 테스트를 3000 사이클 이상 반복해도 접합 부분에 크랙 등의 불편이 생기기 어렵게 접착 강도도 저하하기 어렵다. 이것은 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와 고순도 알루미늄이라고 하는 열팽창율 차이가 큰 재료 상호의 접합이어도, 실리콘 수지가 가지는 부드러움이 이 열팽창율 차이에 기인하는 응력을 흡수하기 쉽기 때문에 접합의 신뢰성 높아질 것이라고 생각된다. 따라서 기체와 틀과의 접합에 실리콘 수지를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판은 큰 파워가 반복해 단속적으로 더해지는 발광소자를 탑재하는 용도에 최적이다라고 말할 수 있다.The long-term reliability of the bonding portion was investigated for the light emitting element mounting substrate fabricated by bonding a base made of a sintered body containing aluminum nitride as a main component and a frame made of high purity aluminum using an epoxy resin and a silicone resin. It was confirmed that what was bonded together was extremely strong against thermal shocks such as rapid quenching and the like. That is, even if the cold shock test between -40 ° C and + 125 ° C is repeated for 3000 cycles or more, inconveniences such as cracks are less likely to occur in the joined portion, and the adhesive strength is less likely to be lowered. It is thought that even if the sintered body containing aluminum nitride as a main component and a material having a large difference in thermal expansion coefficient such as high purity aluminum are bonded to each other, the softness of the silicone resin is likely to absorb the stress due to the difference in thermal expansion ratio, and thus the reliability of the bonding will be increased. do. Therefore, it can be said that a substrate for mounting a light emitting element manufactured by using a silicone resin for joining a body and a frame is most suitable for a use for mounting a light emitting element which is repeatedly intermittently added with a large power.

실시예 17Example 17

질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 제작용 원료 분말로서 고순도 질화 알루미늄 분말(토쿠야마조들 주식회사(현：주식회사 트크야마) 제 「H」그레이드) 을 준비했다. 이 원료 분말은 산화물 환원법에서 제조된 것이다. 이 원료 분말에 Y2O3 분말을 5 중량%더한 것과 Y2O3 분말 5 중량%및 CaCO3 분말을 CaO 환산으로 0.5 중량%더한 것, Er2O3 분말을 9 중량%더한 것, Er2O3 분말 3 중량%및 CaCO3 분말을 CaO 환산으로 0.5 중량%더한 것을 톨루엔 및 이소프로필 알코올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 아크릴 바인더를 분말 원료 100 중량부에 대해서 12 중량부 더하고 게다가 12시간 혼합하는 것으로 페이스트화해 독터 블레이드법으로 두께 0.3 mm의 4 종류의 조성을 가지는 그린 시트를 제작했다. 얻을 수 있던 4 종류의 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 두께 0.3 mm의 그린 시트를 이용해 한 변 35 mm의 정방형장의 시트를 제작했다. 이러한 시트에 펀칭기로 표리면을 관통하는 직경 150μm의 원형 스루홀을 형성했다. 다음에 용매로서α테르피네오르, 바인더로서 아크릴 수지를 더하고 도전성 성분으로서 텅스텐 분말을 이용하고 한층 더 상기 텅스텐 분말에 대해서 상기 질화 알루미늄 분말을 0~30 중량%의 범위에서 더해 혼합해 도통 비아용 페이스트를 제작해 상기의 스루홀내에 충전했다. 또 별로 도통 비아용 페이스트와 같이 용매로서α테르피네오르, 바인더로서 아크릴 수지를 사용해 도전성 성분으로서 텅스텐 분말을 이용하고 한층 더 상기 텅스텐 분말에 대해서 상기 질화 알루미늄 분말을 0~30 중량%의 범위에서 더해 혼합해 전기 회로용 페이스트를 제작했다. 다음에 상기의 도통 비아용 페이스트가 충전된 각 시트에 전기 회로용 페이스트로 폭 150μm의 배선을 피치 0.6 mm간격으로 스크린 인쇄해, 상기 배선이 내부 및 표면에 형성되도록(듯이) 상기 시트를 2매 적층했다. 이 그린 시트 적층체의 한쪽 편 표면에는 1.5 mm각 말하고 타장 패턴이 전기 회로용 페이스 트에 의해 형성되고 있다. 또한 상기 그린 시트 적층체를 제작하는 데 있어 도통 비아용 페이스트 및 전기 회로용 페이스트에 포함되는 도전성 성분인 텅스텐 및 질화 알루미늄이 같은 조성이 되는 것을 이용했다. 얻을 수 있던 그린 시트 적층체를 건조 후, 적당 질소 또는 질소/이산화탄소 혼합 가스를 주성분으로 하는 분위기중에서 탈바인더 후, 1) 순N2분위기중 1820℃에 대해 2시간 상압 소성하는, 2) 일산화탄소를 200 ppm 포함한 질소 분위기중 2200℃에 대해 4시간 상압 소성하거나, 라고 하는 2개의 조건으로 동시 소성하여 전기 회로가 내부 및 표면에 형성되고 한층 더 내부에 도통 비아가 형성된 두께 0.5 mm의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 판 모양 소결체를 얻었다. 1820℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성은 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 그대로의 양이 잔존해, 원료중의 산소도 거의 그대로의 양이 잔존하고 있었다. 한편 2200℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 휘산 해, 4 종류 모든 조성의 그린 시트로부터 얻을 수 있던 소결체에 대해 Y2O3, CaO, Er2O3의 함유량은 Y, Ca, Er원소 환산으로 100 ppm 이하였다. 또 원료에 포함되어 있던 산소의 함유량도 감소해 모두 300 ppm 이하였다. 질화 알루미늄 입자도 30μm~45μm으로 성장하고 있었다. 소성을 1820℃으로 2시간 및 2200℃으로 4시간 가 얻을 수 있고 싶은 차이의 소결체에 대해도, 전기 회로용 텅스텐 페이스트중의 질화 알루미늄 함유량이 증가하는 것에 따라 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 증가하는 경향을 나타냈다. 이러한 소결 체에 대해 전기 회로를 형성하는 도전성 성분 및 도통 비아를 형성하는 성분과 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와의 반응은 볼 수 없다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 전기 회로가 내부 및 표면에 형성되고 한층 더 내부에 도통 비아가 형성된 두께 0.5 mm의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 광투과율은 모두 50%이상이었다. 그 중 2200℃으로 4시간 소성한 것은 광투과율이 모두 80%이상이었다. 또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 내부에 형성된 전기 회로의 실온에 있어서의 저항율을 4 단자법을 이용해 측정했는데 6.910－6Ωcm~16610－6Ωcm의 범위였다. 상기 광투과율 및 저항율의 측정 결과를 표 11에 나타냈다.High-purity aluminum nitride powder ("H" grade made by Tokuyamazo Co., Ltd. (current: Tokyama Corporation)) was prepared as a raw material powder for sintered compact production which has aluminum nitride as a main component. This raw material powder is manufactured by the oxide reduction method. 5% by weight of Y2O3 powder, 5% by weight of Y2O3 powder, and 0.5% by weight of CaCO3 powder in terms of CaO, 9% by weight of Er2O3 powder, 3% by weight of Er2O3 powder and CaCO3 powder in terms of CaO3 powder. 0.5% by weight of the mixture was mixed with toluene and isopropyl alcohol in a ball mill for 24 hours, and then, 12 parts by weight of the acrylic binder was added to 100 parts by weight of the powder raw material, and then mixed for 12 hours. The green sheet which has four kinds of compositions was produced. The sheet of square length of 35 mm on one side was produced using the green sheet of thickness 0.3mm which has the aluminum nitride of four types of compositions as a main component. In this sheet, a circular through hole having a diameter of 150 µm penetrating the front and back surfaces was formed with a punching machine. Next,? Terpineor as a solvent and acrylic resin as a binder are added, tungsten powder is used as the conductive component, and the aluminum nitride powder is added to the tungsten powder in a range of 0 to 30% by weight, and mixed, and the conductive via paste is mixed. Was prepared and filled in the above-mentioned through hole. Like tungsten via paste, tungsten powder is used as the conductive component using α terpineone as the solvent and acrylic resin as the binder, and the aluminum nitride powder is further added in the range of 0 to 30% by weight based on the tungsten powder. It mixed and produced the paste for electric circuits. Next, each sheet filled with the above-described conductive via paste is screen printed with an electrical circuit paste at a width of 0.6 mm at a pitch of 0.6 mm, and the sheet is formed so that the wiring is formed inside and on the surface. Laminated. 1.5 mm each, the other pattern is formed by the electric circuit paste on one surface of this green sheet laminated body. Moreover, when manufacturing the said green sheet laminated body, the thing whose tungsten and aluminum nitride which are electroconductive components contained in the via via paste and the electric circuit paste were used has the same composition. After drying the obtained green sheet laminated body, after debinding in the atmosphere which consists of suitable nitrogen or nitrogen / carbon dioxide mixed gas as a main component, 1) atmospheric baking for 1 hour at 1820 degreeC in pure N2 atmosphere, 2) carbon monoxide 200 In a nitrogen atmosphere containing ppm, it is calcined at 2200 ° C for 4 hours at atmospheric pressure, or simultaneously fired under two conditions, namely, aluminum nitride having a thickness of 0.5 mm, in which an electrical circuit is formed on the inside and on the surface, and through vias are further formed. A plate-like sintered compact was obtained. The composition of the sintered body containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 1820 ° C. has a large amount of each component of Y 2 O 3, CaO, and Er 2 O 3 remaining in the green sheet, and the oxygen in the raw material is almost intact. The sheep remained. On the other hand, the sintered compact containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 2200 ° C is almost completely volatilized, and each component of Y2O3, CaO and Er2O3 present in the green sheet is volatilized, and the sintered compact obtained from green sheets of all four compositions is obtained. The content of Y 2 O 3, CaO and Er 2 O 3 was 100 ppm or less in terms of Y, Ca and Er elements. In addition, the content of oxygen contained in the raw material was also reduced, all 300 ppm or less. Aluminum nitride particles also grew to 30 µm to 45 µm. The sintered compact whose main component is aluminum nitride obtained as the aluminum nitride content in the tungsten paste for electric circuits increases also with respect to the sintered compact of which the firing can be obtained for 2 hours at 1820 ° C and 4 hours at 2200 ° C. The light transmittance of showed a tendency to increase. With respect to such a sintered body, a reaction between a conductive component for forming an electric circuit and a component for forming a conductive via and a sintered body containing aluminum nitride as a main component is not seen. The electrical transmittances of the monochromatic light having a wavelength of 605 nm were 0.5% or more in the sintered body mainly composed of aluminum nitride having a thickness of 0.5 mm, in which electrical circuits thus obtained were formed on the inside and the surface, and through vias were further formed inside. . Among them, the light transmittance was 80% or more when fired at 2200 ° C for 4 hours. Moreover, when the resistivity in the room temperature of the electric circuit formed in the inside of the sintered compact which has aluminum nitride as a main component was measured using the 4-probe method, it was the range of 6.910-6 ohm-cm-16610-6 ohm-cm. Table 11 shows the measurement results of the light transmittance and the resistivity.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 내부 및 표면에 전기 회로를 가져 한층 더 내부에 도통 비아를 가지는 4 종류의 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 각각 10mm/10mm/0.5mm의 기판을 잘라, 표면의 배선 패턴 및 베타장 패턴에는 Ni/Au도금을 베풀어 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 도 32로 예시한 것과 같은 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 각 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 1 mm각의 발광소자를 Sn를 주성분으로 하는 저융점 납재를 이용해 고착하는 것으로 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있 었다. 또, 상기 투과광에 대해 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판의 내부 및 표면에 동시 소성에 의해 형성된 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 어느 기판에 대해도 거의 관찰되지 않았다.Subsequently, substrates of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm were cut out from a sintered body composed mainly of aluminum nitride of four kinds of compositions having electrical circuits in the inside and the surface obtained in this example and further having a conductive via therein. Ni / Au plating was applied to the surface wiring pattern and the beta-length pattern to form an electric circuit for driving a light emitting element, thereby manufacturing a light emitting element mounting substrate as illustrated in FIG. 32. A 1 mm-angle light emitting device manufactured by using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer was laminated by stacking an epitaxial film containing at least one selected from among commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride on each of the prepared substrates. It was mounted by fixing using a low melting point brazing material containing Sn as a main component, and the light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the light emitting substrate was visually confirmed. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and sufficiently bright. In addition, the decrease in the brightness caused by the electric circuit formed by the co-firing on the inside and the surface of the substrate using the sintered body containing aluminum nitride as a main component to the transmitted light was hardly observed for any substrate.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부에 도통 비아 및 전기 배선 등의 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.According to this embodiment, even if the substrate for mounting light emitting elements in which electrical circuits such as conductive vias and electrical wirings are formed inside the sintered body containing the ceramic material as a main component, the sintered body containing the ceramic material as the main component is transparent to the substrate. The fact that the brightness of light is greatly reduced can be confirmed that it is difficult to occur, and the effectiveness of the sintered body having a ceramic material as a main component having light transmittance was confirmed.

실시예 18Example 18

실시예 17로 제작한 다른 4 종류의 조성을 가지는 그린 시트를 각각 100 mm각의 크기에 절단 한 것을 준비해, 한층 더 실시예 17로 제작한 도통 비아용 페이스트 및 전기 회로용 페이스트를 이용해 내부 및 표면에 전기 회로를 가져 내부에 도통 비아가 형성된 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 형상이 되도록 상기 그린 시트를 가공했다. 이용한 도통 비아용 페이스트 및 전기 회로용 페이스트는 질화 알루미늄이 5 중량%포함된 것이다. 가공은 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 크기가 소성 후 10 mm10mm두께 2 mm가 되도록 했다. 또, 음푹패인 공간내의 발광소자가 탑재되는 부분의 기판 두께는 소성 후 0.5 mm가 되도록 가공했다. 따라서 음푹패인 공간의 깊이는 소성 후 1.5 mm가 되도록 가공되고 있다. 또 음푹패인 공간 측벽부의 기판 두께는 소성 후 1.5 mm가 되도록 가공되고 있다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 그린 시트 가공체를 건조 후, 적당 질소 또는 질소/이산화탄소 혼합 가스를 주성분으로 하는 분위기중에서 탈바인더 후, 상압의 순N2분위기중 1820℃에 대해 2시간 동시 소성하여 전기 회로가 내부 및 표면에 형성되고 한층 더 내부에 도통 비아가 형성된 음푹패인 공간을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성은 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 그대로의 양이 잔존해, 원료중의 산소도 거의 그대로의 양이 잔존하고 있었다.Prepared by cutting green sheets having four different compositions prepared in Example 17 to a size of 100 mm each, and further using the via via paste and electrical circuit paste produced in Example 17 to the inside and the surface. The green sheet was processed to have a shape of a substrate for mounting a light emitting element having a recessed space having a conductive via formed therein. The used via via paste and electric circuit paste contain 5 wt% of aluminum nitride. The processing was carried out so that the size of the light emitting element mounting substrate having a recessed space would be 10 mm 10 mm thickness 2 mm after firing. Moreover, the board | substrate thickness of the part in which the light emitting element in the well space is mounted was processed so that it might become 0.5 mm after baking. Therefore, the depth of the recessed space is processed so that it may become 1.5 mm after baking. Moreover, the board | substrate thickness of the well spaced side wall part is processed so that it may become 1.5 mm after baking. After drying the green sheet workpiece thus obtained, the binder is removed in an atmosphere containing suitable nitrogen or a nitrogen / carbon dioxide mixed gas as a main component, and then simultaneously fired for 2 hours at 1820 ° C. in a pure N 2 atmosphere at atmospheric pressure to obtain an electrical circuit. The sintered compact which consists of aluminum nitride which has the recessed space formed in the inside and the surface, and the through via was formed further in the inside was obtained. As for the composition of the obtained sintered compact containing aluminum nitride as a main component, each component of Y2O3, CaO, Er2O3 which existed in large quantities at the time of a green sheet remained almost the same amount, and the oxygen in the raw material remained almost the same amount. .

얻을 수 있던 각 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체중에서 각각 일부의 것을 선택해 음푹패인 공간을 형성하고 있는 측벽 부분을 연삭에 의해 없애 두께 0.5 mm의 평판 모양에 가공했다. 연삭 때 기판 표면에 형성되고 있는 전기 회로를 지워낼 수 없게 했다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 내부 및 표면에 전기 회로가 형성된 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 광투과율을 각 조성의 것을 이용해 측정했다. 그 결과는 모두 50%이상이며, Y2O3을 5 중량%가지는 것이 광투과율 65%, Y2O35 중량%및 CaO를 0.5 중량%가지는 것이 광투과율 61%, Er2O3을 9 중량%가지는 것이 광투과율 64%, Er2O33 중량%및 CaO를 0.5 중량%가지는 것이 광투과율 62%이었다.A part of each of the obtained sintered bodies having aluminum nitride as a main component was selected, and the side wall portions forming the recessed spaces were removed by grinding to form a flat plate having a thickness of 0.5 mm. At the time of grinding, the electrical circuit formed on the substrate surface was not able to be erased. Thus, the light transmittance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact in which the electric circuit was formed in the inside and the surface obtained in this way was measured using the thing of each composition. The results are all 50% or more, 5% by weight of Y2O3 is 65% light transmittance, 35% by weight Y2O35 and 0.5% by weight CaO is 61% light transmittance, 9% by weight Er2O3 is 64% light transmittance, Er2O33 It was 62% light transmittance to have a weight percentage and 0.5 weight% of CaO.

다음에 음푹패인 공간을 형성하는 측벽을 연삭 하지 않았던 나머지의 소결체의 음푹패인 공간 표면의 전기 회로 및 외부 표면의 전기 회로에 Ni/Au도금을 베풀어 스냅 나누기에 의해 10mm/10mm/2mm의 크기 절단 해 도 33으로 예시한 것과 같은 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 이 발광소자 탑재용 기판은 상기 4 종류의 조 성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 각각 붙어 제작했다. 제작한 각 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 1 mm각의 발광소자를 In를 주성분으로 하는 저융점 납재를 이용해 도 33에 나타나듯이 고착, 반전 실장하는 것으로 탑재해 금속 알루미늄제의 뚜껑을 가져 있어 실리콘 수지로 봉지했다. 그 후 발광소자에게 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 밝고 강한 빛이 관찰되었지만 그 투과광은 온화한 것이었다. 또, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판에 대해 동시 소성에 의해 기판의 내부 및 표면에 형성된 전기 회로에 의해 투과광의 밝음이 감소한다고 하는 현상은 어느 기판에 대해도 거의 관찰되지 않았다.Next, Ni / Au plating is applied to the electrical circuit of the recessed void surface of the remaining sintered body and the outer circuit of the outer surface of the remaining sintered body which did not grind the recessed space, and the size of 10 mm / 10 mm / 2 mm is cut by snap division. A substrate for mounting a light emitting element as illustrated in FIG. 33 was produced. This light emitting element mounting substrate was produced by attaching sintered bodies each containing aluminum nitride having the four types of compositions as a main component. A 1 mm-angle light emitting device manufactured by using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer was laminated by stacking an epitaxial film containing at least one selected from among commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride on each of the prepared substrates. Using a low melting point brazing material containing In as a main component, it was mounted by fixing and inverting mounting as shown in Fig. 33, and had a lid made of metal aluminum and sealed with silicone resin. Thereafter, electric power was applied at 3.5 V / 350 mA to the light emitting element to emit light, and the transmission state from the light emitting substrate was visually confirmed. As a result, bright and strong light transmitted through the substrate was observed with all the light emitting element mounting substrates, but the transmitted light was mild. In the light emitting element mounting substrate using a sintered body containing aluminum nitride as a main component, the phenomenon that the brightness of transmitted light is reduced by an electric circuit formed on the inside and the surface of the substrate by co-firing is hardly observed on any substrate. Did.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부에 도통 비아 및 전기 배선 등의 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.According to the present embodiment, even if the substrate for mounting light emitting elements in which electrical circuits such as conductive vias and electrical wirings are formed inside the sintered body mainly composed of the ceramic material, if the ceramic sintered body has optical transparency, the light transmitted through the substrate is greatly increased. It is possible to confirm that such a thing as a decrease is unlikely to occur, and it was possible to confirm the effectiveness of the sintered body having a ceramic material as a main component having light transmittance.

실시예 19　　Example 19

실시예 17로 제작한 다른 4 종류의 조성을 가지는 그린 시트를 이용하고 각각 3매씩 적층해 35 mm 각 두께 0.9 mm의 정방형에 절단 한 것을 준비했다. 각 그 린 시트를 건조 후, 질소 분위기중에서 탈바인더 후, 1) 순N2분위기중 1800℃에 대해 2시간 상압 소성하는, 2) 일산화탄소를 200 ppm 포함한 질소 분위기중 2200℃에 대해 4시간 상압 소성하거나, 라고 하는 2개의 조건으로 소성하여 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 판 모양 소결체를 얻었다. 1800℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성은 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 그대로의 양이 잔존해, 원료중의 산소도 거의 그대로의 양이 잔존하고 있었다. 한편 2200℃으로 소성하여 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 그린 시트 때 다량으로 존재한 Y2O3, CaO, Er2O3의 각 성분은 거의 휘산 해, 4 종류 모든 조성의 그린 시트로부터 얻을 수 있던 소결체에 대해 Y2O3, CaO, Er2O3의 함유량은 Y, Ca, Er원소 환산으로 100 ppm 이하였다. 또 원료에 포함되어 있던 산소의 함유량도 감소해 모두 300 ppm 이하였다. 질화 알루미늄 입자도 30μm~45μm으로 성장하고 있었다. 얻을 수 있던 각 소결체를 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 치수의 원형에 양면연삭 해 그 후 한 면을 평균 표면 엉성함 24 nm에 표면을 경면 연마 가공했다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 광투과율은 모두 50%이상이었다. 그 중 2200℃으로 4시간 소성한 것은 광투과율이 모두 80%이상이었다. 이러한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 경면 연마면에 대해서 표 12에 나타낸 금속 산화물, 탄화규소, 질화 규소, 실리콘으로 이루어지는 각종 피막을 스팩터에 의해, 혹은 증착에 의해, 혹은 CVD에 의해, 혹은 콜로이드 용액 겔액에의 침지 후 소성하여 새기는 방법에 의해 형성했다. 또한 피막 중 PZT라고 적은 것의 조성은 50 몰 %PbTiO3＋50 몰%PbTiO3이며, PLZT라고 적은 것의 조성은 50 몰%〔(90 몰%Pb＋10 몰%La) ZrO3〕＋50 몰%〔(90 몰%Pb＋10 몰%La) TiO3〕이다. 그 후 얻을 수 있던 각종 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 반사율을 측정했다. 또한 형성한 각종 피막의 두께는 2.0μm이다. 또, 별도 상기 각종 피막을 두께 1 mm의 용해 석영 유리에 2.0μm의 두께로 형성해 파장 605 nm의 단색광으로 그 자체의 굴절률 및 투과율을 측정했다. 제작한 각종 피막의 굴절률은 모두 2.1이상이었다(다만, 실리콘을 제외하다).또 그 때 각종 피막 자체의 광투과율도 측정해, 실리콘의 광투과율이 제로인 이외 모든 피막의 광투과율은 80%이상으로 투명성이 높은 것을 확인했다. 이러한 측정 결과를 표 12에 나타냈다.Using green sheets having four different compositions prepared in Example 17, three sheets each were laminated and cut into squares each having a thickness of 0.9 mm of 35 mm. After drying each green sheet, after binder removal in nitrogen atmosphere, 1) atmospheric firing for 2 hours at 1800 ° C. in a pure N 2 atmosphere, and 2) atmospheric firing for 4 hours at 2200 ° C. in a nitrogen atmosphere containing 200 ppm of carbon monoxide. It baked on two conditions, and obtained the plate-shaped sintered compact which has aluminum nitride as a main component. The composition of the sintered body containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 1800 ° C. has a large amount of each component of Y 2 O 3, CaO, and Er 2 O 3 that existed in large amounts in the green sheet, and the oxygen in the raw material is almost intact. The sheep remained. On the other hand, the sintered compact containing aluminum nitride as a main component obtained by firing at 2200 ° C is almost completely volatilized, and each component of Y2O3, CaO and Er2O3 present in the green sheet is volatilized, and the sintered compact obtained from green sheets of all four compositions is obtained. The content of Y 2 O 3, CaO and Er 2 O 3 was 100 ppm or less in terms of Y, Ca and Er elements. In addition, the content of oxygen contained in the raw material was also reduced, all 300 ppm or less. Aluminum nitride particles also grew to 30 µm to 45 µm. Each obtained sintered compact was double-sided grind | rounded to the circular shape of the dimension of diameter 25.4mm thickness 0.5mm, and the surface was then mirror-polished-processed at the average surface roughness 24nm. Thus, the light transmittance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm of the obtained sintered compact was 50% or more in all. Among them, the light transmittance was 80% or more when fired at 2200 ° C for 4 hours. For the mirror polished surface of such a sintered body containing aluminum nitride as a main component, various films made of metal oxides, silicon carbide, silicon nitride, and silicon shown in Table 12 are formed by a specter, vapor deposition, CVD, or colloid. It formed by the method of baking and engraving after immersion in solution gel liquid. In the film, the composition of PZT written as 50 mole% PbTiO 3 +50 mol% PbTiO 3 was expressed as 50 mole% ((90 mole% Pb + 10 mole% La) ZrO 3] + 50 mole% [(90 mole% Pb + 10 mole%). La) TiO 3]. The reflectance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which mainly has the aluminum nitride in which the various films obtained were formed as a main component was measured. Moreover, the thickness of the formed various film is 2.0 micrometers. Moreover, the said various films were formed separately in the thickness of 2.0 micrometers in the molten quartz glass of thickness 1mm, and the refractive index and transmittance | permeability of itself were measured with the monochromatic light of wavelength 605nm. The refractive indexes of the various films produced were all 2.1 or more (except silicon). In addition, the light transmittance of the various films themselves was measured, and the light transmittance of all films except the light transmittance of silicon was zero or more. It confirmed that transparency was high. These measurement results are shown in Table 12.

피막이 형성되어 있지 않은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 파장 605 nm의 단색광에 대한 반사율 10%~14%(1800℃2시간 소성한 것：Y2O3을 5 중량%가지는 것의 반사율 14%, Y2O35 중량%및 CaO를 0.5 중량%가지는 것의 반사율 12%, Er2O3을 9 중량%가지는 것의 반사율 13%, Er2O33 중량%및 CaO를 0.5 중량%가지는 것이 반사율 11%, 2200℃4시간 소성한 것：Y2O3을 5 중량%가지는 것의 반사율 12%, Y2O35 중량%및 CaO를 0.5 중량%가지는 것의 반사율 11%, Er2O3을 9 중량%가지는 것의 반사율 12%, Er2O33 중량%및 CaO를 0.5 중량%가지는 것이 반사율 10%)에서 만난 것에 대해, 상기 각종 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 굴절률이 2.1이상의 피막이 형성된 것으로 반사율이 적어도 30%이상으로 향상했다. 또 굴절률이 2.3이상의 피막을 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하 는 소결체의 반사율은 50%이상으로 향상했다. 한층 더 굴절률이 2.4이상의 피막을 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 70%이상으로 향상했다. 이와 같이 각종 피막을 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 형성한 피막의 굴절률의 향상에 수반해 증대화하는 경향이 있다. 또한 실리콘은 굴절률을 측정할 수 없기는 했지만 반사율은 50%이상이었다. 이러한 피막 중에서 TiO2, SrTiO3, PbTiO3, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6을 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율이 90%이상이며 우수하다. 이것은 아마 상기 각 피막의 굴절률이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 굴절률 2.1보다 큰 일과 그 외 광투과율도 높고 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와 형성한 상기 각 피막과의 계면에서 전반사 된 빛이 흡수되는 것이 거의 없기 때문이라고 생각된다. 이들 6 종류의 피막 중에서 TiO2를 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율이 95%를 가지는 것을 얻을 수 있고 특별히 우수하다.In a sintered body composed mainly of aluminum nitride, in which no film is formed, the reflectance of monochromatic light having a wavelength of 605 nm is 10% to 14% (fired at 1800 ° C for 2 hours: 14% of Y2O3 having 5% by weight of Y2O35, and A reflectance of 12% with 0.5% CaO, 13% with 9% by weight of Er2O3, Er2O33% by weight and 0.5% by weight of CaO with 11% reflectance and firing at 2200 ° C for 4 hours: 5% by weight of Y2O3 Reflectance of 12%, Y2O35% by weight and 0.5% by weight CaO of 11%, reflectance of 12% by 9% by weight of Er2O3, weight of 12% Er2O33 and 0.5% by weight of CaO On the other hand, in the sintered compact mainly composed of aluminum nitride having various coating films formed thereon, a film having a refractive index of 2.1 or more was formed and the reflectance was improved to at least 30% or more. In addition, the reflectance of the sintered body mainly composed of aluminum nitride having a film having a refractive index of 2.3 or more was improved to 50% or more. Furthermore, the reflectance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride having a film having a refractive index of 2.4 or more was improved to 70% or more. Thus, the reflectance of the sintered compact which has aluminum nitride in which the various films were formed as a main component tends to increase with the improvement of the refractive index of the formed film. In addition, although the silicon could not measure the refractive index, the reflectance was more than 50%. Among these films, the reflectance of the sintered body composed mainly of aluminum nitride in which TiO2, SrTiO3, PbTiO3, Bi12GeO20, Bi12TiO20, and Bi2WO6 was formed is 90% or more, which is excellent. This is probably because the refractive index of each film is larger than the refractive index 2.1 of the sintered body composed mainly of aluminum nitride, and the light transmitted totally at the interface between the sintered body composed of aluminum nitride and the formed sintered body having high light transmittance is absorbed. It seems to be because there is almost nothing. Among these six types of films, the reflectance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride on which TiO2 is formed can be obtained, which is particularly excellent.

또한 피막의 굴절률은 미국 「SCI(Scientific　Computing　International) 회사」제의 분광 광도계(Spectrophotometer) 「제품명：FilmTek4000」을 이용해 측정했다. 또, .피막의 광투과율 및 피막 형성 전후의 소결체의 반사율은 실시예 1로 같이 히타치 제작소제의 분광 광도계 U－4000을 이용했다.In addition, the refractive index of the film was measured using the spectrophotometer "Product name: FilmTek4000" by the American "Scientifice Computing International" company. In addition, the light transmittance of the film and the reflectance of the sintered body before and after the film formation used the spectrophotometer U-4000 by Hitachi, Ltd. as in Example 1.

다음에 본 실시예에 대해 제작한 상기 각종 피막을 형성한 기판장의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용하고 각각 10mm/10mm/0.5mm의 크기를 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 우선 그 중에서 실험 No.198, 207, 210, 213, 216, 219로 제작한 TiO2 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용하고 제작한 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 방출 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 투과한 빛은 약하고 거의 관찰되지 않는다. 발광소자로부터의 발광은 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측에 날카롭고 강한 빛이 되어 기판 외부로 방출되고 있었다. 또한 참고를 위해 TiO2 피막을 형성하고 있지 않는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판에서는 기판을 투과한 발광소자로부터의 밝은 온화한 빛이 관찰된다. 이와 같이 TiO2 피막 및 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 각각 높은 광투과율을 가지는 것에도 불구하고 TiO2 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작된 발광소자 탑재용 기판에서는 기판을 투과하는 발광소자로부터의 빛의 강도가 극적으로 감소하는 것이 관찰된다. 이것은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해서 형성한 TiO2 피막이 발광소자 탑재용 기판에 대해도 반사 부재로서 기능하고 있는 것을 나타내고 있다.Next, using a sintered body composed mainly of aluminum nitride of the substrate length on which the various films formed according to the present embodiment were formed, the size of each of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm was cut out, and one side was made of Ti / Pt / Au thin film. An electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 µm was formed to produce a substrate for mounting a light emitting element. First of all, commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride were used on a substrate prepared by using a sintered body composed of aluminum nitride having TiO2 films formed by Experiment Nos. 198, 207, 210, 213, 216, and 219. An epitaxial film containing at least one selected component as a main component is laminated, and a light emitting device fabricated using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer is mounted to emit light by applying 3.5V / 350mA of electric power to emit light from the substrate. Confirmed by the naked eye. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light which transmitted through the board | substrate which consists of a sintered compact which has aluminum nitride as a main component as the board | substrate for mounting all the light emitting elements produced was weak and hardly observed. Light emission from the light emitting element became sharp and strong light on the substrate surface side on which the light emitting element was mounted and was emitted to the outside of the substrate. For reference, in the light emitting element mounting substrate manufactured using a sintered body containing aluminum nitride, which does not form a TiO2 film, as a main component, bright and gentle light from the light emitting element that has passed through the substrate is observed. As described above, although the sintered body containing the TiO 2 film and the aluminum nitride as a main component has a high light transmittance, the light emitting device mounting substrate manufactured using the sintered body containing the aluminum nitride with the TiO 2 film as the main component is formed from a light emitting device that transmits the substrate. It is observed that the intensity of light decreases dramatically. This indicates that the TiO 2 film formed on the sintered body containing aluminum nitride as a main component also functions as a reflecting member with respect to the light emitting element mounting substrate.

또, 본 실시예에 대해 제작한 실험 No.201의 탄화규소 피막(SiC：굴절률 2.65)을 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 제작해 발광소자를 탑재해 상기 발광소자를 발광시켜 관찰해 보았지만, TiO2 피막을 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와 같이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 투과한 빛은 약하고 거의 관찰되지 않고, 발광소자로부터의 빛은 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측에 날카롭고 강한 빛이 되어 기판 외부로 방출되는 현상이 관찰되었다. 이것은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해서 형성한 SiC 피막이 발광소자 탑재용 기판에 대해도 반사 부재로서 기능하고 있는 것을 나타내고 있다.In addition, a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a silicon carbide film (SiC: refractive index 2.65) formed in Experiment No. 201 produced in accordance with the present embodiment was prepared as a substrate for mounting a light emitting device, and a light emitting device was mounted thereon. Although light was observed, light transmitted through a substrate made of a sintered body composed mainly of aluminum nitride, such as a sintered body composed mainly of aluminum nitride, on which a TiO2 film was formed, was weak and hardly observed, and light from the light emitting device was observed. A phenomenon in which sharp and strong light is emitted to the outside of the substrate on the side of the substrate on which the device is mounted is observed. This shows that the SiC film formed with respect to the sintered compact which has aluminum nitride as a main component also functions as a reflecting member with respect to the light emitting element mounting substrate.

이러한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 투과하는 빛의 감소화 혹은 실질적으로 기판을 투과하는 빛이 관찰되지 않는다고 하는 현상, 및 발광소자로부터의 빛은 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측에 강한 빛이 되어 기판 외부로 방출되는 현상은 본 실시예로 제작한 TiO2 및 SiC 이외의 피막을 형성한 발광소자 탑재용 기판 모두로 관찰되었다.The phenomenon that the light transmitted through the substrate made of a sintered body composed of aluminum nitride as a main component or that the light transmitted through the substrate is not substantially observed, and the light from the light emitting device are placed on the substrate surface side on which the light emitting device is mounted. The phenomenon of becoming strong light and being emitted to the outside of the substrate was observed with both the substrate for mounting a light emitting element on which a film other than TiO2 and SiC formed in this example was formed.

다음에 실시예 17로 제작한 4 종류의 조성의 그린 시트를 이용해, 소성을 1800℃으로 2시간 소성한 것과 2200℃으로 4시간소성을 실시한 것의 2조건으로 음푹패인 공간을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 이러한 소결체의 크기는 10mm/10mm/2mm이며 발광소자 탑재 부분의 기판 두께는 0.5 mm이다. 따라서 음푹패인 공간의 깊이는 1.5 mm이다. 또 측벽의 두께는 0.5 mm이다. 그 후 음푹패인 공간내의 발광소자 탑재 부분에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 상 기 전기 회로에는 발광소자 고착용 전극도 포함된다. 또, 별로 뚜껑으로서 이용하는 10mm/10mm/0.5mm의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 판 모양 기판을 준비했다. 다음에 박막에 의한 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판의 음푹패인 공간내의 측벽이라고 상기뚜껑으로서 이용하는 판 모양 기판의 한 면에 TiO2 피막을 2.0μm의 두께로 형성했다. 음푹패인 공간내의 발광소자가 탑재되는 면에는 TiO2 피막이 형성되어 있지 않다. 이 발광소자 탑재용 기판은 상기 4 종류의 조성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 각각 붙어 제작했다. 제작한 각 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 1 mm각의 발광소자를 Au(10 중량%)/Sn를 주성분으로 하는 합금제저융점 납재를 이용해 도 24에 나타나듯이 고착, 반전 실장하는 것으로 탑재해, 미리 제작해 둔 한 면에 TiO2 피막을 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 판 모양 기판을 뚜껑으로서 이용하고 땜납에 의해 봉지했다. 그 후 발광소자에게 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 뚜껑 및 기판측벽으로부터의 투과광의 힘은 약하고 혹은 거의 관찰되지 않았다. 한편뚜껑 및 기판측벽 이외의 부분(즉 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대측의 표면)으로부터는 기판을 투과한 강하고 밝은 빛이 관찰되었지만 그 투과광은 온화한 것이었다. 이 기판을 투과한 빛의 힘은 4 종류의 조성을 가지는 그린 시트로부터 제작한 기판 모두에 있어, 1800℃으로 소성하여 제 작한 것으로부터 보다 2200℃으로 소성하여 제작하는 편이 보다 큰 것에 관찰되었다. 이것은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해서 형성한 TiO2 피막이 발광소자 탑재용 기판에 대해도 반사 부재로서 기능하고 있는 것을 나타내고 있다.Next, using the green sheet of the four kinds of compositions produced in Example 17, firing was carried out at 1800 ° C. for 2 hours and firing at 2200 ° C. for 4 hours. A sintered compact was produced. The size of this sintered compact is 10 mm / 10 mm / 2 mm and the substrate thickness of the light emitting element mounting part is 0.5 mm. Therefore, the depth of the recessed space is 1.5 mm. The side wall is 0.5 mm thick. Thereafter, an electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 µm was formed on the light emitting element mounting portion in the recessed space by a Ti / Pt / Au thin film to produce a light emitting element mounting substrate. The electric circuit also includes an electrode for fixing a light emitting device. Moreover, the board-shaped board | substrate which consists of a sintered compact which has 10 mm / 10 mm / 0.5 mm aluminum nitride as a main component used as a cover separately was prepared. Next, a TiO2 film was formed to a thickness of 2.0 μm on one side of the plate-shaped substrate used as the lid as a side wall in the recessed space of the light emitting element mounting substrate on which the electric circuit by thin film was formed. The TiO2 film is not formed on the surface on which the light emitting element in the recessed space is mounted. This light emitting element mounting substrate was produced by attaching sintered bodies each containing aluminum nitride having four kinds of compositions as a main component. A 1 mm-angle light emitting device manufactured by using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer was laminated by stacking an epitaxial film containing at least one selected from among commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride on each of the prepared substrates. It is mounted by fixing and reversing mounting using a low melting point brazing alloy made of Au (10 wt.%) / Sn as shown in Fig. 24, and containing aluminum nitride having a TiO 2 film formed on a previously prepared surface. The plate-shaped board | substrate which consists of a sintered compact was used as a lid | cover, and it sealed by the solder. Thereafter, electric power was applied at 3.5 V / 350 mA to the light emitting element to emit light, and the transmission state from the light emitting substrate was visually confirmed. As a result, the force of the transmitted light from the lid and the substrate side wall was weak or hardly observed with all the light emitting element mounting substrates. On the other hand, strong and bright light transmitted through the substrate was observed from portions other than the lid and the substrate side wall (that is, the surface opposite to the surface on which the light emitting element of the substrate is mounted), but the transmitted light was mild. The force of the light transmitted through this substrate was observed to be larger in the case of all substrates produced from the green sheets having four kinds of compositions, and those produced by firing at 1800 ° C and producing at 2200 ° C. This indicates that the TiO 2 film formed on the sintered body containing aluminum nitride as a main component also functions as a reflecting member with respect to the light emitting element mounting substrate.

또, 상기 TiO2 피막에 대신해 SiC 피막을 형성한 발광소자 탑재용 기판을 제작해 상기 기판에 의한 발광소자로부터의 빛의 투과 상태를 관찰했다. 즉, 상기 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 상기 음푹패인 공간내의 측벽과 뚜껑으로서 이용하는 판 모양 기판의 한 면에 SiC 피막을 2.0μm의 두께로 형성했다. 음푹패인 공간내의 발광소자가 탑재되는 면에는 SiC 피막이 형성되어 있지 않다. 이 발광소자 탑재용 기판은 상기 4 종류의 조성을 가지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 각각 붙어 제작했다. 제작한 각 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 1 mm각의 발광소자를 Au(10 중량%)/Sn를 주성분으로 하는 합금제저융점 납재를 이용해 도 24에 나타나듯이 고착, 반전 실장하는 것으로 탑재해, 미리 제작해 둔 한 면에 SiC 피막을 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 판 모양 기판을 뚜껑으로서 이용하고 땜납에 의해 봉지했다. 그 후 발광소자에게 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 뚜껑 및 기판측벽으로부터의 투과광의 힘은 약하고 혹은 거의 관찰되지 않았다. 한편 뚜껑 및 기판측 벽 이외의 부분(즉 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대측의 표면)으로부터는 기판을 투과한 강하고 밝은 빛이 관찰되었지만 그 투과광은 온화한 것이었다. 이 기판을 투과한 빛의 힘은 4 종류의 조성을 가지는 그린 시트로부터 제작한 기판 모두에 있어, 1800℃으로 소성하여 제작한 것으로부터 보다 2200℃으로 소성하여 제작하는 편이 보다 큰 것에 관찰되었다. 이것은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해서 형성한 SiC 피막이 발광소자 탑재용 기판에 대해도 반사 부재로서 기능하고 있는 것을 나타내고 있다.In addition, a light emitting element mounting substrate having a SiC film formed thereon instead of the TiO2 film was fabricated, and the transmission state of light from the light emitting element by the substrate was observed. That is, the SiC film was formed in the thickness of 2.0 micrometers in the side surface of the said recessed space of the light emitting element mounting substrate which has the said recessed space, and the one side of the plate-shaped board | substrate used as a lid | cover. The SiC film is not formed on the surface on which the light emitting element in the recessed space is mounted. This light emitting element mounting substrate was produced by attaching sintered bodies each containing aluminum nitride having four kinds of compositions as a main component. A 1 mm-angle light emitting device manufactured by using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer was laminated by stacking an epitaxial film containing at least one selected from among commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride on each of the prepared substrates. A low melting point brazing alloy made of Au (10% by weight) / Sn is used as the main component of aluminum nitride having a SiC film formed on one surface prepared by fixing and inverting mounting as shown in FIG. The plate-shaped board | substrate which consists of a sintered compact was used as a lid | cover, and it sealed by the solder. Thereafter, electric power was applied at 3.5 V / 350 mA to the light emitting element to emit light, and the transmission state from the light emitting substrate was visually confirmed. As a result, the force of the transmitted light from the lid and the substrate side wall was weak or hardly observed with all the light emitting element mounting substrates. On the other hand, strong and bright light transmitted through the substrate was observed from portions other than the lid and the substrate side wall (that is, the surface opposite to the surface on which the light emitting element of the substrate is mounted), but the transmitted light was mild. The force of the light transmitted through this substrate was observed to be larger in the case of all substrates produced from the green sheets having four kinds of compositions. This shows that the SiC film formed with respect to the sintered compact which has aluminum nitride as a main component also functions as a reflecting member with respect to the light emitting element mounting substrate.

이와 같이 본 실시예에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성한 비교적 굴절률의 높은 재료를 이용한 피막이 반사 부재로서 기능해 발광소자의 발광 방향을 제어할 수 있어 한층 더 발광 강도의 제어가 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다.As described above, the film using the relatively high refractive index material formed on the sintered body containing the ceramic material as the main component functions as a reflecting member to control the light emitting direction of the light emitting device. Could confirm.

실시예 20Example 20

본 실시예에 대해 실시예 15로 제작한 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금의 증착 피막을 한쪽 편 전면에 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 외에, 두께 0.4μm의 마그네슘, 아연, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 및 텅스텐 70 중량%과 동 30 중량%과의 합금의 피막을 한쪽 편 전면에 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 이들 피막 중 마그네슘, 아연, 니켈의 피막은 증착법에 의해 형성한 것이어, 텅스텐, 몰리브덴, 및 텅스텐 70 중량%과 동 30 중량%과의 합금의 피막은 스팩터법에 의해 형성한 것이다. 이러한 피막을 형성한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 반사율을 측정 했다. 그 결과를 표 13에 나타냈다. 표 13에 나타나듯이 마그네슘 및 아연의 증착 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 모두 70%이상으로 높은 것으로 있었다. 특히 경면 연마한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 모두 80%이상이었다. 또, 텅스텐(70 중량%)과 동(30 중량%)과의 합금의 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 70%이상이었다. 니켈, 텅스텐 및 몰리브덴의 피막이 형성된 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 모두 50%이상이었다.0.4 μm thick magnesium, zinc, in addition to a sintered body composed mainly of aluminum nitride formed by depositing a coating film of aluminum, gold, silver, copper, parodydium, and platinum on one side of the present Example A sintered body mainly composed of aluminum nitride, in which a film of an alloy of nickel, tungsten, molybdenum, and an alloy of 70% by weight of tungsten and 30% by weight of copper was formed on one side thereof was produced. Among these films, films of magnesium, zinc and nickel are formed by vapor deposition, and alloy films of 70% by weight of tungsten, molybdenum and tungsten with 30% by weight of copper are formed by the sputter method. The reflectance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which has aluminum nitride which formed such a film as a main component was measured. The results are shown in Table 13. As shown in Table 13, the reflectances of the sintered body mainly composed of aluminum nitride on which the deposited films of magnesium and zinc were formed were high as 70% or more. In particular, all of the sintered bodies mainly composed of mirror-polished aluminum nitride were 80% or more. Moreover, the reflectance of the sintered compact which mainly consists of aluminum nitride in which the coating film of the alloy of tungsten (70 weight%) and copper (30 weight%) was formed was 70% or more. The reflectances of the sintered bodies mainly composed of aluminum nitride on which the films of nickel, tungsten and molybdenum were formed were all 50% or more.

실시예 21Example 21

소결체 제작용 원료 분말로서 고순도 질화 알루미늄 분말(토쿠야마조들 주식회사(현：주식회사 트크야마) 제 「H」그레이드)을 준비했다. 이 원료 분말은 산화물 환원법에서 제조된 것이다. 이 원료 분말은 불순물로서 산소를 0.8 중량%포함한다. 이 원료 분말에 적당 소결조제나 착색제 등을 더하고 에탄올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 건조해 에탄올을 휘산 한 후 파라핀 왁스를 분말 혼합체에 대해서 5 중량%더하고 성형용 분말을 제작해, 직경 36 mm두께 2.0 mm의 원형 성형체를 1축프레스 성형에 의해 얻었다. 그 후 감압하 300℃으로 파라핀 왁스를 탈지 해, 질화 알루미늄제, BN제, 텅스텐제, 혹은 BN분말을 표면에 코팅 한 카본제의 셋타 및 칼집을 사용해 순질소 분위기중에서 상압 소성하여 각종 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 소성은 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물을 소결조제로서 더한 분말 성형체는 1800℃2시간에 갔다. 또, 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물을 더하지 않는 분말 성형체는 1950℃2시간에 소성했다. 얻을 수 있던 소결체는 모두 상대 밀도 95%이상으로 치밀화하고 있다.High-purity aluminum nitride powder ("H" grade made by Tokuyamazo Co., Ltd. (current: Tokyama Corporation)) was prepared as a raw material powder for sintered compact production. This raw material powder is manufactured by the oxide reduction method. This raw material powder contains 0.8 wt% of oxygen as an impurity. A suitable sintering aid or colorant was added to the raw material powder, pulverized and mixed with ethanol for 24 hours, dried, volatilized and ethanol was added 5% by weight of paraffin wax to the powder mixture to form a molding powder, and a diameter of 36 mm. The circular molded object of thickness 2.0mm was obtained by uniaxial press molding. Subsequently, paraffin wax was degreased at 300 ° C. under reduced pressure, and carbonized setters and sheaths made of aluminum nitride, BN, tungsten, or BN powder were coated on the surface under normal pressure in a pure nitrogen atmosphere to nitrate various compositions. A sintered body containing aluminum as a main component was obtained. Firing of the powder compact obtained by adding the rare earth element compound and the alkaline earth metal compound as the sintering aid was carried out at 1800 ° C for 2 hours. Moreover, the powder compact which does not add a rare earth element compound and an alkaline earth metal compound was baked at 1950 degreeC 2 hours. All the obtained sintered compacts are densified to 95% or more of relative density.

다음에 얻을 수 있던 소결체를 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 치수로 연삭, 한층 더 표면을 경면 연마 가공해 각종 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 전산소량, ALON량, 605 nm의 단색광을 이용한 광투과율의 측정을 실시했다. 또, 일부의 샘플에서는 열전도율, 저항율의 측정도 했다. 이 측정 결과를 표 14~표 18에 나타낸다. 얻을 수 있던 각종 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 원료 분말에 불순물로서 존재하고 있는 것이나 첨가한 알루미나 등에서 혼입하는 산소, 혹은 첨가한 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물 등의 소결조제, 혹은 첨가한 알칼리 금속 화합물이나 규소 함유 화합물, 혹은 첨가한 몰리브덴, 텅스텐, 니오브, 티탄, 카본 등의 착색을 촉진하는 성분, 혹은 첨가한 철, 니켈 등의 성분은 원료 분말에 첨가한 첨가물이 대부분 휘산제거되지 말고 분말 성형 체내와 동량 존재하고 있다. 즉 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성은 분말 성형체의 조성과 같다. 따라서 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 전산소량 이외 특히 각 표에는 기재하고 있지 않다. 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작할 때 첨가한 알루미나량은 산화물 환산에 의해 산정한 것이어, 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 산소량은 원소 환산으로 측정한 것이다. 표 14에는 첨가물로서 Al2O3을 이용한 예가 가리켜 있다. 표 15에는 첨가물로서 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물을 이용한 예가 가리켜 있다. 표 15의 실험예에서는 실온에 있어서의 열전도율의 측정 결과도 나타나고 있다. 표 16에는 첨가물로서 규소 함유 화합물, 및 알칼리 금속 화합물을 이용한 예가 가리켜 있다. 표 17에는 첨가물로서 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본을 이용한 예가 가리켜 있다. 표 18에는 첨가물로서 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연을 이용한 예가 가리켜 있다. 표 17 및 표 18에 나타내는 실험예에서는 실온에 있어서의 저항율의 측정 결과도 나타나고 있다. 또한 경면 연마 후의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 표면 평활성은 평균 표면 엉성함(Ra)=21 nm~36 nm의 범위에 있었다.Next, the obtained sintered body was ground to a diameter of 25.4 mm thickness 0.5 mm, and the surface was further mirror-polished, and the amount of total oxygen, ALON, and light transmittance using 605 nm monochromatic light of the sintered body mainly composed of various aluminum nitrides were obtained. The measurement was performed. In some samples, thermal conductivity and resistivity were also measured. The measurement results are shown in Tables 14 to 18. For the sintered body having various kinds of aluminum nitride obtained as a main component, sintering aids such as those present as impurities in the raw material powder, oxygen mixed in the added alumina, or the like, added rare earth element compounds or alkaline earth metal compounds, or added Alkali metal compounds, silicon-containing compounds, added molybdenum, tungsten, niobium, titanium, carbon and other components that promote coloration, or added components such as iron and nickel, most of the additives added to the raw material powder is not volatilized It exists in the same amount as the powder molding body. That is, the composition of the obtained sintered compact containing aluminum nitride as a main component is the same as that of the powder compact. Therefore, as a composition of the sintered compact which has the obtained aluminum nitride as a main component, it does not mention in particular in each table other than the amount of oxygen. The amount of alumina added when producing the sintered compact containing aluminum nitride as a main component was calculated by conversion of oxide, and the amount of oxygen in the sintered compact containing aluminum nitride as the main component was measured in terms of elements. Table 14 shows an example using Al 2 O 3 as an additive. Table 15 shows an example using a rare earth element compound and an alkaline earth metal compound as additives. In the experimental example of Table 15, the measurement result of the thermal conductivity at room temperature is also shown. Table 16 shows the example using a silicon containing compound and an alkali metal compound as an additive. Table 17 shows an example using Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon as additives. Table 18 shows an example using iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper and zinc as additives. In the experimental example shown in Table 17 and Table 18, the measurement result of the resistivity in room temperature is also shown. Moreover, the surface smoothness of the sintered compact which mainly contains aluminum nitride after mirror polishing was in the range of average surface roughness (Ra) = 21 nm-36 nm.

표 14~표 18로 가리키도록(듯이) 본 실시예에 대해 광투과율 50%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있었다. 또 비교적 다량의 산소(Al2O3로서 이용한), 혹은 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물, 혹은 규소 함유 화합물 및 알칼리 금속 화합물, 혹은 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 카본, 혹은 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연, 을 포함하는 것은 광투과율이 10%이하로 저하하기 쉽고, 광투과율이 0%의 것도 용이하게 얻을 수 있었다. 표 15에 나타낸 실험예로 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 질화 알루미늄의 함유량이 50 체적%이상이기 때문에 실온에 있어서의 열전도율은 모두 50 W/mK이상이며, 최대 172 W/mK이었다. 또, 표 17 및 표 18에 나타낸 실험예로 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 질화 알루미늄의 함유량이 50 체적%이상이기 때문에 실온에 있어서의 저항율은 모두 1108Ωcm이상이며 전기적 절연성을 가지고 있었다.As shown to Tables 14-18, the sintered compact which has aluminum nitride with a light transmittance of 50% or less as a main component in this Example was obtained. In addition, a relatively large amount of oxygen (used as Al 2 O 3), a rare earth element compound and an alkaline earth metal compound, or a silicon-containing compound and an alkali metal compound, or Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, carbon, or iron, nickel, Containing chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc, the light transmittance was easily lowered to 10% or less, and the light transmittance of 0% was easily obtained. Since the sintered compact mainly containing aluminum nitride produced by the experimental example shown in Table 15 had an aluminum nitride content of 50% by volume or more, the thermal conductivity at room temperature was all 50 W / mK or more, up to 172 W / mK. Moreover, since the sintered compact which has aluminum nitride as a main component produced by the experiment example shown in Table 17 and Table 18 has 50 volume% or more of aluminum nitride, the resistivity at room temperature was 1108 ohm-cm or more, and it had electrical insulation.

그 후 본 실시예로 제작한 표면을 경면 연마 가공한 직경 25.4mm두께 0.5 mm 의 각종 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 10mm/10mm의 크기의 것을 잘라 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자를 구동하기 위한 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 또, 상기 발광소자의 중심 발광 파장 460 nm이다.Subsequently, 10 mm / 10 mm in size was cut from a sintered body composed mainly of aluminum nitride having various compositions of 25.4 mm in diameter and 0.5 mm in diameter subjected to mirror polishing on the surface produced in this example. In this way, an electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 µm was formed to produce a substrate for mounting a light emitting element. An epitaxial film containing at least one selected from commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated on the fabricated substrate, and a light emitting device fabricated using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer was mounted with 3.5V / An electric power of 350 mA was applied to emit light, and the transmission state from the substrate of the above emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. Moreover, the center light emission wavelength of the said light emitting element is 460 nm.

그 결과, 광투과율이 30%~50%의 범위의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우, 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 상기 발광소자로부터 직접 발산된 강한 빛이 방출되고 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터는 그것보다 약하고 온화한 산란빛이 방출되고 있는 것으로 육안에서는 관찰되었다. 또 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 10%~30%의 범위에서는 광투과율이 30%에서 10%로 저하해 감에 따라 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터 방출되는 온화한 산란빛은 점차 약해져 가는 모습이 관찰되었다. 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 30%~50%의 범위의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우보다 강한 빛이 발광소자로부터 방출되고 있는 것으로 관찰되었다. 또, 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%~10%의 범위에서는 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터 방출되는 온화한 산란빛은 한층 더 약해져 가는 모습이 관찰되었다. 또 이 범위에 대해 광투과율이 5%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 때, 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터 방출되는 온화한 산란빛은 한층 약해져 가는 모습이 관찰되었다. 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 10%~30%의 범위의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우보다 한층 더 강한 빛이 발광소자로부터 방출되고 있는 것으로 관찰되었다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%보다 작아진다고 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터의 온화한 산란빛은 육안으로 거의 관찰되기 어려워져, 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 1%~10%의 범위의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우보다 강한 빛이 발광소자로부터 방출되고 있는 것으로 관찰되었다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 0%에서는 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터의 온화한 산란빛은 육안에서는 관찰되지 않게 되어, 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 1%보다 작은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우와 거의 같은 강한 빛이 발광소자로부터 방출되고 있는 것으로 관찰되었다.　As a result, when a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance in the range of 30% to 50% is used, strong light emitted directly from the light emitting device is emitted from the substrate surface side on which the light emitting device is mounted, It was observed from the naked eye that light scattering lighter and lighter than that of the substrate surface on which the substrate was mounted was emitted. In the range of 10% to 30% of the light transmittance of the sintered body mainly composed of aluminum nitride, which is used as a substrate for mounting a light emitting element, the light transmittance is reduced from 30% to 10% as the substrate surface on which the light emitting element is mounted. Mild scattered light emitted from the opposite side of the surface was gradually weakened. At this time, it was observed from the light emitting element that stronger light is emitted from the substrate surface side on which the light emitting element is mounted than when using a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance in the range of 30% to 50%. Further, in the range of 1% to 10% of the light transmittance of the sintered body mainly composed of aluminum nitride, which is used as the substrate for mounting the light emitting element, the mild scattered light emitted from the surface opposite to the surface of the substrate on which the light emitting element is mounted is further increased. Weakening was observed. In addition, when a sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance of 5% or less as a main component is used as a substrate for mounting a light emitting device, the mild scattered light emitted from the surface opposite to the substrate surface on which the light emitting device is mounted becomes weaker. A thin figure was observed. At this time, it was observed from the surface of the substrate on which the light emitting device is mounted that light is more intensely emitted from the light emitting device than when a sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance in the range of 10% to 30% is used. When the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride is less than 1%, the light scattering light from the surface opposite to the substrate surface on which the light emitting device is mounted is hardly observed with the naked eye. From the substrate surface side, it was observed that stronger light is emitted from the light emitting element than when using a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance in the range of 1% to 10%. When the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride is 0%, the light scattering light from the surface on the opposite side to the substrate surface on which the light emitting device is mounted is not observed by the naked eye. From now on, it has been observed that the same strong light is emitted from the light emitting element as in the case of using a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance of less than 1%.

또한 발광소자를 구동하기 위한 전기 회로로서 상기 Ti/Pt/Au박막에 대신해 Ti/W/Au, Ti/Ni/Au, Cr/Cu, Al의 재료 구성으로 이루어지는 각 박막을 이용한 것에도 발광소자를 탑재해 육안 관찰했지만 발광소자로부터 방출되는 빛의 모습은 Ti/Pt/Au박막을 이용한 것과 같았다.The light emitting device is also used as an electric circuit for driving the light emitting device by using each thin film made of Ti / W / Au, Ti / Ni / Au, Cr / Cu, Al in place of the Ti / Pt / Au thin film. Although it was visually observed by mounting, the appearance of light emitted from the light emitting device was the same as that of using a Ti / Pt / Au thin film.

본 실시예에 의해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.According to the present Example, the effectiveness of having a light transmittance of the sintered compact which has a ceramic material as a main component was confirmed.

실시예 22Example 22

본 실시예에서는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 소결조제인 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물과 동시에 산소(Al2O3), 혹은 규소 함유 화합물 및 알칼리 금속 화합물, 혹은 Mo, W, V, 카본, 혹은 철을 포함한 경우의 효과에 대해 조사했다.In this embodiment, the sintered body mainly composed of aluminum nitride is oxygen (Al 2 O 3) or a silicon-containing compound and an alkali metal compound, or Mo, W, V, carbon, or iron simultaneously with the rare earth element compound and the alkaline earth metal compound, which are sintering aids. The effects of the cases were investigated.

실시예 21로 같이, 소결체 제작용 원료 분말로서 고순도 질화 알루미늄 분말(토쿠야마조들 주식회사(현：주식회사 트크야마) 제 「H」그레이드)을 준비했다. 이 원료 분말에 적당 소결조제 및 각종 성분을 더하고 에탄올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 건조해 에탄올을 휘산 한 후 파라핀 왁스를 분말 혼합체에 대해서 5 중량%더하고 성형용 분말을 제작해, 직경 36 mm두께 2.0 mm의 원형 성형체를 1축프레스 성형에 의해 얻었다. 그 후 감압하 300℃으로 파라핀 왁스를 탈지 해, 질화 알루미늄제, BN제, 텅스텐제, 혹은 BN분말을 표면에 코팅 한 카본제의 셋타 및 칼집을 사용해 순질소 분위기중 1800℃2시간 상압 소성하여 각종 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다.As in Example 21, high-purity aluminum nitride powder ("H" grade made by Tokuyamazo Co., Ltd. (current: Tokyama Co., Ltd.)) was prepared as a raw material powder for sintered compact production. A suitable sintering aid and various ingredients were added to this raw material powder, and pulverized and mixed with a ethanol in a ball mill for 24 hours, dried, volatilized to ethanol, 5% by weight of paraffin wax was added to the powder mixture, and a molding powder was prepared. The circular molded object of thickness 2.0mm was obtained by uniaxial press molding. Subsequently, the paraffin wax was degreased at 300 ° C. under reduced pressure, and calcined at 1800 ° C. for 2 hours in a pure nitrogen atmosphere using a carbon seta and sheath coated with aluminum nitride, BN, tungsten, or BN powder. The sintered compact which has aluminum nitride of various compositions as a main component was obtained.

다음에 얻을 수 있던 소결체를 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 치수로 연삭, 한층 더 표면을 경면 연마 가공해 각종 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 전산소량, ALON량, 605 nm의 단색광을 이용한 광투과율의 측정을 실시했다. 또, 일부 의 샘플에서는 저항율의 측정도 했다. 이 측정 결과를 표 19에 나타낸다. 얻을 수 있던 각종 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 원료 분말에 불순물로서 존재하고 있는 것이나 첨가한 알루미나 등에서 혼입하는 산소, 혹은 첨가한 희토류 원소 화합물이나 알칼리 토류 금속 화합물 등의 소결조제, 혹은 첨가한 알칼리 금속 화합물이나 규소 함유 화합물, 혹은 첨가한 몰리브덴, 텅스텐, 니오브, 티탄, 카본 등의 착색을 촉진하는 성분, 혹은 첨가한 철, 니켈 등의 성분은 원료 분말에 첨가한 첨가물이 대부분 휘산제거되지 말고 분말 성형 체내와 동량 존재하고 있다. 즉 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성은 분말 성형체의 조성과 같다. 따라서 얻을 수 있던 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 조성으로서는 전산소량 이외 특히 각 표에는 기재하고 있지 않다. 표 19에 나타낸 분말 성형 체내에 혼합하는 상기 첨가물 중 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 카본, 철의 각 성분을 포함한 화합물의 첨가량은 원소 환산에 의하는 것이다. 그 이외의 알루미나, 산화 이트륨, 산화 에르비움, 탄산칼슘, 탄산 리튬, 규소의 첨가량은 산화물 환산에 의하는 것이다. 또, 상기 첨가량은 상기 각 첨가물 중철이 중량 백분율(중량%)인 이외는 모두 체적 백분율(체적%)이다. 또한 경면 연마 후의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 표면 평활성은 평균 표면 엉성함(Ra)=24 nm~35 nm의 범위에 있었다.Next, the obtained sintered body was ground to a diameter of 25.4 mm thickness 0.5 mm, and the surface was further mirror-polished, and the amount of total oxygen, ALON, and light transmittance using 605 nm monochromatic light of the sintered body mainly composed of various aluminum nitrides were obtained. The measurement was performed. In some samples, the resistivity was also measured. The measurement results are shown in Table 19. For the sintered body having various kinds of aluminum nitride obtained as a main component, sintering aids such as those present as impurities in the raw material powder, oxygen mixed in the added alumina, or the like, added rare earth element compounds or alkaline earth metal compounds, or added Alkali metal compounds, silicon-containing compounds, added molybdenum, tungsten, niobium, titanium, carbon and other components that promote coloration, or added components such as iron and nickel, most of the additives added to the raw material powder is not volatilized It exists in the same amount as the powder molding body. That is, the composition of the obtained sintered compact containing aluminum nitride as a main component is the same as that of the powder compact. Therefore, as a composition of the sintered compact which has the obtained aluminum nitride as a main component, it does not mention in particular in each table other than the amount of oxygen. The addition amount of the compound containing each component of molybdenum, tungsten, vanadium, carbon, and iron among the said additives mixed in the powder molding body shown in Table 19 is based on element conversion. The addition amount of alumina, yttrium oxide, erbium oxide, calcium carbonate, lithium carbonate, and silicon other than that is based on oxide conversion. In addition, the said addition amount is a volume percentage (vol%) except the said each saddle stitching weight percentage (weight%). Moreover, the surface smoothness of the sintered compact which mainly contains aluminum nitride after mirror polishing was in the range of average surface roughness (Ra) = 24 nm-35 nm.

그 결과 소결조제를 이용하는 것으로 얻을 수 있던 소결체는 소성온도 1800℃인 것에도 불구하고 모두 상대 밀도 95%이상으로 치밀화하고 있다. 광투과율은 실시예 21로 제작한 소결조제를 포함하지 않고 산소(Al2O3로서 이용한), 혹은 규소 함유 화합물 및 알칼리 금속 화합물, 혹은 Mo, W, V, 카본, 혹은 철만 포함한 상태로 소성하여 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 비해 향상하기 쉬운 경향을 가진다. 그렇지만 본 실시예에 대해도 광투과율 50%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻을 수 있었다. 비교적 다량의 산소(Al2O3로서 이용한), 혹은 규소 함유 화합물 및 알칼리 금속 화합물, 혹은 Mo, W, V, 카본, 혹은 철을 포함하는 것은 광투과율이 10%이하로 저하하기 쉽고, 광투과율이 0%의 것도 용이하게 얻을 수 있었다. 또, 실온에 있어서의 저항율은 실시예 21로 제작한 소결조제를 포함하지 않고 산소(Al2O3로서 이용한), 혹은 규소 함유 화합물 및 알칼리 금속 화합물, 혹은 Mo, W, V, 카본, 혹은 철만 포함한 상태로 소성하여 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 비해 1자리수 전후 높아져 전기 절연성이 향상하기 쉬운 경향을 가진다. 본 실시예로 제작한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 질화 알루미늄의 함유량이 50 체적%이상이기 때문에 실온에 있어서의 저항율은 모두 1108Ωcm이상이며 전기적 절연성을 가지고 있었다.As a result, all the sintered compacts obtained by using a sintering aid are densified to 95% or more of relative density, although the baking temperature is 1800 degreeC. The light transmittance can be obtained by firing in a state containing oxygen (used as Al 2 O 3), a silicon-containing compound and an alkali metal compound, or only Mo, W, V, carbon, or iron, without including the sintering aid prepared in Example 21. It has a tendency to improve compared with the sintered compact which has aluminum nitride as a main component. However, also in this example, a sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance of 50% or less as a main component was obtained. A relatively large amount of oxygen (used as Al 2 O 3), or a silicon-containing compound and an alkali metal compound, or Mo, W, V, carbon, or iron, tends to decrease the light transmittance to 10% or less, and the light transmittance is 0%. It was also easy to get. The resistivity at room temperature does not contain the sintering aid prepared in Example 21, but in the state containing only oxygen (used as Al 2 O 3), a silicon-containing compound and an alkali metal compound, or Mo, W, V, carbon, or iron. Compared with the sintered compact containing aluminum nitride as a main component obtained by sintering, it has a tendency to increase around one digit, and the electrical insulation property tends to be improved. Since the sintered compact mainly composed of aluminum nitride produced in this example had an aluminum nitride content of 50% by volume or more, the resistivity at room temperature was 1108Ωcm or more and had electrical insulation.

다음에 실시예 21과 같게 본 실시예로 제작한 표면을 경면 연마 가공한 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 각종 조성의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 10mm/10mm의 크기의 것을 잘라 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자를 구동하기 위한 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼 정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 또, 상기 발광소자의 중심 발광 파장 460 nm이다.Next, as in Example 21, 10 mm / 10 mm in size was cut from a sintered body composed of aluminum nitride having various compositions of 25.4 mm in diameter and 0.5 mm in diameter subjected to mirror polishing on the surface produced in this example. An electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 μm was formed by a Pt / Au thin film to produce a light emitting element mounting substrate. An epitaxial film composed mainly of at least one selected from commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride was laminated on the fabricated substrate, and a light emitting device fabricated using a mixture of InN and GaN as a light emitting layer was mounted. It was made to emit light by applying a power of / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the above emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. Moreover, the center light emission wavelength of the said light emitting element is 460 nm.

그 결과, 광투과율이 10%~20%의 범위의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우, 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 상기 발광소자로부터 직접 발산된 강한 빛이 방출되고 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터는 그것보다 꽤 약하고 온화한 산란빛이 방출되고 있도록(듯이) 육안에서는 관찰되었다. 또 발광소자 탑재용 기판으로서 이용하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%~10%의 범위에서는 광투과율이 10%에서 1%로 저하해 감에 따라 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터 방출되는 온화한 산란빛은 점차 약해져 가는 모습이 관찰되었다. 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 10%~20%의 범위의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우보다 강한 빛이 발광소자로부터 방출되고 있는 것으로 관찰되었다. 또 이 범위에 대해 광투과율이 5%이하의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 발광소자 탑재용 기판으로서 이용했을 때, 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터 방출되는 온화한 산란빛은 한층 약해져 가는 모습이 관찰되었다. 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 5%~10%의 범위의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우보다 한층 더 강한 빛이 발광소자로부터 방출되고 있는 것으로 관찰되었다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하 는 소결체의 광투과율이 1%보다 작아진다고 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터의 온화한 산란빛은 육안으로 거의 관찰되기 어려워져, 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 1%~5%의 범위의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우보다 강한 빛이 발광소자로부터 방출되고 있는 것으로 관찰되었다. 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 0%에서는 상기의 발광소자가 탑재된 기판면과 반대측의 면으로부터의 온화한 산란빛은 육안에서는 관찰되지 않게 되어, 이 때 발광소자가 탑재된 기판면측으로부터는 광투과율이 1%보다 작은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용했을 경우와 거의 같은 강한 빛이 발광소자로부터 방출되고 있는 것으로 관찰되었다.　As a result, when a sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance in the range of 10% to 20% as a main component is used, strong light emitted directly from the light emitting device is emitted from the substrate surface side on which the light emitting device is mounted, It was observed with the naked eye so that a slightly weaker and milder scattered light was emitted from the surface on the opposite side of the mounted substrate surface. In the range of 1% to 10% of the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride, which is used as the substrate for mounting the light emitting element, the light transmittance is lowered from 10% to 1% as the substrate surface on which the light emitting element is mounted. Mild scattered light emitted from the opposite side of the surface was gradually weakened. At this time, it was observed from the light emitting element that stronger light is emitted from the substrate surface side on which the light emitting element is mounted than in the case where a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance in the range of 10% to 20% is used. In addition, when a sintered body containing aluminum nitride having a light transmittance of 5% or less as a main component is used as a substrate for mounting a light emitting device, the mild scattered light emitted from the surface opposite to the substrate surface on which the light emitting device is mounted becomes weaker. A thin figure was observed. At this time, it was observed from the surface of the substrate on which the light emitting device is mounted that light is emitted from the light emitting device even more strongly than when using a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance in the range of 5% to 10%. When the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride is less than 1%, the light scattering light from the surface opposite to the substrate surface on which the light emitting device is mounted is hardly observed with the naked eye. From the side of the substrate surface, strong light was emitted from the light emitting element than when using a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance in the range of 1% to 5%. When the light transmittance of the sintered compact mainly composed of aluminum nitride is 0%, the light scattering light from the surface on the opposite side to the substrate surface on which the light emitting device is mounted is not observed by the naked eye. From now on, it has been observed that the same strong light is emitted from the light emitting element as in the case of using a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a light transmittance of less than 1%.

실시예 23Example 23

본 실시예는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성 등의 특성에 대해 조사한 예를 나타낸다.This Example shows the example which investigated about the light transmittance etc. of the sintered compact which has zinc oxide as a main component.

우선, 산화 아연(ZnO) 분말로서 칸토 화학 주식회사제의 특급 시약 분말을 준비해, 알루미나(Al2O3) 분말로서 알 코어 사제의 상품명 「A－16 SG」를 원료로서 준비해, 실시예 1로 같은 방법에 의해 이러한 분말을 소정의 조성이 되도록 혼합 후 파라핀 왁스를 더해 성형용 분말을 제작해, 상기 성형용 분말을 실시예 1로 같은 크기의 성형체에 같은 조건으로 1축프레스 성형 후 탈지 해, 그 후 1460℃으로 1시간 대기중에서 상압 소성하여 알루미늄 성분을 각종 비율로 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 이러한 소결체는 모두 상대 밀도 98%이상으로 치밀화하고 있었다. 이와 같이 해 제작한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 알루미늄 성분을 포함하지 않는 것으로는 담금전색이었지만, 알루미늄 성분을 포함하는 것에서는 청색에의 정색을 볼 수 있게 되어 알루미늄 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라보다 진한 청색으로 정색이 진행되어, 3.0 몰%의 Al2O3을 포함하는 것으로 가장 진한 청색을 나타내, 그 후 알루미늄 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 청색화의 정도는 약해져 파랑 백색의 색조로 점차 변화했다.First, a special reagent powder manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd. is prepared as a zinc oxide (ZnO) powder, and as alumina (Al2O3) powder, a brand name "A-16 SG" manufactured by Alcore is prepared as a raw material, and by the same method as in Example 1 After mixing the powder to a predetermined composition, paraffin wax is added to form a molding powder, and the molding powder is degreased after uniaxial press molding under the same conditions on a molded body having the same size as in Example 1, and thereafter, at 1460 ° C. Then, a sintered body containing zinc oxide containing various amounts of aluminum components at atmospheric pressure in an atmosphere for 1 hour was produced. All of these sinters were densified to a relative density of 98% or more. The sintered body made of zinc oxide as the main component was thus immersed color without containing the aluminum component. However, when the aluminum component is included, the color of blue color can be seen and the content of the aluminum component increases. The color progressed to darker blue, and the darkest blue was shown as containing 3.0 mol% of Al2O3. Then, as the content of the aluminum component increased, the degree of bluening was weakened and gradually changed to a blue-white hue.

그 외별로 주식회사 고순도 화학 연구소제의 순도 99.99%이상의 Fe2O3 분말 및 순도 99.9%이상의 Cr2O3 분말을 준비했다. 또, 희토류 원소 화합물로서 신에츠 화학공업 주식회사제의 순도 99.99%이상의 Y2O3 분말, 순도 99.99%이상의 Er2O3 분말, 순도 99.99%이상의 Yb2O3 분말, 순도 99.99%이상의 Dy2O3 분말, 순도 99.99%이상의 Ho2O3 분말을 준비했다. 다음에 본 실시예로 가리킨 방법과 같은 방법에 의해, 상기 각 분말을 산화 아연 분말 및 알루미나 분말과 함께 소정량 볼 밀로 혼합 후1축프레스 성형해 1460℃으로 1시간 대기중 상압 소성하여 철성분만큼을 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 크롬 성분만큼을 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 이트륨 성분만큼을 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 에르비움 성분만큼을 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 잇테르비움 성분만큼을 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 알루미늄 성분과 철성분을 동시에 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 알루미늄 성분과 크롬 성분을 동시에 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 및 알 루미늄 성분과 각종 희토류 원소 성분을 동시에 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다.Other than that, Fe 2 O 3 powder having a purity of 99.99% or higher and Cr 2 O 3 powder of 99.9% or higher of purity made by the High Purity Chemical Research Institute Co., Ltd. were prepared. Moreover, as a rare earth element compound, Y2O3 powder of 99.99% or more of purity, Er2O3 powder of 99.99% or more of purity, Yb2O3 powder of 99.99% or more of purity, Dy2O3 powder of 99.99% or more of purity and Ho2O3 powder of 99.99% or more of purity were prepared. Next, the powders were mixed together with zinc oxide powder and alumina powder in a predetermined amount by a ball mill, and then uniaxially press-molded and atmospherically calcined at 1460 ° C. for 1 hour at atmospheric pressure for the iron component. Sintered body containing zinc oxide as a main component, Sintered body containing zinc oxide as a main component as a chromium component, Sintered body containing zinc oxide as a main component as a yttrium component, Zinc oxide containing as much as an erbium component A sintered compact comprising, a sintered compact containing zinc oxide as its main component, a sintered compact containing zinc oxide containing aluminum and iron simultaneously, and a zinc oxide containing aluminum and chromium simultaneously A sintered compact and an aluminum component and various rare earth element components A sintered body containing zinc oxide as a main component was produced.

상기와 같이 해 얻을 수 있던 각 소결체의 실온에 있어서의 저항율을 4 단자법으로 측정했다. 그 후 얻을 수 있던 각 소결체를 입경 0.02μm의 콜로이드장 산화 규소를 주성분으로 하는 연마제로 경면 연마해, 한층 더 염화 메치렌 및 IPA로 초음파 세정해 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 기판을 제작했다. 경면 연마 후의 기판의 평균 표면 엉성함 Ra는 6.9 nm~7.7 nm의 범위였다. 연마 후의 기판을 이용해 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율을 실시예 1로 같은 방법에 의해 측정했다.The resistivity in room temperature of each sintered compact obtained as mentioned above was measured by the 4-probe method. Then, each obtained sintered compact was mirror-polished with the abrasive | polishing agent which has a colloidal silicon oxide with a particle diameter of 0.02 micrometer as a main component, and further ultrasonically wash | cleaned with methi chloride and IPA, and the board | substrate of diameter 0.5mm of 25.4 mm was produced. Average surface roughness Ra of the board | substrate after mirror polishing was the range of 6.9 nm-7.7 nm. The light transmittance with respect to the light of wavelength 605nm was measured by the same method as Example 1 using the board | substrate after grinding | polishing.

이와 같이 해 얻을 수 있던 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 특성을 표 20에 나타낸다. 제작한 상기 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 중 알루미늄 성분만큼을 포함하는 것, 및 알루미늄 성분을 포함하지 않고 크롬 성분, 철성분, 이트륨 성분, 에르비움 성분, 잇테르비움 성분만큼을 포함하는 것의 특성은 표 20에 기재했다. 게다가 알루미늄 성분과 크롬 성분, 철성분, 각종 희토류 원소 성분을 동시에 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 특성도 표 20에 기재했다.Table 20 shows the characteristic of the sintered compact which has zinc oxide obtained as a main component in this way. The characteristics of the aluminum sintered body having the zinc oxide as a main component, and containing as much as an aluminum component, and not including an aluminum component and containing as much as a chromium component, an iron component, a yttrium component, an erbium component, and an iterbium component are Table 20 shows. Table 20 also shows the characteristics of the sintered body containing zinc oxide containing aluminum, chromium, iron and various rare earth elements at the same time.

표 20에 대해, 실험 No.328~339가 알루미늄 성분만큼을 첨가해 소성한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 관한 실험 결과이며 「조성」의 란에 상기 소결체의 알루미늄 성분의 함유량이 Al2O3 환산으로 나타나고 있다. 표 20에 대해, 실험 No.340이 철성분만큼을 첨가해 소성한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 관한 실험 결과이며 「조성」의 란에 상기 소결체의 철성분의 함유량이 Fe2O3 환산 으로 나타나고 있다. 표 20에 대해, 실험 No.341이 크롬 성분만큼을 첨가해 소성한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 관한 실험 결과이며 「조성」의 란에 상기 소결체의 크롬 성분의 함유량이 Cr2O3 환산으로 나타나고 있다. 표 20에 대해, 실험 No.342가 이트륨 성분만큼을 첨가해 소성한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 관한 실험 결과이며 「조성」의 란에 상기 소결체의 이트륨 성분의 함유량이 Y2O3 환산으로 나타나고 있다. 표 20에 대해, 실험 No.343이 에르비움 성분만큼을 첨가해 소성한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 관한 실험 결과이며 「조성」의 란에 상기 소결체의 에르비움 성분의 함유량이 Er2O3 환산으로 나타나고 있다. 표 20에 대해, 실험 No.344가 잇테르비움 성분만큼을 첨가해 소성한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 관한 실험 결과이며 「조성」의 란에 상기 소결체의 잇테르비움 성분의 함유량이 Yb2O3 환산으로 나타나고 있다.About Table 20, Experiment No.328-339 shows the experiment result regarding the sintered compact which has the zinc component as the main component which added only the aluminum component, and it baked, The content of the aluminum component of the said sintered compact is shown in conversion of Al2O3 in the column of "composition." have. In Table 20, Experiment No. 340 is an experimental result of a sintered body containing zinc oxide calcined by adding only the iron component, and the iron content of the sintered body is expressed in terms of Fe 2 O 3 in the "Composition" column. In Table 20, Experiment No. 341 is an experimental result of a sintered compact having zinc oxide as a main component added by chromium component and calcined, and the content of the chromium component of the sintered compact is expressed in terms of Cr 2 O 3 in the "Composition" column. In Table 20, Experiment No. 342 is an experimental result of a sintered compact including zinc oxide as the main component added and calcined only by the yttrium component, and the content of the yttrium component in the sintered compact is expressed in terms of Y2O3 in the "Composition" column. In Table 20, Experiment No. 343 is an experimental result of a sintered body containing zinc oxide as the main component added by erbium component and calcined, and the content of the Erbium component of the sintered body is expressed in terms of Er 2 O 3 in the "Composition" column. have. About Table 20, Experiment No. 344 is an experimental result regarding the sintered compact which adds only the iterbidium component and calcined the zinc oxide as a main component, and content of the iterbium component of the said sintered compact is converted into Yb2O3 in the "composition" column. Appearing.

표 20에 나타나듯이, 본 실시예로 제작한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 알루미늄 성분을 포함하지 않는 것은 전기 절연체이며, 알루미늄 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 저항율이 저하해, Al2O3 환산으로 3.0 몰%의 알루미늄 성분을 포함하는 것으로 실온에 있어서의 저항율이 1.610－3Ωcm와 가장 작아졌다. 그 후 알루미늄 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 저항율이 증대화하기 시작해 Al2O3 환산으로 50.0 몰%의 알루미늄 성분을 포함하는 것으로 전기 절연체가 되었다.As shown in Table 20, the sintered compact composed of zinc oxide produced in the present example does not contain an aluminum component is an electrical insulator, and the resistivity decreases as the content of the aluminum component increases, which is 3.0 mol in terms of Al2O3. By containing the aluminum component in%, the resistivity at room temperature was the smallest with 1.610-3? Cm. Thereafter, as the content of the aluminum component increased, the resistivity began to increase, and it became an electric insulator by containing 50.0 mol% of the aluminum component in terms of Al 2 O 3.

또, 표 20의 실험 No.340 및 341에서 나타나듯이 알루미늄 성분을 포함하지 않고 철성분 및 크롬 성분을 각각 Fe2O3 환산으로 1.0 몰%, Cr2O3 환산으로 1.0 몰 %함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 도전성을 나타내 실온에 대해 8.710－1Ωcm, 3.410－1Ωcm와 비교적 낮은 저항율이었다.In addition, as shown in Experiment Nos. 340 and 341 of Table 20, a sintered body containing zinc oxide containing no aluminum component and containing 1.0 mol% of iron and chromium in terms of Fe2O3 and 1.0 mol% in terms of Cr2O3, respectively, It showed conductivity and was 8.710-1 Ωcm, 3.410-1 Ωcm, and relatively low resistivity with respect to room temperature.

표 20에 나타나듯이 알루미늄 성분과 동시에 철성분, 크롬 성분, 각종 희토류 원소 성분을 복합으로 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 모두 도전성을 나타내 실온에 있어서의 저항율 7.4101Ωcm~1.710－3Ωcm의 범위였다. 또 그 저항율은 알루미늄 성분만큼을 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 저항율에 대해서 남아 변화하고 있지 않고 대부분 같은 레벨이었다.As shown in Table 20, all of the sintered bodies containing zinc oxide containing iron, chromium and various rare earth element components in combination with the aluminum component as the main component exhibited electrical conductivity and ranged from 7.4101 Ωcm to 1.710-3 Ωcm at room temperature. Moreover, the resistivity remained almost unchanged with respect to the resistivity of the sintered compact mainly containing zinc oxide containing the aluminum component, and was the same level.

표 20에 나타나듯이 알루미늄 성분을 첨가하지 않고 소 이루어지고 실질적으로 원료중 혹은 소결체 제조시에 혼입하는 불순물 이외는 포함하지 않는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 16%이었지만 알루미늄 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율은 상승하는 경향을 나타내, Al2O3 환산으로 3.0 몰%의 알루미늄 성분을 포함하는 것은 56%에 이르렀다. 그 후 알루미늄 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율은 점차 저하하는 경향을 나타내, Al2O3 환산으로 50.0 몰%의 알루미늄 성분을 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율이 17%가 되어, 알루미늄 성분을 포함하지 않는 실질적으로 산화 아연만으로 이루어지는 소결체의 광투과율로 대부분 같게 되었다.As shown in Table 20, the light transmittance with respect to light having a wavelength of 605 nm of a sintered compact made of zinc oxide without addition of an aluminum component and substantially containing no impurities other than impurities contained in the raw material or in the manufacture of the sintered compact is 16 Although the percentage was%, the light transmittance tended to increase as the content of the aluminum component increased, and it was 56% containing 3.0 mol% of the aluminum component in terms of Al2O3. Thereafter, as the content of the aluminum component increases, the light transmittance tends to gradually decrease, and in the sintered body composed mainly of zinc oxide containing 50.0 mol% of the aluminum component in terms of Al2O3, the light transmittance becomes 17%. The light transmittance of the sintered compact which consists essentially of zinc oxide which does not contain is almost the same.

또, 표 20의 실험 No.340 및 341로 가리키도록(듯이) 알루미늄 성분을 포함하지 않고 철성분 및 크롬 성분을 각각 Fe2O3 환산으로 1.0 몰%, Cr2O3 환산으로 1.0 몰%함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 각각 6.9%, 9.2%이었다.As shown in Experiment Nos. 340 and 341 of Table 20, the main component is zinc oxide containing no aluminum component and 1.0 mol% of iron and chromium components in terms of Fe2O3 and 1.0 mol% in terms of Cr2O3, respectively. The light transmittance with respect to the light of wavelength 605nm of the sintered compact which were used was 6.9%, 9.2%, respectively.

또, 표 20의 실험 No.342, 343, 및 344로 가리키도록(듯이) 알루미늄 성분을 포함하지 않고 이트륨 성분만큼을 Y2O3 환산으로 0.04 몰%, 에르비움 성분만큼을 Er2O3 환산으로 0.04 몰%및 잇테르비움 성분만큼을 Yb2O3 환산으로 0.04 몰%를 각각 함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 57%, 53%, 54%가 되어, 알루미늄 성분을 포함하지 않는 실질적으로 산화 아연만으로 이루어지는 소결체의 광투과율부터 상승했다.In addition, as indicated by the experiment Nos. 342, 343, and 344 shown in Table 20, the yttrium component is 0.04 mol% in terms of Y2O3, the erbium component is 0.04 mol% in terms of Er2O3, and does not include the aluminum component. The light transmittance of light of wavelength 605 nm of a sintered body whose main component is zinc oxide containing 0.04 mol% in Yb2O3 conversion as much as Ytterbium component is 57%, 53%, 54%, and does not contain aluminum component. The light transmittance of the sintered compact which consists essentially of zinc oxide does not rise.

게다가 표 20에 나타나듯이 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 3.0 몰% 포함해 동시에 철성분 혹은 크롬 성분 각각 Fe2O3 환산으로 0.2 몰%, Cr2O3 환산으로 0.2 몰%함유하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 53%, 55%이며, 알루미늄 성분만큼을 Al2O3 환산으로 3.0 몰% 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율로 대부분 같았다.Furthermore, as shown in Table 20, a sintered body composed mainly of zinc oxide containing 3.0 mol% of aluminum in terms of Al2O3 and 0.2 mol% of iron or chromium in terms of Fe2O3 and 0.2 mol% in terms of Cr2O3, respectively, has a wavelength of 605 nm. The light transmittances for the light were 53% and 55%, and the light transmittances of the sintered body mainly composed of zinc oxide containing 3.0 mol% of aluminum components in terms of Al2O3 were almost the same.

또, 표 20에 나타나고 있듯이 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.03 몰% 포함해 동시에 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.0001 몰%~12.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는, 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.0001 몰%함유하는 것의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 28%과 알루미늄 성분만큼을 Al2O3 환산으로 0.03 몰% 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율로 대부분 같았다. 한층 더 이트륨 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율도 상승해 Y2O3 환산으로 0.0004 몰%의 이트륨 성분을 포함하는 것으로 37%, Y2O3 환산으로 0.0008 몰%의 이트륨 성분을 포함하는 것으로 45%, Y2O3 환산으로 0.0015 몰%의 이트륨 성분을 포함하는 것으로 56%, Y2O3 환산으로 0.005 몰%의 이트륨 성 분을 포함하는 것으로 64%, Y2O3 환산으로 0.04 몰%의 이트륨 성분을 포함하는 것으로 68%에 이르렀다. 그 후 이트륨 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율은 점차 저하해 Y2O3 환산으로 12.0 몰%의 이트륨 성분을 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 24%가 되어, 알루미늄 성분만큼을 Al2O3 환산으로 0.03 몰% 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율과 대부분 같게되었다.Moreover, as shown in Table 20, the sintered compact which contains 0.03 mol% of aluminum components in Al2O3 conversion and contains yttrium component in the range of 0.0001 mol%-12.0 mol% in Y2O3 conversion, and the yttrium component in Y2O3 conversion The light transmittance of light having a wavelength of 605 nm with a content of 0.0001 mole% was almost the same as the light transmittance of a sintered body composed mainly of zinc oxide containing 28% and 0.03 mole% in terms of Al 2 O 3 in terms of aluminum. Furthermore, as the content of the yttrium component increases, the light transmittance also increases, including 0.0004 mol% of yttrium components in terms of Y2O3, 37%, and 0.0008 mol% of yttrium components in terms of Y2O3, 45% and Y2O3 equivalents. It contains 56% of yttrium components, including 56% of yttrium components in terms of Y2O3, 64% of yttrium components, and 64% of yttrium components in terms of Y2O3. After that, as the content of yttrium component increases, the light transmittance gradually decreases. In a sintered body containing zinc oxide containing 12.0 mol% of yttrium component in terms of Y2O3, the light transmittance of light having a wavelength of 605 nm is 24%. , The light transmittance of the sintered body mainly composed of zinc oxide containing 0.03 mol% in terms of Al2O3 in terms of aluminum was almost the same.

또, 표 20에 나타나고 있듯이 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.04 몰% 포함해 동시에 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.002 몰%~50.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는, 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.002 몰 함유하는 것의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 62%이며, 한층 더 알루미늄 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율도 상승해 Al2O3 환산으로 1.0 몰%및 3.0 몰%의 알루미늄 성분을 포함하는 것으로 84%에 이르렀다. 그 후 알루미늄 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율은 점차 저하해 Al2O3 환산으로 30.0 몰%의 알루미늄 성분을 포함하는 것으로 광투과율은 66%이었지만, Al2O3 환산으로 50.0 몰%의 알루미늄 성분을 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에서는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 27%가 되었다.Moreover, as shown in Table 20, the sintered compact which contains 0.04 mol% of yttrium components in Y2O3 conversion, and contains zinc oxide in the range of 0.002 mol%-50.0 mol% of aluminum components in Al2O3 conversion, and converts aluminum component into Al2O3 conversion For example, the light transmittance of light containing 0.002 moles of light at a wavelength of 605 nm is 62%, and as the content of the aluminum component increases, the light transmittance also increases, resulting in 1.0 mole% and 3.0 mole% of aluminum in terms of Al 2 O 3. Including 84%. After that, as the content of the aluminum component increases, the light transmittance gradually decreases to include 30.0 mol% of the aluminum component in terms of Al2O3. The light transmittance was 66%, but zinc oxide containing 50.0 mol% of the aluminum component in terms of Al2O3. In the sintered compact containing as a main component, the light transmittance with respect to light with a wavelength of 605 nm became 27%.

또, 표 20에 나타나고 있듯이 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 0.10 몰% 포함해 동시에 에르비움 성분을 Er2O3 환산으로 0.04 몰% 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 68%이었다.As shown in Table 20, a sintered body containing zinc oxide containing 0.10 mol% of aluminum in terms of Al2O3 and 0.04 mol% of Erbium in terms of Er2O3 is 68% light transmittance with respect to light having a wavelength of 605 nm. It was.

또, 표 20에 나타나고 있듯이 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 3.0 몰% 포함 해 동시에 희토류 원소 성분으로서 디스프로슘 성분을 Dy2O3 환산으로 0.04 몰%, 호르미움 성분을 Ho2O3 환산으로 0.04 몰%, 에르비움 성분을 Er2O3 환산으로 0.04 몰%, 잇테르비움 성분을 Yb2O3 환산으로 0.04 몰%, 함유하는 것의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 각각 77%, 80%, 78%, 81%높은 것으로 있었다.As shown in Table 20, 3.0 mol% of aluminum is included in Al2O3, and at the same time, it is 0.04 mol% in terms of Dy2O3, 0.04 mol% in terms of Ho2O3, and Erbium component in Er2O3 as a rare earth element. The light transmittances of light having a wavelength of 605 nm of 0.04 mol%, containing 0.04 mol% of Ytterbium components in terms of Yb 2 O 3, respectively, were 77%, 80%, 78%, and 81% higher.

또, 표 20에 나타나고 있듯이 알루미늄 성분을 Al2O3 환산으로 1.0 몰% 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.02 몰% 포함해 한층 더 에르비움 성분을 Er2O3 환산으로 0.02 몰% 포함한 3 성분을 동시에 포함한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 83%과 높은 것으로 있었다.In addition, as shown in Table 20, 1.0 mol% of aluminum component was included in Al2O3 conversion, and yttrium component was included in 0.02 mol% in Y2O3 conversion. The light transmittance with respect to the light of wavelength 605 nm of the sintered compact mainly containing zinc was 83% and high.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 각 소결체를 10mm/10mm/0.5mm의 크기에 절단 해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 실시예 1과 같게 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 실험 No.327, 339, 및 366의 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판은 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자를 구동하기 위한 전기 회로 패턴을 형성한 것을 이용했다. 그 이외의 발광소자 탑재용 기판은 1 mm각의 전극을 Ti/Pt/Au박막에 의해 2개소 형성한 것만으로 전기 회로 패턴의 형성을 하지 않았다. 1개소의 전극과 발광소자의 전극의 하나와는 와이어로 접속되고 있다. 발광소자 탑재용 기판의 나머지 1개소의 전극에는 전위가 인가되고 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 자체의 도전성을 이용해 와이어를 경유해 구동 전위가 발광소자에게 인가된다. 또 발광소자의 전극의 하나 더는 와이어가 접속되고 구동 전위가 발광소자에게 인가된다.Next, each sintered compact obtained in this example was cut into a size of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm to produce a light emitting element mounting substrate. As in Example 1, an epitaxial film composed mainly of at least one selected from commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride was laminated on the light emitting device mounting substrate, using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer. The light emitting device was mounted, and light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA to visually confirm the transmission state from the light emitting substrate. In addition, a light emitting device mounting substrate manufactured using a sintered body composed mainly of zinc oxide of Experiment Nos. 327, 339, and 366 has an electric circuit for driving a light emitting device having a width of 50 μm by Ti / Pt / Au thin film on one surface. What formed the pattern was used. The other substrate for light emitting element mounting did not form an electric circuit pattern only by forming two 1 mm square electrodes with a Ti / Pt / Au thin film. One electrode and one of the electrodes of the light emitting element are connected by a wire. A potential is applied to the remaining one electrode of the substrate for mounting a light emitting element, and a driving potential is applied to the light emitting element via a wire using conductivity of the sintered body itself containing zinc oxide as a main component. Further, a wire is connected to one of the electrodes of the light emitting element, and a driving potential is applied to the light emitting element.

그 결과, 본 실시예로 발광소자 구동용으로 제작한 Ti/Pt/Au박막에 의해 전기 회로 패턴을 형성한 것을 포함한 모든 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판에 대해 발광소자가 탑재된 기판면의 반대측에서 발광소자로부터의 발광이 관찰되었다. 이것은 분명하게 전기 회로 패턴을 형성한 것이어도 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이상의 것을 기판으로서 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 것을 나타내고 있다. 또, 기판을 투과한 빛의 힘은 분명하게 상기 기판을 구성하는 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율에 비례하고 있는 것으로 관찰되었다.As a result, the substrate surface on which the light emitting element is mounted is mounted on a substrate using a sintered body composed mainly of all zinc oxide, including an electric circuit pattern formed by the Ti / Pt / Au thin film produced for driving the light emitting element in this embodiment. On the opposite side of the light emission from the light emitting element was observed. This clearly indicates that even when an electric circuit pattern is formed, a light transmittance of 1% or more of the sintered compact mainly composed of zinc oxide is used as the substrate, indicating that light emitted from the light emitting element is transmitted through the substrate and emitted outside the substrate. In addition, the force of light transmitted through the substrate was clearly observed to be proportional to the light transmittance of the sintered body mainly composed of zinc oxide constituting the substrate.

이와 같이 본 실시예에 의해 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체에 대해도 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.As described above, if the sintered body containing zinc oxide as a main component is also light-transmitting, it can be confirmed that the brightness of light transmitted through the substrate hardly occurs. The effectiveness of having light transmittance could be confirmed.

실시예 24Example 24

본 실시예는 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성에 대해 조사한 예를 나타낸다.This example shows an example in which light transmittance of a sintered body containing beryllium oxide as a main component is investigated.

우선, 산화 베릴륨(BeO) 분말로서 주식회사 고순도 화학 연구소제의 순도 99%의 것을 준비해, 마그네시아(MgO) 분말로서 주식회사 고순도 화학 연구소제의 순도 99.99%의 것을 준비해, 탄산칼슘(CaCO3) 분말로서 주식회사 고순도 화학 연구소제의 순도 99.99%의 것을 준비해, 실리카(SiO2) 분말로서 주식회사 아드마텍크제의 순도 99.9%의 「SO－E2」그레이드를 준비했다. 이러한 분말을 소정의 조성이 되도록(듯이) 실시예 1로 같은 방법에 의해 볼 밀로 분쇄 혼합 후 파라핀 왁스를 더해 성형용 분말을 제작해, 상기 성형용 분말을 실시예 1로 같은 크기의 성형체에 같은 조건으로 1축프레스 성형 후 탈지 해, 그 후 1500℃으로 3시간 대기중에서 상압 소성하여 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분을 각종 비율로 함유하는 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 이러한 소결체는 모두 상대 밀도 98%이상으로 치밀화하고 있었다. 얻을 수 있던 소결체를 입경 0.05μm의 콜로이드장의 알루미나를 주성분으로 하는 연마제를 이용해 경면 연마해 염화 메치렌 및 IPA로 초음파 세정해 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 기판을 제작했다. 경면 연마한 기판의 평균 표면 엉성함 Ra는 8.6 nm~9.5 nm의 범위에 있었다. 연마 후의 기판을 이용해 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율을 실시예 1로 같은 방법에 의해 측정했다.First, a 99% purity product made by High Purity Chemical Research Institute Co., Ltd. is prepared as a beryllium oxide (BeO) powder, and a 99.99% purity product made by High Purity Chemical Research Institute Co., Ltd. is prepared as magnesia (MgO) powder, and a high purity as calcium carbonate (CaCO3) powder is manufactured. We prepared 99.99% of purity made by Chemical Research Institute, and prepared "SO-E2" grade of 99.9% of purity made by Admattec Co., Ltd. as silica (SiO2) powder. The powder for molding is prepared by pulverizing and mixing with a ball mill in the same manner as in Example 1 to obtain such a powder as a predetermined composition, and forming the powder for molding, and applying the molding powder to the molded body having the same size as in Example 1. It was degreased after uniaxial press molding under conditions, and then calcined under atmospheric pressure at 1500 ° C. for 3 hours in an atmosphere to produce a sintered body composed mainly of beryllium oxide containing magnesium, calcium and silicon components in various ratios. All of these sinters were densified to a relative density of 98% or more. The obtained sintered compact was mirror-polished using the abrasive | polishing agent which has a colloidal alumina of the particle diameter of 0.05 micrometer as a main component, and was ultrasonically cleaned by methacrylic chloride and IPA, and the board | substrate of diameter 25.4mm 0.5mm was produced. Average surface roughness Ra of the mirror-polished board | substrate existed in the range of 8.6 nm-9.5 nm. The light transmittance with respect to the light of wavelength 605nm was measured by the same method as Example 1 using the board | substrate after grinding | polishing.

이와 같이 해 얻을 수 있던 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 특성을 표 21에 나타낸다.Table 21 shows the characteristic of the board | substrate which consists of a sintered compact which has the beryllium oxide obtained by doing in this way as a main component.

표 21에 나타나듯이 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 및 그 외의 성분을 첨가하지 않고 소 이루어지고 원료중의 불순물 이외는 포함하지 않는 실질적으로 산화 베릴륨만으로 이루어지는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 14%이었지만 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율도 상승하는 경향을 나타내 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.45 몰%포함하는 것은 57%에 이르렀다. 그 후 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율은 점차 저하해 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 30.0 몰% 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 24%가 되어, 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 40.0 몰% 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율이 7.6%가 되었다.As shown in Table 21, the light transmittance with respect to the light of wavelength 605 nm of the sintered compact which consists only of beryllium oxide which does not add a magnesium component, a calcium component, a silicon component, and other components, and consists only of impurities in a raw material. Was 14%, but the light transmittance tended to increase as the content of the magnesium component, the calcium component, and the silicon component increased, reaching 57% including 0.45 mol% of the calcium component in terms of CaO. After that, as the content of magnesium, calcium, and silicon components increases, the light transmittance gradually decreases, and in a sintered body composed mainly of beryllium oxide containing 30.0 mol% of magnesium components in terms of MgO, the light transmittance with respect to light having a wavelength of 605 nm is observed. Silver became 24%, and the light transmittance became 7.6% in the sintered compact which has the beryllium oxide containing 40.0 mol% of magnesium components in MgO conversion.

또, 본 실시예에 대해 실시예 23으로 이용한 것과 같은 희토류 산화물 분말을 이용해 상기 희토류 원소 성분을 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분중에서 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 합계 35.0 몰%이하의 범위에서 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.00005 몰%~5.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율 30%이상의 것을 얻을 수 있고 쉬운 일이 확인되었다. 게다가 80%이상의 광투과율을 가지는 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체가 제조 할 수 있는 일도 확인되었다.Moreover, the sintered compact which has the beryllium oxide containing the said rare earth element component as a main component was produced using the rare earth oxide powder similar to what was used in Example 23 about this Example. 0.00005 mol%-including at least 1 or more types of magnesium components, a calcium component, and a silicon component in the range of 35.0 mol% or less in total in oxide conversion, and further including at least 1 or more components selected from rare earth element components in oxide conversion. The sintered compact mainly containing beryllium oxide contained in the range of 5.0 mol% was able to obtain the thing with the light transmittance of 30% or more with respect to the light of wavelength 605nm, and was easy to confirm. In addition, it has been confirmed that a sintered body composed mainly of beryllium oxide having a light transmittance of 80% or more can be produced.

즉 표 21에 나타나듯이, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.0004 몰% 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.0002 몰%동시에 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율이 35%이었다. 그 후 이트륨 성분이 증가하는 것에 따라 광투과율은 증대하는 경향을 나타내, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.45 몰% 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.040 몰%동시에 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율이 81%이었다. 한층 더 그 후는 이트륨 성분이 증가하는 것에 따라 광투과율은 저하하는 하는 경향을 나타내, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.0004 몰% 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 4.0 몰%동시에 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 37%이며, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.0004 몰% 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 6.0 몰%동시에 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 28%이었다.That is, as shown in Table 21, the sintered body containing beryllium oxide containing 0.0004 mol% of the calcium component in terms of CaO and 0.0002 mol% of the yttrium component at the same time in terms of Y2O3 simultaneously has a light transmittance of 35% for light having a wavelength of 605 nm. It was%. Since the yttrium component increases, the light transmittance tends to increase, and the sintered body mainly containing beryllium oxide containing 0.45 mol% of calcium components in terms of CaO and 0.040 mol% of yttrium components in terms of Y2O3 simultaneously The light transmittance for light having a wavelength of 605 nm was 81%. Furthermore, thereafter, the light transmittance tends to decrease as the yttrium component increases, including beryllium oxide containing 0.0004 mol% of the calcium component in terms of CaO and 4.0 mol% of the yttrium component in terms of Y2O3 simultaneously. The sintered compact has a light transmittance of 37% for light having a wavelength of 605 nm, and contains 0.0004 mol% of calcium component in terms of CaO and 6.0 mol% of yttrium component in terms of Y2O3 at the same time. The light transmittance for light having a wavelength of 605 nm was 28%.

또, 상기와 같이 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.45 몰% 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.040 몰% 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 81%이었지만, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.45 몰% 포함해 한층 더 이트륨 이외의 희토류 원소 성분을 산화물 환산으로 0.040 몰% 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율도 75%~80%과 높은 것으로 있었다. 즉, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.45 몰% 포함해 한층 더 희토류 원소 성분으로서 디스프로슘 성분을 Dy2O3 환산으로 0.040 몰%동시에 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 76%이며, 호르미움 성분을 Ho2O3 환산으로 0.040 몰%동시에 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 75%이며, 에르비움 성분을 Er2O3 환산으로 0.040 몰%동시에 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 80%이며, 잇테르비움 성분을 Yb2O3 환산으로 0.040 몰%동시에 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 78%이었다. 게다가 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.45 몰%함축 또한 규소 성분을 SiO2 환산으로 0.20 몰% 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.040 몰%의 3 성분을 동시에 포함한 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 80%이었다.Moreover, the light transmittance with respect to the light of wavelength 605nm of the sintered compact which contains 0.45 mol% of calcium components in CaO conversion and 0.040 mol% of yttrium components in Y2O3 conversion as the main component was 81%, The light transmittance of light with a wavelength of 605 nm of the sintered body mainly containing beryllium oxide containing 0.45 mol% of calcium components in terms of CaO and 0.040 mol% of rare earth elements other than yttrium in terms of oxides is also 75% to 80%. And were high. That is, the light transmittance of light having a wavelength of 605 nm of light of sintered body composed mainly of beryllium oxide containing 0.45 mol% of calcium component in terms of CaO and 0.040 mol% of Dysprosium component in Dy2O3 equivalent as a rare earth element was 76%. The light transmittance of the sintered body containing beryllium oxide containing 0.04 mol% of rhodium components at the same time as Ho2O3 at the same time is 75%, and the light of the sintered body containing beryllium oxide containing 0.040 mol% of erbium at the same time as Er2O3 The transmittance was 80%, and the light transmittance of the sintered body containing beryllium oxide as its main component containing 0.040 mol% of Ytterbium components at the same time in terms of Yb2O3 was 78%. Furthermore, a sintered body containing 0.45 mol% of calcium components in terms of CaO and 0.20 mol% of silicon components in terms of SiO2, and containing beryllium oxide as a main component simultaneously containing yttrium components and three components of 0.040 mol% in terms of Y2O3, has a wavelength of 605. The light transmittance for nm light was 80%.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 각 소결체를 10mm/10mm/0.5mm의 크기에 절단 해 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자를 구동하기 위한 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 발광소자 탑재용 기판에 실시예 1과 같게 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다.　　Next, each sintered body obtained in this example was cut into a size of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm, and an electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 μm by Ti / Pt / Au thin film was formed on one surface to form a light emitting element. The board | substrate for mounting was produced. As in Example 1, an epitaxial film composed mainly of at least one selected from commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride was laminated on the light emitting device mounting substrate, using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer. The light emitting device was mounted, and light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA to visually confirm the transmission state from the light emitting substrate.

그 결과, 본 실시예로 제작한 Ti/Pt/Au박막에 의해 전기 회로 패턴을 형성한 것을 포함한 모든 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판에 대해 발광소자가 탑재된 기판면의 반대측에서 발광소자로부터의 발광이 관찰되었다. 이것은 분명하게 전기 회로 패턴을 형성한 것이어도 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이상의 것을 기판으로서 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 것을 나타내고 있다. 또, 기판을 투과한 빛의 힘은 분명하게 상기 기판을 구성하는 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율에 비례하고 있는 것으로 관찰되었다.As a result, the light emitting element on the opposite side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted with respect to the substrate using the sintered body containing all the beryllium oxide as a main component, including the electric circuit pattern formed by the Ti / Pt / Au thin film produced in this embodiment Luminescence from was observed. This clearly indicates that even when an electric circuit pattern is formed, a substrate having a light transmittance of 1% or more of the sintered body containing beryllium oxide as a main component is used as the substrate, indicating that light emitted from the light emitting element is transmitted through the substrate and emitted outside the substrate. In addition, the force of light transmitted through the substrate was clearly observed to be proportional to the light transmittance of the sintered body mainly composed of beryllium oxide constituting the substrate.

이와 같이 본 실시예에 의해 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해도 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.As described above, when the sintered compact mainly composed of beryllium oxide is light-transmitted according to the present embodiment, it is possible to confirm that the brightness of the light transmitted through the substrate is hardly reduced. The effectiveness of having light transmittance could be confirmed.

실시예 25Example 25

본 실시예는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성에 대해 조사한 예를 나타낸다.This Example shows the example which investigated about the light transmittance of the sintered compact which has aluminum oxide as a main component.

우선, 산화 알루미늄(Al2O3) 분말로서 일본 경금속 주식회사제의 「A－31」그레이드를 준비해, 마그네시아(MgO) 분말로서 주식회사 고순도 화학 연구소제의 순도 99.99%의 것을 준비해, 탄산칼슘(CaCO3) 분말로서 주식회사 고순도 화학 연구소제의 순도 99.99%의 것을 준비해, 실리카(SiO2) 분말로서 주식회사 아드마텍크제의 순도 99.9%의 「SO－E2」그레이드를 준비했다. 이러한 분말을 소정의 조성이 되도록 실시예 1로 같은 방법에 의해 볼 밀로 분쇄 혼합 후 파라핀 왁스를 더해 성형용 분말을 제작해, 상기 성형용 분말을 실시예 1로 같은 크기의 성형체에 같은 조건으로 1축프레스 성형 후 탈지 해, 그 후 1550℃으로 3시간 대기중에서 상압 소성하여 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분을 각종 비율로 함유하는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 이러한 소결체는 모두 상대 밀도 98%이상으로 치밀화하고 있었다. 얻을 수 있던 소결체를 입경 0.05μm의 콜로이드장의 알루미나를 주성분으로 하는 연마제를 이용해 경면 연마해 염화 메치렌 및 IPA로 초음파 세정해 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 기판을 제작했다. 경면 연마한 기판의 평균 표면 엉성함 Ra는 6.7 nm~7.6 nm의 범위에 있었다. 연마 후의 기판을 이용해 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율을 실시예 1로 같은 방법에 의해 측정했다.First, prepare "A-31" grade made by Nippon Light Metal Co., Ltd. as aluminum oxide (Al2O3) powder, prepare a thing of 99.99% purity made by High Purity Chemical Research Institute, Ltd. as magnesia (MgO) powder, and manufacture as calcium carbonate (CaCO3) powder The thing of 99.99% of purity made by the high purity chemistry laboratory was prepared, and the "SO-E2" grade of 99.9% of purity made by Admattec Co., Ltd. was prepared as a silica (SiO2) powder. The powder was prepared by pulverizing and mixing with a ball mill in the same manner as in Example 1 to prepare such a powder, and then adding paraffin wax to form a powder for molding. After axial press molding, the resultant was degreased, and then calcined under atmospheric pressure at 1550 ° C. for 3 hours in an atmosphere to produce a sintered body mainly composed of aluminum oxide containing magnesium, calcium and silicon components in various ratios. All of these sinters were densified to a relative density of 98% or more. The obtained sintered compact was mirror-polished using the abrasive | polishing agent which has a colloidal alumina of the particle diameter of 0.05 micrometer as a main component, and was ultrasonically cleaned by methacrylic chloride and IPA, and the board | substrate of diameter 25.4mm 0.5mm was produced. The average surface roughness Ra of the mirror polished substrate was in the range of 6.7 nm to 7.6 nm. The light transmittance with respect to the light of wavelength 605nm was measured by the same method as Example 1 using the board | substrate after grinding | polishing.

이와 같이 해 얻을 수 있던 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판의 특성을 표 22에 나타낸다.Table 22 shows the characteristic of the board | substrate which consists of a sintered compact which has the aluminum oxide obtained by doing in this way as a main component.

표 22에 나타나듯이 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 및 그 외의 성분을 첨가하지 않고 소 이루어지고 실질적으로 원료중 혹은 소결체 제조시에 혼입하는 불순물 이외는 포함하지 않는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 18%이었지만 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율도 상승하는 경향을 나타내 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 1.20 몰%포함하는 것은 57%에 이르렀다. 그 후 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분의 함유량이 증가하는 것에 따라 광투과율은 점차 저하해 칼슘 성분을 CaO 환산으로 20.0 몰%및 규소 성분을 SiO2 환산으로 20.0 몰%동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 22%가 되어, 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 20.0 몰%및 규소 성분을 SiO2 환산으로 30.0 몰%동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율이 6.4%가 되었다.As shown in Table 22, the wavelength of a sintered body made of aluminum oxide containing no magnesium component, a calcium component, a silicon component, and other components and containing substantially no impurities other than impurities contained in the raw material or in the manufacture of the sintered body. Although the light transmittance of 605 nm light was 18%, the light transmittance tended to increase as the content of magnesium, calcium, and silicon components increased, indicating that 57% of magnesium contained 1.20 mol% in terms of MgO. Reached. After that, as the content of magnesium, calcium and silicon components increases, the light transmittance gradually decreases, and the main component is aluminum oxide containing 20.0 mol% of calcium components in terms of CaO and 20.0 mol% of silicon components in terms of SiO2. In the sintered body, the light transmittance of the light having a wavelength of 605 nm is 22%, and the light transmittance is 6.4 in the sintered body composed mainly of aluminum oxide containing 20.0 mol% of magnesium components in terms of MgO and 30.0 mol% of silicon components in terms of SiO2. It became%.

또, 본 실시예에 대해 실시예 23으로 이용한 것과 같은 희토류 산화물 분말을 이용해 상기 희토류 원소 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분중에서 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 합계 45.0 몰%이하의 범위에서 포함해 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.0002 몰%~10.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은, 상기와 같은 양의 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분중에서 적어도 1종 이상을 포함하지만 실질적으로 희토류 원소 성분을 포함하지 않는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율과 비교해 감소하는 등의 변화를 거의 볼 수 없는 것이 확인되었다. 즉, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.050 몰% 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 36%이지만, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.050 몰%및 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.04 몰%동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 37%과 거의 변화하지 않고, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분 이외에 희토류 원소 성분이 포함되는 것에 의한 영향은 그다지 볼 수 없는 것이 확인되었다. 게다가 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 1.20 몰% 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 57%과 비교적 높은 광투과율을 가지고 있었지만, 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 1.20 몰%및 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.04 몰%동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율도 59%, 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 1.20 몰%및 호르미움 성분을 Ho2O3 환산으로 0.04 몰%동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율도 56%, 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 1.20 몰%및 잇테르비움 성분을 Yb2O3 환산으로 0.04 몰%동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율도 58%, 라고 비교적 높고, 이트륨을 시작으로 하는 희토류 원소 성분이 포함되는 것에 의해 광투과율이 크게 저하해 나쁜 영향을 준다고 하는 현상은 볼 수 없었다.Moreover, the sintered compact which has the aluminum oxide containing the said rare earth element component as a main component was produced using the rare earth oxide powder similar to what was used in Example 23 about this Example. 0.0002 mol%-10.0 including at least 1 or more types of magnesium components, a calcium component, and a silicon component in the range of 45.0 mol% or less in total in oxide conversion, and further selecting at least 1 or more components selected from rare earth element components in oxide conversion. The light transmittance of the sintered compact mainly containing aluminum oxide contained in the range of mol% includes aluminum oxide containing at least one or more of the above-described magnesium components, calcium components, and silicon components, but substantially free of rare earth element components. It was confirmed that a change such as a decrease in comparison with the light transmittance of the sintered compact having as a main component was hardly seen. That is, although the light transmittance of the sintered compact including aluminum oxide containing 0.050 mol% in terms of CaO as a main component is 36% for light with a wavelength of 605 nm, the calcium component in terms of CaO is 0.050 mol% and the yttrium component in terms of Y2O3. The light transmittance of a sintered body composed mainly of aluminum oxide containing 0.04 mol% at the same time is almost unchanged from 37%, and the effect of the inclusion of rare earth element components in addition to the magnesium component, calcium component, and silicon component in the sintered body composed of aluminum oxide as a main component Was confirmed not to see much. In addition, the light transmittance of light having a wavelength of 605 nm of aluminum sintered body containing 1.20 mol% of magnesium in terms of MgO had a relatively high light transmittance of 57% and MgO, but 1.20 mol% of MgO in terms of light transmittance. Aluminum oxide containing 59% light transmittance as a main component of aluminum oxide containing yttrium component at 0.04 mol% and Y2O3 at the same time, 1.20 mol% magnesium as MgO, and 0.04 mol% at the same time as Ho2O3 The light transmittance of the sintered body composed of aluminum oxide including 56% of light transmittance of the main component, 56% of MgO in terms of MgO and 0.04 mol% of Ytterbium in Yb 2 O 3 was also 58%. Light transmittance greatly decreases because high, yttrium-containing rare earth element component is included I could not see a phenomenon that affects nicely.

표 22에 대해, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.050 몰% 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 8.0 몰%동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 36%이며, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.05 몰% 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 12.0 몰%동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 27%이었다. 이와 같이, 본 실시예에 대해 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분중에서 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 합계 45.0 몰%이하의 범위에서 포함해, 한층 더 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 합계 0.0002 몰%~10.0 몰%의 범위에서 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율 30%이상의 것이 제작할 수 있는 것이 확인되었다.In Table 22, the sintered compact containing aluminum oxide containing 0.050 mol% of Ca in terms of CaO and 8.0 mol% of yttrium in terms of Y2O3 at the same time has a light transmittance of 36% for light having a wavelength of 605 nm. In the sintered compact containing aluminum oxide as the main component, containing 0.05 mol% of calcium component in terms of CaO and 12.0 mol% of yttrium component in terms of Y2O3, the light transmittance of light with a wavelength of 605 nm was 27%. As described above, at least one or more components selected from the rare earth element components are included in the range of 45.0 mol% or less in terms of oxides, including at least one or more of magnesium components, calcium components, and silicon components. It was confirmed that the sintered compact mainly containing aluminum oxide contained in the range of 0.0002 mol%-10.0 mol% in terms of oxides can have a light transmittance of 30% or more with respect to light having a wavelength of 605 nm.

게다가 본 실시예에 대해 마그네슘 성분, 칼슘 성분, 규소 성분중에서 적어도 어느쪽이든 2종 이상을 포함해, 동시에 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 보다 높은 광투과율을 가지는 것이 제작할 수 있는 것이 확인되었다. 또, 최고 80%이상의 광투과율을 가지는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 제조 할 수 있는 일도 확인되었다. 즉, 표 22에 나타나듯이, 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 0.60 몰%, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.80 몰%및 규소 성분을 SiO2 환산으로 0.80 몰%동 시에 포함해, 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.0080 몰%, 디스프로슘 성분을 Dy2O3 환산으로 0.040 몰%각각 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율이 각각 57%, 78%에 증대했다. 또, 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 0.60 몰%및 규소 성분을 SiO2 환산으로 0.20 몰%동시에 포함해 한층 더 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.04 몰% 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율이 69%이었다. 게다가 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 1.0 몰%및 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.20 몰%동시에 포함해, 한층 더 이트륨 등의 희토류 원소 성분을 산화물 환산으로 0.040 몰% 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율은 81%~82%의 높은 것으로 있었다. 즉, 상기 량의 마그네슘 성분 및 칼슘 성분과 동시에 희토류 원소 성분으로서 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.040 몰% 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과율이 82%이며, 에르비움 성분을 Er2O3 환산으로 0.04 몰%동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율이 81%이었다.In addition, in the present embodiment, a sintered body composed mainly of aluminum oxide containing at least one of magnesium, calcium, and silicon components, and at least one of at least one component selected from rare earth element components, has a higher light. It was confirmed that the thing which has a transmittance | permeability can be manufactured. It has also been confirmed that a sintered body composed mainly of aluminum oxide having a light transmittance of up to 80% or more can be produced. That is, as shown in Table 22, 0.60 mol% of magnesium components in terms of MgO, 0.80 mol% of calcium components in terms of CaO, and 0.80 mol% of silicon components in terms of SiO2 are simultaneously included, and the yttrium component is further converted into Y2O3. Therefore, the sintered compact including aluminum oxide containing 0.0080 mol% and 0.040 mol% of the dysprosium component in terms of Dy2O3 increased 57% and 78% for light having a wavelength of 605 nm, respectively. A sintered body composed mainly of aluminum oxide containing 0.60 mol% of magnesium components in terms of MgO and 0.20 mol% of silicon components in terms of SiO2 and containing 0.04 mol% of yttrium components in terms of Y2O3 is more sensitive to light having a wavelength of 605 nm. The light transmittance was about 69%. Furthermore, wavelength 605 of the sintered compact which has 1.0 mol% of magnesium components in MgO conversion, and 0.20 mol% of calcium components in CaO conversion simultaneously, and contains 0.040 mol% of rare earth element components, such as yttrium, in oxide conversion as a main component The light transmittance for nm light was as high as 81% to 82%. That is, the sintered body containing aluminum oxide containing 0.040 mol% of yttrium component in terms of Y2O3 as a rare earth element as well as the magnesium component and calcium component of the above amount has a light transmittance of 82% for light having a wavelength of 605 nm, and Erbium The light transmittance was 81% in the sintered compact containing aluminum oxide as a main component containing 0.04 mol% of the components in terms of Er 2 O 3.

그 외, 본 실시예에 대해 상기 산화 알루미늄 원료 분말에 칸토 화학 주식회사제 특급 시약의 TiO2, Cr2O3, MnO2, MoO3 분말을 더해 상기와 같은 조건으로 혼합 후 성형해, 수소를 12.5 체적%함유하는 질소 분위기중 1550℃으로 3시간 소성하여 티탄, 크롬, 망간, 몰리브덴 각 성분을 각각 TiO2, Cr2O3, MnO2, MoO3 환산으로 0.30 몰% 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작해, 한층 더 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 2.0 몰%, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 2.0 몰%및 규소 성 분을 SiO2 환산으로 4.0 몰% 포함해 동시에 티탄, 크롬, 망간, 몰리브덴 각 성분을 각각 TiO2, Cr2O3, MnO2, MoO3 환산으로 0.30 몰% 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체도 제작했다. 또, 수소를 12.5 체적%함유하는 질소 분위기중 1550℃으로 3시간 소성하여 티탄 및 크롬 성분을 TiO2 및 Cr2O3 환산으로 각각 0.30 몰%두개 동시에 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작해, 한층 더 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 2.0 몰%, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 2.0 몰%및 규소 성분을 SiO2 환산으로 4.0 몰% 포함해 동시에 티탄 및 크롬 각 성분을 각각 TiO2 및 Cr2O3 환산으로 0.30 몰%두개 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체도 제작했다. 얻을 수 있던 각 소결체를 연삭 및 경면 연마해 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 기판으로 한 것을 이용해 그 광투과성을 조사했다. 이러한 결과도 표 22에 나타나고 있다. 이러한 천이 금속 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 각각 흑색(티탄 성분을 포함하는 것, 몰리브덴 성분을 포함하는 것, 및 티탄과 크롬 성분을 동시에 포함하는 것), 팥색(크롬 성분을 포함하는 것), 황색(망간을 포함하는 것)에 정색 하고 있는 한편으로, 크롬 성분(티탄 성분을 포함하지 않는 걸) 및 망간 성분을 포함하는 것은 각각 광투과성을 가지고 있는 것이 확인되었다.In addition, a nitrogen atmosphere containing TiO 2, Cr 2 O 3, MnO 2, and MoO 3 powder of the Kanto Chemical Co., Ltd. express reagent was added to the aluminum oxide raw material powder, mixed and molded under the same conditions as described above, and containing 12.5% by volume of hydrogen. Sintering was performed at 1550 ℃ for 3 hours to produce a sintered body containing aluminum oxide containing 0.30 mol% of titanium, chromium, manganese, and molybdenum in terms of TiO2, Cr2O3, MnO2, and MoO3, respectively. 2.0 mole percent in terms of calcium, 2.0 mole percent in terms of CaO and 4.0 mole percent in terms of SiO2, and 0.30 mole in terms of TiO2, Cr2O3, MnO2, and MoO3, respectively. A sintered body containing aluminum oxide containing% as a main component was also produced. In addition, a sintered body containing aluminum oxide containing 0.30 mol% of titanium and chromium in two TiO2 and Cr2O3 conversions simultaneously was produced by firing at 1550 ° C for 3 hours in a nitrogen atmosphere containing 12.5% by volume of hydrogen. Aluminum oxide containing 2.0 mole% in terms of MgO, 2.0 mole% in terms of CaO and 4.0 mole% in terms of SiO 2, and 0.30 mole% of titanium and chromium in TiO 2 and Cr 2 O 3, respectively. The sintered compact which has as a main component was also produced. Each obtained sintered compact was ground and mirror-polished, and the light transmittance was investigated using what used the board | substrate of diameter 25.4mm thickness 0.5mm. These results are also shown in Table 22. The sintered body mainly composed of aluminum oxide containing such a transition metal component is black (containing titanium component, containing molybdenum component, and containing titanium and chromium components at the same time), red bean color (containing chromium component). And yellow (containing manganese), while it was confirmed that the chromium component (which does not contain the titanium component) and the manganese component each have light transmittance.

그 결과, 본 실시예로 제작한 Ti/Pt/Au박막에 의해 전기 회로 패턴을 형성한 것을 포함한 모든 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판에 대해 발광소자가 탑재된 기판면의 반대측에서 발광소자로부터의 발광이 관찰되었다. 이것은 분명하게 전기 회로 패턴을 형성한 것이어도 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이상의 것을 기판으로서 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 것을 나타내고 있다. 또, 기판을 투과한 빛의 힘은 분명하게 상기 기판을 구성하는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율에 비례하고 있는 것으로 관찰되었다.As a result, the light emitting element on the opposite side of the substrate surface on which the light emitting element is mounted with respect to the substrate using the sintered body containing all aluminum oxide as a main component, including the electric circuit pattern formed by the Ti / Pt / Au thin film produced in this embodiment Luminescence from was observed. This clearly indicates that even when an electric circuit pattern is formed, a substrate having a light transmittance of 1% or more of the sintered body containing aluminum oxide as a main component is used as the substrate, indicating that light emitted from the light emitting element is transmitted through the substrate and emitted outside the substrate. In addition, the force of light transmitted through the substrate was clearly observed to be proportional to the light transmittance of the sintered body mainly composed of aluminum oxide constituting the substrate.

또, 상기 천이 금속 성분을 함유하는 착색한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판이어도, 같은 광투과율을 가지는 실험 No.403, 404, 420으로 제작한 천이 금속 성분을 실질적으로 함유하지 않고 착색하고 있지 않는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판에 비해 기판을 투과한 빛의 힘이 저하하고 있도록(듯이)은 관찰되지 않았다. 오히려 투과한 빛은 온화하지만 그 강도는 향상하고 있도록(듯이) 관찰되었다.Further, even when the substrate for mounting a light emitting element manufactured by using a sintered body containing colored aluminum oxide containing the transition metal component as a main component, the transition metal component produced by Experiment No. 403, 404, 420 having the same light transmittance is substantially applied. It was not observed that the force of the light transmitted through the substrate was lowered as compared with the light emitting element mounting substrate produced using a sintered body containing aluminum oxide which was not contained and was not colored. On the contrary, it was observed that the transmitted light was mild but its intensity improved.

이와 같이 본 실시예보다 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해도 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.As described above, when the sintered body containing aluminum oxide as a main component has a light transmittance as described above, it is difficult to occur such that the brightness of light transmitted through the substrate is greatly reduced. The effectiveness of having light transmittance was confirmed.

실시예 26Example 26

본 실시예는 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 이트륨, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체에 대해 그 광투과성을 조사한 예를 나타내는 것이다.This Example shows the example which investigated the light transmittance about the sintered compact which has zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, yttrium oxide, and crystallized glass as a main component.

본 실시예에 대해 이하에 나타내는 방법에 의해 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 이트륨, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 즉, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체로서는 안정화제로서 Y2O3을 3 몰% 포함한 동쪽 소 주식회사제 부분 안정화 산화 지르코늄 「TZ－3 Y」그레이드를 원료로서 준비해, 원료 분말에 소결조제는 더하지 않고 실시예 1과 같게 해 파라핀 왁스를 더해 성형용 분말을 제작해, 상기 성형용 분말을 실시예 1로 같은 크기의 성형체에 같은 조건으로 1축프레스 성형 후 탈지 해, 1500℃으로 3시간 대기중에서 상압 소성한 것과 1400℃으로 2시간, 압력 150 Kg/cm2, 대기중에서 핫 프레스 한 2 종류의 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체로서는 칸토 화학 주식회사제의 특급 시약 분말을 원료로서 준비해, 소결조제를 더하지 않는 것 및 소결조제로서 CaO와 Y2O3을 각각 1 중량%두개 더한 것을 실시예 1과 같게 볼 밀로 분쇄 혼합해, 그 후 파라핀 왁스를 더해 성형용 분말을 제작해, 상기 성형용 분말을 실시예 1로 같은 크기의 성형체에 같은 조건으로 1축프레스 성형 후 탈지 해, 소결조제를 더하지 않는 것은 1550℃으로 3시간 대기중에서 상압 소성하여, 소결조제를 더한 것은 1600℃으로 6시간 대기중에서 상압 소성하여 2 종류의 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체로서는 주식회사 고순도 화학 연구소제의 순도 99.9%의 미분말을 원료로서 준비해, 소결조제를 더하지 않는 것 및 소결조제로서 CaO와 Y2O3을 각각 0.1 중량%두개 더한 것을 실시예 1과 같게 볼 밀로 분쇄 혼합해, 그 후 파라핀 왁스를 더해 성형용 분말을 제작해, 상기 성형용 분말을 실시예 1로 같은 크기의 성형체에 같은 조건으로 1축프레스 성형 후 탈지 해, 소결조제를 더하지 않는 것은 1600℃으로 3시간 대기중에서 상압 소성하여, 소결조제를 더한 것은 1650℃으로 8시간 수소 기류중에서 상압 소성하여 2 종류의 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 또, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체로서는 실시예 23, 24, 및 25로 이용한 것과 같은 Y2O3 분말, Dy2O3 분말, Ho2O3 분말을 준비해, 주성분으로서 상기 Y2O3 분말만을 이용해 볼 밀로 분쇄 후 파라핀 왁스를 더해 성형용 분말을 제작해, 상기 성형용 분말을 실시예 1로 같은 크기의 성형체에 같은 조건으로 1축프레스 성형 후 탈지 해, 1600℃으로 3시간 대기중에서 상압 소성하여 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 또 별로 상기 Y2O3 분말 99.5 중량%에 소결조제로서 상기 Dy2O3 및 Ho2O3 분말 각각 0.25 중량%두개 더해 볼 밀로 분쇄 혼합해, 그 후 파라핀 왁스를 더해 성형용 분말을 제작해, 상기 성형용 분말을 실시예 1로 같은 크기의 성형체에 같은 조건으로 1축프레스 성형 후 탈지 해, 2100℃으로 3시간 수소 기류중에서 상압 소성하여 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 결정화 유리를 주성분 으로 하는 소결체로서는 시판의 붕규산 유리 분말과 스미토모 화학공업 주식회사제의 「ARL－M41」그레이드를 원료 분말로서 이용했다. 그 외에 첨가제로서 이용하기 위해서 신에츠 화학공업 주식회사제의 순도 99.9%의 La2O3 분말, 및 Y2O3 분말을 준비했다. 이러한 원료 분말을 이용해 다음의 3 종류의 조성을 가지는 혼합 분말을 실시예 1과 같게 볼 밀로 분쇄 혼합해 제작했다. 즉(1) 붕규산 유리：55 중량%산화 알루미늄：45 중량%, (2) 붕규산 유리：54.725 중량%산화 알루미늄：44.775 중량%La2O3：0.50 중량%, (3) 붕규산 유리：54.725 중량%산화 알루미늄：44.775 중량%Y2O3：0.50 중량%, 의 3 종류이다. 이러한 3 종류의 혼합 분말에 파라핀 왁스를 더해 성형용 분말을 제작해, 상기 성형용 분말을 실시예 1로 같은 크기의 성형체에 같은 조건으로 1축프레스 성형 후 탈지 해, 900℃으로 2시간 대기중에서 상압 소성하여 3 종류의 조성을 가지는 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 제작했다. 또한 상기의 원료로서 이용한 붕규산 유리 분말의 조성을 형광 X선분석 하면 SiO2：48.5 중량%, B2O3：10.6 중량%, Al2O3：22.4 중량%, CaO：14.5 중량%, MgO：4.0 중량%이었다.About the present Example, the sintered compact which has a zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, yttrium oxide, and crystallized glass as a main component was produced by the method shown below. That is, as a sintered body containing zirconium oxide as a main component, a partially stabilized zirconium oxide "TZ-3Y" grade made by Dongso Co., Ltd. containing 3 mol% of Y 2 O 3 as a stabilizer was prepared as a raw material, and the sintering aid was not added to the raw material powder. Paraffin wax was added to prepare a molding powder, and the molding powder was degreased after uniaxial press molding under the same conditions as in Example 1 under the same conditions, and calcined at atmospheric pressure at 1500 ° C. for 3 hours. And a sintered body mainly composed of two kinds of zirconium oxides hot-pressed in a pressure of 150 Kg / cm < 2 > As a sintered body containing magnesium oxide as a main component, a special reagent powder made by Kanto Chemical Co., Ltd. was prepared as a raw material, and no sintering aid was added, and 1 wt% two CaO and Y 2 O 3 were added as a sintering aid, respectively. It is pulverized and mixed, and then paraffin wax is added to form a molding powder, and the molding powder is degreased after uniaxial press molding under the same conditions on a molded article of the same size as in Example 1, and the sintering aid is not added. The resultant was calcined at atmospheric pressure for 3 hours at atmospheric pressure, and the addition of the sintering aid was subjected to atmospheric pressure at 1600 캜 for 6 hours to produce a sintered body containing two kinds of magnesium oxide as a main component. Examples of the sintered body containing magnesium aluminate as a main component include a fine powder having a purity of 99.9% manufactured by High Purity Chemical Research Institute Co., Ltd. as a raw material, without adding a sintering aid and adding 0.1 wt% two CaO and Y 2 O 3 as the sintering aid. Like the above, it is pulverized and mixed with a ball mill, and then paraffin wax is added to form a powder for molding, and the molding powder is degreased after uniaxial press molding under the same conditions in a molded article of the same size as in Example 1, further adding a sintering aid. At no temperature, it was calcined at atmospheric pressure at 1600 ° C. for 3 hours in the atmosphere, and the addition of the sintering aid was calcined at 1650 ° C. for 8 hours in a hydrogen stream, to produce a sintered body containing two kinds of magnesium aluminate as a main component. Further, as a sintered body containing yttrium oxide as a main component, Y2O3 powder, Dy2O3 powder, and Ho2O3 powder as used in Examples 23, 24, and 25 were prepared, and after grinding with a ball mill using only the Y2O3 powder as a main component, paraffin wax was added for molding. A powder was prepared, and the molding powder was degreased after uniaxial press molding under the same conditions as the molded product of Example 1, and calcined at atmospheric pressure at 1600 ° C. for 3 hours in the air to produce a sintered body composed of yttrium oxide as a main component. . In addition, each of the Dy2O3 and Ho2O3 powders was added to 99.5% by weight of the Y2O3 powder and 0.25% by weight of each of the two Dy2O3 and Ho2O3 powders were ground and mixed with a ball mill. Then, paraffin wax was added to form a molding powder. The sintered body was formed by uniaxial press molding under the same conditions, and then degreased under pressure at 2100 ° C for 3 hours under atmospheric pressure in a hydrogen stream. As a sintered compact mainly composed of crystallized glass, commercially available borosilicate glass powder and "ARL-M41" grade made by Sumitomo Chemical Industries, Ltd. were used as raw material powders. In addition, La2O3 powder of 99.9% purity and Y2O3 powder by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. were prepared for use as an additive. Using such a raw material powder, the mixed powder which has the following three types of composition was pulverized and mixed by the ball mill like Example 1, and produced. (1) Borosilicate glass: 55% by weight aluminum oxide: 45% by weight, (2) Borosilicate glass: 54.725% by weight Aluminum oxide: 44.775% by weight La2O3: 0.50% by weight, (3) Borosilicate glass: 54.725% by weight Aluminum oxide: 44.775 weight% Y2O3: 0.50 weight%, These are three types. Paraffin wax is added to these three kinds of mixed powders to form a molding powder, and the molding powder is degreased after uniaxial press molding under the same conditions on a molded body of the same size as in Example 1, at 900 ° C for 2 hours in the atmosphere. The sintered compact which made the crystallization glass which has three types of compositions by the normal pressure baking by the main component was produced. In addition, the composition of the borosilicate glass powder used as the above raw material was SiO 2: 48.5 wt%, B 2 O 3: 10.6 wt%, Al 2 O 3: 22.4 wt%, CaO: 14.5 wt%, MgO: 4.0 wt%.

다음에 본 실시예로 제작한 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 연삭가공 후 입경 0.05μm의 콜로이드장 산화 알루미늄으로 이루어지는 연마제를 이용해 경면 연마해 아세톤 및 이소프로필 알코올로 세정해 직경 25.4 mm두께 0.5 mm의 원반상 기판을 제작했다.　Subsequently, after sintering the main body of each ceramic material produced in the present example as a main component, it was mirror-polished using an abrasive composed of colloidal aluminum oxide having a particle diameter of 0.05 μm, washed with acetone and isopropyl alcohol, and 0.5 mm in diameter 25.4 mm Disk-shaped substrate was produced.

이와 같이 해 제작한 기판에 대해 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과성을 측정했지만 모든 기판은 광투과성을 가지는 것이 확인되었다.Although the light transmittance with respect to the light of wavelength 605nm was measured about the produced board | substrate in this way, it was confirmed that all the board | substrates have a light transmittance.

이러한 결과를 표 23에 나타냈다.These results are shown in Table 23.

산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 이트륨, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판도 평균 표면 엉성함 Ra가 10 nm 이하의 것이 제작할 수 있는 것이 확인되었다. 또, 본 실시예로 제작한 산화 지르코늄, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판은 평균 표면 엉성함 Ra가 5 nm 이하의 것이 제작할 수 있는 것이 확인되었다. 또 본 실시예로 제작한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 모두 광투과율도 20%이상이며, 그 중에 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체로 최고 59%, 산화 마그네슘 주성분으로 하는 소결체로 최고 83%, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체에서는 최고 79%, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체로 최고 82%, 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체로 최고 71%의 것이 제작할 수 있는 것이 확인되었다.It was confirmed that the substrate which consists of a sintered compact containing zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, yttrium oxide, and crystallized glass as a main component can also be produced with an average surface roughness Ra of 10 nm or less. Moreover, it was confirmed that the board | substrate which consists of a sintered compact mainly containing zirconium oxide and magnesium oxide produced in the present Example can produce the thing whose average surface roughness Ra is 5 nm or less. All the sintered bodies made from the ceramic material produced in this example as a main component have a light transmittance of 20% or more. Among them, sintered bodies made of zirconium oxide as the main component are up to 59%, and sintered bodies made up of magnesium oxide as the main component, up to 83% and alu. It was confirmed that up to 79% of the sintered body containing magnesium phosphate as the main component, up to 82% of the sintered body containing yttrium oxide as the main component, and up to 71% of the sintered body containing the crystallized glass as the main component could be produced.

실시예 27Example 27

본 실시예는, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 비교적 굴절률의 낮은 피막을 형성했을 때의 광투과율의 변화에 대해 조사한 것이다.This embodiment investigates the change in the light transmittance when a film having a relatively low refractive index is formed in a sintered body containing a ceramic material as a main component.

우선, 실시예 23, 실시예 24, 실시예 25, 및 실시예 26으로 제작한 경면 연마된 표면 상태를 가지는 기판장의 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 준비했다.First, a sintered body containing zinc oxide as a main component, a sintered body containing beryllium oxide as a main component, and aluminum oxide as main components of a substrate sheet having mirror polished surface states prepared in Examples 23, 24, 25, and 26 A sintered compact, a sintered compact composed of zirconium oxide as a main component, a sintered compact composed of magnesium oxide, a sintered compact composed of magnesium aluminate, a sintered compact composed of yttrium oxide, and a sintered compact composed of crystallized glass were prepared.

그 다음에 스패터링법에 의해 두께 0.2μm의 산화 알루미늄(Al2O3：알루미나) 피막, 두께 0.2μm의 이산화 규소(SiO2：실리카) 피막, 및 두께 0.3μm의 산화 마그네슘(MgO：마그네시아)의 피막을 상기 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 경면 연마면에 형성해, 상기 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막을 가지는 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율을 측정했다.Subsequently, a 0.2 μm thick aluminum oxide (Al 2 O 3: alumina) film, a 0.2 μm thick silicon dioxide (SiO 2: silica) film, and a 0.3 μm thick magnesium oxide (MgO: magnesia) film were sputtered. It formed on the mirror polished surface of the sintered compact which has each ceramic material as a main component, and the light transmittance of the sintered compact which has each ceramic material which has the said alumina film, a silica film, and a magnesia film as a main component was measured.

이러한 결과를 표 24에 나타냈다. 표 24에 나타나듯이 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막을 가지는 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 상기 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막을 형성하기 전의 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 비교해 대략 10%~17%향상했다. 이것은 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막의 굴절률이 각각 1.71, 1.44, 및 1.67이며 상기 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막을 형성한 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 자체의 굴절률(산화 아연을 주성분으로 하는 소결체로 2.0, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체로 2.2, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체로 1.9, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체로 1.6)보다 작게 광투과성도 높기 때문에 반사 방지 부재로서 기능한 결과여도 생각된다. 또한 표 24에 나타나듯이 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막을 형성하기 전의 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 세라믹 재료의 차이에 그다지 영향을 받지 않고 8~14%이었 다.These results are shown in Table 24. As shown in Table 24, the light transmittance of the sintered body containing each of the ceramic materials having an alumina film, the silica film, and the magnesia film as a main component is the sintered body containing each ceramic material as a main component before the alumina film, the silica film, and the magnesia film are formed. Compared with that, about 10% ~ 17%. The refractive indexes of the alumina film, the silica film, and the magnesia film are 1.71, 1.44, and 1.67, respectively, and the refractive index of the sintered body itself whose main component is each ceramic material which forms the alumina film, the silica film, and the magnesia film (the main component is zinc oxide). Sintered body composed of 2.0, sintered body composed mainly of beryllium oxide 1.7, aluminum sintered body composed mainly of 1.7, zirconium oxide composed of sintered body 2.2, and sintered body composed mainly of magnesium oxide 1.7, magnesium aluminate Since the light transmittance is also smaller than 1.7) as a main component, 1.9 as a sintered compact containing yttrium oxide, and 1.6) as a sintered compact containing crystallized glass as a main component, it may be a result which functions as an antireflection member. In addition, as shown in Table 24, the reflectance of the sintered body mainly composed of the ceramic material before forming the alumina film, the silica film, and the magnesia film was 8 to 14% without being influenced by the difference of the ceramic materials.

또한 피막의 굴절률은 실시예 14로 같이 미국 「SCI(Scientific　Computing　International) 회사」제의 분광 광도계(Spectrophotometer) 「제품명：FilmTek4000」을 이용해 측정했다. 또. 소결체의 반사율 및 피막 형성 전후의 소결체의 광투과율은 실시예 14로 같이 히타치 제작소제의 분광 광도계 U－4000을 이용했다.In addition, the refractive index of the film was measured using the spectrophotometer "Product name: FilmTek4000" by the American "Scientific Computing International" company like Example 14. In addition. The reflectance of the sintered compact and the light transmittance of the sintered compact before and after film formation used the spectrophotometer U-4000 by Hitachi, Ltd. as in Example 14.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막 형성전 및 형성 후의 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 각각 10mm/10mm/0.5mm의 크기에 잘라, 한 면에 Ag/Pd를 주성분으로 하는 후막페이스트에 의해 폭 100μm의 배선 패턴을 발광소자 구동용의 전기 회로로서 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 또한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 중 실시예 23의 실험 No.334, 및 360으로 제작한 것에는 발광소자 구동용의 전위를 인가하기 위한 1 mm각의 전극을 Ag/Pd를 주성분으로 하는 후막페이스트에 의해 2개소 형성한 것만으로 전기 회로 패턴 형성하지 않았다. 이 중 1개소의 전극과 발광소자의 전극의 하나와는 와이어로 접속되고 있다. 발광소자 탑재용 기판의 나머지 1개소의 전극에는 전위가 인가되고 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 도전성을 이용해 와이어를 경유해 구동 전위가 발광소자에게 인가된다. 또 발광소자의 전극의 하나 더는 와이어가 접속되고 구동 전위가 발광소자에게 인가된다. 즉 실시예 23으로 같이 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 자체의 전기 전도성을 이용해 발광소자에게 구동 전력을 공급했다.Next, a sintered body composed mainly of the alumina film, the silica film, and the ceramic material obtained before and after the formation of the magnesia film obtained in this example was cut into sizes of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm, respectively, and the Ag / A wiring pattern having a width of 100 µm was formed as an electric circuit for driving a light emitting element by a thick film paste containing Pd as a main component to produce a light emitting element mounting substrate. In the sintered body containing zinc oxide as the main component, the experiment No. 334 and 360 of Example 23 were made of thick film paste containing Ag / Pd as the main electrode for applying a potential for driving the light emitting element. The electrical circuit pattern was not formed only by forming two places. Among these, one electrode and one of the electrodes of the light emitting element are connected by a wire. A potential is applied to the other electrode of the light emitting element mounting substrate, and a driving potential is applied to the light emitting element via a wire by using the conductivity of the sintered body containing zinc oxide as a main component. Further, a wire is connected to one of the electrodes of the light emitting element, and a driving potential is applied to the light emitting element. That is, as in Example 23, driving power was supplied to the light emitting element by using the electrical conductivity of the sintered body itself containing zinc oxide as a main component.

이와 같이 해 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 Au/Sn는 다로 접합하는 것으로써 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 그 중에 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막 형성 후의 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판으로부터의 투과광은 피막을 형성하고 있지 않는 것에 비해 온화해보다 밝은 것으로 있어 투과광의 강도가 높아지고 있다. 또, 실험 No.464로 제작한 실리카 피막 및 마그네시아 피막이 형성된 크롬 성분을 함유하는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판으로부터의 투과광은 한층 온화한 것과 느껴졌다. 또, 상기 투과광에 대해 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판 표면에 형성된 후막전기 회로에 의한 밝음의 감소도 거의 관찰되지 않았다.A light emitting device made by using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer by laminating an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component on a light emitting device mounting substrate thus prepared. The devices were mounted by joining Au / Sn together, and light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA to visually confirm the transmission state from the light-emitting substrate. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and sufficiently bright. Among them, the transmitted light from the substrate using a sintered body composed mainly of each ceramic material after the formation of the alumina film, the silica film, and the magnesia film is milder and brighter than that of the film, and the intensity of the transmitted light is increased. Moreover, the transmitted light from the board | substrate using the sintered compact containing aluminum oxide containing the chromium component in which the silica film and magnesia film which were produced by experiment No.464 were formed was felt to be more gentle. In addition, the decrease in the brightness due to the thick film electric circuit formed on the surface of the substrate using the sintered body containing each ceramic material as a main component of the transmitted light was hardly observed.

또한 상기 전극을 2개소 형성했을 뿐의 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 기판에 대해, 탑재한 발광소자의 전극(2개 있다) 중 하나로 상기 기판에 형성한 전극 중 1개소를 금선에 의한 와이어 본딩으로 전기적으로 접속해 전기 배선에 의하지 않고 상기 기판 자체의 전기 전도성을 이용해 상기 기판에 형 성한 나머지 1개소의 전극으로부터 구동 전력(마이너스 전위)을 인가했다. 그 때, 발광소자의 한편의 전극에는 별로 금선을 접속해 구동 전력(플러스 전위)을 인가 이바지했다.In addition, with respect to a substrate produced by using a sintered body containing zinc oxide as the main component of only two electrodes, one of the electrodes of the light emitting element mounted thereon is formed on one side of the electrode formed on the substrate. The electric power was connected by wire bonding, and driving power (negative potential) was applied from the remaining one electrode formed on the substrate using the electrical conductivity of the substrate itself, not by the electrical wiring. At that time, gold wires were connected to one electrode of the light emitting element to contribute driving power (plus potential).

이와 같이 본 실시예에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성한 비교적 굴절률의 작은 재료를 이용한 피막이 반사 방지 부재로서 기능해 기판을 투과하는 발광소자로부터의 발광의 강도를 제어하는 것이 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다.As described above, in this embodiment, a film using a relatively small refractive index material formed on a sintered body composed mainly of a ceramic material functions as an antireflection member to control the intensity of light emission from the light emitting element passing through the substrate. Could confirm.

실시예 28Example 28

본 실시예는, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 반사 부재를 형성했을 때의 반사율의 변화에 대해 조사한 것이다.This embodiment investigates the change in reflectance when a reflective member is formed in a sintered body containing a ceramic material as a main component.

우선 실시예 23, 실시예 24, 실시예 25, 및 실시예 26으로 제작한 경면 연마된 표면 상태를 가지는 기판장의 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 준비했다.First, a sintered body containing zinc oxide as a main component, a sintered body containing beryllium oxide as a main component, and aluminum oxide as main components A sintered compact, a sintered compact composed of zirconium oxide, a sintered compact composed of magnesium oxide, a sintered compact composed of magnesium aluminate, a sintered compact composed of yttrium oxide, and a sintered compact composed of crystallized glass were prepared.

다음에 상기 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금의 증착 피막을 경면 연마면에 형성했다. 상기 증착 피막의 두께는 모두 0.4μm이다. 제작한 증착 피막이 형성된 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율과 광투과율을 측정했다. 반사율 및 광투과율은 파장 605 nm 의 단색광을 이용해 측정했다. 증착 피막이 형성된 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 어느 것도 0%이었다.Next, a vapor deposition film of aluminum, gold, silver, copper, parodydium, and platinum was formed on the mirror polished surface in the sintered body composed mainly of the above ceramic materials. The thickness of the said vapor deposition film is all 0.4 micrometer. The reflectance and the light transmittance of the sintered compact including each ceramic material in which the produced vapor deposition film was formed as a main component were measured. Reflectance and light transmittance were measured using monochromatic light with a wavelength of 605 nm. The light transmittance of the sintered compact mainly having each ceramic material in which a vapor deposition film was formed was 0%.

이러한 결과를 표 25에 나타냈다. 단, 표 25에는 광투과율의 측정 결과는 나타나지 않았다. 표 25에 나타나듯이 증착 피막이 형성된 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 모두 70%이상으로 높은 것으로 있었다. 특히 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 알루미늄, 금, 은, 동이 형성된 것은 반사율이 90%이상이었다.These results are shown in Table 25. However, the measurement result of the light transmittance was not shown in Table 25. As shown in Table 25, the reflectances of the sintered bodies mainly composed of the ceramic materials on which the deposited films were formed were all high, 70% or more. In particular, aluminum, gold, silver, and copper were formed in the sintered body including each ceramic material as a main component, and the reflectance was 90% or more.

다음에 실시예 23, 실시예 24, 실시예 25, 및 실시예 26으로 제작한 산화 아연을 주성분으로 하는 성형용 분말, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 성형용 분말, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 성형용 분말, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 성형용 분말, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 성형용 분말, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 성형용 분말, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 성형용 분말, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 성형용 분말을 준비했다. 이러한 성형용 분말은 본 실시예로 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금의 증착 피막을 형성하기 위해서 이용한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 이용한 성형용 분말과 같은 조성의 것이다. 즉, 산화 아연을 주성분으로 하는 성형용 분말은 실시예 23에 대해 표 20의 실험 No.327, 334, 342, 및 363에 나타낸 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 이용한 것 것과 같은 것이다. 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 성형용 분말은 실시예 24에 대해 표 21의 실험 No.373, 380, 및 395에 나타낸 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 이용한 것 것과 같은 것이다. 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 성형용 분말은 실시예 25에 대해 표 22의 실험 No.403, 413, 430, 및 442에 나타낸 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 이용한 것 것과 같은 것이다. 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 성형용 분말은 실시예 26에 대해 표 23의 실험 No.443, 및 444에 나타낸 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 이용한 것 것과 같은 것이다. 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 성형용 분말은 실시예 26에 대해 표 23의 실험 No.445, 및 446에 나타낸 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 이용한 것 것과 같은 것이다. 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 성형용 분말은 실시예 26에 대해 표 23의 실험 No.447, 및 448에 나타낸 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 이용한 것 것과 같은 것이다. 산화 이트륨을 주성분으로 하는 성형용 분말은 실시예 26에 대해 표 23의 실험 No.449, 및 450에 나타낸 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 이용한 것 것과 같은 것이다. 결정화 유리를 주성분으로 하는 성형용 분말은 실시예 26에 대해 표 23의 실험 No.451, 452, 및 453에 나타낸 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 제작하기 위해서 이용한 것 것과 같은 것이다.Next, the molding powder containing zinc oxide as a main component, the molding powder containing beryllium oxide as a main component, and the molding powder containing aluminum oxide as a main component prepared in Examples 23, 24, 25 and 26 Molding powder containing zirconium oxide as a main component, molding powder containing magnesium oxide as a main component, molding powder containing magnesium aluminate as a main component, molding powder containing yttrium oxide as a main component, and molding comprising crystallized glass as a main component Dragon powder was prepared. The molding powder is a sintered body containing zinc oxide as a main component, a sintered body containing beryllium oxide, and aluminum oxide as main components in the present embodiment. Molding used to produce a sintered compact, a sintered compact composed of zirconium oxide, a sintered compact composed of magnesium oxide, a sintered compact composed of magnesium aluminate, a sintered compact composed of yttrium oxide, and a sintered compact composed of crystallized glass It is of the same composition as a dragon powder. That is, the molding powder containing zinc oxide as a main component is the same as that used for producing a sintered body containing zinc oxide as a main component shown in Experiment Nos. 327, 334, 342, and 363 shown in Table 20 in Example 23. The molding powder containing beryllium oxide as a main component is the same as that used for producing a sintered body containing beryllium oxide as a main component shown in Experiment Nos. 373, 380, and 395 shown in Table 21 for Example 24. Molding powder containing aluminum oxide as a main component is the same as that used for producing a sintered body containing aluminum oxide as a main component shown in Experiment Nos. 403, 413, 430, and 442 of Table 22 for Example 25. The molding powder containing zirconium oxide as a main component is the same as that used for producing a sintered body containing zirconium oxide as a main component shown in Experiment No. 443 in Table 23 and Example 444 for Example 26. The molding powder containing magnesium oxide as a main component is the same as that used for producing a sintered body containing magnesium oxide as a main component shown in Experiment No. 445 of Table 23 and 446 for Example 26. The molding powder containing magnesium aluminate as a main component is the same as that used for producing a sintered body containing magnesium aluminate as a main component shown in Experiment No. 447 of Table 23 and Example 448 for Example 26. The molding powder containing yttrium oxide as a main component is the same as that used for producing a sintered body containing yttrium oxide as a main component shown in Experiment No. 449 of Table 23 and 450 for Example 26. The molding powder containing crystallized glass as a main component is the same as that used for producing a sintered body containing crystallized glass as a main component shown in Experiment Nos. 451, 452, and 453 shown in Table 23 in Example 26.

상기 각 성형용 분말을 이용해 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 성형체를 압 력 500 Kg/cm2로 금형을 이용한 1축프레스법에 의해 제작했다. 제작한 분말 성형체를 탈바인더 후에 각각의 조성에 따라 실시예 23, 24, 25, 및 실시예 26으로 가리킨 것과 같은 조건으로 소성을 행해(산화 아연을 주성분으로 하는 각 분말 성형체는 실시예 23으로 가리킨 것, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 각 분말 성형체는 실시예 24로 가리킨 것, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 각 분말 성형체는 실시예 25로 가리킨 것, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체 및 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체 및 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체 및 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체는 실시예 26으로 가리킨 것), 상기 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 상기 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판은 도 6, 8, 10, 14, 15, 16, 20, 21, 23, 24, 25, 26에 있어서의 부호 30으로 예시되는 것 같은 형태를 가진 것이다. 또, 상기 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 외형 치수는 10mm/10mm/2mm이며 발광소자 탑재면 및 음푹패인 공간 측벽의 기판 두께는 각각 0.5 mm이다. 또 음푹패인 공간내의 발광소자 탑재면에는 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성했다. 한층 더 상기 음푹패인 공간(캐비티)의 내면에는 전면(측벽면 및 발광소자가 탑재되는 면) 본 실시예로 이용한 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금의 증착 피막을 두께 0.4μm형성했다. 또한 상기 증착 피막은 발광소자 구동용 전기 회로와 전기적으로 절연을 꾀하기 위해서 틈새(스페이스)를 마련해 형성되어 있다. 이와 같이 해 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루 미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과, 발광소자로부터의 발광은 기판을 투과한 것은 관찰되지 않고(즉, 발광소자가 탑재된 음푹패인 공간부와 반대측의 기판측의 면으로부터 발광소자 빛은 관찰되지 않고), 기판의 음푹패인 공간에서 상부의 방향을 향하는 빛만이 관찰되었다(즉, 발광소자가 탑재된 음푹패인 공간부가 있는 기판측으로부터만 발광소자 빛은 실질적으로 방출되는 상황이 관찰되었다).Using the powder for each molding, a molded article having a pitted space (cavity) was produced by a uniaxial press method using a mold at a pressure of 500 Kg / cm 2. After the binder is produced, the powder compact is subjected to firing under the same conditions as in Examples 23, 24, 25, and 26 according to the respective composition (each powder compact mainly composed of zinc oxide is indicated in Example 23). And each powder compact having a beryllium oxide as a main component as in Example 24, and each powder compact as a main component of aluminum oxide as in Example 25, a sintered compact including zirconium oxide as a main component and magnesium oxide as a main component The sintered compact and the sintered compact including yttrium oxide as the main component and the sintered compact including crystallized glass as the main component are the examples shown in Example 26), and the substrate for mounting a light emitting device having the recessed space (cavity) Made. The substrate for mounting a light emitting element having the recessed space (cavity) is a shape as exemplified by reference numeral 30 in FIGS. 6, 8, 10, 14, 15, 16, 20, 21, 23, 24, 25, and 26. Will have. The external dimension of the light emitting device mounting substrate having the recessed space (cavity) is 10mm / 10mm / 2mm, and the substrate thicknesses of the light emitting device mounting surface and the recessed space sidewall are 0.5 mm, respectively. Further, an electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 µm was formed on the light emitting element mounting surface in the recessed space by a Ti / Pt / Au thin film. Further, on the inner surface of the recessed cavity (cavity), a deposition film of aluminum, gold, silver, copper, parodydium, and platinum used in this embodiment was formed on the front surface (side wall surface and surface on which the light emitting element is mounted). . In addition, the vapor deposition film is formed by providing a gap in order to electrically insulate the electric circuit for driving the light emitting element. The epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated on the light emitting element mounting substrate thus manufactured, and a mixed light of InN and GaN was used as a light emitting layer. The light emitting element was mounted, and light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the light emitting substrate was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, light emission from the light emitting element is not observed to have passed through the substrate (i.e., no light emitting element light is observed from the surface on the side of the substrate opposite to the recessed space portion in which the light emitting element is mounted). Only light toward the upper direction in the space was observed (i.e., a situation in which the light emitting element light was substantially emitted only from the side of the substrate having the recessed space portion in which the light emitting element was mounted) was observed.

다음에 상기 본 실시예로 제작한 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작된 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판을 준비했다. 음푹패인 공간내의 발광소자 탑재면에는 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자 구동용의 전기 회로가 형성되고 있지만, 상기와 같은 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금 등의 증착 피막은 형성되어 있지 않다. 준비한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해, 실시예 27에 있어서의 알루미나 피막, 실리카 피막, 마그네시아 피막, 혹은 본 실시예에 있어서의 증착 피막 등을 형성하고 있지 않는 그대로의 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와 본 실시예로 작성 한 전면에 증착 피막을 가지는 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 뚜껑으로서 이용해 에폭시 수지로 접착해 발광소자를 봉지했다. 그 후 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과, 실시예 27에 있어서의 알루미나 피막, 실리카 피막, 마그네시아 피막, 혹은 본 실시예에 있어서의 증착 피막 등을 형성하고 있지 않는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 뚜껑으로서 이용한 것에서는 기판 전체로부터 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 한편, 본 실시예로 제작한 증착 피막이 전면에 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 뚜껑으로서 이용한 것에서는 분명하게 뚜껑 부분에 있어 상기 뚜껑을 투과한 빛은 관찰되지 않고, 발광소자를 탑재한 기판측(음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판측)에서 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화하지만 밝음은 증착 피막을 형성하고 있지 않는 뚜껑을 이용한 기판의 것보다 꽤 큰 것으로 있었다. 이것은 뚜껑에 형성된 증착 피막이 반사 부재로서 충분히 기능하고 있는 것을 나타내고 있다. 또한 상기 각 기판에 있어서의 투과광에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판 표면에 형성된 전기 회로에 의한 밝음의 감소는 거의 관찰되지 않았다.Next, a light emitting element mounting substrate having a recessed space (cavity) produced using a sintered body containing each ceramic material produced in the present embodiment as a main component was prepared. On the light emitting element mounting surface in the recessed space, an electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 μm is formed by a Ti / Pt / Au thin film. However, deposition of aluminum, gold, silver, copper, parodydium, platinum, and the like as described above is performed. The film is not formed. An epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated on the prepared light emitting device mounting substrate, and a light emitting device fabricated by mixing InN and GaN as a light emitting layer was mounted. Sintered body composed mainly of each ceramic material which does not form an alumina film, a silica film, a magnesia film, or a vapor deposition film in this embodiment, etc. in Example 27 and a front surface made of this embodiment The light emitting element was sealed by adhering with the epoxy resin using the sintered compact which has each ceramic material which has a vapor deposition film as a main component as a lid | cover. Thereafter, electric power was applied at 3.5 V / 350 mA to emit light, and the state of transmission from the substrate of the above light emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, in the case where a sintered body composed mainly of a ceramic material which does not form the alumina film, the silica film, the magnesia film, or the vapor deposition film in the present Example, etc. in Example 27 is used as a lid, The light passing through was observed. The transmitted light was mild and sufficiently bright. On the other hand, in the case where the vapor deposition film produced in the present embodiment uses a sintered body composed mainly of a ceramic material formed on the entire surface as a lid, the light transmitted through the lid is not clearly observed in the lid portion, and the substrate side on which the light emitting element is mounted. The light transmitted through the substrate was observed on the (light emitting element mounting substrate side having a recessed space). The transmitted light was mild, but bright was considerably larger than that of a substrate using a lid which did not form a vapor deposition film. This shows that the vapor deposition film formed in the lid fully functions as a reflection member. In addition, the decrease of the brightness by the electric circuit formed in the surface of the board | substrate using the sintered compact which has a ceramic material as a main component with respect to the transmitted light in each said board | substrate was hardly observed.

또한 본 실시예에 대해 이용한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 중 실시예 23의 실험 No.334 및 363으로 제작한 것을 이용한 발광소자 탑재용 기판에서는 실시예 23 및 실시예 27로 같이 발광소자 구동용의 전기 회로 패턴은 특별히 마련하지 않고, 발광소자 구동용의 전위를 인가하기 위한 1 mm각의 전극을 Ti/Pt/Au박막에 의해 2개소 형성한 것만으로 전기 회로 패턴 형성하지 않았다. 즉 실시예 23 및 실시예 27과 같게 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 자체의 전기 전도성을 이용해 발광소자에게 구동 전력을 공급했다.In the light emitting element mounting substrate using the one produced by the experiment Nos. 334 and 363 of Example 23 among the sintered bodies mainly composed of zinc oxide used in the present Example, The electric circuit pattern was not particularly provided, and the electric circuit pattern was not formed only by forming two electrodes of 1 mm angle for applying the electric potential for driving the light emitting element by the Ti / Pt / Au thin film. That is, as in Example 23 and Example 27, driving power was supplied to the light emitting element by using the electrical conductivity of the sintered body itself containing zinc oxide as a main component.

이와 같이 본 실시예에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성한 피막이 반사 부재로서 기능해 발광소자의 발광 방향을 제어할 수 있어 한층 더 발광 강도의 제어가 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다. 또 이 반사 부재로서의 기능은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성의 유무에 의하지 않는 것도 확인할 수 있었다.As described above, it was confirmed that the film formed on the sintered body composed mainly of the ceramic material as the main component functions as a reflecting member to control the light emission direction of the light emitting device, and thus the light emission intensity can be further controlled. It was also confirmed that the function as the reflective member was not dependent on the presence or absence of light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

실시예 29Example 29

본 실시예는, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 비교적 높은 굴절률을 가지는 피막을 형성했을 때의 상기 각 소결체의 반사율의 변화에 대해 조사한 것이다.The present Example investigates the change of the reflectance of each said sintered compact when the film | membrane which has a comparatively high refractive index is formed in the sintered compact which has a ceramic material as a main component.

다음에 이러한 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 경면 연마면에 대해서 ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, 다이아몬드, SiC, TiO2의 각 피막을 스팩터법 및 CVD법에 의해 형성했다. 형성한 각 피막의 두께는 각각 2.0μm이다. 그 후 피막이 형성된 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 반사율을 측정했다. 또, 별도 상기 각종 피막을 두께 1 mm의 용해 석영 유리에 2.0μm의 두께로 형성해 파장 605 nm의 단색광으로 반사 부재 자체의 굴절률을 측정했다. 제작한 각종 피막의 굴절률은 모두 2.1이상이었다. 또 그 때 각종 피막 자체의 광투과율도 측정해, 모든 피막의 광투과율은 80%이상으로 투명성이 높은 것을 확인했다. 이러한 측정 결과를 표 26에 나타냈다.Next, ZnO, Si 3 N 4, ZrO 2, AIN, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, diamond, SiC, and TiO 2 were formed by the sputtering method and the CVD method on the mirror polished surface of the sintered body mainly composed of such ceramic materials. The thickness of each formed film is 2.0 micrometers, respectively. Then, the reflectance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which has each ceramic material with a film as a main component was measured. Moreover, the said various films were formed separately in the thickness of 2.0 micrometers in the molten quartz glass of thickness 1mm, and the refractive index of the reflective member itself was measured by monochromatic light of wavelength 605nm. The refractive indexes of the produced various films were all 2.1 or more. At that time, the light transmittances of the various coatings themselves were also measured, and it was confirmed that the light transmittances of all the coatings were high at 80% or more. These measurement results are shown in Table 26.

피막이 형성되어 있지 않은 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에서는 파장 605 nm의 단색광에 대한 반사율이 8%~15%인 것에 대해, 상기 각종 피막이 형성된 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에서는 모두 반사율이 70%이상으로 향상해, 거의 모든 것으로 반사율이 90%이상으로 향상했다. 이것은 아마 형성한 각 피막의 굴절률이 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 자체의 굴절률(산화 아연을 주성분으로 하는 소결체로 2.0, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체로 2.2, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체로 1.7, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체로 1.9, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체로 1.6)보다 크기 때문에 전반사가 생긴 결과여도 생각된다. 또 형성한 각 피막의 대부분의 것은 굴절률이 각각의 세 라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률보다 0.3이상 높기 때문에 반사율이 90%이상으로 향상한 것이라고 생각된다.In the sintered body containing each ceramic material without a coating as a main component, the reflectance for monochromatic light having a wavelength of 605 nm is 8% to 15%. In the sintered body containing each ceramic material in which the various coatings are formed as a main component, all reflectances are 70%. We improved more than this and almost all improved reflectance to more than 90%. This is probably because the refractive index of each film formed is the refractive index of the sintered body itself whose main component is each ceramic material (a sintered body composed of zinc oxide as the main component 2.0, a sintered body composed mainly of beryllium oxide 1.7, and a sintered body composed mainly of aluminum oxide 1.7 Sintered body composed mainly of zirconium oxide 2.2, sintered body composed mainly of magnesium oxide 1.7, sintered body composed mainly of magnesium aluminate 1.7, sintered body composed mainly of yttrium oxide 1.9, and sintered body composed mainly of crystallized glass As it is larger than 1.6), it may be a result of total reflection. In addition, most of the formed films are considered to have improved the reflectance to 90% or more because the refractive index is 0.3 or more higher than that of the sintered body composed mainly of each ceramic material.

또한 피막의 굴절률은 실시예 19와 같게 미국 「SCI(Scientific　Computing　International) 회사」제의 분광 광도계(Spectrophotometer) 「제품명：FilmTek4000」을 이용해 측정했다. 또. 피막의 광투과율 및 피막 형성 전후의 소결체의 반사율은 실시예 19로 같이 히타치 제작소제의 분광 광도계 U－4000을 이용했다.In addition, the refractive index of the film was measured using the spectrophotometer "Product name: FilmTek4000" by the American "Scientifice Computing International" company like Example 19. In addition. The light transmittance of the film and the reflectance of the sintered body before and after the film formation were the same as those of Example 19, and spectrophotometer U-4000 manufactured by Hitachi, Ltd. was used.

다음에 본 실시예에 대해 제작한 상기 각 피막을 형성한 기판장의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 모든 것을 이용하고 각각 10mm/10mm/0.5mm의 크기를 잘라, 한 면에 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자 구동용의 전기 회로를 형성해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 이와 같이 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 방출 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 투과한 빛은 약하고 거의 관찰되지 않는다. 발광소자로부터의 발광은 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측에 날카롭고 강한 빛이 되어 기판 외부로 방출되고 있었다(즉, 발광소자가 탑재되고 있는 기판면에서(보다) 상부에 향하는 빛만이 실질적으로 관찰되었다). 또한 참고를 위해 상기 각 피막을 형성하고 있지 않는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판에서는 기판을 투과한 발광소자로부터의 밝은 온화한 빛이 관찰된다. 이와 같이 상기 각 피막 및 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체는 각각 높은 광투과율을 가지는 것에도 불구하고 상기 각 피막이 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작된 발광소자 탑재용 기판에서는 기판을 투과하는 발광소자로부터의 빛의 강도가 극적으로 감소하는 것이 관찰된다. 이것은 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체에 대해서 형성한 ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, 다이아몬드, SiC, TiO2의 각 피막이 발광소자 탑재용 기판에 대해도 반사 부재로서 기능하고 있는 것을 나타내고 있다.Next, using all of the sintered bodies made mainly of the ceramic material of the substrate sheet on which the respective films were formed according to the present embodiment, the sizes of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm were cut, respectively, on one side of the Ti / Pt / Au thin film. As a result, an electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 µm was formed to produce a substrate for mounting a light emitting element. A light emitting device manufactured by using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer by laminating an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component on a light emitting device mounting substrate manufactured as described above. Was mounted to emit light by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the emission state from the substrate of the above emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light which transmitted through the board | substrate which consists of the sintered compact which has a ceramic material as a main component in all the light emitting element mounting boards produced is weak and hardly observed. The light emitted from the light emitting element became sharp and strong light on the side of the substrate on which the light emitting element is mounted, and was emitted outside the substrate (that is, only light directed upward from the surface of the substrate on which the light emitting element was mounted was substantially applied. Observed). In addition, in the light emitting element mounting substrate manufactured using the sintered body whose main component is the ceramic material which does not form each said film for reference, the bright gentle light from the light emitting element which permeate | transmitted the board | substrate is observed. As described above, although the sintered bodies having the respective coating films and the ceramic materials as the main components have high light transmittances, the substrate for light emitting device mounting made of the sintered bodies having the ceramic materials having the coating films as the main components transmits the substrate. It is observed that the intensity of light from the light emitting element decreases dramatically. These include sintered bodies composed mainly of zinc oxide, sintered bodies composed mainly of beryllium oxide, sintered bodies composed mainly of aluminum oxide, sintered bodies composed mainly of zirconium oxide, sintered bodies composed of magnesium oxide, sintered bodies composed of magnesium aluminate, Each film of ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, diamond, SiC, TiO2 formed on a sintered body containing yttrium oxide as a main component and a sintered body containing crystallized glass as a main component is also a reflective member. It is functioning as.

이러한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 투과하는 빛의 감소 혹은 실질적으로 기판을 투과하는 빛이 관찰되지 않는다고 하는 현상, 및 발광소자로부터의 빛은 상기 발광소자가 탑재되고 있는 기판면측에 강한 빛이 되어 기판 외부로 방출되는 현상은 본 실시예에 대해 각 피막을 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작된 발광소자 탑재용 기판 뿐만이 아니라, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작되는 모든 발광소자 탑 재용 기판에 대해, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하거나 혹은 그 이상의 굴절률을 가지는 재료가 형성된 것을 이용한 발광소자 탑재용 기판으로 관찰된다.The phenomenon that the reduction of light transmitted through the substrate made of a sintered body composed mainly of such a ceramic material or the light transmitted through the substrate is not observed, and the light from the light emitting device is strong on the substrate surface side on which the light emitting device is mounted. The phenomenon that light is emitted to the outside of the substrate is produced by using a sintered body composed mainly of a ceramic material as well as a substrate for mounting a light emitting element manufactured using a sintered body composed mainly of a ceramic material having each film formed thereon according to the present embodiment. For all light emitting device mounting substrates, it is observed as a light emitting device mounting substrate using a material having a refractive index equal to or higher than the refractive index of the sintered body including the ceramic material as a main component. .

다음에 실시예 28로 제작한 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체(산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체)를 이용해 제작된 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판을 준비했다. 음푹패인 공간내의 발광소자 탑재면에는 Ti/Pt/Au박막에 의해 폭 50μm의 발광소자 구동용의 전기 회로가 형성되고 있다. 상기 전기 회로에는 발광소자 고착용 전극도 포함된다. 또 그 외의 예를 들면 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금 등의 증착 피막 등은 형성되어 있지 않다. 또, 별로 뚜껑으로서 이용하는 10mm/10mm/0.5mm의 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 판 모양 기판을 준비했다. 다음에 박막에 의한 전기 회로가 형성된 발광소자 탑재용 기판의 음푹패인 공간내의 측벽이라고 상기뚜껑으로서 이용하는 판 모양 기판의 한 면에 ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, 다이아몬드, SiC, TiO2의 각 피막을 각각 두께 2.0μm형성했다. 이들 각 피막은 본 실시예의 표 26으로 가리킨 세라믹 재료에 대응한 것과 같은 편성으로 형성했다. 예를 들면 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체의 경우는 피막으로서는 TiO2, Nb2O5, SiC, 및 AIN이며, 산화 알루미늄 을 주성분으로 하는 소결체의 경우는 피막으로서는 AIN, Ta2O5, TiO2, 및 ZnO이다. 또, 이들 피막의 형성은 표 26에 기재된 것과 같은 방법을 이용했다. 한편, 음푹패인 공간내의 발광소자가 탑재되는 면에는 이들 ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, 다이아몬드, SiC, TiO2의 각 피막은 형성되어 있지 않다. 이와 같이 해 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 대응한 피막을 형성한 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 제작한 각 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 1 mm각의 발광소자를 Au(10 중량%)/Sn를 주성분으로 하는 합금제저융점 납재를 이용해 도 24에 나타나듯이 고착, 반전 실장하는 것으로 탑재해, 미리 제작해 둔 ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, 다이아몬드, SiC, TiO2의 각 피막을 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 판 모양 기판을 뚜껑으로서 이용하고 땜납에 의해 봉지했다. 그 후 발광소자에게 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 뚜껑 및 기판측벽으로부터의 투과광의 힘은 약하고 혹은 거의 관찰되지 않았다. 한편뚜껑 및 기판측벽 이외의 부분(즉 기판의 발광소자가 탑재되고 있는 면과 반대측의 표면)으로부터는 기판을 투과한 강하고 밝은 빛이 관찰되었지만 그 투과광은 온화한 것이었다. 이것은 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 대해서 형성한 ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, 다이아몬드, SiC, TiO2 등의 각 피막이 발광소자 탑재용 기판에 대해도 반사 부재로서 기능하고 있는 것을 나타 내고 있다.Next, a sintered body containing each ceramic material produced in Example 28 as a main component (sintered body containing zinc oxide as a main component, a sintered body containing beryllium oxide as a main component, a sintered body containing aluminum oxide as a main component, a sintered body containing zirconium oxide as a main component, and oxidation Substrate for mounting a light emitting device having a pitted space (cavity) manufactured by using a sintered body composed mainly of magnesium, a sintered body composed of magnesium aluminate, a sintered body composed mainly of yttrium oxide, and a sintered body composed mainly of crystallized glass) Prepared. An electric circuit for driving a light emitting element having a width of 50 µm is formed on the light emitting element mounting surface in the recessed space by Ti / Pt / Au thin film. The electrical circuit also includes a light emitting element fixing electrode. For example, vapor deposition films, such as aluminum, gold, silver, copper, a palladium, and platinum, are not formed. Moreover, the board-shaped board | substrate which consists of a sintered compact which has each 10 mm / 10 mm / 0.5 mm ceramic material used as a cover separately as a main component was prepared. Next, ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, diamond, SiC, TiO2 are formed on one side of the plate-shaped substrate to be used as the lid, as a sidewall in the recessed space of the light emitting element mounting substrate on which the electric circuit by thin film is formed. Each film was formed with a thickness of 2.0 m. Each of these films was formed by the same knitting as that corresponding to the ceramic material indicated in Table 26 of this example. For example, in the case of a sintered body containing zinc oxide as a main component, the coating is TiO 2, Nb 2 O 5, SiC, and AIN. In the case of a sintered body containing aluminum oxide as the main component, the coating is AIN, Ta 2 O 5, TiO 2, and ZnO. In addition, the formation of these films used the same method as Table 26. On the other hand, these films of ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, diamond, SiC, and TiO2 are not formed on the surface on which the light emitting element in the recessed space is mounted. Thus, the light emitting element mounting board | substrate which produced the film corresponding to the sintered compact which has each ceramic material as a main component was produced. A 1 mm-angle light emitting device manufactured by using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer was laminated by stacking an epitaxial film containing at least one selected from among commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride on each of the prepared substrates. As shown in Fig. 24, a low melting point brazing alloy made of Au (10% by weight) / Sn is used to fix and reverse mount, and ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, diamond, The plate-shaped board | substrate which consists of a sintered compact which has the ceramic material which formed each film of SiC and TiO2 as a main component as a lid was sealed with solder. Thereafter, electric power was applied at 3.5 V / 350 mA to the light emitting element to emit light, and the transmission state from the light emitting substrate was visually confirmed. As a result, the force of the transmitted light from the lid and the substrate side wall was weak or hardly observed with all the light emitting element mounting substrates. On the other hand, strong and bright light transmitted through the substrate was observed from portions other than the lid and the substrate side wall (that is, the surface opposite to the surface on which the light emitting element of the substrate is mounted), but the transmitted light was mild. This indicates that the films formed on the sintered body composed mainly of each ceramic material, such as ZnO, Si3N4, ZrO2, AIN, Nb2O5, Ta2O5, diamond, SiC, TiO2, etc., also function as reflecting members with respect to the substrate for mounting a light emitting element. I'm paying.

또한 본 실시예에 대해 이용한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 중 실시예 23의 실험 No.334 및 363으로 제작한 것을 이용한 발광소자 탑재용 기판에서는 실시예 23, 실시예 27 및 실시예 28로 같이 발광소자 구동용의 전기 회로 패턴은 특별히 마련하지 않고, 발광소자 구동용의 전위를 인가하기 위한 1 mm각의 전극을 Ti/Pt/Au박막에 의해 2개소 형성한 것만으로 전기 회로 패턴 형성하지 않았다. 즉 실시예 23, 실시예 27 및 실시예 28로 같이 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체 자체의 전기 전도성을 이용해 발광소자에게 구동 전력을 공급했다.Further, in the light emitting element mounting substrate using the one manufactured by Experiment Nos. 334 and 363 of Example 23 among the sintered bodies containing zinc oxide as the main component of the present Example, light emission was carried out as Example 23, Example 27 and Example 28. The electric circuit pattern for element driving was not particularly provided, and the electric circuit pattern was not formed only by forming two 1 mm-angle electrodes by Ti / Pt / Au thin film for applying the electric potential for driving the light emitting element. That is, as in Example 23, Example 27 and Example 28, the driving power was supplied to the light emitting element by using the electrical conductivity of the sintered body itself containing zinc oxide as a main component.

이와 같이 본 실시예에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성한 비교적 굴절률의 높은 재료를 이용한 피막이 반사 부재로서 기능해 발광소자의 발광 방향을 제어할 수 있어 한층 더 발광 강도의 제어가 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다. 또 이 반사 부재로서의 기능은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성의 유무에 의하지 않는 것도 확인할 수 있었다.As described above, the film using the relatively high refractive index material formed on the sintered body containing the ceramic material as the main component functions as a reflecting member to control the light emitting direction of the light emitting device. Could confirm. It was also confirmed that the function as the reflective member was not dependent on the presence or absence of light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

실시예 30Example 30

본 실시예는 실시예 28로 제작한 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금의 증착 피막을 한쪽 편 전면에 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 외에, 두께 0.4μm의 마그네슘, 아연, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 및 텅스텐(70 중량%)과 동(30 중량%)과의 합금의 피막을 한쪽 편 전면에 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체(산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 지르코늄을 주성분으로 하 는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체)의 반사율을 조사한 것이다.This embodiment is 0.4 μm thick magnesium, zinc, nickel, in addition to a sintered body composed mainly of a ceramic material formed by depositing a coating film of aluminum, gold, silver, copper, a parodydium, and platinum formed on the entire surface of Example 28. , A sintered body composed mainly of a ceramic material in which a film of an alloy of tungsten, molybdenum, and tungsten (70% by weight) and copper (30% by weight) is formed on one surface thereof (a sintered body containing zinc oxide and beryllium oxide) Sintered body composed mainly of aluminum oxide, Sintered body composed mainly of aluminum oxide, Sintered body composed mainly of zirconium oxide, Sintered body composed mainly of magnesium oxide, Sintered body composed mainly of magnesium aluminate, Sintered body composed of yttrium oxide, and crystallized glass The reflectance of the sintered compact containing as a main component is investigated.

세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로서 실시예 23, 실시예 24, 실시예 25, 및 실시예 26으로 제작한 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체, 산화 베릴륨을 주성분으로 하는 소결체, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 지르코늄을 주성분으로 하는 소결체, 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 알루민산마그네슘을 주성분으로 하는 소결체, 산화 이트륨을 주성분으로 하는 소결체, 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 준비해, 각각의 소결체의 경면 연마한 면에 대해서 두께 0.4μm의 마그네슘, 아연, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 및 텅스텐(70 중량%)과 동(30 중량%)과의 합금의 각 피막을 형성했다. 이들 피막 중 마그네슘, 아연, 니켈의 피막은 증착법에 의해 형성한 것이어, 텅스텐, 몰리브덴, 및 텅스텐 70 중량%과 동 30 중량%과의 합금의 피막은 스팩터법에 의해 형성한 것이다. 이러한 피막을 형성한 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 반사율을 측정했다. 그 결과를 표 27에 나타냈다. 표 27에 나타나듯이 마그네슘, 및 아연의 증착 피막이 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 모두 80%이상으로 높은 것으로 있었다. 또, 텅스텐(70 중량%)과 동(30 중량%)과의 합금의 피막이 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 70%이상이었다. 또 니켈, 텅스텐 및 몰리브덴의 피막이 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 반사율은 모두 50%이상이었다.As a sintered body having a ceramic material as a main component, a sintered body containing zinc oxide as a main component produced in Examples 23, 24, 25 and 26, a sintered body containing beryllium oxide as a main component, and a sintered body containing aluminum oxide as a main component , A sintered compact composed of zirconium oxide as a main component, a sintered compact composed of magnesium oxide, a sintered compact composed of magnesium aluminate, a sintered compact composed of yttrium oxide, and a sintered compact composed of crystallized glass as a main component Each film of the alloy of magnesium, zinc, nickel, tungsten, molybdenum, and tungsten (70 wt%) and copper (30 wt%) having a thickness of 0.4 µm was formed on the polished surface. Among these films, films of magnesium, zinc and nickel are formed by vapor deposition, and alloy films of 70% by weight of tungsten, molybdenum and tungsten with 30% by weight of copper are formed by the sputter method. The reflectance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which has each ceramic material which formed such a film as a main component was measured. The results are shown in Table 27. As shown in Table 27, the reflectances of the sintered body mainly composed of the ceramic material in which the vapor deposition film of magnesium and zinc were formed were all high as 80% or more. Moreover, the reflectance of the sintered compact which has a ceramic material in which the coating film of the alloy of tungsten (70 weight%) and copper (30 weight%) was formed as a main component was 70% or more. In addition, the reflectances of the sintered compact mainly containing the ceramic material in which the film of nickel, tungsten, and molybdenum were formed were 50% or more.

실시예 31Example 31

본 실시예는 소결체 내부에 전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성에 대해 조사한 예를 나타낸다. 조사한 세라믹 재료는 산화 알루미늄 및 결정화 유리이다.This embodiment shows an example in which the light transmittance of a sintered body mainly containing a ceramic material having an electric circuit inside the sintered body is investigated. The investigated ceramic materials are aluminum oxide and crystallized glass.

우선, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해 조사한 예를 말한다.First, the example which investigated about the sintered compact which has aluminum oxide as a main component is said.

산화 알루미늄(Al2O3) 원료 분말로서 스미토모 화학공업 주식회사제의 「ARL－M41」그레이드를 준비해, 상기 산화 알루미늄 분말에 산화 마그네슘 분말을 MgO 환산으로 2.0 몰%, 탄산칼슘(CaCO3) 분말을 CaO 환산으로 2.0 몰%, 실리카 분말을 SiO2 환산으로 4.0 몰%더한 것을 톨루엔 및 이소프로필 알코올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 아크릴 바인더를 분말 원료 100 중량부에 대해서 9 중량부 더하고 게다가 12시간 혼합하는 것으로 페이스트화해 독터 블레이드법으로 두께 0.30 mm 및 0.60 mm의 그린 시트를 제작했다. 또 별로 상기 산화 알루미늄 분말에 산화 마그네슘 분말을 MgO 환산으로 1.0 몰%, 탄산칼슘(CaCO3) 분말을 CaO 환산으로 0.2 몰%, 산화 이트륨 분말을 Y2O3 환산으로 0.04 몰%더한 것을 톨루엔 및 이소프로필 알코올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 아크릴 바인더를 분말 원료 100 중량부에 대해서 9 중량부 더하고 게다가 12시간 혼합하는 것으로 페이스트화해 독터 블레이드법으로 두께 0.30 mm 및 0.60 mm의 그린 시트를 제작했다. 한층 더 상기 산화 알루미늄 분말에 산화 마그네슘 분말을 MgO 환산으로 2.0 몰%, 탄산칼슘(CaCO3) 분말을 CaO 환산으로 2.0 몰%, 실리카 분말을 SiO2 환산으로 4.0 몰%, 산화 티탄 분말을 TiO2 환산으로 0.3 몰%, 및 산화 크로늄 분말을 Cr2O3 환산으로 0.3 몰%더한 것을 톨루엔 및 이소프로필 알코올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 아크릴 바인더를 분말 원료 100 중량부에 대해서 9 중량부 더하고 게다가 12시간 혼합하는 것으로 페이스트화해 독터 블레이드법으로 두께 0.30 mm 및 0.60 mm의 그린 시트를 제작했다. 제작한 상기 3 종류의 조성을 가지는 그린 시트로부터 한 변 35 mm의 정방형장의 시트를 제작해 이 시트에 펀칭기 및 YAG 레이저로 표리면을 관통하는 직경 25μm, 50μm, 250μm의 원형 스루홀을 형성했다. 일부의 두께 0.6 mm의 시트는 음푹패인 공간을 형성하기 위해서 8 mm각의 정방형의 구멍이 구멍 뚫려있다. 다음에 용매로서α테르피네오르, 바인더로서 아크릴 수지를 더하고 도전성 성분으로서 순텅스텐 분말, 50 체적%텅스텐＋50 체적%동의 혼합 분말 및 순동분말을 이용해 3 종류의 도전성 페이스트를 제작했다. 이 페이스트의 일부를 이용하고 상기의 스루홀내에 충전했다. 또 페이스트의 일부를 이용해 각 시트에 폭 100μm의 배선을 인쇄했다. 그 후 두께 0.3 mm의 시트를 2매 적층해 내부에 도통 비아와 전기 배선을 가져 표면에도 전기 배선을 가지는 시트를 제작했다. 또 두께 0.6 mm의 시트 1매와 사각의 구멍이 구멍 뚫려있는 시트 2매를 적층해 내부에 도통 비아와 전기 배선을 가져 표면에도 전기 배선을 선 밖에 뚜껑 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 시트를 제작했다. 이들 적층된 시트를 건조 후 수소 12.5 체적%를 포함한 습기 질소 분위기중 1550℃으로 2시간 상압 소성하여 내부에 도통 비아와 전기 배선을 가져 표면에도 전기 배선을 가지는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 얻을 수 있던 각 소결체의 외형 치수는 수축해 29 mm29 mm각~30 mm30 mm각의 크기였다. 두께 0.6 mm의 시트를 적층해 제작한 산화 알루미늄을 주 성분으로 하는 소결체에는 대략 6.7mm6.7mm깊이 1.0 mm의 음푹패인 공간이 형성되고 있다. 소결체 전체의 두께는 대략 1.5 mm이며, 음푹패인 공간부의 기판 두께는 대략 0.5 mm이었다. 또 0.3 mm의 시트를 적층해 얻을 수 있던 평판 모양의 소결체의 두께는 대략 0.5 mm이었다. 얻을 수 있던 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해, 최초 그린 시트의 스루홀에 충전한 금속 성분은 소결 혹은 용해 응고에 의해 충분히 치밀화해 도전성이 발현하고 있어 각 조성의 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와도 긴밀히 일체화해 도통 비아로서 기능하고 있다. 또 내부의 전기 배선도 각 조성의 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와 긴밀히 일체화해 전기 회로로서 기능하고 있다. 텅스텐, 50 체적%텅스텐＋50 체적%동, 동의 각 도전성 재료와 각 조성의 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체와의 사이에는 반응이 인정받지 않는다. 얻을 수 있던 도통 비아의 크기는 소성 후 수축해 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 내부에서 각각 직경 214~221μm, 41~44μm 및 21~23μm이 되어 있었다. 전기 배선의 폭은 83μm~87μm이었다. 제작된 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 표면에 형성되고 있는 텅스텐 배선, 텅스텐 50 체적%동 50 체적%배선, 및 동배선에는 각각 Ni/Au도금을 베풀었다. 또한 상기 도통 비아는 10mm/10mm의 면적에 1~30개 형성되도록 배치되고 있다. 또, 티탄 및 크롬 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체는 흑색에 정색 하고 있다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 도통 비아 및 전기 배선을 가지는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 파장 605 nm의 단색광에 대한 광투과율을 측정해 그 후 도통 비아의 실온에 있어서의 저항을 4 단자법으로 측정해 도통 비아 의 형상으로부터 실온에 있어서의 저항율을 산출했다. 광투과율은 0.3 mm의 시트를 적층해 얻을 수 있던 두께 대략 0.5 mm의 평판 모양의 소결체의 표면을 브러쉬로 세정한 구워 놓은(as－fire) 상태의 것을 이용해 측정했다. 그 결과 상기 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 2.0 몰%, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 2.0 몰%, 및 규소 성분을 SiO2 환산으로 4.0 몰%포함하는 것은 내부에 도통 비아 및 전기 배선 등의 전기 회로가 형성되고 있는 것이어도 텅스텐을 도체로 한 것으로 광투과율 57%, 텅스텐＋동의 합금을 도체로 한 것으로 광투과율 53%, 동을 도체로 한 것으로 광투과율 52%과 뛰어난 것이었다. 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 1.0 몰%, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.2 몰%, 및 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.04 몰%포함하는 것은 내부에 텅스텐의 도통 비아 및 전기 배선 등의 전기 회로가 형성되고 있는 것으로 광투과율 83%, 텅스텐＋동의 도통 비아 및 전기 배선이 형성되고 있는 것으로 광투과율 81%, 동의 도통 비아 및 전기 배선이 형성되고 있는 것이어도 광투과율 80%과 한층 더 뛰어난 것이었다. 한편 마그네슘 성분을 MgO 환산으로 2.0 몰%, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 2.0 몰%, 규소 성분을 SiO2 환산으로 4.0 몰%, 티탄 성분을 TiO2 환산으로 0.3 몰%, 및 크롬 성분을 Cr2O3 환산으로 0.3 몰% 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 모두 0%이었다. 이것은 내부에 도통 비아 및 전기 배선 등의 전기 회로가 형성되고 있는 제발에 관계없이 원래 상기 조성의 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 자체가 광투과성을 가지지 않는 것으로 있는 것이 원인이라고 생각된다. 또한 도통 비아의 실온에 있어서의 저항율은 1.910－6Ωcm~8.210－6Ωcm의 범위였 다. 이러한 결과를 표 28에 나타냈다.Prepare "ARL-M41" grade made by Sumitomo Chemical Co., Ltd. as aluminum oxide (Al2O3) raw material powder, 2.0 mol% of magnesium oxide powder in MgO conversion, and calcium carbonate (CaCO3) powder in CaO conversion 2.0 After molar% and 4.0% by weight of silica powder in terms of SiO2, the mixture was pulverized and mixed with toluene and isopropyl alcohol for 24 hours in a ball mill, and then 9 parts by weight of the acrylic binder was added to 100 parts by weight of the powder raw material, followed by pasting for 12 hours. Green sheets having a thickness of 0.30 mm and 0.60 mm were produced by the doctor blade method. In addition, the aluminum oxide powder was added with 1.0 mol% of magnesium oxide powder in terms of MgO, 0.2 mol% of calcium carbonate (CaCO3) powder in terms of CaO, and 0.04 mol% of yttrium oxide powder in terms of Y2O3, and toluene and isopropyl alcohol. After pulverizing and mixing together with a ball mill for 24 hours, 9 parts by weight of the acrylic binder was added to 100 parts by weight of the powder raw material and further mixed for 12 hours to prepare a green sheet having a thickness of 0.30 mm and 0.60 mm by the doctor blade method. Furthermore, 2.0 mol% of magnesium oxide powder in MgO conversion, 2.0 mol% of calcium carbonate (CaCO3) powder in CaO conversion, 4.0 mol% of silica powder in SiO2 conversion, 0.3 mol of titanium oxide powder in TiO2 conversion to the aluminum oxide powder. Molar% and 0.3 mol% of chromium oxide powder in terms of Cr2O3 were pulverized and mixed in a ball mill with toluene and isopropyl alcohol for 24 hours, and then 9 parts by weight of the acrylic binder was added to 100 parts by weight of the powder raw material and mixed for 12 hours. The green sheet of thickness 0.30 mm and 0.60 mm was produced by the doctor blade method. A 35 mm square sheet was produced from the green sheets having the above three kinds of compositions, and circular through holes having a diameter of 25 μm, 50 μm, and 250 μm penetrating the front and back surfaces were punched with a punching machine and a YAG laser. Some sheets with a thickness of 0.6 mm are perforated with square holes of 8 mm angle to form a pitted space. Next, α terpineor was added as a solvent, an acrylic resin as a binder, and three types of conductive pastes were prepared using pure tungsten powder, a mixed powder of 50 vol% tungsten + 50 vol% copper, and pure copper powder as the conductive component. A part of this paste was used to fill in said through hole. Moreover, the wiring of 100 micrometers width was printed on each sheet using a part of paste. Thereafter, two sheets of 0.3 mm thick were laminated, and a sheet having conductive vias and electrical wiring therein and having electrical wiring on the surface was produced. In addition, one sheet with a thickness of 0.6 mm and two sheets with rectangular holes are laminated, and a sheet having a through hole (cavity) is formed on the surface with conductive vias and electrical wires on the surface. did. The laminated sheets were dried at atmospheric pressure at 1550 ° C. for 2 hours in a humid nitrogen atmosphere containing 12.5% by volume of hydrogen, thereby obtaining a sintered body mainly composed of aluminum oxide having conductive vias and electrical wiring therein and having electrical wiring on the surface thereof. The outer dimension of each obtained sintered compact contracted and was the size of 29 mm29 mm square-30 mm30 mm square. In the sintered body mainly composed of aluminum oxide produced by laminating sheets having a thickness of 0.6 mm, a recessed space of approximately 6.7 mm 6.7 mm depth 1.0 mm is formed. The thickness of the whole sintered compact was about 1.5 mm, and the board | substrate thickness of the well spaced part was about 0.5 mm. Moreover, the thickness of the flat sintered compact obtained by laminating | stacking a 0.3 mm sheet was about 0.5 mm. About the sintered compact which has the obtained aluminum oxide as a main component, the metal component filled in the through hole of the green sheet for the first time is densified sufficiently by sintering or melt coagulation, and electroconductivity is expressed, and the sintered compact which has aluminum oxide of each composition as a main component It is also tightly integrated and functions as a conductive via. Moreover, the internal electrical wiring also functions as an electric circuit by integrating tightly with the sintered compact which has aluminum oxide of each composition as a main component. Reaction is not recognized between tungsten, 50% by volume tungsten + 50% by volume copper, and each conductive material of copper and a sintered body composed mainly of aluminum oxide of each composition. The obtained conductive vias were shrunk after firing and had diameters of 214 to 221 µm, 41 to 44 µm, and 21 to 23 µm, respectively, in the sintered body mainly composed of aluminum oxide. The width of the electrical wiring was 83 μm to 87 μm. Ni / Au plating was applied to the tungsten wiring, the tungsten 50 volume% copper 50 volume% wiring, and the copper wiring formed on the surface of the produced sintered body mainly composed of aluminum oxide. In addition, the conductive vias are arranged to form 1 to 30 in an area of 10 mm / 10 mm. Moreover, the sintered compact which mainly contains aluminum oxide containing a titanium and a chromium component is colored black. The light transmittance of monochromatic light having a wavelength of 605 nm was measured using a sintered body composed mainly of aluminum oxide having conductive vias and electrical wirings obtained in this way, and then the resistance at room temperature of the conductive vias was measured by a four-terminal method. The resistivity at room temperature was calculated from the shape of the through via. Light transmittance was measured using the thing of the as-fire state which brush-washed the surface of the flat sintered compact of about 0.5 mm thickness obtained by laminating | stacking the 0.3 mm sheet | seat. As a result, the inclusion of 2.0 mol% of magnesium component in terms of MgO, 2.0 mol% of calcium components in terms of CaO, and 4.0 mol% of silicon components in terms of SiO2 in the sintered compact mainly composed of aluminum oxide is used for conducting vias and electricity. Even when electrical circuits such as wiring were formed, tungsten was used as the conductor, 57% light transmittance, tungsten + copper alloy as the conductor, 53% light transmittance, and copper as the conductor. Containing 1.0 mole% of magnesium in terms of MgO, 0.2 mole% in terms of CaO, and 0.04 mole% of yttrium in terms of Y2O3 is used to form electrical circuits such as tungsten through vias and electrical wiring. As a result, 83% of light transmittance, through vias of tungsten + copper, and electrical wiring were formed, which was superior to 80% of light transmittance even when 81% of light transmittance, copper through vias, and electrical wiring were formed. Meanwhile, the magnesium component is 2.0 mol% in terms of MgO, the calcium component is 2.0 mol% in terms of CaO, the silicon component is 4.0 mol% in terms of SiO2, the titanium component is 0.3 mol% in terms of TiO2, and the chromium component is 0.3 mol in terms of Cr2O3. The light transmittances of the sintered compact containing aluminum oxide containing% as a main component were all 0%. This is considered to be due to the fact that the sintered body itself mainly having aluminum oxide having the above composition has no light transmittance regardless of whether electric circuits such as conductive vias and electrical wirings are formed therein. In addition, the resistivity at room temperature of the conductive via was in the range of 1.910-6Ωcm-8.210-6Ωcm. These results are shown in Table 28.

이하, 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체에 대해 조사한 예를 말한다.Hereinafter, the example which investigated about the sintered compact which has crystallized glass as a main component is said.

원료 분말로서 시판의 붕규산 유리 분말과 상기 스미토모 화학공업 주식회사제의 「ARL－M41」그레이드를 준비했다. 그 외에 첨가제로서 이용하기 위해서 신에츠 화학공업 주식회사제의 순도 99.9%의 La2O3 분말, 및 Y2O3 분말을 준비했다. 또한 상기 시판의 붕규산 유리 분말의 조성을 형광 X선분석 하면 SiO2：48.5 중량%, B2O3：10.6 중량%, Al2O3：22.4 중량%, CaO：14.5 중량%, MgO：4.0 중량%이었다.Commercial borosilicate glass powder and the "ARL-M41" grade made by Sumitomo Chemical Industry Co., Ltd. were prepared as a raw material powder. In addition, La2O3 powder of 99.9% purity and Y2O3 powder by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. were prepared for use as an additive. Further, the composition of the commercially available borosilicate glass powder was SiO 2: 48.5 wt%, B 2 O 3: 10.6 wt%, Al 2 O 3: 22.4 wt%, CaO: 14.5 wt%, MgO: 4.0 wt%.

다음에 상기붕규산 유리 분말 55 중량%과 산화 알루미늄 분말 45 중량%를 톨루엔 및 이소프로필 알코올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 아크릴 바인더를 분말 원료 100 중량부에 대해서 12 중량부 더하고 게다가 12시간 혼합하는 것으로 페이스트화해 독터 블레이드법으로 두께 0.30 mm 및 0.60 mm의 그린 시트를 제작했다. 또 별로 상기붕규산 유리 분말 54.725 중량%, 산화 알루미늄 분말 44.775 중량%, 및 La2O3 분말 0.50 중량%를 톨루엔 및 이소프로필 알코올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 아크릴 바인더를 분말 원료 100 중량부에 대해서 12 중량부 더하고 게다가 12시간 혼합하는 것으로 페이스트화해 독터 블레이드법으로 두께 0.30 mm 및 0.60 mm의 그린 시트를 제작했다. 한층 더 상기붕규산 유리 분말 54.725 중량%, 산화 알루미늄 분말 44.775 중량%, 및 Y2O3 분말 0.50 중량%를 톨루엔 및 이소프로필 알코올과 함께 볼 밀로 24시간 분쇄 혼합 후 아크릴 바인더를 분말 원료 100 중량부에 대해서 12 중량부 더하고 게다가 12시간 혼합하는 것으로 페이스트화 해 독터 블레이드법으로 두께 0.30 mm 및 0.60 mm의 그린 시트를 제작했다. 제작한 상기 3 종류의 조성과 각각의 조성에 대해 두께 0.3 mm 및 0.6 mm를 가지는 그린 시트로부터 한 변 35 mm의 정방형장의 시트를 제작해 이 시트에 펀칭기 및 YAG 레이저로 표리면을 관통하는 직경 25μm, 50μm, 250μm의 원형 스루홀을 형성했다. 두께 0.6 mm의 시트의 일부는 음푹패인 공간을 형성하기 위해서 8 mm각의 정방형의 구멍이 뚫려있다. 다음에 용매로서α테르피네오르, 바인더로서 아크릴 수지를 더하고 도전성 성분으로서 순은 분말 및 순동분말을 이용해 은을 주성분으로 하는 것 및 동을 주성분으로 하는 것이라는 2 종류의 도전성 페이스트를 제작했다. 이 페이스트의 일부를 이용하고 상기의 스루홀내에 충전했다. 또 페이스트의 일부를 이용해 각 시트에 폭 100μm의 배선을 인쇄했다. 그 후 두께 0.3 mm의 시트를 2매 적층해 내부에 도통 비아와 전기 배선을 가져 표면에도 전기 배선을 가지는 시트를 제작했다. 또 두께 0.6 mm의 시트 1매와 사각의 구멍이 구멍 뚫려있는 시트 2매를 적층해 내부에 도통 비아와 전기 배선을 가져 표면에도 전기 배선을 밖에 뚜껑 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 시트를 제작했다. 또한 음푹패인 공간내의 발광소자 탑재부에는 상기 스루홀에 도전성 페이스트를 충전하는 것으로써 서멀 비아가 형성되고 있다. 이들 적층된 시트 중 순은 분말의 도전성 페이스트를 이용한 것은 대기중 900℃으로 2시간 상압 소성하여 내부에 은을 주성분으로 하는 도통 비아와 전기 배선을 가져 표면에도 은을 주성분으로 하는 전기 배선을 가지는 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 또, 적층된 시트 중순동분말의 도전성 페이스트를 이용한 것은 질소중 900℃으로 2시간 상압 소성하여 내부에 동을 주성 분으로 하는 도통 비아와 전기 배선을 가져 표면에도 등을 주성분으로 하는 전기 배선을 가지는 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 얻을 수 있던 각 소결체의 외형 치수는 수축해 29 mm29 mm각~30 mm30 mm각의 크기였다. 두께 0.6 mm의 시트를 적층해 제작한 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체에는 대략 6.7mm6.7mm깊이 1.0 mm의 음푹패인 공간이 형성되고 있다. 소결체 전체의 두께는 대략 1.5 mm이며, 음푹패인 공간부의 기판 두께는 대략 0.5 mm이었다. 또 0.3 mm의 시트를 적층해 얻을 수 있던 평판 모양의 소결체의 두께는 대략 0.5 mm이었다. 얻을 수 있던 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체에 대해, 최초 그린 시트의 스루홀에 충전한 금속 성분은 충분히 치밀화해 도전성이 발현하고 있어 각 조성의 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체와도 긴밀히 일체화해 도통 비아로서 기능하고 있다. 또 내부의 전기 배선도 각 조성의 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체와 긴밀히 일체화해 전기 회로로서 기능하고 있다. 또 은 및 동의 각 도전성 재료와 각 조성의 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체와의 사이에는 반응이 인정받지 않는다. 얻을 수 있던 도통 비아의 크기는 소성 후 수축해 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체 내부에서 각각 직경 212~220μm, 41~43μm 및 20~23μm이 되어 있었다. 전기 배선의 폭은 82μm~86μm이었다. 제작된 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체 표면의 동배선에는 Ni/Au도금을 베풀었다. 또한 상기 도통 비아는 10mm/10mm의 면적에 1~30개 형성되도록 배치되고 있다. 이와 같이 해 얻을 수 있던 도통 비아 및 전기 배선을 가지는 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 파장 605 nm의 단색광에 대한 광투과율을 측정해 그 후 도통 비아의 실온에 있어서의 저항을 4 단자법으로 측정해 도통 비아의 형상으로부터 실온에 있어서의 저항율을 산출했다. 광투과율은 0.3 mm의 시트를 적층해 얻을 수 있던 두께 대략 0.5 mm의 평판 모양의 소결체의 표면을 브러쉬로 세정한 구워 놓은(as－fire) 상태의 것을 이용해 측정했다. 그 결과 상기 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체 중붕규산 유리 분말 55 중량%과 산화 알루미늄 분말 45 중량%과의 혼합에 의해 제작된 것은 내부에 도통 비아 및 전기 배선 등의 전기 회로가 형성되고 있는 것이어도 은을 도체로 해 대기중소성된 것으로 광투과율 36%이며, 동을 도체로 해 질소중에서 소성된 것으로 광투과율 33%이었다. 또, 상기 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체 중붕규산 유리 분말 54.725 중량%, 산화 알루미늄 분말 44.775 중량%, 및 La2O3 분말 0.50 중량%의 3 성분 혼합에 의해 제작된 것은 내부에 도통 비아 및 전기 배선 등의 전기 회로가 형성되고 있는 것이어도 은을 도체로 해 대기중소성된 것으로 광투과율 55%이며, 동을 도체로 해 질소중에서 소성된 것으로 광투과율 53%과 뛰어난 것이었다. 또, 상기 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체 중붕규산 유리 분말 54.725 중량%, 산화 알루미늄 분말 44.775 중량%, 및 Y2O3 분말 0.50 중량%의 3 성분 혼합에 의해 제작된 것은 내부에 도통 비아 및 전기 배선 등의 전기 회로가 형성되고 있는 것이어도 은을 도체로 해 대기중소성된 것으로 광투과율 74%이며, 동을 도체로 해 질소중에서 소성된 것으로 광투과율 70%과 한층 더 뛰어난 것이었다. 또한 도통 비아의 실온에 있어서의 저항율은 2.010－6Ωcm~2.710－6Ωcm의 범위였다. 이러한 결과를 표 28에 나타냈다.Next, 55% by weight of the borosilicate glass powder and 45% by weight of aluminum oxide powder were pulverized and mixed in a ball mill with toluene and isopropyl alcohol for 24 hours, and then 12 parts by weight of the acrylic binder was added to 100 parts by weight of the powder raw material, followed by 12 hours of mixing. The green sheet of thickness 0.30 mm and 0.60 mm was produced by the doctor blade method. In addition, 54.725% by weight of the borosilicate glass powder, 44.775% by weight of aluminum oxide powder, and 0.50% by weight of La2O3 powder were pulverized and mixed in a ball mill with toluene and isopropyl alcohol for 24 hours, and then 12% by weight of the acrylic binder was used with respect to 100 parts by weight of the powder raw material. In addition, the mixture was pasteurized for 12 hours to produce green sheets having a thickness of 0.30 mm and 0.60 mm by the doctor blade method. Further, 54.725% by weight of the borosilicate glass powder, 44.775% by weight of aluminum oxide powder, and 0.50% by weight of Y2O3 powder were pulverized and mixed with a toluene and isopropyl alcohol for 24 hours in a ball mill, and then 12% by weight of the acrylic binder with respect to 100 parts by weight of the powder raw material. In addition, the mixture was pasteurized for 12 hours to produce a green sheet having a thickness of 0.30 mm and 0.60 mm by the doctor blade method. A square sheet of 35 mm on one side was produced from the green sheets having the thicknesses of 0.3 mm and 0.6 mm for each of the three types of compositions prepared above and the respective compositions, and the sheet had a diameter of 25 μm penetrating the front and back surfaces with a punching machine and a YAG laser. , 50 μm, 250 μm circular through holes were formed. A part of the sheet having a thickness of 0.6 mm is drilled with a square hole of 8 mm angle to form a dent space. Next, two types of conductive pastes were prepared, which were? Terpineor as a solvent, acrylic resin as a binder, silver as the main component, and copper as the main component, using pure silver powder and pure copper powder as the conductive component. A part of this paste was used to fill in said through hole. Moreover, the wiring of 100 micrometers width was printed on each sheet using a part of paste. Thereafter, two sheets of 0.3 mm thick were laminated, and a sheet having conductive vias and electrical wiring therein and having electrical wiring on the surface was produced. In addition, one sheet with a thickness of 0.6 mm and two sheets with rectangular holes were laminated, and a sheet was formed having conductive vias and electrical wiring inside, and a surface having a dented space (cavity) outside the electrical wiring on the surface. . In addition, a thermal via is formed in the light emitting element mounting portion in the recessed space by filling the through hole with a conductive paste. Of these laminated sheets, the conductive paste made of pure silver powder was calcined at atmospheric pressure at 900 ° C. for 2 hours at atmospheric pressure to form a crystallized glass having a conductive via having mainly silver as the main component and an electrical wiring mainly composed of silver at the surface thereof. The sintered compact which has as a main component was obtained. In addition, the electrically conductive paste of the laminated sheet of the medium copper powder was subjected to atmospheric firing at 900 ° C. for 2 hours under nitrogen, and has a conductive via having copper as the main component therein and an electrical wiring mainly having a back and the like on the surface thereof. The sintered compact which has crystallized glass as a main component was obtained. The outer dimension of each obtained sintered compact contracted and was the size of 29 mm29 mm square-30 mm30 mm square. In the sintered body which has the crystallized glass which laminated | stacked the sheet | seat of thickness 0.6mm and produced as a main component, the recessed space of about 6.7mm6.7mm depth 1.0mm is formed. The thickness of the whole sintered compact was about 1.5 mm, and the board | substrate thickness of the well spaced part was about 0.5 mm. Moreover, the thickness of the flat sintered compact obtained by laminating | stacking a 0.3 mm sheet was about 0.5 mm. About the sintered compact which has the obtained crystallized glass as a main component, the metal component filled in the through hole of the green sheet for the first time is densified sufficiently, and electroconductivity is expressed, and it integrates closely with the sintered compact which has the crystallized glass of each composition as a main component, and conducts via It is functioning as. Moreover, the internal electrical wiring also closely integrates with the sintered compact which has crystallized glass of each composition as a main component, and functions as an electrical circuit. Moreover, reaction is not recognized between silver and copper each electroconductive material and the sintered compact which has the crystallized glass of each composition as a main component. The obtained via vias were shrunk after firing and were 212 to 220 µm, 41 to 43 µm, and 20 to 23 µm in diameter in the sintered body mainly composed of crystallized glass. The width of the electrical wiring was 82 µm to 86 µm. Ni / Au plating was given to copper wiring of the surface of the sintered compact which has the produced crystallized glass as a main component. In addition, the conductive vias are arranged to form 1 to 30 in an area of 10 mm / 10 mm. The light transmittance of monochromatic light having a wavelength of 605 nm was measured using a sintered body composed mainly of crystallized glass having conductive vias and electrical wirings obtained in this way, and then the resistance at room temperature of the conductive vias was measured by the 4-probe method. The resistivity at room temperature was calculated from the shape of the conductive via. Light transmittance was measured using the thing of the as-fire state which brush-washed the surface of the flat sintered compact of about 0.5 mm thickness obtained by laminating | stacking the 0.3 mm sheet | seat. As a result, it was produced by mixing 55% by weight of the sintered compact biborosilicate glass powder containing 45% by weight of the crystallized glass and 45% by weight of aluminum oxide powder, even though an electrical circuit such as a conductive via or an electrical wiring was formed therein. It was calcined in the air with a conductor and was 36% light transmittance. It was calcined in nitrogen with copper as a conductor and 33% light transmittance. In addition, the three-component mixture of 54.725% by weight of a sintered bicarbonate silicate glass powder, 44.775% by weight of aluminum oxide powder, and 0.50% by weight of La2O3 powder containing the crystallized glass as a main component was used for the electrical conduction of conductive vias and electrical wiring. Even if a circuit was formed, it was made of silver as a conductor and fired in air, and had a light transmittance of 55%. It was calcined in nitrogen using copper as a conductor, and was superior to a light transmittance of 53%. In addition, a three-component mixture of 54.725% by weight of a sintered bicarbonate silicate glass powder, 44.775% by weight of aluminum oxide powder, and 0.50% by weight of Y 2 O 3 powder containing the crystallized glass as a main component was used to provide electrical conductivity such as conductive vias and electrical wiring. Even though the circuit was formed, it was made of silver as a conductor, which was plasticized in the air, and had a light transmittance of 74%. It was calcined in nitrogen using copper as a conductor, which was more excellent than the light transmittance of 70%. The resistivity at room temperature of the conductive via was in the range of 2.010-6 Ωcm to 2.710-6 Ωcm. These results are shown in Table 28.

본 실시예에 의한 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작되는 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판은 도 37에 예시한 것 같은 형상을 가지는 것이다. 즉 도 37을 이용해 설명하면 발광소자 탑재용 기판 30의 내부 및 표면에는 도통 비아 40 및 전기 회로 41, 42, 및 43이 형성되고 음푹패인 공간 31의 발광소자 탑재부 38에는 서멀 비아 130이 형성되고 있다.The substrate for mounting a light emitting element having a recessed space produced using a sintered body containing crystallized glass as a main component of the present embodiment has a shape as illustrated in FIG. 37. That is, referring to FIG. 37, conductive vias 40 and electrical circuits 41, 42, and 43 are formed in the inside and the surface of the light emitting device mounting substrate 30, and a thermal via 130 is formed in the light emitting device mounting part 38 in the recessed space 31. .

또, 본 실시예에 의한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작되는 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판은 상기의 도 37에 예시한 것 같은 서멀 비아가 없는 형상의 것이다. 즉, 도 33으로 예시한 것 같은 형상의 것이다.The substrate for mounting a light emitting element having a recessed space produced using a sintered body containing aluminum oxide as a main component of the present embodiment has a shape without a thermal via as illustrated in FIG. That is, it has a shape as illustrated in FIG. 33.

실시예 32Example 32

본 실시예는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체 내부에 전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판의 특성에 대해 조사한 예를 나타낸다. 조사한 세라믹 재료는 산화 알루미늄 및 결정화 유리이다. 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체 각각의 광투과성, 및 이러한 소결체에 형성한 반사 방지 부재, 반사 부재의 효과에 대해 조사했다.This embodiment shows an example in which the characteristics of a light emitting element mounting substrate fabricated using a sintered body having a ceramic material as a main component in a sintered body having a ceramic material as a main component are shown. The investigated ceramic materials are aluminum oxide and crystallized glass. The light transmittance of each of the sintered compact which has aluminum oxide as a main component, and the sintered compact which has a crystallized glass as a main component, and the effect of the antireflection member and reflective member which were formed in such a sintered compact were investigated.

실시예 31로 제작한 음푹패인 공간을 가지는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체로부터 상기 음푹패인 공간이 중앙에 위치하도록 10mm/10mm의 외형 치수로 자르는 것으로 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 발광소자 탑재용 기판을 제작하기 위해서 이용한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체는 실시예 31로 제작한 모든 조성의 것을 이용했다. 상기 음푹패인 공간(캐비티)을 가지는 발광소자 탑재용 기판은 도 6, 8, 10, 14, 15, 16, 20, 21, 23, 24, 25, 26, 37에 있어서의 부호 30으로 예시되는 것 같은 형태를 가진 것이다. 또한 상기 음푹패인 공간(캐비티) 내의 발광소자 탑재면에는 실시예 31에 기재된 것처럼 발광소자 구동용의 전기 회로가 형성되고 있다. 또 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작된 발광소자 탑재용 기판의 발광소자 탑재부에 서멀 비아가 형성되고 있다.Substrate for mounting a light emitting element by cutting the sintered body having aluminum dents as the main component and the sintered body having crystallized glass as the main component of Example 31 to an outer dimension of 10 mm / 10 mm so that the dented space is located at the center Made. The sintered compact which has the aluminum oxide as a main component and the sintered compact which has the crystallized glass as a main component used for manufacturing the light emitting element mounting substrate were those of all compositions produced in Example 31. The light emitting element mounting substrate having the recessed space (cavity) is exemplified by reference numeral 30 in Figs. 6, 8, 10, 14, 15, 16, 20, 21, 23, 24, 25, 26 and 37. It has the same form. An electric circuit for driving a light emitting element is formed on the light emitting element mounting surface in the recessed space (cavity) as described in Example 31. Moreover, a thermal via is formed in the light emitting element mounting part of the light emitting element mounting substrate manufactured using the sintered compact which has crystallized glass as a main component.

다음에 제작한 발광소자 탑재용 기판에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해, 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과, 티탄 성분과 크롬 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작된 발광소자 탑재용 기판을 제외해, 실시예 31로 제작한 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판 모두에 있어 기판을 투과한 발광소자로부터의 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 특히 MgO 환산으로 1.0 몰%, 칼슘 성분을 CaO 환산으로 0.2 몰%, 및 이트륨 성분을 Y2O3 환산으로 0.04 몰% 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체, 및 붕규산 유리 분말 54.725 중량%, 산화 알루미늄 분말 44.775 중량%, 및 Y2O3 분말 0.50 중량%의 3 성분 혼합에 의해 제작된 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판에서는 보다 밝은 투과광이 관찰되었다. 투과광의 밝음은 같은 조성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작된 발광소자 탑재용 기판이면 도통 비아 및 전기 배선에 이용한 도체 재료의 종류에 관계없이 거의 동등하도록 관찰되었다. 이와 같이 내부에 도통 비아나 전기 배선 등의 전기 회로가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작된 발광소자 탑재용 기판이어도 충분히 발광소자로부터의 빛을 투과 할 수 있는 것이 확인되었다.Next, a light emitting device manufactured by using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer by laminating an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component on a light emitting device mounting substrate. Was mounted to emit light by applying electric power of 3.5 V / 350 mA, and the transmission state from the substrate of the above emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the substrates of all the light emitting element mounting substrates produced using the sintered body manufactured in Example 31 were excluded except for the light emitting element mounting substrates produced using the sintered body containing aluminum oxide containing titanium and chromium as a main component. The light from the light emitting element which permeate | transmitted was observed. The transmitted light was mild and sufficiently bright. In particular, a sintered body composed mainly of aluminum oxide including 1.0 mol% in terms of MgO, 0.2 mol% in terms of CaO, and 0.04 mol% in terms of Y2O3, and 54.725 weight% of borosilicate glass powder and 44.775 weight of aluminum oxide powder Brighter transmitted light was observed on the substrate for mounting a light emitting element using a sintered body containing, as a main component,% and a crystallized glass produced by three-component mixing of 0.50% by weight of Y2O3 powder. The brightness of the transmitted light was observed to be almost the same for the light emitting element mounting substrate manufactured using the sintered body mainly composed of the ceramic material of the same composition irrespective of the kind of the conductive material used for the conductive via and the electrical wiring. In this way, it was confirmed that even a substrate for mounting a light emitting element manufactured using a sintered body made mainly of a ceramic material in which electrical circuits such as conductive vias and electrical wirings were formed therein, could sufficiently transmit light from the light emitting element.

다음에 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판 모두에 대해서 그 음푹패인 공간내의 모든 면에 실시예 27로 같은 방법으로 실리카 피막을 형성했다. 그 후 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해, 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과, 티탄 성분과 크롬 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작된 발광소자 탑재용 기판을 제외해, 실시예 31로 제작한 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판 모두에 있어 기판을 투과한 발광소자로부터의 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 상기 투과광은 실리카 피막을 형성하고 있지 않는 것에 비해보다 밝은 것으로 있도록(듯이) 관찰되었다. 이와 같이 비교적 굴절률의 작은 재료를 이용해 피 막을 형성하면 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 발광소자 탑재용 기판을 투과하는 발광소자로부터의 빛은 보다 밝은 것이 될 수 있는 것이 확인되었다. 이것은 상기의 피막이 반사 방지 부재로서 기능했기 때문이라고 추측된다.Next, the silica film was formed in the same manner as in Example 27 on all surfaces in the recessed space for both the sintered compact including aluminum oxide and the sintered compact containing crystallized glass as the main component. After that, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated using a mixed crystal of InN and GaN was mounted as a light emitting layer, and 3.5V / 350mA Was applied to emit light, and the transmission state from the substrate of the above emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the substrates of all the light emitting element mounting substrates produced using the sintered body manufactured in Example 31 were excluded except for the light emitting element mounting substrates produced using the sintered body containing aluminum oxide containing titanium and chromium as a main component. The light from the light emitting element which permeate | transmitted was observed. The transmitted light was mild and sufficiently bright. The transmitted light was observed to be brighter as compared with not forming a silica film. Thus, when a film was formed using a material having a relatively small refractive index, it was confirmed that light from the light emitting element that penetrated the light emitting element mounting substrate made of a sintered body composed mainly of ceramic material could be brighter. This is presumably because the above film functions as an antireflection member.

다음에 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판 모두에 대해서 그 음푹패인 공간내의 모든 면에 실시예 28 및 실시예 30으로 같은 방법으로 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 마그네슘, 아연, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 및 텅스텐 70 중량%동 30 중량%합금의 각 피막을 형성했다. 그 후 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해, 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 또 상기 피막은 음푹패인 공간내에 형성되고 있는 발광소자 구동용의 전기 회로와 전기적으로 절연을 꾀하기 위해서 틈새(스페이스)를 마련해 형성되어 있다. 그 결과, 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판에 대해 발광소자로부터의 발광은 기판을 투과한 것은 관찰되지 않고(즉, 발광소자가 탑재된 음푹패인 공간부와 반대측의 기판측의 면으로부터 발광소자 빛은 관찰되지 않고), 기판의 음푹패인 공간에서 상부로 향하는 빛만이 관찰되었다(즉, 발광소자가 탑재된 음푹패인 공간부가 있는 기판측으로부터 발광소자 빛은 방출되는 상황이 관찰되었다).또, 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 마그네슘, 아연, 및 텅스텐 70 중량%동 30 중량%합금의 각 피막이 형성된 발광소자 탑재용 기판에 대해 발광소자로부터의 빛은 다른 피막이 형성된 것보다 보다 밝은 일이 관찰되었다. 그 중 알루미늄, 금, 은, 동, 마그네슘의 각 피막이 형성된 발광소자 탑재용 기판에 대해 발광소자로부터의 빛은 다른 피막이 형성된 것 보다 더 밝은 일이 관찰되었다. 이러한 현상이 생기는 것은 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 마그네슘, 아연, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 및 텅스텐 70 중량%동 30 중량%합금의 각 피막이 반사 부재로서 기능한 것에 의한다고 생각된다. 이와 같이 세라믹을 주성분으로 하는 소결체가 높은 광투과성을 가지는 것이어도 발광소자 탑재용 기판에 대해 반사 부재로서 기능하는 피막이 형성된 부분에서는 발광소자로부터의 빛은 투과하기 어렵다.Next, for both the substrate for mounting a light emitting element manufactured using a sintered body composed mainly of aluminum oxide and a sintered body composed mainly of crystallized glass, aluminum, in the same manner as in Example 28 and Example 30, was applied to all surfaces in the recessed space. Each film of gold, silver, copper, parodydium, platinum, magnesium, zinc, nickel, tungsten, molybdenum, and tungsten 70 wt% copper 30 wt% alloy was formed. After that, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated using a mixed crystal of InN and GaN was mounted as a light emitting layer, and 3.5V / 350mA Was applied to emit light, and the transmission state from the substrate of the above emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. In addition, the film is formed by providing a gap in order to electrically insulate the electric circuit for driving the light emitting element formed in the recessed space. As a result, for all the light emitting element mounting substrates, light emission from the light emitting element was not observed to pass through the substrate (i.e. light emitting element light from the surface on the substrate side opposite to the recessed space portion in which the light emitting element was mounted). Was not observed), only light directed upward was observed in the recessed space of the substrate (i.e., the light emitting device light was emitted from the side of the substrate having the recessed space portion in which the light emitting element was mounted). For light-emitting element-mounted substrates on which each film of gold, silver, copper, parodydium, platinum, magnesium, zinc, and tungsten 70 wt% copper 30 wt% alloy was formed, the light from the light emitting element was brighter than that of other films. Work was observed. Among them, light from the light emitting device was observed to be brighter than that of the other film on the light emitting device mounting substrate on which the films of aluminum, gold, silver, copper, and magnesium were formed. This phenomenon occurs because each film of aluminum, gold, silver, copper, parodydium, platinum, magnesium, zinc, nickel, tungsten, molybdenum, and tungsten 70 wt% copper 30 wt% alloy functions as a reflecting member. do. As described above, even if the sintered body mainly composed of ceramics has high light transmittance, light from the light emitting element is hardly transmitted at the portion where the film serving as the reflective member is formed on the substrate for mounting the light emitting element.

이와 같이 본 실시예에 대해 발광소자로부터의 발광 방향을 제어할 수 있어 한층 더 발광 강도의 제어가 가능하다라고 하는 것이 나타났다.As described above, it was shown that the light emission direction from the light emitting element can be controlled with respect to the present embodiment, so that the light emission intensity can be further controlled.

다음에 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판 모두에 대해서 그 음푹패인 공간내의 모든 면에 실시예 29로 같은 방법으로, 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 대해서는 TiO2, SiC, Ta2O5, AIN, ZnO의 각 피막을, 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체에 대해서는 SiC, AIN, Si3N4, ZnO의 각 피막을 형성했다. 그 후 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해, 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 투과한 빛은 약하고 거의 관찰되지 않는다. 발광소자로부터의 발광은 상기 발광소자가 탑재되고 있는 음푹패인 공간에서 상부에 강한 빛이 되어 기판 외부로 방출되고 있었다(즉, 발광소자가 탑재되고 있는 기판면에서(보다) 상부에 향하는 빛만이 실질적으로 관찰되었다).이러한 현상이 생기는 것은 형성한 TiO2, SiC, Ta2O5, AIN, Si3N4, ZnO의 각 피막의 굴절률이 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 혹은 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체와 동등하거나 혹은 크기 때문에 상기 피막이 반사 부재로서 기능한 것에 의하면 추측된다. 이와 같이 세라믹을 주성분으로 하는 소결체가 높은 광투과성을 가져, 한층 더 피막 자체도 높은 광투과성을 가지는 것이어도 세라믹을 주성분으로 하는 소결체와 굴절률이 동등하거나 혹은 굴절률의 큰 재료를 이용해 피막을 형성하면 상기 피막은 반사 부재로서 기능하기 쉬워져, 발광소자로부터의 빛은 상기 피막이 형성된 발광소자 탑재용 기판의 부분을 투과하기 어려워진다.Next, the aluminum oxide was used as the main component in the same manner as in Example 29 on all surfaces in the recessed space for both the sintered compact including aluminum oxide and the sintered compact composed of crystallized glass. For the sintered compacts described above, the films of TiO 2, SiC, Ta 2 O 5, AIN, and ZnO were formed, and for the sintered compact composed mainly of crystallized glass, the films of SiC, AIN, Si 3 N 4, and ZnO were formed. After that, an epitaxial film containing at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component was laminated, and a light emitting device fabricated using a mixed crystal of InN and GaN was mounted as a light emitting layer, and 3.5V / 350mA Was applied to emit light, and the transmission state from the substrate of the above emission was visually confirmed. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. As a result, the light which transmitted through the board | substrate which consists of the sintered compact which has a ceramic material as a main component in all the light emitting element mounting boards produced is weak and hardly observed. The light emitted from the light emitting device became strong light at the top in the recessed space in which the light emitting device is mounted and was emitted to the outside of the substrate (that is, only light directed upward from the surface of the substrate on which the light emitting device was mounted was substantially This phenomenon occurs because the refractive index of each of the formed films of TiO2, SiC, Ta2O5, AIN, Si3N4, ZnO is equal to or larger than that of aluminum oxide or sintered body composed mainly of crystallized glass. It is estimated that the said film functions as a reflection member. Thus, even if the sintered compact mainly made of ceramic has a high light transmittance and the film itself has a high light transmittance, if the film is formed using a material having the same refractive index as that of the ceramic main component or having a large refractive index, The film easily functions as a reflecting member, and light from the light emitting element becomes difficult to transmit through the portion of the light emitting element mounting substrate on which the film is formed.

다음에, 실시예 25의 실험 No.430으로 제작한 평판 모양의 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 실시예 26의 실험 No.453으로 제작한 평판 모양의 결정 화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 준비했다. 또, 실시예 28로 제작한 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금의 각 피막이 형성된 평판 모양의 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 준비했다. 또, 실시예 29로 제작한 TiO2, Ta2O5, AIN, ZnO의 각 피막을 형성한 평판 모양의 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 AIN, Si3N4, ZnO의 각 피막을 형성한 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 준비했다. 또, 본 실시예에 대해 실시예 25로 제작한 경면 연마된 평판 모양의 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 실시예 26으로 제작한 경면 연마된 평판 모양의 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체의 상기 경면 연마면에 실시예 29로 같은 스패터링법으로 SiC 피막을 각각 형성한 것도 준비했다. 게다가 실시예 30으로 제작한 마그네슘, 아연, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 및 텅스텐 70 중량%동 30 중량%합금의 각 피막을 형성한 평판 모양의 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 준비했다. 이들 각종 피막이 형성된 소결체를 10mm/10mm(두께는 0.5 mm이다)의 크기에 잘라 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판의 뚜껑으로서 이용했을 때의 상황에 대해 조사했다. 즉 본 실시예로 제작한 모든 음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판 중 피막(알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 마그네슘, 아연, 니켈, 텅스텐, 몰리브덴, 및 텅스텐 70 중량%동 30 중량%합금의 각 피막 및 TiO2, SiC, Ta2O5, AIN, Si3N4, ZnO의 각 피막)이 형성되어 있지 않은 것에 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재했다. 또한 이 발광소자의 크기는 1 mm각이며 발광소자 탑재용 기판과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 수지로 접착되고 있다. 그 후 상기의 뚜껑을 에폭시 수지를 주성분으로 하는 접착제로 접착해 발광소자를 봉지했다. 다음에 발광소자에게 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다. 그 결과, 각종 피막을 형성하고 있지 않는 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 및 결정화 유리를 주성분으로 하는 소결체를 뚜껑으로서 이용한 것에서는 기판 전체로부터 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 다만 티탄 및 크롬 성분을 포함한 산화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판에서는 뚜껑의 부분으로부터만 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 한편, 각종 피막이 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 뚜껑으로서 이용한 것에서는 분명하게 뚜껑 부분에 있어 상기 뚜껑을 투과한 빛은 관찰되지 않고, 발광소자를 탑재한 기판측(음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판측)에서 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화하지만 밝음은 피막을 형성하고 있지 않는 뚜껑을 이용한 기판의 것보다 꽤 큰 것으로 있었다. 이것은 뚜껑에 형성된 증착 피막이 반사 부재로서 충분히 기능하고 있는 것을 나타내고 있다.Next, the sintered compact which has the flat plate-shaped aluminum oxide produced by Experiment No. 430 of Example 25 as a main component, and the sintered compact which has the flat form crystallized glass produced by Experiment No. 453 of Example 26 as a main component was prepared. . Moreover, the sintered compact made into the main component and the sintered compact made from the aluminum, gold, silver, copper, a palladium, and the platinum film of Example 28 which were formed in Example 28 as a main component, and crystallized glass were prepared. Moreover, the sintered compact which has the flat-plate aluminum oxide which formed each film of TiO2, Ta2O5, AIN, and ZnO produced in Example 29 as a main component, and the sintered compact which has the crystallized glass which formed each film of AIN, Si3N4, ZnO as a main component Prepared. Moreover, the said mirror-polishing of the sintered compact made into the principal component of the mirror-polished flat aluminum oxide produced in Example 25 with respect to this Example, and the sintered compact made from the mirror-polished flat-sheet crystallized glass produced from Example 26 as a main component. What formed the SiC film in each surface by the same sputtering method as Example 29 was also prepared. In addition, a sintered body and crystallized glass mainly composed of magnesium oxide, zinc, nickel, tungsten, molybdenum, and tungsten 70 wt% copper 30 wt% alloy formed in Example 30, each having a flat plate-shaped aluminum oxide as a main component A sintered compact was prepared. The situation when these sintered compacts in which these various films were formed was cut into the size of 10 mm / 10 mm (thickness is 0.5 mm), and was used as a lid | cover of the board | substrate for light emitting element mounting which has a recessed space was investigated. That is, a film (aluminum, gold, silver, copper, parodydium, platinum, magnesium, zinc, nickel, tungsten, molybdenum, and tungsten 70% by weight) of the light emitting element mounting substrate having all the recessed spaces produced in this embodiment Each coating of 30 wt% alloy and each coating of TiO2, SiC, Ta2O5, AIN, Si3N4, ZnO) is not formed and has at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. The epitaxial film was laminated, and a light emitting device fabricated using a mixed crystal of InN and GaN was mounted as a light emitting layer. Moreover, the size of this light emitting element is 1 mm square, and it adhere | attaches with the resin which has a light emitting element mounting substrate and an epoxy resin as a main component. Thereafter, the lid was adhered with an adhesive containing epoxy resin as a main component to seal the light emitting element. Next, the light emitting element was applied with electric power of 3.5 V / 350 mA to emit light, and the transmission state from the light emitting substrate was visually confirmed. As a result, when the sintered compact containing aluminum oxide as a main component and the sintered compact containing crystallized glass as a main component were used as a lid, light transmitted through the substrate was observed from the entire substrate. The transmitted light was mild and sufficiently bright. However, in a light emitting device mounting substrate using a sintered body containing aluminum oxide containing titanium and chromium as a main component, light transmitted through the substrate was observed only from the part of the lid. On the other hand, in the case of using a sintered body composed mainly of a ceramic material having various coatings as a lid, the light transmitted through the lid is not clearly observed in the lid portion, and the substrate side (light emitting element having a recessed space) in which the light emitting element is mounted is observed. On the mounting substrate side), light transmitted through the substrate was observed. The transmitted light was mild, but the brightness was considerably larger than that of the substrate using a lid which did not form a film. This shows that the vapor deposition film formed in the lid fully functions as a reflection member.

본 실시예에 대해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부에 도통 비아 및 전기 배선 등의 전기 회로 한층 더 서멀 비아가 형성된 발광소자 탑재용 기판이어도 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.In the present embodiment, even if the light emitting element mounting substrate having the conductive via and the thermal via, such as electrical wiring, is further formed inside the sintered body containing the ceramic material as a main component, the sintered body containing the ceramic material as the main component has light transmittance. It was difficult to produce such a thing that the brightness of the light transmitted through the substrate was greatly reduced, and it was confirmed that the sintered body containing the ceramic material as a main component had light transmittance.

또 본 실시예에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성한 비교적 굴절률의 작은 재료를 이용한 피막이 반사 방지 부재로서 기능해 기판을 투과하는 발광소자로부터의 발광의 강도를 제어하는 것이 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다.In addition, in this embodiment, it is said that the film using the relatively small refractive index material formed in the sintered body mainly composed of the ceramic material functions as an antireflection member, so that the intensity of light emission from the light emitting element passing through the substrate can be controlled. I could confirm it.

또 본 실시예에 대해 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 형성한 비교적 굴절률의 높은 재료를 이용한 피막이 반사 부재로서 기능해 발광소자의 발광 방향을 제어할 수 있어 한층 더 발광 강도의 제어가 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다. 한층 더 반사율의 높은 피막도 반사 부재로서 기능해 발광소자의 발광 방향을 제어할 수 있어 한층 더 발광 강도의 제어가 가능하다라고 하는 것이 확인할 수 있었다. 이 반사 부재로서의 기능은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성의 유무에 의하지 않는 것도 확인할 수 있었다.In addition, in this embodiment, a film using a material having a relatively high refractive index formed on a sintered body composed mainly of ceramic material functions as a reflecting member to control the light emitting direction of the light emitting device, and furthermore, the light emission intensity can be controlled. Could confirm. Furthermore, it was confirmed that the high-reflective coating also functions as a reflecting member to control the light emitting direction of the light emitting element, and furthermore, it is possible to control the light emission intensity. It was also confirmed that the function as the reflecting member was not dependent on the presence or absence of light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

실시예 33Example 33

본 실시예는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해 그 특성을 조사한 예를 나타낸다.This embodiment shows an example in which the characteristics of the sintered body containing gallium nitride as a main component are investigated.

최초로 질화 갈륨의 원료 분말을 다음의 방법에 의해 준비했다.First, the raw material powder of gallium nitride was prepared by the following method.

1) 우선 고순도 화학 연구소제의 순도 4 N의 금속 갈륨을 준비했다. 가열부와 반응부를 가지는 석영 관제의 반응 용기의 가열부에 상기 금속 갈륨을 알루미나 용기에 넣어 두어, 수소 5 체적%를 포함한 아르곤 가스 기류중 1200℃으로 가열해 금속 갈륨을 기화시켜 아르곤 가스 기류로 반응부에 이끌어, 반응부에 질소 가스를 도입해 기화한 금속 갈륨 1100℃으로 반응시켰다. 그 결과 온도의 낮은 반응 용기의 출구 부근에 회백색 분말의 석출이 인정되어 X선회절의 결과 질화 갈륨인 것이 확인되었다. 분말의 평균 입경은 14μm이었다. 또한 반응 용기는 1개의 석영관이며 가열부와 반응부와는 직접 연결되어 있어 용기의 입구에는 아르곤 가스등의 캐리어 가스 도입구를 마련해 용기의 반응부에는 질소 가스, 암모니아 가스등의 반응 가스의 도입구가 마련해 있다. 용기의 가열부와 반응부는 외부 히터로 가열된다. 용기의 가스 출입구 부분에는 특히 가열용의 히터는 마련하지 않고 자연 냉각되고 있다. 얻을 수 있던 분말을 볼 밀로 분쇄해 평균 입경 1.7μm의 질화 갈륨 분말을 제작했다. 또, 이 질화 갈륨 분말에는 산소가 1.1 중량%포함되어 있다. 감추어진 금속의 직접 질화법에 따르는 질화 갈륨 분말을 제작했다.1) First, metal gallium with a purity of 4N manufactured by High Purity Chemical Research Institute was prepared. The metal gallium is placed in an alumina vessel in a heating portion of a quartz-controlled reaction vessel having a heating portion and a reaction portion, and heated to 1200 ° C. in an argon gas stream containing 5% by volume of hydrogen to vaporize the metal gallium to react with an argon gas stream. Nitrogen gas was introduce | transduced into the reaction part and it made it react at 1100 degreeC of the metal gallium vaporized. As a result, precipitation of the off-white powder was recognized in the vicinity of the outlet of the reaction vessel with low temperature, and it was confirmed that it was gallium nitride as a result of X-ray diffraction. The average particle diameter of the powder was 14 μm. In addition, the reaction vessel is a single quartz tube and is directly connected to the heating portion and the reaction portion, so that a carrier gas inlet such as argon gas is provided at the inlet of the vessel, and a reaction gas inlet such as nitrogen gas or ammonia gas is provided at the reaction portion of the vessel. I have it. The heating section and the reaction section of the vessel are heated by an external heater. The gas inlet and outlet parts of the container are naturally cooled without providing a heater for heating. The obtained powder was ground with a ball mill to produce gallium nitride powder having an average particle diameter of 1.7 m. Moreover, 1.1 weight% of oxygen is contained in this gallium nitride powder. Gallium nitride powder according to the direct nitriding method of hidden metal was produced.

2) 다음에 고순도 화학 연구소제의 순도 4 N의 산화 갈륨(Ga2O3) 분말과 시판의 카본 블랙 분말을 준비해, 산화 갈륨 분말 300그램과 카본 블랙 분말 90그램을 볼 밀로 건식 혼합했다. 이 혼합 분말을 카본 용기에 넣고 카본제의 가열로에서 질소 가스중 1350℃으로 5시간 가열해 반응시켰다. 가열 후 혼합 분말을 꺼내 그 후 대기중 500℃으로 2시간 가열해 잔류하고 있던 카본 블랙을 산화 제거했다. 남은 분말을 X선회절로 분석했는데 분명하게 질화 갈륨의 피크 뿐인 것이 확인되었다. 또 이 분말의 평균 입경은 0.9μm이었다. 또 이 분말의 산소 함유량은 0.8 중량%이고 산화물 환원법에 따르는 질화 갈륨 분말을 제작했다.2) Next, gallium oxide (Ga2O3) powder of 4N purity and commercially available carbon black powder of the high purity chemistry laboratory were prepared, and 300 grams of gallium oxide powder and 90 grams of carbon black powder were dry-mixed with a ball mill. The mixed powder was placed in a carbon container and heated at 1350 ° C. in nitrogen gas for 5 hours in a carbon heating furnace to react. The mixed powder was taken out after heating, and after that, it heated at 500 degreeC in air for 2 hours, and the carbon black which remained was oxidized and removed. The remaining powder was analyzed by X-ray diffraction, and it was confirmed that only the peak of gallium nitride was apparent. Moreover, the average particle diameter of this powder was 0.9 micrometer. Moreover, the oxygen content of this powder was 0.8 weight%, and the gallium nitride powder by oxide reduction method was produced.

3) 다음에 고순도 화학 연구소제의 순도 5 N의 3염화 갈륨(GaCl3)을 준비했 다. 해3염화 갈륨을 석영 용기안에 넣어 90℃으로 가열해 용해 해 수소 20 체적%를 포함한 질소 가스로 바브 링 해 3염화 갈륨 기체를 석영 관제의 반응 용기에 이끌어, 반응 용기에 암모니아 가스를 도입해 기화한 3염화 갈륨과 1050℃으로 반응시켰다. 그 결과 온도의 낮은 반응 용기의 출구 부근에 회백색 분말의 석출이 인정되어 X선회절의 결과 질화 갈륨인 것이 확인되었다. 분말의 평균 입경은 0.4μm이었다. 또 이 분말의 산소 함유량은 1.3 중량%이고 화학 수송법에 따르는 질화 갈륨 분말을 제작했다.3) Next, gallium trichloride (GaCl 3) having a purity of 5 N from a high purity chemical laboratory was prepared. Put gallium chloride trichloride in a quartz vessel, heat it to 90 degreeC, melt it, and bubble it with nitrogen gas containing 20 volume% of hydrogen, and lead gallium trichloride gas to the reaction vessel of the quartz control, and introduce ammonia gas into the reaction vessel, and vaporize it. It was reacted with one gallium trichloride at 1050 ° C. As a result, precipitation of the off-white powder was recognized in the vicinity of the outlet of the reaction vessel with low temperature, and it was confirmed that it was gallium nitride as a result of X-ray diffraction. The average particle diameter of the powder was 0.4 μm. Moreover, the oxygen content of this powder was 1.3 weight%, and the gallium nitride powder which followed the chemical transport method was produced.

다음에 희토류 원소 성분으로서 신에츠 화학공업 주식회사제의 순도 99.99%이상의 Y2O3 분말, Er2O3 분말, Yb2O3 분말, Dy2O3 분말, Ho2O3 분말을 준비해, 알칼리 토류 금속 성분으로서 CaCO3 분말, 규소 성분으로서 Si3N4 분말, 알루미늄 성분으로서 AIN 분말, 천이 금속 성분으로서 MoO3 분말을 준비해, 이러한 분말을 본 실시예로 제작한 질화 갈륨 원료 분말에 적당히 표 29에 나타낸 양을 더해 에탄올을 용매로 해 볼 밀로 24시간 습식 혼합 후, 건조해 에탄올을 휘산 시켰다. 이들 건조 후의 혼합 분말에 파라핀 왁스를 5 중량%더하고 성형용 분말을 제작해, 상기 분말을 압력 500 Kg/cm2로 1축프레스 성형해 직경 32 mm두께 1.5 mm의 원반상 성형체를 얻었다. 또한 성형용 분말 및 성형체로서 상기 각 첨가 성분을 더하지 않고 본 실시예로 제작한 3 종류의 질화 갈륨 원료 분말만을 그대로 사용한 것에 대해서도 제작했다. 이들 성형체를 300℃으로 감압 탈지 후 질소 분위기중 1450℃으로 2시간 소성하여 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 얻었다. 소성 후의 소결체는 어느 원료를 이용한 것도 99%이상의 상대 밀도에 치밀화하고 있었다. 얻을 수 있던 이러한 소결체 표면을 콜로이드장 실리카로 이루어지는 연마제를 이용해 경면 연마한 후 아세톤으로 초음파 세정해 기판을 제작했다. 경면 연마 후의 소결체의 평균 표면 엉성함 Ra는 17 nm~24 nm의 범위였다. 얻을 수 있던 소결체의 실온에 있어서의 저항율, 파장 605 nm의 빛에 대한 광투과성을 측정했다. 이러한 측정 결과를 표 29에 나타냈다.Next, Y2O3 powder, Er2O3 powder, Yb2O3 powder, Dy2O3 powder, Ho2O3 powder having a purity of 99.99% or more manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is prepared as rare earth element components, and CaCO3 powder as an alkaline earth metal component, Si3N4 powder as a silicon component, and aluminum component MoO3 powder was prepared as the AIN powder and the transition metal component, and the powder shown in Table 29 was added to the gallium nitride raw material powder prepared in this example as appropriate, and ethanol was used as a solvent for 24 hours, followed by wet mixing with a ball mill, followed by drying and ethanol. Volatilized. 5 weight% of paraffin wax was added to the mixed powder after these drying, the shaping | molding powder was produced, and the said powder was uniaxially press-molded by the pressure of 500 Kg / cm <2>, and the disk shaped compact of 1.5 mm in diameter was obtained. Moreover, it produced also about what used only three types of gallium nitride raw material powders produced by the present Example as it is, without adding each said addition component as a molding powder and a molded object. These molded bodies were degreased under reduced pressure at 300 ° C, and then fired at 1450 ° C for 2 hours in a nitrogen atmosphere to obtain a sintered body containing gallium nitride as a main component. In the sintered body after the firing, any raw material was densified to a relative density of 99% or more. The obtained sintered compact surface was mirror-polished using the abrasive | polishing agent which consists of colloidal silica, and was ultrasonically cleaned with acetone, and the board | substrate was produced. Average surface roughness Ra of the sintered compact after mirror polishing was the range of 17 nm-24 nm. The resistivity at room temperature of the obtained sintered compact and the light transmittance with respect to the light of wavelength 605nm were measured. These measurement results are shown in Table 29.

실온에 있어서의 저항율은 표 29에 나타나듯이 제작한 모든 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체로 1108Ωcm 이하였다. 한층 더 규소를 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 1104Ωcm 이하의 도전성을 가지는 것이 확인되었다. 또, 규소를 원소 환산으로 0.00001 몰%~10.0 몰%의 범위 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1103Ωcm 이하의 것을 얻기 쉽다. 또, 규소를 원소 환산으로 0.00001 몰%~7.0 몰%의 범위 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1101Ωcm 이하의 것을 얻을 수 있었다. 또, 규소를 원소 환산으로 0.00001 몰%~5.0 몰%의 범위 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 1100Ωcm 이하의 것을 얻을 수 있었다. 또, 규소를 원소 환산으로 0.00001 몰%~3.0 몰%의 범위에서 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 실온에 있어서의 저항율이 적어도 110－1Ωcm 이하의 것을 얻을 수 있었다. 한층 더 제작한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해 최고로 실온에 있어서의 저항율이 1.410－3Ωcm의 높은 도전성을 가지는 것을 얻을 수 있었다.The resistivity in room temperature was 1108 ohm cm or less in the sintered compact which has all the gallium nitrides produced as shown in Table 29 as a main component. Furthermore, it was confirmed that the sintered compact mainly containing gallium nitride containing silicon has electroconductivity of 1104 (ohm) cm or less. Moreover, in the sintered compact which has a gallium nitride containing silicon in the range of 0.00001 mol%-10.0 mol% in element conversion, it is easy to obtain the thing with the resistivity in room temperature at least 1103 ohm cm or less. Moreover, in the sintered compact which has a gallium nitride containing silicon in the range of 0.00001 mol%-7.0 mol% in element conversion, the thing in which the resistivity in room temperature is at least 1101 ohm-cm or less was obtained. Moreover, in the sintered compact which has a gallium nitride containing silicon in the range of 0.00001 mol%-5.0 mol% in element conversion, the thing in which the resistivity in room temperature is at least 1100 ohm-cm or less was obtained. Moreover, in the sintered compact which has a gallium nitride containing silicon in 0.00001 mol%-3.0 mol% in element conversion, the thing in which the resistivity in room temperature is at least 110-1 ohm-cm or less was obtained. Furthermore, with respect to the sintered compact which has a gallium nitride as a main component, the thing with the highest electrical conductivity of 1.410-3 ohm-cm at room temperature was obtained.

또, 표 29에 나타나듯이 제작한 대부분의 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결 체로 광투과성을 가지는 것을 얻을 수 있었다. 그 중에 첨가물을 포함하지 않고 금속 원소로서 실질적으로 갈륨 성분만큼으로 이루어지는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체여도 광투과성을 가지는 것을 얻을 수 있었다. 첨가물로서 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 성분은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과성에 유효하게 일해, 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 30.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것이 제작할 수 있다. 또, 상기 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 20.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 한층 더 광투과성이 향상하기 쉬워져 광투과율 20%이상의 것을 얻을 수 있었다. 또, 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 15.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 30%이상의 것을 얻을 수 있었다. 또, 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 10.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 40%이상의 것을 얻을 수 있었다. 또, 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 8.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 50%이상의 것을 얻을 수 있었다. 또, 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 산화물 환산으로 6.0 몰%이하 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체 에서는 광투과율 60%이상의 것을 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 본 실시예에 대해 산화 이트륨을 Y2O3 환산으로 0.01 몰% 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 86%과 최대의 것을 얻을 수 있었다. 알칼리 토류 금속 성분 및 희토류 원소 성분이 동시에 포함되는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체여도 각각 단독으로 포함되는 것과 같이 양호한 광투과성을 가지는 것이 확인되었다.Moreover, as shown in Table 29, the thing which has light transmittance was obtained by the sintered compact which has the gallium nitride most produced. Even if it is a sintered compact which does not contain an additive but has gallium nitride substantially as a gallium component as a metal element as a main component, what has light transmittance was obtained. As the additive, the alkaline earth metal and the rare earth element component effectively work on the light transmittance of the sintered body composed mainly of gallium nitride, and contain at least one component selected from the alkaline earth metal and the rare earth element in terms of oxide of 30.0 mol% or less, gallium nitride In the sintered compact containing as a main component, one having a light transmittance of 10% or more can be produced. Further, a sintered body containing gallium nitride containing at least 20.0 mol% or less in terms of oxides of at least one or more components selected from the alkaline earth metal component and the rare earth element component is more likely to improve light transmittance, resulting in a light transmittance of 20% or more. Could get one. In addition, in the sintered body containing gallium nitride containing at least 15.0 mol% or less in terms of oxides of at least one component selected from alkaline earth metal components and rare earth element components, one having a light transmittance of 30% or more was obtained. Further, in the sintered body containing gallium nitride containing at least 10.0 mol% or less in terms of oxides of at least one component selected from alkaline earth metal components and rare earth element components, one having a light transmittance of 40% or more was obtained. Further, in the sintered body containing gallium nitride containing at least one or more components selected from alkaline earth metal components and rare earth element components in terms of oxides of 8.0 mol% or less, those having a light transmittance of 50% or more were obtained. In addition, it has been confirmed that a sintered body comprising gallium nitride containing at least one or more components selected from alkaline earth metal components and rare earth element components in terms of oxides of 6.0 mol% or less as a main component can obtain a light transmittance of 60% or more. In the present Example, the sintered compact containing gallium nitride containing 0.01 mol% of yttrium oxide in terms of Y2O3 as the main component was 86% light transmittance and the largest. Even if the sintered compact which has the gallium nitride which contains an alkaline-earth metal component and a rare earth element component simultaneously is a main component, it was confirmed that it has favorable light transmittance like each is contained independently.

또, 몰리브덴 성분을 가지는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 광투과율 10%이상의 것을 얻을 수 있었다. 또, 질화 규소를 함유하는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서도 광투과율 10%이상의 것을 얻을 수 있었다. 또, 질화 알루미늄을 함유하는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서도 광투과율 10%이상의 것을 얻을 수 있었다.Moreover, in the sintered compact which has gallium nitride which has a molybdenum component as a main component, the thing with a light transmittance of 10% or more was obtained. Moreover, the thing of 10% or more of light transmittance was obtained also in the sintered compact which has the gallium nitride containing silicon nitride as a main component. Moreover, the thing with a light transmittance of 10% or more was obtained also in the sintered compact which has gallium nitride containing aluminum nitride as a main component.

본 실시예에 대해 제작한 질화 규소를 규소 환산으로 0.01 몰%및 산화 이트륨을 Y2O3 환산으로 0.01 몰%동시에 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체는 광투과율 82%실온에 있어서의 저항율 1.710－2Ωcm와 높은 광투과율과 동시에 높은 도전성을 가지는 것이었다. 또, 질화 규소를 규소 환산으로 0.01 몰%및 산화칼슘을 CaO 환산으로 0.2 몰 및%산화 이트륨을 Y2O3 환산으로 0.2 몰%계 3 종류의 성분을 동시에 포함한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체도 광투과율 76%실온에 있어서의 저항율 2.410－2Ωcm와 높은 광투과율과 동시에 높은 도전성을 가지는 것이었다.A sintered body composed mainly of gallium nitride containing silicon nitride prepared in this example at 0.01 mol% in terms of silicon and 0.01 mol% in terms of yttrium oxide in terms of Y2O3 simultaneously has a light transmittance of 82% at a resistance of 1.710-2Ωcm and a high temperature at room temperature. At the same time as the light transmittance, it had high conductivity. In addition, a sintered body composed mainly of gallium nitride including 0.01 mol% of silicon nitride in terms of silicon, 0.2 mol of calcium oxide in terms of CaO and 0.2 mol% of yttrium oxide in terms of Y2O3, and a light transmittance of 76 % It had high electroconductivity simultaneously with the resistivity 2.410-2 ohm-cm and high light transmittance in room temperature.

다음에 본 실시예에 대해 얻을 수 있던 각 소결체를 10mm/10mm/0.5mm의 크기에 절단 해 발광소자 탑재용 기판을 제작했다. 상기 발광소자 탑재용 기판에는 발 광소자에게 구동 전위를 인가하기 위해서 1 mm각의 전극을 Ti/Pt/Au박막에 의해 2개소 형성한 것만으로 전기 회로 패턴 형성하지 않았다. 1개소의 전극과 발광소자의 전극의 하나와는 와이어로 접속되고 있다. 발광소자 탑재용 기판의 나머지 1개소의 전극에는 전위가 인가되고 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체 자체의 도전성을 이용해 와이어를 경유해 구동 전위가 발광소자에게 인가된다. 또 발광소자의 전극의 하나 더는 와이어가 접속되고 구동 전위가 발광소자에게 인가된다.Next, each sintered compact obtained in this example was cut into a size of 10 mm / 10 mm / 0.5 mm to produce a light emitting element mounting substrate. In order to apply the driving potential to the light emitting element, the light emitting element mounting substrate was not formed with an electric circuit pattern only by forming two electrodes of 1 mm angle by Ti / Pt / Au thin film. One electrode and one of the electrodes of the light emitting element are connected by a wire. A potential is applied to the remaining one electrode of the light emitting element mounting substrate, and a driving potential is applied to the light emitting element via a wire using the conductivity of the sintered body itself containing gallium nitride as a main component. Further, a wire is connected to one of the electrodes of the light emitting element, and a driving potential is applied to the light emitting element.

제작한 발광소자 탑재용 기판에 실시예 1과 같게 시판의 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 에피텍샬막을 적층해 발광층으로서 InN와 GaN와의 혼정을 이용해 제작된 발광소자를 탑재해 3.5V/350mA의 전력을 인가해 발광시키고 상기 발광의 기판으로부터의 투과 상태를 육안에 의해 확인했다.As in Example 1, an epitaxial film composed mainly of at least one selected from commercially available gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride was laminated on the light emitting device mounting substrate, using a mixed crystal of InN and GaN as a light emitting layer. The light emitting device was mounted, and light was applied by applying electric power of 3.5 V / 350 mA to visually confirm the transmission state from the light emitting substrate.

그 결과, 본 실시예로 제작한 모든 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판에 대해 발광소자가 탑재된 기판면의 반대측에서 발광소자로부터의 발광이 관찰되었다. 이것은 분명하게 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율이 1%이상의 것을 기판으로서 이용하는 것으로 발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 것을 나타내고 있다. 또, 기판을 투과한 빛의 힘은 분명하게 상기 기판을 구성하는 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율에 비례하고 있는 것으로 관찰되었다.As a result, light emission from the light emitting element was observed on the opposite side of the substrate surface on which the light emitting element was mounted on the substrate using the sintered body containing all gallium nitride as the main component. This clearly indicates that a substrate having a light transmittance of 1% or more as a substrate having a gallium nitride as its main component is used as the substrate, indicating that light emitted from the light emitting element is transmitted through the substrate and emitted outside the substrate. In addition, the force of light transmitted through the substrate was clearly observed to be proportional to the light transmittance of the sintered body mainly composed of gallium nitride constituting the substrate.

이와 같이 본 실시예에 의해 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 대해도 광투과성을 가지는 것이면 기판을 투과한 빛의 밝음이 크게 감소하는 것 같은 일은 생기기 어려운 일을 확인할 수 있어 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것의 유효성을 확인할 수 있었다.As described above, when the sintered compact mainly composed of gallium nitride is light-transmitted according to the present embodiment, it can be confirmed that the brightness of the light transmitted through the substrate is unlikely to be greatly reduced. The effectiveness of having light transmittance could be confirmed.

실시예 34Example 34

본 실시예는 반사 방지 부재, 및 반사 부재를 형성한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 발광소자 탑재용 기판의 특성에 대해 조사한 예를 나타낸다.This embodiment shows an example in which the characteristics of the light emitting element mounting substrate fabricated using the antireflection member and the sintered body including gallium nitride on which the reflection member is formed as a main component are shown.

우선, 본 실시예의 실험 No.561로 제작한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 경면 연마한 기판을 제작했다. 이 기판의 반사율은 9%이며 광투과율은 71%이었다. 이 기판에 실시예 27과 같게 스패터링법에 의해 두께 0.2μm의 산화 알루미늄 피막, 두께 0.2μm의 실리카 피막, 및 두께 0.3μm의 산화 마그네슘 피막을 형성해, 상기 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막을 가지는 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과율을 측정했다. 그 결과 알루미나 피막을 형성한 것으로 82%, 실리카 피막을 형성한 것으로 84%, 마그네시아 피막을 형성한 것으로 83%과 각각 이러한 피막을 형성하고 있지 않는 것에 비해 광투과성의 향상이 확인되었다.First, the mirror-polished board | substrate of diameter 25.4mm thickness 0.5mm was produced using the sintered compact which has gallium nitride produced by experiment No.561 of this Example as a main component. The reflectance of this substrate was 9% and the light transmittance was 71%. An aluminum oxide film having a thickness of 0.2 μm, a silica film having a thickness of 0.2 μm, and a magnesium oxide film having a thickness of 0.3 μm were formed on the substrate by the sputtering method as in Example 27, and the alumina film, the silica film, and the magnesia film were formed. The eggplant measured the light transmittance of the sintered compact containing each ceramic material as a main component. As a result, an improvement in light transmittance was found in comparison with 82% with an alumina coating, 84% with a silica coating, and 83% with a magnesia coating, and no such coating.

다음에 실시예 33과 같게 해 상기 각 피막이 형성된 기판 및 비교를 위해서 피막을 형성하고 있지 않는 기판에 발광소자를 탑재해 상기 발광소자를 구동해 기판의 투과광의 관찰을 육안으로 갔다. 그 결과 제작한 모든 발광소자 탑재용 기판으로 기판을 투과한 빛이 관찰되었다. 상기 투과광은 온화해 충분히 밝은 것으로 있었다. 그 중에 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막 형성 후의 질 화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 이용한 기판으로부터의 투과광은 피막을 형성하고 있지 않는 것에 비해 온화해보다 밝은 것으로 있어 투과광의 강도가 높아지고 있다. 이와 같이 알루미나 피막, 실리카 피막, 및 마그네시아 피막은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 형성되는 것으로 반사 방지 부재로서 기능 할 수 있는 것이 확인되었다.Next, in the same manner as in Example 33, a light emitting device was mounted on a substrate on which each of the above films was formed and a substrate on which no coating was formed, and the light emitting device was driven to visually observe the transmitted light of the substrate. As a result, the light transmitted through the substrate was observed in all the light emitting element mounting substrates. The transmitted light was mild and sufficiently bright. Among them, transmitted light from a substrate using a sintered body composed mainly of alumina film, silica film, and gallium nitride after magnesia film formation is brighter than that of forming a film, and thus the intensity of transmitted light is increasing. Thus, it was confirmed that an alumina film, a silica film, and a magnesia film are formed in the sintered compact which has gallium nitride as a main component, and can function as an antireflection member.

다음에 실험 No.562로 제작한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 직경 25.4mm두께 0.5 mm의 경면 연마한 기판을 제작했다. 이 기판의 반사율은 9%이며 광투과율은 86%이었다. 이 기판에 실시예 28과 같게 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금의 증착 피막을 형성했다. 상기 증착 피막의 두께는 모두 0.4μm이다. 증착 피막이 형성된 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 반사율과 광투과율을 측정했다. 반사율 및 광투과율은 파장 605 nm의 단색광을 이용해 측정했다. 증착 피막이 형성된 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 광투과율은 모두 0%이었다. 반사율은 알루미늄 피막을 형성한 것으로 93%, 금 피막을 형성한 것으로 93%, 은피막을 형성한 것으로 96%, 동피막을 형성한 것으로 92%, 페러디엄 피막을 형성한 것으로 83%, 백금 피막을 형성한 것으로 83%이었다.Next, the mirror-polished board | substrate of diameter 25.4mm thickness 0.5mm was produced using the sintered compact which has gallium nitride produced by experiment No.562 as a main component. The reflectance of this substrate was 9% and the light transmittance was 86%. As in Example 28, a vapor deposition film of aluminum, gold, silver, copper, parodydium, and platinum was formed on this substrate. The thickness of the said vapor deposition film is all 0.4 micrometer. The reflectance and the light transmittance of the sintered compact mainly composed of gallium nitride having a vapor deposition film formed thereon were measured. Reflectance and light transmittance were measured using monochromatic light having a wavelength of 605 nm. The light transmittances of the sintered compact mainly containing gallium nitride on which the vapor deposition film was formed were 0%. The reflectance is 93% with aluminum film, 93% with gold film, 96% with silver film, 92% with copper film, 83% with ferrodium film, platinum film It formed 83%.

다음에 실시예 33과 같게 해 상기 각 증착 피막이 형성된 기판 및 비교를 위해서 증착 피막을 형성하고 있지 않는 기판에 발광소자를 탑재해 상기 발광소자를 구동해 기판의 투과광의 관찰을 육안으로 갔다. 그 결과, 증착 피막이 형성되어 있지 않은 기판에 대해 기판을 투과한 빛과 발광소자가 탑재되고 있는 기판측의 방향으로 방출되고 있는 빛이 관찰된 것에 대해, 증착 피막이 형성된 기판에 대해 기 판을 투과한 빛은 관찰되지 않고 모든 빛은 발광소자가 탑재되고 있는 기판측의 방향으로 방출되고 있었다. 이와 같이 알루미늄, 금, 은, 동, 페러디엄, 백금의 각 피막은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 형성되는 것으로 반사 부재로서 기능 할 수 있는 것이 확인되었다.Next, as in Example 33, a light emitting device was mounted on a substrate on which each of the vapor deposition films was formed and a substrate on which no vapor deposition film was formed for comparison, and the light emitting device was driven to visually observe the transmitted light of the substrate. As a result, the light transmitted through the substrate and the light emitted in the direction toward the substrate on which the light emitting element is mounted are observed with respect to the substrate on which the deposition coating is not formed. No light was observed and all the light was emitted toward the substrate side on which the light emitting element was mounted. Thus, it was confirmed that each of the films of aluminum, gold, silver, copper, parodydium, and platinum is formed on a sintered body containing gallium nitride as a main component and can function as a reflective member.

다음에 상기 실험 No.562로 제작한 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체를 이용해 제작한 기판을 따로 준비했다. 이 기판에 실시예 29와 같게 SiC 및 TiO2의 피막을 스패터링법에 의해 형성했다. 형성한 각 피막의 두께는 각각 2.0μm이다. 그 후 피막이 형성된 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체의 파장 605 nm의 단색광에 대한 반사율을 측정했다. 피막이 형성되어 있지 않은 각 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에서는 파장 605 nm의 단색광에 대한 반사율이 9%인 것에 대해, 상기 SiC 및 TiO2의 피막이 형성된 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에서는 각각 반사율이 96%및 94%에 크게 향상했다.Next, the board | substrate produced using the sintered compact which has gallium nitride produced by the said experiment No.562 as a main component was prepared separately. Similarly to Example 29, films of SiC and TiO 2 were formed on the substrate by the sputtering method. The thickness of each formed film is 2.0 micrometers, respectively. Then, the reflectance with respect to the monochromatic light of wavelength 605 nm of the sintered compact which has a gallium nitride with a film as a main component was measured. In the sintered body containing each ceramic material without a coating as a main component, the reflectance for monochromatic light having a wavelength of 605 nm was 9%. In the sintered body containing gallium nitride on which the SiC and TiO 2 films were formed, the reflectance was 96% and Significant improvement in 94%.

다음에 실시예 33과 같게 해 상기 각 스팩터 피막이 형성된 기판 및 비교를 위해서 스팩터 피막을 형성하고 있지 않는 기판에 발광소자를 탑재해 상기 발광소자를 구동해 기판의 투과광의 관찰을 육안으로 갔다. 그 결과, 스팩터 피막이 형성되어 있지 않은 기판에 대해 기판을 투과한 빛과 발광소자가 탑재되고 있는 기판측의 방향으로 방출되고 있는 빛이 관찰된 것에 대해, 스팩터 피막이 형성된 기판에 대해 기판을 투과한 빛의 강도는 약하고 거의 모든 빛은 발광소자가 탑재되고 있는 기판측의 방향으로 방출되고 있었다. 이와 같이 SiC 및 TiO2의 각 피막은 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체에 형성되는 것으로 반사 부재로서 기능 할 수 있는 것이 확인되었다.Next, in the same manner as in Example 33, a light emitting device was mounted on a substrate on which each of the above-mentioned spreader films was formed and a substrate on which no spreader film was formed for comparison, and the light emitting device was driven to visually observe the transmitted light of the substrate. As a result, the light transmitted through the substrate and the light emitted in the direction toward the substrate on which the light emitting element is mounted are observed with respect to the substrate on which the sputter coating is not formed. The intensity of one light was weak and almost all the light was emitted toward the substrate side on which the light emitting element was mounted. Thus, it was confirmed that each film of SiC and TiO2 was formed in the sintered compact which has gallium nitride as a main component, and can function as a reflective member.

이상 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판 및 발광소자를 실시예에 의해 설명했다.In the above, the board | substrate for light emitting element mounting and light emitting element by this invention were demonstrated with the Example.

다음에 본 발명에 대해 한층 더 자세하게 설명을 실시한다.Next, the present invention will be described in more detail.

(발명의 모양)(Shape of invention)

본 발명은 상기와 같이 발광소자 탑재용 기판에 관한 것이며 그 모양은, 1) 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판, 2) 반사 방지 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이 용한 발광소자 탑재용 기판, 3) 반사 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용한 발광소자 탑재용 기판이다. 본 발명에 의한 상기 발광소자 탑재용 기판에 관해서 그 상세를 항 1~항 280에 기재했다.The present invention relates to a substrate for mounting a light emitting device as described above, the shape of which is 1) a substrate for mounting a light emitting device using a sintered body whose main component is a ceramic material having light transmittance, and 2) a ceramic material having an antireflection member formed thereon. A light emitting element mounting substrate using a sintered compact, and 3) a light emitting element mounting substrate using a sintered body mainly composed of a ceramic material on which a reflective member is formed. The detail about the said light emitting element mounting board by this invention was described in the term | item 1-the term 280.

또한 항 281~항 322에는 본 발명에 의한 발광소자 탑재용 기판에 이용하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체의 제조 방법에 관해서 기재했다.Further, in paragraphs 281 to 322, a method for producing a sintered body containing aluminum nitride as a main component used for the light emitting element mounting substrate according to the present invention is described.

또 본 발명은 상기 발광소자 탑재용 기판에 탑재된 발광소자에 관한 것이며 그 모양은, 4) 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자, 5) 반사 방지 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자, 6) 반사 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이다. 본 발명에 의한 상기 발광소자에 관해서 그 상세를 항 1001~항 1280에 기재했다.The present invention also relates to a light emitting element mounted on the light emitting element mounting substrate, the shape of which is 4) a light emitting element mounted on a substrate composed of a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material, and 5) an antireflection member A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of the formed ceramic material, and 6) a light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a reflective member formed thereon. The details of the light emitting device according to the present invention are described in sections 1001 to 1280.

이하 본 발명의 모양에 대해 상세를 설명한다.　　　EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form of this invention is demonstrated in detail.

항 1.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 탑재용 기판.Item 1. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a substrate for mounting a light emitting element, characterized in that the substrate consists of a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material.

항 2.광투과율 1%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 2. The substrate for mounting a light emitting element according to Item 1, comprising a sintered body containing, as a main component, a ceramic material having a light transmittance of 1% or more.

항 3.광투과율 5%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1또는 2에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 3. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 1 or 2, comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 5% or more.

항 4.광투과율 10%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지 는 것을 특징으로 하는 항 1, 2또는 3에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 4. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to Item 1, 2 or 3, comprising a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 10% or more as a main component.

항 5.광투과율 20%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3또는 4에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 5. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to Item 1, 2, 3 or 4, comprising a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 20% or more as a main component.

항 6.광투과율 30%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4또는 5에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 6. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to Item 1, 2, 3, 4 or 5, comprising a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 30% or more as a main component.

항 7.광투과율 40%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5또는 6에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 7. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to Item 1, 2, 3, 4, 5 or 6, comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 40% or more.

항 8.광투과율 50%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6또는 7에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 8. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to Item 1, 2, 3, 4, 5, 6 or 7, comprising a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 50% or more as a main component.

항 9.광투과율 60%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7또는 8에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 9. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 or 8, comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 60% or more.

항 10.광투과율 80%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8또는 9에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 10. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, or 9, comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 80% or more. .

항 11.광투과율 85%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9또는 10에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 11. Mounting any one of the light emitting elements according to Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, or 10, comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 85% or more. Substrate.

항 12.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성 혹은 광투과율이 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것임을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 또는 11에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Clause 12. Clause 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, characterized in that the light transmittance or the light transmittance of the sintered body containing the ceramic material as a main component is at least in the range of 200 nm to 800 nm. The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 9, 10 or 11.

항 13.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 탑재용 기판.Item 13. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a substrate for mounting a light emitting element, characterized in that the substrate consists of a sintered body composed mainly of a ceramic material on which an antireflection member is formed.

항 14.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재가 형성된 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12또는 13에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 14. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmissive formed with an antireflection member, wherein items 1, 2, 3, 4, 5, 6, The board | substrate for mounting any one of light emitting elements as described in 7, 8, 9, 10, 11, 12, or 13.

항 15.반사 방지 부재의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하거나 혹은 그것 이하인 것을 특징으로 하는 항 13또는 14에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 15. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 13 or 14, wherein the refractive index of the antireflection member is equal to or less than the refractive index of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

항 16.반사 방지 부재가 굴절률 2.3 이하의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 13, 14또는 15에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 16. The light emitting element mounting substrate according to Item 13, 14, or 15, wherein the antireflection member is made of a material having a refractive index of 2.3 or less.

항 17.반사 방지 부재가 굴절률 2.1 이하의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 16에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 17. The substrate for mounting a light emitting element according to Item 16, wherein the antireflection member is made of a material having a refractive index of 2.1 or less.

항 18.반사 방지 부재가 굴절률 2.0 이하의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 16또는 17에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 18. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 16 or 17, wherein the antireflection member is made of a material having a refractive index of 2.0 or less.

항 19.반사 방지 부재가 광투과율 30%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 13, 14, 15, 16, 17또는 18에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 19. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 13, 14, 15, 16, 17 or 18, wherein the antireflection member is made of a material having a light transmittance of 30% or more.

항 20.반사 방지 부재가 광투과율 50%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 19에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 20. The substrate for mounting a light emitting element according to item 19, wherein the antireflection member is made of a material having a light transmittance of 50% or more.

항 21.반사 방지 부재가 광투과율 70%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 19또는 20에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 21. The substrate for mounting a light emitting element according to Item 19 or 20, wherein the antireflection member is made of a material having a light transmittance of 70% or more.

항 22.반사 방지 부재가 광투과율 80%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 19, 20 또는 21에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 22. The substrate for mounting a light emitting element according to Item 19, 20 or 21, wherein the antireflection member is made of a material having a light transmittance of 80% or more.

항 23.반사 방지 부재의 굴절률 및 광투과율이 각각 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것임을 특징으로 하는 항 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21또는 22에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 23. Any of the items described in Item 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21 or 22, wherein the refractive index and the light transmittance of the antireflective member are respectively at least for light in the range of 200 nm to 800 nm. One light emitting element mounting substrate.

항 24.반사 방지 부재가 유리, 수지, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22또는 23에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 24. Item 13, 14, 15, 16, 17, 18, wherein the antireflective member is made of a material composed mainly of at least one selected from glass, resin, metal oxide, metal nitride, and metal carbide. The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 19, 20, 21, 22 or 23.

항 25.반사 방지 부재로서 이용되는 유리가 석영 유리, 고규산 유리, 소다 석회 유리, 납소다 유리, 칼리 유리, 납칼리 유리, 아르미노 규산염 유리, 붕규산 유리, 무알칼리 유리, 카르코겐 화물 유리, 테르라이드가라스, 인산염 유리, 랜턴 유리, 리튬 함유 유리, 바륨 함유 유리, 아연 함유 유리, 불소 함유 유리, 납함유 유리, 질소 함유 유리, 게르마늄 함유 유리, 크라운 유리, 붕산 크라운 유리, 겹크라운 유리, 희토류 원소 혹은 니오브, 탄 탈을 포함한 크라운 유리, 납유리, 경납유리, 겹납유리, 희토류 원소 혹은 니오브, 탄 탈을 포함한 납유리, 땜납 유리, 광학유리, 각종 결정화 유리 중으로부터 선택된 1종 이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 24에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 25.A glass used as an antireflective member is quartz glass, high silicate glass, soda-lime glass, lead soda glass, kali glass, lead-caliber glass, amino silicate glass, borosilicate glass, alkali free glass, a carogenide glass, Terride glass, phosphate glass, lantern glass, lithium-containing glass, barium-containing glass, zinc-containing glass, fluorine-containing glass, lead-containing glass, nitrogen-containing glass, germanium-containing glass, crown glass, boric acid crown glass, double crown glass, Consists of at least one material selected from rare earth elements or crown glass containing niobium and tantalum, lead glass, brazing glass, laminated glass, lead glass containing rare earth elements or niobium and tantalum, solder glass, optical glass and various crystallized glass A substrate for mounting a light emitting element according to item 24.

항 26.반사 방지 부재로서 이용되는 수지가 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 비스마레이미드트리아진 수지(BT레진), 불포화 폴리에스텔, PTFE나 PFA 혹은 FEP 혹은 PVdF등의 불소 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리 메틸 메타크릴레이트 수지(PMMA), 스틸렌아크릴로니트릴 공중합 수지(SAN), 아릴 지그 리콜 카보네이트 수지(ADC), 우레탄 수지, 티오 우레탄 수지, 디알릴 프탈레이트 수지(DAP), 폴리스티렌, 폴리 에테르 에테르 케톤(PEEK), 폴리에틸렌 나프타 레이트(PEN), 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리 아미드이미드(PAI), 포화 폴리에스텔, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리카보네이트(polycarbonate)(PC), 폴리아미드, 폴리페닐렌 술피드(PPS), 폴리페닐렌 에테르(PPE), 폴리페닐렌 옥사이드(PPO), 포리에이테르이미드(PEI), 폴리에텔술폰(PES), 포리메치르펜텐(PMP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌 비닐 알코올 공중합체, 포리스르혼, 폴리아릴레이트, 디알릴 프탈레이트, 폴리아세탈등의 중으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 24에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 26. Resin used as an antireflection member is epoxy resin, silicone resin, polyimide resin, phenol resin, bismarimide triazine resin (BT resin), unsaturated polyester, fluorine resin such as PTFE or PFA or FEP or PVdF. , Acrylic resin, methacryl resin, polymethyl methacrylate resin (PMMA), styrene acrylonitrile copolymer resin (SAN), aryl zigole carbonate resin (ADC), urethane resin, thiurethane resin, diallyl phthalate resin (DAP ), Polystyrene, polyether ether ketone (PEEK), polyethylene naphtharate (PEN), thermoplastic polyimide resin, polyamideimide (PAI), saturated polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT) , Polycarbonate (PC), polyamide, polyphenylene sulfide (PPS), polyphenylene ether (PPE), polyphenylene oxide (PPO), polyether Mead (PEI), polyethersulfone (PES), polymethyrpentene (PMP), polyethylene (PE), polypropylene (PP), ethylene vinyl alcohol copolymer, polysulfone, polyarylate, diallyl phthalate, polyacetal The light emitting element mounting substrate of Claim 24 which consists of a material which has at least 1 sort (s) or more selected from among these.

항 27.반사 방지 부재로서 이용되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물이 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), strontium(Sr), 바륨(Ba), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 랜턴(La), 세륨(Ce), 프라세오지움(Pr), 네오짐(Nd), 사마리움(Sm), 유로피움(Eu), 가드리니움(Gd), 디스프로시움(Dy), 호르미움(Ho), 에르비움(Er), 잇테르비움(Yb), 르테치움(Lu), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 니오브(Nb), 탄 탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 아연(Zn), 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인지움(In), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 중으로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 금속을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 24에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 27. Metal oxides, metal nitrides, and metal carbides used as antireflection members include beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), scandium (Sc), and yttrium ( Y), Lantern (La), Cerium (Ce), Praseium (Pr), Neozim (Nd), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gardnium (Gd), Disprocium ( Dy), Hormium (Ho), Erbium (Er), Ittterbium (Yb), Letezium (Lu), Zirconium (Zr), Hafnium (Hf), Niobium (Nb), Tantalum (Ta), Molybdenum (Mo), tungsten (W), zinc (Zn), boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), The light emitting element mounting substrate of Claim 24 which consists of a material which has an at least 1 sort (s) of metal chosen from antimony (Sb) among them as a main component.

항 28.반사 방지 부재가 산화 알루미늄, 산화 규소, 산화 마그네슘 중으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 24또는 27에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 28. The substrate according to any one of items 24 or 27, wherein the antireflection member is made of a material composed mainly of at least one selected from aluminum oxide, silicon oxide, and magnesium oxide.

항 29.반사 방지 부재가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 자기 산화 피막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 24, 27또는 28에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 29. The light emitting element mounting substrate according to Item 24, 27, or 28, wherein the antireflection member is made of a self-oxidizing film of a sintered body composed mainly of a ceramic material.

항 30.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자 탑재용 기판.Item 30. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a substrate for mounting a light emitting element, characterized in that the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material on which a reflective member is formed.

항 31.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 부재가 형성된 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29또는 30에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 31. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmissive formed with a reflective member, wherein the substrate is characterized in that: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 , Described in 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29 or 30 One light emitting element mounting substrate.

항 32.반사 부재가 반사율 15%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 30 또는 31에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 32. The light emitting element mounting substrate according to item 30 or 31, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 15% or more.

항 33.반사 부재가 반사율 30%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 32에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 33. The light emitting element mounting substrate according to item 32, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 30% or more.

항 34.반사 부재가 반사율 50%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 32또는 33에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 34. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 32 or 33, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 50% or more.

항 35.반사 부재가 반사율 70%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 32, 33또는 34에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 35. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 32, 33, or 34, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 70% or more.

항 36.반사 부재가 반사율 80%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 32, 33, 34또는 35에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 36. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 32, 33, 34, or 35, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 80% or more.

항 37.반사 부재의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하거나 혹은 그 이상인 것을 특징으로 하는 항 30, 31, 32, 33, 34, 35또는 36에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 37. The mounting of any one of the light emitting elements according to Item 30, 31, 32, 33, 34, 35, or 36, wherein the refractive index of the reflecting member is equal to or higher than that of the sintered body composed mainly of the ceramic material. Substrate.

항 38.반사 부재의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률보다 적어도 0.2이상 큰 일을 특징으로 하는 항 37에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 38. The substrate for mounting a light emitting element according to Item 37, wherein the refractive index of the reflecting member is at least 0.2 or larger than the refractive index of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

항 39.반사 부재의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률보다 적어도 0.3이상 큰 일을 특징으로 하는 항 37또는 38에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 39. The substrate according to any one of items 37 or 38, wherein the refractive index of the reflecting member is at least 0.3 or larger than the refractive index of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

항 40.반사 부재가 광투과율 30%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38또는 39에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 40. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, or 39, wherein the reflecting member is made of a material having a light transmittance of 30% or more.

항 41.반사 부재가 광투과율 50%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 40에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 41. The substrate for mounting a light emitting element according to item 40, wherein the reflecting member is made of a material having a light transmittance of 50% or more.

항 42.반사 부재가 광투과율 80%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 40 또는 41에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 42. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 40 or 41, wherein the reflecting member is made of a material having a light transmittance of 80% or more.

항 43.반사 부재의 반사율, 굴절률 및 광투과율이 각각 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것임을 특징으로 하는 항 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41또는 42에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 43. Item 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, characterized in that the reflectance, refractive index and light transmittance of the reflecting member are for light in the range of at least 200 nm to 800 nm, respectively. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to 41 or 42.

항 44.반사 부재가 금속, 합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36또는 43에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 44. The light emitting device according to Item 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, or 43, wherein the reflecting member is made of a material mainly composed of at least one selected from metals and alloys. Device mounting substrate.

항 45.반사 부재가 Be, Mg, Sc, Y, 희토류 금속, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36또는 44에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 45. The reflecting members are Be, Mg, Sc, Y, rare earth metal, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd And a material containing at least one selected from Os, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi as a main component. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36 or 44.

항 46.반사 부재가 Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, W/Cu합금, Mo/Cu합금, W/Ag합금, Mo/Ag합금, W/Au합금, Mo/Au합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 45에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Clause 46. The reflecting members are Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, W / Cu alloy, Mo / Cu alloy, A light emitting element mounting substrate according to item 45, comprising a material composed mainly of at least one selected from a W / Ag alloy, a Mo / Ag alloy, a W / Au alloy, and a Mo / Au alloy.

항 47.반사 부재가 Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, W/Cu합금, Mo/Cu합금, W/Ag합금, Mo/Ag합금, W/Au합금, Mo/Au합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 45또는 46에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 47: Reflective member is Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, W / Cu alloy, Mo / Cu alloy, W / Ag alloy, Mo A substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 45 or 46, comprising a material mainly composed of at least one selected from among / Ag alloys, W / Au alloys, and Mo / Au alloys.

항 48.반사 부재가 Cu, Ag, Au, Al를 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 45, 46또는 47에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 48. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 45, 46, or 47, wherein the reflecting member is made of a material containing Cu, Ag, Au, and Al as a main component.

항 49.반사 부재가 원소 단체, 금속의 산화물, 금속의 질화물, 금속의 탄화물, 금속의 규소 화물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42또는 43에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 49. Item 30, 31, 32, characterized in that the reflecting member is made of a material composed mainly of at least one or more selected from elemental elements, oxides of metals, nitrides of metals, carbides of metals, and silicon carbides of metals. The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42 or 43.

항 50.반사 부재가 TiO2, BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, PbTiO3, PZT〔Pb(Zr, Ti) O3〕, PLZT〔(Pb, La)(Zr, Ti) O3〕, PLT〔(Pb, La) TiO3〕, ZrO2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, LiNbO3, LiTaO3, SBN〔(Sr1－xBax) Nb2O6〕, BNN(Ba2NaNb5O15), Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, PbMoO4, PbMoO5, TeO2, SiC, Si3N4, 다이아몬드, AIN, GaN, InN, Si, Ge, 카르코게나이드가라스 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 49에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 50. The reflecting members are TiO2, BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, PbTiO3, PZT (Pb (Zr, Ti) O3), PLZT ((Pb, La) (Zr, Ti) O3), PLT ((Pb, La) TiO3 ], ZrO2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, LiNbO3, LiTaO3, SBN [(Sr1-xBax) Nb2O6], BNN (Ba2NaNb5O15), Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, PbMoO4, PbMoO4, Si The substrate for mounting a light emitting element according to item 49, comprising a material containing at least one selected from GaN, InN, Si, Ge, and chalcogenide glass as a main component.

항 51.반사 부재가 TiO2, SrTiO3, PbTiO3, PZT〔Pb(Zr, Ti) O3〕, PLZT〔(Pb, La)(Zr, Ti) O3〕, PLT〔(Pb, La) TiO3〕, ZrO2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, TeO2, SiC, Si3N4, 다이아몬드, AIN, GaN, InN, 카르코게나이드가라스 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 49또는 50에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 51. The reflecting members are TiO2, SrTiO3, PbTiO3, PZT [Pb (Zr, Ti) O3], PLZT [(Pb, La) (Zr, Ti) O3], PLT [(Pb, La) TiO3], ZrO2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, Bi12Ge20, Bi12TiO20, Bi2WO6, TeO2, SiC, Si3N4, Diamond, AIN, GaN, InN, and at least one member selected from chalcogenide glass The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 49 or 50.

항 52.반사 부재가 TiO2, SrTiO3, PbTiO3, ZrO2, ZnO, Nb2O5, Ta2O5, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, SiC, Si3N4, 다이아몬드, AIN, GaN, InN 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 49, 50 또는 51에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 52.A reflector is a material containing at least one selected from TiO2, SrTiO3, PbTiO3, ZrO2, ZnO, Nb2O5, Ta2O5, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, SiC, Si3N4, diamond, AIN, GaN, and InN. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 49, 50 or 51.

항 53.반사 부재가 TiO2, ZrO2, ZnO, Nb2O5, Ta2O5, SiC, Si3N4, 다이아몬드, AIN를 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 49, 50, 51또는 52에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 53. The light emitting element according to any one of items 49, 50, 51, or 52, wherein the reflecting member is made of a material containing TiO 2, ZrO 2, ZnO, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, SiC, Si 3 N 4, diamond, and AIN as a main component. Board for mounting.

항 54.반사 부재가 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 전반사 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52또는 53에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 54. Item 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, characterized in that the reflecting member is made of a material which totally reflects light of at least a wavelength in the range of 200 nm to 800 nm. The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52 or 53.

항 55.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재 및 반사 부재 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽이든가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53또는 54에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 55. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material on which at least one selected from an antireflection member and a reflection member is formed. 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, At 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53 or 54 The substrate for mounting any one of the light emitting elements described.

항 56.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 55에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 56. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body mainly composed of a ceramic material on which an antireflective member and a reflective member are formed at the same time;

항 57.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재 및 반사 부재 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽이든가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면 중으로부터 선택된 적어도 어느 쪽인가에 형성된 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 55또는 56에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 57. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is formed of at least one selected from an antireflection member and a reflection member or at least one selected from an inside and a surface of a sintered body composed mainly of a ceramic material. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 55 or 56.

항 58.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면 중으로부터 선택된 적어도 어느 쪽인가에 형성된 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 55, 56또는 57에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 58. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is formed by at least one of an antireflection member and a reflection member selected from the inside and the surface of a sintered body mainly composed of a ceramic material. The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 55, 56 or 57.

항 59.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것인 것을 특징으로 하는 항 55, 56, 57또는 58에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 59. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 55, 56, 57 or 58, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has light transmittance.

항 60.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되어 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 발광소자 탑재용 기판.Item 60. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of ceramic material and can emit light from the light emitting element in any direction.

항 61.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되어 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59또는 60에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 61. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a light transmissive ceramic material and can emit light from the light emitting element in any direction. , 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28 , 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53 The substrate for mounting any one of the light emitting elements described in 54, 55, 56, 57, 58, 59 or 60.

항 62.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되어 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 60 또는 61에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 62. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a sintered body mainly composed of a ceramic material on which an antireflection member is formed, so that light emitted from the light emitting element can be emitted in any direction. The substrate for mounting any one of the light emitting elements described.

항 63.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되어 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 60, 61또는 62에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 63. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material on which a reflective member is formed to emit light emitted from the light emitting element in any direction. The substrate for mounting any one of the light emitting elements described in the above.

항 64.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되어 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 60, 61, 62또는 63에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 64. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a sintered body composed mainly of a ceramic material on which an antireflection member and a reflection member are formed at the same time, and emit light from the light emitting element in any direction. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to 60, 61, 62 or 63.

항 65.발광소자로부터의 발광을 모든 공간 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 60, 61, 62, 63또는 64에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 65. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 60, 61, 62, 63 or 64, wherein light emission from the light emitting element can be emitted in all spatial directions.

항 66.발광소자로부터의 발광을 기판의 발광소자 탑재면과 반대측의 방향에도 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 60, 61, 62, 63, 64또는 65에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 66. The light emitting element mounting substrate according to any one of items 60, 61, 62, 63, 64 or 65, wherein light emitted from the light emitting element can be emitted in a direction opposite to the light emitting element mounting surface of the substrate.

항 67.발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하여 기판의 발광소자 탑재면과 반대측의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 66에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 67. The light emitting element mounting substrate according to item 66, wherein light emitted from the light emitting element passes through the substrate and can be emitted in a direction opposite to the light emitting element mounting surface of the substrate.

항 68.음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판이며, 발광소자로부터의 발광은 상기 기판의 측면으로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 항 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66또는 67에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 68. A substrate for mounting a light emitting element having a recessed space, wherein light emitted from the light emitting element is emitted from a side surface of the substrate, according to item 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, or 67. A substrate for mounting any one of the light emitting elements.

항 69.음푹패인 공간을 가지는 발광소자 탑재용 기판이며, 발광소자로부터의 발광은 음푹패인 공간 내부의 측벽을 투과하여 기판의 측면으로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 항 68에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 69. A light emitting element mounting substrate having a recessed space, wherein light emitted from the light emitting element passes through a side wall of the recessed space and is emitted from a side surface of the substrate.

항 70.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 발광소자로부터의 발광이 주로 상기 기판의 발광소자 탑재면측에 방출되는 것을 특징으로 하는 항 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68또는 69에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 70. A substrate for mounting a light emitting element, wherein light from the light emitting element is mainly emitted to the light emitting element mounting surface side of the substrate. 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, The substrate for mounting any one of light emitting elements according to 68 or 69.

항 71.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69또는 70에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 71. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 50% or less. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 , 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33 , 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58 The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69 or 70.

항 72.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과율 30%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 71에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 72. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body mainly composed of a ceramic material having a light transmittance of 30% or less.

항 73.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과율 10%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 71또는 72에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 73. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate comprises a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 10% or less as a main component.

항 74.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과율 5%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 71, 72또는 73에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 74. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 5% or less. Board.

항 75.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과율 1%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 71, 72, 73또는 74에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 75. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 1% or less. Board for mounting.

항 76.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과율 0%의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 71, 72, 73, 74또는 75에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 76. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 0%, and the light emitting device according to Item 71, 72, 73, 74, or 75; Element mounting substrate.

항 77.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되어, 발광소자로부터의 발광이 주로 기판의 발광소자 탑재면측에 방출되는 것을 특징으로 하는 항 71, 72, 73, 74, 75또는 76에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 77. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 50% or less, and light emitted from the light emitting element is mainly emitted to the light emitting element mounting surface side of the substrate. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 71, 72, 73, 74, 75 or 76.

항 78.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재 및 반사 부재 중으로부터 선택된 적어도 어느 쪽인지 1이상이 형성된 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되어, 발광소자로부터의 발광이 주로 기판의 발광소자 탑재면측에 방출되는 것을 특징으로 하는 항 71, 72, 73, 74, 75, 76또는 77에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 78. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 50% or less, at least one of which is selected from at least one of an antireflection member and a reflection member, The light emitting element mounting substrate according to any one of items 71, 72, 73, 74, 75, 76 or 77, wherein light emission from the light is mainly emitted to the light emitting element mounting surface side of the substrate.

항 79.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 형성된 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되어, 발광소자로부터의 발광이 주로 기판의 발광소자 탑재면측에 방출되는 것을 특징으로 하는 항 78에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 79. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body mainly composed of a ceramic material having a light transmittance of 50% or less on which an antireflection member and a reflection member are formed at the same time, and the light emitted from the light emitting element is mainly emitted from the substrate A light emitting element mounting substrate according to item 78, which is emitted to an element mounting surface side.

항 80.세라믹 재료가 질화물, 산화물, 탄화물, 붕화물, 규화물, 및 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78또는 79에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 80. Paragraphs 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, characterized in that the ceramic material is at least one or more selected from nitrides, oxides, carbides, borides, silicides, and crystallized glass. 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, Substrate for mounting any one of the light emitting elements described in 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78 or 79 .

항 81.질화물이 질화 알루미늄, 질화 붕소, 질화 규소, 질화 갈륨, 및 질화 티탄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 80에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 81. The light emitting element mounting substrate according to item 80, wherein the nitride is at least one or more selected from aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, gallium nitride, and titanium nitride.

항 82.산화물이 산화 알루미늄, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산 지르콘 산연, 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 및 스테어 타이트 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 80에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Clause 82. Oxides of aluminum oxide, zinc oxide, beryllium oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, zirconate titanate, rare earth element oxide, rhodium oxide, various ferrites, mullite, forsterite And at least one or more selected from stair tight. The light emitting element mounting substrate according to item 80.

항 83.탄화물이 탄화규소, 탄화 티탄, 탄화 붕소, 및 탄화 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 80에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 83. The substrate for mounting a light emitting element according to item 80, wherein the carbide is at least one selected from silicon carbide, titanium carbide, boron carbide, and tungsten carbide.

항 84.붕화물이 붕화 티탄, 붕화 지르코늄, 및 붕화 랜턴 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 80에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 84. The substrate for mounting a light emitting element according to item 80, wherein the boride is at least one or more selected from titanium boride, zirconium boride, and boron lantern.

항 85.규화물이 규화 몰리브덴, 및 규화 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 80에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 85. The substrate for mounting a light emitting element according to item 80, wherein the silicide is at least one or more selected from molybdenum silicide and tungsten silicide.

항 86.세라믹 재료가 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 희토류 원소 산화물, 및 결 정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 80, 81또는 82에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 86. The apparatus of claim 80, wherein the ceramic material is at least one selected from aluminum nitride, aluminum oxide, zinc oxide, beryllium oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, rare earth element oxide, and grain-purified glass. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to 81 or 82.

항 87.희토류 원소 산화물이 산화 이트륨인 것을 특징으로 하는 항 86에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 87. The substrate for mounting a light emitting element according to item 86, wherein the rare earth element oxide is yttrium oxide.

항 88.결정화 유리가 붕규산 유리 및 산화 알루미늄의 혼합물을 주성분으로 하는 것인 것을 특징으로 하는 항 86에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 88. The substrate for mounting a light emitting element according to item 86, wherein the crystallized glass contains a mixture of borosilicate glass and aluminum oxide as a main component.

항 89.세라믹 재료가 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87또는 88에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 89. Any of items described in items 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, or 88, wherein the ceramic material comprises at least one selected from alkaline earth metals and rare earth elements. One light emitting element mounting substrate.

항 90.세라믹 재료가 천이 금속 원소 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88또는 89에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 90. The method according to item 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88 or 89, wherein the ceramic material comprises at least one or more selected from transition metal elements and carbons. A substrate for mounting any one light emitting element.

항 91.천이 금속 원소가 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연인 것을 특징으로 하는 항 90에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 91. The light emitting device mounting element of item 90, wherein the transition metal element is molybdenum, tungsten, vanadium, niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, or zinc. Board.

항 92.세라믹 재료가 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 질화 갈륨, 질화 알루미늄, 질화 규소, 및 탄화규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90 또는 91에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 92. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, characterized in that the ceramic material is at least one or more selected from zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, gallium nitride, aluminum nitride, silicon nitride, and silicon carbide. , 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31 , 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 , 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81 The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90 or 91.

항 93.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 도전성을 가지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91또는 92에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 93. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, characterized in that the sintered body containing ceramic material as a main component has conductivity. , 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41 , 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66 , 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91 Or 92. The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 92.

항 94.실온에 있어서의 저항율 1104Ωcm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92또는 93에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 94. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, comprising a sintered body containing a ceramic material having a resistivity of 1104 Ωcm or less at room temperature as a main component , 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38 , 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63 , 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88 The substrate for mounting any one of light emitting elements according to any one of " 89, 90, 91, 92 or 93 ".

항 95.실온에 있어서의 저항율 1102Ωcm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 94에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 95. The substrate for mounting a light emitting element according to item 94, comprising a sintered body containing a ceramic material having a resistivity of 1102 Ωcm or less at room temperature as a main component.

항 96.실온에 있어서의 저항율 1100Ωcm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 94또는 95에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 96. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 94 or 95, comprising a sintered body containing a ceramic material having a resistivity of 1100 Ωcm or less at room temperature as a main component.

항 97.실온에 있어서의 저항율 110－1Ωcm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 94, 95또는 96에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 97. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 94, 95, or 96, comprising a sintered body containing a ceramic material having a resistivity of 110-1? Cm or less at room temperature as a main component.

항 98.실온에 있어서의 저항율 1×10－2Ωcm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 94, 95, 96또는 97에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 98. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 94, 95, 96 or 97, comprising a sintered body containing a ceramic material having a resistivity of 1 × 10 −2 Ωcm or less at room temperature as a main component.

항 99.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 도전성을 갖고 또한 광투과성을 하는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97또는 98에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 99. Paragraphs 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, characterized in that the sintered body containing the ceramic material as a main component has conductivity and is light transmissive. 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97 or 98.

항 100.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체인 것을 특징으로 하는 항 93, 94, 95, 96, 97, 98또는 99에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 100. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 93, 94, 95, 96, 97, 98, or 99, wherein the sintered body having a ceramic material as a main component is a sintered body having zinc oxide as a main component.

항 101.산화 아연을 주성분으로 하는 소결체가 적어도 알루미늄 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 100에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 101. The substrate for mounting a light emitting element according to item 100, wherein the sintered body containing zinc oxide as a main component contains at least an aluminum component.

항 102.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체인 것을 특징으로 하는 항 93, 94, 95, 96, 97, 98또는 99에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 102. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 93, 94, 95, 96, 97, 98, or 99, wherein the sintered body having a ceramic material as a main component is a sintered body having gallium nitride as a main component.

항 103.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 102에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 103. The light emitting device of item 102, wherein the sintered body containing gallium nitride as a main component contains at least one or more components selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen. Element mounting substrate.

항 104.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 102또는 103에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 104. The substrate according to any one of items 102 or 103, wherein the sintered body containing gallium nitride as a main component contains at least one or more components selected from alkaline earth metals and rare earth elements.

항 105.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 인지움 및 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 102, 103또는 104에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 105. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 102, 103, or 104, wherein the sintered body containing gallium nitride as a main component contains at least one component selected from indium and aluminum.

항 106.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 동시에 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 102, 103, 104또는 105에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 106. A sintered body composed mainly of gallium nitride is selected from among alkaline earth metals and rare earth elements simultaneously with at least one component selected from Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 102, 103, 104 or 105, comprising at least one component.

항 107.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 동시에 알루미늄 및 인지움 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 102, 103, 104, 105또는 106에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 107. At least one member selected from aluminum and indium with at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen as the main sintered body of gallium nitride The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 102, 103, 104, 105 or 106, comprising the above components.

항 108.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 동시에 알루미늄 및 인지움 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 102, 103, 104, 105, 106또는 107에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 108. Item 102, 103 characterized in that the sintered body containing gallium nitride as a main component contains at least one component selected from aluminum and phosphorus simultaneously with at least one component selected from alkaline earth metals and rare earth elements. The substrate for mounting any one of light emitting devices according to the method of claim 104, 105, 106 or 107.

항 109.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 탄화규소를 주성분으로 하는 소결체인 것을 특징으로 하는 항 93, 94, 95, 96, 97, 98또는 99에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 109. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 93, 94, 95, 96, 97, 98, or 99, wherein the sintered body having a ceramic material as a main component is a sintered body having silicon carbide as a main component.

항 110.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 질화 규소를 주성분으로 하는 소결체인 것을 특징으로 하는 항 93, 94, 95, 96, 97, 98또는 99에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 110. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 93, 94, 95, 96, 97, 98, or 99, wherein the sintered body having a ceramic material as a main component is a sintered body having silicon nitride as a main component.

항 111.세라믹 재료가 질화 알루미늄인 것을 특징으로 하는 항 80, 81, 86, 89, 90, 91또는 92에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 111. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 80, 81, 86, 89, 90, 91, or 92, wherein the ceramic material is aluminum nitride.

항 112.세라믹 재료가 질화 알루미늄이며, 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 질화 알루미늄을 50 체적%이상 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 111에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 112. The substrate for mounting a light emitting element according to item 111, wherein the ceramic material is aluminum nitride, and the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 50% by volume or more of aluminum nitride.

항 113.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 50 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결 체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111은 112에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 113. Paragraph 111, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of oxide of 50 vol% or less, wherein the light emitting device according to any one of items 112 to 112. Board for mounting.

항 114.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 40 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 113에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 114. A light emitting element mounting substrate according to item 113, comprising a sintered body comprising aluminum nitride as a main component, which contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in an amount of 40% by volume or less in terms of oxides.

항 115.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 30 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 113또는 114에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 115. The light emitting element according to item 113 or 114, comprising a sintered body comprising aluminum nitride as a main component, containing at least one selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of oxide of 30 vol% or less. Board for mounting.

항 116.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 12 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 113, 114또는 115에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 116. The device according to any one of items 113, 114, or 115, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from the rare earth elements and the alkaline earth metals in terms of oxides of 12 vol% or less. Board for mounting light emitting element.

항 117.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 7 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 113, 114, 115또는 116에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 117. Any of the items described in item 113, 114, 115, or 116, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from the rare earth elements and the alkaline earth metals in terms of oxide of 7 vol% or less. One light emitting element mounting substrate.

항 118.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 5 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 113, 114, 115, 116또는 117에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 118. Paragraph 113, 114, 115, 116 or 117, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of oxide of 5 vol% or less. A substrate for mounting any one of the light emitting elements.

항 119.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 3 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 113, 114, 115, 116, 117또는 118에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 119. Paragraph 113, 114, 115, 116, 117 or 118, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of oxide of 3 vol% or less. The substrate for mounting any one of the light emitting elements described in the above.

항 120.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속중에서 어느쪽이든 한편만을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 113, 114, 115, 116, 117, 118또는 119에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 120. Any one of items described in item 113, 114, 115, 116, 117, 118, or 119, wherein the sintered body containing aluminum nitride as the main component contains only one of the rare earth elements and the alkaline earth metals. Board for mounting light emitting element.

항 121.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속을 동시에 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119또는 120에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 121. The light emission of any one of items 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, or 120, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component simultaneously contains a rare earth element and an alkaline earth metal. Element mounting substrate.

항 122.알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 20 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120 또는 121에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 122. Item 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from alkali metals and silicon in an amount of 20% by volume or less in terms of oxides. The substrate for mounting any one of light emitting devices described in No. 120 or 121.

항 123.알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 10 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 122에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 123. The substrate for mounting a light emitting element according to item 122, comprising a sintered body comprising aluminum nitride as a main component, containing at least 10% by volume or less of an alkali metal and silicon in terms of oxide.

항 124.알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 5 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지 는 것을 특징으로 하는 항 122또는 123에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 124. The light emitting element according to item 122 or 123, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride including at least one selected from alkali metals and silicon in an amount of 5% by volume or less in terms of oxides. Board for mounting.

항 125.알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 3 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 122, 123또는 124에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 125. The light emitting element according to item 122, 123, or 124, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing not less than 3% by volume in terms of oxides of at least one selected from alkali metals and silicon. Board for mounting.

항 126.알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 1 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 122, 123, 124또는 125에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 126. The device according to any one of items 122, 123, 124, or 125, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least 1 vol.% Or less selected from alkali metals and silicon in terms of oxide. Board for mounting light emitting element.

항 127.알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125또는 126에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 127. Item 111 comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride including at least one or more selected from alkali metals and silicon, and at least one selected from rare earth elements and alkaline earth metals at the same time. The substrate for mounting any one of light emitting elements described in, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125 or 126.

항 128.Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 50 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126또는 127에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 128. Item 111, 112, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least 50% by volume in terms of elements of at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126 or 127.

항 129.Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 20 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 128에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 129. The material according to item 128, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from among Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon in an element equivalent of 20% by volume or less. Board for mounting light emitting element.

항 130.Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 10 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 128또는 129에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 130. Item 128 or 129, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least 10% by volume in terms of elements of at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon The substrate for mounting any one of the light emitting elements described in the above.

항 131.Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 5 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 128, 129또는 130에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 131. Item 128, 129, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride including at least 5% by volume in terms of elements of at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon Or 130. The substrate for mounting any one of the light emitting elements described in 130.

항 132.Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 3 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 128, 129, 130 또는 131에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 132. Item 128, 129, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least 3% by volume in terms of elements of at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 130 or 131.

항 133.Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 1 체적%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 128, 129, 130, 131또는 132에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 133. Item 128, 129, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one volume% or less in terms of elements at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon The substrate for mounting any one of light emitting devices described in No. 130, 131 or 132.

항 134.Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상 을 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132또는 133에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 134.As a main component, aluminum nitride simultaneously containing at least one or more selected from among rare earth elements and alkaline earth metals, including at least one or more selected from among Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon. Claim 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131 The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 132 or 133.

항 135.천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 50 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133또는 134에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 135. Paragraphs 111, 112, 113, 114, 115, 116, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from the unavoidable impurities of the transition metal by 50 wt% or less in terms of elements; The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133 or 134.

항 136.천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 20 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 135에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 136. The substrate for mounting a light emitting element according to item 135, comprising a sintered body comprising aluminum nitride as a main component, in which at least one or more selected from inevitable impurities of the transition metal are 20% by weight or less in terms of elements.

항 137.천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 10 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 135또는 136에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 137. The mounting of any one of light emitting elements according to item 135 or 136, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one selected from the unavoidable impurities of the transition metal by 10 wt% or less in terms of elements. Substrate.

항 138.천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 1.0 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 135, 136또는 137에 기재되는 어느 하나의 발광소 자 탑재용 기판.Item 138. The light emission of any one of items 135, 136, or 137, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride including at least one or more selected from the unavoidable impurities of the transition metal in an amount of 1.0 wt% or less in terms of elements. Element mounting substrate.

항 139.천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 0.5 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 135, 136, 137또는 138에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 139. Any one of items described in Item 135, 136, 137 or 138, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one or more selected from the unavoidable impurities of the transition metal in an element conversion of 0.5% by weight or less. Board for mounting light emitting element.

항 140.천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 0.2 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 135, 136, 137, 138또는 139에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 140. The material described in item 135, 136, 137, 138 or 139, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one or more selected from the unavoidable impurities of the transition metal in an element conversion of 0.2 wt% or less. A substrate for mounting any one light emitting element.

항 141.천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139또는 140에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 141. An sintered body comprising aluminum nitride as a main component, including at least one or more selected from inevitable impurities of the transition metal, and simultaneously including at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals. 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, The substrate for mounting one of the light emitting elements described in 136, 137, 138, 139 or 140.

항 142.천이 금속의 불가피 불순물이 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연인 것을 특징으로 하는 항 135, 136, 137, 138, 139, 140 또는 141에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 142. Any one of items described in Item 135, 136, 137, 138, 139, 140, or 141, wherein the unavoidable impurity of the transition metal is iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, zinc. Board for mounting light emitting element.

항 143.산소를 25 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141또는 142에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 143. Paragraphs 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, comprising a sintered body containing aluminum nitride containing not more than 25% by weight of oxygen; The substrate for mounting any one of the light emitting elements described in 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141 or 142.

항 144.산소를 15 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 143에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 144. The substrate for mounting a light emitting element according to item 143, which comprises a sintered body containing aluminum nitride containing 15 wt% or less of oxygen as a main component.

항 145.산소를 10 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 143또는 144에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 145. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 143 or 144, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 10 wt% or less of oxygen.

항 146.산소를 5 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 143, 144또는 145에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 146. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 143, 144 or 145, comprising a sintered body containing aluminum nitride containing 5 wt% or less of oxygen as a main component.

항 147.산소를 3 중량%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 143, 144, 145또는 146에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 147. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 143, 144, 145 or 146, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 3 wt% or less of oxygen.

항 148.산소를 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146또는 147에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 148. Item 111, 112, 113, 114, 115, and 116, characterized in that it consists of a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals, including oxygen. , 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141 142, 143, 144, 145, 146 or 147 any one of the light emitting element mounting substrates.

항 149.ALON를 50%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147또는 148에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 149. Paragraphs 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, characterized by consisting of a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 50% or less of ALON. , 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147 or 148 A substrate for mounting any one of the light emitting elements.

항 150.ALON를 40%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 149에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 150. A substrate for mounting a light emitting element according to item 149, comprising a sintered body containing aluminum nitride containing 40% or less of ALON as a main component.

항 151.ALON를 20%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 149또는 150에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 151. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 149 or 150, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 20% or less of ALON.

항 152.ALON를 12%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 149, 150 또는 151에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 152. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 149, 150, or 151, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 12% or less of ALON.

항 153.ALON를 7%이하 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 149, 150, 151또는 152에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 153. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 149, 150, 151 or 152, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing 7% or less of ALON.

항 154.ALON를 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152또는 153에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 154. Paragraphs 111, 112, 113, 114, 115, and 116 comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride including at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals, including ALON. , 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152 or 153, any one of the light emitting element mounting substrates.

항 155.질화 알루미늄 성분을 95 체적%이상 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153또는 154에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 155. Item 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, comprising a sintered body containing aluminum nitride containing not less than 95% by volume of aluminum nitride as a main component. , 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147 148, 149, 150, 151, 152, 153 or 154, the substrate for mounting any one of light emitting elements.

항 156.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.5 중량%이하 또한 산소를 0.9 중량%이하 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154또는 155에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 156. Item 111, characterized in that it consists of a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing not less than 0.5% by weight in total and at least 1% selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of elements; 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, A substrate for mounting any one of the light emitting elements described in 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154 or 155.

항 157.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소를 0.5 중량%이하 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 156에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 157. Paragraph 156 comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in an element conversion of not more than 0.2% by weight in total and not more than 0.5% by weight of oxygen. The board | substrate for mounting light emitting elements described above.

항 158.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이 상을 원소 환산으로 합계 0.05 중량%이하 또한 산소를 0.2 중량%이하 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 156또는 157에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 158. Paragraph 156 comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in an element conversion of 0.05% by weight or less and 0.2% by weight or less of oxygen in total. Or any one of light emitting element mounting substrates described in 157.

항 159.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.02 중량%이하 또한 산소를 0.1 중량%이하 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 156, 157또는 158에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 159. Paragraph 156, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of elements of 0.02% by weight or less in total and 0.1% by weight or less of oxygen. The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 157 or 158.

항 160.희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.005 중량%이하 또한 산소를 0.05 중량%이하 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 156, 157, 158또는 159에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 160. Paragraph 156, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in an element conversion of not more than 0.005% by weight in total and not less than 0.05% by weight of oxygen. The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 157, 158 or 159.

항 161.알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소를 0.9 중량%이하 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159또는 160에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 161. Paragraph 111, 112, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride containing at least one or more selected from alkali metals and silicon in an elemental conversion of not more than 0.2% by weight in total and not more than 0.9% by weight of oxygen; 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, Any of those described in 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159 or 160 Board for mounting light emitting element.

항 162.Mo, W, V(바나듐), Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소를 0.9 중량%이하 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160 또는 161에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 162. At least one or more selected from among Mo, W, V (vanadium), Nb, Ta, Ti, and carbon, based on elemental aluminum nitride containing 0.2 wt% or less in total and 0.9 wt% or less in oxygen as a main component Claim 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131 , 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156 The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 157, 158, 159, 160 or 161.

항 163.Fe, Ni, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, 및 Zn 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소를 0.9 중량%이하 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161또는 162에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 163. At least one or more selected from Fe, Ni, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, and Zn contains, as an element, aluminum nitride containing not more than 0.2 wt% in total and not more than 0.9 wt% of oxygen. Claim 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 157, 158, 159, 160, 161 or 162.

항 164.결정상으로서 AIN를 95%이상 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162또는 163에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 164. Item 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, characterized in that the sintered body is composed mainly of aluminum nitride containing 95% or more of AIN as a crystalline phase. 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162 or 163.

항 165.결정상으로서 AIN를 98%이상 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 164에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 165. The substrate for mounting a light emitting element according to item 164, comprising a sintered body containing aluminum nitride containing 98% or more of AIN as a crystalline phase as a main component.

항 166.결정상으로서 실질적으로 AIN 단일상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 164또는 165에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 166. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 164 or 165, comprising a sintered body mainly composed of aluminum nitride of AIN as a crystalline phase as a main component.

항 167.상대 밀도 95%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165또는 166에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 167. Paragraphs 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, comprising a sintered body containing aluminum nitride having a relative density of at least 95% 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165 or 166.

항 168.상대 밀도 98%이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 167에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 168. The substrate for mounting a light emitting element according to item 167, comprising a sintered body containing aluminum nitride having a relative density of 98% or more as a main component.

항 169.공공의 크기가 평균 1μm 이하인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167또는 168에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 169. Items 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, characterized in that they consist of a sintered body composed mainly of aluminum nitride having an average size of the pores of 1 μm or less. 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, Substrate for mounting any one light emitting element described in 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167 or 168 .

항 170.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 1μm이상인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168또는 169에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 170. Paragraphs 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, characterized in that the aluminum nitride particles are composed of a sintered body composed mainly of aluminum nitride having an average size of 1 μm or more. 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, Light emission of any one of 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168 or 169 Element mounting substrate.

항 171.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 5μm이상인 것을 특징으로 하는 항 170에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 171. The substrate for mounting a light emitting element according to item 170, wherein the size of the aluminum nitride particles is on average 5 µm or more.

항 172.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 8μm이상인 것을 특징으로 하는 항 170 또는 171에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 172. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 170 or 171, wherein the size of the aluminum nitride particles is on average 8 µm or more.

항 173.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 15μm이상인 것을 특징으로 하는 항 170, 171또는 172에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 173. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 170, 171 or 172, wherein the size of the aluminum nitride particles is 15 µm or more on average.

항 174.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 25μm이상인 것을 특징으로 하는 항 170, 171, 172또는 173에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 174. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 170, 171, 172 or 173, wherein the size of the aluminum nitride particles is 25 µm or more on average.

항 175.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 100μm 이하인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173또는 174에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 175. Paragraphs 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, characterized in that the sintered body is composed mainly of aluminum nitride having an average size of aluminum nitride particles of 100 µm or less. 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, The substrate for mounting any one of light emitting devices according to 173 or 174.

항 176.실온에 있어서의 저항율이 1108Ωcm이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174또는 175에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 176. Item 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, characterized in that the resistivity at room temperature consists of a sintered body containing aluminum nitride of 1108? Cm or more as a main component. , 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148 , 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173 The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 174 or 175.

항 177.실온에 있어서의 저항율이 1109Ωcm이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 176에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 177. The substrate for mounting a light emitting element according to item 176, comprising a sintered body having a resistivity at room temperature of 1109? Cm or more of aluminum nitride as a main component.

항 178.실온에 있어서의 저항율이 11010Ωcm이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 176또는 177에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 178. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 176 or 177, wherein the resistivity at room temperature is a sintered body containing aluminum nitride of 11010? Cm or more as a main component.

항 179.실온에 있어서의 저항율이 11011Ωcm이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 176, 177또는 178에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 179. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 176, 177 or 178, comprising a sintered body having a resistivity at room temperature of not less than 11011? Cm of aluminum nitride.

항 180.실온에 있어서의 열전도율 50 W/mK이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178또는 179에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 180. Item 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, comprising a sintered body composed mainly of aluminum nitride having a thermal conductivity of 50 W / mK or higher at room temperature. , 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147 , 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172 173, 174, 175, 176, 177, 178 or 179, any one substrate for mounting a light emitting element.

항 181.실온에 있어서의 열전도율이 100 W/mK이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 180에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 181. The substrate for mounting a light emitting element according to item 180, wherein the thermal conductivity at room temperature is composed of a sintered body containing aluminum nitride of 100 W / mK or more as a main component.

항 182.실온에 있어서의 열전도율이 150 W/mK이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 180 또는 181에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 182. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 180 or 181, wherein the substrate has a sintered body containing aluminum nitride having a thermal conductivity of 150 W / mK or more as a main component.

항 183.실온에 있어서의 열전도율이 170 W/mK이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 180, 181또는 182에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 183. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 180, 181, or 182, comprising a sintered body whose main thermal conductivity is at least 170 W / mK of aluminum nitride.

항 184.실온에 있어서의 열전도율이 200 W/mK이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 180, 181, 182또는 183에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 184. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 180, 181, 182, or 183, comprising a sintered body whose main thermal conductivity at room temperature is aluminum nitride of 200 W / mK or more.

항 185.실온에 있어서의 열전도율이 220 W/mK이상의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 180, 181, 182, 183또는 184에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 185. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 180, 181, 182, 183, or 184, wherein the thermal conductivity at room temperature is made of a sintered body containing aluminum nitride of 220 W / mK or more as a main component.

항 186.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 평균 표면 엉성함 Ra2000nm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으 로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184또는 185에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 186. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is composed of a sintered body composed mainly of a ceramic material having an average surface roughness of Ra2000 nm or less. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 1 The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 78, 179, 180, 181, 182, 183, 184, or 185.

항 187.평균 표면 엉성함 Ra1000nm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 186에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 187. Average surface roughness A substrate for mounting a light emitting element according to item 186, comprising a sintered body having a ceramic material of Ra1000 nm or less as a main component.

항 188.평균 표면 엉성함 Ra100nm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 186또는 187에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 188. Average surface roughness The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 186 or 187, which is composed of a sintered body having a ceramic material of Ra100 nm or less as a main component.

항 189.평균 표면 엉성함 Ra20nm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 186, 187또는 188에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 189. Average surface roughness The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 186, 187, or 188, which is composed of a sintered body having a ceramic material of Ra20 nm or less as a main component.

항 190.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 평균 표면 엉성함 Ra2000nm 이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188또는 189에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 190. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is formed of a sintered body composed mainly of a ceramic material having an average surface roughness of at least Ra2000 nm. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 17 The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 8, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, or 189.

항 191.기판 표면이 구워 놓은(as－fire), 랩 연마 혹은 경면 연마 중으로부터 선택된 적어도 몇 개의 상태를 가지는 것을 특징으로 하는 항 186, 187, 188, 189또는 190에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 191. The light emitting element according to any one of items 186, 187, 188, 189, or 190, characterized in that the substrate surface has at least some states selected from among as-fire, lap polishing, or mirror polishing. Board for mounting.

항 192.기판 표면이 경면 연마된 상태를 가지는 것을 특징으로 하는 항 186, 187, 188, 189, 190 또는 191에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 192. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 186, 187, 188, 189, 190 or 191, wherein the substrate surface has a mirror polished state.

항 193.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 두께가 8.0 mm 이 하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191또는 192에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 193. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body whose main component is a ceramic material having a thickness of 8.0 mm or less. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 , 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33 , 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58 , 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83 , 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108 , 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133 , 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158 , 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 18 The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 1, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, or 192.

항 194.기판의 두께가 5.0 mm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 193에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 194. The light emitting element mounting substrate according to item 193, comprising a sintered body having a ceramic material having a thickness of 5.0 mm or less as a main component.

항 195.기판의 두께가 2.5 mm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 193또는 194에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 195. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 193 or 194, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a thickness of 2.5 mm or less.

항 196.기판의 두께가 1.0 mm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 193, 194또는 195에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 196. The substrate for mounting a light emitting element according to any one of items 193, 194, or 195, comprising a sintered body having a ceramic material having a thickness of 1.0 mm or less as a main component.

항 197.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 두께가 0.01 mm이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195또는 196에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 197. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate comprises a sintered body composed mainly of a ceramic material having a thickness of 0.01 mm or more. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195 or 196.

항 198.기판의 두께가 0.02 mm이상인 것을 특징으로 하는 항 197에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 198. The light emitting element mounting substrate according to item 197, wherein the substrate has a thickness of 0.02 mm or more.

항 199.기판의 두께가 0.05 mm이상인 것을 특징으로 하는 항 197또는 198에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 199. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 197 or 198, wherein the substrate has a thickness of 0.05 mm or more.

항 200.기판의 두께가 8.0 mm 이하로 있고 또한 광투과율이 1%이상인 것을 특징으로 하는 항 193, 194, 195, 196, 197, 198또는 199에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 200. The substrate for mounting a light emitting element according to any one of items 193, 194, 195, 196, 197, 198, or 199, wherein the substrate has a thickness of 8.0 mm or less and a light transmittance of 1% or more.

항 201.기판의 두께가 0.01 mm이상으로 있고 또한 광투과율이 1%이상인 것을 특징으로 하는 항 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199또는 200에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 201. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to items 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199 or 200, wherein the substrate has a thickness of 0.01 mm or more and a light transmittance of 1% or more. .

항 202.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 도통 비아를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200 또는 201에 기재되 는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 202. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body mainly composed of a ceramic material having a conductive via. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 , 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34 , 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59 , 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84 , 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109 , 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134 , 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159 , 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181 Light emitting device as described in 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200 or 201 Substrate.

항 203.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 도통 비아를 가지는 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 202에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 203. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a light transmissive ceramic material having conductive vias.

항 204.도통 비아가 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 티탄, 몰리브덴, 텅스텐, 크롬, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 202또는 203에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Article 204.Conducting vias into gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, ruthenium, rhodium, parodydium, osmium, iridium, platinum, titanium, molybdenum, tungsten, chromium, titanium nitride, zirconium nitride The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 202 or 203, which is composed of a material containing at least one selected from the group consisting of at least one material.

항 205.도통 비아가 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 204에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 205. The light emitting element of item 204, wherein the conductive via is made of a material containing at least one or more selected from among gold, silver, copper, ferrite, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride. Board for mounting.

항 206.도통 비아가 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 티탄, 몰리브덴, 텅스텐, 크롬, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 항 202, 203, 204또는 205에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 206.Conducting vias into gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, ruthenium, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, titanium, molybdenum, tungsten, chromium, titanium nitride, zirconium nitride The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 202, 203, 204 or 205, which comprises a component contained in a sintered body containing, as a main component, at least one selected from the group consisting of a ceramic material as a main component. .

항 207.도통 비아가 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징 으로 하는 항 206에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 207. The conductive via is contained in a sintered body containing, as a main component, at least one or more selected from gold, silver, copper, ferridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride and zirconium nitride as a main component. A light emitting element mounting substrate according to item 206, comprising a component.

항 208.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 206또는 207에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 208. The components contained in the sintered body mainly composed of the ceramic material in the vias include aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, and rare earths. At least one selected from the group consisting of an element compound, an alkaline earth metal compound, borosilicate glass, and crystallized glass, wherein the substrate for mounting light emitting element according to item 206 or 207.

항 209.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 208에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 209. The component contained in the sintered body containing the ceramic material in the conductive via as a main component is at least one selected from aluminum nitride, aluminum oxide, rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, borosilicate glass, and crystallized glass. The substrate for mounting a light emitting element according to 208.

항 210.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 30 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 206, 207, 208또는 209에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 210. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 206, 207, 208 or 209, wherein the content of the component contained in the sintered body containing the ceramic material in the conductive via as a main component is 30% by weight or less.

항 211.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 20 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 210에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 211. The light emitting element mounting substrate according to Item 210, wherein the content of a component included in the sintered body containing the ceramic material in the conductive via as a main component is 20% by weight or less.

항 212.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 10 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 210 또는 211에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 212. The light emitting element mounting substrate according to Item 210 or 211, wherein a content of a component included in the sintered body containing the ceramic material in the conductive via as a main component is 10% by weight or less.

항 213.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 5 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 210, 211또는 212에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 213. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 210, 211, or 212, wherein the content of a component contained in the sintered body containing the ceramic material in the conductive via as a main component is 5% by weight or less.

항 214.도통 비아의 실온에 있어서의 저항율이 110－3Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212또는 213에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 214. The resistivity at room temperature of the conductive via is 110-3 Ωcm or less, wherein any one of items described in Item 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, or 213. Board for mounting light emitting element.

항 215.도통 비아의 실온에 있어서의 저항율이 110－4Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 214에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 215. The substrate for mounting a light emitting element according to item 214, wherein a resistivity at room temperature of the conductive via is 110-4? Cm or less.

항 216.도통 비아의 실온에 있어서의 저항율이 510－5Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 214또는 215에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 216. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 214 or 215, wherein a resistivity at room temperature of the via is 510-5? Cm or less.

항 217.도통 비아의 실온에 있어서의 저항율이 110－5Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 214, 215또는 216에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 217. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 214, 215, or 216, wherein the resistivity at the room temperature of the via is 110-5? Cm or less.

항 218.도통 비아의 크기가 500μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216또는 217에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 218. Any of the items described in Items 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, or 217, wherein the size of the via is 500 μm or less. One light emitting element mounting substrate.

항 219.도통 비아의 크기가 250μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 218에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 219. The light emitting element mounting substrate according to item 218, wherein the size of the via is 250 µm or less.

항 220.도통 비아의 크기가 100μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 218또는 219에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 220. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 218 or 219, wherein the size of the via is 100 µm or less.

항 221.도통 비아의 크기가 50μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 218, 219또 는 220에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 221. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 218, 219 or 220, wherein the size of the via is 50 µm or less.

항 222.도통 비아의 크기가 25μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 218, 219, 220 또는 221에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 222. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 218, 219, 220 or 221, wherein the size of the via is 25 m or less.

항 223.도통 비아의 크기가 1μm이상인 것을 특징으로 하는 항 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221또는 222에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 223. Item 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, characterized in that the size of the via is 1 μm or more. The substrate for mounting any one of the light emitting elements described in, 220, 221 or 222.

항224.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91,92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222또는223에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 224. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a sintered body composed mainly of a ceramic material having an electric circuit. 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91,92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 1 83, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, The substrate for mounting any one of the light emitting elements described in 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222 or 223.

항 225.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 전기 회로를 가지는 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 224에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 225. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a sintered body containing, as a main component, a light-transmissive ceramic material having an electric circuit.

항 226.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 내부에 전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 224또는 225에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 226. The substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a sintered body mainly composed of a ceramic material having an electric circuit therein, wherein the substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 224 or 225.

항 227.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 내부에 전기 회로를 가지는 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 224, 225또는 226에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 227. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material having an electric circuit therein, wherein the light emitting device according to item 224, 225, or 226. Device mounting substrate.

항 228.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 내부에 전기 회로를 가져, 한편 도통 맥주를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226 또는 227에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 228. A substrate for mounting a light emitting element, the substrate having an electric circuit therein, wherein the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a conductive beer. 202, 203, 204, 205, 206 Any one of the light emitting elements described in 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226 or 227 Board for mounting.

항 229.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 표면에 전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227또는 228에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 229. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a sintered body composed mainly of a ceramic material having an electrical circuit on its surface, wherein the substrate is any one of items 224, 225, 226, 227 or 228. Board for mounting light emitting element.

항 230.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 표면에 전기 회로 를 가져, 한편 도통 맥주를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228또는 229에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 230. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate has an electrical circuit on its surface and is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a conductive beer. 202, 203, 204, 205, 206 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228 or 229 One light emitting element mounting substrate.

항 231.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 내부 및 표면에 동시에 전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229또는 230에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 231. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a sintered body composed mainly of a ceramic material having electrical circuits on the inside and at the same time. Item 224, 225, 226, 227, 228, 229, or The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 230.

항 232.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 내부 및 표면에 동시에 전기 회로를 가져, 한편 도통 맥주를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230또는 231에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Clause 232. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body having a ceramic material having a conductive beer at the same time, having an electrical circuit inside and at the same time. 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 230 or 231.

항 233.전기 회로가 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 산화 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 크롬, 티탄, 지르코늄, 질화 티탄, 질화 지르코늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231또는 232에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 233.The electrical circuits are gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, ruthenium, ruthenium oxide, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, tungsten, chromium, titanium, zirconium 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, characterized in that the material comprises titanium nitride, zirconium nitride, tantalum nitride, nickel-chromium alloy, at least one selected from the group consisting of Or any one of the light emitting element mounting substrates described in 232.

항 234.전기 회로가 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 233에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 234. The light emitting element according to item 233, wherein the electrical circuit is made of a material containing at least one or more selected from among gold, silver, copper, ferrite, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride. Board for mounting.

항 235.전기 회로가 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 산화 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 크롬, 티탄, 지르코늄, 질화 티탄, 질화 지르코늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233또는 234에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 235.The electrical circuits are gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, ruthenium, ruthenium oxide, rhodium, ferridium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, tungsten, chromium, titanium, zirconium Item 224 characterized by comprising as a main component at least one or more selected from titanium nitride, zirconium nitride, tantalum nitride, nickel-chromium alloy, and a sintered body containing ceramic material as a main component. 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233 or 234, any one of the substrate for mounting a light emitting element.

항 236.전기 회로가 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 항 235에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 236. The electrical circuit is composed of at least one or more selected from among gold, silver, copper, ferridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride as a main component, and is further included in a sintered body having a ceramic material as a main component. A light emitting element mounting substrate according to item 235, comprising a component.

항 237.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 235또는 236에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 237. The components contained in the sintered body mainly composed of ceramic materials in the electrical circuit include aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 235 or 236, which is at least one or more selected from rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, borosilicate glass, and crystallized glass.

항 238.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 질화 갈륨, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 237에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 238. The component contained in the sintered compact mainly containing ceramic materials in an electrical circuit is at least one selected from aluminum nitride, gallium nitride, aluminum oxide, a rare earth element compound, an alkaline earth metal compound, borosilicate glass, and crystallized glass. A substrate for mounting a light emitting element according to item 237.

항 239.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 30 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 235, 236, 237또는 238에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 239. The light emitting element mounting substrate according to Item 235, 236, 237, or 238, wherein the content of a component included in the sintered body containing the ceramic material in the electric circuit as a main component is 30% by weight or less.

항 240.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 20 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 239에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 240. The substrate for mounting a light emitting element according to item 239, wherein the content of the component contained in the sintered body containing the ceramic material in the electrical circuit as a main component is 20% by weight or less.

항 241.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 10 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 239또는 240에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 241. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 239 or 240, wherein the content of the component contained in the sintered body containing the ceramic material in the electric circuit as a main component is 10% by weight or less.

항 242.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 5 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 239, 240또는 241에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 242. The light emitting element mounting substrate according to Item 239, 240, or 241, wherein the content of a component contained in the sintered body containing the ceramic material in the electric circuit as a main component is 5% by weight or less.

항 243.전기 회로가 적어도 2이상의 층으로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241또는 242에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 243. Item 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, characterized in that the electrical circuit consists of at least two layers. The substrate for mounting any one of light emitting devices described in 241 or 242.

항 244.전기 회로가 은, 동, 몰리브덴, 및 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 티탄, 백금, 돈, 알루미늄, 은, 페러디엄, 및 니켈 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로부터 되는 층이 형성된 적어도 2이상의 층으로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 243에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 244. An electrical circuit comprising at least one layer selected from among silver, copper, molybdenum, and tungsten as a main component, and also at least one selected from titanium, platinum, pig, aluminum, silver, parodydium, and nickel. The light emitting element mounting substrate of Claim 243 which consists of at least 2 or more layers in which the layer which consists of materials which have a main component is formed.

항 245.전기 회로가 은, 동, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 티탄, 백금, 돈, 알루미늄, 은, 페러디엄, 및 니켈 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로부터 되는 층, 또한 금, 은, 동, 및 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로부터 되는 층이 적어도 3이상의 층으로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 243또는 244에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 245. An electrical circuit comprising at least one layer selected from the group consisting of silver, copper, molybdenum and tungsten, and also at least one selected from titanium, platinum, pig, aluminum, silver, parodydium and nickel. The layer which consists of a material which consists of a main component, and the layer which consists of a material whose main component is at least 1 sort (s) chosen from gold, silver, copper, and aluminum consists of at least 3 or more layers, It is described in the term | item 243 or 244 characterized by the above-mentioned. A substrate for mounting any one light emitting element.

항 246.전기 회로가 크롬, 티탄, 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 적어도 2이상의 층으로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 243에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 246. An electrical circuit comprising a layer mainly composed of at least one selected from chromium, titanium, and zirconium, and also gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, rhodium, parodydium, osmium, iridium, platinum. And a molybdenum, tungsten, titanium nitride, zirconium nitride, tantalum nitride, nickel-chromium alloy, and at least two or more layers mainly composed of at least one selected from among them. .

항 247.전기 회로가 크롬, 티탄, 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 철, 코발트, 니켈, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 금, 은, 동, 알루미늄, 질화 탄 탈, 니 켈-크롬 합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층이 적어도 3이상의 층으로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 243또는 246에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 247. An electrical circuit comprising a layer composed mainly of at least one selected from chromium, titanium, and zirconium, and also iron, cobalt, nickel, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, At least three layers containing at least one selected from zirconium nitride as the main component and at least one selected from the group consisting of gold, silver, copper, aluminum, tantalum nitride and nickel-chromium alloys. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 243 or 246, which is constituted by

항 248.전기 회로가 크롬, 티탄, 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 철, 코발트, 니켈, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 금, 은, 동, 알루미늄, 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 한층 더 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층이 적어도 4이상의 층으로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 243, 246또는 247에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 248. An electrical circuit comprising a layer composed mainly of at least one selected from chromium, titanium, and zirconium, and also iron, cobalt, nickel, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, A layer composed mainly of at least one selected from zirconium nitride, and a layer composed mainly of at least one selected from gold, silver, copper, aluminum, and further selected from tantalum nitride and nickel-chromium alloys. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 243, 246 or 247, wherein the layer composed of at least one or more kinds comprises at least four or more layers.

항 249.전기 회로가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와의 동시소성에 의해 형성된 것인 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247또는 248에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 249. Item 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, wherein the electrical circuit is formed by co-firing with a sintered body composed mainly of ceramic material. 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247 or 248, any one of the light emitting element mounting substrate.

항 250.전기 회로가 일단 소성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 인화 또는 접착에 의해 형성된 것인 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247또는 248에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 250. Paragraphs 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, wherein the electrical circuit is formed by ignition or adhesion to a sintered body composed mainly of a ceramic material once fired. The substrate for mounting any one of the light emitting elements described in 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247 or 248.

항 251.전기 회로가 박막으로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247또는 248에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 251. Paragraphs 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, characterized in that the electrical circuit is from a thin film. The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 242, 243, 244, 245, 246, 247 or 248.

항 252.전기 회로가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와의 동시소성에 의해 형성된 것, 혹은 일단 소성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 인화 또는 접착에 의해 형성된 것, 혹은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 박막으로서 형성된 것, 중으로부터 선택된 적어도 2이상의 방법을 조합하는 것으로 형성된 것인 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250또는 251에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 252. Electrical circuits formed by co-firing with a sintered body composed mainly of ceramic material, or formed by ignition or adhesion to a sintered body composed mainly of ceramic material once fired, or sintered body composed mainly of ceramic material 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, characterized in that formed as a thin film in combination with at least two methods selected from among 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250 or 251.

항 253.전기 회로가 은, 동, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와의 동시소성에 의해 형성된 것인 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251또는 252에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 253. Paragraphs 224, 225, wherein the electrical circuit is formed by co-firing with a sintered body containing, as a main component, at least one or more selected from silver, copper, molybdenum, and tungsten. 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 251 or 252.

항 254.전기 회로가 은, 동, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 항 253에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 254. The light emitting device according to Item 253, wherein the electric circuit contains a component contained in a sintered body containing, as a main component, at least one or more selected from silver, copper, molybdenum, and tungsten as a main component. Device mounting substrate.

항 255.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성 분이 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 235, 또는 254에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.SECTION 255. Components contained in sintered bodies composed mainly of ceramic materials in electrical circuits include aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 235 or 254, which is at least one or more selected from rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, borosilicate glass, and crystallized glass.

항 256.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 질화 갈륨, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 254또는 255에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 256. The component contained in the sintered body mainly composed of a ceramic material in an electric circuit is at least one selected from aluminum nitride, gallium nitride, aluminum oxide, a rare earth element compound, an alkaline earth metal compound, borosilicate glass, and crystallized glass. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 254 or 255.

항 257.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 30 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 255또는 256에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 257. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 255 or 256, wherein the content of a component contained in the sintered body containing the ceramic material in the electric circuit as a main component is 30% by weight or less.

항 258.전기 회로가 일단 고온에서 군 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 은, 동, 니켈, 르테니움, 산화 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료를 인화 또는 접착하는 것으로써 형성한 층과 한층 더 돈을 주성분으로 하는 층이 형성된 적어도 2이상의 층으로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 243, 250또는 252에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 258. The electrical circuit is subjected to a sintered body composed mainly of a group ceramic material at a high temperature from silver, copper, nickel, ruthenium, ruthenium oxide, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, molybdenum and tungsten. Item 243, 250, or 252, characterized in that the layer formed by igniting or adhering at least one selected material as a main component and at least two or more layers in which a further layer as a main component is formed. A substrate for mounting any one light emitting element.

항 259.전기 회로가 일단 고온에서 군 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 금, 은, 동, 니켈, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스 텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료를 인화 혹은 접착하는 것으로써 형성한 층과 또한 르테니움, 산화 르테니움 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로부터 되는 층이 형성된 적어도 2이상의 층으로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 243, 250, 252또는 258에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 259. The electrical circuit, at a high temperature, contains at least one selected from gold, silver, copper, nickel, rhodium, ferrite, osmium, iridium, platinum, molybdenum and tungsten in a sintered body mainly composed of group ceramic materials. Characterized by comprising at least two or more layers on which a layer formed by igniting or adhering a material containing a main component and a layer made of a material containing at least one or more selected from among ruthenium and ruthenium oxide are formed. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 243, 250, 252 or 258.

항 260.전기 회로의 실온에 있어서의 저항율이 110－3Ωcm이하인 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258또는 259에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 260. Item 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, characterized in that the resistivity at room temperature of the electrical circuit is 110-3 Ωcm or less. Any one of the light emitting elements described in 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258 or 259 Board for mounting.

항 261.전기 회로의 실온에 있어서의 저항율이 110－4Ωcm이하인 것을 특징으로 하는 항 260에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 261. The substrate for mounting a light emitting element according to item 260, wherein the resistivity at room temperature of the electrical circuit is 110-4? Cm or less.

항 262.전기 회로의 실온에 있어서의 저항율이 510－5Ωcm이하인 것을 특징으로 하는 항 260또는 261에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 262. The substrate for mounting a light emitting element according to Item 260 or 261, wherein the resistivity at room temperature of the electric circuit is 510-5? Cm or less.

항 263.전기 회로의 실온에 있어서의 저항율이 110－5Ωcm이하인 것을 특징으로 하는 항 260, 261또는 262에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 263. The substrate for mounting a light emitting element according to Item 260, 261 or 262, wherein the resistivity at room temperature of the electrical circuit is 110-5? Cm or less.

항 264.전기 회로가, 발광소자를 구동하기 위한 전기신호 및 전력 공급용으로서 기능하는 것이든가, 혹은 발광소자를 기판에 고정하기 위한 메탈라이즈로서 기능하는 것이든가, 혹은 발광소자를 구동하기 위한 전기신호 및 전력 공급용으로서 기능하는 것이든가, 혹은 발광소자를 기판에 고착하기 위한 메탈라이즈로서 기 능하는 것인지, 적어도 어느쪽이든 1이상인 것을 특징으로 하는 항 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262또는 263에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Clause 264. Whether the electric circuit functions as an electrical signal and power supply for driving a light emitting element, or as a metallization for fixing a light emitting element to a substrate, or an electric for driving a light emitting element. Item 224, 225, 226, 227, 228, 229, characterized in that it functions as a signal and power supply, or as a metallization for fixing a light emitting element to a substrate, or at least one of them. 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262 or 263.

항 265.판 모양의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147,148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263또는 264에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 265. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, comprising a sintered body mainly composed of a plate-shaped ceramic material 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147,148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 19 8, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263 or 264.

항 266.구덩이 공간을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168,169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264또는 265에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 266. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material having a pit space. , 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40 , 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65 , 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90 , 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115 , 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140 , 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165 , 166, 167, 168,169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191 , 192, 193, 194, 1 95, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, Mounting any one of the light emitting elements described in 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264 or 265 Substrate.

항 267.구덩이 공간을 가져, 해구덩이 공간을 봉지하기 위해서 설치되는 뚜껑이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186,187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265또는 266에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 267. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, wherein the lid provided to have a pit space and seal the sea pit space is made of a sintered body composed mainly of ceramic material. , 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34 , 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59 , 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84 , 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109 , 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134 , 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159 , 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181 , 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207 , 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232 , 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, or 266, the substrate for mounting any one of light emitting elements.

항 268.기체 및 틀과의 접합에 의해 형성되어 상기 기체 및 틀의 쳐 어느쪽이든 1이상이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107,108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266또는 267에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Paragraph 268. Paragraphs 1, 2, 3, 4, 5, 6, wherein the at least one of the base and the base is formed by fusion with a gas and a frame, wherein the at least one of the base and the frame is a sintered body composed mainly of a ceramic material. 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107,108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266 or 267.

항 269.기체가 판 모양인 것을 특징으로 하는 항 268에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 269. The substrate for mounting a light emitting element according to item 268, wherein the gas has a plate shape.

항 270.기체 및 틀이 실리콘 수지를 주성분으로 하는 접착제에 의해 접합되고 있는 것을 특징으로 하는 항 268또는 269에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 270. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 268 or 269, wherein the gas and the frame are joined by an adhesive containing a silicone resin as a main component.

항 271.발광소자 탑재용 기판이 일체화한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166,167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266, 267, 268, 269또는 270에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 271. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, comprising a sintered body composed mainly of a ceramic material in which a substrate for mounting a light emitting element is integrated. , 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38 , 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63 , 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88 , 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113 , 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138 , 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163 , 164, 165, 166,167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189 , 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266, The light emitting element mounting substrate according to 267, 268, 269 or 270.

항 272.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것인 것을 특징으로 하는 항 265, 266, 267, 268, 269, 270또는 271에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 272. The substrate for mounting any one of light-emitting elements according to item 265, 266, 267, 268, 269, 270 or 271, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has light transmittance.

항 273.발광소자를 탑재하기 위한 기판이며, 상기 기판은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로부터 되어, 상기 기판은 적어도 2이상의 발광소자가 탑재되는 것인 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157,158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266, 267, 268, 269, 270, 271또는 272에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 273. A substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is made of a sintered body containing ceramic material as a main component, and the substrate is mounted with at least two light emitting elements. , 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29 , 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54 , 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79 , 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104 , 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129 , 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154 , 155, 156, 157,158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266, 267, 268, 269, 270, 271 or 272 The substrate for mounting any one of the light emitting elements described.

항 274.적어도 2이상의 발광소자가 같은 파장의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 273에 기재된 발광소자 탑재용 기판.Item 274. The substrate for mounting a light emitting element according to item 273, wherein at least two light emitting elements emit light having the same wavelength.

항 275.모든 발광소자가 같은 파장의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 273또는 274에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 275. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 273 or 274, wherein all light emitting elements emit light having the same wavelength.

항 276.적어도 2이상의 발광소자가 다른 파장의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 273또는 274에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 276. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 273 or 274, wherein at least two light emitting elements emit light of different wavelengths.

항 277.모든 발광소자가 다른 파장의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 273또는 276에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 277. The substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 273 or 276, wherein all light emitting elements emit light having a different wavelength.

항 278.발광소자가 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166,167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266, 267, 268, 269, 270, 271, 272, 273, 274, 275, 276또는 277에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 278. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, wherein the light emitting element emits light in a range of at least 200 nm to 800 nm. , 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37 , 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62 , 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87 , 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112 , 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137 , 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162 , 163, 164, 165, 166,167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188 , 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 19 7, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266, 267, 268, 269, 270, 271, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 272, 273, 274, 275, 276 or 277.

항 279.발광소자가 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107,108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229,230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266, 267, 268, 269, 270, 271, 272, 273, 274, 275, 276, 277또는 278에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 279. Item 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, wherein the light emitting element is composed mainly of at least one selected from gallium nitride, indium nitride and aluminum nitride. , 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34 , 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59 , 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84 , 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107,108, 109, 110 , 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135 , 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160 , 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229,230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, The substrate for mounting any one of light emitting elements described in 261, 262, 263, 264, 265, 266, 267, 268, 269, 270, 271, 272, 273, 274, 275, 276, 277 or 278.

항 280.발광소자가 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 적어도 N형 반도체층, 발광층, 및 P형 반도체층의 3층 이상의 적층체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27,28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215, 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240, 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265, 266, 267, 268, 269, 270, 271, 272, 273, 274, 275, 276, 277, 278또는 279에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판.Item 280. A light emitting element comprising at least three layers of at least an N-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a P-type semiconductor layer mainly comprising at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33, 34, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90, 91, 92, 93, 94, 95, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119, 120, 121, 122, 123, 124, 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 147, 148, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 155, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 162, 163, 164, 165 , 166, 167, 168, 169, 170, 171, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 179, 180, 181, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 190 , 191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 209, 210, 211, 212, 213, 214, 215 , 216, 217, 218, 219, 220, 221, 222, 223, 224, 225, 226, 227, 228, 229, 230, 231, 232, 233, 234, 235, 236, 237, 238, 239, 240 , 241, 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, 249, 250, 251, 252, 253, 254, 255, 256, 257, 258, 259, 260, 261, 262, 263, 264, 265 The light emitting element mounting substrate described in 266, 267, 268, 269, 270, 271, 272, 273, 274, 275, 276, 277, 278 or 279.

항 281.발광소자를 탑재하기 위한 기판의 제조 방법이며, 상기 기판이 원료로서 산화 알루미늄의 환원법에 의해 제작된 것 및 금속 알루미늄의 직접 질화법에 의해 제작된 것의 집으로부터 선택되고 싶은 차이인지를 각각 단독이나 혹은 산화 알루미늄의 환원법에 의해 제작된 것 및 금속 알루미늄의 직접 질화법에 의해 제작된 것을 혼합한 것인가 적어도 어느쪽이든 이용해 제조되는 질화 알루미늄을 주성 분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 281. A method of manufacturing a substrate for mounting a light emitting element, wherein each of the substrates is a difference between the substrates produced by the reduction method of aluminum oxide and the one produced by the direct nitriding method of metal aluminum as a raw material. A light emitting element mounted comprising a sintered body comprising aluminum nitride produced by using at least either alone or a mixture produced by the reduction method of aluminum oxide and the direct nitriding method of metal aluminum. Method for producing a substrate for use.

항 282.발광소자를 탑재하기 위한 기판의 제조 방법이며, 상기 기판이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체를 비산화성 분위기중소성온도 1500℃이상으로 10분간 이상 고온에서 굽는 것으로 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 282. A method of manufacturing a substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a nitride obtained by baking a powder compact or sintered body composed mainly of aluminum nitride at a high temperature of at least 1500 ° C. for a non-oxidizing atmosphere at a medium firing temperature of 1500 ° C. or more. A method for producing a substrate for mounting a light emitting element, comprising a sintered body containing aluminum as a main component.

항 283.발광소자를 탑재하기 위한 기판의 제조 방법이며, 상기 기판이 원료로서 산화 알루미늄의 환원법에 의해 제작된 것 및 금속 알루미늄의 직접 질화법에 의해 제작된 것의 집으로부터 선택되고 싶은 차이인지를 각각 단독이나 혹은 산화 알루미늄의 환원법에 의해 제작된 것 및 금속 알루미늄의 직접 질화법에 의해 제작된 것을 혼합한 것인가 적어도 어느쪽이든 이용해 제조되는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체를 비산화성 분위기중소성온도 1500℃이상으로 10분간 이상 고온에서 굽는 것으로 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 281또는 282에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 283. A method of manufacturing a substrate for mounting a light emitting element, wherein each of the substrates is a difference between the substrates produced by the reduction method of aluminum oxide and the one produced by the direct nitriding method of metal aluminum as a raw material. A non-oxidizing atmosphere medium firing temperature is used for a powder compact or a sintered body composed mainly of aluminum nitride, which is produced either alone or by a method of reducing aluminum oxide, and a material produced by direct nitriding of metal aluminum. The manufacturing method of any one of the light emitting element mounting substrates of Claim 281 or 282 which consists of a sintered compact which consists of aluminum nitride obtained by baking at 1500 degreeC or more for 10 minutes or more at high temperature.

항 284.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것을 특징으로 하는 항 281, 282또는 283에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 284. The method for manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 281, 282, or 283, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has light transmittance.

항 285.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 1%이상을 가지 는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283또는 284에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 285. The method for manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 281, 282, 283, or 284, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 1% or more.

항 286.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 5%이상을 가지는 것을 특징으로 하는 항 285에 기재된 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 286. A method for producing a substrate for mounting a light emitting element according to item 285, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 5% or more.

항 287.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 10%이상을 가지는 것을 특징으로 하는 항 285또는 286에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 287. The method for manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 285 or 286, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 10% or more.

항 288.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 20%이상을 가지는 것을 특징으로 하는 항 285, 286또는 287에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 288. The method for manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 285, 286 or 287, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 20% or more.

항 289.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 30%이상을 가지는 것을 특징으로 하는 항 285, 286, 287또는 288에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 289. The method for manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 285, 286, 287, or 288, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 30% or more.

항 290.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 40%이상을 가지는 것을 특징으로 하는 항 285, 286, 287, 288또는 289에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 290. The method for manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 285, 286, 287, 288, or 289, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 40% or more.

항 291.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 50%이상을 가지는 것을 특징으로 하는 항 285, 286, 287, 288, 289또는 290에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 291. The method for manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 285, 286, 287, 288, 289 or 290, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 50% or more.

항 292.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 60%이상을 가지 는 것을 특징으로 하는 항 285, 286, 287, 288, 289, 290또는 291에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 292. Production of a substrate for mounting any one of light emitting elements according to Item 285, 286, 287, 288, 289, 290, or 291, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 60% or more. Way.

항 293.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 80%이상을 가지는 것을 특징으로 하는 항 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291또는 292에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 293. The light emitting element mounting substrate according to any one of items 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, or 292, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 80% or more. Manufacturing method.

항 294.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 광투과율 85%이상을 가지는 것을 특징으로 하는 항 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292또는 293에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 294. For mounting of any one of the light emitting elements according to Item 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, or 293, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a light transmittance of 85% or more. Method of manufacturing a substrate.

항 295.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체를 질화 알루미늄 성분을 포함한 비산화성 분위기중소성온도 1500℃이상으로 10분간 이상 고온에서 굽는 것으로 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293또는 294에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 295. A powder compact or sintered body containing aluminum nitride as a main component, which is obtained from a sintered body containing aluminum nitride as a main component which can be obtained by baking at a high temperature for at least 10 minutes at a non-oxidizing atmosphere medium firing temperature of 1500 ° C. or more. The manufacturing method of the board | substrate for mounting any one of light emitting elements as described in the term 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, or 294.

항 296.질화 알루미늄 성분이 피소성물인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체로부터 소성분위기인 비산화성 분위기중에 공급되어 상기 비산화성 분위기중소성온도 1500℃이상으로 10분간 이상피소성물을 고온에서 굽는 것으로 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 295에 기재된 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 296. An aluminum nitride component is supplied from a powder compact or a sintered body containing aluminum nitride as a main component in a non-oxidizing atmosphere, which is a minor component, for baking at least one minute at a high temperature of at least 1500 ° C. in a non-oxidizing atmosphere. The manufacturing method of the board | substrate for light emitting element mounting of Claim 295 which consists of a sintered compact which has aluminum nitride obtained as a main component.

항 297.질화 알루미늄 성분이 피소성물인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체 이외로부터 소성분위기인 비산화성 분위기중에 공급되어 상기 비산화성 분위기중소성온도 1500℃이상으로 10분간 이상피소성물을 고온에서 굽는 것으로 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 295에 기재된 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 297. The non-oxidizing atmosphere is subjected to a non-oxidizing atmosphere, which is a minor component, from a powder compact or a sintered body whose aluminum nitride component is an aluminum nitride as a main component. It consists of the sintered compact which has aluminum nitride obtained by baking as a main component, The manufacturing method of the board | substrate for light emitting element mounting of Claim 295 characterized by the above-mentioned.

항 298.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체를 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 재료로부터 되는 소성용기 혹은 소성치구를 이용해 고온에서 굽는 것을 특징으로 하는 항 295또는 297에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 298. The mounting of any one of light emitting elements according to item 295 or 297, wherein the powder compact or sintered body containing aluminum nitride as a main component is baked at a high temperature using a firing vessel or a firing jig made of a material containing aluminum nitride as a main component. Method for producing a substrate for use.

항 299.피소성물인 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체와 상기 피소성물 이외의 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말, 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체, 혹은 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽이든 1이상의 것을 소성용기 혹은 소성치구내에 동시에 존재시켜 고온에서 굽는 것을 특징으로 하는 항 297또는 298에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 299. From a powder compact or a sintered body containing aluminum nitride as a main component and a powder containing aluminum nitride as a main component other than the above-mentioned object, or a powder molded body containing aluminum nitride as a main component or a sintered body containing aluminum nitride as a main component The manufacturing method of any one of the light emitting element mounting boards of Claim 297 or 298 characterized by baking at the high temperature, and having at least 1 or more of them selected simultaneously in a baking container or a baking fixture.

항 300.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체를 질화 알루미늄, 텅스텐, 몰리브덴, 질화 붕소, 질화 붕소를 도포한 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로부터 되는 소성용기 혹은 소성치구를 이용해 고온에서 굽는 것을 특징으로 하는 항 295, 296, 297, 298또는 299에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 300. A firing vessel or a firing jig composed of a material mainly composed of at least one selected from carbon coated with aluminum nitride, tungsten, molybdenum, boron nitride, and boron nitride as a powder compact or sintered body composed mainly of aluminum nitride. The manufacturing method of any one of the board | substrate for mounting a light emitting element of Claim 295, 296, 297, 298, or 299 characterized by baking at high temperature using.

항 301.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체를 일단 고온에서 구어 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 이루어, 상기 소결체를 핫 프레스법 혹은 열간 정수압 가압(HIP) 법에 의해 가압 고온에서 굽는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299또는 300에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 301. A powder compact having aluminum nitride as a main component is once baked at high temperature, and a sintered compact having aluminum nitride as a main component is formed, and the sintered compact is baked at a pressurized high temperature by a hot press method or a hot hydrostatic pressure (HIP) method. For mounting any one of the light emitting elements described in paragraphs 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299 or 300 Method of manufacturing a substrate.

항 302.발광소자를 탑재하기 위한 기판의 제조 방법이며, 상기 기판이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체를 비산화성 분위기중소성온도 1750℃이상으로 3시간 이상 가열하는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300또는 301에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 302. A method of manufacturing a substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is heated to a powder compact or sintered body containing aluminum nitride as a main component at a non-oxidizing atmosphere medium firing temperature of 1750 ° C. or more for 3 hours or more. For mounting any of the light emitting elements described in 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300 or 301 Method of manufacturing a substrate.

항 303.발광소자를 탑재하기 위한 기판의 제조 방법이며, 상기 기판이 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 화합물을 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체를 비산화성 분위기중소성온도 1750℃이상으로 3시간 이상 고온에서 구어 포함되는 성분의 쳐 적어도 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물 및 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 비산제거해 감소시키는 것으로 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 되는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301또는 302에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 303. A method of manufacturing a substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a non-oxidizing atmosphere comprising a powder compact or a sintered body composed mainly of aluminum nitride including at least one compound selected from rare earth element compounds and alkaline earth metal compounds. Main component is aluminum nitride which can be obtained by scattering and removing at least one or more selected from rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, and oxygen at least at a baking temperature of 3750 hours or more at a medium plastic temperature of 1750 ° C. or higher. Clause 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, characterized by The manufacturing method of the board | substrate for mounting any one of light emitting elements as described in 301 or 302.

항 304.소성온도가 1900℃이상인 것을 특징으로 하는 항 302또는 303에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 304. The method for manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 302 or 303, wherein the firing temperature is 1900 占 폚 or higher.

항 305.소성온도가 2050℃이상인 것을 특징으로 하는 항 302, 303또는 304에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 305. The method for manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 302, 303 or 304, wherein the firing temperature is 2050 ° C or higher.

항 306.소성온도가 2100℃이상인 것을 특징으로 하는 항 302, 303, 304또는 305에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 306. The method of manufacturing a substrate for mounting any one of light emitting elements according to item 302, 303, 304 or 305, wherein the firing temperature is 2100 ° C or higher.

항 307.발광소자를 탑재하기 위한 기판의 제조 방법이며, 상기 기판이 희토류 원소 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 화합물을 동시에 포함한 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체를 비산화성 분위기중소성온도 1750℃이상으로 3시간 이상 소성하여 포함되는 성분중에서 적어도 희토류 원소 화합물 및 알칼리 토류 금속 화합물 및 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 비산제거해 감소시키는 것으로 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305또는 306에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 307. A method of manufacturing a substrate for mounting a light emitting element, the substrate comprising aluminum nitride as a main component, at least one compound selected from among rare earth element compounds and at least one compound selected from alkaline earth metal compounds simultaneously. The powder compact or the sintered compact is calcined at least 1 hour or more selected from the rare earth element compound, the alkaline earth metal compound and oxygen from among the components contained by calcining at least 1 hour at a temperature of 1750 ° C. for non-oxidizing atmosphere. Claims 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, and 297, which are composed of a sintered body composed of obtainable aluminum nitride. Any one of the light emitting elements described in 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305 or 306 The method of the substrate.

항 308.발광소자를 탑재하기 위한 기판의 제조 방법이며, 상기 기판이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체를 소성하여 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 되어, 상기 분말 성형체는 질화 알루미늄 원료 분말을 주성분으로 하는 그린 시트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306또는 307에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 308. A method of manufacturing a substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a sintered body containing aluminum nitride as a main component obtained by firing a powder compact having aluminum nitride as a main component, and the powder molded body is made of aluminum nitride raw material powder. Item 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299 The manufacturing method of any one board | substrate for light emitting element described in 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, or 307.

항 309.발광소자를 탑재하기 위한 기판의 제조 방법이며, 상기 기판이 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체를 소성하여 얻을 수 있는 소결체를 한층 더 소성하여 얻을 수 있는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로부터 되어, 상기 분말 성형체는 질화 알루미늄 원료 분말을 주성분으로 하는 그린 시트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307또는 308에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 309. A method of manufacturing a substrate for mounting a light emitting element, wherein the substrate is a sintered body comprising aluminum nitride as a main component obtained by firing a sintered body obtained by firing a powder compact having aluminum nitride as a main component. , Wherein the powder compact is composed of a green sheet containing aluminum nitride raw material powder as a main component. 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, The manufacturing method of the board | substrate for mounting any one of light emitting elements as described in 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307 or 308.

항 310.소성온도 1750℃이상으로 10시간 이상소성을 실시하는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308또는 309에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Paragraph 310. Paragraphs 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, characterized in that firing is carried out for at least 10 hours at a firing temperature of 1750 ° C or higher. 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308 or 309. The manufacturing method of any one of the light emitting element mounting substrates.

항 311.소성온도 1900℃이상으로 6시간 이상소성을 실시하는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309또는 310에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Paragraph 311 Paragraph 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309 or 310. The manufacturing method of any one of the light emitting element mounting substrates.

항 312.소성온도 2050℃이상으로 4시간 이상소성을 실시하는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310 또는 311에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Paragraph 312 Paragraph 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310 or 311. The manufacturing method of the board | substrate for mounting any one of light emitting elements.

항 313.소성온도 2100℃이상으로 3시간 이상소성을 실시하는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311또는 312에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Paragraph 313 Paragraph 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311 or 312. The manufacturing method of any one of the light emitting element mounting substrates.

항 314.소성분위기가 질소, 헬륨, 네온, 아르곤 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312또는 313에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 314. Item 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, characterized in that the minor component contains at least one selected from nitrogen, helium, neon, and argon. Any of those described in 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312 or 313 The manufacturing method of the board | substrate for light emitting element mounting of this invention.

항 315.소성분위기가 환원성 분위기인 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313또는 314에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 315. Item 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, characterized in that the minor component atmosphere is a reducing atmosphere. The manufacturing method of the board | substrate for mounting any one of light emitting elements as described in 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, or 314.

항 316.소성분위기가 수소, 탄소, 일산화탄소, 탄화수소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314또는 315에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 316. Item 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, characterized in that the minor component contains at least one selected from hydrogen, carbon, carbon monoxide and hydrocarbons. 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314 or 315 The manufacturing method of any one board | substrate for light emitting element mounting described.

항 317.소성분위기가 수소, 탄소, 일산화탄소, 탄화수소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 0.1 ppm 이상 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 314, 315또는 316에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 317. The light emitting device mounting substrate of any one of items 314, 315 or 316, wherein the minor component contains at least 0.1 ppm of at least one selected from hydrogen, carbon, carbon monoxide, and hydrocarbons. Manufacturing method.

항 318.소 이루어지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체의 최소 치수가 8 mm 이하인 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316또는 317에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 318. Item 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, characterized in that the minimum size of the powder compact or sintered body composed mainly of aluminum nitride is 8 mm or less. , 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316 or 317 The manufacturing method of the board | substrate for mounting any one of light emitting elements as described in.

항 319.소 이루어지는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 분말 성형체 또는 소결체가 판 모양이며 그 두께가 8 mm 이하인 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316, 317또는 318에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 319. Item 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, characterized in that the powder compact or sintered body composed mainly of aluminum nitride is plate-shaped and has a thickness of 8 mm or less. 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, The manufacturing method of the board | substrate for mounting any one of light emitting elements as described in 316, 317, or 318.

항 320.발광소자가 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316, 317, 318또는 319에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 320. Item 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, wherein the light emitting element emits light having a wavelength of at least 200 nm to 800 nm. , 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316, 317 The manufacturing method of any one board | substrate for light emitting elements described in 318 or 319.

항 321.발광소자가 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 것인 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316, 317, 318, 319또는 320에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 321. Item 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, wherein the light emitting element is composed mainly of at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride. , 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314 315, 316, 317, 318, 319 or 320, the manufacturing method of any one of the light emitting element mounting substrate.

항 322.발광소자가 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 적어도 N형 반도체층, 발광층, 및 P형 반도체층의 3층 이상의 적층체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305, 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316, 317, 318, 319, 320 또는 321에 기재되는 어느 하나의 발광소자 탑재용 기판의 제조 방법.Item 322. A light emitting device comprising at least three layers of at least an N-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a P-type semiconductor layer, mainly comprising at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. Item 281, 282, 283, 284, 285, 286, 287, 288, 289, 290, 291, 292, 293, 294, 295, 296, 297, 298, 299, 300, 301, 302, 303, 304, 305 306, 307, 308, 309, 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316, 317, 318, 319, 320 or 321. The manufacturing method of any one board | substrate for light emitting element mounting.

항 1001.광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 발광소자.Item 1001. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having light transmittance as a main component.

항 1002.광투과율 1%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001에 기재된 발광소자.Item 1002. The light emitting device according to Item 1001, which is mounted on a substrate made of a sintered body containing, as a main component, a ceramic material having a light transmittance of 1% or more.

항 1003.광투과율 5%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001또는 1002에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1003. The light emitting element according to Item 1001 or 1002, which is mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 5% or more as a main component.

항 1004.광투과율 10%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002또는 1003에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1004. The light emitting element according to any one of items 1001, 1002, or 1003, which is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 10% or more.

항 1005.광투과율 20%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003또는 1004에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1005. The light emitting element according to Item 1001, 1002, 1003, or 1004, which is mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 20% or more as a main component.

항 1006.광투과율 30%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004또는 1005에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1006. The light emitting device according to any one of items 1001, 1002, 1003, 1004, or 1005, which is mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 30% or more as a main component.

항 1007.광투과율 40%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005또는 1006에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1007. The light emitting element according to any one of items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, or 1006, which is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 40% or more.

항 1008.광투과율 50%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006또는 1007에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1008. The light emitting element according to Item 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, or 1007, which is mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 50% or more as a main component.

항 1009.광투과율 60%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007또는 1008에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1009. The light emitting element according to any one of items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, or 1008, which is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 60% or more. .

항 1010.광투과율 80%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루 어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008또는 1009에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1010. Any of the items described in items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, or 1009, which are mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 80% or more as a main component. Light emitting device.

항 1011.광투과율 85%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009또는 1010에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1011. Any of the items described in Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, or 1010, which are mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 85% or more. One light emitting device.

항 1012.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 광투과성 혹은 광투과율이 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것임을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010 또는 1011에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1012. Item 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, characterized in that the light transmittance or the light transmittance of a sintered body composed mainly of ceramic material is for light having a wavelength of at least 200 nm to 800 nm. Any one of the light emitting devices described in 1009, 1010 or 1011.

항 1013.반사 방지 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 발광소자.Item 1013. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material on which an antireflection member is formed as a main component.

항 1014.반사 방지 부재가 형성된 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012또는 1013에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1014. Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, and 1010, which are mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having a light transmissive member with antireflection members as a main component. The light emitting element described in any one of 1011, 1012 or 1013.

항 1015.반사 방지 부재의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하거나 혹은 그것 이하인 것을 특징으로 하는 항 1013또는 1014에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1015. The light emitting element according to Item 1013 or 1014, wherein the refractive index of the antireflection member is equal to or less than the refractive index of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

항 1016.반사 방지 부재가 굴절률 2.3 이하의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1013, 1014또는 1015에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1016. The light emitting element according to Item 1013, 1014, or 1015, wherein the antireflection member is made of a material having a refractive index of 2.3 or less.

항 1017.반사 방지 부재가 굴절률 2.1 이하의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1016에 기재된 발광소자.Item 1017. The light emitting element according to Item 1016, wherein the antireflection member is made of a material having a refractive index of 2.1 or less.

항 1018.반사 방지 부재가 굴절률 2.0 이하의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1016또는 1017에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1018. The light emitting element according to Item 1016 or 1017, wherein the antireflection member is made of a material having a refractive index of 2.0 or less.

항 1019.반사 방지 부재가 광투과율 30%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1013, 1014, 1015, 1016, 1017또는 1018에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1019. The light emitting element according to Item 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, or 1018, wherein the antireflection member is made of a material having a light transmittance of 30% or more.

항 1020.반사 방지 부재가 광투과율 50%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1019에 기재된 발광소자.Item 1020. The light emitting element according to Item 1019, wherein the antireflection member is made of a material having a light transmittance of 50% or more.

항 1021.반사 방지 부재가 광투과율 70%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1019또는 1020에 기재된 발광소자.Item 1021. The light emitting element according to Item 1019 or 1020, wherein the antireflection member is made of a material having a light transmittance of 70% or more.

항 1022.반사 방지 부재가 광투과율 80%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1019, 1020 또는 1021에 기재된 발광소자.Item 1022. The light emitting element according to Item 1019, 1020, or 1021, wherein the antireflection member is made of a material having a light transmittance of 80% or more.

항 1023.반사 방지 부재의 굴절률 및 광투과율이 각각 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것임을 특징으로 하는 항 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021또는 1022에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1023. The apparatus according to item 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, or 1022, wherein the refractive index and the light transmittance of the antireflective member are for light in the range of at least 200 nm to 800 nm, respectively. One light emitting device.

항 1024.반사 방지 부재가 유리, 수지, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022또는 1023에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1024. Paragraphs 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, wherein the antireflection member is made of a material mainly composed of at least one selected from glass, resin, metal oxide, metal nitride, and metal carbide. The light emitting element according to any one of 1019, 1020, 1021, 1022 or 1023.

항 1025.반사 방지 부재로서 이용되는 유리가 석영 유리, 고규산 유리, 소다 석회 유리, 납소다 유리, 칼리 유리, 납칼리 유리, 아르미노 규산염 유리, 붕규산 유리, 무알칼리 유리, 카르코겐 화물 유리, 테르라이드가라스, 인산염 유리, 랜턴 유리, 리튬 함유 유리, 바륨 함유 유리, 아연 함유 유리, 불소 함유 유리, 납함유 유리, 질소 함유 유리, 게르마늄 함유 유리, 크라운 유리, 붕산 크라운 유리, 겹크라운 유리, 희토류 원소 혹은 니오브, 탄 탈을 포함한 크라운 유리, 납유리, 경납유리, 겹납유리, 희토류 원소 혹은 니오브, 탄 탈을 포함한 납유리, 땜납 유리, 광학유리, 각종 결정화 유리 중으로부터 선택된 1종 이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1024에 기재된 발광소자.Item 1025.A glass used as an antireflection member includes quartz glass, high silica glass, soda-lime glass, lead soda glass, kali glass, leadcali glass, amino silicate glass, borosilicate glass, alkali free glass, and carbogenated glass, Terride glass, phosphate glass, lantern glass, lithium-containing glass, barium-containing glass, zinc-containing glass, fluorine-containing glass, lead-containing glass, nitrogen-containing glass, germanium-containing glass, crown glass, boric acid crown glass, double crown glass, Consists of at least one material selected from rare earth elements or crown glass containing niobium and tantalum, lead glass, brazing glass, laminated glass, lead glass containing rare earth elements or niobium and tantalum, solder glass, optical glass and various crystallized glass The light emitting element of Claim 1024 characterized by the above-mentioned.

항 1026.반사 방지 부재로서 이용되는 수지가 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 비스마레이미드트리아진 수지(BT레진), 불포화 폴리에스텔, PTFE나 PFA 혹은 FEP 혹은 PVdF등의 불소 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 폴리 메틸 메타크릴레이트 수지(PMMA), 스틸렌아크릴로니트릴 공중합 수지(SAN), 아릴 지그 리콜 카보네이트 수지(ADC), 우레탄 수지, 티오 우레탄 수지, 디알릴 프탈레이트 수지(DAP), 폴리스티렌, 폴리 에테르 에테르 케톤(PEEK), 폴리에틸렌 나프타 레이트(PEN), 열가소성 폴리이미드 수지, 폴리 아미드이미드(PAI), 포화 폴리에스텔, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT), 폴리카보네이트(polycarbonate)(PC), 폴리아미드, 폴리페닐렌 술피드(PPS), 폴리페닐렌 에테르(PPE), 폴리페닐렌 옥사이드(PPO), 포리에이테르이미드(PEI), 폴리에텔술폰(PES), 포리메치르펜텐(PMP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸 렌 비닐 알코올 공중합체, 포리스르혼, 폴리아릴레이트, 디알릴 프탈레이트, 폴리아세탈등의 중으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1024에 기재된 발광소자.Item 1026. A resin used as an antireflection member is an epoxy resin, a silicone resin, a polyimide resin, a phenol resin, a bismarimide triazine resin (BT resin), an unsaturated polyester, a fluorine resin such as PTFE or PFA or FEP or PVdF. , Acrylic resin, methacryl resin, polymethyl methacrylate resin (PMMA), styrene acrylonitrile copolymer resin (SAN), aryl zigole carbonate resin (ADC), urethane resin, thiurethane resin, diallyl phthalate resin (DAP ), Polystyrene, polyether ether ketone (PEEK), polyethylene naphtharate (PEN), thermoplastic polyimide resin, polyamideimide (PAI), saturated polyester, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT) , Polycarbonate (PC), polyamide, polyphenylene sulfide (PPS), polyphenylene ether (PPE), polyphenylene oxide (PPO), porate Imide (PEI), polyethersulfone (PES), polymethyrpentene (PMP), polyethylene (PE), polypropylene (PP), ethylene vinyl alcohol copolymer, polysulfone, polyarylate, diallyl phthalate, The light emitting element of Claim 1024 which consists of a material which has at least 1 sort (s) or more selected from polyacetal etc. as a main component.

항 1027.반사 방지 부재로서 이용되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물이 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), strontium(Sr), 바륨(Ba), 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 랜턴(La), 세륨(Ce), 프라세오지움(Pr), 네오짐(Nd), 사마리움(Sm), 유로피움(Eu), 가드리니움(Gd), 디스프로시움(Dy), 호르미움(Ho), 에르비움(Er), 잇테르비움(Yb), 르테치움(Lu), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 니오브(Nb), 탄 탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 아연(Zn), 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인지움(In), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 중으로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 금속을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1024에 기재된 발광소자.Item 1027. Metal oxides, metal nitrides, and metal carbides used as antireflection members include beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), barium (Ba), scandium (Sc), and yttrium ( Y), Lantern (La), Cerium (Ce), Praseium (Pr), Neozim (Nd), Samarium (Sm), Europium (Eu), Gardnium (Gd), Disprocium ( Dy), Hormium (Ho), Erbium (Er), Ittterbium (Yb), Letezium (Lu), Zirconium (Zr), Hafnium (Hf), Niobium (Nb), Tantalum (Ta), Molybdenum (Mo), tungsten (W), zinc (Zn), boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn), The light emitting element of Claim 1024 which consists of a material which has at least 1 sort (s) of metal chosen from antimony (Sb) among them as a main component.

항 1028.반사 방지 부재가 산화 알루미늄, 산화 규소, 산화 마그네슘 중으로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1024또는 1027에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1028. The light emitting element according to Item 1024 or 1027, wherein the antireflective member is made of a material composed mainly of at least one selected from aluminum oxide, silicon oxide, and magnesium oxide.

항 1029.반사 방지 부재가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 자기 산화 피막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1024, 1027또는 1028에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1029. The light emitting element according to Item 1024, 1027, or 1028, wherein the antireflection member is made of a self-oxidizing film of a sintered body composed mainly of a ceramic material.

항 1030.반사 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 발광소자.Item 1030. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material on which a reflecting member is formed as a main component.

항 1031.반사 부재가 형성된 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029또는 1030에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1031. Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, which are mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having a light transmissive member having a reflective member as a main component. The light emitting element described in 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029 or 1030.

항 1032.반사 부재가 반사율 15%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1030 또는 1031에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1032. The light emitting element according to any one of Items 1030 or 1031, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 15% or more.

항 1033.반사 부재가 반사율 30%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1032에 기재된 발광소자.Item 1033. The light emitting element according to Item 1032, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 30% or more.

항 1034.반사 부재가 반사율 50%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1032또는 1033에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1034. The light emitting element according to Item 1032 or 1033, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 50% or more.

항 1035.반사 부재가 반사율 70%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1032, 1033또는 1034에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1035. The light emitting element of any one of items 1032, 1033, or 1034, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 70% or more.

항 1036.반사 부재가 반사율 80%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1032, 1033, 1034또는 1035에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1036. The light emitting element according to Item 1032, 1033, 1034, or 1035, wherein the reflecting member is made of a material having a reflectance of 80% or more.

항 1037.반사 부재의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률과 동등하거나 혹은 그 이상인 것을 특징으로 하는 항 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035또는 1036에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1037. The light emitting element according to Item 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, or 1036, wherein the refractive index of the reflecting member is equal to or higher than that of the sintered body composed mainly of the ceramic material.

항 1038.반사 부재의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률보다 적어도 0.2이상 큰 일을 특징으로 하는 항 1037에 기재된 발광소자.Item 1038. The light emitting element according to Item 1037, wherein the refractive index of the reflecting member is at least 0.2 or more larger than the refractive index of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

항 1039.반사 부재의 굴절률이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 굴절률보다 적어도 0.3이상 큰 일을 특징으로 하는 항 1037또는 1038에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1039. The light emitting element according to Item 1037 or 1038, wherein the refractive index of the reflecting member is at least 0.3 or more larger than the refractive index of the sintered body containing the ceramic material as a main component.

항 1040.반사 부재가 광투과율 30%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038또는 1039에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1040. The light emitting element according to any one of Items 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, or 1039, wherein the reflecting member is made of a material having a light transmittance of 30% or more.

항 1041.반사 부재가 광투과율 50%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1040에 기재된 발광소자.Item 1041. The light emitting element according to Item 1040, wherein the reflecting member is made of a material having a light transmittance of 50% or more.

항 1042.반사 부재가 광투과율 80%이상의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1040 또는 1041에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1042. The light emitting element according to Item 1040 or 1041, wherein the reflecting member is made of a material having a light transmittance of 80% or more.

항 1043.반사 부재의 반사율, 굴절률 및 광투과율이 각각 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대한 것임을 특징으로 하는 항 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041또는 1042에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1043. Item 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, characterized in that the reflectance, refractive index and light transmittance of the reflecting member are for light in the range of at least 200 nm to 800 nm, respectively. The light emitting element according to any one of 1041 or 1042.

항 1044.반사 부재가 금속, 합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036또는 1043에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1044. The light-emitting device according to any one of items 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, or 1043, wherein the reflecting member is made of a material mainly composed of at least one selected from metals and alloys. device.

항 1045.반사 부재가 Be, Mg, Sc, Y, 희토류 금속, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036또는 1044에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1045.The reflecting members are Be, Mg, Sc, Y, rare earth metals, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd. And a material containing at least one selected from Os, Ir, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi as a main component. The light emitting element according to any one of items 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, and 1044.

항 1046.반사 부재가 Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, W/Cu합금, Mo/Cu합금, W/Ag합금, Mo/Ag합금, W/Au합금, Mo/Au합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1045에 기재된 발광소자.Item 1046. The reflecting members are Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, W / Cu alloy, Mo / Cu alloy, A light emitting element according to item 1045, comprising a material composed mainly of at least one selected from a W / Ag alloy, a Mo / Ag alloy, a W / Au alloy, and a Mo / Au alloy.

항 1047.반사 부재가 Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, W/Cu합금, Mo/Cu합금, W/Ag합금, Mo/Ag합금, W/Au합금, Mo/Au합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1045또는 1046에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1047.The reflecting member is Cu, Ag, Au, Al, Mg, Zn, Fe, Co, Ni, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, W / Cu alloy, Mo / Cu alloy, W / Ag alloy, Mo The light emitting element according to item 1045 or 1046, which is made of a material composed mainly of at least one selected from among / Ag alloys, W / Au alloys, and Mo / Au alloys.

항 1048.반사 부재가 Cu, Ag, Au, Al를 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1045, 1046또는 1047에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1048. The light emitting element according to Item 1045, 1046, or 1047, wherein the reflecting member is made of a material containing Cu, Ag, Au, and Al as a main component.

항 1049.반사 부재가 원소 단체, 금속의 산화물, 금속의 질화물, 금속의 탄화물, 금속의 규소 화물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042또는 1043에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1049. Paragraphs 1030, 1031, and 1032, wherein the reflecting member is made of a material composed mainly of at least one selected from elemental elements, oxides of metals, nitrides of metals, carbides of metals, and silicon carbides of metals. The light emitting element described in 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042 or 1043.

항 1050.반사 부재가 TiO2, BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, PbTiO3, PZT〔Pb(Zr, Ti) O3〕, PLZT〔(Pb, La)(Zr, Ti) O3〕, PLT〔(Pb, La) TiO3〕, ZrO2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, LiNbO3, LiTaO3, SBN〔(Sr1－xBax) Nb2O6〕, BNN(Ba2NaNb5O15), Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, PbMoO4, PbMoO5, TeO2, SiC, Si3N4, 다이아몬드, AIN, GaN, InN, Si, Ge, 카르코게나이드가라스 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1049에 기재된 발광소자.Item 1050. The reflecting member is formed of TiO2, BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, PbTiO3, PZT [Pb (Zr, Ti) O3], PLZT [(Pb, La) (Zr, Ti) O3], PLT ((Pb, La) TiO3 ], ZrO2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, LiNbO3, LiTaO3, SBN [(Sr1-xBax) Nb2O6], BNN (Ba2NaNb5O15), Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, PbMoO4, PbMoO4, Si The light emitting element according to item 1049, comprising a material containing at least one selected from GaN, InN, Si, Ge, and chalcogenide glass as a main component.

항 1051.반사 부재가 TiO2, SrTiO3, PbTiO3, PZT〔Pb(Zr, Ti) O3〕, PLZT〔(Pb, La)(Zr, Ti) O3〕, PLT〔(Pb, La) TiO3〕, ZrO2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, TeO2, SiC, Si3N4, 다이아몬드, AIN, GaN, InN, 카르코게나이드가라스 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1049또는 1050에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1051. The reflecting member is formed of TiO 2, SrTiO 3, PbTiO 3, PZT (Pb (Zr, Ti) O 3], PLZT [(Pb, La) (Zr, Ti) O 3], PLT [(Pb, La) TiO 3], ZrO 2, ZnO, ZnSe, Nb2O5, Ta2O5, Bi12Ge20, Bi12TiO20, Bi2WO6, TeO2, SiC, Si3N4, Diamond, AIN, GaN, InN, and at least one member selected from chalcogenide glass The light emitting device according to any one of items 1049 or 1050.

항 1052.반사 부재가 TiO2, SrTiO3, PbTiO3, ZrO2, ZnO, Nb2O5, Ta2O5, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, SiC, Si3N4, 다이아몬드, AIN, GaN, InN 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1049, 1050 또는 1051에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1052.A reflector is a material containing at least one selected from TiO2, SrTiO3, PbTiO3, ZrO2, ZnO, Nb2O5, Ta2O5, Bi12GeO20, Bi12TiO20, Bi2WO6, SiC, Si3N4, diamond, AIN, GaN, and InN. The light emitting device according to any one of items 1049, 1050, and 1051.

항 1053.반사 부재가 TiO2, ZrO2, ZnO, Nb2O5, Ta2O5, SiC, Si3N4, 다이아몬드, AIN를 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1049, 1050, 1051또는 1052에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1053. The light emitting element according to Item 1049, 1050, 1051, or 1052, wherein the reflecting member is made of a material mainly composed of TiO2, ZrO2, ZnO, Nb2O5, Ta2O5, SiC, Si3N4, diamond, and AIN. .

항 1054.반사 부재가 적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛에 대해서 전반사 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052또는 1053에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1054. Item 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, characterized in that the reflecting member is made of a material that totally reflects light of at least a wavelength in the range of 200 nm to 800 nm. The light emitting element described in any one of 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052 or 1053.

항 1055.반사 방지 부재 및 반사 부재 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽이든가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052또는 1053에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1055. Item 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, which is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material on which at least one selected from an antireflection member and a reflection member is formed. , 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033 The light emitting device according to any one of 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052 or 1053.

항 1056.반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1055에 기재된 발광소자.Item 1056. The light emitting element according to Item 1055, wherein the light emitting element according to item 1055 is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material on which an antireflection member and a reflection member are formed.

항 1057.반사 방지 부재 및 반사 부재 중으로부터 선택된 적어도 어느쪽이든가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면 중으로부터 선택된 적어도 어느 쪽인가에 형성된 것으로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1055또는 1056에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1057. Item 1055 or 1056, wherein at least one selected from the anti-reflective member and the reflective member is mounted on a substrate formed of at least one selected from an inside and a surface of the sintered body mainly composed of a ceramic material. Any one of the light emitting devices described in.

항 1058.반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체의 내부 및 표면 중으로부터 선택된 적어도 어느 쪽인가에 형성된 것으로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1055, 1056또는 1057에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1058. Paragraph 1055, 1056, or 1057, wherein the antireflection member and the reflection member are mounted on a substrate formed at least at one of the inside and the surface of a sintered body mainly composed of a ceramic material. Any one of the light emitting device.

항 1059.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것인 것을 특징으로 하는 항 1055, 1056, 1057또는 1058에 기재되는 어느 하나의 발광소 자.Item 1059. The light emitting element of any one of items 1055, 1056, 1057, or 1058, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has light transmittance.

항 1060.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 발광소자.Item 1060. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material as a main component, and capable of emitting light emitted from the light emitting element in any direction.

항 1061.광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059또는 1060에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1061. Paragraph 1001, 1002, 1003, 1004, which is a light emitting element mounted on a substrate composed of a sintered body mainly containing a ceramic material having light transmittance, and capable of emitting light emitted from the light emitting element in any direction. 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, The light emitting element according to any one of 1055, 1056, 1057, 1058, 1059 or 1060.

항 1062.반사 방지 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 1060 또는 1061에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1062. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body mainly composed of a ceramic material having an antireflection member thereon, wherein the light emitting element can emit light in any direction, wherein the light emitting element is any one of items 1060 or 1061. One light emitting device.

항 1063.반사 부재가 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 1060, 1061또는 1062에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1063. A light emitting element mounted on a substrate composed of a sintered body having a ceramic material on which a reflecting member is formed as a main component, wherein the light emitted from the light emitting element can be emitted in any direction, as described in Item 1060, 1061, or 1062. Any one light emitting element.

항 1064.반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 형성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광을 임의의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 1060, 1061, 1062또는 1063에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1064. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body mainly composed of a ceramic material on which an antireflection member and a reflecting member are formed simultaneously, wherein the light emission from the light emitting element can be emitted in any direction. 1060, 1061 The light emitting element described in any one of 1062 or 1063.

항 1065.발광을 모든 공간 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 1060, 1061, 1062, 1063또는 1064에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1065. The light emitting element according to any one of items 1060, 1061, 1062, 1063, or 1064, which can emit light in all spatial directions.

항 1066.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광이 기판의 발광소자 탑재면과 반대측의 방향으로 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 1060, 1061, 1062, 1063, 1064또는 1065에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1066. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body containing ceramic material as a main component, wherein light emitted from the light emitting element can be emitted in a direction opposite to the light emitting element mounting surface of the substrate. The light emitting element described in any one of 1063, 1064 or 1065.

항 1067.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광이 기판을 투과하여 기판의 발광소자 탑재면과 반대측의 방향에도 방출 가능한 것을 특징으로 하는 항 1066에 기재된 발광소자.Item 1067. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body containing ceramic material as a main component, wherein light emitted from the light emitting element penetrates the substrate and can be emitted in a direction opposite to the light emitting element mounting surface of the substrate. The light emitting element described in.

항 1068.음푹패인 공간을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광이 기판의 측면으로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 항 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066또는 1067에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Clause 1068. A light emitting element mounted on a substrate composed of a sintered body mainly composed of a ceramic material having a recessed space, wherein light emitted from the light emitting element is emitted from a side surface of the substrate. 1060, 1061, 1062, 1063 The light emitting element described in any one of 1064, 1065, 1066 or 1067.

항 1069.음푹패인 공간을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광은 음푹패인 공간 내부의 측벽을 투과하여 기판의 측면으로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 항 1068에 기재된 발광소자.Item 1069. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body mainly composed of a ceramic material having a recessed space, wherein light emitted from the light emitting element is transmitted from a side surface of the substrate through a side wall of the recessed space. The light emitting element of Claim 1068.

항 1070.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광이 주로 기판의 발광소자 탑재면측에 방출되는 것을 특징으로 하는 항 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068또는 1069에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1070. Paragraphs 1060, 1061, 1062, 1063, characterized in that a light emitting element is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of ceramic material, and the light emitted from the light emitting element is mainly emitted to the light emitting element mounting surface of the substrate. The light emitting element according to any one of 1064, 1065, 1066, 1067, 1068 or 1069.

항 1071.광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069또는 1070에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1071. Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, which are mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material having a light transmittance of 50% or less as a main component. 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, The light emitting element according to any one of 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069 or 1070.

항 1072.광투과율 30%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1071에 기재된 발광소자.Item 1072. The light emitting element according to Item 1071, which is mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material of 30% or less in light transmittance as a main component.

항 1073.광투과율 10%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1071또는 1072에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1073. The light emitting element according to Item 1071 or 1072, which is mounted on a substrate made of a sintered body containing, as a main component, a ceramic material having a light transmittance of 10% or less.

항 1074.광투과율 5%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어 지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1071, 1072또는 1073에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1074. The light emitting element according to Item 1071, 1072, or 1073, which is mounted on a substrate made of a sintered body containing, as a main component, a ceramic material having a light transmittance of 5% or less.

항 1075.광투과율 1%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1071, 1072, 1073또는 1074에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1075. The light emitting element according to Item 1071, 1072, 1073, or 1074, which is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 1% or less.

항 1076.광투과율 0%의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1071, 1072, 1073, 1074또는 1075에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1076. The light emitting element according to Item 1071, 1072, 1073, 1074, or 1075, which is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 0%.

항 1077.광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광이 주로 기판의 발광소자 탑재면측에 방출되는 것을 특징으로 하는 항 1071, 1072, 1073, 1074, 1075또는 1076에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1077. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material of 50% or less in light transmittance as a main component, wherein light emitted from the light emitting element is mainly emitted to the light emitting element mounting surface of the substrate. The light emitting element according to any one of 1072, 1073, 1074, 1075 or 1076.

항 1078.반사 방지 부재 및 반사 부재 중으로부터 선택된 적어도 어느 쪽인지 1이상이 형성된 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광이 주로 기판의 발광소자 탑재면측에 방출되는 것을 특징으로 하는 항 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076또는 1077에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1078. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body comprising, as a main component, a ceramic material having a light transmittance of 50% or less, at least one of which is selected from an antireflective member and a reflective member, wherein light emission from the light emitting element is The light emitting element according to any one of items 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076 or 1077, which is mainly emitted to the light emitting element mounting surface side of the substrate.

항 1079.반사 방지 부재 및 반사 부재가 동시에 형성된 광투과율 50%이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 발광소자로부터의 발광이 주로 기판의 발광소자 탑재면측에 방출되는 것을 특 징으로 하는 항 1078에 기재된 발광소자.Item 1079. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a light transmittance of 50% or less, on which an antireflection member and a reflecting member are simultaneously formed, wherein light emission from the light emitting element is mainly on the light emitting element mounting surface side of the substrate A light emitting element according to item 1078, characterized by being emitted.

항 1080.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 세라믹 재료가 질화물, 산화물, 탄화물, 붕화물, 규화물, 및 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078또는 1079에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1080. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material as a main component, wherein the ceramic material is at least one selected from nitride, oxide, carbide, boride, silicide, and crystallized glass. 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, The light emitting element according to any one of 1076, 1077, 1078 or 1079.

항 1081.질화물이 질화 알루미늄, 질화 붕소, 질화 규소, 질화 갈륨, 및 질화 티탄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1080에 기재된 발광소자.Item 1081. The light emitting element according to Item 1080, wherein the nitride is at least one selected from aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, gallium nitride, and titanium nitride.

항 1082.산화물이 산화 알루미늄, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 산화 티탄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산연, 희토류 원소 산화물, 산화 도륨, 각종 페라이트, 멀라이트, 포르스테라이트, 및 스테어 타이트 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1080에 기재된 발광소자.Item 1082. Oxides of aluminum oxide, zinc oxide, beryllium oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, titanium oxide, barium titanate, lead zirconate titanate, rare earth element oxides, rhodium oxide, various ferrites, mullite, forsterite And at least one or more selected from stair tight.

항 1083.탄화물이 탄화규소, 탄화 티탄, 탄화 붕소, 및 탄화 텅스텐 중으로 부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1080에 기재된 발광소자.Item 1083. The light emitting element according to Item 1080, wherein the carbide is at least one selected from silicon carbide, titanium carbide, boron carbide, and tungsten carbide.

항 1084.붕화물이 붕화 티탄, 붕화 지르코늄, 및 붕화 랜턴 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1080에 기재된 발광소자.Item 1084. The light emitting element according to Item 1080, wherein the boride is at least one selected from titanium boride, zirconium boride, and boron lantern.

항 1085.규화물이 규화 몰리브덴, 및 규화 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1080에 기재된 발광소자.Item 1085. The light emitting device according to Item 1080, wherein the silicide is at least one or more selected from molybdenum silicide and tungsten silicide.

항 1086.세라믹 재료가 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 희토류 원소 산화물, 및 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1080, 1081또는 1082에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1086. Item 1080, 1081, characterized in that the ceramic material is at least one selected from aluminum nitride, aluminum oxide, zinc oxide, beryllium, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, rare earth element oxide, and crystallized glass. Or any of the light emitting elements described in 1082.

항 1087.희토류 원소 산화물이 산화 이트륨인 것을 특징으로 하는 항 1086에 기재된 발광소자.Item 1087. The light emitting element according to Item 1086, wherein the rare earth element oxide is yttrium oxide.

항 1088.결정화 유리가 붕규산 유리 및 산화 알루미늄의 혼합물을 주성분으로 하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1086에 기재된 발광소자.Item 1088. The light emitting element according to Item 1086, wherein the crystallized glass contains a mixture of borosilicate glass and aluminum oxide as a main component.

항 1089.세라믹 재료가 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087또는 1088에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1089. The method according to any of paragraphs 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, or 1088, wherein the ceramic material comprises at least one selected from alkaline earth metals and rare earth elements. One light emitting device.

항 1090.세라믹 재료가 천이 금속 원소 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088또는 1089에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1090. The material according to item 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088 or 1089, wherein the ceramic material comprises at least one or more selected from transition metal elements and carbon. Any one light emitting element.

항 1091.천이 금속 원소가 몰리브덴, 텅스텐, 바나듐, 니오브, 탄 탈, 티탄, 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연인 것을 특징으로 하는 항 1090에 기재된 발광소자.Item 1091. The light emitting element according to Item 1090, wherein the transition metal element is molybdenum, tungsten, vanadium, niobium, tantalum, titanium, iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, or zinc.

항 1092.세라믹 재료가 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 질화 갈륨, 질화 알루미늄, 질화 규소, 및 탄화규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090 또는 1091에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1092. Item 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, wherein the ceramic material is at least one selected from zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, gallium nitride, aluminum nitride, silicon nitride, and silicon carbide. , 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031 , 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056 , 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081 The light emitting element described in any one of 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090 or 1091.

항 1093.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 도전성을 가지는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091또는 1092에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1093. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material as a main component, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has conductivity. 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, and 1007 , 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032 , 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057 , 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082 The light emitting element according to any one of 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091 or 1092.

항 1094.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 실온에 있어서의 저항율 1104Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092또는 1093에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1094. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body containing a ceramic material as a main component, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has a resistivity of 1104 Ωcm or less at room temperature, and is characterized in that: 1001, 1002, 1003, 1004, 1005 , 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030 , 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055 , 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080 The light emitting element described in any one of 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092 or 1093.

항 1095.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 실온에 있어서의 저항율 1102Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1094에 기재된 발광소자.Item 1095. The light emitting element according to Item 1094, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has a resistivity of 1102 Ωcm or less at room temperature.

항 1096.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 실온에 있어서의 저항율 1100Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1094또는 1095에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1096. The light emitting element according to Item 1094 or 1095, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has a resistivity of 1100? Cm or less at room temperature.

항 1097.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 실온에 있어서의 저항율 110－1Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1094, 1095또는 1096에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1097. The light emitting element according to Item 1094, 1095, or 1096, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has a resistivity of 110-1? Cm or less at room temperature.

항 1098.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 실온에 있어서의 저항율 110－2Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1094, 1095, 1096또는 1097에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1098. The light emitting element according to Item 1094, 1095, 1096, or 1097, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has a resistivity of 110-2? Cm or less at room temperature.

항 1099.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재된 발광소자이며, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 도전성을 갖고 또한 광투과성을 가지는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097또는 1098에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1099. A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material as a main component, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has conductivity and light transmissivity, and is provided with 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, Any one of the light emitting elements described in 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097 or 1098.

항 1100.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 산화 아연을 주성분으로 하는 소결체인 것을 특징으로 하는 항 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098또는 1099에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1100. The light emitting element according to Item 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, or 1099, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component is a sintered body containing zinc oxide as the main component.

항 1101.산화 아연을 주성분으로 하는 소결체가 적어도 알루미늄 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1100에 기재된 발광소자.Item 1101. The light emitting device according to Item 1100, wherein the sintered body containing zinc oxide as a main component contains at least an aluminum component.

항 1102.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체인 것을 특징으로 하는 항 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098또는 1099에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1102. The light emitting element according to Item 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, or 1099, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component is a sintered body containing gallium nitride as the main component.

항 1103.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1102에 기재된 발광소자.Item 1103. The light emitting device according to item 1102, wherein the sintered body containing gallium nitride as a main component contains at least one or more components selected from Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen. device.

항 1104.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1102또는 1103에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1104. The light emitting element according to Item 1102 or 1103, wherein the sintered body containing gallium nitride as a main component contains at least one component selected from alkaline earth metals and rare earth elements.

항 1105.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 인지움 및 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1102, 1103또는 1104에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1105. The light emitting element according to Item 1102, 1103, or 1104, wherein the sintered body containing gallium nitride as a main component contains at least one component selected from indium and aluminum.

항 1106.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 동시에 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1102, 1103, 1104또는 1105에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1106. A sintered body composed mainly of gallium nitride comprises at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen, and at least one selected from alkaline earth metals and rare earth elements. The light emitting element according to any one of items 1102, 1103, 1104 or 1105, comprising at least one component.

항 1107.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, 산소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 동시에 알루미늄 및 인지움 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1102, 1103, 1104, 1105또는 1106에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1107.At least one member selected from aluminum and indium with at least one component selected from among Be, Mg, Zn, Cd, C, Si, Ge, Se, Te, and oxygen is a sintered body composed mainly of gallium nitride The light emitting element according to any one of items 1102, 1103, 1104, 1105 or 1106, which comprises the above components.

항 1108.질화 갈륨을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 토류 금속 및 희토류 원소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분과 동시에 알루미늄 및 인지움 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1102, 1103, 1104, 1105, 1106또는 1107에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1108. Item 1102, 1103, wherein the sintered body containing gallium nitride as a main component includes at least one component selected from aluminum and indium oxide simultaneously with at least one component selected from alkaline earth metals and rare earth elements. 1104, 1105, 1106, or any one of the light emitting elements described in 1107.

항 1109.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 탄화규소를 주성분으로 하는 소결체인 것을 특징으로 하는 항 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098또는 1099에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1109. The light emitting element according to Item 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, or 1099, wherein the sintered body containing the ceramic material as the main component is a sintered body containing the silicon carbide as the main component.

항 1110.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 질화 규소를 주성분으로 하는 소결체인 것을 특징으로 하는 항 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098또는 1099에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1110. The light emitting element according to Item 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, or 1099, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component is a sintered body containing silicon nitride as the main component.

항 1111.세라믹 재료가 질화 알루미늄인 것을 특징으로 하는 항 1080, 1081, 1086, 1089, 1090, 1091또는 1092에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1111. The light emitting element according to any one of items 1080, 1081, 1086, 1089, 1090, 1091, or 1092, wherein the ceramic material is aluminum nitride.

항 1112.세라믹 재료가 질화 알루미늄이며, 상기 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 질화 알루미늄을 50 체적%이상 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1111에 기재된 발광소자.Item 1112. The light emitting element according to Item 1111, wherein the ceramic material is aluminum nitride, and the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 50% by volume or more of aluminum nitride.

항 1113.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 50 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111또는 1112에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1113. The light emitting device according to any one of items 1111 or 1112, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one selected from rare earth elements and alkaline earth metals in an amount of 50% by volume or less in terms of oxides. .

　항 1114.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 40 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1113에 기재된 발광소자.Item 1114. The light emitting device according to Item 1113, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from a rare earth element and an alkaline earth metal in an amount of 40% by volume or less in terms of oxide.

항 1115.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 30 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1113또는 1114에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1115. The light emitting element according to item 1113 or 1114, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one selected from rare earth elements and alkaline earth metals in an amount of 30% by volume or less in terms of oxides. .

항 1116.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 12 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1113, 1114또는 1115에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1116. The device according to any one of items 1113, 1114, or 1115, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains not less than 12% by volume in terms of oxides of at least one selected from rare earth elements and alkaline earth metals. Light emitting element.

항 1117.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 7 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1113, 1114, 1115또는 1116에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1117. The device according to item 1113, 1114, 1115, or 1116, wherein the sintered body comprising aluminum nitride as a main component contains not less than 7% by volume in oxide equivalent of at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals. One light emitting device.

항 1118.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 5 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1113, 1114, 1115, 1116또는 1117에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1118. Paragraph 1113, 1114, 1115, 1116, or 1117, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of oxides of 5% by volume or less. Any one of the light emitting device.

항 1119.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 3 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1113, 1114, 1115, 1116, 1117또는 1118에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1119. Item 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, or 1118, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains not less than 3% by volume of at least one selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of oxides. Any one of the light emitting devices described in.

항 1120.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 혹은 알칼리 토류 금속중에서 어느쪽이든 한편만을 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118또는 1119에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1120. Any one of paragraphs 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, or 1119, characterized in that the sintered body containing aluminum nitride as the main component contains only one of the rare earth elements and the alkaline earth metals. Light emitting element.

항 1121.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속을 동시에 포함하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119또는 1120에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1121. The luminescent material of any of items 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, or 1120, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains both a rare earth element and an alkaline earth metal at the same time. device.

항 1122.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 20 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120 또는 1121에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1122. Item 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, wherein the sintered body comprising aluminum nitride as a main component contains not less than 20% by volume of at least one selected from alkali metals and silicon in terms of oxides. Any one of the light emitting devices described in 1120 or 1121.

항 1123.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 10 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1122에 기재된 발광소자.Item 1123. The light emitting device according to Item 1122, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least 10% by volume or less of at least one selected from alkali metals and silicon in terms of oxides.

항 1124.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 5 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1122또는 1123에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1124. The light emitting device according to Item 1122 or 1123, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one selected from alkali metals and silicon in an amount of 5% by volume or less in terms of oxides.

항 1125.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 3 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1122, 1123또는 1124에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1125. The light emitting element according to Item 1122, 1123, or 1124, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains not less than 3% by volume in terms of oxides of at least one selected from alkali metals and silicon. .

항 1126.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 금속 및 규소 중 으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 산화물 환산으로 1 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1122, 1123, 1124또는 1125에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1126. The device according to any one of items 1122, 1123, 1124, or 1125, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains not less than 1% by volume in terms of oxides of at least one selected from alkali metals and silicon. Light emitting element.

항 1127.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125또는 1126에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1127. Paragraph 1111, wherein a sintered body mainly composed of aluminum nitride simultaneously contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals, including at least one or more selected from alkali metals and silicon. 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, or 1126.

항 1128.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 50 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126또는 1127에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1128. Item 1111, 1112, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least 50 vol% or less in terms of elements at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon. 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, or 1127.

항 1129.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 20 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1128에 기재된 발광소자.Item 1129. The sintered body comprising aluminum nitride as a main component contains 20 volume% or less in terms of elements, at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon, according to item 1128. Light emitting element.

항 1130.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 10 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1128또는 1129에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1130. Item 1128 or 1129, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least 10 vol% or less in terms of elements, at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon. Any one of the light emitting devices described in.

항 1131.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 5 체적%이하 포함하 는 것을 특징으로 하는 항 1128, 1129또는 1130에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1131. Paragraph 1128, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least 5 vol% or less in terms of elements at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon. The light emitting element according to any one of 1129 or 1130.

항 1132.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 3 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1128, 1129, 1130 또는 1131에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1132. Paragraph 1128, 1129, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least 3 vol% or less, in terms of elements, of at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon. Any one of the light emitting devices described in 1130 or 1131.

항 1133.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 1 체적%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1128, 1129, 1130, 1131또는 1132에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1133. Item 1128, 1129, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one volume% or less in terms of elements, at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon. Any one of the light emitting devices described in 1130, 1131 or 1132;

항 1134.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132또는 1133에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1134. At least one or more selected from the group consisting of rare earth elements and alkaline earth metals, the sintered body having aluminum nitride as its main component, including at least one selected from Mo, W, V, Nb, Ta, Ti, and carbon Claims 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131 Any one of the light emitting devices described in 1132 or 1133.

항 1135.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 50 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133또는 1134에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1135. Paragraphs 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, characterized in that the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least 50% by weight in terms of elements of at least one selected from unavoidable impurities of the transition metal. The light emitting element described in 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, or 1134.

항 1136.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 20 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1135에 기재된 발광소자.Item 1136. The light emitting element according to item 1135, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least 20% by weight or less in terms of elements of at least one selected from unavoidable impurities of the transition metal.

항 1137.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 10 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1135또는 1136에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1137. The light emitting element according to Item 1135 or 1136, wherein the sintered body comprising aluminum nitride as a main component contains at least 10% by weight or less, in terms of elements, of at least one selected from inevitable impurities of the transition metal.

항 1138.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 1.0 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1135, 1136또는 1137에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1138. The light emission of any one of items 1135, 1136, or 1137, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from the unavoidable impurities of the transition metal in terms of elements (1.0 wt% or less). device.

항 1139.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 0.5 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1135, 1136, 1137또는 1138에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1139. Any one of items 1135, 1136, 1137, or 1138, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from the unavoidable impurities of the transition metal in an amount of 0.5% by weight or less in terms of elements. Light emitting device.

항 1140.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 0.2 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1135, 1136, 1137, 1138또는 1139에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1140. The device according to item 1135, 1136, 1137, 1138, or 1139, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from the unavoidable impurities of the transition metal in an amount of 0.2% by weight or less. Any one light emitting element.

항 1141.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 천이 금속의 불가피 불순물 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139또는 1140에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1141. The sintered body comprising aluminum nitride as a main component simultaneously contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals, including at least one or more selected from inevitable impurities of the transition metal. 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, The light emitting element according to any one of 1136, 1137, 1138, 1139 or 1140.

항 1142.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 천이 금속의 불가피 불순물이 철, 니켈, 크롬, 망간, 지르코늄, 하프늄, 코발트, 동, 아연인 것을 특징으로 하는 항 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140 또는 1141에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1142. Paragraphs 1135, 1136, 1137, 1138, wherein the unavoidable impurities of the transition metal contained in the sintered body containing aluminum nitride are iron, nickel, chromium, manganese, zirconium, hafnium, cobalt, copper, and zinc. The light emitting element according to any one of 1139, 1140 or 1141.

항 1143.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 산소를 25 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141또는 1142에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1143. Paragraphs 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, characterized in that the sintered body containing aluminum nitride as the main component contains 25% by weight or less of oxygen. The light emitting element described in 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, or 1142.

항 1144.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 산소를 15 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1143에 기재된 발광소자.Item 1144. The light emitting device according to Item 1143, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 15 wt% or less of oxygen.

항 1145.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 산소를 10 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1143또는 1144에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1145. The light emitting element according to Item 1143 or 1144, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 10 wt% or less of oxygen.

항 1146.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 산소를 5 중량%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1143, 1144또는 1145에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1146. The light emitting element according to Item 1143, 1144, or 1145, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 5 wt% or less of oxygen.

항 1147.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 산소를 3 중량%이하 포 함하는 것을 특징으로 하는 항 1143, 1144, 1145또는 1146에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1147. The light emitting element according to item 1143, 1144, 1145, or 1146, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 3 wt% or less of oxygen.

항 1148.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 산소를 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146또는 1147에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1148. Paragraphs 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, and 1116, wherein a sintered body composed mainly of aluminum nitride simultaneously contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals, including oxygen. , 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141 Any one of the light emitting devices described in 1142, 1143, 1144, 1145, 1146 or 1147.

항 1149.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 ALON를 50%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147또는 1148에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1149. Item 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 50% or less of ALON. , 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147 or 1148 Any one of the light emitting device.

항 1150.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 ALON를 40%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1149에 기재된 발광소자.Item 1150. The light emitting device according to Item 1149, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 40% or less of ALON.

항 1151.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 ALON를 20%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1149또는 1150에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1151. The light emitting element according to Item 1149 or 1150, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 20% or less of ALON.

항 1152.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 ALON를 12%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1149, 1150 또는 1151에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1152. The light emitting element according to any one of items 1149, 1150, or 1151, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 12% or less of ALON.

항 1153.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 ALON를 7%이하 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1149, 1150, 1151또는 1152에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1153. The light emitting element according to any one of items 1149, 1150, 1151, or 1152, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 7% or less of ALON.

항 1154.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 ALON를 포함해 한층 더 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 동시에 포함하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152또는 1153에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1154. Paragraphs 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, and 1116, wherein a sintered body mainly composed of aluminum nitride simultaneously contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals including ALON. , 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141 Any one of the light emitting devices described in 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, or 1153.

항 1155.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 질화 알루미늄 성분을 95 체적%이상 함유하는 질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153또는 1154에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1155. Paragraphs 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, and 1118, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component consists of a sintered body containing aluminum nitride as the main component containing at least 95% by volume of aluminum nitride. , 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153 or 1154.

항 1156.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.5 중량%이하 또한 산소를 0.9 중량%이하 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154또는 1155에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1156. Paragraphs 1111 and 1112, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of elements in a total of 0.5 wt% or less and 0.9 wt% or less of oxygen in total. , 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137 The light emitting element described in 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154 or 1155.

항 1157.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소를 0.5 중량%이하 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1156에 기재된 발광소자.Item 1157. The sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in an element conversion of 0.2 wt% or less in total and 0.5 wt% or less in oxygen, wherein the sintered body comprises Light emitting element.

항 1158.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.05 중량%이하 또한 산소를 0.2 중량%이하 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1156또는 1157에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1158. Paragraph 1156 or 1157, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in an element conversion of 0.05% by weight or less and 0.2% by weight of oxygen in total. Any one of the light emitting devices described in.

항 1159.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.02 중량%이하 또한 산소를 0.1 중량%이하 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1156, 1157또는 1158에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1159. Paragraphs 1156 and 1157, wherein the sintered body comprising aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in terms of elements in a total amount of 0.02% by weight or less and 0.1% by weight or less of oxygen. Or any one light emitting element described in 1158.

항 1160.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 희토류 원소 및 알칼리 토류 금속 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.005 중량%이하 또한 산소를 0.05 중량%이하 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1156, 1157, 1158또는 1159에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1160. Paragraphs 1156 and 1157, wherein the sintered body comprising aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from rare earth elements and alkaline earth metals in an element conversion of 0.005% by weight or less and 0.05% by weight or less of oxygen. Any one of the light emitting devices described in 1158 or 1159.

항 1161.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 알칼리 금속 및 규소 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소를 0.9 중량%이하 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159또는 1160에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1161. Paragraphs 1111, 1112, and 1113, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains at least one or more selected from alkali metals and silicon in an elemental conversion of not more than 0.2 wt% and not more than 0.9 wt% of oxygen. , 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138 Any one of 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159 or 1160 Light emitting element.

항 1162.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 Mo, W, V(바나듐), Nb, Ta, Ti, 및 카본 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소를 0.9 중량%이하 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160 또는 1161에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1162.As a sintered body containing aluminum nitride as a main component, at least one or more selected from Mo, W, V (vanadium), Nb, Ta, Ti, and carbon is 0.2% by weight or less in terms of elements and 0.9% by weight of oxygen. 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, The light emitting element according to any one of 1157, 1158, 1159, 1160 or 1161.

항 1163.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 Fe, Ni, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, 및 Zn 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 원소 환산으로 합계 0.2 중량%이하 또한 산소를 0.9 중량%이하 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161또는 1162에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1163. A sintered body containing aluminum nitride as its main component contains at least one or more selected from Fe, Ni, Co, Mn, Cr, Zr, Cu, and Zn in terms of elements in a total of 0.2% by weight or less and 0.9% by weight of oxygen. Claims 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132 , 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157 1158, 1159, 1160, 1161, or any one of the light emitting device described in 1162.

항 1164.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 결정상으로서 AIN를 95%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162또는 1163에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1164. Paragraph 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, characterized in that the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 95% or more of AIN as a crystal phase. , 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162 or 1163.

항 1165.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 결정상으로서 AIN를 98%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1164에 기재된 발광소자.Item 1165. The light emitting device according to Item 1164, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component contains 98% or more of AIN as a crystal phase.

항 1166.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 결정상으로서 실질적으로 AIN 단일상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1164또는 1165에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1166. The light emitting element according to Item 1164 or 1165, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component consists of a single AIN phase substantially as a crystal phase.

항 1167.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 상대 밀도 95%이상인 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165또는 1166에 기재되는 어느 하나의 발광 소자.Item 1167. Item 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a relative density of 95% or more. , 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, or 1166.

항 1168.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 상대 밀도 98%이상인 것을 특징으로 하는 항 1167에 기재된 발광소자.Item 1168. The light emitting device according to Item 1167, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a relative density of 98% or more.

항 1169.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체 중의 공공의 크기가 평균 1μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167또는 1168에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1169 Paragraphs 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, characterized in that the size of the pores in the sintered body composed mainly of aluminum nitride is 1 μm or less. , 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149 The light emitting device according to any one of 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, or 1168.

항 1170.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 평균 1μm이상의 질화 알루미늄 입자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168또는 1169에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1170. Paragraphs 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, characterized in that the sintered body composed mainly of aluminum nitride is composed of aluminum nitride particles having an average of 1 μm or more. 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, The light emitting element according to any one of 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168 or 1169.

항 1171.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 5μm이상인 것을 특징으로 하는 항 1170에 기재된 발광소자.Item 1171. The light emitting device according to Item 1170, wherein the size of the aluminum nitride particles is 5 µm or more on average.

항 1172.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 8μm이상인 것을 특징으로 하는 항 1170 또는 1171에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1172. The light emitting device according to Item 1170 or 1171, wherein the size of the aluminum nitride particles is on average 8 µm or more.

항 1173.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 15μm이상인 것을 특징으로 하는 항 1170, 1171또는 1172에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1173. The light emitting element according to any one of items 1170, 1171, or 1172, wherein the size of the aluminum nitride particles is 15 µm or more on average.

항 1174.질화 알루미늄 입자의 크기가 평균 25μm이상인 것을 특징으로 하는 항 1170, 1171, 1172또는 1173에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1174. The light emitting device according to any one of items 1170, 1171, 1172, or 1173, wherein the size of the aluminum nitride particles is 25 µm or more on average.

항 1175.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 평균 100μm 이하의 질화 알루미늄 입자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173또는 1174에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1175 Paragraphs 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, characterized in that the sintered body mainly composed of aluminum nitride is composed of aluminum nitride particles having an average of 100 μm or less. , 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148 , 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173 Or any one of the light emitting devices described in 1174.

항 1176.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 1108Ωcm이상의 저항율인 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174또는 1175에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1176. Item 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a resistivity of 1108? Cm or more with respect to room temperature. , 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149 , 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174 Or any one of the light emitting devices described in 1175.

항 1177.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 1109Ωcm이상의 저항율인 것을 특징으로 하는 항 1176에 기재된 발광소자.Item 1177. The light emitting element according to Item 1176, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a resistivity of 1109? Cm or more with respect to room temperature.

항 1178.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 11010Ωcm이상의 저항율인 것을 특징으로 하는 항 1176또는 1177에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1178. The light emitting element according to Item 1176 or 1177, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a resistivity of 11010? Cm or more with respect to room temperature.

항 1179.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 11011Ωcm이상의 저항율인 것을 특징으로 하는 항 1176, 1177또는 1178에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1179. The light emitting element according to Item 1176, 1177, or 1178, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a resistivity of 11011? Cm or more with respect to room temperature.

항 1180.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 50 W/mK이상의 열전도율을 가지는 것을 특징으로 하는 항 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178또는 1179에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1180. Paragraphs 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a thermal conductivity of 50 W / mK or more with respect to room temperature. , 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147 , 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172 Any one of the light emitting devices described in 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, or 1179.

항 1181.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 100 W/mK이상의 열전도율을 가지는 것을 특징으로 하는 항 1180에 기재된 발광소자.Item 1181. The light emitting device according to Item 1180, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a thermal conductivity of 100 W / mK or more with respect to room temperature.

항 1182.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 150 W/mK이상의 열전도율을 가지는 것을 특징으로 하는 항 1180 또는 1181에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1182. The light emitting element according to Item 1180 or 1181, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a thermal conductivity of 150 W / mK or more with respect to room temperature.

항 1183.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 170 W/mK이상의 열전도율을 가지는 것을 특징으로 하는 항 1180, 1181또는 1182에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1183. The light emitting element according to Item 1180, 1181, or 1182, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a thermal conductivity of 170 W / mK or more with respect to room temperature.

항 1184.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 200 W/mK이상의 열전도율을 가지는 것을 특징으로 하는 항 1180, 1181, 1182또는 1183에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1184. The light emitting element according to Item 1180, 1181, 1182, or 1183, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a thermal conductivity of 200 W / mK or more with respect to room temperature.

항 1185.질화 알루미늄을 주성분으로 하는 소결체가 실온에 대해 220 W/mK이상의 열전도율을 가지는 것을 특징으로 하는 항 1180, 1181, 1182, 1183또는 1184에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1185. The light emitting element according to Item 1180, 1181, 1182, 1183, or 1184, wherein the sintered body containing aluminum nitride as a main component has a thermal conductivity of 220 W / mK or more with respect to room temperature.

항 1186.평균 표면 엉성함 Ra2000nm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184또는 1185에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1186. Average surface roughness Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, which are mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material of Ra2000 nm or less as a main component. 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136 , 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161 , 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184 or 1185 Any one of the light emitting device.

항 1187.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 평균 표면 엉성함 Ra1000nm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1186에 기재된 발광소자.Item 1187. The light emitting device according to Item 1186, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has an average surface roughness Ra1000 nm or less.

항 1188.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 평균 표면 엉성함 Ra100nm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1186또는 1187에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1188. The light emitting element according to Item 1186 or 1187, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has an average surface roughness Ra100 nm or less.

항 1189.평균 표면 엉성함 Ra20nm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1186, 1187또는 1188에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1189. Average surface roughness Any one of light-emitting elements according to item 1186, 1187, or 1188, which is composed of a sintered body having a ceramic material of Ra20 nm or less as a main component.

항 1190.발광소자는 기판에 탑재되어 상기 기판은 평균 표면 엉성함 Ra2000nm 이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188또는 1189에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1190. A light emitting element is mounted on a substrate, the substrate having an average surface roughness. Item 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, characterized in that the sintered body is composed mainly of a ceramic material of Ra2000nm or more. 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 11 32, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, The light emitting element according to any one of 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, or 1189.

항 1191.구워 놓은(as－fire), 랩 연마 혹은 경면 연마 중으로부터 선택된 적어도 몇 개의 표면 상태를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1186, 1187, 1188, 1189또는 1190에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1191. Paragraphs 1186, 1187, and 1188, which are mounted on a substrate composed of a sintered body composed mainly of a ceramic material having at least some surface state selected from as-fire, lap polishing, or mirror polishing. Any one of the light emitting devices described in 1189 or 1190.

항 1192.경면 연마된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1186, 1187, 1188, 1189, 1190 또는 1191에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1192. The light emitting element according to Item 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, or 1191, which is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of mirror-polished ceramic material.

항 1193.두께가 8.0 mm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이 루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191또는 1192에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1193. Paragraphs 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, characterized in that they are mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a thickness of 8.0 mm or less. 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 11 39, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, Any one of the light emitting devices described in 1189, 1190, 1191 or 1192.

항 1194.기판의 두께가 5.0 mm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1193에 기재된 발광소자.Item 1194. The light emitting element according to Item 1193, wherein the substrate is mounted on a substrate made of a sintered body containing, as a main component, a ceramic material having a thickness of 5.0 mm or less.

항 1195.기판의 두께가 2.5 mm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결 체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1193또는 1194에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1195. The light emitting element according to Item 1193 or 1194, wherein the substrate is mounted on a substrate made of a sintered body whose main component is a ceramic material having a thickness of 2.5 mm or less.

항 1196.기판의 두께가 1.0 mm 이하의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1193, 1194또는 1195에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1196. The light emitting element according to Item 1193, 1194, or 1195, wherein the substrate is mounted on a substrate made of a sintered body containing, as a main component, a ceramic material having a thickness of 1.0 mm or less.

항 1197.두께가 0.01 mm이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195또는 1196에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1197. Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, which are mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material having a thickness of 0.01 mm or more as a main component. , 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037 , 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062 , 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087 , 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112 , 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137 , 1138, 113 9, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, The light emitting element according to any one of 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195 or 1196.

항 1198.기판의 두께가 0.02 mm이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1197에 기재된 발광소자.Item 1198. The light emitting element according to Item 1197, wherein the substrate is mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material of 0.02 mm or more as a main component.

항 1199.기판의 두께가 0.05 mm이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1197또는 1198에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1199. The light emitting element according to Item 1197 or 1198, wherein the substrate is mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material of 0.05 mm or more as a main component.

항 1200.기판의 두께가 8.0 mm 이하로 있고 또한 광투과율이 1%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198또는 1199에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1200. Paragraphs 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, or the like, which are mounted on a substrate comprising a ceramic material having a thickness of 8.0 mm or less and a light transmittance of 1% or more as a main component. Any one of the light emitting devices described in 1199.

항 1201.기판의 두께가 0.01 mm이상으로 있고 또한 광투과율이 1%이상의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199또는 1200에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1201. Paragraphs 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, characterized in that the substrate is mounted on a substrate composed of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a thickness of 0.01 mm or more and a light transmittance of 1% or more. The light emitting element according to any one of 1199 or 1200.

항 1202.도통 비아를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200 또는 1201에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1202. Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, which are mounted on a substrate made of a sintered body having a ceramic material having a conductive via as a main component. 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 11 39, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, The light emitting element described in 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200 or 1201.

항 1203.도통 비아를 가지는 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1202에 기재된 발광소자.Item 1203. The light emitting element according to Item 1202, which is mounted on a substrate made of a sintered body containing, as a main component, a light-transmitting ceramic material having conductive vias.

항 1204.도통 비아가 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 티탄, 몰리브덴, 텅스텐, 크롬, 질화 티 탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1202또는 1203에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1204.Conducting vias, gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, ruthenium, rhodium, parodydium, osmium, iridium, platinum, titanium, molybdenum, tungsten, chromium, titanium nitride, zirconium nitride The light emitting element according to item 1202 or 1203, which is composed of a material containing at least one or more selected from among them.

항 1205.도통 비아가 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1204에 기재된 발광소자.Item 1205. The light emitting device according to Item 1204, wherein the conductive via is made of a material mainly composed of at least one selected from gold, silver, copper, ferrite, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride. .

항 1206.도통 비아가 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 티탄, 몰리브덴, 텅스텐, 크롬, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1202, 1203, 1204또는 1205에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Article 1206.Conducting Vias Among Gold, Silver, Copper, Aluminum, Iron, Cobalt, Nickel, Ruthenium, Rhodium, Ferradium, Osmium, Iridium, Platinum, Titanium, Molybdenum, Tungsten, Chromium, Titanium Nitride, Zirconium Nitride The light emitting element according to any one of items 1202, 1203, 1204, and 1205, which contains a component contained in a sintered body containing, as a main component, at least one or more selected from main components.

항 1207.도통 비아가 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1206에 기재된 발광소자.Item 1207. Conducting via is contained in a sintered body containing, as a main component, at least one or more selected from gold, silver, copper, ferridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride as a main component. The light-emitting element of Claim 1206 containing a component.

항 1208.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1206또는 1207에 기재되는 어느 하나의 발 광소자.Paragraph 1208. The components contained in the sintered body mainly composed of the ceramic material in the vias include aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, and rare earths. The light emitting element according to item 1206 or 1207, which is at least one or more selected from elemental compounds, alkaline earth metal compounds, borosilicate glass, and crystallized glass.

항 1209.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1208에 기재된 발광소자.Item 1209. The component contained in the sintered body having the ceramic material in the conductive via as a main component is at least one selected from aluminum nitride, aluminum oxide, rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, borosilicate glass, and crystallized glass. The light emitting element of 1208.

항 1210.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 30 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 1206, 1207, 1208또는 1209에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1210. The light emitting element according to Item 1206, 1207, 1208, or 1209, wherein the content of a component included in the sintered body containing the ceramic material in the conductive via as a main component is 30% by weight or less.

항 1211.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 20 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 1210에 기재된 발광소자.Item 1211. The light emitting element according to Item 1210, wherein a content of a component contained in the sintered body containing the ceramic material in the conductive via as a main component is 20% by weight or less.

항 1212.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 10 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 1210 또는 1211에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1212. The light emitting element according to Item 1210 or 1211, wherein the content of a component contained in the sintered body containing the ceramic material in the conductive via as a main component is 10% by weight or less.

항 1213.도통 비아중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 5 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 1210, 1211또는 1212에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1213. The light emitting element according to Item 1210, 1211, or 1212, wherein the content of a component contained in the sintered body containing the ceramic material in the conductive via as a main component is 5% by weight or less.

항 1214.도통 비아의 실온에 있어서의 저항율이 110－3Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212또는 1213에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1214. The resistivity at room temperature of the conductive via is 110-3 Ωcm or less, wherein any one of items described in Items 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, or 1213. Light emitting element.

항 1215.도통 비아의 실온에 있어서의 저항율이 110－4Ωcm 이하인 것을 특 징으로 하는 항 1214에 기재된 발광소자.Item 1215. The light emitting element according to Item 1214, wherein the resistivity of the conductive via at room temperature is 110-4? Cm or less.

항 1216.도통 비아의 실온에 있어서의 저항율이 510－5Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1214또는 1215에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1216. The light emitting element according to Item 1214 or 1215, wherein a resistivity of the conductive via at room temperature is 510-5? Cm or less.

항 1217.도통 비아의 실온에 있어서의 저항율이 110－5Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1214, 1215또는 1216에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1217. The light emitting element according to Item 1214, 1215, or 1216, wherein a resistivity of the conductive via at room temperature is 110-5? Cm or less.

항 1218.도통 비아의 크기가 500μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216또는 1217에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1218. Any of items described in items 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, or 1217, characterized in that the via size is 500 μm or less. One light emitting device.

항 1219.도통 비아의 크기가 250μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1218에 기재된 발광소자.Item 1219. The light emitting element according to Item 1218, wherein the size of the via is 250 µm or less.

항 1220.도통 비아의 크기가 100μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1218또는 1219에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1220. The light emitting element according to Item 1218 or 1219, wherein the size of the via is 100 µm or less.

항 1221.도통 비아의 크기가 50μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1218, 1219또는 1220에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1221. The light emitting element according to Item 1218, 1219, or 1220, wherein the size of the via is 50 µm or less.

항 1222.도통 비아의 크기가 25μm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1218, 1219, 1220 또는 1221에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1222. The light emitting element according to Item 1218, 1219, 1220, or 1221, wherein the size of the conductive via is 25 µm or less.

항 1223.도통 비아의 크기가 1μm이상인 것을 특징으로 하는 항 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221또는 1222에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1223. Item 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, characterized in that the vias are 1 μm or more in size. Any one of the light emitting devices described in 1220, 1221 or 1222.

항 1224.전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루 어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001,1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222또는 1223에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1224. Items 1001,1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, which are mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having an electric circuit. , 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037 , 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062 , 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087 , 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112 , 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137 , 1138, 113 9, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, The light emitting element according to any one of 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, or 1223.

항 1225.전기 회로를 가지는 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소 결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1224에 기재된 발광소자.Item 1225 The light emitting element according to Item 1224, which is mounted on a substrate made of a sintered body having a light-transmitting ceramic material having an electric circuit as a main component.

항 1226.내부에 전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1224또는 1225에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1226. The light emitting element according to Item 1224 or 1225, wherein the light emitting element according to Item 1224 or 1225 is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having an electric circuit therein.

항 1227.내부에 전기 회로를 가지는 광투과성의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225또는 1226에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1227. The light emitting element according to Item 1224, 1225, or 1226, which is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material having an electric circuit therein.

항 1228.내부에 전기 회로를 가져, 한편 도통 비아를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226또는 1227에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1228. Paragraphs 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, having an electric circuit therein and mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having conductive vias. The light emitting element according to any one of 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, or 1227.

항 1229.표면에 전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227또는 1228에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1229. The light emitting element according to Item 1224, 1225, 1226, 1227, or 1228, which is mounted on a substrate made of a sintered body whose main component is a ceramic material having an electric circuit on its surface.

항 1230.표면에 전기 회로를 가져, 한편 도통 비아를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228또는 1229에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1230. Paragraphs 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, having an electric circuit on the surface and mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having conductive vias. The light emitting element according to any one of 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, or 1229.

항 1231.내부 및 표면에 동시에 전기 회로를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229또는 1230에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1231. Any one of items described in Item 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, or 1230, which is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having electrical circuits on the inside and the surface thereof. Light emitting element.

항 1232.내부 및 표면에 동시에 전기 회로를 가져, 한편 도통 비아를 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230 또는 1231에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1232. Paragraphs 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, and 1208, which have electrical circuits on the inside and the surface thereof, and are mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having conductive vias. , Described in 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230 or 1231 One light emitting device.

항 1233.전기 회로가 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 산화 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 크롬, 티탄, 지르코늄, 질화 티탄, 질화 지르코늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231또는 1232에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Clause 1233.The electrical circuits are gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, ruthenium, ruthenium oxide, rhodium, ferridium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, tungsten, chromium, titanium, zirconium 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, comprising titanium, nitride, zirconium nitride, tantalum nitride, nickel-chromium alloy, and a material composed mainly of at least one selected from among Or any one of light emitting devices described in 1232.

항 1234.전기 회로가 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1233에 기재된 발광소자.Item 1234. The light emitting element according to Item 1233, wherein the electrical circuit is made of a material containing at least one or more selected from among gold, silver, copper, ferrite, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride. .

항 1235.전기 회로가 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 르테니움, 산화 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 크 롬, 티탄, 지르코늄, 질화 티탄, 질화 지르코늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233또는 1234에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Clause 1235.The electrical circuits are gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, ruthenium, ruthenium oxide, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, tungsten, chromium, titanium, Zirconium, titanium nitride, zirconium nitride, tantalum nitride, nickel-chromium alloy, at least one selected from among the main components, characterized in that it further comprises a component contained in the sintered body having a ceramic material as a main component The light emitting element according to any one of 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, or 1234.

항 1236.전기 회로가 금, 은, 동, 페러디엄, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1235에 기재된 발광소자.Item 1236.The electrical circuit is contained in a sintered body containing, as a main component, at least one or more selected from among gold, silver, copper, ferridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, and zirconium nitride. The light-emitting element of Claim 1235 containing a component.

항 1237.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1235또는 1236에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1237.The components contained in the sintered body mainly containing ceramic materials in the electric circuit include aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, The light emitting element according to item 1235 or 1236, which is at least one or more selected from rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, borosilicate glass, and crystallized glass.

항 1238.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 질화 갈륨, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1237에 기재된 발광소자.Item 1238. The component contained in the sintered body mainly composed of a ceramic material in an electric circuit is at least one selected from aluminum nitride, gallium nitride, aluminum oxide, a rare earth element compound, an alkaline earth metal compound, borosilicate glass, and crystallized glass. A light emitting element according to item 1237.

항 1239.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 30 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 1235, 1236, 1237또는 1238에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1239. The light emitting element according to Item 1235, 1236, 1237, or 1238, wherein the content of a component contained in the sintered body containing the ceramic material in the electric circuit as a main component is 30% by weight or less.

항 1240.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 20 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 1239에 기재된 발광소자.Item 1240 The light emitting element according to Item 1239, wherein the content of the component contained in the sintered body containing the ceramic material in the electric circuit as a main component is 20% by weight or less.

항 1241.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 10 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 1239또는 1240에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1241. The light emitting element according to Item 1239 or 1240, wherein the content of a component included in the sintered body containing the ceramic material in the electrical circuit as a main component is 10% by weight or less.

항 1242.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 5 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 1239, 1240 또는 1241에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1242. The light emitting element according to Item 1239, 1240, or 1241, wherein the content of a component contained in the sintered body containing the ceramic material in the electrical circuit as a main component is 5% by weight or less.

항 1243.전기 회로가 적어도 2이상의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241또는 1242에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1243. Item 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, characterized in that the electrical circuit consists of at least two layers. Any one of the light emitting devices described in 1241 or 1242.

항 1244.전기 회로가 은, 동, 몰리브덴, 및 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 티탄, 백금, 돈, 알루미늄, 은, 페러디엄, 및 니켈 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 층이 형성된 적어도 2이상의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1243에 기재된 발광소자.Item 1244. An electrical circuit comprising at least one layer selected from the group consisting of silver, copper, molybdenum, and tungsten as a main component, and also at least one selected from titanium, platinum, pig, aluminum, silver, parodydium, and nickel. The light emitting element of Claim 1243 which consists of at least 2 or more layers in which the layer which consists of a material which has a main component is formed.

항 1245.전기 회로가 은, 동, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 티탄, 백금, 돈, 알루미늄, 은, 페러디엄, 및 니켈 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 층, 또한 금, 은, 동, 및 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 층이 적어도 3이상의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1243또는 1244에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1245. An electrical circuit comprising at least one layer selected from the group consisting of silver, copper, molybdenum and tungsten, and also at least one selected from titanium, platinum, pig, aluminum, silver, parodydium, and nickel. The layer which consists of a material which has a main component, and the layer which consists of a material which has at least 1 sort (s) or more selected from gold, silver, copper, and aluminum as a main component consists of at least 3 or more layers, It is described in Item 1243 or 1244. Any one light emitting element.

항 1246.전기 회로가 크롬, 티탄, 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 금, 은, 동, 알루미늄, 철, 코발트, 니켈, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금, 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 적어도 2이상의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1243에 기재된 발광소자.Paragraph 1246. An electrical circuit comprising a layer composed mainly of at least one selected from chromium, titanium, and zirconium, and also gold, silver, copper, aluminum, iron, cobalt, nickel, rhodium, parodydium, osmium, iridium, platinum. The light emitting element according to item 1243, comprising at least two or more layers mainly composed of at least one selected from molybdenum, tungsten, titanium nitride, zirconium nitride, tantalum nitride, nickel-chromium alloy, and the like.

항 1247.전기 회로가 크롬, 티탄, 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 철, 코발트, 니켈, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 금, 은, 동, 알루미늄, 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층이 적어도 3이상의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1243또는 1246에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1247. An electrical circuit comprising a layer composed mainly of at least one selected from chromium, titanium, and zirconium, and also iron, cobalt, nickel, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, At least three layers include a layer composed mainly of at least one selected from zirconium nitride and a layer composed mainly of at least one selected from among gold, silver, copper, aluminum, tantalum nitride and nickel-chromium alloys. The light emitting element according to any one of items 1243 and 1246.

항 1248.전기 회로가 크롬, 티탄, 지르코늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 철, 코발트, 니켈, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 티탄, 질화 지르코늄 중으로부터 선택된 적 어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 또한 금, 은, 동, 알루미늄, 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층과 한층 더 질화 탄 탈, 니켈-크롬 합금 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 층이 적어도 4이상의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1243, 1246또는 1247에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Clause 1248. An electrical circuit comprising a layer composed mainly of at least one selected from chromium, titanium, and zirconium, and also iron, cobalt, nickel, rhodium, ferradium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, tungsten, titanium nitride, A layer composed mainly of at least one selected from zirconium nitride, and a layer composed mainly of at least one selected from gold, silver, copper, aluminum, and further from tantalum nitride and nickel-chromium alloys. The light emitting element according to any one of items 1243, 1246, and 1247, wherein the layer composed mainly of at least one selected from the group consists of at least four layers.

항 1249.전기 회로가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와의 동시 소성에 의해 형성된 것인 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247또는 1248에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1249. Item 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, wherein the electrical circuit is formed by co-firing with a sintered body composed mainly of ceramic material. 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, or 1248.

항 1250.전기 회로가 일단 소성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 인화 또는 접착에 의해 형성된 것인 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247또는 1248에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1250. Paragraphs 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, wherein the electrical circuit is formed by ignition or adhesion to a sintered body composed mainly of a ceramic material once fired. The light emitting element according to any one of 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, or 1248.

항 1251.전기 회로가 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247또는 1248에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1251. Item 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, characterized in that the electrical circuit is made of a thin film. The light emitting element according to any one of 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, or 1248.

항 1252.전기 회로가 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와의 동시 소성에 의해 형성된 것, 혹은 일단 소성된 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 인 화 또는 접착에 의해 형성된 것, 혹은 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 박막으로서 형성된 것, 중으로부터 선택된 적어도 2이상의 방법을 조합하는 것으로 형성된 것인 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250 또는 1251에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1252. Electrical circuits formed by co-firing of a sintered body containing ceramic material as a main component, or by ignition or bonding to a sintered body containing ceramic material once fired, or containing ceramic material as a main component. Claim 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, characterized in that formed as a thin film on the sintered body, by combining at least two or more methods selected from among The light emitting element according to any one of 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, or 1251.

항 1253.전기 회로가 은, 동, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체와의 동시 소성에 의해 형성된 것인 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251또는 1252에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1253. Item 1224, 1225, wherein the electrical circuit is formed by co-firing with a sintered body containing, as a main component, at least one or more selected from silver, copper, molybdenum, and tungsten as a main component; 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, Any one of the light emitting devices described in 1251 or 1252.

항 1254.전기 회로가 은, 동, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해, 한층 더 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 항 1253에 기재된 발광소자.Item 1254. The light-emitting device according to Item 1253, wherein the electric circuit contains at least one or more selected from among silver, copper, molybdenum, and tungsten as a main component, and further contains a component contained in a sintered body having a ceramic material as a main component. device.

항 1255.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화 규소, 질화 갈륨, 산화 아연, 산화 베릴륨, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 산화 마그네슘, 알루민산마그네슘, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1253또는 1254에 기재되는 어느 하나의 발 광소자.Paragraph 1255. The components contained in the sintered body composed mainly of ceramic materials in the electric circuit include aluminum nitride, silicon carbide, silicon nitride, gallium nitride, zinc oxide, beryllium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, magnesium aluminate, The light emitting element according to item 1253 or 1254, which is at least one or more selected from rare earth element compounds, alkaline earth metal compounds, borosilicate glass, and crystallized glass.

항 1256.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분이 질화 알루미늄, 질화 갈륨, 산화 알루미늄, 희토류 원소 화합물, 알칼리 토류 금속 화합물, 붕규산 유리, 결정화 유리 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상인 것을 특징으로 하는 항 1254또는 1255에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1256. The component contained in the sintered body mainly composed of a ceramic material in an electric circuit is at least one selected from aluminum nitride, gallium nitride, aluminum oxide, a rare earth element compound, an alkaline earth metal compound, borosilicate glass, and crystallized glass. The light emitting device according to any one of items 1254 or 1255.

항 1257.전기 회로중의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 포함되는 성분의 함유량이 30 중량%이하인 것을 특징으로 하는 항 1254, 1255또는 1256에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1257. The light emitting element according to Item 1254, 1255, or 1256, wherein the content of a component included in the sintered body containing the ceramic material in the electrical circuit as a main component is 30% by weight or less.

항 1258.전기 회로가 일단 소성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 은, 동, 니켈, 르테니움, 산화 르테니움, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료를 인화 또는 접착하는 것으로써 형성한 층과 한층 더 돈을 주성분으로 하는 층이 형성된 적어도 2이상의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1243, 1250 또는 1252에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Clause 1258. A sintered body composed mainly of a ceramic material which has been fired once the electrical circuit is selected from silver, copper, nickel, ruthenium, ruthenium oxide, rhodium, palladium, osmium, iridium, platinum, molybdenum and tungsten. Item described in Item 1243, 1250 or 1252, comprising a layer formed by igniting or bonding a material containing at least one or more components as a main component, and at least two or more layers formed with a layer mainly comprising money. One light emitting device.

항 1259.전기 회로가 일단 소성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체에 금, 은, 동, 니켈, 로지움, 페러디엄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 몰리브덴, 텅스텐 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료를 인화 혹은 접착하는 것으로써 형성한 층과 또한 르테니움, 산화 르테니움 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 재료로 이루어지는 층이 형성된 적어도 2이상의 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항 1243, 1250, 1252또는 1258에 기재되는 어느 하 나의 발광소자.Paragraph 1259.As a main component, at least one selected from among gold, silver, copper, nickel, rhodium, parodydium, osmium, iridium, platinum, molybdenum, and tungsten is used as a main component in a sintered body mainly composed of a ceramic material which has been fired. A layer formed by igniting or adhering a material to be used, and at least two or more layers formed with a layer made of a material composed mainly of at least one selected from among ruthenium and ruthenium oxide. Any one of the light emitting devices described in 1243, 1250, 1252 or 1258.

항 1260.전기 회로의 실온에 있어서의 저항율이 110－3Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258또는 1259에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1260. Item 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, characterized in that the resistivity at room temperature of an electric circuit is 110-3 Ωcm or less. Any one of the light-emitting elements described in, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, or 1259 .

항 1261.전기 회로의 실온에 있어서의 저항율이 110－4Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1260에 기재된 발광소자.Item 1261. The light emitting element according to Item 1260, wherein the resistivity at room temperature of the electrical circuit is 110-4? Cm or less.

항 1262.전기 회로의 실온에 있어서의 저항율이 510－5Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1260 또는 1261에 기재된 발광소자.Item 1262. The light-emitting element according to Item 1260 or 1261, wherein the resistivity at room temperature of the electric circuit is 510-5? Cm or less.

항 1263.전기 회로의 실온에 있어서의 저항율이 110－5Ωcm 이하인 것을 특징으로 하는 항 1260, 1261또는 1262에 기재된 발광소자.Item 1263. The light emitting element according to Item 1260, 1261, or 1262, wherein the resistivity at room temperature of the electrical circuit is 110-5? Cm or less.

항 1264.전기 회로가, 발광소자를 구동하기 위한 전기신호 및 전력 공급용으로서 기능하는 것이든가, 혹은 발광소자를 기판에 고정하기 위한 메탈라이즈로서 기능하는 것인지, 적어도 어느쪽이든 1이상인 것을 특징으로 하는 항 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262또는 1263에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1264. Is the electrical circuit functioning as an electrical signal and power supply for driving a light emitting element, or as a metallization for fixing the light emitting element to a substrate, at least one of which is characterized in that it is at least one Item 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262 or 1263.

항 1265.판 모양의 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263또는 1264에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1265. Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, which are mounted on a substrate made of a sintered body having a plate-like ceramic material as a main component. , 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038 , 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063 , 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088 , 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113 , 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138 , 1139, 1140, 1141 , 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166 , 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191 , 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216 , 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241 , 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263 or 1264 One light emitting device.

항 1266.음푹패인 공간을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264또는 1265에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1266. Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, which are mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a recessed space. , 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037 , 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062 , 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087 , 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112 , 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137 , 113 8, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, The light emitting element according to any one of 1263, 1264 or 1265.

항 1267.음푹패인 공간을 가져, 상기 음푹패인 공간을 봉지하기 위해서 설치되는 뚜껑이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265또는 1266에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1267. Item 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, which has a recessed space, and a lid provided to seal the recessed space is mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of ceramic material. 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1 126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, The light emitting element according to any one of 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, or 1266.

항 1268.기체 및 틀과의 접합에 의해 형성되어 상기 기체 및 틀중에서 어느쪽이든 1이상이 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022,1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266또는 1267에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1268. Item 1001, 1002, 1003, 1004, which is formed by joining a gas and a frame and is mounted on a substrate made of a sintered body having at least one of the base and the ceramic material as the main component. 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, The light emitting element according to any one of 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266, or 1267.

항 1269.기체가 판 모양인 것을 특징으로 하는 항 1268에 기재된 발광소자.Item 1269. The light emitting element according to Item 1268, wherein the gas has a plate shape.

항 1270.기체 및 틀이 실리콘 수지를 주성분으로 하는 접착제에 의해 접합되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1268또는 1269에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1270. The light emitting element according to Item 1268 or 1269, wherein the gas and the frame are joined by an adhesive containing a silicone resin as a main component.

항 1271.일체화한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011,1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266, 1267, 1268, 1269또는 1270기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1271. Paragraphs 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, which are mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of integrated ceramic materials 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266, 1267, 1268, 1269 or 1270 any one of the light emitting device.

항 1272.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체가 광투과성을 가지는 것인 것을 특징으로 하는 항 1265, 1266, 1267, 1268, 1269, 1270 또는 1271에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1272. The light emitting element according to Item 1265, 1266, 1267, 1268, 1269, 1270, or 1271, wherein the sintered body containing the ceramic material as a main component has light transmittance.

항 1273.세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판에 적어도 2이상 탑재되고 있는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266, 1267, 1268, 1269, 1270, 1271또는 1272에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1273. Items 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, which are mounted on at least two or more substrates made of a sintered body composed mainly of ceramic material. , 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038 , 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063 , 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088 , 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113 , 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138 , 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, The light emitting element according to any one of 1266, 1267, 1268, 1269, 1270, 1271, or 1272.

항 1274.적어도 2이상이 같은 파장의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1273에 기재된 발광소자.Item 1274 The light emitting element according to item 1273, wherein at least two or more emit light of the same wavelength.

항 1275.모두 같은 파장의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1273또는 1274에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1275. Any one of the light emitting devices of item 1273 or 1274, wherein all emit light of the same wavelength.

항 1276.적어도 2이상이 다른 파장의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1273또는 1274에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1276. The light emitting element according to Item 1273 or 1274, wherein at least two or more light emit light of different wavelengths.

항 1277.모두 다른 파장의 빛을 발광하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1273또는 1276에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1277. Any one of the light emitting devices according to item 1273 or 1276, wherein all emit light of different wavelengths.

항 1278.적어도 파장 200 nm~800 nm의 범위의 빛을 발광하는 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266, 1267, 1268, 1269, 1270, 1271, 1272, 1273, 1274, 1275, 1276또는 1277에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Paragraph 1278. Paragraphs 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, characterized by emitting light having a wavelength of at least 200 nm to 800 nm 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1 150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266, 1267, 1268, 1269, 1270, 1271, 1272, 1273, 1274, The light emitting element according to any one of 1275, 1276 or 1277.

항 1279.질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 하는 것인 것을 특징으로 하는 항 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266, 1267, 1268, 1269, 1270, 1271, 1272, 1273, 1274, 1275, 1276, 1277또는 1278에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1279. Item 1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, characterized in that it contains at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride as a main component. 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 113 8, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, The light emitting element according to any one of 1263, 1264, 1265, 1266, 1267, 1268, 1269, 1270, 1271, 1272, 1273, 1274, 1275, 1276, 1277, or 1278.

항 1280.질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 적어도 N형 반도체층, 발광층, 및 P형 반도체층의 3층 이상의 적층체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 항1001, 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 1122, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266, 1267, 1268, 1269, 1270, 1271, 1272, 1273, 1274, 1275, 1276, 1277, 1278또는 1279에 기재되는 어느 하나의 발광소자.Item 1280. Item 1001, comprising at least three layers of at least an N-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a P-type semiconductor layer mainly composed of at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride. 1002, 1003, 1004, 1005, 1006, 1007, 1008, 1009, 1010, 1011, 1012, 1013, 1014, 1015, 1016, 1017, 1018, 1019, 1020, 1021, 1022, 1023, 1024, 1025, 1026, 1027, 1028, 1029, 1030, 1031, 1032, 1033, 1034, 1035, 1036, 1037, 1038, 1039, 1040, 1041, 1042, 1043, 1044, 1045, 1046, 1047, 1048, 1049, 1050, 1051, 1052, 1053, 1054, 1055, 1056, 1057, 1058, 1059, 1060, 1061, 1062, 1063, 1064, 1065, 1066, 1067, 1068, 1069, 1070, 1071, 1072, 1073, 1074, 1075, 1076, 1077, 1078, 1079, 1080, 1081, 1082, 1083, 1084, 1085, 1086, 1087, 1088, 1089, 1090, 1091, 1092, 1093, 1094, 1095, 1096, 1097, 1098, 1099, 1100, 1101, 1102, 1103, 1104, 1105, 1106, 1107, 1108, 1109, 1110, 1111, 1112, 1113, 1114, 1115, 1116, 1117, 1118, 1119, 1120, 1121, 11 22, 1123, 1124, 1125, 1126, 1127, 1128, 1129, 1130, 1131, 1132, 1133, 1134, 1135, 1136, 1137, 1138, 1139, 1140, 1141, 1142, 1143, 1144, 1145, 1146, 1147, 1148, 1149, 1150, 1151, 1152, 1153, 1154, 1155, 1156, 1157, 1158, 1159, 1160, 1161, 1162, 1163, 1164, 1165, 1166, 1167, 1168, 1169, 1170, 1171, 1172, 1173, 1174, 1175, 1176, 1177, 1178, 1179, 1180, 1181, 1182, 1183, 1184, 1185, 1186, 1187, 1188, 1189, 1190, 1191, 1192, 1193, 1194, 1195, 1196, 1197, 1198, 1199, 1200, 1201, 1202, 1203, 1204, 1205, 1206, 1207, 1208, 1209, 1210, 1211, 1212, 1213, 1214, 1215, 1216, 1217, 1218, 1219, 1220, 1221, 1222, 1223, 1224, 1225, 1226, 1227, 1228, 1229, 1230, 1231, 1232, 1233, 1234, 1235, 1236, 1237, 1238, 1239, 1240, 1241, 1242, 1243, 1244, 1245, 1246, 1247, 1248, 1249, 1250, 1251, 1252, 1253, 1254, 1255, 1256, 1257, 1258, 1259, 1260, 1261, 1262, 1263, 1264, 1265, 1266, 1267, 1268, 1269, 1270, 1271, The light emitting element according to any one of 1272, 1273, 1274, 1275, 1276, 1277, 1278 or 1279.

발광소자 탑재용 기판으로서 광투과성을 가지는 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체, 혹은 반사 방지 부재, 반사 부재를 형성한 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체를 이용하는 것으로 기판에 탑재한 발광소자로부터의 발광을 기판 외부에 효율적으로 방출해 그 방출 강도의 제어가 용이해, 한편 기판 외부에 방출되는 발광의 방향을 임의의 방향으로 제어할 수 있다. 게다가 이 기판은 광투과성의 다결정체로부터 되기 때문에 기판을 투과하여 기판 외부에 방출되는 발광소자로부터의 발광은 산란빛이 되기 쉽기 때문에 투명한 유리나 수지 혹은 대기 등을 직선적으로 투과한 눈을 찌르는 것 같은 빛을 가진 빛과 달리 온화해 인간의 눈에 상냥한 빛이 되기 쉽다고 하는 특징을 가진다. 특히 이 기판은 소결체가 되기 때문에 간편하고 염가로 있어 광범위한 용도에 응용할 수 있어 산업에 주는 영향은 크다.As a substrate for mounting a light emitting element, a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material or a sintered body composed mainly of a ceramic material in which an antireflection member and a reflective member are formed is used to emit light from the light emitting element mounted on the substrate. Can be efficiently controlled and its emission intensity can be easily controlled, and the direction of light emission emitted outside the substrate can be controlled in any direction. In addition, since the substrate is made of a light-transmitting polycrystal, light emitted from a light emitting element that penetrates the substrate and is emitted to the outside of the substrate tends to be scattered, so light such as stinging light that has linearly transmitted through transparent glass, resin, or the atmosphere Unlike light with light, it has the characteristic that it is easy to become gentle light to human eyes. In particular, since the substrate is a sintered body, it is simple and inexpensive, so that it can be applied to a wide range of applications, and thus has a large impact on the industry.

또, 상기 세라믹 재료를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지는 기판을 이용하고 그리고 탑재하는 것으로 본래의 발광 강도 등의 특성이 충분히 발현되고 발광 강도의 제어가 용이해, 한층 더 발광 방향의 제어를 용이하게 실시할 수 있는 발광소자가 실현될 수 있다. 그 중에서도 특히 상기 특성을 가지는 질화 갈륨, 질화 인지움, 질화 알루미늄 중으로부터 선택된 적어도 1종 이상을 주성분으로 해 적어도 N형 반도체층, 발광층, 및 P형 반도체층의 3층 이상의 적층체로 이루어지는 발광소자가 실현될 수 있게 되었다.Moreover, by using and mounting the substrate which consists of a sintered compact which has the said ceramic material as a main component, the characteristics, such as an original luminescence intensity, are fully expressed, the control of luminescence intensity is easy, and the control of light emission direction can be performed easily. A light emitting element that can be realized can be realized. Among them, a light emitting element comprising at least three layers of at least an N-type semiconductor layer, a light-emitting layer, and a P-type semiconductor layer mainly having at least one selected from gallium nitride, indium nitride, and aluminum nitride having the above characteristics as a main component It can be realized.

Claims

In the substrate for mounting a light emitting element,

The substrate is a substrate for mounting a light emitting element, characterized in that the substrate is made of a sintered body composed mainly of a light-transmitting ceramic material.

In the substrate for mounting a light emitting element,

The substrate is a substrate for mounting a light emitting element, characterized in that the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material on which the antireflection member is formed.

In the substrate for mounting a light emitting element,

The substrate for mounting a light emitting element, characterized in that the substrate is made of a sintered body composed mainly of a ceramic material having a reflective member.

A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body containing a light-transmitting ceramic material as a main component.

A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body composed mainly of a ceramic material on which an antireflection member is formed.

A light emitting element mounted on a substrate made of a sintered body containing a main component of a ceramic material having a reflective member.