KR20060031096A - Apparatus for manufacturing a semiconductor substrate having a sealing system - Google Patents

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Abstract

가스의 누출 및 외부 오염물의 유입을 효과적으로 방지할 수 있는 반도체 기판 가공 장치는, 제1 유출구가 형성된 프로세스 챔버와, 제1 유출구보다 큰 제2 유출구를 가지며 프로세스 챔버에 결합되는 트랜스퍼 모듈과, 제2 유출구에 대응된 형상을 가지며 제2 유출구의 내측면에 고정되어 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간을 밀폐하는 제1 실링 부재와, 제2 유출구로부터 제1 유출구로 연장되도록 제1 실링 부재의 내측면에 배치되어 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간의 밀폐를 보조하는 제2 실링 부재를 포함한다. 이 경우, 제2 실링 부재의 일단부는 제1 실링 부재의 내측면에 밀착되고, 타단부는 제1 유출구의 내측면에 밀착되어 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간의 갭을 커버한다. 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간의 갭을 커버함으로써, 프로세스 챔버 또는 트랜스퍼 모듈 내부의 가스가 외부로 누출되거나 외부의 불순물이 유입되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. A semiconductor substrate processing apparatus capable of effectively preventing gas leakage and inflow of external contaminants includes a process chamber in which a first outlet is formed, a transfer module having a second outlet larger than the first outlet, and coupled to the process chamber; A first sealing member having a shape corresponding to the outlet and fixed to an inner side of the second outlet to seal between the process chamber and the transfer module, and disposed on an inner side of the first sealing member to extend from the second outlet to the first outlet And a second sealing member to assist sealing between the process chamber and the transfer module. In this case, one end of the second sealing member is in close contact with the inner surface of the first sealing member and the other end is in close contact with the inner surface of the first outlet port to cover the gap between the process chamber and the transfer module. By covering the gap between the process chamber and the transfer module, it is possible to effectively prevent the gas inside the process chamber or the transfer module from leaking to the outside or the inflow of external impurities.

Description

실링 시스템을 갖는 반도체 기판 가공 장치{APPARATUS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING A SEALING SYSTEM}A semiconductor substrate processing apparatus having a sealing system {APPARATUS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING A SEALING SYSTEM}

도 1은 종래에 개시된 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a conventional semiconductor substrate processing apparatus.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view for describing a semiconductor substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도2 에 도시한 반도체 기판 가공 장치의 조립도이다. FIG. 3 is an assembly view of the semiconductor substrate processing apparatus shown in FIG. 2.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100：반도체 기판 가공 장치 110：트랜스퍼 모듈100: semiconductor substrate processing apparatus 110: transfer module

113：제1 수용부 114：제2 수용부113: 1st accommodating part 114: 2nd accommodating part

115：제2 유출구 120：프로세스 챔버115: second outlet 120: process chamber

121：도킹부 122：제1 단차부121: docking part 122: 1st step part

123：제1 유출구 125：공정 공간123 ： First outlet 125 ： Process space

130：제1 실링 부재 131：아웃터 스플릿130: first sealing member 131: outer split

132：제2 단차부 141：이너 스플릿132: The second step part 141: Inner split

142：제3 단차부 144：제4 단차부142: third step part 144: fourth step part

146：결합홈 151：제1 오링 146: engaging groove 151: first O-ring                 

153：제2 오링 153：제3 오링153: The second O-ring 153: The third O-ring

160：제2 실링 부재 161：제1 단160: second sealing member 161: first stage

162：제2 단 163：돌기162: The second stage 163: Projection

164：결합 단차164: coupling step

본 발명은 실링 시스템을 갖는 반도체 기판 가공 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 반도체 기판이 프로세스 챔버에 로딩되기 전에 대기되는 트랜스퍼 모듈과 상기 프로세스 챔버 사이를 실링하기 위한 실링 시스템을 갖는 반도체 기판 가공 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor substrate processing apparatus having a sealing system. More particularly, the present invention relates to a semiconductor substrate processing apparatus having a transfer module that is waited before a semiconductor substrate is loaded into a process chamber and a sealing system for sealing between the process chamber.

현재의 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다. 반도체 장치의 고집적화 및 고성능화를 이루기 위해서는 반도체 기판 상에 박막 패턴을 정확하게 형성하는 박막 증착 기술이 무엇보다 중요하다.Current research on semiconductor devices is progressing toward high integration and high performance in order to process more data in a short time. In order to achieve high integration and high performance of a semiconductor device, a thin film deposition technology for accurately forming a thin film pattern on a semiconductor substrate is important.

일반적으로 반도체 기판 상에 박막을 형성하는 기술은 크게 물리적 방식을 이용하는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition; PVD) 방법과 화학적 방식을 이용한 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법으로 분류될 수 있다. In general, a technique for forming a thin film on a semiconductor substrate may be classified into a physical vapor deposition (PVD) method using a physical method and a chemical vapor deposition (CVD) method using a chemical method.

현재 물리 기상 증착 방법은 불균일한 막질 특성으로 인하여 극히 제한된 공 정에만 이용되고 있으며, 상기 문제점을 개선한 화학 기상 증착 방법이 주로 이용되고 있다. 화학 기상 증착 방법은 반응 챔버 내의 압력에 따라 저압 화학 기상 증착 방법(LPCVD), 상압 화학 기상 증착 방법(APCVD), 플라스마 증대 화학 기상 증착 방법(PECVD) 및 고압 화학 기상 증착 방법(HPCVD) 등으로 구분된다. 이러한 화학 기상 증착 방법은, 현재 반도체 기판 상에 아몰퍼스 실리콘 막, 실리콘 산화물 막, 실리콘 질화물 막, 또는 실리콘 산질화물 막 등과 같은 다양한 박막들을 증착하기 위해 이용되고 있다. At present, the physical vapor deposition method is used only in a very limited process due to the non-uniform film properties, and the chemical vapor deposition method that improves the problem is mainly used. Chemical vapor deposition methods are classified into low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and high pressure chemical vapor deposition (HPCVD), depending on the pressure in the reaction chamber. do. This chemical vapor deposition method is currently used for depositing various thin films such as amorphous silicon film, silicon oxide film, silicon nitride film, silicon oxynitride film and the like on a semiconductor substrate.

플라스마 증대 화학 기상 증착 방법에 따르면, 높은 에너지를 얻은 전자가 중성 상태의 가스 분자와 충돌하여 가스 분자를 분해하고, 분해된 가스 원자가 반도체 기판에 증착되는 반응을 이용하여 박막을 증착하게 된다. 플라스마 증대 화학 기상 증착 방법에 따르면, 박막의 증착 공정 중에 스퍼터링(sputtering)에 의한 식각이 동시에 발생하기 때문에 높은 종횡비를 가지는 갭(gap) 내에 보이드 없이 양질의 막을 박막을 형성할 수 있다. 이 경우, 플라스마 반응이 일어나는 프로세스 챔버와 반도체 기판이 대기되는 트랜스퍼 모듈 사이의 실링 불량으로 인하여 프로세스 챔버 내부의 압력이 불균일해지거나 불순물이 프로세스 챔버 내부로 침투 하는 등의 문제들이 발생한다. 이하, 도면을 참조하여 상기 문제점에 대하여 상세하게 설명한다.According to the plasma enhanced chemical vapor deposition method, electrons having high energy collide with gas molecules in a neutral state to decompose gas molecules, and a thin film is deposited using a reaction in which decomposed gas atoms are deposited on a semiconductor substrate. According to the plasma enhanced chemical vapor deposition method, since etching by sputtering occurs simultaneously during the deposition process of the thin film, it is possible to form a high quality film without voids in a gap having a high aspect ratio. In this case, problems such as uneven pressure inside the process chamber or impurities may penetrate into the process chamber due to a poor sealing between the process chamber in which the plasma reaction occurs and the transfer module waiting for the semiconductor substrate. Hereinafter, the problem will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 종래에 개시된 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 Ⅰ부분을 확대한 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view illustrating a conventional semiconductor substrate processing apparatus, and FIG. 2 is an enlarged view of part I shown in FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 기판 가공 장치는 트랜스퍼 모듈(10)과 프 로세스 챔버(20) 및 실링 시스템(30)을 포함한다. 트랜스퍼 모듈(10)에는 프로세스 챔버(20)가 연결되며, 실링 시스템(30)은 트랜스퍼 모듈(10)과 프로세스 챔버(20) 사이에 개재된다.1 and 2, the semiconductor substrate processing apparatus includes a transfer module 10, a process chamber 20, and a sealing system 30. The process chamber 20 is connected to the transfer module 10, and the sealing system 30 is interposed between the transfer module 10 and the process chamber 20.

트랜스퍼 모듈(10)은 카세트(도시되지 않음)로부터 반도체 기판을 제공받아 프로세스 챔버(20)에 제공한다. 이 경우, 트랜스퍼 모듈(10) 내부는 반도체 기판의 오염을 방지하기 위하여 진공 상태로 조성된다. 또한, 트랜스퍼 모듈(10)에는 반도체 기판을 얼라인하기 위한 얼라이너(도시되지 않음)가 설치된다.The transfer module 10 receives a semiconductor substrate from a cassette (not shown) and provides it to the process chamber 20. In this case, the inside of the transfer module 10 is formed in a vacuum state to prevent contamination of the semiconductor substrate. In addition, the transfer module 10 is provided with an aligner (not shown) for aligning the semiconductor substrate.

트랜스퍼 모듈(10)에서 얼라인된 반도체 기판은 프로세스 챔버(20)에 제공되어 가공된다. 이 경우, 프로세스 챔버(20) 내부는 정밀한 가공 공정을 수행하기 위하여 진공 상태로 조성된다.The semiconductor substrate aligned in the transfer module 10 is provided to the process chamber 20 and processed. In this case, the process chamber 20 is formed in a vacuum state to perform a precise machining process.

전술한 바와 같이, 반도체 기판 가공 공정 시 프로세스 챔버(20)와 트랜스퍼 모듈(10)의 내부 공간은 진공 상태로 조성된다. 프로세스 챔버(20)와 트랜스퍼 모듈(10) 사이를 밀폐하기 위하여 실링 시스템(30)이 이용된다.As described above, the internal space of the process chamber 20 and the transfer module 10 is formed in a vacuum state during the semiconductor substrate processing process. Sealing system 30 is used to seal between the process chamber 20 and the transfer module 10.

실링 시스템(30)은 아웃터 스플릿(outer split; 31), 이너 스플릿(inner split; 33) 그리고 오링(35)을 포함한다. The sealing system 30 includes an outer split 31, an inner split 33 and an o-ring 35.

아웃터 스플릿(31)은 상하부가 개방된 플랜지(flange) 형상을 갖는다. 아웃터 스플릿(31)은 트랜스퍼 모듈(10)의 일측면에 형성되며, 반도체 기판이 이동되는 오프닝(opening; 11)의 내측면에 삽입된다. 아웃터 스플릿(31)은 트랜스퍼 모듈(10)에 고정된다. 아웃터 스플릿(31)에는 이너 스플릿(33)에 대응되게 단차부가 형성된다. The outer split 31 has a flange shape of which the upper and lower portions are open. The outer split 31 is formed on one side of the transfer module 10 and is inserted into an inner side of an opening 11 to which the semiconductor substrate is moved. The outer split 31 is fixed to the transfer module 10. The outer split 31 has a stepped portion corresponding to the inner split 33.                         

상기 아웃터 스플릿(31)의 단차부에는 적어도 하나의 오링(35)이 배치되고, 상기 오링(35)을 밀착 가압하도록 이너 스플릿(33)이 결합된다. 반도체 기판은 이너 스플릿(33)을 관통하여 프로세스 챔버(20)와 트랜스퍼 모듈(10) 사이에서 이동된다. 즉, 아웃터 스플릿(31)과 트랜스퍼 모듈(10)은 아웃터 스플릿(outer split; 31), 이너 스플릿(inner split; 33) 그리고 오링(35)에 의하여 밀폐된다. At least one O-ring 35 is disposed at the stepped portion of the outer split 31, and an inner split 33 is coupled to press the O-ring 35 in close contact. The semiconductor substrate passes through the inner split 33 and is moved between the process chamber 20 and the transfer module 10. That is, the outer split 31 and the transfer module 10 are sealed by the outer split 31, the inner split 33, and the O-ring 35.

일반적으로 프로세스 챔버(20) 내부에는 수많은 화학 가스가 주입된다. 상기 화학 가스가 오링(35)을 부식시킬 수 있다. 예를 들어, 삼불화질소(NF3)와 같이 불소를 포함한 화학 가스는 고무 재질의 오링(35)을 부식시킨다. In general, a number of chemical gases are injected into the process chamber 20. The chemical gas may corrode the O-ring 35. For example, a chemical gas containing fluorine, such as nitrogen trifluoride (NF 3 ), corrodes the rubber O-ring 35.

전술한 바와 같이, 오링(35)이 부식될 경우, 반도체 기판 가공 장치 외부의 불순물들이 상대적으로 압력이 낮은 프로세스 챔버(20)와 트랜스퍼 모듈(10) 내부로 유입될 수 있다. 이 경우, 유입된 불순물에 의하여 반도체 기판이 손상될 수 있을 뿐만 아니라, 프로세스 챔버(20)와 트랜스퍼 모듈(10) 내부의 압력이 불균일해져 반도체 기판 가공 정밀도가 극히 낮아지는 문제가 발생한다. 이는 현재 반도체 장치의 연구 추세에 비추어 볼 때 상당한 장애가 되고 있으며, 반드시 해결해야 되는 이슈로 부각되고 있다. As described above, when the O-ring 35 is corroded, impurities outside the semiconductor substrate processing apparatus may flow into the process chamber 20 and the transfer module 10 having a relatively low pressure. In this case, not only the semiconductor substrate may be damaged by the introduced impurities, but pressures inside the process chamber 20 and the transfer module 10 may be uneven, resulting in extremely low semiconductor substrate processing accuracy. This is a significant obstacle in view of the current research trend of semiconductor devices, and is emerging as an issue that must be solved.

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 사이를 효과적으로 밀폐할 수 있는 반도체 기판 가공 장치의 실링 시스템을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the aforementioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a sealing system of a semiconductor substrate processing apparatus capable of effectively sealing between a process chamber and a transfer module.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치는, 반도체 기판이 유출입되는 제1 유출구가 형성된 프로세스 챔버와, 제1 유출구보다 큰 제2 유출구를 가지며 제2 유출구가 제1 유출구를 마주보도록 프로세스 챔버에 결합되고 제2 유출구를 통하여 제1 유출구로 반도체 기판을 제공하는 트랜스퍼 모듈과, 제2 유출구와 대응된 형상을 가지며 제2 유출구의 내측면에 고정되어 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간을 밀폐하는 제1 실링 부재와, 제2 유출구로부터 제1 유출구로 연장되도록 제1 실링 부재의 내측면에 배치되어 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간의 밀폐를 보조하는 제2 실링 부재를 포함한다. 이 경우, 제2 실링 부재는 전체적으로 원형 띠 형상을 가지며, 일단부가 제1 실링 부재의 내측면에 밀착되고, 타단부는 제1 유출구의 내측면에 밀착되어 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간의 갭(gap)을 커버한다. In order to achieve the above object of the present invention, a semiconductor substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention, the first chamber has a process chamber is formed, the first outlet is formed, the second outlet is larger than the first outlet A transfer module coupled to the process chamber so that the second outlet faces the first outlet and provides a semiconductor substrate to the first outlet through the second outlet, the transfer module having a shape corresponding to the second outlet and fixed to the inner side of the second outlet; A first sealing member for sealing between the process chamber and the transfer module, and a second sealing member disposed on the inner side of the first sealing member to extend from the second outlet to the first outlet and assisting the sealing between the process chamber and the transfer module. Include. In this case, the second sealing member has a circular band shape as a whole, one end is in close contact with the inner side of the first sealing member, and the other end is in close contact with the inner side of the first outlet, so that a gap between the process chamber and the transfer module is achieved. To cover.

본 발명에 따르면, 제2 실링 부재를 이용하여 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간의 갭을 커버함으로써, 프로세스 챔버 내부의 가스가 외부로 누출되거나 외부의 불순물이 프로세스 챔버 또는 트랜스퍼 모듈 내부로 유입되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. According to the present invention, the second sealing member is used to cover the gap between the process chamber and the transfer module, thereby effectively preventing the gas inside the process chamber from leaking to the outside or the inflow of external impurities into the process chamber or the transfer module. Can be.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 반도체 기판 가공 장치에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예에 의하여 제한되거나 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, a semiconductor substrate processing apparatus according to exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the following examples.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 3은 도2 에 도시한 반도체 기판 가공 장치의 조립도이다. 2 is a schematic cross-sectional view for describing a semiconductor substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an assembly view of the semiconductor substrate processing apparatus shown in FIG. 2.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 반도체 기판 가공 장치(100)는 트랜스퍼 모듈(110), 프로세스 챔버(120), 제1 실링 부재(130) 및 제2 실링 부재(160)를 포함한다. 트랜스퍼 모듈(110)은 프로세스 챔버(120)에 결합되고, 제1 실링 부재(130)는 트랜스퍼 모듈(110)과 프로세스 챔버(120) 사이에 배치된다. 제2 실링 부재(160)는 트랜스퍼 모듈(110)과 프로세스 챔버(120) 사이에 개재되도록 제1 실링 부재(130)의 내부에 배치된다. 2 to 3, the semiconductor substrate processing apparatus 100 includes a transfer module 110, a process chamber 120, a first sealing member 130, and a second sealing member 160. The transfer module 110 is coupled to the process chamber 120, and the first sealing member 130 is disposed between the transfer module 110 and the process chamber 120. The second sealing member 160 is disposed inside the first sealing member 130 to be interposed between the transfer module 110 and the process chamber 120.

프로세스 챔버(120)는 전체적으로 원통 형상을 갖는다. 프로세스 챔버(120)의 내부에는 반도체 기판에 대한 사진, 식각, 증착, 확산, 이온 주입, 금속 증착 등의 공정을 수행하기 위한 공정 공간(125)이 마련된다. 이 경우, 공정 공간(125)은 공정 정밀도를 향상시키기 위하여 항상 진공 상태로 조성된다. The process chamber 120 has a cylindrical shape as a whole. In the process chamber 120, a process space 125 for performing a process such as photographing, etching, deposition, diffusion, ion implantation, and metal deposition of a semiconductor substrate is provided. In this case, the process space 125 is always created in a vacuum state to improve process precision.

프로세스 챔버(120)의 일측에는 트랜스퍼 모듈(110)의 측면에 대응된 형상의 도킹부(121; docking portion)가 형성된다. 도킹부(121)는 전체적으로 사각기둥 형상을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 도킹부(121)에는 트랜스퍼 모듈(110)과 결합 시, 제1 실링 부재(130)를 수용하기 위한 제1 단차부(122)가 형성되는 것이 바람직하다. 제1 단차부(122)는 트랜스퍼 모듈(110)과 프로세스 챔버(120)를 보다 효과적으로 밀폐하는 역할을 수행한다. A docking portion 121 having a shape corresponding to a side surface of the transfer module 110 is formed at one side of the process chamber 120. Docking portion 121 preferably has a rectangular pillar shape as a whole. In addition, when the docking part 121 is coupled to the transfer module 110, the first step part 122 may be formed to accommodate the first sealing member 130. The first step part 122 serves to more effectively seal the transfer module 110 and the process chamber 120.

도킹부(121)의 주변부를 따라서는 나사홈(도시되지 않음)이 형성된다. 상기 나사홈은 트랜스퍼 모듈(110)을 프로세스 챔버(120)에 결합하기 위하여 이용된다.A screw groove (not shown) is formed along the periphery of the docking portion 121. The screw groove is used to couple the transfer module 110 to the process chamber 120.

도킹부(121)의 중심부에는 공정 공간(125)과 연통되는 제1 유출구(123)가 형 성된다. 제1 유출구(123)의 내경은 반도체 기판(도시되지 않음)보다 크다. 제1 유출구(123)는 반도체 기판이 공정 공간(125)으로 유출입되는 통로이다. 프로세스 챔버(120)는 제1 유출구(123)를 통하여 트랜스퍼 모듈(110)로부터 반도체 기판을 제공 받는다. The first outlet 123 communicating with the process space 125 is formed at the center of the docking part 121. The inner diameter of the first outlet 123 is larger than a semiconductor substrate (not shown). The first outlet 123 is a passage through which the semiconductor substrate flows in and out of the process space 125. The process chamber 120 receives a semiconductor substrate from the transfer module 110 through the first outlet 123.

도킹부(121)가 접촉되는 트랜스퍼 모듈(110)의 일측에는 제2 유출구(115)가 형성된다. 제2 유출구(115)는 트랜스퍼 모듈(110)이 프로세스 챔버(120)에 결합될 경우 제1 유출구(123)와 연통된다.A second outlet 115 is formed at one side of the transfer module 110 to which the docking unit 121 is in contact. The second outlet 115 is in communication with the first outlet 123 when the transfer module 110 is coupled to the process chamber 120.

제2 유출구(115)는 제1 유출구(123)보다 큰 직경을 갖는 것이 바람직하다. 이는 제2 유출구(115)의 내부에 이후 설명될 제1 실링 부재(130)가 배치될 공간을 마련하기 위함이다. 바람직하게는, 제2 유출구(115)는 단차지게 형성된다. 제2 유출구(115)는 제1 수용부(113)와 제2 수용부(114)로 이루어진다. 제1 수용부(113)는 제1 유출구(123)보다 큰 제1 내경을 가지며, 트랜스퍼 모듈(110)의 외측으로부터 내측 방향으로 형성된다. 제2 수용부(114)는 제1 수용부(113)보다 작은 제2 내경을 가지며 제1 수용부(113)로부터 연장되게 형성된다. 즉, 제2 유출구(115)는 단차지게 형성된 홀이다. It is preferable that the second outlet 115 has a larger diameter than the first outlet 123. This is to provide a space in which the first sealing member 130 to be described later is disposed in the second outlet 115. Preferably, the second outlet 115 is formed stepped. The second outlet 115 includes a first accommodating part 113 and a second accommodating part 114. The first accommodating part 113 has a first inner diameter larger than the first outlet 123 and is formed in an inward direction from the outside of the transfer module 110. The second accommodating part 114 has a second inner diameter smaller than the first accommodating part 113 and is formed to extend from the first accommodating part 113. That is, the second outlet 115 is a hole formed stepped.

제2 유출구(115)에는 제1 실링 부재(130)가 배치된다. 제1 실링 부재(130)는 아웃터 스플릿(outer split, 131), 이너 스플릿(inner split:141) 그리고 적어도 하나의 오링(151, 153, 155)을 포함한다.The first sealing member 130 is disposed at the second outlet 115. The first sealing member 130 includes an outer split 131, an inner split 141, and at least one o-ring 151, 153, and 155.

제2 유출구(115)의 제1 수용부(113) 내측면에는 제1 오링(151)이 배치된다. 제1 수용부(113)에는 아웃터 스플릿(131)이 제1 오링(151)을 밀착 가압하도록 결합 된다. 아웃터 스플릿(131)은 제1 수용부(113)의 내경과 실질적으로 동일한 외경을 갖는다. 아웃터 스플릿(131)의 중심부는 관통되어 제2 유출구(115)와 연통된다. 아웃터 스플릿(131)의 내측면에는 제2 오링(153)을 배치하기 위한 제2 단차부(132)가 형성된다.The first O-ring 151 is disposed on the inner side surface of the first accommodating portion 113 of the second outlet 115. The outer split 131 is coupled to the first accommodating part 113 to press the first O-ring 151 in close contact. The outer split 131 has an outer diameter substantially the same as the inner diameter of the first accommodating portion 113. A central portion of the outer split 131 penetrates and communicates with the second outlet 115. The second step portion 132 for arranging the second O-ring 153 is formed on the inner side surface of the outer split 131.

이너 스플릿(141)은 제2 유출구(115)의 제2 수용부(114) 내경과 실질적으로 동일한 외경을 가지며, 아웃터 스플릿(131)에 대응된 형상을 갖는다. 이너 스플릿(141)의 중심부는 관통되어 제2 유출구(115)와 연통된다. 이너 스플릿(141)의 외측면에는 아웃터 스플릿(131)의 제2 단차부(132)에 대응된 형상의 제3 단차부(142)가 형성된다. 또한, 이너 스플릿(141)에는 제3 단차부(142)로부터 연장되게 제4 단차부(144)가 형성된다. The inner split 141 has an outer diameter substantially the same as the inner diameter of the second receiving portion 114 of the second outlet 115, and has a shape corresponding to the outer split 131. The central portion of the inner split 141 penetrates and communicates with the second outlet 115. A third stepped portion 142 having a shape corresponding to the second stepped portion 132 of the outer split 131 is formed on an outer surface of the inner split 141. In addition, the inner split 141 is formed with a fourth step 144 extending from the third step 142.

아웃터 스플릿(131)의 제2 단차부(132)에는 제2 오링(153)이 배치된다. 이너 스플릿(141)은 제2 오링(153)을 밀착 가압하도록 아웃터 스플릿(131)에 결합된다. 보다 자세하게 설명하면, 이너 스플릿(141)의 제4 단차부(144)는 아웃터 스플릿(131)과 이너 스플릿(141)이 결합될 경우, 제2 오링(153)을 밀착 가압하여 아웃터 스플릿(131)과 이너 스플릿(141) 사이를 밀폐한다. The second O-ring 153 is disposed on the second stepped portion 132 of the outer split 131. The inner split 141 is coupled to the outer split 131 to tightly press the second O-ring 153. In more detail, when the outer split 131 and the inner split 141 are coupled to the fourth step portion 144 of the inner split 141, the fourth split portion 141 closely presses and presses the second O-ring 153 to form the outer split 131. It is sealed between the inner split 141.

이너 스플릿(141)은 아웃터 스플릿(131)이 트랜스퍼 모듈(110)에 결함된 상태에서, 트랜스퍼 모듈(110)의 내부로부터 제2 유출구(115)를 통하여 삽입되는 것이 바람직하다. 이 경우, 아웃터 스플릿(131)과 이너 스플릿(141)은 대응된 형상을 갖도록 제조되어 용이하게 결합될 수 있다. The inner split 141 may be inserted through the second outlet 115 from the inside of the transfer module 110 in a state where the outer split 131 is defective in the transfer module 110. In this case, the outer split 131 and the inner split 141 may be manufactured to have a corresponding shape and easily coupled.

프로세스 챔버(120)와 트랜스퍼 모듈(110)에 결합 시, 이너 스플릿(141)은 도킹부(121)의 제1 단차부(122) 내측면에 접촉된다. 프로세스 챔버(120)와 트랜스퍼 모듈(110)을 보다 효율적으로 밀폐하기 위하여, 이너 스플릿(141)의 전면(front surface)에 제3 오링(155)을 더 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 이너 스플릿(141)의 내측면에는 제2 실링 부재(160)를 부분적으로 수용하기 위한 결합 홈(146)이 형성된다. 결합 홈(146)은 제2 실링 부재(160)에 대응된 형상을 갖는다. When coupled to the process chamber 120 and the transfer module 110, the inner split 141 contacts the inner side surface of the first step portion 122 of the docking portion 121. In order to more effectively seal the process chamber 120 and the transfer module 110, it is preferable to further arrange the third O-ring 155 on the front surface of the inner split 141. In addition, a coupling groove 146 for partially accommodating the second sealing member 160 is formed in the inner surface of the inner split 141. The coupling groove 146 has a shape corresponding to the second sealing member 160.

제2 실링 부재(160)는 전체적으로 원형 띠 형상을 갖는다. 제2 실링 부재(160)의 외측에는 결합 단차(164)가 형성되고, 결합 단차(164)를 기준으로 제1 단(161)과 제2 단(162)으로 구분된다. 제2 단(162)은 제1 단(161)보다 작은 외경을 갖는다. 제2 단(162)의 외경은 제1 유출구(123)의 내경보다 크다. 이후 설명하겠지만, 결합 단차(164)는 제2 실링 부재(160)를 프로세스 챔버(120)와 트랜스퍼 모듈(110) 사이에 배치 시 프로세스 챔버(120)의 도킹부(121)에 접촉되어 제2 실링 부재(160)의 유동을 제한한다.The second sealing member 160 has a circular band shape as a whole. A coupling step 164 is formed outside the second sealing member 160, and is divided into a first step 161 and a second step 162 based on the coupling step 164. The second end 162 has an outer diameter smaller than the first end 161. The outer diameter of the second end 162 is larger than the inner diameter of the first outlet 123. As will be described later, the coupling step 164 is in contact with the docking portion 121 of the process chamber 120 when the second sealing member 160 is disposed between the process chamber 120 and the transfer module 110, the second sealing. Limit the flow of member 160.

제2 실링 부재(160)는 이너 또는 아웃터 스플릿(131, 141)과 실질적으로 동일한 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 그리고 이너 또는 아웃터 스플릿(131, 141)은 트랜스퍼 모듈(110)과 실질적으로 동일한 재료로 제조되는 것이 바람직하다. 하지만 제2 실링 부재(160)는 다양한 재료로 제조될 수 있으며, 이는 당업자가 선택할 수 있는 사항임을 밝혀둔다. The second sealing member 160 is preferably made of substantially the same material as the inner or outer splits 131, 141. The inner or outer splits 131 and 141 are preferably made of the same material as the transfer module 110. However, the second sealing member 160 may be made of various materials, which will be understood by those skilled in the art.

제2 실링 부재(160)의 제1 단(161)은 이너 스플릿(141)에 밀착되고, 제2 단(162)은 프로세스 챔버(120)의 내측면에 밀착된다. 제2 실링 부재(160)는 이너 스플릿(141)으로부터 프로세스 챔버(120)로 연장된다. 제2 실링 부재(160)에 의하여 프로세스 챔버(120)와 트랜스퍼 모듈(110) 사이의 갭(gap)이 커버된다. 이로써, 프로세스 챔버(120)와 트랜스퍼 모듈(110) 간이 보다 확고히 밀폐된다. The first end 161 of the second sealing member 160 is in close contact with the inner split 141, and the second end 162 is in close contact with the inner surface of the process chamber 120. The second sealing member 160 extends from the inner split 141 to the process chamber 120. The gap between the process chamber 120 and the transfer module 110 is covered by the second sealing member 160. As a result, the process chamber 120 and the transfer module 110 are tightly sealed.

프로세스 챔버(120)의 내측면에 밀착되는 제2 단(162)의 일측면에는 밀폐 효율을 증대시키기 위한 돌기(163)가 더 형성될 수 있다. 이 경우, 돌기(163)는 오링과 같은 재질로 제조될 수 있다. A protrusion 163 may be further formed on one side of the second end 162 in close contact with the inner surface of the process chamber 120 to increase the sealing efficiency. In this case, the protrusion 163 may be made of a material such as an O-ring.

제2 실링 부재(160)는 프로세스 챔버(120)와 트랜스퍼 모듈(110)이 결합된 상태에서도 용이하게 탈착될 수 있다. 보다 자세하게 설명하면, 프로세스 챔버(120)와 트랜스퍼 모듈(110) 사이는 제1 실링 부재(130)가 개재된 상태로 결합된다. 이 상태에서, 제2 실링 부재(160)는 트랜스퍼 모듈(110)의 내부로부터 이너 스플릿(141)의 내측부로 삽입된다. 제2 실링 부재(160)의 제1 단(161)은 결합 홈(146)에 삽입되고, 제2 단(162)은 제1 유출구(123) 내부로 연장된다. 이 경우, 제2 실링 부재(160)의 결합 단차(164)는 도킹부(121)의 제1 단차부(122)에 걸린다. The second sealing member 160 may be easily detached even when the process chamber 120 and the transfer module 110 are coupled to each other. In more detail, the process chamber 120 and the transfer module 110 are coupled with the first sealing member 130 interposed therebetween. In this state, the second sealing member 160 is inserted into the inner portion of the inner split 141 from the inside of the transfer module 110. The first end 161 of the second sealing member 160 is inserted into the coupling groove 146, and the second end 162 extends into the first outlet 123. In this case, the engagement step 164 of the second sealing member 160 is caught by the first step part 122 of the docking part 121.

프로세스 챔버(120)와 트랜스퍼 모듈(110)은 제1 실링 부재(130)에 의하여 1차로 밀폐되고, 제2 실링 부재(160)에 의하여 2차로 밀폐된다. 따라서 가스의 누출 및 오염물의 유입을 효과적으로 방지된다. The process chamber 120 and the transfer module 110 are primarily sealed by the first sealing member 130 and secondly sealed by the second sealing member 160. Therefore, the leakage of gas and the inflow of contaminants are effectively prevented.

본 발명에 따르면, 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간의 갭을 커버함으로써 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈을 효과적으로 밀폐할 수 있다. 따라서 프로세스 챔버 또는 트랜스퍼 모듈 내부의 가스가 누출되거나 외부 오염물의 유입을 방지할 수 있다. According to the present invention, the process chamber and the transfer module can be effectively sealed by covering the gap between the process chamber and the transfer module. Thus, gas inside the process chamber or transfer module may be prevented from leaking or introducing foreign contaminants.                     

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. As described above, although described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below You will understand that it can be changed.

Claims (7)

일측에 반도체 기판이 유출입되는 제1 유출구가 형성된 프로세스 챔버;A process chamber having a first outlet through which a semiconductor substrate flows in and out at one side; 상기 제1 유출구보다 큰 제2 유출구를 가지며, 상기 제2 유출구가 상기 제1 유출구를 마주보도록 상기 프로세스 챔버에 결합되고, 상기 제2 유출구를 통하여 상기 제1 유출구로 반도체 기판을 제공하는 트랜스퍼 모듈; A transfer module having a second outlet larger than the first outlet, the second outlet being coupled to the process chamber so as to face the first outlet, and providing a semiconductor substrate to the first outlet through the second outlet; 상기 제2 유출구와 대응된 형상을 가지며, 상기 제2 유출구의 내측면에 고정되어 상기 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간을 밀폐하는 제1 실링 부재; 및A first sealing member having a shape corresponding to the second outlet and fixed to an inner side surface of the second outlet to seal between the process chamber and the transfer module; And 상기 제2 유출구로부터 제1 유출구로 연장되도록 상기 제1 실링 부재의 내측면에 배치되어 상기 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간의 밀폐를 보조하는 제2 실링 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치.And a second sealing member disposed on an inner side surface of the first sealing member so as to extend from the second outlet to the first outlet, and assists sealing between the process chamber and the transfer module. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 실링 부재는 전체적으로 원형 띠 형상을 가지며, 일단부가 상기 제1 실링 부재의 내측면에 밀착되고 타단부는 상기 제1 유출구의 내측면에 밀착되어 상기 프로세스 챔버와 트랜스퍼 모듈 간의 갭(gap)을 커버하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치. The method of claim 1, wherein the second sealing member has a circular band shape as a whole, one end is in close contact with the inner surface of the first sealing member and the other end is in close contact with the inner surface of the first outlet, the process chamber and the transfer A semiconductor substrate processing apparatus, comprising covering a gap between modules. 제 2 항에 있어서, 상기 타단부에는 상기 제1 유출구의 내측면에 접하는 돌기부가 더 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치. The semiconductor substrate processing apparatus of claim 2, wherein the other end portion further includes a protrusion contacting an inner surface of the first outlet. 제 2 항에 있어서, 상기 일단부에는 상기 제2 실링 부재의 외측으로 돌출되어 상기 프로세스 챔버의 외측면에 접하는 단차부가 형성되고, 상기 제1 실링 부재의 내측면에는 상기 제2 실링 부재의 단차부에 대응하는 형상의 결합 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치. The stepped part of claim 2, wherein a stepped portion protrudes outwardly of the second sealing member to contact an outer surface of the process chamber, and a stepped portion of the second sealing member is formed on an inner side surface of the first sealing member. The semiconductor substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 실링 부재는 상기 제1 실링 부재와 실질적으로 동일한 재료로 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치. 2. The semiconductor substrate processing apparatus of claim 1, wherein the second sealing member is made of substantially the same material as the first sealing member. 제 1 항에 있어서, 제2 유출구는, 상기 제1 유출구보다 큰 직경을 가지며 상기 트랜스퍼 모듈의 외측면으로부터 소정의 깊이로 형성된 제1 수용부과, 상기 제1 수용부보다 작은 내경을 가지며 상기 제1 수용부로부터 상기 트랜스퍼 모듈의 내측면으로 연장된 제2 수용부로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치.The method of claim 1 wherein the second outlet and having a larger diameter than the first outlet has a first receiving imposed, wherein the smaller internal diameter than the first accommodating portion formed at a predetermined depth from the outer surface of the transfer module, the first And a second housing portion extending from the housing portion to the inner surface of the transfer module. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 실링 부재는,The method of claim 6, wherein the first sealing member, 상기 제1 수용부의 내측면에 배치된 제1 오링(o-ring);A first o-ring disposed on the inner side of the first receptacle; 상기 제1 수용부의 내경과 실질적으로 동일한 외경을 가지며, 상기 제1 오링을 밀착 가압하도록 상기 제1 수용부에 고정된 아웃터 실링 유닛;An outer sealing unit having an outer diameter substantially the same as the inner diameter of the first accommodating portion, and fixed to the first accommodating portion to closely press the first O-ring; 상기 아웃터 실링 유닛의 내측면에 배치된 제2 오링; 그리고 A second o-ring disposed on an inner surface of the outer sealing unit; And 상기 제2 수용부의 내경과 실질적으로 동일한 외경을 가지며, 상기 제2 오링을 밀착 가압하도록 상기 아웃터 실링 유닛에 고정되는 이너 실링 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 가공 장치.And an inner sealing unit having an outer diameter substantially the same as the inner diameter of the second accommodating portion, and fixed to the outer sealing unit to tightly pressurize the second O-ring.
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