KR20060028834A - Dicing film and manufacturing method for stacked csp containing two layer die adhesive films with different adhension strength - Google Patents

Dicing film and manufacturing method for stacked csp containing two layer die adhesive films with different adhension strength Download PDF

Info

Publication number
KR20060028834A
KR20060028834A KR1020040077701A KR20040077701A KR20060028834A KR 20060028834 A KR20060028834 A KR 20060028834A KR 1020040077701 A KR1020040077701 A KR 1020040077701A KR 20040077701 A KR20040077701 A KR 20040077701A KR 20060028834 A KR20060028834 A KR 20060028834A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
adhesive
dicing
adhesive film
die
Prior art date
Application number
KR1020040077701A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100638360B1 (en
Inventor
서준모
문혁수
한철종
이종걸
위경태
Original Assignee
엘에스전선 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘에스전선 주식회사 filed Critical 엘에스전선 주식회사
Priority to KR1020040077701A priority Critical patent/KR100638360B1/en
Publication of KR20060028834A publication Critical patent/KR20060028834A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100638360B1 publication Critical patent/KR100638360B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

본 발명은 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 일실시예로서 반도체 칩 패키지에 사용되는 다이싱 필름에 있어서, 서로 다른 크기의 접착력을 갖는 2개의 접착층을 형성하는 접착필름과; 상기 접착필름의 어느 한쪽면에 접착된 다이싱용 점착필름이 포함되어 있는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a dicing film for a semiconductor chip package having a different adhesive strength of two layers and a method of manufacturing the same. In an embodiment, a dicing film used for a semiconductor chip package includes two adhesive layers having different adhesive strengths. An adhesive film forming two adhesive layers; It characterized in that it comprises an adhesive film for dicing adhered to any one side of the adhesive film.

반도체, 웨이퍼, 다이, 필름, 점착시트, 칩, 폴리올레핀, 에폭시, 실리카Semiconductor, Wafer, Die, Film, Adhesive Sheet, Chip, Polyolefin, Epoxy, Silica

Description

2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름 및 그 제조방법{Dicing film and manufacturing method for stacked CSP containing two layer die adhesive films with different adhension strength}Dicing film and manufacturing method for stacked CSP containing two layer die adhesive films with different adhension strength

본 명세서에서 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어서 해석되어서는 아니된다.The following drawings, which are attached in this specification, illustrate preferred embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the present invention, serve to further understand the technical spirit of the present invention. It should not be construed as limited to.

도 1은 종래 다이싱필름을 이용한 반도체 패키지 공정도.1 is a semiconductor package process diagram using a conventional dicing film.

도 2는 본 발명에 따른 제1공정을 통해 얻어진 접착필름의 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view of the adhesive film obtained through a first process according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 제2공정을 통해 얻어진 접착필름의 단면도.3 is a cross-sectional view of the adhesive film obtained through a second process according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 제1공정과 제2공정을 통해 얻어진 접착필름들을 결합하는 공정도 및 이를 통해 얻어진 다이접착필름의 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view of the die-bonding film obtained through the process diagram and bonding the adhesive films obtained through the first process and the second process according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 다이접착필름과 다이싱필름이 결합된 이중기능성 다이싱필름의 단면도.Figure 5 is a cross-sectional view of the bi-functional dicing film combined dicing film and dicing film according to the present invention.

도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 다이 본딩 온도와 박리력과의 관계를 나타낸 실험 결과 그래프.6 is a graph of experimental results showing the relationship between die bonding temperature and peel force according to the first embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

11 : 접착필름11: adhesive film

12 : 이형필름12: release film

13 : 접착필름13: adhesive film

14 : 다이싱필름14: dicing film

본 발명은 고기능 반도체 패키지에 적용되는 웨이퍼 다이싱용 점착시트와 다이접착필름을 일체화시켜서 제작된 반도체 칩 패키지용 다이싱필름에 관한 것으로, 특히 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing film for a semiconductor chip package manufactured by integrating a die-bonding adhesive sheet and a die bonding film applied to a high-performance semiconductor package, and in particular, a dicing film for a semiconductor chip package having two different adhesion strengths. And to a method for producing the same.

도 1은 종래의 단층 기재의 다이싱필름(10)을 사용한 WCSP(Window Chip Size Package)용 반도체 패키지 공정을 나타내고 있다.1 shows a semiconductor package process for a window chip size package (WCSP) using a dicing film 10 of a conventional single layer substrate.

이는 준비된 웨이퍼(1)의 후면에 다이싱필름(10)을 점착하고 웨이퍼를 다이싱 브레이트(3)로 다이싱한다. 다이싱된 웨이퍼는 콜렛(6)에 픽업되어 PCB(5)에 다이 접착이 이루어진 후 열처리를 거쳐 와이어 본딩 공정을 통한다. 본딩 공정후에는 몰딩 및 열처리를 통해 반도체 패키지가 이루어진다.This adheres the dicing film 10 to the back surface of the prepared wafer 1 and dicing the wafer into the dicing plate 3. The diced wafer is picked up by the collet 6, die-bonded to the PCB 5, and then subjected to a heat bonding process through heat treatment. After the bonding process, the semiconductor package is formed through molding and heat treatment.

여기서 다이싱필름(Dicing film)은 아크릴계 점착층이 도포 되어 있는 폴리올레핀(Poly olefin)계 점착필름으로만 이루어져 있으며, 근래 상용화되고 있는 stacked CSP용 다이싱필름(Dicing film)의 경우 폴리이미드(Polyimide) 또는 에폭 시(Epoxy)계 다이 접착 필름(Die adhesive film)이 함께 도포 되어 있어 다이(Die) 접착과 다이싱을 동시에 할 수 있는 편리함을 제공하고 있다.Here, the dicing film consists only of a polyolefin adhesive film coated with an acrylic adhesive layer, and in the case of a dicing film for stacked CSP, which is commercially available in recent years, polyimide Alternatively, an epoxy-based die adhesive film is applied together to provide convenience for simultaneous die bonding and dicing.

하지만 기존의 다이싱(Dicing)만을 목적으로 한 다이싱필름(Dicing film)과는 달리 픽업공정 시 다이(Die)(7)와 다이접착필름(die adhesive film)(4)을 동시에 떨어뜨려야 한다는 어려움을 안고 있으며, 웨이퍼(wafer)(1) 후면에 다이접착필름(4)을 접착시키는 과정에서 기포가 발생될 수 있다.However, unlike a dicing film intended only for dicing, it is difficult to simultaneously drop the die 7 and the die adhesive film 4 during the pickup process. In the process of adhering the die adhesive film 4 to the back surface of the wafer 1, bubbles may be generated.

상기와 같은 조건을 만족시키기 위해 다이접착필름(Die adhesive film)과 함께 구성되고 있는 다이싱용 점착필름(dicing film)은 가열-박리성, 감압성 및 감광성 물질을 사용하고 있으며, 다이싱(dicing) 공정 후 자외선 조사 및 열처리를 통해 다이(Die)/다이접착필름(die adhesive film)의 픽업 공정을 용이하게 하고 있다.In order to satisfy the above conditions, the dicing film, which is composed together with a die adhesive film, uses heat-peelable, pressure-sensitive and photosensitive materials, and dicing Ultraviolet irradiation and heat treatment after the process facilitate the pickup process of the die (die) / die adhesive film (die adhesive film).

하지만 이러한 기술들은 UV조사를 통한 공정의 복잡성과 열 및 UV조사량에 따른 다이싱용 점착시트와 다이접착필름(Die adhesive film)과의 박리력에 그 한계점을 드러내고 있는 실정이다.However, these technologies reveal the limitation of the peeling force between the adhesive sheet for dicing and the die adhesive film according to the complexity of the process through UV irradiation and the heat and UV irradiation amount.

Stacked CSP(Chip Size Package)용 다이싱필름(Dicing film)의 또 다른 구성물인 다이접착필름(Die adhesive film)은 JEDEC/IPC에서 제시된 테스트 결과를 통해 그 신뢰성을 평가 받을 수 있어야 하며, 주로 반도체 패키지 기술에서 고려되는 평가 항목으로는 반도체 패키지의 보드 실장 전까지의 보관성을 규정하는 흡습 및 IR reflow 저항성 평가인 MRT(Moisture Resistance Test)테스트와 반도체 패키지의 고온, 고습, 고압 하의 저항성을 평가하는 PCT(Pressure Cook Test), 반도체가 실 제 작동 중일 때의 신뢰성 평가를 위한 bias 전류를 흘리면서 고온, 고습에 대한 저항성을 평가하는 HAST(Highly Accelerated Tempe-rature and Humidity Stress Test) 등이 있다. Another component of the dicing film for the stacked chip size package (CSP), the die adhesive film, must be evaluated for its reliability through the test results presented by JEDEC / IPC. The evaluation items considered in the technology include the Moisture Resistance Test (MRT) test, which is a moisture absorption and IR reflow resistance evaluation that defines the storage of semiconductor packages before board mounting, and the PCT (High Temperature, High Humidity, and High Pressure Resistance). Pressure Cook Test), and HAST (Highly Accelerated Tempe-rature and Humidity Stress Test), which evaluates the resistance to high temperature and high humidity while flowing a bias current for reliability evaluation when the semiconductor is actually operating.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 다이와의 높은 접착력과 다이싱용 점착필름과의 낮은 박리력을 위해 서로 다른 접착력을 갖는 2층으로 이루어져 픽업 작업 공정이 용이하고, 웨이퍼 접착시 기포 발생의 염려가 없는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, consisting of two layers having different adhesive strength for high adhesion force with the die and low peel force with the dicing adhesive film, the pick-up process is easy, wafer adhesion It is an object of the present invention to provide a dicing film for a semiconductor chip package and a method of manufacturing the same, which do not cause bubbles.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구체적인 수단은,Specific means of the present invention for achieving the above object,

반도체 칩 패키지에 사용되는 다이싱필름에 있어서,In the dicing film used for the semiconductor chip package,

서로 다른 크기의 접착력을 갖는 2개의 접착층을 형성하는 접착필름과;An adhesive film forming two adhesive layers having adhesive strengths of different sizes;

상기 접착필름의 어느 한쪽면에 접착된 다이싱용 점착필름이 포함되어 달성된다.It is achieved by including an adhesive film for dicing adhered to either side of the adhesive film.

본 발명에 적용되는 접착필름은 폴리이미드 또는 에폭시에 적당량으로 첨가된 실리카가 포함된다.The adhesive film applied to the present invention includes silica added in an appropriate amount to polyimide or epoxy.

본 발명에 적용되는 다이싱용 점착필름은 어느 한쪽면에 아크릴이 점착되어 있는 폴리올레핀 계열인 것을 특징으로 한다.Dicing pressure-sensitive adhesive film applied to the present invention is characterized in that the polyolefin-based is adhered acrylic on either side.

본 발명에 따르면, 상대적으로 실리카 및 고상 에폭시의 양이 많이 첨가된 접착필름이 상기 다이싱용 점착필름에 결합된 것을 특징으로 한다. According to the present invention, the adhesive film to which a relatively large amount of silica and solid epoxy is added is bonded to the dicing adhesive film.                         

본 발명에 따르면, 상대적으로 실리카 및 고상 에폭시의 양이 적게 첨가된 접착필름이 상기 다이싱용 점착필름에 결합된 것을 특징으로 한다.According to the present invention, the adhesive film to which the relatively small amount of silica and solid epoxy is added is bonded to the dicing adhesive film.

본 발명에 따르면, 상대적으로 높은 접착력을 갖는 상기 접착필름에 PET 이형필름이 더 부착되어 있는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, a PET release film is further attached to the adhesive film having a relatively high adhesive strength.

한편, 본 발명의 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름의 제조방법에 따르면,On the other hand, according to the manufacturing method of the dicing film for semiconductor chip package having different adhesive strength of the two layers of the present invention,

PET재의 이형필름상에 폴리이미드 또는 에폭시에 실리카가 포함된 접착액을 100㎛ 이하의 두께로 코팅 점착시킨 후 PET재의 보호필름을 덮어주어 제1접착필름을 제조하는 제1공정과;A first step of preparing a first adhesive film by coating and adhering an adhesive solution containing silica to polyimide or epoxy on a release film of PET to a thickness of 100 μm or less and then covering the protective film of PET material;

PET재의 이형필름상에 제1공정의 접착액보다 실리카가 상대적으로 많이 첨가된 접착액을 100㎛ 이하의 두께로 코팅 점착시킨 후 PET재의 보호필름을 덮어주어 제2접착필름을 제조하는 제2공정과;A second process of manufacturing a second adhesive film by coating and adhering the adhesive liquid, which has relatively more silica added on the release film of PET material, to a thickness of 100 μm or less, and then covering the protective film of the PET material. and;

상기 제1,2공정을 통해 얻어진 제1접착필름과 제2접착필름을 해당 보호필름을 제거하면서 보호필름이 없는 면끼리 접착하여 다이접착필름을 제조하는 제3공정과;A third step of manufacturing the die-bonding film by bonding the first adhesive film and the second adhesive film obtained through the first and second steps with each other without the protective film while removing the protective film;

상기 제3공정에서 제조된 다이접착필름의 어느 한쪽면측 이형필름을 제거함과 동시에 제거된 접착면에 폴리올레핀계 다이싱용 점착필름을 합착시키는 제4공정; 을 거쳐 제조되는 것을 특징으로 한다.A fourth step of attaching the polyolefin-based dicing adhesive film to the removed adhesive surface at the same time as removing the release film on one side of the die adhesive film prepared in the third step; It is characterized in that it is manufactured through.

본 발명은 크게는 폴리올레핀(polyolefin)계 점착필름과 다이접착필름(Die adhesive film)으로 이루어져 있다.The present invention is largely composed of a polyolefin adhesive film and a die adhesive film.

보다 상세하게는 다이(Die)와의 접착력이 높은 접착필름과 상대적으로 다이싱용 점착필름과의 점착력이 낮은 접착필름으로 구성된 다이접착필름과, 상기 다이접착필름(Die adhesive film)위에 다이싱용 점착필름(Dicing film)이 함께 도포 되어 있는 staked CSP용 다이싱필름(Dicing film)으로 구성된다.More specifically, a die adhesive film composed of an adhesive film having a high adhesive strength with a die and an adhesive film having a low adhesive strength with a dicing adhesive film, and an adhesive film for dicing on the die adhesive film ( It consists of a dicing film for staked CSP coated with a dicing film.

즉, 본 발명의 반도체 칩 패키지용 다이싱필름은 도 4에서와 같이 상대적으로 접착력이 높은 접착필름(11)과, 이 접착필름(11)에 상대적으로 접착력이 낮은 접착필름(13) 및 다이싱용 점착필름(14)이 필수구성요소로 구성된다. That is, the dicing film for a semiconductor chip package of the present invention is a relatively high adhesive film 11, as shown in Figure 4, the adhesive film 13 and a dicing for a relatively low adhesive strength to the adhesive film 11 The adhesive film 14 is composed of essential components.

이러한 조건을 만족시키기 위하여 먼저, 두 종류의 다이접착필름(Die adhesive film)(11,13)을 베이스필름(base film)에 코팅(coating)시키는 단계와 서로 다른 접착필름(11,13)을 결합시키는 단계, 이렇게 제조된 다이접착필름(Die adhesive film)(11,13)을 다이싱용 점착필름(14)과 결합시키는 단계가 포함된다.In order to satisfy these conditions, first, two types of die adhesive films 11 and 13 are coated on a base film, and different adhesive films 11 and 13 are combined. The step of combining, and the die adhesive film (Die adhesive film) 11, 13 thus prepared is combined with the dicing adhesive film (14).

이하, 본 발명에 따른 반도체 칩 패키지용 다이싱필름의 제조 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a dicing film for a semiconductor chip package according to the present invention will be described in detail.

<제1공정><Step 1>

(다이(Die)와의 접착력이 높은 접착필름을 준비하는 공정)(Step of preparing adhesive film with high adhesive strength with die)

도 2와 같이 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 베이스필름(base film)으로 이용한 이형필름(12) 위에 100μm 이하의 두께, 보다 바람직하게는 5~75μm사이의 두께로 다이(Die)와의 높은 접착력을 갖는 접착필름(11)을 코팅한다. 상기에서 제시된 접착필름(Die adhesive film)의 두께를 만족시키기 위해 코터(coater)의 라인 스피드(line speed) 및 토출량 그리고 립패드(lip pad) 사이의 간격을 정확히 조절한다. As shown in FIG. 2, the release film 12 having polyethylene terephthalate (PET) as a base film has a high adhesive strength with a die at a thickness of 100 μm or less, more preferably 5 to 75 μm. The adhesive film 11 is coated. In order to satisfy the thickness of the die adhesive film described above, the line speed and discharge amount of the coater and the distance between the lip pad are precisely adjusted.

액상의 코팅(coating)액을 이형필름(12) 위에서 필름의 형태로 만들기 위해 가열공정이 수반되며, 가열공정이 끝난 접착필름(Die adhesive film)은 B-stage상태를 유지하기 위해 자외선 조사를 실시한다. 자외선 조사를 마친 접착필름(Die adhesive film)(11)은 이형필름(12)과의 점착력이 25~70gf/cm로 유지되는 것이 좋으며, 코터(coater)의 롤러(roller)로 부터 필름을 보호하기 위해 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 보호필름(12)을 다시 덮어 준다. 도 2는 상기의 공정을 통해 얻어진 접착필름(Die adhesive film)(20)의 구성도를 보여주고 있다.A heating process is involved to make the liquid coating liquid into the form of a film on the release film 12, and the heat-treated die adhesive film is irradiated with ultraviolet rays to maintain a B-stage state. do. The adhesive film (Die adhesive film) 11, which has been irradiated with UV light, is preferably maintained at 25 to 70 gf / cm of adhesive force with the release film 12, and protects the film from the roller of the coater. Cover the polyethylene terephthalate (PET) protective film 12 again. Figure 2 shows the configuration of the adhesive film (Die adhesive film) 20 obtained through the above process.

<제2공정><Step 2>

(다이싱 필름(Dicing film)과의 점착력을 낮춘 접착필름을 준비하는 공정)(Step of preparing an adhesive film with low adhesion with dicing film)

아크릴계 점착층이 도포되어 있는 폴리올레핀(Poly olefin)계 다이싱필름과의 점착력을 약화시키기 위해 제1공정에서 사용된 접착필름의 원액에 실리카의 양을 5~15phr 높게 첨가하였으며, 고상 에폭시의 양을 액상 에폭시 대비 2%wt이상 높은 비율로 혼합하였다. In order to weaken the adhesive force with the polyolefin dicing film coated with an acrylic adhesive layer, 5-15 phr of silica was added to the stock solution of the adhesive film used in the first step, and the amount of solid epoxy was added. 2% wt or more compared to the liquid epoxy was mixed.

도 3과 같이 제1공정과 마찬가지로 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 베이스필름(base film)으로 이용한 이형필름(12) 위에 100μm 이하의 두께, 보다 바람직하게는 5~75μm사이의 코팅한다. 또한 접착필름(Die adhesive film)(13)의 두께를 만족시키기 위해 코터(coater)의 라인 스피드(line speed) 및 토출량 그리고 립패드(lip pad) 사이의 간격을 정확히 조절한다. 필름의 형상을 유지하기 위해 가열 및 자외선 조사가 이루어지며, 자외선 조사를 마친 접착필름(Die adhesive film)과 이형필름의 접착력은 제1공정에서와 동일하게 25~70gf/cm로 유지되는 것이 좋다. 코터(coater)의 롤러(roller)로 부터 접착필름을 보호하기 위해 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 보호필름을 다시 덮어 주며, 도3은 상기의 공정을 통해 얻어진 접착필름(Die adhesive film)(30)의 구성도를 보여주고 있다.As shown in FIG. 3, a thickness of 100 μm or less, more preferably 5 to 75 μm, is coated on the release film 12 using polyethylene terephthalate (PET) as a base film. In addition, in order to satisfy the thickness of the die adhesive film 13, the line speed and discharge amount of the coater and the distance between the lip pad are precisely adjusted. In order to maintain the shape of the film is heated and irradiated with ultraviolet rays, the adhesive strength of the adhesive film (Die adhesive film) and the release film after the ultraviolet irradiation is preferably maintained at 25 ~ 70gf / cm as in the first step. The polyethylene terephthalate (PET) protective film is again covered to protect the adhesive film from the coater's roller, and FIG. 3 shows a die adhesive film 30 obtained through the above process. The schematic is shown.

<제3공정><Step 3>

(서로다른 접착력을 갖는 접착필름의 결합공정)(Joining process of adhesive film with different adhesive strength)

제1및 제2공정을 통해 얻어진 접착필름은 라미네이션 롤(lamination roll)을 통해 하나의 다이접착필름(Die adhesive film)을 형성하게 된다. 이때 사용되는 라미네이션 롤(lamination roll)(20)의 온도는 40~80℃로 설정하며, 라미네이션 롤을 통과하기 전 접착필름의 양면을 덮고 있는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 이형필름(12)의 한쪽을 벗겨내면서 라미네션 롤(lamination roll)을 지날 때 이형필름(12)이 없는 면끼리 접착이 이루어질 수 있도록 작업조건을 설정하여 실시한다. 도4는 상기의 공정을 통해 얻어진 다이접착필름(Die adhesive film)(40)의 구성도 및 공정도를 보여주고 있다.The adhesive films obtained through the first and second processes form one die adhesive film through a lamination roll. At this time, the temperature of the lamination roll (lamination roll) 20 to be used is set to 40 ~ 80 ℃, one side of the polyethylene terephthalate (PET) release film 12 covering both sides of the adhesive film before passing through the lamination roll. When peeling off the lamination roll while peeling off, it is carried out by setting the working conditions so that the surfaces without the release film 12 can be bonded to each other. 4 shows a configuration diagram and a process diagram of a die adhesive film 40 obtained through the above process.

<제4공정><Step 4>

(다이접착필름(Die adhesive film)과 다이싱용 점착필름의 결합공정)(Joining process of die adhesive film and adhesive film for dicing)

서로 다른 접착력을 갖는 두개의 접착필름(20과 30)이 하나의 다이접착필름(Die adhesive film)(40)을 형성하게 되면 도 5와 같이 폴리올레핀(Poly olefin)계 다이싱필름(Dicing film)(14)과 접착공정이 실시된다.When two adhesive films 20 and 30 having different adhesive strengths form one die adhesive film 40, as shown in FIG. 5, a polyolefin-based dicing film ( 14) and the bonding process is carried out.

다이싱용 점착필름(14)을 준비하는 단계와 상기에서 제조된 다이접착필름(Die adhesive film)(40)을 결합시키는 공정은 다이접착필름의 양쪽면을 보호하고 있는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 보호필름의 한쪽을 벗겨내는 공정과 다이싱용 점착필름을 라미네이션 롤(lamination roll)을 거쳐 접착시키는 공정이 수반된다.The step of preparing the dicing adhesive film 14 and the process of combining the die adhesive film (40) prepared above is a polyethylene terephthalate (PET) protective film that protects both sides of the die adhesive film It involves the step of peeling off one side and the step of adhering the adhesive film for dicing through a lamination roll.

이때, 벗겨내야 할 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)이형필름은 제2공정을 통해 얻어진 접착필름을 보호하고 있는 면의 것이며, 벗겨냄과 동시에 라미네이션 롤을 통해 다이싱용 점착필름과 40~80℃의 온도로 합쳐지게 된다..At this time, the polyethylene terephthalate (PET) release film to be peeled off is a surface protecting the adhesive film obtained through the second process, and peeled off at the same time with the adhesive film for dicing and the temperature of 40 ~ 80 ℃ through a lamination roll Will merge.

상기에서 제시된 다이접착필름(Die adhesive film)과 다이싱용 점착 필름 사이의 결합공정 후 두 계면에서의 접착력은 100gf/cm 이상으로 유지되어야 하며, 보다 바람직하게는 150gf/cm~ 300gf/cm 이상이 바람직하다. 도5는 이렇게 제조된 다이접착필름(Die adhesive film)과 다이싱용 점착필름이 결합된 반도체 칩 패키지용 다이싱필름(50)의 단면을 보여주고 있다. After the bonding process between the above-mentioned die adhesive film and the adhesive film for dicing, the adhesive force at the two interfaces should be maintained at 100 gf / cm or more, more preferably 150 gf / cm ~ 300 gf / cm or more Do. FIG. 5 shows a cross section of a dicing film 50 for a semiconductor chip package in which a die adhesive film and a dicing adhesive film are manufactured.

<제5공정><Step 5>

(웨이퍼 후면 접착공정 및 다이싱 공정)(Wafer back bonding process and dicing process)

상기 공정을 통해 제조된 stacked CSP용 다이싱필름(50)은 웨이퍼 후면 접착공정(Wafer Backside Lamination)을 실시하기 전 제1공정을 통해 얻어진 접착필름의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 이형필름을 벗겨내야 한다. 이렇게 다이접착필름(Die adhesive film)이 드러난 부분을 회로가 형성되어 있지 않은 웨이퍼 후면에 접착시키고, 웨이퍼(Wafer)의 상단부분을 보호하기 위해 이형처리가 되어있는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 보호필름을 덮는다. 또한 다이접착필름(Die adhesive film)과 웨이퍼(wafer) 후면 사이의 접착력을 강화시키기 위하여 라미네이션(Lamination) 롤러(Roller)의 온도 및 이송속도 조건을 상온~180℃ , 보다 바람직하게는 70℃~120℃ 에서 1~5m/min 의 속도로 일정하게 조절하여 접착공정을 실시한다.The dicing film 50 for stacked CSP manufactured through the above process should peel off the polyethylene terephthalate (PET) release film of the adhesive film obtained through the first process before performing the wafer backside lamination process. . The die adhesive film is exposed to the back side of the wafer where the circuit is not formed, and a polyethylene terephthalate (PET) protective film that has been released to protect the upper portion of the wafer is used. Cover. In addition, in order to enhance the adhesive force between the die adhesive film and the back surface of the wafer, the temperature and the feed rate of the lamination roller are controlled at room temperature to 180 ° C, more preferably 70 ° C to 120 ° C. The adhesion process is carried out at a constant rate of 1-5 m / min at ℃.

웨이퍼 후면 접착공정(Wafer Backside lamination)이 끝난 웨이퍼/다이접착필름/수축성이형필름/다이싱용 점착필름은 기존의 다이싱(Dicing) 공정과 마찬가지로 웨이퍼(Wafer) 다이싱(dicing) 및 수세 그리고 건조 공정을 거쳐 픽업(pickup)공정의 과정을 거치게 된다. 이때 픽업(Pickup)공정 전 건조공정의 경우 두 단계로 나누어 실시된다.Wafer dicing film, shrinkable film, and dicing adhesive film, which has been completed with wafer backside lamination, are used for wafer dicing, washing, and drying process, as in the conventional dicing process. Through the process of the pickup (pickup) process. At this time, the drying process before the pick-up process is carried out in two stages.

첫째 수세가 끝난 표면을 드라이 에어(Dry Air)로 불어주고, 둘째, 80℃~200℃ 보다 바람직하게는 100℃~170℃로 1~5분간 가열건조시키게 된다.First, the surface washed with water is blown dry air (Dry Air), and second, the heat is dried for 1 to 5 minutes at 80 ℃ ~ 200 ℃ preferably 100 ℃ ~ 170 ℃.

이러한 건조공정은 잔류수분을 제거시켜 줄뿐만 아니라, 웨이퍼(wafer)와 다이접착필름(Die adhesive film)사이의 접착력을 강화시켜 주어 다이(Die)/다이접착필름(Die adhesive film)의 픽업공정을 원활하게 진행시켜줄 수 있다. This drying process not only removes residual moisture, but also enhances the adhesion between the wafer and the die adhesive film, thereby increasing the pick-up process of the die / die adhesive film. You can proceed smoothly.

<제6공정><Step 6>

(마운팅 공정)(Mounting process)

상기의 과정을 통해 얻어진 다이접착필름(Die adhesive film)은 다이(Die)와 함께 픽업(pickup) 되어야 하며, 기질(substrate)표면에 다이(Die)를 올리는 마운팅(mounting)공정으로 이송된다.The die adhesive film obtained through the above process should be picked up together with the die, and then transferred to a mounting process in which the die is placed on the substrate surface.

마운팅(Mounting)공정은 PCB 회로기판을 준비하는 단계와 다이(Die)가 올라 갈 위치를 선정하는 단계 그리고 압력 및 열을 가하는 단계로 이루어진다. 상대적으로 점착력이 떨어진 다이접착필름 (Die adhesive film)을 PCB 기판 위에 접착시키기 위해서는 0.5~5초 동안 0.5~5MPa의 압력과 100~250℃의 온도로 본딩(Bonding)작업이 실시되어야 하며, 보다 바람직하게는 0.5~4초 동안 1~4MPa의 압력 하에서 120~200℃의 온도로 본딩(bonding)작업을 실시하는 것이 좋다.The mounting process consists of preparing a PCB circuit board, selecting a location for the die to rise, and applying pressure and heat. In order to bond a relatively inadequate die adhesive film onto a PCB substrate, bonding should be performed at a pressure of 0.5 to 5 MPa and a temperature of 100 to 250 ° C. for 0.5 to 5 seconds, more preferably. Preferably, the bonding operation is performed at a temperature of 120 to 200 ° C. under a pressure of 1 to 4 MPa for 0.5 to 4 seconds.

이하, 상기 공정에서 실시된 예를 설명한다.Hereinafter, the example performed at the said process is demonstrated.

<실시예1>Example 1

상기 제1공정에서 사용되는 접착필름의 원재료는 액상 에폭시를 36.7%로 고상 에폭시를 35%로 사용하여 실시하였으며, 실리카의 양은 6phr을 사용하였다. 또한 제 2공정에서 사용되는 접착필름의 원재료는 액상 에폭시를 35%로 고상 에폭시를 39%로 사용하였고 실리카의 양은 8phr로 하였다. 각각의 접착 필름의 두께는 12.5μm로 하였으며, 라미네이션 롤(lamination roll)의 온도를 80℃로 하여 25μm 두께의 다이접착필름을 만들었다. 다이(Die)와 다이접착필름간의 접착조건은 60℃에서부터 100℃사이에서 실시하였으며, 각각의 온도조건에서 다이/다이접착필름의 박리정도를 확인하였다. The raw material of the adhesive film used in the first step was performed using 36.7% liquid epoxy and 35% solid epoxy, and the amount of silica was 6 phr. In addition, the raw material of the adhesive film used in the second step was used as the liquid epoxy 35%, solid epoxy 39% and the amount of silica was 8phr. The thickness of each adhesive film was 12.5 μm, and the temperature of the lamination roll was 80 ° C. to produce a die adhesive film having a thickness of 25 μm. The bonding condition between the die and the die adhesive film was performed between 60 ° C. and 100 ° C., and the degree of peeling of the die / die adhesive film was confirmed at each temperature condition.

<실시예2>Example 2

상기 제1공정에서 사용되는 접착필름의 원재료는 액상 에폭시를 36.7%로 고상 에폭시를 35%로 사용하여 실시하였으며, 실리카의 양은 6phr을 사용하였다. 또한 제 2공정에서 사용되는 접착필름의 원재료는 액상 에폭시를 32%로 고상 에폭시를 42%로 사용하였고 실리카의 양은 9phr로 하였다. 각각의 접착 필름의 두께는 12.5μm로 하였으며, 라미네이션 롤(lamination roll)의 온도를 80℃로 하여 25μm 두께의 다이접착필름을 만들었다. 다이(Die)와 다이접착필름간의 접착조건은 60℃에서부터 100℃사이에서 실시하였으며, 각각의 온도조건에서 다이/다이접착필름의 박리정도를 확인하였다. The raw material of the adhesive film used in the first step was performed using 36.7% liquid epoxy and 35% solid epoxy, and the amount of silica was 6 phr. In addition, the raw material of the adhesive film used in the second step was 32% liquid epoxy and 42% solid epoxy, and the amount of silica was 9 phr. The thickness of each adhesive film was 12.5 μm, and the temperature of the lamination roll was 80 ° C. to produce a die adhesive film having a thickness of 25 μm. The bonding condition between the die and the die adhesive film was performed between 60 ° C. and 100 ° C., and the degree of peeling of the die / die adhesive film was confirmed at each temperature condition.

<실시예3>Example 3

상기 제1공정에서 사용되는 접착필름의 원재료는 액상 에폭시를 36.7%로 고상 에폭시를 35%로 사용하여 실시하였으며, 실리카의 양은 6phr을 사용하였다. 또한 제 2공정에서 사용되는 접착필름의 원재료는 액상 에폭시를 35%로 고상 에폭시를 39%로 사용하였고 실리카의 양은 10phr로 하였다. 각각의 접착 필름의 두께는 12.5μm로 하였으며, 라미네이션 롤(lamination roll)의 온도를 80℃로 하여 25μm 두께의 다이접착필름을 만들었다. 다이(Die)와 다이접착필름간의 접착조건은 60℃에서부터 100℃사이에서 실시하였으며, 각각의 온도조건에서 다이/다이접착필름의 박리정도를 확인하였다. The raw material of the adhesive film used in the first step was performed using 36.7% liquid epoxy and 35% solid epoxy, and the amount of silica was 6 phr. In addition, the raw material of the adhesive film used in the second step was a liquid epoxy 35%, solid epoxy 39% and the amount of silica was 10phr. The thickness of each adhesive film was 12.5 μm, and the temperature of the lamination roll was 80 ° C. to produce a die adhesive film having a thickness of 25 μm. The bonding condition between the die and the die adhesive film was performed between 60 ° C. and 100 ° C., and the degree of peeling of the die / die adhesive film was confirmed at each temperature condition.

실시예 1,2,3을 통하여 상기 목적에서 제시한 다이(Die)/다이접착필름(Die adhesive film)의 픽업공정을 실시해본 결과 70~100℃ 접착조건에서 원활한 픽업공정이 진행됨을 확인할 수 있었다. 도 6은 실시예 1의 결과에 따른 박리력을 나타낸 것이다.As a result of carrying out the pickup process of the die / die adhesive film shown in the above through Examples 1, 2, and 3, it was confirmed that the smooth pickup process was carried out at 70 to 100 ° C. adhesive conditions. . Figure 6 shows the peel force according to the result of Example 1.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto, and the technical idea of the present invention and the following by those skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of equivalents of the claims to be described.

상술한 바와 같이 본 발명의 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패기지용 다이싱필름에 따르면, 웨이퍼(다이)의 후면은 접착필름을 통한 접착층에 기포없이 부착이 가능하다.As described above, according to the dicing film for semiconductor chip packaging having different adhesive strengths of the two layers of the present invention, the back surface of the wafer (die) may be attached without bubbles to the adhesive layer through the adhesive film.

또한 칩 또는 다이가 높은 접착력으로 접착필름에 결합되고, 다이싱 후에 픽업시 상대적으로 낮은 접착력으로 접착되어 다이싱용 접착필름과는 쉽게 박리되어 반도체 패키지 공정의 불량률이 줄어든다.In addition, the chip or die is bonded to the adhesive film with high adhesive strength, and when picked up after dicing, the chip or die is adhered with a relatively low adhesive force to easily peel off the dicing adhesive film, thereby reducing the defect rate of the semiconductor package process.

Claims (7)

반도체 칩 패키지에 사용되는 다이싱필름에 있어서,In the dicing film used for the semiconductor chip package, 서로 다른 크기의 접착력을 갖는 2개의 접착층을 형성하는 접착필름과;An adhesive film forming two adhesive layers having adhesive strengths of different sizes; 상기 접착필름의 어느 한쪽면에 접착된 다이싱용 점착필름이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름.Dicing film for a semiconductor chip package having a different adhesive strength of the two layers, characterized in that the adhesive film for dicing attached to any one side of the adhesive film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접착필름은 폴리이미드 또는 에폭시에 적당량으로 첨가된 실리카가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름.The adhesive film is a dicing film for a semiconductor chip package having different adhesive strength of two layers, characterized in that the silica is added to the polyimide or epoxy in an appropriate amount. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다이싱용 점착필름은 어느 한쪽면에 아크릴이 점착되어 있는 폴리올레핀 계열인 것을 특징으로 하는 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름.The dicing adhesive film is a dicing film for a semiconductor chip package having a different adhesive strength of two layers, characterized in that the polyolefin-based adhesive is adhered on either side. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상대적으로 실리카 및 고상 에폭시의 양이 많이 첨가된 접착필름이 상기 다 이싱용 점착필름에 결합된 것을 특징으로 하는 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름.A dicing film for a semiconductor chip package having two different adhesive strengths, wherein an adhesive film having a relatively high amount of silica and solid epoxy is added to the dicing adhesive film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상대적으로 실리카 및 고상 에폭시의 양이 적게 첨가된 접착필름이 상기 다이싱용 점착필름에 결합된 것을 특징으로 하는 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름.A dicing film for a semiconductor chip package having two different adhesive strengths, wherein an adhesive film having relatively low amounts of silica and solid epoxy is added to the dicing adhesive film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상대적으로 높은 접착력을 갖는 상기 접착필름에 PET 이형필름이 더 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름.Dicing film for a semiconductor chip package having a different adhesive strength of the two layers, characterized in that the PET release film is further attached to the adhesive film having a relatively high adhesive strength. PET재의 이형필름상에 폴리이미드 또는 에폭시에 실리카가 포함된 접착액을 100㎛ 이하의 두께로 코팅 점착시킨 후 PET재의 보호필름을 덮어주어 제1접착필름을 제조하는 제1공정과;A first step of preparing a first adhesive film by coating and adhering an adhesive solution containing silica to polyimide or epoxy on a release film of PET to a thickness of 100 μm or less and then covering the protective film of PET material; PET재의 이형필름상에 제1공정의 접착액보다 실리카가 상대적으로 많이 첨가된 접착액을 100㎛ 이하의 두께로 코팅 점착시킨 후 PET재의 보호필름을 덮어주어 제2접착필름을 제조하는 제2공정과;A second process of manufacturing a second adhesive film by coating and adhering the adhesive liquid, which has relatively more silica added on the release film of PET material, to a thickness of 100 μm or less, and then covering the protective film of the PET material. and; 상기 제1,2공정을 통해 얻어진 제1접착필름과 제2접착필름을 해당 보호필름 을 제거하면서 보호필름이 없는 면끼리 접착하여 다이접착필름을 제조하는 제3공정과;A third step of manufacturing the die-bonding film by bonding the first adhesive film and the second adhesive film obtained through the first and second steps with each other without the protective film while removing the protective film; 상기 제3공정에서 제조된 다이접착필름의 어느 한쪽면측 이형필름을 제거함과 동시에 제거된 접착면에 폴리올레핀계 다이싱용 점착필름을 합착시키는 제4공정; 을 거쳐 제조되는 것을 특징으로 2층의 서로 다른 접착력을 갖는 반도체 칩 패키지용 다이싱필름의 제조방법.A fourth step of attaching the polyolefin-based dicing adhesive film to the removed adhesive surface at the same time as removing the release film on one side of the die adhesive film prepared in the third step; Method of manufacturing a dicing film for a semiconductor chip package having a different adhesive strength of the two layers characterized in that it is manufactured through.
KR1020040077701A 2004-09-30 2004-09-30 Dicing film and manufacturing method for stacked CSP containing two layer die adhesive films with different adhension strength KR100638360B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040077701A KR100638360B1 (en) 2004-09-30 2004-09-30 Dicing film and manufacturing method for stacked CSP containing two layer die adhesive films with different adhension strength

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040077701A KR100638360B1 (en) 2004-09-30 2004-09-30 Dicing film and manufacturing method for stacked CSP containing two layer die adhesive films with different adhension strength

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060028834A true KR20060028834A (en) 2006-04-04
KR100638360B1 KR100638360B1 (en) 2006-10-25

Family

ID=37139368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040077701A KR100638360B1 (en) 2004-09-30 2004-09-30 Dicing film and manufacturing method for stacked CSP containing two layer die adhesive films with different adhension strength

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100638360B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR100638360B1 (en) 2006-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4409014B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3280876B2 (en) Wafer dicing / bonding sheet and method of manufacturing semiconductor device
JP4555835B2 (en) Die encapsulation using porous carrier
JP3553551B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device using semiconductor wafer
US8124471B2 (en) Method of post-mold grinding a semiconductor package
JP5174092B2 (en) Adhesive film with dicing sheet and method for producing the same
KR100804891B1 (en) Dicing die attach film and semiconductor packaging method using the same
KR102535477B1 (en) Die bonding/dicing sheet
TWI673338B (en) Die bond film with dicing tape and production method of semiconductor device
WO2004065510A1 (en) Pressure sensitive adhesive sheet, method of protecting semiconductor wafer surface and method of processing work
TW200532862A (en) Dicing film having shrinkage release film and method of manufacturing semiconductor package using the same
JP3534347B2 (en) Manufacturing method of semiconductor element, pressure-sensitive adhesive sheet for attaching wafer
JP2012209386A (en) Film-shaped semiconductor chip adhesive agent, semiconductor processing adhesive sheet, and semiconductor device manufacturing method
JP2008066336A (en) Sheet for machining wafer
JP2017005160A (en) Tape for wafer processing
JP5548077B2 (en) Resin-sealing adhesive tape and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device
JP7440632B2 (en) Electronic device manufacturing method
KR100638360B1 (en) Dicing film and manufacturing method for stacked CSP containing two layer die adhesive films with different adhension strength
JP7440633B2 (en) Electronic device manufacturing method
TW202141604A (en) Adhesive film for back grind and method for manufacturing electronic device
JP3222090U (en) Die bond dicing sheet
JP7556963B2 (en) Adhesive film for back grinding and method for manufacturing electronic device
JP7556964B2 (en) Manufacturing method of electronic device
JP7556965B2 (en) Manufacturing method of electronic device
JP2003324080A (en) Method for manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090930

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee