KR20060017087A - Critical dimension detect method for wafer - Google Patents

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KR20060017087A KR1020040065600A KR20040065600A KR20060017087A KR 20060017087 A KR20060017087 A KR 20060017087A KR 1020040065600 A KR1020040065600 A KR 1020040065600A KR 20040065600 A KR20040065600 A KR 20040065600A KR 20060017087 A KR20060017087 A KR 20060017087A
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강대웅
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Abstract

웨이퍼의 임계치수검출방법이 제공된다. 제공된 임계치수검출방법은 제어부에 해당 웨이퍼의 검출포인트를 설정하는 설정단계와, 상기 제어부에 설정된 검출포인트에 대응하도록 해당 웨이퍼를 정렬수단에 의해 정렬하는 정렬단계와, 상기 해당 웨이퍼의 검출포인트에 전자 공급원에서 전자빔을 주사하고 상기 검출포인트에서 반사되는 2차 전자빔을 전자 검출 수단에서 검출한 후 전기적 신호로 변환하는 검출단계와, 상기 전자 검출 수단에서 변환된 전기신호를 표시 수단이 제공받아 화면에 표시하므로써 임계치수를 측정하는 측정단계를 전자 주사 현미경을 이용하여 수행하며, 상기 검출단계에서는 상기 해당 웨이퍼상의 검출포인트를 멀티체크방식으로 검출한다.A method for detecting the critical dimension of a wafer is provided. The provided critical dimension detection method includes a setting step of setting a detection point of the wafer in the control unit, an alignment step of aligning the wafer by an alignment means so as to correspond to the detection point set in the control unit, and an electronic device at the detection point of the wafer. A detection step of scanning an electron beam from a source and detecting a secondary electron beam reflected at the detection point and converting the electron beam into an electrical signal, and displaying the electrical signal converted by the electronic detection means on a screen Therefore, the measuring step of measuring the critical dimension is performed using an electron scanning microscope, and in the detecting step, the detection points on the corresponding wafer are detected by a multi-check method.

Description

웨이퍼의 임계치수검출방법{CRITICAL DIMENSION DETECT METHOD FOR WAFER}CRITICAL DIMENSION DETECT METHOD FOR WAFER

도 1은 기존의 포토 리소그래피공정을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a flowchart for explaining a conventional photolithography process.

도 2는 기존의 CD SEM으로 임계치수를 측정하는 과정을 설명하기 위한 블럭도이다.2 is a block diagram illustrating a process of measuring a critical dimension with a conventional CD SEM.

도 3a는 본 발명에 따른 웨이퍼의 임계치수검출방법를 구현하는 CD SEM이 임계치수를 측정하는 과정을 보인 블럭도이다. 3A is a block diagram illustrating a process of measuring a critical dimension by a CD SEM implementing a method for detecting a critical dimension of a wafer according to the present invention.

도 3b는 본 발명에 따른 웨이퍼의 임계치수검출방법을 설명하기 위한 블럭도이다. 3B is a block diagram illustrating a method for detecting a critical dimension of a wafer according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼의 임계치수검출방법에 적용되는 멀티체크방식을 설명하기 위한 웨이퍼의 평면도이다.4 is a plan view of a wafer for explaining the multi-checking method applied to the method for detecting the critical dimension of the wafer according to the present invention.

<도면주요부위에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for major parts of drawing>

S100 : 설정단계 S200 : 정렬단계S100: setting step S200: sorting step

S300 : 검출단계 S400 : 측정단계S300: Detection step S400: Measurement step

10 : 제어부 20 : 정렬 수단10 control unit 20 alignment means

30 : 전자 공급원 40 : 전자 검출 수단30: electron source 40: electron detection means

50 : 표시 수단 W : 웨이퍼 50: display means W: wafer

본 발명은 웨이퍼의 임계치수검출방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포토리소그래피 공정에서 일련의 공정을 마친 웨이퍼에 형성된 패턴의 임계치수를 검출하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for detecting a critical dimension of a wafer, and more particularly, to a method for detecting a critical dimension of a pattern formed on a wafer after a series of steps in a photolithography process.

일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 전기적인 회로패턴을 형성하는 팹(Fab)공정과, 상기 팹공정에서 형성된 회로패턴의 특성을 검사하는 공정 및 패키지 조립공정을 통해 제조된다. 또한, 상기한 팹공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적, 기계적 연마공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토 리소그래피공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온주입공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면 또는 상기 막의 성분 및 농도 등을 검사하기 위한 검사공정 등을 포함한다.In general, a semiconductor device is manufactured through a Fab process of forming an electrical circuit pattern on a wafer, a process of inspecting characteristics of the circuit pattern formed in the fab process, and a package assembly process. In addition, the Fab process includes a deposition process for forming a film on a wafer, a chemical and mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the wafer, a cleaning process for removing impurities on the wafer, and the film or pattern An inspection step for inspecting the surface of the formed wafer or the components and concentration of the film, and the like.

도 1은 기존의 포토 리소그래피공정을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a flowchart for explaining a conventional photolithography process.

도 1을 참조하면, 포토리소그래피 공정에서는 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하는 도포공정(S10)과, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼와 정해진 마스크를 서로 정렬시키는 정렬공정(S20)과, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼 상에 감광막을 형성하기 위해 얼라이너를 이용, 웨이퍼를 빛에 노출시키는 노광공정(S30)과, 이 노광공정(S30)이 완료된 웨이퍼의 포토레지스트를 현상하여 패턴을 형성하는 현상공정 (S40) 및 현상이 끝난 후 형성된 패턴의 임계치수, 즉 패턴의 최소선폭(CD : CRITICAL DIMENSION)을 검출하는 임계치수검출공정(S50)을 수차례 또는 수십 차례에 걸쳐 되풀이하게 된다.Referring to FIG. 1, in a photolithography process, an application step (S10) of applying a photoresist on a wafer, an alignment process (S20) of aligning a wafer with a photoresist applied with a predetermined mask, and a photoresist are applied. An exposure step (S30) of exposing the wafer to light using an aligner to form a photoresist film on the wafer; a developing step (S40) of developing a photoresist of the wafer on which the exposure step (S30) is completed to form a pattern; After the development is completed, the critical dimension detection process (S50) of detecting the critical dimension of the formed pattern, that is, the minimum line width (CD) of the pattern, is repeated several times or several tens of times.

이때, 상기한 임계치수검출공정(S50)에서는 CD SEM(SCCANNING ELECTRON MICROSCOPE : 전자 주사 현미경)을 이용하여 웨이퍼 상에 전사된 패턴의 폭이 원하는 크기로 형성되었는지 여부를 확인하는데, 도 2는 기존의 CD SEM으로 임계치수를 측정하는 과정을 설명하기 위한 블럭도이다.In this case, in the above-described critical dimension detection process (S50), a CD SEM (SCCANNING ELECTRON MICROSCOPE: electron scanning microscope) is used to check whether the width of the transferred pattern on the wafer is formed to a desired size. A block diagram for explaining the process of measuring the critical dimension by CD SEM.

도 2를 참조하면, CD SEM(SCCANNING ELECTRON MICROSCOPE : 전자 주사 현미경)을 이용한 임계수치검출공정은 제어부(100)에서 해당 웨이퍼의 검출포인트가 설정되면, 정렬 수단(20)에 의해서 웨이퍼(W)에 형성된 임계치수 측정용 정렬부호(alignment mark for CD)를 이용한 정렬작업을 수행하고, 전자 공급원(electron source : 300)에서는 웨이퍼(W)상의 검출포인트에 전자빔을 주사하며, 전자 검출 수단(400)에서는 웨이퍼(W)상의 검출포인트에서 반사되는 2차 전자빔을 검출한 후, 그 검출된 2차 전자빔을 전기적 신호로 변환하여 표시 수단(500)에 제공한다. 이후, 표시 수단(500)에서는 제공받은 전기적 신호를 모니터 등의 주사 주기와 동기하여 화면으로 표시하므로써 임계치수를 측정한다. 이때, 웨이퍼상의 임계치수 검출포인트는 웨이퍼의 중앙에 위치한 패턴 및 이 중앙패턴을 중심으로 상, 하, 좌, 우에 위치한 패턴을 포함하여 모두 5POINT를 검출한다. 이에 따라, 임계치수검출공정은 웨이퍼 정렬→임계치수측정→측정결과표시→웨이퍼 정렬→임계치수측정→측정결과표시순으로 각 검출포인트의 임계치수를 검출한다. 한편, 5군데의 임계치수 검 출포인트에서 검출된 임계치수가 임계치수 규격(CD SPEC)에서 벗어난 경우, 해당 웨이퍼(W)는 도 1에서와 같이 정렬공정(S20)으로 보내져 포토리소그래피 공정을 재 수행하게 된다.Referring to FIG. 2, in the critical numerical detection process using a CD SEM (SCCANNING ELECTRON MICROSCOPE), when the detection point of the corresponding wafer is set in the control unit 100, the alignment means 20 is applied to the wafer W. The alignment operation is performed using the formed alignment mark for CD, and the electron source 300 scans the electron beam at the detection point on the wafer W, and the electron detection means 400 After detecting the secondary electron beam reflected at the detection point on the wafer W, the detected secondary electron beam is converted into an electrical signal and provided to the display means 500. Thereafter, the display means 500 measures the threshold by displaying the received electrical signal on the screen in synchronization with a scan period such as a monitor. At this time, the critical dimension detection point on the wafer detects 5 points, including the pattern located at the center of the wafer and the patterns located at the top, bottom, left, and right of the center pattern. Accordingly, the critical dimension detection process detects the critical dimension of each detection point in the order of wafer alignment → critical dimension measurement → measurement result display → wafer alignment → critical dimension measurement → measurement result display. On the other hand, if the critical dimension detected at five critical dimension detection points deviates from the critical dimension specification (CD SPEC), the wafer W is sent to the alignment process S20 as shown in FIG. 1 to perform the photolithography process again. Done.

하지만, 기존의 임계치수검출공정(S50)은 외부적인 요인(진동 및 포커스의 흔들림 등)과, 내부적인 요인(작업자의 검출포인트 설정오류 등)에 의해 검출오류가 발생될 수 있으며, 기존의 임계치수검출공정(S50)에서는 1 SHOT, 1 POINT방식(SINGLE방식)으로 총 5군데의 검출포인트에서만 임계치수를 검출함에 따라 검출 데이터가 왜곡될 가능성이 큰 문제점이 있다. 특히, 기존의 임계치수검출공정(S50)에서 검출포인트를 설정하는 작업은 작업자가 제어부(100)에 해당 웨이퍼(W)의 패턴규격에 대응하는 검출포인트값을 일일이 수작업(MANNUAL)으로 입력하고 있기 때문에 작업정확도 및 작업재현성이 크게 저하되는 문제점이 있으며, 이러한 문제점은 웨이퍼상의 패턴집적도가 향상될수록 커지고 있다. 이와 같이 작업자에 의해 검출포인트의 설정오류가 발생하면, 검출포인트의 재검출작업을 수행하거나, 해당 웨이퍼(W)를 정렬공정(S20)으로 보내 포토리소그래피 공정을 재수행해야하므로, 공정효율이 저하됨과 아울러 생산성또한 저하되는 문제점이 발생한다. However, in the existing critical dimension detection process (S50), a detection error may be generated by external factors (eg, vibration and focus shake) and internal factors (such as an operator's detection point setting error). In the water detection process (S50), there is a problem in that the detection data is likely to be distorted as the threshold is detected only at five detection points in one shot and one point method (single method). In particular, in the operation of setting the detection point in the existing critical dimension detection process (S50), the operator manually inputs the detection point value corresponding to the pattern specification of the wafer W to the controller 100 by manual operation (MANNUAL). Because of this, there is a problem that work accuracy and work reproducibility are greatly reduced, and this problem increases as the pattern density on the wafer is improved. As described above, when an error in setting a detection point occurs by an operator, the detection point must be redetected, or the wafer W must be sent to the alignment process S20 to perform the photolithography process again, thereby reducing process efficiency. In addition, productivity also occurs a problem.

이에, 본 발명은 기존 웨이퍼의 임계치수검출공정이 갖는 제반적인 문제점을 해결하고자 창안된 것으로,Thus, the present invention was devised to solve the general problems of the critical dimension detection process of the existing wafer,

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 작업자에 의한 검출포인트의 설정오류를 최소화하여, 설정오류에 의한 공정효율의 저하 및 생산성 저하를 미연에 방지 할 수 있는 웨이퍼의 임계치수검출방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a method for detecting a critical dimension of a wafer capable of minimizing a setting error of a detection point by an operator and preventing a decrease in process efficiency and a decrease in productivity due to a setting error.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 웨이퍼상의 임계치수 검출포인트를 증대하여, 검출 데이터의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼의 임계치수검출방법을 제공하는데 있다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for detecting a critical dimension of a wafer which can improve the reliability of detection data by increasing the critical dimension detection point on the wafer.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 구체적인 수단으로는; As a specific means of the present invention for achieving the above technical problem;

제어부에 해당 웨이퍼의 검출포인트를 설정하는 설정단계; A setting step of setting a detection point of the wafer in the controller;

상기 제어부에 설정된 검출포인트에 대응하도록 해당 웨이퍼를 정렬 수단에 의해 정렬하는 정렬단계;An alignment step of aligning the wafer by an alignment means so as to correspond to a detection point set in the controller;

상기 해당 웨이퍼의 검출포인트에 전자 공급원에서 전자빔을 주사하고, 상기 검출포인트에서 반사되는 2차 전자빔을 전자 검출 수단에서 검출한 후 전기적 신호로 변환하는 검출단계; 및A detection step of scanning an electron beam from an electron source at a detection point of the corresponding wafer, converting the secondary electron beam reflected from the detection point into an electrical signal after detecting by the electron detection means; And

상기 전자 검출 수단에서 변환된 전기신호를 표시 수단이 제공받아 화면에 표시하므로써 임계치수를 측정하는 측정단계; 를 전자 주사 현미경(CD SEM)을 이용하여 수행하는 웨이퍼의 임계치수검출방법에 있어서,A measuring step of measuring a threshold by receiving a display means from the electronic signal converted by the electronic detection means and displaying it on a screen; In the method for detecting the critical dimension of a wafer to be carried out using an electron scanning microscope (CD SEM),

상기 검출단계에서는 상기 해당 웨이퍼의 검출포인트를 멀티체크방식으로 검출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 임계치수검출방법을 구비한다.In the detecting step, there is provided a method for detecting a critical dimension of a wafer, wherein the detection point of the corresponding wafer is detected by a multi-check method.

바람직한 실시예로써, 상기 멀티체크방식은 상기 해당 웨이퍼상의 25군데 검출포인트의 임계치수를 검출할 수 있도록 1SHOT, 5POINT의 멀티방식이 적용된다.In a preferred embodiment, the multi-check method is a multi-method of 1SHOT, 5POINT is applied to detect the critical dimension of 25 detection points on the corresponding wafer.

바람직한 실시예로써, 상기 설정단계에서는 상기 제어부에 검출포인트를 설 정하는 작업이 오토체크방식으로 이루어진다.In a preferred embodiment, in the setting step, the operation of setting the detection point in the control unit is performed by the auto check method.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3a는 본 발명에 따른 웨이퍼의 임계치수검출방법를 구현하는 CD SEM이 임계치수를 측정하는 과정을 보인 블럭도이고, 도 3b는 본 발명에 따른 웨이퍼의 임계치수검출방법을 설명하기 위한 블럭도이며, 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼의 임계치수검출방법에 적용되는 멀티체크방식을 설명하기 위한 웨이퍼의 평면도이다.3A is a block diagram illustrating a process of measuring a critical dimension by a CD SEM implementing a method for detecting a critical dimension of a wafer according to the present invention, and FIG. 3B is a block diagram illustrating a method for detecting a critical dimension of a wafer according to the present invention. 4 is a plan view of a wafer for explaining the multi-checking method applied to the method for detecting the critical dimension of the wafer according to the present invention.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 임계치수검출방법은 제어부(10)와, 웨이퍼의 정렬 수단(20)과, 전자 공급원(30) 및 전자 검출 수단(40)과, 표시 수단(50)이 구비된 CD SEM(SCCANNING ELECTRON MICROSCOPE : 전자 주사 현미경)을 이용하여 구현되는데, 이와 같이, 전자 주사 현미경을 이용한 임계치수검출방법은 크게 설정단계(S100)와, 정렬단계(S200)와, 검출단계(S300)와, 측정단계(S400)로 나눌 수 있다. 3A and 3B, the critical dimension detection method of the present invention includes a control unit 10, a wafer alignment means 20, an electron supply source 30, an electron detection means 40, and a display means 50. Is implemented using a CD SEM (SCCANNING ELECTRON MICROSCOPE: electron scanning microscope), the critical dimension detection method using an electron scanning microscope is largely set step (S100), alignment step (S200), and detection It may be divided into step S300 and measurement step S400.

상기 설정단계(S100)에서는 제어부(10)에 해당 웨이퍼(W)의 검출포인트를 설정한다. 이때, 웨이퍼(W)의 검출포인트를 설정하는 작업은 오토체크방식으로 수행되는데, 이를 구현하기 위해 상기 제어부(10)에는 해당 웨이퍼(W)의 검출포인트가 입력된 제어회로(도면에 미도시됨.)가 더 포함된다. 이에 따라, 작업자는 해당 웨이퍼(W)의 기본정보값(제품번호 등)만을 제어부(10)에 셋팅하므로써 검출포인트의 설정작업을 간편하고 정확하게 수행할 수 있다.In the setting step S100, the detection point of the wafer W is set in the controller 10. At this time, the operation of setting the detection point of the wafer (W) is performed by the auto-check method, in order to implement this, the control circuit 10 is input to the control point of the detection point of the wafer (W) (not shown in the figure) .) Is further included. Accordingly, the operator can easily and accurately set the detection point by setting only the basic information value (product number, etc.) of the wafer W in the controller 10.

상기 정렬단계(S200)에서는 정렬 수단(20)에 의해 상기 제어부(10)에서 설정 된 검출포인트에 대응하도록 해당 웨이퍼(W)를 정렬하는데, 이와 같은 정렬단계(S200)에서, 정렬 수단(20)은 기존과 같이 웨이퍼(W)에 형성된 임계치수 측정용 정렬부호(alignment mark for CD)를 이용한 정렬작업을 수행한다. In the alignment step S200, the wafer W is aligned to correspond to the detection point set by the control unit 10 by the alignment unit 20. In this alignment step S200, the alignment unit 20 is aligned. As described above, the alignment operation using the alignment mark (CD) for measuring the critical dimension formed on the wafer W is performed.

상기 검출단계(S300)에서는 전자 공급원(electron source : 30)에서 해당 웨이퍼(W)상의 검출포인트에 전자빔을 주사하고, 전자 검출 수단(40)에서는 웨이퍼(W)상의 검출포인트에서 반사되는 2차 전자빔을 검출한 후, 그 검출된 2차 전자빔을 전기적 신호로 변환한다. 이때, 본 발명에서는 도 4에서와 같이 해당 웨이퍼(W)의 검출포인트를 멀티체크방식으로 검출하는데, 이와 같은 멀티체크방식은 1SHOT, 5POINT 방식, 예컨대 기준 검출포인트를 중심으로 그 주위에 있는 다른 4개의 멀티 검출포인트에 연속적으로 전자빔을 주사하여 2차 전자빔을 검출하는 1SHOT, 5POINT 방식이 적용된다. 이러한, 멀티체크방식은 상기와 같이 오토체크방식이 적용된 제어부(10)에 의해 정렬 수단(20)과, 전자 공급원(30) 및 전자 검출 수단(40)의 구동을 제어하므로써 구현할 수 있으며, 상기 멀티 검출포인트는 기준 검출포인트를 중심으로 랜덤(RANDOM)하게 설정할 수 있으나, 바람직하게는 기준 검출포인트를 중심으로 상호 대각선방향에 위치하는 패턴이 설정된다. 이에 따라서, 상기 검출단계(S300)에서는 멀티체크방식을 적용하므로써, 5SHOT ×5POINT를 구현할 수 있어 25군데 검출포인트의 임계치수를 검출할 수 있다. 아울러, 상기한 제어부(10)에 오토체크방식이 적용됨에 따라서 검출포인트의 수는 증가하지만 공정시간은 기존과 동일한 장점을 갖는다.In the detecting step S300, the electron source 30 scans an electron beam at a detection point on the wafer W, and in the electron detecting means 40, the secondary electron beam is reflected at the detection point on the wafer W. After detecting, the detected secondary electron beam is converted into an electrical signal. At this time, the present invention detects the detection point of the wafer (W) in the multi-check method as shown in Figure 4, such a multi-check method is 1SHOT, 5POINT method, for example, the other four around the reference detection point The 1SHOT, 5POINT method is applied to scan the secondary electron beam by scanning electron beams successively in multiple detection points. Such a multi-check method can be implemented by controlling the driving of the alignment means 20, the electron source 30 and the electron detection means 40 by the control unit 10 to which the auto-check method is applied as described above. The detection point may be randomly set around the reference detection point (RANDOM), but preferably, a pattern is disposed in diagonal directions with respect to the reference detection point. Accordingly, in the detection step (S300), by applying the multi-check method, 5SHOT × 5POINT can be implemented, it is possible to detect the threshold of 25 detection points. In addition, as the auto check method is applied to the controller 10, the number of detection points increases, but the process time has the same advantages as before.

상기 측정단계(S400)는 상기 전자 검출 수단(40)에서 변환된 전기신호를 표 시 수단(50)이 제공받아 화면에 표시하므로써 임계치수를 측정하는 단계로써, 이때에는 상기 표시 수단(50)이 별도의 연산기능을 수행하므로써, 전술한 바와 같이 25군데의 검출포인트에서 검출된 임계치수의 평균값을 대표값으로 적용하여 화면에 표시하게 된다. The measuring step (S400) is a step of measuring the critical dimension by the display means 50 receives the electrical signal converted by the electronic detection means 40 on the screen, in which case the display means 50 By performing a separate calculation function, as described above, the average value of the threshold values detected at 25 detection points is applied as a representative value and displayed on the screen.

따라서, 본 발명의 웨이퍼 임계치수검출방법은 설정단계(S100)에서 해당 웨이퍼(W)의 검출포인트를 설정하는 작업을 오토체크방식으로 수행하고, 검출단계(S3000)에서는 멀티체크방식으로 25군데 검출포인트의 임계치수를 검출할 수 있어, 기존과 같이 작업자에 의한 검출포인트의 설정오류를 방지할 수 있으며, 보다 정확한 검출 데이터를 얻을 수 있다. Therefore, the wafer threshold detection method of the present invention performs the operation of setting the detection point of the wafer (W) in the setting step (S100) by the auto check method, and in the detection step (S3000) 25 detection by the multi-check method. Since the critical dimension of the point can be detected, the setting error of the detection point by the operator can be prevented as before, and more accurate detection data can be obtained.

이상과 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 임계치수검출방법은 오토체크방식으로 웨이퍼의 검출포인트를 설정하여, 기존과 같은 작업자에 의한 검출포인트의 설정오류를 최소화하므로써, 공정효율의 향상과 함께 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 아울러, 멀티체크방식을 적용하여 웨이퍼상의 임계치수 검출포인트를 증대하므로써, 검출 데이터의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.As described above, the wafer critical dimension detection method according to the present invention sets the detection point of the wafer by the automatic check method, thereby minimizing the error of setting the detection point by the same operator as before, thereby improving the process efficiency and improving productivity. It can be effected. In addition, there is an advantage that the reliability of the detection data can be improved by increasing the critical dimension detection point on the wafer by applying the multi-check method.

Claims (3)

제어부에 해당 웨이퍼의 검출포인트를 설정하는 설정단계; A setting step of setting a detection point of the wafer in the controller; 상기 제어부에 설정된 검출포인트에 대응하도록 해당 웨이퍼를 정렬 수단에 의해 정렬하는 정렬단계;An alignment step of aligning the wafer by an alignment means so as to correspond to a detection point set in the controller; 상기 해당 웨이퍼의 검출포인트에 전자 공급원에서 전자빔을 주사하고, 상기 검출포인트에서 반사되는 2차 전자빔을 전자 검출 수단에서 검출한 후 전기적 신호로 변환하는 검출단계; 및A detection step of scanning an electron beam from an electron source at a detection point of the corresponding wafer, converting the secondary electron beam reflected from the detection point into an electrical signal after detecting by the electron detection means; And 상기 전자검출수단에서 변환된 전기신호를 표시 수단이 제공받아 화면에 표시하므로써 임계치수를 측정하는 측정단계; 를 전자 주사 현미경을 이용하여 수행하는 웨이퍼 임계치수검출방법에 있어서,A measurement step of measuring a threshold by receiving a display means from the electronic signal converted by the electronic detection means and displaying it on a screen; In the wafer critical dimension detection method performed by using an electron scanning microscope, 상기 검출단계에서는 상기 해당 웨이퍼상의 검출포인트를 멀티체크방식으로 검출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 임계치수검출방법.And the detecting step detects the detection points on the corresponding wafer in a multi-check method. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 멀티체크방식은 상기 해당 웨이퍼상의 25군데 검출포인트의 임계치수를 검출할 수 있도록 1SHOT, 5POINT 방식이 적용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 임계치수검출방법.The multi-check method is a threshold size detection method of the wafer, characterized in that 1SHOT, 5POINT method is applied to detect the critical dimension of 25 detection points on the corresponding wafer. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 설정단계에서는 상기 제어부에 검출포인트를 설정하는 작업이 오토체크방식으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 임계치수검출방법.In the setting step, the operation of setting the detection point in the control unit is a threshold value detection method of the wafer, characterized in that the automatic check method.
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