KR100611398B1 - Method for testing uniformity of the wafer pattern - Google Patents

Method for testing uniformity of the wafer pattern Download PDF

Info

Publication number
KR100611398B1
KR100611398B1 KR1020040055305A KR20040055305A KR100611398B1 KR 100611398 B1 KR100611398 B1 KR 100611398B1 KR 1020040055305 A KR1020040055305 A KR 1020040055305A KR 20040055305 A KR20040055305 A KR 20040055305A KR 100611398 B1 KR100611398 B1 KR 100611398B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
uniformity
wafer
pattern
inspection
kla
Prior art date
Application number
KR1020040055305A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060006356A (en
Inventor
지석호
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020040055305A priority Critical patent/KR100611398B1/en
Publication of KR20060006356A publication Critical patent/KR20060006356A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100611398B1 publication Critical patent/KR100611398B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70653—Metrology techniques
    • G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Abstract

본 발명은 웨이퍼 패턴의 균일도 검사 방법에 관한 것으로서, KLA 장치에서 균일도를 예측할 수 있는 검사 조건으로 설정된 스캔 맵에 따라 웨이퍼 상의 패턴을 스캐닝 및 디지털 이미지 프로세싱하는 단계와, 디지털 이미지 프로세싱된 웨이퍼 상의 패턴 이미지에 따른 균일도 데이터를 출력하는 단계를 포함한다. 그러므로 본 발명은 웨이퍼 패턴을 검사하는 KLA 장치에서 균일도를 예측할 수 있는 검사 조건을 미리 설정한 후에 이를 토대로 웨이퍼 패턴의 균일도를 검사함으로써 CD 측정 작업자간의 오류를 미연에 방지하면서 균일도 검사에 소요되는 시간을 줄 일 수 있다.The present invention relates to a method for checking the uniformity of a wafer pattern, comprising the steps of scanning and digital image processing the pattern on the wafer according to the scan map set to the inspection conditions that can predict the uniformity in the KLA apparatus, and the pattern image on the digital image processed wafer Outputting uniformity data according to the method. Therefore, the present invention sets the inspection conditions for predicting the uniformity in the KLA apparatus for inspecting the wafer pattern in advance, and then inspects the uniformity of the wafer pattern based on this, thereby preventing the errors between the CD measurement operators, while reducing the time required for uniformity inspection. Can be reduced.

웨이퍼 패턴, 균일도 검사, KLA 장치, 검사 조건Wafer Pattern, Uniformity Inspection, KLA Device, Inspection Condition

Description

웨이퍼 패턴의 균일도 검사 방법{Method for testing uniformity of the wafer pattern} Method for testing uniformity of the wafer pattern}             

도 1은 일반적인 노광 장치의 구조를 나타낸 도면,1 is a view showing the structure of a general exposure apparatus,

도 2는 웨이퍼 패턴내 필드와 다이와의 관계를 나타낸 도면,2 is a diagram showing a relationship between a field in a wafer pattern and a die;

도 3은 종래 기술에 의한 인트라 필드에서의 CD 균일도를 측정하는 과정을 설명하기 위한 도면,3 is a view for explaining a process of measuring the CD uniformity in the intra field according to the prior art,

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 패턴의 균일도 검사 방법을 적용하기 위한 검사 장비의 스캔 맵 구조를 나타낸 도면,4 is a view showing a scan map structure of inspection equipment for applying the uniformity inspection method of the wafer pattern according to the present invention,

도 5a 및 도 5b는 종래 기술 및 본 발명에 따라 소자 분리막 패턴을 위한 마스크 후와 식각 후의 인트라 필드의 CD 균일도를 각각 측정한 도면들.
5A and 5B are diagrams illustrating CD uniformity of intrafields after masking and etching for device isolation layer patterns according to the prior art and the present invention, respectively.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

200 : 웨이퍼200 wafer

202 : 스캔 맵202: scan map

210 : 균일도 데이터210: uniformity data

본 발명은 웨이퍼 패턴의 균일도 검사 방법에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼 패턴 검사 장치의 검사 조건을 조절하여 웨이퍼 패턴의 균일도를 정확하게 검사할 수 있는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for inspecting the uniformity of a wafer pattern, and more particularly, to a method for accurately inspecting the uniformity of a wafer pattern by adjusting inspection conditions of a wafer pattern inspection apparatus.

도 1은 일반적인 노광 장치의 구조를 나타낸 도면으로서, 이를 참조하면 일반적으로 반도체 노광 공정에서 사용되는 노광 장치는 수은 램프등과 같은 광원(10)으로부터 발생된 단색광이 콘덴서 렌즈(12)에 의해 집광된 후에, 레티클(14) 에 조사되고, 레티클(14)의 마스크 패턴 형상이 프로젝션 렌즈(16)를 통해서 웨이퍼(20) 상부의 포토레지스트(18)에 투영된다.FIG. 1 is a view illustrating a structure of a general exposure apparatus. Referring to this, in general, an exposure apparatus used in a semiconductor exposure process includes monochromatic light generated from a light source 10 such as a mercury lamp and the like condensed by a condenser lens 12. Thereafter, the reticle 14 is irradiated, and the mask pattern shape of the reticle 14 is projected onto the photoresist 18 on the wafer 20 through the projection lens 16.

이와 같은 노광 장치를 이용한 반도체 포토리소그래피 공정시 레티클(14)에 형성된 마스크 패턴이 웨이퍼(20) 상의 패턴에 정확하게 매칭되었는지를 검사하는 과정이 필요하다.In the semiconductor photolithography process using such an exposure apparatus, a process of checking whether the mask pattern formed on the reticle 14 is exactly matched with the pattern on the wafer 20 is necessary.

도 2는 웨이퍼 패턴내 필드와 다이와의 관계를 나타낸 도면이다.2 is a diagram showing a relationship between a die and a field in a wafer pattern.

도 2에 도시된 바와 같이, 레티클에 형성된 마스크 패턴의 칩(다이)(30) 수는 보통 2 내지 6ea 정도이며 그려진 것을 필드(filed)(32)라고 한다. 한 필드내에는 2 내지 6ea의 다이(30)가 그려져 있으며 레티클을 이용한 한 샷(shot)에 2 내지 6ea 다이가 웨이퍼에 구현될 수 있다. 이에 따라 웨이퍼 상에는 수십 내지 수백개의 다이가 형성되므로 필드내 다이수가 많을수록 적은 샷으로 빠르게 패턴 구 현이 가능하다.As shown in FIG. 2, the number of chips (dies) 30 of the mask pattern formed on the reticle is usually about 2 to 6ea, and the drawn one is called a field 32. 2 to 6ea die 30 are drawn in one field, and 2 to 6ea die may be implemented on a wafer in one shot using a reticle. As a result, dozens or hundreds of dies are formed on the wafer, so the more dies in the field, the faster the pattern can be implemented with fewer shots.

한편 패턴이 형성된 웨이퍼 상의 패턴 균일도를 측정하기 위해서는 주사형 전자 현미경(SEM : Scanning Electron Microscope) 등의 CD(Critical Dimension) 측정 장치를 이용하여 웨이퍼 패턴의 수십, 수백 포인트를 반복적으로 측정하여 웨이퍼내 패턴 균일도를 측정하고 있다. 즉, 소자 분리막(ISO) 마스크 후 웨이퍼 패턴의 균일도를 검사하는 것을 예로 들면, 소자 분리막 마스크 패턴을 형성한 후에 패턴이 형성된 웨이퍼 중심 필드에서 수십, 수백 포인트를 측정하여 인트라 필드(intra filed) 균일도를 측정하고 다시 웨이퍼 전체의 패턴 균일도를 알아보기 위해서 웨이퍼내 필드별 수십, 수백 포인트를 측정하여 웨이퍼 전체의 패턴 균일도를 검사하고 있다.On the other hand, in order to measure the pattern uniformity on the wafer on which the pattern is formed, several dozens and hundreds of points of the wafer pattern are repeatedly measured using a CD (Critical Dimension) measuring device such as a scanning electron microscope (SEM). Uniformity is measured. For example, after inspecting the uniformity of the wafer pattern after the device isolation (ISO) mask, for example, after forming the device isolation mask pattern, intrafield uniformity is measured by measuring tens or hundreds of points in the center of the wafer where the pattern is formed. In order to determine the pattern uniformity of the entire wafer again, the pattern uniformity of the entire wafer is examined by measuring tens or hundreds of points per field in the wafer.

도 3은 종래 기술에 의한 인트라 필드에서의 CD 균일도를 측정하는 과정을 설명하기 위한 도면이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 마스크 상태의 패턴(102)내 인트라 필드(104) CD와 식각 공정 진행 후 동일한 인트라 필드 CD를 각각 측정한다. 웨이퍼(100) 패턴의 필드(2×3)에 6개의 다이가 존재하므로 패턴 매트릭스에서 10포인트씩 측정한다. 이에 10포인트/Mat×16Mat/die×6die/field=960 포인트/필드로 계산되므로 필드내 웨이퍼 패턴의 균일도를 검사하기 위해서 총 960 포인트의 CD-SEM 측정이 필요하며 웨이퍼내 균일도를 위해서 다시 5필드만 측정한다해도 총 4800 포인트의 CD-SEM 측정이 필요하다.3 is a view for explaining a process of measuring the CD uniformity in the intra field according to the prior art. As shown in FIG. 3, the intrafield CD in the mask 102 and the same intrafield CD are measured after the etching process. Since six dies exist in the field (2 × 3) of the wafer 100 pattern, 10 points are measured in the pattern matrix. Since it is calculated as 10 points / Mat × 16Mat / die × 6die / field = 960 points / field, a total of 960 points of CD-SEM measurement is required to check the uniformity of the wafer pattern in the field. Even if you only measure, a total of 4800 points CD-SEM measurement is required.

따라서 이러한 웨이퍼 패턴의 균일도 검사 과정은 최소 수십에서 수천 포인트 부분을 CD-SEM 장치로 측정해야 하므로 검사하는데 여러 시간이 소요되었다. Therefore, the uniformity inspection process of the wafer pattern took several hours because it requires measuring at least tens to thousands of points with a CD-SEM device.                         

또한 CD-SEM 측정 작업자의 오류를 막기 위해서 웨이퍼 패턴의 균일도 검사는 가급적 동일 작업자가 진행하고 있는 상황이지만 측정 작업자가 다를 경우 여러 장의 웨이퍼에 대한 균일도 측정시 오류가 발생될 수 있는 문제점이 있었다.
In addition, in order to prevent errors of the CD-SEM measurement operator, the uniformity inspection of the wafer pattern is being performed by the same operator as much as possible, but when the measurement workers are different, there is a problem that an error may occur when measuring the uniformity of several wafers.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 웨이퍼 패턴의 검사 장치에서 균일도를 예측할 수 있는 검사 조건을 미리 설정한 후에 이를 토대로 웨이퍼 패턴의 균일도를 검사함으로써 CD 측정 작업자간의 오류를 미연에 방지하면서 균일도 검사에 소요되는 시간을 줄 일 수 있는 웨이퍼 패턴의 균일도 검사 방법을 제공하는데 있다.
An object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above by setting the inspection conditions for predicting the uniformity in the wafer pattern inspection apparatus in advance, and then inspect the uniformity of the wafer pattern based on this, thus preventing errors between CD measurement operators. The present invention provides a method for inspecting the uniformity of a wafer pattern that can reduce the time required for uniformity inspection while preventing the defects.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 웨이퍼 상의 패턴 균일도를 검사하는 방법에 있어서, KLA 장치에서 균일도를 예측할 수 있는 검사 조건으로 설정된 스캔 맵에 따라 웨이퍼 상의 패턴을 스캐닝 및 디지털 이미지 프로세싱하는 단계와, 디지털 이미지 프로세싱된 웨이퍼 상의 패턴 이미지에 따른 균일도 데이터를 출력하는 단계를 포함하여 이루어진다.
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for inspecting pattern uniformity on a wafer, the method comprising: scanning and digital image processing a pattern on a wafer according to a scan map set as an inspection condition for predicting uniformity in a KLA apparatus; And outputting uniformity data according to the pattern image on the image processed wafer.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.                     

본 발명은 패턴이 형성된 웨이퍼 상의 패턴 균일도를 측정하기 위해서 KLA-Tencor사의 Surf Scan, AIT, KLA-2370(이하 KLA라 함) 등을 이용하여 웨이퍼 패턴의 수십, 수백 포인트를 반복적으로 측정하여 웨이퍼내 패턴 균일도를 측정한다. KLA 장치는 광학적 스캐닝과 디지털 이미지 프로세싱 기술을 이용하여 픽셀 단위로 웨이퍼를 검사하되, 픽셀의 차이점을 패턴 균일도로 이미지화하는 자동 웨이퍼 검사 장치이다.The present invention repeatedly measures dozens and hundreds of wafer patterns using KLA-Tencor's Surf Scan, AIT, and KLA-2370 (hereinafter referred to as KLA) in order to measure pattern uniformity on a wafer on which a pattern is formed. The pattern uniformity is measured. The KLA device is an automatic wafer inspection device that inspects wafers pixel by pixel using optical scanning and digital image processing technology, but images the differences of pixels with pattern uniformity.

즉, 본 발명은 KLA 장치를 통해 참조용 웨이퍼를 이용하여 기존 측정된 웨이퍼 패턴의 균일도를 알 수 있는 검사 조건을 설정한 후에 검사하고자 하는 웨이퍼 패턴의 균일도를 검사를 진행하면 웨이퍼 상의 인트라 필드 또는 웨이퍼내 패턴 균일도를 쉽게 측정할 수 있다.That is, in the present invention, after setting the inspection conditions for knowing the uniformity of the conventionally measured wafer pattern using the reference wafer through the KLA apparatus, the inspection of the uniformity of the wafer pattern to be inspected is carried out. Pattern uniformity can be easily measured.

도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 패턴의 균일도 검사 방법을 적용하기 위한 검사 장비의 스캔 맵 구조를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a scan map structure of inspection equipment for applying the uniformity inspection method of the wafer pattern according to the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명이 적용된 KLA 장치는 균일도를 예측할 수 있는 검사 조건으로 설정된 웨이퍼(200)의 스캔 맵(202)에 따라 웨이퍼 상의 패턴을 스캐닝 및 디지털 이미지 프로세싱한다. 그리고 디지털 이미지 프로세싱된 웨이퍼 상의 패턴 이미지를 이용하여 하기 검사 방식에 따라 균일도를 검사하고 검사된 균일도 데이터(210)를 디스플레이 화면으로 출력한다.Referring to FIG. 4, the KLA apparatus to which the present invention is applied scans and digital image processes a pattern on a wafer according to a scan map 202 of a wafer 200 set as an inspection condition capable of predicting uniformity. The uniformity is inspected according to the following inspection method using the pattern image on the digital image processed wafer and the inspected uniformity data 210 is output to the display screen.

예를 들어, KLA 장치는 검사 방식을 다이 투 다이(die to die), 필드 투 필드(filed to filed), 셀 투 셀(cell to cell) 비교 방식으로 웨이퍼 상의 패턴 이미지를 이용하여 상기 비교 방식에 따라 패턴 균일도를 검사한다. For example, the KLA device uses a pattern image on a wafer in a die to die, filed to filed, and cell to cell comparison method. Check the pattern uniformity accordingly.                     

이때 검사 조건의 예를 들면, KLA 장치의 광원이 DUV일 경우 파장 대역을 350㎚∼385㎚로 한다. 그리고 웨이퍼 상의 어레이 모드를 셀 영역(cell)으로 하고, 라이트 레벨(light level)시 불룸 박스(bloom box)를 사용하고 고정된 임계값을 설정한다. 또한 검사 진행 단위를 설정된 픽셀 단위, 예를 들어 0.16㎛ 픽셀로 설정하고 최소 반복 비교 단위의 셀 크기를 1.6㎛로 설정한다.At this time, for example, when the light source of the KLA apparatus is DUV, the wavelength band is 350 nm to 385 nm. Then, the array mode on the wafer is a cell region, a bloom box is used at the light level, and a fixed threshold value is set. In addition, the inspection progress unit is set to a set pixel unit, for example, 0.16 μm pixels, and the cell size of the minimum repeat comparison unit is set to 1.6 μm.

이러한 본 발명의 검사 조건은 웨이퍼의 마스크 공정과 식각 후에도 동일하게 적용이 가능하다.The inspection conditions of the present invention can be equally applied after the mask process and etching of the wafer.

도 5a 및 도 5b는 종래 기술 및 본 발명에 따라 소자 분리막 패턴을 위한 마스크 후와 식각 후의 인트라 필드의 CD 균일도를 각각 측정한 도면들이다.5A and 5B are diagrams illustrating CD uniformity of intrafields after masking and etching for device isolation layer patterns according to the prior art and the present invention, respectively.

도 5a는 종래 기술에 따라 소자 분리막 패턴을 위한 마스크 후와 식각 후 웨이퍼 상의 인트라 필드의 CD를 CD-SEM 장치로 측정했을 때를 나타낸 도면이고, 도 5b는 본 발명에 따라 소자 분리막 패턴을 위한 마스크 후와 식각 후 웨이퍼 상의 인트라 필드의 CD를 KLA 장치로 측정했을 때를 나타낸 도면이다.FIG. 5A is a diagram illustrating a CD-SEM apparatus for measuring CD of an intrafield on a wafer after etching and after etching for a device isolation pattern according to the related art, and FIG. 5B is a mask for a device isolation pattern according to the present invention. It is a figure which shows when the CD of the intrafield on a wafer after and after etching was measured by the KLA apparatus.

이들 도면들을 대비하면, 본 발명의 KLA 장치에 의한 웨이퍼 패턴 검사 방법은 소자 분리막 마스크 후 및 식각 후 CD-SEM을 이용한 인트라 필드의 CD 균일도와 동일한 그래픽 결과를 얻음을 알 수 있다.In contrast to these figures, it can be seen that the wafer pattern inspection method using the KLA apparatus of the present invention obtains the same graphic results as the CD uniformity of the intrafield using the CD-SEM after the device isolation mask and the etching.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다. 예를 들어, 본 발명은 KLA 장치로 소자 분리막 마스크 후 및 식각 후에 웨이퍼 패턴의 검사를 진행하는 예로 들었지만, 소자 분리막 CMP, 비트 라인 식각 등의 일련의 반도체 제조 공정시에 웨이퍼 패턴의 균일도를 측정할 수 있다.
On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later. For example, although the present invention is an example in which the wafer pattern is inspected after the device isolation mask and the etching using a KLA device, the uniformity of the wafer pattern may be measured during a series of semiconductor manufacturing processes such as device isolation film CMP and bit line etching. Can be.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼 패턴의 KLA 검사 장치에서 균일도를 예측할 수 있는 검사 조건을 설정한 후에 이를 토대로 웨이퍼 패턴의 균일도 또는 웨이퍼내 균일도를 검사함으로써 CD 측정 작업자간의 오류와 더불어 균일도 검사에 소요되는 시간을 줄 일 수 있다.As described above, the present invention sets the inspection conditions for predicting the uniformity in the KLA inspection apparatus of the wafer pattern, and then examines the uniformity of the wafer pattern or the uniformity within the wafer, thereby checking the uniformity and the uniformity between the CD measurement operators. It can reduce the time required.

또한 본 발명은 종래 KrF, ArF 포토레지스트를 이용한 레티클의 마스크 패턴의 CD-SEM 측정시 차아징(charging)으로 인한 웨이퍼 침식없이 진행되므로 웨이퍼의 추가 손실이 발생되지 않는 장점이 있다.In addition, the present invention has the advantage that the additional loss of the wafer does not occur because it proceeds without wafer erosion due to charging (charging) in the CD-SEM measurement of the mask pattern of the reticle using the conventional KrF, ArF photoresist.

Claims (2)

웨이퍼 상의 패턴 균일도를 검사하는 방법에 있어서,In the method for inspecting pattern uniformity on a wafer, KLA 장치에서 균일도를 예측할 수 있는 검사 조건으로 설정된 스캔 맵에 따라 상기 웨이퍼 상의 패턴을 스캐닝 및 디지털 이미지 프로세싱하는 단계; 및Scanning and digital image processing the pattern on the wafer according to a scan map set as an inspection condition for predicting uniformity in a KLA apparatus; And 상기 디지털 이미지 프로세싱된 웨이퍼 상의 패턴 이미지에 따른 균일도 데이터를 출력하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패턴의 균일도 검사 방법.And outputting uniformity data according to the pattern image on the digital image processed wafer. 제 1항에 있어서, 상기 KLA 장치의 검사 조건은 광원이 DUV일 경우 파장 대역을 350㎚∼385㎚로 하고, 웨이퍼 상의 어레이 모드를 셀 영역으로 하고, 검사 진행 단위를 설정된 픽셀 단위로 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패턴의 균일도 검사 방법. The inspection condition of the KLA apparatus is characterized in that when the light source is DUV, the wavelength band is 350 nm to 385 nm, the array mode on the wafer is a cell region, and the inspection progress unit is a set pixel unit. The uniformity test method of the wafer pattern.
KR1020040055305A 2004-07-15 2004-07-15 Method for testing uniformity of the wafer pattern KR100611398B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040055305A KR100611398B1 (en) 2004-07-15 2004-07-15 Method for testing uniformity of the wafer pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040055305A KR100611398B1 (en) 2004-07-15 2004-07-15 Method for testing uniformity of the wafer pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060006356A KR20060006356A (en) 2006-01-19
KR100611398B1 true KR100611398B1 (en) 2006-08-11

Family

ID=37118059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040055305A KR100611398B1 (en) 2004-07-15 2004-07-15 Method for testing uniformity of the wafer pattern

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100611398B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101328611B1 (en) * 2007-10-19 2013-11-11 삼성전자주식회사 pattern matching method for semiconductor memory device manufacturing

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060006356A (en) 2006-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6222936B1 (en) Apparatus and method for reducing defects in a semiconductor lithographic process
JP5254270B2 (en) Inspection method and inspection apparatus
JP5695924B2 (en) Defect estimation apparatus, defect estimation method, inspection apparatus, and inspection method
JP5591675B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP4537467B2 (en) Sample inspection apparatus and sample inspection method
JP2007088375A (en) Sample inspection apparatus, sample inspection method and program
US11727557B2 (en) Inspection apparatus for detecting defects in photomasks and dies
US6023328A (en) Photomask inspection method and apparatus
US7865866B2 (en) Method of inspecting mask using aerial image inspection apparatus
US7202094B2 (en) Process for locating, displaying, analyzing, and optionally monitoring potential transient defect sites in one or more integrated circuit chips of a semiconductor substrate
JP2012173072A (en) Inspection device and inspection method
US6546125B1 (en) Photolithography monitoring using a golden image
JP2009222627A (en) Pattern inspection method, pattern inspection device, and program
KR100611398B1 (en) Method for testing uniformity of the wafer pattern
JP5859039B2 (en) Inspection device
JP2011196728A (en) Inspection device and inspection method
JPH09211840A (en) Inspection method and inspection device for reticle as well as inspection method and inspection device for pattern
JP2021025889A (en) Determination method for sensitivity change of tdi(time delay integration) sensor, pattern inspection method, and pattern inspection device
KR100598179B1 (en) Method for testing wafer pattern
CN113611650B (en) Method for aligning wafer pattern
US7573568B2 (en) Method and apparatus for detecting a photolithography processing error, and method and apparatus for monitoring a photolithography process
JP4131728B2 (en) Image creation method, image creation apparatus, and pattern inspection apparatus
JP2001236493A (en) Visual inspection apparatus
CN117853395A (en) Method and system for inspecting wafer defect
KR0168353B1 (en) Inspection method of non-pattern wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100726

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee