KR100598179B1

KR100598179B1 - Method for testing wafer pattern

Info

Publication number: KR100598179B1
Application number: KR1020040057630A
Authority: KR
Inventors: 지석호
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2004-07-23
Filing date: 2004-07-23
Publication date: 2006-07-10
Also published as: KR20060007994A

Abstract

본 발명은 웨이퍼 패턴의 검사 방법에 관한 것으로서, 특히 KLA 장치를 이용하여 웨이퍼 상의 패턴을 스캐닝 및 디지털 이미지 프로세싱하는 단계와, 디지털 이미지 프로세싱된 웨이퍼 상의 패턴 이미지를 레티클의 매트릭스 노광 맵으로 매칭하는 단계와, 레티클의 매트릭스 노광 맵에서 양호한 조건의 칼럼 필드 이미지와 바로 옆 매트릭스 조건의 칼럼 필드 이미지를 서로 비교하는 단계와, 비교 결과, 두 칼럼 필드 이미지가 서로 다를 경우 웨이퍼 패턴의 불량으로 판정하는 단계를 포함한다. 그러므로 본 발명은 레티클 노광 맵에서 양호한 조건의 칼럼 필드와 바로 옆 매트릭스 조건의 칼럼 필드를 서로 비교함으로써 KLA 검사 횟수를 비교 대상의 칼럼 필드내 매트릭스 조건 개수만큼 감소시킬 수 있다.The present invention relates to a method of inspecting a wafer pattern, in particular, scanning and digital image processing a pattern on a wafer using a KLA device, matching the pattern image on the digital image processed wafer to a matrix exposure map of the reticle; Comparing the column field images of good conditions and the column field images of immediately adjacent matrix conditions in the matrix exposure map of the reticle with each other, and determining that the wafer pattern is defective if the two column field images are different from each other as a result of the comparison. do. Therefore, the present invention can reduce the number of KLA inspections by the number of matrix conditions in the column field to be compared by comparing the column fields under favorable conditions with the column fields under the immediate matrix conditions in the reticle exposure map.

웨이퍼 패턴, 레티클 노광 맵, 칼럼, 필드Wafer Pattern, Reticle Exposure Map, Column, Field

Description

Method for testing wafer pattern

도 1은 일반적인 노광 장치의 구조를 나타낸 도면, 1 is a view showing the structure of a general exposure apparatus,

도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 의한 레티클에서 다이 투 다이로 웨이퍼 패턴 불량을 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면들,2A and 2B are views for explaining a method for inspecting wafer pattern defects by die-to-die in a reticle according to the prior art;

도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 의한 레티클의 노광 필드 맵에서 필드 투 필트로 웨이퍼 패턴 불량을 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면들,3A and 3B are diagrams for describing a method of inspecting a wafer pattern defect by field to filter in an exposure field map of a reticle according to the prior art;

도 4a 및 도 4b는 종래 기술에 의한 레티클의 매트릭스 노광 필드 맵 구조와 양호, 결함 및 불량 조건의 이미지를 나타낸 도면들,4A and 4B are diagrams illustrating a matrix exposure field map structure of a reticle according to the prior art and images of good, defective and defective conditions;

도 5는 본 발명에 따른 레티클의 노광 필드 맵 구조를 나타낸 도면,5 is a view showing an exposure field map structure of a reticle according to the present invention;

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 레티클의 노광 필드 맵에서 양호한 칼럼 필드와 인접된 2개 칼럼 필드로 웨이퍼 패턴 불량을 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면들.FIG. 6 is a view for explaining a method of inspecting a wafer pattern defect with a good column field and two adjacent column fields in an exposure field map of a reticle according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100 : 레티클 102 : 매트릭스 맵100: reticle 102: matrix map

104 : 양호한 조건의 칼럼 필드104: column field in good condition

106a, 106b : 매트릭스 조건의 칼럼 필드 106a, 106b: Column field of matrix condition

본 발명은 웨이퍼 패턴의 검사 방법에 관한 것으로서, 특히 검사 횟수를 감소할 수 있는 웨이퍼 패턴의 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer pattern inspection method, and more particularly, to a wafer pattern inspection method that can reduce the number of inspections.

도 1은 일반적인 노광 장치의 구조를 나타낸 도면으로서, 이를 참조하면 일반적으로 반도체 노광 공정에서 사용되는 노광 장치는 수은 램프등과 같은 광원(10)으로부터 발생된 단색광이 콘덴서 렌즈(12)에 의해 집광된 후에, 레티클(14) 에 조사되고, 레티클(14)의 마스크 패턴 형상이 프로젝션 렌즈(16)를 통해서 웨이퍼(20) 상부의 포토레지스트(18)에 투영된다.FIG. 1 is a view illustrating a structure of a general exposure apparatus. Referring to this, in general, an exposure apparatus used in a semiconductor exposure process includes monochromatic light generated from a light source 10 such as a mercury lamp and the like condensed by a condenser lens 12. Thereafter, the reticle 14 is irradiated, and the mask pattern shape of the reticle 14 is projected onto the photoresist 18 on the wafer 20 through the projection lens 16.

이와 같은 노광 장치를 이용한 반도체 포토리소그래피 공정시 레티클(14)에 형성된 마스크 패턴이 웨이퍼(20) 상의 패턴에 정확하게 매칭되었는지를 검사하는 과정이 필요하다.In the semiconductor photolithography process using such an exposure apparatus, a process of checking whether the mask pattern formed on the reticle 14 is exactly matched with the pattern on the wafer 20 is necessary.

도 2a 및 도 2b는 종래 기술에 의한 레티클에서 다이 투 다이(die to die)로 웨이퍼 패턴 불량을 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.2A and 2B are diagrams for describing a method of inspecting a wafer pattern defect by die to die in a reticle according to the related art.

도 2a에 도시된 바와 같이, 레티클에 형성된 마스크 패턴의 칩(다이)(30) 수는 보통 2 내지 6ea 정도이며 그려진 것을 필드(filed)(32)라고 한다. 한 필드내에는 2 내지 6ea의 다이(30)가 그려져 있으며 레티클을 이용한 한 샷(shot)에 2 내지 6ea 다이가 웨이퍼에 구현될 수 있다. 이에 따라 웨이퍼 상에는 수십 내지 수백개의 다이가 형성되므로 필드내 다이수가 많을수록 적은 샷으로 빠르게 패턴 구 현이 가능하다.As shown in FIG. 2A, the number of chips (dies) 30 of the mask pattern formed on the reticle is usually about 2 to 6ea, and the drawn one is called a field 32. FIG. 2 to 6ea die 30 are drawn in one field, and 2 to 6ea die may be implemented on a wafer in one shot using a reticle. As a result, dozens or hundreds of dies are formed on the wafer, so the more dies in the field, the faster the pattern can be implemented with fewer shots.

한편 레티클을 통해 웨이퍼 상에 형성된 웨이퍼 패턴을 검사하는 장치로는 KLA-Tencor사의 Surf Scan, AIT, KLA-2370(이하 KLA라 함)이 널리 알려져 있는데, KLA 장치는 광학적 스캐닝과 디지털 이미지 프로세싱 기술을 이용하여 픽셀 단위로 웨이퍼를 검사하되, 픽셀의 차이점을 결함으로 이미지화하는 자동 웨이퍼 검사 장치이다.Meanwhile, KLA-Tencor's Surf Scan, AIT, and KLA-2370 (hereinafter referred to as KLA) are widely used as a device for inspecting a wafer pattern formed on a wafer through a reticle. The KLA device uses optical scanning and digital image processing techniques. It is an automatic wafer inspection device that inspects wafers on a pixel-by-pixel basis, and images differences in pixels as defects.

웨이퍼 패턴을 검사하는 방법의 일 예로 도 2b와 같은 다이 투 다이 방식에 대해 설명한다. KLA 장치에서는 웨이퍼 상의 패턴 이미지를 스캐닝 및 디지털 이미지 프로세싱한 후에 다수개의 다이 이미지에서 A 다이와 B 다이 이미지를 비교하고 B 다이와 C 다이 이미지를 비교한 후에 B 다이가 A 및 C 다이 이미지와 다른 부분(34)이 있으면 그 부분을 불량으로 검출하여 웨이퍼내 패턴 불량을 판정한다.As an example of a method of inspecting a wafer pattern, a die-to-die method as shown in FIG. 2B will be described. In the KLA device, after scanning and digital image processing of the pattern image on the wafer, the A die and B die images are compared in multiple die images, and the B die is different from the A and C die images after comparing the B and C die images (34). ), The part is detected as defective and the pattern defect in the wafer is determined.

이러한 다이 투 다이 방식의 웨이퍼 패턴 검사 방법은 동일하게 필드 투 필드(filed to filed) 방식으로도 동일하게 적용가능하다.The wafer pattern inspection method of the die-to-die method is equally applicable to the filed to filed method.

도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 의한 레티클의 노광 필드 맵에서 필드 투 필트로 웨이퍼 패턴 불량을 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.3A and 3B are diagrams for describing a method of inspecting a wafer pattern defect by field to filter in an exposure field map of a reticle according to the related art.

도 3a에 도시된 바와 같이, KLA 장치에서는 웨이퍼 상의 패턴 이미지를 스캐닝 및 디지털 이미지 프로세싱한 후에 다수개의 필드 이미지에서 A 필드와 B 필드 이미지를 비교하고 B 필드와 C 필드 이미지를 비교한 후에 B 필드가 A 및 C 필드 이미지와 다른 부분(44)이 있으면 그 부분을 불량으로 검출하여 웨이퍼내 패턴 불량을 판정한다.As shown in FIG. 3A, in a KLA apparatus, after scanning and digital image processing a pattern image on a wafer, a field A and a B field image are compared in a plurality of field images, and a field B is determined after comparing the field B and field C images. If there is a portion 44 different from the A and C field images, the portion is detected as defective and the pattern defect in the wafer is determined.

종래 웨이퍼 패턴을 검사하는 방법은 KLA 장치를 이용하여 여러 번 검사가 반복되어야 하기 때문에 많은 시간이 소요되는 문제점이 있었다. 실제로 DOF(+0.2㎛∼-0.2㎛)/EL(±2mJ) 체크시 5번의 DOF(+0.2/+0.1/0/-0.1/-0.2㎛)와 5번의 EL(+2/+1/0/-1/-2mJ)를 곱해서 총 25회 검사를 진행해야한다. 하지만 현실상으로는 5 내지 7회 조건만 선별해서 검사를 진행하기 때문에 정확한 공정 마진을 알 수 없는 상황이다.The conventional method for inspecting a wafer pattern has a problem that takes a lot of time because the inspection must be repeated several times using a KLA device. In fact, five DOF (+ 0.2 / + 0.1 / 0 / -0.1 / -0.2 µm) and five EL (+ 2 / + 1/0) are checked when DOF (+0.2 µm to -0.2 µm) / EL (± 2mJ) is checked. Multiply by -1 / -2mJ) for a total of 25 tests. However, in reality, the exact process margin is not known because only 5 to 7 conditions are selected and tested.

또한 5회 조건에 대해서도 검사를 진행할 때 셋업 시간(30분)과 KLA 스캐닝(15분)× 5회=75분과 결과에 대한 SEM-리뷰(5회×15분)이므로 전체 총 180분(3시간) 정도가 검사에 소요되기 때문에 웨이퍼 패턴을 검사하는 데에 검사 시간이 오래 걸리는 문제점이 있었다.In addition, the set-up time (30 minutes) and KLA scanning (15 minutes) × 5 = 75 minutes and SEM-review (5 times × 15 minutes) of the results when performing the test for 5 conditions, total 180 minutes (3 hours) Since the inspection takes about a long time, it takes a long time to inspect the wafer pattern.

도 4a 및 도 4b는 종래 기술에 의한 레티클의 매트릭스 노광 필드 맵 구조와 양호, 결함 및 불량 조건의 이미지를 나타낸 도면들이다.4A and 4B are diagrams illustrating a matrix exposure field map structure of a reticle according to the prior art and images of good, defective and defective conditions.

도 4a와 같이 종래 FEM(Focus Energy Matrix) 노광 맵을 이용한 웨이퍼 패턴 검사 방법은 포커스 및 노광 에너지를 조정하면서 양호한 필드와 바로 옆 필드의 차이를 비교하게 된다. 하지만 KLA 장치는 매트릭스 특성상 양호한 필드와 바로 옆 필드와의 차이가 적어 불량 부분이 검출되지 않는 경우도 발생하게 된다. 즉, 도 4b는 양호(best) 조건(ㄱ), 불량은 아니나 결함이 있는 조건(ㄴ), 그리고 불량 조건(ㄷ)의 각 이미지를 나타낸 것이다.As shown in FIG. 4A, a conventional wafer pattern inspection method using a focus energy matrix (FEM) exposure map compares a difference between a good field and an adjacent field while adjusting focus and exposure energy. However, the KLA device has a small difference between the good field and the adjacent field due to the characteristics of the matrix, so that a bad part may not be detected. That is, FIG. 4B shows each image of a best condition (a), a condition that is not defective but a defect (b), and a bad condition (c).

그러므로 종래 기술에 의한 FEM(Focus Energy Matrix) 노광 필드 맵을 이용한 웨이퍼 패턴 검사 방법은 불량 부분이 검출되지 않는 경우에는 양호한 조건과 불량 조건으로 예측되는 필드를 비교할 수 있게 웨이퍼를 다시 제작한 후에 다시 KLA 검사 과정을 진행해야만 하는 번거러움이 있었다.Therefore, the wafer pattern inspection method using the conventional FEM (Focus Energy Matrix) exposure field map is a KLA after remanufacturing the wafer so that it can compare the good conditions and the fields predicted as the bad conditions when the defective parts are not detected. There was a hassle to go through the inspection process.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 레티클 노광 맵에서 양호한 조건의 칼럼과 바로 옆 매트릭스 조건의 칼럼을 서로 비교함으로써 KLA 검사 횟수를 매트릭스 조건의 개수에 따라 감소시킬 수 있는 웨이퍼 패턴의 검사 방법을 제공하는데 있다.
Disclosure of Invention An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art by comparing a column of good condition and a column of immediate matrix condition in a reticle exposure map with each other to reduce the number of KLA inspections according to the number of matrix conditions. The present invention provides a method for inspecting a pattern.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 웨이퍼 상의 패턴 결함을 검사하는 방법에 있어서, KLA 장치를 이용하여 웨이퍼 상의 패턴을 스캐닝 및 디지털 이미지 프로세싱하는 단계와, 디지털 이미지 프로세싱된 웨이퍼 상의 패턴 이미지를 레티클의 매트릭스 노광 맵으로 매칭하는 단계와, 레티클의 매트릭스 노광 맵에서 양호한 조건의 칼럼 필드 이미지와 바로 옆 매트릭스 조건의 칼럼 필드 이미지를 서로 비교하는 단계와, 비교 결과, 두 칼럼 필드 이미지가 서로 다를 경우 웨이퍼 패턴의 불량으로 판정하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for inspecting a pattern defect on a wafer, the method comprising: scanning and digital image processing a pattern on a wafer using a KLA apparatus; Matching with an exposure map, comparing a column field image with good conditions and a column field image with an immediate matrix condition in the matrix exposure map of the reticle, and comparing the wafer pattern if the two column field images are different from each other. Determining a failure.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명에 따른 레티클의 노광 필드 맵 구조를 나타낸 도면이다.5 is a view showing an exposure field map structure of a reticle according to the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명이 적용된 FEM 방식의 레티클(100)의 노광 필드 맵 구조는 다수개의 매트릭스 맵(102)에서 어느 한 매트릭스 칼럼 필드에 양호한 조건을 갖는 칼럼 필드(104)를 제작하고 그 바로 옆에 설정된 매트릭스 조건을 갖는 칼럼 필드(106a, 106b)를 제작한다. 이때 매트릭스 조건은 다수개의 칼럼 필드 중에서 순차적으로 필드 조건이 변화하거나 선별적으로 필드 조건이 다를 수 있는 것을 일컫는다. 예를 들어, DOF(+0.2㎛∼-0.2㎛)/EL(±2mJ) 체크시 매트릭스 조건에 DOF를 순차적으로 +0.2/+0.1/0/-0.1/-0.2㎛로 할 수 있으며 EL를 순차적으로 +2/+1/0/-1/-2mJ로 설정할 수 있다.Referring to FIG. 5, the exposure field map structure of the FEM type reticle 100 to which the present invention is applied may produce a column field 104 having a good condition in any one matrix column field in a plurality of matrix maps 102. The column fields 106a and 106b having the matrix conditions set next to them are fabricated. In this case, the matrix condition refers to a field condition that can be sequentially changed or a field condition can be selectively changed among a plurality of column fields. For example, when checking DOF (+0.2 µm to -0.2 µm) / EL (± 2mJ), DOF can be sequentially + 0.2 / + 0.1 / 0 / -0.1 / -0.2 µm in matrix conditions and EL is sequentially Can be set to + 2 / + 1/0 / -1 / -2mJ.

본 발명이 적용된 노광 필드 맵 구조에서는 양호한 조건의 한 칼럼 필드와 바로 옆 매트릭스 조건의 한 칼럼 필드를 1:1로 배치하거나, 양호한 조건의 한 칼럼 필드와 바로 양쪽 옆 매트릭스 조건의 두 칼럼 필드를 1:2로 배치할 수도 있다. 도 5에서는 1:2 배치 구조의 예를 들었다. 혹은 양호한 조건의 한 칼럼 필드와 바로 양쪽 옆과 그 옆의 매트릭스 조건의 세 칼럼 필드를 1:3으로 배치할 수도 있다.In the exposure field map structure to which the present invention is applied, one column field under favorable conditions and one column field under immediate matrix conditions are disposed 1: 1, or one column field under favorable conditions and two column fields under immediately adjacent matrix conditions are 1 You can also place it as: 2. In FIG. 5, an example of a 1: 2 configuration is given. Alternatively, one column field under favorable conditions and three column fields immediately adjacent to and adjacent to each other may be arranged at 1: 3.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 레티클의 노광 필드 맵에서 양호한 칼럼 필드와 인접된 2개 칼럼 필드로 웨이퍼 패턴 불량을 검사하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.FIG. 6 is a diagram for describing a method of inspecting a wafer pattern defect with a good column field and two adjacent column fields in an exposure field map of a reticle according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명은 KLA 장치를 통해 웨이퍼 상의 패턴 이미지를 스캐닝 및 디지털 이미지 프로세싱한다.Referring to FIG. 6, the present invention scans and digital image processes a pattern image on a wafer through a KLA device.

KLA 장치에서는 디지털 이미지 프로세싱된 웨이퍼 상의 패턴 이미지를 레티 클의 매트릭스 노광 맵(102)으로 매칭하고, 레티클의 매트릭스 노광 맵에서 1행(110)씩 양호한 조건의 칼럼 필드(104) 이미지와 바로 양쪽 옆 매트릭스 조건의 칼럼 필드(106a, 106b) 이미지를 서로 비교한다. 여기서, 106a 및 106b의 매트릭스 조건의 칼럼 필드는 예를 들어 DOF를 +0.2/+0.1/0/-0.1/-0.2㎛로 순차적이게 하면서 EL를 +2/+1/0/-1/-2mJ로 순차적이게 설정할 수 있다.The KLA apparatus matches the pattern image on the digital image processed wafer to the matrix exposure map 102 of the reticle, and right next to the column field 104 image in good condition, one row 110 in the matrix exposure map of the reticle. The column field 106a, 106b images of the matrix condition are compared with each other. Here, the column field of the matrix condition of 106a and 106b, for example, the EL is + 2 / + 1/0 / -1 / -2mJ while the DOF is sequentially + 0.2 / + 0.1 / 0 / -0.1 / -0.2 μm. Can be set sequentially.

비교 결과, 양호한 조건의 칼럼 필드(104) 이미지와 바로 양쪽 옆 매트릭스 조건의 칼럼 필드(106a, 106b) 이미지가 서로 다를 경우 KLA 장치는 웨이퍼 패턴의 불량으로 판정한다.As a result of the comparison, when the column field 104 image under favorable conditions and the column field 106a and 106b images under both right side matrix conditions are different from each other, the KLA apparatus determines that the wafer pattern is defective.

하지만 이들 조건의 칼럼 필드(104)(106a, 106b) 이미지가 서로 동일할 경우 KLA 장치는 웨이퍼 패턴이 양호하다고 판정한다.However, when the column field 104 (106a, 106b) images of these conditions are identical to each other, the KLA apparatus determines that the wafer pattern is good.

그러므로 본 발명은 포토리소그래피 공정시 KLA 장치를 이용하여 웨이퍼 패턴을 검사하는 방법에 있어서, 레티클의 노광 필드 맵 구조에서 양호한 조건의 한 칼럼 필드와 바로 옆 매트릭스 조건의 칼럼 필드를 배치하고 이후 KLA 장치에서 이들 칼럼 필드를 비교함으로써 웨이퍼 패턴을 검사하는 데 오래 걸리는 검사 시간을 단축할 수 있다. 즉 그 이유는 양호한 조건의 칼럼 필드의 비교 대상인 바로 옆 칼럼 필드를 단일 DOF/EL 조건이 아닌 여러 가지 DOF/EL의 매트릭스 조건으로 설정하였기 때문이다.Therefore, the present invention relates to a method for inspecting a wafer pattern using a KLA apparatus in a photolithography process, in which one column field in a favorable condition and a column field in an immediate matrix condition are disposed in an exposure field map structure of a reticle, and then in a KLA apparatus. By comparing these column fields, it is possible to shorten the inspection time required to inspect the wafer pattern. Namely, the reason is that the next column field, which is a comparison target of the column field under favorable conditions, is set not only as a single DOF / EL condition but also as a matrix condition of various DOF / EL.

따라서 본 발명은 KLA 장치의 전체 검사 횟수가 비교 대상의 칼럼 필드내 매트릭스 조건의 개수만큼 줄일 수 있다. 또한 본 발명은 양호한 조건과 그 옆의 칼럼 필드가 불량 부분이 잘 검출되지 않아 레티클을 양호한 조건과 불량 조건으로 예측되는 필드로 제작하여 다시 KLA 검사를 진행해야하는 종래 기술의 한계를 극복할 수 있다.Therefore, the present invention can reduce the total number of inspections of the KLA apparatus by the number of matrix conditions in the column field to be compared. In addition, the present invention can overcome the limitations of the prior art that a good condition and a column field adjacent to it is difficult to detect a bad part, so that the reticle is made into a field predicted as a good condition and a bad condition, and the KLA test is performed again.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 레티클의 노광 매트릭스 맵 구조에서 양호한 조건의 칼럼 필드와 바로 옆 매트릭스 조건의 칼럼 필드를 서로 비교함으로써 KLA 검사 횟수를 비교 대상의 칼럼 필드내 매트릭스 조건 개수만큼 감소시킬 수 있으며 양호한 조건과 그 옆의 칼럼 필드가 불량 부분이 잘 검출되지 않아 레티클을 양호한 조건과 불량 조건으로 예측되는 필드를 제작하여 다시 KLA 검사를 진행해야하는 문제점을 해결할 수 있다.As described above, the present invention can reduce the number of KLA inspections by the number of matrix conditions in the column field to be compared by comparing the column field under favorable conditions with the column field under the immediate matrix condition in the exposure matrix map structure of the reticle. In addition, it is possible to solve the problem that the KLA check is performed again by producing a field in which the reticle is predicted to be a good condition and a bad condition because the good condition and the adjacent column field are not well detected.

한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described embodiment, various modifications are possible by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later.

Claims

In the method for inspecting a pattern defect on a wafer,

Scanning and digital image processing the pattern on the wafer using a KLA device;

Matching the pattern image on the digital image processed wafer to a matrix exposure map of a reticle;

Comparing the column field images of good conditions and one, two or three column field images of adjacent matrix conditions in the matrix exposure map of the reticle with each other; And

And determining that the wafer pattern is defective when the two column field images are different from each other as a result of the comparison.

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