KR20060004996A - Integrated heat spreader lid - Google Patents

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KR20060004996A
KR20060004996A KR1020057022551A KR20057022551A KR20060004996A KR 20060004996 A KR20060004996 A KR 20060004996A KR 1020057022551 A KR1020057022551 A KR 1020057022551A KR 20057022551 A KR20057022551 A KR 20057022551A KR 20060004996 A KR20060004996 A KR 20060004996A
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heat spreader
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KR1020057022551A
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잭 비쉬
케빈 한라한
다몬 브링크
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허니웰 인터내셔날 인코포레이티드
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Abstract

A heat spreader lid includes an outer periphery region having a lip for bonding to an underlying substrate board, a center region, and one or more strain isolation regions. The strain isolation regions are located between the center region and the outer periphery region and may comprise a number of slots cut partially or completely through the lid in a pattern surrounding or partially surrounding the center region. The strain isolation regions provide isolation of strain and relief of stress due to thermal expansion of the lid despite constraint at its periphery by the bonded lip, resulting in less thermally-induced warping of the center region, less thermally- induced stress on the bond between the lip and the substrate board, and/or less thermally-induced deflection of the substrate board. The reduced warping, stress, and/or deflection increases the reliability of the system by reducing the propensity for delamination or separation in the interface between the lid and the die, and/or by reducing the chance of structural failure in the bond between the lid and the substrate board.

Description

통합된 열 분산기 리드 {INTEGRATED HEAT SPREADER LID}Integrated Heat Disperser Leads {INTEGRATED HEAT SPREADER LID}

본 발명은 일반적으로 전자 컴포넌트들을 위한 열 손실 장치 분야에 관한 것이다.The present invention relates generally to the field of heat loss devices for electronic components.

컴퓨터와 같은 다수의 현대식 전기 디바이스들은 깨지기 쉬운 칩 또는 "다이" 상에 제조된 다수의 작은 회로 컴포넌트들을 갖는 집적 회로를 포함한다. 실제 회로 컴포넌트들은 동작 동안 열을 발생시킨다. 다이 상의 회로 장치들의 복잡도, 소형도, 및 취약성은 다이용 열 손실 디바이스들 설계자들에게 여러 가지 문제점을 제시한다. 우선, 열 손실 디바이스는, 연관된 다이가 초과 온도에 도달하는 것을 방지하기에 충분한 열 방출을 용이하게 해야만 한다. 두번째로, 열 손실 디바이스는 다이 상의 회로와 전기적으로 절연되어서, 회로 동작을 방해하지 말아야만 한다. 세번째로, 열 손실 디바이스는, 깨지기 쉬운 다이가 방열기 부착과 같은 후속하는 제조 또는 조립 단계에서 손상 없이 처리되기에 충분한 견고성을 제공해야만 한다.Many modern electrical devices, such as computers, include integrated circuits having many small circuit components fabricated on a fragile chip or "die". Real circuit components generate heat during operation. The complexity, compactness, and fragility of circuit devices on a die present several challenges for designers of heat loss devices for dies. First, the heat loss device must facilitate sufficient heat dissipation to prevent the associated die from reaching the excess temperature. Secondly, the heat dissipation device must be electrically isolated from the circuit on the die, so as not to interfere with the circuit operation. Third, the heat loss device must provide sufficient robustness for the fragile die to be processed without damage in subsequent manufacturing or assembly steps such as attaching the radiator.

언급한 문제점을 극복하려는 하나의 기존 방식은, 다이가 전기적으로 연결되는 하부의 기판 보드와 열 분산기 캡 사이의 공간을 채우는 에폭시 또는 다른 밀봉 물질로 다이를 밀봉하는 것이다. 이러한 기존 방식의 이점은, 두꺼운 밀봉층이 다 이를 둘러싸 보호하고, 또한 열 분산기 캡을 지지하여 부착시킨다는 것이다. 열 분산기 캡을 지지하는 밀봉층이 두껍기 때문에, 전단(in shear)에 있어 상대적으로 유연하여 기판 보드에 비해 캡의 열 팽창 상의 에지 제한이 나타나지 않는다. 캡과 다이 간의 열 팽창 계수(CTE) 불일치로 인해 열적으로 유도된 응력은 캡 중심 근처에 응력을 생산하나, 캡과 기판 보드 간의 CTE 불일치로 인해 야기되는 응력은 두꺼운 밀봉제 층(encapsulant layer)의 전단에 의해 경감된다. 이것이 중요한 한 가지 이유는 전형적으로 다이와 기판 보드 간의 온도 차이가 다이와 캡 간의 온도 차이보다 더 크기 때문이다. One existing way to overcome the above mentioned problem is to seal the die with epoxy or other sealing material that fills the space between the substrate board and the heat spreader cap at the bottom where the die is electrically connected. The advantage of this conventional approach is that the thick sealing layer surrounds and protects the die and also supports and attaches the heat spreader cap. Since the sealing layer that supports the heat spreader cap is thick, it is relatively flexible in shear and does not exhibit edge limitations on the thermal expansion of the cap as compared to the substrate board. Thermally induced stresses due to thermal expansion coefficient (CTE) mismatches between the cap and the die produce stresses near the center of the cap, but stresses caused by CTE mismatches between the cap and the substrate board are due to the thick encapsulant layer. It is alleviated by shearing. One reason this is important is that the temperature difference between the die and the substrate board is typically greater than the temperature difference between the die and the cap.

그러나, 종래의 칩 밀봉 전략은 대량 생산 환경에서 상대적으로 큰 부피의 예비 응고된 밀봉제를 제어하는 것과 연관된 실제적인 문제점 및 조립 문제점을 갖는다. 이러한 제조 상 문제점을 감소시키기 위한 종래의 전략은 두꺼운 밀봉제 층을 제거하고, 대신에 이전에 사용된 밀봉제 층보다 현저히 더 얇은 본딩층(bonding layer)에 의해 기판 보드에 직접 결합되는 열 분산기의 주변 둘레에 립을 형성함으로써 열 분산기를 지지 및 부착한다. 오늘날, 상기와 같은 본딩층은 0.25 mm 이하의 두께를 가질 수 있다. 그러한 종래의 열 분산기는 전형적으로 다이에 부착되고 패키지 기판으로부터 상승된 중앙 영역에 캐비티를 갖는다. 다이는 직접 접촉에 의해 또는 다이와 리드 내 캐비티의 내부 표면 사이에 배치되는 열적 인터페이스 재료를 경유하여 열 분산기 리드와 열적으로 결합된다. 캐비티 둘레에 형성된 상승된 주변 립은 기판 보드쪽으로 하향 연장되고 기판 보드에 결합된다. 주변 공기로 열 전달을 증가시키기 위해 금속 핀을 포함할 수 있는, 방열판으로 언급되는 금 속 플레이트는 전형적으로 열적 전도성 접착제에 의해 전형적으로 열 분산기 리드의 평평한 상부 표면에 결합된다. However, conventional chip sealing strategies have practical and assembly problems associated with controlling relatively large volumes of pre-solidified sealants in high volume production environments. A conventional strategy to reduce this manufacturing problem is to remove the thick sealant layer and instead replace the heat spreader directly bonded to the substrate board by a bonding layer that is significantly thinner than the previously used sealant layer. The heat spreader is supported and attached by forming a lip around the perimeter. Today, such a bonding layer can have a thickness of 0.25 mm or less. Such conventional heat spreaders typically have cavities in the central area attached to the die and raised from the package substrate. The die is thermally coupled with the heat spreader lid either by direct contact or via a thermal interface material disposed between the die and the inner surface of the cavity in the lid. The raised peripheral lip formed around the cavity extends downward toward the substrate board and is coupled to the substrate board. Metal plates, referred to as heat sinks, which may include metal fins to increase heat transfer to ambient air, are typically bonded to the flat top surface of the heat spreader leads by a thermally conductive adhesive.

전형적으로 다이, 기판, 열 분산기 리드, 및 방열판 모두가 동일한 열 팽창 계수를 갖는 것은 아니다. 열 팽창 계수의 차이는 동작 동안 현저한 응력을 형성한다. 모든 컴포넌트들이 전형적으로 장치의 동작 동안 온도 사이클을 경험하기 때문에, 상기 응력은 주기적으로 변화하는 것으로 기대될 수 있다. 예를 들어, 마더보드에 납땜되고 컴퓨터에 배치된 반도체 패키지는 전형적으로 컴퓨터 동작 동안 온도 사이클을 경험한다. 그러한 온도 사이클의 예는 주변 온도(예를 들어, 실내 온도)와 최대 전기 컴포넌트 동작 온도(예를 들어, 100℃) 사이의 온도 변화일 수 있다. 결과적인 열적 응력의 주기적 변화는 궁극적으로 다이의 뒤틀림, 리드와 기판 보드 사이의 접착제 결함 및/또는 리드를 다이에 열적으로 결합시키는 열적 인터페이스 재료와 리드 사이의 분리를 포함한 기능 및/또는 구조적 결함을 야기할 수 있다. 예를 들어, 주기적 가변 열적 응력은 열 분산기 리드 또는 하부에 놓인 기판 보드의 주기적 뒤틀림을 야기할 수 있고, 이것은 차례로 열적 인터페이스 재료가 다이와 열 분산기 리드 사이의 갭으로부터 이동하게 할 수 있다. 그러한 열적 인터페이스 재료의 이동(또는 펌핑)은 바람직하지 않은 다이와 열 분산기 리드 사이의 열적 고립을 야기할 수 있고, 따라서, 기능 결함을 야기할 수 있다.Typically, the die, substrate, heat spreader leads, and heat sink do not all have the same coefficient of thermal expansion. The difference in coefficient of thermal expansion creates significant stresses during operation. Since all components typically experience a temperature cycle during operation of the device, the stress can be expected to change periodically. For example, semiconductor packages soldered to a motherboard and placed in a computer typically undergo a temperature cycle during computer operation. An example of such a temperature cycle may be a temperature change between ambient temperature (eg, room temperature) and maximum electrical component operating temperature (eg, 100 ° C.). Periodic changes in the resulting thermal stress may ultimately lead to functional and / or structural defects including warpage of the die, adhesive defects between the leads and the substrate board, and / or separation between the leads and the thermal interface material that thermally couples the leads to the die. Can cause. For example, the periodic variable thermal stress can cause periodic warpage of the heat spreader lead or underlying substrate board, which in turn can cause the thermal interface material to move out of the gap between the die and the heat spreader lead. Such movement (or pumping) of the thermal interface material can cause thermal isolation between the die and the heat spreader leads which are undesirable, and thus can cause functional defects.

열 분산기 리드 재료는 전형적으로 하부에 놓인 기판 보드보다 더 큰 열 팽창 계수를 갖는다. 따라서, 온도가 증가함에 따라, 리드는 팽창하고, 리드의 변형은 리드의 에지 또는 "립"을 기판에 결합시킴으로써 억제된다. 리드가 팽창함에 따라, 리드의 캐비티의 중심 부분이 다이로부터 융기하는 방식으로 뒤틀릴 수 있거나, 또는 그것은 기판 보드가 뒤틀리게 한다. 그러한 뒤틀림은 리드와 다이 사이의 인터페이스를 저하시키고, 열 흐름을 방해하며 접착 보드 상에 응력을 가한다. 온도 사이클이 충분하지 않으면, 리드와 기판 보드 사이의 결합에 문제가 생길 수 있거나 리드는 열적 인터페이스 재료로부터 갈라져 시스템의 열적 성능을 저하시킬 수 있다. The heat spreader lead material typically has a larger coefficient of thermal expansion than the underlying substrate board. Thus, as the temperature increases, the leads expand and deformation of the leads is suppressed by bonding the edges or "ribs" of the leads to the substrate. As the lid expands, the central portion of the cavity of the lid may twist in such a way that it rises from the die, or it causes the substrate board to twist. Such warpage degrades the interface between the lead and the die, impedes heat flow and exerts stress on the adhesive board. Insufficient temperature cycles can lead to problems in bonding between the leads and the substrate board or the leads can break from the thermal interface material and degrade the thermal performance of the system.

에지 제한에 대한 열적 팽창으로 인한 현저한 뒤틀림은 기판에 결합되는 립이 없는 열 분산기 캡을 포함하는 밀봉된 마이크로칩 패키지 구성의 경우에 그 자체를 제공하지 않는 문제이다. 이것은 상기 밀봉된 마이크로칩 패키지 구성에서 캡과 기판 사이의 밀봉제 층이 두꺼워 기판이 캡의 열적 팽창에 에지 제한을 제공하지 않도록 전단에 상대적으로 순응하기 때문이다.Significant warpage due to thermal expansion to the edge limitations is a problem that does not provide itself in the case of a sealed microchip package configuration that includes a lipless heat spreader cap coupled to the substrate. This is because in the sealed microchip package configuration, the sealant layer between the cap and the substrate is thick so that the substrate is relatively compliant to the shear so as not to provide edge limitations to the thermal expansion of the cap.

열 분산기 리드의 립과 밀봉되지 않은 마이크로칩 패키지의 기판 사이에 보다 순응적인 결합을 사용하기 위해 설계를 변경하는 것 또한 열적 응력을 이동시키기 위해 사용될지라도, 그렇게 하는 것은 다른 실제적인 문제점들을 가져올 수 있다. 특히, 정밀 제조 환경에서 연성의 접착제 사용은 컴포넌트의 궁극적인 위치 또는 부착의 견고성에 대한 제어를 허용할 수 없을 정도로 감소시키거나, 허용할 수 없는 오염, 가스 제거 등을 야기할 수 있다. 필요한 것은 전형적인 비밀봉식 칩 패키지에 사용되는 종래 방법에 의해 기판 보드에 결합될 수 있고 또한 개선된 신뢰성을 갖고 열적으로 사이클링될 수 있는 립을 가진 열 분산기 리드이다.Although changing the design to use a more compliant bond between the lip of the heat spreader lead and the substrate of the unsealed microchip package may also be used to transfer thermal stress, doing so may introduce other practical problems. . In particular, the use of soft adhesives in precision manufacturing environments can unacceptably reduce the control over the ultimate location of the component or the firmness of the attachment, or cause unacceptable contamination, degassing, and the like. What is needed is a heat spreader lead with a lip that can be coupled to the substrate board by conventional methods used in typical unsealed chip packages and can also be thermally cycled with improved reliability.

기판 보드에 전기적으로 접속된 하부 전자 컴포넌트에 결합되는 열 분산기 리드가 제공되며, 상기 열 분산기 리드는 중앙 영역, 상기 기판 보드에 접속되도록 적응되는 립을 포함하는 외부의 주변부 영역, 및 상기 중앙 영역과 상기 외부의 주변부 영역 사이에 위치된 스트레인 고립 영역(strain isolation region)을 포함한다.A heat spreader lead is provided that is coupled to a lower electronic component electrically connected to a substrate board, the heat spreader lead having a central region, an outer peripheral region including a lip adapted to be connected to the substrate board, and the central region. And a strain isolation region located between the outer peripheral region.

도 1은 감소된 리드 두께의 영역들을 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 집적형 열 분산기 리드를 포함하는 반도체 패키지의 횡단면도이다.1 is a cross-sectional view of a semiconductor package including an integrated heat spreader lead in accordance with an embodiment of the present invention having regions of reduced lead thickness.

도 2는 반도체 패키지를 커버하도록 나타낸 관통-슬롯들을 갖는 본 발명의 일 실시예에 따른 집적형 열 분산기 리드의 상면도이다.2 is a top view of an integrated heat spreader lead in accordance with an embodiment of the present invention having through-slots shown to cover a semiconductor package.

도 3은 관통 슬롯들을 갖는 본 발명의 다른 실시예의 저면 사시도이다.3 is a bottom perspective view of another embodiment of the present invention with through slots.

도 4는 감소된 리드 두께의 영역들을 갖는 본 발명의 실시예의 저면 사시도이다.4 is a bottom perspective view of an embodiment of the present invention having regions of reduced lead thickness.

도 5는 감소된 리드 두께의 영역들을 갖는 본 발명의 선택적 실시예에 따른 집적형 열 분산기 리드를 포함하는 반도체 패키지의 횡단면도이다.5 is a cross-sectional view of a semiconductor package including an integrated heat spreader lead in accordance with an optional embodiment of the present invention having regions of reduced lead thickness.

이러한 도면들에서, 유사한 번호들은 도면의 유사한 엘리먼트들을 지칭한다. 도면들에서 상이한 컴포넌트들의 크기들은 이에 한정되거나 정확한 비율로 이루어지지 않을 수 있으며, 시각적으로 명확히 나타내고 설명을 위하여 도시됨을 이해해야 한다.In these figures, like numerals refer to like elements of the figures. It is to be understood that the sizes of the different components in the figures may not be limited or to scale, and are visually clearly shown and shown for illustrative purposes.

전자 회로 컴포넌트들을 위한 열 분산기가 개시된다. 도 1을 참조하면, 반도체 패키지는 기판(10), 다이(12), 및 선택적 열 인터페이스 물질(14)로 이루어진다. 열 분산기 리드(16)는 본딩층(bonding layer)(18)을 통해 기판 보드(10)에 결합되고, 리드(16)는 열 인터페이스 물질(14)을 통해 다이(12)에 열적으로 결합된다. 열 인터페이스물질(14)은 선택적이고, 요구되는 열적 결합은 리드와 하부 전자 컴포넌트의 직접적인 물리적 접촉 또는 하부 전자 컴포넌트로부터 열을 전달하는 열 인터페이스 물질과 리드의 물리적 접촉을 통해 달성될 수 있다. 많은 열 전도성 물질들은 열 인터페이스물질로서 사용하기에 적합하다. 통상적인 열 인터페이스 물질들은 알루미늄, 은, 붕소 질화물 또는 알루미늄 질화물로 도핑된 접착제들 기질의 실리콘 또는 폴리머를 포함한다. 통상적인 열 인터페이스 물질들은 또한 역류 금속 인터페이스에서 이용되는 리드, 금, 또는 주석 납땜을 포함한다. 통상적으로, 열 인터페이스 물질 층의 두께는 직접적 접촉을 통한 열적 커플링의 경우 0 내지 0.2mm 범위이다. 본딩층(18)은 통상적으로 0.75mm 두께 미만의 접착층이다. 립(9)은 하부 기판 보드(10)에 리드가 접속될 수 있도록 열 분산기 리드(16)의 외부 둘레 근처에 형성된다.A heat spreader for electronic circuit components is disclosed. Referring to FIG. 1, a semiconductor package consists of a substrate 10, a die 12, and an optional thermal interface material 14. The heat spreader leads 16 are coupled to the substrate board 10 through a bonding layer 18, and the leads 16 are thermally coupled to the die 12 through the thermal interface material 14. Thermal interface material 14 is optional, and the desired thermal coupling can be achieved through direct physical contact of the lid and the lower electronic component or physical contact of the lead with the thermal interface material that transfers heat from the lower electronic component. Many thermally conductive materials are suitable for use as thermal interface materials. Typical thermal interface materials include silicones or polymers of adhesive substrates doped with aluminum, silver, boron nitride or aluminum nitride. Typical thermal interface materials also include lead, gold, or tin solder used in countercurrent metal interfaces. Typically, the thickness of the thermal interface material layer ranges from 0 to 0.2 mm for thermal coupling through direct contact. Bonding layer 18 is typically an adhesive layer less than 0.75 mm thick. The lip 9 is formed near the outer perimeter of the heat spreader lead 16 so that the lead can be connected to the lower substrate board 10.

열 분산기 리드(16)는 통상적으로 구리, 알루미늄, 또는 100 Watt/meter°K(W/m°K)를 초과하는 열 전도율을 갖는 금속 매트릭스 혼합물과 같은 높은 열 전도율 물질로 이루어진다. 구리 열 분산기 리드는 부식 보호를 위한 니켈과 같은 다른 금속으로 도금될 수 있다. 열 분산기 리드의 크기는 하부의 다이 및 인접 컴포넌트들의 크기, 및 생성되는 열의 양(상부에 놓이는 방열기의 크기에 영향을 줌) 에 의해 결정된다. 현재의 중앙처리유닛(CPU) 집적회로 다이를 수용하는 통상적인 크기는 18mm × 18mm 평방밀리 내지 45mm × 45mm 평방밀리이지만, 다른 크기들과 형상들이 상이한 패키징 전략들, 상이한 전기 컴포넌트들, 또는 동일한 형태의 미래 전기 컴포넌트들을 수용하도록 요구될 수 있다. 과도한 열의 금속 대류(convection)를 촉진시키도록 금속 핀들을 포함할 수 있는 소위 방열기(도 1에 미도시)인 금속 컴포넌트는 통상 클립에 의해 부착되거나 열 전도성 접착제를 통해 열 분산기 리드(16)의 상부면(20)에 부착된다.The heat spreader leads 16 typically consist of a high thermal conductivity material, such as copper, aluminum, or a metal matrix mixture having a thermal conductivity in excess of 100 Watt / meter ° K (W / m ° K). The copper heat spreader leads may be plated with other metals such as nickel for corrosion protection. The size of the heat spreader leads is determined by the size of the bottom die and adjacent components, and the amount of heat generated (affects the size of the heat sink placed on top). Typical sizes to accommodate current central processing unit (CPU) integrated circuit dies are 18mm × 18mm square millimeters to 45mm × 45mm square millimeters, but different packaging strategies, different electrical components, or the same form in different sizes and shapes. May be required to accommodate future electrical components of the device. A metal component, a so-called radiator (not shown in FIG. 1) that may include metal fins to promote excessive heat metal convection, is typically attached to the top of the heat spreader lead 16 by a clip or through a thermally conductive adhesive. It is attached to the face 20.

열 분산기 리드(16)를 제조하기 위한 프로세스들은 블랭킹(blanking), ㅋ코코이닝(coining), 피어싱(piercing), 절삭(deburring), 세정(cleaning), 도금 및 검사를 포함하는 몇몇 단계들을 사용할 수 있다. 상기 단계들은 구리 코일로부터 얻어진 원료를 마감부로 변형시킨다. 세정 및 검사 단계들과 같은 하나 이상의 이러한 단계들은 제조 프로세스의 과정 동안 반복될 수 있다. 구리 코일들 또는 스트립들은 이러한 프로세스 설명에서 원료로서 참조되지만, 다른 적절한 열 전도성 물질이 구리를 대체할 수 있다는 것을 이해해야 한다.Processes for manufacturing the heat spreader lead 16 may use several steps, including blanking, cocoing, piercing, deburring, cleaning, plating, and inspection. have. The steps transform the raw material obtained from the copper coil into a finish. One or more of these steps, such as cleaning and inspection steps, may be repeated during the course of the manufacturing process. Copper coils or strips are referenced as raw materials in this process description, but it should be understood that other suitable thermally conductive materials may replace copper.

제조 프로세스의 제 1 주 단계는 일반적으로 구리 스트립으로부터 정사각형 또는 직사각형 블랭크들을 절단하기 위한 것이다. 이러한 제 1 주 단계는 고속 프레스로 프로그레시브 블랭킹을 이용하여 달성될 수 있다.The first main step of the manufacturing process is generally for cutting square or rectangular blanks from the copper strip. This first main step can be achieved using progressive blanking with a high speed press.

제조 프로세스의 제 2 주 단계는 중앙 영역의 둘레 및 캐비티 근처의 립을 갖는 리드들을 형성하도록 블랭크들을 코이닝시키는 것이다. 상기 블랭크들은 코이닝 단계 이전에 오일로 코팅될 수 있다.The second main step of the manufacturing process is to coin the blanks to form leads having lips around the central region and near the cavity. The blanks may be coated with oil prior to the coining step.

제조 프로세스의 제 3 단계는 스트레인 고립 영역들이 이전의 블랭킹 및 코이닝 단계들 동한 형성되지 않을 정도로 본 발명에 따라 구성되는 스트레인 고립 영역들을 형성하는 것이다. 관통 슬롯들을 포함하는 스트레인 고립 영역들의 경우에, 피어싱 프레스를 이용하여 관통 슬롯들이 천공되는 것이 바람직하다.The third step of the fabrication process is to form the strain isolation regions constructed in accordance with the present invention such that the strain isolation regions are not formed during the previous blanking and coining steps. In the case of strain isolated regions comprising through slots, it is preferred that the through slots are drilled using a piercing press.

제조 프로세스의 제 4 단계는 리드들의 절삭, 세정 및 건조하는 것이다. 연마(grinding) 단계는 필요시 리드가 평면 스펙과 일치되도록 절삭 단계에 선행할 수 있다. 이들 단계에 이어, 리드(lid)는 에칭된 다음 니켈과 같은 물질로 도금될 수 있다. 추가의 세정 및 검사(inspection) 단계들이 상기 개시된 임의의 단계들을 선행하거나 후속할 수 있다. 반도체 패키지에서 리드를 조립하는 동안, 리드의 립(lip) 일부 또는 전체에 접착제가 위치되어, 기판 보드와의 결합을 용이하게 할 수 있다.The fourth step of the manufacturing process is cutting, cleaning and drying the leads. The grinding step may precede the cutting step so that the lead conforms to the planar specification if necessary. Following these steps, the lid can be etched and then plated with a material such as nickel. Additional cleaning and inspection steps may precede or follow any of the steps disclosed above. During assembly of the leads in the semiconductor package, an adhesive may be placed on some or all of the lips of the leads to facilitate engagement with the substrate board.

처리된(finished) 열 분산기의 목적은 동작하는 동안 다이를 보호하고 다이에 의해 발생되는 열을 분산시키는 것이다. 통상적으로 리드에 대해 전형적으로 사용되는 높은 열적 전도성 물질은 하부에 놓인 기판 보드 보다 큰 열팽창 계수를 갖는다. 비-캡슐 반도체 패키지가 가열됨에 따라, 리드가 팽창하나 리드의 팽창은 리드(16)의 전체 에지를 우회하는 본딩층들(18)에 의해 주변부에서 제한된다. 이러한 주변부 제한은 팽창하는 리드(16)에 응력을 야기시킬 수 있으며, 이는 통상적인 리드의 경우, 중심부가 다이로부터 들어 올려지는 방식의 뒤틀림, 또는 하부에 놓인 기판 보드(10)의 변형(deflection)을 야기시킬 수 있다. 다이(12)로부터 리드의 분리는 이들 사이에서의 열적 결합을 파손시키고, 다이로부터의 열 전달을 감 소시켜, 시스템 성능에 영향을 미칠 수 있다. 열적으로 유도된 뒤틀림(warping)은 본딩층들 상에 응력을 유발시킨다. 비-밀봉식 반도체 패키지가 충분히 뜨겁고 리드와 기판의 열팽창 계수 간의 차가 충분히 크다면, 본딩층의 파국적(catastrophic) 구조적 결함이 야기될 수 있다. 또한, 열적 로딩 사이클은 종래의 리드와 다이 사이의 인터페이스로부터 열적 인터페이스 물질을 펌프시킬 수 있는 뒤틀림 사이클을 야기시킬 수 있다. The purpose of the finished heat spreader is to protect the die during operation and dissipate the heat generated by the die. High thermally conductive materials typically used for leads typically have a greater coefficient of thermal expansion than underlying substrate boards. As the non-capsule semiconductor package heats up, the lead expands but the expansion of the lead is limited at the periphery by bonding layers 18 bypassing the entire edge of the lead 16. Such peripheral limitations can cause stress on the expanding leads 16, which, in the case of conventional leads, warp in the way the center is lifted from the die, or deflection of the underlying substrate board 10. May cause. Separation of leads from die 12 may break the thermal bonds between them, reduce heat transfer from the die, and affect system performance. Thermally induced warping causes stress on the bonding layers. If the non-sealed semiconductor package is sufficiently hot and the difference between the coefficient of thermal expansion of the leads and the substrate is large enough, catastrophic structural defects of the bonding layer can be caused. In addition, the thermal loading cycle can cause a twisting cycle that can pump the thermal interface material from the interface between conventional leads and die.

본 발명에 따라 이렇게 열적으로 유도된 뒤틀림 및 시스템 성능에 악영향을 미칠 수 있는 가능성이 감소될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따라, 도 1에 도시된 감소된 두께의 영역(24)과 같이 다수의 스트레인 고립 영역들은 열적으로 유도된 응력을 감소시키고 열 분산기 리드(16)에서 열적으로 유도된 스트레인을 고립시킬 수 있다. 본 발명의 실시예에 따라 열 분산기 리드들을 제조하는 동안, 슬롯들 및/또는 감소된 두께의 영역들을 통해 리드를 부분적으로 또는 완전히 관통하는 리드가 형성된다. 이들 영역들은 리드의 가열 분산 능력(capability)을 실질적으로 유지하면서, 응력 완화를 강화시키고 스트레인을 고립시키기 위해 리드의 주변부 부근의 바람직한 위치들에 위치될 수 있다. 스트레인 고립 영역들을 위한 인접한 주변부 위치들은 리드의 중앙 영역의 중앙 영역으로부터의 열 전달 방해를 방지할 수 있으며, 종종 다이는 대부분의 열을 생성한다.According to the present invention, the possibility of adversely affecting this thermally induced distortion and system performance can be reduced. In accordance with an embodiment of the present invention, a plurality of strain isolation regions, such as the reduced thickness region 24 shown in FIG. 1, reduce thermally induced stress and reduce the thermally induced strain in the heat spreader leads 16. Isolate. During fabrication of the heat spreader leads in accordance with an embodiment of the present invention, leads are formed that partially or completely pass through the leads through slots and / or regions of reduced thickness. These regions may be located in desirable locations near the periphery of the lid to enhance stress relaxation and isolate strain while substantially maintaining the heat dissipation capability of the lid. Adjacent peripheral positions for strain isolation regions can prevent heat transfer obstruction from the central region of the central region of the lid, often the die producing most of the heat.

본 발명의 또다른 실시예가 도 2에 도시된다. 기판(10)과 결합된 열 분산기 리드(28)를 상부에서 도시한 것이다. 다수의 관통(through)-슬롯들(30)은 립을 포함하는 중앙 영역(32) 및 외부 주변부 영역(34) 사이에 위치된다. 본 실시예에서, 중앙 영역(32)은 4개의 접속부들 또는 접속부(36) 영역들을 통해 외부 주변부 영역(34)에 접속된 채 유지된다. 중앙 영역(32)에서 리드의 두께는 전형적으로 현재의 응용예에 대해 0.5mm 내지 8mm 범위에서 선택된다. 관통-슬롯(30)은 폴리머 물질과 같은, 적절한 충전재(filler) 물질로 부분적으로 또는 완전히 밀봉될 수 있다. 전형적으로 관통-슬롯(30)의 폭은 본 발명의 4개-슬롯 실시예에 대한 리드 두께의 1/2 보다 좁게 선택된다. 전형적으로 본 발명의 4개-슬롯 실시에에 대한 접속부(36)의 폭은 0.5mm 내지 15mm 범위에서 선택된다.Another embodiment of the invention is shown in FIG. 2. The top of the heat spreader lead 28 coupled to the substrate 10 is shown. A number of through-slots 30 are located between the central region 32 including the lip and the outer peripheral region 34. In the present embodiment, the central area 32 remains connected to the outer peripheral area 34 through four connections or areas of the connection 36. The thickness of the leads in the central region 32 is typically selected in the range of 0.5 mm to 8 mm for current applications. The through-slot 30 may be partially or completely sealed with a suitable filler material, such as a polymeric material. Typically the width of through-slot 30 is chosen to be narrower than one half of the lead thickness for the four-slot embodiment of the present invention. Typically the width of the connection 36 for the four-slot implementation of the present invention is selected in the range of 0.5 mm to 15 mm.

관통-슬롯을 이용하는 본 발명의 또 다른 실시예가 도 3에 도시된다. 립을 포함하는 외부 주변부 영역(46)에 대한 중앙 영역(44)의 함몰에 의해 캐비티가 형성된다. 통상적으로 이러한 캐비티는 다이(12) 및 열적 인터페이스 물질(14)을 에워싸도록 충분히 깊다. 예를 들어, 하나의 최신 CPU 다이는 약 0.6mm의 캐비티 깊이를 요구한다. 본딩층(18)은 외부 주변부 영역(46)에 부착된다. 다수의 관통-슬롯(42)은 중앙 영역(44)과 외부 주변부 영역(46) 사이에 위치된다. 본 실시예에서, 중앙 영역(44)은 4개의 접속부들 또는 접속부(48) 영역들을 통해 외부 주변부 영역(46)에 접속된채 유지된다.Another embodiment of the present invention using a through-slot is shown in FIG. 3. The cavity is formed by the depression of the central region 44 relative to the outer peripheral region 46 including the lip. Typically this cavity is deep enough to enclose the die 12 and the thermal interface material 14. For example, one modern CPU die requires about 0.6mm cavity depth. Bonding layer 18 is attached to outer periphery region 46. Multiple through-slots 42 are located between the central region 44 and the outer peripheral region 46. In the present embodiment, the central area 44 remains connected to the outer peripheral area 46 through four connections or areas of the connection 48.

본 발명의 또다른 실시예는 도 4에 도시된다. 립을 포함하는 외부 주변부 영역(56)에 대한 중앙 영역(52)의 함몰에 의해 캐비티가 형성된다. 통상적으로 이러한 캐비티는 다이(12) 및 열적 인터페이스 물질(14)을 에워싸도록 충분히 깊다. 본딩층(미도시)은 외부 주변부 영역(56)에 부착된다. 감소된 리드 두께(54)의 단일 영역이 중앙 영역(52)과 외부 주변부 영역(56) 사이에 위치된다. 본 실시예에 서, 감소된 리드 두께(54) 영역은 중앙 영역(52) 부근에서 멀리 연장되는 단일의 연속적인 그루브를 포함한다. 전형적으로 이러한 그루브의 깊이는 중앙 영역(52)에서 리드 평균 두께의 20% 내지 80%의 범위에서 선택된다. 종종 그루브 깊이는 2mm 미만이다. 또 다른 실시예에서(미도시), 다수의 비-연속적 그루브가 사용된다. 전형적으로 이러한 그루브의 폭은, 상기 그루브가 평탄한 하부를 갖도록 제조된 경우, 그루브 깊이의 1/2 배 내지 그루브 깊이의 8배의 범위에서 선택된다. 감소된 리드 두께의 영역(또는 영역들)이 그의 하부가 V자-형상 또는 도 1의 단면에 도시된 감소된 두께(24)의 영역과 같이 단면이 테이퍼형 형상이 되도록 절단 또는 에칭되면, 전형적으로 이러한 영역의 폭은 그의 깊이의 1 배 내지 15 배의 범위에서 선택된다.Another embodiment of the invention is shown in FIG. 4. The cavity is formed by the depression of the central region 52 relative to the outer peripheral region 56 including the lip. Typically this cavity is deep enough to enclose the die 12 and the thermal interface material 14. A bonding layer (not shown) is attached to the outer peripheral region 56. A single region of reduced lead thickness 54 is located between the central region 52 and the outer peripheral region 56. In this embodiment, the reduced lead thickness 54 region includes a single continuous groove extending far away from the central region 52. Typically the depth of this groove is selected in the range of 20% to 80% of the average thickness of the lead in the central region 52. Often the groove depth is less than 2 mm. In another embodiment (not shown), multiple non-continuous grooves are used. Typically the width of such grooves is chosen in the range of 1/2 times the groove depth to 8 times the groove depth when the groove is made to have a flat bottom. If a region (or regions) of reduced lead thickness is cut or etched such that its cross section is tapered in shape, such as the region of reduced thickness 24 shown in the cross section of FIG. Thus the width of this region is chosen in the range of 1 to 15 times its depth.

온도가 증가하고 열 분산기 리드가 팽창함에 따라, 스트레인 고립 영역들은 응력가 완화되어, 리드와 기판 사이의 결합부(bond) 상에 낮은 기계적 하중이 야기된다. 이는 파국적인 기계적 결함 가능성을 감소시키고 디바이스의 예상 수명을 증가시킨다. 온도가 증가하고 열 분산기 리드가 팽창함에 따라, 스트레인 고립 영역들은 응력 완화를 제공하여 리드 또는 하부에 놓인 기판 보드의 열적 뒤틀림을 덜 야기시킨다. 온도 변화 사이클에 의해 특징화되는 환경에서, 열적 뒤틀림 감소는 다이와 리드의 열적 결합을 보조할 수 있는 선택적인 열적 인터페이스 물질의 이동(migration)을 감소시킨다. 즉, 보다 확고한 장기간 기능 및 개선된 성능이 제공된다.As the temperature increases and the heat spreader leads expand, the strain isolation regions relieve stress, resulting in a low mechanical load on the bond between the lead and the substrate. This reduces the likelihood of catastrophic mechanical failure and increases the expected life of the device. As the temperature increases and the heat spreader lead expands, the strain isolation regions provide stress relief, resulting in less thermal warping of the lead or underlying substrate board. In environments characterized by temperature change cycles, thermal distortion reduction reduces the migration of optional thermal interface materials that can assist in thermal bonding of the die and leads. That is, more robust long-term function and improved performance are provided.

감소된 리드 두께의 영역들을 포함하는 본 발명의 선택적 실시예는 단면도로 도시된 도 5의 반도체 패키지에 도시된다. 여기서, 외부 주변부 영역(62)에 있는 립(60)은 중앙 영역(64)의 리드 두께보다 두껍지 않다. 그러나, 립(60)은 비-밀봉형 마이크로칩 패키지 구성의 경우에서 통상적인 방법에 의해 기판 보드(10)와의 결합이 용이하도록 충분하게 외부 주변부 영역(62)에서 돌출된다.An optional embodiment of the present invention that includes regions of reduced lead thickness is shown in the semiconductor package of FIG. Here, the lip 60 in the outer peripheral region 62 is no thicker than the lead thickness of the central region 64. However, the lip 60 protrudes sufficiently in the outer peripheral region 62 to facilitate engagement with the substrate board 10 by conventional methods in the case of a non-sealed microchip package configuration.

본 발명은 본 명세서에서 개시된 특정 파라미터, 물질 및 실시예들로 제한되지 않는다는 것을 주목해야 한다. 본 발명의 범주내에서 다양한 변형이 이루어질 수 있다.It should be noted that the present invention is not limited to the specific parameters, materials and embodiments disclosed herein. Various modifications may be made within the scope of the present invention.

Claims (46)

기판 보드에 전기적으로 연결되는 하부의 전자 컴포넌트에 결합된 열 분산기 리드로서,A heat spreader lead coupled to an underlying electronic component electrically connected to a substrate board, 중앙 영역;Central area; 상기 기판 보드에 본딩되도록 제공된 립을 포함하는 외부의 주변부 영역; 및An outer peripheral region comprising a lip provided to be bonded to the substrate board; And 상기 중앙 영역과 상기 외부의 주변부 영역 사이에 위치된 스트레인 고립 영역Strain isolation region located between the central region and the outer peripheral region 을 포함하는 열 분산기 리드.A heat spreader lead comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스트레인 고립 영역은 하나 이상의 관통-슬롯들을 포함하는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And the strain isolation region comprises one or more through-slots. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스트레인 고립 영역은 하나 이상의 감소된 리드 두께 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And the strain isolation region comprises one or more reduced lead thickness regions. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 관통-슬롯들은 충전재 물질로 부분적으로 또는 완전히 밀봉되는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And the through-slots are partially or completely sealed with filler material. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 두 개 이상의 관통-슬롯들이 제공되고, 상기 관통-슬롯들은 연결 영역들에 의해 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.Two or more through-slots are provided, wherein the through-slots are separated from each other by connecting regions. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 감소된 리드 두께의 단일 영역은 상기 중앙 영역을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And the single region of reduced lead thickness surrounds the central region. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 감소된 리드 두께의 영역들은 하나 이상의 그루브들을 포함하는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And wherein the areas of reduced lead thickness comprise one or more grooves. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 연결 영역들 중 적어도 하나의 위치에서의 상기 열 분산기 리드의 두께는 상기 중앙 영역에서의 상기 열 분산기 리드의 두께에 비해 감소되는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And the thickness of the heat spreader lead in at least one of the connection regions is reduced compared to the thickness of the heat spreader lead in the central region. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 적어도 하나의 연결 영역의 너비는 15mm 미만인 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And the width of the at least one connection area is less than 15 mm. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 적어도 하나의 관통 슬롯의 너비는 상기 중앙 영역에서의 열 분산기 두께의 절반보다 더 큰 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And the width of the at least one through slot is greater than half the thickness of the heat spreader in the central region. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 관통-슬롯들 중 적어도 하나는 홀인 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And at least one of the through-slots is a hole. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 관통-슬롯들 중 적어도 하나는 곡선형 관통-홀인 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.At least one of said through-slots is a curved through-hole. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 네 개의 관통-슬롯들이 제공되고, 제 1 관통-슬롯 및 제 3 관통-슬롯은 상기 열 분산기 리드의 가로 중심선 상에 중심이 놓이는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.Four through-slots are provided, wherein the first through-slot and the third through-slot are centered on the transverse centerline of the heat spreader lead. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 적어도 하나의 그루브는 2 mm 미만의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And wherein said at least one groove has a depth of less than 2 mm. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 적어도 하나의 그루브는 상기 중앙 영역에서의 평균 리드 두께의 적어도 20% 내지 80%의 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And said at least one groove has a depth of at least 20% to 80% of the average lead thickness in said central region. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 적어도 하나의 그루브는 자신의 깊이보다는 크지만 자신의 깊이의 15배 미만인 너비를 갖는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And said at least one groove has a width that is greater than its depth but less than 15 times its depth. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 관통-슬롯들 중 적어도 하나는 원형 홀인 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And at least one of the through-slots is a circular hole. 반도체 패키지로서,As a semiconductor package, 반도체 다이;Semiconductor die; 기판 보드;Substrate board; 상기 기판 보드에 부착된 립을 포함하는 외부의 주변부 영역, 중앙 영역, 및 상기 중앙 영역과 상기 외부의 주변부 영역 사이에 위치된 스트레인 고립 영역을 포함하는 열 분산기 리드A heat spreader lead including an outer peripheral region, a central region comprising a lip attached to the substrate board, and a strain isolation region located between the central region and the outer peripheral region 를 포함하는 반도체 패키지.Semiconductor package comprising a. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 스트레인 고립 영역은 적어도 하나의 관통-슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And the strain isolation region comprises at least one through-slot. 제 18 항에 있어서,The method of claim 18, 상기 스트레인 고립 영역은 적어도 하나의 감소된 리드 두께 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And the strain isolation region comprises at least one reduced lead thickness region. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 두 개 이상의 관통-슬롯이 제공되고, 상기 관통-슬롯들은 연결 영역들에 의해 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.Two or more through-slots are provided, wherein the through-slots are separated from each other by connection regions. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 적어도 하나의 관통 슬롯의 너비는 상기 중앙 영역에서의 열 분산기 두께의 절반보다 더 큰 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And the width of the at least one through slot is greater than half the thickness of the heat spreader in the central region. 제 20 항에 있어서,The method of claim 20, 상기 감소된 리드 두께의 영역들은 하나 이상의 그루브들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.Wherein the regions of reduced lead thickness comprise one or more grooves. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 연결 영역들 중 적어도 하나의 위치에서의 상기 열 분산기 리드의 두께는 상기 중앙 영역에서의 열 분산기 리드 두께에 비해 감소되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And the thickness of the heat spreader lead in at least one of the connection regions is reduced compared to the heat spreader lead thickness in the central region. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 상기 적어도 하나의 연결 영역의 너비는 15mm 미만인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The width of the at least one connection region is less than 15mm semiconductor package. 제 21 항에 있어서,The method of claim 21, 네 개의 관통-슬롯들이 제공되고, 제 1 관통-슬롯 및 제 3 관통-슬롯은 상기 열 분산기 리드의 가로 중앙선 상에 중심이 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.Four through-slots are provided, wherein the first through-slot and the third through-slot are centered on the transverse centerline of the heat spreader lead. 제 23 항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 적어도 하나의 그루브는 2mm 미만의 깊이인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And said at least one groove is less than 2 mm deep. 제 23 항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 적어도 하나의 그루브는 상기 중앙 영역에서의 평균 리드 두께의 적어도 20% 내지 80% 의 깊이를 가지는 특징으로 하는 반도체 패키지.Wherein said at least one groove has a depth of at least 20% to 80% of an average lead thickness in said central region. 제 23 항에 있어서,The method of claim 23, wherein 상기 적어도 하나의 그루브는 자신의 깊이보다는 더 크지만 자신의 깊이의 15배 미만의 너비를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And said at least one groove is greater than its depth but less than 15 times its depth. 기판 보드에 전기적으로 연결되는 하부의 전자 컴포넌트에 의해 생성되는 열을 분산시키기 위한 열 분산기 리드로서,A heat spreader lead for dissipating heat generated by an underlying electronic component electrically connected to a substrate board, 중앙 영역;Central area; 상기 중앙 영역을 하부의 전자 컴포넌트에 열적으로 결합시키기 위한 결합 수단;Coupling means for thermally coupling the central region to an underlying electronic component; 립을 포함하는 외부의 주변부 영역;An outer peripheral region comprising the lip; 상기 리드를 상기 기판 보드에 본딩시키기 위한 본딩 수단; 및Bonding means for bonding the lead to the substrate board; And 상기 중앙 영역에 열적으로 유도되는 변형을 제한하기 위한 수단Means for limiting thermally induced deformation in the central region 을 포함하는 열 분산기 리드.A heat spreader lead comprising a. 기판 보드에 전기적으로 연결되는 하부의 전자 컴포넌트에 의해 생성되는 열을 분산시키기 위한 열 분산기 리드의 제조 방법으로서,A method of making a heat spreader lead for dissipating heat generated by an underlying electronic component that is electrically connected to a substrate board, 블랭크보다 더 큰 원료 피스(piece)로부터 원하는 크기 및 형상의 블랭크를 잘라놓는(separating) 단계;Separating a blank of a desired size and shape from a piece of raw material larger than the blank; 상기 리드가 상기 기판 보드에 본딩되도록 상기 리드의 주변부에 립을 생성하는 단계; 및Creating a lip in the periphery of the lead such that the lead is bonded to the substrate board; And 상기 중앙 영역보다는 상기 리드의 주변부에 더 가까운 위치에서 상기 리드 내에 적어도 하나의 스트레인 고립 영역을 형성하는 단계Forming at least one strain isolation region in the lid at a location closer to the periphery of the lid than the central region 를 포함하는 열 분산기 리드의 제조 방법.Method for producing a heat spreader lead comprising a. 제 31 항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 원료 피스는 적어도 100 W/m °K의 열 전도성을 갖는 적어도 하나의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드의 제조 방법.The raw material piece comprises at least one material having a thermal conductivity of at least 100 W / m ° K. 제 31 항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 잘라놓는 단계 및 상기 형성하는 단계는 동시에 달성되는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드의 제조 방법.And said step of forming and said forming are achieved simultaneously. 제 31 항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 생성하는 단계 및 상기 형성하는 단계는 동시에 달성되는 것을 특징으 로 하는 열 분산기 리드의 제조 방법.Wherein said producing and said forming are achieved simultaneously. 제 31 항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 생성하는 단계는 코이닝(coining)에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드의 제조 방법.Wherein said producing step is achieved by coining. 제 31 항에 있어서,The method of claim 31, wherein 상기 형성하는 단계는 피어싱에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드의 제조 방법.And said forming step is achieved by piercing. 제 31 항에 있어서,The method of claim 31, wherein 적어도 하나의 도금(plating) 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드의 제조 방법.And at least one plating step. 다이 및 기판 보드를 포함하는 반도체 패키지의 조립 방법으로서,A method of assembling a semiconductor package comprising a die and a substrate board, 상기 다이를 상기 기판 보드에 전기적으로 연결시키는 단계; 및Electrically connecting the die to the substrate board; And 상기 기판 보드에 열 분산기 리드를 부착시키는 단계 - 상기 열 분산기 리드는 상기 리드의 주변부에서 립을 가지고, 리드의 중앙 영역보다는 리드의 주변부에 더 가까운 위치에서 상기 리드 내에 적어도 하나의 스트레인 고립 영역을 가지며, 상기 부착 단계는 상기 열 분산기 리드의 립을 상기 기판 보드에 본딩시키는 단계 를 포함함 -Attaching a heat spreader lead to the substrate board, wherein the heat spreader lead has a lip at the periphery of the lead and has at least one strain isolation region in the lead at a position closer to the periphery of the lead than to a central region of the lead. The attaching step comprises bonding a lip of the heat spreader lead to the substrate board. 반도체 패키지의 조립 방법.Assembly method of semiconductor package. 제 38 항에 있어서,The method of claim 38, 상기 부착 단계는 본딩 물질을 상기 립 상에 퍼팅하는 적어도 하나의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 조립 방법.Said attaching step comprises at least one step of putting a bonding material onto said lip. 제 38 항에 있어서,The method of claim 38, 상기 열 분산기 리드의 표면에 방열판을 부착시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 조립 방법.And attaching a heat sink to a surface of the heat spreader lead. 기판 보드에 전기적으로 연결되는 하부의 전자 컴포넌트에 결합된 열 분산기 리드로서,A heat spreader lead coupled to an underlying electronic component electrically connected to a substrate board, 중앙 영역;Central area; 외부의 주변부 영역; 및Outer peripheral area; And 상기 중앙 영역에서의 평균 리드 두께의 적어도 20% 내지 80% 깊이를 갖고, 상기 중앙 영역과 상기 외부의 주변부 영역 사이에 위치된 적어도 하나의 그루브At least one groove having a depth of at least 20% to 80% of an average lead thickness in the central region and located between the central region and the outer peripheral region 를 포함하는 열 분산기 리드.A heat spreader lead comprising a. 제 41 항에 있어서,42. The method of claim 41 wherein 자신의 깊이보다는 크고 자신의 깊이의 15배 미만의 너비를 갖는 그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And a groove having a width greater than its depth and less than 15 times its depth. 제 41 항에 있어서,42. The method of claim 41 wherein 2mm 미만의 깊이를 갖는 그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 열 분산기 리드.And a groove having a depth of less than 2 mm. 반도체 패키지로서,As a semiconductor package, 기판 보드에 전기적으로 연결된 반도체 다이; 및A semiconductor die electrically connected to the substrate board; And 외부의 주변부 영역, 중앙 영역, 및 상기 중앙 영역에서의 평균 리드 두께의 적어도 20% 내지 80% 의 깊이를 가지면서 상기 중앙 영역과 상기 외부의 주변부 영역 사이에 위치된 적어도 하나의 그루브를 포함하며, 상기 반도체 다이에 결합되는 열 분산기 리드An outer periphery region, a central region, and at least one groove located between the central region and the outer peripheral region having a depth of at least 20% to 80% of an average lead thickness in the central region, A heat spreader lead coupled to the semiconductor die 를 포함하는 반도체 패키지.Semiconductor package comprising a. 제 44 항에 있어서,The method of claim 44, 상기 열 분산기 리드는, 자신의 깊이보다는 더 크지만 자신의 깊이의 15배 미만인 너비를 갖는 그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And the heat spreader lead comprises a groove having a width that is greater than its depth but less than 15 times its depth. 제 44 항에 있어서,The method of claim 44, 상기 열 분산기 리드는 2mm 미만의 깊이를 갖는 그루브를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And the heat spreader lead comprises a groove having a depth of less than 2 mm.
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