KR20060004824A - 씨모스 이미지 센서 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로, 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 일영역에 형성되는 포토다이오드, 서로 다른 층에 형성되는 도전성 회로들, 상기 도전성 회로들간 절연을 위한 다수의 유전층들과, 상기 유전층들 위의 컬러필터층, 상기 컬러필터층상의 평탄층, 상기 평탄층상에 구성되어 입사광을 상기 포토다이오드로 집광시키는 마이크로렌즈를 포함하는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 상기 유전층들 중 최하부 유전층과 최상부 유전층을 제외한 유전층들 중 어느 하나의 유전층을 나머지 다른 유전층들보다 큰 굴절율을 갖도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
이미지 센서, 집광, 렌즈, 유전율

Description

씨모스 이미지 센서{CMOS Image sensor}
도 1은 통상의 CMOS 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 회로도
도 2는 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 단면도
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 단면도
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 도면
**도면의 주요 부분에 대한 부호 설명**
21 : 반도체 기판 22 : STI막
23, 24, 25, 26, 24a, 24b : 유전층
27 : 컬러필터층 28 : 평탄층
29 : 마이크로렌즈 PD : 포토다이오드
M1, M2, M3 : 금속 회로들
본 발명은 씨모스 이미지 센서에 관한 것으로 특히, 집광 능력을 향상시키고 마이크로 렌즈 제작시 발생되는 공정 변이(variation)를 커버(cover)할 수 있는 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지센서라 함은 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 이중 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이다. 더욱이, 씨모스(Complementary MOS; 이하 CMOS라 함) 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소 수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
이러한 다양한 이미지센서를 제조함에 있어서, 이미지센서의 광감도(photo sensitivity)를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있는바 그 중 하나가 집광 기술이다. 예컨대, CMOS 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지부와, 감지된 빛을 전기적신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직회로부로 구성되어 있다. 광감도를 높이 기 위해서는 전체 이미지 센서 면적에서 광감지부의 면적이 차지하는 비율(이를 통상 'Fill Factor'라 한다)을 크게하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부를 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적 하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서 광감도를 높여주기 위하여 광감지부 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부로 모아주는 집광기술이 많이 연구되고 있다.
도 1은 통상의 CMOS 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 회로도로, 빛을 받아 광전하를 생성하는 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 NMOS 트랜지스터로 구성된다.
4개의 NMOS 트랜지스터는 상기 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅 확산영역(Floating Diffusion : FD)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와, 원하는 값으로 플로팅 확산영역(FD)의 전위를 셋팅하고 전하를 배출하여 플로팅 확산영역(FD)을 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(Rx)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(source follower buffer amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 스위칭(switching) 역할로 어드레싱(addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터로 구성된다. 그리고, 단위 화소 밖에는 출력신호(Output signal)를 읽을 수 있도록 로드 트랜지스터(load transistor)가 형성되어 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서를 설명하면 다음과 같다.
도 2는 종래 기술에 따른 씨모스 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 단면도로서, 집광에 관련된 주요부분만 도시하였다.
종래의 씨모스 이미지 센서는 도면에 도시하는 바와 같이, 반도체 기판(11)에 트랜치 분리 기술로 형성된 STI막(12)이 반도체 기판(11)을 필드 영역과 활성영역으로 정의하고 있고, 상기 STI막(12) 사이 활성영역의 반도체 기판(11)에는 입사광을 받아 전하를 축적하는 포토다이오드(PD)가 형성되어 있다.
그리고, 단위 화소를 구성하는 금속 회로들(M1)(M2)(M3)이 형성되어 있고, 상기 금속 회로들(M1)(M2)(M3)간을 층간 절연하기 위하여 유전층들(13)(14)(15)(16)이 형성되어 있다.
전술한 바와 같이, 이미지 센서의 단위 화소는 포토다이오드를 비롯하여 신호처리를 위한 여러 개의 트랜지스터들로 구성되는데, 상기 금속 회로들(M1)(M2)(M3)은 이러한 단위화소를 구성하는 것으로, 상기 포토다이오드(PD)로 입사하는 광을 막지 않도록 배치한다.
그리고, 상기 유전층들(13)(14)(15)(16)은 비슷한 굴절율을 갖는 물질로 구성되는데, 이로 인해 상기 유전층들(13)(14)(15)(16)을 통과하는 입사광은 직선에 가깝게 진행된다.
상기 유전층(16)상에는 적색(red), 녹색(green), 청색(blue)으로 염색된 포토레지스트를 재료로 하는 컬러필터층(17)이 형성되어 있고, 상기 컬러필터층(17) 위에는 평탄층(18)이 형성되어 있으며, 상기 평탄층(18)상에는 돔(dome) 형태의 마이크로렌즈(19)가 형성되어 있다.
도면에 나타낸 바와 같이, 씨모스 이미지 센서로 들어오는 입사광은 마이크로렌즈(19)의 곡률에 따라서 a~e와 같이 궤적이 달라진다.
상기 유전층들(13)(14)(15)(16)의 굴절율이 거의 비슷하기 때문에 상기 마이크로렌즈(10)를 통과한 광은 거의 직선에 가깝게 진행한다.
이때, b~d까지의 입사광은 포토다이오드(PD)로 입사한 후, 전자 정공쌍(electron-hole pair)을 생성하여 이미지 센싱에 기여하지만, a, e와 같은 입사광은 포토다이오드(PD)내로 입사하지 못하여 아무런 소용이 없게 되고 그 만큼 씨모스 이미지 센서의 효율이 저하되게 된다.
또한, 광이 직선에 가깝게 진행하므로 상기 마이크로렌즈(19) 제작시 공정 변이(variation)가 발생될 경우 포토다이오드(PD)로 입사하지 못하게 되는 광이 많아지게 될 것이다. 따라서, 마이크로렌즈(19)의 제작 공정 마진(margin)이 매우 작은 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 포토다이오드로 입사하지 못하던 광을 포토다이오드로 입사되게 하여 씨모스 이미지 센서의 집광 효율을 향상시키는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 마이크로렌즈 제작 공정의 마진을 향상시키는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서는 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 일영역에 형성되는 포토다이오드, 서로 다른 층에 형성되는 도전성 회로들, 상기 도전성 회로들간 절연을 위한 다수의 유전층들과, 상기 유전층들 위의 컬러필터층, 상기 컬러필터층상의 평탄층, 상기 평탄층상에 구성되어 입사광을 상기 포토다이오드로 집광시키는 마이크로렌즈를 포함하는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 상기 유전층들 중 최하부 유전층과 최상부 유전층을 제외한 유전층들 중 어느 하나의 유전층을 나머지 다른 유전층들보다 큰 굴절율을 갖도록 구성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성과 그 작용을 설명하며, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 단면도이다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서는 도면에 도시하는 바와 같이, 반도체 기판(21)에 트랜치 분리 기술로 STI막(22)이 형성되어 있고, 상기 STI막(22) 사이의 활성영역의 반도체 기판(21)에는 입사광을 받아 전하를 축적하는 포토다이오드(PD)가 형성되어 있다.
그리고, 단위 화소를 구성하는 금속 회로들(M1)(M2)(M3)이 형성되어 있고, 상기 금속 회로(M1)사이를 층간 절연하기 위한 유전층(23), 금속 회로(M1)와 금속 회로(M2)사이를 층간 절연하기 위한 유전층(24), 금속 회로(M2)와 금속 회로(M3)사이를 층간 절연하기 위하여 유전층(25), 금속회로(M3)와 그 상부를 절연하기 위한 유전층(26)이 형성되는데, 상기 유전층(26)들 중 최하부에 위치한 유전층(23)과 최상부에 위치한 유전층(26)을 제외한 유전층(24)(25) 중 어느 하나의 유전층을 다른 유전층들보다 큰 굴절율을 갖도록 구성한다.
본 실시예에서는 유전층(24)을 1.7~2.5의 굴절율을 갖도록 구성하고, 나머지 다른 유전층들(23)(25)(26)을 상기 유전층(24)보다 작은 1.3~1.6의 굴절율을 갖도록 구성한다.
예를 들어, 상기 유전층(24)을 나이트라이드(nitride) 계열의 물질로 구성하고, 상기 유전층들(23)(25)(26)을 옥사이드(oxide) 계열의 물질로 구성한다.
전술한 바와 같이 이미지 센서의 단위 화소는 포토다이오드를 비롯하여 신호처리를 위한 여러 개의 트랜지스터로 구성되는데, 금속 회로들(M1)(M2)(M3)은 이러한 단위화소를 구성하는 금속회로로, 상기 포토다이오드(PD)로 입사하는 광을 막지 않도록 배치한다.
그리고, 상기 유전층(26)상에는 적색(red), 녹색(green), 청색(blue)으로 염색된 포토레지스트를 재료로 하는 컬러필터층(27)이 형성되어 있고, 상기 컬러필터층(27) 위에는 평탄층(28)이 형성되어 있으며, 평탄층(28)상에는 돔(dome) 형태의 마이크로렌즈(29)가 형성되어 있다.
씨모스 이미지 센서로 입사되는 빛은 마이크로렌즈(29)의 곡률에 따라서 a~e와 같이 입사광의 궤적이 달라진다.
그리고, 상기 유전층(24)은 다른 유전층들(23)(25)(26)보다 굴절율이 크기 때문에 도 3에 도시하는 바와 같이 마이크로렌즈(29)를 통과한 입사광은 거의 직선으로 진행하다가 굴절율이 서로 다른 유전층들의 계면 즉, 유전층(25)과 유전층(24)의 계면과, 유전층(24)과 유전층(23)의 계면에서 굴절되면서 경로가 변경되게 된다.
상기 유전층(25)의 굴절율이 유전층(24)의 굴절율보다 작으므로 상기 유전층(25)과 유전층(24)의 계면에서 굴절각(θ12)은 입사각(θ11)보다 작다.
그리고, 상기 유전층(24)의 굴절율이 유전층(23)보다 굴절율이 크므로 유전층(24)과 유전층(23)의 계면에서 굴절각(θ22)은 입사각(θ21)보다 크다.
따라서, 기존에 포토다이오드(PD)로 입사하지 못하던 광(a, e)도 굴절되면서 포토다이오드(PD)로 수렴하게 된다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 씨모스 이미지 센서의 단위 화소를 나타낸 단면으로, 상기 도 3과 동일한 구성에 대해서는 동일 부호를 사용하였다.
도 4에 도시된 바에 따르면, 제 2 실시예에서는 유전층(24) 전체를 다른 유전층들(23)(25)(26)보다 큰 굴절율을 갖게 구성하는 제 1 실시예와 달리 광이 지나가는 경로에 있는 영역에서만 다른 유전층들(23)(25)(26)보다 큰 굴절율을 갖는 유전층(24a)으로 구성하고, 그 외의 부분에서는 다른 유전층들(23)(25)(26)과 동일한 굴절율을 갖는 유전층(24b)으로 구성하였다.
상기 제 2 실시예는 광이 지나가는 경로에 있는 영역의 유전층(24a)만 다른 유전층들(23)(25)(26)보다 큰 굴절율을 갖도록 하는 구성만 다를 뿐, 다른 구성들은 상기 제 1 실시예와 동일하므로 반복하여 설명하지 않을 것이다.
또한, 전체를 굴절율이 큰 유전층(24)으로 구성한 제 1 실시예에서와 광이 지나가는 경로에 위치한 부분에만 굴절율이 큰 유전층(24a)으로 구성한 제 2 실시예의 집광되는 원리도 동일하므로, 제 1 실시예를 참조하면 될 것이다.
상기와 같은 본 발명의 씨모스 이미지 센서는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 기존에 포토다이오드로 입사되지 못하던 a, e와 같은 광(도 1 참조)을 포토다이오드 내로 입사시킬 수 있으므로 씨모스 이미지 센서의 집광효율을 향상시킬 수 있다.
둘째, 광을 굴절시키어 포토다이오드 내로 수렴시킬 수 있으므로 마이크로 렌즈 제작시 공정 변이(variation)에 대한 어느 정도의 허용이 가능하다. 따라서, 마이크로렌즈 제작 공정 마진(margin)을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구범위에 의해서 정해져야 한다.

Claims (5)

  1. 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 일영역에 형성되는 포토다이오드, 서로 다른 층에 형성되는 도전성 회로들, 상기 도전성 회로들간 절연을 위한 다수의 유전층들과, 상기 유전층들 위의 컬러필터층, 상기 컬러필터층상의 평탄층, 상기 평탄층상에 구성되어 입사광을 상기 포토다이오드로 집광시키는 마이크로렌즈를 포함하는 씨모스 이미지 센서에 있어서,
    상기 유전층들 중 최하부 유전층과 최상부 유전층을 제외한 유전층들 중 어느 하나의 유전층을 나머지 다른 유전층들보다 큰 굴절율을 갖도록 구성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 어느 하나의 유전층 전체를 상기 나머지 다른 유전층들보다 큰 굴절율을 갖도록 구성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 어느 하나의 유전층을 광이 지나가는 경로에 위치한 부분이 상기 나머지 다른 유전층들보다 큰 굴절율을 갖도록 구성하고, 상기 그 외의 부분은 상기 나머지 다른 유전층들과 동일한 굴절율을 갖도록 구성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 어느 하나의 유전층이 갖는 굴절율은 1.7~2.5이고, 상기 나머지 다른 유전층들이 갖는 굴절율은 1.3~1.6인 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 어느 하나의 유전층은 나이트라이드(Nitride) 계열의 물질이고, 상기 나머지 다른 유전층들을 옥사이드(Oxide) 계열을 물질로 구성됨을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서.
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KR100843969B1 (ko) * 2006-12-20 2008-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100843969B1 (ko) * 2006-12-20 2008-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
US7883925B2 (en) 2006-12-20 2011-02-08 Dongbu Hitek Co., Ltd. Image sensor and method for fabricating the same
KR100829377B1 (ko) * 2006-12-27 2008-05-13 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법

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